KR20200100818A - 메모리 카드 및 단말 - Google Patents

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KR20200100818A
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지앙타오 양
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후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 명세서는 메모리 카드와 단말을 제공한다. 메모리 카드는 저장 유닛, 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 포함한다. 저장 유닛 및 제어 유닛은 메모리 카드의 카드 본체 내에 배치된다. 메모리 카드 인터페이스는 메모리 카드의 카드 본체 상에 배치된다. 제어 유닛은 저장 유닛 및 메모리 카드 인터페이스에 개별적으로 전기 접속된다. 메모리 카드의 형태는 나노 SIM 카드의 형태와 동일하고, 메모리 카드의 크기는 나노 SIM 카드의 크기와 동일하므로, 나노 SD 카드가 제공된다. 따라서, 실시예에서 제공되는 메모리 카드는 나노 SIM 카드 홀더에 삽입될 수 있다. 또한, 메모리 카드 및 나노 SIM 카드는 동일한 나노 SIM 카드 홀더를 공유할 수 있다.

Description

메모리 카드 및 단말
본 출원은 2018년 2월 1일 중국특허청에 출원되고 발명의 명칭이 "메모리 카드 및 단말"인 중국특허출원 No. 201810103746.3에 대한 우선권을 주장하는 바이며, 상기 문헌은 그 전문이 본 명세서에 원용되어 포함된다.
본 출원은 통신 기술에 관한 것이며, 특히 메모리 카드 및 단말에 관한 것이다.
단말 기술의 발달로 단말은 사람들의 삶과 업무에서 중요한 커뮤니케이션 도구가 되었다. 현재, 가입자 식별 모듈(subscriber identity module, SIM) 카드 및 보안 디지털 메모리(secure digital memory, SD) 카드가 단말 상에 배치된다. 또한, 단말은 SIM 카드를 이용하여 통신을 수행할 수 있고, 단말은 SD 카드에 데이터를 저장할 수 있다.
종래 기술에서, 듀얼 나노 SIM 카드가 단말 상에 구성된다. 구체적으로, 단말은 2개의 나노 SIM 카드 홀더를 제공하고, 2개의 나노 SIM 카드는 나노 나노 SIM 카드 홀더에 개별적으로 삽입될 수 있으므로, 단말은 듀얼 나노 나노 SIM 카드를 사용함으로써 통신을 구현한다.
그렇지만, 사용자가 단말을 사용하는 경우, 사용자는 보통 단말 상에 하나의 나노 SIM 카드만을 구성하고 하나의 나노 SIM 카드만을 사용한다. 따라서, 단말의 다른 카드 홀더에 나노 SIM 카드가 삽입되지 않아 단말의 공간이 낭비된다. 또한, 종래 기술에 제공된 SD 카드는 Micro-SD 카드이며, 기존 Micro-SD 카드 및 나노 SIM 카드의 형상 및 인터페이스 정의는 완전히 호환되지 않는다. 따라서, 기존의 Micro-SD 카드와 호환되는 Micro-SD 카드 홀더가 단말 상에 추가로 배치된다. 단말 설계는 점점 더 소형화되기 때문에 업계에서는 설계 공간 최적화가 어려운 문제가 되고 있다.
본 출원은 2개의 나노 SIM 카드 홀더를 제공하는 단말 상에서 하나의 나노 나노 SIM 카드 홀더가 사용되지 않아 단말 공간이 낭비되고, 기존의 Micro-SD 카드가 나노 SIM 카드와 완전히 호환되지 않는 문제를 해결하기 위해 메모리 카드 및 단말을 제공한다.
제1 관점에 따라, 본 출원은 메모리 카드를 제공하며, 상기 메모리 카드는: 저장 유닛, 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 포함하고, 상기 저장 유닛 및 상기 제어 유닛은 상기 메모리 카드의 카드 본체 내에 배치되고, 상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상에 배치되고. 상기 제어 유닛은 상기 저장 유닛 및 상기 메모리 카드 인터페이스에 개별적으로 전기 접속되고, 상기 메모리 카드의 형상은 나노 가입자 식별 모듈(nano subscriber identity module, SIM) 카드의 형상과 동일하며, 상기 메모리 카드의 크기는 상기 나노 SIM 카드와 동일하며; 그리고
상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점을 적어도 포함하고, 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점은 전원 신호를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점은 제어 신호를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점은 클록 신호를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점은 접지 신호를 전송하도록 구성된다.
제1 관점을 참조해서, 제1 관점의 제1 구현에서, 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점은 모두 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체의 동일한 측면 상에 위치한다.
제1 관점 또는 제1 관점의 제1 구현을 참조해서, 제1 관점의 제2 구현에서, 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되며;
상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하며;
상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며; 그리고
상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접한다.
제1 관점 또는 제1 관점의 제1 구현을 참조해서, 제1 관점의 제3 구현에서, 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고;
상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하고;
상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하며; 그리고
상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
제1 관점 또는 제1 관점의 제1 구현을 참조해서, 제1 관점의 제4 구현에서, 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상에 배치되고;
상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고;
상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제2 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점에 인접하며;
상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점에 인접하며;
상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제3 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점에 인접하며; 그리고
상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점에 인접한다.
제1 관점 또는 제1 관점의 제1 구현을 참조해서, 제1 관점의 제5 구현에서, 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되며;
상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하고, 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점의 면적은 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점의 면적보다 크며;
상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며; 그리고
상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하고, 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점의 면적은 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점의 면적보다 크다.
제1 관점 또는 제1 관점의 제1 구현을 참조해서, 제1 관점의 제6 구현에서, 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상에 배치되고;
상기 메모리 카드 인터페이스는 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되며;
상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점과 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점 사이에 위치하고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점과 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점으로부터 격리되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점의 중심점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점의 중심점과 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점의 중심점 사이의 연결 라인에 위치하며; 그리고
상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점과 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점 사이에 위치하고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점과 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점으로부터 격리되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점의 중심점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점의 중심점과 제5 금속 접점의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
제1 관점 또는 제1 관점의 제1 구현을 참조해서, 제1 관점의 제7 구현에서, 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되며;
상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하며;
상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며; 그리고
상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접한다.
제1 관점 또는 제1 관점의 제1 구현을 참조해서, 제1 관점의 제8 구현에서, 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고;
상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 클록 신호는 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하며;
상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하며; 그리고
상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
제2 관점에 따라, 본 출원은 단말을 제공한다. 제1 관점 또는 제1 관점의 구현 중 어느 하나에 따른 메모리 카드는 단말 상에 배치된다.
전술한 관점에서, 저장 유닛, 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 포함하는 메모리 카드가 제공된다. 저장 유닛 및 제어 유닛은 메모리 카드의 카드 본체 내에 배치된다. 메모리 카드 인터페이스는 메모리 카드의 카드 본체 상에 배치된다. 제어 유닛은 저장 유닛 및 메모리 카드 인터페이스에 개별적으로 전기 접속된다. 메모리 카드의 형상이 나노 가입자 식별 모듈(subscriber identity module, SIM)의 형상과 동일하고, 메모리 카드의 크기가 나노 SIM 카드의 크기와 동일하기 때문에, 본 실시예에서 제공되는 메모리 카드는 나노 SIM 카드 홀더에 삽입될 수 있다. 또한, 메모리 카드 및 나노 SIM 카드는 동일한 나도 SIM 카드 홀더를 공유할 수 있다.
도 1은 본 출원의 실시예에 따른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 2는 종래 기술의 나노 SIM 카드의 개략적인 구조도이다.
도 3은 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 1이다.
도 3a는 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 2이다.
도 3b는 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 3이다.
도 3c는 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 4이다.
도 4는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 1이다.
도 4a는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 2이다.
도 5는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 6은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 7은 본 출원의 실시예에 따른 추가 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 8은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 9는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 10은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 11은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 12는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 13은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 14는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 15는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 16은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 17은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 18은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 19는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 20은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 21은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 22는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 23은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 24는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 25는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 26은 본 출원의 실시예에 따른 단말의 회로도이다.
도 27은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 1이다.
도 28은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 2이다.
도 29는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 3이다.
도 30은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 4이다.
도 31은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 5이다.
도 32는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 6이다.
도 33은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 7이다.
도 34는 본 출원의 실시예에 따른 메모리 카드의 삽입 및 제거를 검출하는 검출 회로도이다.
본 출원의 실시예는 통신 장치에 적용된다. 다음은 당업자에게 이해를 돕기 위해 본 출원에서 일부 용어를 설명하고 설명한다. 본 출원의 실시예에서의 솔루션이 현재 등장할 수 있는 현재의 통신 장치 또는 통신 장치에 적용될 때, 메모리 카드 및 단말의 명칭은 변경될 수 있지만, 본 출원의 실시예에서의 솔루션의 구현에 영향을 미치지 않는다는 것에 유의해야 한다.
첫째, 본 출원에서 언급된 기술 용어가 설명된다:
(1) 범용 직렬 버스(universal serial bus, USB): 범용 직렬 버스는 컴퓨터 시스템과 외부 장치 사이의 연결을 위한 직렬 포트 버스 표준이며, 입출력 인터페이스를 위한 기술 사양이기도 하다. 개인용 컴퓨터 및 모바일 장치와 같은 정보 통신 제품에 널리 적용된다.
(2) 전기 전자 엔지니어 협회(institute of electrical and electronics engineers, IEEE) 1394 표준: IEEE 1394 표준은 직렬 표준이다.
(3) 단말: 단말은 통신 기능을 갖는 다양한 핸드헬드 장치, 차량용 장치, 웨어러블 장치, 스마트 홈 장치, 컴퓨팅 장치 또는 무선 모뎀에 연결된 다른 처리 장치 및 다양한 형태의 단말, 예를 들어, 이동국(mobile station, MS), 단말(terminal), 사용자 기기(user equipment, UE), 및 수량계, 전력계 및 센서와 같은 소프트 단말을 포함할 수 있다.
본 출원의 실시예에서 언급된 명사 또는 용어에 대해서는 서로 참조될 수 있으며, 자세한 내용은 다시 설명되지 않음에 유의해야 한다.
본 출원의 실시예에서, 나노 SIM 카드와 동일한 형상 및 크기의 메모리 카드가 저장 기능을 구현하는 데 사용될 때, 메모리 카드의 유형은 전술한 예에서의 SD 카드에 제한되지 않는다는 점에 유의해야 한다. 본 출원의 실시예에서, 메모리 카드는 대안적으로 범용 직렬 버스(universal serial bus, USB), 주변기기 구성 요소 상호 연결 익스프레스(Peripheral Component Interconnect Express, PCIE), 범용 플래시 저장(universal flash storage, UFS), 멀티미디어 카드(multimedia card, MMC) 또는 내장 멀티미디어 카드(embedded multimedia card, EMMC)과 같은 인터페이스 프로토콜에 기초한 메모리 카드일 수 있다.
다음은 예의 첨부 도면을 참조하여 예의 기술적 솔루션을 설명한다. 종래 기술에서는 현재 단말에 Micro-SD 카드 또는 나노 SIM 카드가 구성될 수 있다. Micro-SD 카드의 크기는 11 밀리미터(mm) × 15 밀리미터이다. 나노 SIM 카드의 크기는 8.8 밀리미터 × 12.3 밀리미터이다. Micro-SD 카드의 크기는 나노 SIM 카드의 크기보다 56 mm2 더 크다. 따라서, Micro-SD 카드 홀더의 크기는 나노 SIM 카드 홀더의 크기보다 130 mm2 더 크다. Micro-SD 카드는 나노 SIM 카드 홀더에 삽입할 수 없음을 알 수 있다. 그렇지만, 단말이 2개의 나노 SIM 카드 홀더를 제공할 때, 사용자는 일반적으로 단말 상에 하나의 나노 SIM 카드만을 구성하고 하나의 나노 SIM 카드만을 사용한다. 따라서, 단말의 다른 나노 SIM 카드 홀더에 나노 SIM 카드가 삽입되지 않아 단말의 공간이 낭비된다. 또한 Micro-SD 카드를 나노 SIM 카드 홀더에 삽입할 수 없으므로 듀얼 나노 SIM 카드 홀더로 구성된 단말은 데이터를 저장할 수 없다.
본 출원의 실시예에서 핀은 금속 접점이다. 구체적으로, 핀은 접점 영역과의 접점 및 전도 기능일 수 있다. 본 출원의 실시예에서의 핀은 연결 단자라고 지칭될 수 있다. 핀의 특정 명칭은 구체적으로 제한되지 않는다.
본 출원의 실시예에서, A와 B가 "대응하다"는 것은 또한 A와 B 사이에 맵핑이 존재하는 것으로 언급될 수 있다. 이는 A와 B가 나노 SIM 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑됨을 나타낸다. 예를 들어, 메모리 카드의 클록 신호 핀이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 본 명세서에서, "대응하다"는 메모리 카드의 클록 신호 핀이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀에 맵핑되는 것으로 언급될 수도 있다. 구체적으로, 메모리 카드의 클록 신호 핀과 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀은 나노 SIM 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다.
본 출원의 실시예에서, 메모리 카드의 "전원 핀"은 "메모리 카드의 제1 금속 접점"이고, 메모리 카드의 "데이터 전송 핀"은 "메모리 카드의 제2 금속 접점"이고, 메모리 카드의 "제어 신호 핀"은 "메모리 카드의 제3 금속 접점"이고, 메모리 카드의 "클록 신호 핀"은 "메모리 카드의 제4 금속 접점"이고, 메모리 카드의 "접지 신호 핀"은 "메모리 카드의 제5 금속 접점"이고, 메모리 카드의 "제1 데이터 전송 핀"은 "제2 금속 접점"이고, 메모리 카드의 "제2 데이터 전송 핀"은 "제6 금속 접점"이고, 메모리 카드의 "제3 데이터 전송 핀"은 "제7 금속 접점"이고, 메모리 카드의 "제4 데이터 전송 핀"은 "제8 금속 접점"이다.
본 출원의 실시예에서, 나노 SIM 카드의 "클록 신호 핀"은 "나노 SIM 카드의 제1 금속 접점"이고, 나노 SIM 카드의 "리셋 신호 핀"은 "나노 SIM 카드의 제2 금속 접점"이고, 나노 SIM 카드의 "전원 핀"은 "나노 SIM 카드의 제3 금속 접점"이고, 나노 SIM 카드의 "데이터 전송 핀"은 "나노 SIM 카드의 제4 금속 접점"이고, 나노 SIM 카드의 "프로그래밍 전압/입력 신호 핀"은 "나노 SIM 카드의 제5 금속 접점"이고, 나노 SIM 카드의 "접지 신호 핀"은 "나노 SIM 카드의 제6 금속 접점"이다.
도 1은 본 출원의 실시예에 따른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 저장 유닛, 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 포함한다. 저장 유닛 및 제어 유닛은 메모리 카드의 카드 본체 내에 배치된다. 메모리 카드 인터페이스는 메모리 카드의 카드 본체 상에 배치된다. 제어 유닛은 저장 유닛 및 메모리 카드 인터페이스에 개별적으로 전기 접속된다. 메모리 카드의 형태는 나노 SIM 카드의 형태와 동일하며, 메모리 카드의 크기는 나노 SIM 카드의 형태와 동일하다.
메모리 카드 인터페이스는 적어도 전원 핀, 데이터 전송 핀, 제어 신호 핀, 클록 신호 핀 및 접지 신호 핀을 포함한다.
선택적인 구현에서, 모든 전원 핀, 데이터 전송 핀, 제어 신호 핀, 클록 신호 핀 및 접지 신호 핀은 메모리 카드의 카드 본체의 동일한 측면 상에 위치한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 메모리 카드는 저장 유닛, 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 포함한다. 또한, 메모리 카드는 인터페이스 구동 회로를 더 포함한다. 저장 유닛, 제어 유닛 및 인터페이스 구동 회로는 메모리 카드의 카드 본체 내에 배치되고, 메모리 카드 인터페이스는 메모리 카드의 카드 본체의 표면 상에 배치된다.
또한, 제어 유닛은 저장 유닛 및 메모리 카드 인터페이스에 개별적으로 전기 접속된다. 구체적으로, 인터페이스 구동 회로는 메모리 카드 인터페이스 및 제어 유닛에 전기 접속된다. 또한, 인터페이스 구동 회로는 메모리 카드 인터페이스와 제어 유닛을 전기 접속하고, 제어 유닛과 저장 유닛을 전기 접속한다.
메모리 카드 인터페이스는 하나 이상의 전원 핀, 4개의 데이터 전송 핀, 하나의 제어 신호 핀, 하나의 클록 신호 핀 및 하나의 접지 신호 핀을 포함한다. 전원 핀, 데이터 전송 핀, 제어 신호 핀, 클록 신호 핀 및 접지 신호 핀은 모두 메모리 카드의 카드 본체의 동일한 표면에 배치된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 전술한 각각의 핀은 도 1에서 표시 11이다. 1. 선택적으로 메모리 카드의 전원 공급 장치 핀, 메모리 카드의 데이터 전송 핀, 메모리 카드의 제어 신호 핀, 메모리 카드의 클록 신호 핀 및 메모리 카드의 접지 신호 핀은 메모리 카드의 카드 본체 표면에 부착된 편평한 접점이다.
선택적인 구현에서, 적어도 하나의 와이어가 메모리 카드의 카드 본체 상에 배치된다. 적어도 하나의 와이어는 메모리 카드 인터페이스의 핀 사이에 있다. 적어도 하나의 와이어는 저장 유닛과 제어 유닛을 연결하도록 구성된다. 적어도 하나의 와이어는 또한 제어 유닛과 메모리 카드 인터페이스를 연결하도록 구성된다.
메모리 카드의 카드 본체 상의 메모리 카드 인터페이스의 핀의 위치는 제한되지 않는다. 메모리 카드 인터페이스 핀의 길이 값과 높이 값은 제한되지 않는다. 본 실시예에서 언급된 핀(또는 접점, 또는 연결 단자)의 형상은 규칙적인 직사각형일 수 있거나 불규칙한 형상일 수 있다. 핀(또는 접점 또는 연결 단자)의 형상은 이 실시예에서 제한되지 않는다. 메모리 카드 인터페이스의 핀 에지와 메모리 카드의 측면 에지 사이의 거리 값은 제한되지 않는다. 메모리 카드의 특정 높이 값 및 길이 값은 제한되지 않는다.
예를 들어, 도 6의 화각(angle of view)에 기초하여, 메모리 카드의 길이 방향은 왼쪽에서 오른쪽으로, 메모리 카드의 폭 방향은 아래에서 위로이다. 메모리 카드의 길이는 12.30mm이며 공차는 0.10mm이다. 메모리 카드의 너비는 8.80mm이며 공차는 0.10mm이다.
본 출원의 이 실시예에서 제공되는 메모리 카드의 형상은 나노 SIM 카드의 형상과 동일하다. 예를 들어, 나노 SIM 카드의 형상은 직사각형이고, 직사각형의 4개의 모서리는 둥근 모서리이며, 사각형의 4개의 모서리 중 하나에 로케이팅 노치(locating notch)가 제공된다. 또한, 본 출원의 이 실시예에서 제공되는 메모리 카드의 형상은 또한 직사각형이고, 직사각형의 4개의 모서리는 둥근 모서리이고, 사각형의 4개의 모서리 중 하나에 챔퍼(chamfer)가 제공되며, 또한 그 모서리에 로케이팅 노치(12)가 제공된다. 또한, 본 출원의 이 실시예에서 제공되는 메모리 카드의 크기는 나노 SIM 카드의 크기와 동일하다. 구체적으로, 메모리 카드의 길이는 나노 SIM 카드의 길이와 동일하고, 메모리 카드의 폭은 나노 SIM 카드의 너비와 동일하며, 메모리 카드의 로케이팅 노치의 크기 또한 나노 SIM 카드의 로케이팅 노치와 동일하다. 따라서, 본 출원의 이 실시예에서 제공되는 메모리 카드는 나노 SIM 카드 홀더에 삽입될 수 있다. 또한, 메모리 카드 및 나노 SIM 카드는 동일한 나노 SIM 카드 홀더를 공유할 수 있다.
본 출원의 이 실시예에서 제공되는 메모리 카드는 절단될 수 있고, 기본적으로 카드 절단 케이스(card-cutting case) 및 비 카드 절단 케이스(non-card-cutting case)에 적합할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 화각에 기초하여, 메모리 카드의 X 방향은 위에서 아래로, 메모리 카드의 Y 방향은 왼쪽에서 오른쪽이다. 표 1은 단말의 나노 SIM 카드와 나노 SIM 카드 홀더 사이의 피팅, 및 본 실시예의 메모리 카드와 단말의 나노 SIM 카드 홀더 사이의 피팅을 도시한다.
X 방향의 크기 공차 체인 설명 공차(밀리미터) Y 방향의 크기 공차 체인 설명 공차(밀리미터)
카드 홀더의 표면 실장 기술(surface mount technology, SMT) 정밀도 0.05 나노 SD 카드 홀더의 SMT 정밀도 0.05
인쇄 회로 기판(printed circuit board, PCB) 위치 정밀도 0.1 PCB 위치 정밀도 0.1
카드 홀더에 대한 카드의 로케이션 오프셋 0.1 중간 프레임 인클로저의 너비 공차 0.1
스프링 접점의 위치 정밀도 0.05 카드 트레이 도어의 두께 공차 0.05
스프링 접점의 이론적 최대 오프셋 카드 홀더에 대한 카드의 로케이션 오프셋 0.1
최악의 경우(Worst Case) 0.3 스프링 접점의 위치 정밀도 0.05
제곱근(root-sum-squares, RSS) 0.16 스프링 접점의 이론적 최대 오프셋
(최악의 경우+RSS)/2 0.23 최악의 경우 0.45
RSS 0.19
(최악의 경우+RSS)/2 0.33
본 출원에서의 메모리 카드와 단말의 나노 SIM 카드 홀더 사이의 피팅 공차 분석
표 1로부터 본 실시예의 메모리 카드와 단말의 나노 SIM 카드 홀더 사이의 피팅 동안 발생된 공차가 단말의 나노 SIM 카드와 나노 SIM 카드 홀더 사이의 피팅 동안 발생된 공차와 동일하다는 것을 표 1로부터 알 수 있다. 따라서, 본 실시예의 메모리 카드는 나노 SIM 카드 홀더에 잘 맞을 수 있다.
이 실시예에서, 저장 유닛, 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 포함하는 메모리 카드가 제공된다. 저장 유닛 및 제어 유닛은 메모리 카드의 카드 본체 내에 배치된다. 메모리 카드 인터페이스는 메모리 카드의 카드 본체 상에 배치된다. 제어 유닛은 저장 유닛 및 메모리 카드 인터페이스에 개별적으로 전기 접속된다. 메모리 카드의 형태는 나노 가입자 식별 모듈 SIM 카드의 형태와 동일하고, 메모리 카드의 크기는 나노 SIM 카드의 크기와 동일하기 때문에, 나노 SD 카드가 제공된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 로케이팅 노치(12)가 나노 SD 카드 상에 제공된다. 따라서, 본 실시예에서 제공되는 메모리 카드는 나노 SIM 카드 홀더에 삽입될 수 있다. 또한, 메모리 카드 및 나노 SIM 카드는 동일한 나노 SIM 카드 홀더를 공유할 수 있다.
도 2는 종래 기술의 나노 SIM 카드의 개략적인 구조도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 전원 핀(33), 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)은 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치된다. 이하의 실시예에서, 핀 분할 동안, 분할을 통해 획득된 핀의 형상 및 크기는 제한되지 않으며, 다른 핀의 형상 및 크기도 제한되지 않는다. 예를 들어, 메모리 카드의 핀 에지에는 챔퍼가 있을 수도 있고 챔퍼가 없을 수도 있다. 이하의 실시예에서, 핀이 분할될 때, 메모리 카드의 형상 및 크기도 제한되지 않는다. 예를 들어, 로케이팅 노치가 메모리 카드의 모서리에 제공될 수 있다.
도 3은 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 1이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여. 도 3에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 클록 신호(clock signal, CLK) 핀(31), 하나의 리셋 신호(reset signal, RST) 핀(32), 하나의 전원 공급 장치(power supply, VCC) 핀(33), 하나의 데이터 라인(data line, DAT) 핀(34), 하나의 프로그래밍 전압/입력 신호(programming voltage/input signal, VPP) 핀(35) 및 하나의 접지 신호(power supply ground, GND) 핀(36)은 기존의 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치된다. 예를 들어, CLK 핀(31), RST 핀(32) 및 VCC 핀(33)의 중심점은 동일한 직선에 위치하고; DAT 핀(34), VPP 핀(35) 및 GND 핀(36)의 중심점은 동일한 직선에 위치하고; 두 선은 평행이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 출원의 이 실시예에서 제공되는 메모리 카드의 메모리 카드 인터페이스는 적어도 클록 신호 핀(21), 전원 핀(22), 제어 신호(명령/응답, CMD) 핀(23), 접지 신호 핀(24), 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)을 포함한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 본 명세서에서, "대응"은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)에 맵핑되는 것으로 언급될 수도 있다. 구체적으로, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)은 나노 SIM 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다. 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 본 명세서에서, "대응"은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)에 맵핑되는 것으로 언급될 수도 있다. 구체적으로, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)은 나노 SIM 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접하여 격리된다. 또한, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 전원 공급 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접하여 격리된다. 본 명세서에서, "대응"은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 전원 핀(22)이 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)에 맵핑되는 것으로 언급될 수 있다. 구체적으로, 메모리 카드의 2개의 핀, 즉 제3 데이터 전송 핀(27) 및 전원 핀(22), 그리고 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)은 나노 SIM 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다. 또한, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 이 실시예에서 제공된 메모리 카드 및 나노 SIM 카드가 동일한 나노 SIM 카드 홀더를 공유할 수 있게 한다. 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접하여 격리된다. 또한, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접하여 격리된다. 또한, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35), 및 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 이 실시예에서 제공된 메모리 카드와 나노 SIM 카드가 동일한 나노 SIM 카드 홀더를 공유할 수 있게 한다. 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 도 3a는 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 2이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 메모리 카드의 핀(또는 접점 또는 연결 단자)의 형상은 제한되지 않는다. 핀(또는 접점 또는 연결 단자)의 모양이 불규칙할 수 있다. 도 3a으로부터, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 공간이 없다는 것을 알 수 있다. 또한, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내에 있을 수 있다. 와이어는 저장 유닛과 제어 유닛을 연결하도록 구성된다. 와이어는 또한 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 연결하도록 구성된다. 도 3b는 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 3이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 메모리 카드의 핀(또는 콘택트 또는 연결 단자) 사이에는 간격이 있을 수 있고, 핀(또는 콘택트 또는 연결 단자)과 메모리 카드의 에지 사이에는 간격이 있을 수 있다. 메모리 카드의 핀이 메모리 카드의 카드 본체 표면을 완전히 덮지 않는다는 것을 알 수 있다. 이 간격은 모두 메모리 카드의 카드 본체 표면에 있는 영역이다. 또한, 이들 영역은 와이어를 배치하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 와이어는 핀(또는 접점 또는 연결 단자) 사이의 간격 및 핀(또는 접점 또는 연결 단자)과 메모리 카드의 에지 사이의 간격으로 라우팅된다. 또한, 와이어는 저장 유닛과 제어 유닛을 연결하도록 구성된다. 와이어는 또한 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 연결하도록 구성된다.
또한, 도 3c는 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 4이다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 도 3a의 경우에, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 도 3a에 도시된 형상이다. 도 3c에서 슬래시로 채워진 영역을 참조한다. 도 3c의 슬래시로 채워진 영역은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)을 나타낸다.
이하의 실시예에서의 핀(또는 콘택트 또는 연결 단자)의 형상 및 간격에 대해서는, 본 실시예에서의 핀(또는 콘택트 또는 연결 단자)의 형상 및 간격의 설명을 참조한다.
이하의 실시예의 첨부 도면에서, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)은 CLK로 표시되고, 메모리 카드의 전원 핀(22)은 VCC로 표시되며, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 CMD로 표시되고, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 GND로 표시되고, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)은 D0으로 표시되고, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 D1로 표시되며, 제3 데이터 메모리 카드의 전송 핀(27)은 D2로 표시되고, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 D3으로 표시된다.
도 4는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 1이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)은 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접하여 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28) 및 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제2 데이터 전송 핀(26)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35), 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응함으로써, 본 실시예에서 제공되는 메모리 카드와 나노 SIM 카드는 동일한 나노 SIM 카드 홀더를 공유할 수 있다. 예를 들어, 전술한 4개의 핀이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역과 동일하다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 도 4a는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 2이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 메모리 카드의 핀(또는 접점 또는 연결 단자)의 형상은 제한되지 않는다. 핀(또는 접점 또는 연결 단자)의 모양이 불규칙할 수 있다. 또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어가 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다.
이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 예를 들어, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)에 맵핑되는 것을 의미한다. 구체적으로, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)은 나노 스프링 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다.
도 5는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 5에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)에 인접하여 격리된다. 제1 데이터 전송 핀(25) 및 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)에 인접한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 및 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35), 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다.
이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 예를 들어, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)에 맵핑됨을 의미한다. 구체적으로, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)은 나노 SIM 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다.
도 6은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 6에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다. 메모리 카드의 전원 핀(22)의 면적은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 면적보다 크다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 면적은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 면적보다 크다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응 한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다. 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 접지 신호 핀(24)이 위치하는 영역 메모리 카드, 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35), 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 이 실시예에서, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 메모리 카드의 전원 핀(22)의 면적은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 면적보다 크고, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 면적은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 면적보다 크다. 따라서, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 새로 추가된 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 가능한 한 멀리 카드의 외측에 배치된다. 또한, 메모리 카드의 카드 본체 상에서 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점의 위치는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에서 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)의 위치에 가능한 한 많이 대응하고; 메모리 카드의 카드 본체 상에서 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점의 위치는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에서 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 위치에 가능한 한 많이 대응한다. 따라서, 나노 SD 카드의 공차 마진을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 도 6의 화각에 기초하여, 오른쪽에서 왼쪽으로, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 제1 에지 및 제2 에지를 가지며, 메모리 카드는 제1 측면 에지 및 제2 측면 에지를 가진다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지까지의 거리의 길이는 1 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지까지의 거리의 길이는 4.9mm이고, 공차는 0.1mm이다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 11.3 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 7.55 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다.
도 6의 화각에 기초하여, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 오른쪽에서 왼쪽으로 제1 에지 및 제2 에지를 가진다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지까지의 거리의 길이는 7.55mm이고, 공차는 0.1mm이다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지까지의 거리의 길이는 11.3mm이고, 공차는 0.1mm이다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 4.9 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 0.1mm이고, 공차는 0.1mm이다. 도 6의 다른 핀의 제1 에지 및 제2 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지 및 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이 각각에 대해서는 전술한 데이터를 참조한다.
도 6의 화각에 기초하여, 위에서 아래로, 메모리 카드는 제3 측면 에지 및 제4 측면 에지를 가지며, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 제3 에지 및 제4 에지를 가진다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 0.2 밀리미터이고, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 제4 에지로부터의 메모리 카드의 제3 에지까지의 거리의 최대 길이는 1.05mm이다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 1.4 밀리미터이고, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 2.6 밀리미터이며 공차는 0.1 밀리미터이다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 3.35 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이고; 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 5.25 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다. 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 6.05 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이고; 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 7.95 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다. 메모리 카드의 제3 측면 에지와 메모리 카드의 제4 측면 에지 사이의 거리는 8.8 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다.
이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 예를 들어, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)에 맵핑되는 것을 의미한다. 구체적으로, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)은 나노 스프링 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다.
도 7은 본 출원의 실시예에 따른 추가 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 7에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 사이에 위치한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)으로부터 격리된다. 제3 데이터 전송 핀(27)의 중심점은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 중심점과 제2 데이터 전송 핀(26)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 전원 핀(22)과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 사이에 위치한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)으로부터 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28)의 중심점은 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 3개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다.
3개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 사이에 배치된다. 선택적으로, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 중심점은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 중심점과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 전원 핀(22)과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 사이에 배치된다. 선택적으로, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 중심점은 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
예를 들어, 도 1의 화각에 기초하여 도 7에 도시된 바와 같이, 좌측에서 우측으로, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)은 제1 에지 및 제2 에지를 가지며, 메모리 카드는 제1 측면 에지 및 제2 측면 에지를 가지며, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 제1 에지 및 제2 에지를 포함하고, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 제1 에지 및 제2 에지를 가진다. 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 1.00 밀리미터이고, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지까지의 거리의 최소 길이는 3.00mm이다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 4.81 밀리미터이고, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제1 에지까지의 거리의 최소 길이는 6.81mm이다. 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 8.62 밀리미터이고, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제1 에지까지의 거리의 최소 길이는 10.02mm이다. 메모리 카드의 제1 측면 에지와 메모리 카드의 제2 측면 에지 사이의 거리 값은 12.30 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다. 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)으로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 1.65mm이고, 공차는 0.1mm이다. 메모리 카드의 로케이팅 노치 각도는 45도이다. 도 7의 다른 핀의 제1 에지 및 제2 에지로부터 메모리 카드의 제1 측면 에지 및 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이 각각에 대해서는 전술한 데이터를 참조한다.
도 7의 화각에 기초하여, 메모리 카드는 제3 측면 에지 및 제4 측면 에지를 가지며, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 제3 에지 및 제4 에지를 가진다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 0.81 밀리미터이고, 제4 데이터 전송의 제4 에지로부터의 거리의 최소 길이는 메모리 카드의 핀(28)은 메모리 카드의 제3 에지에 2.51mm이다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 6.29 밀리미터이고, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제3 에지까지의 거리의 최소 길이는 7.99mm이다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 1.01mm이고, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최소 길이는 2.71mm이다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 3.55mm이고, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최소 길이는 5.25mm이다. 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최대 길이는 6.09 밀리미터이고, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제3 측면 에지까지의 거리의 최소 길이는 7.79mm이다. 메모리 카드의 제3 측면 에지와 메모리 카드의 제4 측면 에지 사이의 거리 값은 8.80 밀리미터이고, 공차는 0.1 밀리미터이다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다.
이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 예를 들어, 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체의 영역이 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체의 영역에 대응한다는 것은 메모리 카드의 전원 핀(22)이 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)에 맵핑되는 것을 의미한다. 구체적으로, 메모리 카드의 전원 핀(22)과 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)은 나노 SIM 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다.
도 8은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 8에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 제4 데이터 전송이 위치하는 영역 메모리 카드의 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다.
이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 예를 들어, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)에 맵핑됨을 의미한다. 구체적으로, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)과 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)은 나노 스프링 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다.
도 9는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 9에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 클록 신호 핀은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 공급 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접하여 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28) 및 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제2 데이터 전송 핀(26)은 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있으며, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다.
이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 예를 들어, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)에 맵핑됨을 의미한다. 구체적으로, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 나노 SIM 카드의 전원 핀(3)은 나노 스프링 카드 홀더의 동일한 스프링에 대응/맵핑된다.
도 10은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 10에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)에 인접하여 격리된다. 제1 데이터 전송 핀(25) 및 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 공급 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
메모리 카드의 카드 본체 상의 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 11은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 11에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다. 메모리 카드의 전원 핀(22)의 면적은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 면적보다 크다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀에 인접한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 면적은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 면적보다 크다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다. 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 영역 메모리 카드의 접지 신호 핀(24), 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치한다. 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 이 실시예에서, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 메모리 카드의 전원 핀(22)의 면적은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 면적보다 크고, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 면적은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 면적보다 크다. 따라서, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 새로 추가된 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 가능한 한 멀리 카드의 외측에 배치된다. 또한, 메모리 카드의 카드 본체 상의 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점의 위치는 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 위치에 대응하며; 메모리 카드의 카드 본체 상의 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점의 위치는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 위치에 가능한 한 많이 대응한다. 따라서, 나노 SD 카드의 공차 마진을 증가시킬 수 있다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 12는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 12에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 사이에 위치한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)으로부터 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28)의 중심점은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 중심점과 제2 데이터 전송 핀(26)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 사이에 위치한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)으로부터 격리된다. 제3 데이터 전송 핀(27)의 중심점은 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 3개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
3개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 사이에 배치된다. 선택적으로, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 중심점은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 중심점과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 사이에 배치된다. 선택적으로, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 중심점은 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다. .
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 13은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 13에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있으며, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 14는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 14에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다. 메모리 카드의 전원 핀(22)의 면적은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 면적보다 크다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 면적은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 면적보다 크다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 전원 공급 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다. 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 이 실시예에서, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 메모리 카드의 전원 핀(22)의 면적은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 면적보다 크고, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 면적은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 면적보다 크다. 따라서, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 새로 추가된 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 가능한 한 카드의 외측에 배치된다. 또한, 메모리 카드의 카드 본체 상의 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점의 위치는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 나노 SIM 카드 전원 핀(33)의 위치에 대응하며; 메모리 카드의 카드 본체 상의 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점의 위치는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 위치에 가능한 한 많이 대응한다. 따라서, 나노 SD 카드의 공차 마진을 증가시킬 수 있다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 15는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 15에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접하여 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28) 및 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 16은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 16에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 공급 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접하여 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28) 및 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압 /입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 17은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 17에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 공급 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접하여 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28) 및 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압 /입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(36) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 18은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 18에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 카드 본체 상의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 공급 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접하여 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28) 및 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 존재하는 영역, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 19는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 19에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)에 인접하여 격리된다. 제1 데이터 전송 핀(25) 및 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32), 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35), 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 20은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 20에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)에 인접하여 격리된다. 제1 데이터 전송 핀(25) 및 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 공급 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 및 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 21은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 21에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)에 인접하여 격리된다. 제1 데이터 전송 핀(25) 및 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 공급 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접한다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 전원 핀(22)에 연결된다.
본 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 및 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있으며, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 22는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 22에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)에 인접하여 격리된다. 제1 데이터 전송 핀(25) 및 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 인접한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)은 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 인접한다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)에 인접하여 격리된다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 인접한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)에 인접한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역이 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다. 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28), 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 얻어진다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있으며, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 23은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 23에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 사이에 위치한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)으로부터 격리된다. 제3 데이터 전송 핀(27)의 중심점은 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점과 제2 데이터 전송 핀(26)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 사이에 위치한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)으로부터 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28)의 중심점은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 중심점과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
이 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 3개의 핀, 즉 메모리 카드의 전원 핀(22), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다는 것을 알 수 있다.
3개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 메모리 카드의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 사이에 배치된다. 선택적으로, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 중심점은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)의 중심점과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 사이에 배치된다. 선택적으로, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 중심점은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 중심점과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 24는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 24에서, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 전원 핀(22)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 사이에 위치한다. 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)으로부터 격리된다. 제3 데이터 전송 핀(27)의 중심점은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 중심점과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 사이에 위치한다. 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)으로부터 격리된다. 제4 데이터 전송 핀(28)의 중심점은 메모리 카드의 전원 핀(22)의 중심점과 제2 데이터 전송 핀(26)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 전술한 핀 레이아웃으로부터, 3개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25) 및 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
3개의 핀, 즉 메모리 카드의 접지 신호 핀(24), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23) 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 메모리 카드의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 사이에 배치된다. 선택적으로, 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 중심점은 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)의 중심점과 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 사이에 배치된다. 선택적으로, 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 중심점은 메모리 카드의 전원 공급 핀(22)의 중심점과 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)의 중심점 사이의 연결 라인에 위치한다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀들(또는 접점들 또는 연결 단자들) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면 상에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
도 25는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 실시예에서 제공된 메모리 카드에 기초하여, 도 25에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 데이터 전송 핀을 포함한다. 4개의 데이터 전송 핀은 제1 데이터 전송 핀(25), 제2 데이터 전송 핀(26), 제3 데이터 전송 핀(27) 및 제4 데이터 전송 핀(28)이다.
메모리 카드의 클록 신호 핀(21)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 리셋 신호 핀(32)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 전원 공급 핀(22)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 영역의 일부를 차지한다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)으로부터 격리된다. 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 인접한다.
메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제어 신호 핀(23)이 위치하는, 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35)이 위치하는, 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다.
메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 접지 신호 핀(24)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 영역의 일부를 차지한다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)으로부터 격리된다. 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 인접한다.
본 실시예에서, 구체적으로, 추가로, 4개의 핀, 즉 메모리 카드의 클록 신호 핀(21), 메모리의 제1 데이터 전송 핀(25), 메모리 카드의 전원 핀(22) 및 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 클록 신호 핀(31), 리셋 신호 핀(32) 및 전원 핀(33)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 전원 핀(33)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 또한, 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 영역의 일부를 차지한다. 도 25로부터, 메모리 카드의 전원 핀(22)은 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)의 모서리를 차지한다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27) 및 메모리 카드의 전원 핀(22)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 클록 신호 핀(21) 및 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
4개의 핀, 즉 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23), 메모리 카드의 접지 신호 핀(24) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)이 위치하는 메모리 카드의 카드 본체 상의 영역은 나노 SIM 카드의 데이터 전송 핀(34), 프로그래밍 전압/입력 신호 핀(35) 및 접지 신호 핀(36)이 위치하는 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응한다. 나노 SIM 카드의 접지 신호 핀(36)의 영역을 2개의 핀으로 분할함으로써 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)이 얻어진다는 것을 알 수 있다. 또한, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 영역의 일부를 차지한다. 도 25로부터, 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)은 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)의 모서리를 차지한다는 것을 알 수 있다. 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28) 및 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다. 또한, 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26) 및 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)의 형상 및 크기는 제한되지 않는다.
또한, 이 실시예에서, 메모리 카드의 핀(또는 접점, 또는 연결 단자) 사이에 간격이 있을 수 있고, 따라서 메모리 카드의 와이어는 이들 간격의 표면에 배치될 수 있거나; 또는 간격이 없을 수 있으므로, 메모리 카드의 와이어는 메모리 카드의 카드 본체 내부에 있을 수 있다. 이 실시예에서, "대응"은 맵핑 관계로 언급될 수도 있다. 전술한 실시예의 설명을 참조한다.
본 실시예에서의 나노 SIM 카드는 마이크로 SIM 카드이고, 제4 형식 인자 집적 회로 보드라고도 하며, NanoSIM 카드, Nano SIM 카드, nano SIM 카드, NanoSim 카드, Nano Sim 카드, nano-SIM 카드, nanoSIM 카드, nano SIM 카드, nano-Sim 카드, nanoSim 카드, nano Sim 카드, nano-sim 카드, nanosim 카드, 또는 nano SIM 카드라고도 한다.
본 실시예의 메모리 카드는 본 발명의 이 실시예의 나노 SIM 카드와 기본적으로 동일한 형상 및 기본적으로 동일한 크기의 메모리 카드이다.
이하의 실시예에서 핀은 금속 접점일 수 있다. 구체적으로, 핀은 접점 영역과 전도 기능을 가진 접점일 수 있다. 본 출원의 실시예에서의 핀은 연결 단자라고 지칭될 수 있다. 핀의 특정 명칭은 특별히 제한되지 않는다.
도 27은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 1이다. 도 28은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 2이다. 도 27 및 도 28에 도시된 바와 같이, 도 27은 메모리 카드의 구조를 도시하고, 도 28은 메모리 카드에 8개의 핀이 배치되어 있음을 도시한다. 핀마다 핀 표시가 제공된다. 핀 표시는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8이다. 도 28의 화각으로부터, 핀(4)은 핀(3) 아래에 배치되고, 핀(4)은 "L" 형상이며; 핀(5)은 핀(6) 아래에 배치되고, 핀(5)은 "L" 형상이다.
핀 표시 메모리 카드 모드 직렬 주변 인터페이스(serial peripheral interface, SPI) 모드
명칭 설명 명칭 설명
1 DAT1 데이터 라인 [1 비트] RSV 보류항
2 CMD 커맨드/응답 DI 데이터 입력
3 GND 접지 GND 접지
4 CD/DAT3 카드 검출/데이터 라인 [3 비트] CS 칩 선택
5 DAT2 데이터 라인 [2 비트] RSV 보류항
6 VDD 전원 VDD 전원
7 DAT0 데이터 라인 [0 비트] DO 데이터 출력
8 CLK Clock CLK 클록
메모리 카드 상의 핀 구성 방식
표 2에 표시된 것처럼 메모리 카드는 메모리 카드 모드와 SPI 모드의 두 가지 작동 모드에 있을 수 있다.
표 2에 나타난 바와 같이, 메모리 카드가 메모리 카드 모드에 있을 때 메모리 카드의 핀은 다음과 같다: 핀 표시가 1인 핀은 DAT1이고 핀은 데이터 라인 [1 비트](Data Line [Bit 1])에 대응하고, 핀 DAT1은 데이터를 전송하도록 구성되고, DAT는 데이터 핀(data pin)이다. 핀 표시가 2인 핀은 명령 핀(command pin, CMD)이고, 핀은 명령/응답(command/response) 핀이며, 핀 CMD는 제어 명령 신호를 전송하도록 구성되어 있다. 핀 표시가 3인 핀은 GND이고, 핀은 접지(ground) 핀이며, 핀 GND는 기준 접지 신호를 전송하도록 구성되어 있다. 핀 표시가 4인 핀은 CD/DAT3이며, 핀은 카드 검출/데이터 라인 [비트 3](card detect/data line [3 비트])에 대응하며, 핀 CD는 카드 검출 신호를 전송하도록 구성되어 있고, 핀 DAT3은 데이터를 전송하도록 구성된다. 핀 표시가 5인 핀은 DAT2이고, 핀은 데이터 라인 [비트 2](data line [Bit 2])에 대응하고, 핀 DAT2는 데이터를 전송하도록 구성된다. 핀 표시가 6인 핀은 VDD이고, 핀은 전원 신호 핀이며, 핀 VDD는 전원 신호를 전송하도록 구성된다. 핀 표시가 7인 핀은 DAT0이고, 핀은 데이터 라인 [0 비트] 데이터 라인 [0 비트](data line [Bit 0])에 대응하며, 핀 DAT0은 데이터를 전송하도록 구성된다. 핀 표시가 8인 핀은 클록 입력 핀(clock input pin, CLK)이고, 핀은 클록(clock)에 대응하며 핀 CLK는 클록 신호를 전송하도록 구성되어 있다.
표 2에 나타난 바와 같이, 메모리 카드가 SPI 모드에 있을 때 메모리 카드의 핀은 다음과 같다: 핀 표시가 1인 핀은 RSV이고 핀은 보류항(reserved item)이다. 핀 표시가 2인 핀은 DI이고, 핀은 데이터 입력(data input)에 대응하고, 핀 DI는 데이터 입력 신호를 전송하도록 구성된다. 핀 표시가 3인 핀은 GND이고, 핀은 접지 핀이며, 접지 GND는 기준 접지 신호를 전송하도록 구성되어 있다. 핀 표시가 4인 핀은 CS이고, 핀은 칩 선택에 대응하며, 핀 CS는 칩 선택 신호를 전송하도록 구성된다. 핀 표시가 5인 핀은 RSV이며 핀은 보류항(reserved item)이다. 핀 표시가 6인 핀은 VDD이고, 핀은 전원 신호 핀이며, 핀 VDD는 전원 신호를 전송하도록 구성된다. 핀 표시가 7인 핀은 DO이고, 핀은 데이터 출력(data output)에 대응하고, 핀 DO는 데이터 출력 신호를 전송하도록 구성된다. 핀 표시가 8인 핀은 CLK이고, 핀은 클록(clock)에 대응하며, 핀 CLK는 클록 신호를 전송하도록 구성되어 있다.
또한, 도 29는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 3이다. 도 29에 도시된 바와 같이, 메모리 카드의 핀들 사이에는 특정 거리가 존재한다. 도 30은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 4이다. 도 30은 메모리 카드의 측면 구조를 나타내고, 메모리 카드는 특정 두께를 가진다.
도 27에 도시된 바와 같이, 메모리 카드의 적어도 하나의 베벨에는 둥근 모서리가 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 27에 도시된 바와 같이, 메모리 카드의 좌측 상단 모서리에 둥근 모서리(R1)가 제공될 수 있고, 메모리 카드의 우측 상단 모서리에 둥근 모서리(R2)가 제공될 수 있고, 메모리 카드의 좌측 하단 모서리에 둥근 모서리(R3 및 R4)가 개별적으로 제공될 수 있고, 메모리 카드의 우측 하단에 둥근 모서리(R5)가 제공될 수 있다. 메모리 카드에는 너비 A와 높이 B가 있다. 너비 A와 높이 B의 값은 표 3을 참조한다.
도 29에 도시된 바와 같이, 도 29의 화각에 기초하여, 오른쪽에서 왼쪽으로, 메모리 카드는 제1 측면 에지 및 제2 측면 에지를 가지며; 오른쪽에서 왼쪽으로, 메모리 카드의 핀(8)은 제1 에지 및 제2 에지를 가지며; 오른쪽에서 왼쪽으로, 메모리 카드의 핀(1)은 제1 에지 및 제2 에지를 가진다. 핀(8)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 A1이다. 핀(8)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 A2이다. 핀(1)의 제1 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 A3이다. 핀(1)의 제2 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 A4이다. 또한, 오른쪽에서 왼쪽으로, 메모리 카드의 핀(7)은 제1 에지 및 제2 에지를 가지며; 오른쪽에서 왼쪽으로, 메모리 카드의 핀(2)은 제1 에지 및 제2 에지를 가진다.
도 29에 도시된 바와 같이, 도 29의 화각에 기초하여, 오른쪽에서 왼쪽으로, "L" 형상으로 핀(5)의 상단에 제1 에지 및 제2 에지가 있고, 핀(5)의 좌측에 제3 에지가 있고; 오른쪽에서 왼쪽으로, 메모리 카드의 핀(6)은 제1 에지 및 제2 에지를 가지며; 오른쪽에서 왼쪽으로, 메모리 카드의 핀(3)은 제1 에지 및 제2 에지를 가지며; 오른쪽에서 왼쪽으로 "L" 형상의 핀(4) 오른쪽에 제1 에지가 있고, 오른쪽에서 왼쪽으로, 핀(4)의 상단에 제2 에지 및 제3 에지가 있다. 메모리 카드의 제1 측면 에지로부터 핀(5)의 제1 에지까지의 거리의 길이는 A11이다. 핀(5)의 제1 에지로부터 핀(5)의 제2 에지까지의 거리의 길이는 A12이다. 핀(5)의 제2 에지로부터 핀(6)의 제1 에지까지의 거리의 길이는 A9이다. 핀(6)의 제1 에지로부터 핀(5)의 제3 에지까지의 거리의 길이는 A10이다. 핀(4)의 제1 에지로부터 핀(3)의 제2 에지까지의 거리의 길이는 A8이다. 핀(3)의 제2 에지로부터 핀(4)의 제2 에지까지의 거리의 길이는 A7이다. 핀(4)의 제2 에지로부터 핀(4)의 제3 에지까지의 거리의 길이는 A6이다. 핀(4)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제2 측면 에지까지의 거리의 길이는 A5이다.
도 29에 도시된 바와 같이, 도 29의 화각에 기초하여, 위에서 아래로, 메모리 카드는 제3 측면 에지 및 제4 측면 에지를 가지며; 위에서 아래로, 메모리 카드의 핀(8)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며; 위에서 아래로, 메모리 카드의 핀(7)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며; 위에서 아래로, 메모리 카드의 핀(6)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며; 위에서 아래로, "L" 형상의 핀(5)의 상단에 제4 에지가 있으며; 위에서 아래로, 핀(5)의 하단에 제5 에지 및 제6 에지가 있다. 마찬가지로, 위에서 아래로, 메모리 카드의 핀(1)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며; 위에서 아래로, 메모리 카드의 핀(2)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며; 위에서 아래로, 메모리 카드의 핀(3)은 제3 에지 및 제4 에지를 가지며; 위에서 아래로, "L" 형상의 핀(4)의 상단에 제4 에지가 있으며; 위에서 아래로, 핀(4)의 바닥에는 제5 에지 및 제6 에지가 있다. 메모리 카드의 제3 측면 에지로부터 핀(8)의 제1 에지까지의 거리의 길이는 B10이다. 핀(8)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제4 측면 에지까지의 거리의 길이는 B1이다. 핀(8)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제4 측면 에지까지의 거리의 길이는 B2이다. 핀(7)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제4 측면 에지까지의 거리의 길이는 B3이다. 핀(7)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제4 측면 에지까지의 거리의 길이는 B4이다. 핀(6)의 제3 에지로부터 핀(6)의 제4 에지까지의 거리의 길이는 B5이다. 핀(6)의 제4 에지로부터 메모리 카드의 제4 측면 에지까지의 거리의 길이는 B6이다. 핀(5)의 제5 에지로부터 핀(5)의 제6 에지까지의 거리의 길이는 B7이다. 핀(5)의 제6 에지로부터 메모리 카드의 제4 측면 에지까지의 거리의 길이는 B8이다. 핀(3)의 제3 에지로부터 메모리 카드의 제4 측면 에지까지의 거리의 길이는 B9이다.
도 29의 화각에 기초하여, 메모리 카드의 우측 상단 모서리에 둥근 모서리(R6)가 있고, 핀(1)의 좌측 상단 모서리에 둥근 모서리(R7)가 있고, 핀(3)의 좌측 하단 모서리에 둥근 모서리(R8)가 있고, "L" 형상으로 핀(4)의 구부러진 부분에 둥근 모서리(R9)가 있고, 핀(4)의 왼쪽 아래 모서리에 둥근 모서리(R10)가 있다.
도 30에 도시된 바와 같이, 메모리 카드의 두께는 C이다.
전술한 길이 및 두께에 대해서는 표 3을 참조한다. 표 3에 나타낸 숫자는 밀리미터(mm) 단위이다.
공통 치수(COMMON DIMENSION)
기호(SYMBOL) 최소(MIN) 정상 값(NOM) 최대(MAX)
A 12.20 12.30 12.40
A1 11.20 11.30 11.40
A2 7.30 7.40 7.50
A3 4.80 4.90 5.00
A4 0.90 1.00 1.10
A5 0.45 0.50 0.55
A6 0.95 1.00 1.05
A7 0.15 0.20 0.25
A8 3.10 3.20 3.30
A9 0.15 0.20 0.25
A10 3.10 3.20 3.30
A11 0.45 0.50 0.55
A12 0.95 1.00 1.05
B 8.70 8.80 8.90
B1 7.85 7.95 8.05
B2 5.95 6.05 6.15
B3 5.15 5.25 5.35
B4 3.25 3.35 3.45
B5 1.55 1.60 1.65
B6 1.25 1.35 1.45
B7 0.90 0.95 1.00
B8 0.2
B9 2.85 2.95 3.05
B10 0.75 0.85 0.95
C 0.60 0.70 0.84
D1 0.15
D2 0.15
D3 0.15
D4 0.15
메모리 카드 상의 핀 사이의 거리
선택적으로, 도 31은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 5이다. 도 31에 도시된 바와 같이, 카드 신뢰성을 향상시키기 위해, 메모리 카드의 에지를 따라 안쪽으로 연장되는 금지 영역(Keep Out Area)이 제공된다. 금지 영역은 전송 라인의 레이아웃이 금지되는 영역이다. 전송 라인은 신호 라인, 전력 라인, 제어 라인 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 31에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 4개의 에지를 가지며, 4개의 에지에 금지 영역이 제공된다. 4개의 금지 영역은 기호 D1, 기호 D2, 기호 D3 및 기호 D4로 표시된다. D1, D2, D3 및 D4는 또한 4개의 금지 영역이 메모리 카드의 에지를 따라 안쪽으로 연장되는 거리를 식별할 수 있다.
메모리 카드의 금지 영역(D1), 금지 영역(D2), 금지 영역(D3) 및 금지 영역(D4) 각각의 폭의 최소 크기는 0.15 밀리미터(mm)일 수 있다.
본 발명의 이 실시예에서 메모리 카드의 길이는 대략 12.3 밀리미터일 수 있고, 길이 크기의 편차는 대략 0.1 밀리미터일 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 이 실시예에서 메모리 카드의 길이는 12.2 밀리미터 내지 12.4 밀리미터의 범위일 수 있다.
본 발명의 이 실시예에서 메모리 카드의 폭은 대략 8.8 밀리미터일 수 있고, 폭 크기의 편차는 대략 0.1 밀리미터일 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 이 실시예에서 메모리 카드의 폭은 8.7 밀리미터 내지 8.9 밀리미터의 범위일 수 있다.
본 발명의 이 실시예에서 메모리 카드의 두께는 대략 0.7 밀리미터일 수 있고, 두께 크기의 양의 편차(positive deviation)는 0.14 밀리미터일 수 있고, 두께 크기의 음의 편차(negative deviation)는 약 0.1 밀리미터일 수 있다. 다시 말해, 메모리 카드의 두께는 0.6 밀리미터 내지 0.84 밀리미터의 범위일 수 있다.
도 32는 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 6이다. 도 32에 도시된 바와 같이, 핀은 도 32에 도시된 그림자 영역에 배치된다. 전도성 물질은 그림자 영역에 배치되어 전도성 물질이 메모리 카드의 핀을 구성할 수 있다. 도 31에 도시된 비-그림자 영역(non-shadow region)에 비전도성 재료가 배치되어 비전도성 영역을 구성한다.
도 33은 본 출원의 실시예에 따른 또 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도 7이다. 도 33에 도시된 바와 같이, 핀은 도 33에 도시된 비-그림자 영역에 배치된다. 전도성 물질은 비-그림자 영역에 배치되어, 전도성 물질은 메모리 카드의 핀을 구성한다. 도 33에 도시된 그림자 영역에 비전도성 재료가 배치되어 비전도성 영역을 구성한다.
하나 이상의 유형의 전도성 물질이 각각의 핀을 구성하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 전도성 물질은 금 또는 구리일 수 있다. 또한, 전도성 물질이 현수되지 않고, 전도성 물질이 위치하는 영역에서의 메모리 카드의 높이는 비전도성 물질이 위치하는 영역에서의 높이보다 작거나 같다. 전도성 물질은 메모리 카드의 에지에서 튀어 나오지 않는다. 다시 말해, 전도성 물질은 메모리 카드의 측면 에지에 위치하지 않는다. 전도성 물질이 위치하는 영역에서 메모리 카드의 폭은 비전도성 물질이 위치하는 영역에서의 폭보다 작거나 같다. 전도성 물질이 위치하는 영역에서 메모리 카드의 길이는 비전도성 물질이 위치하는 영역에서보다 작거나 같다.
선택적으로, 메모리 카드의 금지 영역 내에 비아(via)가 제공될 수 있다. 비아는 핀 위치에 제공되지 않는다.
본 실시예에서 제공되는 메모리 카드는 단말의 나노 SIM 카드 홀더에 삽입될 수 있다. 나노 SIM 카드 홀더는 또한 카드 커넥터 또는 메모리 카드 커넥터로 지칭될 수 있다. 스프링은 나노 SIM 카드 홀더에 배치된다. 위에서 설명한 바와 같이, 스프링은 메모리 카드의 핀에 대응한다.
메모리 카드가 나노 SIM 카드 홀더에 삽입되거나 메모리 카드가 나노 SIM 카드 홀더에서 제거되면 핀이 스프링에 의해 긁힌다. 예를 들어, 도 28에 도시된 메모리 카드가 나노 SIM 카드 홀더에 수평으로 삽입될 때, 메모리 카드의 일 측면에 있는 4개의 핀이 먼저 나노 SIM 카드 홀더에 들어가기 때문에, 4개의 핀은 나노 SIM 카드 홀더에서 최외각 스프링에 의해 연속적으로 두 번 긁힌다. 예를 들어, 핀(1, 2, 3 및 4)은 먼저 나노 SIM 카드 홀더에 들어가고, 핀(1, 2, 3 및 4)은 나노 SIM 카드 홀더에서 최외각 스프링에 의해 연속적으로 두 번 긁힌다. 예를 들어, 도 28에 도시된 메모리 카드가 나노 SIM 카드 홀더에 수직으로 삽입될 때, 나노 SIM 카드 홀더에 처음으로 들어가는 2개의 핀은 나노 SIM 카드 홀더의 최외각 스프링에 의해 연속적으로 긁힌다. 예를 들어, 핀(1 및 8)은 먼저 나노 SIM 카드 홀더에 들어가고, 핀(1 및 8)은 나노 SIM 카드 홀더에서 최외각 스프링에 의해 네 번 연속 긁히고, 핀(2 및 7)은 나노 SIM 카드 홀더에서 최외각 스프링에 의해 세 번 연속 긁히며, 핀(3 및 6)은 나노 SIM 카드 홀더에서 최외각 스프링에 의해 연속적으로 두 번 긁힌다. 따라서, 메모리 카드의 수명이 상대적으로 길어지도록 메모리 카드의 내구성이 보장되어야 한다.
또한, 메모리 카드가 과열되지 않도록 해야 한다. 메모리 카드는 복수의 작업 모드, 예를 들어 고속 모드 및 초고속(ultra high speed-I, UHS-I) 모드를 가진다. 고속 모드에서 메모리 카드의 작동 전압은 3.3V(V)이다. UHS-I 모드에서 메모리 카드의 작동 전압은 1.8V(V)이다. 전술한 상이한 작업 모드에서, 메모리 카드의 전력 소비는 변하므로, 메모리 카드에 의해 발생된 열이 변한다. 메모리 카드의 작동 모드에 관계없이 메모리 카드의 정상적인 작동을 보장하려면 메모리 카드의 전력 소비가 0.72 와트(W) 이내인지 확인해야 한다.
먼저, 메모리 카드가 나노 SIM 카드 홀더에 삽입되었는지 또는 나노 SIM 카드 홀더에서 제거되었는지를 검출해야 한다. 본 출원은 메모리 카드의 삽입 또는 제거 여부를 검출하는 두 가지 검출 방식을 제공한다.
제1 검출 방식은 다음과 같이 설명된다: 카드 검출 스위치(card detection switch)가 단말의 나노 SIM 카드 홀더에 배치된다. 이 경우 카드 검출 스위치는 표 4와 같이 정상적으로 열림 유형이다. 메모리 카드를 제거하면 카드 검출 스위치가 열리거나; 또는 메모리 카드가 삽입되면 카드 검출 스위치가 닫힌다. 구체적으로, 도 34는 본 출원의 실시예에 따른 메모리 카드의 삽입 및 제거를 검출하는 검출 회로도이다. 도 34에 나타내는 바와 같이, 호스트 컨트롤러(host controller)(01), 검출 전원(VDD)(02) 및 카드 검출 스위치(03)가 설치되어 있다. 호스트 컨트롤러(01) 및 검출 전원(02)은 단말에 배치되고, 카드 검출 스위치(03)는 단말의 나노 SIM 카드 홀더에 배치된다. 카드 검출 스위치(03)의 일단은 호스트 컨트롤러(01)에 연결되고, 카드 검출 스위치(03)의 타단은 접지된다. 검출 전원(02)의 출력단은 호스트 컨트롤러(01)와 카드 검출 스위치(03) 사이에 접속된다. 메모리 카드가 삽입되면, 카드 검출 스위치(03)는 닫히고, 호스트 컨트롤러(01)는 저레벨 신호를 검출하고, 호스트 제어기(01)는 메모리 카드에 전기 에너지를 제공하는 전원을 작동 가능하게 하거나; 또는 메모리 카드가 제거될 때, 카드 검출 스위치(03)가 열리고, 호스트 제어기(01)는 하이 레벨 신호를 검출하고, 호스트 제어기(01)는 메모리 카드에 전기 에너지를 제공하는 전원을 작동 가능하지 않게 한다.
제2 검출 방식은 다음과 같이 설명된다: 마찬가지로, 카드 검출 스위치는 단말의 나노 SIM 카드 홀더에 배치된다. 이 경우 카드 검출 스위치는 표 4와 같이 정상적으로 닫히는 유형이다. 메모리 카드를 제거하면 카드 검출 스위치가 닫힌다. 또는 메모리 카드를 삽입하면 카드 검출 스위치가 열린다. 구체적으로, 도 34에 도시된 바와 같이, 메모리 카드가 삽입될 때, 카드 검출 스위치(03)는 열리고, 호스트 제어기(01)는 높은 레벨의 신호를 검출하고, 호스트 제어기(01)는 메모리 카드에 전기 에너지를 제공하는 전력 공급을 가능하게 하거나; 또는 메모리 카드가 제거될 때, 카드 검출 스위치(03)는 닫히고, 호스트 제어기(01)는 저레벨 신호를 검출하고, 호스트 제어기(01)는 메모리 카드에 전기 에너지를 제공하는 전원을 작동 가능하지 않게 한다.
따라서, 메모리 카드의 삽입 또는 제거가 검출될 수 있다. 메모리 카드가 제거된 것으로 검출되면 메모리 카드에 전기 에너지를 공급하는 전원 공급 장치가 비활성화되어 전기 에너지를 절약하고 저전력 소비를 달성할 수 있다.
카드 검출 스위치 유형(Card Detection Switch Types) 메모리 카드 제거(nano SD is Removed) 메모리 카드 삽입(nano SD is Inserted)
정상적으로 열림(Normally open) 열림(OFF(open)) 닫힘(ON(closed))
정상적으로 닫힘(Normally closed) 닫힘(ON(closed)) 열림(OFF(open))
카드 검출 스위치의 상태
전술한 "메모리 카드 삽입"은 메모리 카드의 모든 핀이 대응하는 스프링과 접촉할 때 메모리 카드가 삽입된 것으로 결정된다는 것을 의미한다. 전술한 "메모리 카드 제거"는 메모리 카드상의 임의의 하나 이상의 핀이 대응하는 스프링과 더 이상 접촉하지 않을 때, 메모리 카드가 제거된 것으로 결정된다는 것을 의미한다.
본 출원에 제공된 메모리 카드의 기능은 종래 기술의 메모리 카드의 기능과 호환 가능하다. 그렇지만, 본 출원에 제공된 메모리 카드는 단말의 나노 SIM 카드 홀더에 삽입될 수 있기 때문에, 본 출원에 제공된 메모리 카드의 크기는 종래 기술의 메모리 카드의 크기보다 작다.
본 출원에서 제공되는 메모리 카드는 마이크로 메모리 카드이며, 또한 nanoSD 메모리 카드, nano SD 메모리 카드, nano SD 메모리 카드, nano SD 메모리 카드, nano-SD 메모리 카드, 또는 nanoSD 메모리 카드로 지칭될 수 있다.
본 출원에서 제공되는 메모리 카드의 형상은 기본적으로 나노 SIM 카드의 형상과 동일하다. 또한, 본 출원에서 제공되는 메모리 카드의 크기는 기본적으로 나노 SIM 카드의 크기와 동일하다.
본 출원은 메모리 카드를 포함하는 단말을 추가로 제공한다. 일반적으로 메모리 카드는 디지털 제품을 저장하기 위해 다양한 제품(예를 들어, 단말)과 함께 사용되는 응용 프로그램에서 사용된다. 정기적으로, 메모리 카드는 단말로부터 제거될 수 있어서, 메모리 카드에 저장된 디지털 데이터는 휴대 가능하다. 본 출원에 따른 메모리 카드는 비교적 작은 형상 인자를 가질 수 있으며, 단말에 대한 디지털 데이터를 저장하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 단말은 카메라, 핸드헬드 또는 노트북 컴퓨터, 네트워크 애플리케이션 장치, 셋톱 박스, 핸드헬드 또는 다른 소형 오디오 플레이어/레코더, 또는 의료 모니터이다.
도 26은 본 출원의 실시예에 따른 단말의 회로도이다. 도 3에 도시된 바와 같이. 도 26에 도시된 바와 같이, 메모리 카드는 단말의 나노 SIM 카드 홀더에 삽입될 수 있다. 메모리 카드의 클록 신호 핀(21)에 대응하는 제1 접속점(41), 메모리 카드의 전원 핀(22)에 대응하는 제2 접속점(42), 메모리 카드의 제어 신호 핀(23)에 대응하는 제2 접속점(43), 메모리 카드의 접지 신호 핀(24)에 대응하는 제2 접속점(44), 메모리 카드의 제1 데이터 전송 핀(25)에 대응하는 제2 접속점(45), 및 메모리 카드의 제2 데이터 전송 핀(26)에 대응하는 제2 접속점(46), 메모리 카드의 제3 데이터 전송 핀(27)에 대응하는 제2 연결 지점(47) 및 메모리 카드의 제4 데이터 전송 핀(28)에 대응하는 제2 연결 지점(48)이 나노 SIM 카드 홀더에 배치된다. 메모리 카드가 나노 SIM 카드 홀더에 삽입된 후 메모리 카드의 핀은 대응하는 연결 지점과 접촉한다. 제1 접속점(41)에 연결된 제1 핀(51), 제2 접속점(42)에 연결된 제2 핀(52), 제2 접속점(43)에 연결된 제3 핀(53), 제2 접속점(44)에 연결된 제4 핀(54), 제5 제2 접속점(45)에 연결된 핀(55), 제2 접속점(46)에 연결된 제6 핀(56), 제2 접속점(47)에 연결된 제7 핀(57) 및 제2 접속점(48)에 연결된 제8 핀(58)이 단말의 제어 칩 상에 배치된다. 제2 핀(52)은 제어 칩의 전원 핀일 수 있고, 제4 핀(54)은 제어 칩의 접지 신호 핀일 수 있다.
또한, 단말에는 SD 인터페이스 및 SIM 인터페이스가 제공된다. SD 인터페이스에는 제1 SD 핀, 제2 SD 핀, 제3 SD 핀, 제4 SD 핀, 제5 SD 핀 및 제6 SD 핀의 6개의 핀이 배치된다. SIM 인터페이스에는 3개의 핀, 즉 제1 SIM 핀, 제2 SIM 핀 및 제3 SIM 핀이 배치된다.
제어 칩에는 3개의 스위치(61)가 제공된다. 3개의 스위치(61) 각각의 일단은 제1 핀(51), 제3 핀(53), 제5 핀(55), 제6 핀(56), 제7 핀(57) 및 제8 핀(58) 중 어느 3개의 각각에 일대일 대응으로 연결된다. 제1 핀(51), 제3 핀(53), 제5 핀(55), 제6 핀(56), 제7 핀(57) 및 제8 핀(58) 중 스위치(61)에 연결되지 않은 다른 핀은 일대일 대응으로 SD 인터페이스에서 3개의 핀에 연결된다.
SD 인터페이스에서 제어 칩의 핀에 연결되지 않은 나머지 3개의 핀 각각은 3개의 스위치(61) 각각의 타단과 일대일로 대응한다. SIM 인터페이스는 3개의 스위치(61) 각각의 타단과 일대일 대응한다.
제어 칩은 메모리 카드에서의 검출에 기초하여, 3개의 스위치(61) 각각의 타단과 SD 인터페이스에서 제어 칩의 핀에 접속되지 않은 나머지 3개의 핀 각각의 사이에서 일대일 연결을 제어한다. 또한, 메모리 카드는 현재 저장 기능을 구현하고 있다. 대안적으로, 제어 칩은 메모리 카드에서의 검출에 기초하여, 3개의 스위치(61) 각각의 타단과 SIM 인터페이스에서 3개의 핀 각각의 사이에서 일대일 연결을 제어한다. 또한, 메모리 카드는 SIM 카드로 변경되어 통신 기능을 구현한다.
선택적으로, 근거리 통신(near field communication, NFC) 구조(71)가 제공된다. NFC 구조(71)의 출력단은 다른 스위치의 일단에 대응한다. 또한, 제7 핀(57)은 다른 스위치의 일단에 대응한다. 다른 스위치의 타단은 제2 접속점(47)에 접속된다. 따라서, NFC 구조(71)의 출력단은 다른 스위치의 일단에 접속되거나, 또는 제7 핀(57)은 다른 스위치의 일단에 접속된다.
전술한 실시예는 특히 메모리 카드 및 단말을 설명한다. 전술한 설명은 메모리 카드의 예시적인 실시예를 설명하기 위한 것이지만 본 출원의 제한을 구성하지는 않는다. 본 출원에 개시된 기술들은 또한 메모리 카드를 컴퓨팅 장치에 적용하기 위해 사용될 수 있고, 컴퓨팅 장치는 메모리 카드를 제어 또는 동작시킨다. 단말 외에, 메모리 카드 상에 구현될 수 있는 애플리케이션의 예는 무선 통신 장치, 글로벌 포지셔닝 시스템(Global Positioning System, GPS) 장치, 셀룰러 장치, 네트워크 인터페이스, 모뎀, 자기 디스크 저장 시스템 등을 포함한다.
본 출원의 복수의 특징 및 장점은 기재된 설명으로부터 배울 수 있다. 따라서, 청구 범위는 본 출원의 이러한 모든 특징 및 장점을 포함하도록 의도된다. 또한, 당업자는 복수의 조정 및 변경을 용이하게 수행할 수 있기 때문에, 본 출원은 설명된 정확한 구조 및 동작으로 제한되지 않는다. 따라서 사용할 수 있는 모든 적절한 조정 및 변경은 본 출원의 범위에 속한다.

Claims (10)

  1. 메모리 카드로서,
    저장 유닛, 제어 유닛 및 메모리 카드 인터페이스를 포함하고, 상기 저장 유닛 및 상기 제어 유닛은 상기 메모리 카드의 카드 본체 내에 배치되고, 상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상에 배치되고. 상기 제어 유닛은 상기 저장 유닛 및 상기 메모리 카드 인터페이스에 개별적으로 전기 접속되고, 상기 메모리 카드의 형상은 나노 가입자 식별 모듈(nano subscriber identity module, SIM) 카드의 형상과 동일하며, 상기 메모리 카드의 크기는 상기 나노 SIM 카드와 동일하며; 그리고
    상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점을 적어도 포함하고, 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점은 전원 신호를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점은 제어 신호를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점은 클록 신호를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점은 접지 신호를 전송하도록 구성되는, 메모리 카드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 카드의 제1 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점은 모두 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체의 동일한 측면 상에 위치하는, 메모리 카드.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
    상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되며;
    상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하며;
    상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며; 그리고
    상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하는, 메모리 카드.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
    상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고;
    상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하고;
    상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하며; 그리고
    상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하는, 메모리 카드.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상에 배치되고;
    상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고;
    상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제2 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점에 인접하며;
    상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점에 인접하며;
    상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제3 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점에 인접하며; 그리고
    상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점에 인접하는, 메모리 카드.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
    상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되며;
    상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하고, 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점의 면적은 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점의 면적보다 크며;
    상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며; 그리고
    상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하고, 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점의 면적은 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점의 면적보다 큰, 메모리 카드.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상에 배치되고;
    상기 메모리 카드 인터페이스는 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되며;
    상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점과 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점 사이에 위치하고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점과 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점으로부터 격리되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점의 중심점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점의 중심점과 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점의 중심점 사이의 연결 라인에 위치하며; 그리고
    상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점과 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점 사이에 위치하고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점과 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점으로부터 격리되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점의 중심점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점의 중심점과 제5 금속 접점의 중심점 사이의 연결 라인에 위치하는, 메모리 카드.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
    상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되며;
    상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하며;
    상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며; 그리고
    상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하는, 메모리 카드.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점, 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점, 및 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점은 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상에 배치되고;
    상기 메모리 카드 인터페이스는 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점을 더 포함하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 데이터를 전송하도록 구성되고;
    상기 메모리 카드의 제7 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제7 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 클록 신호는 상기 메모리 카드의 제3 금속 접점에 인접하며;
    상기 메모리 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제3 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제8 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점에 인접하고 격리되며, 상기 메모리 카드의 제8 금속 접점 및 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제4 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 카드 본체 상의 영역에 대응하며;
    상기 메모리 카드의 제2 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제5 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하고, 상기 메모리 카드의 제6 금속 접점은 상기 메모리 카드의 제2 금속 접점에 인접하며; 그리고
    상기 메모리 카드의 제1 금속 접점이 위치하는, 상기 메모리 카드의 상기 카드 본체 상의 영역은 상기 나노 SIM 카드의 제6 금속 접점이 위치하는, 상기 나노 SIM 카드의 상기 카드 본체 상의 영역에 대응하는, 메모리 카드.
  10. 단말로서,
    제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 메모리 카드가 상기 단말 상에 배치되는, 단말.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040115760A1 (en) 1999-06-18 2004-06-17 Thomas Metzler Method and device for carrying out biochemical reactions with a high throughput
CN109948767A (zh) * 2018-02-01 2019-06-28 华为技术有限公司 存储卡和终端
CN113033222B (zh) * 2019-12-09 2022-09-23 荣耀终端有限公司 电子设备、用户身份识别卡与存储卡的识别方法
KR20210078644A (ko) 2019-12-18 2021-06-29 삼성전자주식회사 범용 플래시 스토리지 메모리 카드
CN111740253A (zh) * 2020-07-17 2020-10-02 华为技术有限公司 卡结构和终端设备
CN218676064U (zh) * 2021-12-15 2023-03-21 华为技术有限公司 存储卡

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040210715A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-21 Eliyahou Harari Memory cards including a standard security function
CN103164737A (zh) * 2013-01-29 2013-06-19 三星半导体(中国)研究开发有限公司 高密度存储智能卡模块及其制造方法
US20140217614A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 Mxtran Inc. Integrated circuit film and method of manufacturing the same
CN204331782U (zh) * 2014-12-23 2015-05-13 电信科学技术研究院 用于便携式终端的sim卡
CN106127285A (zh) * 2016-06-17 2016-11-16 北京小米移动软件有限公司 集成电路卡
US20170099265A1 (en) * 2012-05-02 2017-04-06 Horatio Nelson Huxham Small form-factor cryptographic expansion device

Family Cites Families (129)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4024599C2 (de) * 1989-08-16 1996-08-14 Siemens Ag Hochfrequenz-Antenne eines Kernspintomographen
DE4007221A1 (de) * 1990-03-07 1991-09-12 Gao Ges Automation Org Pruefkopf fuer kontaktflaechen von wertkarten mit eingelagertem halbleiterchip
US5308251A (en) 1992-08-10 1994-05-03 The Whitaker Corporation Mounting bracket with ESD protection for an electrical connector
AU702183B2 (en) 1995-03-22 1999-02-18 Framatome Connectors International Reading frame for a microcircuit card reader apparatus
US6151647A (en) * 1998-03-26 2000-11-21 Gemplus Versatile interface smart card
FR2783336B1 (fr) * 1998-09-11 2001-10-12 Schlumberger Ind Sa Procede de transmission de donnees et carte pour une telle transmission
US7021971B2 (en) * 2003-09-11 2006-04-04 Super Talent Electronics, Inc. Dual-personality extended-USB plug and receptacle with PCI-Express or Serial-At-Attachment extensions
US6705520B1 (en) * 1999-11-15 2004-03-16 Satyan G. Pitroda Point of sale adapter for electronic transaction device
US20030112613A1 (en) * 2002-10-22 2003-06-19 Hitachi, Ltd. IC card
CN1996351B (zh) * 2000-04-28 2010-04-21 株式会社日立制作所 集成电路卡
TW483599U (en) * 2001-05-11 2002-04-11 Quanta Comp Inc Client ID connector with two ID slot
JP3813849B2 (ja) 2001-09-14 2006-08-23 株式会社東芝 カード装置
JP3842609B2 (ja) 2001-10-22 2006-11-08 株式会社東芝 Ｉｃカード用ｌｓｉ，ｉｃカード及びｉｃカードの動作方法
US6634565B2 (en) * 2001-11-06 2003-10-21 Litronic, Inc. Smart card having additional connector pads
CN1464363A (zh) 2002-06-17 2003-12-31 万国电脑股份有限公司 存储卡共用连接装置及其共用端子的切换与判断方法
JP4236440B2 (ja) * 2002-10-09 2009-03-11 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカード
US7367503B2 (en) * 2002-11-13 2008-05-06 Sandisk Corporation Universal non-volatile memory card used with various different standard cards containing a memory controller
US6772956B1 (en) * 2003-03-31 2004-08-10 Stmicroelectronics, Inc. Smart card and method that modulates traffic signaling indicative of operational attributes of the smart card and/or transactions between the smart card and USB port of a USB host
US6752321B1 (en) * 2003-03-31 2004-06-22 Stmicroelectronics, Inc. Smart card and method that modulates multi-color LED indicative of operational attributes and/or transactions between the smart card and USB port of a USB host
JP4412947B2 (ja) * 2003-09-08 2010-02-10 株式会社ルネサステクノロジ メモリカード
US6854984B1 (en) * 2003-09-11 2005-02-15 Super Talent Electronics, Inc. Slim USB connector with spring-engaging depressions, stabilizing dividers and wider end rails for flash-memory drive
JP2007041629A (ja) * 2003-11-04 2007-02-15 Renesas Technology Corp メモリカード及び半導体装置
DE102004015535B4 (de) * 2004-03-30 2009-01-29 Infineon Technologies Ag Datenübertragungsschnittstelle und Verfahren
US7152801B2 (en) * 2004-04-16 2006-12-26 Sandisk Corporation Memory cards having two standard sets of contacts
JP2005322109A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Renesas Technology Corp Ｉｃカードモジュール
NO321855B1 (no) * 2004-09-02 2006-07-17 Telenor Asa Mobiltelefontilstedevaerelses- og lokaliseringssystem ved bruk av en SIM-kortsender
US7198199B2 (en) 2005-02-04 2007-04-03 Chun-Hsin Ho Dual universal integrated circuit card (UICC) system for a portable device
JP2006253430A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
EP1772794A1 (en) * 2005-10-10 2007-04-11 Axalto S.A. Method and circuit for local clock generation and smartcard including it thereon
DE102005049256A1 (de) * 2005-10-14 2007-04-26 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul, Chipkarte, Chipkartenkontaktierungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Chipkarte
US7987368B2 (en) 2005-10-28 2011-07-26 Microsoft Corporation Peer-to-peer networks with protections
ATE462168T1 (de) * 2005-12-22 2010-04-15 Lg Electronics Inc Verfahren für effizientere verwendung einer schnittstelle zwischen einer chipkarte und einer vorrichtung, zugehörige chipkarte und vorrichtung
EP1833006B1 (en) * 2006-03-10 2014-01-08 LG Electronics Inc. Method and apparatus for protocol selection on ICC
KR100773741B1 (ko) * 2006-05-18 2007-11-09 삼성전자주식회사 다수의 인터페이스들을 구비하는 집적 회로와 이를구비하는 집적 회로 카드
WO2007138021A1 (en) 2006-05-29 2007-12-06 Paschalis Papagrigoriou Method for communication with a multi-function memory card
KR100939067B1 (ko) * 2006-07-07 2010-01-28 삼성전자주식회사 복수의 서로 상이한 인터페이스를 구비한 스마트 카드
KR100764744B1 (ko) * 2006-07-21 2007-10-08 삼성전자주식회사 호스트의 인터페이스 프로토콜을 판별하는 디바이스 그것을포함하는 아이씨카드
WO2008075594A1 (ja) * 2006-12-20 2008-06-26 Renesas Technology Corp. 半導体装置およびそのアダプタ
CN101271533A (zh) * 2007-03-23 2008-09-24 北京握奇数据系统有限公司 一种集成电路卡及其数据无线传输的方法
JP2008257506A (ja) 2007-04-05 2008-10-23 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4525716B2 (ja) * 2007-08-20 2010-08-18 パナソニック電工株式会社 カード用コネクタ装置
JP2009054061A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Renesas Technology Corp 半導体装置
FR2923633B1 (fr) * 2007-11-13 2010-06-18 Oberthur Card Syst Sa Carte a microprocesseur, telephone comprenant une telle carte et procede d'execution d'une commande dans une telle carte.
JP5097216B2 (ja) * 2007-12-10 2012-12-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｓｉｍアダプタ
US20090172279A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Po Yuan System For Accessing A Removable Non-Volatile Memory Card
US20090327528A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Sandisk Il Ltd. Data storage method with multiple protocols for preloading data
KR20110029132A (ko) 2008-06-26 2011-03-22 샌디스크 아이엘 엘티디 데이터를 프리로딩하기 위한 다중 프로토콜을 구비하는 데이터 저장 장치
FR2936886B1 (fr) * 2008-10-02 2013-09-27 Oberthur Technologies Dispositif electronique et gestion des communications sans contact concurrentes d'un tel dispositif et d'un equipement hote
EP2224376B1 (en) * 2009-02-25 2014-12-31 Vodafone Holding GmbH Power supply for a chip card
KR101544912B1 (ko) * 2009-03-31 2015-08-17 삼성전자주식회사 집적 회로 카드 시스템 및 이에 따른 데이터의 전송 방법
US8291144B2 (en) * 2009-08-14 2012-10-16 Sandisk Il Ltd. Dual interface card with backward and forward compatibility
CN201556226U (zh) 2009-11-23 2010-08-18 华为终端有限公司 Sim卡、sim卡卡座及通讯终端
KR20120011974A (ko) * 2010-07-29 2012-02-09 삼성전자주식회사 복수 개의 인터페이스를 지원하는 스마트 카드 및 그것의 인터페이스 방법
CH703738B1 (de) * 2010-08-31 2018-05-31 Swisscom Ag SIM-Karte und Verfahren zur Herstellung derselben.
DE102011112031A1 (de) * 2011-05-11 2012-11-15 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zum Datenaustausch zwischen Endgerät und Chipkarte
FR2976382B1 (fr) * 2011-06-10 2013-07-05 Oberthur Technologies Module a microcircuit et carte a puce le comportant
CN202134034U (zh) 2011-07-11 2012-02-01 深圳市江波龙电子有限公司 Micro sd卡
FR2977956A1 (fr) * 2011-07-12 2013-01-18 France Telecom Module electronique de stockage, procede d'attribution des contacts d'un module electronique de stockage, procede de mise en œuvre d'une attribution
WO2013013192A2 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Visa International Service Association Cryptographic expansion device and related protocols
US9390364B2 (en) * 2011-08-08 2016-07-12 Féinics Amatech Teoranta Transponder chip module with coupling frame on a common substrate for secure and non-secure smartcards and tags
FR2982690B1 (fr) * 2011-11-14 2016-07-08 Oberthur Technologies Adaptateur de carte a puce et carte a puce correspondante
CN202453931U (zh) * 2011-12-29 2012-09-26 深圳市江波龙电子有限公司 可扩展的存储卡及移动终端
CN102592164A (zh) * 2011-12-29 2012-07-18 深圳市江波龙电子有限公司 可扩展的存储卡、连接器及移动终端
SG11201406653RA (en) * 2012-03-22 2014-11-27 Smk Logomotion Corp Temporary carrier of a removable memory card, method of production and processing of a removable memory card
EP2829885B1 (en) * 2012-03-23 2020-01-15 Mitsubishi Electric Corporation System and method for discriminating noise sources
US8936199B2 (en) * 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
CN103473593B (zh) * 2012-06-05 2018-10-19 德昌电机(深圳)有限公司 智能卡、智能卡接触垫载板及其制造方法
US20140099805A1 (en) * 2012-10-10 2014-04-10 Motorola Mobility Llc Electronic connector capable of accepting a single subscriber identity mopdule or a memory card
CN103001079B (zh) 2012-12-03 2015-10-14 小米科技有限责任公司 一种sim卡卡座及移动终端
CN103870870A (zh) 2012-12-13 2014-06-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 数据存储卡
US20140200047A1 (en) * 2013-01-11 2014-07-17 Kuo-Liang Chen Interface Card with Multiple Subscriber Identity Modules
KR102035776B1 (ko) * 2013-01-17 2019-10-23 삼성전자 주식회사 심카드 소켓 및 이를 포함하는 단말기
US10248902B1 (en) * 2017-11-06 2019-04-02 Féinics Amatech Teoranta Coupling frames for RFID devices
CN103970703A (zh) * 2013-02-05 2014-08-06 财团法人工业技术研究院 Usb ssic 可抽取式电子装置及其转接装置
US8968029B2 (en) * 2013-03-18 2015-03-03 Uju Electronics Co. Ltd. Socket for nano SIM card
US9467186B2 (en) * 2013-04-16 2016-10-11 Xiaomi Inc. Card holder and mobile terminal including same
CN104241892B (zh) * 2013-06-09 2018-01-23 华为终端有限公司 一种usb连接器及无线上网设备
CN103367951B (zh) * 2013-06-28 2016-03-02 华为终端有限公司 数码卡固定装置
CN203492067U (zh) * 2013-09-16 2014-03-19 中兴通讯股份有限公司 卡托和移动终端
KR20150083567A (ko) * 2014-01-10 2015-07-20 삼성전자주식회사 심카드 커넥터 및 이를 포함하는 전자 장치
JP6266363B2 (ja) * 2014-01-29 2018-01-24 株式会社東芝 メモリカードスロット装置及びメモリカードスロット装置の制御方法
CN104704704B (zh) * 2014-03-04 2017-09-19 华为终端有限公司 一种充电电路和终端
FR3021145B1 (fr) * 2014-05-14 2018-08-31 Linxens Holding Procede de fabrication d'un circuit pour module de carte a puce et circuit pour module de carte a puce
KR102284655B1 (ko) * 2014-07-02 2021-08-03 삼성전자 주식회사 메모리 카드
CN104124587B (zh) * 2014-07-24 2017-10-24 惠州Tcl移动通信有限公司 可安装Nano‑SIM卡的TF卡连接器及手机
CN204012075U (zh) * 2014-07-30 2014-12-10 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 一种数据卡连接器及终端
CN205583186U (zh) * 2014-07-31 2016-09-14 华为技术有限公司 一种三合二卡座及包含该卡座的移动终端
KR102420587B1 (ko) * 2014-08-12 2022-07-14 삼성전자주식회사 메모리 카드
US10157678B2 (en) * 2014-08-12 2018-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory card
JP2016100217A (ja) 2014-11-21 2016-05-30 タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 カードコネクタ
CN105701532B (zh) * 2014-11-25 2018-09-11 茂邦电子有限公司 晶片卡的晶片封装件及其成型用片状封装板与成型方法
JP2016134378A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 シャープ株式会社 モジュール保持部材、基板および電子機器
JP6146550B2 (ja) * 2015-02-16 2017-06-14 株式会社村田製作所 アンテナ装置および通信端末装置
TW201638829A (zh) * 2015-04-17 2016-11-01 太思科技股份有限公司 用於安裝先進智慧卡的輔助安裝結構
JP6408967B2 (ja) * 2015-08-19 2018-10-17 日本電産サンキョー株式会社 カードリーダ
CN204835128U (zh) 2015-08-19 2015-12-02 上海晴格电子有限公司 一种Micro SD卡与Nano SIM卡二选一卡座连接器
JP6613130B2 (ja) * 2015-12-22 2019-11-27 モレックス エルエルシー カード保持部材及びカード用コネクタセット
US9900984B2 (en) * 2015-12-31 2018-02-20 Taisys Technologies Co. Ltd. Auxiliary mounting structure for mounting advanced smart card
KR101740182B1 (ko) * 2015-12-31 2017-05-25 몰렉스 엘엘씨 카드 소켓, 카드 커넥터 및 이의 제조 방법
CN206039592U (zh) 2016-04-25 2017-03-22 丽而康科技（深圳）有限公司 一种有储存功能的sim卡
US9887476B2 (en) * 2016-05-03 2018-02-06 Futurewei Technologies, Inc. Multi-portion connector for use with differently-sized cards
DE102016110780A1 (de) * 2016-06-13 2017-12-14 Infineon Technologies Austria Ag Chipkartenmodul und Verfahren zum Herstellen eines Chipkartenmoduls
US9647709B1 (en) * 2016-08-15 2017-05-09 Giesecke & Devrient Mobile Security America, Inc. Convertible data carrier cradle for electronic mobile device
CN206178926U (zh) 2016-08-18 2017-05-17 成都九洲电子信息系统股份有限公司 基于sd卡可扩展的rfid信息终端
KR102646895B1 (ko) * 2016-09-29 2024-03-12 삼성전자주식회사 메모리 카드 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
CN106453730B (zh) 2016-12-22 2019-07-26 珠海市魅族科技有限公司 一种智能卡及终端设备
KR20180077727A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로 카드 및 이를 포함하는 통신 시스템
US11037042B2 (en) * 2016-12-29 2021-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit cards and communication systems including the same
US11250307B2 (en) * 2017-03-23 2022-02-15 Idex Biometrics Asa Secure, remote biometric enrollment
WO2018186456A1 (ja) * 2017-04-07 2018-10-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ホスト装置及びリムーバブルシステム
CN206931104U (zh) 2017-04-11 2018-01-26 重庆蓝岸通讯技术有限公司 兼容SIM标准的Micro SD卡
EP3635634A1 (en) * 2017-06-05 2020-04-15 Kioxia Corporation Memory card, host device, memory card connector, and memory card adapter
CN107229962A (zh) 2017-07-03 2017-10-03 智坤（江苏）半导体有限公司 一种基于移动终端的通用智能卡
US20190182954A1 (en) * 2017-12-08 2019-06-13 Western Digital Technologies, Inc. Memory card pin layout for avoiding conflict in combo card connector slot
EP3502838B1 (en) * 2017-12-22 2023-08-02 Nokia Technologies Oy Apparatus, method and system for identifying a target object from a plurality of objects
KR102440366B1 (ko) * 2018-01-04 2022-09-05 삼성전자주식회사 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 장치
CN207965941U (zh) * 2018-02-01 2018-10-12 华为技术有限公司 存储卡和终端
EP3720105A4 (en) * 2018-02-01 2021-01-06 Huawei Technologies Co., Ltd. ELECTRONIC DEVICE
CN109948767A (zh) * 2018-02-01 2019-06-28 华为技术有限公司 存储卡和终端
US11581673B2 (en) * 2018-02-13 2023-02-14 Huawei Technologies Co., Ltd. Card holder and mobile terminal
CN109284808A (zh) * 2018-09-13 2019-01-29 深圳市江波龙电子股份有限公司 一种多媒体存储卡以及移动电子设备
USD930000S1 (en) * 2018-10-12 2021-09-07 Huawei Technologies Co., Ltd. Memory card
KR102605960B1 (ko) * 2018-10-16 2023-11-23 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 메모리 카드, 메모리 카드 어댑터 및 단말 장치
CN111428839A (zh) * 2018-12-20 2020-07-17 华为技术有限公司 一种存储卡、连接器以及功能卡的识别方法
US11087195B2 (en) * 2018-12-31 2021-08-10 Western Digital Technologies, Inc. Memory card pad layout supporting multiple communication protocols
US11023394B2 (en) * 2019-02-19 2021-06-01 Western Digital Technologies, Inc. Socket interconnector with compressible ball contacts for high pad count memory cards
US11157197B2 (en) * 2019-02-19 2021-10-26 Western Digital Technologies, Inc. Socket interconnector for high pad count memory cards
CN112151528A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 西部数据技术公司 包括相对表面上的接触指的半导体装置
KR20210078644A (ko) * 2019-12-18 2021-06-29 삼성전자주식회사 범용 플래시 스토리지 메모리 카드

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040210715A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-21 Eliyahou Harari Memory cards including a standard security function
US20170099265A1 (en) * 2012-05-02 2017-04-06 Horatio Nelson Huxham Small form-factor cryptographic expansion device
CN103164737A (zh) * 2013-01-29 2013-06-19 三星半导体(中国)研究开发有限公司 高密度存储智能卡模块及其制造方法
US20140217614A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 Mxtran Inc. Integrated circuit film and method of manufacturing the same
CN204331782U (zh) * 2014-12-23 2015-05-13 电信科学技术研究院 用于便携式终端的sim卡
CN106127285A (zh) * 2016-06-17 2016-11-16 北京小米移动软件有限公司 集成电路卡

Also Published As

Publication number Publication date
CA3087613A1 (en) 2019-08-08
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