WO2019149278A1 - 存储卡和终端 - Google Patents

存储卡和终端 Download PDF

Info

Publication number
WO2019149278A1
WO2019149278A1 PCT/CN2019/074516 CN2019074516W WO2019149278A1 WO 2019149278 A1 WO2019149278 A1 WO 2019149278A1 CN 2019074516 W CN2019074516 W CN 2019074516W WO 2019149278 A1 WO2019149278 A1 WO 2019149278A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
card
memory card
nano
metal contact
pin
Prior art date
Application number
PCT/CN2019/074516
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
杨江涛
Original Assignee
华为技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to CN201980006613.7A priority Critical patent/CN111492380B/zh
Priority to KR1020227037061A priority patent/KR20220150413A/ko
Priority to JP2020541988A priority patent/JP7451409B2/ja
Priority to EP19748275.5A priority patent/EP3723004B1/en
Priority to US16/963,299 priority patent/US11568196B2/en
Priority to AU2019214185A priority patent/AU2019214185C9/en
Priority to ES19748275T priority patent/ES2959638T3/es
Priority to RU2020127903A priority patent/RU2746305C1/ru
Application filed by 华为技术有限公司 filed Critical 华为技术有限公司
Priority to KR1020207021682A priority patent/KR102535606B1/ko
Priority to CA3087613A priority patent/CA3087613C/en
Publication of WO2019149278A1 publication Critical patent/WO2019149278A1/zh
Priority to AU2022202924A priority patent/AU2022202924B2/en
Priority to JP2022095729A priority patent/JP7325578B2/ja
Priority to US17/969,261 priority patent/US20230050023A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07743—External electrical contacts
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/0772—Physical layout of the record carrier
    • G06K19/07732—Physical layout of the record carrier the record carrier having a housing or construction similar to well-known portable memory devices, such as SD cards, USB or memory sticks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/0772—Physical layout of the record carrier
    • G06K19/07733—Physical layout of the record carrier the record carrier containing at least one further contact interface not conform ISO-7816

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Telephone Function (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Telephone Set Structure (AREA)
  • Facsimiles In General (AREA)
  • Telephonic Communication Services (AREA)

Abstract

本文提供一种存储卡和终端，其中，该存储卡包括：存储单元、控制单元和存储卡接口，存储单元和控制单元设置在存储卡的卡体内，存储卡接口设置在存储卡的卡体上，控制单元分别与存储单元、存储卡接口电连接；由于存储卡的外形与Nano-SIM卡的外形相同，且存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同，提供了一种Nano-SD卡，从而可以将本实施例提供的存储卡插入到Nano-SIM卡座中，进一步地，存储卡与Nano-SIM卡可以共用同一个Nano-SIM卡座。

Description

存储卡和终端
本申请要求于2018年02月01日提交中国专利局、申请号为201810103746.3、申请名称为“存储卡和终端”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及通信技术，尤其涉及一种存储卡和终端。
背景技术
随着终端技术的发展，终端已经成为人们生活和工作的中重要通信工具。现在，终端上设置有用户身份识别(subscriber identification module，SIM)卡、以及安全数字存储(secure digital memory，SD)卡，进而终端可以通过SIM卡进行通信，终端可以将数据存储到SD卡中。
现有技术中，终端上配置有双Nano-SIM卡，具体来说，终端提供了两个Nano-SIM卡座，可以将两个Nano-SIM卡分别插入到Nano-SIM卡座中，进而终端实现双Nano-SIM卡的通信。
然而，在用户使用终端的时候，往往用户只会在终端上配置一个Nano-SIM卡，去使用一个Nano-SIM卡，从而终端上另一个卡座上不会插入Nano-SIM卡，进而浪费了终端的空间；并且，由于现有技术中提供的SD卡为Micro-SD卡，现有的Micro-SD卡与Nano-SIM卡的外形以及接口定义完全不兼容，因此还在终端上设置了与现有的Micro-SD卡兼容的Micro-SD卡座，由于终端的设计越来越小型化，设计空间的优化称为业界难题。
发明内容
本申请提供一种存储卡和终端，以解决提供了两个Nano-SIM卡座的终端中会出现一个Nano-SIM卡座不被使用，而造成浪费终端空间，且现有的Micro-SD卡与Nano-SIM卡完全不兼容的问题。
第一方面，本申请提供一种存储卡，包括：存储单元、控制单元、和存储卡接口，所述存储单元和所述控制单元设置在所述存储卡的卡体内；所述存储卡接口设置在所述存储卡的卡体上；所述控制单元分别与所述存储单元、所述存储卡接口电连接，其特征在于，所述存储卡的外形与Nano-用户身份识别SIM卡的外形相同，且所述存储卡的尺寸与所述Nano-SIM卡的尺寸相同；
所述存储卡接口至少包括所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第二金属触点、所述存储卡的第三金属触点、所述存储卡的第四金属触点、以及所述存储卡的第五金属触点；其中，所述存储卡的第一金属触点用于传输电源信号，所述存储卡的第二金属触点用于传输数据，所述存储卡的第三金属触点用于传输控制信号，所述存储卡的第四金属触点用于传输时钟信号，所述存储卡的第五金属触点用于传输地信号。
结合第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第二金属触点、所述存储卡的第三金属触点、所述存储卡的第四金属触 点、以及所述存储卡的第五金属触点都位于所述存储卡的卡体的同一侧面上。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第四金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第六金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；
所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点和所述存储卡的第七金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第二金属触点和所述存储卡的第七金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第二金属触点与所述存储卡的第四金属触点相邻；
所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第一金属触点相邻；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点和所述存储卡的第八金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第三金属触点和所述存储卡的第八金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第三金属触点与所述存储卡的第六金属触点相邻；
所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第五金属触点相邻。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据， 所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第一金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；所述存储卡的第一金属触点的面积大于所述存储卡的第七金属触点的面积；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第五金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；所述存储卡的第五金属触点的面积大于所述存储卡的第八金属触点的面积。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第七金属触点位于所述存储卡的第四金属触点与所述存储卡的第六 金属触点之间，且所述存储卡的第七金属触点分别与所述存储卡的第四金属触点、所述存储卡的第六金属触点隔离设置，所述存储卡的第七金属触点的中心点位于所述存储卡的第四金属触点的中心点与所述存储卡的第六金属触点的中心点的连接线上；
所述存储卡的第八金属触点位于所述存储卡的第一金属触点与所述存储卡的第五金属触点之间，且所述存储卡的第八金属触点分别与所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第五金属触点隔离设置，所述存储卡的第八金属触点的中心点位于所述存储卡的第一金属触点的中心点与所述存储卡的第五金属触点的中心点的连接线上。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第七种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第八种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域， 与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的时钟信号与所述存储卡的第三金属触点相邻；
所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第六金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
第二方面，本申请提供一种终端，所述终端上设置有如上任一项所述的存储卡。
在以上的各方面中，提供由存储单元、控制单元、和存储卡接口构成的存储卡，存储单元和控制单元设置在存储卡的卡体内，存储卡接口设置在存储卡的卡体上，控制单元分别与存储单元、存储卡接口电连接；由于存储卡的外形与Nano-用户身份识别SIM卡的外形相同，且存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同，提供了一种Nano-SD卡，从而可以将本实施例提供的存储卡插入到Nano-SIM卡座中，进一步地，存储卡与Nano-SIM卡可以共用同一个Nano-SIM卡座。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种存储卡的结构示意图；
图2为现有技术中的Nano-SIM卡的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图一；
图3a为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图二；
图3b为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图三；
图3c为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图四；
图4为本申请实施例提供的又一种存储卡的结构示意图一；
图4a为本申请实施例提供的又一种存储卡的结构示意图二；
图5为本申请实施例提供的再一种存储卡的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的还一种存储卡的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的其他一种存储卡的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的还有一种存储卡的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的另有一种存储卡的结构示意图；
图10为本申请实施例提供的又有一种存储卡的结构示意图；
图11为本申请实施例提供的再有一种存储卡的结构示意图；
图12为本申请实施例提供的其他有一种存储卡的结构示意图；
图13为本申请实施例提供的其他又有一种存储卡的结构示意图；
图14为本申请实施例提供的其他另有一种存储卡的结构示意图；
图15为本申请实施例提供的其他再有一种存储卡的结构示意图；
图16为本申请实施例提供的其他还有一种存储卡的结构示意图；
图17为本申请实施例提供的另外一种存储卡的结构示意图；
图18为本申请实施例提供的另外又一种存储卡的结构示意图；
图19为本申请实施例提供的另外再一种存储卡的结构示意图；
图20为本申请实施例提供的另外还一种存储卡的结构示意图；
图21为本申请实施例提供的另外有一种存储卡的结构示意图；
图22为本申请实施例提供的另外又有一种存储卡的结构示意图；
图23为本申请实施例提供的另外再有一种存储卡的结构示意图；
图24为本申请实施例提供的另外还有一种存储卡的结构示意图；
图25为本申请实施例提供的另外其他有一种存储卡的结构示意图；
图26为本申请实施例提供的一种终端的电路图；
图27为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图一；
图28为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图二；
图29为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图三；
图30为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图四；
图31为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图五；
图32为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图六；
图33为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图七；
图34为本申请实施例提供的检测存储卡被插入和拔出的检测电路图。
具体实施方式
本申请实施例应用于通信装置中，以下对本申请中的部分用语进行解释说明，以便于本领域技术人员理解。需要说明的是，当本申请实施例的方案应用于现在通信装置或未来可能出现的通信装置时，存储卡和终端的名称可能发生变化，但这并不影响本申请实施例方案的实施。
首先，对本申请所涉及的技术名词进行解释：
1)、通用串行总线(universal serial bus，USB)：是连接计算机系统与外部设备的一种串口总线标准，也是一种输入输出接口的技术规范，被广泛地应用于个人电脑和移动设备等信息通讯产品。
2)、电气和电子工程师协会(institute of electrical and electronics engineers，IEEE)1394标准：是一种串行标准。
3)、终端：可以包括各种具有通信功能的手持设备、车载设备、可穿戴设备、家庭智能设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备，以及各种形式的终端，例如，移动台(mobile station，MS)，终端(terminal)，用户设备(user equipment，UE)，软终端等等，举例来说有水表、电表、传感器等。
需要指出的是，本申请实施例中涉及的名词或术语可以相互参考，不再赘述。
需要说明的是，本申请实施例中，采用与Nano-SIM卡的外形尺寸相同的存储卡 来实现存储功能时，存储卡的类型不限于如上示例中的SD卡。本申请实施例中，存储卡还可以是基于通用串行总线(universal serial bus，USB)、高速外设部件互连(peripheral component interconnect express，PCIE)、通用闪存存储(universal flash storage，UFS)、多媒体存储卡(multi media card，MMC)或嵌入式多媒体存储卡(embedded multi media card，EMMC)等接口协议的存储卡。
下面将结合在一个示例中的附图，对在一个示例中的技术方案进行描述。在现有技术中，当前的终端中可以配置Micro-SD卡，也可以配置Nano-SIM卡。Micro-SD卡的尺寸是11毫米(mm)*15毫米，Nano-SIM卡的尺寸是8.8毫米*12.3毫米。Micro-SD卡相比Nano-SIM尺寸大56mm 2，进而Micro-SD卡座相对Nano SIM卡座尺寸大130mm 2，可知Micro-SD卡是无法插到Nano-SIM卡座中的。但是，在终端提供了两个Nano-SIM卡座的时候，往往用户只会在终端上配置一个Nano-SIM卡，去使用一个Nano-SIM卡，从而终端上另一个Nano-SIM卡座上不会插入Nano-SIM卡，进而浪费了终端的空间；并且，由于Micro-SD卡是无法插到Nano-SIM卡座中的，进而配置了双Nano-SIM卡座的终端无法将数据进行存储。
本申请的各实施例中的引脚为金属触点，即引脚可以是具有接触面积的、具有导电功能的触点；本申请的各实施例中的引脚为可以称作连接端子；对于引脚的具体名称不做具体限定。
本申请的各实施例中，A与B“相对应”，也可以叫A和B映射，表征了A和B对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。举例来说，存储卡的时钟信号引脚在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，其中，这里的“相对应”也可以称存储卡的时钟信号引脚与Nano-SIM卡的时钟信号引脚映射，即存储卡的时钟信号引脚和Nano-SIM卡的时钟信号引脚对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
本申请的各实施例中，存储卡“电源引脚”指的是“存储卡的第一金属触点”，存储卡的“数据传输引脚”指的是“存储卡的第二金属触点”，存储卡的“控制信号引脚”指的是“存储卡的第三金属触点”，存储卡的“时钟信号引脚”指的是“存储卡的第四金属触点”，存储卡的“地信号引脚”指的是“存储卡的第五金属触点”；存储卡的“第一数据传输引脚”指的是“第二金属触点”，存储卡的“第二数据传输引脚”指的是“第六金属触点”，存储卡的“第三数据传输引脚”指的是“第七金属触点”，存储卡的“第四数据传输引脚”指的是“第八金属触点”。
本申请的各实施例中，Nano-SIM卡“时钟信号引脚”指的是“Nano-SIM卡的第一金属触点”，Nano-SIM卡“复位信号引脚”指的是“Nano-SIM卡的第二金属触点”，Nano-SIM卡“电源引脚”指的是“Nano-SIM卡的第三金属触点”，Nano-SIM卡“数据传输引脚”指的是“Nano-SIM卡的第四金属触点”，Nano-SIM卡“编程电压/输入信号引脚”指的是“Nano-SIM卡的第五金属触点”，Nano-SIM卡“地信号引脚”指的是“Nano-SIM卡的第六金属触点”。
图1为本申请实施例提供的一种存储卡的结构示意图，如图1所示，该存储卡包括：存储单元、控制单元、和存储卡接口，存储单元和控制单元设置在存储卡的卡体 内；存储卡接口设置在存储卡的卡体上；控制单元分别与存储单元、存储卡接口电连接，存储卡的外形与Nano-SIM卡的外形相同，且存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同。
其中，存储卡接口至少包括电源引脚、数据传输引脚、控制信号引脚、时钟信号引脚、以及地信号引脚。
在可选的一种实施方式中，电源引脚、数据传输引脚、控制信号引脚、时钟信号引脚、以及地信号引脚都位于存储卡的卡体的同一侧面上。
在本实施例中，具体的，存储卡由存储单元、控制单元、和存储卡接口构成，并且，该存储卡还包括接口驱动电路，将存储单元、控制单元以及接口驱动电路设置在存储卡的卡体内，将存储卡接口设置在存储卡的卡体的表面上。
并且，将控制单元分别与存储单元、存储卡接口分别进行电连接，具体来说，接口驱动电路分别与存储卡接口、以及控制单元进行电连接，进而接口驱动电路将存储卡接口与控制单元进行电连接，并且将控制单元与存储单元进行电连接。
其中，存储卡接口至少包括了一个电源引脚、四个数据传输引脚、一个控制信号引脚、一个时钟信号引脚、以及一个地信号引脚；将电源引脚、数据传输引脚、控制信号引脚、时钟信号引脚、以及地信号引脚都设置在存储卡的卡体的同一侧面上，如图1所示，上述每一个引脚为图1中的标记11。可选的，存储卡的电源引脚、存储卡的数据传输引脚、存储卡的控制信号引脚、存储卡的时钟信号引脚、以及存储卡的地信号引脚分别为贴设在存储卡的卡体表面的扁平状触点。
在可选的一种实施方式中，在存储卡的卡体上设置有至少一个走线，至少一个走线位于存储卡接口中的各引脚之间；至少一个走线用于将存储单元与控制单元连接，至少一个走线还用于将控制单元与存储卡接口连接。
存储卡接口的各引脚在存储卡的卡体上的位置不做限定。存储卡接口的各引脚的长度值、高度值不做限定。本实施例中提到的引脚(或触点、或连接端子)的形状可以是规则的矩形，也可以是不规则的形状，本实施例对引脚(或触点、或连接端子)的形状不做限定。存储卡接口的各引脚的边与存储卡的各侧边之间的距离值不做限定；存储卡的具体高度值、长度值不做限定。
举例来说，根据图1的视图角度，从左到右为存储卡的长度方向，从下到上为存储卡的宽度方向。存储卡的长度为12.30毫米，公差为0.10毫米；存储卡的宽度为8.80毫米，公差为0.10毫米。
本申请实施例提供的存储卡的外形与Nano-SIM卡的外形相同；例如，Nano-SIM卡为矩形，并且矩形的四角为圆角，并且矩形的四角中的一角设置了定位缺口，进而本申请实施例提供的存储卡也是矩形，并且矩形的四角为圆角，并且矩形的四角中的一角进行了倒角设置，进而在该一角上设置了定位缺口12。并且，本申请实施例提供的存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同，具体来说，存储卡的长度与Nano-SIM卡的长度相同，存储卡的宽度与Nano-SIM卡的宽度相同，存储卡上的定位缺口的尺寸与Nano-SIM卡上的定位缺口的尺寸也相同。从而，可以将本实施例提供的存储卡插入到Nano-SIM卡座中，进一步地，存储卡与Nano-SIM卡可以共用同一个Nano-SIM卡座。
本申请实施例提供的存储卡可以被剪卡，基本能够适应剪卡和非剪卡情况。举例来说，根据图1的视图角度，从上到下为存储卡的X方向，从左到右为存储卡的Y方向。表1为Nano-SIM卡与终端的Nano-SIM卡座的配合情况、本实施例的存储卡与终端的Nano-SIM卡座的配合情况。
表1为本申请的存储卡与终端的Nano-SIM卡座的配合公差分析
Figure PCTCN2019074516-appb-000001
从表1中可以看出，本实施例的存储卡与终端的Nano-SIM卡座进行配合时候所产生的公差，对比Nano-SIM卡与终端的Nano-SIM卡座进行配合时候所产生的公差是相同的，进而本实施例的存储卡可以较好的与Nano-SIM卡座进行配合。
本实施例通过，提供由存储单元、控制单元、和存储卡接口构成的存储卡，存储单元和控制单元设置在存储卡的卡体内，存储卡接口设置在存储卡的卡体上，控制单元分别与存储单元、存储卡接口电连接；由于存储卡的外形与Nano-用户身份识别SIM卡的外形相同，且存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同，提供了一种Nano-SD卡，如图1所示，Nano-SD卡上设置了定位缺口12，从而可以将本实施例提供的存储卡插入到Nano-SIM卡座中，进一步地，存储卡与Nano-SIM卡可以共用同一个Nano-SIM卡座。
图2为现有技术中的Nano-SIM卡的结构示意图，如图2所示，Nano-SIM卡的卡体上设置有时钟信号引脚31、复位信号引脚32、电源引脚33、数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36。在以下的各实施例中，对引脚进行拆分的时候，对拆分后的得到引脚的形状、尺寸不做限定，对其他引脚的形状、尺寸也不做限定；例如，存储卡的各引脚的边缘边缘可以具有倒角，也可以没有倒角。在以下的各实施例中，对引脚进行拆分的时候，存储卡的形状、尺寸也不做限定，例如，存储卡的一角上可以具有定位缺口。
图3为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图一，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图3所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第三数据传输引脚27与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第四数据传输引脚28与存储卡的控制信号引脚23相邻。
在本实施例中，具体的，如图2所示，在现有的Nano-SIM卡的卡体上设置有一个时钟信号(clock，CLK)引脚31、一个复位信号(reset signal，RST)引脚32、一个电源(power supply，VCC)引脚33、一个数据传输(data line，DAT)引脚34、一个编程电压/输入信号(programming voltage/input signal，VPP)引脚35、一个地信号(power supply ground，GND)引脚36。举例来说，CLK引脚31、RST引脚32、VCC引脚33三者的中心点位于同一条直线上，DAT引脚34、VPP引脚35、GND引脚36三者的中心点位于同一条直线上，这两条直线是平行的。
如图3所示，本申请实施例提供的存储卡的存储卡接口至少包括了时钟信号引脚21、电源引脚22、控制信号(command/response，CMD)引脚23、地信号引脚24、第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27以及第四数据传输引脚28。
如图3所示，在本实施例中，存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区 域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，其中，这里的“相对应”也可以称作存储卡的时钟信号引脚21与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31映射，即存储卡的时钟信号引脚21和Nano-SIM卡的时钟信号引脚31对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片；存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，其中，这里的“相对应”也可以称存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32映射，即存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片；进而，存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的第一数据传输引脚25相邻且隔离设置。并且，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，第三数据传输引脚27与存储卡的第一数据传输引脚25相邻且隔离设置，其中，这里的“相对应”也可以称第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22两者是与Nano-SIM卡的电源引脚33映射的，即第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22两个引脚、与Nano-SIM卡的电源引脚33对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。进而，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的，进而保证本实施例提供的存储卡可以与Nano-SIM卡共用同一个Nano-SIM卡座。可知，将Nano-SIM卡上的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；进而，存储卡的第二数据传输引脚26与存储卡的控制信号引脚23相邻且隔离设置。并且，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，第四数据传输引脚28与存储卡的控制信号引脚23相邻且隔离设置。进而，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的，进而保证本实施例提供的存储卡可以与Nano-SIM卡共用同一个Nano-SIM卡座。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。并且， 存储卡的第二数据传输引脚26与存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
并且，图3a为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图二，如图3a所示，存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)的形状不做限定，各引脚(或触点、或连接端子)可以是不规则形状；从图3a中可以看到，存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以没有间距的，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部，走线用于将存储单元与控制单元连接，走线还用于将控制单元与存储卡接口连接。图3b为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图三，如图3b所示，存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以是具有间距的，且各引脚(或触点、或连接端子)与存储卡的边缘之间也可以是有间距的，可知存储卡上的各引脚并没有铺满存储卡的卡体表面，这些间距都是存储卡的卡体表面的区域，进而这些区域可以用于设置走线，即将走线铺设在各引脚(或触点、或连接端子)之间的间距上、以及各引脚(或触点、或连接端子)与存储卡的边缘之间的间距上，并且走线用于将存储单元与控制单元连接，走线还用于将控制单元与存储卡接口连接。
并且，图3c为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图四，如图3c所示，在图3a的情况下，存储卡的地信号引脚24在图3a所示形状下，参见图3c中斜线填充的区域，图3c中斜线填充的区域作为了存储卡的地信号引脚24。
以下各实施例中各引脚(或触点、或连接端子)的形状、间距都可以参照本实施例中的各引脚(或触点、或连接端子)的形状、间距的描述。
在以下实施例的附图中，存储卡的时钟信号引脚21标记为了CLK，存储卡的电源引脚22标记为了VCC，存储卡的控制信号引脚23标记为了CMD，存储卡的地信号引脚24标记为了GND，存储卡的第一数据传输引脚25标记为了D0，存储卡的第二数据传输引脚26标记为了D1，存储卡的第三数据传输引脚27标记为了D2，存储卡的第四数据传输引脚28标记为了D3。
图4为本申请实施例提供的又一种存储卡的结构示意图一，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图4所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的时钟信号引脚21与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第二数据传输引脚26与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是对应的，进而保证本实施例提供的存储卡可以与Nano-SIM卡共用同一个Nano-SIM卡座，举例来说，以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相同的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
并且，图4a为本申请实施例提供的又一种存储卡的结构示意图二，如图4a所示，存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)的形状不做限定，各引脚(或触点、或连接端子)可以是不规则形状。并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32映射，即存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图5为本申请实施例提供的再一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图5所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第一数据传输引脚25与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第三数据传输引脚27与存储卡的电源引脚22相邻。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的控制信号引脚23与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第四数据传输引脚28与存储卡的地信号引脚24相邻。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡 体上的区域相对应，指的是存储卡的时钟信号引脚21与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31映射，即存储卡的时钟信号引脚21与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图6为本申请实施例提供的还一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图6所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的电源引脚22与存储卡的第一数据传输引脚25相邻；存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的地信号引脚24与存储卡的控制信号引脚23相邻；存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27，在本实施例中，存储卡的电源引脚22与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。其中，存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的 区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28，在本实施例中，存储卡的地信号引脚24与存储卡的控制信号引脚23相邻。其中，存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
进一步地，存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积，存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。从而，新增的存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的第四数据传输引脚28信号尽量往卡外侧放置；并且，存储卡的电源引脚22的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的位置；存储卡的地信号引脚24的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的位置；进而可以增加Nano-SD卡的公差余量。
举例来说，根据图6的视图角度，从右到左，存储卡的第三数据传输引脚27具有第一边、第二边，存储卡具有第一侧边、第二侧边；存储卡的第三数据传输引脚27的第一边距离存储卡的第一侧边的长度为1毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第三数据传输引脚27的第二边距离存储卡的第一侧边的长度为4.9毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第三数据传输引脚27的第一边距离存储卡的第二侧边的长度为11.3毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第三数据传输引脚27的第二边距离存储卡的第二侧边的长度为7.55毫米，公差为0.1毫米。
根据图6的视图角度，从右到左，存储卡的第四数据传输引脚28具有第一边、第二边；存储卡的第四数据传输引脚28的第一边距离存储卡的第一侧边的长度为7.55毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第四数据传输引脚28的第二边距离存储卡的第一侧边的长度为11.3毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第四数据传输引脚28的第一边距离存储卡的第二侧边的长度为4.9毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第四数据传输引脚28的第二边距离存储卡的第二侧边的长度为1毫米，公差为0.1毫米。在图6中的其他引脚的第一边、第二边分别距离存储卡的第一侧边、存储卡的第二侧边的长度可以参照上述数据。
根据图6的视图角度，从上到下，存储卡具有第三侧边、第四侧边，存储卡的第四数据传输引脚28具有第三边、第四边，存储卡的地信号引脚24具有第三边、第四边，存储卡的控制信号引脚23具有第三边、第四边，存储卡的第二数据传输引脚26具有第三边、第四边。存储卡的第四数据传输引脚28的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为0.2毫米，存储卡的第四数据传输引脚28的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最大为1.05毫米。存储卡的地信号引脚24的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为1.4毫米；存储卡的地信号引脚24的第四边距离存储卡的第三侧边的长度为2.6毫米，公差为0.1毫米。存储卡的控制信号引脚23的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为3.35毫米，公差为0.1毫米；存储卡的控制信号引脚23的第四边距离存储卡的第三侧边的长度为5.25毫米，公差为0.1毫米。存储卡的第二数据传输引脚26的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为6.05毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第二数据传输引脚26的第四边距离存储卡的第三侧边的长度为7.95毫米，公 差为0.1毫米。存储卡的第三侧边与存储卡的第四侧边之间距离8.8毫米，公差为0.1毫米。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32映射，即存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图7为本申请实施例提供的其他一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图7所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27位于存储卡的时钟信号引脚21与第二数据传输引脚26之间，且第三数据传输引脚27分别与存储卡的时钟信号引脚21、第二数据传输引脚26隔离设置，第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
存储卡的第四数据传输引脚28位于存储卡的电源引脚22与存储卡的地信号引脚24之间，且第四数据传输引脚28分别与存储卡的电源引脚22、存储卡的地信号引脚24隔离设置，第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
将存储卡的第三数据传输引脚27设置在了位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的第二数据传输引脚26之间，优选的，存储卡的第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。存储卡的第四数据传输引脚28设置在了存储卡的电源引脚22与存储卡的地信号引脚24之间，优选的，存储卡的第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
举例来说，根据图7的视图角度，从左到右，存储卡的时钟信号引脚21具有第一边、第二边，存储卡具有第一侧边、第二侧边，存储卡的第三数据传输引脚27具有第一边、第二边，存储卡的第二数据传输引脚26具有第一边、第二边。存储卡的时钟信号引脚21的第一边距离存储卡的第一侧边的长度最大为1.00毫米，存储卡的时钟信号引脚21的第二边距离存储卡的第一侧边的长度最小为3.00毫米。存储卡的第三数据传输引脚27的第一边距离存储卡的第一侧边的长度最大为4.81毫米，存储卡的第三数据传输引脚27的第二边距离存储卡的第一侧边的长度最小为6.81毫米。存储卡的第二数据传输引脚26的第一边距离存储卡的第一侧边的长度最大为8.62毫米，存储卡的第二数据传输引脚26的第二边距离存储卡的第一侧边的长度最小为10.02毫米。存储卡的第一侧边与存储卡的第二侧边之间距离值为12.30毫米，公差为0.1毫米。存储卡的第二数据传输引脚26的第二边距离存储卡的第二侧边的长度为1.65毫米，公差为0.1毫米。存储卡的定位缺口的角为45度角。在图7中的其他引脚的第一边、第二边分别距离存储卡的第一侧边、存储卡的第二侧边的长度可以参照上述数据。
根据图7的视图角度，从上到下，存储卡具有第三侧边、第四侧边，存储卡的第二数据传输引脚26具有第三边、第四边，存储卡的控制信号引脚23具有第三边、第四边，存储卡的地信号引脚24具有第三边、第四边，存储卡的第四数据传输引脚28具有第三边、第四边，存储卡的第三数据传输引脚27具有第三边、第四边。存储卡的第四数据传输引脚28的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为0.81毫米，存储卡的第四数据传输引脚28的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为2.51毫米。存储卡的第三数据传输引脚27的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为6.29毫米，存储卡的第三数据传输引脚27的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为7.99毫米。存储卡的地信号引脚24的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为1.01毫米，存储卡的地信号引脚24的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为2.71毫米。存储卡的控制信号引脚23的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为3.55毫米，存储卡的控制信号引脚23的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为5.25毫米。存储卡的第二数据传输引脚26的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为6.09毫米，存储卡的第二数据传输引脚26的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为7.79毫米。存储卡的第三侧边与存储卡的第四侧边之间距离值为8.80毫米，公差为0.1毫米。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的电源引脚22与Nano-SIM卡的电源引脚33映射，即存储卡的电源引脚22与Nano-SIM卡的电源引脚33对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图8为本申请实施例提供的还有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图8所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第三数据传输引脚27与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第四数据传输引脚28与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。
在本实施例中，具体的，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
进而，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域， 相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的第二数据传输引脚26与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31映射，即存储卡的第二数据传输引脚26与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图9为本申请实施例提供的另有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图9所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的时钟信号与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第二数据传输引脚26与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知， 将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的地信号引脚24与Nano-SIM卡的电源引脚33映射，即存储卡的地信号引脚24与Nano-SIM卡的电源引脚3对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图10为本申请实施例提供的又有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图10所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第一数据传输引脚25与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的控制信号引脚23与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图11为本申请实施例提供的再有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图11所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23引脚在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的电源引脚22与存储卡的控制信号引脚23相邻；存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输 入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的地信号引脚24与存储卡的第一数据传输相邻；存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27，在本实施例中，存储卡的电源引脚22与存储卡的控制信号引脚23相邻。其中，存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28，在本实施例中，存储卡的地信号引脚24与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。其中，存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
进一步地，存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积，存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。从而，新增的存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的第四数据传输引脚28信号尽量往卡外侧放置；并且，存储卡的电源引脚22的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的位置；存储卡的地信号引脚24的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的位置；进而可以增加Nano-SD卡的公差余量。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图12为本申请实施例提供的其他有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图12所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第 四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28位于存储卡的时钟信号引脚21与第二数据传输引脚26之间，且第四数据传输引脚28分别与存储卡的时钟信号引脚21、第二数据传输引脚26隔离设置，第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
存储卡的第三数据传输引脚27位于存储卡的电源引脚22与存储卡的地信号引脚24之间，且第三数据传输引脚27分别与存储卡的电源引脚22、存储卡的地信号引脚24隔离设置，第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
将存储卡的第四数据传输引脚28设置在了位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的第二数据传输引脚26之间，优选的，存储卡的第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。存储卡的第三数据传输引脚27设置在了存储卡的电源引脚22与存储卡的地信号引脚24之间，优选的，存储卡的第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图13为本申请实施例提供的其他又有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图13所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第三数据传输引脚27与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第四数据传输引脚28与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。
存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的 走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图14为本申请实施例提供的其他另有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图14所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的电源引脚22与存储卡的时钟信号引脚21相邻；存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的地信号引脚24与存储卡的第二数据传输引脚26相邻；存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27，在本实施例中，存储卡的电源引脚22与存储卡的时钟信号引脚21相邻。其中，存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。
存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引 脚28，在本实施例中，存储卡的地信号引脚24与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。其中，存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。
进一步地，存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积，存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。从而，新增的存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的第四数据传输引脚28信号尽量往卡外侧放置；并且，存储卡的电源引脚22的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的位置；存储卡的地信号引脚24的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的位置；进而可以增加Nano-SD卡的公差余量。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图15为本申请实施例提供的其他再有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图15所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、 复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图16为本申请实施例提供的其他还有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图16所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、 存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图17为本申请实施例提供的另外一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图17所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第二数据传输引脚26与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36 在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图18为本申请实施例提供的另外又一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图18所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据 传输引脚28与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图19为本申请实施例提供的另外再一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图19所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存 储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图20为本申请实施例提供的另外还一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图20所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输 引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第四数据传输引脚28存储卡的控制信号引脚23和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图21为本申请实施例提供的另外有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图21所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第一数据传输引脚25与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33 在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的地信号引脚24相邻。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，存储卡的控制信号引脚23与存储卡的电源引脚22连接。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图22为本申请实施例提供的另外又有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图22所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置， 第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，存储卡的第一数据传输引脚25与存储卡的地信号引脚24相邻。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的控制信号引脚23与存储卡的时钟信号引脚21相邻；
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的电源引脚22相邻。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图23为本申请实施例提供的另外再有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图23所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和 第四数据传输引脚28。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27位于存储卡的电源引脚22与第二数据传输引脚26之间，且第三数据传输引脚27分别与存储卡的电源引脚22、第二数据传输引脚26隔离设置，第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
存储卡的第四数据传输引脚28位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的地信号引脚24之间，且第四数据传输引脚28分别与存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的地信号引脚24隔离设置，第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的电源引脚22、存储卡的第一数据传输引脚25和以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
将存储卡的第三数据传输引脚27设置在了位于存储卡的电源引脚22与存储卡的第二数据传输引脚26之间，优选的，存储卡的第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。存储卡的第四数据传输引脚28设置在了存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的地信号引脚24之间，优选的，存储卡的第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图24为本申请实施例提供的另外还有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图24所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的地信号引脚24之间，且第三数据传输引脚27分别与存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的地信号引脚24隔离设置，第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
存储卡的第四数据传输引脚28位于存储卡的电源引脚22与第二数据传输引脚26之间，且第四数据传输引脚28分别与存储卡的电源引脚22、第二数据传输引脚26隔离设置，第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
存储卡的地信号引脚24、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第二数据传输引脚26以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
将存储卡的第三数据传输引脚27设置在了位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的地信号引脚24之间，优选的，存储卡的第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。存储卡的第四数据传输引脚28设置在了存储卡的电源引脚22与存储卡的第二数据传输引脚26之间，优选的，存储卡的第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图25为本申请实施例提供的另外其他有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图25所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的电源引脚22占据存储卡的第三数据传输引脚27的部分区域，存储卡的电源引脚22与存储卡的第三数据传输引脚27隔离设置，存储卡的电源引脚22与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的地信号引脚24占据存储卡的第四数据传输引脚28的部分区域，存储卡的地信号引脚24与存储卡的第四数据传输引脚28隔离设置，存储卡的地信号引脚24与存储卡的控制信号引脚23相邻。
在本实施例中，具体的，进而，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22，并且使得存储卡的电源引脚22占据存储卡的第三数据传输引脚27的部分区域，从图25中可以看到存储卡的电源引脚22占据了存储卡的第三数据传输引脚27的一角。其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定；并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于 Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24，并且使得存储卡的地信号引脚24占据存储卡的第四数据传输引脚28的部分区域，从图25中可以看到存储卡的地信号引脚24占据了存储卡的第四数据传输引脚28的一角。其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定；并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
本实施例中Nano-SIM卡，是一种微型SIM卡，也被称作第四形式要素集成电路板，又称NanoSIM卡，或Nano SIM卡，或Nano-Sim卡，或NanoSim卡，或Nano Sim卡，或nano-SIM卡，或nanoSIM卡，或nano SIM卡，或nano-Sim卡，或nanoSim卡，或nano Sim卡，或nano-sim卡，或nanosim卡，或nano sim卡，
本实施例中的存储卡是与本发明实施例中Nano-SIM卡外形基本相同、尺寸基本相同的存储卡。
下述各实施例中的引脚可以为金属触点，即引脚可以是具有接触面积的、具有导电功能的触点；本申请的各实施例中的引脚可以称作连接端子；对于引脚的具体名称不做具体限定。
图27为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图一，图28为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图二，如图27和图28所示，图27示出了存储卡的结构，图28示出了在存储卡上设置有8个引脚，分别为每一个引脚进行了引脚标号，引脚标号分别为1、2、3、4、5、6、7、8。从图28的视图角度来看，将引脚4设置在了引脚3的下方，并且，引脚4呈现“L”形状；将引脚5设置在了引脚6的下方，并且，引脚5呈现“L”形状。
表2存储卡上的各个引脚的配置方式
Figure PCTCN2019074516-appb-000002
Figure PCTCN2019074516-appb-000003
如表2所示，存储卡可以处于两种工作模式，分别为存储卡模式和SPI模式。
如表2所示，当存储卡处于存储卡模式时，存储卡上的各个引脚分别为：引脚标号为1的引脚是DAT1，该引脚为数据线[1比特]Data Line[Bit 1]，引脚DAT1用于传输数据；其中，DAT指的是数据引脚(data pin)；引脚标号为2的引脚是CMD(command pin，命令引脚)，该引脚为命令/响应(command/response)引脚，引脚CMD用于传输控制命令信号；引脚标号为3的引脚是GND，该引脚为地引脚(ground)，引脚GND用于传输参考地信号；引脚标号为4的引脚是CD/DAT3，该引脚为卡检测/数据线[3比特](card detect/data line[Bit 3])，引脚CD用于传输卡检测信号，引脚DAT3用于传输数据；引脚标号为5的引脚是DAT2，该引脚为数据线[比特2](data line[Bit2])，引脚DAT2用于传输数据；引脚标号为6的引脚是V DD，该引脚为供电信号引脚，引脚V DD用于传输供电信号；引脚标号为7的引脚是DAT0，该引脚为数据线[比特0]data line[Bit 0]，引脚DAT0用于传输数据；引脚标号为8的引脚是CLK(clock input pin，时钟输入引脚)，该引脚为时钟(clock)，引脚CLK用于传输时钟信号。
如表2所示，当存储卡处于SPI模式的时候，存储卡上的各个引脚分别为：引脚标号为1的引脚是RSV，该引脚为保留项(reserved)；引脚标号为2的引脚是DI，该引脚为数据输入(data Input)，引脚DI用于传输数据输入信号；引脚标号为3的引脚是GND，该引脚为地引脚(ground)，引脚GND用于传输参考地信号；引脚标号为4的引脚是CS，该引脚为选择芯片(chip select)，引脚CS用于传输片选信号；引脚标号为5的引脚是RSV，该引脚为保留项(reserved)；引脚标号为6的引脚是V DD，该引脚为供电信号引脚，引脚V DD用于传输供电信号；引脚标号为7的引脚是DO，该引脚为数据输出(data output)，引脚DO用于传输数据输出信号；引脚标号为8的引脚是CLK，该引脚为时钟(clock)，引脚CLK用于传输时钟信号。
并且，图29为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图三，如图29所示，示出了存储卡的各个引脚之间设置一定的距离。图30为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图四，如图30所示，示出了存储卡的侧面结构，存储卡具有一定的厚度。
其中，如图27所示，存储卡的至少一个折角处可以设置圆角。示例性的，如图27，存储卡的左上方可以设置圆角R1，存储卡的右上方可以设置圆角R2，存储卡的左下方可以分别设置了圆角R3和R4，存储卡的右下方可以设置圆角R5；存储卡具有宽度A，具有高度B。上述宽度A和高度B的取值可以参见表3。
如图29所示，根据图29的视图角度，从右到左，存储卡具有第一侧边、第二侧边；从右到左，存储卡的引脚8具有第一边、第二边；从右到左，存储卡的引脚1具有第一边、第二边；引脚8的第一边距离存储卡的第二侧边的长度为A1；引脚8的第二边距离存储卡的第二侧边的长度为A2；引脚1的第一边距离存储卡的第二侧边的长度为A3；引脚1的第二边距离存储卡的第二侧边的长度为A4。并且，从右到左，存储卡的引脚7具有第一边、第二边；从右到左，存储卡的引脚2具有第一边、第二边。
如图29所示，根据图29的视图角度，从右到左，呈现“L”型引脚5的上端具有 第一边、第二边，引脚5的左端具有第三边；从右到左，存储卡的引脚6具有第一边、第二边；从右到左，存储卡的引脚3具有第一边、第二边；从右到左，呈现“L”型的引脚4的右端具有第一边，从右到左，引脚4的上端具有第二边、第三边；存储卡的第一侧边距离引脚5的第一边的长度为A11；引脚5的第一边距离引脚5的第二边的长度为A12；引脚5的第二边距离引脚6的第一边的长度为A9；引脚6的第一边距离引脚5的第三边的长度为A10；引脚4的第一边距离引脚3的第二边的长度为A8；引脚3的第二边距离引脚4的第二边的长度为A7；引脚4的第二边距离引脚4的第三边的长度为A6；引脚4的第三边距离存储卡的第二侧边的长度为A5。
如图29所示，根据图29的视图角度，从上到下，存储卡具有第三侧边、第四侧边；从上到下，存储卡的引脚8具有第三边、第四边；从上到下，存储卡的引脚7具有第三边、第四边；从上到下，存储卡的引脚6具有第三边、第四边；从上到下，呈现“L”型的引脚5的上端具有第四边，从上到下，引脚5的下端具有第五边、第六边。同样的，从上到下，存储卡的引脚1具有第三边、第四边；从上到下，存储卡的引脚2具有第三边、第四边；从上到下，存储卡的引脚3具有第三边、第四边；从上到下，呈现“L”型的引脚4的上端具有第四边，从上到下，引脚4的下端具有第五边、第六边。存储卡的第三侧边距离引脚8的第一边的长度为10；引脚8的第三边距离存储卡的第四侧边的长度为B1；引脚8的第四边距离存储卡的第四侧边的长度为B2；引脚7的第三边距离存储卡的第四侧边的长度为B3；引脚7的第四边距离存储卡的第四侧边的长度为B4；引脚6的第三边距离引脚6的第四边的长度B5；引脚6的第四边距离存储卡的第四侧边的长度为B6；引脚5的第五边距离引脚5的第六边的长度为B7；引脚5的第六边距离存储卡的第四侧边的长度为B8；引脚3的第三边距离存储卡的第四侧边的长度为B9。
根据图29的视图角度，存储卡的右上端具有圆角R6；引脚1的左上端具有圆角R7；引脚3的左下端具有圆角R8；“L”型的引脚4的弯曲处具有圆角R9；引脚4的左下端具有圆角R10。
如图30所示，存储卡的厚度为C。
上述长度和厚度，可以参见表3。表3中所示出的数字的单位为毫米(mm)。
表3存储卡上的各个引脚之间的距离
Figure PCTCN2019074516-appb-000004
Figure PCTCN2019074516-appb-000005
可选的，图31为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图五，如图31 所示，为了增强卡的可靠性，沿存储卡边缘向内延伸设置有禁布区(Keep Out Area)；禁布区为禁止布置传输线的区域，传输线可以包括信号线、电源线、控制线等。例如，如图31所示，存储卡具有四个边缘，在四个边缘上分别设置有禁布区，四个禁布区分别采用符号D1、符号D2、符号D3、符号D4进行标注，D1、D2、D3、D4也可以分别标识四个禁布区沿存储卡边缘向内延伸的距离。
其中，存储卡的禁布区D1、禁布区D2、禁布区D3、禁布区D4的宽度的最小尺寸可以为0.15毫米(mm)。
本发明实施例的存储卡的长度可以为12.3毫米左右，长度尺寸偏差可以在0.1毫米左右，即：本发明实施例的存储卡的长度可以位于12.2毫米至12.4毫米之间。
本发明实施例的存储卡的宽度可以为8.8毫米左右，宽度尺寸偏差可以在0.1毫米左右，即：本发明实施例的存储卡的宽度可以位于8.7毫米至8.9毫米之间。
本发明实施例的存储卡的厚度可以为0.7毫米左右，厚度尺寸的正向偏差可以为0.14毫米，厚度尺寸的负向偏差可以在0.1毫米左右，即：存储卡的厚度可以位于0.6毫米至0.84毫米之间。
图32为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图六，如图32所示，在图32所示的阴影区域上设置各个引脚，可以在阴影区域上设置导电材料，从而导电材料构成存储卡的引脚；在图31所示的非阴影区域上非导电材料，构成非导电区域。
图33为本申请实施例提供的还有又一种存储卡的结构示意图七，如图33所示，在图33所示的非阴影区域上设置各个引脚，可以在非阴影区域上设置导电材料，从而导电材料构成存储卡的引脚；在图33所示的阴影区域上设置非导电材料，构成非导电区域。
其中，构成每一个引脚的导电材料可以是一种或多种，导电材料例如是金、铜等等。并且，导电材料不悬浮，导电材料所在区域的存储卡高度低于或等于非导电材料所在区域的存储卡的高度；导电材料不突出于存储卡的边缘，即导电材料不位于存储卡的侧边，导电材料所在区域的存储卡宽度低于或等于非导电材料所在区域的存储卡的宽度，导电材料所在区域的存储卡长度低于或等于非导电材料所在区域的存储卡的长度。
可选的，可以在存储卡的禁布区的内部设置通孔，通孔不设置在引脚的位置。
本实施例提供的存储卡可以插入到终端的Nano-SIM卡座中，其中，Nano-SIM卡座也可以称为卡连接器，或者称为存储卡的连接器。在Nano-SIM卡座上设置有弹片，如上所述，弹片与存储卡上的引脚对应。
当存储卡插入到Nano-SIM卡座中的时候，或者，将存储卡从Nano-SIM卡座中取出的时候，引脚被弹片刮划。举例来说，将图28所示的存储卡水平的插入到Nano-SIM卡座中的时候，存储卡的一侧的4个引脚会首先进入到Nano-SIM卡座中，从而这4个引脚会连续的被从Nano-SIM卡座中最外侧的弹片刮划两次，例如引脚1、2、3和4会首先进入到Nano-SIM卡座中，引脚1、2、3和4会连续的被从Nano-SIM卡座中最外侧的弹片刮划两次。举例来说，将图28所示的存储卡垂直的插入到Nano-SIM卡座 中的时候，首先进入到Nano-SIM卡座中的2个引脚会连续被Nano-SIM卡座中最外侧的弹片刮划，例如引脚1和8会首先进入到Nano-SIM卡座中，引脚1和8会连续的被从Nano-SIM卡座中最外侧的弹片刮划4次，引脚2和7会连续的被从Nano-SIM卡座中最外侧的弹片刮划3次，引脚3和6会连续的被从Nano-SIM卡座中最外侧的弹片刮划2次。从而，需要保证存储卡的耐久性，以保证存储卡的使用寿命较长。
并且，需要保证存储卡不会过温。存储卡具有多种工作模式，例如，高速模式、超高速(ultra high speed-I，UHS-I)模式等等；高速模式下，存储卡的工作电压为3.3伏特(V)；在UHS-I模式下，存储卡的工作电压为1.8伏特(V)；在不同的上述工作模式下，存储卡的功耗不同，从而，存储卡所产生的热量不同；为了保证存储卡的正常工作，不论存储卡处于哪一种工作模式，都需要保证存储卡的功耗在0.72瓦特(W)之内。
首先需要检测存储卡是被插入到Nano-SIM卡座中，还是从Nano-SIM卡座中被取出了；检测存储卡被插入还是被取出，本申请提供了两种检测方式。
第一种检测方式如下介绍。在终端的Nano-SIM卡座中设置了卡检测开关(card detection switch)，此时，卡检测开关的类型为常开型，如表4所示；当移除存储卡的时候，卡检测开关断开；当插入存储卡的时候，卡检测开关闭合。具体来说，图34为本申请实施例提供的检测存储卡被插入和取出的检测电路图，如图34所示，提供了终端控制器(host controller)01、检测电源(VDD)02和卡检测开关03，其中，终端控制器01和检测电源02设置在终端中，卡检测开关03设置在终端的Nano-SIM卡座中；卡检测开关03的一端与终端控制器01连接，卡检测开关03的另一端接地；检测电源02的输出端连接在终端控制器01与卡检测开关03连接。当插入存储卡的时候，卡检测开关03闭合，终端控制器01检测到低电平信号，则终端控制器01打开为存储卡提供电能的电源；当移除存储卡的时候，卡检测开关03断开，终端控制器01检测到高电平信号，则终端控制器01关闭为存储卡提供电能的电源。
第二种检测方式如下介绍。同样的，在终端的Nano-SIM卡座中设置了卡检测开关，此时，卡检测开关的类型为常闭型，如表4所示；当移除存储卡的时候，卡检测开关闭合；当插入存储卡的时候，卡检测开关断开。具体来说，如图34所示，当插入存储卡的时候，卡检测开关03断开，终端控制器01检测到高电平信号，则终端控制器01打开为存储卡提供电能的电源；当移除存储卡的时候，卡检测开关03闭合，终端控制器01检测到低电平信号，则终端控制器01关闭为存储卡提供电能的电源。
从而，可以检测到存储卡被插入还是被取出；当检测到存储卡被取出的时候，关闭存储卡提供电能的电源，进而节约电能，实现低功耗。
表4卡检测开关的状态
Figure PCTCN2019074516-appb-000006
其中，上述“插入存储卡”指的是，将存储卡上的各个引脚与各自对应的弹片接 触的时候，确定插入了存储卡。上述“移除存储卡”指的是，存储卡上的任意一个或多个引脚与对应的弹片不再接触的时候，确定移除了存储卡。
本申请提供的上述存储卡的功能与现有技术的存储卡的功能是可以兼容的，但是由于本申请提供的上述存储卡可以插入到终端的Nano-SIM卡座中，从而本申请提供的上述存储卡的尺寸会比现有技术的存储卡的尺寸小。
本申请提供的上述存储卡是一种微型存储卡。也可以称为NanoSD存储卡、Nano SD存储卡、nano SD存储卡、Nano-SD存储卡、nano-SD存储卡、nanoSD存储卡。
本申请提供的上述存储卡的外形与Nano-SIM卡的外形基本相同；并且，本申请提供的上述存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸基本相同。
本申请进一步提供一种包括上述存储卡的终端。通常为与各种产品(例如，终端)一起的应用使用该存储卡去存储数字式数据。经常性地，可从该终端去除该存储卡，以使该存储卡所存储的数字式数据是便携的。根据本申请的存储卡可具有一相对较小的形状因子，并可用于为终端存储数字式数据，该终端如相机、手持或笔记本电脑、网络应用装置、机顶盒、手持或其他小型音频播放器/记录器、以及医学监视器。
图26为本申请实施例提供的一种终端的电路图，如图26所示，可以将上述存储卡插入到终端的Nano-SIM卡座中，在Nano-SIM卡座设置了与存储卡的时钟信号引脚21对应的第一连接点41、与存储卡的电源引脚22对应的第二连接点42、与存储卡的控制信号引脚23对应的第二连接点43、与存储卡的地信号引脚24对应的第二连接点44、与存储卡的第一数据传输引脚25对应的第二连接点45、与存储卡的第二数据传输引脚26对应的第二连接点46、与存储卡的第三数据传输引脚27对应的第二连接点47、与存储卡的第四数据传输引脚28对应的第二连接点48；将存储卡插入到Nano-SIM卡座中之后，存储卡的各引脚分别与各自对应的连接点接触。终端的控制芯片上设置了与第一连接点41连接的第一引脚51、与第二连接点42连接的第二引脚52、与第二连接点43连接的第三引脚53、与第二连接点44连接的第四引脚54、与第二连接点45连接的第五引脚55、与第二连接点46连接的第六引脚56、与第二连接点47连接的第七引脚57、与第二连接点48连接的第八引脚58。其中，第二引脚52可以为控制芯片的电源引脚，第四引脚54可以为控制芯片的地信号引脚。
并且，在终端中设置了SD接口和SIM接口。SD接口上设置了六个引脚，分别为第一SD引脚、第二SD引脚、第三SD引脚、第四SD引脚、第五SD引脚以及第六SD引脚；SIM接口上设置了三个引脚，分别为第一SIM引脚、第二SIM引脚以及第三SIM引脚。
在控制芯片中提供了三个开关61，将三个开关61中每一个开关61的一端与第一引脚51、第三引脚53、第五引脚55、第六引脚56、第七引脚57、第八引脚58当中的任意三个引脚进行一一对应的连接；将第一引脚51、第三引脚53、第五引脚55、第六引脚56、第七引脚57、第八引脚58当中的没有与开关61连接的其他三个引脚分别与SD接口上的三个引脚进行一一对应的连接。
将SD接口上的没有与控制芯片的引脚连接的剩余的三个引脚，与三个开关61的另一端进行一一对应；将SIM接口上三个引脚，与三个开关61的另一端进行一一对 应。
控制芯片根据对于存储卡的检测，控制三个开关61的另一端与SD接口上的没有与控制芯片的引脚连接的剩余的三个引脚分别一一对应连接，进而存储卡当前实现存储功能；或者，控制芯片根据对于存储卡的检测，控制三个开关61的另一端与SIM接口上三个引脚分别一一对应连接，进而存储卡转变为SIM卡去实现通信功能。
优选的，提供了一个近距离无线通信技术(near field communication，NFC)结构71，NFC结构71的输出端与一个其他开关的一端对应，并且，第七引脚57与该其他开关的一端对应；该其他开关的另一端与第二连接点47连接。从而NFC结构71的输出端与一个其他开关的一端连接，或者，第七引脚57与该其他开关的一端连接。
在上述实施例中，特别论述了存储卡和终端。上文所阐释的适合于存储卡的实施例起示范的目标且不意味着限制本申请。本申请所揭示的技术还可以将存储卡应用到连接到计算装置且由该计算装置控制或操作。除终端之外，可在存储卡上实施的应用的实例包括无线通信装置、全球定位系统(global positioning system，GPS)装置、蜂窝装置、网络接口，调制解调器、磁盘存储系统等。
从书面描述中已经可以知晓本申请的多个特征和有点，因此，有意用所附的权利要求来涵盖本申请的所有这些特征和优点。另外，由于对本技术领域专业人士来说，很容易进行多种调整和改变，所以本申请并不局限于已经阐释和描述过得精确结构与操作。因此，所有可采用的适合调整和改变都属于本申请的范围之内。

Claims (10)

  1. 一种存储卡，包括：存储单元、控制单元、和存储卡接口，所述存储单元和所述控制单元设置在所述存储卡的卡体内；所述存储卡接口设置在所述存储卡的卡体上；所述控制单元分别与所述存储单元、所述存储卡接口电连接，其特征在于，所述存储卡的外形与Nano-用户身份识别SIM卡的外形相同，且所述存储卡的尺寸与所述Nano-SIM卡的尺寸相同；
    所述存储卡接口至少包括所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第二金属触点、所述存储卡的第三金属触点、所述存储卡的第四金属触点、以及所述存储卡的第五金属触点；其中，所述存储卡的第一金属触点用于传输电源信号，所述存储卡的第二金属触点用于传输数据，所述存储卡的第三金属触点用于传输控制信号，所述存储卡的第四金属触点用于传输时钟信号，所述存储卡的第五金属触点用于传输地信号。
  2. 根据权利要求1所述的存储卡，其特征在于，所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第二金属触点、所述存储卡的第三金属触点、所述存储卡的第四金属触点、以及所述存储卡的第五金属触点都位于所述存储卡的卡体的同一侧面上。
  3. 根据权利要求1或2所述的存储卡，其特征在于，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
    所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
    所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
    所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻。
  4. 根据权利要求1或2所述的存储卡，其特征在于，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano- SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
    所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
    所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第四金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
    所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第六金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；
    所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
  5. 根据权利要求1或2所述的存储卡，其特征在于，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
    所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
    所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第二金属触点和所述存储卡的第七金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第二金属触点和所述存储卡的第七金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第二金属触点与所述存储卡的第四金属触点相邻；
    所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第一金属触点相邻；
    所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第三金属触点和所述存储卡的第八金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第三金属触点和所述存储卡的第八金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第三金属触点与所述存储卡的第六金属触点相邻；
    所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第五金属触点相邻。
  6. 根据权利要求1或2所述的存储卡，其特征在于，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
    所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
    所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第一金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；所述存储卡的第一金属触点的面积大于所述存储卡的第七金属触点的面积；
    所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第五金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；所述存储卡的第五金属触点的面积大于所述存储卡的第八金属触点的面积。
  7. 根据权利要求1或2所述的存储卡，其特征在于，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
    所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
    所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第七金属触点位于所述存储卡的第四金属触点与所述存储卡的第六金属触点之间，且所述存储卡的第七金属触点分别与所述存储卡的第四金属触点、所述存储卡的第六金属触点隔离设置，所述存储卡的第七金属触点的中心点位于所述存储卡的第四金属触点的中心点与所述存储卡的第六金属触点的中心点的连接线上；
    所述存储卡的第八金属触点位于所述存储卡的第一金属触点与所述存储卡的第五金属触点之间，且所述存储卡的第八金属触点分别与所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第五金属触点隔离设置，所述存储卡的第八金属触点的中心点位于所述存储卡的第一金属触点的中心点与所述存储卡的第五金属触点的中心点的连接线上。
  8. 根据权利要求1或2所述的存储卡，其特征在于，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
    所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
    所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；
    所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻。
  9. 根据权利要求1或2所述的存储卡，其特征在于，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
    所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
    所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的时钟信号与所述存储卡的第三金属触点相邻；
    所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
    所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第六金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
    所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
  10. 一种终端，其特征在于，所述终端上设置有如权利要求1-9任一项所述的存储卡。
PCT/CN2019/074516 2018-02-01 2019-02-01 存储卡和终端 WO2019149278A1 (zh)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ES19748275T ES2959638T3 (es) 2018-02-01 2019-02-01 Tarjeta de memoria y terminal
JP2020541988A JP7451409B2 (ja) 2018-02-01 2019-02-01 メモリカードおよび端末
EP19748275.5A EP3723004B1 (en) 2018-02-01 2019-02-01 Memory card, and terminal
US16/963,299 US11568196B2 (en) 2018-02-01 2019-02-01 Memory card and terminal
AU2019214185A AU2019214185C9 (en) 2018-02-01 2019-02-01 Memory card and terminal
CN201980006613.7A CN111492380B (zh) 2018-02-01 2019-02-01 存储卡和终端
RU2020127903A RU2746305C1 (ru) 2018-02-01 2019-02-01 Карта памяти и оконечное устройство
KR1020227037061A KR20220150413A (ko) 2018-02-01 2019-02-01 메모리 카드 및 단말
KR1020207021682A KR102535606B1 (ko) 2018-02-01 2019-02-01 메모리 카드 및 단말
CA3087613A CA3087613C (en) 2018-02-01 2019-02-01 Memory card and terminal
AU2022202924A AU2022202924B2 (en) 2018-02-01 2022-05-02 Memory card and terminal
JP2022095729A JP7325578B2 (ja) 2018-02-01 2022-06-14 メモリカードおよび端末
US17/969,261 US20230050023A1 (en) 2018-02-01 2022-10-19 Memory Card and Terminal

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810103746.3A CN109948767A (zh) 2018-02-01 2018-02-01 存储卡和终端
CN201810103746.3 2018-02-01

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/963,299 A-371-Of-International US11568196B2 (en) 2018-02-01 2019-02-01 Memory card and terminal
US17/969,261 Continuation US20230050023A1 (en) 2018-02-01 2022-10-19 Memory Card and Terminal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019149278A1 true WO2019149278A1 (zh) 2019-08-08

Family

ID=67006012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2019/074516 WO2019149278A1 (zh) 2018-02-01 2019-02-01 存储卡和终端

Country Status (11)

Country Link
US (2) US11568196B2 (zh)
EP (1) EP3723004B1 (zh)
JP (2) JP7451409B2 (zh)
KR (2) KR20220150413A (zh)
CN (2) CN109948767A (zh)
AU (2) AU2019214185C9 (zh)
CA (2) CA3189433A1 (zh)
DE (1) DE202019005849U1 (zh)
ES (1) ES2959638T3 (zh)
RU (1) RU2746305C1 (zh)
WO (1) WO2019149278A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113033222A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 荣耀终端有限公司 电子设备、用户身份识别卡与存储卡的识别方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040115760A1 (en) 1999-06-18 2004-06-17 Thomas Metzler Method and device for carrying out biochemical reactions with a high throughput
CN109948767A (zh) * 2018-02-01 2019-06-28 华为技术有限公司 存储卡和终端
KR20210078644A (ko) 2019-12-18 2021-06-29 삼성전자주식회사 범용 플래시 스토리지 메모리 카드
CN111740253A (zh) * 2020-07-17 2020-10-02 华为技术有限公司 卡结构和终端设备
CN116263870A (zh) * 2021-12-15 2023-06-16 华为技术有限公司 存储卡

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN204331782U (zh) * 2014-12-23 2015-05-13 电信科学技术研究院 用于便携式终端的sim卡
US20160049742A1 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory card
CN105701532A (zh) * 2014-11-25 2016-06-22 茂邦电子有限公司 晶片卡的晶片封装件及其成型用片状封装板与成型方法

Family Cites Families (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4024599C2 (de) 1989-08-16 1996-08-14 Siemens Ag Hochfrequenz-Antenne eines Kernspintomographen
DE4007221A1 (de) * 1990-03-07 1991-09-12 Gao Ges Automation Org Pruefkopf fuer kontaktflaechen von wertkarten mit eingelagertem halbleiterchip
US5308251A (en) 1992-08-10 1994-05-03 The Whitaker Corporation Mounting bracket with ESD protection for an electrical connector
DE69601497T2 (de) 1995-03-22 1999-06-17 Framatome Connectors Int Leserrahmen für ic-kartenleser
US6151647A (en) * 1998-03-26 2000-11-21 Gemplus Versatile interface smart card
FR2783336B1 (fr) * 1998-09-11 2001-10-12 Schlumberger Ind Sa Procede de transmission de donnees et carte pour une telle transmission
US7021971B2 (en) * 2003-09-11 2006-04-04 Super Talent Electronics, Inc. Dual-personality extended-USB plug and receptacle with PCI-Express or Serial-At-Attachment extensions
US6705520B1 (en) * 1999-11-15 2004-03-16 Satyan G. Pitroda Point of sale adapter for electronic transaction device
JP4261802B2 (ja) * 2000-04-28 2009-04-30 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカード
US20030112613A1 (en) * 2002-10-22 2003-06-19 Hitachi, Ltd. IC card
TW483599U (en) * 2001-05-11 2002-04-11 Quanta Comp Inc Client ID connector with two ID slot
JP3813849B2 (ja) 2001-09-14 2006-08-23 株式会社東芝 カード装置
JP3842609B2 (ja) * 2001-10-22 2006-11-08 株式会社東芝 Ｉｃカード用ｌｓｉ，ｉｃカード及びｉｃカードの動作方法
US6634565B2 (en) * 2001-11-06 2003-10-21 Litronic, Inc. Smart card having additional connector pads
CN1464363A (zh) * 2002-06-17 2003-12-31 万国电脑股份有限公司 存储卡共用连接装置及其共用端子的切换与判断方法
JP4236440B2 (ja) * 2002-10-09 2009-03-11 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカード
US7367503B2 (en) * 2002-11-13 2008-05-06 Sandisk Corporation Universal non-volatile memory card used with various different standard cards containing a memory controller
US6772956B1 (en) * 2003-03-31 2004-08-10 Stmicroelectronics, Inc. Smart card and method that modulates traffic signaling indicative of operational attributes of the smart card and/or transactions between the smart card and USB port of a USB host
US6752321B1 (en) * 2003-03-31 2004-06-22 Stmicroelectronics, Inc. Smart card and method that modulates multi-color LED indicative of operational attributes and/or transactions between the smart card and USB port of a USB host
US7305535B2 (en) * 2003-04-17 2007-12-04 Sandisk Corporation Memory cards including a standard security function
JP4412947B2 (ja) * 2003-09-08 2010-02-10 株式会社ルネサステクノロジ メモリカード
US6854984B1 (en) * 2003-09-11 2005-02-15 Super Talent Electronics, Inc. Slim USB connector with spring-engaging depressions, stabilizing dividers and wider end rails for flash-memory drive
JP2007041629A (ja) * 2003-11-04 2007-02-15 Renesas Technology Corp メモリカード及び半導体装置
DE102004015535B4 (de) * 2004-03-30 2009-01-29 Infineon Technologies Ag Datenübertragungsschnittstelle und Verfahren
US7152801B2 (en) * 2004-04-16 2006-12-26 Sandisk Corporation Memory cards having two standard sets of contacts
JP2005322109A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Renesas Technology Corp Ｉｃカードモジュール
NO321855B1 (no) * 2004-09-02 2006-07-17 Telenor Asa Mobiltelefontilstedevaerelses- og lokaliseringssystem ved bruk av en SIM-kortsender
US7198199B2 (en) 2005-02-04 2007-04-03 Chun-Hsin Ho Dual universal integrated circuit card (UICC) system for a portable device
JP2006253430A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
EP1772794A1 (en) * 2005-10-10 2007-04-11 Axalto S.A. Method and circuit for local clock generation and smartcard including it thereon
DE102005049256A1 (de) * 2005-10-14 2007-04-26 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul, Chipkarte, Chipkartenkontaktierungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Chipkarte
US7987368B2 (en) 2005-10-28 2011-07-26 Microsoft Corporation Peer-to-peer networks with protections
DE602005020169D1 (de) * 2005-12-22 2010-05-06 Lg Electronics Inc Verfahren für effizientere Verwendung einer Schnittstelle zwischen einer Chipkarte und einer Vorrichtung, zugehörige Chipkarte und Vorrichtung
EP1833006B1 (en) * 2006-03-10 2014-01-08 LG Electronics Inc. Method and apparatus for protocol selection on ICC
KR100773741B1 (ko) * 2006-05-18 2007-11-09 삼성전자주식회사 다수의 인터페이스들을 구비하는 집적 회로와 이를구비하는 집적 회로 카드
RU2445676C2 (ru) 2006-05-29 2012-03-20 Пашалис ПАПАГРИГОРИЮ Способ осуществления связи с многофункциональной картой памяти
KR100939067B1 (ko) * 2006-07-07 2010-01-28 삼성전자주식회사 복수의 서로 상이한 인터페이스를 구비한 스마트 카드
KR100764744B1 (ko) * 2006-07-21 2007-10-08 삼성전자주식회사 호스트의 인터페이스 프로토콜을 판별하는 디바이스 그것을포함하는 아이씨카드
CN101536018A (zh) * 2006-12-20 2009-09-16 株式会社瑞萨科技 半导体装置及其适配器
CN101271533A (zh) * 2007-03-23 2008-09-24 北京握奇数据系统有限公司 一种集成电路卡及其数据无线传输的方法
JP2008257506A (ja) 2007-04-05 2008-10-23 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4525716B2 (ja) * 2007-08-20 2010-08-18 パナソニック電工株式会社 カード用コネクタ装置
JP2009054061A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Renesas Technology Corp 半導体装置
FR2923633B1 (fr) * 2007-11-13 2010-06-18 Oberthur Card Syst Sa Carte a microprocesseur, telephone comprenant une telle carte et procede d'execution d'une commande dans une telle carte.
EP2228754A1 (en) * 2007-12-10 2010-09-15 Renesas Electronics Corporation Sim adapter and sim card
US20090172279A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Po Yuan System For Accessing A Removable Non-Volatile Memory Card
US20090327528A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Sandisk Il Ltd. Data storage method with multiple protocols for preloading data
KR20110029132A (ko) * 2008-06-26 2011-03-22 샌디스크 아이엘 엘티디 데이터를 프리로딩하기 위한 다중 프로토콜을 구비하는 데이터 저장 장치
FR2936886B1 (fr) * 2008-10-02 2013-09-27 Oberthur Technologies Dispositif electronique et gestion des communications sans contact concurrentes d'un tel dispositif et d'un equipement hote
EP2224376B1 (en) * 2009-02-25 2014-12-31 Vodafone Holding GmbH Power supply for a chip card
KR101544912B1 (ko) * 2009-03-31 2015-08-17 삼성전자주식회사 집적 회로 카드 시스템 및 이에 따른 데이터의 전송 방법
EP2465040A1 (en) * 2009-08-14 2012-06-20 SanDisk IL Ltd. Dual interface card with backward and forward compatibility
CN201556226U (zh) 2009-11-23 2010-08-18 华为终端有限公司 Sim卡、sim卡卡座及通讯终端
KR20120011974A (ko) * 2010-07-29 2012-02-09 삼성전자주식회사 복수 개의 인터페이스를 지원하는 스마트 카드 및 그것의 인터페이스 방법
CH703738B1 (de) * 2010-08-31 2018-05-31 Swisscom Ag SIM-Karte und Verfahren zur Herstellung derselben.
DE102011112031A1 (de) * 2011-05-11 2012-11-15 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zum Datenaustausch zwischen Endgerät und Chipkarte
FR2976382B1 (fr) * 2011-06-10 2013-07-05 Oberthur Technologies Module a microcircuit et carte a puce le comportant
CN202134034U (zh) 2011-07-11 2012-02-01 深圳市江波龙电子有限公司 Micro sd卡
FR2977956A1 (fr) * 2011-07-12 2013-01-18 France Telecom Module electronique de stockage, procede d'attribution des contacts d'un module electronique de stockage, procede de mise en œuvre d'une attribution
US8909556B2 (en) * 2011-07-20 2014-12-09 Visa International Service Association Security gateway communication
US9390364B2 (en) * 2011-08-08 2016-07-12 Féinics Amatech Teoranta Transponder chip module with coupling frame on a common substrate for secure and non-secure smartcards and tags
FR2982690B1 (fr) * 2011-11-14 2016-07-08 Oberthur Technologies Adaptateur de carte a puce et carte a puce correspondante
CN202453931U (zh) * 2011-12-29 2012-09-26 深圳市江波龙电子有限公司 可扩展的存储卡及移动终端
CN102592164A (zh) * 2011-12-29 2012-07-18 深圳市江波龙电子有限公司 可扩展的存储卡、连接器及移动终端
EP2828803B1 (en) * 2012-03-22 2018-07-11 SMK Corporation Temporary carrier of a removable memory card, method of production and processing of a removable memory card
EP2829885B1 (en) * 2012-03-23 2020-01-15 Mitsubishi Electric Corporation System and method for discriminating noise sources
US8936199B2 (en) * 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
US9426127B2 (en) * 2012-05-02 2016-08-23 Visa International Service Association Small form-factor cryptographic expansion device
CN103473593B (zh) * 2012-06-05 2018-10-19 德昌电机(深圳)有限公司 智能卡、智能卡接触垫载板及其制造方法
US20140099805A1 (en) * 2012-10-10 2014-04-10 Motorola Mobility Llc Electronic connector capable of accepting a single subscriber identity mopdule or a memory card
CN202977922U (zh) * 2012-12-03 2013-06-05 北京小米科技有限责任公司 一种sim卡卡座及移动终端
CN103870870A (zh) 2012-12-13 2014-06-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 数据存储卡
US20140200047A1 (en) * 2013-01-11 2014-07-17 Kuo-Liang Chen Interface Card with Multiple Subscriber Identity Modules
KR102035776B1 (ko) * 2013-01-17 2019-10-23 삼성전자 주식회사 심카드 소켓 및 이를 포함하는 단말기
US10248902B1 (en) * 2017-11-06 2019-04-02 Féinics Amatech Teoranta Coupling frames for RFID devices
CN103164737A (zh) * 2013-01-29 2013-06-19 三星半导体(中国)研究开发有限公司 高密度存储智能卡模块及其制造方法
US9368427B2 (en) * 2013-02-01 2016-06-14 Mxtran Inc. Integrated circuit film and method of manufacturing the same
CN103970703A (zh) * 2013-02-05 2014-08-06 财团法人工业技术研究院 Usb ssic 可抽取式电子装置及其转接装置
US8968029B2 (en) * 2013-03-18 2015-03-03 Uju Electronics Co. Ltd. Socket for nano SIM card
US9467186B2 (en) * 2013-04-16 2016-10-11 Xiaomi Inc. Card holder and mobile terminal including same
CN104241892B (zh) * 2013-06-09 2018-01-23 华为终端有限公司 一种usb连接器及无线上网设备
CN103367951B (zh) * 2013-06-28 2016-03-02 华为终端有限公司 数码卡固定装置
CN203492067U (zh) * 2013-09-16 2014-03-19 中兴通讯股份有限公司 卡托和移动终端
KR20150083567A (ko) * 2014-01-10 2015-07-20 삼성전자주식회사 심카드 커넥터 및 이를 포함하는 전자 장치
JP6266363B2 (ja) * 2014-01-29 2018-01-24 株式会社東芝 メモリカードスロット装置及びメモリカードスロット装置の制御方法
US10141774B2 (en) * 2014-03-04 2018-11-27 Huawei Device (Dongguan) Co., Ltd. Charging circuit and terminal for wired and wireless charging
FR3021145B1 (fr) * 2014-05-14 2018-08-31 Linxens Holding Procede de fabrication d'un circuit pour module de carte a puce et circuit pour module de carte a puce
KR102284655B1 (ko) * 2014-07-02 2021-08-03 삼성전자 주식회사 메모리 카드
CN104124587B (zh) * 2014-07-24 2017-10-24 惠州Tcl移动通信有限公司 可安装Nano‑SIM卡的TF卡连接器及手机
CN204012075U (zh) * 2014-07-30 2014-12-10 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 一种数据卡连接器及终端
US9948015B2 (en) * 2014-07-31 2018-04-17 Huawei Technologies Co., Ltd. Three-in-two card connector and mobile terminal including three-in-two card connector
KR102420587B1 (ko) * 2014-08-12 2022-07-14 삼성전자주식회사 메모리 카드
JP2016100217A (ja) 2014-11-21 2016-05-30 タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 カードコネクタ
JP2016134378A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 シャープ株式会社 モジュール保持部材、基板および電子機器
WO2016132654A1 (ja) * 2015-02-16 2016-08-25 株式会社村田製作所 アンテナ装置および通信端末装置
TW201638829A (zh) * 2015-04-17 2016-11-01 太思科技股份有限公司 用於安裝先進智慧卡的輔助安裝結構
JP6408967B2 (ja) * 2015-08-19 2018-10-17 日本電産サンキョー株式会社 カードリーダ
CN204835128U (zh) 2015-08-19 2015-12-02 上海晴格电子有限公司 一种Micro SD卡与Nano SIM卡二选一卡座连接器
JP6613130B2 (ja) * 2015-12-22 2019-11-27 モレックス エルエルシー カード保持部材及びカード用コネクタセット
US9900984B2 (en) * 2015-12-31 2018-02-20 Taisys Technologies Co. Ltd. Auxiliary mounting structure for mounting advanced smart card
KR101740182B1 (ko) * 2015-12-31 2017-05-25 몰렉스 엘엘씨 카드 소켓, 카드 커넥터 및 이의 제조 방법
CN206039592U (zh) 2016-04-25 2017-03-22 丽而康科技（深圳）有限公司 一种有储存功能的sim卡
US9887476B2 (en) * 2016-05-03 2018-02-06 Futurewei Technologies, Inc. Multi-portion connector for use with differently-sized cards
DE102016110780A1 (de) * 2016-06-13 2017-12-14 Infineon Technologies Austria Ag Chipkartenmodul und Verfahren zum Herstellen eines Chipkartenmoduls
CN106127285B (zh) * 2016-06-17 2021-08-03 北京小米移动软件有限公司 集成电路卡
US9647709B1 (en) * 2016-08-15 2017-05-09 Giesecke & Devrient Mobile Security America, Inc. Convertible data carrier cradle for electronic mobile device
CN206178926U (zh) 2016-08-18 2017-05-17 成都九洲电子信息系统股份有限公司 基于sd卡可扩展的rfid信息终端
KR102646895B1 (ko) * 2016-09-29 2024-03-12 삼성전자주식회사 메모리 카드 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
CN106453730B (zh) 2016-12-22 2019-07-26 珠海市魅族科技有限公司 一种智能卡及终端设备
KR20180077727A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로 카드 및 이를 포함하는 통신 시스템
US11037042B2 (en) * 2016-12-29 2021-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit cards and communication systems including the same
US11250307B2 (en) * 2017-03-23 2022-02-15 Idex Biometrics Asa Secure, remote biometric enrollment
JPWO2018186456A1 (ja) * 2017-04-07 2020-01-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ホスト装置及びリムーバブルシステム
CN206931104U (zh) 2017-04-11 2018-01-26 重庆蓝岸通讯技术有限公司 兼容SIM标准的Micro SD卡
CN117669631A (zh) * 2017-06-05 2024-03-08 铠侠股份有限公司 存储卡及主机设备
CN107229962A (zh) 2017-07-03 2017-10-03 智坤（江苏）半导体有限公司 一种基于移动终端的通用智能卡
US20190182954A1 (en) * 2017-12-08 2019-06-13 Western Digital Technologies, Inc. Memory card pin layout for avoiding conflict in combo card connector slot
EP3502838B1 (en) * 2017-12-22 2023-08-02 Nokia Technologies Oy Apparatus, method and system for identifying a target object from a plurality of objects
KR102440366B1 (ko) * 2018-01-04 2022-09-05 삼성전자주식회사 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 장치
CN109948767A (zh) * 2018-02-01 2019-06-28 华为技术有限公司 存储卡和终端
CN109983706B (zh) * 2018-02-01 2020-06-02 华为技术有限公司 一种电子设备
CN207965941U (zh) * 2018-02-01 2018-10-12 华为技术有限公司 存储卡和终端
KR102460379B1 (ko) * 2018-02-13 2022-10-27 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 카드 홀더 및 이동 단말
CN109284808A (zh) * 2018-09-13 2019-01-29 深圳市江波龙电子股份有限公司 一种多媒体存储卡以及移动电子设备
USD930000S1 (en) * 2018-10-12 2021-09-07 Huawei Technologies Co., Ltd. Memory card
KR102605960B1 (ko) * 2018-10-16 2023-11-23 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 메모리 카드, 메모리 카드 어댑터 및 단말 장치
CN111428839A (zh) * 2018-12-20 2020-07-17 华为技术有限公司 一种存储卡、连接器以及功能卡的识别方法
US11087195B2 (en) * 2018-12-31 2021-08-10 Western Digital Technologies, Inc. Memory card pad layout supporting multiple communication protocols
US11023394B2 (en) * 2019-02-19 2021-06-01 Western Digital Technologies, Inc. Socket interconnector with compressible ball contacts for high pad count memory cards
US11157197B2 (en) * 2019-02-19 2021-10-26 Western Digital Technologies, Inc. Socket interconnector for high pad count memory cards
CN112151528A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 西部数据技术公司 包括相对表面上的接触指的半导体装置
KR20210078644A (ko) * 2019-12-18 2021-06-29 삼성전자주식회사 범용 플래시 스토리지 메모리 카드

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160049742A1 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory card
CN105701532A (zh) * 2014-11-25 2016-06-22 茂邦电子有限公司 晶片卡的晶片封装件及其成型用片状封装板与成型方法
CN204331782U (zh) * 2014-12-23 2015-05-13 电信科学技术研究院 用于便携式终端的sim卡

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113033222A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 荣耀终端有限公司 电子设备、用户身份识别卡与存储卡的识别方法
CN113033222B (zh) * 2019-12-09 2022-09-23 荣耀终端有限公司 电子设备、用户身份识别卡与存储卡的识别方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE202019005849U1 (de) 2022-08-09
US20230050023A1 (en) 2023-02-16
AU2019214185B2 (en) 2022-02-03
EP3723004A1 (en) 2020-10-14
US11568196B2 (en) 2023-01-31
CN111492380B (zh) 2022-05-13
EP3723004B1 (en) 2023-07-26
RU2021108744A (ru) 2021-04-29
KR20220150413A (ko) 2022-11-10
EP3723004A4 (en) 2021-03-03
ES2959638T3 (es) 2024-02-27
US20210117748A1 (en) 2021-04-22
CA3087613A1 (en) 2019-08-08
AU2022202924A1 (en) 2022-05-26
JP7325578B2 (ja) 2023-08-14
JP2022118103A (ja) 2022-08-12
AU2019214185C1 (en) 2022-08-18
AU2019214185A1 (en) 2020-07-16
KR102535606B1 (ko) 2023-05-22
JP7451409B2 (ja) 2024-03-18
CA3087613C (en) 2023-04-04
RU2746305C1 (ru) 2021-04-12
CA3189433A1 (en) 2019-08-08
KR20200100818A (ko) 2020-08-26
AU2019214185C9 (en) 2022-09-01
CN111492380A (zh) 2020-08-04
RU2021108744A3 (zh) 2021-09-24
JP2021513155A (ja) 2021-05-20
AU2022202924B2 (en) 2023-11-02
EP3723004C0 (en) 2023-07-26
CN109948767A (zh) 2019-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019149278A1 (zh) 存储卡和终端
US8070067B2 (en) Receptacles for removable electrical interface devices
EP1801740B1 (en) Interface for a removable electrical card
JP4719687B2 (ja) 着脱可能な電子回路カードのモジュール間の効率的な接続
CN207965941U (zh) 存储卡和终端
US20070257116A1 (en) Interface detection method of a multiple mode micro memory card
WO2020052346A1 (zh) 一种多媒体存储卡以及移动电子设备
RU2775156C2 (ru) Карта памяти и оконечное устройство
RU2786593C1 (ru) Карта памяти и оконечное устройство
EP2216736B1 (en) Data storage device and method for operating the same
CN204423398U (zh) 近距离无线通讯模块、控制装置及电子设备
RU55196U1 (ru) Запоминающее устройство с двумя интерфейсами

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19748275

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 3087613

Country of ref document: CA

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019214185

Country of ref document: AU

Date of ref document: 20190201

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019748275

Country of ref document: EP

Effective date: 20200708

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207021682

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020541988

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE