TWI730996B - 用於處理流體之抽吸裝置及包含該抽吸裝置之蝕刻裝置 - Google Patents

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德商吉伯史密德公司
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Abstract

本發明係關於一種用於藉由沿一基本水平運送方向自由運送輥(8、10)運送之處理基板(3)之一基本平坦處理表面(3a)吸取來抽取一處理流體之抽吸裝置，其具有：一吸取源；一抽吸控制單元，其啟動該吸取源；及一抽吸管單元，其連接至該吸取源且具有至少一抽吸噴管，該至少一抽吸噴管可具有定位於相距於該處理表面之抽吸距離處之一或多個入口側抽吸噴嘴開口。本發明亦關於一種配備有此一抽吸裝置之蝕刻裝置。 就根據本發明之抽吸裝置而言，該吸取源及該抽吸控制單元經設計以使每一抽吸噴管之一吸取體積流量為至少30 m3 /h且使一負吸壓不超過8 kPa。另外或作為一替代，該抽吸噴管具有一梳狀抽吸結構，其具有一抽吸收集管(17)及複數個抽吸管(18)，該複數個抽吸管(18)依一梳狀方式自該收集管延伸且在該入口側處具有該等抽吸噴嘴開口(19)。 本發明用於蝕刻(例如)印刷電路板、導體箔或半導體晶圓。

Description

用於處理流體之抽吸裝置及包含該抽吸裝置之蝕刻裝置
本發明係關於一種用於藉由沿一基本水平運送方向自由運送輥運送之處理基板之一基本平坦處理表面吸取來抽取一處理流體之抽吸裝置，其中該抽吸裝置具有：一吸取源；一抽吸控制單元，其啟動該吸取源；及一抽吸管單元，其連接至該吸取源且具有至少一抽吸噴管，該至少一抽吸噴管可具有定位於相距於該處理表面之一抽吸距離處之一或多個入口側抽吸噴嘴開口。本發明亦係關於一種配備有此一抽吸裝置且意欲藉由一蝕刻流體來濕式化學蝕刻處理基板之一基本平坦處理表面的蝕刻裝置，其中該蝕刻裝置亦包含：至少一蝕刻模組，其具有一蝕刻流體儲器；及蝕刻流體輸送構件，其用於將該蝕刻流體自該蝕刻流體儲器輸送至該處理表面；及一運送單元，其具有用於沿一基本水平運送方向運送該等處理基板之運送輥，且該抽吸裝置意欲藉由自該處理表面吸取來抽取該蝕刻流體。此等蝕刻裝置用於濕式化學表面蝕刻(例如)印刷電路板、導體箔或半導體晶圓。
特許公開案DE 41 21 032 A1揭示一種用於沿一基本水平運送路線使用一流體處理介質來處理板狀物件之裝置，其中該處理介質藉由一施加裝置或一直立軸來施加至待處理之一表面。如沿該運送方向所見，具有抽吸開口之抽吸管配置於該處理介質之施加位址之上游或下游，該等抽吸開口被導引向待處理之該表面且基本上延伸於該運送路線之整個寬度上方。如沿該運送方向所見，該等抽吸開口之此配置可界定及定界在處理時點與該處理介質接觸之處理表面區域之範圍。該等抽吸管各包含一吸取噴嘴，其中該等吸取噴嘴耦合至一容器，該容器意欲分離出抽吸液體及空氣部分且使其部分連接至對該等吸取噴嘴供應負壓之一真空泵。 特許公開案DE 100 39 558 A1中揭示引言中所提及之類型之另一抽吸裝置，如用於噴射處理印刷電路板之一裝置中所使用。該抽吸裝置包括：一吸取噴嘴配置，其用於藉由在噴射操作期間自該等印刷電路板之一上側吸取來抽取一噴塗處理流體；及一流體操作噴射器裝置，其用於產生該吸取噴嘴配置之負壓，其中該噴射器裝置較佳配置於其中儲存該處理流體之一儲存容器中且自該處理流體之一循環系統供給，該循環系統配備有一循環泵。特定言之，該噴射器裝置可具有文氏噴嘴。 特許公開案DE 30 22 146 A1揭示一種用於板狀物件(諸如印刷電路板)之抽吸裝置，該等板狀物件使用一液體介質來預處理且具有穿過其之內孔，該抽吸裝置具有一吸頭，該吸頭可連接至一吸風機且具有至少一吸槽，該至少一吸槽之兩端係封閉的且該等物件可藉由傳送裝置來沿與該吸槽之縱向方向成橫向之一方向移動通過該至少一吸槽。提供一吸槽蓋罩來最佳化吸取容量，該蓋罩包括多個覆蓋元件，其等可彼此獨立地移動於其中該等覆蓋元件覆蓋該吸槽之適當區域的一位置與其中該等覆蓋元件自該吸槽解除的一位置之間，其中可藉由各自物件進入解除敞開位置中且在物件經過之後自動返回至覆蓋位置中來控制該等覆蓋元件。
本發明係基於提供引言中所提及之類型之一抽吸裝置的技術問題，該抽吸裝置允許改良適當施加之處理流體之一抽吸且可在用於一蝕刻裝置中時有助於改良蝕刻程序。另外，本發明係基於提供一對應改良蝕刻裝置之動作。 本發明藉由提供具有技術方案1之特徵之一抽吸裝置及具有技術方案9之特徵之一蝕刻裝置來解決此問題。 根據本發明之一態樣，該抽吸裝置之吸取源及抽吸控制單元經設計以使每一抽吸噴管之一吸取體積流量為至少30 m3 /h且使一負吸壓不超過8 kPa。此處之術語「負吸壓」意欲意指相對於周圍大氣之負壓差。因此，根據本發明之抽吸裝置意欲提供比通常用於當前目的之抽吸裝置顯著更高之一吸取體積流量及比其顯著更低之用於抽吸處理流體之一壓差。因此，使用該抽吸裝置，藉由主要經由一相對較高體積流量之吸取而非如同習知抽吸裝置般主要經由一高負壓差之吸取來抽取處理流體。此給予用於改良抽吸行為之一堅實平台且在用於蝕刻裝置中時給予用於一改良蝕刻程序之一堅實平台。 每一抽吸噴管之相對較高吸取體積流量(亦可使該吸取體積流量在(例如)自200 m3 /h至300 m3 /h之範圍內)及相對較低壓差(亦可使該壓差僅約為(例如) 2 kPa至3 kPa)引起抽吸噴嘴開口處之適當高流速，因此，該抽吸裝置基於流速之原理來操作且吸取容量不會因不同密度之不同介質(諸如空氣及處理流體)而顯著降低。另外，使用一相對較低壓差減小處理基板黏著至抽吸噴管之風險。 根據本發明之另一態樣，根據本發明之抽吸裝置之抽吸噴管具有一梳狀抽吸結構，其具有一抽吸收集管及複數個入口側抽吸管，該等抽吸管依一梳狀方式自該收集管延伸且其上提供抽吸噴嘴開口。在適當應用情況中，該梳狀抽吸結構提供一顯著改良抽吸行為，此係因為可藉由自處理表面非常均勻且有效地吸取來抽取施加至處理表面之處理流體。尤其有利地，本發明之兩個態樣可視需要彼此組合。 針對其中各自運送輥上具有隔開運送輥部件的應用，本發明之一有利發展方案係其中梳狀抽吸結構之抽吸管自抽吸收集管延伸至運送輥之運送輥部件之間的間隙的發展方案。因此，可在非常接近於相關運送輥之一區域中藉由吸取來抽取處理流體，且此可有利於處理流體之良好及均勻抽取。 在該措施之另一構形中，抽吸管使其抽吸噴組開口在運送輥部件之一下層上方且在穿過運送輥之一旋轉軸線之一垂直面中終止於相距於處理表面之抽吸距離處，或與該垂直面隔開達至多10 mm。在諸多情況中，抽吸噴嘴開口之此配置比將抽吸噴嘴開口配置於兩個連續運送輥之間的一區域中顯著更有利。 在該措施之另一構形中，抽吸管使其抽吸噴嘴開口終止於運送輥部件之一下層上方之至多7 mm之一距離處。此意謂：抽吸噴嘴開口定位於運送輥部件之一最低點之區域中，或無論如何，僅定位於運送輥部件之最下層上方之一相對較小距離處，由此可進一步最佳化抽吸裝置之抽吸行為。 在本發明之一發展方案中，吸取源包括一輻流式風扇或一側通道鼓風機。此類型之吸取源被證明尤其有利於本發明之抽吸裝置，此係因為其可相當容易地用於在僅中等負壓差處提供先前所提及之高吸取體積流量。 在本發明之一發展方案中，藉由一沖洗管線入口及一沖洗管線出口來將抽吸裝置之吸取源裝配至一沖洗管線中。若需要，則此允許直接沖洗吸取源以清洗吸取源，例如，清洗抽吸處理流體之殘餘物。 在本發明之一發展方案中，抽吸裝置包含一處理介質收集槽，其之一入口連接至至少一抽吸噴管且其之一出口連接至吸取源，且其具有大於外通至其中之至少一抽吸噴管之一有效橫截面流量的一有效橫截面流量。此可使抽吸速率在收集槽之區域中顯著下降，其有助於自吸取流收集或分離出處理介質。因此，可使液體處理介質與收集槽中之氣體吸取流部分分離。 在此措施之一構形中，各自抽吸噴管之抽吸收集管經配置成具有沿處理介質收集槽之方向之一斜率。此有助於完成沿收集槽之方向運送已藉由吸取來自處理表面抽取之處理流體的任務。 根據本發明之蝕刻裝置配備有根據本發明之抽吸裝置且因此使對應有利蝕刻程序可行。 在本發明之一發展方案中，提供於蝕刻裝置中之抽吸裝置之蝕刻流體收集槽經配置於蝕刻流體之儲器上方之一高度處，且一回流管線自蝕刻流體收集槽引導至蝕刻流體儲器。此允許抽吸蝕刻流體在重力作用下自收集槽再次自動回傳至儲器中。
圖1至圖5描繪本發明之一蝕刻裝置及整合於其中之一抽吸裝置之一例示性實現。在所展示之實施例中，蝕刻裝置包含一或多個蝕刻模組1，其中各自蝕刻模組1在其上運送待處理之基板3之一運送層上方具有至少一噴射、流動或混合蝕刻單元2。特定言之，待處理之基板3可為印刷電路板、導體箔、半導體晶圓或其他基本平坦處理基板。 噴射、流動或混合蝕刻單元2用於將一蝕刻流體4施加至待處理之一基本平坦表面，在所展示之實例中，施加至處理基板3之一上側3a。因此，噴射/流動或混合蝕刻單元2在此處亦指稱一蝕刻流體施加單元或簡稱施加單元。在替代實施例中，施加單元2可經配置於基板運送層下方，使得處理流體，在此情況中特指蝕刻流體4，可施加至待處理之基板3之一下側3b。若需要，則亦可使蝕刻模組1包含全部配置於基板運送層上方、全部配置於基板運送層下方或部分配置於基板運送層上方且部分配置於基板運送層下方之複數個施加單元2。處理或蝕刻流體4儲存於一蝕刻流體儲器5中且經由一輸送泵7裝配至其中之一流體供給管線6來供給至各自施加單元2。 針對處理，在此情況中為蝕刻處理，由包含一排下連續運送輥8之一運送裝置使處理基板3沿一基本水平運送方向T運送，運送輥8沿運送方向T彼此隔開，各經固定使得其可圍繞其縱軸線9旋轉，且基板3靜置於運送輥8上。另外，在所展示之例示性實施例中，運送裝置包括上側上之選用運送輥10，此等運送輥各經配置成與下運送輥8對置(如相對於運送面所見)且亦經固定使得其可圍繞其縱軸線11旋轉。此等上運送輥10充當壓緊構件，特定言之，在其中處理基板3相對較薄之應用中，充當(例如)具有僅約50 µm之一厚度或更一般而言，小於1 mm之一厚度之薄導體箔。如自圖4及圖5可見，下運送輥8及上運送輥10具有相同建構，其具有一中心軸12及在中心軸12上依一旋轉固定方式隔開之運送輥部件13。熟悉技術者已熟知此類型之運送裝置，因此無需再加以詳細解釋。 較佳地，可使施加單元4使用將蝕刻流體(即，蝕刻劑)與一氣體混合之雙重噴嘴來達成良好蝕刻結果。此尤其適宜於其中將蝕刻相對精細結構(即，具有一相對較小結構寬度之結構)之應用。與一氣體(諸如空氣)混合可引起相對較小蝕刻劑液滴高能撞擊處理表面。同樣地，熟悉技術者已熟知此所謂之混合蝕刻程序，因此，此處無需再加以詳細解釋。雙重噴嘴對蝕刻劑具有一進一步有利影響，尤其在蝕刻劑被蝕刻程序用完且必須被再生時。在雙重噴嘴中，例如，就諸如氯化銅之一鹼性蝕刻介質而言，可為了氧化再生而使蝕刻劑與(例如)空氣緊密接觸。作為雙重噴嘴之此一使用的一替代或除雙重噴嘴之此一使用之外，本發明可為了再生氧化而使蝕刻流體在自處理表面抽吸期間與大氣中之氧氣接觸。此亦可致使一些其他再生劑(諸如過氧化氫)過多或過少使用。 用於藉由自處理基板3之處理表面3a吸取來抽取蝕刻流體4之一抽吸裝置整合於所展示之蝕刻裝置中，其中該抽吸裝置亦可用於別處以藉由沿一基本水平運送方向自由運送輥運送之處理基板之一基本平坦處理表面吸取來抽取任何所要處理流體。例如，處理流體除可為一蝕刻流體之外，亦可為一清洗流體等等。 抽吸裝置包含：一吸取源14；一抽吸控制單元15，其啟動吸取源14；及一抽吸管單元，其連接至吸取源且具有一或多個抽吸噴管16。例如，每一蝕刻模組1可提供5個至20個之間的抽吸噴管16。取決於需要及應用情況，一各自抽吸噴管16可配置於各處理流體施加單元2之上游及/或下游，如沿運送方向T所見。吸取源14及抽吸控制單元15經設計以使每一抽吸噴管供應至少30 m3 /h，較佳地約100 m3 /h至約300 m3 /h，之一吸取體積流量且使呈一負吸壓形式之一壓差不超過8 kPa，較佳地在(例如) 2 kPa至3 kPa之間。 各自抽吸噴管16具有一梳狀抽吸結構，其具有一抽吸收集管17及複數個抽吸管18，抽吸管18依一梳狀方式自該收集管延伸且各具有一或多個入口側抽吸噴嘴開口19。收集管17較佳具有顯著大於外通至其中之抽吸管18之有效橫截面之總和的一有效橫截面。抽吸噴管16之收集管17外通至配置於吸取源14之上游之一共同收集槽20中。收集槽20之一有效橫截面流量經選擇使得其大於收集管17或外通至收集管17中之抽吸噴管16之一有效橫截面流量，較佳為其大小之至少2倍且較佳為其大小之5倍以上。因此，收集槽20可有助於將吸入流體與吸取流之氣體組成部分分離開。作為一選用措施，各自抽吸噴管16之抽吸收集管17經配置成具有沿收集槽20之方向之一斜率係有利的，其有助於或確保收集管17中之抽吸流體之運送。可方便地提供配置於儲器5中之處理流體4之一最高液體層上方之一高度處之收集槽20。即使收集槽20中普遍存在一負壓，但收集槽20中所收集之處理流體可僅在重力作用下經由一相關聯回流管線21 (如圖中所展示)來再次回流至儲器5中。 一冷凝分離器22可配置於收集槽20與吸取源14之間。另一選項係使吸取源14藉由一沖洗管線入口23及一沖洗管線出口24來裝配至一沖洗管線25中，由此可視需要沖洗吸取源14。若需要，則可對所使用之沖洗流體(例如沖洗水)提供一回流構件。一回流管線26視情況自吸取源14選路至蝕刻模組1以確保蝕刻模組1內之一等壓平衡。 藉由使抽吸裝置，且明確而言，吸取源14及抽吸控制單元15，經設計(如早先所提及)以用於一相對較低壓差處之相對較高吸取體積流量，抽吸裝置依流速之原理操作。在此情況中，高體積流量結合抽吸噴嘴開口19相距於由將藉由吸取來抽取之流體4覆蓋之處理表面3a之一適當較小抽吸距離來達成一高吸取流速且因此達成一吸嘴效應，藉此藉由吸取來將處理流體/空氣混合物一起帶走及抽取。特定言之，需要低負壓(其並非為在此抽吸原理中主要用於抽吸目的之所需負壓)來將抽吸流體運送通過與流體靜壓對立之高度差。相對於藉由一高負壓處且具有一低體積流量之吸取來抽取流體之習知方法而言，此方法具有以下顯著優點：即使抽吸噴管16未使其抽吸噴嘴開口19完全浸沒於流體中且因此另外吸入空氣，但抽吸操作亦有效發生。就習知方法而言，此歸因於失效負壓而導致抽吸容量顯著下降，而此處所使用之抽吸方法不會因不同密度之不同介質(諸如處理流體及空氣)而顯著影響抽吸容量。依一類比方式，抽吸容量不會因兩個連續基板3之間的任何間隙或處理不同寬度之基板3之情況中之空白空間而極大受損。 特定言之，可使用之吸取源14係一輻流式風扇或一側通道鼓風機或適用於該體積流量之類似習知風扇。當箭頭展示於圖中且未在別處被涉及時，其表示各情況中此處所引導之流動，例如吸取流、蝕刻劑之供給流及/或沖洗流體流。 如所展示之例示性實施例中所提供，梳狀抽吸結構可使自抽吸收集管17延伸之抽吸管18配置於一各自運送輥，在此情況中，一各自上運送輥10，之運送輥部件13之間的間隙中，特定言之，如自圖3至圖5可見。此處，抽吸管18使其抽吸噴嘴開口19在運送輥部件13之一下層Nu 上方且在穿過相關運送輥10之旋轉軸線11之一垂直面Ev 中終止於相距於處理表面3a之一可預定抽吸距離As 處，或終止於相距於垂直面Ev 至多10 mm之一水平距離處。另外或作為一替代，抽吸管18可使其抽吸噴嘴開口19經配置使得抽吸噴嘴開口19終止於運送輥部件13之下層Nu 上方之至多7 mm之一距離處，其中抽吸管18自較高層收集管17垂直地或傾斜地向下延伸至各自運送輥10之運送輥部件13之間的間隙中。如同所展示之實例，若上運送輥10及其運送輥部件13充當處理基板3之壓緊構件，則運送輥部件13之下層Nu 基本上對應於待處理之基板上側3a之層，且抽吸噴嘴開口19相距於運送輥部件之下層Nu 之垂直距離因此對應於該等開口相距於處理表面3a之抽吸距離As 。一小抽吸距離As 增大吸取流速且因此有利於吸取結果。 如沿運送方向T所見，將抽吸管18及其抽吸噴嘴開口19配置於上運送輥10之至少部分之運送輥部件13之間且至多配置於相距於運送輥部件13之最低點之一小距離處及至多配置於相距於運送輥10之垂直中心面Ev 之一小水平距離處有利於藉由自處理表面3a吸取來很好抽取處理流體4且同時避免基板3由於負吸壓而黏著。此係因為抽吸管18直接位於一各自上運送輥10之運送輥部件13之間之最低點之區域中之此位置處，使得基板3由運送輥部件13壓緊且無法沿抽吸噴嘴開口19之方向移動。在空間條件被壓縮之情況中，如圖中所展示，適宜使相鄰於各自抽吸噴管16之一運送輥設計成一較小直徑運送輥10a (其相對於其他運送輥10而修改)之形式。 抽吸噴管16可在蝕刻或處理模組1上保持於一固定狀態中。在一有利替代實施例中，抽吸噴管16依一高度可調方式配置於處理模組1中。為此，此處，較佳地可使抽吸噴管16耦合至一基板推進控制器，使得當抽吸噴嘴開口19相距於處理表面3a之抽吸距離保持基本恆定時，可在不必手動調整各自抽吸噴管16之情況下自動處理不同厚度之處理基板3。相反地，抽吸噴管16接著取決於各情況中存在之處理基板厚度而由相關控制器調整高度且可由(例如)感測器偵測。例如，此可與充當壓緊構件之上運送輥10之一對應高度調整同步完成。就此而言，在一有利實施例中，各自抽吸噴管16在一固定狀態中安裝於各自高度可調上運送輥10上，且其因此在處理基板3之厚度改變時自動隨該改變而調整高度。 取決於要求及應用情況，除僅吸取源14之控制器之外，可在抽吸控制單元15中實施進一步抽吸控制器措施。因此，例如，可視情況將閥安裝於抽吸噴管16之適合位置處且可由感測器監測待處理之一基板3之存在。接著，抽吸控制單元15可啟動抽吸噴管16中之閥，使得抽吸噴管16僅在一處理基板3定位於其抽吸噴嘴開口19下方時啟動吸取。作為另一選項，節流閥可安裝於抽吸噴管16之適合位置處，且此等節流閥可經手動調整或使用經由抽吸控制單元15之控制來調整以設定個別抽吸噴嘴開口19中之相同抽吸容量。依一類似方式，可提供依一特定方式經由閥來啟動及停用之施加單元2。此可依一非常特定方式局部設定及/或影響蝕刻操作。 如由上文已揭示及解釋之實施例所清楚闡述，本發明非常有利地提供一抽吸裝置，藉此可藉由自一基本水平運送處理基板之一基本平坦處理表面吸取來抽取一處理流體，其中該處理流體可特指一蝕刻流體或一清洗流體且該等處理基板可特指半導體晶圓、印刷電路板、某些尺寸之導體箔或不限尺寸之導體箔。該抽吸裝置可尤其有利地用於濕式化學蝕刻此等處理基板之一蝕刻裝置中。
1‧‧‧蝕刻模組2‧‧‧蝕刻單元/處理流體施加單元3‧‧‧處理基板3a‧‧‧處理表面3b‧‧‧下側4‧‧‧蝕刻流體/處理流體5‧‧‧蝕刻流體儲器6‧‧‧流體供給管線7‧‧‧輸送泵8‧‧‧下運送輥9‧‧‧縱軸線10‧‧‧上運送輥10a‧‧‧較小直徑運送輥11‧‧‧縱軸線/旋轉軸線12‧‧‧中心軸13‧‧‧運送輥部件14‧‧‧吸取源15‧‧‧抽吸控制單元16‧‧‧抽吸噴管17‧‧‧抽吸收集管18‧‧‧抽吸管19‧‧‧抽吸噴嘴開口20‧‧‧收集槽21‧‧‧回流管線22‧‧‧冷凝分離器23‧‧‧沖洗管線入口24‧‧‧沖洗管線出口25‧‧‧沖洗管線26‧‧‧回流管線As ‧‧‧抽吸距離Ev ‧‧‧垂直面Nu ‧‧‧下層T‧‧‧運送方向
下文將描述且圖式中繪示本發明之有利實施例，其中： 圖1展示用於濕式化學蝕刻基本平坦處理基板之一蝕刻裝置之一示意方塊圖； 圖2展示自來自圖1之蝕刻裝置之側觀看之一基板處理區域之一更詳細示意透視圖； 圖3展示來自圖2之一運送輥之區域之一示意平面圖； 圖4展示自類似於來自圖2之基板處理區域的一基板處理區域之側觀看之一詳細形式透視圖；及 圖5展示已省略一個運送輥之圖4之一詳細形式圖。
3‧‧‧處理基板
3a‧‧‧處理表面
8‧‧‧下運送輥
10‧‧‧上運送輥
10a‧‧‧較小直徑運送輥
11‧‧‧縱軸線/旋轉軸線
12‧‧‧中心軸
13‧‧‧運送輥部件
17‧‧‧抽吸收集管
18‧‧‧抽吸管
19‧‧‧抽吸噴嘴開口
As‧‧‧抽吸距離
Ev‧‧‧垂直面
Nu‧‧‧下層

Claims (11)

  1. 一種抽吸裝置，其用於藉由沿一實質上水平運送方向(T)自由運送輥(8、10)運送之處理基板(3)，特定言之，印刷電路板或導體箔或半導體晶圓，之一實質上平坦處理表面(3a)吸取來抽取一處理流體(4)，較佳地一蝕刻流體，其包括：一吸取源(14)；一抽吸控制單元(15)，其控制該吸取源；及一抽吸管單元，其連接至該吸取源且具有至少一抽吸噴管(16)，該至少一抽吸噴管(16)可經定位以在相距於該處理表面之一抽吸距離(As)處具有一或多個入口側抽吸噴嘴開口(19)，該抽吸裝置之特徵在於：該吸取源(14)及該抽吸控制單元(15)經設計以使每一抽吸噴管之一吸取體積流量為至少30m3/h且使一負吸壓不超過8kPa。
  2. 如請求項1之抽吸裝置，其進一步特徵在於：該抽吸噴管(16)具有一梳狀抽吸結構，其具有一抽吸收集管(17)及複數個抽吸管(18)，該複數個抽吸管(18)依一梳狀方式自該收集管延伸且在入口側具有該等抽吸噴嘴開口(19)。
  3. 如請求項2之抽吸裝置，其進一步特徵在於：該梳狀抽吸結構之該等抽吸管自該抽吸收集管延伸至該等運送輥之一者之運送輥部件(13)之間的間隙中，該等部件在該運送輥上彼此隔開。
  4. 如請求項3之抽吸裝置，其進一步特徵在於：該等抽吸管使其抽吸噴嘴開口在該等運送輥部件之一下層(Nu)上方且在穿過該運送輥之一旋轉軸線(11)之一垂直面(Ev)中終止於相距於該處理表面之該抽吸距離處，或與該垂直面隔開達至多10mm。
  5. 如請求項3或4之抽吸裝置，其進一步特徵在於：該等抽吸管使其抽吸噴嘴開口終止於該等運送輥部件之一下層(Nu)上方之至多7mm之一距離處。
  6. 如請求項1至4中任一項之抽吸裝置，其進一步特徵在於：該吸取源包括一輻流式風扇或一側通道鼓風機。
  7. 如請求項1至4中任一項之抽吸裝置，其進一步特徵在於：該吸取源藉由一沖洗管線入口(23)及一沖洗管線出口(24)來裝配至一沖洗管線(25)中。
  8. 如請求項1至4中任一項之抽吸裝置，其進一步特徵為一處理介質收集槽(20)，該處理介質收集槽(20)之一入口連接至該至少一抽吸噴管且其之一出口連接至該吸取源，且該處理介質收集槽(20)具有大於外通至該處理介質收集槽(20)之該至少一抽吸噴管之一有效橫截面流量的一有效橫截面流量。
  9. 如請求項8之抽吸裝置，其進一步特徵在於：該各自抽吸噴管之該抽吸收集管經配置成具有沿該處理介質收集槽之方向之一斜率。
  10. 一種蝕刻裝置，其用於藉由一蝕刻流體(4)來濕式化學蝕刻處理基板(3)，較佳為印刷電路板或導體箔或半導體晶圓，之一基本平坦處理表面(3a)，其具有：至少一蝕刻模組(1)，其具有一蝕刻流體儲器(5)；蝕刻流體輸送構件(2、6、7)，其等用於將該蝕刻流體自該蝕刻流體儲器輸送至該處理表面；一運送單元，其具有用於沿一基本水平運送方向(T)運送該等處理基板之運送輥(8、10)；及一抽吸裝置，其用於藉由自該處理表面吸取來抽取該蝕刻流體，該蝕刻裝置之特徵在於：該抽吸裝置係如請求項1至9中之一項之抽吸裝置。
  11. 如請求項10之蝕刻裝置，其進一步特徵在於：該抽吸裝置之該蝕刻流體收集槽經配置於該蝕刻流體儲器上方之一高度處且一回流管線(21)自該蝕刻流體收集槽引導至該蝕刻流體儲器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110267456A (zh) * 2019-06-11 2019-09-20 昆山大洋电路板有限公司 一种用于线路板生产内层的化学前处理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5002616A (en) * 1989-08-28 1991-03-26 Chemcut Corporation Process and apparatus for fliud treatment of articles
US6656279B2 (en) * 2000-08-12 2003-12-02 Pill E.K. Apparatus for the spray treatment of printed circuit boards
JP2008034436A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Fuji Kiko:Kk エッチング装置
US20120103521A1 (en) * 2010-10-27 2012-05-03 Zhen Ding Technology Co., Ltd. Etching apparatus with suction mechanism
JP2012140677A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Tdk Corp 配線基板の製造方法
WO2013187036A1 (ja) * 2012-06-14 2013-12-19 シャープ株式会社 薬液処理装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3022146A1 (de) * 1980-06-13 1981-12-24 Gebr. Schmid GmbH & Co, 7290 Freudenstadt Vorrichtung zum absaugen plattenfoermiger gegenstaende
JPS5825479A (ja) * 1982-08-04 1983-02-15 Sawa Hyomen Giken Kk エッチング加工用装置
US4425869A (en) * 1982-09-07 1984-01-17 Advanced Systems Incorporated Fluid flow control mechanism for circuit board processing apparatus
US4996939A (en) * 1988-11-03 1991-03-05 D.E.M. Controls Of Canada, Inc. Apparatus for drying printed circuit boards
DE4121032A1 (de) * 1991-06-26 1993-01-07 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum behandeln von plattenfoermigen gegenstaenden, insbesondere leiterplatten
US5226962A (en) * 1991-11-08 1993-07-13 Electrovert U.S.A. Corp. Flux applicator system
JP3113167B2 (ja) * 1995-03-23 2000-11-27 シャープ株式会社 スピン式洗浄装置
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus
CN1104967C (zh) * 1998-05-15 2003-04-09 阿托技术美国公司 液体处理设备和方法
CN1269994C (zh) * 2002-02-11 2006-08-16 皮尔注册商人 对印刷电路板进行喷射操作的装置
US20040045578A1 (en) * 2002-05-03 2004-03-11 Jackson David P. Method and apparatus for selective treatment of a precision substrate surface
US6959503B2 (en) * 2003-06-13 2005-11-01 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing liquid from substrate surfaces using suction
JP4486649B2 (ja) * 2004-10-28 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
DE102005062527A1 (de) * 2005-12-16 2007-06-21 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten
DE102007035086B3 (de) * 2007-07-26 2008-10-30 Rena Sondermaschinen Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Gut in Durchlaufanlagen
US8652266B2 (en) * 2008-07-24 2014-02-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for surface treatment of semiconductor substrates using sequential chemical applications
EP2229863A1 (en) * 2009-03-20 2010-09-22 Bissell Homecare, Inc. Wet extraction accessory cleaning tool
TWI404473B (zh) * 2009-08-14 2013-08-01 Zhen Ding Technology Co Ltd 噴蝕裝置
KR101386677B1 (ko) * 2012-10-30 2014-04-29 삼성전기주식회사 미세회로 제조방법
KR101622211B1 (ko) * 2013-04-11 2016-05-18 가부시키가이샤 케미토론 에칭방법 및 에칭장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5002616A (en) * 1989-08-28 1991-03-26 Chemcut Corporation Process and apparatus for fliud treatment of articles
US6656279B2 (en) * 2000-08-12 2003-12-02 Pill E.K. Apparatus for the spray treatment of printed circuit boards
JP2008034436A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Fuji Kiko:Kk エッチング装置
US20120103521A1 (en) * 2010-10-27 2012-05-03 Zhen Ding Technology Co., Ltd. Etching apparatus with suction mechanism
JP2012140677A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Tdk Corp 配線基板の製造方法
WO2013187036A1 (ja) * 2012-06-14 2013-12-19 シャープ株式会社 薬液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
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