CN204331782U - 用于便携式终端的sim卡 - Google Patents

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CN204331782U CN201420827516.9U CN201420827516U CN204331782U CN 204331782 U CN204331782 U CN 204331782U CN 201420827516 U CN201420827516 U CN 201420827516U CN 204331782 U CN204331782 U CN 204331782U
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刘迪军
苏国彬
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Abstract

本实用新型公开了一种用于便携式终端的SIM卡,该SIM卡包括:一基板,其中,基板内部封装有存储器芯片和用户身份验证芯片;第一组金属导电结构和第二组金属导电结构,其中,第一组金属导电结构和第二组金属导电结构安装在基板的同一侧面;其中,第一组金属导电结构与存储器芯片的接口相连接,第二组金属导电结构与用户身份验证芯片的接口相连接。本实用新型通过在一张SIM卡上集成用户身份验证和数据存储功能,从而可以避免使用多张卡,不仅可以充分利用卡槽的空间,达到缩小便携式终端硬件空间的效果,还能够降低存储卡/SIM卡的制造成本,从而与便携式终端趋于轻薄的发展方向相同步,符合微型卡的发展趋势。

Description

用于便携式终端的SIM卡
技术领域
本实用新型涉及便携式终端的SIM卡领域,具体来说,涉及一种用于便携式终端的SIM卡。
背景技术
随着通信行业的技术进步,便携式通信终端(例如智能手机、平板电脑等可以随身携带的通信终端设备)的尺寸也向更轻更薄发展,其中,传统智能手机在功能手机基础上,除了必备的用于身份认证的用户身份识别卡(SIM卡),还会配备大容量高速存储的T-Flash卡(一种极细小的快闪存储器卡),简称TF卡,用于扩展手机自有存储容量。
其中,T-Flash卡作为扩展用的高速存储卡,解决了智能手机在存储照片,电影,以及游戏应用等方面手机自身容量过低的问题,推动了高清摄像,高清影视等在智能手机方向上的发展,例如:使用32GB的T-Flash扩展卡,可以存储超过800张Jpeg相片以解决摄影爱好者随拍随走的需求,以及存储超过240分钟全高清视频以解决影视迷的移动电视需求,并且还能够同时安装数十个游戏/学习/运动等应用程序,可见存储能力之强大,而且,目前尺寸最小的T-Flash卡的尺寸为如图1所示的11*15*1mm规格;而如图2所示的12.3*8.8mm尺寸规格的Nano-SIM卡是新一代手机微型SIM卡,相比第一代SIM卡,Nano-SIM卡尺寸减少了约60%,其更小的尺寸为降低硬件布板面积等发展方向提供了有力支持。
但是,从以上描述可以看出,现有的便携式终端,例如智能手机普遍需要配备两个插槽,即SIM卡插槽和T-Flash卡插槽来使手机能够同时安装SIM卡和T-Flash卡,但是,在手机内部设置两个插槽显然需要占用手机较大的内部空间,而这显然是与当今便携式终端的更加轻薄的发展方向背道而驰的,此外,由于传统的便携式终端需要使用如图1所示的T-Flash和如图2所示Nano-SIM卡两种卡,显然这也将消耗了更多的资源以及成本。
针对相关技术中的上述问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
针对相关技术中的上述问题,本实用新型提出一种用于便携式终端的SIM卡,能够在实现对便携式终端的用户身份安全认证的同时还能够使便携式终端具备存储容量扩展的功能,并且同时降低存储卡/SIM卡厂商的制造成本,以及缩小智能便携式终端的硬件电路空间。
本实用新型的技术方案是这样实现的:
根据本实用新型的一个方面,提供了一种用于便携式终端的SIM卡。
该SIM卡包括:
一基板,其中,基板内部封装有存储器芯片和用户身份验证芯片;
第一组金属导电结构和第二组金属导电结构,其中,第一组金属导电结构和第二组金属导电结构安装在基板的同一侧面;
其中,第一组金属导电结构与存储器芯片的接口相连接,第二组金属导电结构与用户身份验证芯片的接口相连接。
优选的,第一组金属导电结构在基板的侧面上以阵列方式排布。
优选的,第二组金属导电结构在基板的侧面上以阵列方式排布。
优选的,存储器芯片为数据存储器芯片。
优选的,基板的尺寸小于或等于T-Flash卡的尺寸。
可选的,存储器芯片的接口通过多个管脚与第一组金属导电结构相连接。
可选的,用户身份验证芯片的接口通过多个管脚与第二组金属导电结构相连接。
本实用新型通过在一张SIM卡上集成用户身份验证和数据存储功能,从而可以避免使用多张卡,不仅可以充分利用卡槽的空间,达到缩小便携式终端的硬件空间的效果,还能够降低存储卡/SIM卡的制造成本,从而与便携式终端趋于轻薄的发展方向相同步,符合微型卡的发展趋势。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据现有技术的T-Flash卡的示意图;
图2是根据现有技术的Nano-SIM卡的示意图;
图3是根据本实用新型实施例的SIM卡的示意图;
图4是根据本实用新型另一实施例的SIM卡的示意图;
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
根据本实用新型的实施例,提供了一种用于便携式终端(这里为手机)的SIM卡。
如图3所示,根据本实用新型实施例的SIM卡包括:
一基板31,其中,基板31内部封装有存储器芯片(未示出)和用户身份验证芯片(例如SIM卡芯片)(未示出);
第一组金属导电结构32,即第一组金属触点A1~A8和第二组金属导电结构33,即第二组金属触点B1~B6,其中,第一组金属导电结构32和第二组金属导电结构33安装在基板31的同一侧面;
其中,第一组金属导电结构32与存储器芯片的接口(未示出)相连接,第二组金属导电结构33与用户身份验证芯片的接口(未示出)相连接。
其中,在上述实施例中,封装在基板31中的存储器芯片可以是数据存储器芯片,优选的,则可以为高速大容量数据存储器芯片,存储容量大于32GB。
此外,虽然在本例中是以手机为例来对本实用新型的SIM卡来进行阐述的,但是本实用新型对于便携式终端的类型并不作限定,其还可以是当前流行的平板电脑以及其他类型的可以随身携带的通信终端设备。
其中,表1示出了上述实施例中的SIM卡(为了将本实用新型的SIM卡与现有技术的只有身份验证功能的SIM卡进行区分,下文中将对本实用新型的SIM卡叫做T-SIM卡)的具体尺寸,结合图1和表1可以看出,在本实施例中的T-SIM卡的基板31的尺寸为11mm x 15mm,与现有技术中最小的TF卡的尺寸是相同的,当然,值得注意的是,为了使本实用新型的集成SIM卡功能和T-Flash功能的T-SIM卡的尺寸更加小巧,可以根据工艺和实际需要调整基板31的尺寸,来使其尺寸小于现有的最小尺寸规格的TF卡。
Symbol Millimeters Symbol Millimeters
a 0.5 j 4
A 11 k 9.3
b 0.7 m 11
B 15 n 13.9
c 2.7 p 14.2
C 9.7 q 1.3
d 7.3 r 0.6
e 9.9 s 1.2
f 1.1
g 1.4
h 3.8
表1
此外,从图3中还可以看出,第一组金属触点A1~A8(这里为金手指)在基板31的侧面上是在水平方向上以阵列方式等距排布的,并且,基板31内封装的数据存储器芯片的接口是通过多个管脚分别与第一组金属导电结构32中的每个金手指,即金属触点A1~A8相连接的,从而通过第一组金属触点A1~A8使T-SIM卡中的数据存储器芯片与手机之间形成数据通信,进而实现数据的存储,其中,在本实施例中的与数据存储器芯片的接口相连接的金属触点(接口)A1~A8,当在SD模式下时各个触点对应的功能如下:A1(DAT2):数据线Bit2;A2(CD/DAT3):卡检测/数据线Bit3;A3(CMD):发送命令及响应;A4(Vpp):供电电压;A5(CLK):工作时钟;A6(Vss):参考地;A7(DAT0):数据线Bit0;A8(DAT1):数据线Bit1。
而当与数据存储器芯片的接口相连接的金属触点(接口)A1~A8在SPI模式下时,各个触点对应的功能则是:A1(RSV):保留;A2(CS):片选;A3(DI):输入数据;A4(Vpp):工作电源;A5(SCLK):工作时钟;A6(Vss):参考地;A7(DO):输出数据;A8(RSV):保留。
另外,从图3还可以看出,本实用新型的第二组金属导电结构33也是由多个金属触点构成的,这里的触点类型为金触盘,此处为6个金触盘B1~B6,中每三个金触盘构成一列分别位于基板31的侧面上的两边,在本例中B1~B3构成一列,B4~B6构成一列,并且,基板31内封装的用户身份验证芯片的接口是通过多个管脚分别与第二组金属导电结构33中的每个金触盘B1、B2、B3和B4、B5、B6相连接的,从而通过第二组金属触点B1~B6使T-SIM卡中的身份验证芯片与手机之间形成数据通信,进而实现数据的安全认证。
其中,在本实施例中的与身份验证芯片的接口相连接的多个金属触点(接口)B1~B6对应功能如下:B1(VCC):供电电源输入端;B2(RST):复位信号输入端;B3(CLK):时钟信号输入端;B4(GND):地(参考电压)端;B5(VPP):编程电压输入(可选)端;B6(IO):数据输入或输出端。
值得注意的是,虽然在本例中的对与数据存储器芯片的接口相连接的金属触点(接口)A1~A8以及与身份验证芯片的接口相连接的多个金属触点(接口)B1~B6的相应功能进行了相应的描述,但是在实际应用中,根据应用场景的不同,每个金属触点之间的相对位置可以变化,并且每个触点所对应的功能也是可以调整的,例如由于芯片的管脚的设置方式不同,那么也可能存在金属触点B1的功能为数据输入或输出端,也就是说,本实用新型对于第一组导电结构和第二组导电结构中的每个金属触点的功能并不作限定,它们可以根据实际应用场景和实际应用需求的变化而灵活调整。
此外,虽然在本例中所示的第一组金属导电结构32是按照如图3所示的方式排列的,但是本实用新型对于第一组金属导电结构32在基板31的侧面的排布方式并不作限定,其可以以任意方向来进行阵列排布,也可以以其他的非阵列的方式在基板31的侧面上排布;此外,虽然在本例中的第一组金属导电结构32包括8个金属导电结构,但是本实用新型对于与存储器芯片的接口相连接的第一组金属导电结构32中所包含的金属导电结构的数量并不作限定,其可以根据存储器芯片的接口的不同结构来进行灵活调整。
同样的,虽然在本例中,第二组金属导电结构33中的多个金属导电结构是按照如图3所示的方式排列的,但是本实用新型对于第二组金属导电结构33在基板31的侧面上的排布方式并不作限定,例如也可以按照图4所示的将金触盘b0、b1、b2和b3、b4、b5分别构成两行来进行排布,其中,表2示出了图4所示的T-SIM卡的具体尺寸,结合图4和表2可以看出,在本实施例中的T-SIM卡的基板的尺寸为11mm x 18mm,也就是说,根据便携式终端内部构造的不同以及实际应用需要的不同,本实用新型的T-SIM卡的尺寸可以灵活调整,其也可以稍微大于目前最小尺寸的T-Flash卡,此外当需要更小尺寸的SIM卡时,本实用新型的T-SIM卡的尺寸也可以小于或等于现有的最小尺寸的Nano-SIM卡的尺寸。
此外,对于图3和图4所示的两种尺寸规格的T-SIM卡来说,它们只是示意性的举例,而在实际应用中,可以在保证本实用新型的T-SIM卡集成了SIM卡功能和T-Flash功能的前提下,根据工艺和实际需要的不同来对基板的尺寸进行灵活调整,从而使本实用新型的T-SIM卡能够适用于多种不同类型的便携式终端。
Symbol Millimeters Symbol Millimeters
a 1.5 j 1.7
A 11 k 1.9
b 1.9 m 4.4
B 15 n 6.2
c 2.2 p 8.8
C 9.7 q 9.7
d 3.9 r 1.2
e 4.2 s 0.6
f 8.4 u 0.8
g 9.5 v 1.1
h 0.7 w 4.0
表2
此外,虽然在图3和图4所示的第二组金属导电结构中的多个金属导电结构均是以阵列方式在基板的侧面上进行排布的,但是,根据实际应用场景的不同(例如用户身份验证芯片的管脚的排布方式的不同)也可以使第二组金属导电结构中的多个金属导电结构以其他的非阵列的方式在基板的侧面上排布;此外,虽然在本例中的第二组金属导电结构包括6个金属导电结构,但是本实用新型对于与用户身份验证芯片的接口相连接的第二组金属导电结构中所包含的金属导电结构的数量并不作限定,其可以根据用户身份验证芯片的接口的不同结构来进行灵活调整。
另外,在一个实施例中,对于第一组金属导电结构和第二组金属导电结构在基板的同一侧面上的分布方式来说,也可以是第一组金属导电结构和第二组金属导电结构的整体,即a0、a1…a6、a7和b0、b1、b2、b3、b4、b5在基板的侧面是按照阵列方式排布的,其中本实用新型并不限定属于同一组的多个金属导电结构是相邻排布的,即属于不同组的金属导电结构也可以相邻排布,例如,a0可以与b0相邻。
另外,对于分布设置的基板同一侧面上的第一组金属导电结构和第二组金属导电结构来说,虽然第一组金属导电结构和第二组金属导电结构在基板的侧面上均是凸出设置的,但是本实用新型对于凸出的第一组金属导电结构和第二组金属导电结构是否是在同一水平面上并不作限定,它们可以位于同一水平面,也可以位于不同的水平面,具体设置方式可以根据实际需要进行灵活调整。
另外,从图3还可以看出,本实用新型的第二组金属导电结构是在基板的侧面上位于第一组金属导电结构的下方分布设置的,但是本实用新型对于第一组导电结构和第二组导电结构在基板的同一侧面上的相对位置关系并不作限定,也可以是第二组金属导电结构在基板的侧面上位于第一组金属导电结构的上方。
通过以上描述可以看出,本实用新型的一张存储片可以同时支持SIM卡和T-Flash卡的必备连接信号,以分上下两个区域的方式,来使SIM卡接口(即第二组金属导电结构)排列在T-Flash卡的接口(即第一组金属导电结构:金手指)的下方,其中,SIM卡接口和T-Flash卡的接口则分别用于连接T-SIM卡T-SIM卡内部集成的安全认证模块(即用户身份验证芯片)和高速大容量数据存储器芯片。
综上所述,借助于本实用新型的上述技术方案,通过在一张SIM卡上集成Nano-SIM卡的用户身份验证功能及T-Flash卡的数据存储功能,并通过使存储卡支持TF接口(即第一组金属导电结构)和SIM接口(即第二组金属导电结构),从而使本实用新型的SIM卡不仅支持传统SIM卡的用户身份安全认证还支持T-Flash卡的高速大容量存储功能,从而可以避免使用两张卡来实现上述功能,不仅可以充分利用卡槽的空间,达到缩小智能手机硬件空间的效果,还能够降低存储卡/SIM卡的制造成本,从而与智能手机趋于轻薄的发展方向相同步,符合微型卡的发展趋势。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种用于便携式终端的用户身份识别卡SIM卡,其特征在于,包括:
一基板,其中,所述基板内部封装有存储器芯片和用户身份验证芯片;
第一组金属导电结构和第二组金属导电结构,其中,所述第一组金属导电结构和所述第二组金属导电结构安装在所述基板的同一侧面;
其中,所述第一组金属导电结构与所述存储器芯片的接口相连接,所述第二组金属导电结构与所述用户身份验证芯片的接口相连接。
2.根据权利要求1所述的SIM卡,其特征在于,所述第一组金属导电结构在所述基板的侧面上以阵列方式排布。
3.根据权利要求1所述的SIM卡,其特征在于,所述第二组金属导电结构在所述基板的侧面上以阵列方式排布。
4.根据权利要求1所述的SIM卡,其特征在于,所述存储器芯片为数据存储器芯片。
5.根据权利要求1所述的SIM卡,其特征在于,所述基板的尺寸小于或等于T-Flash卡的尺寸。
6.根据权利要求1所述的SIM卡,其特征在于,所述存储器芯片的接口通过多个管脚与所述第一组金属导电结构相连接。
7.根据权利要求1所述的SIM卡,其特征在于,所述用户身份验证芯片的接口通过多个管脚与所述第二组金属导电结构相连接。
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