KR102562210B1

KR102562210B1 - 전자 장치

Info

Publication number: KR102562210B1
Application number: KR1020227037599A
Authority: KR
Inventors: 지앙타오 양
Original assignee: 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2018-02-01
Filing date: 2018-02-01
Publication date: 2023-07-31
Also published as: JP2021512545A; US11704508B2; US20210049331A1; US11416691B2; EP3720105A4; KR20200100139A; CN109983706A; US20220366159A1; CN111404564A; KR102461761B1; JP7038841B2; KR20220151015A; CN111431549A; EP3720105A1; WO2019148434A1; CN111404564B; CN111431549B; CN109983706B

Abstract

SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드가 저장 기능을 구현하는 데 사용되어 전자 장치의 공간을 절약할 때, 전자 장치가 전자 장치의 카드 인터페이스에 삽입된 카드의 유형을 식별하도록 구성된다. 전자 장치는 카드 인터페이스와 처리 모듈을 포함한다. 카드페이스는 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, SIM 카드 또는 메모리 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 수 있다. 카드 인터페이스는 N개의 스프링을 포함하고, N>1이며; 메모리 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, 메모리 카드는 처리 모듈에 전기적으로 연결되고; SIM 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, SIM 카드는 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, SIM 카드의 하나의 금속 핀이 N개의 스프링 중 제1 스프링 및 제1 스프링에 인접한 하나의 스프링에 전기적으로 연결된다. 처리 모듈은 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여, 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하도록 구성된다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}

본 출원의 실시예는 단말기 기술 분야에 관한 것으로, 상세하게는 전자 장치에 관한 것이다.

단말기 기술이 발전함에 따라, 전자 장치 내의 칩의 집적 레벨이 점점 높아지고 있으며, 따라서 전자 장치의 공간 이용에 대한 요구사항이 점점 더 높아지고 있다.

현재, 전자 장치 상에는 외부 메모리 카드와 가입자 식별 모듈(nano subscriber identity module, Nano SIM card)이 사용되고 있다. 마이크로 보안 디지털 메모리 카드(micro secure digital memory card, Micro SD card)와 같은 메모리 카드가 예로서 사용되고, 마이크로 SD 카드의 크기가 일반적으로 11 mm × 15 mm이며, 나노 SIM 카드는 일반적으로 8.8 mm × 12.3 mm이고, 2개의 카드의 면적 차이가 56 mm²이다. 또한, 마이크로 SD 카드 인터페이스의 면적이 나노 SIM 카드 인터페이스의 면적보다 130 mm² 크다.

외부 메모리 카드와 카드 인터페이스에 의해 점유되는 공간이 상대적으로 크고, 휴대 전화 장치의 구조가 점점 더 콤팩트하게 설계되므로, 외부 메모리 카드와 카드 인터페이스에 의해 점유되는 공간이 상대적으로 큰 문제가 시급히 해결되어야 할 문제이다.

본 출원의 실시예에서, 전자 장치의 공간을 절약하기 위해, 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드가 사용된다(설명 편의를 위해, 일부 실시예에서 "나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드"를 "나노 메모리 카드"라 하며, 상기 나노 SIM 카드와 상기 나노 메모리 카드는 상기 전자 장치의 나노 SIM 카드 인터페이스를 통해 서로 호환 가능하다. 즉, 상기 나노 SIM 카드는 상기 전자 장치의 나노 SIM 카드 인터페이스에 삽입되어 사용자 식별 기능을 구현할 수 있고, 상기 나노 메모리 카드는 상기 전자 장치의 나노 SIM 카드 인터페이스에 삽입되어 저장 기능을 구현할 수 있다. 상기 전자 장치는 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 상기 나노 SIM 카드 또는 상기 나노 메모리 카드라는 것을 식별하고, 그런 다음 상기 나노 SIM 카드에 대응하는 회로 또는 상기 나노 메모리 카드에 대응하는 회로를 스위칭하여 상기 사용자 식별 기능 또는 상기 저장 기능을 구현한다.

본 출원의 일부 실시예는 전자 장치를 제공한다. 상기 전자 장치는, SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드가 저장 기능을 구현하는 데 사용되어 상기 전자 장치의 공간을 절약할 때, 상기 전자 장치의 카드 인터페이스에 삽입된 카드의 유형을 식별하도록 구성된다.

제1 양태에 따르면, 본 출원의 실시예는 전자 장치를 제공한다. 상기 전자 장치는 카드 인터페이스와 처리 모듈을 포함하고, 상기 카드 인터페이스는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되며, SIM 카드 또는 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 수 있고;

상기 카드 인터페이스는 N개의 스프링을 포함하고, N>1이며; 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 메모리 카드는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되고; SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 N개의 스프링 중 제1 스프링 및 상기 제1 스프링에 인접한 하나의 스프링에 전기적으로 연결되며;

상기 처리 모듈은 적어도 상기 제1 스프링의 레벨에 기초하여, 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하도록 구성된다.

*상기 카드 인터페이스는 나노 SIM 카드 인터페이스일 수 있고, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 SIM 카드는 나노 SIM 카드일 수 있으며, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 메모리 카드는 상기 나노 SIM 카드와 동일한 외관을 가진 나노 메모리 카드(예를 들어, SD 카드)일 수 있다. 상기 카드 인터페이스의 N개의 스프링은 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결된다. 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 카드의 금속 핀이 상기 카드 인터페이스의 N개의 스프링에 전기적으로 연결되고, 상기 카드는 상기 카드 인터페이스의 N개의 스프링을 이용하여 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결된다.

전술한 해결책에 따르면, 상기 전자 장치는 상기 카드 인터페이스와 상기 처리 모듈을 포함한다. 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 메모리 카드는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되어 상기 전자 장치의 저장 기능을 구현한다. SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 N개의 스프링 중 상기 제1 스프링 및 상기 제1 스프링에 인접한 하나의 스프링에 전기적으로 연결된다. 상기 처리 모듈은 적어도 상기 제1 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정한다. SIM 카드가 삽입될 때, 상기 제1 스프링과 상기 인접한 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 상기 단락 회로 현상으로 인해 상기 제1 스프링의 현재 레벨이 디폴트 레벨과 달라진다. 상기 처리 모듈이 상기 제1 스프링의 레벨이 상기 디폴트 레벨이라고 결정하면, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정할 수 있다. 상기 처리 모듈이 상기 제1 스프링의 레벨이 상기 디폴트 레벨이 아니라고 결정하면, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 SIM 카드는 나노 SIM 카드일 수 있고, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 메모리 카드는 상기 나노 SIM 카드와 동일한 외관을 가진 SD 카드일 수 있다. 전술한 해결책에 따르면, 상기 메모리 카드는 구현에 있어서 SD 카드일 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 전자 장치는 파워 인터페이스(power interface), 3개의 아날로그 스위치, 및 처리 모듈에 연결된 6개의 스토리지 통신 인터페이스와 3개의 SIM 통신 인터페이스를 더 포함한다. 여기서, 상기 파워 인터페이스는 상기 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 제2 스프링에 전기적으로 연결되고; 상기 3개의 아날로그 스위치의 제1 단부가 상기 N개의 스프링 중 3개에 각각 연결되고, 상기 3개의 아날로그 스위치의 제2 단부가 스위칭 작업(switching operation)을 통해 상기 6개의 스토리지 통신 인터페이스 중 3개에 각각 연결되거나 또는 스위칭 작업을 통해 상기 3개의 SIM 통신 인터페이스에 각각 연결되며; 상기 3개의 스토리지 통신 인터페이스 이외의 상기 6개의 스토리지 통신 인터페이스 중에서, 제1 스토리지 통신 인터페이스가 상기 제1 스프링에 연결되고, 제2 스토리지 통신 인터페이스가 상기 N개의 스프링 중 제4 스프링에 연결되며, 제3 스토리지 통신 인터페이스가 상기 N개의 스프링 중 제5 스프링에 연결된다.

상기 전자 장치가 카드가 삽입된 것을 검출하면, 카드가 파워 온(power on)될 수 있도록 상기 파워 인터페이스는 전압을 제공하고, 상기 처리 모듈은 상기 제1 스프링의 레벨에 기초하여 상기 삽입된 카드의 유형을 결정한다.

전술한 해결책에 따르면, 상기 전자 장치의 구조가 제공된다. 이 구조에서, 상기 메모리 카드는 SD 카드일 수 있고, SIM 카드는 나노 SIM 카드일 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 때, 상기 3개의 SIM 통신 인터페이스에 각각 연결되도록 상기 3개의 아날로그 스위치의 제2 단부를 제어하고; 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정할 때, 상기 3개의 스토리지 통신 인터페이스에 각각 연결되도록 상기 3개의 아날로그 스위치의 제2 단부를 제어하도록 구성된다.

전술한 해결책에 따르면, 상기 삽입된 카드의 유형이 식별된 후에, 상기 카드는 상기 처리 모듈에 통신 가능하게 연결되어 대응하는 기능을 구현할 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 전자 장치는 근거리 무선 통신(near field communication, NFC) 모듈과 NFC 아날로그 스위치를 더 포함한다. 상기 NFC 아날로그 스위치의 제1 단부가 상기 제5 스프링에 연결되고, 제2 단부가 스위칭 작업을 통해 상기 제3 스토리지 통신 인터페이스 또는 NFC 모듈에 연결된다. 상기 NFC 모듈이 상기 NFC 아날로그 스위치에 연결될 때, 상기 NFC 모듈은 NFC 기능을 구현하도록 구성된다.

전술한 해결책에 따르면, NFC 기능을 가진 인터페이스가 상기 전자 장치에 제공되어 상기 전자 장치의 NFC 기능을 구현할 수 있다.

*이하, 상기 처리 모듈이 적어도 상기 제1 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하는 방식에 대해 설명한다.

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은, 상기 제1 스프링이 상기 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 상기 제2 스프링에 인접하고, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하거나; 및/또는 상기 제1 스프링이 상기 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 제3 스프링에 인접하고, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하는 방식으로, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정할 수 있다.

제1 방식에서, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 상기 제1 스프링은 상기 제2 스프링(VCC 스프링)에 인접하고, 상기 제1 스프링에 대응하는 금속 핀과 상기 제 2 스프링에 대응하는 금속 핀이 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 제1 스프링과 상기 제2 스프링을 모두 커버하고, 상기 제1 스프링과 상기 제2 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 상기 제1 스프링의 레벨이 상기 제2 스프링에 의해 하이 레벨로 풀업(pull up)된다. 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있다고 결정될 때, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

제2 방식에서, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다. 상기 제1 스프링은 상기 제3 스프링(GND 스프링)에 인접하고, 상기 제 1 스프링에 대응하는 금속 핀과 상기 제3 스프링에 대응하는 금속 핀이 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 제1 스프링과 상기 제3 스프링을 모두 커버하고, 상기 제1 스프링과 상기 제3 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 상기 제1 스프링의 레벨이 상기 제3 스프링에 의해 로우 레벨로 풀다운(pull down)된다. 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있다고 결정할 때, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이고, 상기 처리 모듈이 상기 제1 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨을 하이 레벨로 구성하면, 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하거나; 및/또는 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이고, 상기 처리 모듈이 상기 제1 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨을 로우 레벨로 구성하면, 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하는 방식으로, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정할 수 있다.

제1 방식에서, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이고, 상기 제1 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다. 상기 제1 스프링에 대응하는 금속 핀과 상기 인접한 스프링에 대응하는 금속 핀이 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 제1 스프링과 상기 스프링을 커버하고, 상기 제1 스프링과 상기 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 상기 제1 스프링의 레벨이 상기 스프링에 의해 하이 레벨로 풀업된다. 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있다고 결정할 때, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

제2 방식에서, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이고, 상기 제1 스프링에 인접한 상기 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 상기 제1 스프링에 대응하는 금속 핀과 상기 인접한 스프링에 대응하는 금속 핀이 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 제1 스프링과 상기 스프링을 모두 커버하고, 상기 제1 스프링과 상기 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 상기 제1 스프링의 레벨이 상기 스프링에 의해 로우 레벨로 풀다운된다. 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있다고 결정할 때, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 N개의 스프링 중 상기 제4 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하도록 구성된다. 전술한 해결책에 따르면, 상기 처리 모듈이 상기 카드 유형을 더 정확하게 결정할 수 있도록, 상기 처리 모듈은 상기 제4 스프링의 레벨에 기초하여 상기 삽입된 카드의 유형을 결정할 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은, 상기 제4 스프링이 상기 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 상기 제2 스프링에 인접하고, 상기 제4 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 상기 제4 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제4 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하거나; 및/또는 상기 제4 스프링이 상기 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 상기 제3 스프링에 인접하고, 상기 제4 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 상기 제4 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제4 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하는 방식으로 상기 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정할 수 있다.

제1 방식에서, 상기 제4 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 상기 제4 스프링은 상기 제2 스프링(VCC 스프링)에 인접하고, 상기 제4 스프링에 대응하는 금속 핀과 상기 제2 스프링에 대응하는 금속 핀은 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 제4 스프링과 상기 제2 스프링을 모두 커버하고, 상기 제4 스프링과 상기 제2 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 상기 제4 스프링의 레벨이 상기 제2 스프링에 의해 하이 레벨로 풀업된다. 상기 제4 스프링이 하이 레벨에 있다고 결정할 때, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

제2 방식에서, 상기 제4 스프링의 디폴트 레벨은 하이 레벨이다. 상기 제4 스프링은 상기 제3 스프링(GND 스프링)에 인접하고, 상기 제4 스프링에 대응하는 금속 핀과 상기 제3 스프링에 대응하는 금속 핀은 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 제4 스프링과 상기 제3 스프링을 모두 커버하고, 상기 제4 스프링과 상기 제3 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 상기 제4 스프링의 레벨이 상기 제3 스프링에 의해 로우 레벨로 풀다운된다. 상기 제4 스프링이 로우 레벨에 있다고 결정할 때, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은, 상기 제4 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이고, 상기 처리 모듈이 상기 제4 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨을 하이 레벨로 구성하면, 상기 제4 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제4 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하거나; 및/또는 상기 제4 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이고, 상기 처리 모듈이 상기 제4 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨을 로우 레벨로 구성하면, 상기 제4 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제4 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하는 방식으로, 상기 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드인지를 결정할 수 있다.

제1 방식에서, 상기 제4 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이고, 상기 제4 스프링에 인접한 상기 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다. 상기 제4 스프링에 대응하는 금속 핀과 상기 인접한 스프링에 대응하는 금속 핀은 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 제4 스프링과 상기 스프링을 모두 커버하고, 상기 제4 스프링과 상기 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 상기 제4 스프링의 레벨이 상기 스프링에 의해 하이 레벨로 풀업된다. 상기 제4 스프링이 하이 레벨에 있다고 결정할 때, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

제2 방식에서, 상기 제4 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이고, 상기 제4 스프링에 인접한 상기 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 상기 제4 스프링에 대응하는 금속 핀과 상기 인접한 스프링에 대응하는 금속 핀은 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 하나의 금속 핀이 상기 제4 스프링과 상기 스프링을 모두 커버하고, 상기 제4 스프링과 상기 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 상기 제4 스프링의 레벨이 상기 스프링에 의해 로우 레벨로 풀다운된다. 상기 제4 스프링이 하이 레벨에서 로우 레벨로 전환한다고 결정할 때, 상기 처리 모듈은 상기 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

상기 삽입된 카드가 SIM 카드이면, 제1 양태에서 제공된 전자 장치는 상기 SIM 카드가 비정상인지 여부를 판정하기 위해 카드 인터페이스 상의 스프링의 레벨을 추가로 검출할 수 있다. 이하에서는 SIM 카드의 비정상 상태를 검출하기 위한 해결책에 대해 상세하게 설명한다.

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 제1 스프링 이외의 상기 N개의 스프링 중에 있는 첫 번째로 지정된 스프링으로서 상기 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 상기 제2 스프링에 인접한 상기 첫 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨을 로우 레벨로 구성하도록 구성된다.

상기 첫 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨을 구성한 후에, 상기 처리 모듈은 다음의 3가지 방식으로 상기 SIM 카드의 비정상 상태를 검출할 수 있다.

(제1 방식)

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 제1 스프링이 상기 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 상기 제2 스프링에 인접하고, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있고 상기 첫 번째로 지정된 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 제2 스프링과 상기 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 상기 제2 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정하도록 구성된다.

상기 제1 스프링은 로우 레벨에 있고, 상기 첫 번째로 지정된 스프링은 하이 레벨에 있다. 다시 말해, 상기 SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러로 인해, 상기 제2 스프링은 상기 SIM 카드 내의 상기 첫 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고, 상기 제1 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제된다. 이 경우, 상기 제1 스프링은 로우 레벨에 있고, 상기 첫 번째로 지정된 스프링은 하이 레벨에 있다. 상기 처리 모듈은, 상기 제1 스프링의 레벨과 상기 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 제2 스프링과 상기 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 상기 제2 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정할 수 있다.

(제2 방식)

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 제1 스프링이 상기 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 상기 제2 스프링에 인접하고, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있고 상기 첫 번째로 지정된 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 제2 스프링과 상기 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 개방 회로가 발생하고 상기 제2 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정하도록 구성된다.

상기 제1 스프링은 로우 레벨에 있고, 상기 첫 번째로 지정된 스프링은 로우 레벨에 있다. 다시 말해, 상기 SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 상기 제2 스프링은 상기 SIM 카드 내의 상기 첫 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제되고 또한 상기 제1 스프링에 대응하는 상기 금속 핀으로부터 연결 해제되며, 상기 제2 스프링은 상기 SIM 카드 내의 금속 핀들 사이의 절연 갭에 연결된다. 이 경우, 상기 제1 스프링과 상기 첫 번째로 지정된 스프링은 모두 로우 레벨에 있다. 상기 처리 모듈은, 상기 제1 스프링의 레벨과 상기 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 제2 스프링과 상기 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 개방 회로가 발생하고 상기 제2 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정할 수 있다.

상기 처리 모듈은 상기 제1 비정상 상태와 상기 제2 비정상 상태에 대해 대응하는 처리를 수행하여 이상을 교정할 수 있다. 상기 처리 모듈은 상기 제1 스토리지 통신 인터페이스에 전도되도록 상기 파워 인터페이스를 제어하고, 상기 제2 스토리지 통신 인터페이스에 전도되도록 접지 인터페이스를 제어할 수 있다. 상기 제1 스토리지 통신 인터페이스는 상기 제1 스프링에 연결되고, 상기 제2 스토리지 통신 인터페이스는 상기 N개의 스프링 중 상기 제4 스프링에 연결되며, 상기 제4 스프링과 상기 제1 스프링은 상기 카드 인터페이스 상에 대칭적으로 분포된다.

전술한 해결책에 따르면, SIM 카드가 파워 온될 수 있도록, 상기 파워 인터페이스는 상기 카드 인터페이스 상의 상기 제1 스프링의 레벨을 하이 레벨로 변경하기 위해 상기 제1 스토리지 통신 인터페이스에 도전된다. 또한, SIM 카드가 접지될 수 있도록, 상기 접지 인터페이스는 상기 제2 스토리지 상기 카드 인터페이스 상의 상기 제4 스프링의 레벨을 로우 레벨로 변경하기 위해 통신 인터페이스에 도전된다.

(제3 방식)

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 제1 스프링이 상기 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 상기 제2 스프링에 인접하고, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있고 상기 첫 번째로 지정된 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 제2 스프링과 상기 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 상기 제2 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 단락이 발생한다고 결정하도록 구성된다.

상기 제1 스프링은 하이 레벨에 있고, 상기 첫 번째로 지정된 스프링은 하이 레벨에 있다. 다시 말해, 상기 SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 상기 제2 스프링은 상기 SIM 카드에서 상기 첫 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고 또한 상기 제1 스프링에 대응하는 상기 금속 핀에 연결된다. 이 경우, 상기 제1 스프링과 상기 첫 번째로 지정된 스프링은 모두 하이 레벨에 있다. 상기 처리 모듈은, 상기 제1 스프링의 레벨과 상기 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 제2 스프링과 상기 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 상기 제2 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 단락이 발생한다고 결정할 수 있다.

제3 비정상 상태가 전자 장치에서 제거될 수 없다. 이 경우, 상기 처리 모듈은 제1 사용자 프롬프트 정보를 생성할 수 있다. 여기서, 상기 제1 사용자 프롬프트 정보는 상기 SIM 카드가 비정상이라는 것을 사용자에게 통지하는 데 사용된다. 즉, 상기 SIM 카드의 절단 에러가 과도하게 크므로 상기 SIM 카드가 사용될 수 없다는 것이 상기 사용자에게 통지된다.

또한, 상기 SIM 카드가 비정상인지 여부가 상기 제3 스프링(GND 스프링)에 인접한 스프링의 레벨을 검출하여 추가로 결정될 수 있다.

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 제1 스프링 이외의 상기 N개의 스프링 중에 있는 두 번째로 지정된 스프링으로서 상기 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 상기 제3 스프링에 인접한 상기 두 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨을 하이 레벨로 구성하도록 구성된다.

상기 두 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨을 구성한 후에, 상기 처리 모듈은 다음의 3가지 방식으로 상기 SIM 카드의 비정상 상태를 검출할 수 있다.

(제1 방식)

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 제1 스프링이 상기 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 상기 제3 스프링에 인접하고, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있고 상기 두 번째로 지정된 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 제3 스프링과 상기 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 상기 제3 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정하도록 구성된다.

상기 제1 스프링은 하이 레벨에 있고, 상기 두 번째로 지정된 스프링은 로우 레벨에 있다. 다시 말해, 상기 SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 상기 제3 스프링은 상기 SIM 카드 내의 상기 두 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고, 상기 제1 스프링에 대응하는 상기 금속 핀으로부터 연결 해제된다. 이 경우, 상기 제1 스프링은 하이 레벨에 있고, 상기 두 번째로 지정된 스프링은 로우 레벨에 있다. 상기 처리 모듈은, 상기 제1 스프링의 레벨과 상기 두 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 제3 스프링과 상기 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 상기 제3 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정할 수 있다.

(제2 방식)

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 제1 스프링이 상기 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 상기 제3 스프링에 인접하고, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 상기 제1 스프링이 하이 레벨에 있고 상기 두 번째로 지정된 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 제3 스프링과 상기 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 개방 회로가 발생하고 상기 제3 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정하도록 구성된다.

상기 제1 스프링은 하이 레벨에 있고, 상기 두 번째로 지정된 스프링은 하이 레벨에 있다. 다시 말해, 상기 SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 상기 제3 스프링은 상기 SIM 카드 내의 상기 두 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제되고 또한 상기 제1 스프링에 대응하는 상기 금속 핀으로부터 연결 해제되며, 상기 제3 스프링은 상기 SIM 카드 내의 금속 핀들 사이의 절연 갭에 연결된다. 이 경우, 상기 제1 스프링과 상기 두 번째로 지정된 스프링은 모두 하이 레벨에 있다. 상기 처리 모듈은, 상기 제1 스프링의 레벨과 상기 두 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 제3 스프링과 상기 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 개방 회로가 발생하고 상기 제3 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정할 수 있다.

상기 처리 모듈은 제1 비정상 상태와 제2 비정상 상태에 대해 대응하는 처리를 수행하여 이상을 교정할 수 있다. 상기 처리 모듈은 상기 제1 스토리지 통신 인터페이스에 전도되도록 상기 파워 인터페이스를 제어하고, 상기 제2 스토리지 통신 인터페이스에 전도되도록 상기 접지 인터페이스를 제어할 수 있다. 상기 제1 스토리지 통신 인터페이스는 상기 제1 스프링에 연결되고, 상기 제2 스토리지 통신 인터페이스는 상기 N개의 스프링 중 상기 제4 스프링에 연결되며, 상기 제4 스프링과 상기 제1 스프링은 상기 카드 인터페이스 상에 대칭적으로 분포된다.

전술한 해결책에 따르면, 상기 SIM 카드가 파워 온될 수 있도록, 상기 파워 인터페이스는 상기 카드 인터페이스 상의 상기 제1 스프링의 레벨을 하이 레벨로 변경하기 위해 상기 제1 스토리지 통신 인터페이스에 도전된다. 또한, 상기 SIM 카드가 접지될 수 있도록, 상기 접지 인터페이스는 상기 카드 인터페이스 상의 상기 제4 스프링의 레벨을 로우 레벨로 변경하기 위해 상기 제2 스토리지 통신 인터페이스에 도전된다.

(제3 방식)

가능한 설계에서, 상기 처리 모듈은 추가적으로, 상기 제1 스프링이 상기 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 상기 제3 스프링에 인접하고, 상기 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 상기 제1 스프링이 로우 레벨에 있고 상기 두 번째로 지정된 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 상기 처리 모듈이, 상기 제3 스프링과 상기 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 상기 제3 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 단락이 발생한다고 결정하도록 구성된다.

상기 제1 스프링은 로우 레벨에 있고, 상기 두 번째로 지정된 스프링은 로우 레벨에 있다. 다시 말해, 상기 SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 상기 제3 스프링은 상기 SIM 카드 내의 상기 두 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고 또한 상기 제1 스프링에 대응하는 상기 금속 핀에 연결된다. 이 경우, 상기 제1 스프링과 상기 두 번째로 지정된 스프링은 모두 로우 레벨에 있다. 상기 처리 모듈은 상기 제1 스프링의 레벨과 상기 두 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 상기 제3 스프링과 상기 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 상기 제3 스프링과 상기 제1 스프링 사이에서 단락이 발생한다고 결정할 수 있다.

상기 제3 비정상 상태는 상기 전자 장치에서 제거될 수 없다. 이 경우, 상기 처리 모듈은 제2 사용자 프롬프트 정보를 생성할 수 있다. 여기서, 상기 제2 사용자 프롬프트 정보는 상기 SIM 카드가 비정상이라는 것을 상기 사용자에게 통지하는 데 사용된다. 즉, 상기 SIM 카드의 절단 에러가 과도하게 크므로 상기 SIM 카드가 사용될 수 없다는 것이 상기 사용자에게 통지된다.

제2 양태에 따르면, 본 출원의 실시예는 전자 장치를 제공하며, 상기 전자 장치는 카드 인터페이스와 처리 모듈을 포함한다. 상기 카드 인터페이스는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, SIM 카드 또는 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 수 있다. 상기 카드 인터페이스는 N개의 스프링을 포함하고, N>1이며; 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 메모리 카드는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되고; SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결된다.

상기 처리 모듈은, SIM 카드 초기화 절차를 통해, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드에 대해 제1 초기화 작업을 수행하고; 상기 제1 초기화 작업이 성공하면, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제1 초기화 작업이 실패하면, 메모리 카드 초기화 절차를 통해, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 카드에 대해 제2 초기화 작업을 수행하고, 상기 제2 초기화 작업이 성공하면, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 카드가 메모리 카드라고 결정하거나, 또는 상기 제2 초기화 작업이 실패하면, 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입되지 않거나 또는 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 카드가 유효하지 않다고 결정하도록 구성된다.

전술한 해결책에 따르면, 상기 삽입된 카드가 대응하는 초기화 작업을 통해 초기화될 수 있는지 여부를 판정함으로써 상기 삽입된 카드의 유형이 결정될 수 있다.

제3 양태에 따르면, 본 출원의 실시예는 전자 장치를 제공하며, 상기 전자 장치는 카드 인터페이스와 처리 모듈을 포함한다. 상기 카드 인터페이스는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, SIM 카드 또는 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 수 있다. 상기 카드 인터페이스는 N개의 스프링을 포함하고, N>1이며; 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 메모리 카드는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결되고; SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드는 상기 처리 모듈에 전기적으로 연결된다.

상기 처리 모듈은, 메모리 카드 초기화 절차를 통해, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드에 대해 제3 초기화 작업을 수행하고; 상기 제3 초기화 작업이 성공하면, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 카드가 메모리 카드라고 결정하거나; 또는 상기 제3 초기화 작업이 실패하면, SIM 카드 초기화 절차를 통해, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 카드에 대해 제4 초기화 작업을 수행하고, 상기 제4 초기화 작업이 성공하면, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 카드가 SIM 카드라고 결정하거나, 또는 상기 제4 초기화 작업이 실패하면, 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입되지 않았다고 결정하거나 또는 상기 카드 인터페이스에 삽입된 상기 카드가 유효하지 않다고 결정하도록 구성된다.

도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 나노 SIM 카드의 외관의 개략도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 SD 카드의 금속 핀 분포의 제1 개략도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 SD 카드의 금속 핀 분포의 제2 개략도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시예에 따른 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 SD 카드의 금속 핀 분포의 제3 개략도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시예에 따른 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 SD 카드의 금속 핀 분포의 제4 개략도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시예에 따른 나노 SD 카드의 카드 인터페이스의 개략적인 구조도이다.
도 7은 본 출원의 일 실시예에 따른 시스템 아키텍처의 개략적인 구조도이다.
도 8은 본 출원의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 제1 구조도이다.
도 9는 본 출원의 일 실시예에 따른 제1 검출 회로의 개략적인 구조도이다.
도 10은 본 출원의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 제2 구조도이다.
도 11은 본 출원의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 제3 구조도이다.
도 12는 본 출원의 일 실시예에 따른 SIM 카드의 비정상 상태의 제1 개략도이다.
도 13은 본 출원의 일 실시예에 따른 SIM 카드의 비정상 상태의 제2 개략도이다.
도 14는 본 출원의 일 실시예에 따른 SIM 카드의 비정상 상태의 제3 개략도이다.
도 15a와 도 15b는 본 출원의 일 실시예에 따른 처리 모듈에 의해 수행되는 작업의 개략적인 흐름도이다.

본 출원의 실시예에서, 전자 장치의 공간을 절약하기 위해, 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드가 사용된다(설명 편의를 위해, "나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드"를 일부 실시예에서 "나노 메모리 카드"라 하고, 나노 SIM 카드와 나노 메모리 카드는 전자 장치의 나노 SIM 카드 인터페이스를 통해 서로 호환 가능하다. 즉, 나노 SIM 카드는 전자 장치의 나노 SIM 카드 인터페이스에 삽입되어 사용자 식별 기능을 구현할 수 있고, 나노 메모리 카드는 전자 장치의 나노 SIM 카드 인터페이스에 삽입되어 저장 기능을 구현할 수 있다. 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 나노 SIM 카드 또는 나노 메모리 카드라는 것을 식별한 후에, 전자 장치는 나노 SIM 카드에 대응하는 회로 또는 나노 메모리 카드에 대응하는 회로를 스위칭하여 사용자 식별 기능 또는 저장 기능을 구현한다.

본 출원의 일부 실시예에서, 나노 SIM 카드의 외관이 도 1에 도시될 수 있다. 나노 SIM 카드는 6개의 금속 핀(pin)을 포함하고, 각각의 금속 핀은 하나의 신호를 전송하는 데 사용되며, 금속 핀은 절연 갭을 이용하여 서로 분리된다.

SIM 카드의 금속 핀은 접촉 영역이 있고 SIM 카드 상에 전도성 기능을 가진 핀이다.

좌측의 3개의 금속 핀이 3개의 신호, 즉 CLK, RST, 및 VCC를 전송하는 데 사용되고, 우측의 3개의 금속 핀이 3개의 신호, 즉 DAT, VPP, 및 GND를 전송하는 데 사용된다는 것을 유의해야 한다. 좌측의 3개의 금속 핀과 우측의 3개의 금속 핀은 GND를 이용하여 분리된다. 즉, 좌측의 3개의 금속 핀과 우측의 3개의 금속 핀 사이의 영역이 접지된다.

도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 금속 핀의 정의를 표 1에 나타낼 수 있다.

(표 1)

표 1에 나타낸 SIM 카드의 금속 핀 정의에서, CLK는 클럭 신호를 나타낸다. 처리 모듈은 CLK 금속 핀을 이용하여 나노 SIM 카드에 클록 신호를 전송하고, 나노 SIM 카드는 결정된 시간 순서로 클록 신호를 이용하여 작동한다. DAT는 처리 모듈과 나노 SIM 카드 사이에 데이터를 전송하는 데 사용된다. RST는 리셋 신호를 나노 SIM 카드에 전송하기 위해 처리 모듈에 의해 사용된다. VPP는 전자 장치의 전달 전에 테스트 단계에서 사용되어야 하는 금속 핀이다. 전자 장치의 전달 후에, 전자 장치가 근거리 무선 통신(near field communication, NFC) 기능을 가지고 있으면, VPP 금속 핀은 NFC 기능을 구현하는 데 사용될 수 있거나, 또는 전자 장치가 NFC 기능을 가지고 있지 않으면, VPP 금속 핀이 사용되지 않는다. VCC와 GND는 각각 전원과 접지에 연결하는 데 사용된다.

나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드가 설계될 때, 메모리 카드의 금속 핀의 개수와 금속 핀의 정의를 고려할 필요가 있다. 마이크로 SD 카드와 같은 메모리 카드가 예로서 사용되며, 마이크로 SD 카드의 금속 핀의 정의를 표 2에 나타낼 수 있다.

(표 2)

표 2에 나타낸 마이크로 SD 카드의 금속 핀의 정의에서, DAT0, DAT1, DAT2 및 DAT3은 처리 모듈과 마이크로 SD 카드 사이에 데이터를 전송하는 데 사용된다. CMD는 명령 메시지와 응답 메시지를 전송하는 데 사용된다. CLK는 클럭 신호를 나타낸다. 처리 모듈은 CLK를 이용하여 마이크로 SD 카드에 클록 신호를 전송하고, 마이크로 SD 카드는 결정된 시간 순서로 클록 신호를 이용하여 작동한다. VCC와 GND는 각각 전원 및 접지에 연결하는 데 사용된다.

표 2에 나타낸 마이크로 SD 카드의 금속 핀의 정의로부터 알 수 있는 것은, 마이크로 SD 카드의 금속 핀이 나노 SIM 카드의 금속 핀보다 2개 더 많다는 것이다. 따라서, 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 SD 카드(이하 설명을 용이하게 하기 위해, "나노 SD 카드"라 함)를 이용하여 저장 기능을 구현하기 위해, 2개의 금속 핀이 도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 6개의 금속 핀에 추가될 필요가 있다. 본 출원의 일부 실시예에서, 금속 핀 분할 해결책이 사용되는데, 즉 2개의 금속 핀이 나노 SIM 카드의 6개의 금속 핀으로부터 선택되고, 8개의 신호가 나노 SD 카드에서 전송될 수 있도록 각각의 선택된 금속 핀이 2개의 금속 핀으로 분할된다.

본 출원의 일부 실시예에서, 본 출원의 일부 실시예에서, 나노 SD 카드가 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가지고 있지만, 나노 SD 카드의 금속 핀의 정의는 표 2에 나타낸 마이크로 SD 카드의 금속 핀의 정의와 동일하다는 것을 유의해야 한다.

또한, 본 출원의 일부 실시예에서, 나노 SD 카드의 금속 핀의 개수와 나노 SIM 카드의 금속 핀의 개수 사이의 차이를 고려하는 것 외에, 나노 SD 카드 신호와 나노 SIM 카드 신호 사이의 대응관계가 지정되어야 한다. 즉, 카드 인터페이스 상의 스프링의 경우, 나노 SIM 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 스프링은 어떤 유형의 신호가 지정되는지를 전송하는 데 사용되고; 따라서, 나노 SD 카드가 카드 인터페이스에 삽입 될 때, 상기 스프링은 어떤 유형의 신호가 지정되는지를 전송하는 데 사용된다.

예를 들어, 나노 SD 카드 신호와 나노 SIM 카드 신호 사이의 대응 관계가 지정될 때, 다음의 정보가 고려될 수 있다.

1. 각각의 나노 SD 카드 및 나노 SIM 카드의 전력 영역이 1.8V-3.3V이다. 따라서, 2개의 카드는 전력 신호(VCC)의 전력 영역과 접지 신호(GND)의 전력 영역을 공유할 수 있다. 따라서, 나노 SIM 카드가 삽입될 때 VCC 신호를 전송하는 데 사용되는 스프링이 나노 SD 카드가 삽입될 때 나노 SD 카드의 VCC 신호를 전송하는 데에도 사용된다고 지정될 수 있고, 나노 SIM 카드가 삽입될 때 GND 신호를 전송하는 데 사용되는 스프링이 나노 SD 카드가 삽입될 때 나노 SD 카드의 GND 신호를 전송하는 데에도 사용된다. 동일한 전원을 이용하여 전력이 나노 SD 카드와 나노 SIM 카드에 공급된다. 따라서, VCC 신호 또는 GND 신호는 나노 SIM 카드 또는 나노 SD 카드가 카드 인터페이스에 삽입되었는지 여부와 무관하게 스위칭될 필요가 없다.

2. 나노 SD 카드와 나노 SIM 카드의 작동 중에 클록 신호가 기준으로 사용될 필요가 있으므로, 2개의 카드의 클록 신호는 시간 공유를 통해 하나의 스프링을 이용하여 전송될 수 있다. 즉, 나노 SIM 카드가 삽입될 때 CLK 신호를 전송하는 데 사용되는 스프링이 나노 SD 카드가 삽입될 때 나노 SD 카드의 CLK 신호를 전송하는 데에도 사용되도록 지정될 수 있다. 나노 SD 카드와 나노 SIM 카드의 클록 신호가 다르므로, 아날로그 스위치가 2개의 CLK 신호를 스위칭하도록 배치되어야 하는데, 나노 SIM 카드가 삽입될 때 아날로그 스위치가 나노 SIM 카드의 CLK 신호로 스위칭되고, 나노 SD 카드가 삽입될 때 아날로그 스위치가 나노 SD 카드의 CLK 신호로 스위칭된다.

3. 나노 SIM 카드의 DAT 신호가 나노 SD 카드의 DAT1 신호에 대응하고, 아날로그 스위치가 2개의 신호(DAT/DAT1)를 스위칭하도록 배치된다고 지정될 수 있다. 나노 SIM 카드의 RST 신호가 나노 SD 카드의 DAT0 신호에 대응하고, 아날로그 스위치가 2개의 신호(RST/DAT0)를 스위칭하도록 배치된다고 지정될 수 있다. 나노 SIM 카드의 VPP 신호가 나노 SD 카드의 CMD 신호에 대응하고, 전자 장치가 NFC 기능을 가지고 있으면, 아날로그 스위치가 배치되어 2개의 신호(VPP/CMD)를 스위칭할 수 있거나, 또는 전자 장치가 NFC 기능을 가지고 있지 않으면, VPP 신호가 나노 SIM 카드를 사용하는 과정에 관여하지 않으므로 아날로그 스위치가 신호 스위칭을 위해 배치될 필요가 없다고 지정될 수 있다.

4. 또한, 나노 SIM 카드에 대해 금속 핀 분할이 수행된 후 얻어진 2개의 추가적인 금속 핀을 이용하여 나노 SD 카드의 DAT2 신호와 DAT3 신호가 전송될 수 있다. DAT2 신호와 DAT3 신호는 나노 SD 카드에 의해서만 사용되므로, 아날로그 스위치가 신호 전환을 위해 배치될 필요가 없다.

나노 SD 카드 신호와 나노 SIM 카드 신호 사이의 앞에서 설명한 대응관계는 예에 불과하며, 본 출원은 실제 구현에 있어서 전술한 대응관계, 즉 본 출원의 일부 실시예에서의 나노 SD 카드 신호와 나노 SIM 카드 신호 사이의 대응관계에 한정되지 않는다는 것을 유의해야 한다. 물론, 바람직하게는, 나노 SIM 카드의 VCC 신호가 나노 SD 카드의 VCC 신호에 대응하고, 나노 SIM 카드의 GND 신호가 나노 SD 카드의 GND 신호에 대응하는 경우, 구현이 더 용이하다.

전술한 바와 같이, 나노 SD 카드의 DAT2 신호와 DAT3 신호는 나노 SIM 카드에 대해 금속 핀 분할이 수행된 후 얻너진 2개의 추가적인 금속 핀을 이용하여 전송될 수 있다. 따라서, 본 출원의 일부 실시예에서, 분할을 통해 나노 SD 카드의 DAT2 금속 핀과 DAT3 금속 핀을 얻는 방법을 추가로 고려할 필요가 있다. 이하, 전술한 4가지 사례에서 설명된 대응관계를 예로 들어 나노 SD 카드의 금속 핀 분포에 대해 설명한다.

(예 1)

나노 SD 카드의 금속 핀 분포가 도 2에 도시될 수 있다. 도 2로부터 알 수 있는 것은, D2 및 VCC가 도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 VCC 금속 핀의 위치에서 분할을 수행하여 얻어진 2개의 금속 핀이고, D3과 GND가 도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 GND 금속 핀의 위치에서 분할을 수행하여 얻어진 2개의 금속 핀이라는 것이다. 다시 말해, 나노 SD 카드의 D2 금속 핀과 D3 금속 핀은 나노 SIM 카드의 VCC 금속 핀과 GND 금속 핀을 각각 분할하여 얻어질 수 있다. 나노 SD 카드의 DAT2 신호와 DAT3 신호는 분할을 통해 얻어진 추가적인 2개의 금속 핀을 이용하여 전송될 수 있다.

도 1에 도시된 나노 SIM 카드로부터 알 수 있는 것은, 나노 SIM 카드의 VCC 신호가 나노 SD 카드의 VCC 신호에 대응하고, 나노 SIM 카드의 GND 신호가 나노 SD 카드의 GND 신호에 대응하며, 나노 SIM 카드의 CLK 신호가 나노 SD 카드의 CLK 신호에 대응하고, 나노 SIM 카드의 RST 신호가 나노 SD 카드의 DAT0 신호에 대응하며, 나노 SIM 카드의 DAT 신호가 나노 SD 카드의 DAT1 신호에 대응하고, 나노 SIM 카드의 VPP 신호가 나노 SD 카드의 CMD 신호에 대응한다는 것이다.

(예 2)

나노 SD 카드의 금속 핀 분포가 도 3에 도시될 수 있다. 도 3으로부터 알 수 있는 것은, D2와 CLK가 도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 CLK 금속 핀의 위치에서 분할을 수행하여 얻어진 2개의 금속 핀이고, D3과 DAT1은 도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 DAT 금속 핀의 위치에서 분할을 수행하여 얻어진 2개의 금속 핀이라는 것이다. 다시 말해, 나노 SD 카드의 D2 금속 핀과 D3 금속 핀은 나노 SIM 카드의 CLK 금속 핀과 DAT 금속 핀을 각각 분할하여 얻어질 수 있다. 나노 SD 카드의 DAT2 신호와 DAT3 신호는 분할을 통해 얻어진 추가적인 2개의 금속 핀을 이용하여 전송될 수 있다.

(예 3)

나노 SD 카드의 금속 핀 분포가 도 4에 도시될 수 있다. 도 4로부터 알 수 있는 것은, D2와 D0이 도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 RST 금속 핀의 위치에서 분할을 수행하여 얻어진 2개의 금속 핀이고, D3과 CMD가 도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 VPP 금속 핀의 위치에서 분할을 수행하여 얻어진 2개의 금속 핀이라는 것이다. 즉, 나노 SD 카드의 D2 금속 핀과 D3 금속 핀은 나노 SIM 카드의 RST 금속 핀과 VPP 금속 핀을 각각 분할하여 얻어질 수 있다. 나노 SD 카드의 DAT2 신호와 DAT3 신호는 분할을 통해 얻어진 추가적인 2개의 금속 핀을 이용하여 전송될 수 있다.

(예 4)

나노 SD 카드의 금속 핀 분포가 도 5에 도시될 수 있다. 도 5로부터 알 수 있는 것은, D2와 VCC가 도 2에 도시된 나노 SIM 카드의 VCC 금속 핀의 위치에서 분할을 수행하여 얻어진 2개의 금속 핀이고, D3과 GND가 도 1에 도시된 나노 SIM 카드의 GND 금속 핀의 위치에서 분할을 수행하여 얻어진 2개의 금속 핀이라는 것이다. 다시 말해, 나노 SD 카드의 D2 금속 핀과 D3 금속 핀은 나노 SIM 카드의 VCC 금속 핀과 GND 금속 핀을 각각 분할하여 얻어질 수 있다. 나노 SD 카드의 DAT2 신호와 DAT3 신호는 분할을 통해 얻어진 추가적인 2개의 금속 핀을 이용하여 전송될 수 있다.

도 5에 도시된 금속 핀 분포와 도 2에 도시된 금속 핀 분포의 차이점은, D2 금속 핀과 VCC 금속 핀 사이의 위치 관계가 바뀌고 또한 D3 금속 핀과 GND 금속 핀 사이의 위치 관계가 바뀐다는 점이다.

전술한 4가지 유형의 금속 핀 분포는 예에 불과하다. 실제 구현에서, 나노 SIM 카드의 2개의 금속 핀만이 분할될 필요가 있고, 분할을 통해 얻어진 2개의 금속 핀은 나노 SD 카드의 DAT2 신호와 DAT3 신호를 전송하는 데 사용된다.

본 출원의 일부 실시예에서, 나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드가 저장 기능을 구현하는 데 사용될 때, 메모리 카드의 유형이 전술한 예에서의 SD 카드에 한정되지 않는다는 것을 유의해야 한다. 본 출원의 일부 실시예에서, 메모리 카드는 대안적으로, 범용 직렬 버스(universal serial bus, USB), PCIE(Peripheral Component Interconnect Express), 범용 플래쉬 스토리지(universal flash storage, UFS), 멀티미디어 카드(multimedia card, MMC), 또는 임베디드 멀티미디어 카드(embedded multimedia card, EMMC)와 같은 인터페이스 프로코콜에 기반한 메모리 카드일 수 있다.

서로 다른 인터페이스 프로토콜의 메모리 카드가 사용될 때, 메모리 카드의 금속 핀의 개수와 금속 핀의 정의가 SD 카드의 금속 핀의 개수와 금속 핀의 정의와 다를 수 있다. 따라서, 본 출원의 일부 실시예의 구현 과정에서, 금속 핀 분할 및 금속 핀 신호들 간의 대응관계를 분석하기 위한 전술한 방법 및 금속 핀의 실제 개수와 금속 핀의 정의를 참조하여 서로 다른 구성이 수행될 수 있다. 본 출원의 일부 실시예에서, SD 카드만이 설명을 위한 예로 사용된다.

나노 SD 카드의 금속 핀 분포가 결정된 후에, 나노 SD 카드의 금속 핀 분포에 기초하여 나노 SD 카드의 카드 인터페이스가 추가로 설계될 필요가 있다. 예 1에서의 나노 SD 카드의 금속 핀 분포가 예로 사용되고, 금속 핀 분포에 대응하는 나노 SD 카드의 카드 인터페이스가 도 6에 도시될 수 있다(도 6에는 저면도가 사용되지만, 아래의 도 1 내지 도 5 및 도 12 내지 도 14에서는 평면도가 사용된다는 것을 유의해야 한다). 도 6은 나노 SD 카드의 핀이 카드 인터페이스에 연결된 도면이다. 도 6에 도시된 카드 인터페이스는 8개의 금속 스프링을 포함하고, 8개의 금속 스프링은 나노 SD 카드의 8개의 신호를 전송하도록 분포된다. SIM 카드가 도 6에 도시된 카드 인터페이스에 삽입될 때, SIM 카드 내의 전원에 연결하는 데 사용되는 VCC 금속 핀이 2개의 금속 스프링(D2 및 VCC)을 커버하므로, 2개의 금속 스프링(D2와 VCC) 사이에서 단락이 발생한다. 즉, 2개의 금속 스프링(D2 및 VCC)은 각각 하이 레벨에 있다. 유사하게, SIM 카드가 도 6에 도시된 카드 인터페이스에 삽입될 때, SIM 카드에서 접지에 사용되는 GND 금속 핀이 2개의 금속 스프링(D3과 GND)을 커버하므로, 2개의 금속 스프링(D3과 GND) 사이에서 단락이 발생한다. 즉, 2개의 금속 스프링(D3과 GND)은 각각 로우 레벨에 있다. 이 경우, 6개의 금속 스프링이 6개의 나노 SIM 카드 신호를 전송하도록 분포된다.

또한, 2개의 스프링이 서로 인접한다는 개념이 본 출원의 일부 실시예에 포함된다. 본 출원의 일부 실시예에서, 2개의 스프링이 서로 인접한다는 것은, 2개의 스프링이 카드 인터페이스의 동일한 면에 위치하고 또한 2개의 스프링이 단 하나의 절연 갭을 이용하여 분리된다는 것을 의미한다. 예를 들어, 도 6에서, VCC 스프링, D2 스프링, D0 스프링, 및 CLK 스프링은 카드 인터페이스의 동일한 면에 위치한다. VCC 스프링은 D2 스프링에 인접하고, D2 스프링은 D0 스프링에 인접하며, D0 스프링은 CLK 스프링에 인접한다. GND 스프링, D3 스프링, CMD 스프링, 및 D1 스프링은 VCC 스프링과 카드 인터페이스의 동일한 면에 있지 않으므로, GND 스프링, D3 스프링, CMD 스프링, 및 D1 스프링은 VCC 스프링에 인접하지 않는다.

나노 SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드 및 나노 SIM 카드 인터페이스와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드 인터페이스를 이용하여 저장 기능이 구현되는 설계 해결책의 전술한 설명에 기초하여, 본 출원의 일부 실시예에서의 시스템 아키텍처가 도 7에 도시될 수 있다.

도 7에서, 나노 SD 카드 신호와 나노 SIM 카드 신호 사이의 대응관계가 전술한 예의 대응관계와 동일하다. 즉, 나노 SIM 카드의 VCC 신호가 나노 SD 카드의 VCC 신호에 대응하고, 나노 SIM 카드의 GND 신호가 나노 SD 카드의 GND 신호에 대응하며, 나노 SIM 카드의 CLK 신호가 나노 SD 카드의 CLK 신호에 대응하고, 나노 SIM 카드의 RST 신호가 나노 SD 카드의 DAT0 신호에 대응하며, 나노 SIM 카드의 DAT 신호가 나노 SD 카드의 DAT1 신호에 대응하고, 나노 SIM 카드의 VPP 신호가 나노 SD 카드의 CMD 신호에 대응한다.

이 시스템의 처리 모듈이 3개의 스위치를 포함한다. 제1 스위치의 일단이 카드 인터페이스 상의 SIM_DATA/SD_DATA1에 연결되고, 타단이 스위칭 방식으로 처리 모듈의 SD_DATA1 인터페이스와 SIM_DATA 인터페이스에 연결된다. 제2 스위치의 일단이 카드 인터페이스의 SIM_RST/SD_DATA0에 연결되고, 타단이 스위칭 방식으로 처리 모듈의 SD_DATA0 인터페이스와 SIM_RST 인터페이스에 연결된다. 제3 스위치의 일단이 카드 인터페이스 상의 SIM_CLK/SD_CLK에 연결되고, 타단이 스위칭 방식으로 처리 모듈의 SD_CLK 인터페이스와 SIM_CLK 인터페이스에 연결된다. SIM 칩이 카드 인터페이스에 삽입될 때, 3개의 스위치가 각각 SIM IO 내의 인터페이스에 연결되어 사용자 식별 기능을 구현한다. SD 칩이 카드 인터페이스에 삽입될 때, 3개의 스위치가 SD IO 내의 인터페이스에 각각 연결되어 저장 기능을 구현한다.

또한, 전자 장치는 NFC 모듈을 더 포함할 수 있다. NFC 모듈은 스위치를 이용하여 카드 인터페이스 상의 SIM_VPP/SD_CMD 스프링에 연결된다. SIM 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, 스위치는 NFC 모듈로 스위칭되고, 전자 장치는 NFC 기능을 구현할 수 있다. SD 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, 스위치는 처리 모듈 내의 SD_CMD 인터페이스로 스위칭되고, 전자 장치는 저장 기능을 구현할 수 있다.

이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 출원의 일부 실시예에 대해 상세하게 설명한다.

본 출원의 일부 실시예에서, "복수"는 둘 이상을 의미한다는 것을 유의해야 한다. 또한, 본 출원의 설명에서, "제1" 및 "제2"와 같은 용어는 단지 구별과 설명을 위해 사용되지만, 상대적 중요성을 표시하거나 또는 암시하는 것으로 이해될 수 없으며, 순서를 표시하거나 암시한다고 이해될 수 없다고 이해해야 한다.

본 출원의 일부 실시예는 전자 장치를 제공한다. 전자 장치는, SIM 카드와 동일한 외관 크기를 가진 메모리 카드가 저장 기능을 구현하기 위해 사용되어 전자 장치의 공간을 절약할 때, 전자 장치의 카드 인터페이스에 삽입된 카드의 유형을 식별하도록 구성된다. 전자 장치는 스마트폰, 스마트 워치, 태블릿 컴퓨터, 가상 현실(virtual reality, VR) 장치, 증강 현실(augmented reality, AR) 장치, 개인용 컴퓨터, 핸드헬드 컴퓨터, 및 개인용 정보 단말기(personal digital assistant)를 포함하지만 이에 제한되지 않는다.

도 8은 본 출원의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 구조도이다. 도 8의 전자 장치(800)는 카드 인터페이스(801)와 처리 모듈(802)을 포함한다.

카드 인터페이스(801)는 N개의 스프링을 포함하고, N>1이며; 메모리 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, 메모리 카드는 처리 모듈(802)에 전기적으로 연결되고; SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드는 처리 모듈(802)에 전기적으로 연결되고, SIM 카드의 하나의 금속 핀이 N개의 스프링 중 제1 스프링 및 제1 스프링에 인접한 하나의 스프링에 전기적으로 연결된다.

처리 모듈(802)은 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여, 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하도록 구성된다.

처리 모듈(802)은 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여, 삽입된 카드의 유형을 결정할 수 있다. 다시 말해, 처리 모듈(802)은 다른 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드의 유형을 대안적으로 결정할 수 있다. 다른 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드의 유형을 결정하는 방식이 이후에 설명되며, 본 명세서에서는 세부 사항에 대해 설명하지 않는다.

예를 들어, 도 8에 도시된 전자 장치(800)에서, 카드 인터페이스(801)는 나노 SIM 카드 인터페이스일 수 있고, 카드 인터페이스(801)에 삽입된 SIM 카드는 나노 SIM 카드일 수 있으며, 카드 인터페이스(801)에 삽입된 메모리 카드는 나노 메모리 카드(예를 들어, 나노 SIM 카드와 동일한 외관을 가진 SD 카드)일 수 있다. 카드 인터페이스(801)의 N개의 스프링은 처리 모듈(802)에 전기적으로 연결된다. 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, 카드의 금속 핀은 카드 인터페이스의 N개의 스프링에 전기적으로 연결되고, 카드는 카드 인터페이스의 N개의 스프링을 이용하여 처리 모듈(802)에 전기적으로 연결된다.

본 출원의 본 실시예에서, 처리 모듈(802)은 시스템 온 칩(system on chip, SOC), 중앙 처리 장치(central processing unit, CPU), 진보된 RISC 머신(advanced RISC machine, ARM) 프로세서, 필드 프로그래머블 게이트 어레이(field programmable gate array), 또는 전용 프로세서와 같은 컴퓨팅 처리 능력을 가진 장치일 수 있다.

예를 들어, 카드 인터페이스(801)에 삽입된 메모리 카드가 SD 카드이면, N=8이다.

본 출원의 본 실시예에서, SIM 카드가 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀이 N개 스프링 중 제1 스프링 및 제1 스프링에 인접한 스프링에 전기적으로 연결된다. 이 경우, 제1 스프링과 제1 스프링에 인접한 스프링 사이에서 단락이 발생한다. 다시 말해, SIM 카드의 금속 핀과 메모리 카드의 금속 핀이 다르게 분포되므로, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때 전송되는 신호의 개수는 메모리 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때 전송되는 신호의 개수보다 작다. 동일한 카드 인터페이스(801)로 하여금 SIM 카드 신호와 메모리 카드 신호를 모두 전송하는데 사용될 수 있게 하기 위해, SIM 카드 신호가 전송될 때, SIM 카드의 동일한 금속 핀에 의해 스프링과 이 스프링에 인접한 스프링이 동일하게 커버되는 경우가 불가피하게 발생한다. 예를 들어, 도 6에서, SIM 카드 신호가 전송될 때, SIM 카드 내의 전원에 연결하는 데 사용되는 VCC 금속 핀이 2개의 금속 스프링(D2 및 VCC)을 커버하고, SIM 카드 내의 접지에 사용되는 GND 금속 핀이 2개의 금속 스프링(D3 및 GND)을 커버한다. 이 경우, 인접한 VCC 스프링과 카드 인터페이스(801) 상의 D2 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 카드 인터페이스(801) 상의 D3 스프링과 인접한 GND 스프링 사이에서 단락이 발생한다. 이 예에서, D2 스프링과 D3 스프링은 각각 제1 스프링으로 간주될 수 있다.

본 출원의 본 실시예에서, 제1 스프링은 전자 장치(800) 내의 스토리지 통신 인터페이스에만 연결되는 스프링이다. 예를 들어, 도 7의 SD_DATA2 스프링과 SD_DATA3 스프링은 각각 제1 스프링으로 간주될 수 있지만, SIM_DATA/SD_DATA1 스프링, SIM_RST/SD_DATA0 스프링, 및 SIM_CLK/SD_CLK 스프링 중 어느 것도 제1 스프링으로 간주되지 않는다.

전자 장치(800)에서, 처리 모듈(802)은 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드(SIM 카드 또는 메모리 카드)의 유형을 결정하고, 처리 모듈(802)은 제1 스프링의 레벨을 검출하도록 구성된 제1 검출 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 검출 회로는 공통 GPIO 회로일 수 있다. 즉, 제1 검출 회로는 제1 PMOS, 제1 NMOS, 및 제1 수집 회로를 포함한다. 제1 PMOS의 게이트가 제1 NMOS의 게이트에 연결되고, 제1 PMOS의 드레인이 제1 NMOS의 소스에 연결되며, 제1 PMOS의 소스가 전원에 연결되고, 제1 NMOS가 접지된다. 제1 PMOS의 게이트와 제 1 NMOS의 게이트는 모두 제1 스프링에 연결된다. 제1 수집 회로의 입력단이 제1 스프링에 연결되고, 제1 수집 회로의 출력단이 처리 모듈(802)에 연결되며, 제1 검출 회로에 대해 입력 상태가 구성된다.

예를 들어, 제1 검출 회로의 구조가 도 9에 도시될 수 있다. 도 9에서, 전원의 양극에 소스가 연결된 MOS가 제1 PMOS로 간주될 수 있고, 드레인이 접지된 MOS가 제1 NMOS로 간주될 수 있다. 제1 PMOS의 게이트는 제1 NMOS의 게이트에 연결되고, 제1 스프링에 연결된다. 제1 수집 회로의 입력단이 제1 스프링에 연결되고, 출력단이 제어 유닛에 연결된다.

제어 유닛은 제1 검출 회로의 검출 결과에 기초하여, 카드 인터페이스(801)에 삽입된 카드의 유형을 결정함으로써, 전자 장치(800) 내의 관련 스위치의 스위칭 작업을 제어할 수 있다.

입력 상태 또는 출력 상태가 GPIO 회로에 대해 구성될 수 있다는 것을 유의해야 한다. 입력 상태가 GPIO 회로에 대해 구성될 때, GPIO 회로는 회로에 입력된 신호의 레벨을 검출하도록 구성될 수 있고, GPIO 회로의 입력 임피던스가 비교적 크다(10 kΩ의 크기 정도). 출력 상태가 GPIO 회로에 대해 구성될 때, GPIO 회로는 회로에 필요한 레벨을 구성하도록 구성될 수 있고, GPIO 회로의 입력 임피던스가 비교적 작다(100 Ω의 크기 정도). 본 출원의 본 실시예에서, 제1 검출 회로는 제1 스프링의 레벨을 검출하도록 구성되므로, 제1 검출 회로에 대해 입력 상태가 구성될 수 있다.

또한, GPIO 회로는 풀업 회로(pull-up circuit) 또는 풀다운 회로(pull-down circuit)로 구성될 수 있다. GPIO 회로가 풀업 회로로 구성될 때, GPIO 회로 내의 PMOS의 게이트와 NMOS의 게이트의 연결점의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다. GPIO 회로가 풀다운 회로로 구성될 때, GPIO 회로 내의 PMOS의 게이트와 NMOS의 게이트의 연결점의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 본 출원의 본 실시예에서, 제1 검출 회로가 풀업 회로로 구성되는지 또는 풀다운 회로로 구성되는지 여부가 서로 다른 시나리오에 기초하여 지정될 수 있다.

본 출원의 본 실시예에서, 처리 모듈(802)이 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드의 유형을 결정할 때, 처리 모듈(802)이 결정하기 위한 원리가 다음과 같을 수 있다. SIM 카드가 삽입될 때, SIM 카드의 금속 핀이 제1 스프링 및 제1 스프링에 인접한 스프링에 전기적으로 연결되고, 그러므로 제1 스프링 및 인접한 스프링 사이에서 단락이 발생한다. 이 단락 현상으로 인해 제1 스프링의 레벨이 제1 스프링의 디폴트 레벨과 달라진다(예를 들어, 이는 제1 검출 회로를 풀업 회로 또는 풀다운 회로로 구성하여 구현될 수 있다). 처리 모듈(802)이 제1 스프링의 레벨이 디폴트 레벨이라고 결정하면, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정할 수 있다. 처리 모듈(802)이 제1 스프링의 레벨이 디폴트 레벨이 아니라고 결정하면, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수있다.

예를 들어, 제1 검출 회로는 풀다운 회로로 설정되고, 제1 스프링에 인접한 스프링은 VCC 스프링이다. 이 경우, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, 제1 스프링과 VCC 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 제1 스프링의 레벨은 풀다운 회로에 의해 구성된 로우 레벨에서 하이 레벨로 풀업된다. 제1 스프링의 하이 레벨을 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

다른 예를 들면, 제1 검출 회로는 풀업 회로로 설정되고, 제1 스프링에 인접한 스프링은 GND 스프링이다. 이 경우, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, 제1 스프링과 GND 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 제1 스프링의 레벨은 풀업 회로에 의해 구성된 하이 레벨에서 로우 레벨로 풀다운된다. 제1 스프링의 로우 레벨을 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

전술한 바와 같이, 본 출원의 본 실시예에서의 SIM 카드는 나노 SIM 카드 (즉, M=6)일 수 있고, 메모리 카드는 SD 카드(즉, N=8)일 수 있다. 이 경우, 전자 장치(800)는 파워 인터페이스, 3개의 아날로그 스위치, 및 처리 모듈(802)에 연결된 6개의 스토리지 통신 인터페이스와 3개의 SIM 통신 인터페이스를 더 포함할 수 있다.

파워 인터페이스는 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 제2 스프링에 전기적으로 연결되고; 3개의 아날로그 스위치의 제1 단부가 N개의 스프링 중 3개에 각각 연결되고, 3개의 아날로그 스위치의 제2 단부가 스위칭 작업을 통해 6개의 스토리지 통신 인터페이스 중 3개에 각각 연결되거나 또는 스위칭 작업을 통해 3개의 SIM 통신 인터페이스에 각각 연결되며; 3개의 스토리지 통신 인터페이스 이외의 6개의 스토리지 통신 인터페이스 중에서, 제1 스토리지 통신 인터페이스가 제1 스프링에 연결되고, 제2 스토리지 통신 인터페이스가 N개의 스프링 중 제4 스프링에 연결되며, 제3 스토리지 통신 인터페이스가 N개의 스프링 중 제5 스프링에 연결된다.

또한, 전자 장치(800)는 접지 인터페이스를 더 포함할 수 있고, 접지 인터페이스는 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 제3 스프링에 전기적으로 연결된다.

다시 말해, 6개의 스토리지 통신 인터페이스, 파워 인터페이스, 및 접지 인터페이스가 카드 인터페이스(801) 상에서 8개의 스프링과 개별적으로 통신하게 연결될 때, 전자 장치(800)는 저장 기능을 구현할 수 있다. 3개의 스토리지 통신 인터페이스, 파워 인터페이스, 및 접지 인터페이스가 카드 인터페이스(801) 상에서 5개의 스프링에 개별적으로 통신하게 연결될 때, 전자 장치(800)는 사용자 식별 기능을 구현할 수 있다.

또한, 전자 장치(800)가 카드가 삽입되는 것을 검출할 때, 카드가 파워 온(power on)될 수 있도록 파워 인터페이스는 전압을 제공하고, 처리 모듈(802)은 제1 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드의 유형을 결정한다.

전자 장치(800)의 구성의 전술한 설명을 참조하면, 전자 장치(800)의 가능한 구조가 도 10에 도시될 수 있다.

도 10에서, 카드 인터페이스는 8개의 스프링을 포함하고, 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때 제1 검출 회로는 제1 스프링에 연결되어 제1 스프링의 레벨을 검출한다. 처리 모듈은 제어 유닛, SD IO, SIM IO, 파워 인터페이스, 및 접지 인터페이스를 포함한다. 파워 인터페이스는 제2 스프링에 연결되고, 접지 인터페이스는 제3 스프링에 연결된다. 처리 모듈은 제어 유닛에 연결되고, 제어 유닛은 3개의 아날로그 스위치의 스위칭 작업을 제어하도록 구성될 수 있다. 처리 모듈(802)은 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하도록 구성된다. SD IO는 6개의 스토리지 통신 인터페이스를 포함하고, SIM IO는 3개의 SIM 통신 인터페이스를 포함하며, 3개의 아날로그 스위치의 제1 단부는 N개의 스프링 중 3개에 각각 연결되고, 3개의 아날로그 스위치의 제2 단부는 스위칭 동작을 통해 6개의 스토리지 통신 인터페이스 중 3개에 각각 연결거나 또는 스위칭 동작을 통해 3개의 SIM 통신 인터페이스에 각각 연결된다.

도 10에서, 메모리 카드가 삽입될 때, 카드 인터페이스는 8개의 스프링을 이용하여 처리 모듈과 메모리 카드 사이의 통신을 구현하도록 구성되고, SIM 카드가 삽입될 때, 카드 인터페이스는 제2 스프링, 제3 스프링, ?? 3개의 스프링을 이용하여 처리 모듈(802)와 SIM 카드 사이의 통신을 구현하도록 구성된다. SIM 카드가 삽입될 때, 제1 스프링에 인접한 스프링과 제1 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 제4 스프링에 인접한 스프링과 제4 스프링 사이에서 단락이 발생한다. 다시 말해, 카드 인터페이스 상에 분포되고 제1 스프링에 인접한 스프링과 제1 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 제4 스프링과 카드 인터페이스 상에 분포된 스프링 사이에서 단락이 발생한다.

또한, 전자 장치가 NFC 기능을 가질 때, 전자 장치는 NFC 모듈과 NFC 아날로그 스위치를 더 포함할 수 있다. NFC 아날로그 스위치의 제1 단부가 제5 스프링에 연결되고, NFC 아날로그 스위치의 제2 단부가 스위칭 작업을 통해 제3 스토리지 통신 인터페이스에 연결되거나 또는 스위칭 작업을 통해 NFC 모듈에 연결된다. NFC 모듈이 NFC 아날로그 스위치에 연결될 때, NFC 모듈은 NFC 기능을 구현하도록 구성된다.

전술한 구현에서, 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 3개의 SIM 통신 인터페이스에 각각 연결되도록 3개의 아날로그 스위치의 제2 단부를 추가로 제어할 수 있고; 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 3개의 스토리지 통신 인터페이스에 각각 연결되도록 3개의 아날로그 스위치의 제2 단부를 추가로 제어할 수 있다.

처리 모듈(802)은 처리 모듈(802) 내의 제어 유닛을 이용하여 3개의 아날로그 스위치의 스위칭을 제어할 수 있다.

유사하게, 전자 장치가 NFC 기능을 가지고 있으면, 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 NFC 모듈에 연결되도록 NFC 아날로그 스위치의 제2 단부를 추가로 제어할 수 있고; 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정될 때, 처리 모듈(802)은 제3 스토리지 통신 인터페이스에 연결되도록 NFC 아날로그 스위치의 제2 단부를 추가로 제어할 수 있다.

전술한 해결책에 따르면, 삽입된 카드의 유형이 식별된 후에, 이 카드는 처리 모듈(802)에 통신 가능하게 연결되어 대응하는 기능을 구현할 수 있다.

이하에서는, 처리 모듈(802)이 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하는 구현에 대해 설명한다.

(방식 1)

제1 스프링이 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 제2 스프링에 인접하고, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면(예를 들어, 제1 검출 회로가 풀다운 회로로 구성되면), 제1 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제1 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다.

제1 스프링이 제2 스프링에 인접한 경우의 의미에 대해서는 전술한 설명을 참조하라. 즉, 제1 스프링과 제2 스프링은 카드 인터페이스의 동일한 면에 위치하고, 제1 스프링과 제2 스프링은 단 하나의 절연 갭을 이용하여 분리된다. 여기서는 세부사항에 대해 다시 설명하지 않는다.

방식 1에서, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 제1 스프링은 제2 스프링(VCC 스프링)에 인접하고, 제1 스프링에 대응하는 금속 핀과 제2 스프링에 대응하는 금속 핀은 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀이 제1 스프링과 제2 스프링을 모두 커버하고, 제1 스프링과 제2 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제1 스프링의 레벨이 제2 스프링에 의해 하이 레벨로 풀업된다. 제1 스프링이 하이 레벨에 있다고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

(방식 2)

제1 스프링이 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 제3 스프링에 인접하고 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면(예를 들어, 제1 검출 회로는 풀업 회로로 구성되면), 제1 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제1 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다.

방식 2에서, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다. 제1 스프링은 제3 스프링(GND 스프링)에 인접하고, 제1 스프링에 대응하는 금속 핀과 제3 스프링에 대응하는 금속 핀이 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀은 제1 스프링과 제3 스프링을 모두 커버하고, 제1 스프링과 제3 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제1 스프링의 레벨이 제3 스프링에 의해 로우 레벨로 풀다운된다. 제1 스프링이 로우 레벨에 있다고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

전술한 방식 1과 방식 2는 제1 스프링이 제2 스프링(VCC 스프링)에 인접하거나 또는 제3 스프링(GND 스프링)에 인접한 경우에 삽입된 카드의 유형을 식별하기 위한 해결책이다. 카드 인터페이스의 스프링 분포에서, 제1 스프링이 제2 스프링(VCC 스프링) 또는 제3 스프링(GND 스프링)에 인접하지 않으면(예를 들어, 도 3에 도시된 금속 핀 분포에서, 제1 스프링이 D2 금속 핀에 대응하는 스프링이면, 제1 스프링이 제2 스프링 또는 제3 스프링에 인접하지 않음), 본 출원의 본 실시예에서, 제1 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨이 제1 스프링의 레벨을 검출하도록 구성됨으로써, 처리 모듈(802)이 삽입된 카드의 유형을 결정하도록 도울 필요가 있다.

예를 들어, 제2 검출 회로는 제1 스프링에 인접한 스프링에 대해 구성되어 스프링의 디폴트 레벨을 구성할 수 있다. 제2 검출 회로는 제1 스프링, 제2 스프링, 및 제3 스프링 이외의 N개의 스프링 중에 있는 스프링으로서 제1 스프링에 인접한 스프링에 연결되고, 제2 검출 회로에 대해 출력 상태가 구성된다.

제2 검출 회로는 GPIO 회로일 수도 있다. 제2 검출 회로의 구조에 대해서는 도 6에 도시된 제1 검출 회로를 참조하라. 전술한 바와 같이, GPIO 회로에 대해 입력 상태 또는 출력 상태가 구성될 수 있다. GPIO 회로에 대해 출력 상태가 구성될 때, GPIO 회로는 회로에 필요한 레벨을 구성하도록 구성될 수 있다. 따라서, 본 출원의 본 실시예에서, 제2 검출 회로에 대해 출력 상태가 구성된다.

본 출원의 본 실시예에서 제공되는 전자 장치에서, 위의 제1 검출 회로와 제2 검출 회로, 그리고 제3 검출 회로, 제4 검출 회로, 제5 검출 회로, 및 아래의 제6 검출 회로와 같은 복수의 검출 회로가 구성될 수 있다. 검출 회로가 스프링의 레벨을 검출하거나 스프링의 디폴트 레벨을 구성할 수 있으면, 본 출원의 본 실시예에서는 이러한 검출 회로의 구현 형태를 한정하지 않는다. 또한, 이러한 검출 회로는 처리 모듈(802)의 일부로 간주될 수 있거나, 또는 처리 모듈(802)과 독립적인 회로로 간주될 수 있다.

처리 모듈(802)이 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하는 구체적인 구현을 다음의 방식 3과 방식 4로 나타낼 수 있다

(방식 3)

제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨에 있고, 처리 모듈(802)이 제1 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨을 하이 레벨로 구성하면(예를 들어, 제2 검출 회로가 풀업 회로로 구성되면), 제1 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제1 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다.

방식 3에서, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이고, 제1 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다. 제1 스프링에 대응하는 금속 핀과 인접한 스프링에 대응하는 금속 핀이 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 그러므로, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀이 제1 스프링과 스프링을 모두 커버하고, 제1 스프링과 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제1 스프링의 레벨은 스프링에 의해 하이 레벨로 풀업된다. 제1 스프링이 하이 레벨이라고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

(방식 4)

제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이고, 처리 모듈(802)이 제1 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨을 로우 레벨로 구성하면(예를 들어, 제2 검출 회로가 풀다운 회로로 구성되면), 제1 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제1 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다.

방식 4에서, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이고, 제1 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 제1 스프링에 대응하는 금속 핀과 인접한 스프링에 대응하는 금속 핀이 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 그러므로, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀이 제1 스프링과 스프링을 모두 커버하고, 제1 스프링과 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제1 스프링의 레벨이 스프링에 의해 로우 레벨로 풀다운된다. 제1 스프링이 로우 레벨에 있다고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

전술한 4가지 방식에 대해, 이하에서는 처리 모듈(802)이 카드 인터페이스에 삽입된 카드의 유형을 결정하는 예를 제공한다.

메모리 카드의 금속 핀 분포가 도 5에 도시되어 있고, 시스템 아키텍처가 도 10에 도시되어 있다고 가정한다. 이 경우, 제1 스프링이 D2 금속 핀에 대응하는 스프링이면, 표 3은 SIM 카드와 메모리 카드가 카드 인터페이스에 개별적으로 삽입될 때 처리 모듈에 의해 식별되는 상태를 나타낼 수 있다.

(표 3)

제1 스프링이 D3 금속 핀에 대응하는 스프링이면, 표 4는 SIM 카드와 메모리 카드가 카드 인터페이스에 개별적으로 삽입될 때 처리 모듈(802)에 의해 식별되는 상태를 나타낼 수 있다.

(표 4)

메모리 카드의 금속 핀 분포가 도 3에 도시되어 있고, 시스템 아키텍처가 도 10에 도시되어 있다고 가정한다. 제1 스프링이 D2 금속 핀에 대응하는 스프링이면, 제2 검출 회로는 CLK 금속 핀에 대응하는 스프링 상에 배치될 수 있다. 이 경우, SIM 카드와 메모리 카드가 제1 검출 회로와 제2 검출 회로의 상이한 구성으로 카드 인터페이스에 개별적으로 삽입될 때, 표 5는 처리 모듈(802)에 의해 식별되는 상태를 나타낼 수 있다.

(표 5)

전술한 바와 같이, 처리 모듈(802)은 제1 스프링의 레벨 또는 다른 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드의 유형을 결정할 수 있다. 따라서, 본 출원의 본 실시예에서, 제1 스프링의 레벨을 검출하는 것 외에, 적어도 하나의 스프링 중 제4 스프링의 레벨이 추가로 검출될 수 있다.

예를 들어, 제4 스프링의 레벨은 제3 검출 회로를 이용하여 검출될 수 있다. 제3 검출 회로는 제4 스프링에 연결되고, 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때 제4 스프링의 레벨을 검출하도록 구성된다. 이 경우, 처리 모듈(802)은 제4 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정할 수 있다.

제3 검출 회로는 GPIO 회로일 수도 있다. 제3 검출 회로의 구조에 대해서는 도 9에 도시된 제1 검출 회로를 참조하라.

전자 장치(800)가 제3 검출 회로를 포함하는 경우, 도 10에 도시된 전자 장치(800)의 구조가 도 11에 도시될 수 있다.

제3 검출 회로가 배치되고, 처리 모듈(802)이 카드 유형을 더 정확하게 결정할 수 있도록, 처리 모듈(802)은 제4 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드의 유형을 결정할 수 있다.

본 출원의 본 실시예에서, SIM 카드가 삽입될 때, 제4 스프링과 제4 스프링에 인접한 스프링 사이에서 단락이 발생한다. 제4 스프링의 레벨을 검출하는 방식 및 제4 스프링의 레벨에 기초하여 처리 모듈(802)이 삽입된 카드의 유형을 결정하는 방식이 전술한 방식과 유사하다. 세부사항에 대해서는, 다음의 4가지 방식을 참조하라.

(방식 1)

제4 스프링이 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 제2 스프링에 인접하고, 제4 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 제4 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제4 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다.

방식 1에서, 제4 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 제4 스프링은 제2 스프링(VCC 스프링)에 인접하고, 제4 스프링에 대응하는 금속 핀과 제2 스프링에 대응하는 금속 핀은 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 그러므로, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀은 제4 스프링과 제2 스프링을 모두 커버하고, 제4 스프링과 제2 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제4 스프링의 레벨이 제2 스프링에 의해 하이 레벨로 풀업된다. 제4 스프링이 하이 레벨에 있다고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

(방식 2)

제4 스프링이 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 제3 스프링에 인접하고, 제4 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 제4 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제4 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다.

방식 2에서, 제4 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다. 제4 스프링은 제3 스프링(GND 스프링)에 인접하고, 제4 스프링에 대응하는 금속 핀과 제3 스프링에 대응하는 금속 핀은 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀은 제4 스프링과 제3 스프링을 모두 커버하고, 제4 스프링과 제3 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제4 스프링의 레벨이 제3 스프링에 의해 로우 레벨로 풀다운된다. 제4 스프링이 로우 레벨이라고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

카드 인터페이스의 스프링 분포에서, 제4 스프링이 제2 스프링(VCC 스프링) 또는 제3 스프링(GND 스프링)에 인접하지 않으면, 제4 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨이 본 출원의 본 실시예에서 구성됨으로써 제4 스프링의 레벨을 검출하도록 도울 수 있다.

예를 들어, 제4 검출 회로는 제4 스프링에 인접한 스프링에 대해 구성될 수 있다. 제4 검출 회로는 제2 스프링, 제3 스프링, 및 제4 스프링 이외의 N개 스프링 중에 있는 스프링으로서 제4 스프링에 인접한 스프링에 연결되고, 제4 검출 회로에 대해 출력 상태가 구성된다.

제4 검출 회로는 GPIO 회로일 수도 있다. 제4 검출 회로의 구조에 대해서는 도 9에 도시된 제1 검출 회로를 참조하라. 전술한 바와 같이, GPIO 회로에 대해 입력 상태 또는 출력 상태가 구성될 수 있다. GPIO 회로에 대해 출력 상태가 구성될 때, GPIO 회로는 회로에 필요한 레벨을 구성하도록 구성될 수 있다. 따라서, 본 출원의 본 실시예에서, 제4 출력 회로에 대해 출력 상태가 구성된다.

처리 모듈(802)이 제4 스프링의 레벨에 기초하여 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정하는 구체적인 구현을 다음의 방식 3과 방식 4로 나타낼 수 있다.

(방식 3)

제4 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이고, 처리 모듈(802)이 제4 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨을 하이 레벨로 구성하면(예를 들어, 제4 검출 회로가 풀업 회로로 구성되면), 제4 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제4 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다.

방식 3에서, 제4 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이고, 제4 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다. 제4 스프링에 대응하는 금속 핀과 인접 스프링에 대응하는 금속 핀이 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 그러므로, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀은 제4 스프링과 인접한 스프링을 모두 커버하고, 제4 스프링과 인접한 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제4 스프링의 레벨이 인접한 스프링에 의해 하이 레벨로 풀업된다. 처리 모듈(802)은 제4 스프링이 하이 레벨에 있다고 결정할 때, 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

(방식 4)

제4 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이고, 처리 모듈(802)이 제4 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨을 로우 레벨로 구성하면(예를 들어, 제4 검출 회로가 풀다운 회로로 구성되면), 제4 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제4 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다.

방식 4에서, 제4 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이고, 제4 스프링에 인접한 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다. 제4 스프링에 대응하는 금속 핀 및 인접한 스프링에 대응하는 금속 핀은 SIM 카드의 하나의 금속 핀을 분할하여 얻어진다. 따라서, SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, SIM 카드의 하나의 금속 핀은 제4 스프링과 스프링을 모두 커버하고, 제4 스프링과 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제4 스프링의 레벨이 스프링에 의해 로우 레벨로 풀다운된다. 제4 스프링이 하이 레벨에서 로우 레벨로 스위칭된다고 결정할 때, 처리 모듈(802)은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

카드 인터페이스(801)에 삽입된 카드의 유형을 결정한 후에, 본 출원의 본 실시예에서 제공되는 전자 장치는 삽입된 카드가 SIM 카드이면, 카드 인터페이스(801) 상의 스프링의 레벨을 검출하여 SIM 카드가 비정상인지 여부를 추가로 검출할 수 있다. 본 명세서에 설명된 이상(anomaly)은 일반적으로 SIM 카드의 절단 공차가 지나치게 클 때 초래되는 이상이다.

실제 사용에서, 사용자는 기존의 마이크로 SIM 카드를 절단하고, 절단된 마이크로 SIM 카드를 나노 SIM 카드로서 사용할 수 있다. 절단 후에, 절단 공차가 과도하게 크면 SIM 카드를 사용할 수 없다. 본 출원의 본 실시예는 절단에 의해 초래된 SIM 카드 이상을 검출하기 위한 다음의 해결책을 제공한다.

본 출원의 본 실시예에서, 처리 모듈(802)은 또한 제1 스프링 이외의 N개의 스프링 중에 있는 첫 번째로 지정된 스프링으로서 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 제2 스프링에 인접한 첫 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨을 로우 레벨로 구성하도록 구성된다.

처리 모듈(802)이 SIM 카드의 이상을 판정할 수 있도록, 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨이 검출된다.

예를 들어, 제1 스프링에 대해 제5 검출 회로가 배치되어 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨을 검출할 수 있다. 제5 검출 회로는 제1 스프링 이외의 N개의 스프링 중에 있는 첫 번째로 지정된 스프링으로서 제2 스프링에 인접한 첫 번째로 지정된 스프링에 연결되고, 제5 검출 회로는 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨을 검출하여 출력하도록 구성되고, 제5 검출 회로는 풀다운 회로로 구성된다(즉, 첫 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이다).

제5 검출 회로는 GPIO 회로일 수도 있다. 제5 검출 회로의 구조에 대해서는 도 9에 도시된 제1 검출 회로를 참조하라.

첫 번째로 지정된 스프링은 제1 스프링 이외의 N개의 스프링 중에 있는 임의의 스프링으로서 제2 스프링에 인접한 임의의 스프링일 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 금속 핀 분포에서, D2 금속 핀에 대응하는 스프링이 제1 스프링이면, D0 금속 핀에 대응하는 스프링이 첫 번째로 지정된 스프링으로 간주될 수 있다.

첫 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨을 구성한 후에, 처리 모듈(802)은 다음의 3가지 방식으로 SIM 카드의 비정상 상태를 검출할 수 있다.

(방식 1)

제1 스프링이 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 제2 스프링에 인접하고, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 제1 스프링이 로우 레벨에 있고 첫 번째로 지정된 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은, 제2 스프링과 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 제2 스프링과 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정한다. 제1 스프링은 제2 스프링에 인접하고, 첫 번째로 지정된 스프링도 제2 스프링에 인접한다. 일반 크기의 SIM 카드가 삽입될 때, SIM 카드에서 전원에 연결하는 데 사용되는 VCC 금속 핀이 제1 스프링과 제2 스프링을 커버함으로써(즉, 메모리 카드가 삽입될 때, 제1 스프링에 대응하는 금속 핀과 제2 스프링에 대응하는 금속 핀은 VCC 금속 핀이 분할된 후에 얻어지는 2개의 금속 핀임), 제1 스프링과 제2 스프링 사이의 단락을 초래한다. 이 경우, 절단된 SIM 카드가 삽입될 때, SIM 카드의 절단 공차로 인해 SIM 카드 내의 금속 핀과 카드 인터페이스 상의 스프링 사이의 위치가 잘못될 수 있으며, 결과적으로 제1 스프링의 레벨과 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨이 비정상이다.

방식 1에서, 제1 스프링은 로우 레벨에 있고, 첫 번째로 지정된 스프링은 하이 레벨에 있다. 즉, SIM 카드를 절단하는 데 있어서의 에러로 인해, 제2 스프링은 SIM 카드 내의 첫 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고, 제1 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제된다. 이 경우, 제1 스프링은 로우 레벨에 있고, 첫 번째로 지정된 스프링은 하이 레벨에 있다. 처리 모듈(802)은 제1 스프링의 레벨 및 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 제2 스프링과 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하며, 제2 스프링과 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정할 수 있다. 예를 들어, 방식 1에서의 비정상 상태의 설명에 대해서는 도 12를 참조하라. 도 12에서, SIM 카드는 좌측에 3개의 금속 핀과 우측에 3개의 금속 핀을 포함하고, D2는 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링이고, VCC는 카드 인터페이스(801) 상의 제2 스프링이며, RST는 카드 인터페이스(801) 상의 첫 번째로 지정된 스프링이다. SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, VCC 스프링은 SIM 카드 내의 RST 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고, D2 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제된다.

설명의 편의를 위해, 본 출원의 본 실시예에서는 SIM 카드의 이 비정상 상태를 "스프링 오배치(spring misplacement)"라 한다.

(방식 2)

제1 스프링이 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 제2 스프링에 인접하고, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 제1 스프링이 로우 레벨에 있고 첫 번째로 지정된 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은, 제2 스프링과 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 개방 회로가 발생하고 제2 스프링과 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정한다.

방식 2에서, 제1 스프링은 로우 레벨에 있고, 첫 번째로 지정된 스프링은 로우 레벨에 있다. 다시 말해, SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 제2 스프링이 SIM 카드 내의 첫 번째로 지정된 스프링에 해당하는 금속 핀으로부터 연결 해제되고, 또한 제1 스프링에 대응하는 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제되며, 제2 스프링은 SIM 카드 내의 금속 핀들 사이의 절연 갭에 연결된다. 이 경우, 제1 스프링과 첫 번째로 지정된 스프링은 모두 로우 레벨에 있다. 처리 모듈(802)은 제1 스프링의 레벨과 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 제2 스프링과 제1 특정 스프링 사이에서 개방 회로가 발생하고 제2 스프링과 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정할 수 있다.

예를 들어, 방식 2에서의 비정상 상태의 설명에 대해서는 도 13을 참조하라. 도 13에서, SIM 카드는 좌측에 3개의 금속 핀과 우측에 3개의 금속 핀을 포함하고, D2는 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링이고, VCC는 카드 인터페이스(801) 상의 제2 스프링이며, RST는 카드 인터페이스(801) 상의 첫 번째로 지정된 스프링이다. SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, VCC 스프링은 SIM 카드 내의 RST 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제되고, D2 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제된다.

설명의 편의를 위해, 본 출원의 본 실시예에서는 SIM 카드의 이 비정상 상태를 "임계 개방 회로(critical open circuit)"라 한다.

(방식 3)

제1 스프링이 N개의 스프링 중 전원에 연결하는 데 사용되는 제2 스프링에 인접하고, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 로우 레벨이면, 제1 스프링이 하이 레벨에 있고 첫 번째로 지정된 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은, 제2 스프링과 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 제2 스프링과 제1 스프링 사이에서 단락이 발생한다고 결정한다.

방식 3에서, 제1 스프링은 하이 레벨에 있고, 첫 번째로 지정된 스프링은 하이 레벨에 있다. 다시 말해, SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 제2 스프링은 SIM 카드에서 첫 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고 또한 제1 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결된다. 이 경우, 제1 스프링과 첫 번째로 지정된 스프링은 모두 하이 레벨에 있다. 처리 모듈(802)은, 제1 스프링의 레벨과 첫 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 제2 스프링과 첫 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 제2 스프링과 제1 스프링 사이에서 단락이 발생한다고 결정할 수 있다.

예를 들어, 방식 3에서의 비정상 상태의 설명에 대해서는 도 14를 참조하라. 도 14에서, SIM 카드는 좌측에 3개의 금속 핀과 우측에 3개의 금속 핀을 포함하고, D2는 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링이고, VCC는 카드 인터페이스(801) 상의 제2 스프링이고, RST는 카드 인터페이스(801) 상의 첫 번째로 지정된 스프링이다. SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, VCC 스프링은 SIM 카드 내의 RST 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고 또한 D2 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결된다.

설명의 편의를 위해, 본 출원의 본 실시예에서는 SIM 카드의 이 비정상 상태를 "임계 단락(critical short circuit)"이라 한다.

방식 1에서의 비정상 상태와 방식 2에서의 비정상 상태의 경우, 본 출원의 본 실시예에서, 처리 모듈(802)은 제1 스토리지 통신 인터페이스에 도전되도록 파워 인터페이스를 제어하고, 제2 스토리지 통신 인터페이스에 도전되도록 접지 인터페이스를 제어함으로써 전술한 2개의 비정상 상태를 제거할 수 있다. 제1 스토리지 통신 인터페이스는 제1 스프링에 연결되고, 제2 스토리지 통신 인터페이스는 N개의 스프링 중 제4 스프링에 연결되며, 제4 스프링과 제1 스프링은 카드 인터페이스 상에 대칭적으로 분포된다.

SIM 카드가 파워 온될 수 있도록, 파워 인터페이스는 제1 스토리지 통신 인터페이스에 도전됨으로써 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링의 레벨을 하이 레벨로 변경한다. 또한, SIM 카드가 접지될 수 있도록, 접지 인터페이스는 제2 스토리지 통신 인터페이스에 도전됨으로써 카드 인터페이스(801) 상의 제4 스프링의 레벨을 로우 레벨로 변경한다.

SIM 카드의 금속 핀 분포에서, 일반적으로 VCC 금속 핀과 GND 금속 핀이 대칭적으로 좌측과 우측에 위치한다는 것을 유의해야 한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 SIM 카드에서, VCC 금속 핀은 좌측의 세 번째 위치에 있고, GND 금속 핀은 우측의 세 번째 위치에 있다. 따라서, SIM 카드의 절단 공차가 지나치게 클 경우, VCC 금속 핀에 인접한 스프링에서뿐만 아니라 GND 금속 핀에 인접한 스프링에서도 레벨 이상이 발생한다. (예를 들어, 도 12에서, D3 스프링의 레벨과 VPP 스프링의 레벨도 비정상일 수 있다). 따라서, 비정상 상태가 제거될 때, 파워 인터페이스와 제1 스토리지 통신 인터페이스가 도전될 뿐만 아니라 접지 인터페이스와 제2 스토리지 통신 인터페이스도 도전될 필요가 있다.

또한, 비정상 상태가 제거될 때, 카드 인터페이스 상의 금속 스프링이 대칭적이고, 제1 스프링과 제4 스프링이 모두 정보를 전송하기 위한 메모리 카드의 스프링에 불과하므로, 제1 스프링과 제4 스프링은 일반적으로 카드 인터페이스의 양면, 예를 들어 도 12의 D2 스프링과 D3 스프링에 대칭적으로 분포되는 것을 고려하기 위해, 제2 통신 인터페이스가 접지 인터페이스에 도전되도록 선택된다. 제1 스프링이 제2 스프링(VCC 스프링)에 인접하면, 제4 스프링은 일반적으로 제3 스프링(GND 스프링)에 인접한다. 따라서, SIM 카드의 절단 공차가 과도하게 커서 전술한 2개의 비정상 상태가 초래될 때, SIM 카드가 접지될 수 있도록 제2 통신 인터페이스가 접지 인터페이스에 도전되게끔 선택되는 것으로 간주될 수 있다.

방식 3에서의 비정상 상태가 본 출원의 본 실시예에서의 처리 모듈(802)에 의해 복원될 수 없다. 이 경우, 처리 모듈(802)은 제1 사용자 프롬프트 정보를 생성할 수 있다. 여기서, 제1 사용자 프롬프트 정보는 SIM 카드가 비정상이라는 것을 사용자에게 통지하는 데 사용된다. 즉, SIM 카드의 절단 에러가 과도하게 커서 SIM 카드가 사용될 수 없다는 것이 사용자에게 통지된다.

전술한 다양한 비정상 상태의 설명을 참조하여, 이하에서는 처리 모듈(802)이 레벨에 기초하여 비정상 상태를 결정하는 예를 제공한다.

메모리 카드의 금속 핀 분포가 도 5에 도시되어 있고, 시스템 아키텍처가 도 10에 도시되어 있다고 가정한다. D2는 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링이고, GND는 카드 인터페이스(801) 상의 제3 스프링이며, RST는 카드 인터페이스(801) 상의 첫 번째로 지정된 스프링이다. 이 경우, 표 6은 비정상 상태와 정상 상태에서의 각각의 스프링의 레벨을 나타낼 수 있다.

(표 6)

처리 모듈(802)이 삽입된 카드의 유형을 더 정확하게 결정할 수 있게 하기 위해, 복수의 검출 회로가 전자 장치(800)에 배치되어 서로 다른 스프링의 레벨을 검출할 수 있다는 것을 유의해야 한다.

예를 들어, 표 6에 도시된 비정상 상태가 실제 구현에서 나타나면, 삽입된 카드의 유형이 단지 D2 스프링의 레벨을 검출하여 정확하게 결정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 메모리 카드가 정상 상태로 삽입될 때, D2 스프링이 로우 레벨에 있다. 하지만, SIM 카드가 삽입되고, SIM 카드가 스프링 오배치 또는 임계 개방 회로와 같은 비정상 상태에 있을 때, D2 스프링도 로우 레벨에 있다. 이 경우, 삽입된 카드가 메모리 카드라는 것을 결정하는 것이 명백히 부정확하다. 즉, D2 스프링의 레벨만이 검출되면, 카드 유형을 결정하는 데 있어서 에러가 발생할 수 있다. 따라서, 다른 검출 회로가 전자 장치(800)에 배치되어 RST 스프링의 레벨을 검출할 수 있다. 따라서, 처리 모듈(802)은 RST 스프링의 레벨과 D2 스프링의 레벨을 참조하여 삽입된 카드의 유형과 SIM 카드의 비정상 상태를 결정할 수 있다.

또한, SIM 카드가 비정상인지 여부가 제3 스프링(GND 스프링)에 인접한 스프링의 레벨을 검출하여 추가로 결정될 수 있다.

본 출원의 본 실시예에서, 처리 모듈(802)은 추가적으로, 제1 스프링 이외의 N개의 스프링 중에 있는 두 번째로 지정된 스프링으로서 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 제3 스프링에 인접한 두 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨을 하이 레벨로 구성하도록 구성된다.

처리 모듈(802)이 SIM 카드의 이상을 판정할 수 있도록, 두 번째로 지정된 스프링의 레벨이 검출된다.

예를 들어, 두 번째로 지정된 스프링에 대해 제6 검출 회로가 배치될 수 있다. 제6 검출 회로는 제1 스프링 이외의 N개의 스프링 중에 있는 두 번째로 지정된 스프링으로서 제3 스프링에 인접한 두 번째로 지정된 스프링에 연결되고, 제5 검출 회로는 두 번째로 지정된 스프링의 레벨을 검출하여 출력하도록 구성되고, 제6 검출 회로가 풀업 회로로 구성된다(즉, 두 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이다).

제6 검출 회로는 GPIO 회로일 수도 있다. 제6 검출 회로의 구조에 대해서는 도 9에 도시된 제1 검출 회로를 참조하라.

두 번째로 지정된 스프링의 디폴트 레벨을 구성한 후에, 처리 모듈(802)은 다음의 3가지 방식으로 SIM 카드의 비정상 상태를 검출할 수 있다.

(방식 1)

제1 스프링이 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 제3 스프링에 인접하고, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 제1 스프링이 하이 레벨에 있고 두 번째로 지정된 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은, 제3 스프링과 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 제3 스프링과 제1 스프링 사이에는 개방회로가 발생한다고 결정한다.

방식 1에서, 제1 스프링은 하이 레벨에 있고, 두 번째로 지정된 스프링은 로우 레벨에 있다. 다시 말해, SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 제3 스프링은 SIM 카드 내의 두 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고, 제1 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제된다. 이 경우, 제1 스프링은 하이 레벨에 있고, 두 번째로 지정된 스프링은 로우 레벨에 있다. 처리 모듈(802)은 제1 스프링의 레벨과 두 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 제3 스프링과 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 제3 스프링과 제1 스프링 사이에는 개방회로가 발생한다고 결정할 수 있다.

예를 들어, 방식 1의 비정상 상태의 설명에 대해서는 도 12를 참조하라. 도 12에서, SIM 카드는 좌측에 3개의 금속 핀과 우측에 3개의 금속 핀을 포함하고, D3은 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링이고, GND는 카드 인터페이스(801) 상의 제3 스프링이며, VPP는 카드 인터페이스(801) 상의 두 번째로 지정된 스프링이다. SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, GND 스프링은 SIM 카드 내의 VPP 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고, D3 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제된다.

설명의 편의를 위해, 본 출원의 본 실시예에서는 SIM 카드의 이 비정상 상태를 "스프링 오배치"라 한다.

(방식 2)

제1 스프링이 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 제3 스프링에 인접하고, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 제1 스프링이 하이 레벨에 있고 두 번째로 지정된 스프링이 하이 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은, 제3 스프링과 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 개방 회로가 발생하고 제3 스프링과 제1 스프링 사이에서는 개방 회로가 발생한다고 결정한다.

방식 2에서, 제1 스프링은 하이 레벨에 있고, 두 번째로 지정된 스프링은 하이 레벨에 있다. 다시 말해, SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 제3 스프링은 SIM 카드 내의 두 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제되고 또한 제1 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제되며, 제3 스프링은 SIM 카드 내의 금속 핀들 사이의 절연 갭에 연결된다. 이 경우, 제1 스프링과 두 번째로 지정된 스프링은 모두 하이 레벨에 있다. 처리 모듈(802)은, 제1 스프링의 레벨과 두 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 제3 스프링과 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 개방 회로가 발생하고 제3 스프링과 제1 스프링 사이에서 개방 회로가 발생한다고 결정할 수 있다.

예를 들어, 방식 2의 비정상 상태의 설명에 대해서는 도 13을 참조하라. 도 13에서, SIM 카드는 좌측에 3개의 금속 핀과 우측에 3개의 금속 핀을 포함하고, D3은 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링이며, GND는 카드 인터페이스(801) 상의 제3 스프링이고, VPP는 카드 인터페이스(801) 상의 두 번째로 지정된 스프링이다. SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, GND 스프링은 SIM 카드 내의 VPP 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 연결 해제되고, 또한 D3 스프링에 대응하는 금속 핀으로부터 분리 해제된다.

설명의 편의를 위해, 본 출원의 본 실시예에서는 SIM 카드의 이 비정상 상태를 "임계 개방 회로"라 한다.

(방식 3)

제1 스프링이 N개의 스프링 중 접지에 사용되는 제3 스프링에 인접하고, 제1 스프링의 디폴트 레벨이 하이 레벨이면, 제1 스프링이 로우 레벨에 있고 두 번째로 지정된 스프링이 로우 레벨에 있을 때, 처리 모듈(802)은, 제3 스프링과 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 제3 스프링과 제1 스프링 사이에서 단락이 발생한다고 결정한다.

방식 3에서, 제1 스프링은 로우 레벨에 있고, 두 번째로 지정된 스프링은 로우 레벨에 있다. 다시 말해, SIM 카드를 절단하는 데 있어서 에러 때문에, 제3 스프링은 SIM 카드에서 두 번째로 지정된 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고, 또한 제1 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결된다. 이 경우, 제1 스프링과 두 번째로 지정된 스프링은 모두 로우 레벨에 있다. 처리 모듈(802)은, 제1 스프링의 레벨과 두 번째로 지정된 스프링의 레벨에 기초하여, 제3 스프링과 두 번째로 지정된 스프링 사이에서 단락이 발생하고 제3 스프링과 제1 스프링 사이에서 단락이 발생한다고 결정할 수 있다.

예를 들어, 방식 3의 비정상 상태의 설명에 대해서는 도 14를 참조하라. 도 14에서, SIM 카드는 좌측에 3개의 금속 핀과 우측에 3개의 금속 핀을 포함하고, D3은 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링이며, GND는 카드 인터페이스(801) 상의 제3 스프링이며, VPP는 카드 인터페이스(801) 상의 두 번째로 지정된 스프링이다. SIM 카드가 카드 인터페이스(801)에 삽입될 때, GND 스프링은 SIM 카드 내의 VPP 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결되고 또한 D3 스프링에 대응하는 금속 핀에 연결된다.

설명의 편의를 위해, 본 출원의 본 실시예에서는 SIM 카드의 이 비정상 상태를 "임계 단락"이라 한다.

유사하게, 본 출원의 본 실시예에서, 방식 1에서의 비정상 상태 및 방식 2에서의 비정상 상태에 대해, 처리 모듈(802)은 제1 스토리지 통신 인터페이스에 도전되도록 파워 인터페이스를 제어하고, 제2 스토리지 통신 인터페이스에 도전되도록 접지 인터페이스를 제어하여 전술한 2개의 비정상 상태를 제거할 수 있다. 제1 스토리지 통신 인터페이스는 제1 스프링에 연결되고, 제2 스토리지 통신 인터페이스는 N개의 스프링 중 제4 스프링에 연결되며, 제4 스프링과 제1 스프링은 카드 인터페이스 상에 대칭적으로 분포된다.

방식 3에서의 비정상 상태는 본 출원의 본 실시예에서의 소프트웨어에 의해 복원될 수 없다. 이 경우, 처리 모듈(802)은 제2 사용자 프롬프트 정보를 생성할 수 있다. 여기서, 제2 사용자 프롬프트 정보는 SIM 카드가 비정상이라는 것을 사용자에게 통지하는 데 사용된다. 즉, SIM 카드의 절단 에러가 과도하게 커서 SIM 카드가 사용될 수 없다는 것이 사용자에게 통지된다.

다양한 비정상 상태의 전술한 설명을 참조하여, 이하에서는 처리 모듈(802)이 레벨에 기초하여 비정상 상태를 결정하는 예를 제공한다.

메모리 카드의 금속 핀 분포가 도 5에 도시되어 있고, 시스템 아키텍처가 도 10에 도시되어 있다고 가정한다. D3은 카드 인터페이스(801) 상의 제1 스프링이고, GND는 카드 인터페이스(801) 상의 제3 스프링이며, VPP는 카드 인터페이스(801) 상의 두 번째로 지정된 스프링이다. 이 경우, 표 7은 비정상 상태와 정상 상태에서의 각각의 스프링의 레벨을 나타낼 수 있다.

(표 7)

예를 들어, 표 6에 나타낸 비정상 상태가 실제 구현에서 나타나면, 삽입된 카드의 유형이 단지 D3 스프링 레벨을 감지함으로써 정확하게 결정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 메모리 카드가 정상 상태로 삽입될 때, D3 스프링은 하이 레벨에 있다. 하지만, SIM 카드가 삽입되고, SIM 카드가 스프링 오배치 또는 임계 개방 회로와 같은 비정상 상태에 있을 때, D3 스프링도 하이 레벨에 있다. 이 경우, 삽입된 카드가 메모리 카드라는 것을 결정하는 것이 명백히 부정확하다. 즉, D3 스프링의 레벨만 감지되면, 카드 유형을 결정하는 데 있어서 에러가 발생할 수 있다. 따라서, 다른 검출 회로가 전자 장치(800)에 배치되어 VPP 스프링의 레벨을 검출할 수 있다. 그러므로, 처리 모듈(802)은 VPP 스프링의 레벨과 D3 스프링의 레벨을 참조하여 삽입된 카드의 유형과 SIM 카드의 비정상 상태를 결정할 수 있다.

본 출원의 본 실시예에서, 전자 장치는 카드 인터페이스와 처리 모듈을 포함한다. 메모리 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, 메모리 카드는 처리 모듈에 전기적으로 연결되어 전자 장치의 저장 기능을 구현한다. SIM 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, SIM 카드는 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, SIM 카드의 하나의 금속 핀이 N개의 스프링 중 제1 스프링 및 제1 스프링에 인접한 하나의 스프링에 전기적으로 연결된다. 처리 모듈은 적어도 제1 스프링의 레벨에 기초하여, 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라고 결정한다. SIM 카드가 삽입될 때, 제1 스프링과 인접한 스프링 사이에서 단락이 발생하고, 단락 현상으로 인해 제1 스프링의 현재 레벨이 디폴트 레벨과 다르다. 처리 모듈이 제1 스프링의 레벨이 디폴트 레벨이라고 결정하면, 처리 모듈은 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정한다. 처리 모듈이 제1 스프링의 레벨이 디폴트 레벨이 아니라고 결정하면, 처리 모듈은 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정할 수 있다.

또한, 본 출원의 본 실시예에서, 삽입된 카드의 유형은 대안적으로, 우선 가정을 수행하고 나서 순차적으로 시행 착오를 수행하는 방식으로 식별될 수 있다. 카드가 카드 홀더에 삽입된 것이 검출되면, 삽입된 카드가 SIM 카드라는 것이 먼저 추정되고, SIM 카드 초기화 작업을 통해 카드 정보가 판독된다. 판독이 성공하면, 삽입된 카드가 SIM 카드로서 식별된다. 판독이 실패하면, 삽입된 카드가 메모리 카드라고 추정되고, 메모리 카드 초기화 작업을 통해 카드 정보가 판독된다. 판독이 성공하면, 삽입된 카드가 메모리 카드로서 식별된다. 판독이 다시 실패하면, 카드가 삽입되지 않았거나 또는 유효하지 않다고 결정된다.

전술한 가정을 먼저 수행하고 나서 시행 착오를 순차적으로 수행하는 방식에 기초하여, 본 출원의 실시예는 전자 장치를 제공하고, 전자 장치는 카드 인터페이스와 처리 모듈을 포함한다. 카드 인터페이스는 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, SIM 카드 또는 메모리 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 수 있다. 카드 인터페이스는 N개의 스프링을 포함하고, N>1이며; 메모리 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, 메모리 카드는 처리 모듈에 전기적으로 연결되고; SIM 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, SIM 카드는 처리 모듈에 전기적으로 연결된다.

처리 모듈은, SIM 카드 초기화 절차를 통해, 카드 인터페이스에 삽입된 카드에 대해 제1 초기화 작업을 수행하고; 제1 초기화 작업이 성공하면, 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나; 또는 제1 초기화 작업이 실패하면, 메모리 카드 초기화 절차를 통해, 카드 인터페이스에 삽입된 카드에 대해 제2 초기화 작업을 수행하고, 제2 초기화 작업이 성공하면, 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하거나, 또는 제2 초기화 작업이 실패하면, 카드가 카드 인터페이스에 삽입되지 않았다고 결정하거나 또는 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 유효하지 않다고 결정하도록 구성된다.

유사하게, 삽입된 카드의 유형은 메모리 카드 초기화를 먼저 수행하고 나서 SIM 초기화를 수행하는 방식으로 대안적으로 식별될 수있다.

따라서, 본 출원의 실시예는 전자 장치를 제공하며, 전자 장치는 카드 인터페이스와 처리 모듈을 포함한다. 카드 인터페이스는 처리 모듈에 전기적으로 연결되고, SIM 카드 또는 메모리 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 수 있다. 카드 인터페이스는 N개의 스프링을 포함하고, N>1이며; 메모리 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, 메모리 카드는 처리 모듈에 전기적으로 연결되고; SIM 카드가 카드 인터페이스에 삽입될 때, SIM 카드는 처리 모듈에 전기적으로 연결된다.

처리 모듈은, 메모리 카드 초기화 절차를 통해, 카드 인터페이스에 삽입된 카드에 대해 제3 초기화 작업을 수행하고; 제3 초기화 작업이 성공하면, 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정하거나; 또는 제3 초기화 작업이 실패하면, SIM 카드 초기화 절차를 통해, 카드 인터페이스에 삽입된 카드에 대해 제4 초기화 작업을 수행하고, 제4 초기화 작업이 성공하면, 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정하거나, 또는 제4 초기화 작업이 실패하면, 카드가 카드 인터페이스에 삽입되지 않았다고 결정하거나 또는 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 유효하지 않다고 결정하도록 구성된다. 전술한 해결책에 따르면, 삽입된 카드의 유형은 삽입된 카드가 대응하는 초기화 작업을 통해 초기화될 수 있는지 여부를 판정함으로써 결정될 수 있다.

또한, 전술한 가정을 먼저 수행하고 나서 순차적으로 시행 착오를 수행하는 방식은, 도 8에 도시된 전자 장치(800) 내의 처리 모듈(802)이 삽입된 카드의 유형을 결정하는 방식과 조합될 수 있다. 예를 들어, 처리 모듈(802)은, 카드 인터페이스(801)에 삽입된 카드가 레벨을 식별하는 방식으로 SIM 카드라고 먼저 결정하고 나서 SIM 카드 초기화 작업을 통해 카드 정보를 판독한다. 판독이 성공하면, 카드 인터페이스(801)에 삽입된 카드가 SIM 카드라고 결정된다. 대안적으로, 처리 모듈(802)은, 카드 인터페이스(801)에 삽입된 카드가 레벨을 식별하는 방식으로 메모리 카드라고 먼저 결정하고 나서 메모리 카드 초기화 작업을 통해 카드 정보를 판독한다. 판독이 성공하면, 카드 인터페이스(801)에 삽입된 카드가 메모리 카드라고 결정된다.

본 출원의 본 실시예에서, 처리 모듈은, 각각의 스프링의 레벨에 기초하여 카드 인터페이스(801)에 삽입된 카드의 유형을 식별하고, SIM 카드의 비정상 상태를 검출할 수 있다. 검출된 비정상 상태가 복원 가능한 비정상 상태(예를 들어, 스프링 오배치 또는 임계 개방 회로)일 때, 전술한 비정상 상태가 통신 인터페이스의 도전 관계를 제어함으로써 제거될 수 있다. 검출된 비정상 상태가 복원 불가능한 비정상 상태(예컨대, 임계 단락)일 때, 사용자에게 통지될 수 있다.

처리 모듈의 전술한 기능을 참조하면, 본 출원의 본 실시예에서, 처리 모듈에 의해 수행되는 작업의 흐름도가 도 15a와 도 15b에 도시될 수 있다. 도 15a와 도 15b에서, 처리 모듈은 다음의 단계를 수행한다.

(1) 카드가 카드 인터페이스에 삽입된 것을 검출한다.

(2) SD_D2/VCC 및 SD_D3/GND와 같은 IO 인터페이스의 상태를 확인하여 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 나노 SD 카드인지 여부를 판정한다. 삽입된 카드가 SIM 카드이면 단계 3으로 진행하고; 삽입된 카드가 나노 SD 카드이면 단계 4로 진행하거나; 또는 비정상 상태가 감지되면, 단계 9로 진행한다.

SD_D2는 제1 스프링의 예로 간주될 수 있고, VCC는 제2 스프링의 예로 간주될 수 있으며, SD_D3는 제4 스프링의 예로 간주될 수 있고, GND는 제3 스프링의 예로 간주될 수 있다.

단계 2에서의 결정 방법에 대해서는 전자 장치(800)의 관련 설명을 참조하라.

(3) SIM 카드가 검출될 때, SIM 카드 초기화를 시작한다. SIM 카드 초기화가 비정상이면 단계 5로 진행하거나; 또는 SIM 카드 초기화가 정상이면 단계 5로 진행한다.

(4) 나노 SD가 검출될 때, 나노 SD 카드 초기화를 시작한다. 나노 SD 카드 초기화가 정상이면 단계 7로 진행하거나; 또는 나노 SD 카드 초기화가 비정상이면 단계 8로 진행한다.

(5) SIM 초기화가 비정상이다.

(6) SIM 카드의 기능이 정상이다.

(7) SD 카드의 기능이 정상이다.

(8) SD 카드의 기능이 비정상이다.

(9) 비정상 상태가 복원 가능한 비정상 상태인지 여부를 검출한다. 비정상 상태가 복원 가능한 비정상 상태이면, 단계 11로 진행하거나; 또는 비정상 상태가 복원 불가능한 비정상 상태이면 단계 10으로 진행한다.

(10) 나노 SIM 카드의 절단 공차가 너무 커서 복원할 수 없는 비정상 현상이 초래되면, 이 현상을 사용자에게 통지한다.

(11) 복원 가능한 비정상적인 현상에 대한 이상 복구 회로를 활성화하고, 복원 이후에, 단계 6으로 진행하여 SIM 카드 초기화를 시작한다.

도 15a와 도 15b가 전자 장치(800) 내의 처리 모듈(802)에 의해 수행되는 작업의 예라는 것을 유의해야 한다. 도 15a와 도 15b에 도시된 절차에서 상세하게 설명되지 않은 구현에 대해서는 도 8에 도시된 전자 장치(800)의 관련 설명을 참조하라.

전술한 실시예에 기초하여, 본 출원의 일 실시예는 컴퓨터 저장 매체를 추가로 제공한다. 저장 매체는 소프트웨어 프로그램을 저장하고, 하나 이상의 처리 모듈에 의해 판독되어 실행될 때, 소프트웨어 프로그램은 전술한 실시예에서 제공되는 처리 모듈(802)에 의해 수행되는 방법을 구현할 수 있다.

이상의 관점에서, 본 출원의 일 실시예는 전자 장치를 제공한다. 본 출원의 본 실시예에서 제공되는 전자 장치에 따르면, 카드가 전자 장치의 카드 인터페이스에 삽입될 때, 삽입된 카드가 SIM 카드 또는 메모리 카드라는 것이 식별될 수 있다.

당업자는 본 출원의 일부 실시예가 방법, 또는 시스템, 또는 컴퓨터 프로그램 제품으로 제공될 수 있다고 이해해야 한다. 따라서, 본 출원은 하드웨어만의 실시예, 또는 소프트웨어만의 실시예, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합을 갖는 실시예의 형태를 이용할 수 있다. 또한, 본 출원은 컴퓨터 사용가능 프로그램 코드를 포함하는 하나 이상의 컴퓨터 사용가능 저장 매체(자기 디스크 메모리, 씨디롬(CD-ROM), 및 광메모리(optical memory) 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는 저장 매체)에 구현된 컴퓨터 프로그램 제품의 형태를 이용할 수 있다.

본 출원의 일부 실시예에 따른 방법, 장치(시스템), 및 컴퓨터 프로그램 제품의 흐름도 및/또는 블록도를 참조하여 본 출원에 대해 설명하였다. 컴퓨터 프로그램 명령이 흐름도 및/또는 블록도 내의 각각의 프로세스 및/또는 각각의 블록과 흐름도 및/또는 블록도 내의 프로세스 및/또는 블록의 조합을 구현하는 데 사용될 수 있다고 이해해야 한다. 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능 데이터 처리 장치의 처리 모듈에 의해 실행되는 명령이 흐름도 내의 하나 이상의 프로세스 및/또는 블록도 내의 하나 이상의 블록에서 기능을 구현하기 위한 장치를 생성할 수 있도록, 이러한 컴퓨터 프로그램 명령이 범용 컴퓨터, 전용 컴퓨터, 임베디드 프로세서, 또는 다른 프로그램 가능 데이터 처리 장치의 처리 모듈에 제공되어 기계 장치를 생성할 수 있다.

컴퓨터 판독가능 메모리에 저장된 명령이 명령 장치를 포함하는 인공물을 생성할 수 있도록, 이러한 컴퓨터 프로그램 명령은 방식으로 작동하게끔 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능 데이터 처리 장치에 지시할 수 있는 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장될 수 있다. 명령 장치는 흐름도 내의 하나 이상의 프로세스 및/또는 블록도 내의 하나 이상의 블록에서 기능을 구현하다.

컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능 장치 상에서 일련의 동작과 단계가 수행될 수 있도록, 이러한 컴퓨터 프로그램 명령은 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능 데이터 처리 장치에 로딩됨으로써, 컴퓨터로 구현되는 처리를 생성할 수 있다. 따라서, 컴퓨터 또는 다른 프로그램 가능 장치 상에서 실행되는 명령은 흐름도 내의 하나 이상의 프로세스 및/또는 블록도 내의 하나 이상의 블록에서 기능을 구현하기 위한 단계를 제공한다.

명백히, 당업자는 본 출원의 일부 실시예의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 출원의 일부 실시예에 대해 다양하게 수정하고 변형할 수 있다. 본 출원은 다음의 청구 범위 및 그와 동등한 기술에 의해 정의된 보호 범위에 속하는 이러한 수정과 변형을 포함하고자 한다.

Claims

전자 장치로서,
상기 전자 장치는 카드 인터페이스를 포함하고, 상기 카드 인터페이스는 8개의 금속 스프링을 포함하고, 상기 8개의 금속 스프링은 제1 금속 스프링, 제2 금속 스프링, 제3 금속 스프링, 제4 금속 스프링, 제5 금속 스프링, 제6 금속 스프링, 제7 금속 스프링, 및 제8 금속 스프링을 포함하며, 상기 제1 금속 스프링은 상기 제2 금속 스프링에 인접하고, 상기 제3 금속 스프링은 상기 제4 금속 스프링에 인접하며;
8개의 금속 핀을 포함하는 메모리 카드인 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 8개의 금속 스프링은 상기 메모리 카드의 8개의 금속 핀에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 메모리 카드의 8개의 금속 핀은 데이터 신호를 전송하도록 구성되는 적어도 2개의 데이터 금속 핀을 포함하고, 상기 적어도 2개의 데이터 금속 핀 중 하나는 상기 제1 금속 스프링에 전기적으로 연결되고, 상기 적어도 2개의 데이터 금속 핀 중 다른 하나는 상기 제4 금속 스프링에 전기적으로 연결되며, 상기 제2 금속 스프링은 전원에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 금속 스프링은 접지용이며,
6개의 금속 핀을 포함하는 SIM 카드인 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 6개의 금속 핀은 상기 8개의 금속 스프링에 연결되며, 상기 SIM 카드의 제1 금속 핀은 상기 제1 금속 스프링과 상기 제2 금속 스프링에 전기적으로 연결되며, 상기 SIM 카드의 제2 금속 핀은 상기 제3 금속 스프링과 상기 제4 금속 스프링에 전기적으로 연결되는, 전자 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 금속 스프링과 상기 제2 금속 스프링은, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 전원에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 금속 스프링과 상기 제4 금속 스프링은, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때 그라운드를 위한 것인, 전자 장치.
제1항에 있어서,
상기 전자 장치는 스위치, 스토리지 인터페이스 및 SIM 인터페이스를 포함하고,
상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입되는 것에 응하여, 상기 스위치를 통해 상기 카드 인터페이스가 상기 SIM 인터페이스와 연결되고,
상기 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 스위치를 통해 상기 카드 인터페이스를 상기 스토리지 인터페이스에 연결하는, 전자 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치가, 상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입되는지 판정하도록 구성되는 프로세서를 더 포함하는 전자 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입되는 것에 응하여, 제1 초기화 작업을 수행하고,
상기 제1 초기화 작업이 성공일 때 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 상기 SIM 카드인 것으로 결정하도록 구성되는 프로세서
를 더 포함하는 전자 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입되는 것에 응하여, 제1 초기화 작업을 수행하고,
상기 제1 초기화 작업이 실패하면, 제2 초기화 작업을 수행하고,
상기 제2 초기화 작업이 성공일 때 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 상기 메모리 카드인 것으로 결정하도록 구성되는 프로세서
를 더 포함하는 전자 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입되는 것에 응하여, 제1 초기화 작업을 수행하고,
상기 제1 초기화 작업이 실패하면, 제2 초기화 작업을 수행하고,
상기 제2 초기화 작업이 실패일 때 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 유효하지 않은 것으로 결정하도록 구성되는 프로세서
를 더 포함하는 전자 장치.
제3항에 있어서,
상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 제6 금속 스프링은 상기 SIM 인터페이스의 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 제7 금속 스프링은 상기 SIM 인터페이스의 리셋 신호를 전송하도록 구성되며, 상기 제8 금속 스프링은 상기 SIM 인터페이스의 클록 신호를 전송하록 구성되며,
상기 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 제6 금속 스프링과 상기 제7 금속 스프링은 모두 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 제8 금속 스프링은 클록 신호를 전송하도록 구성되는, 전자 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 금속 스프링은 전원에 전기적으로 연결되고, 상기 전자 장치는:
상기 제1 금속 스프링의 전압 레벨이 하이 레벨일 때, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 SIM 카드인 것으로 결정하고;
상기 제1 금속 스프링의 전압 레벨이 로우 레벨일 때, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 메모리 카드인 것으로 결정하도록 구성되는, 전자 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제4 금속 스프링은 접지용이고, 상기 전자 장치는:
상기 제3 금속 스프링의 전압 레벨이 로우 레벨일 때, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 SIM 카드인 것으로 결정하고;
상기 제3 금속 스프링의 전압 레벨이 하이 레벨일 때, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 메모리 카드인 것으로 결정하도록 구성되는, 전자 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제4 금속 스프링이 상기 제5 금속 스프링에 인접하고, 상기 제4 금속 스프링이 상기 제3 금속 스프링과 상기 제5 금속 스프링 사이에 위치하며,
상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입될 때, 상기 카드는 메모리 카드이고, 상기 제3 금속 스프링의 전압 레벨이 로우 레벨일 때, 상기 제4 금속 스프링이 상기 제5 금속 스프링과 단락되는, 전자 장치.
전자 장치로서,
상기 전자 장치는 카드 인터페이스를 포함하고, 상기 카드 인터페이스는 적어도 제1 금속 스프링, 제2 금속 스프링, 제3 금속 스프링 및 제4 금속 스프링을 포함하며, 상기 제1 금속 스프링은 상기 제2 금속 스프링에 인접하고, 상기 제3 금속 스프링은 상기 제4 금속 스프링에 인접하며;
데이터 신호를 전송하도록 구성되는 적어도 2개의 데이터 금속 핀을 포함하는 메모리 카드인 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 적어도 2개의 데이터 금속 핀 중 하나는 상기 제1 금속 스프링에 전기적으로 연결되고, 상기 적어도 2개의 데이터 금속 핀 중 다른 하나는 상기 제4 금속 스프링에 전기적으로 연결되며, 상기 제2 금속 스프링은 전원에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 금속 스프링은 접지용이며,
SIM 카드인 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 SIM 카드의 제1 금속 핀은 상기 제1 금속 스프링과 상기 제2 금속 스프링에 전기적으로 연결되며, 상기 SIM 카드의 제2 금속 핀은 상기 제3 금속 스프링과 상기 제4 금속 스프링에 전기적으로 연결되는, 전자 장치.
제12항에 있어서,
상기 제1 금속 스프링과 상기 제2 금속 스프링은, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때 전원에 전기적으로 연결되고, 상기 제3 금속 스프링과 상기 제4 금속 스프링은, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때 접지용인, 전자 장치.
제12항에 있어서,
상기 전자 장치는 스위치, 스토리지 인터페이스 및 SIM 인터페이스를 포함하고,
상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입되는 것에 응하여, 상기 스위치를 통해 상기 카드 인터페이스가 상기 SIM 인터페이스와 연결되고,
상기 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 스위치를 통해 상기 카드 인터페이스를 상기 스토리지 인터페이스에 연결하는, 전자 장치.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치가, 상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입되는지 판정하도록 구성되는 프로세서를 더 포함하는 전자 장치.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입되는 것에 응하여, 제1 초기화 작업을 수행하고,
상기 제1 초기화 작업이 성공일 때, 상기 전자 장치에 의해, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 상기 SIM 카드인 것으로 결정하도록 구성되는 프로세서
를 더 포함하는 전자 장치.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입되는 것에 응하여, 제1 초기화 작업을 수행하고,
상기 제1 초기화 작업이 실패하면, 제2 초기화 작업을 수행하고,
상기 제2 초기화 작업이 성공일 때 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 상기 메모리 카드인 것으로 결정하도록 구성되는 프로세서
를 더 포함하는 전자 장치.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치는,
상기 카드 인터페이스에 카드가 삽입되는 것에 응하여, 제1 초기화 작업을 수행하고,
상기 제1 초기화 작업이 실패하면, 제2 초기화 작업을 수행하고,
상기 제2 초기화 작업이 실패일 때 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 유효하지 않은 것으로 결정하도록 구성되는 프로세서
를 더 포함하는 전자 장치.
제14항에 있어서,
상기 카드 인터페이스는 추가로 제5 금속 스프링, 제6 금속 스프링, 제7 금속 스프링 및 제8 금속 스프링을 포함하며, 상기 SIM 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 제6 금속 스프링은 상기 SIM 인터페이스의 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 제7 금속 스프링은 상기 SIM 인터페이스의 리셋 신호를 전송하도록 구성되며, 상기 제8 금속 스프링은 상기 SIM 인터페이스의 클록 신호를 전송하록 구성되며,
상기 메모리 카드가 상기 카드 인터페이스에 삽입될 때, 상기 제6 금속 스프링과 상기 제7 금속 스프링은 모두 데이터를 전송하도록 구성되고, 상기 제8 금속 스프링은 클록 신호를 전송하도록 구성되는, 전자 장치.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 금속 스프링은 전원에 전기적으로 연결되고, 상기 전자 장치는:
상기 제1 금속 스프링의 전압 레벨이 하이 레벨일 때, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 SIM 카드인 것으로 결정하고;
상기 제1 금속 스프링의 전압 레벨이 로우 레벨일 때, 상기 카드 인터페이스에 삽입된 카드가 메모리 카드인 것으로 결정하도록 구성되는, 전자 장치.