KR101155554B1 - 플라즈마 조사 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상압에서 플라즈마를 생성하고 라인 어레이 형태를 갖는 구성에 의해 넓은 범위의 조사 범위를 갖는 플라즈마 조사 장치에 관한 것으로, 스트립 라인 형태의 전극을 기체가 흐르는 면에 도포한 상부 및 하부 기판;전단부에 가스 공급을 위한 가스 공급 유로를 갖고 후단부의 상면과 하면에는 스트립 라인 형태의 전극을 상부기판과 하부기판의 전극과 대향 되도록 도포된 내부 기판;상기 상부 및 하부 기판과 내부기판 사이에 플라즈마 방전 공간을 확보하기 위한 격벽 형성을 위한 상부 격벽 유지층 및 하부 격벽 유지층;을 포함한다.
Description
본 발명은 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로, 구체적으로 상압에서 플라즈마를 생성하고 라인 어레이(Line Array) 형태를 갖는 구성에 의해 넓은 영역의 조사 범위를 갖는 플라즈마 조사 장치에 관한 것이다.
저온 플라즈마는 다양한 분야에서 사용되고 있는데 특히 반도체 가공이나 디스플레이 장치 등에 많이 사용되고 있다. 최근에는 상압의 저온 플라즈마가 많이 연구되고 있는데 이는 기존의 저온 플라즈마를 발생시키기 위한 진공 장치 없이도 플라즈마의 발생이 가능하기 때문이다.
물론 청정한 환경을 요구하는 정밀 가공에는 사용하기 힘든 단점이 있지만 고가의 진공장치를 사용해야 하는 플라즈마 공정의 한계를 벗어날 수 있어서 향후 점점 다양한 응용분야가 생겨날 것으로 기대된다.
이러한 상압 플라즈마 장치에는 보편적으로 널리 쓰이는 DBD(Dielectric Barrier Discharge) 장치와 플라즈마 젯(Plasma Jet) 장치, 플라즈마 니들(Plasma needle)장치, DC micro-hollow cathode 방전 장치 등이 있다.
이중 DBD 장치는 글로우 방전에서 아크 방전으로의 전이를 막기 위해 유전체막을 이용하는 방식이며 대면적화가 가능하지만 수십 MHz 이하의 주파수에서는 불안정한 마이크로 필라멘트(micro filament) 방전이 일어나는 단점이 있다.
플라즈마 젯(Plasma jet) 장치와 플라즈마 니들 장치는 비교적 안정적인 글로우(glow) 플라즈마를 만들 수 있지만 넓은 영역에서 플라즈마 방전을 일으키기 어렵다는 단점이 있다. 여러 개의 플라즈마 젯 장치의 어레이를 만들어서 대면적 상압플라즈마를 만드는 방법도 사용되지만, 이 경우에는 젯(Jet) 방출부와 그렇지 않은 부분 사이의 불균일성이 커지고 방전 효율도 좋지 않다는 단점이 있다.
상압 플라즈마 장치는 기존의 무기물질 가공에서 벗어나 유기물 가공에도 응용가능하다는 장점이 있고 나아가서는 생체에도 응용이 가능하다.
생체에 상압 플라즈마를 이용하기 위해서는 여러 가지 제약조건이 해결되어야 한다. 그 대표적인 예로서는 저온 플라즈마의 온도가 40℃ 이하로 유지되어 생체에 일정 이상의 열에너지가 전달되지 않아야 한다는 것이다.
또한 상압에서 동작해야 하고 생체에 전기적으로나 화학적으로 손상을 주지 않아야 하는 등의 까다로운 제약조건이 있다. 이처럼 많은 제약조건에도 불구하고 최근 바이오 분야에 대한 플라즈마의 적용이 활발하게 전개되고 있다.
플라즈마를 이용한 살균, 지혈 및 종양 제거 등을 위한 수술 장비나 혹은 전기 펄스를 이용한 암세포의 자연사(apoptosis) 유도 등 다양한 분야에 대한 연구들이 진행되고 있다.
이와 같은 세포 자연사를 이용한 암세포 치료나 창상, 상처 입은 피부의 재생을 위한 처치 등에 대한 연구가 특히 많은 관심을 끌고 있으며 선진국에서는 많은 연구가 이루어지고 있는 실정이다.
본 발명은 이와 같은 종래 기술의 플라즈마 발생 장치의 문제를 해결하기 위한 것으로, 상압에서 플라즈마를 생성하고 균일한 라인 어레이 형태를 갖는 구성에 의해 대면적의 조사 범위를 갖는 플라즈마 조사 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 미세한 선형 전극이 도포된 유전체면(유리 등)이 서로 마주보는 공간으로 가스가 흐르면서 플라즈마가 발생되며 플라즈마 및 화학종들이 가스가 흐르는 방향으로 방출되는 구조를 가진 플라즈마 조사 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. 플라즈마가 발생되는 공간은 선형 전극이 도포된 유전체의 길이를 늘임으로써 자유롭게 증가시킬 수 있으며, 따라서 라인 어레이 타입의 플라즈마 조사장치가 제공된다. 방전 공간의 부피, 전극간의 간격, 인가되는 전압의 파형, 사용하는 기체의 종류 등이 변화함에 따라 플라즈마의 특성을 조절하는 것이 가능하다.
본 발명은 전극에 유전체막을 도포하지 않고도 플라즈마 조사 과정에서의 열 발생을 최소화하는 구조를 갖도록 하여 플라즈마 및 화학적 활성종이 충분히 생성되고 상처치료 등에 이용될 수 있다. 이 경우 상처부위의 조직에 영향을 미칠 수 있는 거리를 유지하면서 일정 시간 동안 조사할 수 있도록 한 플라즈마 조사 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치는 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 하부 기판;상기 하부 기판상에 위치하여 플라즈마 방전 공간을 확보하기 위한 격벽 형성을 위한 하부 격벽 유지층;상기 하부 격벽 유지층상에 위치하고 전단부에 가스 공급을 위한 가스 공급 유로를 갖고 후단부의 상면과 하면에는 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 내부 기판;상기 내부 기판을 사이에 두고 상기 하부 격벽 유지층에 대향되어 플라즈마 방전 공간을 확보하기 위한 격벽 형성을 위한 상부 격벽 유지층;상기 상부 격벽 유지층상에 상기 하부 기판에 대향되도록 위치하고 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 상부 기판;을 포함하고, 상기 상부 기판과 하부 기판은 동일한 구조로 형성되어 전극들이 서로 대향되도록 상기 내부 기판을 사이에 두고 결합되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 상부 기판과 하부 기판은, 상기 상부 격벽 유지층 및 하부 격벽 유지층에 의해 만들어진 공간의 상부와 하부를 막아 방전 공간을 확보하고, 상기 가스 공급이 이루어지는 전단부와 플라즈마 발생이 이루어지는 후단부를 가지는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 상부 기판과 하부 기판은 동일한 구조로 형성되어 결합시에 전극층들이 서로 대향되도록 결합되고, 상부 기판과 하부 기판의 외측에 그라운드 전극이 형성되는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 상,하부 기판의 전극들과 상기 내부 기판의 전극들은 방전 공간에서 대향되도록 서로 이격되어 중첩되도록 결합되는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 상부 격벽 유지층 및 하부 격벽 유지층은, 상기 내부 기판의 가스 공급 유로 형성 영역 및 전극층이 형성되는 플라즈마 방전 공간의 외측에 형성되는 격벽층을 갖고 플라즈마 발생 방향은 개방된 구조인 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 하부 기판은,하부 글래스상에 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인으로 구성되는 제 1 금속 전극과,상기 제 1 금속 전극의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 1 전극 연결층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 하부 격벽 유지층은,플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 1 격벽층과,상기 제 1 격벽층의 상면 일부에 형성되어 상기 하부 기판의 전극 연결층 및 상기 내부 기판의 전극 연결층과 연결되는 제 2 전극 연결층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 내부 기판은,전단부에 위치하고 중앙에 가스 공급 유로를 갖는 유로 글래스와,후단부에 위치하고 상하부 양면에 각각 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인을 구성되는 제 2,3 금속 전극 그리고 상기 제 2,3 금속 전극의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 3 전극 연결층을 갖는 중간 글래스와,상기 중간 글래스의 끝단에 플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 2 격벽층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 유로 글래스와 중간 글래스와 제 2 격벽층은 동일 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 상부 격벽 유지층은,플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 3 격벽층과,상기 제 3 격벽층의 상면 일부에 형성되어 상부 기판의 전극 연결층 및 내부 기판의 전극 연결층과 연결되는 제 4 전극 연결층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 상부 기판은,상부 글래스상에 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인으로 구성되는 제 4 금속 전극과,상기 제 4 금속 전극의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 5 전극 연결층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 하부 기판,하부 격벽유지층,내부 기판,상부 격벽 유지층,상부 기판의 두께를 모두 동일하게 형성하거나, 내부 기판의 두께를 다른 기판들의 두께보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치는 다음과 같은 효과를 갖는다.
첫째, 상압에서 플라즈마를 생성하고 라인 어레이 형태를 갖는 구성에 의해 대면적의 조사 범위를 갖고 있다.
둘째, 방전 공간의 부피, 구멍의 크기, 인가되는 전압의 파형, 사용하는 기체의 종류 등을 변화시킴에 따라 플라즈마의 특성을 조절하는 것이 가능하다.
셋째, 플라즈마 조사 과정에서의 열 발생을 최소화하는 구조를 갖도록 하여 생체에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 구성도
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 플라즈마 생성 상태를 나타낸 사진
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 내부 구성도
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 분해 구성 및 결합 상태를 나타낸 상세 구성도
도 5a내지 도 5d는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 조사 장치의 제작을 위한 각 구성부의 크기를 나타낸 구성도
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 플라즈마 생성 상태를 나타낸 사진
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 내부 구성도
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 분해 구성 및 결합 상태를 나타낸 상세 구성도
도 5a내지 도 5d는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 조사 장치의 제작을 위한 각 구성부의 크기를 나타낸 구성도
이하, 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 바람직한 실시예에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 특징 및 이점들은 이하에서의 각 실시예에 대한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 플라즈마 생성 상태를 나타낸 사진이다.
그리고 도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 내부 구성도이다.
본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치는 도 1에서와 같이, 격벽으로 둘러싸인 공간에서 대항방전을 통해 상압 마이크로 플라즈마 방전이 일어나고, 전극들을 라인 어레이 형태로 배열하여 발생된 플라즈마 및 활성기체를 분사시키는 구조를 갖는다.
전원 공급부(10)에서 플라즈마 조사 장치(30)의 금속 전극과 그라운드 전극에 전원을 공급하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 조사 장치(30)에는 가스 공급부(20)를 통하여 He 가스가 공급된다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 플라즈마 생성 상태를 나타낸 것이고, 도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 내부 구성을 나타낸 것이다.
이와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 상세 구성을 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치의 분해 구성 및 결합 상태를 나타낸 상세 구성도이고, 도 5a내지 도 5d는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 조사 장치의 제작을 위한 각 구성부의 크기를 나타낸 구성도이다.
본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치는 도 4에서와 같이, 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 하부 기판(100)과, 상기 하부 기판(100)상에 위치하여 플라즈마 방전 공간을 확보하기 위한 격벽 형성을 위한 하부 격벽 유지층(200)과, 전단부에 가스 공급을 위한 가스 공급 유로를 갖고 후단부의 상면과 하면에는 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 내부 기판(300)과, 상기 내부 기판(300)을 사이에 두고 상기 하부 격벽 유지층(200)에 대향되고 플라즈마 방전 공간을 확보하기 위한 격벽 형성을 위한 상부 격벽 유지층(400)과, 상기 상부 격벽 유지층(400)상에 상기 하부 기판(100)에 대향되도록 위치하고 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 상부 기판(500)을 포함한다.
여기서, 상부 기판(500)과 하부 기판(100)은 상부 격벽 유지층(400) 및 하부 격벽 유지층(200)에 의해 만들어진 공간의 상부와 하부를 막아 방전 공간을 확보하고 가스 공급이 이루어지는 전단부의 반대 방향으로 플라즈마 발생이 이루어지도록 한다.
그리고 상부 기판(500)과 하부 기판(100)은 동일한 구조로 형성되어 결합시에 상기 내부 기판(300)과 전극층들이 서로 대향되도록 결합되고, 상부 기판(500)과 하부 기판(100)의 외측을 감는 그라운드 전극(53)이 형성된다.
그리고 상기 상부 기판(500),하부 기판(100)의 전극들과 상기 내부 기판(300)의 전극들은 방전 공간에서 서로 이격되어 중첩되도록 결합된다.
상기 상부 기판(500)과 하부 기판(100) 구조의 일 실시예는 도 5a에서와 같다.
그리고 상부 격벽 유지층(400) 및 하부 격벽 유지층(200)은 내부 기판(300)의 가스 공급 유로 형성 영역 및 전극층에 대응되는 부분을 제외한 부분에 격벽층을 갖고 플라즈마 발생 방향은 개방된 구조이다.
상기 상부 격벽 유지층(400) 및 하부 격벽 유지층(200) 구조의 일 실시예는 도 5b에서와 같다.
그리고 하부 기판(100)은 하부 글래스(41)상에 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인으로 구성되는 제 1 금속 전극(42a)과, 제 1 금속 전극(42a)의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 1 전극 연결층(42b)을 포함한다.
그리고 하부 격벽 유지층(200)은 플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 1 격벽층(43)과, 상기 제 1 격벽층(43)의 상면 일부에 형성되어 하부 기판(100)의 전극 연결층 및 내부 기판(300)의 전극 연결층과 연결되는 제 2 전극 연결층(44)을 포함한다.
그리고 내부 기판(300)은 전단부에 위치하고 중앙에 가스 공급 유로(48)를 갖는 유로 글래스(45a)와, 후단부에 위치하고 상하부 양면에 각각 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인을 구성되는 제 2 금속 전극(46a) 및 제 3 금속 전극(46b) 그리고 상기 제 2 금속 전극(46a) 및 제 3 금속 전극(46b)의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 3 전극 연결층(47)을 갖는 중간 글래스(45b)와, 중간 글래스(45b)의 끝단에 플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 2 격벽층(45c)을 포함한다.
여기서, 유로 글래스(45a)와 중간 글래스(45b)와 제 2 격벽층(45c)은 동일 두께로 형성된다.
그리고 상부 격벽 유지층(400)은 플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 3 격벽층(49)과, 상기 제 3 격벽층(49)의 상면 일부에 형성되어 상부 기판(500)의 전극 연결층 및 내부 기판(300)의 전극 연결층과 연결되는 제 4 전극 연결층(50)을 포함한다.
그리고 상부 기판(500)은 상부 글래스(51)상에 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인으로 구성되는 제 4 금속 전극(52a)과, 제 4 금속 전극(52a)의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 5 전극 연결층(52b)을 포함한다.
이와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치에서 각 구성들의 설계 크기 및 동작 특성을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 그라운드 전극(53) 너비에 따른 플라즈마 생성량의 차이는 다음과 같다.
외부의 그라운드 전극(53) 너비에 따라서 내부의 전극과의 거리가 달라지는데, 그라운드 전극(53)이 두꺼워 전극간의 거리가 가까워 지면 방전 개시 전압이 다소 줄어 방전이 용이하게 되지만, 너무 가까우면 전극 라인(제 1 금속 전극(42a),제 2 금속 전극(46a), 제 3 금속 전극(46b), 제 4 금속 전극(52a))들 중에서 바깥쪽의 제 1 금속 전극(42a) 및 제 4 금속 전극(52a)과 방전이 주로 일어나면서 내부 기판(300)의 양면에 형성된 제 2 금속 전극(46a), 제 3 금속 전극(46b)에서 방전이 거의 일어나지 않아 플라즈마가 균일하지 않게 방전이 된다.
이를 위한 전극들간의 유효한 거리가 요구되는데, 본 발명에 따른 실시예에서는 외부 그라운드 전극(53)의 너비(width)를 2mm으로 하고, 제 2 금속 전극(46a), 제 3 금속 전극(46b)을 내부 기판(300)의 끝 단에서 5mm되는 지점까지 전극 라인의 형성 길이를 정한다.
그리고 전극 라인(제 1 금속 전극(42a),제 2 금속 전극(46a), 제 3 금속 전극(46b), 제 4 금속 전극(52a))들과 그라운드 전극(53)의 이격 거리가 너무 멀게 되면 방전 개시 전압이 매우 높아진다.
하지만 전압을 낮추고자 전극 라인(제 1 금속 전극(42a),제 2 금속 전극(46a), 제 3 금속 전극(46b), 제 4 금속 전극(52a))들을 외부 그라운드 전극(53)쪽으로 근접시키게 되면 내부 기판(300)의 금속전극(46a, 46b)과 그라운드 전극(53) 사이의 방전공간이 줄어들어 외부로 플라즈마를 유도하는데 어려움이 있다.
가장 이상적인 방전 형태는 상부기판 및 하부기판 상의 제 1 금속전극(42a) 및 제 4 금속 전극(52a)과 그라운드 전극(53) 사이에 면방전이 일어나고 내부기판(300)의 제 2 금속 전극(46a), 제 3 금속 전극(46b)과 그라운드 전극(53) 사이에 긴 간격을 가지는 방전이 동시에 유도되는 것이다.
그리고 가스 공급량에 따른 플라즈마 생성 차이는 다음과 같다.
가스는 SLM(Standard Liters per Minute) 단위로 장치에 공급되게 되며 가스 공급량에 따라 전압 전류특성 곡선도 달라지게 되고 플라즈마 발생 양상에도 영향을 준다.
가스 공급량이 적으면 방전 개시 전압이 그만큼 많이 올라가게 된다. He 가스를 써서 방전 전압을 크게 낮추었는데 그 양을 줄이게 되면 당연히 전압은 상승한다.
그리고 전극 두께와 전극 간격에 따른 플라즈마 생성 차이는 다음과 같다.
최대한 많은 양의 플라즈마를 발생시키기 위해서는 얇은 전극을 최대한 밀집 형태로 구성해야 한다. 하지만 전극 굵기에 따라 플라즈마 생성이 많아지기 때문에 점점 두꺼운 구조로 제작하게 되었다.
그렇다고 내부 전극 전체에 전극을 도포하게 되면 옆으로 길게 늘어진 형태로 플라즈마가 생성된다.
그리고 전체를 방전 시킬만한 전압이 아니기 때문에 균일하지 못한 플라즈마가 발생된다.
본 발명의 실시예에서는 이와 같은 사항을 고려하여 전극 두께와 전극 간격을 정하였으나, 도 5a내지 도 5d에서와 같이 한정되지 않고 여러 가지로 변형될 수 있음은 당연하다.
그리고 본 발명의 실시예에서는 하부 기판(100), 하부 격벽유지층(200),내부 기판(300), 상부 격벽 유지층(400), 상부 기판(500)의 두께를 모두 동일하게 형성하거나, 내부 기판(300)의 두께를 다른 기판들의 두께보다 얇게 형성한다.
내부 기판(300)의 두께를 다른 기판들의 두께보다 얇게 형성하는 이유는 중앙으로 나오는 플라즈마 발생량을 다른 부분에서 발생하는 양과 균일해지도록 하기 위한 것이다.
이와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 조사 장치는 이온화된 기체상태인 플라즈마를 대기압 상태에서 발생시킨다.
이때 발생하는 플라즈마는 비평형 상태로서 중성기체의 온도는 상온과 거의 유사한 상태를 유지하지만 전자의 온도가 수 천도 이상으로 높으므로 다양한 화학종을 발생시키면서도 생체 조직에 열적인 상해를 주지 않으며, 인가된 전기장에 의해 하전입자의 에너지를 조절할 수 있기 때문에 다양한 화학작용을 표면에서 일어나게 하는 것이 가능하다.
이상에서의 설명에서와 같이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 본 발명이 구현되어 있음을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 명시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구 범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
100. 하부 기판 200. 하부 격벽유지층
300. 내부 기판 400. 상부 격벽 유지층
500. 상부 기판
300. 내부 기판 400. 상부 격벽 유지층
500. 상부 기판
Claims (12)
- 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 하부 기판;
상기 하부 기판상에 위치하여 플라즈마 방전 공간을 확보하기 위한 격벽 형성을 위한 하부 격벽 유지층;
상기 하부 격벽 유지층상에 위치하고 전단부에 가스 공급을 위한 가스 공급 유로를 갖고 후단부의 상면과 하면에는 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 내부 기판;
상기 내부 기판을 사이에 두고 상기 하부 격벽 유지층에 대향되어 플라즈마 방전 공간을 확보하기 위한 격벽 형성을 위한 상부 격벽 유지층;
상기 상부 격벽 유지층상에 상기 하부 기판에 대향되도록 위치하고 스트립 라인 형태의 전극을 갖는 상부 기판;을 포함하고, 상기 상부 기판과 하부 기판은 동일한 구조로 형성되어 전극들이 서로 대향되도록 상기 내부 기판을 사이에 두고 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 상부 기판과 하부 기판은,
상기 상부 격벽 유지층 및 하부 격벽 유지층에 의해 만들어진 공간의 상부와 하부를 막아 방전 공간을 확보하고, 상기 가스 공급이 이루어지는 전단부와 플라즈마 발생이 이루어지는 후단부를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치. - 제 2 항에 있어서, 상기 상부 기판과 하부 기판의 외측에 그라운드 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 상,하부 기판의 전극들과 상기 내부 기판의 전극들은 방전 공간에서 서로 대향되도록 이격되어 중첩되도록 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 상부 격벽 유지층 및 하부 격벽 유지층은,
상기 내부 기판의 가스 공급 유로 형성 영역 및 전극층이 형성되는 플라즈마 방전 공간의 외측에 형성되는 격벽층을 갖고 플라즈마 발생 방향은 개방된 구조인 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 하부 기판은,
하부 글래스상에 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인으로 구성되는 제 1 금속 전극과,
상기 제 1 금속 전극의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 1 전극 연결층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 하부 격벽 유지층은,
플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 1 격벽층과,
상기 제 1 격벽층의 상면 일부에 형성되어 상기 하부 기판의 전극 연결층 및 상기 내부 기판의 전극 연결층과 연결되는 제 2 전극 연결층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 내부 기판은,
전단부에 위치하고 중앙에 가스 공급 유로를 갖는 유로 글래스와,
후단부에 위치하고 상하부 양면에 각각 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인을 구성되는 제 2,3 금속 전극 그리고 상기 제 2,3 금속 전극의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 3 전극 연결층을 갖는 중간 글래스와,
상기 중간 글래스의 끝단에 플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 2 격벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 유로 글래스와 중간 글래스와 제 2 격벽층은 동일 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 상부 격벽 유지층은,
플라즈마 발생 방향이 개방되어 방전 공간 외측에만 형성되는 제 3 격벽층과,
상기 제 3 격벽층의 상면 일부에 형성되어 상부 기판의 전극 연결층 및 내부 기판의 전극 연결층과 연결되는 제 4 전극 연결층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 상부 기판은,
상부 글래스상에 일정 간격으로 이격되어 라인 형태로 구성되는 복수개의 전극 라인으로 구성되는 제 4 금속 전극과,
상기 제 4 금속 전극의 전극 라인들이 전기적으로 연결되고 다른층들과의 결합시에 전극층들간의 연결을 위한 제 5 전극 연결층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 하부 기판,하부 격벽유지층,내부 기판,상부 격벽 유지층,상부 기판의 두께를 모두 동일하게 형성하거나, 내부 기판의 두께를 다른 기판들의 두께보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 조사 장치.
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