RU2012108604A - Осаждение на большой площади и легирование графена и содержащие его продукты - Google Patents
Осаждение на большой площади и легирование графена и содержащие его продукты Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012108604A RU2012108604A RU2012108604/05A RU2012108604A RU2012108604A RU 2012108604 A RU2012108604 A RU 2012108604A RU 2012108604/05 A RU2012108604/05 A RU 2012108604/05A RU 2012108604 A RU2012108604 A RU 2012108604A RU 2012108604 A RU2012108604 A RU 2012108604A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- graphene
- film
- thin film
- thin
- doped
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/188—Preparation by epitaxial growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
- C30B31/22—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation by ion-implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления легированной тонкой пленки графена, который включает:гетероэпитаксиальное выращивание промежуточной тонкой пленки графена на тонкой пленке катализатора, где тонкая пленка катализатора имеет, по существу, моноориентированную крупнозернистую кристаллическую структуру;легирование промежуточной тонкой пленки графена легирующими примесями n-типа или р-типа при изготовлении легированной тонкой пленки графена,где легированная тонкая пленка графена имеет поверхностное сопротивление меньше, чем 150 Ом/квадрат.2. Способ по п.1, где легирование промежуточной тонкой пленки графена включает:воздействие на промежуточную тонкую пленку графена легирующим газом, содержащим материал, используемый в качестве легирующей добавки;возбуждение плазмы внутри камеры, содержащей промежуточную тонкую пленку графена и легирующий газ; иимплантирование легирующей добавки с помощью ионного пучка в промежуточной тонкой пленке графена с использованием данного материала в легирующем газе.3. Способ по п.2, где мощность ионного пучка составляет 10-200 эВ.4. Способ по п.2, где мощность ионного пучка составляет 20-40 эВ.5. Способ по п.1, где легирование промежуточной тонкой пленки графена включает:обеспечение целевой приемной подложки, включающей твердотельные легирующие добавки в ней, причем легирующие добавки включены в целевую приемную подложку посредством процесса плавления, используемого для изготовления целевой приемной подложки; иобеспечение возможности мигрирования твердотельных легирующих добавок из целевой приемной подложки в промежуточную тонкую пленку графена путем термической диффузии.6. Способ по п.5, �
Claims (20)
1. Способ изготовления легированной тонкой пленки графена, который включает:
гетероэпитаксиальное выращивание промежуточной тонкой пленки графена на тонкой пленке катализатора, где тонкая пленка катализатора имеет, по существу, моноориентированную крупнозернистую кристаллическую структуру;
легирование промежуточной тонкой пленки графена легирующими примесями n-типа или р-типа при изготовлении легированной тонкой пленки графена,
где легированная тонкая пленка графена имеет поверхностное сопротивление меньше, чем 150 Ом/квадрат.
2. Способ по п.1, где легирование промежуточной тонкой пленки графена включает:
воздействие на промежуточную тонкую пленку графена легирующим газом, содержащим материал, используемый в качестве легирующей добавки;
возбуждение плазмы внутри камеры, содержащей промежуточную тонкую пленку графена и легирующий газ; и
имплантирование легирующей добавки с помощью ионного пучка в промежуточной тонкой пленке графена с использованием данного материала в легирующем газе.
3. Способ по п.2, где мощность ионного пучка составляет 10-200 эВ.
4. Способ по п.2, где мощность ионного пучка составляет 20-40 эВ.
5. Способ по п.1, где легирование промежуточной тонкой пленки графена включает:
обеспечение целевой приемной подложки, включающей твердотельные легирующие добавки в ней, причем легирующие добавки включены в целевую приемную подложку посредством процесса плавления, используемого для изготовления целевой приемной подложки; и
обеспечение возможности мигрирования твердотельных легирующих добавок из целевой приемной подложки в промежуточную тонкую пленку графена путем термической диффузии.
6. Способ по п.5, где целевая приемная подложка включает в себя 1-10 ат.% легирующего материала.
7. Способ по п.1, где легирование промежуточной тонкой пленки графена включает:
обеспечение целевой приемной подложки, включающей твердотельные легирующие добавки в ней, причем легирующие добавки включены в целевую приемную подложку посредством имплантации ионным пучком; и
обеспечение возможности мигрирования твердотельных легирующих добавок из целевой приемной подложки в промежуточную тонкую пленку графена путем термической диффузии.
8. Способ по п.7, где имплантацию ионным пучком выполняют при уровне мощности 10-1000 эВ.
9. Способ по п.1, где легирование промежуточной тонкой пленки графена включает:
обеспечение целевой приемной подложки, имеющей, по меньшей мере, одно тонкопленочное покрытие, находящееся на ней, где данное тонкопленочное покрытие включает твердотельные легирующие добавки; и
обеспечение возможности мигрирования твердотельных легирующих добавок из, по меньшей мере, одной тонкой пленки, образованной на целевой приемной подложке, в промежуточную тонкую пленку графена путем термической диффузии.
10. Способ по п.1, где легирование промежуточной тонкой пленки графена включает:
предварительное внедрение твердотельных легирующих добавок в каталитическую тонкую пленку; и
обеспечение возможности мигрирования твердотельных легирующих добавок из каталитической тонкой пленки в промежуточную тонкую пленку графена путем термической диффузии.
11. Способ по п.10, где термическая диффузия происходит во время осаждения промежуточной тонкой пленки графена.
12. Способ по п.10, где каталитическая тонкая пленка содержит 1-5% атомов твердотельной легирующей примеси в своем объеме.
13. Способ по п.12, где каталитическая тонкая пленка содержит никель.
14. Способ по п.1, где легированную тонкую пленку графена легируют любым одним или несколькими компонентами из: азота, бора, фосфора, фтора, лития, калия и серы.
15. Способ по п.1, где легированная тонкая пленка графена имеет поверхностное сопротивление 10-20 Ом/квадрат.
16. Легированная тонкая пленка графена, гетероэпитаксиально выращенная, непосредственно или опосредованно, на тонкой пленке металлического катализатора, имеющей, по существу, моноориентированную крупнозернистую кристаллическую структуру,
где тонкая пленка графена имеет толщину 1-10 атомных слоев,
где легированная тонкая пленка графена имеет поверхностное сопротивление меньше, чем 150 Ом/квадрат.
17. Легированная тонкая пленка графена по п.16, где данная легированная тонкая пленка графена содержит легирующие примеси n-типа.
18. Легированная тонкая пленка графена по п.16, где данная легированная тонкая пленка графена содержит легирующие примеси р-типа.
19. Легированная тонкая пленка графена по п.16, где данная легированная тонкая пленка графена легирована любым одним или несколькими компонентами из: азота, бора, фосфора, фтора, лития, калия и серы.
20. Легированная тонкая пленка графена по п.16, где данная легированная тонкая пленка графена имеет поверхностное сопротивление 10-20 Ом/квадрат.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/461,343 | 2009-08-07 | ||
US12/461,343 US8507797B2 (en) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | Large area deposition and doping of graphene, and products including the same |
PCT/US2010/002058 WO2011016837A1 (en) | 2009-08-07 | 2010-07-22 | Large area deposition and doping of graphene, and products including the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012108604A true RU2012108604A (ru) | 2013-09-27 |
RU2567949C2 RU2567949C2 (ru) | 2015-11-10 |
Family
ID=42829044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012108604/05A RU2567949C2 (ru) | 2009-08-07 | 2010-07-22 | Осаждение на большой площади и легирование графена и содержащие его продукты |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8507797B2 (ru) |
EP (4) | EP2584074B1 (ru) |
JP (1) | JP5667188B2 (ru) |
KR (1) | KR101698228B1 (ru) |
CN (1) | CN102597336B (ru) |
BR (1) | BR112012002814A2 (ru) |
IN (1) | IN2012DN00996A (ru) |
MX (1) | MX2012001605A (ru) |
PL (3) | PL2462264T3 (ru) |
RU (1) | RU2567949C2 (ru) |
TW (1) | TW201111278A (ru) |
WO (1) | WO2011016837A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2718927C2 (ru) * | 2015-08-14 | 2020-04-15 | Параграф Лимитед | Способ получения двумерного материала |
Families Citing this family (107)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8507797B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-08-13 | Guardian Industries Corp. | Large area deposition and doping of graphene, and products including the same |
US8269931B2 (en) * | 2009-09-14 | 2012-09-18 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
KR101652787B1 (ko) * | 2009-11-12 | 2016-09-01 | 삼성전자주식회사 | 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법 |
US9306099B2 (en) * | 2009-12-01 | 2016-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Material including graphene and an inorganic material and method of manufacturing the material |
US8426842B2 (en) * | 2010-02-02 | 2013-04-23 | The Invention Science Fund I, Llc | Doped graphene electronic materials |
US8354323B2 (en) | 2010-02-02 | 2013-01-15 | Searete Llc | Doped graphene electronic materials |
US8563965B2 (en) | 2010-02-02 | 2013-10-22 | The Invention Science Fund I, Llc | Doped graphene electronic materials |
US11071241B2 (en) * | 2010-03-05 | 2021-07-20 | Graphene Square Inc. | Electromagnetic shielding method using graphene and electromagnetic shielding material |
WO2011115891A2 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | University Of Florida Research Foundation Inc. | Graphite and/or graphene semiconductor devices |
GB201004554D0 (en) * | 2010-03-18 | 2010-05-05 | Isis Innovation | Superconducting materials |
JP5664119B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2015-02-04 | ソニー株式会社 | 透明導電膜、透明導電膜の製造方法、光電変換装置および電子機器 |
GB201021112D0 (en) | 2010-12-13 | 2011-01-26 | Ntnu Technology Transfer As | Nanowires |
WO2012088334A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-28 | Kenneth Shepard | Electrical devices with graphene on boron nitride |
KR101469450B1 (ko) * | 2011-03-02 | 2014-12-05 | 그래핀스퀘어 주식회사 | 그래핀의 n-도핑 방법 |
US8739728B2 (en) * | 2011-04-07 | 2014-06-03 | Dynamic Micro Systems, Semiconductor Equipment Gmbh | Methods and apparatuses for roll-on coating |
CN102191476B (zh) * | 2011-04-11 | 2014-12-10 | 兰州大学 | 硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法 |
US8388924B2 (en) | 2011-04-21 | 2013-03-05 | The Aerospace Corporation | Method for growth of high quality graphene films |
WO2012148439A1 (en) * | 2011-04-25 | 2012-11-01 | William Marsh Rice University | Direct growth of graphene films on non-catalyst surfaces |
CN102760686B (zh) * | 2011-04-27 | 2014-12-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件、形成互连结构的方法 |
KR101878733B1 (ko) * | 2011-05-04 | 2018-07-16 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 직성장 방법 |
DE102011077784A1 (de) | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsanordnung |
CN102887498B (zh) * | 2011-07-21 | 2014-10-15 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 掺氮石墨烯的制备方法 |
EP2753577B1 (en) | 2011-09-09 | 2019-06-05 | Board Of Trustees Of Northern Illinois University | Method of making crystalline graphene |
US8872159B2 (en) * | 2011-09-29 | 2014-10-28 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Graphene on semiconductor detector |
JP5856423B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-02-09 | 株式会社東芝 | 導電材料およびこれを用いた電気素子 |
KR101851570B1 (ko) * | 2011-12-01 | 2018-04-25 | 삼성전자주식회사 | 그래핀과 폴리머의 복합체 및 그 제조방법 |
CN103974900B (zh) * | 2011-12-12 | 2017-03-08 | 松下电器产业株式会社 | 碳系材料、电极催化剂、氧还原电极催化剂、气体扩散电极、水溶液电解装置和制备碳系材料的方法 |
KR102002600B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2019-07-23 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 치환 보론 그래핀 제조방법 |
GB201200355D0 (en) * | 2012-01-10 | 2012-02-22 | Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu | Nanowires |
ITMI20120191A1 (it) * | 2012-02-10 | 2013-08-11 | St Microelectronics Srl | Metodo per trasferire uno strato di grafene |
JP5971840B2 (ja) * | 2012-02-20 | 2016-08-17 | 株式会社Ihi | 窒素導入方法 |
JP5839571B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-01-06 | 積水ナノコートテクノロジー株式会社 | 窒素原子がドープされたグラフェンフィルムを製造する方法 |
CN102602916A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-07-25 | 南京先丰纳米材料科技有限公司 | 一种大面积石墨烯薄膜的异地应用方法 |
GB201211038D0 (en) | 2012-06-21 | 2012-08-01 | Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu | Solar cells |
EP2719270A1 (de) * | 2012-10-11 | 2014-04-16 | BYK-Chemie GmbH | Beschichtungszusammensetzung und deren Verwendung |
TWI511356B (zh) * | 2012-11-21 | 2015-12-01 | Ind Tech Res Inst | 石墨烯電極、包含其之能量儲存裝置、及其製造方法 |
CN104812697B (zh) * | 2012-11-29 | 2018-11-06 | 北京信纳国际新材料科技有限公司 | 一种氮硫共掺石墨烯量子点的制备方法 |
KR101850112B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2018-04-19 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀, 그래핀 제조용 조성물 및 이를 이용한 그래핀의 제조 방법 |
US10315275B2 (en) * | 2013-01-24 | 2019-06-11 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Reducing surface asperities |
KR20140099103A (ko) * | 2013-02-01 | 2014-08-11 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
CN103112849B (zh) * | 2013-03-13 | 2014-10-22 | 上海第二工业大学 | 一种含硫键的石墨烯多孔纳米材料及其制备方法 |
CN104047060B (zh) * | 2013-03-14 | 2016-12-28 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种对石墨烯进行硫掺杂的方法 |
US9324579B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-26 | The Aerospace Corporation | Metal structures and methods of using same for transporting or gettering materials disposed within semiconductor substrates |
US10431354B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-10-01 | Guardian Glass, LLC | Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices |
US8664642B1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-03-04 | Solan, LLC | Nonplanar graphite-based devices having multiple bandgaps |
US9593019B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-14 | Guardian Industries Corp. | Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices |
CN104078742B (zh) * | 2013-03-27 | 2017-09-12 | 上海德门电子科技有限公司 | 一种透明介质天线 |
KR102107538B1 (ko) | 2013-05-07 | 2020-05-07 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전사 방법, 이를 이용한 소자의 제조방법 및 그래핀을 포함하는 기판 구조체 |
KR101486428B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2015-01-27 | 중앙대학교 산학협력단 | 그래핀, 이의 표면 처리방법 및 이를 포함하는 전자 소자 |
GB201311101D0 (en) | 2013-06-21 | 2013-08-07 | Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu | Semiconducting Films |
CN103365004B (zh) * | 2013-07-26 | 2016-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 透明导电层、具有该透明导电层的cf基板及其制备方法 |
WO2015020610A1 (en) | 2013-08-05 | 2015-02-12 | National University Of Singapore | Method to transfer two dimensional film grown on metal-coated wafer to the wafer itself in a face-to-face manner |
WO2015021479A1 (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for assembling two-dimensional materials |
US9452934B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-09-27 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Synthesis of ultra-large graphene oxide sheets |
US9574063B2 (en) | 2013-09-17 | 2017-02-21 | Lockheed Martin Corporation | Method of making a large area graphene composite material |
CN103710759B (zh) * | 2013-12-17 | 2016-03-02 | 华中科技大学 | 一种石墨烯图形化掺杂方法 |
KR101842033B1 (ko) | 2014-01-06 | 2018-03-26 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 제조용 조성물 및 이를 이용한 그래핀의 제조 방법 |
KR102256017B1 (ko) * | 2014-01-28 | 2021-05-24 | 삼성전자주식회사 | 2차원 반도체의 도핑방법 및 스위칭 소자 |
WO2015126139A1 (en) | 2014-02-19 | 2015-08-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wiring structure and electronic device employing the same |
WO2015176220A1 (zh) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种对石墨烯进行硫掺杂的方法 |
US9324899B2 (en) | 2014-06-09 | 2016-04-26 | Natcore Technology, Inc. | Emitter diffusion conditions for black silicon |
GB201410214D0 (en) | 2014-06-09 | 2014-07-23 | Univ Surrey | A method for graphene and carbon nanotube growth |
CN104029431B (zh) * | 2014-06-23 | 2018-06-19 | 南开大学 | 扭曲角度可控的多层石墨烯结构制备方法 |
US9337149B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-05-10 | Samsung Electronics Co, Ltd. | Semiconductor devices and methods of fabricating the same |
KR101696539B1 (ko) * | 2015-03-09 | 2017-01-16 | 한양대학교 산학협력단 | 박막, 그 제조 방법, 및 그 제조 장치 |
CN104817061A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-08-05 | 常州大学 | 一种二维硼掺杂石墨烯的制备方法 |
CN104817060B (zh) * | 2015-05-07 | 2016-08-17 | 常州大学 | 一种二维锂掺杂石墨烯的制备方法 |
US9777547B1 (en) | 2015-06-29 | 2017-10-03 | Milanovich Investments, L.L.C. | Blowout preventers made from plastic enhanced with graphene, phosphorescent or other material, with sleeves that fit inside well pipes, and making use of well pressure |
US10156726B2 (en) | 2015-06-29 | 2018-12-18 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Graphene in optical systems |
EA201890168A1 (ru) | 2015-07-13 | 2018-08-31 | Крайонано Ас | Нанопроволока или нанопирамидки, выращенные на графитовой подложке |
JP7066610B2 (ja) | 2015-07-13 | 2022-05-13 | クラヨナノ エーエス | 発光ダイオードデバイス、光検出デバイス、およびグラファイト基板上のナノワイヤ又はナノピラミッドを含む組成物 |
BR112018001815A2 (pt) | 2015-07-31 | 2018-09-18 | Crayonano As | processo para cultivar nanofios ou nanopirâmides em substratos grafíticos |
US10145005B2 (en) | 2015-08-19 | 2018-12-04 | Guardian Glass, LLC | Techniques for low temperature direct graphene growth on glass |
CN108140552A (zh) | 2015-09-08 | 2018-06-08 | 麻省理工学院 | 基于石墨烯的层转移的系统和方法 |
US11124734B2 (en) | 2015-10-15 | 2021-09-21 | Flex-G Pty Ltd | Traction drive fluid |
MY191131A (en) * | 2015-12-09 | 2022-05-31 | First Solar Inc | Photovoltaic devices and method of manufacturing |
JP6691782B2 (ja) * | 2016-01-20 | 2020-05-13 | 株式会社ダイセル | 硫黄含有酸化グラフェン又は硫黄含有グラフェン及びその製造方法 |
EP3196946B1 (en) * | 2016-01-25 | 2018-05-09 | University - Industry Cooperation Group of Kyung Hee University | Solar cell with graphene-silicon quantum dot hybrid structure and method of manufacturing the same |
KR101849360B1 (ko) | 2016-01-29 | 2018-04-16 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 기반 적층체 및 이의 제조방법 |
US20190040548A1 (en) * | 2016-02-03 | 2019-02-07 | Imagine Intelligent Materials Pty Ltd | Geotextile with conductive properties |
DE102016102594A1 (de) * | 2016-02-15 | 2017-08-17 | Albert-Ludwigs-Universität Freiburg | Verfahren zur Herstellung von dotiertem Graphenoxid und/oder Graphen |
TWI648423B (zh) | 2016-03-08 | 2019-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 金屬摻雜石墨烯及其成長方法 |
CN107621737A (zh) * | 2016-07-13 | 2018-01-23 | 武利铭 | 全固态电致变色玻璃 |
CN106448921B (zh) * | 2016-09-07 | 2018-04-10 | 芜湖桑乐金电子科技有限公司 | 氮掺石墨烯改性石墨原浆及其制备方法 |
CN106298076B (zh) * | 2016-09-07 | 2018-01-16 | 芜湖桑乐金电子科技有限公司 | 氮掺石墨烯改性石墨原浆及其制备方法 |
CN106409378B (zh) * | 2016-09-07 | 2018-01-16 | 芜湖桑乐金电子科技有限公司 | 氮掺石墨烯改性石墨原浆及其制备方法 |
US10738648B2 (en) * | 2016-10-13 | 2020-08-11 | General Electric Company | Graphene discs and bores and methods of preparing the same |
JP6977249B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2021-12-08 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置および寿命予測方法 |
WO2018089444A1 (en) | 2016-11-08 | 2018-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems and methods of dislocation filtering for layer transfer |
CN106744898B (zh) * | 2016-12-06 | 2019-08-30 | 中国石油大学(北京) | 一种氮气等离子体改性的三维石墨烯粉体及其制备与应用 |
CN110312680A (zh) * | 2017-01-11 | 2019-10-08 | 通用电气(Ge)贝克休斯有限责任公司 | 包括交联的碳纳米结构的薄膜衬底和相关方法 |
RU2662535C1 (ru) * | 2017-01-31 | 2018-07-26 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит" | Способ получения гибридного материала на основе прозрачной проводящей графеновой пленки |
KR20190117706A (ko) | 2017-02-24 | 2019-10-16 | 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 수직으로 적층된 다색 발광 다이오드(led) 디스플레이를 위한 방법들 및 장치들 |
GB201705755D0 (en) | 2017-04-10 | 2017-05-24 | Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) | Nanostructure |
CN107634328B (zh) * | 2017-09-01 | 2020-10-09 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种石墨烯透明天线及其制备方法 |
CN108975319B (zh) * | 2018-08-22 | 2020-09-15 | 恒力(厦门)石墨烯科技产业集团有限公司 | 一种p型半导体石墨烯的制备方法 |
CN109179394B (zh) * | 2018-09-26 | 2021-03-23 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种石墨烯薄膜直接转移装置及方法 |
US20220119941A1 (en) * | 2018-11-30 | 2022-04-21 | The Research Foundation for The State of University New york | Methods for producing n-doped graphene films |
BR112021012136B1 (pt) | 2018-12-21 | 2023-10-31 | Performance Nanocarbon,Inc. | Método para produzir um grafeno ou material semelhante ao grafeno |
KR102068038B1 (ko) * | 2019-03-29 | 2020-01-20 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 보론 치환 그래핀 |
WO2021133158A1 (en) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | Mimos Berhad | Method of forming single layer nitrogen-doped graphene |
CN111863994A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-10-30 | 珠海格力电器股份有限公司 | 具有透明导电带的光伏组件 |
EP4244184A2 (en) * | 2020-11-10 | 2023-09-20 | B2D Holding GmbH | Three-dimensional high aspect ratio graphene film composites |
CN112299401A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-02-02 | 内蒙古科技大学 | 一种氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法 |
CN112678810A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-04-20 | 电子科技大学 | 一种制备高迁移率的n型单层硫掺杂石墨烯薄膜的方法 |
CN112778823B (zh) * | 2021-01-27 | 2022-08-12 | 九江纳维新材料科技有限公司 | 超高电导率电子级石墨烯-银复合导电uv固化油墨及其制备方法与应用 |
RU2761051C1 (ru) * | 2021-06-08 | 2021-12-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Способ изготовления межприборной изоляции мощных нитридгаллиевых транзисторов |
Family Cites Families (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US122218A (en) | 1871-12-26 | Improvement in combined walking-cane and billiard-cue | ||
US4929205A (en) | 1988-10-07 | 1990-05-29 | Jones Elene K | Leg immobilizer-drag for training swimmers |
US5227038A (en) * | 1991-10-04 | 1993-07-13 | William Marsh Rice University | Electric arc process for making fullerenes |
US5300203A (en) * | 1991-11-27 | 1994-04-05 | William Marsh Rice University | Process for making fullerenes by the laser evaporation of carbon |
US5591312A (en) * | 1992-10-09 | 1997-01-07 | William Marsh Rice University | Process for making fullerene fibers |
DE4313481A1 (de) * | 1993-04-24 | 1994-10-27 | Hoechst Ag | Fullerenderivate, Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung |
WO1995000440A1 (en) * | 1993-06-28 | 1995-01-05 | William Marsh Rice University | Solar process for making fullerenes |
US5650597A (en) * | 1995-01-20 | 1997-07-22 | Dynapro Systems, Inc. | Capacitive touch sensor |
US6162926A (en) * | 1995-07-31 | 2000-12-19 | Sphere Biosystems, Inc. | Multi-substituted fullerenes and methods for their preparation and characterization |
US6183714B1 (en) | 1995-09-08 | 2001-02-06 | Rice University | Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes |
US7338915B1 (en) * | 1995-09-08 | 2008-03-04 | Rice University | Ropes of single-wall carbon nanotubes and compositions thereof |
JP2000516708A (ja) * | 1996-08-08 | 2000-12-12 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置 |
US6123824A (en) * | 1996-12-13 | 2000-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing photo-electricity generating device |
JPH10178195A (ja) | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Canon Inc | 光起電力素子 |
US6683783B1 (en) * | 1997-03-07 | 2004-01-27 | William Marsh Rice University | Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes |
WO1998039250A1 (en) | 1997-03-07 | 1998-09-11 | William Marsh Rice University | Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes |
JPH1146006A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Canon Inc | 光起電力素子およびその製造方法 |
US6129901A (en) * | 1997-11-18 | 2000-10-10 | Martin Moskovits | Controlled synthesis and metal-filling of aligned carbon nanotubes |
GB9806066D0 (en) | 1998-03-20 | 1998-05-20 | Cambridge Display Tech Ltd | Multilayer photovoltaic or photoconductive devices |
CA2335449A1 (en) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | The Research Foundation Of The State University Of New York | Free-standing and aligned carbon nanotubes and synthesis thereof |
US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
US6204897B1 (en) * | 1998-08-18 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Integrated resistor for measuring touch position in a liquid crystal display device |
US6057903A (en) * | 1998-08-18 | 2000-05-02 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display device employing a guard plane between a layer for measuring touch position and common electrode layer |
CA2344180C (en) | 1998-09-18 | 2008-04-29 | William Marsh Rice University | Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles |
US6835366B1 (en) | 1998-09-18 | 2004-12-28 | William Marsh Rice University | Chemical derivatization of single-wall carbon nanotubes to facilitate solvation thereof, and use of derivatized nanotubes |
US7125534B1 (en) * | 1998-09-18 | 2006-10-24 | William Marsh Rice University | Catalytic growth of single- and double-wall carbon nanotubes from metal particles |
US6692717B1 (en) * | 1999-09-17 | 2004-02-17 | William Marsh Rice University | Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles |
EP1112224B1 (en) * | 1998-09-18 | 2009-08-19 | William Marsh Rice University | Chemical derivatization of single-wall carbon nanotubes to facilitate solvation thereof; and use of derivatized nanotubes |
ATE404497T1 (de) * | 1998-11-03 | 2008-08-15 | Univ Rice William M | Gasphasenabscheidund und wachstum von einwändigen kohlenstoffnanoröhren aus kohlenstoffmonoxid unter hochdruck |
US6808606B2 (en) * | 1999-05-03 | 2004-10-26 | Guardian Industries Corp. | Method of manufacturing window using ion beam milling of glass substrate(s) |
EP1226093B1 (en) * | 1999-10-27 | 2011-01-05 | William Marsh Rice University | Macroscopic ordered assembly of carbon nanotubes |
US7195780B2 (en) * | 2002-10-21 | 2007-03-27 | University Of Florida | Nanoparticle delivery system |
US7264876B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-09-04 | William Marsh Rice University | Polymer-wrapped single wall carbon nanotubes |
US6359388B1 (en) * | 2000-08-28 | 2002-03-19 | Guardian Industries Corp. | Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow |
US6784361B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-31 | Bp Corporation North America Inc. | Amorphous silicon photovoltaic devices |
US7052668B2 (en) * | 2001-01-31 | 2006-05-30 | William Marsh Rice University | Process utilizing seeds for making single-wall carbon nanotubes |
US6913789B2 (en) * | 2001-01-31 | 2005-07-05 | William Marsh Rice University | Process utilizing pre-formed cluster catalysts for making single-wall carbon nanotubes |
US6752977B2 (en) * | 2001-02-12 | 2004-06-22 | William Marsh Rice University | Process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof |
US7090819B2 (en) * | 2001-02-12 | 2006-08-15 | William Marsh Rice University | Gas-phase process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof |
US6602371B2 (en) * | 2001-02-27 | 2003-08-05 | Guardian Industries Corp. | Method of making a curved vehicle windshield |
US7265174B2 (en) * | 2001-03-22 | 2007-09-04 | Clemson University | Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions |
US6890506B1 (en) * | 2001-04-12 | 2005-05-10 | Penn State Research Foundation | Method of forming carbon fibers |
WO2003040446A2 (en) * | 2001-06-15 | 2003-05-15 | The Pennsylvania State Research Foundation | Method of purifying nanotubes and nanofibers using electromagnetic radiation |
US7125502B2 (en) | 2001-07-06 | 2006-10-24 | William Marsh Rice University | Fibers of aligned single-wall carbon nanotubes and process for making the same |
WO2003020638A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-13 | Georgia Tech Research Corporation | Compositions comprising rigid-rod polymers and carbon nanotubes and process for making the same |
US6538153B1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-03-25 | C Sixty Inc. | Method of synthesis of water soluble fullerene polyacids using a macrocyclic malonate reactant |
DE10228523B4 (de) * | 2001-11-14 | 2017-09-21 | Lg Display Co., Ltd. | Berührungstablett |
US7138100B2 (en) * | 2001-11-21 | 2006-11-21 | William Marsh Rice Univesity | Process for making single-wall carbon nanotubes utilizing refractory particles |
WO2003057955A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | The Penn State Research Foundation | Method for low temperature synthesis of single wall carbon nanotubes |
TW200307563A (en) * | 2002-02-14 | 2003-12-16 | Sixty Inc C | Use of BUCKYSOME or carbon nanotube for drug delivery |
WO2003075207A2 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Planar Systems, Inc. | Reflection resistant touch screens |
JP4208722B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2009-01-14 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | 単層カーボンナノチューブを分離する方法 |
JP3962376B2 (ja) | 2002-03-14 | 2007-08-22 | カーボン ナノテクノロジーズ インコーポレーテッド | 極性重合体及び単層壁炭素ナノチューブを含有する複合体材料 |
US6899945B2 (en) * | 2002-03-19 | 2005-05-31 | William Marsh Rice University | Entangled single-wall carbon nanotube solid material and methods for making same |
US7192642B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-03-20 | Georgia Tech Research Corporation | Single-wall carbon nanotube film having high modulus and conductivity and process for making the same |
US7135160B2 (en) * | 2002-04-02 | 2006-11-14 | Carbon Nanotechnologies, Inc. | Spheroidal aggregates comprising single-wall carbon nanotubes and method for making the same |
AU2003231996A1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-27 | William Marsh Rice University | Method for cutting single-wall carbon nanotubes through fluorination |
US6852410B2 (en) * | 2002-07-01 | 2005-02-08 | Georgia Tech Research Corporation | Macroscopic fiber comprising single-wall carbon nanotubes and acrylonitrile-based polymer and process for making the same |
US7061749B2 (en) * | 2002-07-01 | 2006-06-13 | Georgia Tech Research Corporation | Supercapacitor having electrode material comprising single-wall carbon nanotubes and process for making the same |
US7250148B2 (en) * | 2002-07-31 | 2007-07-31 | Carbon Nanotechnologies, Inc. | Method for making single-wall carbon nanotubes using supported catalysts |
KR100480823B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2005-04-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시장치용 터치 패널 |
US7273095B2 (en) * | 2003-03-11 | 2007-09-25 | United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Nanoengineered thermal materials based on carbon nanotube array composites |
ATE380384T1 (de) | 2003-04-24 | 2007-12-15 | Carbon Nanotechnologies Inc | Leitfähiger kohlenstoff- nanoröhrenpolymerverbundstoff |
US7220818B2 (en) * | 2003-08-20 | 2007-05-22 | The Regents Of The University Of California | Noncovalent functionalization of nanotubes |
US7109581B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-09-19 | Nanoconduction, Inc. | System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler |
US20050069863A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-31 | Jorge Moraleda | Systems and methods for analyzing gene expression data for clinical diagnostics |
US8153240B2 (en) * | 2003-10-03 | 2012-04-10 | College Of William And Mary | Carbon nanostructures and methods of making and using the same |
US7163956B2 (en) * | 2003-10-10 | 2007-01-16 | C Sixty Inc. | Substituted fullerene compositions and their use as antioxidants |
US7211795B2 (en) * | 2004-02-06 | 2007-05-01 | California Institute Of Technology | Method for manufacturing single wall carbon nanotube tips |
US7279916B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-10-09 | Nanoconduction, Inc. | Apparatus and test device for the application and measurement of prescribed, predicted and controlled contact pressure on wires |
JP4766895B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-09-07 | トヨタ自動車株式会社 | カーボンナノウォールデバイス |
JP5054896B2 (ja) | 2005-03-28 | 2012-10-24 | 勝 堀 | カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス |
US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
US7964238B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article including ion beam treatment of metal oxide protective film |
JP5135825B2 (ja) | 2007-02-21 | 2013-02-06 | 富士通株式会社 | グラフェントランジスタ及びその製造方法 |
WO2008108383A1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-12 | Nec Corporation | グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法 |
WO2008128554A1 (en) | 2007-04-20 | 2008-10-30 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Highly conductive, transparent carbon films as electrode materials |
US7875945B2 (en) * | 2007-06-12 | 2011-01-25 | Guardian Industries Corp. | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same |
US20080308147A1 (en) | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Yiwei Lu | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same |
JP5101200B2 (ja) | 2007-07-31 | 2012-12-19 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
US20090032098A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device having multilayer antireflective layer supported by front substrate |
KR20090026568A (ko) | 2007-09-10 | 2009-03-13 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
JP5605650B2 (ja) | 2007-10-19 | 2014-10-15 | ユニバーシティー オブ ウロンゴング | グラフェン分散液の製造方法 |
KR100923304B1 (ko) | 2007-10-29 | 2009-10-23 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
KR101344493B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
JP5302332B2 (ja) | 2007-12-20 | 2013-10-02 | シーマ ナノ テック イスラエル リミティド | ナノ粒子で形成された透明電極を有する光起電力デバイス |
JP2009182173A (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Fujitsu Ltd | グラフェントランジスタ及び電子機器 |
US8535553B2 (en) | 2008-04-14 | 2013-09-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Large-area single- and few-layer graphene on arbitrary substrates |
CN101289181B (zh) | 2008-05-29 | 2010-09-01 | 中国科学院化学研究所 | 掺杂石墨烯及其制备方法 |
US20100323113A1 (en) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | Ramappa Deepak A | Method to Synthesize Graphene |
US8507797B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-08-13 | Guardian Industries Corp. | Large area deposition and doping of graphene, and products including the same |
EP2541559B1 (en) * | 2011-06-30 | 2014-03-26 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Transparent conductive articles |
-
2009
- 2009-08-07 US US12/461,343 patent/US8507797B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-22 BR BR112012002814-6A patent/BR112012002814A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2010-07-22 WO PCT/US2010/002058 patent/WO2011016837A1/en active Application Filing
- 2010-07-22 KR KR1020127005794A patent/KR101698228B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-22 PL PL10739729T patent/PL2462264T3/pl unknown
- 2010-07-22 EP EP13151838.3A patent/EP2584074B1/en not_active Not-in-force
- 2010-07-22 EP EP13151835.9A patent/EP2584073B1/en active Active
- 2010-07-22 EP EP13151839.1A patent/EP2584075B1/en not_active Not-in-force
- 2010-07-22 CN CN201080034917.3A patent/CN102597336B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-22 JP JP2012523599A patent/JP5667188B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-22 EP EP10739729.1A patent/EP2462264B1/en not_active Not-in-force
- 2010-07-22 PL PL13151839T patent/PL2584075T3/pl unknown
- 2010-07-22 MX MX2012001605A patent/MX2012001605A/es active IP Right Grant
- 2010-07-22 PL PL13151838T patent/PL2584074T3/pl unknown
- 2010-07-22 RU RU2012108604/05A patent/RU2567949C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-08-03 TW TW099125716A patent/TW201111278A/zh unknown
-
2012
- 2012-02-03 IN IN996DEN2012 patent/IN2012DN00996A/en unknown
-
2013
- 2013-07-16 US US13/942,726 patent/US9418770B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2718927C2 (ru) * | 2015-08-14 | 2020-04-15 | Параграф Лимитед | Способ получения двумерного материала |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2584073B1 (en) | 2020-05-06 |
KR20120080168A (ko) | 2012-07-16 |
JP2013501696A (ja) | 2013-01-17 |
EP2584074B1 (en) | 2018-04-04 |
RU2567949C2 (ru) | 2015-11-10 |
EP2584073A3 (en) | 2013-07-10 |
WO2011016837A1 (en) | 2011-02-10 |
EP2462264A1 (en) | 2012-06-13 |
EP2584073A2 (en) | 2013-04-24 |
MX2012001605A (es) | 2012-06-08 |
EP2584075A2 (en) | 2013-04-24 |
EP2584074A2 (en) | 2013-04-24 |
EP2462264B1 (en) | 2018-03-14 |
CN102597336A (zh) | 2012-07-18 |
US20110030991A1 (en) | 2011-02-10 |
IN2012DN00996A (ru) | 2015-04-10 |
TW201111278A (en) | 2011-04-01 |
JP5667188B2 (ja) | 2015-02-12 |
CN102597336B (zh) | 2017-09-22 |
PL2584075T3 (pl) | 2018-11-30 |
EP2584074A3 (en) | 2013-07-10 |
KR101698228B1 (ko) | 2017-01-19 |
BR112012002814A2 (pt) | 2020-08-11 |
PL2462264T3 (pl) | 2018-07-31 |
US20130309475A1 (en) | 2013-11-21 |
US8507797B2 (en) | 2013-08-13 |
US9418770B2 (en) | 2016-08-16 |
EP2584075A3 (en) | 2013-07-10 |
EP2584075B1 (en) | 2018-04-04 |
PL2584074T3 (pl) | 2018-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2012108604A (ru) | Осаждение на большой площади и легирование графена и содержащие его продукты | |
JP2013501696A5 (ru) | ||
JP3650727B2 (ja) | 炭化珪素製造方法 | |
TW499511B (en) | Low resistance p-type single crystalline zinc oxide and its manufacturing method | |
JP2023017839A (ja) | 太陽電池の製造 | |
TW201710548A (zh) | 形成高p型摻雜鍺錫膜的方法以及包含該等膜的結構和裝置 | |
JP5414320B2 (ja) | 軽元素の熱活性化により半導体基板を処理する方法 | |
Pantha et al. | Origin of background electron concentration in In x Ga 1− x N alloys | |
CN105658848A (zh) | n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件 | |
Nakagawa et al. | On the mechanism of BaSi2 thin film formation on Si substrate by vacuum evaporation | |
JP2013056803A (ja) | β−Ga2O3系単結晶膜の製造方法 | |
TW201246287A (en) | Epitaxy of high tensile silicon alloy for tensile strain applications | |
NO333757B1 (no) | Solceller | |
US20090301864A1 (en) | Film Producing Method Using Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma, and Method and Apparatus for Producing Refined Film | |
Takahashi et al. | Alternative simple method to realize p-type BaSi2 thin films for Si heterojunction solar cell applications | |
FR2976727B1 (fr) | Procede de realisation d'une cellule photovoltaique a emetteur selectif | |
CN107731916B (zh) | 半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法 | |
US20120104557A1 (en) | Method for manufacturing a group III nitride crystal, method for manufacturing a group III nitride template, group III nitride crystal and group III nitride template | |
TWI302342B (ru) | ||
CN102719893B (zh) | p型氧化锌材料的制备方法 | |
Sushama et al. | Enhancing acceptor-based optical behavior in phosphorus-doped ZnO thin films using boron as compensating species | |
WO2012166732A2 (en) | Method of forming high growth rate, low resistivity germanium film on silicon substrate | |
JP2013056804A (ja) | β−Ga2O3系単結晶膜の製造方法及び結晶積層構造体 | |
Song et al. | Boron doped nanocrystalline silicon film characterization for solar cell application | |
Xu et al. | CMOS compatible in-situ n-type doping of ge using new generation doping agents P (MH3) 3 and As (MH3) 3 (M= Si, Ge) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200723 |