JP4177094B2 - プラズマ成膜装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマ化された処理ガスを略常圧下で基材に吹き付けて成膜する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、特許文献1には、常圧下において処理ガスを一対の電極間に導入するとともに印加電界によりプラズマ化させ、これをノズルの先に配された基材に吹き付ける常圧プラズマ処理装置が記載されている。
ところで、一般に、常圧CVDなどの成膜装置では、膜の原料を含むガスが、基材に付着すべきところ、装置の側に付着してしまうことがある。そこで、ノズルの周辺から排気部にかけての壁面を金網で構成し、その網目から不活性ガスを吹出すことにより、装置側への膜の付着を防止する技術が知られている(特許文献2参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−251304号公報(第1頁、第2図)
【特許文献2】
特開平3−248415号公報(第1頁、第1図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上掲特許文献1のような常圧プラズマ処理装置を成膜に適用する場合、基材に吹付け後の処理ガスが、十分成膜されないまま基材から離れ去ってしまうようでは不経済である。そこで、装置側の基材との対向面を広くして、これと基材との間に処理ガスを這わせることが考えられる。しかし、そうすると、上記対向面への膜付着を助長することになる。
また、上掲特許文献2の金網では、網目からの不活性ガスで処理ガス流が乱され、基材への成膜効率を損なうおそれがある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明は、プラズマ化(イオン状態だけでなくラジカル状態も含む)された処理ガスを略常圧下で基材に吹き付けて成膜するプラズマ成膜装置であって、上記処理ガスの吹出し孔が配された吹出し領域と、この吹出し領域から張出して処理ガスの成膜割合を稼ぐ張出し領域とを有して、基材と対向すべき基材対向部と、この基材対向部の基材対向面とは逆側に接続された不活性ガス導入手段とを備え、上記基材対向部の2つの領域のうち少なくとも張出し領域が、上記導入手段からの不活性ガス(対向面被覆層形成ガス)を基材対向面へ向けて浸透させ、しかもその浸透度ひいては基材対向面からのしみ出し度が上記処理ガスの基材対向面への接触を該処理ガスの流れを乱さずに阻止し得る程度のガス浸透性材料で構成されていることを特徴とする。
これによって、基材対向面の特に張出し領域に、不活性ガスの薄い層を形成することができ、基材対向面への膜付着を確実に防止することができる。それとともに、処理ガス流を乱すことなく、吹出し領域は勿論、張出し領域と基材との間にも導くことができ、基材への成膜効率を高め、原料のロスを低減することができる。
【0006】
上記ガス浸透性材料は、多孔質セラミックなどの多孔質材料であることが望ましい。これによって、所望の浸透度ひいてはしみ出し度を簡単かつ確実に得ることができる。特に、多孔質セラミックで構成することにより、絶縁性をも確実に確保することができる。
【0007】
上記基材対向部の張出し領域における基材対向面とは逆側面に、上記ガス導入手段からの不活性ガスを一旦貯める溝が基材対向面へ向けて凹むように形成されていることが望ましい。これによって、張出し領域の基材対向部を薄肉にでき、その基材対向面に不活性ガスの膜を確実に形成でき、この面への膜付着を一層確実に防止することができる。
【0008】
上記基材対向部の短手方向の中央部が、長手方向にわたる吹出し孔を有して上記吹出し領域となり、短手方向の両端部が、一対の上記張出し領域となっており、これら張出し領域の各々に、上記溝が長手方向に延びるようにして形成されていることが望ましい。これによって、長手方向は勿論、短手方向にも、吹出し領域の両側の張出し領域に及ぶ広い範囲にわたって一度に効率的に成膜でき、しかも張出し領域の基材対向面の長手方向にわたって膜付着を確実に防止することができる。なお、ここにおける吹出し孔は、長手方向に延びるスリット状の孔のほか、長手方向に並んだスポット状の孔をも含む。
【0009】
上記基材対向部の全体が、ガス浸透性材料で一体形成されており、上記溝の吹出し領域を向く内側面に、ガス浸透を阻止するガス浸透阻止部材が設けられていることが望ましい。これによって、吹出し領域においては処理ガス流が不活性ガスで乱されたり薄められたりするのを確実に防止でき、高品質の成膜を行なうことができる。
【0010】
上記溝の深さ方向の中間部には、溝を上記不活性ガス導入手段に連なる上段溝部と、基材対向面寄りの下段溝部とに仕切る仕切りが設けられ、この仕切りが、上記基材対向部を構成するガス浸透性材料よりガスの通りが十分高いガス透過性を有していることが望ましい。これによって、不活性ガスを溝の長手方向に十分に均一化させることができ、張出し領域の基材対向面への膜付着を長手方向にわたって確実に防止することができる。
上記仕切りは、上記ガス浸透性材料より目の十分に粗い多孔板で構成されているのが望ましい。
【0011】
上記ガス浸透阻止部材は、上段溝部の吹出し領域を向く内側面にだけ設けるのが望ましい。下段溝部を上段溝部より大容積にするのが望ましい。上記ガス浸透阻止部材を上段溝部にだけ設けることによって、下段溝部を上段溝部より大容積にすることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
図1は、常圧プラズマ成膜装置M1を示したものである。プラズマ成膜装置M1は、基材搬送手段80と、この搬送手段80に載せられた基材90の上方に位置するようにして架台(図示せず)に支持されたノズルヘッド10を備えている。基材搬送手段80は、大面積の板状の基材90を前方(図1において右)へ移動させる。勿論、基材90が固定されてノズルヘッド10が移動されるようになっていてもよい。常圧プラズマ成膜装置M1は、この基材90の上面(表側面)に例えばアモルファスシリコン(a-Si)や窒化シリコン(SiN)等の膜92を形成するようになっている。
【0013】
ノズルヘッド10は、基材90と対向すべきノズルエンドプレート11(基材対向部)と、その上側に配された4つの電極31,32と、これら電極31,32を支持する電極ホルダ17とを備え、図1の紙面と直交する左右方向に長く延びている。ノズルエンドプレート11は、本発明の主要部に係るものであるので、追って詳述する。
【0014】
図1および図2に示すように、電極31,32は、幅方向を上下に向けて左右に延びる長板状をなし、互いに前後に平行に並べられている。中側の2つのホット電極31は、左端部(長手方向の一端部)の給電ピン33及び給電線34を介して電界印加装置3に接続されている。前後両端側の2つのアース電極32は、右端部(長手方向の他端部)の給電ピン35及び給電線36を介して接地されている。
【0015】
図1に示すように、中側のホット電極31どうし間の隙間30mの上端部には、原料ガス路41を介して原料ガス源4Aが連ねられている。原料ガス源4Aには、膜92となる原料ガス(例えばシラン(SiH4))が貯えられている。両側の互いに異なる極性の電極31,32どうし間の隙間(プラズマ化空間)30f,30rの上端部には、励起ガス路42を介して励起ガス源4Bが連ねられている。励起ガス源4Bには、プラズマにより励起して原料ガスの反応を起こさせる励起ガス(例えば水素や窒素)が貯えられている。
これらガス源4A,4Bの原料ガスと励起ガスとによって、特許請求の範囲の「処理ガス」が構成されている。
なお、図示は省略するが、ノズルヘッド10の電極31,32の直上には、ガス路41,42からの各ガスを左右長手方向に均一化して隙間30f,30m,30rへ導入するガス均一化部が設けられている。
【0016】
図1および図3に概略図示するように、ノズルヘッド10の電極ホルダ17は、絶縁樹脂製の板などで構成され、電極31,32間の隙間30f,30m,30rを維持するとともに電極31,32全体を前後左右の側部から囲んでいる。
【0017】
本発明の主要部を構成するノズルエンドプレート11について説明する。
図1〜図3に示すように、ノズルエンドプレート11は、左右に延びる平面視長方形の水平板状をなしている。ノズルエンドプレート11は、絶縁性の、しかも多孔質のセラミック(ガス浸透性材料)で構成されている。その気孔径は、例えば10μm程度、気孔率は例えば47%程度である。
【0018】
このノズルエンドプレート11が、電極31,32および電極ホルダ17の下方(先端側)に配されて基材90と対向するようになっている。図1および図2に示すように、ノズルエンドプレート11の幅方向(短手方向)は、4つの電極31,32全体の前後の幅よりも大きく前後に張出している。ノズルエンドプレート11において、電極31,32に対応する幅方向の中央部が、吹出し領域11R1となり、幅方向の両端部が、一対の張出し領域11R2となっている。
【0019】
図1〜図3に示すように、ノズルエンドプレート11の吹出し領域11R1の上面(基材90との対向面(下面)とは逆側)には、凹部11aが形成されている。この凹部11aに電極31,32の下端部が差し入れられている。ノズルエンドプレート11には、凹部11aの底から下面へ達するとともに左右に細長く延びる3条のスリット状吹出し孔11f,11m,11rが前後に並んで形成されている。これら吹出し孔11f,11m,11rが、対応する電極間隙間30f,30m,30rにそれぞれ連なっている。
【0020】
ノズルエンドプレート11の前後の張出し領域11R2の上面には、左右に細長く延びる溝11bがそれぞれ形成されている。溝11bは、ノズルエンドプレート11の下面の近くまで深く凹んでいる。これによって、溝11bの部分では、ノズルエンドプレート11が薄肉になっている。
【0021】
溝11bの深さ方向の中間部には、小さな段差11cが形成されている。この段差11cに、細棒材12(ガス浸透阻止部材)とアングルプレート13(仕切り)とが引っ掛けられている。細棒材12は、非多孔質セラミック(ガス浸透阻止材料)で構成され、断面四角形状をなして溝11bに沿って左右に延びている。この細棒材12が、段差11cより上側の溝11b(後記溝部11d)の吹出し領域11R1側の内側面に押し当てられている。
【0022】
アングルプレート13は、1mm程度の多数の小孔13aが密に形成されたパンチングメタル(多孔板)で構成され、多孔質セラミック製のノズルエンドプレート11よりガスの透過性が十分に大きくなっている。アングルプレート13は、断面L字状をなして溝11bに沿って左右に細長く延びている。このアングルプレート13の底辺部によって、溝11bが、上下二段の溝部11d,11eに仕切られている。下段溝部11eは、細棒材12が無い分だけ上段溝部11dより幅広で大容積になっている。
なお、アングルプレート13において細棒材12に当てられる縦片部には、小孔13aが形成されていなくてもよい。この孔無し縦片部を溝部11dの吹出し領域11R1側面に直接当てることにし、細棒材12を省くことにしてもよい。
【0023】
ノズルエンドプレート11の前後の張出し領域11R2の上側には、上記電極ホルダ17を前後から挟む一対の断面コ字状のサイドフレーム14が設けられている。このサイドフレーム14によって、上段溝部11dの上面開口が塞がれている。サイドフレーム14の下面には、上段溝部11dをシールするためのOリング16が設けられている。
【0024】
更に、一対のサイドフレーム14には、上段溝部11dに連通する不活性ガス導入パイプ15がそれぞれ設けられている。この不活性ガス導入パイプ15が、不活性ガス路22を介して不活性ガス源21に連なっている。不活性ガス源21には、窒素などの不活性ガスが貯えられている。なお、不活性ガス導入パイプ15は、ノズルヘッド10の左右に離れて2箇所に設けられているが、これに限定されるものではなく、左右に離れて3箇所以上に設けられていてもよく、左右方向の中央の1箇所に設けられていてもよい。
不活性ガス源21と、不活性ガス路22と、不活性ガス導入パイプ15と、溝部11dを塞ぐサイドフレーム14とによって、不活性ガス導入手段20が構成されている。
【0025】
なお、ノズルヘッド10の外側には、排気ダクト50が設けられている。排気ダクト50の下方へ開口された吸込み口51は、ノズルエンドプレート11の下端の外周を囲んでいる。排気ダクト50の上端部には、排気ポンプ(図示せず)が接続されている。
【0026】
上記のように構成されたプラズマ成膜装置M1の動作について説明する。
原料ガス源4Aからの原料ガスが、ノズルヘッド10の上記ガス均一化部によって左右長手方向に均一化されたうえで、2つのホット電極31間の隙間30mを経て、中央の吹出し孔11mから吹出される。また、励起ガス源4Bからの励起ガスが、左右長手方向に均一化されたうえでホット電極31とアース電極32との間の隙間30f,30rに導入される。併せて、電圧印加装置3からの電圧がホット電極31に印加される。これによって、励起ガスがプラズマ化(励起)された後、前後の吹出し孔11f,11rから吹出される。この励起ガスに、上記吹出し孔11mからの原料ガスが合流する。これによって、原料ガスの反応が起き、ノズルエンドプレート11の吹出し領域11R1直下の基材90の上面に膜92が形成される。
【0027】
吹出し領域11R1を過ぎた原料ガス及び励起ガス(すなわち処理ガス)の流れa(図1)は、張出し領域11R2と基材90との間へ導かれていく。これによって、張出し領域11R2直下の基材90にも膜92を形成することができる。この結果、原料の成膜割合を稼ぎ、ロスを小さくすることができる。
【0028】
上記の成膜操作と併行して、不活性ガス源21からの不活性ガスが、路22及びパイプ15を経て、上段溝部11dに導入される。その後、不活性ガスは、アングルプレート13の底辺部の多数の小孔13aを通る。この時、圧損が生じる。そして、下段溝部11eへ送られ、膨張する。これによって、不活性ガスを左右長手方向に均一化させることができる。
【0029】
更に、不活性ガスは、下段溝部11eの内周面(底面及び前後の側面)から多孔質のノズルエンドプレート11の内部に浸透していく。そして、ノズルエンドプレート11の張出し領域11R2の下面から微量ずつしみ出す。これによって、張出し領域11R2の下面が、不活性ガスの薄い層bで覆われる(図1)。この不活性ガス層bによって、処理ガス流aが、ノズルエンドプレート11の張出し領域11R2に直接触れないようにすることができる。この結果、ノズルエンドプレート11の張出し領域11R2に膜が付着するのを防止することができる。特に、溝部11eの部分ではノズルエンドピース11が非常に薄肉になっているので、その下方に不活性ガス層bを確実に形成することができ、膜付着を確実に防止することができる。
【0030】
一方、不活性ガスのしみ出し量が微量であるため、処理ガス流aは、殆ど乱されることがない。これによって、張出し領域11R2直下の基板90への成膜を確実に行なうことができる。加えて、ノズルエンドプレート11への付着が無い分だけ基材90への成膜量を増やすことができる。この結果、原料のロスを一層確実に小さくすることができ、成膜効率を一層高めることができる。
【0031】
ところで、上段溝部11dにおける不活性ガスは、ガス浸透性の全く無い細棒材12によって吹出し領域11R1側への浸透を阻止される。これによって、吹出し領域11R1には、不活性ガス層bが殆ど及ばないようにすることができる。したがって、吹出し領域11R1における活性種を多く含む処理ガス流aは、不活性ガスで乱されたり薄められたりすることがない。これによって、吹出し領域11R1直下の基材90上に作られる膜92の品質を確実に良好にすることができる。一方、この吹出し領域11R1では、ノズルエンドピース11に膜が付着することはあまりないので、不活性ガス層bが形成されていなくても支障がない。
【0032】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変が可能である。
例えば、ノズルエンドピース11の張出し領域11R2については、多孔質セラミックなどのガス浸透性材料で形成する一方、吹出し領域11R1については、非多孔質セラミックなどのガス浸透阻止材料で形成することにしてもよい。
基材対向部としてのノズルエンドピース11は吹出し領域11R1のみを有し、ノズルエンドピース11とは別途の構成部材(例えばノズルヘッド10の水平架台)により張出し領域11R2を構成してもよい。
実施形態では、原料ガスと励起ガスが、ノズルヘッドからの吹出し後に合流されるようになっているが、印加電界でプラズマ化後の励起ガスに原料ガスを合流させたうえで吹出すことにしてもよい。
吹出し領域11R1の基材対向面にアース電極を配し、その逆側面とホット電極との間にプラズマ化空間を形成してもよい。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基材対向面の特に張出し領域に、不活性ガスの薄い層を形成することができ、この面への膜付着を確実に防止することができる。しかも、処理ガス流を、乱すことなく、吹出し領域は勿論、張出し領域と基材との間にも導くことができ、基材への成膜効率を高め、原料のロスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る常圧プラズマ成膜装置の概略構成、及び該装置のノズルヘッドの側面断面を示す図である。
【図2】図1のII−II線に沿う上記ノズルヘッドのノズルエンドプレートの平面図である。
【図3】図2のIII−III線に沿う上記ノズルヘッドの正面断面図である。
【符号の説明】
M1 常圧プラズマ成膜装置
10 ノズルヘッド
11 ノズルエンドプレート(基材対向部)
11R1 吹出し領域
11R2 張出し領域
11f,11m,11r 吹出し孔
11b 溝
11d 上段溝部
11e 下段溝部
12 細棒材(ガス浸透阻止部材)
13 アングルプレート(仕切り)
20 不活性ガス導入手段
21 不活性ガス源
90 基材
92 基材上面の膜
Claims (7)
- プラズマ化された処理ガスを略常圧下で基材に吹き付けて成膜するプラズマ成膜装置であって、
上記処理ガスの吹出し孔が配された吹出し領域と、この吹出し領域から張出して処理ガスの成膜割合を稼ぐ張出し領域とを有して、基材と対向すべき基材対向部と、
この基材対向部の基材対向面とは逆側に接続された不活性ガス導入手段とを備え、
上記基材対向部の2つの領域のうち少なくとも張出し領域が、上記導入手段からの不活性ガスを基材対向面へ向けて浸透させ、しかもその浸透度ひいては基材対向面からのしみ出し度が上記処理ガスの基材対向面への接触を該処理ガスの流れを乱さずに阻止し得る程度のガス浸透性材料で構成されていることを特徴とするプラズマ成膜装置。 - 上記ガス浸透性材料が、多孔質であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。
- 上記ガス浸透性材料が、多孔質セラミックであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。
- 上記基材対向部の張出し領域における基材対向面とは逆側面に、上記ガス導入手段からの不活性ガスを一旦貯める溝が基材対向面へ向けて凹むように形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のプラズマ成膜装置。
- 上記基材対向部の短手方向の中央部が、長手方向にわたる吹出し孔を有して上記吹出し領域となり、短手方向の両端部が、一対の上記張出し領域となっており、これら張出し領域の各々に、上記溝が長手方向に延びるようにして形成されていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ成膜装置。
- 上記基材対向部の全体が、ガス浸透性材料で一体形成されており、上記溝の吹出し領域を向く内側面に、ガス浸透を阻止するガス浸透阻止部材が設けられていることを特徴とする請求項4または5に記載のプラズマ成膜装置。
- 上記溝の深さ方向の中間部には、溝を、上記不活性ガス導入手段に連なる上段溝部と、基材対向面寄りの下段溝部とに仕切る仕切りが設けられ、この仕切りが、上記ガス浸透性材料よりガスの通りが十分高いガス透過性を有していることを特徴とする請求項4〜6の何れかに記載のプラズマ成膜装置。
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