JPH0729827A - 半導体基板の製造方法および装置 - Google Patents
半導体基板の製造方法および装置Info
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- JPH0729827A JPH0729827A JP17277693A JP17277693A JPH0729827A JP H0729827 A JPH0729827 A JP H0729827A JP 17277693 A JP17277693 A JP 17277693A JP 17277693 A JP17277693 A JP 17277693A JP H0729827 A JPH0729827 A JP H0729827A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の製造方法および装置を提供す
る。 【構成】 減圧ＣＶＤ法を用いて加熱チャンバ１内で半
導体基板Ｗの成膜・表面処理を行う際に、活性化室16で
予め活性化された励起ガスを反応ガスとともに加熱チャ
ンバ１に導入することにより、半導体基板の薄膜・表面
処理を良好に実現することを可能とする。
る。 【構成】 減圧ＣＶＤ法を用いて加熱チャンバ１内で半
導体基板Ｗの成膜・表面処理を行う際に、活性化室16で
予め活性化された励起ガスを反応ガスとともに加熱チャ
ンバ１に導入することにより、半導体基板の薄膜・表面
処理を良好に実現することを可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の製造方法
および装置に係り、特に次世代の微細な半導体素子を製
作するのに最適な薄膜形成・表面処理を目的とした半導
体基板へのガス導入の方法および装置に関する。
および装置に係り、特に次世代の微細な半導体素子を製
作するのに最適な薄膜形成・表面処理を目的とした半導
体基板へのガス導入の方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板（以下、単に基板という）の
表面と導電層との接続を行うには、導電層と基板シリコ
ンとの反応を防止するためのバリア膜が必要である。し
かしながら、半導体素子の微細化によりコンタクトのア
スペクト比が高くなり、従来のスパッタ技術では均一な
膜形成は困難となっている。そこで、近年、減圧ＣＶＤ
法を用いて良好な段差被覆性を実現できることが報告さ
れている。しかし、このＣＶＤ法では、原料として金属
ハロゲン化物や有機化合物を用いるので、膜中にハロゲ
ン元素や炭素などの不純物が混入しやすいという欠点が
あることが指摘されており、それらの不純物を除く方法
が強く望まれている。
表面と導電層との接続を行うには、導電層と基板シリコ
ンとの反応を防止するためのバリア膜が必要である。し
かしながら、半導体素子の微細化によりコンタクトのア
スペクト比が高くなり、従来のスパッタ技術では均一な
膜形成は困難となっている。そこで、近年、減圧ＣＶＤ
法を用いて良好な段差被覆性を実現できることが報告さ
れている。しかし、このＣＶＤ法では、原料として金属
ハロゲン化物や有機化合物を用いるので、膜中にハロゲ
ン元素や炭素などの不純物が混入しやすいという欠点が
あることが指摘されており、それらの不純物を除く方法
が強く望まれている。
【０００３】また、TiN 膜の形成においては、従来のTi
のハロゲン化物とNH3 との反応に代わって、還元性の強
いヒドラジンを用いることにより、混入する塩素を低減
することが提案されている（たとえば、文献：T.Suzuki
et al.,IEEE IEDM Tech.Dig.,p.979(1992) 参照）。し
かし、このようなヒドラジンなどの強力な還元剤は爆発
性があり、量産に適用するには問題がある。
のハロゲン化物とNH3 との反応に代わって、還元性の強
いヒドラジンを用いることにより、混入する塩素を低減
することが提案されている（たとえば、文献：T.Suzuki
et al.,IEEE IEDM Tech.Dig.,p.979(1992) 参照）。し
かし、このようなヒドラジンなどの強力な還元剤は爆発
性があり、量産に適用するには問題がある。
【０００４】また、ECR プラズマなどにより、原料ガス
を分解する方法が提案されている（たとえば、文献：T.
Akahori et al.,Proc.IEEE VLSI Multilevel Interconn
ection Conf.,(1993) ）。この場合には、極めて強力な
プラズマにより反応室の壁から不純物が混入するという
問題がある。
を分解する方法が提案されている（たとえば、文献：T.
Akahori et al.,Proc.IEEE VLSI Multilevel Interconn
ection Conf.,(1993) ）。この場合には、極めて強力な
プラズマにより反応室の壁から不純物が混入するという
問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の方法では、爆発性の材料を用いるとか強力なECR プラ
ズマを用いることにより原料を過剰に分解してしまい、
予想しない不純物の混入を招くという問題があるため、
本発明では、金属ハロゲン化物もしくは有機化合物を用
いて金属窒化物等のバリアメタルを良好な段差被覆形状
で形成するとともに、混入不純物を低減し、安全性が高
く量産に適用可能な均一性を得ることを可能とする半導
体基板の製造方法および装置を提供することを目的とす
る。
の方法では、爆発性の材料を用いるとか強力なECR プラ
ズマを用いることにより原料を過剰に分解してしまい、
予想しない不純物の混入を招くという問題があるため、
本発明では、金属ハロゲン化物もしくは有機化合物を用
いて金属窒化物等のバリアメタルを良好な段差被覆形状
で形成するとともに、混入不純物を低減し、安全性が高
く量産に適用可能な均一性を得ることを可能とする半導
体基板の製造方法および装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様は、
減圧ＣＶＤ法を用いて反応室内で半導体基板の成膜・表
面処理を行うに際し、予め活性化された励起ガスと反応
ガスとを別々の経路から導入し、前記反応室内において
均一に混合することを特徴とする半導体基板の製造方法
である。
減圧ＣＶＤ法を用いて反応室内で半導体基板の成膜・表
面処理を行うに際し、予め活性化された励起ガスと反応
ガスとを別々の経路から導入し、前記反応室内において
均一に混合することを特徴とする半導体基板の製造方法
である。
【０００７】また、本発明の第２の態様は、加熱手段に
よって外部から加熱される反応室と、該反応室の一端部
に固定されて真空ポンプに接続されるガス排出フランジ
と、前記反応室の他端部に固定されて、励起ガスである
第１のガスを活性化室を介して導入する第１のガス導入
室と反応ガスである第２および第３のガスを導入する第
２のガス導入室とが画成され、前記反応室内の領域と前
記第１のガス導入室とを連通するストレート状の第１の
噴射孔および前記反応室内の領域と前記第２のガス導入
室とを連通するテーパ状の第２の噴射孔とがそれぞれ穿
設されたガス導入板を備えたガス導入フランジと、から
なることを特徴とする半導体基板の製造装置である。
よって外部から加熱される反応室と、該反応室の一端部
に固定されて真空ポンプに接続されるガス排出フランジ
と、前記反応室の他端部に固定されて、励起ガスである
第１のガスを活性化室を介して導入する第１のガス導入
室と反応ガスである第２および第３のガスを導入する第
２のガス導入室とが画成され、前記反応室内の領域と前
記第１のガス導入室とを連通するストレート状の第１の
噴射孔および前記反応室内の領域と前記第２のガス導入
室とを連通するテーパ状の第２の噴射孔とがそれぞれ穿
設されたガス導入板を備えたガス導入フランジと、から
なることを特徴とする半導体基板の製造装置である。
【０００８】
【作 用】本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研
究・実験を行った結果、TiN 膜の形成において、ハロゲ
ン化物や有機化合物を用いた場合に、基板表面上での
表面律速による反応時に取り込まれやすいハロゲン元
素，炭化水素がラジカル水素の添加により除くことが可
能であること、また、ラジカル水素は還元性が強く、
しかも寿命はそれほど長くないが、表面に到達するだけ
の寿命をもっているので、容易に混入しようとするハロ
ゲン元素や炭化水素等と化学結合して気体分子を形成
し、反応室より除去することができること、さらに、
このラジカル水素は反応室の外側で形成されるので、反
応ガスとして用いる金属ハロゲン化物、金属有機化合物
を高周波等の励起手段により過剰に分解させることがな
いこと、また、反応に異方性がないので、均一な膜厚
でコンタクト孔内に形成することができること、などを
見出し、この知見に基づいて本発明を完成させるに至っ
たものである。
究・実験を行った結果、TiN 膜の形成において、ハロゲ
ン化物や有機化合物を用いた場合に、基板表面上での
表面律速による反応時に取り込まれやすいハロゲン元
素，炭化水素がラジカル水素の添加により除くことが可
能であること、また、ラジカル水素は還元性が強く、
しかも寿命はそれほど長くないが、表面に到達するだけ
の寿命をもっているので、容易に混入しようとするハロ
ゲン元素や炭化水素等と化学結合して気体分子を形成
し、反応室より除去することができること、さらに、
このラジカル水素は反応室の外側で形成されるので、反
応ガスとして用いる金属ハロゲン化物、金属有機化合物
を高周波等の励起手段により過剰に分解させることがな
いこと、また、反応に異方性がないので、均一な膜厚
でコンタクト孔内に形成することができること、などを
見出し、この知見に基づいて本発明を完成させるに至っ
たものである。
【０００９】すなわち、本発明によれば、予め活性化し
て励起ガスとしての第１のガスを第１の噴射孔から反応
室に導入し、一方、反応ガスとしての第２および第３の
ガスを第２の噴射孔から反応室に導入して、この反応室
で均一に混合するようにしたので、薄膜・表面処理に望
ましくないガスの分解を防止することができるとともに
不要な元素を除去することができ、これによって半導体
基板の薄膜・表面処理を良好に実現することが可能であ
る。
て励起ガスとしての第１のガスを第１の噴射孔から反応
室に導入し、一方、反応ガスとしての第２および第３の
ガスを第２の噴射孔から反応室に導入して、この反応室
で均一に混合するようにしたので、薄膜・表面処理に望
ましくないガスの分解を防止することができるとともに
不要な元素を除去することができ、これによって半導体
基板の薄膜・表面処理を良好に実現することが可能であ
る。
【００１０】具体的には、ガスの導入方法としては、励
起ガスである第１のガスを活性化する室と反応ガスであ
る第２および第３のガスを導入する室とを分離している
ので、第２および第３のガスが高周波等の活性化手段に
より極めて分解し易いガスの場合でも、望ましい分子状
態で加熱領域に輸送することができ、また、反応室にお
いて活性化手段である高周波，光の照射を行わないの
で、半導体基板上において素子特性を劣化させる不要な
キャリアを半導体基板中に生成することはない。
起ガスである第１のガスを活性化する室と反応ガスであ
る第２および第３のガスを導入する室とを分離している
ので、第２および第３のガスが高周波等の活性化手段に
より極めて分解し易いガスの場合でも、望ましい分子状
態で加熱領域に輸送することができ、また、反応室にお
いて活性化手段である高周波，光の照射を行わないの
で、半導体基板上において素子特性を劣化させる不要な
キャリアを半導体基板中に生成することはない。
【００１１】また、加熱される反応室から、第１のガス
を活性化する室と第２のガスを導入する室に、第１のガ
スあるいは第２および第３のガスが逆流しないようにそ
れぞれの噴射孔の穴径をしぼることにより、これらの領
域で望ましくない反応が起こることを妨げることができ
る。さらに、噴射孔のテーパの形状を調整することによ
り、基板表面での活性化されたガスと、成膜用のその他
のガスを均一に供給することが可能である。したがっ
て、均一な膜質を実現したり、表面の均一な処理が可能
である。
を活性化する室と第２のガスを導入する室に、第１のガ
スあるいは第２および第３のガスが逆流しないようにそ
れぞれの噴射孔の穴径をしぼることにより、これらの領
域で望ましくない反応が起こることを妨げることができ
る。さらに、噴射孔のテーパの形状を調整することによ
り、基板表面での活性化されたガスと、成膜用のその他
のガスを均一に供給することが可能である。したがっ
て、均一な膜質を実現したり、表面の均一な処理が可能
である。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して詳しく説明する。図１は、本発明に係る薄膜形成装
置の一実施例の構成を示す側断面図であり、図２はその
Ａ−Ａ矢視拡大図、図３は図２のＢ−Ｂ矢視図である。
図に示すように、反応室１は、石英管２と、石英製の間
仕切り管３とから構成され、これら石英管２と間仕切り
管３の両端には、Ｏシールリング（図示せず）を介して
ガス導入フランジ４と基板装入・抽出窓５ａを備えたガ
ス排出フランジ５とが固定して取付けられる。
して詳しく説明する。図１は、本発明に係る薄膜形成装
置の一実施例の構成を示す側断面図であり、図２はその
Ａ−Ａ矢視拡大図、図３は図２のＢ−Ｂ矢視図である。
図に示すように、反応室１は、石英管２と、石英製の間
仕切り管３とから構成され、これら石英管２と間仕切り
管３の両端には、Ｏシールリング（図示せず）を介して
ガス導入フランジ４と基板装入・抽出窓５ａを備えたガ
ス排出フランジ５とが固定して取付けられる。
【００１３】石英管２の底部には、半導体基板Ｗを保持
するサセプタ６が間仕切り管３の中央の上下部に穿設さ
れた穴部３ａの中央部に載置面がのぞくように立設され
る。石英管２の外周の上，下部には、間仕切り管３の穴
部３ａに対応するようにランプ加熱ユニット７が配置さ
れ、また、ガス排出フランジ５には排気管８が接続さ
れ、この排気管８は圧力制御バルブ９を介して真空ポン
プ10に接続される。
するサセプタ６が間仕切り管３の中央の上下部に穿設さ
れた穴部３ａの中央部に載置面がのぞくように立設され
る。石英管２の外周の上，下部には、間仕切り管３の穴
部３ａに対応するようにランプ加熱ユニット７が配置さ
れ、また、ガス排出フランジ５には排気管８が接続さ
れ、この排気管８は圧力制御バルブ９を介して真空ポン
プ10に接続される。
【００１４】一方、ガス導入フランジ４は、３種類のガ
スの噴射孔23, 24, 25を備えたガス導入板11と３つのガ
ス導入室12, 13, 14から構成される。そして、第１のガ
ス導入室12には高周波励起コイル15が巻き付けられた活
性化室16が接続され、この活性化室16には、たとえば水
素分子またはハロゲン元素である塩素あるいはフッ素と
水素の混合ガスなど水素を含む分子の励起ガスとされる
第１のガスＧ1 を導入する第１のガス配管17がガス流量
制御装置18を介して接続される。
スの噴射孔23, 24, 25を備えたガス導入板11と３つのガ
ス導入室12, 13, 14から構成される。そして、第１のガ
ス導入室12には高周波励起コイル15が巻き付けられた活
性化室16が接続され、この活性化室16には、たとえば水
素分子またはハロゲン元素である塩素あるいはフッ素と
水素の混合ガスなど水素を含む分子の励起ガスとされる
第１のガスＧ1 を導入する第１のガス配管17がガス流量
制御装置18を介して接続される。
【００１５】また、第２のガス導入室13には、たとえば
TiCl4 などの反応ガスとされる第２のガスＧ2 を導入す
る第２のガス配管19がガス流量制御装置20を介して接続
される。さらに、第３のガス導入室14には、たとえばNH
3 などの第３のガスＧ3 を導入する第３のガス配管21が
ガス流量制御装置22を介して接続される。ガス導入板11
には、これら第１ないし第３のガス導入室12, 13, 14に
対応して図２，３に示すように、第１ないし第３のスト
レート状あるいはテーパ状の噴射孔23, 24, 25が穿設さ
れる。第１の噴射孔23からは活性化室16で高周波励起コ
イル15に印加される高周波により活性化されたプラズマ
状の第１のガスＧ1 が、また第２の噴射孔24からは第２
のガスＧ2 がそれぞれ石英管２内の間仕切り管３の内側
の領域に噴射されて、その内部において均一に混合され
る。
TiCl4 などの反応ガスとされる第２のガスＧ2 を導入す
る第２のガス配管19がガス流量制御装置20を介して接続
される。さらに、第３のガス導入室14には、たとえばNH
3 などの第３のガスＧ3 を導入する第３のガス配管21が
ガス流量制御装置22を介して接続される。ガス導入板11
には、これら第１ないし第３のガス導入室12, 13, 14に
対応して図２，３に示すように、第１ないし第３のスト
レート状あるいはテーパ状の噴射孔23, 24, 25が穿設さ
れる。第１の噴射孔23からは活性化室16で高周波励起コ
イル15に印加される高周波により活性化されたプラズマ
状の第１のガスＧ1 が、また第２の噴射孔24からは第２
のガスＧ2 がそれぞれ石英管２内の間仕切り管３の内側
の領域に噴射されて、その内部において均一に混合され
る。
【００１６】なお、第２のガスＧ2 が間仕切り管３内に
均一に供給し得るようにするために、第２の噴射孔24は
先端が拡がったテーパ形状に調整される。また、間仕切
り管３内に供給された第２のガスＧ2 が第１のガス導入
室12や活性化室16に逆流しないようにするために、第１
の噴射孔23の径は第２の噴射孔24の径より小さい構造と
される。
均一に供給し得るようにするために、第２の噴射孔24は
先端が拡がったテーパ形状に調整される。また、間仕切
り管３内に供給された第２のガスＧ2 が第１のガス導入
室12や活性化室16に逆流しないようにするために、第１
の噴射孔23の径は第２の噴射孔24の径より小さい構造と
される。
【００１７】さらに第３の噴射孔25からは、主として第
３のガスＧ3 が石英管２と間仕切り管３の間の領域26に
噴射される。この第３のガスＧ3 は間仕切り管３の穴部
３ａを介して半導体基板Ｗの表面に到達して、第１のガ
スＧ1 と第２のガスＧ2 の混合ガスと反応する。このよ
うに構成された薄膜形成装置を用いて、８インチサイズ
の半導体基板ＷのTiN 薄膜を形成した。まず励起用の第
１のガスＧ1 として水素を用い、反応用の第２のガスＧ
2 としてTiCl4 を用いてH2でキャリアするようにし、ま
た第３のガスＧ3 としてNH3 を用いた。そして、ガス流
量制御装置18, 20, 22によって水素；30sccm, TiCl4 ；
30sccm, H2；50sccm，NH3 ；50sccmに制御してそれぞれ
流すように設定した。つぎに、圧力制御バルブ９の開度
を調整して、石英管２内の真空度を0.05torrに、また活
性化室16内での真空度を0.1torr になるようにそれぞれ
設定した。このとき、第１の噴射孔23の径を15μm と
し、第２の噴射孔24の径を200 μm とした。なお、薄膜
TiN の目標厚を0.1 μm とした。
３のガスＧ3 が石英管２と間仕切り管３の間の領域26に
噴射される。この第３のガスＧ3 は間仕切り管３の穴部
３ａを介して半導体基板Ｗの表面に到達して、第１のガ
スＧ1 と第２のガスＧ2 の混合ガスと反応する。このよ
うに構成された薄膜形成装置を用いて、８インチサイズ
の半導体基板ＷのTiN 薄膜を形成した。まず励起用の第
１のガスＧ1 として水素を用い、反応用の第２のガスＧ
2 としてTiCl4 を用いてH2でキャリアするようにし、ま
た第３のガスＧ3 としてNH3 を用いた。そして、ガス流
量制御装置18, 20, 22によって水素；30sccm, TiCl4 ；
30sccm, H2；50sccm，NH3 ；50sccmに制御してそれぞれ
流すように設定した。つぎに、圧力制御バルブ９の開度
を調整して、石英管２内の真空度を0.05torrに、また活
性化室16内での真空度を0.1torr になるようにそれぞれ
設定した。このとき、第１の噴射孔23の径を15μm と
し、第２の噴射孔24の径を200 μm とした。なお、薄膜
TiN の目標厚を0.1 μm とした。
【００１８】そして、高周波励起コイル15に13.56MHzの
高周波を印加して活性化室16を加熱したところ、第１の
ガスＧ1 は良好なプラズマが発生して、また第２のガス
Ｇ2は活性化室16に逆流することなく間仕切り管３内で
ガスの均一な混合を実現することができ、半導体基板Ｗ
の表面において下記式に従って反応した。 H2＋TiCl4 ＋NH3 ＋H * →TiN ＋4HCl↑ このように薄膜形成に不必要である塩素は活性な水素原
子H * と反応してHClガスとして排出され、これによっ
て８インチサイズの半導体基板Ｗ上に形成されたTiN の
膜厚分布を目標厚0.1 μm に対して±５％以内に成長さ
せることが可能であることを確認した。また、基板面上
の膜中塩素混入量は活性化した水素分子H * を均一に供
給した結果、0.2 原子％以下にすることができ、基板内
での分布を±３％以下に抑えることができた。
高周波を印加して活性化室16を加熱したところ、第１の
ガスＧ1 は良好なプラズマが発生して、また第２のガス
Ｇ2は活性化室16に逆流することなく間仕切り管３内で
ガスの均一な混合を実現することができ、半導体基板Ｗ
の表面において下記式に従って反応した。 H2＋TiCl4 ＋NH3 ＋H * →TiN ＋4HCl↑ このように薄膜形成に不必要である塩素は活性な水素原
子H * と反応してHClガスとして排出され、これによっ
て８インチサイズの半導体基板Ｗ上に形成されたTiN の
膜厚分布を目標厚0.1 μm に対して±５％以内に成長さ
せることが可能であることを確認した。また、基板面上
の膜中塩素混入量は活性化した水素分子H * を均一に供
給した結果、0.2 原子％以下にすることができ、基板内
での分布を±３％以下に抑えることができた。
【００１９】ここで、反応室１の構成については、たと
えば図４や図５に示すようにしてもよい。すなわち、図
４においては間仕切り管３を取り除いた反応室１Ａとし
たものであり、第２のガスＧ2 と第３のガスＧ3 をそれ
ぞれ第２のガス導入室13であらかじめ混合したのち、噴
射孔24から反応室１に噴射するようにする。また、図５
は石英管２の代わりにステンレス管27を用いた反応室１
Ｂとして、その胴部の上方にガス導入フランジ４を接続
したもので、ランプ加熱ユニット７からの加熱部に相当
する位置に石英窓28が設けられている。
えば図４や図５に示すようにしてもよい。すなわち、図
４においては間仕切り管３を取り除いた反応室１Ａとし
たものであり、第２のガスＧ2 と第３のガスＧ3 をそれ
ぞれ第２のガス導入室13であらかじめ混合したのち、噴
射孔24から反応室１に噴射するようにする。また、図５
は石英管２の代わりにステンレス管27を用いた反応室１
Ｂとして、その胴部の上方にガス導入フランジ４を接続
したもので、ランプ加熱ユニット７からの加熱部に相当
する位置に石英窓28が設けられている。
【００２０】この図５に示した反応室１Ｂの場合、第１
の噴射孔23からのプラズマ状の第１のガスＧ1 に第２の
ガスＧ2 および第３のガスＧ3 がよく混合するようにす
るために、図６(a) ，(b) に示すように、第２のガスＧ
2 および第３のガスＧ3 を噴射する第２の噴射孔24およ
び第３の噴射孔25がリング状とされ、それぞれ第１のガ
スＧ1 の噴出方向に対して直交するようなリング状の噴
出口を備えたノズル29, 30を設けるようにすると効果的
である。この場合、ガス排出フランジ５をガス導入フラ
ンジ４の直下に設けるようにすると排気が円滑化されて
よい。なお、このようなノズル29, 30の構成は、図１あ
るいは図４に示した反応室１あるいは１Ａにも適用し得
る。
の噴射孔23からのプラズマ状の第１のガスＧ1 に第２の
ガスＧ2 および第３のガスＧ3 がよく混合するようにす
るために、図６(a) ，(b) に示すように、第２のガスＧ
2 および第３のガスＧ3 を噴射する第２の噴射孔24およ
び第３の噴射孔25がリング状とされ、それぞれ第１のガ
スＧ1 の噴出方向に対して直交するようなリング状の噴
出口を備えたノズル29, 30を設けるようにすると効果的
である。この場合、ガス排出フランジ５をガス導入フラ
ンジ４の直下に設けるようにすると排気が円滑化されて
よい。なお、このようなノズル29, 30の構成は、図１あ
るいは図４に示した反応室１あるいは１Ａにも適用し得
る。
【００２１】なお、プラズマ状の第１のガスＧ1 をガス
導入板11の中心部から第１の噴射孔23で噴射するとして
説明したが、本発明はこれに限るものではなく、第２の
ガスＧ2 の第２の噴射孔24をガス導入板11の中心部に設
け、その周辺部に第１の噴射孔23を設けるようにしても
よい。この場合、第１の噴射孔23の径は第２の噴射孔24
の径よりも小さくする必要があり、また第１の噴射孔23
を図６に示したようにリング状とされ、第１のガスＧ1
を第２のガスＧ2 の噴出方向に対して直交するような噴
射させるようにしてもよい。
導入板11の中心部から第１の噴射孔23で噴射するとして
説明したが、本発明はこれに限るものではなく、第２の
ガスＧ2 の第２の噴射孔24をガス導入板11の中心部に設
け、その周辺部に第１の噴射孔23を設けるようにしても
よい。この場合、第１の噴射孔23の径は第２の噴射孔24
の径よりも小さくする必要があり、また第１の噴射孔23
を図６に示したようにリング状とされ、第１のガスＧ1
を第２のガスＧ2 の噴出方向に対して直交するような噴
射させるようにしてもよい。
【００２２】また、活性化室16における活性化手段とし
て高周波励起コイル15を用いるとして説明したが、たと
えばＵＶ励起あるいは高温加熱励起などを用いるように
しても同等の作用を得ることが可能である。さらに、反
応ガスとされる第２のガスＧ2 としては、TiCl4 以外に
Ti，Ta, Nb, Ｙ，Zr, Hf, Ｖより選ばれた元素からなる
ハロゲン化物もしくは有機化合物および窒素，酸素，炭
素，ボロンのいずれかを含む分子からなるものを用いて
もよい。
て高周波励起コイル15を用いるとして説明したが、たと
えばＵＶ励起あるいは高温加熱励起などを用いるように
しても同等の作用を得ることが可能である。さらに、反
応ガスとされる第２のガスＧ2 としては、TiCl4 以外に
Ti，Ta, Nb, Ｙ，Zr, Hf, Ｖより選ばれた元素からなる
ハロゲン化物もしくは有機化合物および窒素，酸素，炭
素，ボロンのいずれかを含む分子からなるものを用いて
もよい。
【００２３】なお、上記実施例は薄膜形成の過程を対象
にして説明したが、本発明は半導体基板表面の不純物を
除去する場合においても同様の作用効果を発揮するもの
であることはいうまでもない。
にして説明したが、本発明は半導体基板表面の不純物を
除去する場合においても同様の作用効果を発揮するもの
であることはいうまでもない。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
活性化されたガスと活性化されないガスとを均一に導入
することができる構成としたので、薄膜・表面処理に望
ましくないガスの分解を防止することができ、また不要
な元素を除去することができ、これによって半導体基板
の薄膜・表面処理において従来問題になっている不純物
の混入を防ぎ、高品質の膜形成や清浄な表面処理を良好
に実現することが可能である。
活性化されたガスと活性化されないガスとを均一に導入
することができる構成としたので、薄膜・表面処理に望
ましくないガスの分解を防止することができ、また不要
な元素を除去することができ、これによって半導体基板
の薄膜・表面処理において従来問題になっている不純物
の混入を防ぎ、高品質の膜形成や清浄な表面処理を良好
に実現することが可能である。
【図１】本発明に係る薄膜形成装置の一実施例の構成を
示す側断面図である。
示す側断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視拡大図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ矢視図である。
【図４】本発明の他の実施例の構成を示す側断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の他の実施例の構成を示す側断面図であ
る。
る。
【図６】図５のガス導入フランジの他の構成例を示す
(a) 部分断面図、(b) Ｃ−Ｃ矢視図である。
(a) 部分断面図、(b) Ｃ−Ｃ矢視図である。
１，１Ａ，１Ｂ 反応室 ２ 石英管 ３ 間仕切り管 ４ ガス導入フランジ ５ ガス排出フランジ ６ サセプタ ７ ランプ加熱ユニット（加熱手段） ８ 排気管 ９ 圧力制御バルブ 10 真空ポンプ 11 ガス導入板 12 第１のガス導入室 13 第２のガス導入室 14 第３のガス導入室 15 高周波励起コイル（ガス励起手段） 16 活性化室 17 第１のガス配管 19 第２のガス配管 21 第３のガス配管 18, 20, 22 ガス流量制御装置 23 第１の噴射孔 24 第２の噴射孔 25 第３の噴射孔 27 ステンレス管 28 石英窓 Ｇ1 第１のガス Ｇ2 第２のガス Ｇ3 第３のガス
Claims (12)
- 【請求項１】 減圧ＣＶＤ法を用いて反応室内で半導
体基板の成膜・表面処理を行うに際し、予め活性化され
た励起ガスと反応ガスとを別々の経路から導入し、前記
反応室内において均一に混合することを特徴とする半導
体基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記反応室に導入される混合ガスの流
れは前記半導体基板の面に対して平行な方向であること
を特徴とする請求項１記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記反応室に導入される混合ガスの流
れは前記半導体基板の面に対して垂直な方向であること
を特徴とする請求項１記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記励起ガスは水素分子もしくは水素
を含む分子からなるものとし、前記反応ガスは少なくと
もTi，Ta, Nb, Ｙ，Zr, Hf, Ｖより選ばれた元素からな
るハロゲン化物もしくは有機化合物および窒素，酸素，
炭素，ボロンのいずれかを含む分子からなるものとする
ことを特徴とする請求項１ないし３記載の半導体基板の
製造方法。 - 【請求項５】 加熱手段によって外部から加熱される
反応室と、該反応室の一端部に固定されて真空ポンプに
接続されるガス排出フランジと、前記反応室の他端部に
固定されて、励起ガスである第１のガスを活性化室を介
して導入する第１のガス導入室と反応ガスである第２お
よび第３のガスを導入する第２のガス導入室とが画成さ
れ、前記反応室内の領域と前記第１のガス導入室とを連
通するストレート状の第１の噴射孔および前記反応室内
の領域と前記第２のガス導入室とを連通するテーパ状の
第２の噴射孔とがそれぞれ穿設されたガス導入板を備え
たガス導入フランジと、からなることを特徴とする半導
体基板の製造装置。 - 【請求項６】 前記反応室は石英管とその内面に設け
られる石英製の間仕切り管とから構成され、また前記ガ
ス導入フランジには前記第３のガスを導入する第３のガ
ス導入室が画成され、さらに前記ガス導入板には前記石
英管と前記間仕切り管との間の領域と第３のガス導入室
とを連通するストレート状の第３の噴射孔が穿設された
ことを特徴とする請求項５記載の半導体基板の製造装
置。 - 【請求項７】 前記反応室はステンレス管で構成さ
れ、該ステンレス管の胴部の上部もしくは下部に前記ガ
ス導入フランジを固定したことを特徴とする請求項５記
載の半導体基板の製造装置。 - 【請求項８】 前記励起ガスを前記反応室に導入する
前記第１の噴射孔が前記ガス導入板の中央の領域に設け
られ、前記反応ガスを前記反応室に導入する前記第２の
噴射孔が前記第１の噴射孔の周辺の領域に該第１の噴射
孔の径よりも大きい径で設けられることを特徴とする請
求項５ないし７記載の半導体基板の製造装置。 - 【請求項９】 前記第２のガスおよび第３のガスを噴
射する第２および第３の噴射孔がリング状とされ、その
噴出口は前記第１の噴射孔から噴射される励起ガスの噴
出方向に対して直交する方向であることを特徴とする請
求項８記載の半導体基板の製造装置。 - 【請求項１０】 前記第２の噴射孔が前記ガス導入板の
中央の領域に設けられ、前記第１の噴射孔は前記第２の
噴射孔の周辺の領域に前記第２の噴射孔の径よりも小さ
い径で設けられることを特徴とする請求項５ないし７記
載の半導体基板の製造装置。 - 【請求項１１】 前記第１のガスを噴射する第１の噴射
孔がリング状とされ、その噴出口は前記第２の噴射孔か
ら噴射される励起ガスの噴出方向に対して直交する方向
であることを特徴とする請求項１０記載の半導体基板の
製造装置。 - 【請求項１２】 前記ガス励起手段としては高周波励
起、紫外線励起および高温加熱励起のいずれかから選択
されることを特徴とする請求項５または９記載の半導体
基板の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17277693A JPH0729827A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体基板の製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17277693A JPH0729827A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体基板の製造方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729827A true JPH0729827A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15948138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17277693A Pending JPH0729827A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体基板の製造方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729827A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1993-07-13 JP JP17277693A patent/JPH0729827A/ja active Pending
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