CN103164737A

CN103164737A - 高密度存储智能卡模块及其制造方法

Info

Publication number: CN103164737A
Application number: CN2013100343115A
Authority: CN
Inventors: 陈松
Original assignee: Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd; Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd; Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2013-01-29
Filing date: 2013-01-29
Publication date: 2013-06-19

Abstract

本发明公开了一种高密度存储智能卡模块及其制造方法，所述高密度存储智能卡模块包括：存储卡，具有通用存储卡的功能，所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端；智能卡，具有通用SIM卡的功能，所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端，其中，存储卡与智能卡设置在同一封装件中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。

Description

高密度存储智能卡模块及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种高密度存储智能卡模块及其制造方法，更具体地说，涉及一种能够降低手机电路板的设计难度并减小设计空间的高密度存储智能卡模块及其制造方法。

背景技术

近年来，手机(移动电话)的技术已经得到了快速发展，手机通常具有SIM卡槽以及存储卡槽(例如，MicroSD卡槽)，以用于分别插入SIM卡或存储卡，从而分别实现诸如通信及存储等功能。

通常，SIM卡槽与存储卡槽分别设置在手机的电路板上，彼此相互独立。然而，这种传统的布置方式需要在电路板上设置两种卡槽，并且需要为这两种卡槽分别设计相应的连接电路，因此这种布置方式会造成电路板上的空间的浪费，并且使电路板上的电路变得更加复杂，这样的布置方式不利于手机的轻薄化。

另外，由于SIM卡槽与存储卡槽彼此独立，因此电流需要通过更大的空间，从而造成手机的耗电量增大。另外，随着手机主频和外设之间的通讯频率升高，这种布局也不能满足信号完整性的要求。

发明内容

本发明的一方面提供了一种高密度存储智能卡模块，包括：存储卡，具有通用存储卡的功能，所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端；智能卡，具有通用SIM卡的功能，所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端，其中，存储卡与智能卡设置在同一封装件中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。

根据本发明的另一方面，所述存储卡还可包括第一天线端和第二天线端，所述智能卡还包括第三天线端和第四天线端，其中，第一天线端和第三天线端以及第二天线端和第四天线端中的至少一对分别共用相同的端子。

根据本发明的另一方面，智能卡的芯片可设置在存储卡的芯片上方。

根据本发明的另一方面，所述封装件可被形成为通用SIM卡、Micro SIM卡、Mini SIM卡、Nano SIM卡和M2M SIM卡的形状及大小。

本发明的有一方面提供了一种制造高密度存储智能卡模块的方法，该方法包括下述步骤：制备具有通用存储卡的功能的存储卡，所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端；制备具有通用SIM卡的功能的智能卡，所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端；将存储卡与智能卡设置在同一封装件中，其中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。

附图说明

通过下面结合附图进行的对实施例的描述，本发明的上述和/或其他目的和优点将会变得更加清楚，其中：

图1是根据本发明第一示例性实施例的高密度存储智能卡模块的端子的示意图；

图2是根据本发明第二示例性实施例的高密度存储智能卡模块的端子的示意图；

图3是根据本发明示例性实施例的高密度存储智能卡模块的示意性剖视图；

图4A至图4C是顺序地示出根据本发明示例性实施例的高密度存储智能卡模块的制造方法的各步骤的示意性剖视图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例，然而本领域技术人员应当理解，仅以说明性的意义来提供这些实施例，而不是出于限制性的目的。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。

根据本发明的一个实施例的高密度存储智能卡模块可包括：存储卡，具有通用存储卡的功能，所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端；智能卡，具有通用SIM卡的功能，所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端，其中，存储卡与智能卡设置在同一封装件中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。

图1是根据本发明第一示例性实施例的高密度存储智能卡模块的端子的示意图。参照图1，高密度存储智能卡模块100可包括设置在同一封装件中的存储卡和智能卡(未示出)。其中，存储卡可以是各种能够具有通用存储卡的功能的各种卡，例如，存储卡可以是SD卡、micro SD卡、nano SD卡等。智能卡可以是具有通用SIM卡功能的任意智能卡。其中，存储卡可具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端，智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端。

如图1所示，高密度存储智能卡模块100可具有多个端子，其中，第一端子110连接到存储卡的指令端、第二端子120至第五端子150分别连接到存储卡的第一数据端至第四数据端、第六端子210连接到智能卡的IO端、第七端子220连接到智能卡的重置端。另外，在图1中所示的实施例中，第八端子310同时连接到存储卡的第一电源端以及智能卡的第二电源端、第九端子320同时连接到存储卡的第一接地端以及智能卡的第二接地端、第十端子330同时连接到存储卡的第一时钟端以及智能卡的第二时钟端。

在图1的实施例中，由于存储卡的第一电源端和智能卡的第二电源端、存储卡的第一接地端和智能卡的第二接地端以及存储卡的第一时钟端与智能卡的第二时钟端分别共用相同的端子(例如，第八端子310、第九端子320、第十端子330)。因此，可以将存储卡与智能卡形成在同一封装件中，并且可以以更紧凑的结构来布置存储卡与智能卡的端子。

图2是根据本发明第二示例性实施例的高密度存储智能卡模块的端子的示意图。参照图2，高密度存储智能卡模块200可包括设置在同一封装件中的存储卡和智能卡(未示出)。其中，存储卡可以是各种能够具有通用存储卡的功能的各种卡，例如，存储卡可以是SD卡、micro SD卡、nano SD卡等。智能卡可以是具有通用SIM卡功能的任意智能卡。其中，存储卡可具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端、指令端、第一天线端以及第二天线端，智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端、重置端以及第三天线端和第四天线端。

如图2所示，高密度存储智能卡模块200可具有多个端子，其中，第一端子110连接到存储卡的指令端、第二端子120至第五端子150分别连接到存储卡的第一数据端至第四数据端、第六端子210连接到智能卡的IO端、第七端子220连接到智能卡的重置端。另外，在图1中所示的实施例中，第八端子310同时连接到存储卡的第一电源端以及智能卡的第二电源端、第九端子320同时连接到存储卡的第一接地端以及智能卡的第二接地端、第十端子330同时连接到存储卡的第一时钟端以及智能卡的第二时钟端、第十一端子340同时连接到存储卡的第一天线端以及智能卡的第三天线端、第十二端子350同时连接到存储卡的第二天线端以及智能卡的第四天线端。

在图2的实施例中，由于存储卡的第一电源端和智能卡的第二电源端、存储卡的第一接地端和智能卡的第二接地端、存储卡的第一时钟端与智能卡的第二时钟端、存储卡的第一天线端和智能卡的第三天线端以及存储卡的第二天线端和智能卡的第四天线端分别共用相同的端子(例如，第八端子310、第九端子320、第十端子330、第十一端子340和第十二端子350)。因此，可以将存储卡与智能卡形成在同一封装件中，并且可以以更紧凑的结构来布置存储卡与智能卡的端子。

虽然在图1和图2的实施例中分别示出了使存储卡与智能卡共用特定的端子，然而本发明不限于此。本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以改变存储卡与智能卡之间的共用的端子的种类和数量。另外，本领域技术人员还应当理解，本发明的高密度存储智能卡模块的各个端子不限于图1和图2中所示出的具体布置方式，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对这些端子的大小、位置、间距、布局等进行各种修改和改变。

图3是根据本发明示例性实施例的高密度存储智能卡模块500的示意性剖视图。参照图3，根据本发明示例性实施例的高密度存储智能卡模块500可包括基板510、第一芯片520和第二芯片530。其中，基板510可以是印刷电路板(PCB)，第一芯片520可以是存储卡芯片，并且第二芯片530可以是智能卡芯片。第一芯片520可以设置在基板510上，第二芯片530可以设置在第一芯片520上。第一芯片520和第二芯片530的各个端可通过键合线550连接到基板510上的电路。基板510的下方还可设置有多个端子540，以与外部设备进行连接。其中，第一芯片520和第二芯片530的电源端、接地端和时钟端中的至少一种分别共用相同的端子。

根据高密度存储智能卡模块500的不同功能的需要，高密度存储智能卡模块500还可包括设置在基板510上的电容器580、计数器590等元件。可形成封装材料层(例如，EMC层)包封设置在基板510上的各种元件从而形成封装件，以保护各个元件并形成高密度存储智能卡模块500的外观。根据本发明的一些实施例，封装件可被形成为通用SIM卡、Micro SIM卡、Mini SIM卡、Nano SIM卡和M2M SIM卡的形状及大小。

参照图4A至图4C，首先，制备具有通用存储卡的功能的存储卡，所述存储卡可形成在基板510上并且包括存储芯片520。所述存储卡可具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端(未示出)。然后，制备具有通用SIM卡的功能的智能卡，智能卡形成在存储芯片520上并且包括SIM卡芯片530。所述智能卡可具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端。将存储卡和智能卡分别连接到基板510上的电路，从而将存储卡和智能卡的各个端分别连接到基板510中的端子540。接下来，利用封装材料550将存储卡和智能卡设置在同一封装件中。其中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。

根据本发明的一些实施例，存储卡和智能卡还可包括其它端，例如，存储卡和智能卡还可分别包括天线端，在这种情况下，存储卡和智能卡的天线端也可以共用相同的端子。因此，本领域技术人员应当理解，不同的存储卡与智能卡可以包括其它的各种端，在不脱离本发明的范围的情况下，可以改变存储卡与智能卡之间的共用的端子的种类和数量。

虽然在本实施例中，智能卡的芯片设置在存储卡的芯片上，但是本发明不限于此。根据本发明的其它实施例，智能卡的芯片也可以设置在存储卡的芯片下方，或者智能卡的芯片与存储卡的芯片也可以并排地设置在基板上。

虽然已经结合附图描述了本发明的示例性实施例，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对这些实施例进行各种修改和改变，本发明的范围由权利要求书及其等同物限定。

Claims

1.一种高密度存储智能卡模块，包括：

存储卡，具有通用存储卡的功能，所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端；

智能卡，具有通用SIM卡的功能，所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端，

其中，存储卡与智能卡设置在同一封装件中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。

2.如权利要求1所述的高密度存储智能卡模块，其中，所述存储卡还包括第一天线端和第二天线端，所述智能卡还包括第三天线端和第四天线端，其中，第一天线端和第三天线端以及第二天线端和第四天线端中的至少一对分别共用相同的端子。

3.如权利要求1或2所述的高密度存储智能卡模块，其中，智能卡的芯片设置在存储卡的芯片上方。

4.如权利要求1或2所述的高密度存储智能卡模块，其中，所述封装件被形成为通用SIM卡、Micro SIM卡、Mini SIM卡、Nano SIM卡和M2M SIM卡的形状及大小。

5.一种制造高密度存储智能卡模块的方法，该方法包括下述步骤：

制备具有通用存储卡的功能的存储卡，所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端；

制备具有通用SIM卡的功能的智能卡，所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端；

将存储卡与智能卡设置在同一封装件中，

其中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述存储卡还包括第一天线端和第二天线端，所述智能卡还包括第三天线端和第四天线端，其中，第一天线端和第三天线端以及第二天线端和第四天线端中的至少一对分别共用相同的端子。

7.如权利要求5或6所述的方法，其中，智能卡的芯片设置在存储卡的芯片上方。

8.如权利要求5或6所述的方法，其中，所述封装件被形成为通用SIM卡、Micro SIM卡、Mini SIM卡、Nano SIM卡和M2M SIM卡的形状及大小。