JP2002246409A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】穴のない基板の上面から有機ガスが除去され、
各電極上面及びキャピラリ、クランパ等を汚すことがな
い。 【解決手段】一方のガイド溝２０ａの上方に基板１の上
面に沿って気体を吹き出す吹き出し口２０ｂを設け、他
方のガイド溝２１ａの上方に吹き出し口２０ｂに対向し
て吸気口２１ｂを設けた。
各電極上面及びキャピラリ、クランパ等を汚すことがな
い。 【解決手段】一方のガイド溝２０ａの上方に基板１の上
面に沿って気体を吹き出す吹き出し口２０ｂを設け、他
方のガイド溝２１ａの上方に吹き出し口２０ｂに対向し
て吸気口２１ｂを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディン
グ装置に係り、特に基板又はリードフレームを加熱する
時に発生する有機ガスを除去する有機ガス除去機構に関
する。
グ装置に係り、特に基板又はリードフレームを加熱する
時に発生する有機ガスを除去する有機ガス除去機構に関
する。
【０００２】
【従来の技術】基板又はリードフレーム（以下、基板と
言う）には、接着剤を介して半導体チップが固着されて
いる。そこで、ワイヤボンディング時にヒートブロック
で基板を加熱すると、接着剤及び加熱された基板より有
機ガスが発生し、この有機ガスが基板の電極及び半導体
チップ表面に付着することで、ボンディング不着やモー
ルド樹脂によるワイヤ剥がれが発生することがある。従
来、ワイヤボンディング装置における有機ガス除去機構
として、例えば特開昭５９−９２５３９号公報、特開平
１１−１４５１８２号公報等が挙げられる。
言う）には、接着剤を介して半導体チップが固着されて
いる。そこで、ワイヤボンディング時にヒートブロック
で基板を加熱すると、接着剤及び加熱された基板より有
機ガスが発生し、この有機ガスが基板の電極及び半導体
チップ表面に付着することで、ボンディング不着やモー
ルド樹脂によるワイヤ剥がれが発生することがある。従
来、ワイヤボンディング装置における有機ガス除去機構
として、例えば特開昭５９−９２５３９号公報、特開平
１１−１４５１８２号公報等が挙げられる。
【０００３】特開昭５９−９２５３９号公報は、ヒート
ブロックの上方に配設されたノズルより清浄ガスを半導
体チップに吹き付け、ヒートブロックの下方より前記清
浄ガスと共に接着剤から発生した有機ガスを排気ポンプ
によって強制排気している。またノズルを配設しなく、
排気ポンプのみで強制排気する場合も開示されている。
ブロックの上方に配設されたノズルより清浄ガスを半導
体チップに吹き付け、ヒートブロックの下方より前記清
浄ガスと共に接着剤から発生した有機ガスを排気ポンプ
によって強制排気している。またノズルを配設しなく、
排気ポンプのみで強制排気する場合も開示されている。
【０００４】特開平１１−１４５１８２号公報は、ヒー
トブロックの側方に排気パイプを配設するか、又はヒー
トブロック自体に排気口を設け、排気パイプ又は排気口
より有機ガスの吸引を行っている。また上記手段の他
に、不活性ガスを基板に向けて吹き付ける複数の噴出口
を持つノズルを付加した機構も開示されている。
トブロックの側方に排気パイプを配設するか、又はヒー
トブロック自体に排気口を設け、排気パイプ又は排気口
より有機ガスの吸引を行っている。また上記手段の他
に、不活性ガスを基板に向けて吹き付ける複数の噴出口
を持つノズルを付加した機構も開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ヒートブロックの下方
又は側方より排気のみを行う方法は、リードフレームの
ように穴が開いているものには適用できる。しかし、基
板のように穴が開いていないものには適用できない。ま
たリードフレームの上方より気体をリードフレームの上
面に吹き付けること、ヒートブロックの下方又は側方よ
り排気する方法は、リードフレームのように穴が開いて
いるものには適用できるが、基板のように穴が開いてい
ないものには適用できない。また加熱されて上昇しよう
とする有機ガスに気体を吹き付けるので、有機ガスが拡
散し舞い上がってキャピラリ、クランパ等に汚れが付着
するという問題があった。
又は側方より排気のみを行う方法は、リードフレームの
ように穴が開いているものには適用できる。しかし、基
板のように穴が開いていないものには適用できない。ま
たリードフレームの上方より気体をリードフレームの上
面に吹き付けること、ヒートブロックの下方又は側方よ
り排気する方法は、リードフレームのように穴が開いて
いるものには適用できるが、基板のように穴が開いてい
ないものには適用できない。また加熱されて上昇しよう
とする有機ガスに気体を吹き付けるので、有機ガスが拡
散し舞い上がってキャピラリ、クランパ等に汚れが付着
するという問題があった。
【０００６】本発明の課題は、穴のない基板の上面から
有機ガスが除去され、各電極上面及びキャピラリ、クラ
ンパ等を汚すことがないワイヤボンディング装置を提供
することにある。
有機ガスが除去され、各電極上面及びキャピラリ、クラ
ンパ等を汚すことがないワイヤボンディング装置を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１の手段は、接着剤を介して半導体チップ
が搭載された基板等をガイドするガイド溝を有し、相対
向して配設された一対のガイドレールと、前記一対のガ
イドレール間に配設され前記基板等を加熱するヒートブ
ロックとを備えたワイヤボンディング装置において、前
記一方のガイド溝の上方に前記基板等の上面に沿って気
体を吹き出す吹き出し口を有する吹き出し手段を設け、
他方のガイド溝の上方に前記吹き出し口に対向して吸気
口を有する吸気手段を設けたことを特徴とする。
の本発明の第１の手段は、接着剤を介して半導体チップ
が搭載された基板等をガイドするガイド溝を有し、相対
向して配設された一対のガイドレールと、前記一対のガ
イドレール間に配設され前記基板等を加熱するヒートブ
ロックとを備えたワイヤボンディング装置において、前
記一方のガイド溝の上方に前記基板等の上面に沿って気
体を吹き出す吹き出し口を有する吹き出し手段を設け、
他方のガイド溝の上方に前記吹き出し口に対向して吸気
口を有する吸気手段を設けたことを特徴とする。
【０００８】上記課題を解決するための本発明の第２の
手段は、上記第１の手段において、前記ヒートブロック
の側方に吸気機構を設けたことを特徴とする。
手段は、上記第１の手段において、前記ヒートブロック
の側方に吸気機構を設けたことを特徴とする。
【０００９】上記課題を解決するための本発明の第３の
手段は、上記第２の手段において、前記ヒートブロック
の上方に排気用ダクト機構を設けたことを特徴とする。
手段は、上記第２の手段において、前記ヒートブロック
の上方に排気用ダクト機構を設けたことを特徴とする。
【００１０】上記課題を解決するための本発明の第４の
手段は、上記第１、第２又は第３の手段において、前記
吹き出し手段及び前記吸気手段は、それぞれ対応するガ
イドレール自体に設けられていることを特徴とする。
手段は、上記第１、第２又は第３の手段において、前記
吹き出し手段及び前記吸気手段は、それぞれ対応するガ
イドレール自体に設けられていることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
及び図２により説明する。基板又はリードフレーム等
（以下、基板と言う）１には、接着剤２を介して半導体
チップ３が固着されている。ワイヤボンディング装置
は、ヒータ４を有し基板１を加熱するヒートブロック５
と、このヒートブロック５の上方に配設されワイヤ６が
挿通されたキャピラリ７と、キャピラリ７を保持するボ
ンディングアーム８と、キャピラリ７の上方に配設され
たワイヤ６を挟持するクランパ９と、クランパ９を開閉
自在に保持するクランパアーム１０とを備えている。基
板１は、相対向して配設されたガイドレール２０、２１
のガイド溝２０ａ、２１ａによりガイドされながら順次
間欠的又は連続的に図示しないフィーダで搬送される。
以上は周知の構成であるので、これ以上の説明は省略す
る。
及び図２により説明する。基板又はリードフレーム等
（以下、基板と言う）１には、接着剤２を介して半導体
チップ３が固着されている。ワイヤボンディング装置
は、ヒータ４を有し基板１を加熱するヒートブロック５
と、このヒートブロック５の上方に配設されワイヤ６が
挿通されたキャピラリ７と、キャピラリ７を保持するボ
ンディングアーム８と、キャピラリ７の上方に配設され
たワイヤ６を挟持するクランパ９と、クランパ９を開閉
自在に保持するクランパアーム１０とを備えている。基
板１は、相対向して配設されたガイドレール２０、２１
のガイド溝２０ａ、２１ａによりガイドされながら順次
間欠的又は連続的に図示しないフィーダで搬送される。
以上は周知の構成であるので、これ以上の説明は省略す
る。
【００１２】本実施の形態においては、ガイドレール２
０、２１が次のような構造となっている。一方のガイド
レール２０には、ガイド溝２０ａの上方に長穴状の吹き
出し口２０ｂがガイド溝２０ａと平行に設けられてい
る。ガイドレール２０の下面にはホース継手２２が設け
られており、ガイドレール２０には吹き出し口２０ｂと
ホース継手２２のホース穴が連通するように気体供給路
２０ｃが設けられている。ホース継手２２には、図示し
ないホースの一端が接続され、ホースの他端は図示しな
い電磁弁、バルブを介して気体供給源に接続されてい
る。ここで、気体供給源はエア又は不活性ガスを供給す
るようになっている。
０、２１が次のような構造となっている。一方のガイド
レール２０には、ガイド溝２０ａの上方に長穴状の吹き
出し口２０ｂがガイド溝２０ａと平行に設けられてい
る。ガイドレール２０の下面にはホース継手２２が設け
られており、ガイドレール２０には吹き出し口２０ｂと
ホース継手２２のホース穴が連通するように気体供給路
２０ｃが設けられている。ホース継手２２には、図示し
ないホースの一端が接続され、ホースの他端は図示しな
い電磁弁、バルブを介して気体供給源に接続されてい
る。ここで、気体供給源はエア又は不活性ガスを供給す
るようになっている。
【００１３】他方のガイドレール２１には、前記吹き出
し口２０ｂに対向して長穴状の吸気口２１ｂが設けられ
ている。即ち、吸気口２１ｂは、ガイド溝２１ａの上方
に該ガイド溝２１ａと平行に設けられている。ガイドレ
ール２１の下面にはホース継手２３が設けられており、
ガイドレール２１には吸気口２１ｂとホース継手２３の
ホース穴が連通するように吸気路２１ｃが設けられてい
る。ホース継手２３には、図示しないホースの一端が接
続され、ホースの他端は図示しない電磁弁、バルブを介
して真空供給源に接続されている。
し口２０ｂに対向して長穴状の吸気口２１ｂが設けられ
ている。即ち、吸気口２１ｂは、ガイド溝２１ａの上方
に該ガイド溝２１ａと平行に設けられている。ガイドレ
ール２１の下面にはホース継手２３が設けられており、
ガイドレール２１には吸気口２１ｂとホース継手２３の
ホース穴が連通するように吸気路２１ｃが設けられてい
る。ホース継手２３には、図示しないホースの一端が接
続され、ホースの他端は図示しない電磁弁、バルブを介
して真空供給源に接続されている。
【００１４】次に作用について説明する。穴のない基板
１はヒートブロック５で加熱されながら搬送され、ボン
ディング部においてキャピラリ７によって半導体チップ
３の電極と基板１の電極との間をワイヤ６によって接続
される。基板１がヒートブロック５によって加熱される
と、接着剤２及び基板１自体の上面及び下面より有機ガ
スが発生する。
１はヒートブロック５で加熱されながら搬送され、ボン
ディング部においてキャピラリ７によって半導体チップ
３の電極と基板１の電極との間をワイヤ６によって接続
される。基板１がヒートブロック５によって加熱される
と、接着剤２及び基板１自体の上面及び下面より有機ガ
スが発生する。
【００１５】本実施の形態においては、吹き出し口２０
ｂよりエア又は不活性ガス等の気体を吹き出させ、吸気
口２１ｂより真空吸引している。ホース継手２２のホー
ス穴に気体を供給すると、この気体は気体供給路２０ｃ
を通って吹き出し口２０ｂより基板１の上面に吹き出
す。ホース継手２３のホース穴を真空吸引すると、吸気
口２１ｂより前記気体と共に有機ガスを吸引する。即
ち、吹き出し口２０ｂより基板１の上面に吹き出す気体
により、前記したように上昇しようとする有機ガスは吸
気口２１ｂの方に吹き付けられ、吸気口２１ｂは真空吸
引しているので、前記したように気体と共に有機ガスが
吸引される。
ｂよりエア又は不活性ガス等の気体を吹き出させ、吸気
口２１ｂより真空吸引している。ホース継手２２のホー
ス穴に気体を供給すると、この気体は気体供給路２０ｃ
を通って吹き出し口２０ｂより基板１の上面に吹き出
す。ホース継手２３のホース穴を真空吸引すると、吸気
口２１ｂより前記気体と共に有機ガスを吸引する。即
ち、吹き出し口２０ｂより基板１の上面に吹き出す気体
により、前記したように上昇しようとする有機ガスは吸
気口２１ｂの方に吹き付けられ、吸気口２１ｂは真空吸
引しているので、前記したように気体と共に有機ガスが
吸引される。
【００１６】このように、ガイド溝２０ａ、２１ａの上
方に相対向して設けられた一方の吹き出し口２０ｂより
気体を吹き出し、他方の吸気口２１ｂより気体と共に有
機ガスを吸引する構造であるので、基板１の上面に一方
側より気体を吹き付け、他方側より気体と共に有機ガス
を吸引するので、有機ガスが舞い上がることがなく、キ
ャピラリ７、クランパ９等を汚すことがない。また穴が
ない基板１においては電極面に不着する有機ガスを綺麗
に除去できる。
方に相対向して設けられた一方の吹き出し口２０ｂより
気体を吹き出し、他方の吸気口２１ｂより気体と共に有
機ガスを吸引する構造であるので、基板１の上面に一方
側より気体を吹き付け、他方側より気体と共に有機ガス
を吸引するので、有機ガスが舞い上がることがなく、キ
ャピラリ７、クランパ９等を汚すことがない。また穴が
ない基板１においては電極面に不着する有機ガスを綺麗
に除去できる。
【００１７】図３及び図４は、前記実施の形態に吸気機
構３０及び吸気用ダクト機構４０を付加した第２の実施
の形態を示す。
構３０及び吸気用ダクト機構４０を付加した第２の実施
の形態を示す。
【００１８】まず、吸気機構３０について説明する。ヒ
ートブロック５の両側側方には吸引パイプ３１，３２が
配設され、この吸引パイプ３１，３２の一端は連結パイ
プ３３で連結されている。吸引パイプ３１，３２には、
上面に複数個の吸気口３１ａ、３２ａがそれぞれ形成さ
れ、この吸気口３１ａ、３２ａに連通するように連結パ
イプ３３側から吸気路３１ｂ、３２ｂが形成されてい
る。連結パイプ３３には吸気路３１ｂ、３２ｂに連通す
るように吸気路３３ａが形成され、連結パイプ３３に図
示しないホース継手が接続されている。ホース継手に
は、図示しないホースの一端が接続され、ホースの他端
は図示しない電磁弁、バルブを介して真空供給源に接続
されている。
ートブロック５の両側側方には吸引パイプ３１，３２が
配設され、この吸引パイプ３１，３２の一端は連結パイ
プ３３で連結されている。吸引パイプ３１，３２には、
上面に複数個の吸気口３１ａ、３２ａがそれぞれ形成さ
れ、この吸気口３１ａ、３２ａに連通するように連結パ
イプ３３側から吸気路３１ｂ、３２ｂが形成されてい
る。連結パイプ３３には吸気路３１ｂ、３２ｂに連通す
るように吸気路３３ａが形成され、連結パイプ３３に図
示しないホース継手が接続されている。ホース継手に
は、図示しないホースの一端が接続され、ホースの他端
は図示しない電磁弁、バルブを介して真空供給源に接続
されている。
【００１９】前記した第１の実施の形態による吹き出し
口２０ｂからの気体の吹き出し及び吸気口２１ｂからの
真空吸引により、有機ガスの殆どを除去することができ
る。しかし、有機ガスがヒートブロック５の側方に僅か
であるが流れる恐れがある。本実施の形態においては、
ヒートブロック５の側方に流れる有機ガスを吸引パイプ
３１，３２の吸気口３１ａ、３２ａより吸引することが
できる。
口２０ｂからの気体の吹き出し及び吸気口２１ｂからの
真空吸引により、有機ガスの殆どを除去することができ
る。しかし、有機ガスがヒートブロック５の側方に僅か
であるが流れる恐れがある。本実施の形態においては、
ヒートブロック５の側方に流れる有機ガスを吸引パイプ
３１，３２の吸気口３１ａ、３２ａより吸引することが
できる。
【００２０】なお、図１乃至図４の各実施の形態におい
ては、吹き出し口２０ｂ及び吸気口２１ｂを長穴状に形
成したが、多数の丸穴であっても良いことは言うまでも
ない。
ては、吹き出し口２０ｂ及び吸気口２１ｂを長穴状に形
成したが、多数の丸穴であっても良いことは言うまでも
ない。
【００２１】次に吸気用ダクト機構４０について説明す
る。クランパ９の上方には吸引用排気ダクト４１が配設
されており、排気ダクト４１には排気口４１ａが形成さ
れている。排気ダクト４１の排気口４１ａにはダクト支
持ブロック４２が固定されており、ダクト支持ブロック
４２には連結パイプ４３が固定されている。ダクト支持
ブロック４２には、連結パイプ４３の吸気口４３ａが排
気口４１ａに連通するように吸気路４２ａが形成されて
いる。連結パイプ４３には、図示しないホースの一端が
接続され、ホースの他端は図示しない電磁弁、バルブを
介して真空供給源に接続されている。ワイヤ６は、図示
しないワイヤスプールよりガイドローラ４４を介してク
ランパ９に導かれるので、排気ダクト４１にはワイヤ６
の通り道にワイヤガイド４５が設けられている。
る。クランパ９の上方には吸引用排気ダクト４１が配設
されており、排気ダクト４１には排気口４１ａが形成さ
れている。排気ダクト４１の排気口４１ａにはダクト支
持ブロック４２が固定されており、ダクト支持ブロック
４２には連結パイプ４３が固定されている。ダクト支持
ブロック４２には、連結パイプ４３の吸気口４３ａが排
気口４１ａに連通するように吸気路４２ａが形成されて
いる。連結パイプ４３には、図示しないホースの一端が
接続され、ホースの他端は図示しない電磁弁、バルブを
介して真空供給源に接続されている。ワイヤ６は、図示
しないワイヤスプールよりガイドローラ４４を介してク
ランパ９に導かれるので、排気ダクト４１にはワイヤ６
の通り道にワイヤガイド４５が設けられている。
【００２２】ところで、ワイヤボンディング装置には、
ボンディング部に設けられたヒートブロック５の前後に
図示しないプリヒートブロック及びアフターヒートブロ
ックが配設されているのが一般的である。本実施の形態
においては、ガイドレール２０、２１に設けた吹き出し
口２０ｂ及び吸気口２１ｂは、ボンディング部のヒート
ブロック５のみに対応して設けた。このため、プリヒー
トブロック及びアフターヒートブロックの加熱によって
僅かであるが有機ガスが発生することがある。このよう
な有機ガスを吸気用ダクト機構４０の吸引用排気ダクト
４１により吸引することにより、有機ガスをより完全に
除去することができる。
ボンディング部に設けられたヒートブロック５の前後に
図示しないプリヒートブロック及びアフターヒートブロ
ックが配設されているのが一般的である。本実施の形態
においては、ガイドレール２０、２１に設けた吹き出し
口２０ｂ及び吸気口２１ｂは、ボンディング部のヒート
ブロック５のみに対応して設けた。このため、プリヒー
トブロック及びアフターヒートブロックの加熱によって
僅かであるが有機ガスが発生することがある。このよう
な有機ガスを吸気用ダクト機構４０の吸引用排気ダクト
４１により吸引することにより、有機ガスをより完全に
除去することができる。
【００２３】また上記各実施の形態は、穴のない基板１
に適用した場合に最も効果的であることは言うまでもな
い。
に適用した場合に最も効果的であることは言うまでもな
い。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、一方のガイド溝の上方に前記
基板等の上面に沿って気体を吹き出す吹き出し口を有す
る吹き出し手段を設け、他方のガイド溝の上方に前記吹
き出し口に対向して吸気口を有する吸気手段を設けたの
で、穴のない基板の上面から有機ガスが除去され、各電
極上面及びキャピラリ、クランパ等を汚すことがない。
基板等の上面に沿って気体を吹き出す吹き出し口を有す
る吹き出し手段を設け、他方のガイド溝の上方に前記吹
き出し口に対向して吸気口を有する吸気手段を設けたの
で、穴のない基板の上面から有機ガスが除去され、各電
極上面及びキャピラリ、クランパ等を汚すことがない。
【図１】本発明のワイヤボンディング装置の第１の実施
の形態を示す断面図である。
の形態を示す断面図である。
【図２】（ａ）は吹き出し口を有するガイドレールを内
側より見た図、（ｂ）は吸気口を有するガイドレールを
内側より見た図である。
側より見た図、（ｂ）は吸気口を有するガイドレールを
内側より見た図である。
【図３】本発明のワイヤボンディング装置の第２の実施
の形態を示す断面図である。
の形態を示す断面図である。
【図４】ワークを図示省略した図３の要部平面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 接着剤 ３ 半導体チップ ５ ヒートブロック ６ ワイヤ ７ キャピラリ ８ ボンディングアーム ９ クランパ ２０、２１ ガイドレール ２０ａ、２１ａ ガイド溝 ２０ｂ 吹き出し口 ２１ｂ 吸気口 ３０ 吸気機構 ３１、３２ 吸引パイプ ４０ 吸気用ダクト機構 ４１ 吸引用排気ダクト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 富視 山形県米沢市大字花沢字八木橋東３の3274 日立米沢電子株式会社内 (72)発明者 湯澤 修 東京都武蔵村山市伊奈平２丁目51番地の１ 株式会社新川内 Ｆターム(参考） 5F044 BB01 BB15 BB20
Claims (4)
- 【請求項１】 接着剤を介して半導体チップが搭載され
た基板等をガイドするガイド溝を有し、相対向して配設
された一対のガイドレールと、前記一対のガイドレール
間に配設され前記基板等を加熱するヒートブロックとを
備えたワイヤボンディング装置において、前記一方のガ
イド溝の上方に前記基板等の上面に沿って気体を吹き出
す吹き出し口を有する吹き出し手段を設け、他方のガイ
ド溝の上方に前記吹き出し口に対向して吸気口を有する
吸気手段を設けたことを特徴とするワイヤボンディング
装置。 - 【請求項２】 接着剤を介して半導体チップが搭載され
た基板等をガイドするガイド溝を有し、相対向して配設
された一対のガイドレールと、前記一対のガイドレール
間に配設され前記基板等を加熱するヒートブロックとを
備えたワイヤボンディング装置において、前記一方のガ
イド溝の上方に前記基板等の上面に沿って気体を吹き出
す吹き出し口を有する吹き出し手段を設け、他方のガイ
ド溝の上方に前記吹き出し口に対向して吸気口を有する
吸気手段を設け、前記ヒートブロックの側方に吸気機構
を設けたことを特徴とするワイヤボンディング装置。 - 【請求項３】 接着剤を介して半導体チップが搭載され
た基板等をガイドするガイド溝を有し、相対向して配設
された一対のガイドレールと、前記一対のガイドレール
間に配設され前記基板等を加熱するヒートブロックとを
備えたワイヤボンディング装置において、前記一方のガ
イド溝の上方に前記基板等の上面に沿って気体を吹き出
す吹き出し口を有する吹き出し手段を設け、他方のガイ
ド溝の上方に前記吹き出し口に対向して吸気口を有する
吸気手段を設け、前記ヒートブロックの側方に吸気機構
を設け、前記ヒートブロックの上方に排気用ダクト機構
を設けたことを特徴とするワイヤボンディング装置。 - 【請求項４】 前記吹き出し手段及び前記吸気手段は、
それぞれ対応するガイドレール自体に設けられているこ
とを特徴とする請求項１、２又は３記載のワイヤボンデ
ィング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001038970A JP4343451B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | ワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246409A true JP2002246409A (ja) | 2002-08-30 |
| JP4343451B2 JP4343451B2 (ja) | 2009-10-14 |
Family
ID=18901856
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001038970A Expired - Fee Related JP4343451B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | ワイヤボンディング装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4343451B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100383911C (zh) * | 2004-01-22 | 2008-04-23 | 先进科技新加坡有限公司 | 用于减少电子器件氧化的系统 |
| JP2008147386A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Juki Corp | 表面実装装置 |
| JP2011035055A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Kaijo Corp | ワーククランプ及びワイヤボンディング装置 |
| JP2012039157A (ja) * | 2011-11-18 | 2012-02-23 | Kaijo Corp | ワイヤボンディング装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111755379B (zh) * | 2020-07-14 | 2020-12-29 | 深圳新益昌科技股份有限公司 | 跳片取放装置 |
-
2001
- 2001-02-15 JP JP2001038970A patent/JP4343451B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4343451B2 (ja) | 2009-10-14 |
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