TWI521097B - 剝錫添加劑及其應用 - Google Patents

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Description

剝錫添加劑及其應用
本發明關於一種用於剝除金屬的添加劑；尤指一種用於錫剝除的添加劑
自古以來，礦產與人類社會及科學的發展息息相關，其重要性在現代科技的電子產業中更顯得舉足輕重。電子產業中的多種元件，如中央處理器、電路板、記憶體、覆晶晶片、乃至於手機外殼中的隱藏式天線，都具有含鍍金屬的部分。該些部分並負擔關鍵性的功能。然而，地球上的礦產資源並非取之不竭用之不盡，因此，在永續發展的考量下，如何從廢棄物上回收其金屬成分，逐漸成為產業中重視的工作環節之一。
領域中通常使用於廢印刷電路板的回收方式有焚燒法、酸洗法、機械物理分離法。焚燒法係將廢棄的電路板經機械破碎以後再送進高溫焚化爐中進行焚燒程序，藉由高溫將樹脂分解並破壞，以取得貴重金屬。然而，燃燒廢棄電路板會產生含溴廢氣與戴奧辛毒性氣體，將造成嚴重的空氣汙染。酸洗法是利用強酸對廢棄電路板進行酸洗，以取得含有貴金屬的洗出液(wash off solution)。接著再利用電解法或酸鹼沉澱法將金屬分離出來。機械物理分離法係藉著粉碎機粉碎廢棄印刷電路板，再依據密度不同的特性來分離金屬與非金屬物質。接著，再以 磁性回收金屬。然而，這種方法所得金屬純度較低，並不理想。
西元2003年歐盟通過了RoHS指令，禁止製造含鉛之電子產品，使得無鉛錫膏需求量大增，錫價也跟著上漲。因此，領域中急需一種回收效率高且對環境友善的錫回收方法。
爰是，本發明的一個目的在於提供一種新穎的剝錫添加劑及含其之剝錫液，其可在維持剝錫效率的前提下減少硝酸的使用量，因此使用上更加安全，對於環境的危害也較小。
本發明的另一個目的在於提供一種新穎的錫回收方法，其有助於高效率地自廢棄電子元件上回收錫金屬，達到金屬回收再利用的目標。
本發明的又一個目的在於提供一種新穎的反應槽，其結構係特別設計以用於金屬的回收，尤其是配合前述錫回收方法使用。
為了達到前述目的，本發明提供一種剝錫添加劑，其包含：0.1至20重量百分比之銅緩蝕劑；及0.1至20重量百分比之鎳緩蝕劑；其中，前述重量百分比係以前述剝錫添加劑的總重量為基礎。
較佳地，前述銅緩蝕劑為磷酸鹽。
較佳地，前述磷酸鹽為：磷酸鉀、磷酸二氫鉀、磷酸氫二鉀、磷酸三鈉、或其組合。
較佳地，前述鎳緩蝕劑為：草酸鈉、氯化銨、碳酸鉀、間硝基磺酸鈉、或其組合。
本發明亦提供一種剝錫液，其包含：20至50體積百分比之前述剝錫添加劑；及20至50體積百分比之硝酸；其中，前述體積百分比 係以前述剝錫液的總體積為基礎。
較佳地，前述硝酸為濃度為67至68wt%的硝酸。
較佳地，前述剝錫液進一步包含一溶劑。
較佳地，前述溶劑為水。
本發明另提供一種錫回收方法，其包含以下步驟：(A)使一待處理物品浸泡於前述剝錫液中，以取得一洗出液(wash-off solution)；(B)添加一鹼性溶液至前述洗出液，以取得一沉澱物；(C)加熱前述沉澱物；及(D)使經前述步驟(C)處理後的前述沉澱物進行還原反應，以獲得金屬錫。
較佳地，前述浸泡係使前述待處理物品放置於一前述剝錫液的浴中來達成。
較佳地，前述浴的溫度為20至60℃。
較佳地，前述鹼性溶液為：氫氧化鈉、氫氧化鉀、或其組合。
較佳地，前述步驟(C)中的前述加熱係於600至800℃下進行。
較佳地，前述還原反應係使經前述步驟(C)處理後的前述沉澱物於氫氣及氮氣的混合氣體中加熱。
較佳地，前述混合氣體中含有：20至30體積百分比的氫氣；及70至80體積百分比的氮氣；其中前述體積百分比係以前述混合氣體的總體積為基礎。
較佳地，前述混合氣體係以流速為100至500ml/min的氣體流的形式供應至前述還原反應。
較佳地，前述還原反應係於200至800℃下進行。
較佳地，前述步驟(A)之後，進一步包含一過濾步驟。
較佳地，前述過濾步驟係採用濾紙過濾、袋式過濾、板式過濾、 葉片式過濾、交叉流動過濾、離心過濾、道可式過濾、水力旋風過濾、薄膜過濾、或其組合。
較佳地，前述步驟(B)之後，進一步包含一水洗步驟。
本發明再提供一種反應槽，其包含：一本體，其包含一入口、一出口、一周壁、及一進氣口；其中前述周壁定義出一內部空間；其中前述內部空間於靠近該出口端設為一收集區(collection area)；一第一加熱裝置，其係設置以圍繞至少部分前述周壁；及一篩網，其係設置於前述內部空間中，以將前述內部空間劃分為兩個空間。
較佳地，前述本體於前述收集區係設為一漸縮結構，且與前述出口相連通。
較佳地，前述本體於前述收集區係設有一收集盤。
較佳地，前述第一加熱裝置的位置係相對於前述篩網於前述內部空間中的位置。
較佳地，前述反應槽進一步包含一第二加熱裝置，其中前述第二加熱裝置的位置係相對於前述收集區的位置。
較佳地，前述加熱裝置係為一加熱爐(furnace)、一加熱帶(heating tape)、或其組合。
較佳地，前述篩網的孔隙的直徑為0.1至1mm。
較佳地，前述反應槽進一步包含一氣體供應裝置；前述氣體供應裝置係與前述進氣口連通，以將氣體導入前述內部空間。
較佳地，前述反應槽係用於金屬錫之純化。
綜上所述，本發明提供一種剝錫添加劑，其可與習用於剝除金屬的硝酸混合使用而形成為本發明的剝錫液。本發明之剝錫添加劑可以減少硝酸的使用量，但不影響剝錫效率，而因此對於環境更為友善。本發明亦提供使用該剝錫添加劑/剝錫液的 錫回收方法，及設計以配合該錫回收方法使用的反應槽。該錫回收方法的效率優異且操作簡單，更具有對環境友善的優點。本發明反應槽的結構係經特別設計，以使金屬回收的製程更加順利。
100‧‧‧本體
101‧‧‧入口
102‧‧‧出口
103‧‧‧周壁
104‧‧‧進氣口
110‧‧‧內部空間
111‧‧‧收集區
201‧‧‧第一加熱裝置
202‧‧‧第二加熱裝置
300‧‧‧篩網
第一圖顯示本發明反應槽的一種實施態樣。
第二圖顯示本發明反應槽的另一種實施態樣。
第三圖顯示本發明實施例一中實驗一的實驗結果。(A)剝錫處理前；(B)剝錫處理後。
第四圖顯示本發明實施例一中實驗二的實驗結果。(A)剝錫處理前，正面；(B)剝錫處理前，背面；(C)剝錫處理後，正面；(D)剝錫處理後，背面。
第五圖顯示本發明實施例一中實驗三的實驗結果。(A)剝錫處理前，正面；(B)剝錫處理前，背面；(C)剝錫處理後，正面；(D)剝錫處理後，背面。
第六圖顯示本發明實施例一中實驗四的實驗結果。(A)經剝錫處理20分鐘；(B)經剝錫處理1000分鐘。
第七圖顯示本發明實施例二中樣本1、3、4的剝除率。
第八圖顯示本發明實施例三之還原反應步驟中，反應槽內的的H2濃度變化。
第九圖顯示本發明實施例三所得錫塊的XRD分析圖譜。(A)條件1；(B)條件2。
本發明關於一種剝錫添加劑及含其之剝錫液。本發明亦關於一種使用前述剝錫液的錫回收方法，及一種特別適合於錫回收的反應 槽。
本發明的第一面向為一種剝錫添加劑，其可與習用於剝除金屬的硝酸混合使用，而達到減少硝酸使用量的效果。本發明之剝錫添加劑包含：0.1至20重量百分比之銅緩蝕劑；及0.1至20重量百分比之鎳緩蝕劑；其中，前述重量百分比係以前述剝錫添加劑的總重量為基礎。在一個可行實施態樣中，前述剝錫添加劑進一步包含一溶劑，以利前述銅緩蝕劑及前述鎳緩蝕劑充分混合。較佳地，前述溶劑為水。
在一可行實施態樣中，前述銅緩蝕劑係為一種磷酸鹽類。較佳地，前述磷酸鹽包括，但不限於：磷酸鉀、磷酸二氫鉀、磷酸氫二鉀、磷酸三鈉、或其組合。在一可行實施態樣中，前述鎳緩蝕劑包括，但不限於：草酸鈉、氯化銨、碳酸鉀、間硝基磺酸鈉、或其組合。
值得注意的是，雖然本發明之剝錫添加劑特別適合與硝酸合併使用，但本發明之剝錫添加劑的使用方式並不受限制。換言之，本發明之剝錫添加劑亦可與領域中其他習用於剝除金屬的工作液體混合使用，而達到金屬剝除的效果。
本發明的第二面向為一種剝錫液，其包含20至50體積百分比之前述剝錫添加劑；及20至50體積百分比之硝酸；其中，前述體積百分比係以前述剝錫液的總體積為基礎。在本發明的一個較佳實施態樣中，前述剝錫添加劑及前述硝酸的體積比為1：1；換言之，在此較佳實施態樣中，本發明之剝錫添加劑可取代所用硝酸的一半使用量，而大幅度減少對環境有害且操作危險的硝酸使用量。在一個可行實施態樣中，濃度為67至68wt%的硝酸；領域中市售之濃硝酸通常是濃度為68wt%的硝酸。
在一個可行實施態樣中，前述剝錫液進一步包含一溶劑。較佳地，前述溶劑為水。添加溶劑可具有以下好處：使前述剝錫添加劑與前述硝酸的混合更加充分、及/或增加整體剝錫液的體積以使待處 理物品充分浸潤於其中。
本發明的第三面向為一種錫回收方法，其包含以下步驟：(A)使一待處理物品浸泡於前述剝錫液中，以取得一洗出液(wash-off solution)；(B)添加一鹼性溶液至前述洗出液，以取得一沉澱物；(C)加熱前述沉澱物；及(D)使經前述步驟(C)處理後的前述沉澱物進行還原反應，以獲得金屬錫。
在一個可行實施態樣中，前述浸泡係使前述待處理物品放置於一前述剝錫液的浴中來達成。在一個較佳實施態樣中，在前述步驟(A)的浸泡程序中，可使前述待處理物品於前述浴中搖晃，以利反應進行。在一個較佳實施態樣中，在前述步驟(A)的浸泡程序中，可使前述浴中的前述剝錫液形成一循環之液體流，以利反應進行。在一個可行實施態樣中，前述浴的溫度為20至60℃。
於前述步驟(A)之後，將前述待處理物品自前述浴中移除，而取得一洗出液。前述洗出液含有前述剝錫液以及自前述待處理物品中剝除的金屬成分。接著，添加一鹼性溶液至前述洗出液中，以進行前述步驟(B)。待前述鹼性溶液與前述洗出液充分反應之後，可取得一沉澱物，其主要由氫氧化亞錫所組成。在一個可行實施態樣中，前述鹼性溶液為：氫氧化鈉、氫氧化鉀、或其組合。
然後，取出前述沉澱物，並使其於空氣中加熱(步驟(C))。於加熱的過程中，氫氧化亞錫會與空氣反應生成二氧化錫。在一個可行實施態樣中，前述步驟(C)中的前述加熱係於600至800℃下進行。
之後，再使前述二氧化錫進行還原反應而生成金屬錫(步驟(D))。在一個可行實施態樣中，於前述步驟(D)中導入氫氣，以使二氧化錫與氫氣進行以下化學方程式之反應，而生成金屬錫：SnO2+2H2 → Sn+2H2O。
在一個較佳實施態樣中，前述還原反應係使經前述步驟(C)處理 後的前述沉澱物於氫氣及氮氣的混合氣體中加熱。前述混合氣體中含有：20至30體積百分比的氫氣；及70至80體積百分比的氮氣；其中前述體積百分比係以前述混合氣體的總體積為基礎。在一可行實施態樣中，前述混合氣體係以流速為100至500ml/min的氣體流的形式供應至前述還原反應。較佳地，前述混合氣體係連續地供給至前述還原反應中，以使前揭還原反應方程式中的起始物飽和，驅使反應往右邊進行，而形成產物。在一個較佳實施態樣中，前述還原反應係於600至800℃下進行。
在一個較佳實施態樣中，前述步驟(A)之後，本發明方法進一步包含一過濾步驟，以濾除前述洗出液中的雜質。前述雜質可能包含含銀成分的沉澱物。
在一個較佳實施態樣中，前述步驟(B)之後，本發明方法進一步包含一水洗步驟。前述水洗步驟係於前述洗出液中添加大量的清水，並使其充分混合，以使前述洗出液中的鈉鹽溶解於清水中。接著，在經由一過濾步驟以將前述洗出液中的固體成分與液體成分分離。
在一個可行實施態樣中，前述過濾步驟係採用濾紙過濾、袋式過濾、板式過濾、葉片式過濾、交叉流動過濾、離心過濾、道可式過濾、水力旋風過濾、薄膜過濾、或其組合。
本發明的第四面向為一種反應槽。在一可行實施態樣中，本發明的反應槽係特別設計以配合本發明之錫回收方法來使用，而特別適合於金屬錫的回收及純化。
請參第一圖及第二圖，其分別顯示本發明反應槽之兩種態樣的示意圖。圖式中所示之本發明的反應槽包含：一本體100，其包含一入口101、一出口102、一周壁103、及一進氣口104；其中前述周壁103定義出一內部空間110；其中前述內部空間110於靠近該出口端設為一收集區111(collection area)；至少一加熱裝置(第一加 熱裝置201及第二加熱裝置202；及一篩網300，其係設置於前述內部空間110中，以將前述內部空間110劃分為兩個空間。
在第一圖及第二圖所示實施態樣中，前述本體100於前述收集區111處的結構設置有所不同。第一圖中，前述本體100於前述收集區係設為一漸縮結構105；前述漸縮結構105係指一結構其寬度逐漸由大至小漸縮，並與前述出口102相連通。第二圖中，前述本體100於前述收集區係設有一收集盤106，其係放置於前述出口102的位置，以收集產物(如，金屬錫)，並可自前述出口102處移走，方便運送產物。
在第一圖及第二圖所示實施態樣中，本發明之反應槽皆具有兩個加熱裝置201及202。此設計是為了方便於不同反應區段下使用不同的反應溫度。惟，所屬領域中具有通常知識者當也可以使用一個加熱裝置，並在反應製程中以調整溫度的方式來達成相同的效果及滿足製程中的需求。使用者亦可使用兩個以上的加熱裝置來對於不同反應區段進行加熱，不受特別之限制。雖然於第一圖及第二圖中，由於圖式視角的關係，使前述第一加熱裝置201及第二加熱裝置202看起來像是設置於前述本體的兩側，但前述第一加熱裝置201及第二加熱裝置202係設置以圍繞至少部分前述周壁103。在一較佳實施態樣中，前述第一加熱裝置201的位置係相對於前述篩網300於前述內部空間110中的位置。在一較佳實施態樣中，前述第二加熱裝置202的位置係相對於前述收集區111的位置。在一可行實施態樣中，前述加熱裝置係為一加熱爐(furnace)、一加熱帶(heating tape)、或其組合。
在一較佳實施態樣中，前述篩網300的孔隙的直徑為0.1至1mm(於圖式中未將該孔隙繪出)。在一較佳實施態樣中，前述反應槽進一步包含一氣體供應裝置；前述氣體供應裝置係與前述進氣口104連通，以將氣體導入前述內部空間110。
以錫回收製程為例，將本發明之錫回收方法中步驟(B)所取得的沉 澱物置於前述篩網300上，並進行後續步驟。前述沉澱物的大小大於前述篩網300的孔隙，因此不會往下掉落。然而，於步驟(C)中加熱及於步驟(D)中自前述進氣口104導入混合氣體(H2/N2以進行還原反應後，熔融之錫金屬即可自前述孔隙中滴落至前述收集區111。
實施例一：本發明之剝錫液的剝錫效率測試I
首先，進行本發明之剝錫添加液的製備。以下表一中所列成分及比例，將銅緩蝕劑和鎳緩蝕劑於溶劑下混合均勻，即獲得本發明之剝錫添加液。
後續實驗將以前述表一中所示之樣本B進行。於本實施例中，將測試添加本發明之剝錫添加液之剝錫液的剝錫效率。依據表二中所載配比配置樣本1及樣本2，並分別用於剝除主機板(實驗1至實驗4)。
[實驗1]
使一主機板浸泡於前述樣本1中，並於20℃下反應30分鐘。請參 第三圖A及B；其中第三圖A為剝錫反應之前所照之照片，第三圖B為反應後的照片。於圖中可知，樣本1之剝錫液於30分鐘內並順利將主機板上的金屬錫剝除。
[實驗2]
使一主機板浸泡於前述樣本2中，並於25℃下反應20分鐘。請參第四圖A、B、C、D；其中第四圖A及B為剝錫反應之前所照之照片(分別為正面及背面)，第四圖C及D為反應後的照片。於圖中可知，樣本2之剝錫液於20分鐘內並順利將主機板上的金屬錫剝除。此外，由圖中照片可知，主機板上的銅鍍層、連接器(connector)上的鎳鍍層、及IC原件上的焊腳並未被樣本2之剝錫液剝離，顯示在適當的處理時間下，本發明之剝錫液對於錫金屬有專一性的剝除效果，不會一併剝除待處理物品上的其他金屬。因此，在後續的錫回收製程中可取得純度高的金屬錫。
[實驗3]
使一主機板浸泡於前述樣本2中，並於25℃下反應20分鐘。請參第五圖A、B、C、D；其中第五圖A及B為剝錫反應之前所照之照片(分別為正面及背面)，第五圖C及D為反應後的照片。於圖中可知，樣本2之剝錫液於20分鐘內並順利將主機板上的金屬錫剝除。此外，由圖中照片可知，主機板上的銅鍍層、連接器(connector)上的鎳鍍層、及IC原件上的焊腳並未被樣本2之剝錫液剝離，顯示在適當的處理時間下，本發明之剝錫液對於錫金屬有專一性的剝除效果，不會一併剝除待處理物品上的其他金屬。因此，在後續的錫回收製程中可取得純度高的金屬錫。
[實驗4]
延續前述實驗2及實驗3，若將前述主機板上的零組件進一步浸泡於樣本2之剝錫液中1000分鐘(25℃)，則可見主機板上的銅鍍層將 被剝除，且IC元件上的焊腳也會脫落。然而，連接器上的鎳鍍層仍然不會有任何損傷(第六圖A及B)。
實施例二：本發明之剝錫液的剝錫效率測試II
於本實施例中，將分別使6片PCB電路板浸泡於表三中所配置的剝錫液中5分鐘(25℃)，並依據以下公式計算剝除率(strip ratio，SR)，以比較不同配比之本發明剝錫液的剝除效率。
請參第七圖，其分別顯示樣本1、3、4的剝除率。從圖中數據可知，樣本3剝錫液的剝除率較樣本4來得高。由於樣本4中並未添加本發明之剝錫添加劑，因此此實驗結果顯示，添加本發明之剝錫添加劑以取代一半之硝酸用量，不僅達到減少硝酸使用量的目的，更能取得更好的剝錫效率。另一方面，本發明之樣本1剝錫液的剝錫效率雖然並非非常優異，但由於其硝酸使用量最低，因此在操作上的安全性最高。是故，本實施例進一步測試，若延長反應時間，是否可以使本發明之樣本1剝錫液的剝除率達到可信賴的水準。
下表四中顯示，將反應時間延長為10分鐘、20分鐘、及30分鐘之後，樣本1剝錫液的剝除率逐漸提高至100%。此實驗結果顯示稍稍 延長反應時間後，樣本1剝錫液同樣能達到優異的剝除率。
實施例三：本發明之錫回收方法
本實施例係延續前述實施例二中的剝除步驟，以樣本1剝除PCB電路板所得之洗出液進行本發明之錫回收方法。由於實施例二中已進行完畢本發明錫回收方法的步驟(A)，因此本實施例將從步驟(B)開始進行。在進行步驟(B)之前，經檢測(SEM-EDS)確認前述洗出液中分別含有以下成分：Sn(佔85.58wt%)、Çu(佔0.46wt%)、Ag(佔8.92wt%)、及Na(佔5.04wt%)。為了降低洗出液中的銀含量，首先進行一過濾程序(濾紙過濾)以將銀成分濾除。接著，添加氫氧化鈉至前述洗出液中直至當量點，以產出一沉澱物。前述沉澱物中的主要成分應為氫氧化亞錫。
由前揭SEM-EDS檢測中可知，於前述沉澱物中應也含有大量的鈉成分。因此，為了移除該鈉成分，將前述沉澱物置於大量的清水中混合攪拌，然後再經一過濾程序(濾紙過濾)以取得經純化後的沉澱物。接著，再經SEM-EDS檢測確認前述沉澱物中含有以下成分：Sn(佔94.76wt%)、Çu(佔0.43wt%)、及Na(佔4.81wt%)。可見前揭處理步驟已順利使銀成分排除、鈉成分降低、及使錫成分富集化。
然後，將所得沉澱物烘乾以取得一含錫產物。由於前述沉澱物中 的主要成分為氫氧化亞錫，因此經前述步驟(C)的加熱處理之後，前述含錫產物的主要成分為二氧化錫。須留意的是，前述步驟(C)的加熱處理亦可於本發明反應槽中進行。
接著，將前述含錫產物(5g)放置於本發明之反應槽中的篩網上，導入H2/N2混合氣體(H2：N2=1：4；體積比)，並藉由第一加熱裝置使二氧化錫於高溫下進行還原反應(即，本發明之步驟(D))。前述含錫產物在高溫還原反應下熔融為金屬液滴，其自前述篩網的孔隙中滴落並收集於本發明反應槽之收集區。於本實施例中，分別以下表五中所示條件進行最適條件之測試。
於反應中持續導入前述混合氣體，並偵測反應槽中的H2濃度(第八圖)。當反應槽中的H2濃度趨近20%體積百分比時，即表示反應完全。由第八圖可推算，前述表五中的條件1(反應時間2500秒)應不足以使反應完全。藉由第二加熱裝置使本發明反應槽之收集區的溫度保持於300℃，以確保金屬錫液滴不會凝結。經秤重之後，分別記錄所得錫塊的重量及理論重量如下表六。
由於前述含錫產物的主要成分為二氧化錫。因此，每5g之含錫產物中理論上應含有3.93克的錫(錫分子量/二氧化錫分子量×5g=3.93g)。由此可知，於800℃下(條件2)進行之還原反應取得純度最高的 金屬錫(最接近理論值)。
另，請參第九圖A及B，其分別顯示前述條件1及條件2所得之錫塊的XRD分析圖譜。由圖中數據可知，條件1的產物中尚含有二氧化錫，顯示其反應時間(2500秒)不足以使反應完全。反觀條件2的產物中已不見二氧化錫，顯示反應完全。此外，再將前述條件2所得錫塊進行SEM-EDS分析，結果顯示其中錫佔有99.68wt%，及少量的銅(0.32wt%)。以上結果證實本發明之錫回收方法可取得高純度的金屬錫。

Claims (12)

  1. 一種錫回收方法，其包含以下步驟：(A)使一待處理物品浸泡於一剝錫液中，以取得一洗出液；(B)添加一鹼性溶液至前述洗出液，以取得一沉澱物；(C)加熱前述沉澱物；及(D)使經前述步驟(C)處理後的前述沉澱物進行還原反應，以獲得金屬錫；其中前述剝錫液包含：20至50體積百分比之一剝錫添加劑；及20至50體積百分比之硝酸；其中，前述體積百分比係以前述剝錫液的總體積為基礎；其中前述剝錫添加劑包含：0.1至20重量百分比之銅緩蝕劑；及0.1至20重量百分比之鎳緩蝕劑；其中，前述重量百分比係以前述剝錫添加劑的總重量為基礎。
  2. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述浸泡係使前述待處理物品放置於一前述剝錫液的浴中來達成。
  3. 如請求項第2項所述之錫回收方法，其中前述浴的溫度為20至60℃。
  4. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述鹼性溶液為：氫氧化鈉、氫氧化鉀、或其組合。
  5. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述步驟(C)中的前述加熱係於600至800℃下進行。
  6. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述還原反應係使經前述步驟(C)處理後的前述沉澱物於氫氣及氮氣的混合氣體中加熱。
  7. 如請求項第6項所述之錫回收方法，其中前述混合氣體中含有：20至30體積百分比的氫氣；及70至80體積百分比的氮氣； 其中前述體積百分比係以前述混合氣體的總體積為基礎。
  8. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述銅緩蝕劑為磷酸鹽。
  9. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述磷酸鹽為：磷酸鉀、磷酸二氫鉀、磷酸氫二鉀、磷酸三鈉、或其組合。
  10. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述鎳緩蝕劑為：草酸鈉、氯化銨、碳酸鉀、間硝基磺酸鈉、或其組合。
  11. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述硝酸為濃度為67至68wt%的硝酸。
  12. 如請求項第1項所述之錫回收方法，其中前述剝錫液進一步包含一溶劑。
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