JP5054896B2 - カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス - Google Patents
カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5054896B2 JP5054896B2 JP2005093283A JP2005093283A JP5054896B2 JP 5054896 B2 JP5054896 B2 JP 5054896B2 JP 2005093283 A JP2005093283 A JP 2005093283A JP 2005093283 A JP2005093283 A JP 2005093283A JP 5054896 B2 JP5054896 B2 JP 5054896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- carbon nanowall
- nanowall
- shape
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
また、カーボンナノホーンの集合体を分散させた分散液を基材上に供給し、分散液のみを除去することによりカーボンナノホーンの集合体を基板に配置し、その後、カーボンナノホーンの集合体の一部または全部を固定材料に被覆させてナノホーン担持体を形成する技術が知られている(特許文献4)。このものでは、カーボンナノホーンを固定する固定材料を酸素プラズマエッチングにより除去することにしている。
カーボンナノウォールを構成するグラフェンシートは、基板等の基体の表面に立つ方向に延設されているものと考えられる。
図3はプラズマCVD装置1を示す。プラズマCVD装置1は、基板2を収容するチャンバー室10を有する容器11と、チャンバー室10に繋がる第1導入管12と、チャンバー室10に繋がる石英管で形成された第2導入管13と、マッチングネットワーク(Matching Network)を有する容量型のプラズマ発生源14(13.56MHz)と、第2導入管13側に配置された高周波出力装置15(RF Power)と、第1導入管12に巻回されたコイルを有するマッチングネットワーク(Matching Network)をもつ誘導型のプラズマ発生源16と、真空ポンプに繋がる吸引路17とを備える。チャンバー室10は、基板2に平行な平板電極18と、平板電極18に対向する電極兼用のヒータ19とを備える。平板電極18と基板2との間の距離は調整可能とされている。
図4はドライエッチングで使用するプラズマエッチング装置6を示す。図4に示すように、プラズマエッチング装置6は、カーボンナノウォールを保持する基板2を収容するチャンバー室60をもつ容器61と、誘導結合型のプラズマ源62と、誘導結合型のプラズマ源62を介してチャンバー室60にエッチングガスを送る導管63とを有する。誘導結合型のプラズマ源62からカーボンナノウォールまでの距離Lは適宜調整できる。導管63から導入されたエッチングガスはプラズマ化し、活性種(イオンおよび/またはラジカル)を生成する。プラズマエッチングでは、電界の方向に応じて方向性をもって入射できるイオンによるエッチングと、化学的に活性なラジカルによるエッチングとを期待することができる。このようなエッチングによりグラフェンシートのエッジ部が外部に露出する本数を形状処理前よりも増加させる。この場合、イオンによるエッチングは、カーボンナノウォールとの距離がかなり短いときには、カーボンナノウォールにダメージを与えるおそれがある。このため、等方性エッチングを期待するときには、主としてラジカルによるエッチングを行うことが好ましい。
試験例1は前記した実施例1を具体化したものである。試験例1として、図3に示すプラズマCVD装置1を用い、シリコンで形成された基板2をチャンバー室10内に配置した状態で、基板2に対して平行な平板電極18間に、炭化源原料ガス(C2F6)を第1導入管12から導入すると共に、水素ガスを第2導入管13から導入した。この場合、基板2をヒータ19により約500℃に加熱した。平板電極18と基板2との間の距離は5センチメートルであり、プラズマ発生源14の出力電力は、13.56MHz、100Wとし、容量結合型のプラズマを平板電極18と基板2との間の発生させた。また、水素ガス(H2)を第2導入管13に導入し、誘導型のプラズマ発生源16により、第2導入管13内に誘導結合型のプラズマを発生させた。この場合、高周波出力装置15の出力は、13.56MHz、400Wとした。水素ラジカルを生成させる部位は、第2導入管13(長さ200ミリメートル、内径26ミリメートル)である。
試験例3は実施例3を具体化したものであり、ヘテロ原子を含むカーボンナノウォールをプラズマエッチングする試験例である。試験例3は基本的には試験例1と同様である。試験例3として、図3に示すプラズマCVD装置1を用い、シリコンで形成された基板2をチャンバー室10内に配置した状態で、基板2と平板電極18との間に、炭化源原料ガス(C2F6)を第1導入管12から導入する。この場合、基板2をヒータ19により約500℃に加熱した。平板電極18と基板2との間の距離は5センチメートルであり、プラズマ発生源14の出力電力は、13.56MHz、100Wとし、容量結合型のプラズマを平板電極18と基板2との間に発生させた。また、水素ガス(H2)と窒素ガス(N2)とを第2導入管13からチャンバー室10に導入し、高周波出力装置15により、第2導入管13内に誘導結合型プラズマを発生させた。この場合、高周波出力装置15の出力は、13.56MHz、400Wとした。水素ラジカル、窒素ラジカルを生成させる部位は第2導入管13内である。このようなラジカルを利用するプラズマCVD法により、窒素をドープしたカーボンナノウォールをシリコン製の基板2に堆積させた。
本例は、上記したカーボンナノウォールを搭載するデバイスを示す。
(1)図15は、プラズマエッチングしたカーボンナノウォールを搭載するDRAMスタクトキャパシタに適用した例を模式的に示す。図15に示すように、キャパシタ3は、導電性をもつ第1電極31および第2電極32と、第1電極31と第2電極32との挟まれた誘電物質相33とを備えている。第1電極31および第2電極32は伝導領域として機能する。第1電極31は蓄電電極であり、基板2に搭載されている。カーボンナノウォールは、上記したラジカルプラズマCVD法により、基体として機能する第1電極31の表面に立壁状に形成されている。第1電極31の表面に形成されているカーボンナノウォールの上に、薄膜状の誘電物質相33が積層されている。この場合、誘電物質相33としては、CVD法、PVD法(スパッタ法、イオンプレーティング法等)、メッキ法、ゾル−ゲル法等の成膜方法により、カーボンナノウォールの上に誘電物質を膜状に堆積させて形成できる。ここで、カーボンナノウォールは立体的な壁で形成されており、カーボンナノウォールの表面積が飛躍的に大きくされているため、カーボンナノウォールに積層された誘電物質相33が立体型となり、誘電物質相33の表面積が飛躍的に増加している。
1.図24(A)に示すように、基体70の表面71にカーボンナノウォールを形成する工程。なお、ラジカルを用いるプラズマCVD法によれば、カーボンナノウォールの高さh、厚みt、隣接するカーボンナノウォールの間隔距離eを適宜調整できる。
2.図24(B)に示すように、隣接するカーボンナノウォールの根元部202同士の間に支持促進部72を形成する工程。支持促進部72の高さはカーボンナノウォールよりも低くすることが好ましい。従ってカーボンナノウォールは支持促進部72よりも突出している。支持促進部72はエッチングに対して耐性を有するものが好ましく、レジスト材料、絶縁物質、金属等を例示できる。支持促進部72を形成するにあたり、スピンコート法等のように、液体等のように流動性を有する物質をカーボンナノウォールの根元部202に付着するように、当該物質がカーボンナノウォール間に位置するように基体70の表面71上に配置し、その物質を固める方法を例示することもできる。なお、カーボンナノウォールが基体70の表面71に結合している強度は強いので、スピンコート法を採用してもカーボンナノウォールは基体70の表面71から剥離しない。
3.図24(C)に示すように、支持促進部72で根元部202を補強したカーボンナノウォールに対してプラズマエッチング処理等のドライエッチング処理を形状処理として施し、カーボンナノウォールの先端部201のグラフェンシート204を剥離させる工程。カーボンナノウォールを構成するグラフェンシート204同士は積層されているが、エッチングに伴い、グラフェンシート204は剥離(除去)される。これは前記したカーボンナノウォールの厚み減少とエッチング時間との関係に基づいて推察される。エッチング処理としてはプラズマエッチング等のドライエッチングを採用できる。この場合、図24(C)、図2(B)または図25(C)に例示するように、グラフェンシートのエッジ部が外部に露出する本数をドライエッチング処理の前よりも増加させることが好ましい。
1.図25(A)に示すように、基体70の表面71にカーボンナノウォールを形成する工程。
2.図25(B)に示すように、隣接するカーボンナノウォールの根元部202同士の間に支持促進部72を形成する工程。支持促進部72はエッチングに対して耐性を有するものが好ましく、レジスト材料、絶縁物質、金属等を例示できる。
3.図25(C)に示すように、支持促進部72で根元部202を補強したカーボンナノウォールに対してプラズマエッチング処理等のドライエッチング処理を施し、カーボンナノウォールの先端部201のグラフェンシート204のエッジ部の露出度(エッジ部を構成するグラフェンシートのエッジ部が外部に露出する本数を増加させる)を高める工程。
(付記項1)基体の表面にカーボンナノウォールを立壁状に形成する工程と、基体の表面に形成されているカーボンナノウォールの根元部を支持促進部で支持してカーボンナノウォールの支持性を高める工程とを実施することを特徴とするカーボンナノウォールの処理方法。この場合、カーボンナノウォールのグラフェンシートの積層数を減少させるとき等においても、カーボンナノウォールの支持性を高めることができる。
(付記項2)基体と、基体に立壁状に設けられたカーボンナノウォールと、カーボンナノウォールの根元部を補強支持してカーボンナノウォールの支持性を高める支持促進部とを具備することを特徴とするカーボンナノウォールデバイス。この場合、カーボンナノウォールのグラフェンシートの積層数を減少させるとき等においても、カーボンナノウォールの支持性を高めることができる。
(付記項3)基体と、炭素六角網で形成されたグラフェンシートがこれの厚み方向に積層された立壁状の立体構造をもつように前記基体に立壁状に設けられたカーボンナノウォールと、前記カーボンナノウォールの根元部を補強支持してカーボンナノウォールの支持性を高める支持促進部とを具備しており、
前記カーボンナノウォールは、前記カーボンナノウォールを構成するグラフェンシートの一部である先端部が形状処理により除去されて少なくとも先端部の厚みが根元部の厚みよりも減少していることを特徴とするカーボンナノウォールデバイス。
(付記項4)基体と、炭素六角網で形成されたグラフェンシートがこれの厚み方向に積層された立壁状の立体構造をもつように前記基体に立壁状に設けられたカーボンナノウォールと、前記カーボンナノウォールの根元部を補強支持してカーボンナノウォールの支持性を高める支持促進部とを具備しており、
前記カーボンナノウォールを構成するグラフェンシートの一部である先端部が形状処理により除去されてグラフェンシートのエッジ部が露出していることを特徴とするカーボンナノウォールデバイス。
Claims (11)
- 炭素六角網で形成されたグラフェンシートがこれの厚み方向に積層され且つ基体の表面に立壁状に形成された立体構造をもつカーボンナノウォールに対して、グラフェンシートのエッジ部が外部に露出する本数を形状処理前よりも増加させるように、カーボンナノウォールを構成するグラフェンシートの一部である先端部の少なくとも一部を除去する形状処理を行なうことを特徴とし、
形状処理前の前記カーボンナノウォールは年輪状に形成されるカーボンナノウォールの処理方法。 - 炭素六角網で形成されたグラフェンシートがこれの厚み方向に積層された立壁状の立体構造をもつカーボンナノウォールを基体の表面に立壁状に形成する工程と、
基体の表面に立壁状に形成されたカーボンナノウォールの根元部を支持促進部で支持してカーボンナノウォールの支持性を高める工程と、
前記支持促進部で支持性を高めた前記カーボンナノウォールに対して、グラフェンシートのエッジ部が外部に露出する本数を形状処理前よりも増加させるように、カーボンナノウォールを構成するグラフェンシートの一部である先端部の少なくとも一部を除去する形状処理を行う工程とを実施することを特徴とし、
形状処理前の前記カーボンナノウォールは年輪状に形成されるカーボンナノウォールの処理方法。 - 請求項1または2において、前記形状処理はドライエッチング処理であることを特徴とするカーボンナノウォールの処理方法。
- 請求項3において、前記ドライエッチング処理は、ラジカルおよび/またはイオンを用いるエッチングであることを特徴とするカーボンナノウォールの処理方法。
- 請求項1〜請求項4のうちのいずれか一項において、ヘテロ原子が含有されていることを特徴とするカーボンナノウォールの処理方法。
- 請求項5において、前記ヘテロ原子は窒素および/またはボロンであることを特徴とするカーボンナノウォールの処理方法。
- 炭素六角網で形成されたグラフェンシートがこれの厚み方向に積層され且つ基体の表面に設けられた立壁状の立体構造をもつカーボンナノウォールであって、カーボンナノウォールを構成するグラフェンシートの一部である先端部が除去され、グラフェンシートのエッジ部が外部に露出する本数を形状処理前よりも増加させるようにグラフェンシートが形状処理されていることを特徴とし、
形状処理前の前記カーボンナノウォールは年輪状に形成されるカーボンナノウォール。 - 請求項7において、厚みが1ナノメートル〜1000ナノメートルであり、少なくとも先端部の厚みが根元部に比較して減少されていることを特徴とするカーボンナノウォール。
- 請求項7において、形状処理前の前記グラフェンシートの少なくとも先端部の積層数は単一層または5層以下とされていることを特徴とするカーボンナノウォール。
- 請求項7〜請求項9のうちのいずれか一項において、ヘテロ原子が含有されていることを特徴とするカーボンナノウォール。
- 請求項10において、前記ヘテロ原子は窒素および/またはボロンであることを特徴とするカーボンナノウォール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005093283A JP5054896B2 (ja) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005093283A JP5054896B2 (ja) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006272491A JP2006272491A (ja) | 2006-10-12 |
JP5054896B2 true JP5054896B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=37207724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005093283A Active JP5054896B2 (ja) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5054896B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006331998A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Dialight Japan Co Ltd | 平面電子源 |
JP4975289B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-07-11 | 国立大学法人名古屋大学 | カーボンナノウォールを用いた電子素子 |
JP2008239357A (ja) * | 2007-03-25 | 2008-10-09 | Univ Nagoya | カーボンナノウォールの製造方法 |
US7790242B1 (en) | 2007-10-09 | 2010-09-07 | University Of Louisville Research Foundation, Inc. | Method for electrostatic deposition of graphene on a substrate |
FR2937343B1 (fr) * | 2008-10-17 | 2011-09-02 | Ecole Polytech | Procede de croissance controlee de film de graphene |
KR101681950B1 (ko) | 2009-01-15 | 2016-12-05 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 에지의 화학적 변형 방법 및 이에 의하여 얻어진 그라펜 |
US10164135B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-12-25 | Guardian Glass, LLC | Electronic device including graphene-based layer(s), and/or method or making the same |
US10167572B2 (en) * | 2009-08-07 | 2019-01-01 | Guardian Glass, LLC | Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same |
US8507797B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-08-13 | Guardian Industries Corp. | Large area deposition and doping of graphene, and products including the same |
KR101129930B1 (ko) | 2010-03-09 | 2012-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그의 형성 방법 |
JP2012041249A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Nagoya Univ | カーボンナノ構造体の製造方法 |
JP5629570B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-11-19 | 株式会社日立製作所 | グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置 |
JP5800294B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-10-28 | 株式会社Ihi | 金属を担持するナノグラファイトの製造方法 |
EP2792639B1 (en) * | 2011-12-12 | 2019-03-20 | Panasonic Corporation | Carbon-based material, electrode catalyst, oxygen reduction electrode catalyst, gas diffusion electrode, aqueous solution electrolysis device, and method of preparing carbon-based material |
JP5971840B2 (ja) * | 2012-02-20 | 2016-08-17 | 株式会社Ihi | 窒素導入方法 |
JP5987546B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2016-09-07 | 株式会社Ihi | ナノ構造物の製造方法、および、ナノ構造物 |
US9236488B2 (en) | 2012-08-23 | 2016-01-12 | Chubu University Educational Foundation | Thin film transistor and method for producing same |
JP5972735B2 (ja) | 2012-09-21 | 2016-08-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP5510522B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-06-04 | 富士通株式会社 | グラフェンシート系材料の処理方法 |
JP5988304B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2016-09-07 | 学校法人中部大学 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US10431354B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-10-01 | Guardian Glass, LLC | Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices |
US9593019B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-14 | Guardian Industries Corp. | Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices |
JP5888685B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2016-03-22 | 国立大学法人名古屋大学 | カーボンナノウォールを用いた電子デバイス |
US10145005B2 (en) | 2015-08-19 | 2018-12-04 | Guardian Glass, LLC | Techniques for low temperature direct graphene growth on glass |
JP6834683B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-02-24 | 株式会社Ihi | センサ製造システム、および、センサ製造方法 |
KR102320909B1 (ko) * | 2021-05-07 | 2021-11-02 | 한밭대학교 산학협력단 | 탄소 나노월 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 리튬 이차전지용 음극 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3534236B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2004-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 電子放出素子及び電子放出源とそれらの製造方法並びにそれらを使用した画像表示装置及びその製造方法 |
JP3632682B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2005-03-23 | ソニー株式会社 | 電子放出体の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 |
JP2004362960A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Akio Hiraki | 電子放出素子およびその製造方法 |
JP2005059167A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Sony Corp | 微細構造体の製造方法および微細構造体、ならびに記録装置の製造方法および記録装置 |
JP2005072345A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Toshio Goto | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2005
- 2005-03-28 JP JP2005093283A patent/JP5054896B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006272491A (ja) | 2006-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5054896B2 (ja) | カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス | |
JP4766895B2 (ja) | カーボンナノウォールデバイス | |
JP5242009B2 (ja) | カーボンナノウォールを用いた光起電力素子 | |
US8420043B2 (en) | Nano-crystal diamond film, manufacturing method thereof, and device using nano-crystal diamond film | |
JP4855758B2 (ja) | 針状突起配列構造を表面に有するダイヤモンドの製造方法 | |
Huang et al. | SnO 2 nanorod arrays: low temperature growth, surface modification and field emission properties | |
CN101086940B (zh) | 场发射阴极装置的制造方法 | |
US20130130011A1 (en) | Method for preparing graphene, graphene sheet, and device using same | |
US11005046B2 (en) | Carbon nanotube array, material, electronic device, process for producing carbon nanotube array, and process for producing field effect transistor | |
US20200013560A1 (en) | Deposited carbon film on etched silicon for on-chip supercapacitor | |
US20100212728A1 (en) | Diode and Photovoltaic Device Using Carbon Nanostructure | |
Klimin et al. | Research of using plasma methods for formation field emitters based on carbon nanoscale structures | |
EP3931150A1 (en) | Vertical branched graphene | |
JP5116961B2 (ja) | カーボンナノウォールを用いたダイオード | |
JP3792977B2 (ja) | 電子放出膜及び電界放出型冷陰極デバイス | |
Yu et al. | Patterned carbon nanotube field emitter using the regular array of an anodic aluminium oxide template | |
EP2727127A1 (en) | Device comprising nanostructures and method of manufacturing thereof | |
JP2000260721A (ja) | 化学的気相成長装置、化学的気相成長方法および化学的気相成長装置のクリーニング方法 | |
JP4975289B2 (ja) | カーボンナノウォールを用いた電子素子 | |
Cho et al. | Monolayer Graphene Grown on Nanoscale Pt Films Deposited on TiO2 Substrates for Micro-and Nanoelectromechanical Systems | |
JP7280564B2 (ja) | カーボンナノチューブ電極及びこれを用いた蓄電デバイス | |
JP5856303B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP4802321B2 (ja) | カーボンナノチューブ成長方法 | |
KR101242349B1 (ko) | 탄소나노튜브 전자소자와 그 제조방법 | |
Wong et al. | Field emitter using multiwalled carbon nanotubes grown on the silicon tip region by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100517 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101117 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20101224 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110218 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20111014 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111014 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120604 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120730 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5054896 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |