KR102605960B1 - 메모리 카드, 메모리 카드 어댑터 및 단말 장치 - Google Patents

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Abstract

본 출원은 SIM, 메모리 카드, 메모리 카드 어댑터 및 단말 장치를 제공한다.
단말 장치에는 카드 소켓, SIM 모듈, 메모리 카드 모듈, 스위치, 감지 회로 및 제어 회로가 포함된다. 카드 소켓은 SIM 또는 메모리 카드를 배치하도록 구성되고, 카드 소켓에는 제1 인터페이스가 포함되어 있으며, 제1 인터페이스는 스위치를 통해 SIM 또는 메모리 카드에 연결된다. 제1 인터페이스는 스위치의 제1 단자에 연결된다. SIM 모듈은 스위치의 제2 단자에 연결된다. 메모리 카드 모듈은 스위치의 제3 단자에 연결된다. 감지 회로는 단말 장치에 배치된 카드가 SIM 또는 메모리 카드임을 감지하도록 구성된다. 제어 회로는 감지 회로의 감지 결과에 기초하여 스위치의 제1 단자가 스위치의 제2 단자에 연결되도록 제어하거나 스위치의 제1 단자가 스위치의 제3 단자에 연결되도록 제어한다. 따라서, 단말 장치의 카드 소켓은 SIM 카드 또는 메모리 카드를 배치할 수 있도록 구성될 수 있어 단말 장치의 공간 활용도를 향상시킬 수 있다.

Description

메모리 카드, 메모리 카드 어댑터 및 단말 장치
본 발명의 실시예는 통신 기술 분야에 관한 것으로, 특히 메모리 카드, 메모리 카드 어댑터 및 단말 장치에 관한 것이다.
기술의 지속적인 발전과 사람들의 실생활 니즈가 지속적으로 증가함에 따라 단말 장치의 기능은 증가하고 있지만 인체의 생리에 적응하기 위해 크기는 크게 변하지 않았다. 결과적으로 단말 장치의 공간은 매우 여유가 없다. 특히, 사용자가 대형 화면 및 풀 스크린(full screen) 단말 장치를 추구함에 따라 다양한 기능 모듈을 배치하기 위한 단말 장치의 공간이 더욱 압축된다. 따라서 단말 장치의 공간 활용도를 높이는 것이 특히 중요하다.
현재 많은 단말 장치가 이중 가입자 식별 모듈(subscriber identification module, SIM)로 구성되어 있지만 시중에서는 많은 사람들이 하나의 SIM 만 사용하고 다른 카드 소켓은 기본적으로 비워둔다.
다른 카드 소켓을 보다 효과적으로 활용하는 방법은 통상의 기술자에 의해 시급히 해결되어야 할 기술적 과제가 되었다
본 출원의 실시예는 메모리 카드, 메모리 카드 어댑터 및 단말 장치를 제공한다. 본 출원의 일부 실시예에서, 단말 장치의 카드 소켓은 단말 장치의 공간 활용을 개선하기 위해 효과적으로 활용될 수 있다.
제1 측면에 따르면, 본 출원은 단말 장치를 제공한다.
단말 장치는 카드 소켓, SIM 모듈, 메모리 카드 모듈, 스위치, 감지 회로 및 제어 회로가 포함한다. 카드 소켓은 SIM 또는 메모리 카드를 배치하도록 구성되고, 카드 소켓에는 제1 인터페이스가 포함되어 있으며, 제1 인터페이스는 스위치를 통해 SIM 또는 메모리 카드에 연결된다. 제1 인터페이스는 스위치의 제1 단자에 연결된다. SIM 모듈은 스위치의 제2 단자에 연결된다. 메모리 카드 모듈은 스위치의 제3 단자에 연결된다. 감지 회로는 단말 장치에 배치된 카드가 SIM 또는 메모리 카드임을 감지하도록 구성된다. 제어 회로는 감지 회로의 감지 결과에 기초하여 스위치의 제1 단자가 스위치의 제2 단자에 연결되도록 제어하거나 스위치의 제1 단자가 스위치의 제3 단자에 연결되도록 제어한다. 본 출원의이 실시예에서, 단말 장치의 카드 소켓은 SIM 카드 또는 메모리 카드를 배치하도록 구성될 수 있으며, 이에 따라 단말 장치의 공간 활용도를 향상시킬 수 있다. 특히 여러 개의 카드를 지원하는 단말 장치의 경우, 카드 인터페이스의 공간 활용도를 높여 사용자 경험을 향상시킬 수 있다.
하나의 가능한 구현에서, SIM의 윤곽(outline) 및 크기는 메모리 카드의 것과 동일하다. 본 출원의 본 실시예에서, SIM과 메모리 카드는 스위치를 통해 단말 장치의 인터페이스 자원을 공유 할 수 있어 단말 장치의 자원 활용도를 향상시킬 수 있다.
다른 가능한 구현에서, SIM은 나노 심(nano SIM)(제4 폼 팩터 집적 회로 기판으로 지칭됨)일 수 있다. 이에 기초하여 SIM 모듈은 적어도 하나의 SIM 데이터 인터페이스, SIM 리셋 인터페이스 및 SIM 클럭 인터페이스를 포함한다. 메모리 카드 모듈은 적어도 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스, 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스 및 메모리 카드 클록 인터페이스를 포함한다. SIM 데이터 인터페이스는 제1 스위치의 제2 단자에 연결되고, 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스는 제1 스위치의 제3 단자에 연결된다. SIM 리셋 인터페이스는 제2 스위치의 제2 단자에 연결되고, 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스는 제2 스위치의 제3 단자에 연결된다. SIM 클록 인터페이스는 제3 스위치의 제2 단자에 연결되고, 메모리 카드 클록 인터페이스는 제3 스위치의 제3 단자에 연결된다. 제1 스위치의 제1 단자는 제1 인터페이스의 제1 단자에 연결되고, 제2 스위치의 제1 단자는 제1 인터페이스의 제2 단자에 연결되고, 제3 스위치의 제1 단자는 제3 스위치의 제3 단자에 연결된다.
다른 가능한 구현에서, 감지 회로가 단말 장치에 배치된 카드가 SIM 또는 메모리 카드임을 감지하도록 구성되는 것은 다음을 포함한다:
단말 장치에 카드가 있으면 제어 회로는 카드에 제1 명령을 보내고 감지 회로는 제1 명령에 대한 카드의 응답에 기초하여 그 카드가 메모리 카드 또는 SIM인지 감지한다.
다른 가능한 구현에서, 전술한 단말 장치는 전원을 더 포함하고, 여기서 단말 장치에 카드가 배치될 때 전원의 전압은 제1 전압으로 설정되고;
감지 회로가 그 카드가 메모리 카드 또는 SIM임을 감지하면 전원의 전압은 메모리 카드 또는 SIM에 대응하는 전압으로 설정된다.
제2 측면에 따르면, 본 출원은 SIM을 제공한다. SIM의 윤곽 및 크기는 메모리 카드와 동일하며, SIM의 전원 인터페이스의 위치는 메모리 카드의 전원 인터페이스의 위치에 대응하고 SIM의 접지 인터페이스의 위치는 메모리 카드의 접지 인터페이스에 대응한다. 본 출원의 본 실시예에서 제공되는 SIM은 단말 장치의 카드 소켓을 SIM과 동일한 윤곽 및 크기를 갖는 메모리 카드와 공유 할 수 있어 단말 장치의 자원 활용도를 향상시킬 수 있다.
하나의 가능한 구현에서, 메모리 카드는 마이크로 보안 디지털 메모리(micro secure digital memory, Micro SD) 카드이다. SIM 모듈은 적어도 SIM 데이터 인터페이스, SIM 리셋 인터페이스 및 SIM 클록 인터페이스를 포함한다. 메모리 카드 모듈은 적어도 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스, 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스 및 메모리 카드 클록 인터페이스를 포함한다. SIM 데이터 인터페이스의 위치는 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스의 위치에 대응하고; SIM 리셋 인터페이스의 위치는 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스의 위치에 대응하고; SIM 클록 인터페이스의 위치는 메모리 카드 클록 인터페이스의 위치에 대응한다.
제3 측면에 따르면, 본 출원은 메모리 카드를 제공한다. 메모리 카드의 윤곽과 크기는 SIM과 동일하며, SIM의 전원 인터페이스 위치는 메모리 카드의 전원 인터페이스 위치에 대응하며, SIM의 접지 인터페이스 위치는 메모리 카드의 접지 인터페이스의 위치와 동일하다. 본 출원의 본 실시예에서 제공되는 메모리 카드는 메모리 카드와 동일한 윤곽 및 크기를 갖는 SIM과 단말 장치의 카드 소켓을 공유 할 수 있어 단말 장치의 자원 활용도를 향상시킬 수 있다.
하나의 선택적 구현에서, 전술한 SIM은 나노 SIM이다. SIM 모듈은 적어도 SIM 데이터 인터페이스, SIM 리셋 인터페이스 및 SIM 클록 인터페이스를 포함한다. 메모리 카드 모듈은 적어도 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스, 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스 및 메모리 카드 클록 인터페이스를 포함한다. SIM 데이터 인터페이스의 위치는 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스의 위치에 대응하고; SIM 리셋 인터페이스의 위치는 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스의 위치에 대응하고; SIM 클록 인터페이스의 위치는 메모리 카드 클록 인터페이스의 위치에 대응한다.
제4 측면에 따르면, 본 출원은 제1 표준의 메모리 카드 소켓에 대응하는 하우징부를 포함하는 메모리 카드 어댑터를 제공한다. 하우징부는, 카드 소켓 - 여기서 카드 소켓은 제2 표준의 메모리 카드를 배치하기 위해 구성되고, 제2 표준의 메모리 카드의 윤곽 및 크기는 나노 SIM의 것과 동일하며, 제2 표준의 메모리 카드의 적어도 하나의 인터페이스 위치는 나노 SIM의 인터페이스 위치에 대응함 -; 및 컨버터 회로를 포함하고, 여기서 컨버터 회로는 제2 표준의 메모리 카드의 인터페이스를 제1 표준의 메모리 카드의 인터페이스로 변환하도록 구성된다. 메모리 카드 어댑터는 윤곽(outline)과 크기, 그리고 일부 인터페이스 위치가 나노 SIM과 일치하는 메모리 카드를 다른 표준의 메모리 카드로 변환할 수 있다.
하나의 선택적 구현에서, 제1 표준의 메모리 카드의 동작 레벨은 제2 표준의 메모리 카드의 동작 레벨과 다르며, 컨버터 회로는 레벨 컨버터 회로 및 트랜스포머 회로를 포함하며, 여기서 레벨 컨버터 회로는, 통신 중에, 제1 표준의 메모리 카드의 인터페이스에 대한 동작 레벨과 제2 표준의 인터페이스에 대한 동작 레벨 사이의 변환을 수행하고, 트랜스포머 회로는 레벨 컨버터 회로에 전력을 공급하도록 구성된다.
하나의 선택적 구현에서, 제1 표준의 메모리 카드는 복수의 동작 레벨을 포함하고, 메모리 카드 어댑터는 스위치를 더 포함하고, 여기서 스위치는 메모리 카드 어댑터의 동작 레벨을 제어하도록 구성된다.
하나의 선택적 구현에서, 스위치는 하우징부에서 제1 표준의 메모리 카드 인터페이스와 컨버터 회로 사이에 배치된다.
제5 측면에 따르면, 본 출원은 카드 인식 방법을 제공한다. 초기화 모드는 복수의 통신 프로토콜에 대해 사전 구성되며, 이 방법은: IO 동작 레벨 및 전원 전압의 오름순으로 복수의 통신 프로토콜에 대해 사전 구성된 초기화 모드를 사용하여 카드를 초기화하는 단계; 및 카드가 제1 통신 프로토콜에 대해 미리 구성된 초기화 모드를 사용하여 성공적으로 초기화되면, 제1 통신 프로토콜에 기초하여 카드를 제어하는 단계를 포함한다. 이 출원의 본 실시예에서, 카드 소켓에 배치된 카드의 타입은 초기화 프로세스를 통과함으로써 인식될 수 있다.
하나의 선택적 구현에서, 복수의 통신 프로토콜은 IO 동작 레벨 및 전원 전압이 모두 1.8V인 SIM 통신 프로토콜, 1.8V의 IO 동작 레벨 및 3V의 전원 전압을 가진 메모리 카드 통신 프로토콜, IO 동작 레벨 및 전원 전압이 모두 3V인 메모리 카드 통신 프로토콜, IO 동작 레벨 및 전원 전압이 모두 3V인 SIM 통신 프로토콜 중 하나 이상을 포함한다.
제6 측면에 따르면, 본 출원은 카드 인식 방법을 제공한다. 이 방법은 단말 장치에 적용할 수 있다. 단말 장치는 카드 소켓을 포함하고, 카드 소켓은 복수의 단자를 포함한다. 이 방법은, 카드 소켓의 인터페이스의 복수의 단자 중 적어도 하나의 제1 동작 상태를 감지하는 단계 - 여기서 인터페이스의 복수의 단자 중 적어도 하나의 동작 상태는 통신 프로토콜과 일치함 -; 및 상기 제1 동작 상태에 대응하는 통신 프로토콜에 기초하여 카드를 제어하는 단계를 포함한다. 본 출원의이 실시예에서, 카드 소켓의 인터페이스의 동작 상태가 감지되어, 상이한 유형의 카드에 대한 단자의 동작 상태 간의 차이에 기초하여 카드 소켓에 배치된 외부 카드의 타입을 인식한다. 하나의 선택적 구현에서, 복수의 단말은 메모리 카드에만 연결되도록 구성되는 적어도 하나의 단자를 포함한다. 또 다른 선택적 구현에서, 인터페이스의 복수의 단자 중 적어도 하나의 동작 상태와 통신 프로토콜 간의 대응관계는, 메모리 카드에만 연결되도록 구성된 단자가, 연결된 상태에 있을 때, 메모리 카드 통신 프로토콜에 대응하는 것; 및 메모리 카드에만 연결하도록 구성된 단자가, 단락된 상테에 있을 때, SIM 통신 프로토콜에 대응하는 것을 포함한다.
다른 선택적 구현에서, 메모리 카드 통신 프로토콜은 마이크로 SD 카드 통신 프로토콜을 포함하고, SIM 통신 프로토콜은 나노 SIM 통신 프로토콜을 포함한다.
제7 측면에 따르면, 본 출원은 카드 인식 방법을 제공한다. 이 방법은 단말 장치에 적용할 수 있으며 이 방법은,
제1 전압을 사용하여 카드에 명령을 보내는 단계; 그리고 카드에서 보낸 응답이 수신되면 카드를 메모리 카드로 초기화하는 단계를 포함한다.
하나의 선택적 구현에서, 카드를 메모리 카드로 초기화하는 단계는 카드를 제1 레벨 표준의 메모리 카드로 초기화하는 것을 포함한다. 이 방법은 카드가 제1 레벨 표준의 메모리 카드로서 성공적으로 초기화되지 않으면, 이 카드를 SIM으로 초기화하는 단계를 더 포함한다.
하나의 선택적 구현에서, 이 방법은 카드에 의해 전송되는 응답이 수신되지 않으면 이 카드를 SIM으로 초기화하는 단계를 더 포함한다.
하나의 선택적 구현에서, 이 방법은 이 카드가 SIM으로서 성공적으로 초기화되지 않은 경우, 이 카드를 제2 레벨 표준의 메모리 카드로 초기화하는 단계를 더 포함한다.
제8 측면에 따르면, 본 출원은 단말 장치를 제공한다. 단말 장치는 IO 서브 시스템, 프로세서 및 메모리를 포함하며, 여기서 메모리는 프로그램을 저장하도록 구성되고, IO 서브 시스템은 카드와 상호 작용하도록 구성되며, 프로세서는 메모리에 저장된 프로그램을 실행하여, 단말 장치가 제5 측면, 제6 측면 및 제7 측면 중 임의의 하나 이상의 측면에 따른 방법을 수행하도록 제어한다.
제9 측면에 따르면, 본 출원은 컴퓨터 판독 가능 저장 매체를 제공하고, 컴퓨터 판독 가능 저장 매체는 컴퓨터 프로그램을 저장한다. 컴퓨터 프로그램이 프로세서에 의해 실행될 때, 제5 측면, 제6 측면 및 제7 측면 중 어느 하나 이상의 측면에 따른 방법이 구현된다.
제10 측면에 따르면, 본 출원은 명령을 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품을 제공한다. 명령이 컴퓨터에서 실행될 때, 컴퓨터는 제5 측면, 제6 측면 및 제7 측면 중 임의의 하나 이상의 측면에 따른 방법을 수행할 수 있다. 제11 측면에 따르면, 본 출원은 프로세서 및 메모리를 포함하는 칩을 제공하며, 여기서 메모리는 프로그램을 저장하도록 구성되고 프로세서는 메모리에 저장된 프로그램을 실행하여 제5 측면, 제6 측면 및 제7 측면 중 임의의 하나 이상의 측면에 따른 방법을 수행하도록 구성된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 단말 장치의 개략적인 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치의 개략적인 구조도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 SIM의 개략적인 구조도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드 어댑터의 개략적인 구조도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 다른 메모리 카드 어댑터의 개략적인 구조도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드 어댑터의 개략적인 구조도이다.
도 9는 본 출원의 실시예에 따른 카드 인식 방법의 개략적인 흐름도이다.
도 10은 본 출원의 실시예에 따른 다른 카드 인식 방법의 개략적인 흐름도이다.
도 11은 본 출원의 실시예에 따른 다른 카드 인식 방법의 개략적인 흐름도이다.
도 12는 본 출원의 실시예에 따른 다른 카드 인식 방법의 개략적인 흐름도이다.
도 13은 본 출원의 실시예에 따른 다른 메모리 카드 인터페이스의 개략도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 단말 장치의 개략적인 구조도이다.
본 출원의 기술적 솔루션은 첨부된 도면 및 실시예를 참조하여 다음과 같이 더 상세히 설명된다.
본 출원의 실시예에서, "제1", "제2", "제3" 등이 본 명세서에서 다양한 요소, 컴포넌트, 영역, 층 및/또는 부분을 설명하기 위해 사용되는데, 이러한 요소, 컴포넌트, 영역, 층/또는 부분은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이러한 용어는 하나의 요소, 컴포넌트, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 아래에서 논의되는 제1 요소, 컴포넌트, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 기술적 개념의 교시로부터 벗어나지 않고 제2 요소, 컴포넌트, 영역, 층 또는 부분으로 지칭될 수 있다.
분석에 따르면 많은 단말 장치가 듀얼 또는 그 이상의 SIM을 가지도록 구성되어 있지만 시장에서는 많은 사람들이 하나의 SIM만 사용하여 다른 카드 소켓은 기본적으로 비워 둔다. 사용자가 스토리지를 확장하거나 외부 메모리 카드를 이용하여 단말 장치의 데이터를 옮기는 것은 큰 시장이다. 이에 기초하여, 본 출원의 실시예들에서 제공되는 솔루션에서, 단말 장치의 하나 이상의 카드 소켓은 SIM 및 메모리 카드를 모두 지원하도록 설계될 수 있으며, 이에 따라 단말 장치의 카드 소켓을 효율적으로 활용하고 단말 장치의 공간 활용을 개선한다.
도 1은 본 출원의 실시예에 따른 단말 장치의 개략적인 구조도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 단말 장치(100)는 특히 카드 소켓(110), SIM 모듈(130), 메모리 카드 모듈(120), n개의 스위치(140), 감지 회로(150) 및 제어 회로(160)를 포함할 수 있으며, 여기서 n은 양의 정수이다.
카드 소켓(110)은 SIM 및 메모리 카드를 배치하도록 구성된다. 단말 장치(100)는 2개 이상의 카드를 수용하도록 구성될 수 있으며, 카드는 SIM 또는 메모리 카드일 수 있다. 특히 이것은 복수의 방식으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 단말 장치(100)에는 2개 이상의 카드 소켓이 제공될 수 있으며, 2개 이상의 카드 소켓의 인터페이스는 도 1에 도시된 카드 소켓(110) 및 각 카드 소켓의 인터페이스 구조로 부분적으로 또는 전체적으로 구성될 수 있고, 각 카드 소켓(110)은 하나의 SIM 또는 하나의 메모리 카드를 배치하도록 구성될 수 있다. 다른 예로서, 단말 장치(100)의 카드 소켓(110)은 2개 이상의 인터페이스를 포함할 수 있으며, 2개 이상의 인터페이스는 도 1에 도시된 카드 소켓(110)의 인터페이스 구조로서 부분적으로 또는 전체적으로 구성될 수 있고, 각 인터페이스는 하나의 SIM 또는 하나의 메모리 카드를 배치하도록 구성된다.
카드 소켓(110)은 제1 인터페이스를 포함하며, 제1 인터페이스는 스위치를 통해 SIM 또는 메모리 카드에 연결된다. 예를 들어, 스위치는 양방향 멀티플렉서 스위치일 수 있다.
제1 인터페이스는 스위치의 제1 단자에 연결된다.
SIM 모듈은 스위치의 제2 단자에 연결된다.
메모리 카드 모듈은 스위치의 제3 단자에 연결된다.
감지 회로(150)는 단말 장치에 배치된 카드가 SIM 또는 메모리 카드임을 감지하도록 구성된다.
제어 회로(160)는 감지 회로의 감지 결과에 기초하여 스위치의 제1 단자가 스위치의 제2 단자에 연결되도록 제어하거나 스위치의 제1 단자가 스위치의 제3 단자에 연결되도록 제어한다.
도 1을 참조하면, 카드 소켓(110)의 제1 인터페이스는 예를 들어 도 1에 도시된 제1 단자(111), 제2 단자(112), 제3 단자(113) 및 제4 단자(114)와 같은 복수의 단자를 포함한다. 카드 소켓(110)은 제1 인터페이스의 복수의 단자를 통해 카드 소켓(110)에 배치된 SIM 또는 메모리 카드의 인터페이스와 연결되어 단말 장치(100)가 SIM 또는 메모리 카드를 제어할 수 있다.
제1 인터페이스의 제1 단자(111)를 예로 들면, 제1 단자(111)는 양방향 멀티플렉서 스위치의 이동 단자(141)(즉, 스위치의 제1 단자)에 연결되고, 양방향 멀티플렉서 스위치의 고정 단자(142)(즉, 스위치의 제3 단자)는 메모리 카드 모듈(120)에 연결되고, 양방향 멀티플렉서 스위치의 고정 단자(143)(즉, 스위치의 제2 단자)는 SIM 모듈에 연결된다.
일부 실시예에서, 카드 소켓(110)의 제1 인터페이스는 SIM 또는 메모리 카드에 직접 연결된 단자를 더 포함한다. 예를 들어 SIM의 VPP 인터페이스는 SIM 사용 중에 자주 사용되지 않는 프로그래밍 인터페이스이다. 따라서 VPP 인터페이스에 대응하는 카드 소켓의 인터페이스는 SIM 모듈에는 연결되지 않고, VPP 인터페이스에 대응하는 카드 소켓의 인터페이스는 메모리 카드에 직접 연결될 수 있다.
일부 실시예에서, 카드 소켓(110)의 제1 인터페이스는 스위치없이 공유되는 단자를 더 포함한다. 예를 들어 SIM 및 메모리 카드의 전원(volt current condenser, VCC)의 전력 도메인은 1.8V~3.3V이다. 따라서, SIM과 메모리 카드는 전원 VCC와 접지(ground, GND)를 공유할 수 있다. 이에 기초하여, 전원 인터페이스 및 접지 인터페이스에 대응하는 카드 소켓(110)의 제1 인터페이스의 단자는 전원 VCC와 접지(GND)를 공유할 수 있다.
예를 들어, 도 2를 참조하면, 메모리 카드는 데이터(DAT)3 인터페이스, 명령(CMD) 인터페이스, 클럭(CLK) 인터페이스, DAT0 인터페이스, DAT1 인터페이스, DAT2 인터페이스, VCC 인터페이스 및 GND 인터페이스를 포함할 수 있다. 세부 사항은 아래 표 1에 설명되어 있다.
[표 1]
나노 SIM은 프로그래밍 전압(VPP) 인터페이스, CLK 인터페이스, DAT, 리셋(RST) 인터페이스, VCC 인터페이스 및 GND 인터페이스의 6개의 인터페이스를 포함할 수 있다. 세부 사항은 아래 표 2에 설명되어 있다.
[표 2]
이에 기초하여, 전술한 SIM 카드는 적어도 SIM DAT 인터페이스, SIM 리셋 인터페이스 및 SIM 클록 인터페이스를 포함하고, 상기 메모리 카드는 적어도 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스(예를 들어, DAT0), 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스(예를 들어, DAT1) 및 메모리 카드 클록 인터페이스를 포함한다. 하나의 양방향 멀티플렉서 스위치에 연결된 인터페이스 타입은 가능한한 동일하게 만들 수 있다. 예를 들어, SIM DAT 및 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스(예를 들어, DAT0)가 하나의 양방향 멀티플렉서 스위치에 연결되고, SIM 리셋 인터페이스 및 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스(예를 들어, DAT1)가 하나의 양방향 멀티플렉서 스위치에 연결되고, SIM 클럭 인터페이스와 메모리 카드 클럭 인터페이스가 하나의 양방향 멀티플렉서 스위치에 연결된다. 이러한 방식으로 하나의 스위치를 사용하여 동일한 데이터 유형의 인터페이스를 제어할 수 있으므로 오류 가능성이 줄어든다. SIM 카드 및 메모리 카드는 전원 인터페이스 및 접지 인터페이스를 더 포함할 수 있다. 메모리 카드는 CMD 인터페이스(인터페이스의 위치가 SIM의 VPP 인터페이스와 동일), 메모리 카드 제3 데이터 인터페이스(예: DAT2) 및 메모리 카드 제4 데이터 인터페이스( 예: DAT3)를 더 포함할 수 있다. SIM은 VPP 인터페이스를 더 포함할 수 있다. 이에 기초하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 단말 장치(200)의 카드 소켓(210)의 인터페이스는 적어도 다음과 같은 단자를 포함할 수 있다:
메모리 카드 모듈(220)의 DAT2 인터페이스에 직접 연결되는 SD-DAT2 인터페이스 단자;
메모리 카드 모듈(220)의 DAT3 인터페이스에 직접 연결되는 SD-DAT3 인터페이스 단자;
메모리 카드 모듈(220)의 CMD 인터페이스에 직접 연결되는 VPF 및 SD-CMD 인터페이스 단자;
하나의 양방향 멀티플렉서 스위치를 통해 상기 SIM 모듈의 리셋 인터페이스와 스토리지 컨트롤러의 DAT0 인터페이스에 연결되는 SIM 리셋 및 SD-DAT0 인터페이스 단자;
하나의 양방향 멀티플렉서 스위치를 통해 상기 SIM 모듈의 클럭 인터페이스와 스토리지 컨트롤러의 클럭 인터페이스에 연결되는 SIM 클럭 및 SD 클럭 인터페이스 단자;
IO 서브 시스템의 전원에 연결된 VCC 인터페이스 단자; 및
IO 하위 시스템의 접지에 연결된 GND 인터페이스 단자.
일부 실시예에서, 감지 회로가 단말 장치에 배치된 카드가 SIM 또는 메모리 카드임을 감지하도록 구성된다는 것은 구체적으로, 단말 장치에 배치된 카드가 있을 때, 제어 회로가 제1 명령을 그 카드에 보내고, 감지 회로는 제1 명령에 대한 카드의 응답에 기초하여 그 카드가 메모리 카드 또는 SIM임을 감지하는 것을 포함한다. 예를 들어, SIM과 메모리 카드의 인터페이스 수량이 상이하다. 카드 소켓(110)의 제1 인터페이스는 SIM 또는 메모리 카드의 인터페이스에만 대응하는 단자, 예를 들어 도 2에 도시된 SD-DAT2 인터페이스 단자 또는 SD-DAT3 인터페이스 단자를 포함할 수 있다. 이에 기초하여 단말 장치의 감지 회로(150)는 SIM 또는 메모리 카드의 인터페이스에만 대응하는, 카드 소켓(110)의 제1 인터페이스에 포함된 어느 하나 이상의 단자의 동작 상태를 감지하도록 구성된다. 메모리 카드와 SIM의 윤곽과 크기는 동일하지만 인터페이스 수량이 상이하다. 카드 소켓에 서로 다른 카드가 삽입된 후, 카드 소켓의 서로 다른 단자가 단락되었는지 여부에 따라 감지 회로(150)에 의해 카드 유형이 인식된다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 감지 회로(250)는 SD-DAT2 인터페이스의 레벨을 감지하고, SD-DAT2 인터페이스의 감지된 레벨에 기초하여, 삽입된 카드가 메모리 카드 또는 SIM인지 결정하도록 구성될 수 있다. 또한, 다르게는, 감지 회로(150)는 카드 소켓(110)의 제1 인터페이스의 다른 단자의 동작 상태를 감지하거나 카드 소켓(110)의 제1 인터페이스의 모든 단자의 동작 상태를 감지하여 단말 장치에 배치된 카드가 SIM 또는 메모리 카드인 것을 감지한다. 구체적으로는, 도 9 내지 도 12에 도시된 실시예를 참조할 수 있다. 자세한 내용은 여기에서 설명하지 않는다.
일부 실시예에서, SIM 및 메모리 카드는 동일한 카드 소켓(110)의 하나의 인터페이스에 배치될 수 있다. 예를 들어, SIM과 메모리 카드는 일부 인터페이스의 위치가 일치하도록 동일한 윤곽과 크기로 설계될 수 있다. 윤곽은 SIM의 윤곽으로 표준화될 수 있다. 예를 들어 SIM 및 메모리 카드는 나노 SIM 표준에 따라 구성된다. 다르게는, 윤곽은 메모리 카드의 윤곽에 의해 표준화될 수 있다. 예를 들어, SIM 및 메모리 카드는 마이크로 SD 카드 표준을 준수하여 구성된다. 대안적으로, 전용 표준이 결정될 수 있고, SIM 및 메모리는 이 전용 표준에 따라 구성된다. SIM 및 메모리 카드의 구체적인 구조에 대해서는 도 3, 도 4 및 도 5에 표시된 실시예의 설명을 참조할 수 있다. 자세한 내용은 여기에서 설명하지 않는다.
일부 실시예에서, 단말 장치는 전원을 더 포함한다. 단말 장치에 카드가 있으면 전원의 전압이 제1 전압으로 설정되고, 감지 회로가 카드가 메모리 카드 또는 SIM인 것을 감지하면, 전원의 전압은 메모리 카드 또는 SIM에 대응하는 전압으로 설정된다. 구체적인 내용은, 도 11 또는 도 12에 도시된 실시예를 참조할 수 있다. 자세한 내용은 여기에서 설명하지 않는다.
도 3은 본 출원의 실시예에 따른 SIM의 개략적인 구조도이다. 도 3을 참조하면, SIM은 도 1 또는 도 2에 도시된 카드 소켓에 배치되도록 구성된다. 도 3에 도시된 바와 같이, SIM(310)의 윤곽 및 크기는 메모리 카드(320)와 동일하며, SIM의 n개의 제1 인터페이스(예: 인터페이스 311, 인터페이스 312, 인터페이스 313, 인터페이스 314, 인터페이스 315 및 인터페이스 316)는 메모리 카드의 n개의 제2 인터페이스(예: 인터페이스 323, 인터페이스 324, 인터페이스 325, 인터페이스 326, 인터페이스 328, 인터페이스 329)의 위치에 대응한다. 제1 인터페이스는 SIM의 전원 인터페이스 및 접지 인터페이스를 포함하고, 제2 인터페이스는 메모리 카드의 전원 인터페이스 및 접지 인터페이스를 포함하며, 여기서 n은 양의 정수이다.
예를 들어, 메모리 카드가 마이크로 SD인 경우 SIM(310)의 윤곽 및 크기는 마이크로 SD 카드(320)와 동일할 수 있다. 이에 기초하여, 전술한 SIM 모듈은 적어도 SIM 데이터 인터페이스, SIM 리셋 인터페이스 및 SIM 클록 인터페이스를 포함하고, 메모리 카드 모듈은 적어도 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스, 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스 및 메모리 카드 클록 인터페이스를 포함하고, SIM 데이터 인터페이스의 위치는 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스의 위치에 대응하고, SIM 리셋 인터페이스의 위치는 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스의 위치에 대응하고, SIM 클록 인터페이스의 위치는 메모리 카드 클록 인터페이스의 위치에 대응한다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 마이크로 SD 카드(320)의 인터페이스는 DAT3 인터페이스(321), CMD 인터페이스(322), 접지 인터페이스(323), 전원 인터페이스(324), CLK 인터페이스(325), 접지 인터페이스(326), DAT0 인터페이스(327), DAT1 인터페이스(328) 및 DAT2 인터페이스(329)를 포함한다. SIM(310)의 대응하는 인터페이스는, CMD 인터페이스(322)에 대응하는 VPP 인터페이스(311), 접지 인터페이스(323)에 대응하는 접지 인터페이스(312), 전원 인터페이스(324)에 대응하는 전원 인터페이스(313), CLK 인터페이스(325)에 대응하는 CLK 인터페이스(314), DAT0 인터페이스(327)에 대응하는 리셋 인터페이스(315) 및 DAT1 인터페이스(328)에 대응하는 DAT 인터페이스(316)를 포함한다.
도 4는 본 출원의 실시예에 따른 메모리 카드의 개략적인 구조도이다. 도 4를 참조하면 메모리 카드가 도 1 또는 도 2에 표시된 카드 소켓에 배치되도록 구성된다. 도 4에 도시된 바와 같이 메모리 카드의 윤곽과 크기는 SIM과 동일하며, SIM의 n개의 제1 인터페이스(예: 인터페이스 421, 인터페이스 422, 인터페이스 423, 인터페이스 424, 인터페이스 425 및 인터페이스 426)는, 메모리 카드의 n개의 제2 인터페이스(예를 들어, 인터페이스 412, 인터페이스 413, 인터페이스 414, 인터페이스 416, 인터페이스 417 및 인터페이스 418)의 위치에 대응하고, 여기서 제1 인터페이스는 SIM의 전원 인터페이스 및 접지 인터페이스를 포함하고, 제2 인터페이스는 메모리 카드의 전원 인터페이스 및 접지 인터페이스를 포함하며, 여기서 n은 양의 정수이다. 또한,도 4를 참조하면, 메모리 카드는 m개의 제3 인터페이스(예를 들어, 인터페이스 411 및 인터페이스 415)를 더 포함할 수 있으며, 여기서 m개의 제3 인터페이스와 동일한 위치를 갖는 SIM상의 인터페이스는 없다.
메모리 카드의 윤곽과 크기는 나노 SIM과 동일할 수 있다. 이에 기초하여, 전술한 SIM 모듈은 적어도 SIM 데이터 인터페이스, SIM 리셋 인터페이스 및 SIM 클록 인터페이스를 포함하고, 메모리 카드 모듈은 적어도 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스, 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스 및 메모리 카드 클록 인터페이스를 포함하고, SIM 데이터 인터페이스의 위치는 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스의 위치에 대응하고, SIM 리셋 인터페이스의 위치는 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스의 위치에 대응하고, SIM 클록 인터페이스의 위치는 메모리 카드 클록 인터페이스의 위치에 대응한다.
예를 들어, 도 5를 참조하면, 메모리 카드(510)의 인터페이스는 데이터 인터페이스, CMD 인터페이스, 접지 인터페이스, 전원 인터페이스, CLK 인터페이스, DAT0 인터페이스, DAT1 인터페이스 및 DAT2 인터페이스를 포함한다. 나노 SIM(520)의 대응 인터페이스는, 메모리 카드(510)의 CMD 인터페이스에 대응하는 VPP 인터페이스, 메모리 카드(510)의 접지 인터페이스에 대응하는 접지 인터페이스, 메모리 카드(510)의 전원 인터페이스에 대응하는 전원 인터페이스, 메모리 카드(510)의 CLK 인터페이스에 대응하는 CLK 인터페이스, 메모리 카드(510)의 DAT0 인터페이스에 대응하는 리셋 인터페이스 및 DAT1 인터페이스에 대응하는 데이터 인터페이스를 포함한다.
도 6은 본 출원의 실시예에 따른 메모리 카드 어댑터의 개략적인 구조도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 메모리 카드 어댑터(600)는 제1 표준의 메모리 카드 소켓에 대응하는 하우징부(610)를 포함하고,
하우징부(610)는,
카드 소켓(611) - 여기서 카드 소켓(611)은 제2 표준의 메모리 카드(620)를 배치할 수 있게 구성되고, 제2 표준의 메모리 카드의 윤곽 및 크기는 나노 SIM의 것과 동일하며, 적어도 하나는 제2 표준의 메모리 카드의 인터페이스 위치는 나노 SIM의 인터페이스 위치에 대응하고, 메모리 카드(620)의 구체적인 구현에 대해, 여기서 다시 세부적으로 설명하지 않고 도 4 및 도 5에 도시된 실시예를 참조 할 수 있음 -; 및
통신 중에, 제1 표준의 메모리 카드의 인터페이스에 대한 동작 레벨과 제2 표준의 인터페이스에 대한 동작 레벨 사이의 변환을 수행하도록 구성된 컨버터 회로(612)를 포함한다. 즉, 메모리 카드 어댑터는 컨버터 회로(612)를 이용하여 제2 표준의 메모리 카드(620)의 인터페이스를 제1 표준의 메모리 카드의 인터페이스로 변환할 수 있다.
제1 표준은 동작 레벨이 3V인 SD 카드의 표준이고, 제2 표준은 동작 레벨이 1.8V인 나노 SIM과 동일한 모양의 메모리 카드에 대한 표준인 경우를 예로들 수 있다. 동작 레벨이 1.8V인 나노 SIM과 같은 모양의 메모리 카드는 간단한 카드 소켓과 컨버터 회로를 사용하여 동작 레벨 3V의 SD 카드로 변환될 수 있다. 나노 SIM과 같은 모양의 메모리 카드는 크기가 9mmx12mm이고 SD 카드는 크기가 24mmx32mm이다. 따라서 SD 카드에 대응하는 하우징 내에 나노 SD 카드를 배치하면 남은 공간은 1.8V-3V 컨버터 회로를 구현하기에 충분한다. 이에 기초하여, 본 출원의이 실시예의 예에서, 제1 표준의 메모리 카드는 제2 표준의 메모리 카드와는 다른 동작 레벨을 갖는다. 이 경우, 컨버터 회로는 통신 중에 제1 표준의 메모리 카드의 인터페이스에 대한 동작 레벨과 제2 표준의 인터페이스에 대한 동작 레벨 간의 변환을 수행해야 한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 컨버터 회로(710)는 레벨 컨버터 회로(712) 및 트랜스포머 회로(711)를 포함하고, 레벨 컨버터 회로(712)는 제1 표준의 메모리 카드의 인터페이스에 대한 동작 레벨과 제2 표준의 메모리 카드의 인터페이스에 대한 동작 레벨 사이의 변환을 수행하도록 구성되고, 트랜스포머 회로(711)는 레벨 컨버터 회로에 전력을 공급하도록 구성된다.
또한 SD 카드는 다양한 동작 레벨 버전으로 제공된다. 어댑터가 이러한 버전과 호환되도록 하기 위해 기계식 스위치를 사용하여 메모리 카드 어댑터의 동작 레벨을 제어할 수 있다. 이에 기초하여, 본 출원의 일 실시예에서, 제1 표준의 메모리 카드는 복수의 동작 레벨을 포함하고, 메모리 카드 어댑터는 스위치를 더 포함하고, 여기서 스위치는 메모리 카드 어댑터의 동작 레벨을 제어하도록 구성된다 . 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 스위치(810)는 하우징부에서 제1 표준의 메모리 카드 인터페이스와 컨버터 회로 사이에 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 스위치(810)는 제1 표준의 메모리 카드의 인터페이스에 대한 동작 레벨에 접근하도록 컨버터 회로를 제어할 수 있다. 예를 들어, 스위치는 1.8V 기어와 3V 기어로 설정될 수 있다. 동작 레벨이 3V인 SD 카드의 경우 전원을 공급하기 위해 3V 기어로 전환하도록 스위치를 제어할 수 있으며 컨버터 회로에 제공되는 전원 전압은 3V이다. 동작 레벨이 1.8V인 SD 카드의 경우 전원을 공급하기 위해 1.8V 기어로 전환하도록 스위치를 제어할 수 있으며 컨버터 회로에 제공되는 전원 전압은 1.8V이다. 이 솔루션에서는 스위치 위치가 실제 동작 레벨과 일치하지 않을 때 더 낮은 전압으로 전원을 공급해도 제2 표준의 메모리 카드 인터페이스 또는 제1 표준의 메모리 카드 인터페이스에 손상을 일으키지 않는다.
도 9는 본 출원의 실시예에 따른 카드 인식 방법의 개략적인 흐름도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 초기화 모드는 복수의 통신 프로토콜에 대해 사전 구성된다. 이 방법은 단말 장치에 카드가 있을 때 제어 회로가 카드에 제1 명령을 보내고 감지 회로가 제1 명령에 대한 카드의 응답에 기초하여 그 카드가 메모리 카드 또는 SIM인 것을 감지하는 특정 구현일 수 있다. 특히, 이 방법은 다음 단계를 포함한다.
S910. IO 동작 레벨 및 전원 전압의 오름순으로, 복수의 통신 프로토콜에 대해 사전 구성된 초기화 모드를 사용하여 카드를 초기화한다. 제1 명령은 초기화 명령일 수 있다.
본 출원의 통신 프로토콜은:
IO 동작 레벨과 전원 전압이 모두 1.8V인 SIM 통신 프로토콜, IO 동작 레벨이 1.8V이고 전원 전압이 3V인 메모리 카드 통신 프로토콜, IO 동작 레벨 및 전원 전압이 모두 3V인 메모리 카드 통신 프로토콜, IO 동작 레벨 및 전원 전압이 모두 3V인 SIM 통신 프로토콜 중 하나 이상을 포함한다.
예를 들어 표준 SIM, SD 및 EMMC의 IO 동작 레벨 및 전원 전압은 아래 표 3에 설명되어 있다.
[표 3]
또한 SD 카드 또는 EMMC 카드는 CLK 주파수가 100kHz ~ 400kHz인 SPI 모드를 사용하여 초기화되는 반면 SIM의 통신 속도는 1MHz ~ 5MHz이다. 또한 다른 인터페이스를 사용하기 때문에 다른 인터페이스의 초기화에 응답하지 않는다. 따라서 초기화 프로세스의 순회(traversal)를 통해 카드를 SIM 또는 메모리 카드로 인식할 수 있으며 특정 프로토콜의 메모리 카드로도 인식할 수 있다. SIM 초기화가 메모리 카드 초기화 전에 수행되는지 여부는 실제 요구 사항에 따라 결정된다. 다양한 카드를 인식하고 전원을 공급하는 기본 원칙은, 카드가 소손(burnout)될 위험이 있으므로 제1 레벨 또는 전압 사양의 카드는 더 높은 레벨의 전압을 가질 수 없다는 것이다. 따라서 IO 동작 레벨 및 전원 전압의 오름순으로 초기화를 수행하면 카드 소손 가능성을 줄일 수 있다.
이 출원의 본 실시예에서, 메모리 카드는 SD 또는 EMMC 프로토콜을 사용하는 것으로 제한되지 않는다. USB, UFS 또는 PCIE와 같은 다른 통신 프로토콜의 메모리 카드도 적합한다.
S920. 제1 통신 프로토콜에 대해 미리 구성된 초기화 모드를 사용하여 카드가 성공적으로 시작되면 제1 통신 프로토콜에 따라 카드를 제어한다.
예를 들어, 도 10을 참조하면, 사전 구성된 통신 프로토콜의 초기화 모드에는 1.8V SIM 초기화(IO 동작 레벨 1.8V, 전원 전압 1.8V), eMMC 카드 초기화(IO 동작 레벨 1.8V, 전원 전압 3V), SD 카드 초기화(IO 동작 레벨 3V, 전원 전압 3V), 3V SIM 초기화(IO 동작 레벨 3V, 전원 전압 3V)가 포함된다. 구체적으로, 이 방법은 다음 단계를 포함한다.
S1001. 1.8V SIM 초기화 프로세스를 수행하고 성공하면 초기화를 종료하고 카드를 1.8V SIM으로 제어한다.
S1002. S1001 이후 1.8V SIM 초기화에 실패하면 eMMC 카드 초기화 프로세스를 수행하고, 성공하면 초기화를 종료하고 카드를 eMMC 카드로 제어한다.
S1003. S1002 이후 eMMC 카드 초기화에 실패하면 SD 카드 초기화 과정을 수행하고 성공하면 초기화를 종료하고 카드를 SD 카드로 제어한다.
S1004. S1003 이후 eMMC 카드 초기화에 실패하면 3V SIM 초기화 프로세스를 수행하고 성공하면 초기화를 종료하고 카드를 3V SIM으로 제어한다.
도 11은 본 출원의 실시예에 따른 다른 카드 인식 방법의 개략적인 흐름도이다. 도 11에서 볼 수 있듯이 이 방법은 단말 장치에 적용할 수 있다. 단말 장치는 카드 소켓을 포함하고 카드 소켓은 인터페이스를 포함하며, 인터페이스는 복수의 단자를 포함한다. 예를 들어, 단말 장치는 도 1 또는 도 2에 표시된 단말 장치일 수 있다. 이 방법은 단말 장치에 카드가 있는 경우 제어 회로가 카드에 제1 명령을 전송하고 감지 회로가 제1 명령에 대한 카드의 응답에 기초하여 카드가 메모리 카드 또는 SIM인 것을 감지한다. 구체적으로, 이 방법은 다음 단계를 포함한다.
S1110. 카드 소켓의 인터페이스의 복수의 단자 중 적어도 하나의 제1 동작 상태를 감지한다. 여기서 인터페이스의 복수의 단자 중 적어도 하나의 동작 상태는 통신 프로토콜과 일치한다. 제1 명령은 카드 소켓의 인터페이스 단자의 동작 상태를 감지하는 명령일 수 있다.
이 출원의 본 실시예는 동일한 윤곽과 동일한 크기를 갖지만 인터페이스의 수량이 다른 모든 카드에 적용할 수 있다. 카드 소켓에 다른 카드를 삽입한 후 카드 소켓의 다른 단자가 단락되었는지 여부에 따라 카드 타입이 인식된다.
예를 들어, 도 1 또는 도 2에 도시된 단말 장치를 참조하면, 단말 장치의 인터페이스의 복수의 단자는 메모리 카드의 인터페이스에만 연결하도록 구성된 적어도 하나의 단자를 포함한다. 따라서, 카드의 종류는 적어도 하나의 단자의 동작 상태에 따라 결정될 수 있다.
특히, 인터페이스의 복수의 단말 중 적어도 하나의 동작 상태는 통신 프로토콜과 대응하며, 그 대응관계는 다음을 포함한다:
통신 상태에 있을 때 메모리 카드에만 연결하도록 구성된 단자가 메모리 카드 통신 프로토콜에 대응하는 것; 및
단락된 상태에서 메모리 카드에만 연결하도록 구성된 단자가 SIM 통신 프로토콜에 대응하는 것.
메모리 카드 통신 프로토콜에는 마이크로 SD 카드 통신 프로토콜이 포함되고, SIM 통신 프로토콜에는 나노 SIM 통신 프로토콜이 포함된다.
S1120. 제1 동작 상태에 대응하는 통신 프로토콜에 기초하여 카드를 제어한다.
도 12는 본 출원의 실시예에 따른 다른 카드 인식 방법의 개략적인 흐름도이다. 도 12에 도시된 바와 같이, 이 방법은 단말 장치(예: 도 1 또는 도 2에 도시된 단말 장치)에 적용할 수 있다. 이 방법은 단말 장치에 카드가 있는 경우 제어 회로가 카드에 제1 명령을 전송하고 감지 회로가 제1 명령에 대한 카드의 응답에 기초하여 크다가 메모리 카드 또는 SIM임을 감지하는 특정 구현일 수 있다. 구체적으로, 이 방법은 다음 단계를 포함한다.
S1210. 제1 전압을 사용하여 카드에 명령을 보낸다.
여기서, 제2 전압과 제1 전압은 상대적인 개념이다. 일반적으로 카드의 경우 제2 전압은 일반적으로 3V이고 제1 전압은 일반적으로 1.8V이다.
도 13을 참조하면 메모리 카드에는 컨트롤러와 플래시 메모리의 두 부분이 포함되어 있다. 플래시 메모리만 1.8V 이상의 전원 전압에서 작동해야 하고, 컨트롤러는 1.8V정도로 낮은 전원 전압에서 작동할 수 있다. 따라서 전원 인터페이스에 1.8V 전원 전압만 공급되는 경우 명령이 메모리 카드로 전송될 수 있으며 메모리 카드는 명령을 처리하고 응답을 리턴할 수 있다.
따라서 카드의 전원 인터페이스와 IO 인터페이스에 제1 전압이 공급되고 그 명령이 카드로 전송될 수 있다.
카드에서 보낸 응답이 없으면 S1230이 수행된다.
S1220. 카드에서 보낸 응답이 수신되면 카드를 메모리 카드로 초기화한다.
메모리 카드 동작 레벨은 제2 레벨과 제1 레벨을 포함하며 제1 레벨은 제2 레벨보다 낮다. 따라서, 카드는 제1 레벨 표준의 메모리 카드로 먼저 초기화될 수 있다. 예를 들어, 제1 레벨 표준의 메모리 카드는 EMMC 카드이고, 제2 레벨 표준의 메모리 카드는 SD 카드일 수 있다. 이에 기초하여 카드가 제1 레벨 표준의 메모리 카드로 성공적으로 초기화되면 카드는 제1 레벨 표준의 메모리 카드로 제어된다.
카드가 제1 레벨 표준의 메모리 카드로 성공적으로 초기화되지 않으면 S1230이 수행된다.
S1230. 카드를 SIM으로 초기화한다.
초기화에 성공하면 카드가 SIM으로 제어된다.
S1240. 카드가 SIM으로 초기화되지 않은 경우 카드를 제2 레벨 표준의 메모리 카드로 초기화한다.
초기화가 성공하면 카드는 제2 레벨 표준의 메모리 카드로 제어된다.
초기화에 실패하면 카드가 손상되었거나 카드가 아직 삽입되지 않은 것으로 판단된다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치의 개략적인 구조도이다. 도 14에 도시된 바와 같이, 단말 장치(1400)는 구체적으로 IO 서브 시스템(1401), 프로세서(1402) 및 메모리(1403)를 포함한다. 모듈은 버스를 사용하여 연결될 수 있다.
IO 서브 시스템(1401)에 대한 정보는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예를 참조할 수 있다. 프로세서(1402)는 단말 장치를 제어하여 도 9 또는 도 12의 단말 장치와 관련된 처리 절차를 수행하고/하거나 본 출원에서 설명된 기술의 다른 절차에 사용될 수 있다. 메모리(1403)는 단말 장치의 프로그램 코드 및 데이터를 저장하도록 구성된다.
본 발명의 전술한 실시예의 전부 또는 일부는 소프트웨어, 하드웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합을 사용하여 구현될 수 있다. 소프트웨어가 구현에 사용될 때, 실시예는 컴퓨터 프로그램 제품의 형태로 완전히 또는 부분적으로 구현될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품에는 하나 이상의 컴퓨터 명령이 포함되어 있다. 컴퓨터 프로그램 명령이 컴퓨터에 로드되어 실행될 때, 본 발명의 실시예에 따른 절차 또는 기능은 전체 또는 부분적으로 생성된다. 컴퓨터는 범용 컴퓨터, 전용 컴퓨터, 컴퓨터 네트워크 또는 기타 프로그램 가능한 장치일 수 있다. 컴퓨터 명령은 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 저장되거나 컴퓨터 판독 가능 저장 매체로부터 다른 컴퓨터 판독 가능 저장 매체로 전송될 수 있다. 예를 들어, 컴퓨터 명령은 웹 사이트, 컴퓨터, 서버 또는 데이터 센터에서 유선으로 예: 동축 케이블, 광섬유 또는 디지털 가입자 회선(디지털 가입자 회선, DSL)) 또는 무선(예: 적외선, 라디오 또는 전자 레인지) 방식으로 다른 웹 사이트, 컴퓨터, 서버 또는 데이터 센터로 전송될 수 있다 컴퓨터 판독 가능 저장 매체는 컴퓨터에 의해 액세스 가능한 임의의 사용 가능한 매체이거나, 하나 이상의 사용 가능한 매체를 통합하는 서버 또는 데이터 센터와 같은 데이터 저장 장치일 수 있다. 사용 가능한 매체는 자기 매체(예: 플로피 디스크, 하드 디스크 또는 자기 테이프), 광학 매체(예: DVD), 반도체 매체(예: 솔리드 스테이트 디스크(Solid State Disk, SSD)) 등일 수 있다.
전술한 설명은 본 발명의 특정 구현 일 뿐이며, 본 발명의 보호 범위를 제한하려는 의도는 아니다. 본 발명에 개시된 기술적 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 용이하게 파악되는 모든 변형 또는 대체는 본 발명의 보호 범위 내에 속한다. 따라서 본 발명의 보호 범위는 청구 범위의 보호 범위에 따른다.

Claims (14)

  1. 단말 장치로서,
    카드 소켓, SIM 모듈, 메모리 카드 모듈, 및 스위치를 포함하고,
    상기 카드 소켓은 SIM 카드 또는 메모리 카드를 배치하도록 구성되고,
    상기 스위치는 제1 스위치, 제2 스위치 및 제3 스위치를 포함하며,
    상기 SIM 모듈은 적어도 SIM 데이터 인터페이스, SIM 리셋 인터페이스 및 SIM 클록 인터페이스를 포함하고,
    상기 메모리 카드 모듈은 적어도 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스, 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스, 메모리 카드 제3 데이터 인터페이스 및 메모리 카드 클록 인터페이스를 포함하며,
    상기 카드 소켓에 배치된 SIM 카드에 응답하여, 상기 SIM 카드의 데이터 인터페이스가 상기 제1 스위치를 통해 상기 SIM 데이터 인터페이스에 전기적으로 연결되고, 상기 SIM 카드의 리셋 인터페이스가 상기 제2 스위치를 통해 상기 SIM 리셋 인터페이스에 전기적으로 연결되며, 상기 SIM 카드의 클록 인터페이스가 상기 제2 스위치를 통해 상기 SIM 리셋 인터페이스에 전기적으로 연결되며,
    상기 카드 소켓에 배치된 메모리 카드에 응답하여, 상기 메모리 카드의 제1 데이터 인터페이스가 상기 제1 스위치를 통해 상기 메모리 카드 제1 데이터 인터페이스에 전기적으로 연결되고, 상기 메모리 카드의 제2 데이터 인터페이스가 상기 제2 스위치를 통해 상기 메모리 카드 제2 데이터 인터페이스에 전기적으로 연결되며, 상기 메모리 카드의 제3 데이터 인터페이스가 상기 제3 스위치를 통해 상기 메모리 카드 제3 데이터 인터페이스에 전기적으로 연결되는, 단말 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 SIM 카드의 윤곽은 상기 메모리 카드의 윤곽과 동일한, 단말 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 SIM 카드의 크기가 상기 메모리 카드의 크기와 동일한, 단말 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 SIM 카드는 나노 SIM 카드인, 단말 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 카드 소켓에 배치된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드인 것을 검지하도록 구성된 감지 회로를 더 포함하는 단말 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 단말 장치는 제어 회로를 더 포함하고,
    상기 카드 소켓에 카드가 있으면 상기 제어 회로가 카드에 제1 명령을 보내고 상기 감지 회로는 카드의 응답에 기초하여 상기 카드가 메모리 카드 또는 SIM 카드임을 감지하는 것으로 이루어지는, 단말 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 단말 장치는 전원을 더 포함하고, 상기 카드 소켓에 카드가 있는 경우, 상기 전원의 전압은 제1 전압으로 설정되고;
    상기 감지 회로가 상기 카드가 메모리 카드 또는 SIM 카드임을 감지하면 상기 전원의 전압은 메모리 카드 또는 SIM 카드에 대응하는 전압으로 설정되는,
    단말 장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109948767A (zh) * 2018-02-01 2019-06-28 华为技术有限公司 存储卡和终端
CN111428839A (zh) * 2018-12-20 2020-07-17 华为技术有限公司 一种存储卡、连接器以及功能卡的识别方法
CN111539232B (zh) * 2020-03-27 2022-03-11 郑州信大捷安信息技术股份有限公司 一种智能卡的多功能识别系统及方法
CN111507449B (zh) * 2020-03-31 2022-01-04 荣耀终端有限公司 一种存储卡、识别方法和电子设备
CN114039232A (zh) * 2021-11-03 2022-02-11 厦门市美亚柏科信息股份有限公司 一种多类型sim卡读卡器
TWI789148B (zh) * 2021-12-07 2023-01-01 瑞昱半導體股份有限公司 識別記憶卡種類的方法
CN217693391U (zh) * 2021-12-15 2022-10-28 华为技术有限公司 电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208656A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Nec Saitama Ltd 携帯端末、および情報読み出しプログラム
CN103164737A (zh) * 2013-01-29 2013-06-19 三星半导体(中国)研究开发有限公司 高密度存储智能卡模块及其制造方法
CN104242995A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 中兴通讯股份有限公司 信息存储卡的通信处理方法及装置、移动终端

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000305662A (ja) 1999-04-23 2000-11-02 Jst Mfg Co Ltd カード接続用アダプタ
US6824063B1 (en) * 2000-08-04 2004-11-30 Sandisk Corporation Use of small electronic circuit cards with different interfaces in an electronic system
JP2003324768A (ja) 2002-04-30 2003-11-14 Sharp Corp 無線通信装置、ｉｃカード収納装置、無線通信システム
JP4236440B2 (ja) 2002-10-09 2009-03-11 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカード
US7305535B2 (en) 2003-04-17 2007-12-04 Sandisk Corporation Memory cards including a standard security function
KR20060031123A (ko) 2004-10-07 2006-04-12 엘지전자 주식회사 Ｓｄ 메모리 카드 슬롯을 이용하는 ｓｉｍ 카드 어뎁터장치 및 이를 적용한 시스템
US8061609B2 (en) 2007-05-14 2011-11-22 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Space efficient card readers and electronic devices incorporating same
CN101068414A (zh) 2007-05-23 2007-11-07 中兴通讯股份有限公司 一种双模双待移动终端及其实现方法
US7572152B2 (en) * 2007-06-27 2009-08-11 Sandisk Il Ltd. Memory interface card with SIM functions
TW201002038A (en) 2008-06-25 2010-01-01 Sandisk Il Ltd Data storage device with multiple protocols for preloading data
FR2949011B1 (fr) 2009-08-07 2011-09-09 Emmanuel Thibaudeau Carte destinee a former un organe informatique, et procedes de fabrication de cette carte et de cet organe informatique
CN101801119B (zh) * 2009-12-22 2015-03-25 西可通信技术设备（河源）有限公司 双卡双待双存储卡手机的信息存储方法及其系统
JP2011192137A (ja) 2010-03-16 2011-09-29 Panasonic Corp メモリカード制御システム、メモリカード制御装置及びメモリカード制御方法
CN202135121U (zh) * 2011-02-28 2012-02-01 青岛海信移动通信技术股份有限公司 一种双卡双待双通手机的手机卡电路及手机
US20120267266A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Richard Hunter Multi-media storage and business card blank
US20130084918A1 (en) * 2011-10-03 2013-04-04 Broadcom Corporation Wireless communication device with sim-to-sd adaptor
US20140099805A1 (en) * 2012-10-10 2014-04-10 Motorola Mobility Llc Electronic connector capable of accepting a single subscriber identity mopdule or a memory card
CN103367951B (zh) 2013-06-28 2016-03-02 华为终端有限公司 数码卡固定装置
CN104577502B (zh) 2014-12-25 2017-03-15 小米科技有限责任公司 卡片存储器
CN104702733A (zh) * 2015-01-07 2015-06-10 昆山捷皇电子精密科技有限公司 一种双层手机卡座
WO2016183736A1 (zh) * 2015-05-15 2016-11-24 华为技术有限公司 一种具备近距离无线通信功能的移动设备
CN206498198U (zh) * 2016-11-25 2017-09-15 比亚迪精密制造有限公司 一种数码卡供电装置及移动终端
KR20180077727A (ko) 2016-12-29 2018-07-09 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로 카드 및 이를 포함하는 통신 시스템

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208656A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Nec Saitama Ltd 携帯端末、および情報読み出しプログラム
CN103164737A (zh) * 2013-01-29 2013-06-19 三星半导体(中国)研究开发有限公司 高密度存储智能卡模块及其制造方法
CN104242995A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 中兴通讯股份有限公司 信息存储卡的通信处理方法及装置、移动终端

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