KR20040111509A - 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법및 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 적어도 부분적으로 둘러싸이고, 공간(1;space)내에 위치하며 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 수용하기 위한 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 갖는 상기 공간(1)을 준비하는 단계; 및 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 열처리하기 위해 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 통해 건조 유체를 전달하는 단계를 포함하고, 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 떠나는 상기 유체의 적어도 일부는 상기 공간(1) 내의 분위기를 컨디셔닝하는데 이용되는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 대응 장치를 제공한다.

Description

반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR CONDITIONING SEMICONDUCTOR WAFERS AND/OR HYBRIDS}
종래, -200℃ 내지 +400℃의 온도 범위에서 반도체 웨이퍼에 관한 검사 측정(test measurement)이 실행되는 것으로 공지되어 있다. 열처리를 위해, 반도체 웨이퍼는 바람직한 온도에 따라 냉각 및/또는 가열되는 샘플 스테이지에 적용된다. 상기 공정에서는, 반도체 웨이퍼의 온도가 주위 가스 매체의 이슬점 이하로 하강하지 않도록 보장하는 것이 필요한데, 그렇지 않은 경우 웨이퍼의 표면 상에 수분이 응결되거나 결빙이 발생하여, 검사 측정을 방해하거나 방지하기 때문이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 컨디셔닝 장치의 제 1 실시예의 개략도이다;
도 2는 본 발명에 따른 컨디셔닝 장치의 제 2 실시예의 개략도이다;
도 3은 본 발명에 따른 컨디셔닝 장치의 제 3 실시예의 개략 단면도이다;
도 4는 본 발명에 따른 컨디셔닝 장치의 제 4 실시예의 개략 단면도이다;
도 5는 본 발명이 기초로 하고 있는 문제점을 설명하기 위한 컨디셔닝 장치의 개략 단면도이다.
도 5는 본 발명이 기초로 하고 있는 문제점을 설명하기 위한 컨디셔닝 장치의 개략 단면도를 나타낸다.
도 4에서, 참조 부호 1은, 온도 제어될 수 있는 샘플 스테이지(10)가 제공되고 검사를 위해 반도체 웨이퍼(도시안함)가 위치할 수 있는 용기(5;container) 내의 공간(space)을 지시한다. 용기(5)의 용량은 통상 400 내지 800 리터이다.
공간(1)은 전기 라인과 미디어 공급 라인을 위한 부싱 뿐만 아니라 적당한 경우 외부에 부착되며 반도체 웨이퍼의 검사 측정이 수행되는 프로브를 위한 부싱도 갖는 용기(5)의 벽에 의해 완전히 둘러싸인다. 그러나, 이 공간(1)은 애플리케이션에 따라 용기(5)에 의해 밀봉되어서는 안되지만, 내부 과잉 압력 생성에 의해 수분 주위 공기의 바람직하지 않은 침투를 방지할 수 있는 범위까지는 적어도 둘러싸여야 한다.
샘플 스테이지(10)(척(chuck)으로도 지칭됨)는 통상 이동가능한 베이스(20)에 접속되는 단열재(15)를 갖는다. 통상, 대응하는 이동 기구(도시안함)는 X, Y 및 Z 방향으로 조정가능하다. 이동 기구가 용기 내에 설치되지 않는 경우에는, 베이스와 용기 사이에 밀봉이 제공되어야 한다.
또한, 가열을 위해 외부로부터 전류가 공급될 수 있고 온도 프로브(도시안함)를 갖는 가열 장치(90)는 샘플 스테이지(10) 내에 합체된다.
참조 부호 100은, 용기(5) 내의 이슬점을 결정할 수 있고 대응 신호를 용기(5) 외부의 모니터(101)에 공급할 수 있는 이슬점 감지기를 지시한다. 이슬점 감지기(100)는 가열 장치를 열 때 신뢰도를 위해 특별히 이용되므로, 예를 들어, 물의 응결을 피하기 위해 보상 열처리가 수행될 수 있다.
또한, 외부로부터의 건조 공기, 또는 예를 들어 질소 등과 유사한 유체를 라인 r1을 경유하여 용기 내에 도입하여 용기(5)로부터 수분 주위 공기를 배출할 수 있는 유출(outflow) 소자(30)(oBdA, 2개만이 도시됨)가 제공된다. 이 공기는 먼저 라인 r00을 경유하여 외부에서 공기 건조기(3)에 공급된 후 라인 r1에 공급된다.
대응하는 전기 라인(11)과 미디어 공급 라인(r2)을 경유하여 용기(5)에 접속되는 별도 유닛은 다음 장치를 갖는 온도 제어 랙(2)이다.
참조 부호 80은 가열 장치(90)로 가열하여 샘플 스테이지(10)의 온도를 조절할 수 있는 온도 제어장치를 지시하고, 아래에 더 상세하게 설명하는 바와 같이, 샘플 스테이지(10)는 냉각용 공기로 동시 또는 교대로 세정된다.
참조 부호 70은 예를 들어 가스병으로부터 또는 공기 건조기로부터 라인 r0 및 라인 i1을 경유하여 건조 공기가 공급되고, 소정의 온도로 냉각할 수 있는 냉각 어셈블리(71, 72)에 접속되는 열 교환기(95)를 갖는 온도 조절 장치를 지시한다.
라인 r0, 라인 i1을 경유하여 공급되는 건조 공기는 열 교환기(95)를 통해 전달된 후, 용기(5) 내로 공급 라인(r2)을 경유하여 샘플 스테이지(10)에 공급되고, 이 샘플 스테이지(10)를 통해 건조 공기는 대응하는 냉각 코일 또는 냉각 파이프(도시안함)내를 지나간다. 샘플 스테이지(10)를 냉각시킨 건조 공기는 라인 r3을 경유하여 샘플 스테이지(10)를 떠나고 용기(5)로부터 대기로 전달된다.
용기(5)의 분위기(atmosphere)를 컨디셔닝하기 위해 유출 소자(30)를 경유하여 용기(5) 내로 전달되는 건조 공기가 통상 실온으로 유지되므로, 샘플 스테이지(10)의 표면만이 예를 들어 -20℃의 바람직한 측정 온도로 유지되지만, 용기(5) 내의 다른 소자들은 거의 실온으로 유지된다. 유출 소자(30)를 경유하여 공급되는 이 건조 공기는 슬릿 또는 갭(도시안함) 또는 별도의 배출 라인을 통해 용기(5)로부터 유출된다(flow out).
한편으로는 분위기를 컨디셔닝하기 위해 다른 한편으로는 샘플 스테이지(10)를 냉각하기 위해 건조 공기가 용기(5)를 통해 흘러가거나 분위기로 흘러들어가기 때문에, 건조 공기의 비교적 높은 소비가 발생한다는 사실은 반도체 웨이퍼를 컨디셔닝하는 위의 공지된 장치에서의 불편함을 증명한다. 따라서, 건조 공기의 소비는 비교적 높게 된다. 또한, 공기 건조기(3)의 고장은 대응 온도에서 검사 웨이퍼의 즉각적인 결빙(icing)도 발생시킨다.
이와 같은 이유로, 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법 및 장치를 규정하여, 더 효율적인 컨디셔닝을 허용하는 것이다.
청구항 1의 특징을 갖는 발명에 따른 방법과 청구항 9에 따른 대응 장치는, 공지된 해결 방법과 비교하여, 예를 들어, 건조 공기 등의 건조 가스를 효율적으로 이용할 수 있는 이점을 갖고 있다. 또 다른 이점은 고레벨의 성능 신뢰도이고, 웨이퍼/하이브리드 수용 장치를 떠나는 건조 공기가 항상 웨이퍼/하이브리드 수용 장치에서의 온도의 이슬점 이하이므로 얼음과 응결이 없음이 보장된다는 점이다.
본 발명이 기초로 하고 있는 사상은, 웨이퍼/하이브리드 수용 장치를 떠나는 가스의 적어도 일부가 공간 내의 분위기를 컨디셔닝하는데 이용된다는 것이다. 따라서, 본 발명에서, 냉각 공기는 건조 공기로서 적어도 부분적으로 동시에 이용된다. 우선 가스의 일부를 열처리한 후 공간 내에 유출되도록 허용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 상기 가스의 일부를 용기 외부에서 열처리한 후 용기로 피드백한다. 이와 같은 실시예의 특별한 이점은, 샘플 스테이지로부터 용기 외부로 공기를대응하여 피드백함으로써 더 높은 냉각 효율이 가능하게 된다는 것이다. 즉, 피드백된 냉각 공기는 웨이퍼/하이브리드 수용 장치를 냉각시킬 뿐만 아니라 공급된 건조 공기를 미리 냉각하거나 특정 어셈블리를 냉각하는데 추가로 이용될 수 있다.
그러나, 다른 또는 추가적인 방법으로는, 가스의 일부가 샘플 스테이지를 떠난 후 상기 가스의 일부가 용기 내에서 직접 유출되도록 허용하는 것이 가능하다. 모든 온도에서 가스의 일부를 직접 유출하도록 허용하는 것이 적절하지 않으므로, 상기 가스의 일부를 위해 대응하는 조절 밸브가 제공된다.
본 발명의 각 주요 사항의 이로운 전개와 개량은 종속항에서 주어진다.
하나의 바람직한 실시예에 따르면, 라인 장치는 공간 외부로부터 웨이퍼/하이브리드 수용 장치 내로 유체를 전달할 수 있는 제 1 라인, 웨이퍼/하이브리드 수용 장치로부터 공간 외부로 유체를 전달할 수 있는 제 2 라인, 및 공간 외부로부터 공간 내로 유체를 피드백할 수 있는 제 3 라인을 갖는다. 온도 조절 장치는 제 2 라인과 제 3 라인 사이에 제공된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제 3 라인의 선단에는 유출 소자가 제공된다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 라인 장치는 공간 외부로부터 웨이퍼/하이브리드 수용 장치 내로 유체를 전달할 수 있는 제 1 라인, 및 웨이퍼/하이브리드 수용 장치로부터 공간 내로 유체를 전달할 수 있는 제 4 라인을 갖는다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 라인 장치는 웨이퍼/하이브리드 수용 장치로부터 공간 외부로 유체를 전달할 수 있는 제 2 라인, 및 공간 외부로부터 공간내로 유체를 피드백할 수 있는 제 3 라인을 갖는다. 온도 조절 장치는 제 2 라인과 제 3 라인 사이에 제공된다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 제 4 라인의 유량을 조절하는 밸브가 제공된다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 온도 조절 장치는 가열 장치를 갖는다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 온도 조절 장치는 공간을 떠나는 유체의 적어도 일부가 전달될 수 있는 열 교환기를 갖는다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 열 교환기는 공급된 유체를 미리 냉각하는데 이용된다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 라인 장치는, 열 교환기(95)를 떠나는 유체의 일부를 공간 내로 적어도 부분적으로 피드백하여 분위기를 컨디셔닝할 수 있는 방법으로 설계된다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 라인 장치는 공간 외부로부터 공간 내로 직접 건조 유체를 추가로 전달할 수 있는 추가 라인이 제공된다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 공간은 용기에 의해 완전히 둘러싸인다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 도면에 도시되고, 다음의 설명에서 더 상세하게 설명된다.
도면에서, 동일 참조 부호는 동일하거나 기능적으로 동일한 구성 요소를 지시한다.
도 1은 본 발명에 따른 컨디셔닝 장치의 제 1 실시예의 개략도이다.
다음 설명에서는, 반복을 피하기 위해, 도 5를 참조하여 이미 상술한 구성 요소를 다시 설명하지 않는다.
참조 부호 80'은 가열 장치(90)에 의해 샘플 스테이지의 온도를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 라인 e2를 경유하여 이슬점 감지기(100)에도 결합되어 물/결빙의 응결의 위험이 있는 경우 자동적인 보상 가열을 개시할 수 있는 변형된 온도 제어장치를 지시한다.
도 1에 따른 제 1 실시예에서, 가열 장치(105)는 온도 조절 장치(70) 내에 추가로 합체되고 열 교환기(95)와 직접 접촉하지 않는다. 주위 분위기에서 종료하는 대신, 라인 r3이 가열 장치(105)에 유도되어, 샘플 스테이지(10)를 떠난 건조 공기가, 이를테면, 온도 제어 랙(2)에 피드백되고, 이 건조 공기는 가열 장치(105)를 통해 통과한 후 분위기를 컨디셔닝하기 위해 유출 소자(40)를 통해 공간(1) 내로 유출되는 용기(5)에 라인 r4를 경유하여 다시 전달된다.
참조 부호 4는 공간(1)내의 온도를 감지하는 온도 감지기를 지시하고, 이 온도 감지기는 가열 장치(105)에 의해 온도를 조절하는데 이용되는 온도 조절 장치(70)에 대응하는 온도 신호(TS)를 공급한다.
이와 같은 배치에 의해, 건조 공기는 2중의 기능을 수행할 수 있고, 특히 우선 샘플 스테이지(10)를 냉각한 후 용기(5)내의 개구를 통해 주위 분위기에 피드백되기 전에 공간(1)의 분위기를 컨디셔닝하므로, 더 효율적으로 이용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 컨디셔닝 장치의 제 2 실시예의 개략도이다.
도 2에 따른 제 2 실시예에서, 라인 r5는 샘플 스테이지(10) 바로 직전에서 라인 r2로부터 분기되고, 또한 냉각 코일 또는 냉각 파이프의 형태로 샘플 스테이지(10)를 통해 전도되지만, 그 후, 라인 r3과는 다른 지점에서 샘플 스테이지(10)를 떠나고, 건조 공기가 샘플 스테이지(10)를 떠난 후 용기(5) 내로 직접 상기 대응하는 건조 공기를 전달하는 제어가능한 배출 밸브(45)를 경유하여 그 지점으로부터 샘플 스테이지(10)를 떠난다.
이는 특정 애플리케이션에서 매우 낮은 온도에서 문제점을 일으킬 수 있으므로, 라인 r5를 경유하여 용기(1) 내로 건조 가스를 전달할 수 있는 이와 같은 옵션은 배출 밸브(45)에 의해 조절될 수 있다. 이와 같은 조절은, 예를 들어, 원격 제어 또는 유선 제어 방식에 의해 종래 방법으로 수행될 수 있다.
이를 제외하면, 제 2 실시예는 상술한 제 1 실시예의 구성과 동일하다.
도 3은 본 발명에 따른 컨디셔닝 장치의 제 3 실시예의 개략 단면도를 나타낸다.
참조 부호 80'은 제어 라인(ST)을 경유하여 온도 조절 장치(70)도 제어하여 중앙 온도 제어 시스템의 역할을 하게 되는 다른 변형된 온도 제어 장치를 지시한다.
도 3에 따른 제 3 실시예에서, 라인 r3을 경유하여 피드백되는 건조 공기의 일부는 가열 장치(105) 전에서 라인 i3을 경유하여 분기되고, 라인 r0, 라인 i1을 경유하여 새로 공급되는 건조 공기와 마찬가지로 냉각에 기여하는 열 교환기(95)를 통해 전달된다. 이 건조 공기는 라인 i4를 경유하여 열 교환기(95)를 떠나고, 가열 장치(105)를 통해 흐른 공기와 가열 장치(105) 바로 다음에서 직접 결합된다. 대응하는 접합 지점으로부터, 이 건조 공기는, 제 1 실시예와 정확히 동일한 방법으로, 라인 r4를 경유하여 유출 소자(40)를 통해 용기(5) 내로 전달되어, 용기의 분위기를 컨디셔닝한다.
또한, 본 실시예는 열 교환기(95)를 바이패스할 수 있는 바이패스 라인(r10) 및 제어가능한 혼합 밸브(46)를 제공한다.
본 실시예의 특별한 이점은, 샘플 스테이지(10)로부터 다시 흘러 들어온 건조 공기의 "잔여 냉기(residual coldness)"를 열 교환기를 냉각하는데 이용할 수 있을 뿐만 아니라 가열 후 용기(5) 내로 피드백할 수 있다는 것이다.
이를 제외하면, 제 2 실시예는 상술한 제 1 실시예와 동일한 방법으로 구성된다.
도 4는 본 발명에 따른 컨디셔닝 장치의 제 4 실시예의 개략 단면도이다.
도 4에서 참조 부호 85는, 열 교환기(95)와 동일한 가스 소스로부터 라인r0, i2를 경유하여 예를 들어 건조 공기 등의 건조 가스가 공급되는 추가적인 가스-온도 제어 장치를 지시하고, 상기 공기는 상기 제어 장치에 의해 소정의 온도로 설정된 후 라인 r1을 경유하고 유출 소자(30)를 경유하여 용기(5)의 내부로 전달된다.
따라서, 본 실시예에서는 용기(5)내에서 유출 소자(30)를 경유하여 건조 공기의 직접 공급이 추가적으로 제공되나, 샘플 스테이지(10)를 통과한 유량이 용기(5) 내의 분위기를 컨디셔닝하는데 완전히 충분한 경우 스위치 오프될 수 있는 방법으로 구성할 수도 있다.
바람직한 예시적인 실시예를 참조하여 본 발명을 상술하였지만, 그 실시예에 한정되지 않고 여러 방법으로 변형될 수 있다.
특히, 상기 예시적인 실시예가 서로 조합될 수도 있음은 물론이다. 수동으로 또는 전기적으로 제어될 수 있는, 각각의 가스 흐름을 위한 추가적인 라인 접속과 조절 밸브 또한 제공될 수 있다.
또한, 피드백된 가스의 잔여 냉기를 열 교환기(95)를 냉각하는데 이용할 수 있을 뿐만 아니라 상기 잔여 냉기가 용기(5)에 피드백되기 전에 열 교환기 또는 어느 다른 바람직한 어셈블리를 냉각하는데에도 이용할 수 있다.
또한, 본 발명은 가스 상태의 건조 공기에 한정되지 않고 그 원리상 어느 다른 유체에도 적용될 수 있다.
또한, 웨이퍼/하이브리드 수용 장치는 샘플 스테이지나 척에 한정되지 않고, 예를 들어, 클램프 장치 등과 같이, 바람직하게 변형될 수 있다.

Claims (20)

  1. 적어도 부분적으로 둘러싸이고, 공간(1;space)내에 위치하며 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 수용하기 위한 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 갖는 상기 공간(1)을 준비하는 단계; 및
    상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 열처리하기 위해 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 통해 건조 유체를 전달하는 단계를 포함하고,
    상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 떠나는 상기 유체의 적어도 일부는 상기 공간(1) 내의 분위기를 컨디셔닝하는데 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공간(1)은 용기(5)에 의해 완전히 둘러싸인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유체의 일부는 우선 열처리된 후 상기 공간(1) 내부에서 유출되도록 허용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유체의 일부는 상기 공간(1) 외부에서 열처리된 후 상기 공간(1)에 피드백되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체의 일부는 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 떠난 직후 상기 공간(1) 내부에서 유출되도록 허용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 샘플 스테이지(10)를 떠나는 상기 유체의 제 1 일부는 우선 열처리된 후 상기 공간(1) 내부에서 유출되도록 허용되고, 제 2 일부는 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 떠난 직후 상기 공간(1) 내부에서 유출되도록 허용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 일부와 제 2 일부 중 적어도 하나는 유량(flow rate)의 함수로서 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 유체의 일부가 상기 공간(1) 내부에서 유출되도록 허용되기 전에 상기 공간(1) 외부에서 미리 냉각하는데, 특히 상기 유체를 미리 냉각하는데 이용되는 방식으로 상기 유체의 일부는 열처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 방법.
  9. 공간(1) 내에 위치하며 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 수용하기 위한 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 갖는 적어도 부분적으로 둘러싸인 상기 공간(1); 및
    상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 열처리하기 위해 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 통해 건조 유체를 전달하고 상기 공간(1)내의 분위기를 컨디셩하기 위해 상기 공간(1) 내로 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)를 떠나는 상기 유체의 적어도 일부를 전달하는 라인 장치(r2, r3, r4, r5, i3, i4)를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 라인 장치(r2, r3, r4, r5, i3, i4)는,
    상기 공간(1) 외부로부터 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10) 내로 상기 유체를 전달할 수 있는 제 1 라인(r2);
    상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)로부터 상기 공간(1) 외부로 상기 유체를 전달할 수 있는 제 2 라인(r3); 및
    상기 공간(1) 외부로부터 상기 공간(1) 내로 상기 유체를 피드백할 수 있는 제 3 라인(r4)을 갖고,
    상기 제 2 라인(r3)과 제 3 라인(r4) 사이에 온도 조절 장치(70; 70, 80'')가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 3 라인(r4)의 선단에 유출(outflow) 소자(40)가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 라인 장치(r2, r3, r4, r5, i3, i4)는,
    상기 공간(1) 외부로부터 상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10) 내로 상기 유체를 전달할 수 있는 제 1 라인(r2); 및
    상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)로부터 상기 공간(1)내로 상기 유체를 전달할 수 있는 제 4 라인(r5)을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 라인 장치(r2, r3, r4, r5, i3, i4)는,
    상기 웨이퍼/하이브리드 수용 장치(10)로부터 상기 공간(1) 외부로 상기 유체를 전달할 수 있는 제 2 라인(r3); 및
    상기 공간(1) 외부로부터 상기 공간(1) 내로 상기 유체를 피드백할 수 있는 제 3 라인(r4)을 갖고,
    상기 제 2 라인(r3)과 상기 제 3 라인(r4) 사이에 온도 조절 장치(70; 70, 80'')가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 제 4 라인(r5)의 유량을 조절하기 위해 밸브(45)가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  15. 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 조절 장치(70; 70, 80'')는 가열 장치(105)를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  16. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 조절 장치(70; 70, 80'')는 상기 공간(1)을 떠나는 상기 유체의적어도 일부가 전달될 수 있는 열 교환기(95)를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 열 교환기(95)는 상기 공급된 유체를 미리 냉각하는데 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 라인 장치(r2, r3, r4, r5, i3, i4)는, 상기 열 교환기(95)를 떠나는 상기 유체의 일부를 상기 공간 내로 분위기를 컨디셔닝하기 위해 적어도 부분적으로 피드백할 수 있는 방식으로 설계되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  19. 제 9 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공간(1) 외부로부터 상기 공간(1) 내로 직접 건조 유체를 추가적으로 전달할 수 있는 추가 라인(r1)이 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
  20. 제 9 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공간(1)은 용기(5)에 의해 완전히 둘러싸인 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 및/또는 하이브리드를 컨디셔닝하는 장치.
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