TW200534387A - Plasma film forming system - Google Patents
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200534387 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種藉由在一對電極間施加電場，而將處 理氣體予以電聚化’於半導體底材等之底材表面進行成 膜、蝕刻、灰化、洗淨、改質等處理之電漿表面處理技術。 【先前技術】 電漿表面處理裝置内設有一對電極（如參照特開平 1 1-236676號公報）。在此等一對電極間導入處理氣體，並且 施加電場而形成輝光放電。藉此，將處理氣體予以電漿化。 該電漿化之處理氣體附在半導體底材等之底材上。藉此可 在底材表面實施成膜（CVD)、蝕刻、灰化、洗淨、表面改質 專之處理。 設於1台裝置之電極不限於2個。如特開平5_226258號公 報中所揭示之電漿處理裝置’其多數片電極係極性交錯地 並列。 電聚表面處理之方式包含：將底材配置於_對電極間之 電場施加㈣之所謂直接式；及隔著電場施加空間配置底 材，在電場施加空間朝向該底材噴灑電漿化之處理氣體之 所謂遙控式。此外還包含：將整個裝置放入減壓處理室内， 在低壓環境下進行處理之低壓電漿處理方式；及在接近大 虱壓之壓力(大致常壓)下進行處理之常壓電漿處理方式。 如特開平i 號公報所揭示，遙控式常壓電裝表面 處理裝置内具備處理氣體之喷嘴。於該噴嘴内部相對配置 有-對電極。至少—方電極之相對面上，以噴鑛覆膜等機 102510.doc 200534387 構設有陶瓷等固體電 空間產生電弧放電。二:内=止嫩之電極間之 加空間之噴出路徑。該噴出路柄…間之“把 電聚表面處理用之氣體#；；之_底端配置底材。 (CVD)時，俜使用含 '、“處理目的來使用。成膜 ，由電漿引起反應而覆蓋於騎表面。 但疋，成膜處理時會菸吐 著於裝置側之問題。特別V:::著於峨，容易附 容易附著於電極表面i方式，自噴出路徑喷出前， 盥底材之才蚪 谷易附著於噴嘴噴出路徑周圍及 極等之更換及洗淨等之伴養增加。須頻繁進行電 材枓浪費甚鉅。此外14 件每成 垢），清洗整個噴嘴非常㈣/出路㈣圍之附著物（污 再者，於特門平二 且於保養中必須中斷處理。 中二常==號公報f揭示有:於常壓咖 节糸心、.冯構成自噴嘴周邊至排氣部之壁面 自其網眼噴出惰性氣體， 猎由 但是，可r因… 附著於裝置側之技術。 、非出之惰性氣體擾亂處理氣體产動 而知害對底材之成膜效率。 *乳體机動， 此外巾壓下之電漿表面處理立 由基之平均自由步驟（壽 門、=仏比較’存在自 材時，將失去活性而無法_之^°因而喷嘴過於遠離底 時，在施加電場側之電極盘底 ^過於靠近底材 傷底材。 肩之間容易產生電弧，而損 另外，常厘電浆表面處理時，電弧（異常放電）亦自電極 102510.doc ^200534387 此於處理氣體使用氬 背面（相對面之背面）及電極邊緣產生。 等稀有氣體及氫時特別顯著。 有鑑於前述情況，本發明 中，仍可解決於電漿成膜時 日’膜附著於電極等之技術 進行良好之成膜處理。 提供一種即使於電漿表面處理 ’特別是在遙控式之電漿成膜 。再者，亦可防止電弧放電， 【發明内容】 大氣壓），係指1.333 x 且在 9.33 1 X 1〇4〜1〇 397 X ’且裝置構造簡便。 本發明中所謂大致常壓（接近 104〜10.664xl04Pa之範圍。尤其 104Pa之範圍，因其壓力調整容易 本發明之電漿表面處理（特別是常壓電裝表面處理）係在 電場施加電極與接地電極之至少_方之相對面上設㈣體 下形成介電盒收容構造。 電介質層’以防止電弧(異常放電)。該固體電介質層亦可採 噴鑛等方式覆蓋於電極之金屬本體上，但在本”⑽& 亦即，本發明之電紫成膜裝置之電極具備包含金屬之本 體’及包含收容該電極本體之固體電介質之介電盒(參照圖 9)。藉此，即使膜（污垢）附著於電極上，但 盒上，而不附著於電極本體。因，，只須洗淨介d 體仍可繼續使用。此外，因整個電極本體係以作為固體電 介質層之介電盒覆蓋，除另一方之與電極相對面之外，於 背面及邊緣亦可防止異常放電。特別是處理氣體即使使用 氬及氫等谷易放電之物質時，仍可確實防止於背面等異常 放電。再者，與採用噴鍍等直接覆膜於電極本體表面比較， 102510.doc 加534387 二t上加以變化。另外，該介電盒收容構造本身不 ^於本㉝明領域之電漿成臈，亦可適用於洗淨、银刻、 火化、表面改質等其他電漿表面處理之電 限定於遙控式電聚處理，亦可適用於直接式。 收容前述電極本體之内部空間係開口於前述介電盒之一 ::該：電盒之前述開口侧之端部係自前述電極本體突出 …土猎此，可確實防止電弧等之显常放雷。 有:述介電盒係加入在具有前述内部:::盒本體，更呈 離開口之蓋’該蓋之端部係在自前述電極本體遠 大出方向之位置覆蓋於前述開口側之端面為佳。 係以呈長尺狀之同時相互呈平行對向之方式設置一 述電極本體’亦可於亨箸雷士' 介雷… 4電極本體之對向面間，藉由前述 電益刀成於與電極本體之延伸方 處理氣體之氣體通路。 …向通前述 等：m電極本體係相互收容於各別之介電盒，於該 ’丨電益間形成前述氣體通路亦可。 前述-對之介電盒係彼此面對面，於至少—方之 之對向面形成為前述氣體通路之”亦可。i 开述一對之電極本體具借一共同介電盒，於該介電各 述^錢體通路，同時讀著該氣體通路之方式形成; "對之電極本體用之2個内部空間亦可。 :前述介電盒所劃分之氣體通路之流路剖面 者氧體流方向而改變。 』匕 隔成前述介電盒之前述氣料路與前述内部空間之板厚 l〇25l〇.d〇c 200534387 度’亦可隨著氣體流方向而改變。 前述介電盒係具有於前述電極本 、+、忐 本肢之延伸方向均一化前 述處理氣體後，導入丽述氣體通 、崎之軋體均一化路徑亦可。 亦可將成對之電場施加電極與接 +人^ ~ , 、钱地電極兩者形成前述介 电益收容構造。此時在電場施加雷 +人+ 加甩極之介電盒與接地電極 之介電盒之間形成電漿放電空間。 兩個同極電極分別具備：包令么 3金屬之本體，及包含收容 邊本體之固體電介質之介電各， 丨电風，此荨電極之介電盒亦可彼 此相對，在其間形成流路。 各電極之介電盒亦可各自形成單體，亦可數個電極之介 電盒—體地連接（參照圖15等）。前者之單體構造可各自按昭 附著物（污垢）之狀況進行更換等保養。後者之—體構造，除 可減少零件數量外’亦可輕易且正確地進行電極彼此之固 疋專。-體構造時，宜於盒本體内形成氣體之流路，而於 夾著該流路之兩側形成電極本體之收容空間。亦可沿著氣 體流動方向使該流路之剖面積不@，賦予階差而逐漸變窄 或變寬。藉此可改變氣㈣力及速度1用—體構造時， 可輕易製作此種異形流路。 亦可各電極及其介電盒延伸於與其他電極相對方向正交 之方向，前述介電盒一體具有氣體均一化部，其係使導入 與其他電極之間之流路之氣體均一地擴散於前述延伸方向 上（參照圖17)。藉此，不需要氣體均一化用之其他構件，而 可減少零件數量。 月’J述介電盒之形成電漿放電空間側之板部厚度，亦可電 102510.doc •10- 200534387 ㈣電空間之上游側與下游側不同(參照圖15)。此外前述各 ’亦可於構成一體之介電盒内形成流路來構成 Κ书工間，亚於夹著該流路之兩側分別收容金屬之電 °本體在匕等电極本體之間隔在此等間之電聚放電空間之 上游側與下游側不同（參照圖16)。藉此，可隨流動改變自由 基種之形成方式等，在電漿之狀態上附加各種變化，可謀 求處理方法豐富化。 本1月之對電極施加電場或接地機構，可使用供電•接 地用接腳或是將被覆導線直接連接於電極。 前者之接腳構造中，該接腳宜具有：導電性之接腳本體’ 其係具有對頂端面開口之軸孔，且可抽出地埋入前述電極 内’導電性之芯材’其係可滑動地收容於前述抽孔内，虫 該接腳本體電性導通；及彈簧，其係收容於前述軸孔内，、 細力成使别述芯材自轴孔之頂端開口擠出（參照圖ι〇)。藉 此’可使接腳與電極確實電性導通。此外，由於供電接腳 可自電極抽出，因此不影響保養。 後者之被覆導線構造中’係於前述電極上形成導線用 孔於.玄孔内插入被覆導線，該被覆導線係以絕緣材料被 復導體之線材料’且僅前述線材料之位於前述孔底側之終 端部分自絕緣材料露出，另外，宜於前述電極上旋入螺絲 成_刖述導線用孔大致正交，該螺絲將前述線材料之露出 終端部分壓在前述導線用孔之内周面（圖u)。藉此’可確實 固定導線終端於電極本體上，可確實電性導通。此外，可 確實防止電極之導線引出部分異常放電。於保養時，藉由 102510.doc 200534387 旋鬆前述螺絲，即可自電極輕易地抽出導線。 【實施方式】 以下’參照圖式說明本發明之實施形態。 圖1係顯示本發明第—種實施形態之常壓電漿成膜裝置
Ml (常壓電襞表面處理裝置）者。常壓電聚成膜裝置⑷具 備.包含框體1G之架台（支撐機構），被該架台之框體⑺所支 撐之處理頭3 ’連接於該處理頭3之兩種處理氣體源丄，2及 電源4。於該處理頭3下方，Λ面積之板狀底㈣（被處理物） 可藉由搬運機構（圖上未顯示）在左右方向上傳送。當然，亦 可形成固定底材W，而移動處理頭3。常壓電漿成膜裝置⑷ 係於該底材W上面如形成非晶質外_Si)及氮化邦叫等 膜A(圖8)。 兩種處理氣體源中之原料氣體源i(第—氣體源）内貯存 有構成前述非晶質矽等之膜A之原料氣體（第一氣體，如矽 烷（S1H4))。激發氣體源2(第二氣體源）内貯存有激發氣體（第 二氣體，如氫及氮）。激發氣體係被電漿激發，與前述矽烷 等原料反應’而生成非晶質碎等之膜緒。另外，激發氣體 不含藉由電漿激發其本身單獨膜化之成分（膜原料”各氣體 亦可以液態貯存，並經氣化器氣化。 將原料氣體與激發氣體統稱為「處理氣體 。 脈衝電源4 (電場施加機構）可於前述電極5丨上輸出脈衝 電壓。該脈衝上昇時間及/或下降時間宜為1〇恥以下，脈衝 持續時間宜為200 s以下，電場強度宜，頻 率宜為0.5 kHz以上。 102510.doc -12- ⑧ 200534387 收容並支撐處理頭3 . 狀之左右之壁u，及連二具有.如側面觀察為半圓形 ，平面翻疚目卜 U各下端部之前後之低壁 平面親不則形成四方^ , 屯狀。作為處理頭3之支撐機構之 框體10兼吸入導管。亦即^ ^ 文保栻構之 後/ a后车1 1 如圖3、圖6所示，框體10之前 傻左右之壁11，丨 為中二。此荨中空部10b之下端部，藉由 於壁11，12之下端面„ p 1 / 而面開口，而形成包圍處理頭3下端外周之 吸入口 1〇a。如圖1所示，於左右之壁11上端部分別設有連 接中空部1〇b之開口 1 lb。排氣路徑13分別自此等上端開口 m延伸。排氣路徑13彼此合流後，連接於真空㈣(排氣 機構）。 處理頭3形成前後長之大致立方體形狀，被前後左右之壁 11，12包圍而收容、支撐於框體丨〇内。以下說明處理頭3 之支撐構造。 如圖3及圖7所示，於框體10左右壁n之内壁面下端緣設 有内凸緣1 Id。該内凸緣1 id上鉤住處理頭底框24之左右 部。如圖5及圖7所示，框體1〇之前後壁12上亦設有同樣之 内凸緣12d ’其上放置底框24之前後部。 如圖1所示，於前後壁12之上端面形成有凹陷成倒三角形 狀之固定凹部12b (頭支撐部）。另外，於處理頭3之側板23 上設有形成倒三角形狀之固定用凸部23a。於固定凹部12b 上嵌合有固定凸部23a。藉此，處理頭3固定並支撐於框體 10上。 另外，亦可於處理頭3上設置固定凹部，於框體（支撐機 構）10上設置固定凸部。 102510.doc -13- 200534387 如圖1所示，處理頭3係藉由上下重疊氣體均一化部“與 喷嘴部20而構成。上侧之氣體均一化部30内導入來自氣體 源1，2之氣體。氣體均一化部3〇在處理頭3之長度方向上將 該氣體予以均一化，並供給至下方之喷嘴部2〇。 洋述時，如圖2及圖4所示，氣體均一化部3〇藉由堆疊前 後延伸之數個鋼製板31〜38而構成。此等板31〜38,亦即氣 體均一化部30内，在左右方向虛擬地分割設定三個氣體流 通區域30B，30A，30B。 如圖1所示，於第二段板32之前端部（一端部）上，對應於 區域30B，30A，30B，左右並列設置三個氣體插塞32p。中 央之原料氣體流通區域3〇A之氣體插塞32P經由原料氣體管 la連接原料氣體源！。左右之激發氣體流通區域3〇b， 之氣體插塞32P上，經由激發氣體管2a而連接激發氣體源 2。另外，激發氣體管2a係自激發氣體源2以一條管之狀態 延伸，而後分支成兩條，連接於各區域3〇]3，3犯之氣體插 塞 32P。 如圖2所示，自第二段至最下段之板32〜38上，於各區域 3〇B，30A，30B内形成有氣體均一化路徑3〇χ。此等氣體均 一化路徑30χ構造相同。 如圖2及圖4所示，各區域30Β，30Α，30Β之氣體均一化 路徑30χ係於第二段之板32上形成前端部連接前述氣體插 基32Ρ之進氣口 32b，並且形成自該進氣口 32b深達板32之前 後中央部之反向凹溝32a於下面開口。 於第三段板33之前後中央部，形成有連接於反向凹溝32a 102510.doc 1, 200534387 之左右一對連通孔33a，33b。 於第四段板34上形成有··連接於前述連通孔，並且向 後方延伸之條溝34a及自該條溝34a之終端（後端）深達下面 之連通孔34c ;與連接於前述連通孔33b並且向前方延伸之 條溝34b及自該條溝34b之終端（前端）深達下面之連通孔 34d ° 於第五段板35上形成有··連接於前述連通孔34c並且在大 致整個前後長度方向上延伸之條溝35a，及連接於前述連通 孔34d並且在大致整個前後長度方向上延伸之條溝35b，與 自各條溝35a，35b向下面延伸，並且於前後以等間距並列 之許多細孔（壓損形成路徑）35c，35d。 於第六段板36上形成有：連接於前述細孔35〇，3兄並且 在大致整個前後長度方向延伸之寬條溝（膨脹室）心，及自 該條溝36a向下面延伸，並且前後以等間距，之字狀並列成 兩列之許多細孔（壓損形成路徑）36b。 於第七段板37上形成有：連接於前述細孔36b並且在大致 t個別後長度方向延伸之寬條溝（膨服室）37&，及自該條溝 37a向下面延伸，並且前後以等間距之字狀並列成兩列之許 多細孔（壓損形成路徑）3 %。 於最下彳又板38上形成有連接於前述細孔37b並且在大致 t個刖後長度方向上延伸之寬貫穿孔(膨脹室)心。該貫穿 孔38a構成氣體均—化路徑3()χ之下游端。如後述，貫穿孔 38a連通於絕緣板27之引導路徑27b，27a，27b。 另外最上奴板3 1上，前後延伸收容將各區域3〇B，3〇A， 102510.doc -15- 200534387 30B之氣體均一化路徑3〇χ予以加溫用之厚度薄且細長狀之 板加熱器31Η。自第二段至最下段之板32〜38上，沿著區域 30Β 30Α，30Β邊界形成有細缝3〇s。藉此，各區域3仙， 30Α ’ 30Β熱性絕緣（遮斷）。 圖1及圖2中，符號39S係連結最上段與第二段板31，32 之螺栓，符號39L係連結自第二段至最下段板32〜38之螺栓。 其次，說明處理頭3之喷嘴部2〇。如圖3所示，喷嘴部 具備：噴嘴本體21，收容於該噴嘴本體21内部之電極單元 50，覆蓋於該單元50上之絕緣板27，及設於單元5〇下側之 底材相對構件24，25。如圖6所示，噴嘴本體21具有：前後 延長之金屬製之左右側框22，及跨設於此等側框22前後各 端部間之絕緣樹脂製之前後側框23，而形成前後長的箱 狀。側框22藉由螺栓26Α (圖3)連結於氣體均一化部3〇之最 下段板3 8。 如圖3及圖7所示，構成底材相對構件一個零件之底框24 係以不銹鋼及鋁等金屬形成，而形成在前後延伸之長方形 狀。如上述，底框24鉤住框體1〇之内凸緣11(1，12d來支撐。 於底框24上放置側框22。另外，底框24與側框22雖並非僅 以單純接觸連結，不過亦可經由螺栓及鉤等簡易拆裝機構 連結。 如圖3所示，於底框24内周緣形成有階差24a。該階差24a 上鉤住構成底材相對構件主要零件之長方形狀之底板25周 緣部而设置、支撐。底板25係以氧化鋁等陶瓷（電介質、絕 緣體）構成。於底板25上面設有電極收容凹部25c。該收容 J02510.doc -16-
200534387 凹部25c内嵌合有上述電極單元5〇。 如圖3及圖5所示，底板25上面之收容凹部25c内進一步設 有淺凹部25d。凹部25d形成寬廣並前後延伸。如圖3所示， 於底板25左右中央部形成有自凹部25d達到下面之噴出路 徑25a。如圖7所示，喷出路徑25a形成細缝狀，並在前後延 伸。 如圖3及圖7所示，於底板25之下面，夾著共用喷出路徑 25a，灿後延伸地形成一對淺收容凹部25e。此等收容凹部 . 25e内分別嵌入由細長且厚度薄之金屬導體板構成之接地 電極52A。接地電極52A相對配置於電場施加電極51之須朝 向底材W之側（下側）。 如圖5所示，接地電極52八之長度方向之兩端緣與由金屬 導體構成之底框24接觸。接地線仆自底框24之後端部（與供 電接腳40之配置側之相反側）延伸並接地。 另外，接地電極52A亦可藉由於一片細長金屬導體板上穿 > 設須形成喷出路徑25a之細縫而構成。 如圖3所示，由陶瓷（絕緣體）構成之絕緣板27藉由前述氣 體均一化部30之最下段板38與電極單元5〇上下夾著。絕緣 板27上，在大致整個前後長度方向上延伸之三條氣體引導 路徑27b，27a’ 27b彼此左右分離而形成。中央之原料氣體 引導路徑27a垂直地貫穿絕緣板27。右側之激發氣體引導路 徑27b自絕緣板27上面朝下逐漸向左方傾斜，而到達絕緣板 27下面。左側之激發氣體引導路徑27b自絕緣板”上面朝下 逐漸向右方傾斜，而到達絕緣板27下面。 102510.doc -17- 200534387 如圖3及圖6所示，電極單元5〇且 W · 2支之電場施加電極 51、2支之虛擬電極間隔物52S、 及右對之側板53、及前 後一對之邊緣板54。 如圖3及圖9所示，雷福目士 + 4 51係具有電極本體56、有別於該 電極本體56之介電盒57。電極本说 不56係由鋁及不銹鋼等金 屬構成，呈縱長之四方形剖面，並前後延長。 介電盒57係構成電極本體56之固體電介質層。 介電盒57具有：以氧化銘及玻璃等陶究（電介質则成 之盒本體57a，及與其同材質之蓋57b，並前後延伸。 盒本體57a具有與電極本體56相同形狀之内部空間，並且 背面(與另-方電極51相對側之相反側之面)開口。該盒本體 57a之内部空間内收容可取出之電極本體％，並且以蓋 堵塞背面開口。藉此’電極本體56之整個表面被由盒塊 成之固體電介質層覆蓋。 如圖3所示，盒本體57a之開口側之端部係自電極本體兄 突出。 蓋57b可對盒本體57a拆裝。 虛擬電極間隔物52S除形成與電極51實質上相同之形狀 外並非以導電金屬，而係以陶竟等絕緣體（電介質）構成。 2支之電極5 1與2支之虛擬電極間隔物52s係彼此左右平 行地並列。 亦可於電極5 1之内部形成通過調溫用冷卻水等之調溫路 徑。 電極單元50之側板53由絕緣樹脂構成，並沿著左右之虛 102510.doc -18- 200534387 擬电極間隔物52s背面（與電極51相對側之背面），自左右夾 一 長尺構件5 1、5 2 S群。於側板5 3背面插入自側板2 2 方疋入之螺拴26。藉此，電極單元50正確固定保持於喷嘴本 體21内。 ' 電極單7L 50之邊緣板54係由絕緣樹脂構成，貼在2支之電 極二與2支之虛擬電極間隔物52S之長度方向之兩端面上， 自前後夾著長尺構件51、52S群。
曰以下說明電極51之供電構造。如圖6所示，於中側2支電 琢“私極5 1之如珂端部(長度方向之一端部)内分別埋入 供電接腳40。 、如圖10所示’電場施加電極51用之供電接腳仙具備形 成有在頂^面開口之轴孔41a之轴狀接腳本體4卜收容於轴 孔41a之筒體42,及可滑動收容於該筒體42内之騎接 腳本體4卜筒體42及芯材43係以不錄鋼等導電性金屬構 成，内外之各周面藉由抵接電性導通。 接腳本體4 1之頂端立p可&山丄 二 、 了抽出地插入形成於電場施加電極 51月j端面之接腳孔…内。藉此’接腳本體w與電極W導 内收容有線圈彈菁44(施力機構)，藉由該線圈彈 於"材=自頂端方向’亦即自軸孔41a擠出之方向上 :面=二材43之頂端部強力擠於接腳孔56a之深度 Γ ° 實維持供電接腳40與金屬本體56之導通狀 恶0 於接腳本體41之基端部（頭部）安裝有 腳座45A，45B。附座接腳切⑴ 1之同狀接 " 之基端部自邊緣板54突 102510.doc 19 200534387 出，而配置於前侧之邊緣板54與側板23之間。如圖5所示， 供電線4a自該接腳本體41之基端部延伸，而連接於前述脈 衝電源4。 於益本體57a之如前側之端板上形成有插通供電接腳 用之孔57c。 如圖3及圖6所示，在相鄰之電極51或虛擬電極間隔物52§ 彼此間’形成有處理氣體，亦即前述原料氣體或激發氣體 用之流路50a，50b。 詳述如下，於中側之同極性之各電極51，51之間，形成 有原料氣體用之流路50a。於左右兩側之電極5丨或虛擬電極 間隔物52S彼此間，分別形成有激發氣體用之流路5〇b。因 此，自左起依序排列激發氣體流路5〇b、原料氣體流路5〇a 及激發氣體流路50b。 於電極單兀50之前後邊緣板54上設有由絕緣樹脂構成之 3個板片狀間隔物55。藉由此等板片狀間隔物55插入各電極 51 ’ 52間，來確保前述流路5〇b，50a，50b之寬度。 如圖3所示，中央之流路50a之上端部（上游端）經由前述絕 緣板27之中央引導路徑27a，直接連接於氣體均一化部3〇之 中央區域30A之氣體均一化路徑3〇x，進而經由管la連接於 原料氣體源1。 各電場施加電極51之盒本體57a之形成流路5^側之板， 上側薄，下側厚’中間形成有階差。藉此，流路5〇a形成上 側寬而下側窄。 左右兩側之流路50b，50b上端部（上游端）經由絕緣板27 102510.doc -20- 200534387 左右之引導路徑27b，27b，分別連接於氣體均一化部30左 右區域30B，30B之氣體均一化路徑30x，30x進而經由管2a 連接於激發氣體源2。 各虛擬電極間隔物52S設於前述底板25之電極收容凹部 25c之上面。另外，如圖3及圖5所示，各電場施加電極51離 開底板25之凹部25d之上方配置。藉此，各電場施加電極51 之下面與底板25之間分別形成有間隙20b。 如圖3所示，此等左右之間隙20b構成將流路50b連接於流 _ 路50a之連通路。亦即，左側之連通路20b左端部（上游端） 連接於左側之流路50b，右端部（下游端）與流路50a之下端部 (下游端）交會。右側連通路20b之右端部（上游端）連接於右 側之流路50b，左端部（下游端）與流路50a之下游端交會。 左右之連通路20b形成水平，並與垂直之流路50a正交。 左右之各流路50b，20b夾著中央之流路20a形成對稱。 如圖8之放大顯示，三條流路20b，50a，2〇b之交會部（合 _ 流部）20c上連接前述底板25之喷出路徑25a。該噴出路徑25a 構成原料氣體與激發氣體之共用喷出路徑，其下游端（喷出 口）在底板25之下面開口。喷出路徑25a配置於垂直之流路 50a之正下方。 兩通路20b分別成為電漿放電空間。 如圖8所示，電漿PL除連通路20b内之外，亦流入交會部 20c 〇 由氧化鋁等電介質構成之底板25中，覆蓋於金屬製之接 地電極52A上面之部分，與沿著接地電極52A之喷出路徑 102510.doc -21 - 200534387 …側之端面之部分（亦即噴出路徑…形成部分）擔任接地 電極之固體電介質層之角色。 女圖8所不，左側之接地電極（金屬本體）52A之朝向共用 噴出路徑25a之右側端面’與左側之電場施加電㈣之金屬 本體56同側端面(右側端面)形成面一致。右側接地電極(金 屬本體）52A之朝向共用喷出路徑25a之左側端面，與右側 之電場施加電極5 1之金屬本體56同側端面（左側端面）形成 面一致。另外，各接地電極52A之共用喷出路徑25a側之端 面亦可自電場施加電極本體56之同側端面向左右伸出。 如圖3所不，各接地電極52A之與前述共用喷出路徑 側相反側之端面，自電場施加電極本體56之背面突出。 以下說明如前述構成之常壓電漿成膜裝置Ml之動作。 來自激發氣體源2之氫等激發氣體（第二氣體）經過氣體 管2a，自處理頭3左右之兩個插塞32P分別導入左右區域3〇B 之氣體均一化路徑30x，藉由此等路徑3〇χ而在前後長度方 向均一化。經過該均一化之激發氣體經過左右之引導路徑 27b分別導入左右之流路5〇b，再各自導入左右之通路2〇b。 另外，來自脈衝電源4之脈衝電壓供給至電場施加電極 5 1，並於異極電極5 1，52之間施加脈衝電場。藉此，如圖8 所示，於左右之通路20b内產生輝光放電，激發氣體予以電 漿化（激發、活性化）。經過電漿化之激發氣體向交會部20c 流動。該激發氣體本身不含藉由激發而附著、堆積於陶曼 等表面之成分。因此，膜不附著於電極5 1之下面及底板25 之上面 ° 102510.doc -22- 200534387 與丽述激發氣體之流通同時進行，來自原料氣體源^之妙 炫等原料氣體（第一氣體）經過氣體管la，自處理頭3之中央 氣體插塞32P導入中央區域30A之氣體均一化路徑3〇χ，在前 後長度方向均一化後，經中央引導路徑27a導入中央之同極 間流路50a。兩個電場施加電極51上分別供給有脈衝電壓， 不過由於在此等同極電極51，51間未施加電場’因此不因 流路50a而引起電漿放電。因此，原料氣體在未電漿化的情 況下通過。因而膜不附著於同極電51彼此的對向面。因2 膜亦不附著於2支電極51上，可節省電極51之保養手續。此 外，可消除電極通過時之原料損失。另外，原料氣體凝聚 於自流路5 0 a之中途下側變窄之部分，壓力提高。 通過中央流路50a後之原料氣體流向與左右連通路2〇b之 交會部20c。此外，在左右通路2〇b經電漿化之激發氣體分 別流向交會部20c。藉此，原料氣體與電漿化之激發氣體（活 性種）接觸，引起分解及激發等反應，而生成須構成膜之自 由基之反應生成物p。 此外，原料氣體亦通過流入交會部2〇c之電漿pL内部。（原 料氣體掠過電漿放電空間）藉此，可將原料氣體直接電漿 化，可獲得更多反應生成物P。 自左右通路20b進入交會部2〇c之激發氣體流，向下彎曲 成擠壓原料氣體之流動。藉此，許多激發氣體沿著噴出路 徑25a之右側邊緣面與左側邊緣面，許多原料氣體被夹在此 4左右激發氣體流之間而通過噴出路徑25a之中側。藉此， 可避免反應生成物p接觸於噴出路徑25a之邊緣面。因此可 102510.doc 200534387 減少膜附著於噴出路徑…之邊緣面，可謀求進一步減少原 料之損失。於管&内設置第一氣體流量調節機構，於管2a 内没置第二氣體流量調節機構，藉由分別調節第一及第二 氣體之流量’可確實獲得如上述之A致層流狀態。 而後，處理氣體（激發氣體與原料氣體）以大致層流狀態 自喷出路徑25a噴出。藉此，可使反應生成物p附著於噴出 4 25 a正下方之底材w上面，而形成所需之膜a。 由於氣體藉由前述氣體均一化部3〇在前後方向上均一 化因此可在如後方向上一次形成均質之膜a。 而後，處理氣體自噴出路徑25a離開，在左右兩方向上游 入處理頭3與底材W間之空間内。此時，許多激發氣體偏向 上方之處理頭3側，許多原料氣體偏向下方之底材貿側。藉 此可避免反應生成物p接觸底板25及底框24之下面。結果 可減少膜附著於此等構件25，24上，可降低進行除膜保養 之頻率。 處理後之氣體藉由真空泵14之驅動，自框體1〇之吸入口 l〇a吸入、排出，藉由調節該真空泵14之吸入壓等，激發氣 體與原料氣體可維持在上述之大致層流狀態，可進一步確 貫防止膜附著於處理頭3。 即使膜形成於底材相對構件（底框24及底板25)，提起處 理頭3並自框體10取出時，僅底材相對構件24，25鉤住框體 1〇之内凸緣1 Id，I2d之狀態下殘留。藉此，可自處理頭3 極簡易地分離底材相對構件24，25。而後，進行僅將底材 相對構件24，25浸潰於如強酸等藥劑等之洗淨步驟來除去
102510.doc -24- 200534387 膜。而無須對整個處理頭3進 步驟，可減輕保養步 ，預先準備備用之底材相對構件24, 25，藉由將 其安裝於前述裝置M1上，即 、 P便在則述洗淨步驟中亦可不中 斷地持續進行成膜處理。 採用常壓電聚成膜裝請，由於供電線4a係自處理頭3 之一端部引出’接地線仆係自另-端部引出(圖5)，因此可 防止此等線4a，4b短路。
、此外，藉由供電.接地接腳4 〇，4 〇 A可確實且輕易地電性 連接供電.接地線4a，4b與金屬本體56。由於供電•接地 接腳40, 4GA可自電㈣輕易地取出，因此不影響保養。 由於接地電極似（接地之導電構件）介於電場施加電極 51與底材W之間，因此可防止電弧落至底材w上，可防止底 材W損傷。 - 且由於接地電極52A之朝向共用噴出路徑25a側之端面， 與電場施加電極本體56之同侧端面形成面一致，因此可防 止電場自接地電極52A之共用噴出路徑…側端面漏至下 方，可進一步確實防止電弧落至底材W上。藉此可使處理 頭3接近底材W，可儘量縮短此等間之距離（工作距離），進 -步縮短常壓下自由基之短小之失活距離(如2麵)。因而 可使反應生成物P在不失去活性下，確實到達底材w。因而 可快速且確實成膜。 由於整個電場施加電極本體％被作為固體電介質層之盒 57包圍’因此可進一步確實防止異常放電。 膜附著於電場施加電極5丨之盒57上時，自喷嘴本體2丨取 102510.doc -25- 200534387
係與各電極5 1另外形成，因 使用避免材料浪費。由於盒5 7 因此可按照附著狀況，彼此分別 進行保養作業。 藉由將虛擬電極間隔物528以金屬導體’而非電介質構成 並予以接地，亦可與平板狀電極52A均用作接地電極部。如 此可使整個流路50b，20b形成電漿放電空間。就此時之接 地電極52S，亦可形成與電場施加電極51相同之介電盒收容 構造。 其次，說明本發明之其他實施形態。以下之實施形態中， 與前述實施形態相同之構造，在圖式上註記相同符號，並 簡化說明。 圖11係顯示電極之供電·接地構造之變形態樣者。作為 供電線4a或接地線4b之被覆導線46，係藉由以絕緣管46b被 覆導體之線材46a而構成。被覆導線46通過介電盒57之孔 57d，而插入電極本體56之孔56d内。 被覆導線46之線材46a，僅位於孔56d深度側之終端部分 自絕緣管46b露出，而位於孔56d内之前方之部分則藉由絕 緣管46b被覆。當然線材46a之位於介電盒57之孔57d内部之 部分及位於盒57外側之部分，均藉由絕緣管46b被覆。 102510.doc -26- 200534387 電極本體56内，與孔57d大致正交地旋入螺絲（螺栓）47。 線材46a露出之終端部分藉由該螺絲叼壓接在孔5%深度端 部之内周面上。 採用該構造，可確實防止自導線46異常放電。此外，可 將導線46之終端確實固定於電極本體兄上，而確實電性導 通。再者，於更換介電盒57等之保養時，僅須藉由旋鬆螺 絲47 ’即可自電極5丨輕易取下導線46。
圖12係顯示作為電極之固體電介質層之介電盒之變形態 樣者。 忒k形態樣之介電盒57X，其盒本體57a之開口係形成於 長度方向之一端面上，而非圖9態樣之背面。自該端面之開 口插入電極之金屬本體56。盒57χ之蓋57b堵塞上述端面開 V 〇 圖13及圖14係顯示介電盒之其他變形態樣者。該介電盒 58之本體58X係藉由組合形成剖面[字狀之一對部件（piece) 58a，58b而構成。各部件58a, 58b之端緣上形成有爪58c， 58d。藉由使兩個爪58c，58d嵌合，而形成長四方形之盒本 體58X。於该盒本體58χ之長度方向之兩端部分別形成有開 口 58e。於此等開口 58e上分別設有可拆裝之蓋“卜 圖15係顯示介電盒之其他變形態樣者。該變形態樣之兩 個（數個）電極之介電盒一體連接。換言之，兩個（數個）電極 之電極本體56係收容於單一之共用介電盒7〇内。 /、用w電直70具備：由電介質構成之一個盒本體71，及 由電介質構成之兩個蓋74。盒本體71具有··彼此形成平行， 102510.doc -27- 200534387 而水平地延長之兩個盒本體部72，及連接此等本體部”兩 端部（圖1 5中僅顯示紙面深度側）間之連結部73。在與此等本 體部72彼此相對側之相反側之背面開口。電極八 屬本體 56自該背面開口插入本體部72之内部後，背 月面開口分別藉 由蓋74堵塞。 另外，此時之兩個電極之一方係連接於電源4之電場施力 電極，另一方係接地之接地電極，不過並不限定於此，亦 可為彼此同極性之電極。
於共用介電盒7 0之兩個本體部7 2之間形成有為形成電漿 放電空間之流路70a。流路70a延長於與本體部72同方白 處理氣體（此時為激發氣體）導入流路70a之上端開口（上游 端），而在長度方向上均一化。流路7〇a之下端開口成為噴 出口。 兩個本體部7 2之彼此相對之側板（亦即兩個電極相對側 之固體電介質層）之上側部72c相對較薄，下側部72d相對較 厚，於中間高度形成有階差72g。藉此，與第一種實施形態 (圖3)之流路5〇a等同樣地，流路7〇a之上側寬下側窄。 流路70a藉由脈衝電源4施加電場而成為電漿放電空間。 該電漿因作為前述固體電介質層之上下板部72〇，72d之厚 度不同，自階差72g起，上側（上游側）相對較強，下側（下游 側）相對較弱。因而可藉由改變介電盒之板厚，使電聚狀能 中保持差異。 另外，按照其目的，亦可使作為固體電介質層之上下板 部72c，72d之厚度相反。 102510.doc -28- 200534387 圖15之態樣，由於兩個電極之介電盒一體化，因此可減 少零件數量。並可節省兩個電極之組裝手續，可㈣且正 確地固定兩個電極，可提高流路7〇a之形狀尺寸精=密度。 另外，本發明之介電盒，除成膜之外，亦可適用於洗淨 及钱刻等其他電漿表面處理裝置用之電極上。亦可適用於 成膜時，將原料氣體與激發氣體之混合氣之 混合氣體)導入電漿放電空間之先前方…广與A之 电工间之无刖方式之電極上（以下說 明之變形態樣亦同)。先前之成膜方式如應用圖15態樣之介 電盒70時，於流路7〇a之上側部可抑制氫自由基種生成，相 對地增加料之自由基種。而於流路I之下側部可增加氮 之自由基種。如此，可隨流動改變自由基種之形成方法， 可謀求表面處理方法之多樣化。 圖16係顯示介電盒之其他變形態樣者。該介電盒70A之兩 個盒本體部72之相對板72b傾斜成朝下而逐漸彼此靠近。藉 此流路70a之流路剖面積朝下逐漸變窄。此外，各盒本體部 72之内部空間傾斜，兩個電極本體％之相對面傾斜成朝下 而I漸*近。藉此’可沿著流動方向連續改變流路内之 處理氣體流速及電漿狀態’可謀求表面處理方法之多樣 化另外，亦可按照目的構成沿著流動方向逐漸擴大流路 70a 〇 圖17及圖18係顯示介電盒之其他變形態樣者。左右之各 電極之介電盒57與第一鍤杏姑五…匕丄 種貝化形怨者同樣地具有：收容電 :本體56之盒本體57a，及堵塞其背面開口之蓋π卜介電 盒57配合長形之電極本體％而前後延長（圖⑻。 102510.doc 200534387 於各介電盒本體57a之上側一體設有氣體均一化部8〇。氣 體均一化部80之下板與盒本體57a之上板係以共用之板料 構成。氣體均一化部8〇内形成有被水平之隔板83所隔離之 上下兩個對半分割膨脹室80a，80b。 附左右一對氣體均一化部之介電盒57彼此形成反轉形 狀。此等附氣體均一化部之介電盒57之各相對邊緣對接。 藉此，雙方上側之各對半分割膨脹室8〇a合併形成第一膨脹 室81，下側之各對半分割膨脹室8叽合併形成第二膨脹室 82。此等膨脹室81，82延伸於附氣體均一化部之介電盒w 及電極之大致全長，並且寬度方向亦擴大，而具有足夠大 之谷積。上下膨脹室81，82之容積可彼此相等或不同。 對乳體均一化部80之上板之各相對邊緣彼此抵接，並 且長度方向之中央部形成有處理氣體(此時為激發氣體)之 收容口 80c。 於對^板83之各相對邊緣間形成有窄間隙狀之壓損形 成=彳工80d。壓扣形成路徑8〇d延伸至附氣體均一化部之介 電置57之大致全長。上下之膨脹室81，以經由壓損形成路 徑80d連接。 於一對板84之各相對邊緣間形成有窄間隙狀之導入路徑 8〇e。導入路徑8〇e延伸至附氣體均一化部之介電盒π之大 致王長第一恥脹室82經由導入路徑8〇e連接於一對盒本體 57&間之為形成電漿放電空間之通路50d。藉由膨脹室81， 82與路徑80d，80e構成「氣體均一化路徑」。 處理氣體自上端之收容口 8〇c導入第一膨服室8】予以膨 102510.doc -30- 200534387 脹後’以壓損形成路彳① 8〇d/旋來而產生壓損，其次導入第二 %脹至82再度膨脹。進—步以導入路徑斷再度凝聚而產生 U貝&肖由乂互進行膨脹與凝聚’在長度方向上使 處理氣體彳敗底均^IL· ^ °化後，可導至通路50d。藉此可進行均一 之處理。 採用上述軋體均一化部一體型之介電盒構造可減 數量。
另外’氣體均一化部之膨脹室不限定於僅設置第一及第 二室81 ’ 82之兩段’亦可設置三段以上。連接各膨脹室之 壓損形成路徑_亦可由長度方向並列之許多點狀孔構 成’來取代上述細縫狀。 圖19及圖2 0係顯示介電盒之其他變形態樣者。 各電極之介電盒9〇與第一種實施形態者同樣地具有：收 容電極本體56之盒本體9卜及堵塞其背面開口之蓋％。如 圖20所示’介電盒9G係配合長形之電極本㈣前後延長。 左右各盒本體91之與另一方電極相對面之上側部，形成 有淺樹狀之溝91a，下側部形成有淺凹部仙。淺樹狀溝… 自盒本體91上端緣之中央部起，朝向下方逐漸在長度方向 上擴大，經過數個階段分支。於樹狀溝9U之末端之許多分 支溝連接凹部91b。凹部仙延伸大致整個盒本體91長度， 並且連接於盒本體91之下端緣。 左右之各介電盒90彼此以合掌狀態對接。藉此，左右各 樹狀溝91a合併，而形成樹狀之氣體分散通路（氣體均一化 路控）9〇a，各凹部91b合併而形成氣體噴出通路_。通路 102510.doc -31 - 200534387 90b延伸大致盒90及電極本體56之整個長度，連接於樹狀氣 體分散通路90a末端之主支路徑，並且向下方開口。此等大 致整個通路90a，90b介於一對電極本體56之間。 導入樹狀通路90a上端開口之處理氣體（此時為激發氣體） 藉由樹狀通路90a在長度方向依序分流後，導至通路9〇b。 同時藉由電源4在一對電極間施加電場。藉此，處理氣體不 論在樹狀通路90a之分流過程或喷出通路9〇b之通過過程中 均予以電漿化。而後自喷出通路9〇b之下端開口噴出。樹狀 通路90a與喷出通路9〇b構成「電漿放電空間」。 本發明並不限定於前述實施形態，只要不脫離本發明之 精神，可形成各種變形。 電源（電場施加機構）亦可使用於第一及第二電極間施加 高頻電場之高頻電源。 不限定於在大致常壓環境下之常壓電漿成臈，亦可適用 於減壓下之低壓電漿成膜。 田然亦可適用於非晶矽、多晶矽、氮化矽及氧化矽等各 種成膜。非晶石夕及多晶石夕成膜時之原料氣體係、使用矽烷， 激發氣體係使用氫。氮化矽成膜時之原料氣體係使用矽 烧’激發氣體係❹氮。氧切成膜時u氣體係使用 TEOS或TMOS，激發氣體係使用氧。 ;ί電盒收容構造中，介電盒之蓋亦可旋轉地連接於盒本 體么、電·接地用接腳及被覆導線亦可通過蓋，而非盒本 體，插入電極本體内。 亦可於處理頭上方配置底材。此時底材相對構件只須設 102510.doc -32- 200534387 置方、處理頭之上端部即可。此外，框體之吸入口 ^亦朝 向上方。只須以螺栓及溝等簡易之拆裝機構固定處理頭20 於该外框10上即可。 產業上之利用可行性 本毛月如可利用於對半導體底材之電漿等之電漿表 面處理。 【圖式簡單說明】 圖1係：發明第一種實施形態之電漿成膜裝置之概略圖。 圖2係刖述電漿成膜裝置之處理頭之氣體均一化部之正 面剖面圖。 圖3係前述處理頭之喷嘴部之正面剖面圖。 圖4係前述氣體均一化部之沿著長度方向之側面剖面圖。 圖5係/σ著圖3之v_v線之前述噴嘴部之側面剖面圖。 圖6係沿著圖32VI_VI線之前述噴嘴部左側部之平面剖 面圖。 圖7係前述處理頭之底面圖。 圖8係前述處理頭之氣體噴出部分之放大圖。 圖9係電場施加電極之電極本體與介電盒之分解立體圖。 圖10係前述喷嘴部之供電接腳之詳細圖。 圖11係顯示電場施加電極與供電線之連接構造變形態樣 之剖面圖。 圖12係顯示電極之介電盒變形態樣之分解立體圖。 圖13係顯示介電盒之其他變形態樣之正面剖面圖。 圖14係圖13之介電盒之分解立體圖。 102510.doc -33- 200534387 圖15係顯示附介電盒之電極構造之 ^ 一 U…樣之立體圖。 圖16係顯示附介電盒之電極構造之其他 欠％怨樣之立體 圖0
圖1 7係具有氣體均一化部一體型介電盒之 面剖面圖 電極構造 之正 圖18係沿著圖17之XVIII-XVIII線之氣體均— 型介電盒之側面圖。 圖1 9係具有附樹狀通路介電盒之電極構造 部一體 圖 之正面剖 面 圖20係沿著圖19之ΧΧ-χχ線之附樹狀通路介兩人 更孟之側面 圖。 【主要元件符號說明】 1 氣體源 la 原料氣體管 2 氣體源 2a ;敫發氣體管 3, 3X，3Y 處理頭 4 電源 4a 供電線 4b 接地線 5a 惰性氣體路徑 10a 吸入口 10b 中空部 10 框體 11，12 壁
102510.doc 200534387
lib 開口 lld5 12d 凸緣 12b 凹部 13 排氣路徑 14 真空泵 20 喷嘴部 20b， 20g 間隙 20c 交會部 20h， 20g 第二流路 20B， 21 喷嘴本體 22, 23 側框 23a 凸部 24 底框 24a 階差 25 底板 25a，25b 喷出路徑 25c，25d，25e 凹部 26, 26A 螺栓 27a，27b 引導路徑 27 絕緣板 28Y 絕緣構件 29a 喷出路徑 30A， 30B 區域 31H 板加熱器 31 〜38 板 32P 插塞 32a 凹溝 102510.doc -35- 200534387
32b 33a，33b 34a，34b，35a，35b， 36a，37a 34c? 34d 35c，35d，36b，37b 38a 39L? 39S 40 40a，41a 41 42 43
44 45A, 45B 46 46a 46b
50 50a，50b 51 51X
51Y 52
52A，52X，52Y 52b 52S 進氣口 連通孔 溝 連通孔 細孔 貫穿孔 符號 接腳 軸孔 接腳本體 筒體 芯材 線圈彈簧 筒狀接腳座 被覆導線 線材 絕緣管 電極單元 流路 電極 電場施加電極 電場施加電極 電極 接地電極 缺口部 電極間隔物 102510.doc -36- 200534387
53 54 55 56 56a 56d 56e, 56h 57a 57b 57c，57d 57x 57 58a，58b 58c，58d 58e 58x 58f 59 70, 70A 70a 71 72 72c 72d 72g 73 74 側板 邊緣板 片狀間隔物 金屬本體 接腳孔 孔 本體 本體 蓋 孔 介電盒 盒 部件 爪 開口 盒本體 蓋 固體電介質層 介電盒 流路 盒本體 本體部 上側部 下側部 階差 連結部 蓋 102510.doc -37- 200534387
80 氣體均一化部 80a 對半分割膨脹室 80b 對半分割膨脹室 80c 收容口 80d 路徑 80e 路徑 81 膨脹室 82 膨脹室 83 隔板 84 板 90 介電盒 90a 樹狀溝 90b 凹部 91 盒本體 91a 溝 91b 凹部 92 蓋 A 膜 L 剖面 Ml 常壓電漿成膜裝置 PL 電漿 W 底材 102510.doc -38-
Claims (1)
- 200534387 十、申請專利範圍： 1. 一種電漿表面處理裝置 之冤極構化，其係在電極施加電 處理氣體電聚化，進行被處理物之表面處理之電漿 2處理裝置之前述電極之構造，其特徵在於具備包含 v極本體；及介電盒，其具有收容前述電極本體 之内部空間’包含供給作為前述電極本體之固體電介質 層之固體電介曾·於、+、 、 二 电"貝，别述内部空間係於該介電盒之一面開 口 ’該介雷各夕於、+、 电现之别述開口側之端部係自前述電極本體突 出0 2· "二月J述^丨電盒更具有塞住前述開口之蓋，該蓋之 W係在自前述電極本體遠離前述突出方向之位置覆蓋 於前述開口側之端面。 3. 4. 5. :申：專利範圍第1項之電衆表面處理裝置之電極構 ^其中係以呈長尺狀之同時相互呈平行對向之方式設 置二對前述電極本體，於料電極本體之對向面間，藉 由别述介電盒劃分成於與電極本體之延伸方向直交之方 向通前述處理氣體之氣體通路。 月專利範圍第3項之電漿表面處理裝置之電極構 各^則述一對之電極本體係相互收容於各別之介電 亥等介電盒間形成前述氣體通路。 申月專利範圍第4項之電漿表面處理裝置之電極構 造，甘 中 子之>M電盒係彼此面對面，於至少一方之介 電盒之對向面& 卸化成為前述氣體通路之凹部。 102510.doc 200534387 6·如申清專利範圍第3項之泰將士 上 、之电漿表面處理裝置之電 造，其中於前述一對之兩扠‘ 兒極構 丁您包極本體具備一共同介電4， 該介電盒形成前述氣體iS ^ 於 .、， 通路，同時以挾著該氣體通路之 方式形成前述一對之雷; 私枉本體用之2個内部空間。 7.如申請專利範圍第3項 貝之電漿表面處理裝置之電 造’其中於前述介電各所查丨丨八〆 电夏所劃分之氣體通路之流路剖面 積，係隨著氣體流方向而改變。 " 8 ^申請專利範圍第3項之電漿表面處理裝置之電極構 ^ ’其中隔成前述介電盒之前述氣體通路與前述内部空 間之板厚度，係隨著氣體流方向而改變。 9·=申請專利範圍第3項之電漿表面處理裝置之電極構 ^ 其中如述介電盒係具有於前述電極本體之延伸方向 均化知述處理氣體後，導入前述氣體通路之氣體均L 化路徑。102510.doc
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