KR950034639A - 반도체 디바이스 및 그 제조방법과, 반도체 칩을 장착하기 위한 가요성 막 - Google Patents

반도체 디바이스 및 그 제조방법과, 반도체 칩을 장착하기 위한 가요성 막 Download PDF

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가네꼬 히사시
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Abstract

절연막(3)은 제1표면(S1)상의 전도층(6)과 제2표면(S2)상의 전도성 돌기부(9)를 가진다. 전도층은 절연막내에 제공된 관통홀을 통해 전도성 돌기부에 연결된다. 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)은 접착층(22)에 의해 절연막이 부착된다. 따라서, 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 전도층은 국부적으로 프레스된다.

Description

반도체 디바이스 및 그 제조방법과, 반도체 칩을 장착하기 위한 가요성 막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 5A도는 본 발명에 따른 리드된 필름 캐리어형 반도체 디바이스의 제1실시예를 나타내는 단면도, 제5B도는 제5A도 디바이스의 저면도, 제71도~제7H도는 제5A도 디바이스의 제조단계를 설명하는 단면도, 제8도는 제7C도 디바이스의 부분 확대 단면도.

Claims (62)

  1. 반도체 디바이스의 제조방법에 있어서, 전도층(6)이 형성되어 있는 제1표면(S1)과 절연막(3)을 통해서 상기 전도층의 각각의 하나에 연결된 전도 돌기물(9)이 형성되어 있는 제2표면을 가지는 절연막(3)을 제공하는 단계와, 상기 전도층이 패드(2)의 각각의 하나에 대향하도록 접착층(22)에 의해 상기 절연막에 접착된 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 부착하는 단계와, 상기 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전도성 돌기물이 상기 전도층의 각각에 하나에 전기적으로 연결되도록 전도부재(4)가 상기 절연막내에 제공된 홀을 통해 삽입되고, 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 개구(21,31)가 상기 절연막내에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 각 개구에 필러(32)가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전도층이 상기 절연막에 제공된 홀을 통해 전도성 돌기물의 각각의 하나에 이르도록 신장되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 국부적인 프레스단계가 완료한 후에 상기반도체 디바이스의 측면만을 수지로 포팅(도포)하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 국부적인 프레스 단계가 완료된 후 상기 반도체 디바이스를 트랜스피 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  7. 반도체 디바이스 제조방법에 있어서, 전도층(6)이 형성된 제1표면(S1)을 가지는 절연막(3)을 제공하는 단계와, 상기 전도층이 패드(2)의 각각의 하나에 대향하도록 접착층(22)에 의해 상기 절연막에 접착된 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 부착하는 단계와, 상기 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 절연막의 제2표면(S2)상에 상기 절연막을 통해 상기 전도층의 각각의 하나에 연결된 전도성 돌기부(9)를 형성하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전도성 돌기부가 상기 전도층의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 전도부재(4)가 상기 절연막내에 제공된 홀을 통해 삽입되고, 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 개구(21,31)가 상기 절연막내에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 각 개구에 필러(32)가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 전도층이 상기 절연막에 제공된 홀을 통해 상기 전도성 돌기물의 각각의 하나에 이르도록 신장되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 국부적인 프레스 단계가 완료한 후에 상기 반도체 디바이스의 트랜스피 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 국부적인 프레스 단계가 완료한 후에 상기 반도체 디바이스의트랜스피 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  14. 반도체 디바이스 제조방법에 있어서, 제1 및 제2표면(S1,S2) 및 이를 관통홀(31), 상기 제2표면상에 형성된 전도층(6), 상기 전도층상에 형성된 전도성 돌기부(9), 상기 관통홀 내에 형성되고 상기 전도층의 각각의 하나에 연결된 전도부재(6a)를 가지는 절연막(3)을 제공하는 단계와, 상기 전도부재가 상기 패드(2)의 각각의 하나에 대향하도록 접착층(22)에 의해 상기 절연막에 접착된 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 부착하는 단계와, 상기 전도부재가 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 전도부재를 국부적으로 프레스하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 전도성 돌기부(42,43)가 상기 제1표면의 측면상의 상기 전도부재에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 국부적인 프레스단계가 완료한 후에 상기 반도체 디바이스의 측면만을 수지로 포팅하는 단계를 포함하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 국부적인 프레스 단계가 완료된 훙 상기 반도체 디바이스를 트랜스퍼 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  18. 반도체 디바이스 제조방법에 있어서, 제1및 제2표면(S1,S2) 및 이를 관통하는 관통홀(31), 상기 제2표면상에 형성된 전도층(6), 상기 관통홀내에 형성되고 상기 전도층의 각각의 하나에 연결된 전도부재(6a)를 가지는 절연막(3)을 제공하는 단계와, 상기 전도부재가 상기 패드(2)의 각각의 하나에 대향하도록 접착층(22)에 의해 상기 절연막에접착된 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 부착하는 단계와, 상기 전도부재가 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 전도부재를 국부적으로 프레스하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 전도층상에 제1전도성 돌기부를 형성하는 단계를 또한 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 제2전도성 돌기부(42,43)가 상기 제1표면의 측면상의 상기 전도부재에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 국부적인 프레스단계가 완료한 후에 상기 반도체 디바이스의 측면만을 수지로 포팅하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  22. 제18항에 있어서, 상기 국부적인 프레스단계가 완료된 후 상기 반도체 디바이스를 트랜스퍼 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  23. 반도체 디바이스 제조방법에 있어서, 전도층(6)이 형성되어 있는 제1표면(S1)과 전도성 돌기부(9)가 절연막(3)을 통해 상기 전도층의 각각의 하나에 연결되어 있는 제2표면(S2)을 가지며, 그의 중심부에 수지 주입개구(3a)를 가지는 절연막(3)을 제공하는 단계와, 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 상기 전도층이 패드(2)의 각각의 하나에 대향하도록 상기 절연막과 결합하는 단계와, 상기 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 단계와, 상기 수지 주입 개구를 통해서 상기 절연막과 상기 반도체 칩 사이의 갭으로 수지를 주입하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 전도성 돌기물이 상기 전도층의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 전도부재(4)가 상기 절연막내에 제공된 홀을 통해 삽입되고, 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 개구(21,31)가 상기 절연막내에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  25. 제23항에 있어서, 상기 각 개구에 필러(32)가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 전도층이 상기 절연막에 제공된 홀을 통해 상기 전도성 돌기물의 각각의 하나에 이르도록 신장되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  27. 제23항에 있어서, 상기 국부적인 프레스단계가 완료한 후에 상기 반도체 디바이스의 측면만을 수지로 포팅하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  28. 제23항에 있어서, 상기 국부적인 프레스 단계가 완료된 후 상기 반도체 디바이스를 트랜스퍼 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  29. 반도체 디바이스 제조방법에 있어서, 전도층이 형성된 제1표면(S1)을 가지고, 그의 중심부에 수지 주입개구(3a)를 가지는 절연막(3)을 제공하는 단계와, 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 상기 전도층이 패드(2)의 각각의 하나에 대향하도록 상기 절연막과 결합하는 단계와, 상기 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 단계와, 상기 수지 주입 개구를 통해서 상기 절연막과 상기 반도체 칩 사이의 갭으로 수지를 주입하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 절연막의 제2표면(S2)상에 상기 절연막을 통해서 상기 전도층의 각각의 하나에 연결된 전도성 돌기부(9)를 형성하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 전도성 돌기물이 상기 전도층의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 전도부재(4)가 상기 절연막내에 제공된 홀을 통해 삽입되고, 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 개구(21,31)가 상기 절연막내에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기 각 개구에 필러(32)가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  33. 제29항에 있어서, 상기 전도층이 상기 절연막에 제공된 홀을 통해 상기 전도성 돌기물의 각각의 하나에 이르도록 확장되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  34. 제29항에 있어서, 상기 국부적인 프레스단계가 완료한 후에 상기 반도체 디바이스의 측면만을 수지로 포팅하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  35. 제29항에 있어서, 상기 국부적인 프레스단계가 완료된 후 상기 반도체 디바이스를 트랜스퍼 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  36. 반도체 디바이스 제조방법에 있어서, 제1 및 제2표면(S1,S2)및 이를 관통하는 관통홀(31), 상기 제2표면상에 형성된 전도층(6), 상기 전도층상에 형성된 전도성 돌기부(9), 상기 관통홀 내에 형성되고 상기 전도층의 각각의 하나에 연결된 전도부재(6a)를 가지며, 그이 중심부에 수지 주입개구(3a)를 가지는 절연막(3)을 제공하는 단계와, 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 상기 전도층이 패드(2)의 각각의 하나에 대향하도록 상기 절연막과 결합하는 단계와, 상기 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 단계와, 상기 수지 주입 개구를 통해서 상기 절연막과 상기 반도체 칩 사이에 갭으로 수지를 주입하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  37. 제36항에 있어서, 전도성 돌기부(42,43)가 상기 제1표면의 측면상의 상기 전도부재에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  38. 제36항에 있어서, 상기 국부적인 프레스단계가 완료한 후에 상기 반도체 디바이스의 측면만을 수지로 포팅하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  39. 제36항에 있어서, 상기 국부적인 프레스 단계가 완료된 후 상기 반도체 디바이스를 트랜스퍼 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  40. 반도체 디바이스 제조방법에 있어서, 제1 및 제2표면(S1,S2)및 이를 관통하는 관통홀(31), 상기 제2표면상에 형성된 전도층(6), 상기 관통홀 내에 형성되고 상기 전도층의 각각의 하나에 연결된 전도부재(6a)를 가지며, 그의 중심부에 수지 주입개구(3a)를 가지는 절연막(3)을 제공하는 단계와, 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 상기 전도층이 패드(2)의 각각의 하나에 대향하도록 상기 절연막과 결합하는 단계와, 상기 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 전도층을 국부적으로 프레스하는 단계와, 상기 수지 주입 개구를 통해서 상기 절연막과 상기 반도체 칩 사이에 갭으로 수지를 주입하는 단계를 구비하는 반도체 디바이스 제조방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 전도층에 제1전도성 돌기부(9)를 형성하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  42. 제40항에 있어서, 상기 제1표면의 측면의 상기 전도부재상에 제2전도성 돌기부(42,43)가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  43. 제40항에 있어서, 상기 국부적인 프레스 단계가 완료된 후에 상기 반도체 디바이스의 측면만을 수지로 포팅하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  44. 제40항에 있어서, 상기 국부적인 프레스 단계가 완료된 후 상기 반도체 디바이스를 트랜스퍼 몰딩하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
  45. 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)과, 전도층(6)이 형성된 제1표면(S1)과 제2표면(S2)을 가지는 절연막(3)과, 상기 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 반도체 칩을 상기 절연막에 부착시키는 접착층(22)을 구비하는 반도체 디바이스.
  46. 제45항에 있어서, 전도성 돌기부(9)가 상기 제2표면상에 형성되고 상기 절연막을 통해서 상기 전도층의 각각의 하나에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  47. 제45항에 있어서,상기 반도체 칩의 측면을 포팅함으로써 수지 몰드 부재(52)를 또한 구비하는 반도체 디바이스.
  48. 제45항에 있어서, 상기 반도체 칩을 전체적으로 커버하는 트랜스퍼몰디에 의해 수지 몰드 부재(53)를 또한 구비하는 반도체 디바이스.
  49. 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)과,관통홀을 통하여 절연막의 제1 및 제2표면(S1,S2)에 확장된 전도층(6)과, 상기 제2표면측면상의 전도층상의 전도층상의 전도성 돌기부(9)를 가지는 절연막(3)과 상기 전도층이 상기 패드의 각각의 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 반도체 칩을 상기 절연막에 부착시키는 접착층(22)을 구비하는 반도체 디바이스.
  50. 제49항에 있어서, 상기 반도체 칩의 측면을 포팅함으로써 형성된 수지 몰드 부재(52)를 또한 구비하는 반도체 디바이스.
  51. 제49항에 있어서, 상기 반도체 칩을 전체적으로 커버하는 트랜스퍼몰딩에 의해 수지 몰드 부재(53)를 또한 구비하는 반도체 디바이스.
  52. 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)과, 제1 및 제2표면(S1,S2) 및 이를 관통하는 관통홀과, 상기 제2표면상에 형성된 전도층(6)과, 상기 전도층상에 형성된 전도성 돌기부(9)와, 상기 관통홀 내에 형성되고 상기 전도층의 각각의 하나에 연결되는 전도부재(4)를 가지는 절연막(3)과, 상기 전도층이 상기 패드의 각각에 하나에 전기적으로 연결되도록 상기 반도체 칩을 상기 절연막에 부착시키는 접착층(22)을 구비하는 반도체 디바이스,
  53. 제52항에 있어서, 상기 반도체 칩의 측면을 커버하는 포팅함에 의해 형성된 수지 몰드 부재(52)를 또한 구비하는 반도체 디바이스.
  54. 제52항에 있어서, 상기 반도체 칩을 전체적으로 커버하는 트랜스퍼몰딩에 의해 수지 몰드 부재(53)를 또한 구비하는 반도체 디바이스.
  55. 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 탑재하는 가요성 막에 있어서, 상기 반도체 칩을 탑재하는 제1표면(S1)과 제2표면(S2)을 가지는 절연막(3)과, 상기 제11표면상에 형성된 전도층(6)과, 상기 절연막의 홀로 삽입되고, 각각이 상기 전도츠의 각각 하나와 상기 전도성 돌기부의 각각의 하나 사이에 연계되는 전도부재(4)를 구비하고, 상기 절연막이 상기 전도층 국부적으로 프레스하는 개구(21)에서 상기 패드로 관통된 가요싱 막.
  56. 제55항에 있어서, 상기 제2표면상에 전도성 돌기부(9)를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 막.
  57. 제55항에 있어서, 상기 절연막의 중심부에 수지를 주입하는 개구(3a)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 막.
  58. 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)을 탑재하는 가요성 막에 있어서, 상기 반도체 칩을 탑재하는 제1표면(S1)과 제2표면을 가지는 절연막(3)과, 상기 절연막의 관통홀을 통해 상기 제1 및 제2표면상에 확장되는 전도창(6)과, 상기 제2표면 측면상의 전도층상에 형성된 전도성 돌기부(9)를 구비하고, 상기 관통홀이 상기 전도층 상기 패드로 국부적으로 프레스하는데 사용되는 가요성 막.
  59. 제58항에 있어서, 상기 각 관통홀에 필러(32)가 제공되는 것을 특징으로 하는 가요성 막.
  60. 제58항에 있어서, 상기 절연막의 중심부에 수지를 주입하는 개구(3a)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 막.
  61. 패드(2)를 가지는 반도체 칩(1)과, 탑재하는 가요성 막에 있어서, 상기 반도체 칩을 탑제하는 제1표면과 제2표면을 가지는 절연막93)과, 상기 제2표면상에 형성된 전도층(6)과, 상기 전도층 상에 형성된 전도성 돌기부(9)과, 상기 절연막의 관통홀에 제공되고 상기 전도층에 연결된 전도부지(4)를 구비하고, 상기 전도부재가 상기 패드를 국부적으로 프레스하는 가요성 막.
  62. 제61항에 있어서, 상기 절연막의 중심부에 수지를 주입하는 개구부(3a)가 형성된 것을 특징으로 하는 가요성 막.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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