JP2933508B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- plasma processing
- gas
- processing apparatus
- ceramic
- film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2418—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the electrodes being embedded in the dielectric
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に係
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来プラズマ処理装置としては、アルミ
ナ等のセラミック材を溶射することにより金属表面をコ
ーティングしてなる電極を高周波電極として用いたもの
が知られている。
ナ等のセラミック材を溶射することにより金属表面をコ
ーティングしてなる電極を高周波電極として用いたもの
が知られている。
【０００３】しかし、従来のプラズマ処理装置を用いて
成膜を行った場合、成膜した膜の特性には限界があっ
た。例えば絶縁膜については絶縁耐圧としては８ＭＶ／
ｃｍが限界であった。
成膜を行った場合、成膜した膜の特性には限界があっ
た。例えば絶縁膜については絶縁耐圧としては８ＭＶ／
ｃｍが限界であった。
【０００４】また、高周波電極にはガス噴射口などの微
細な孔が形成されることが多いが、溶射ではこの微細な
孔の内面までコーティングすることは困難である。従っ
て、この孔の内面がプラズマによりアタックされ成膜雰
囲気の汚染の原因となっていた。
細な孔が形成されることが多いが、溶射ではこの微細な
孔の内面までコーティングすることは困難である。従っ
て、この孔の内面がプラズマによりアタックされ成膜雰
囲気の汚染の原因となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた特性
を有する膜の形成が可能なプラズマ処理装置を提供する
ことを目的とする。
を有する膜の形成が可能なプラズマ処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】本発明は、高周波電極に微細な孔が形成さ
れていてもその孔の表面も十分にセラミックで覆われて
おり、成膜雰囲気を汚染することのないプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
れていてもその孔の表面も十分にセラミックで覆われて
おり、成膜雰囲気を汚染することのないプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の要旨は、
プラズマ発生用ガスを通気させるガス噴出用の孔を複数
形成してなる金属からなる高周波電極板が、プラズマに
曝される全表面にセラミック材を形成してなるプラズマ
処理装置に存在する。
プラズマ発生用ガスを通気させるガス噴出用の孔を複数
形成してなる金属からなる高周波電極板が、プラズマに
曝される全表面にセラミック材を形成してなるプラズマ
処理装置に存在する。
【０００８】本発明の第２の要旨は、第１の要旨におい
て、前記セラミック材は焼結セラミック材であることを
特徴とするプラズマ処理装置に存在する。
て、前記セラミック材は焼結セラミック材であることを
特徴とするプラズマ処理装置に存在する。
【０００９】
【００１０】本発明の第３の要旨は、第１の要旨におい
て、前記セラミック材はアルミナ又は酸化ジルコニウム
であることを特徴とするプラズマ処理装置に存在する。
て、前記セラミック材はアルミナ又は酸化ジルコニウム
であることを特徴とするプラズマ処理装置に存在する。
【００１１】本発明の第４の要旨は、第１の要旨におい
て、前記金属はタングステン又はモリブデンであること
を特徴とするプラズマ処理装置に存在する。
て、前記金属はタングステン又はモリブデンであること
を特徴とするプラズマ処理装置に存在する。
【００１２】
【００１３】
【作用】以下に、本発明の作用及び実施態様例を本発明
をなすに際して得た知見などとともに説明する。
をなすに際して得た知見などとともに説明する。
【００１４】プラズマ処理装置により半導体膜、絶縁膜
その他の各種膜の成膜が行われるが、優れた特性（例え
ば、絶縁膜の場合は高い絶縁耐圧、半導体膜の場合は高
い易動度）を達成するために、原料ガスの不純物濃度を
ｐｐｂレベルにまで制御し、また、プラズマ処理装置の
成膜室の内壁はその表面からのガス放出量の少ない材料
（例えばクロム酸化物をよりなる酸化不動態膜を表面に
有するステンレス鋼）により構成し、不純物濃度を極力
低減せしめている。
その他の各種膜の成膜が行われるが、優れた特性（例え
ば、絶縁膜の場合は高い絶縁耐圧、半導体膜の場合は高
い易動度）を達成するために、原料ガスの不純物濃度を
ｐｐｂレベルにまで制御し、また、プラズマ処理装置の
成膜室の内壁はその表面からのガス放出量の少ない材料
（例えばクロム酸化物をよりなる酸化不動態膜を表面に
有するステンレス鋼）により構成し、不純物濃度を極力
低減せしめている。
【００１５】このように、不純物濃度を極力低減せしめ
ているにもかかわらず、従来のプラズマ処理装置では優
れた特性の膜の成膜を行うことができなかった。
ているにもかかわらず、従来のプラズマ処理装置では優
れた特性の膜の成膜を行うことができなかった。
【００１６】本発明者はその原因の探求を行った。その
結果、高周波電極からのガス放出が大きな原因となって
いることを見いだした。そして、より重要なことは、１
０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃを境として急激に特性の向上
が認められることを知見したことである。すなわち、１
０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃには臨界的意義が認められ、
１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃ以下とすることにより優れ
た特性を有する膜を成膜することができる。
結果、高周波電極からのガス放出が大きな原因となって
いることを見いだした。そして、より重要なことは、１
０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃを境として急激に特性の向上
が認められることを知見したことである。すなわち、１
０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃには臨界的意義が認められ、
１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃ以下とすることにより優れ
た特性を有する膜を成膜することができる。
【００１７】なお、１０-7Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃ以下が
ガス放出量がより一層少なくなり好ましい。
ガス放出量がより一層少なくなり好ましい。
【００１８】一方、５×１０-8Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃを
境として効果（例えば絶縁耐圧）は飽和する。従って、
経済的観点から５×１０-8Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃを下限
とする。
境として効果（例えば絶縁耐圧）は飽和する。従って、
経済的観点から５×１０-8Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃを下限
とする。
【００１９】（請求項２・請求項３） ガス放出を低減せしめる手段を鋭意探求したところ、金
属を被覆するセラミック材としては、焼結セラミックが
従来の溶射セラミックよりはるかにガス放出量が少ない
ことを見いだした。
属を被覆するセラミック材としては、焼結セラミックが
従来の溶射セラミックよりはるかにガス放出量が少ない
ことを見いだした。
【００２０】すなわち、本発明では、セラミック材は焼
結セラミック材としたため、高周波電極からの放出ガス
量を従来よりも著しく低減させることができ、特性の良
好な膜の成膜が可能となった。
結セラミック材としたため、高周波電極からの放出ガス
量を従来よりも著しく低減させることができ、特性の良
好な膜の成膜が可能となった。
【００２１】焼結セラミックが溶射セラミックよりも放
出ガス量が著しく少ない理由は明確ではない。ただ、次
のように推定される。すなわち、従来の溶射セラミック
の表面を子細に観察するとその表面には空房が存在し、
その空房が不純物ガスの溜まり場となり、放出ガス源に
なると考えられる。それに対し、焼結セラミックの表面
にはそのような空房は存在せず、そのため放出ガス量が
溶射セラミックより少ないものと考えられる。
出ガス量が著しく少ない理由は明確ではない。ただ、次
のように推定される。すなわち、従来の溶射セラミック
の表面を子細に観察するとその表面には空房が存在し、
その空房が不純物ガスの溜まり場となり、放出ガス源に
なると考えられる。それに対し、焼結セラミックの表面
にはそのような空房は存在せず、そのため放出ガス量が
溶射セラミックより少ないものと考えられる。
【００２２】焼結セラミックとは焼結工程を経て形成さ
れたセラミックであるが、焼結方法としては、例えば、
ＨＰ法（加圧焼結法）、ＳＰＳ法（放電プラズマ焼結
法）、ＨＩＰ法（等方加圧圧縮焼結法）があげられる。
ＨＰ法では１０-7Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃのレベル、ＳＰ
Ｓ法では１０-8Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃのレベル、ＨＩＰ
法では１０-9Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃのレベルの放出ガス
量が達成可能である。
れたセラミックであるが、焼結方法としては、例えば、
ＨＰ法（加圧焼結法）、ＳＰＳ法（放電プラズマ焼結
法）、ＨＩＰ法（等方加圧圧縮焼結法）があげられる。
ＨＰ法では１０-7Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃのレベル、ＳＰ
Ｓ法では１０-8Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃのレベル、ＨＩＰ
法では１０-9Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃのレベルの放出ガス
量が達成可能である。
【００２３】（請求項４） 請求項１あるいは請求項３の発明におけるセラミックの
種類は特に限定されないが、アルミナ、酸化ジルコニウ
ム（またはジルコニア）が特に好ましい。アルミナ、酸
化ジルコニウムは、耐食性、耐プラズマ特性に優れてい
るため電極からの不純物の混入が他のセラミックに比べ
少なく、より優れた特性を有する膜の成膜が可能とな
る。
種類は特に限定されないが、アルミナ、酸化ジルコニウ
ム（またはジルコニア）が特に好ましい。アルミナ、酸
化ジルコニウムは、耐食性、耐プラズマ特性に優れてい
るため電極からの不純物の混入が他のセラミックに比べ
少なく、より優れた特性を有する膜の成膜が可能とな
る。
【００２４】（請求項５） 従来の高周波電極の金属にはハステロイ（登録商標）が
用いられている。しかるに、焼結セラミックの焼結は高
圧・高温下において行われるため、ハステロイを用いる
とクラックの発生をともなうことが多いことが判明し
た。タングステン、タンタル又はモリブデンを用いた場
合にはかかるクラックの発生を有効に防止することがで
きるため好ましい。
用いられている。しかるに、焼結セラミックの焼結は高
圧・高温下において行われるため、ハステロイを用いる
とクラックの発生をともなうことが多いことが判明し
た。タングステン、タンタル又はモリブデンを用いた場
合にはかかるクラックの発生を有効に防止することがで
きるため好ましい。
【００２５】（請求項６） 溶射セラミックの場合はガス噴射口などのガス噴射用の
微細な孔の内面をセラミックでコーティングすることは
困難であることは前述した通りである。
微細な孔の内面をセラミックでコーティングすることは
困難であることは前述した通りである。
【００２６】それに対し、請求項３の発明に示す焼結セ
ラミックは、ガス噴射用の微細な孔を有する高周波電極
に対して特に有効である。
ラミックは、ガス噴射用の微細な孔を有する高周波電極
に対して特に有効である。
【００２７】すなわち、金属の所定の位置（噴射口など
の微細な孔に対応する位置）に、設計上決定された微細
な孔の径（ａ）よりも大きめの孔（ａ＋α）を開けてお
き、焼結後、レーザなどにより、所定の位置に（ａ）の
大きさで微細な孔をあければよい。これにより、微細な
孔であってもその内面には（α／２）の厚さの焼結セラ
ミックを形成することができる。ここでαの大きさには
限定されないので希望する厚さの焼結セラミックを微細
な孔の内面に形成することができる。
の微細な孔に対応する位置）に、設計上決定された微細
な孔の径（ａ）よりも大きめの孔（ａ＋α）を開けてお
き、焼結後、レーザなどにより、所定の位置に（ａ）の
大きさで微細な孔をあければよい。これにより、微細な
孔であってもその内面には（α／２）の厚さの焼結セラ
ミックを形成することができる。ここでαの大きさには
限定されないので希望する厚さの焼結セラミックを微細
な孔の内面に形成することができる。
【００２８】
【実施例】（実施例１） ３０ｃｍ四方、板厚５ｍｍのタングステン（Ｗ）製の板
を用意した。この金属板１の表面粗さはＲａ３０ｎｍと
した。
を用意した。この金属板１の表面粗さはＲａ３０ｎｍと
した。
【００２９】この板にパンチングにより３ｍｍ径の孔２
を形成した（図１（ａ））。
を形成した（図１（ａ））。
【００３０】この板を図１（ｂ）に示すように、型の中
にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末３とともに配置した。粉末
３は、平均粒径１００μｍ、純度９９．９％のものを用
いた。
にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末３とともに配置した。粉末
３は、平均粒径１００μｍ、純度９９．９％のものを用
いた。
【００３１】次に図１（ｃ）に示すように、ＨＰ法によ
り高圧・高温において焼結を行った。圧力は３０ＭＰ
ａ、温度は１５００℃とし、焼結時間は２時間とした。
り高圧・高温において焼結を行った。圧力は３０ＭＰ
ａ、温度は１５００℃とし、焼結時間は２時間とした。
【００３２】焼結終了が、図１（ｄ）に示すように、型
から電極を取り出し、パンチングにより形成した孔の間
にガス噴射用の孔（０．３ｍｍ径）４をレーザにより開
けるとともに高周波電力印加用の穴１０もレーザで開け
た。
から電極を取り出し、パンチングにより形成した孔の間
にガス噴射用の孔（０．３ｍｍ径）４をレーザにより開
けるとともに高周波電力印加用の穴１０もレーザで開け
た。
【００３３】以上のようにして約１０個の高周波電極を
作製し、この高周波電極についてガス放出特性を調べた
ところ、約１０-6〜５×１０-7Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃで
あった。
作製し、この高周波電極についてガス放出特性を調べた
ところ、約１０-6〜５×１０-7Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃで
あった。
【００３４】この高周波電極を組み込んでプラズマ処理
装置を作製した。プラズマ処理装置の成膜室の内壁はク
ロム酸化物からなる不動態膜を表面に有するステンレス
鋼により構成し、その内壁からの放出ガス量は１０-8〜
１０-7Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃとした。このプラズマ処理
装置を用いて窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により
形成した。なお、その際、原料ガス中における不純物濃
度は数ｐｐｂ以下にし、成膜前には窒素ガスを用いて回
分パージを行った。
装置を作製した。プラズマ処理装置の成膜室の内壁はク
ロム酸化物からなる不動態膜を表面に有するステンレス
鋼により構成し、その内壁からの放出ガス量は１０-8〜
１０-7Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃとした。このプラズマ処理
装置を用いて窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により
形成した。なお、その際、原料ガス中における不純物濃
度は数ｐｐｂ以下にし、成膜前には窒素ガスを用いて回
分パージを行った。
【００３５】成膜した窒化シリコン膜の絶縁耐圧を測定
したところ、絶縁耐圧は８．０〜９．０ＭＶ／ｃｍであ
った。
したところ、絶縁耐圧は８．０〜９．０ＭＶ／ｃｍであ
った。
【００３６】（実施例２） 本例では、焼結をＳＰＳ法を用いて行った。他の点は実
施例１と同様とした。
施例１と同様とした。
【００３７】ガス放出特性は５×１０-7〜５×１０-8Ｔ
ｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃであった。また、絶縁耐圧は９．０
〜９．５ＭＶ／ｃｍであった。
ｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃであった。また、絶縁耐圧は９．０
〜９．５ＭＶ／ｃｍであった。
【００３８】（実施例３） 本例では、焼結をＨＩＰ法を用いて行った。他の点は実
施例１と同様とした。
施例１と同様とした。
【００３９】ガス放出特性は５×１０-8〜５×１０-9Ｔ
ｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃであった。また、絶縁耐圧は９．５
〜１０．０ＭＶ／ｃｍであった。
ｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃであった。また、絶縁耐圧は９．５
〜１０．０ＭＶ／ｃｍであった。
【００４０】図２に実施例１〜実施例３において測定し
た絶縁耐圧の結果をまとめて示す。図２から明かなよう
に、絶縁耐圧は、１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃを境とし
て急激に向上している。また、５×１０-8Ｔｏｒｒ・Ｌ
／ｓｅｃを境として絶縁耐圧は飽和している。
た絶縁耐圧の結果をまとめて示す。図２から明かなよう
に、絶縁耐圧は、１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓｅｃを境とし
て急激に向上している。また、５×１０-8Ｔｏｒｒ・Ｌ
／ｓｅｃを境として絶縁耐圧は飽和している。
【００４１】（実施例４） 本例では、図３（ａ）に示す高周波電極を実施例１と同
様の条件でＨＰ法により作製した。この高周波電極は、
凹状のセラミック体５に金属体６を嵌合あるいは接着し
たものである。
様の条件でＨＰ法により作製した。この高周波電極は、
凹状のセラミック体５に金属体６を嵌合あるいは接着し
たものである。
【００４２】まず、焼結により凹状のセラミックを作製
した後、このセラミックとモリブデン（Ｍｏ）金属板と
を接着剤セラセットＳＮ（商標）を用いて接着した。
した後、このセラミックとモリブデン（Ｍｏ）金属板と
を接着剤セラセットＳＮ（商標）を用いて接着した。
【００４３】ガス放出特性は５×１０-6〜×１０-7Ｔｏ
ｒｒ・Ｌ／ｓｅｃであった。また、絶縁耐圧は８．０〜
９．０ＭＶ／ｃｍであった。
ｒｒ・Ｌ／ｓｅｃであった。また、絶縁耐圧は８．０〜
９．０ＭＶ／ｃｍであった。
【００４４】（実施例５） 本例では、図３（ｂ）〜（ｄ）に示す高周波電極を作製
した。セラミックはＨＰ法により作製し、金属はタング
ステンを用いた。電極の作製手順は、実施例１と同じと
した。
した。セラミックはＨＰ法により作製し、金属はタング
ステンを用いた。電極の作製手順は、実施例１と同じと
した。
【００４５】図３（ｂ），（ｃ）に示すようにセラミッ
ク７と金属８の熱膨張の差を下げるために金属板の孔を
色々な形状に加工することができる。また、図３（ｄ）
に示すように金属糸で網タイプ９のものを作製し、金属
板を代用することもできる。
ク７と金属８の熱膨張の差を下げるために金属板の孔を
色々な形状に加工することができる。また、図３（ｄ）
に示すように金属糸で網タイプ９のものを作製し、金属
板を代用することもできる。
【００４６】
【発明の効果】（請求項１） 請求項１に係る発明によれば、優れた特性（例えば絶縁
耐圧が８．０ＭＶ／ｃｍ以上）を有する膜の成膜が可能
となる。
耐圧が８．０ＭＶ／ｃｍ以上）を有する膜の成膜が可能
となる。
【００４７】（請求項２・請求項３） 請求項２、請求項３に係る発明によれば、高周波電極か
らのガス放出量を従来よりも著しく低減せしめることが
可能となり、特性の良好な膜の成膜が可能となた。
らのガス放出量を従来よりも著しく低減せしめることが
可能となり、特性の良好な膜の成膜が可能となた。
【００４８】（請求項４） 電極からの不純物の混入が他のセラミックに比べ少な
く、より優れた特性を有する膜の成膜が可能となる。
く、より優れた特性を有する膜の成膜が可能となる。
【００４９】（請求項５） 高周波電極におけるクラックの発生を有効に防止するこ
とができる。
とができる。
【００５０】（請求項６） ガス噴射口などの微細な孔の内面がセラミックで容易か
つ確実にコーティングされた高周波電極を有しており、
特にＣＶＤ装置等に有効に適用できる。
つ確実にコーティングされた高周波電極を有しており、
特にＣＶＤ装置等に有効に適用できる。
【図１】高周波電極の製造工程例を示す工程図である。
【図２】放出ガス量と絶縁耐圧との関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図３】実施例に係る高周波電極を示す概念図である。
１ 金属板、 ２ 孔、 ３ アルミナ粉末、 ４ ガス噴射用の孔、 ５ セラミック体、 ６ 金属体、 ７ セラミック、 ９ 金属、 １０ 高周波電力印加用の穴。
フロントページの続き (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２の１の17の 301 (56)参考文献 特開 平５−251198（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−119995（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−264247（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05H 1/46 C23C 16/50 H01L 21/3065
Claims (4)
- 【請求項１】 プラズマ発生用ガスを通気させるガス噴
出用の孔を複数形成してなる金属からなる高周波電極板
が、プラズマに曝される全表面にセラミック材を形成し
てなるプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記セラミック材は焼結セラミック材で
あることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項３】 前記セラミック材はアルミナ又は酸化ジ
ルコニウムであることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記金属はタングステン又はモリブデン
であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7126276A JP2933508B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | プラズマ処理装置 |
| TW085104965A TW362336B (en) | 1995-05-25 | 1996-04-25 | Plasma treatment apparatus |
| KR1019960017627A KR100294572B1 (ko) | 1995-05-25 | 1996-05-23 | 플라즈마 처리장치 |
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