KR900019235A - 고밀도 다이나믹 ram 셀 및 이의 제조 방법 - Google Patents

고밀도 다이나믹 ram 셀 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

내용없음

Description

고밀도 다이나믹 RAM 셀 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한실시예의 동작을 도시하는 다이나믹 등속 호출 셀 메모리 어레이의 개략도, 제2도는 본 발명의 한 실시예의 평면도, 제3도는 제2도의 AA단면의 단면도.

Claims (22)

  1. 기판내에 형성된 트렌치, 상기 트렌체의 벽들 및 상기 디바이스와 상기 기판에 형성된 다른 디바이스들 사이에 상기 기판의 영역내의 상기 기판의 표면상에 형성된 제1절연층, 상기 제1절연층상에 형성된 필드 전도층, 상기 기판에 형성되고, 채널 영역에 의해 상기 필드 전도층에 인접한 상기 기판 부분으로 부터 분리된 드레인 영역, 상기 채널 영역에 인접한 상기 기판상에 형성된 게이트 절연층, 및 상기 게이트 절연층상에 형성된 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트렌치가 직사각형 실린더형 트렌치인 것을 특징으로 하는 디바이스
  3. 제1항에 있어서, 사이 제1절연층이 이산화 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 디바이스
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1절연층이 3개의 이산화 실리콘 구조물, 실리콘 질화물 및 이산화 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판과 반대인 전도형을 갖고 있고, 상기 기판의 면에 형성되며, 상기 트렌치를 둘러싸고 있는 무겁게 도프된 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  6. 제1항에 있어서, 상기 필드 도전층이 다결정 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 디바이스
  7. 제1항에 있어서, 상기 드레인 영역에 전기적으로 접속된 비트라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  8. 제1항에 있어서, 상기 게이트에 전기적으로 접속된 워드 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  9. 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연층이 이산화 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  10. 반도체 기판에 형성되고, 제1전도 형을 갖고 있는 트렌치, 상기 트렌치 및 상기 기판의 주요면이 교차하는 곳에서 상기 트렌치를 둘러싸고 상기 기판내의 제2전도형을 갖고 있는 제1도프된 영역, 상기 트렌치의 잔류부를 둘러싸는 상기 기판내에 상기 제2전도도형을 갖고 있는 제1도프된 영역, 상기 트렌치의 표면 및 분리가 상기 디바이스와 상기 기판에 형성된 인접 디바이스 사이에 요구된 영역내의 상기 트렌치의 상기 주요 표면상에 형성된 제1절연층, 상기 제1절연 층상에 형성된 제1전도층, 상기 기판의 상기 주요 면내에 형성되고, 채널 영역에 의해 상기 제1도프된 영역으로부터 분리되는 제3도프된 영역, 상기 채널영역에 인접한 상기 주요 표면상에 형성된 제2절연층, 상기 제2절연층상에 형성된 게이트, 및 상기 게이트의 측벽들 및 상기 제1전도층상에 형성된 측벽절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2전도도 형을 갖고 있고 상기 제1 및 제3 도프된 영역 도펀트 농도 미만의 도펀트 농도를 갖고 있는 가볍게 도프된 영역을 포함하는데, 상기 가볍게 도프된 영역이 상기 주요면내에 형성되고 상기 채널과 상기 제1 및 제3 도프된 영역 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 디바이스.
  12. 디바이스를 형성하기 위한 방법에 있어서, 기판에 트렌치를 형성하는 스텝, 상기 트렌치의 벽들을 도핑하는 스텝, 제1절연체 전부를 형성하는 스텝, 상기 제1전도층 및 상기 제1절연층내에, 상기 트렌치에 인접한 개구를 형성하는 스텝, 상기 개구내의 상기 기판상에 제2절연층을 형성하는 스텝, 상기 개구내에 상기 제2절연층의 부분을 커버하는 게이트를 제공하기 위해 제2전도층을 형성하는 패터닝하는 스텝, 및 상기 게이트에 의해 커버되지 않고, 상기 개구 하부의 상기 기판 내로 도펀트 원자를 유입하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기판이 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 디바이스.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1절여체가 이산화 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1절연체가 열적 산화에 의해서 형성된 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 트렌치의 표면에서 도프된 영역을 형성하는 스텝을 포함하고, 상기 트렌치가 상기 도프된 영역을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 도프된 영역이 상기 기판의 표면에서 상기 트렌치를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제12항에 있어서, 도펀트 원자의 유입이 이온 주입에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
  19. 제12항에 있어서, 상기 게이트에 의해 커버되지 않고 상기 개부하부의 상기 기판의 표면상에 금속 규화물층을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 금속 규화물이 전체 금속층을 증착하고 상기 기판이 상기 금속과 반응하도록 가열함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 금속이 티타늄, 몰리브덴 및 텅스텐의 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
  22. 제20항에 있어서, 상기 가열이 질소 기체내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900006792A 1989-05-14 1990-05-12 고밀도 다이나믹 ram 셀 및 이의 제조 방법 KR900019235A (ko)

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