TWI813792B - 存儲卡、存儲卡適配器以及終端 - Google Patents

存儲卡、存儲卡適配器以及終端 Download PDF

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Abstract

本申請提供了一種SIM、存儲卡、存儲卡適配器以及終端。該終端包括：卡座，SIM模組，存儲卡模組，開關，檢測電路，控制電路；卡座用於設置SIM或存儲卡，卡座包括第一介面，第一介面通過開關連接SIM或存儲卡；第一介面連接開關的第一端；SIM模組連接開關的第二端；存儲卡模組連接開關的第三端；檢測電路用於檢測設置於終端的卡為SIM或存儲卡；控制電路根據檢測電路的檢測結果控制開關的第一端連接開關的第二端，或控制開關的第一端連接開關的第三端。由此終端的卡座既可以用於設置SIM卡，又可以用於設置存儲卡，從而提高終端上空間的利用率。

Description

存儲卡、存儲卡適配器以及終端
本發明實施例涉及通信技術領域，尤其涉及一種存儲卡、存儲卡適配器以及終端。
隨著科技的不斷發展，以及人們生活需求的不斷提高，終端的大小為了適用人體的生理機構變換不大，但是終端的功能確越來越多，這就導致，終端上的空間變的寸土寸金，尤其是用戶在追求大屏、全面屏終端的前提下，使得終端上的用於設置各個功能模組空間進一步地壓縮，所以，提高終端上空間的利用率，變得尤為重要。
當前很多終端都是雙使用者身份識別卡(subscriber identification module，SIM)的配置，但是市場上有很大的一部分人只有單卡，另一個卡座的功能基本是空置的。如何更有效的利用另一個卡座的功能成為本領域技術人員迫切需要解決的技術問題。
本申請實施例提供了一種存儲卡、存儲卡適配器以及終端。本申請的部分實施例可以實現有效利用終端上的卡座，提高終端上空間的利用率。
第一方面，本申請提供了一種終端。該終端包括：卡座，SIM模 組，存儲卡模組，開關，檢測電路，控制電路；所述卡座用於設置SIM或存儲卡，所述卡座包括第一介面，所述第一介面通過所述開關連接所述SIM或存儲卡；所述第一介面連接所述開關的第一端；所述SIM模組連接所述開關的第二端；所述存儲卡模組連接所述開關的第三端；所述檢測電路用於檢測設置於所述終端的卡為SIM或存儲卡；所述控制電路根據所述檢測電路的檢測結果控制所述開關的第一端連接所述開關的第二端，或控制所述開關的第一端連接所述開關的第三端。通過本申請實施例，終端的卡座既可以用於設置SIM卡，又可以用於設置存儲卡，從而提高終端上空間的利用率，尤其是對於支援多卡的終端，可以提高卡介面的利用率，提高使用者體驗。
在一個可能的實現中，前述SIM的外形以及尺寸與存儲卡的外形以及尺寸相同。通過本申請實施例，SIM卡和存儲卡可以通過開關共用終端上的介面資源，提高終端上的資源利用率。
在另一個可能的實現中，前述SIM可以為Nano SIM(被稱作第四形式要素積體電路板)。基於此，所述SIM模組至少包括SIM資料介面、SIM復位介面和SIM時鐘介面；所述存儲卡模組至少包括存儲卡第一資料介面、存儲卡第二資料介面和存儲卡時鐘介面；所述SIM資料介面連接第一開關的第二端，所述存儲卡第一資料介面連接所述第一開關的第三端；所述SIM復位介面連接第二開關的第二端，所述存儲卡第二資料介面連接所述第二開關的第三端；所述SIM時鐘介面連接第三開關的第二端，所述存儲卡時鐘介面連接所述第三開關的第三端；所述第一開關的第一端連接所述第一介面的第一端；所述第二開關的第一端連接所述第一介面的第二端；所述第三開關的第一端連接所述第一介面的第三端。
在另一個可能的實現中，所述檢測電路用於檢測設置於所述終端的卡為SIM或存儲卡，包括： 當有卡設置於所述終端，所述控制電路向所述卡發送第一命令，所述檢測電路根據所述卡對所述第一命令的回應，檢測所述卡為所述存儲卡或所述SIM。
在另一個可能的實現中，前述終端還包括電源，當有卡設置於所述終端，所述電源的電壓設置為第一電壓；當所述檢測電路檢測所述卡為所述存儲卡或所述SIM，所述電源的電壓設置為與所述存儲卡或所述SIM對應的電壓。
第二方面，本申請提供了一種SIM。該SIM的外形以及尺寸與存儲卡外形以及尺寸相同，所述SIM的電源介面和所述存儲卡的電源介面位置對應，所述SIM的接地介面和所述存儲卡的接地介面的位置對應。通過本申請實施例提供的SIM，可以與其外形以及尺寸相同的存儲卡共用終端的卡座，以此可以提供終端上資源的利用率。
在一個可能的實現中，該存儲卡為微型安全存儲(micro secure digital memory，Micro SD)卡；所述SIM模組至少包括SIM資料介面、SIM復位介面和SIM時鐘介面；所述存儲卡模組至少包括存儲卡第一資料介面、存儲卡第二資料介面和存儲卡時鐘介面；其中，SIM資料介面和存儲卡第一資料介面位置對應；SIM復位介面和存儲卡第二資料介面位置對應；SIM時鐘介面和存儲卡時鐘介面位置對應。
協力廠商面，本申請提供了一種存儲卡。該存儲卡的外形以及尺寸與SIM外形以及尺寸相同，所述SIM的電源介面和所述存儲卡的電源介面位置對應，所述SIM的接地介面和所述存儲卡的接地介面的位置對應。通過本申請實施例提供的存儲卡，可以與其外形以及尺寸相同的SIM共用終端的卡座，以此可以提供終端上資源的利用率。
在一個可選地實現中，前述SIM為Nano SIM；所述SIM模組至少 包括SIM資料介面、SIM復位介面和SIM時鐘介面；所述存儲卡模組至少包括存儲卡第一資料介面、存儲卡第二資料介面和存儲卡時鐘介面；其中，SIM資料介面和存儲卡第一資料介面位置對應；SIM復位介面和存儲卡第二資料介面位置對應；SIM時鐘介面和存儲卡時鐘介面位置對應。
第四方面，本申請提供了一種存儲卡適配器。包括：與第一標準的存儲卡插座相應的殼體部分，該殼體部分包括：卡座，所述卡座被配置為放置第二標準的存儲卡，所述第二標準的存儲卡的外形以及尺寸與Nano SIM外形以及尺寸相同，所述第二標準的存儲卡的至少一個介面位置與所述Nano SIM的介面位置對應；轉換電路，所述轉換電路用於將所述第二標準的存儲卡的介面轉換為第一標準存儲卡的介面。該存儲卡適配器可以將與Nano SIM外形以及尺寸以及部分介面位置對應的存儲卡，轉換到其他標準的存儲卡。
在一個可選地實現中，所述第一標準的存儲卡與所述第二標準的存儲卡工作電平不同，所述轉換電路包括電平轉換電路和變壓電路，所述電平轉換電路用於在所述第一標準的存儲卡的介面與所述第二標準的介面之間通信過程中進行工作電平的轉換，所述變壓電路用於為所述電平轉換電路供電。
在一個可選地實現中，所述第一標準的存儲卡包括多種工作電平，所述存儲卡適配器還包括開關，所述開關用於控制所述存儲卡適配器的工作電平。
在一個可選地實現中，所述開關置於所述轉換電路和所述殼體部分第一標準的存儲卡介面之間。
第五方面，提供了一種卡識別方法。預先配置多種通信協定的初始化方式，所述方法包括：按照IO工作電平和供電電壓由低到高的順序，根據預先配置的多種通信協定的初始化方式，對卡進行初始化；當根據預先配 置的第一通信協定的初始化方式對卡初始化成功時，則根據所述第一通信協定控制所述卡。通過本申請實施例，可以通過遍歷初始化過程的方式識別卡座安裝的卡的類型。
在一個可選地實現中，前述多種通信協議包括下述一項或多項：IO工作電平和供電電壓都為1.8V的SIM通信協議、IO工作電平為1.8V和供電電壓為3V的存儲卡通信協定、IO工作電平和供電電壓都為3V的存儲卡通信協定、IO工作電平和供電電壓都為3V的SIM通信協議。
第六方面，提供了一種卡識別方法。前述方法適用於終端，該終端包括卡座，該卡座包括多個介面，該方法包括：檢測所述卡座的介面的多個端中至少一個端的第一工作狀態，所述介面的多個端中至少一個端的工作狀態與通信協定存在對應關係；根據所述第一工作狀態對應的通信協定控制所述卡。本發明實施例可以通過檢測卡座的介面的工作狀態，根據各種類的卡的埠工作狀態的差別，來識別安置於卡座的外接看的類型。
在一個可選地實現中，所述多個介面中包括至少一個介面僅用於與存儲卡連接的介面。
在另一個可選地實現中，前述介面的多個端中至少一個端的工作狀態與通信協定存在的對應關係包括：僅用於與存儲卡連接的端處於連通狀態和存儲卡通信協定對應；僅用於與存儲卡連接的端處於短路狀態和SIM通信協定對應。
在另一個可選地實現中，所述存儲卡通信協定包括Micro SD卡通信；所述SIM通信協定包括Nano SIM通信協定。
第七方面，提供了一種卡識別方法。所述方法適用於終端，所述方法包括：通過第一電壓向卡發送命令；若接收到卡發送的回應，則對卡按 照存儲卡執行初始化。
在一個可選地實現中，前述對卡按照存儲卡執行初始化包括，對卡按照第一電平標準的存儲卡執行初始化。該方法還包括：若對卡按照第一電平標準的存儲卡執行初始化失敗，則對所述卡按照SIM執行初始化。
在一個可選地實現中，還包括：若未接收到卡發送的回應，則對卡按照SIM執行初始化。
在一個可選地實現中，還包括：若對卡按照SIM執行初始化失敗，則對卡按照第二電平標準的存儲卡執行初始化。
第八方面，提供了一種終端，該終端包括IO子系統、處理器以及記憶體，該記憶體用於存放程式；IO子系統用於與卡進行交互，所述處理器用於執行所述記憶體存儲的所述程式，以控制所述終端執行前述第五、六和七方面中任意一方面或多方面所述的方法。
第九方面，提供了一種電腦可讀存儲介質，該電腦可讀存儲介質上存儲有電腦程式，該電腦程式被處理器執行時實現前述第五、六和七方面中任意一方面或多方面所述的方法。
第十方面，提供了一種包含指令的電腦程式產品，當所述指令在電腦上運行時，使得電腦執行前述第五、六和七方面中任意一方面或多方面所述的方法。
第十一方面，提供了一種晶片。包括處理器和記憶體；記憶體用於存放程式；所述處理器用於執行所述記憶體存儲的所述程式，以執行前述第五、六和七方面中任意一方面或多方面所述的方法。
111:第一端
112:第二端
113:第三端
114:第四端
130:SIM模組
141:動端
160:控制電路
100、200、1400:終端
110、210、611:卡座
120、220:存儲卡模組
140、810:開關
142、143:不動端
150、250:檢測電路
310、420、520:SIM
311~316、321~329、411~418、421~426、CLK、CMD、D0~D3、DAT、DAT0、DAT1、DAT2、DAT3、RST、VPP:介面
320、410、510、620:存儲卡
600:適配器
610:殼體部分
612、710:轉換電路
711:變壓電路
712:電平轉換電路
1401:IO子系統
1402:處理器
1403:記憶體
GND、SIM-DAT和SD-DAT1、SIM時鐘和SD-時鐘、SIM復位和SD-DAT0、SD-DAT2、SD-DAT3、VCC、VPF和SD-CMD:介面端
S910、S920、S1001~S1004、S1110、S1120、S1210~S1240:步驟
圖1為本發明實施例提供的一種終端結構示意圖；圖2為本發明實施例提供的另一種終端結構示意圖；圖3為本發明實施例提供的一種SIM結構示意圖；圖4為本發明實施例提供的一種存儲卡結構示意圖；圖5為本發明實施例提供的另一種存儲卡結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的一種存儲卡適配器結構示意圖；圖7為本發明實施例提供的另一種存儲卡適配器結構示意圖；圖8為本發明實施例提供的一種存儲卡適配器結構示意圖；圖9為本申請實施例提供的一種卡識別方法流程示意圖；圖10為本申請實施例提供的另一種卡識別方法流程示意圖；圖11為本申請實施例提供的另一種卡識別方法流程示意圖；圖12為本申請實施例提供的另一種卡識別方法流程示意圖；圖13為本申請實施例提供的另一種存儲卡介面示意圖；圖14為本發明實施例提供的另一種終端結構示意圖。
下面通過附圖和實施例，對本申請的技術方案做進一步的詳細描述。
在本申請實施例中，雖然“第一”、“第二”、“第三”等可以在此被用來描述各種元件、部件、區域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區域、層和/或部分不應受這些術語限制。這些術語僅用來將一個元件、部件、區域、層或部分與另一區域、層或部分區分開。因此，以下討論的第一元件、部件、區域、層或部分能被稱為第二元件、部件、區域、層或部分，而不背離本發明構思的教導。
本申請的申請人通過分析發現，當前很多終端都是雙SIM甚至多SIM的配置，但是市場上有很大的一部分人只有單卡，另一個卡座的功能基本是空置的，而使用者通過外接存儲卡，來對終端進行存儲擴展或者資料轉移，有著很大的市場需求。基於此，本申請實施例提供的方案可以將終端上的一個或多個卡座設計為既能夠支持SIM，也能夠支援存儲卡，以此有效利用終端上的卡座，提高終端上空間的利用率。
圖1為本申請實施例提供的一種終端結構示意圖。如圖1所示，該終端100具體可以包括卡座110、SIM模組130、存儲卡模組120、n個開關140、檢測電路150以及控制電路160，其中，n為正整數。
卡座110用於設置SIM或存儲卡。其中，該終端100可以設置兩個以上的卡，該卡可以為SIM或存儲卡，具體可以通過多種方式實現。例如，該終端100可以設置兩個以上卡座，該兩個以上卡座可以部分或全部介面可以配置成如圖1所示的卡座110的介面的結構，每個卡座110可以用於安置一個SIM或者一個存儲卡。再例如，該終端100的卡座110可以包括兩個以上介面，該兩個以上介面可以部分或全部配置成如圖1所示的卡座110所示的介面的結構，每個介面可以用於安置一個SIM或者一個存儲卡。
卡座110包括第一介面，該第一介面通過開關連接SIM或存儲卡，例如，該開關可以為雙向多路開關；其中，第一介面連接開關的第一端；SIM模組連接開關的第二端；存儲卡模組連接開關的第三端；檢測電路150用於檢測設置於終端的卡為SIM或存儲卡；控制電路160根據檢測電路的檢測結果控制開關的第一端連接開關的第二端，或控制開關的第一端連接開關的第三端。
結合圖1所示，該卡座110的第一介面包括多端，例如，圖1所示的第一端111、第二端112、第三端113、以及第四端114等等。該卡座110通過該第一介面的多端與安裝在其上的SIM或存儲卡的介面連接，以便終端100控制SIM或存儲卡。
以第一介面的第一端111為例，第一端111與雙向多路開關的動端141(即，開關的第一端)連接，該雙向多路開關的不動端142(即，開關的第三端)與存儲卡模組120連接，該雙向多路開關的不動端143(即，開關的第二端)與SIM模組連接。
在一些實施例中，卡座110的第一介面還可以包括直接與SIM或存儲卡直連的端。例如，SIM的VPP介面為程式設計介面，在SIM使用過程中，通常不使用。因此，卡座對應VPP介面的介面可以不與SIM模組連接，所以，卡座對應VPP介面的介面可以與存儲卡直連。
在一些實施例中，卡座110的第一介面還可以包括不需要通過開關共用的端。例如，SIM和存儲卡的電源(volt current condenser，VCC)的電源域位於1.8V~3.3V之間，所以，SIM和存儲卡可以共用電源VCC和接地(ground，GND)，基於此，卡座110的第一介面與電源介面和接地介面對應的端可以共用電源VCC和接地(ground，GND)。
例如，結合圖2所示，存儲卡可以包括資料(data，DAT)3介面、命令(command，CMD)介面、時鐘(clock，CLK)介面、DAT0、DAT1、DAT2、VCC介面和GND介面個介面，具體如下表1所示。
Figure 108137065-A0305-02-0012-1
Figure 108137065-A0305-02-0013-2
nano SIM可以包括程式設計電壓gramming voltage，VPP)介面、CLK介面、DAT、復位(reset，RST)介面、VCC介面和GND介面等6個介面，具體如下表2所示。應理解，本文所述的“復位介面”即表示表2、圖2記載的復位的介面。
Figure 108137065-A0305-02-0013-3
基於此，前述SIM卡至少包括SIM DAT介面、SIM復位介面和SIM時鐘介面；前存儲卡至少包括存儲卡第一資料介面(例如，DAT0)、存儲卡第二資料介面(例如，DAT1)和存儲卡時鐘介面；其中，可以盡可能的 使得連接同一個的雙向多路開關的介面類別型相同，例如，SIM DAT和存儲卡第一資料介面(例如，DAT1)連接同一個雙向多路開關；SIM復位介面和存儲卡第二資料介面(例如，DAT0)連接同一個雙向多路開關；SIM時鐘介面和存儲卡時鐘介面連接同一個雙向多路開關，這樣可以將資料類型一致的介面使用一個開關控制，降低出現故障的概率。前述SIM卡和存儲卡還可以包括電源介面和接地介面。前述存儲卡還可以包括CMD介面(該介面的位置可以與SIM的VPP介面相同)、存儲卡的第三資料介面(例如，DAT2)、存儲卡的第四資料介面(例如，DAT3)，前述SIM還可以包括VPP介面。基於此，如圖2所示，該終端200的卡座210的介面至少可以包括如下端：SD-DAT2介面端，該端與存儲卡模組220的DAT2介面直連；SD-DAT3介面端，該端與存儲卡模組220的DAT3介面直連；VPF和SD-CMD介面端，該端與存儲卡模組220的CMD介面直連；SIM復位和SD-DAT0介面端，該端通過一個雙向多路開關與SIM模組的復位介面和存儲控制器的DAT0介面連接；SIM時鐘和SD-時鐘介面端，該端通過一個雙向多路開關與SIM模組的時鐘介面和存儲控制器的時鐘介面連接；VCC介面端，該端與IO子系統的電源連接；GND介面端，該端與IO子系統的接地連接。
在一些實施例中，檢測電路用於檢測設置於所述終端的卡為SIM或存儲卡具體包括：當有卡設置於終端，控制電路向卡發送第一命令，該檢測電路根據卡對第一命令的回應，檢測卡為存儲卡或SIM。例如，SIM與存儲卡的介面數量可以是不相等的。該卡座110的第一介面可以包括僅與SIM的介面或存儲卡的介面對應的端，例如，圖2所示的SD-DAT2介面端或SD-DAT3介面端。基於此，該終端的檢測電路150。該檢測電路150可以用於檢測該卡 座110的第一介面可以包括僅與SIM的介面或存儲卡的介面對應的端中任意一個或多個的工作狀態。其中，存儲卡和SIM的外形以及尺寸相同，但是介面個數不同，利用不同卡插入卡座後，通過檢測電路150，根據卡座不同的埠是否短路來識別卡類型。例如，結合圖2所示，檢測電路250，可以用於檢測SD-DAT2介面的電平，並根據檢測到的SD-DAT2介面的電平確定所插入的卡為存儲卡或SIM。另外，檢測電路150也可以檢測該卡座110的第一介面的其他端，或者該卡座110的第一介面的全部端的工作狀態，進而檢測設置於終端的卡為SIM或存儲卡。具體可參見圖9-12所示的實施例，此處不再贅述。
在一些實施例中，SIM和存儲卡可以分別安裝在同一個卡座110的同一個介面中。例如，可以將SIM和存儲卡設置為相同的外形以及尺寸以及部分介面位置對應。該外形可以以SIM的外形為標準，例如，以nano SIM的標準，配置SIM和存儲卡。也可以以存儲卡的外形為標準，例如，以Micro SD卡的標準，配置SIM和存儲卡。還可以確定專用標準，以該專用標準配置SIM和存儲卡。具體SIM和存儲卡地結構可以參見圖3、圖4或圖5所示的實施例中的描述，此處不再贅述。
在一些實施例中，該終端還包括電源，當有卡設置於終端，電源電壓設置為第一電壓；當檢測電路檢測所述卡為存儲卡或SIM，電源電壓設置為與存儲卡或SIM對應的電壓。具體可以參見圖11或12所示的實施例，此處不再贅述。
圖3為本申請實施例還提供了一種SIM結構示意圖。結合圖3所示，該SIM用於設置在前述圖1或圖2所示的中的卡座中。如圖3所示，該SIM310的外形以及尺寸與存儲卡320外形以及尺寸相同，該SIM的n個第一介面(例如，介面311、介面312、介面313、介面314、介面315和介面316)的位置與存儲卡的n個第二介面(例如，介面322、介面323、介面324、介面325、 介面327和介面328)位置對應、其中，該第一介面包括SIM的電源介面和SIM的接地介面，該第二介面包括存儲卡的電源介面和存儲卡的接地介面，n為正整數。
以存儲卡為Micro SD卡為例，為該SIM310的外形以及尺寸可以為與Micro SD卡320的外形以及尺寸相同。基於此，前述SIM模組至少包括SIM資料介面、SIM復位介面和SIM時鐘介面；所述存儲卡模組至少包括存儲卡第一資料介面、存儲卡第二資料介面和存儲卡時鐘介面；其中，SIM資料介面和存儲卡第一資料介面位置對應；SIM復位介面和存儲卡第二資料介面位置對應；SIM時鐘介面和存儲卡時鐘介面位置對應。例如，結合圖3所示，該Micro SD卡320的介面包括DAT3介面321、CMD介面322、接地介面323、電源介面324、CLK介面325、接地介面326、DAT0介面327、DAT1介面328、DAT2介面329和，相應的SIM310的介面包括，VPP介面311對應CMD介面322、接地介面312對應接地介面323、電源介面313對應電源介面324、CLK介面314對應CLK介面325、復位介面315對應DAT0介面327，DAT介面316對應DAT1介面328。
圖4為本申請實施例還提供的一種存儲卡結構示意圖。結合圖4所示，該存儲卡用於設置在前述圖1或圖2所示的中的卡座中。如圖4所示，該存儲卡的外形以及尺寸與SIM外形以及尺寸相同，該SIM的n個第一介面(例如，介面421、介面422、介面423、介面424、介面425、介面426)的位置與存儲卡的n個第二介面(例如，介面412、介面413、介面414介面416、介面417、介面418)的位置對應，該第一介面包括SIM的電源介面和SIM的接地介面，該第二介面包括存儲卡的電源介面和存儲卡的接地介面，n為正整數。另外，結合圖4所示，該存儲卡還可以包括m個第三介面(例如，介面411和介面415)，該m個第三介面在SIM上不存在相同位置的介面。
該存儲卡的外形以及尺寸可以為與Nano SIM外形以及尺寸相同。基於此，前述SIM模組至少包括SIM資料介面、SIM復位介面和SIM時鐘介面；所述存儲卡模組至少包括存儲卡第一資料介面、存儲卡第二資料介面和存儲卡時鐘介面；其中，SIM資料介面和存儲卡第一資料介面位置對應；SIM復位介面和存儲卡第二資料介面位置對應；SIM時鐘介面和存儲卡時鐘介面位置對應。
例如，結合圖5所示，該存儲卡510的介面包括資料介面、CMD介面、接地介面、電源介面、CLK介面、DAT0介面、DAT1介面和DAT2介面，相應的Nano SIM520的介面包括，VPP介面對應存儲卡510的CMD介面、接地介面對應存儲卡510的接地介面、電源介面對應存儲卡510的電源介面、CLK介面對應存儲卡510的CLK介面、復位介面對應存儲卡510的DAT0介面，資料介面對應DAT1介面。
圖6為本申請實施例提供的一種存儲卡適配器結構示意圖。如圖6所示，該存儲卡適配器600可以包括：與第一標準的存儲卡插座相應的殼體部分610，所述殼體部分610包括：卡座611，卡座611被配置為放置第二標準的存儲卡620，所述第二標準的存儲卡的外形以及尺寸與Nano SIM外形以及尺寸相同，第二標準的存儲卡的至少一個介面位置與Nano SIM的介面位置對應，存儲卡620的具體實現可以參見前述圖4和圖5所示的實施例，不再贅述。
轉換電路612，用於在第一標準的存儲卡的介面與第二標準的介面之間通信過程中進行工作電平的轉換。換句話說，存儲卡適配器通過轉換電路612可以將所述第二標準的存儲卡620的介面轉換為第一標準存儲卡的介面。
以第一標準為工作電平為3V的SD卡的標準，第二標準為工作電平為1.8V的與nano SIM相同形狀的存儲卡的標準為例，通過簡單的卡套和轉換電路就可以將工作電平為1.8V的與nano SIM轉換為工作電平為3V的SD卡。與nano SIM相同形狀的存儲卡尺寸9mm*12mm，SD卡尺寸為24mm*32mm，因此將NanoSD卡放置到與SD卡相應的殼體中，剩餘的空間很足夠實現1.8V到3V轉換電路。基於此，在本申請實施例的一個示例中，第一標準的存儲卡與第二標準的存儲卡工作電平不同，此時，轉換電路需要在第一標準的存儲卡的介面與第二標準的介面之間通信過程中進行工作電平的轉換。如圖7所示，轉換電路710包括電平轉換電路712和變壓電路711，該電平轉換電路712用於轉換第一標準的存儲卡的介面與第二標準的介面之間工作電平，變壓電路711用於為電平轉換電路供電。
另外，對於SD卡，一般存在多種工作電平的版本，為了使得適配器相容這些版本，可以通過機械開關來控制存儲卡適配器的工作電平。基於此，在本申請的一個實施例中，第一標準的存儲卡包括多種工作電平，存儲卡適配器還包括開關，該開關用於控制存儲卡適配器的工作電平。例如，如圖8所示，開關810可以置於轉換電路和殼體部分第一標準的存儲卡介面之間。這樣開關810的可以控制轉換電路靠近第一標準的存儲卡介面的工作電平，例如，該開關可以設置1.8V和3V檔位。對於工作電平為3V的SD卡，可以控制開到3V檔位進行供電，提供為轉換電路的供電電壓為3V；對於工作電平為1.8V的SD卡，可以控制開關打到1.8V檔位進行供電，提供為轉換電路的供電電壓為1.8V。通過這種方案，在開關的位置與實際工作電平不匹配的情況下，以較小的電壓進行供電不會對第二標準的存儲卡或者第一標準的存儲卡介面上第一標準的存儲卡介面造成損壞。
圖9為本申請實施例提供的一種卡識別方法流程示意圖。如圖9所 示，預先配置多種通信協定的初始化方式，該方法可以為當有卡設置於終端，控制電路向卡發送第一命令，該檢測電路根據卡對第一命令的回應，檢測卡為存儲卡或SIM的一種具體實現方式。該方法具體包括：
S910，按照IO工作電平和供電電壓由低到高的順序，根據預先配置的多種通信協定的初始化方式，對卡進行初始化。前述第一命令可以為初始化命令。
其中，本申請中的通信協議包括下述一項或多項：IO工作電平和供電電壓都為1.8V的SIM通信協議、IO工作電平為1.8V和供電電壓為3V的存儲卡通信協定、IO工作電平和供電電壓都為3V的存儲卡通信協定、IO工作電平和供電電壓都為3V的SIM通信協議。
例如，標準的SIM，SD以及EMMC的IO工作電平及供電電壓如下表3所示：
Figure 108137065-A0305-02-0019-4
另外，SD卡或EMMC卡的初始化採用SPI模式，CLK頻率100k~400Khz；SIM通訊速率1M~5Mhz；且使用介面不同，所以相互之間不會回應對方的初始化，因此可以通過遍歷初始化程式來識別是SIM，還是存儲卡，甚至確定是哪種協定的存儲卡。先進行SIM還是存儲卡初始化根據實 際需要確定，各種卡識別及供電的基本原則是，第一電平或電壓規格的卡不允許有更高等級的電壓，否則有燒卡的風險，所以按照IO工作電平和供電電壓由低到高的順序進行初始化，可以降低燒卡的概率。
在本發明實施例中存儲卡不限為採用SD或者EMMC協議，類似USB，UFS或者PCIE其他通信協定的存儲卡都適用。
S920，當根據預先配置的第一通信協定的初始化方式對卡初始化成功時，則根據第一通信協定控制卡。
例如，結合圖10所示，預先配置通信協定的初始化方式包括1.8V SIM初始化(IO工作電平為1.8V，供電電壓為1.8V)、eMMC卡初始化(IO工作電平為1.8V，供電電壓為3V)、SD卡初始化(IO工作電平為3V，供電電壓為3V)，3V SIM初始化(IO工作電平為3V，供電電壓為3V)，該方法具體包括：
S1001，執行1.8V SIM初始化過程，若成功，則初始化結束，且根據1.8V SIM控制卡。
S1002，接S1001，若不成功，執行eMMC卡初始化初始化過程，若成功，則初始化結束，且根據eMMC卡初始化控制卡。
S1003，接S1002，若不成功，執行SD卡初始化初始化初始化過程，若成功，則初始化結束，且根據SD卡初始化初始化控制卡。
S1004，接S1003，若不成功，執行3V SIM初始化初始化初始化過程，若成功，則初始化結束，且根據3V SIM初始化初始化控制卡。
圖11為本申請實施例提供的另一種卡識別方法流程示意圖。如圖11所示，該方法適用於終端，該終端包括卡座，該卡座包括介面，該介面包括多個端，例如，前述圖1或圖2所示的終端，該方法可以為當有卡設置於終 端，控制電路向卡發送第一命令，該檢測電路根據卡對第一命令的回應，檢測卡為存儲卡或SIM的一種具體實現方式。該方法具體包括：
S1110，檢測卡座的介面的多個端中至少一個端的第一工作狀態，該介面的多個端中至少一個端的工作狀態與通信協定存在對應關係。該第一命令可以為檢測卡座介面的端的工作狀態的命令。
本申請實施例適用所有的外形以及尺寸相同，但是介面個數不同的卡，利用不同卡插入卡座後，根據卡座不同的埠是否短路來識別卡類型。
例如，結合前述圖1或圖2所示的終端，該終端的介面的多個端中包括至少一個端僅用於與存儲卡的介面連接。所以，根據該至少一個端的工作狀態，即可確定卡的類型。
具體地，介面的多個端中至少一個端的工作狀態與通信協定存在對應關係，且該對應關係包括：僅用於與存儲卡連接的端處於連通狀態和存儲卡通信協定對應；僅用於與存儲卡連接的端處於短路狀態和SIM通信協定對應。
其中，該存儲卡通信協定包括Micro SD卡通信；所述SIM通信協定包括Nano SIM通信協定。
S1120，根據第一工作狀態對應的通信協定控制卡。
圖12為本申請實施例提供的另一種卡識別方法流程示意圖。如圖12所示，該方法適用於終端，例如，前述圖1或圖2所示的終端，該方法可以為當有卡設置於終端，控制電路向卡發送第一命令，該檢測電路根據卡對第一命令的回應，檢測卡為存儲卡或SIM的一種具體實現方式。該方法具體包括：
S1210，通過第一電壓向卡發送命令。
其中，第二電壓和第一電壓為相對概念，通常情況下，對於卡， 第二電壓一般為3V，第一電壓一般為1.8V。
結合圖13可知，存儲卡包含控制器和存儲顆粒兩部分，其中只有存儲顆粒需要1.8V以上的電源工作，控制器部分只有1.8V電源也可以工作。因此可以在給電源介面只提供1.8V電源電壓的情況下，向存儲卡發送命令，則該存儲卡可以進行處理，並返回回應。
所以，可以向卡的電源介面和IO介面提供第一電壓，並向該卡發送命令。
若未接收到卡發送的回應，則執行S1230。
S1220，若接收到卡發送的回應，則對卡按照存儲卡執行初始化。
其中，由於存儲卡的工作電平分為第二電平和第一電平，第一電平低於第二電平，所以，可以先對所述卡按照第一電平標準的存儲卡執行初始化，例如，第一電平標準的存儲卡可以為EMMC卡，第二電平標準的存儲卡可以為SD卡；基於此，若對卡按照第一電平標準的存儲卡執行初始化成功，則按照第一電平標準的存儲卡控制該卡。
若對卡按照第一電平標準的存儲卡執行初始化失敗，則執行S1230。
S1230，對卡按照SIM執行初始化。
若初始化成功，則按照SIM控制該卡。
S1240，若對卡按照SIM執行初始化失敗，則對卡按照第二電平標準的存儲卡執行初始化。
若初始化成功，則按照第二電平標準的存儲卡控制該卡。
若初始化失敗，則確定該卡為壞卡，或者未插入卡。
圖14為本發明實施例提供的另一種終端結構示意圖。如圖14所示，該終端1400具體包括：包括IO子系統1401，處理器1402，記憶體1403。 各個模組可以通過匯流排連接。
其中，IO子系統1401可以參見前述圖1和圖2所示的實施例。處理器1402可以控制終端執行圖9或圖12中涉及終端的處理過程和/或用於本申請所描述的技術的其他過程。記憶體1403用於存儲終端的程式碼和資料。
在上述各個本發明實施例中，可以全部或部分地通過軟體、硬體、固件或者其任意組合來實現。當使用軟體實現時，可以全部或部分地以電腦程式產品的形式實現。所述電腦程式產品包括一個或多個電腦指令。在電腦上載入和執行所述電腦程式指令時，全部或部分地產生按照本發明實施例所述的流程或功能。所述電腦可以是通用電腦、專用電腦、電腦網路、或者其他可程式設計裝置。所述電腦指令可以存儲在電腦可讀存儲介質中，或者從一個電腦可讀介質向另一個電腦可讀介質傳輸，例如，所述電腦指令可以從一個網站網站、電腦、伺服器或資料中心通過有線(例如同軸電纜、光纖、數位用戶線路(Digital Subscriber Line，DSL))或無線(例如紅外、無線、微波等)方式向另一個網站網站、電腦、伺服器或資料中心進行傳輸。所述電腦可讀存儲介質可以是電腦能夠存取的任何可用介質或者是包含一個或多個可用介質集成的伺服器、資料中心等資料存放裝置。所述可用介質可以是磁性介質(例如，軟碟、硬碟、磁帶)、光介質(例如，DVD)、或者半導體介質(例如，固態硬碟(Solid State Disk，SSD))等。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
111:第一端
112:第二端
113:第三端
114:第四端
130:SIM模組
141:動端
160:控制電路
100:終端
110:卡座
120:存儲卡模組
140:開關
142、143:不動端
GND、VCC:介面端
150:檢測電路

Claims (6)

  1. 一種存儲卡適配器，包括：殼體部分，所述殼體部分包括：卡座，所述卡座被配置為放置第二標準的存儲卡，所述第二標準的存儲卡的尺寸與Nano SIM卡的尺寸相同，所述第二標準的存儲卡的至少一個介面的位置與所述Nano SIM卡的介面位置對應；所述卡座包括八個介面端，所述八個介面端包括：用於連接所述第二標準的存儲卡的第一資料介面的端子；以及用於連接所述第二標準的存儲卡的第二資料介面的端子；以及用於連接所述第二標準的存儲卡的第三資料介面的端子；以及用於連接所述第二標準的存儲卡的第四資料介面的端子；以及用於連接所述第二標準的存儲卡的命令或請求介面的端子；以及用於連接所述第二標準的存儲卡的時鐘介面的端子；以及用於連接所述第二標準的存儲卡的電源介面的端子；以及用於連接所述第二標準的存儲卡的接地介面的端子；所述存儲卡適配器還包括轉換電路，所述轉換電路用於將所述第二標準的存儲卡的介面轉換為第一標準存儲卡的介面，所述第一標準的存儲卡的工作電平與所述第二標準的存儲卡的工作電平不同；所述轉換電路包括電平轉換電路，所述電平轉換電路的一端與所述第一標準存儲卡連接，所述電平轉換電路的另一端與所述第二標準的存儲卡連接，所述電平轉換電路用於在所述第一標準的存儲卡的介面與所述第二標準的存儲卡介面之間通信過程中進行工作電平的轉換；所述第一標準的存儲卡包括多種工作電平，所述存儲卡適配器還包括開關，所述開關用於控制所述轉換電路的工作電平。
  2. 如請求項1所述的存儲卡適配器，其中，所述轉換電路還包括變壓電 路，所述變壓電路用於為所述電平轉換電路供電。
  3. 如請求項1或2所述的存儲卡適配器，其中，所述開關置於所述轉換電路和所述第一標準的存儲卡介面之間。
  4. 如請求項1所述的存儲卡適配器，其中，所述第一標準的存儲卡介面為SD存儲卡介面，EMMC存儲卡介面，或SIM卡介面。
  5. 如請求項1所述的存儲卡適配器，其中，所述卡座與Nano SIM卡匹配。
  6. 如請求項1所述的存儲卡適配器，其中，所述第二標準的存儲卡介面的存儲卡的外形與Nano SIM卡的外形相同。
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