PL211045B1 - Sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych oraz urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych - Google Patents

Sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych oraz urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych

Info

Publication number
PL211045B1
PL211045B1 PL371238A PL37123803A PL211045B1 PL 211045 B1 PL211045 B1 PL 211045B1 PL 371238 A PL371238 A PL 371238A PL 37123803 A PL37123803 A PL 37123803A PL 211045 B1 PL211045 B1 PL 211045B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
space
sampling device
dry fluid
fluid
dry
Prior art date
Application number
PL371238A
Other languages
English (en)
Other versions
PL371238A1 (pl
Inventor
Erich Reitinger
Original Assignee
Ers Electronic Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=28798441&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=PL211045(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Ers Electronic Gmbh filed Critical Ers Electronic Gmbh
Publication of PL371238A1 publication Critical patent/PL371238A1/pl
Publication of PL211045B1 publication Critical patent/PL211045B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)

Description

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211045 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 371238 (51) Int.Cl.
(22) Data zgłoszenia: 15.04.2003 H01L 21/00 (2006.01) (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego:
15.04.2003, PCT/EP03/003937 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:
23.10.2003, WO03/088323
Sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych (54) oraz urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych
(30) Pierwszeństwo: 15.04.2002, DE, 10216786.9 (73) Uprawniony z patentu: ERS ELECTRONIC GMBH, Germering, DE
(43) Zgłoszenie ogłoszono: 13.06.2005 BUP 12/05 (72) Twórca(y) wynalazku: ERICH REITINGER, Μϋη^η, DE
(45) O udzieleniu patentu ogłoszono: 30.04.2012 WUP 04/12 (74) Pełnomocnik: rzecz. pat. Marek Ginter
PL 211 045 B1
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych oraz urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych.
Znane jest przeprowadzanie pomiarów próbnych na płytkach półprzewodnikowych, które zwykle odbywa się w zakresie temperatur między -200°C i +400°C. W celu przeprowadzenia obróbki cieplnej, płytka półprzewodnikowa wkładana jest do urządzenia próbkującego, które jest chłodzone i/lub ogrzewane do żądanej temperatury. W czasie procesu konieczne jest zapewnienie, aby temperatura płytki półprzewodnikowej nie spadała poniżej punktu rosy otaczającego ośrodka gazowego, gdyż w przeciwnym przypadku na powierzchni takiej płytki kondensuje się wilgoć i następuje jej oblodzenie, które przeszkadza w przeprowadzeniu pomiarów próbnych, albo je uniemożliwia.
Celem przedmiotowego wynalazku jest w szczególności sposób i urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych, które umożliwiają skuteczniejsze niż dotąd kondycjonowanie.
Sposób i urządzenie według wynalazku mają, w porównaniu z podobnym rozwiązaniem znanym ze stanu techniki, taką korzyść, że suchy gaz, na przykład, wysuszone powietrze, może zostać efektywnie wykorzystane. Ponadto, korzyściami są wysoki poziom niezawodności eksploatacyjnej oraz fakt, że zapewniony jest brak oblodzenia i kondensacji, ponieważ suche powietrze opuszczające urządzenie próbkujące trzymające płytkę półprzewodnikową/element hybrydowy, ma zwykle temperaturę poniżej temperatury punktu rosy panującej w takim urządzeniu próbkującym.
Zgodnie z wynalazkiem sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych umieszczonych w urządzeniu próbkującym trzymającym te płytki półprzewodnikowe elementy hybrydowe, które usytuowane jest w co najmniej częściowo zamkniętej przestrzeni, i przez które przeprowadza się suchy płyn dla dokonania regulacji temperatury tego urządzenia, charakteryzuje się tym, że
- co najmniej część suchego pł ynu wypł ywają cego z urzą dzenia próbkują cego stosuje się do kondycjonowania atmosfery wewnątrz przestrzeni, zasadniczo zamkniętej przez pojemnik,
- część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego poddaje się najpierw regulacji temperatury, a następnie umożliwia się wypływ tego płynu wewnątrz przestrzeni,
- część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego poddaje się regulacji temperatury, przy czym tę część suchego powietrza stosuje się do chłodzenia wstępnego płynu w wymienniku ciepła na zewnątrz przestrzeni, zanim ta część suchego płynu ma możliwość wypływu wewnątrz tej przestrzeni.
Korzystnie, część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego poddaje się regulacji temperatury na zewnątrz przestrzeni, po czym tę część suchego płynu zawraca się do tej przestrzeni.
Korzystnie, pierwszą część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego poddaje się regulacji temperatury, a następnie umożliwia się wypływ tego płynu wewnątrz przestrzeni, a drugiej części suchego płynu umożliwia się wypływ wewnątrz przestrzeni bezpośrednio po tym, jak płyn ten wypływa z urządzenia próbkującego.
Korzystnie, co najmniej jedną z pierwszej części suchego płynu i z wymienionej drugiej części tego płynu reguluje się w zakresie natężenia przepływu.
Natomiast urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych, charakteryzuje się tym, że posiada:
- co najmniej częściowo zamkniętą przestrzeń, zasadniczo zamkniętą przez pojemnik, przy czym ta przestrzeń posiada urządzenie próbkujące trzymające te płytki półprzewodnikowe/elementy hybrydowe, umieszczone w wymienionej przestrzeni, oraz zespół przewodów do przeprowadzania suchego płynu przez urządzenie próbkujące dla regulowania temperatury urządzenia próbkującego i do wprowadzania co najmniej części tego suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego do przestrzeni dla kondycjonowania atmosfery w przestrzeni, przy czym wymieniony zespół przewodów zawiera pierwszy przewód, przez który suchy płyn wprowadzany jest do urządzenia próbkującego z zewnątrz przestrzeni,
PL 211 045 B1 drugi przewód, przez który suchy płyn wyprowadzany jest z urządzenia próbkującego na zewnątrz przestrzeni, oraz trzeci przewód, przez który suchy płyn zawracany jest z zewnątrz przestrzeni do tej przestrzeni, przy czym między drugim przewodem i trzecim przewodem usytuowane jest urządzenie regulujące temperaturę, a które to urzą dzenie regulujące temperaturę posiada wymiennik ciepła, do którego wprowadzana jest co najmniej część suchego płynu wypływającego z przestrzeni, zaś wymiennik ciepła użyty jest do chłodzenia wstępnego dostarczanego płynu, natomiast zespół przewodów połączony jest z wymiennikiem ciepła, a część suchego płynu wypływającego z wymiennika ciepła zawracana jest co najmniej częściowo do przestrzeni dla kondycjonowania atmosfery.
Korzystnie, elementy wypływowe zamontowane są przy końcu trzeciego przewodu.
Korzystnie, zespół przewodów posiada czwarty przewód, przez który suchy płyn prowadzony jest z urządzenia próbkującego do wymienionej przestrzeni.
Korzystnie, na czwartym przewodzie zamontowany jest zawór do regulowania natężenia przepływu w tym przewodzie.
Korzystnie, urządzenie regulujące temperaturę posiada wymiennik ciepła.
Korzystnie, urządzenie to posiada dodatkowy przewód, przez który suchy płyn jest prowadzony dodatkowo bezpośrednio do przestrzeni z zewnątrz przestrzeni.
Pomysł, na którym oparty jest obecny wynalazek, jest taki, że co najmniej część gazu opuszczającego urządzenie próbkujące trzymające płytkę półprzewodnikową/element hybrydowy jest użyta do kondycjonowania atmosfery przestrzeni, w której znajduje się urządzenie próbkujące. W rozwiązaniu według niniejszego wynalazku, powietrze chłodzące jest dlatego wykorzystywane równocześnie co najmniej częściowo jako powietrze suche. Jest korzystne, jeśli część gazu jest najpierw obrabiana cieplnie, a następnie umożliwia się wypłynięcie tej części gazu wewnątrz wymienionej przestrzeni.
Na przykład, część gazu obrabiana jest cieplnie na zewnątrz pojemnika, a następnie dostarczana jest z powrotem do pojemnika. Szczególną korzyścią tego przykładu jest to, że umożliwiony jest wyższy poziom skuteczności chłodzenia przez odpowiednie dostarczanie powrotne powietrza z urządzenia próbkującego na zewnątrz pojemnika. Inaczej mówiąc, dostarczanie powrotne ochłodzonego powietrza może zostać dodatkowo użyte albo do wstępnego chłodzenia dostarczanego wysuszonego powietrza albo do ochładzania określonych zespołów, a nie tylko dla ochładzania urządzenia próbkującego trzymającego płytkę półprzewodnikową/element hybrydowy.
Jednak, jest to alternatywnie lub dodatkowo możliwe, że część gazu może wypływać wewnątrz pojemnika bezpośrednio po tym, jak opuści urządzenie próbkujące. Ponieważ nie jest stosowne umożliwienie wypływu bezpośrednio przy wszystkich temperaturach, dla tej części gazu powinien zostać przewidziany odpowiedni zawór regulacyjny.
Korzystne rozwiązania i ulepszenia poszczególnych wykonań wynalazku podane są w zastrzeżeniach zależnych.
Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykładach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schematycznie pierwszy przykład wykonania urządzenia do kondycjonowania, według wynalazku, fig. 2 przedstawia schematycznie drugi przykład wykonania urządzenia do kondycjonowania, według wynalazku, fig. 3 przedstawia schematycznie, w przekroju, trzeci przykład wykonania urządzenia do kondycjonowania, według wynalazku, fig. 4 przedstawia schematycznie, w przekroju, czwarty przykład wykonania urządzenia do kondycjonowania, według wynalazku, a fig. 5 przedstawia schematycznie, w przekroju, urządzenie do kondycjonowania przeznaczone do wyjaśnienia zagadnień na których bazuje niniejszy wynalazek.
Na rysunku identyczne odnośniki liczbowe wskazują identyczne albo funkcjonalnie identyczne elementy składowe.
Figura 1 jest schematyczną ilustracją pierwszego przykładu wykonania urządzenia do kondycjonowania, według wynalazku.
Odnośnik 80' oznacza zmodyfikowany regulator temperatury, który może nie tylko regulować temperaturę urządzenia próbkującego 10 za pomocą urządzenia grzewczego 90, ale również połączony jest z czujnikiem pomiarowym 100 punktu rosy przewodem e2, i może w ten sposób zainicjować automatyczne ogrzewanie kompensacyjne, gdy występuje ryzyko skraplania wody/oblodzenia.
W pierwszym przykładzie wykonania według fig. 1, urządzenie grzewcze 105 jest dodatkowo zintegrowane z urządzeniem regulującym temperaturę 70 i nie jest w bezpośrednim kontakcie z wy4
PL 211 045 B1 miennikiem ciepła 95. Przewód r3, zamiast mieć wylot do otaczającej atmosfery, prowadzony jest do urządzenia grzewczego 105 tak, aby powietrze suche, które opuściło urządzenie próbkujące 10 było doprowadzane jak gdyby z powrotem do stanowiska regulacji temperatury 2, a potem, aby przeszło przez urządzenie grzewcze 105 i było doprowadzane z powrotem przewodem r4 do pojemnika 5, w którym wypływa ono do przestrzeni 1 elementami wypływowymi 40 dla kondycjonowania atmosfery.
Odnośnik 4 oznacza czujnik temperatury dla odczytywania temperatury w przestrzeni 1, który to czujnik dostarcza odpowiedni sygnał temperaturowy TS do urządzenia regulującego temperaturę 70, które użyte jest do regulowania temperatury urządzenia grzewczego 105.
Dzięki takiemu rozwiązaniu, wysuszone powietrze może spełniać podwójną funkcję, w szczególności najpierw ochładzać urządzenie próbkujące 10, a następnie kondycjonować atmosferę przestrzeni 1 zanim zawrócone zostanie do otaczającej atmosfery przez otwory w pojemniku 5, i przez to jest bardziej efektywnie wykorzystane.
Figura 2 jest schematyczną ilustracją drugiego przykładu wykonania urządzenia do kondycjonowania, według wynalazku.
W drugim przykładzie wykonania zgodnym z fig. 2, przewód r5 odchodzi od przewodu r2 bezpośrednio przed urządzeniem próbkującym 10, i jest również poprowadzony przez urządzenie próbkujące 10 w postaci wężownicy chłodzącej lub rury chłodzącej, ale następnie opuszcza urządzenie próbkujące 10 w innym miejscu niż przewód r3, i stąd przez regulowany zawór wylotowy 45, który prowadzi odpowiednio wysuszone powietrze bezpośrednio do pojemnika 5, opuszcza urządzenie próbkujące 10.
Ponieważ prowadziłoby to do problemów przy bardzo niskich temperaturach w niektórych zastosowaniach, ta opcja przeprowadzania suchego gazu przez przewód r5 do pojemnika 5, może zostać wyregulowana za pomocą zaworu wylotowego 45. Regulacja może zostać przeprowadzana w przyjęty sposób, na przykład, przez zdalne sterowanie albo w sposób regulowany przewodowo.
Pozostała część drugiego przykładu wykonania zaprojektowana jest identycznie jak pierwszy przykład wykonania opisany powyżej.
Figura 3 pokazuje schematycznie, w przekroju, trzeci przykład wykonania urządzenia do kondycjonowania według wynalazku.
Odnośnik 80 oznacza następny zmodyfikowany regulator temperatury, który również reguluje temperaturę urządzenia regulacyjnego 70 przewodem sterującym ST, a przez to pełni rolę centralnego układu regulacji temperatury.
W trzecim przykładzie wykonania, zgodnym z fig. 3, część suchego powietrza, która zawracana jest przewodem r3, jest odgałęziona przed urządzeniem grzewczym 105 przez przewód i3 i prowadzona jest przez wymiennik ciepła 95, gdzie przyczynia się do chłodzenia w ten sam sposób jak powietrze suche, które jest świeżo dostarczone przez przewody r0, i1. Powietrze suche opuszcza wymiennik ciepła 95 przewodem i4, i bezpośrednio za urządzeniem grzewczym 105 łączy się z powietrzem, które przepłynęło przez urządzenie grzewcze 105. Z odpowiedniego miejsca połączenia, to wysuszone powietrze prowadzone jest, dokładnie tą samą drogą jak w pierwszym przykładzie wykonania, przewodem r4 i elementami wypływowymi 40 do pojemnika 5 do kondycjonowania jego atmosfery.
Ponadto, ten przykład wykonania zawiera regulowany zawór mieszający 46 i przewód obejściowy r10, za pomocą którego ominięty może zostać wymiennik ciepła 95.
Szczególna korzyść tego przykładu wykonania jest taka, że „pozostały chłód suchego powietrza, które płynie z powrotem od urządzenia próbkującego 10 może zostać użyty do ochładzania wymiennika ciepła i równocześnie może zostać dostarczany z powrotem do pojemnika 5 po ogrzaniu.
Pozostała część urządzenia według trzeciego przykładu wykonania zbudowana jest w ten sam sposób jak pierwszego przykładu wykonania opisanego powyżej.
Figura 4 jest schematycznym widokiem, w przekroju, czwartego przykładu wykonania urządzenia do kondycjonowania według wynalazku.
Na fig. 4, odnośnik 1 oznacza przestrzeń w pojemniku 5, w którym może być umieszczone urządzenie próbkujące 10 o regulowanej temperaturze, i na którym może zostać umieszczona płytka półprzewodnikowa (nie pokazana) dla celów próbnych. Objętość pojemnika 5 zwykle wynosi od 400 do 800 litrów.
Przestrzeń 1 zasadniczo zamknięta jest ścianami pojemnika 5, które mają izolatory przepustowe dla przewodów elektrycznych i dla przewodów zasilania mediami, jak również, jeśli jest to odpowiednie, izolatory przepustowe dla sond, 10 które mają zostać przymocowane na zewnątrz, i którymi
PL 211 045 B1 mają być przeprowadzone próbne pomiary pokazanej płytki półprzewodnikowej. Jednak, przestrzeń 1 nie musi być hermetycznie zamknięta w pojemniku 5, ale w zależności od zastosowania, powinna być otoczona co najmniej w takim zakresie, który zapobiegałby niepożądanej penetracji wilgotnego powietrza z otoczenia w wyniku wytworzonego nadciśnienia wewnętrznego.
Urządzenie próbkujące 10 (określane również jako uchwyt) ma izolację cieplną 15, przez którą jest ono połączone ze zwykle ruchomą podstawą 20. Odpowiedni mechanizm napędowy (nie pokazany), jest na ogół nastawny wzdłuż kierunków X, Y i Z. Jeśli mechanizm napędowy nie jest umieszczony w pojemniku, to między podstawą 20 i pojemnikiem 5 musi zostać zachowana szczelność.
Ponadto, urządzenie grzewcze 90, które może być zasilane z zewnątrz prądem elektrycznym dla celów grzewczych, i które ma czujnik temperatury (nie pokazany) jest trwale połączone z urządzeniem próbkującym 10.
Odnośnik 100 oznacza czujnik pomiarowy punktu rosy, za pomocą którego może zostać określony punkt rosy w pojemniku 5, i który może dostarczyć odpowiedni sygnał do monitora 101 znajdującego się na zewnątrz pojemnika 5. Czujnik pomiarowy 100 punktu rosy stosowany jest w szczególności, aby zapewnić niezawodność przy otwieraniu urządzenia tak, aby przykładowo mogło być przeprowadzone ogrzewanie kompensacyjne dla uniknięcia kondensacji pary wodnej.
Ponadto, urządzenie zawiera elementy wypływowe 30 (oBdA, przy czym tylko dwa są pokazane), przez które wysuszone powietrze z zewnątrz, albo podobny płyn, taki jak, na przykład, azot, może być wprowadzane przez przewód r1 do pojemnika, w celu wyparcia wilgotnego powietrza z pojemnika 5. To powietrze jest przede wszystkim dostarczane z zewnątrz do suszarki powietrznej 3 przez przewód r00, a następnie dostarczane do przewodu r1
Oddzielna jednostka, która połączona jest z pojemnikiem 5 odpowiednim przewodem elektrycznym i przewodem zasilania mediami r2, jest stanowiskiem 5 regulacji temperatury 2, które ma urządzenia opisane poniżej.
Odnośnik 80 oznacza regulator temperatury, który może regulować temperaturę urządzenia próbkującego 10 przez ogrzewanie za pomocą urządzenia grzewczego 90, przy czym urządzenie próbkujące 10 jest równocześnie albo na zmianę płukane powietrzem, w celu ochłodzenia, jak to dokładniej wyjaśniono poniżej.
Odnośnik 70 oznacza urządzenie regulujące temperaturę, do którego dostarczane jest suche powietrze przewodem r0 i i1 na przykład, z butli gazowej lub z suszarki powietrznej, i które ma wymiennik ciepła 95, który połączony jest z zespołami chłodzącymi 71, 72, za pomocą których, ten wymiennik ciepła może zostać ochłodzony do z góry określonej temperatury.
Wysuszone powietrze, które jest dostarczane przewodem r0, i1 jest prowadzone przez wymiennik ciepła 95, a następnie dostarczane przewodem zasilania r2 do pojemnika 5, do urządzenia próbkującego 10, przez które przechodzi w odpowiednich wężownicach chłodzących albo przewodach chłodzących (nie pokazanych). Wysuszone powietrze, które ochładza urządzenie próbkujące 10, opuszcza je przewodem r3, i jest wyprowadzane na zewnątrz pojemnika 5 do atmosfery.
Wysuszone powietrze, które jest prowadzone do pojemnika 5 przez elementy wypływowe 30, w celu kondycjonowania atmosfery pojemnika 5 jest zwykle utrzymywane w temperaturze pokojowej tak, że tylko powierzchnia urządzenia próbkującego 10 utrzymywana jest w żądanej temperaturze pomiarowej, na przykład, wynoszącej -20°C, ale inne elementy w pojemniku 5 mają w przybliżeniu temperaturę pokojową. To wysuszone powietrze, które jest dostarczane przez elementy wypływowe 30 wypływa z pojemnika 5 przez rozcięcia albo szpary (nie pokazane) albo przez oddzielny przewód wylotowy.
Fakt, że występuje stosunkowo wysokie zużycie suchego powietrza, ponieważ powietrze to, z jednej strony, dla kondycjonowania atmosfery, i z drugiej strony, dla ochładzania urządzenia próbkującego 10, przedmuchiwane jest przez pojemnik 5 do atmosfery, wykazuje wady tego znanego urządzenia do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych. W rezultacie, zużycie suchego powietrza jest stosunkowo wysokie. Brak suszarki powietrznej 3 również doprowadza prawie do natychmiastowego oblodzenia badanej płytki w odnośnych temperaturach.
Z tego powodu, przedmiotem niniejszego wynalazku jest w szczególności sposób i urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych, które umożliwiają skuteczniejsze kondycjonowanie.
Odnośnik 85 na fig. 4 oznacza dodatkowy regulator gazu i temperatury, do którego suchy gaz, na przykład, wysuszone powietrze, dostarczany jest przewodami r0, i2, z tego samego źródła gazu jak dla wymiennika ciepła 95, przy czym to powietrze zawarte jest we wstępnie określonej temperaturze
PL 211 045 B1 przez wymieniony regulator, a następnie prowadzone jest do wnętrza pojemnika 5 przewodem r1 i przez element wypływowy 30.
Stąd, bezpośrednie dostarczanie suchego powietrza przez element wypływowy 30 w pojemniku 5 przewidziane jest dodatkowo w tym przykładzie wykonania, ale to dostarczanie może zostać również zaprojektowane i tak, aby mogło być wyłączone jeśli natężenie przepływu przez urządzenie próbkujące 10 okaże się zupełnie wystarczające do kondycjonowania atmosfery w pojemniku 5.
Chociaż, niniejszy wynalazek opisany został powyżej w nawiązaniu do korzystnych przykładów wykonania, to nie jest on jednak do nich ograniczony, ale może być zmodyfikowany na wiele sposobów.
W szczególności, należy zauważyć, że powyższe przykłady wykonania mogą być oczywiście łączone ze sobą. Przewidziane mogą być też dodatkowe połączenia przewodami oraz zawory regulacyjne dla odpowiedniego przepływu gazu, który może być regulowany ręcznie albo elektrycznie.
Ponadto, pozostałość chłodu z dostarczanego drogą powrotną gazu może zostać użyta nie tylko do ochładzania wymiennika ciepła 95, ale również do ochładzania wszelkich innych potrzebnych zespołów albo wymienników ciepła, zanim ta pozostałość chłodu nie zostanie zawrócona do pojemnika 5.
Na fig. 5 pokazano schematycznie, w przekroju, urządzenie do kondycjonowania w celu wyjaśnienia zagadnień, na których opiera się niniejszy wynalazek.
Wynalazek nie jest też ograniczony tylko do powietrza suchego w stanie gazowym, ale może on być w zasadzie zastosowany do wszelkich innych płynów.
Ponadto, urządzenie próbkujące trzymające płytkę półprzewodnikową/element hybrydowy, nie jest ograniczone do urządzenia próbkującego albo uchwytu, ale może zostać zamienione w miarę potrzeby, na przykład, na urządzenie zaciskowe lub podobne.

Claims (10)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych umieszczonych w urządzeniu próbkującym trzymającym te płytki półprzewodnikowe/elementy hybrydowe, które usytuowane jest w co najmniej częściowo zamkniętej przestrzeni, i przez które przeprowadza się suchy płyn dla dokonania regulacji temperatury tego urządzenia, znamienny tym, że
    - co najmniej część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego (10) stosuje się do kondycjonowania atmosfery wewnątrz przestrzeni (1), zasadniczo zamkniętej przez pojemnik (5),
    - część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego (10) poddaje się najpierw regulacji temperatury, a następnie umożliwia się wypływ tego płynu wewnątrz przestrzeni (1),
    - część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego (10) poddaje się regulacji temperatury, przy czym tę część suchego powietrza stosuje się do chłodzenia wstępnego płynu w wymienniku ciepła na zewnątrz przestrzeni (1), zanim ta część suchego płynu ma możliwość wypływu wewnątrz tej przestrzeni.
  2. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego (10) poddaje się regulacji temperatury na zewnątrz przestrzeni (1), po czym tę część suchego płynu zawraca się do przestrzeni (1).
  3. 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że pierwszą część suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego (10) poddaje się regulacji temperatury, a następnie umożliwia się wypływ tego płynu wewnątrz przestrzeni (1), a drugiej części suchego płynu umożliwia się wypływ wewnątrz przestrzeni (1) bezpośrednio po tym jak płyn ten wypływa z urządzenia próbkującego (10).
  4. 4. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że co najmniej jedną z pierwszej części suchego płynu i z wymienionej drugiej części tego płynu reguluje się w zakresie natężenia przepływu.
  5. 5. Urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych, znamienne tym, że posiada:
    - co najmniej częściowo zamkniętą przestrzeń (1), zasadniczo zamkniętą przez pojemnik (5), przy czym ta przestrzeń (1) posiada urządzenie próbkujące (10) trzymające te płytki półprzewodnikowe/elementy hybrydowe, umieszczone w wymienionej przestrzeni (1), oraz zespół przewodów (r2, r3, r4, r5, i3, i4) do przeprowadzania suchego płynu przez urządzenie próbkujące (10) dla regulowania temperatury urządzenia próbkującego (10) i do wprowadzania co
    PL 211 045 B1 najmniej części tego suchego płynu wypływającego z urządzenia próbkującego (10) do przestrzeni (1 dla kondycjonowania atmosfery w przestrzeni (1), przy czym zespół przewodów (r2, r3, r4, r5, i3, i4) zawiera pierwszy przewód (r2), przez który suchy płyn wprowadzany jest do urządzenia próbkującego (10) z zewnątrz przestrzeni (1), drugi przewód (r3), przez który suchy płyn wyprowadzany jest z urządzenia próbkującego (10) na zewnątrz przestrzeni (1), oraz trzeci przewód (r4), przez który suchy płyn zawracany jest z zewnątrz przestrzeni (1) do tej przestrzeni (1), przy czym między drugim przewodem (r3) i trzecim przewodem (r4) usytuowane jest urządzenie regulujące temperaturę (70; 70, 80), a które to urządzenie regulujące temperaturę (70; 70, 80) posiada wymiennik ciepła (95), do którego wprowadzana jest co najmniej część suchego płynu wypływającego z przestrzeni (1), zaś wymiennik ciepła (95) użyty jest do chłodzenia wstępnego dostarczanego płynu, natomiast zespół przewodów (r2, r3, r4, r5, i3, i4) połączony jest z wymiennikiem ciepła (95), a część suchego płynu wypływającego z wymiennika ciepła (95) zawracana jest co najmniej częściowo do przestrzeni (1) dla kondycjonowania atmosfery.
  6. 6. Urządzenie według zastrz. 5, znamienne tym, że elementy wypływowe (40) zamontowane są przy końcu trzeciego przewodu (r3).
  7. 7. Urządzenie według zastrz. 5, znamienne tym, że zespół przewodów (r2, r3, r4, r5, i3, i4) posiada czwarty przewód (r5), przez który suchy płyn prowadzony jest z urządzenia próbkującego (10) do przestrzeni (1).
  8. 8. Urządzenie według zastrz. 7, znamienne tym, że na czwartym przewodzie (r5) zamontowany jest zawór (45) do regulowania natężenia przepływu w tym przewodzie.
  9. 9. Urządzenie według zastrz. 5, znamienne tym, że to urządzenie regulujące temperaturę (70; 70, 80) posiada wymiennik ciepła (105).
  10. 10. Urządzenie według zastrz. 5, znamienne tym, że posiada dodatkowy przewód (r1), przez który suchy płyn jest prowadzony dodatkowo bezpośrednio do przestrzeni (1) z zewnątrz przestrzeni (1).
PL371238A 2002-04-15 2003-04-15 Sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych oraz urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych PL211045B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10216786A DE10216786C5 (de) 2002-04-15 2002-04-15 Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL371238A1 PL371238A1 (pl) 2005-06-13
PL211045B1 true PL211045B1 (pl) 2012-04-30

Family

ID=28798441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL371238A PL211045B1 (pl) 2002-04-15 2003-04-15 Sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych oraz urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych

Country Status (16)

Country Link
US (1) US7900373B2 (pl)
EP (1) EP1495486B3 (pl)
JP (1) JP4070724B2 (pl)
KR (1) KR100625631B1 (pl)
CN (1) CN100378903C (pl)
AT (1) ATE341831T1 (pl)
AU (1) AU2003224079A1 (pl)
CA (1) CA2481260C (pl)
DE (2) DE10216786C5 (pl)
DK (1) DK1495486T5 (pl)
ES (1) ES2274225T7 (pl)
NO (1) NO336896B1 (pl)
PL (1) PL211045B1 (pl)
PT (1) PT1495486E (pl)
RU (1) RU2284609C2 (pl)
WO (1) WO2003088323A1 (pl)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6002263A (en) * 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6838890B2 (en) * 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6951846B2 (en) * 2002-03-07 2005-10-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Artemisinins with improved stability and bioavailability for therapeutic drug development and application
US6861856B2 (en) * 2002-12-13 2005-03-01 Cascade Microtech, Inc. Guarded tub enclosure
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US20070294047A1 (en) * 2005-06-11 2007-12-20 Leonard Hayden Calibration system
KR101492408B1 (ko) 2007-10-10 2015-02-12 캐스캐이드 마이크로텍 드레스덴 게엠베하 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기
US8596336B2 (en) * 2008-06-03 2013-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support temperature control
DE102008047337B4 (de) 2008-09-15 2010-11-25 Suss Microtec Test Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung eines Testsubstrats in einem Prober unter definierten thermischen Bedingungen
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
DE102009045291A1 (de) 2009-10-02 2011-04-07 Ers Electronic Gmbh Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterchips und Testverfahren unter Verwendung der Vorrichtung
GB0921315D0 (en) * 2009-12-05 2010-01-20 Lemay Patrick An improved opened geothermal energy system
JP5477131B2 (ja) * 2010-04-08 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TWI571941B (zh) * 2010-05-12 2017-02-21 布魯克機械公司 用於低溫冷卻的系統及方法
JP5947023B2 (ja) * 2011-11-14 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、プラズマ処理装置、処理装置及び温度制御方法
JP5942459B2 (ja) * 2012-02-14 2016-06-29 セイコーエプソン株式会社 ハンドラー、及び部品検査装置
US9377423B2 (en) * 2012-12-31 2016-06-28 Cascade Microtech, Inc. Systems and methods for handling substrates at below dew point temperatures
US20170248973A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Cascade Microtech, Inc. Probe systems and methods including active environmental control
JP6256523B2 (ja) * 2016-05-16 2018-01-10 セイコーエプソン株式会社 ハンドラー、及び部品検査装置
JP6256526B2 (ja) * 2016-05-25 2018-01-10 セイコーエプソン株式会社 ハンドラー、及び部品検査装置
JP7012558B2 (ja) * 2018-02-26 2022-01-28 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査装置の動作方法
JP2020049400A (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 東京エレクトロン株式会社 ドライエアーの生成装置、ドライエアーの生成方法、および基板処理システム
US11231455B2 (en) * 2018-12-04 2022-01-25 Temptronic Corporation System and method for controlling temperature at test sites
DE102020002962A1 (de) 2020-05-18 2021-11-18 Att Advanced Temperature Test Systems Gmbh Temperiervorrichtung, System und Verfahren zum Temperieren eines Probertisches für Halbleiterwafer und/oder Hybride

Family Cites Families (238)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3269136A (en) * 1964-12-15 1966-08-30 Umano Shuji Apparatus for separation of solvent from solute by freezing
DE1623033A1 (de) * 1966-02-24 1970-03-26 Siemens Ag Vorrichtung zur Bestimmung der photosynthetischen Leistung und der Transpirationsrate von Pflanzen
US4015340A (en) * 1975-08-20 1977-04-05 Tec Systems, Inc. Ultraviolet drying apparatus
US4079522A (en) * 1976-09-23 1978-03-21 Rca Corporation Apparatus and method for cleaning and drying semiconductors
JPS54136963A (en) * 1978-04-14 1979-10-24 Sharp Corp Hot permanent waver
GB2083600B (en) * 1980-02-28 1984-01-18 Hauni Werke Koerber & Co Kg Method and apparatus for drying tobacco
JPS609119B2 (ja) * 1981-05-29 1985-03-07 日産自動車株式会社 塗装ラインの熱回収装置
US4520252A (en) * 1981-07-07 1985-05-28 Inoue-Japax Research Incorporated Traveling-wire EDM method and apparatus with a cooled machining fluid
US4538899A (en) * 1983-02-22 1985-09-03 Savin Corporation Catalytic fixer-dryer for liquid developed electrophotocopiers
US4612978A (en) * 1983-07-14 1986-09-23 Cutchaw John M Apparatus for cooling high-density integrated circuit packages
JPS60108162A (ja) * 1983-11-16 1985-06-13 Hitachi Ltd 蒸気槽
US4531307A (en) * 1983-12-27 1985-07-30 The Maytag Company Fabric dryer control with cycle interrupt
US6327994B1 (en) * 1984-07-19 2001-12-11 Gaudencio A. Labrador Scavenger energy converter system its new applications and its control systems
US4628991A (en) * 1984-11-26 1986-12-16 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Wafer scale integrated circuit testing chuck
JPH0236276Y2 (pl) * 1985-01-10 1990-10-03
JPS6242725A (ja) * 1985-08-14 1987-02-24 Iwata Tosouki Kogyo Kk 空気除湿装置
JPS62101688A (ja) * 1985-10-30 1987-05-12 Nippon Steel Chem Co Ltd コ−クス乾式消火設備ボイラ−給水予熱方法
US4776105A (en) * 1985-12-23 1988-10-11 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Apparatus for fixing electronic parts to printed circuit board
US4724621A (en) * 1986-04-17 1988-02-16 Varian Associates, Inc. Wafer processing chuck using slanted clamping pins
JPH0834204B2 (ja) * 1986-07-02 1996-03-29 ソニー株式会社 ドライエツチング方法
US4872835A (en) * 1986-07-24 1989-10-10 Hewlett-Packard Company Hot chuck assembly for integrated circuit wafers
DE3627904A1 (de) * 1986-08-16 1988-02-18 Monforts Gmbh & Co A Konvektionstrocken- und/oder -fixiermaschine
JPH07111995B2 (ja) * 1987-09-02 1995-11-29 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
FR2631010B1 (fr) * 1988-05-06 1991-03-22 Sagem Dispositif de support et de regulation thermique d'une piece et appareillage de test de plaques de circuits semi-conducteurs incluant un tel dispositif
DE3823006C2 (de) * 1988-07-07 1994-09-08 Licentia Gmbh Gehäuse für infrarotempfindliche Bauelemente
US5038496A (en) * 1988-07-27 1991-08-13 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Vapor reflow type soldering apparatus
JPH03234021A (ja) * 1990-02-09 1991-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法
JPH03294021A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Toyoda Gosei Co Ltd 金属パイプの曲げ加工方法
US5198753A (en) * 1990-06-29 1993-03-30 Digital Equipment Corporation Integrated circuit test fixture and method
US5203401A (en) * 1990-06-29 1993-04-20 Digital Equipment Corporation Wet micro-channel wafer chuck and cooling method
US5635070A (en) * 1990-07-13 1997-06-03 Isco, Inc. Apparatus and method for supercritical fluid extraction
US5192849A (en) * 1990-08-10 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment
US5186238A (en) * 1991-04-25 1993-02-16 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing
US5088006A (en) * 1991-04-25 1992-02-11 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing
US5191506A (en) * 1991-05-02 1993-03-02 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic chuck
US5155652A (en) * 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
US5285798A (en) * 1991-06-28 1994-02-15 R. J. Reynolds Tobacco Company Tobacco smoking article with electrochemical heat source
US5698070A (en) * 1991-12-13 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Method of etching film formed on semiconductor wafer
US5310453A (en) * 1992-02-13 1994-05-10 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma process method using an electrostatic chuck
US5209028A (en) * 1992-04-15 1993-05-11 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol
US5504040A (en) * 1992-06-30 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Planarized material layer deposition using condensed-phase processing
JPH0645310A (ja) * 1992-07-27 1994-02-18 Tsukada Fuainesu:Kk 乾燥方法および乾燥装置
JP2902222B2 (ja) * 1992-08-24 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
US5564281A (en) * 1993-01-08 1996-10-15 Engelhard/Icc Method of operating hybrid air-conditioning system with fast condensing start-up
US5551245A (en) * 1995-01-25 1996-09-03 Engelhard/Icc Hybrid air-conditioning system and method of operating the same
US5649428A (en) * 1993-01-08 1997-07-22 Engelhard/Icc Hybrid air-conditioning system with improved recovery evaporator and subcool condenser coils
US5277030A (en) * 1993-01-22 1994-01-11 Welch Allyn, Inc. Preconditioning stand for cooling probe
US5556539A (en) * 1993-02-26 1996-09-17 Mitsubishi Chemical Corporation Apparatus for separating a liquid mixture by pervaporation
US5695795A (en) * 1993-03-23 1997-12-09 Labatt Brewing Company Limited Methods for chill-treating non-distilled malted barley beverages
USRE36897E (en) * 1993-03-23 2000-10-03 Labatt Brewing Company Limited Methods for chill treating non-distilled malted barley beverages
US5525780A (en) * 1993-08-31 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for uniform semiconductor material processing using induction heating with a chuck member
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
US5869114A (en) * 1994-03-18 1999-02-09 Labatt Brewing Company Limited Production of fermented malt beverages
JP2900788B2 (ja) * 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5521790A (en) * 1994-05-12 1996-05-28 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck having relatively thick and thin areas and means for uniformly cooling said thick and thin areas during chuck anodization
US5595241A (en) * 1994-10-07 1997-01-21 Sony Corporation Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member
US5967156A (en) * 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5931721A (en) * 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法
TW301761B (pl) * 1994-11-29 1997-04-01 Sharp Kk
US5517828A (en) * 1995-01-25 1996-05-21 Engelhard/Icc Hybrid air-conditioning system and method of operating the same
DE19506404C1 (de) * 1995-02-23 1996-03-14 Siemens Ag Verfahren zum Freiätzen (Separieren) und Trocknen mikromechanischer Komponenten
DE69628483T2 (de) * 1995-03-22 2003-12-18 Societe Des Produits Nestle S.A., Vevey Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Gegenständen aus gefrorenen Süsswaren
US5526578A (en) * 1995-05-17 1996-06-18 Iyer; Ramanathan K. Comb-type hair dryer
US5715612A (en) * 1995-08-17 1998-02-10 Schwenkler; Robert S. Method for precision drying surfaces
JP3000899B2 (ja) * 1995-08-31 2000-01-17 ノーリツ鋼機株式会社 感光材料処理装置
US5644467A (en) * 1995-09-28 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Method and structure for improving gas breakdown resistance and reducing the potential of arcing in a electrostatic chuck
US5775416A (en) * 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
US5720818A (en) * 1996-04-26 1998-02-24 Applied Materials, Inc. Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck
US5862605A (en) * 1996-05-24 1999-01-26 Ebara Corporation Vaporizer apparatus
US5885353A (en) * 1996-06-21 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Thermal conditioning apparatus
JP3308816B2 (ja) * 1996-07-09 2002-07-29 オリオン機械株式会社 耐薬品性熱交換器
US6170428B1 (en) * 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
JP2930109B2 (ja) * 1996-09-19 1999-08-03 日本電気株式会社 低温試験方法および低温試験装置
US6050275A (en) * 1996-09-27 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US6045624A (en) * 1996-09-27 2000-04-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US6413355B1 (en) * 1996-09-27 2002-07-02 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US5835334A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
US5764406A (en) * 1996-10-01 1998-06-09 Corning Incorporated Hydrid optical amplifier having improved dynamic gain tilt
DE19645425C2 (de) * 1996-11-04 2001-02-08 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
JP3471543B2 (ja) * 1996-11-07 2003-12-02 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板乾燥装置
US5815942A (en) * 1996-12-13 1998-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor drying system and method
US5864966A (en) * 1996-12-19 1999-02-02 California Institute Of Technology Two solvent vapor drying technique
US6099643A (en) * 1996-12-26 2000-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for processing a substrate providing an efficient arrangement and atmospheric isolation of chemical treatment section
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP3374033B2 (ja) * 1997-02-05 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JPH10284461A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Mitsubishi Electric Corp 乾燥装置および乾燥方法
JPH10284382A (ja) * 1997-04-07 1998-10-23 Komatsu Ltd 温度制御装置
US7276485B1 (en) * 1997-04-21 2007-10-02 The Procter + Gamble Co. Flowable nondigestible oil and process for making
JP3230051B2 (ja) * 1997-05-16 2001-11-19 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理方法及びその装置
JPH10321585A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Mitsubishi Electric Corp 乾燥装置および乾燥方法
JPH10321584A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Mitsubishi Electric Corp 乾燥装置および乾燥方法
US6109206A (en) * 1997-05-29 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Remote plasma source for chamber cleaning
US6286451B1 (en) * 1997-05-29 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Dome: shape and temperature controlled surfaces
US5994662A (en) * 1997-05-29 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Unique baffle to deflect remote plasma clean gases
US6077357A (en) * 1997-05-29 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Orientless wafer processing on an electrostatic chuck
US6083344A (en) * 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6189483B1 (en) * 1997-05-29 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Process kit
JP3151613B2 (ja) * 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
DE19832038A1 (de) * 1997-07-17 1999-01-28 Tokyo Electron Ltd Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
US5989462A (en) * 1997-07-31 1999-11-23 Q2100, Inc. Method and composition for producing ultraviolent blocking lenses
WO1999010927A1 (en) 1997-08-29 1999-03-04 Farrens Sharon N In situ plasma wafer bonding method
US6354311B1 (en) * 1997-09-10 2002-03-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate drying apparatus and substrate processing apparatus
US6254809B1 (en) * 1998-05-19 2001-07-03 Steag Hamatech, Inc. System and method for curing a resin disposed between a top and bottom substrate with thermal management
US6425953B1 (en) * 1997-11-14 2002-07-30 Tokyo Electron Limited All-surface biasable and/or temperature-controlled electrostatically-shielded RF plasma source
US5901030A (en) * 1997-12-02 1999-05-04 Dorsey Gage, Inc. Electrostatic chuck employing thermoelectric cooling
KR100524204B1 (ko) * 1998-01-07 2006-01-27 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리장치
US6026589A (en) * 1998-02-02 2000-02-22 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Wafer carrier and semiconductor apparatus for processing a semiconductor substrate
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system
SG81975A1 (en) * 1998-04-14 2001-07-24 Kaijo Kk Method and apparatus for drying washed objects
US6210541B1 (en) * 1998-04-28 2001-04-03 International Business Machines Corporation Process and apparatus for cold copper deposition to enhance copper plating fill
US6108932A (en) * 1998-05-05 2000-08-29 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for thermocapillary drying
US6080272A (en) * 1998-05-08 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for plasma etching a wafer
JP2963443B1 (ja) * 1998-06-19 1999-10-18 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造装置
DE19983376T1 (de) * 1998-07-14 2001-06-28 Schlumberger Technologies Inc Vorrichtung, Verfahren und System einer auf Flüssigkeit beruhenden Temperaturwechselbeanspruchungsregelung elektronischer Bauelemente mit weitem Bereich und schnellem Ansprechen
US6096135A (en) * 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
US6170496B1 (en) * 1998-08-26 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for servicing a wafer platform
US6170268B1 (en) * 1998-09-28 2001-01-09 Weyerhaeuser Company Method and apparatus for automatically hydrating, freezing and packaged hydration material
US6199564B1 (en) * 1998-11-03 2001-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
US6098408A (en) * 1998-11-11 2000-08-08 Advanced Micro Devices System for controlling reflection reticle temperature in microlithography
US20040022028A1 (en) * 1998-12-22 2004-02-05 Hildebrandt James J. Apparatus and system for cooling electric circuitry, integrated circuit cards, and related components
JP2000205960A (ja) * 1998-12-23 2000-07-28 Csp Cryogenic Spectrometers Gmbh 検出器装置
US6214988B1 (en) * 1999-01-03 2001-04-10 Schlumberger Technology Corporation Process for making an HMX product
US6583638B2 (en) * 1999-01-26 2003-06-24 Trio-Tech International Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
KR100317829B1 (ko) * 1999-03-05 2001-12-22 윤종용 반도체 제조 공정설비용 열전냉각 온도조절장치
US6460721B2 (en) * 1999-03-23 2002-10-08 Exxonmobil Upstream Research Company Systems and methods for producing and storing pressurized liquefied natural gas
JP2000286267A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法
US6290274B1 (en) * 1999-04-09 2001-09-18 Tsk America, Inc. Vacuum system and method for securing a semiconductor wafer in a planar position
US6128830A (en) * 1999-05-15 2000-10-10 Dean Bettcher Apparatus and method for drying solid articles
US6201117B1 (en) * 1999-05-26 2001-03-13 Schlumberger Technology Corporation Process for making a 1,3,5,7-tetraalkanoyl-1,3,5,7-tetraazacyclooctane
US6428724B1 (en) * 1999-05-26 2002-08-06 Schlumberger Technology Corporation Granulation process
US6265573B1 (en) * 1999-05-26 2001-07-24 Schlumberger Technology Corporation Purification process
US6194571B1 (en) * 1999-05-26 2001-02-27 Schlumberger Technology Corporation HMX compositions and processes for their preparation
AU5446000A (en) * 1999-05-27 2000-12-18 Lam Research Corporation Wafer drying apparatus and method
WO2000074117A1 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Matrix Integrated Systems, Inc. Rapid heating and cooling of workpiece chucks
US6373679B1 (en) * 1999-07-02 2002-04-16 Cypress Semiconductor Corp. Electrostatic or mechanical chuck assembly conferring improved temperature uniformity onto workpieces held thereby, workpiece processing technology and/or apparatus containing the same, and method(s) for holding and/or processing a workpiece with the same
DE19931866A1 (de) * 1999-07-09 2001-01-18 Parkap Beteiligungs Und Verwal Verfahren und Vorrichtung zur Aufbereitung einer Abfallflüssigkeit
US6334266B1 (en) * 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
US7215697B2 (en) * 1999-08-27 2007-05-08 Hill Alan E Matched impedance controlled avalanche driver
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
US6199298B1 (en) * 1999-10-06 2001-03-13 Semitool, Inc. Vapor assisted rotary drying method and apparatus
US6377437B1 (en) * 1999-12-22 2002-04-23 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6494959B1 (en) * 2000-01-28 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for cleaning a silicon surface
SG105487A1 (en) * 2000-03-30 2004-08-27 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6436739B1 (en) * 2000-04-27 2002-08-20 The Regents Of The University Of California Thick adherent dielectric films on plastic substrates and method for depositing same
US6418728B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-16 Jerry Monroe Thermoelectric water pre-cooling for an evaporative cooler
JP2004505443A (ja) * 2000-07-10 2004-02-19 テンプトロニック　コーポレイション 交互配置された加熱および冷却要素と交換可能な上面アセンブリと硬膜層表面とをもつ熱プレートを有するウェーハチャック
US6736668B1 (en) * 2000-09-15 2004-05-18 Arnold V. Kholodenko High temperature electrical connector
JP3910791B2 (ja) * 2000-09-19 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置
AU2002318912A1 (en) * 2000-12-08 2003-03-03 Deflex Llc Apparatus, process and method for mounting and treating a substrate
US6596093B2 (en) * 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
US6562146B1 (en) * 2001-02-15 2003-05-13 Micell Technologies, Inc. Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide
US6641678B2 (en) * 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
US6602351B2 (en) * 2001-02-15 2003-08-05 Micell Technologies, Inc. Methods for the control of contaminants following carbon dioxide cleaning of microelectronic structures
US6613157B2 (en) * 2001-02-15 2003-09-02 Micell Technologies, Inc. Methods for removing particles from microelectronic structures
KR100852645B1 (ko) * 2001-02-23 2008-08-18 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 극저온 폐쇄 루프형 재순환 가스 냉각 장치
US6628503B2 (en) * 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
US6552560B2 (en) * 2001-03-20 2003-04-22 Despatch Industries, L.L.P. Wafer-level burn-in oven
JP2002299319A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US6649883B2 (en) * 2001-04-12 2003-11-18 Memc Electronic Materials, Inc. Method of calibrating a semiconductor wafer drying apparatus
KR100397047B1 (ko) * 2001-05-08 2003-09-02 삼성전자주식회사 정전척의 냉각장치 및 방법
US6398875B1 (en) * 2001-06-27 2002-06-04 International Business Machines Corporation Process of drying semiconductor wafers using liquid or supercritical carbon dioxide
US6564469B2 (en) * 2001-07-09 2003-05-20 Motorola, Inc. Device for performing surface treatment on semiconductor wafers
KR20030006245A (ko) * 2001-07-12 2003-01-23 삼성전자 주식회사 웨이퍼 건조장치
JP2003090892A (ja) * 2001-07-13 2003-03-28 Toshiba Corp 蒸気乾燥器、熱交換器、発熱体被覆管および伝熱システム
AU2002355079C1 (en) * 2001-07-16 2008-03-06 Sensor Tech, Inc. Sensor device and method for qualitative and quantitative analysis of gas phase substances
US6853953B2 (en) * 2001-08-07 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
US6750155B2 (en) * 2001-08-08 2004-06-15 Lam Research Corporation Methods to minimize moisture condensation over a substrate in a rapid cycle chamber
US6634177B2 (en) * 2002-02-15 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for the real-time monitoring and control of a wafer temperature
US6771086B2 (en) * 2002-02-19 2004-08-03 Lucas/Signatone Corporation Semiconductor wafer electrical testing with a mobile chiller plate for rapid and precise test temperature control
US6646233B2 (en) * 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
US6796054B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Low-pressure dryer and low-pressure drying method
JP2003294799A (ja) * 2002-04-05 2003-10-15 Orion Mach Co Ltd 環境試験装置
DE20205949U1 (de) * 2002-04-15 2002-08-22 Ers Electronic Gmbh Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US7195693B2 (en) * 2002-06-05 2007-03-27 Advanced Thermal Sciences Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing
US6897940B2 (en) * 2002-06-21 2005-05-24 Nikon Corporation System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography
US7156951B1 (en) * 2002-06-21 2007-01-02 Lam Research Corporation Multiple zone gas distribution apparatus for thermal control of semiconductor wafer
JP3913625B2 (ja) * 2002-07-12 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
KR100431332B1 (ko) * 2002-08-06 2004-05-12 삼성전자주식회사 반도체 설비의 냉각 가스 공급 장치
US7002341B2 (en) * 2002-08-28 2006-02-21 Vanderbilt University Superconducting quantum interference apparatus and method for high resolution imaging of samples
US20040045813A1 (en) * 2002-09-03 2004-03-11 Seiichiro Kanno Wafer processing apparatus, wafer stage, and wafer processing method
US7038441B2 (en) * 2002-10-02 2006-05-02 Suss Microtec Testsystems Gmbh Test apparatus with loading device
JP4133209B2 (ja) * 2002-10-22 2008-08-13 株式会社神戸製鋼所 高圧処理装置
KR100541447B1 (ko) * 2003-07-23 2006-01-11 삼성전자주식회사 웨이퍼용 정전척
US20050016467A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for dry chamber temperature control
US7072165B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
US7517498B2 (en) * 2003-08-19 2009-04-14 Agilent Technologies, Inc. Apparatus for substrate handling
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
US6905984B2 (en) * 2003-10-10 2005-06-14 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based contact conductivity electrostatic chuck
KR100653687B1 (ko) * 2003-11-04 2006-12-04 삼성전자주식회사 반도체기판들을 건조시키는 장비들 및 이를 사용하여반도체기판들을 건조시키는 방법들
CA2557173A1 (en) * 2004-02-19 2005-09-01 Powerpulse Technologies, L.P. Improved heating element and circuit for a hair management device
JP4330467B2 (ja) * 2004-02-26 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プロセス装置及び該プロセス装置内のパーティクル除去方法
US20060023395A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for temperature control of semiconductor wafers
US7314506B2 (en) * 2004-10-25 2008-01-01 Matheson Tri-Gas, Inc. Fluid purification system with low temperature purifier
DE102005001163B3 (de) * 2005-01-10 2006-05-18 Erich Reitinger Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer temperierbaren Aufspanneinrichtung
GB0505379D0 (en) * 2005-03-16 2005-04-20 Robio Systems Ltd Cellular entity maturation and transportation systems
US20060242967A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Termoelectric heating and cooling apparatus for semiconductor processing
US7834527B2 (en) * 2005-05-05 2010-11-16 SmartMotion Technologies, Inc. Dielectric elastomer fiber transducers
JP4410147B2 (ja) * 2005-05-09 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
US20060274474A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Lee Chung J Substrate Holder
US20060275547A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Lee Chung J Vapor Phase Deposition System and Method
JP4049172B2 (ja) * 2005-07-13 2008-02-20 住友電気工業株式会社 ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7615970B1 (en) * 2005-08-24 2009-11-10 Gideon Gimlan Energy invest and profit recovery systems
US20070084496A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Edey Bruce A Solid state power supply and cooling apparatus for a light vehicle
US8012304B2 (en) * 2005-10-20 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with a multiple zone thermal control feed forward control apparatus
US7447025B2 (en) * 2005-11-01 2008-11-04 Fu Zhun Precision Industry (Shen Zhen) Co., Ltd. Heat dissipation device
US7920926B2 (en) * 2005-12-09 2011-04-05 Apsara Medical Corporation Method and apparatus for carrying out the controlled heating of tissue in the region of dermis
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US20070214631A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Thomas Landrigan Thermal chuck and processes for manufacturing the thermal chuck
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8585786B2 (en) * 2006-03-31 2013-11-19 Coaltek, Inc. Methods and systems for briquetting solid fuel
US8585788B2 (en) * 2006-03-31 2013-11-19 Coaltek, Inc. Methods and systems for processing solid fuel
US8524005B2 (en) * 2006-07-07 2013-09-03 Tokyo Electron Limited Heat-transfer structure and substrate processing apparatus
JP4812563B2 (ja) * 2006-08-29 2011-11-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US20080083700A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-10 Lexmark International, Inc. Method and Apparatus for Maximizing Cooling for Wafer Processing
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20080200039A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 United Microelectronics Corp. Nitridation process
US7479463B2 (en) * 2007-03-09 2009-01-20 Tokyo Electron Limited Method for heating a chemically amplified resist layer carried on a rotating substrate
US8706914B2 (en) * 2007-04-23 2014-04-22 David D. Duchesneau Computing infrastructure
US7954449B2 (en) * 2007-05-08 2011-06-07 Palo Alto Research Center Incorporated Wiring-free, plumbing-free, cooled, vacuum chuck
JP2007235171A (ja) * 2007-05-17 2007-09-13 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7938964B2 (en) * 2007-08-15 2011-05-10 Ronald De Strulle Environmentally-neutral processing with condensed phase cryogenic fluids
JP2009091648A (ja) * 2007-09-20 2009-04-30 Kobe Steel Ltd 海水耐食性に優れたアルミニウム合金材及びプレート式熱交換器
EP2047981B1 (en) * 2007-09-20 2010-11-03 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Aluminum alloy material having an excellent sea water corrosion resistance and plate heat exchanger
US20090149930A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-11 Thermage, Inc. Apparatus and methods for cooling a treatment apparatus configured to non-invasively deliver electromagnetic energy to a patient's tissue
US8198567B2 (en) * 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
US20090188211A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Xcellerex, Inc. Bag wrinkle remover, leak detection systems, and electromagnetic agitation for liquid containment systems
US7547358B1 (en) * 2008-03-03 2009-06-16 Shapiro Zalman M System and method for diamond deposition using a liquid-solvent carbon-transfer mechanism
US8515553B2 (en) * 2008-04-28 2013-08-20 Thermage, Inc. Methods and apparatus for predictively controlling the temperature of a coolant delivered to a treatment device
EP2310109A4 (en) * 2008-07-14 2012-03-28 Tenoroc Llc AERODYNAMIC TRUNK NOZZLE
US9064911B2 (en) * 2008-10-24 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Heated cooling plate for E-chucks and pedestals
JP5185790B2 (ja) * 2008-11-27 2013-04-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040111509A (ko) 2004-12-31
PT1495486E (pt) 2007-01-31
US7900373B2 (en) 2011-03-08
ES2274225T7 (es) 2010-03-31
WO2003088323A1 (de) 2003-10-23
KR100625631B1 (ko) 2006-09-20
RU2004130436A (ru) 2005-07-10
ATE341831T1 (de) 2006-10-15
NO336896B1 (no) 2015-11-23
AU2003224079A1 (en) 2003-10-27
CA2481260A1 (en) 2003-10-23
US20050227503A1 (en) 2005-10-13
CA2481260C (en) 2010-10-12
JP2005528781A (ja) 2005-09-22
DE10216786A1 (de) 2003-11-06
DE10216786B4 (de) 2004-07-15
EP1495486B1 (de) 2006-10-04
DE10216786C5 (de) 2009-10-15
DK1495486T3 (da) 2007-02-05
CN1647246A (zh) 2005-07-27
RU2284609C2 (ru) 2006-09-27
DK1495486T5 (da) 2010-03-08
EP1495486A1 (de) 2005-01-12
NO20044607L (no) 2004-10-26
PL371238A1 (pl) 2005-06-13
EP1495486B3 (de) 2009-10-21
ES2274225T3 (es) 2007-05-16
JP4070724B2 (ja) 2008-04-02
DE50305265D1 (de) 2006-11-16
CN100378903C (zh) 2008-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL211045B1 (pl) Sposób kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych oraz urządzenie do kondycjonowania płytek półprzewodnikowych i/lub elementów hybrydowych
RU2407023C2 (ru) Способ и устройство для тестирования полупроводниковых пластин с помощью зажимного механизма с регулируемой установкой температуры
US8025097B2 (en) Method and apparatus for setting and controlling temperature
US6552560B2 (en) Wafer-level burn-in oven
US20060114012A1 (en) Method and apparatus for testing semiconductor wafers by means of a probe card
JP5829610B2 (ja) 半導体チップ調整装置及び前記装置を用いた検査方法
KR101561624B1 (ko) 전자소자 테스트를 위한 장치 및 방법
US20240302451A1 (en) Method and system for thermal control of devices in an electronics tester
KR20180016121A (ko) 반도체 패키지 테스트 장치
WO2003014753A2 (en) Methods and apparatus for testing a semiconductor with temperature desoak
JP2009257843A (ja) 環境試験装置
JP2930109B2 (ja) 低温試験方法および低温試験装置
JP3356009B2 (ja) Ｉｃデバイスの試験装置
KR100938363B1 (ko) 메모리 모듈의 신뢰성 검사용 온도조절장치
KR20090077175A (ko) 검사용 온도조절장치
JPH0150872B2 (pl)
JP3075542B2 (ja) Ｉｃ試験装置用恒温槽
JPH11258301A (ja) Ｉｃデバイスの試験装置
JPS633279A (ja) Ｉｃの高低温ハンドリング装置
JP2705385B2 (ja) Ｉｃデバイスの冷却装置