ES2274225T3 - Procedimiento y dispositivo para acondicionar laminas semiconductoras y/o hibridas. - Google Patents

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ES2274225T3 ES03720475T ES03720475T ES2274225T3 ES 2274225 T3 ES2274225 T3 ES 2274225T3 ES 03720475 T ES03720475 T ES 03720475T ES 03720475 T ES03720475 T ES 03720475T ES 2274225 T3 ES2274225 T3 ES 2274225T3
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Abstract

Procedimiento para el acondicionamiento de láminas y/o híbridos semiconductores, que comprende las etapas de: preparar un espacio (1) que está por lo menos parcialmente encerrado y tiene un dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) que está situado en su interior y tiene el propósito de soportar una lámina y/o híbrido semiconductor; y conducir un fluido seco a través del dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) para tratar con calor el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10); en el que por lo menos una porción del fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) se usa para acondicionar la atmósfera en el interior del espacio (1).

Description

Procedimiento y dispositivo para acondicionador láminas semiconductoras y/o híbridas.
La presente invención se refiere a un procedimiento y a un dispositivo para el acondicionamiento de láminas semiconductoras y/o híbridos.
El conocido realizar mediciones de prueba en láminas semiconductoras típicamente en un rango de temperaturas entre -200ºC y +400ºC. Para el tratamiento se aplica una lámina semiconductora a una tabla de muestra que se enfría y/o se calienta según la temperatura deseada. En el proceso es necesario asegurar que la temperatura de la lámina semiconductora no cae por debajo del punto de condensación del medio gaseoso circundante, ya que en caso contrario la humedad se condensa sobre la superficie de la lámina o se hiela, lo que impide o evita las mediciones de prueba.
La figura 5 muestra una vista esquemática en sección transversal de un dispositivo de acondicionamiento para el propósito de explicar los problemas en los que se basa la presente invención.
En la figura 4, la referencia numérica 1 designa un espacio en un contenedor 5 en el que se prevé una tabla de muestra 10 que puede estar a una temperatura controlada y sobre la que se puede colocar una lámina semiconductora (no representada) por propósitos de prueba. El volumen del contenedor 5 está comprendido usualmente entre 400 y 800 litros.
El espacio 1 está encerrado esencialmente por las paredes del contenedor 5 que tiene manguitos para líneas eléctricas y líneas de suministro de medios, así como, si es apropiado, manguitos para sondas que se fijan externamente y con las cuales se realizan las mediciones de prueba de la lámina semiconductora mostrada. Sin embargo, este espacio 1 no ha de estar herméticamente sellado por el contenedor 5 dependiendo de la aplicación, pero por lo menos ha de estar encerrado en una extensión tal que se pueda evitar la penetración no deseada de aire ambiental húmedo creando una presión interna en exceso.
La tabla de muestra 10 (también llamada mandril) tiene un aislamiento térmico 15 a través del cual está conectada a una base 20 usualmente desplazable. Un mecanismo de movimiento correspondiente (no representado) es generalmente ajustable en las direcciones X, Y y Z. Si el mecanismo de movimiento no está situado en el contenedor, se ha de prever un sello entre la base y el contenedor.
Además, un dispositivo de calentamiento 90, que puede alimentarse desde el exterior con corriente eléctrica para propósitos de calentamiento y que tiene una sonda de temperatura (no representada), está integrado en la tabla de muestra 10.
La referencia numérica 100 designa un sensor del punto de condensación mediante el cual se puede determinar el punto de condensación en el interior del contenedor 5 y que puede suministrar una señal correspondiente a un monitor 101 fuera del contenedor 5. El sensor del punto de condensación 100 se usa en particular para propósitos de fiabilidad cuando se abre el dispositivo, de manera que, por ejemplo, se puede realizar un calentamiento compensatorio para evitar la condensación de agua.
Además, elementos de flujo externo 30 (oBdA, solamente se muestran dos) a través de los cuales aire seco desde el exterior, o un fluido similar tal como, por ejemplo, nitrógeno, se puede introducir a través de una línea r1 al interior del contenedor para sacar el aire ambiental húmedo del contenedor 5. Este aire se alimenta en primer lugar de manera externa a un secador de aire 3 a través de una línea r00 y a continuación se suministra a la línea r1.
Una unidad separada, que está conectada al contenedor 5 a través de una línea eléctrica 11 correspondiente y una línea de suministro de medios r2, es la pista de control de temperatura 2 que tiene los siguientes dispositivos.
La referencia numérica 80 designa un controlador de temperatura que puede regular la temperatura de la tabla de muestra 10 calentándola mediante el dispositivo de calentamiento 90, aclarándose la tabla de muestra 10 simultáneamente o alternativamente con aire para propósitos de enfriamiento, tal como se explica en mayor detalle a continuación.
La referencia numérica 70 designa un dispositivo de regulación de la temperatura al cual se suministra aire seco a través de las líneas r0, i1 desde, por ejemplo, una botella de gas o desde un secador de aire, y que tiene un intercambiador térmico 95 que está conectado a conjuntos de enfriamiento 71, 72 mediante el cual se puede enfriar a una temperatura predeterminada.
El aire seco que se suministra a través de las líneas r0, i1 se conduce a través del intercambiador térmico 95 y a continuación se suministra a través de la línea de suministro r2 al interior del contenedor 5 a la tabla de muestra 10, a través de la cual atraviesa en correspondientes bobinas de enfriamiento o conductos de enfriamiento (no representados). El aire seco que ha enfriado la tabla de muestra 10 la abandona a través de la línea r3 y es conducido fuera del contenedor 5 a la atmósfera.
Usualmente, ver por ejemplo el documento US 5 885 353, el aire seco, que se conduce al interior del contenedor 5 a través de los elementos de flujo al exterior 30 para acondicionar la atmósfera del contenedor 5 se mantiene usualmente a temperatura ambiente, de manera que solamente la superficie de la tabla de muestra 10 se mantiene a la temperatura de medición deseada, por ejemplo -20ºC, pero los otros elementos en el contenedor 5 están aproximadamente a temperatura ambiente. Este aire seco que se suministra a través de los elementos de flujo al exterior 30 fluye fuera del contenedor 5 a través de ranuras o huecos, no representados, o una línea de salida separada.
El hecho de que se produce un consumo de aire seco relativamente alto porque dicho aire, por un lado para acondicionar la atmósfera y por el otro lado para enfriar la tabla de muestra 10, se sopla a través del contenedor 5 y a la atmósfera, se ha comprobado desventajoso en este dispositivo conocido para el acondicionamiento de láminas semiconductoras. Como resultado, el consumo de aire seco se relativamente alto. Un fallo del secador de aire 3 también provoca que se hiele inmediatamente la lámina de prueba a temperaturas correspondientes.
Por esta razón, el objetivo de la presente invención es especificar un procedimiento y un dispositivo para el acondicionamiento de láminas semiconductoras y/o híbridos, que permitan un acondicionamiento más eficiente.
El procedimiento según la invención que tiene las características de la reivindicación 1 y el dispositivo correspondiente según la reivindicación 9 tienen, en comparación con la aproximación de la solución conocida, la ventaja de que el gas seco, por ejemplo el aire seco, se puede usar de una manera eficiente. Otras ventajas son el alto nivel de fiabilidad operativa y el hecho de que se asegura que está libre de hielo y condensación porque el aire seco que abandona el dispositivo de soporte de láminas/híbridos está siempre por debajo del punto de condensación de la temperatura en el dispositivo de soporte de láminas/híbridos.
La idea sobre la que se basa la presente invención es que por lo menos una porción del gas que abandona el dispositivo de láminas/híbridos se usa para el acondicionamiento de la atmósfera en el interior del espacio. En la presente invención, el aire de refrigeración se usa así de manera simultánea al menos parcialmente como aire de secado. Es ventajoso si la porción de gas primero se trata térmicamente calentándolo y a continuación se deja que fluya al interior del espacio.
Por ejemplo, la porción se trata térmicamente fuera de un contenedor y a continuación se suministra de vuelta al contenedor. Una ventaja particular de este ejemplo es que se hace posible un nivel más alto de eficiencia de refrigeración suministrando de vuelta el aire desde la tabla de muestra al exterior del contenedor. En otras palabras, el aire enfriado suministrado de vuelta se puede usar además para enfriar previamente al aire seco suministrado o para enfriar conjuntos específicos y no solamente para enfriar el dispositivo de soporte de láminas/híbridos.
Sin embargo, es alternativamente o adicionalmente posible que una porción del gas se deje fluir al interior del contenedor directamente después de que abandona la tabla de muestra. Como no es conveniente permitir que fluya directamente a todas las temperaturas, se prevé una válvula de regulación correspondiente para esta porción de gas.
Desarrollos y mejoras ventajosas del respectivo objeto de la presente invención se dan en las reivindicaciones dependientes.
Según un desarrollo preferido, el dispositivo de línea tiene una primera línea a través de la cual el fluido se puede conducir desde el exterior del espacio al interior del dispositivo de soporte de láminas/híbridos, una segunda línea a través de la cual el fluido puede conducirse desde el dispositivo de soporte de láminas/híbridos al exterior del espacio, y una tercera línea a través de la cual el fluido puede retroalimentarse desde el exterior del espacio al espacio. Está previsto un dispositivo de regulación de la temperatura entre la segunda y la tercera líneas.
Según otro desarrollo preferido, están previstos elementos de flujo al exterior al final de la tercera línea.
Según otro desarrollo preferido, el dispositivo de línea tiene una primera línea a través de la cual el fluido puede conducirse desde el exterior del espacio al dispositivo de soporte de láminas/híbridos, y una cuarta línea a través de la cual el fluido puede conducirse desde el dispositivo de soporte de láminas/híbridos al interior del espacio.
Según otro desarrollo preferido, el dispositivo de línea tiene una segunda línea a través de la cual el fluido puede conducirse desde el dispositivo de soporte de láminas/híbridos al exterior del espacio, y una tercera línea a través de la cual el fluido puede retroalimentarse al espacio desde fuera del espacio. Está previsto un dispositivo de regulación de la temperatura entre la segunda y la tercera líneas.
Según otro desarrollo preferido, está prevista una válvula para regular el índice de flujo de la cuarta línea.
Según otro desarrollo preferido, el dispositivo de regulación de la temperatura tiene un dispositivo de calentamiento.
Según otro desarrollo preferido, el dispositivo de regulación de la temperatura tiene un intercambiador de calor al cual se puede conducir por lo menos una porción del fluido que abandona el espacio.
Según otro desarrollo preferido, el intercambiador de calor se usa para enfriar previamente el fluido suministrado.
Según otro desarrollo preferido, el dispositivo de línea está diseñado de tal manera que la porción que abandona el intercambiador de calor se puede retroalimentar al menos parcialmente al espacio para acondicionar la atmósfera.
Según otro desarrollo preferido, está prevista otra línea, a través de la cual también se puede conducir aire de secado directamente al interior del espacio desde el exterior del espacio.
Según otro desarrollo preferido, el espacio está esencialmente encerrado mediante un contenedor.
En los dibujos se muestran realizaciones de ejemplo de la invención y se explicarán en mayor detalle en la siguiente descripción.
En dichos dibujos:
La figura 1 es una representación esquemática de una primera realización del dispositivo de acondicionamiento según la invención;
La figura 2 es una representación esquemática de una segunda realización del dispositivo de acondicionamiento según la invención;
La figura 3 es una vista esquemática en sección transversal de una tercera realización del dispositivo de acondicionamiento según la invención;
La figura 4 es una vista esquemática en sección transversal de una cuarta realización del dispositivo de acondicionamiento según la invención;
La figura 5 es una vista esquemática en sección transversal de un dispositivo de acondicionamiento para el propósito de explicar los problemas en los que se basa la presente invención.
En las figuras, idénticas referencias numéricas designan componentes idénticos o funcionalmente idénticos.
La figura 1 es una ilustración esquemática de una primera realización del dispositivo de acondicionamiento según la invención.
A continuación, los componentes que ya se han descrito anteriormente en relación con la figura 5 no se describirán otra vez para evitar repeticiones.
La referencia numérica 80' designa un controlador de temperatura modificado que no solamente puede regular la temperatura de la tabla de muestra 10 mediante el dispositivo de calentamiento 90, sino que también está acoplado al sensor del punto de condensación 100 a través de una línea 12 y puede iniciar así un calentamiento de compensación automático cuando existe un riesgo de condensación de agua o de helada.
En la primera realización según la figura 1, además está integrado un dispositivo de calentamiento 105 en el dispositivo de regulación de la temperatura 70 y no está en contacto directo con el intercambiador de calor 95. En lugar de acabar en la atmósfera ambiente, la línea r3 se conduce al dispositivo de calentamiento 105, de manera que el aire seco que ha abandonado la tabla de muestra 10 es retroalimentado, tal como lo era, a la pista de control de temperatura 2, y después de que haya pasado a través del dispositivo de calentamiento 105 se conduce de vuelta a través de la línea r4 al contenedor 5 en el que fluye al exterior al espacio 1 a través de elementos de flujo al exterior 40 para el acondicionamiento de la atmósfera.
La referencia numérica 4 designa un sensor de temperatura para detectar la temperatura en el espacio 1, cuyo sensor suministra una señal de temperatura correspondiente TS al dispositivo de regulación de la temperatura 70, que se usa para regular la temperatura mediante el dispositivo de calentamiento 105.
Gracias a esta disposición, el aire seco puede satisfacer una doble función, específicamente en primer lugar enfría la tabla de muestra 10 y a continuación acondiciona la atmósfera del espacio 1 antes de que se retroalimente a la atmósfera ambiente a través de las aberturas en el contenedor 5, y se usa así de una manera más efectiva.
La figura 2 es una representación esquemática de una segunda realización del dispositivo de acondicionamiento según la invención.
En la segunda realización según la figura 2, una línea r5 se ramifica desde la línea r2 directamente antes de la tabla de muestra 10 y también se conduce a través de la tabla de muestra 10 en forma de una bobina de refrigeración o un conducto de refrigeración, pero a continuación abandona la tabla de muestra 10 en un punto diferente del punto de la línea r3 y desde ahí a través de una válvula de salida controlable 45 que conduce el aire seco correspondiente directamente al contenedor 5 después de que abandone la tabla de muestra 10.
Como esto provocaría problemas a temperaturas muy bajas en ciertas aplicaciones, esta opción de conducir gas seco a través de la línea r5 al contenedor 1 se puede regular mediante la válvula de salida 45. La regulación se puede realizar de una manera personalizada, por ejemplo mediante un control remoto o en una forma controlada por cable.
De otra manera, la segunda realización es de un diseño idéntico a la primera realización descrita anteriormente.
La figura 3 muestra una vista esquemática en sección transversal de una tercera realización del dispositivo de acondicionamiento según la invención.
La referencia numérica 80' designa otro controlador de temperatura modificado que también controla el dispositivo de regulación de la temperatura 70 a través de la línea de control ST y así juega el papel de un sistema de control de la temperatura central.
En la tercera realización según la figura 3, una porción del aire seco que se alimenta de retorno a través de la línea r3 se ramifica antes del dispositivo de calentamiento 105 a través de la línea i3 y se conduce a través del intercambiador de calor 95, donde contribuye a la refrigeración de la misma manera que el aire seco que se alimenta nuevo a través de las líneas r0, i1. El aire seco abandona el intercambiador de calor 95 a través de la línea i4, y directamente después de que el dispositivo de calentamiento 105 se combine con el aire que ha fluido a través del dispositivo de calentamiento 105. Desde el correspondiente punto de unión, este aire seco se conduce, precisamente de la misma manera que en la primera realización, a través de la línea r4 y los elementos de flujo al exterior 40 al interior del contenedor 5 para acondicionar su atmósfera.
Además, esta realización proporciona una válvula de mezclado controlable 46 y una línea de derivación r10 mediante la cual se puede derivar el intercambiador de calor 95.
La ventaja particular de esta realización es que un "frío residual" del aire seco que fluye de retorno desde la tabla de muestra 10 se puede usar para enfriar el intercambiador de calor, y al mismo tiempo se puede alimentar de retorno al contenedor 5 después del calentamiento.
De otra manera, la segunda realización está construida de la misma manera que la primera realización descrita anteriormente.
La figura 4 s una vista esquemática en sección transversal de una cuarta realización del dispositivo de acondicionamiento según la invención.
La referencia numérica 85 en la figura 4 designa un controlador de gas-temperatura adicional al cual gas seco, por ejemplo aire seco, se suministra a través de las líneas r0, i2 desde la misma fuente de gas que la del intercambiador de calor 95, colocándose dicho aire a una temperatura predefinida mediante dicho controlador y cuando se conduce al interior del contenedor 5 a través de la línea r1 y a través del elemento de flujo al exterior 30.
La alimentación directa del aire seco a través del elemento de flujo 30 en el contenedor 5 se prevé así adicionalmente en esta realización, pero también se puede configurar de tal manera que se puede desactivar si el índice de flujo a través de la tabla de muestra 10 es completamente suficiente para el acondicionamiento de la atmósfera en el contenedor 5.

Claims (20)

1. Procedimiento para el acondicionamiento de láminas y/o híbridos semiconductores, que comprende las etapas de:
preparar un espacio (1) que está por lo menos parcialmente encerrado y tiene un dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) que está situado en su interior y tiene el propósito de soportar una lámina y/o híbrido semiconductor; y
conducir un fluido seco a través del dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) para tratar con calor el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10);
en el que por lo menos una porción del fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) se usa para acondicionar la atmósfera en el interior del espacio (1).
2. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que el espacio (1) está esencialmente encerrado por un contenedor (5).
3. Procedimiento según la reivindicación 1 ó 2, en el que la porción del fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) primero se trata con calor y a continuación se deja fluir al espacio (1).
4. Procedimiento según la reivindicación 1, 2 ó 3, en el que la porción del fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) se trata con calor fuera del espacio (1) y a continuación se alimenta de retorno al espacio (1).
5. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que el fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) se deja fluir al espacio (1) directamente después de que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10).
6. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que una primera porción de la tabla de muestra (10) primero se trata con calor y a continuación se deja fluir en el espacio (1), y una segunda porción se deja fluir a espacio (1) directamente después de que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido
(10).
7. Procedimiento según la reivindicación 6, en el que por lo menos una de la primera y segunda porciones se puede regular en función del índice de flujo.
8. Procedimiento según la reivindicación 3, en el que la porción del fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) se trata con calor porque se usar para enfriar previamente, en particular para enfriar previamente el fluido, fuera del espacio (1) antes de que dicha porción se deje fluir al interior del espacio (1).
9. Dispositivo para el acondicionamiento de láminas y/o híbridos semiconductores, que comprende:
un espacio (1) por lo menos parcialmente encerrado que comprende un dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) que está situado en su interior y tiene el propósito de soportar una lámina y/o híbrido semiconductor; y
un dispositivo de línea (r2, r3, r4, r5, i3, i4) para conducir un fluido frío a través del dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) para tratar con calor el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) y para conducir por lo menos una porción del fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) al espacio (1) para el acondicionamiento de la atmósfera en el espacio (1).
10. Dispositivo según la reivindicación 9, en el que el dispositivo de línea (r2, r3, r4, r5, i3, i4) comprende:
una primera línea (r2) a través de la cual el fluido se puede conducir al dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) desde el exterior del espacio (1);
una segunda línea (r3) a través de la cual el fluido puede conducirse desde el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) al exterior del espacio (1); y
una tercera línea (r4) a través de la cual el fluido se puede suministrar de retorno desde el exterior del espacio (1) al espacio (1);
en el que un dispositivo de regulación de la temperatura (70; 70, 80'') está previsto entre la segunda y la tercera líneas (r3, r4).
11. Dispositivo según la reivindicación 10, en el que están previstos elementos de flujo al exterior (40) al final de la tercera línea (r4).
12. Dispositivo según la reivindicación 9, en el que el dispositivo de línea (r2, r3, r4, r5, i3, i4) tiene:
una primera línea (r2) a través de la cual el fluido se puede conducir desde el exterior del espacio (1) al dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10); y
una cuarta línea (r5) a través de la cual el fluido se puede conducir desde el dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) al interior del espacio (1).
13. Dispositivo según la reivindicación 9, en el que el dispositivo de línea (r2, r3, r4, r5, i3, i4) tiene:
una segunda línea (r3) a través de la cual el fluido puede conducirse fuera del dispositivo de soporte de lámina/híbrido (10) al exterior del espacio (1); y
una tercera línea (r4) a través de la cual el fluido se puede alimentar de retorno al espacio (1) desde el exterior del espacio (1);
en el que está previsto un dispositivo de regulación de la temperatura (70; 70, 80'') entre la segunda y la tercera líneas (r3, r4).
14. Dispositivo según una de las reivindicaciones 12 ó 13, en el que está prevista una válvula (45) para regular el índice de flujo de la cuarta línea (r5).
15. Dispositivo según una de las reivindicaciones 10 a 14, en el que el dispositivo de regulación de la temperatura (70; 70, 80'') tiene un dispositivo de calentamiento (105).
16. Dispositivo según una de las reivindicaciones 10 a 15, en el que el dispositivo de regulación de la temperatura (70; 70, 80'') tiene un intercambiador de calor (95) al cual se puede conducir por lo menos una porción del fluido que abandona el espacio (1).
17. Dispositivo según la reivindicación 16, en el que el intercambiador de calor (95) se usa para enfriar previamente el fluido alimentado.
18. Dispositivo según la reivindicación 6, en el que el dispositivo de línea (r2, r3, r4, r5, i3, i4) está diseñado de tal manera que la porción que abandona el intercambiador de calor (95) se puede retroalimentar por lo menos parcialmente al espacio para acondicionar la atmósfera.
19. Dispositivo según una de las reivindicaciones 9 a 18, en el que está prevista otra línea (r1) a través de la cual el fluido seco se puede conducir además directamente al espacio (1) desde el exterior del espacio (1).
20. Dispositivo según una de las reivindicaciones 9 a 19, en el que el espacio (1) está esencialmente encerrado por un contenedor (5).
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6002263A (en) * 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6838890B2 (en) * 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6951846B2 (en) * 2002-03-07 2005-10-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Artemisinins with improved stability and bioavailability for therapeutic drug development and application
US6861856B2 (en) * 2002-12-13 2005-03-01 Cascade Microtech, Inc. Guarded tub enclosure
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US20070294047A1 (en) * 2005-06-11 2007-12-20 Leonard Hayden Calibration system
KR101492408B1 (ko) 2007-10-10 2015-02-12 캐스캐이드 마이크로텍 드레스덴 게엠베하 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기
US8596336B2 (en) * 2008-06-03 2013-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support temperature control
DE102008047337B4 (de) 2008-09-15 2010-11-25 Suss Microtec Test Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung eines Testsubstrats in einem Prober unter definierten thermischen Bedingungen
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
DE102009045291A1 (de) * 2009-10-02 2011-04-07 Ers Electronic Gmbh Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterchips und Testverfahren unter Verwendung der Vorrichtung
GB0921315D0 (en) * 2009-12-05 2010-01-20 Lemay Patrick An improved opened geothermal energy system
JP5477131B2 (ja) * 2010-04-08 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
EP2569583B1 (en) * 2010-05-12 2016-03-02 Brooks Automation, Inc. System for cryogenic cooling
JP5947023B2 (ja) * 2011-11-14 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、プラズマ処理装置、処理装置及び温度制御方法
JP5942459B2 (ja) * 2012-02-14 2016-06-29 セイコーエプソン株式会社 ハンドラー、及び部品検査装置
US9377423B2 (en) * 2012-12-31 2016-06-28 Cascade Microtech, Inc. Systems and methods for handling substrates at below dew point temperatures
US20170248973A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Cascade Microtech, Inc. Probe systems and methods including active environmental control
JP6256523B2 (ja) * 2016-05-16 2018-01-10 セイコーエプソン株式会社 ハンドラー、及び部品検査装置
JP6256526B2 (ja) * 2016-05-25 2018-01-10 セイコーエプソン株式会社 ハンドラー、及び部品検査装置
JP7012558B2 (ja) * 2018-02-26 2022-01-28 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査装置の動作方法
JP2020049400A (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 東京エレクトロン株式会社 ドライエアーの生成装置、ドライエアーの生成方法、および基板処理システム
US11231455B2 (en) * 2018-12-04 2022-01-25 Temptronic Corporation System and method for controlling temperature at test sites
DE102020002962A1 (de) 2020-05-18 2021-11-18 Att Advanced Temperature Test Systems Gmbh Temperiervorrichtung, System und Verfahren zum Temperieren eines Probertisches für Halbleiterwafer und/oder Hybride

Family Cites Families (238)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3269136A (en) * 1964-12-15 1966-08-30 Umano Shuji Apparatus for separation of solvent from solute by freezing
DE1623033A1 (de) * 1966-02-24 1970-03-26 Siemens Ag Vorrichtung zur Bestimmung der photosynthetischen Leistung und der Transpirationsrate von Pflanzen
US4015340A (en) * 1975-08-20 1977-04-05 Tec Systems, Inc. Ultraviolet drying apparatus
US4079522A (en) * 1976-09-23 1978-03-21 Rca Corporation Apparatus and method for cleaning and drying semiconductors
JPS54136963A (en) * 1978-04-14 1979-10-24 Sharp Corp Hot permanent waver
GB2083600B (en) * 1980-02-28 1984-01-18 Hauni Werke Koerber & Co Kg Method and apparatus for drying tobacco
JPS609119B2 (ja) * 1981-05-29 1985-03-07 日産自動車株式会社 塗装ラインの熱回収装置
US4520252A (en) * 1981-07-07 1985-05-28 Inoue-Japax Research Incorporated Traveling-wire EDM method and apparatus with a cooled machining fluid
US4538899A (en) * 1983-02-22 1985-09-03 Savin Corporation Catalytic fixer-dryer for liquid developed electrophotocopiers
US4612978A (en) * 1983-07-14 1986-09-23 Cutchaw John M Apparatus for cooling high-density integrated circuit packages
JPS60108162A (ja) * 1983-11-16 1985-06-13 Hitachi Ltd 蒸気槽
US4531307A (en) * 1983-12-27 1985-07-30 The Maytag Company Fabric dryer control with cycle interrupt
US6327994B1 (en) * 1984-07-19 2001-12-11 Gaudencio A. Labrador Scavenger energy converter system its new applications and its control systems
US4628991A (en) * 1984-11-26 1986-12-16 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Wafer scale integrated circuit testing chuck
JPH0236276Y2 (es) * 1985-01-10 1990-10-03
JPS6242725A (ja) * 1985-08-14 1987-02-24 Iwata Tosouki Kogyo Kk 空気除湿装置
JPS62101688A (ja) * 1985-10-30 1987-05-12 Nippon Steel Chem Co Ltd コ−クス乾式消火設備ボイラ−給水予熱方法
US4776105A (en) * 1985-12-23 1988-10-11 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Apparatus for fixing electronic parts to printed circuit board
US4724621A (en) * 1986-04-17 1988-02-16 Varian Associates, Inc. Wafer processing chuck using slanted clamping pins
JPH0834204B2 (ja) * 1986-07-02 1996-03-29 ソニー株式会社 ドライエツチング方法
US4872835A (en) * 1986-07-24 1989-10-10 Hewlett-Packard Company Hot chuck assembly for integrated circuit wafers
DE3627904A1 (de) * 1986-08-16 1988-02-18 Monforts Gmbh & Co A Konvektionstrocken- und/oder -fixiermaschine
JPH07111995B2 (ja) * 1987-09-02 1995-11-29 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
FR2631010B1 (fr) * 1988-05-06 1991-03-22 Sagem Dispositif de support et de regulation thermique d'une piece et appareillage de test de plaques de circuits semi-conducteurs incluant un tel dispositif
DE3823006C2 (de) * 1988-07-07 1994-09-08 Licentia Gmbh Gehäuse für infrarotempfindliche Bauelemente
US5038496A (en) * 1988-07-27 1991-08-13 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Vapor reflow type soldering apparatus
JPH03234021A (ja) * 1990-02-09 1991-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法
JPH03294021A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Toyoda Gosei Co Ltd 金属パイプの曲げ加工方法
US5198753A (en) * 1990-06-29 1993-03-30 Digital Equipment Corporation Integrated circuit test fixture and method
US5203401A (en) * 1990-06-29 1993-04-20 Digital Equipment Corporation Wet micro-channel wafer chuck and cooling method
US5635070A (en) * 1990-07-13 1997-06-03 Isco, Inc. Apparatus and method for supercritical fluid extraction
US5192849A (en) * 1990-08-10 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment
US5186238A (en) * 1991-04-25 1993-02-16 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing
US5088006A (en) * 1991-04-25 1992-02-11 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing
US5191506A (en) * 1991-05-02 1993-03-02 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic chuck
US5155652A (en) * 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
US5285798A (en) * 1991-06-28 1994-02-15 R. J. Reynolds Tobacco Company Tobacco smoking article with electrochemical heat source
US5698070A (en) * 1991-12-13 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Method of etching film formed on semiconductor wafer
KR0164618B1 (ko) * 1992-02-13 1999-02-01 이노우에 쥰이치 플라즈마 처리방법
US5209028A (en) * 1992-04-15 1993-05-11 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol
US5504040A (en) * 1992-06-30 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Planarized material layer deposition using condensed-phase processing
JPH0645310A (ja) * 1992-07-27 1994-02-18 Tsukada Fuainesu:Kk 乾燥方法および乾燥装置
JP2902222B2 (ja) * 1992-08-24 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
US5551245A (en) * 1995-01-25 1996-09-03 Engelhard/Icc Hybrid air-conditioning system and method of operating the same
US5649428A (en) * 1993-01-08 1997-07-22 Engelhard/Icc Hybrid air-conditioning system with improved recovery evaporator and subcool condenser coils
US5564281A (en) * 1993-01-08 1996-10-15 Engelhard/Icc Method of operating hybrid air-conditioning system with fast condensing start-up
US5277030A (en) * 1993-01-22 1994-01-11 Welch Allyn, Inc. Preconditioning stand for cooling probe
US5556539A (en) * 1993-02-26 1996-09-17 Mitsubishi Chemical Corporation Apparatus for separating a liquid mixture by pervaporation
US5695795A (en) * 1993-03-23 1997-12-09 Labatt Brewing Company Limited Methods for chill-treating non-distilled malted barley beverages
USRE36897E (en) * 1993-03-23 2000-10-03 Labatt Brewing Company Limited Methods for chill treating non-distilled malted barley beverages
US5525780A (en) * 1993-08-31 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for uniform semiconductor material processing using induction heating with a chuck member
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
US5869114A (en) * 1994-03-18 1999-02-09 Labatt Brewing Company Limited Production of fermented malt beverages
JP2900788B2 (ja) * 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5521790A (en) * 1994-05-12 1996-05-28 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck having relatively thick and thin areas and means for uniformly cooling said thick and thin areas during chuck anodization
US5595241A (en) * 1994-10-07 1997-01-21 Sony Corporation Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法
US5967156A (en) * 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5931721A (en) * 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
TW301761B (es) * 1994-11-29 1997-04-01 Sharp Kk
US5517828A (en) * 1995-01-25 1996-05-21 Engelhard/Icc Hybrid air-conditioning system and method of operating the same
DE19506404C1 (de) * 1995-02-23 1996-03-14 Siemens Ag Verfahren zum Freiätzen (Separieren) und Trocknen mikromechanischer Komponenten
ATE241913T1 (de) * 1995-03-22 2003-06-15 Nestle Sa Verfahren und einrichtung zur herstellung von gegenständen aus gefrorenen süsswaren
US5526578A (en) * 1995-05-17 1996-06-18 Iyer; Ramanathan K. Comb-type hair dryer
US5715612A (en) * 1995-08-17 1998-02-10 Schwenkler; Robert S. Method for precision drying surfaces
JP3000899B2 (ja) * 1995-08-31 2000-01-17 ノーリツ鋼機株式会社 感光材料処理装置
US5644467A (en) * 1995-09-28 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Method and structure for improving gas breakdown resistance and reducing the potential of arcing in a electrostatic chuck
US5775416A (en) * 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
US5720818A (en) * 1996-04-26 1998-02-24 Applied Materials, Inc. Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck
US5862605A (en) * 1996-05-24 1999-01-26 Ebara Corporation Vaporizer apparatus
US5885353A (en) * 1996-06-21 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Thermal conditioning apparatus
JP3308816B2 (ja) * 1996-07-09 2002-07-29 オリオン機械株式会社 耐薬品性熱交換器
US6170428B1 (en) * 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
JP2930109B2 (ja) * 1996-09-19 1999-08-03 日本電気株式会社 低温試験方法および低温試験装置
US6050275A (en) * 1996-09-27 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US6413355B1 (en) * 1996-09-27 2002-07-02 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US6045624A (en) * 1996-09-27 2000-04-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US5835334A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
US5764406A (en) * 1996-10-01 1998-06-09 Corning Incorporated Hydrid optical amplifier having improved dynamic gain tilt
DE19645425C2 (de) * 1996-11-04 2001-02-08 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
JP3471543B2 (ja) * 1996-11-07 2003-12-02 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板乾燥装置
US5815942A (en) * 1996-12-13 1998-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor drying system and method
US5864966A (en) * 1996-12-19 1999-02-02 California Institute Of Technology Two solvent vapor drying technique
US6099643A (en) * 1996-12-26 2000-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for processing a substrate providing an efficient arrangement and atmospheric isolation of chemical treatment section
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP3374033B2 (ja) * 1997-02-05 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JPH10284461A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Mitsubishi Electric Corp 乾燥装置および乾燥方法
JPH10284382A (ja) * 1997-04-07 1998-10-23 Komatsu Ltd 温度制御装置
US7276485B1 (en) * 1997-04-21 2007-10-02 The Procter + Gamble Co. Flowable nondigestible oil and process for making
JP3230051B2 (ja) * 1997-05-16 2001-11-19 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理方法及びその装置
JPH10321585A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Mitsubishi Electric Corp 乾燥装置および乾燥方法
JPH10321584A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Mitsubishi Electric Corp 乾燥装置および乾燥方法
US6077357A (en) * 1997-05-29 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Orientless wafer processing on an electrostatic chuck
US5994662A (en) * 1997-05-29 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Unique baffle to deflect remote plasma clean gases
US6083344A (en) * 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6189483B1 (en) * 1997-05-29 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Process kit
US6286451B1 (en) * 1997-05-29 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Dome: shape and temperature controlled surfaces
US6109206A (en) * 1997-05-29 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Remote plasma source for chamber cleaning
JP3151613B2 (ja) * 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
US6158449A (en) * 1997-07-17 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying method and apparatus
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
US5989462A (en) * 1997-07-31 1999-11-23 Q2100, Inc. Method and composition for producing ultraviolent blocking lenses
EP1018153A1 (en) 1997-08-29 2000-07-12 Sharon N. Farrens In situ plasma wafer bonding method
US6354311B1 (en) * 1997-09-10 2002-03-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate drying apparatus and substrate processing apparatus
US6254809B1 (en) * 1998-05-19 2001-07-03 Steag Hamatech, Inc. System and method for curing a resin disposed between a top and bottom substrate with thermal management
EP1030745A4 (en) * 1997-11-14 2006-12-13 Tokyo Electron Ltd PLASMA SOURCE WITH RADIO FREQUENCY AND ELECTROSTATIC PROTECTION, POLARIZABLE ON ALL ITS FACES AND / OR TEMPERATURE CONTROL
US5901030A (en) * 1997-12-02 1999-05-04 Dorsey Gage, Inc. Electrostatic chuck employing thermoelectric cooling
KR100524204B1 (ko) * 1998-01-07 2006-01-27 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리장치
US6026589A (en) * 1998-02-02 2000-02-22 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Wafer carrier and semiconductor apparatus for processing a semiconductor substrate
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system
KR100452542B1 (ko) * 1998-04-14 2004-10-12 가부시끼가이샤가이죠 세정물 건조장치 및 건조방법
US6210541B1 (en) * 1998-04-28 2001-04-03 International Business Machines Corporation Process and apparatus for cold copper deposition to enhance copper plating fill
US6108932A (en) * 1998-05-05 2000-08-29 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for thermocapillary drying
US6080272A (en) * 1998-05-08 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for plasma etching a wafer
JP2963443B1 (ja) * 1998-06-19 1999-10-18 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造装置
JP5000803B2 (ja) * 1998-07-14 2012-08-15 デルタ・デザイン・インコーポレイテッド 電子デバイスの速応温度反復制御を液体を利用して広範囲に行うための装置、方法
US6096135A (en) * 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
US6170496B1 (en) * 1998-08-26 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for servicing a wafer platform
US6170268B1 (en) * 1998-09-28 2001-01-09 Weyerhaeuser Company Method and apparatus for automatically hydrating, freezing and packaged hydration material
US6199564B1 (en) * 1998-11-03 2001-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
US6098408A (en) * 1998-11-11 2000-08-08 Advanced Micro Devices System for controlling reflection reticle temperature in microlithography
US20040022028A1 (en) * 1998-12-22 2004-02-05 Hildebrandt James J. Apparatus and system for cooling electric circuitry, integrated circuit cards, and related components
JP2000205960A (ja) * 1998-12-23 2000-07-28 Csp Cryogenic Spectrometers Gmbh 検出器装置
US6214988B1 (en) * 1999-01-03 2001-04-10 Schlumberger Technology Corporation Process for making an HMX product
US6583638B2 (en) * 1999-01-26 2003-06-24 Trio-Tech International Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
KR100317829B1 (ko) * 1999-03-05 2001-12-22 윤종용 반도체 제조 공정설비용 열전냉각 온도조절장치
US6460721B2 (en) * 1999-03-23 2002-10-08 Exxonmobil Upstream Research Company Systems and methods for producing and storing pressurized liquefied natural gas
JP2000286267A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法
US6290274B1 (en) * 1999-04-09 2001-09-18 Tsk America, Inc. Vacuum system and method for securing a semiconductor wafer in a planar position
US6128830A (en) * 1999-05-15 2000-10-10 Dean Bettcher Apparatus and method for drying solid articles
US6194571B1 (en) * 1999-05-26 2001-02-27 Schlumberger Technology Corporation HMX compositions and processes for their preparation
US6201117B1 (en) * 1999-05-26 2001-03-13 Schlumberger Technology Corporation Process for making a 1,3,5,7-tetraalkanoyl-1,3,5,7-tetraazacyclooctane
US6265573B1 (en) * 1999-05-26 2001-07-24 Schlumberger Technology Corporation Purification process
US6428724B1 (en) * 1999-05-26 2002-08-06 Schlumberger Technology Corporation Granulation process
US6461801B1 (en) * 1999-05-27 2002-10-08 Matrix Integrated Systems, Inc. Rapid heating and cooling of workpiece chucks
US6430841B1 (en) * 1999-05-27 2002-08-13 Lam Research Corporation Apparatus for drying batches of wafers
US6373679B1 (en) * 1999-07-02 2002-04-16 Cypress Semiconductor Corp. Electrostatic or mechanical chuck assembly conferring improved temperature uniformity onto workpieces held thereby, workpiece processing technology and/or apparatus containing the same, and method(s) for holding and/or processing a workpiece with the same
DE19931866A1 (de) * 1999-07-09 2001-01-18 Parkap Beteiligungs Und Verwal Verfahren und Vorrichtung zur Aufbereitung einer Abfallflüssigkeit
US6334266B1 (en) * 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
US7215697B2 (en) * 1999-08-27 2007-05-08 Hill Alan E Matched impedance controlled avalanche driver
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
US6199298B1 (en) * 1999-10-06 2001-03-13 Semitool, Inc. Vapor assisted rotary drying method and apparatus
US6377437B1 (en) * 1999-12-22 2002-04-23 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6494959B1 (en) * 2000-01-28 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for cleaning a silicon surface
SG105487A1 (en) * 2000-03-30 2004-08-27 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6436739B1 (en) * 2000-04-27 2002-08-20 The Regents Of The University Of California Thick adherent dielectric films on plastic substrates and method for depositing same
US6418728B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-16 Jerry Monroe Thermoelectric water pre-cooling for an evaporative cooler
AU2001271904A1 (en) * 2000-07-10 2002-02-05 Temptronic Corporation Wafer chuck having with interleaved heating and cooling elements
US6736668B1 (en) * 2000-09-15 2004-05-18 Arnold V. Kholodenko High temperature electrical connector
JP3910791B2 (ja) * 2000-09-19 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置
AU2002318912A1 (en) * 2000-12-08 2003-03-03 Deflex Llc Apparatus, process and method for mounting and treating a substrate
US6613157B2 (en) * 2001-02-15 2003-09-02 Micell Technologies, Inc. Methods for removing particles from microelectronic structures
US6602351B2 (en) * 2001-02-15 2003-08-05 Micell Technologies, Inc. Methods for the control of contaminants following carbon dioxide cleaning of microelectronic structures
US6641678B2 (en) * 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
US6562146B1 (en) * 2001-02-15 2003-05-13 Micell Technologies, Inc. Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide
US6596093B2 (en) * 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
CN102200356B (zh) * 2001-02-23 2014-03-26 布鲁克斯自动化公司 超低温闭环再循环气体冷却系统
US6628503B2 (en) * 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
US6552560B2 (en) * 2001-03-20 2003-04-22 Despatch Industries, L.L.P. Wafer-level burn-in oven
JP2002299319A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US6649883B2 (en) * 2001-04-12 2003-11-18 Memc Electronic Materials, Inc. Method of calibrating a semiconductor wafer drying apparatus
KR100397047B1 (ko) * 2001-05-08 2003-09-02 삼성전자주식회사 정전척의 냉각장치 및 방법
US6398875B1 (en) * 2001-06-27 2002-06-04 International Business Machines Corporation Process of drying semiconductor wafers using liquid or supercritical carbon dioxide
US6564469B2 (en) * 2001-07-09 2003-05-20 Motorola, Inc. Device for performing surface treatment on semiconductor wafers
KR20030006245A (ko) * 2001-07-12 2003-01-23 삼성전자 주식회사 웨이퍼 건조장치
JP2003090892A (ja) * 2001-07-13 2003-03-28 Toshiba Corp 蒸気乾燥器、熱交換器、発熱体被覆管および伝熱システム
JP2004536301A (ja) * 2001-07-16 2004-12-02 センサー テック インコーポレイテッド 気相物質の定性および定量分析のためのセンサ装置および方法
US6853953B2 (en) * 2001-08-07 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
US6750155B2 (en) * 2001-08-08 2004-06-15 Lam Research Corporation Methods to minimize moisture condensation over a substrate in a rapid cycle chamber
US6634177B2 (en) * 2002-02-15 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for the real-time monitoring and control of a wafer temperature
US6771086B2 (en) * 2002-02-19 2004-08-03 Lucas/Signatone Corporation Semiconductor wafer electrical testing with a mobile chiller plate for rapid and precise test temperature control
US6646233B2 (en) * 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
US6796054B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Low-pressure dryer and low-pressure drying method
JP2003294799A (ja) * 2002-04-05 2003-10-15 Orion Mach Co Ltd 環境試験装置
DE20205949U1 (de) * 2002-04-15 2002-08-22 Ers Electronic Gmbh Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US7195693B2 (en) * 2002-06-05 2007-03-27 Advanced Thermal Sciences Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing
US7156951B1 (en) * 2002-06-21 2007-01-02 Lam Research Corporation Multiple zone gas distribution apparatus for thermal control of semiconductor wafer
US6897940B2 (en) * 2002-06-21 2005-05-24 Nikon Corporation System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography
JP3913625B2 (ja) * 2002-07-12 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
KR100431332B1 (ko) * 2002-08-06 2004-05-12 삼성전자주식회사 반도체 설비의 냉각 가스 공급 장치
US7002341B2 (en) * 2002-08-28 2006-02-21 Vanderbilt University Superconducting quantum interference apparatus and method for high resolution imaging of samples
US20040045813A1 (en) * 2002-09-03 2004-03-11 Seiichiro Kanno Wafer processing apparatus, wafer stage, and wafer processing method
US7046025B2 (en) * 2002-10-02 2006-05-16 Suss Microtec Testsystems Gmbh Test apparatus for testing substrates at low temperatures
JP4133209B2 (ja) * 2002-10-22 2008-08-13 株式会社神戸製鋼所 高圧処理装置
KR100541447B1 (ko) * 2003-07-23 2006-01-11 삼성전자주식회사 웨이퍼용 정전척
US20050016467A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for dry chamber temperature control
US7072165B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
US7517498B2 (en) * 2003-08-19 2009-04-14 Agilent Technologies, Inc. Apparatus for substrate handling
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
US6905984B2 (en) * 2003-10-10 2005-06-14 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based contact conductivity electrostatic chuck
KR100653687B1 (ko) * 2003-11-04 2006-12-04 삼성전자주식회사 반도체기판들을 건조시키는 장비들 및 이를 사용하여반도체기판들을 건조시키는 방법들
KR20070089595A (ko) * 2004-02-19 2007-08-31 피2 테크놀로지스, 엘.피. 개선된 헤어 관리 장치용 발열체 및 회로
JP4330467B2 (ja) * 2004-02-26 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プロセス装置及び該プロセス装置内のパーティクル除去方法
US20060023395A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for temperature control of semiconductor wafers
US7314506B2 (en) * 2004-10-25 2008-01-01 Matheson Tri-Gas, Inc. Fluid purification system with low temperature purifier
DE102005001163B3 (de) * 2005-01-10 2006-05-18 Erich Reitinger Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer temperierbaren Aufspanneinrichtung
GB0505379D0 (en) * 2005-03-16 2005-04-20 Robio Systems Ltd Cellular entity maturation and transportation systems
US20060242967A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Termoelectric heating and cooling apparatus for semiconductor processing
US7834527B2 (en) * 2005-05-05 2010-11-16 SmartMotion Technologies, Inc. Dielectric elastomer fiber transducers
JP4410147B2 (ja) * 2005-05-09 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
US20060275547A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Lee Chung J Vapor Phase Deposition System and Method
US20060274474A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Lee Chung J Substrate Holder
JP4049172B2 (ja) * 2005-07-13 2008-02-20 住友電気工業株式会社 ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7615970B1 (en) * 2005-08-24 2009-11-10 Gideon Gimlan Energy invest and profit recovery systems
US20070084496A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Edey Bruce A Solid state power supply and cooling apparatus for a light vehicle
US20070091541A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor using feed forward thermal control
US7447025B2 (en) * 2005-11-01 2008-11-04 Fu Zhun Precision Industry (Shen Zhen) Co., Ltd. Heat dissipation device
US7920926B2 (en) * 2005-12-09 2011-04-05 Apsara Medical Corporation Method and apparatus for carrying out the controlled heating of tissue in the region of dermis
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US20070214631A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Thomas Landrigan Thermal chuck and processes for manufacturing the thermal chuck
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8585788B2 (en) * 2006-03-31 2013-11-19 Coaltek, Inc. Methods and systems for processing solid fuel
US8585786B2 (en) * 2006-03-31 2013-11-19 Coaltek, Inc. Methods and systems for briquetting solid fuel
US8524005B2 (en) * 2006-07-07 2013-09-03 Tokyo Electron Limited Heat-transfer structure and substrate processing apparatus
JP4812563B2 (ja) * 2006-08-29 2011-11-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US20080083700A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-10 Lexmark International, Inc. Method and Apparatus for Maximizing Cooling for Wafer Processing
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20080200039A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 United Microelectronics Corp. Nitridation process
US7479463B2 (en) * 2007-03-09 2009-01-20 Tokyo Electron Limited Method for heating a chemically amplified resist layer carried on a rotating substrate
US8706914B2 (en) * 2007-04-23 2014-04-22 David D. Duchesneau Computing infrastructure
US7954449B2 (en) * 2007-05-08 2011-06-07 Palo Alto Research Center Incorporated Wiring-free, plumbing-free, cooled, vacuum chuck
JP2007235171A (ja) * 2007-05-17 2007-09-13 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7938964B2 (en) * 2007-08-15 2011-05-10 Ronald De Strulle Environmentally-neutral processing with condensed phase cryogenic fluids
EP2047981B1 (en) * 2007-09-20 2010-11-03 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Aluminum alloy material having an excellent sea water corrosion resistance and plate heat exchanger
JP2009091648A (ja) * 2007-09-20 2009-04-30 Kobe Steel Ltd 海水耐食性に優れたアルミニウム合金材及びプレート式熱交換器
US20090149930A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-11 Thermage, Inc. Apparatus and methods for cooling a treatment apparatus configured to non-invasively deliver electromagnetic energy to a patient's tissue
US8198567B2 (en) * 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
US20090188211A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Xcellerex, Inc. Bag wrinkle remover, leak detection systems, and electromagnetic agitation for liquid containment systems
US7547358B1 (en) * 2008-03-03 2009-06-16 Shapiro Zalman M System and method for diamond deposition using a liquid-solvent carbon-transfer mechanism
US8515553B2 (en) * 2008-04-28 2013-08-20 Thermage, Inc. Methods and apparatus for predictively controlling the temperature of a coolant delivered to a treatment device
US8016901B2 (en) * 2008-07-14 2011-09-13 Tenoroc Llc Aerodynamic separation nozzle
US9064911B2 (en) * 2008-10-24 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Heated cooling plate for E-chucks and pedestals
JP5185790B2 (ja) * 2008-11-27 2013-04-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

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