CN105701532B - 晶片卡的晶片封装件及其成型用片状封装板与成型方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶片卡的晶片封装件及其成型用片状封装板与成型方法，其是利用一片状载板层以制作多个间隔排列的晶片模块，各晶片模块包含一晶片电路层图案形成在该片状载板层的第一面上及一晶粒组装在相对侧的第二面上并能与该晶片电路层图案对应连通；再在该片状载板层的第二面上形成至少一塑料封装层并结合成一体，如此制成该成型用片状封装板；再进行单体化裁切以制成多个晶片封装件，如此使一晶片卡所使用的晶片模块形成一片体式晶片基体而能简易嵌置于一晶片卡体上所设一开口槽中以构成一晶片卡；如此制造端能以分开的制程分别量产化制作该晶片封装件及该晶片卡体而再简易组合成一体，不但避免现有制程技术所必备的专用机台的限制，又能降低载板层材料成本，可符合量产化需求并提升智能卡制程的经济效益。

Description

晶片卡的晶片封装件及其成型用片状封装板与成型方法

技术领域

本发明涉及一种晶片卡的晶片封装件及其成型用片状封装板与成型方法，尤指一种将一晶片卡所使用的晶片模块作成一片体式晶片封装件以当作一晶片基体供能简易嵌置于一晶片卡体上所设一开口槽中以构成一晶片卡，以提升晶片卡制程的经济效益。

背景技术

一般泛称的晶片卡是指嵌设有一晶片模块的卡片，如智能卡(SIM卡)、金融卡或信用卡等，其中该智能卡是指用户身份模块(SubscriberIdentity Module，SIM)，乃是用以保存移动电话服务的用户身份识别数据的智能卡，通称为SIM卡，目前SIM卡可分为Mini(迷你)SIM卡、Micro(微)SIM卡及Nano(奈)SIM卡，其分别设具一预定的规格尺寸，如Mini SIM卡为一15mmx25mm的矩形小卡体，Micro SIM卡为一15mmx12mm的矩形小卡体，Nano SIM卡为一8.8mmx12.3mm的矩形小卡体，上述各矩形卡体虽然并非呈现完整的矩形形状，如其一边角上设有切角，但因非本案的诉求重点且不影响本案的技术，故在此不再赘述。以现有SIM卡结构而言，其是利用一具有上述预定规格尺寸的矩形塑质小卡体如15mmx25mm(Mini SIM卡)、15mmx12mm(Micro SIM卡)或8.8mmx12.3mm(Nano SIM卡)，并于该矩形小卡体上预设一内凹的嵌槽供嵌设一符合该SIM卡功能的晶片模块而构成；依目前SIM卡的相关技术而言，不论是Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡，其上所嵌设的晶片模块的尺寸可设计为相同或约略相同，如此有利于SIM卡晶片模块或晶片卡的制造端的制程，但非用以限制本发明。

以下所述的晶片卡是以智能卡(SIM卡)为例说明，但非用以限制本发明。参考图1、2，其分别是现有的一卡一芯卡片中SIM卡的晶片模块与卡片本体组合及分解的立体示意图。该一卡一芯卡片100包含一智能卡(晶片卡)200及一承载用卡片本体300。该卡片本体300一般为一85.6mmx53.98mm的矩形塑质片卡，由于晶片卡如金融卡或信用卡长久来已是大量制作及使用的物品，故该卡片本体300已成为晶片卡相关业界所认同的规格化片卡，换言之，用以制作该85.6mmx53.98mm的矩形卡片本体的机械设备及其制程或相关技术等，目前都相当齐备及成熟，有利于业界大量制作及使用，因此该卡片本体300也被相关业界延伸使用于制作及/或存放具有较小尺寸的SIM卡，如图1、2所示该智能卡200可依使用需要而选择目前已有的SIM卡种类如Mini SIM卡的规格尺寸为15mmx25mm、Micro SIM卡的规格尺寸为15mmx12mm或Nano SIM卡的规格尺寸为8.8mmx12.3mm中的一种，如图1、2所示为以MiniSIM卡为例说明但不限制，由于制造端在制作时是在一承载用卡片本体300上只设单一片智能卡200，故称为一卡一芯，但也可制成一卡多芯而不限制(参考图12-16所示)。

该现有智能卡200包含一卡片体201及一智能卡晶片模块202嵌置并粘固在该卡片体201上所设一晶片卡体(200)上所预设的嵌槽(盲槽)203中如图2所示，其中该晶片模块202更包含一载板层204、一晶片电路层图案205设在该载板层204的第一面上(如图所示的上面)及一晶粒206组装在该载板层204的相对的第二面上(如图所示的底面)并能对应连通于该晶片电路层图案205。

以目前智能卡(SIM卡)的制程技术而言，在此以图1、2所示一卡一芯卡片为例说明，该晶片模块202的制造端一般是使用一连续的长条状软性电路板(FPC)当作载板(图未示)，即一般通称Roll to Roll FPC或Reel to Reel FPC(卷轴方式)的生产方式，而该长条状FPC上沿其长度方向(即送料方向)依序形成有一连串以预定间距连续排列的晶片模块(202)(包含一晶片电路层图案205及一晶粒206)；之后，再配合承载用卡片本体300的制造端而利用已知的专用机台设备来进行智能卡的后续制程，包含：由该长条状FPC上取出单体化的卡晶片模块(202)，再将各晶片模块(202)逐一组装在相配合的卡片本体300上如图2所示，以制成该一卡一芯卡片100。

以现有一卡一芯卡片100的制程而言，在各卡片本体300上须冲制出该智能卡200的折裂线207供使用者方便由该一卡一芯卡片100中取出该智能卡200，又于该智能卡200的卡片层201表面上须凭借刳刨工具(router)以刳刨出该嵌槽203供该智能卡晶片模块202能嵌置其内，且该嵌槽203更须刳刨形成有一中央室腔208供容纳该晶片模块202底面所设的晶粒206及一阶梯槽209供该晶片模块202底面的四周缘能凭借粘胶而粘固在该嵌槽203内；更且，上述制程目前都是利用特殊设计的专用机台设备始能进行制作。

由上可知，现有一卡一芯卡片100(或一卡多芯)的制程技术会受到专用机台设备的限制，以致晶片模块202制造端及卡片本体300制造端的制程也受到限制，例如在现有制程中，从晶片模块202的制作包含各晶片电路层图案205的形成作业及各晶粒206的安装作业，至后续的制程作业如将晶片模块202组装在卡片本体300上，都是采用Roll to RollFPC或Reel to Reel FPC(卷轴方式)的生产加工方式，由于其是在一长条状软性电路板(FPC)上依序进行，故其机台结构不但较为烦杂，且制程相对较慢，难以达成量产化效益，而且以软性电路板(FPC)来当作载板，也相对增加制程及材料成本，更造成晶片模块202制造端与卡片本体300制造端之间生产管制的困扰；此外，且该智能卡200的卡片层201表面上须凭借刳刨工具(router)以刳刨出供该晶片模块202嵌置于内的特殊嵌槽203，更增加刳刨加工的困难度及成本。因此，现有的制程技术不但无法达成量产化需求，而且制造成本相对提高，不符合生产智能卡的经济效益。

发明内容

由上可知，针对晶片卡(智能卡)的制程，如何发展一能符合量产化需求并提升经济效益的晶片卡制程，乃为本发明亟欲解决的课题，而本发明即是针对上述欲解决的课题，而提出一具有新颖性及进步性的技术方案。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案包括：

一种晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，其特征在于，包含下列步骤：

步骤1：利用一片状载板层以制作多个形成间隔排列的晶片卡的晶片模组，其中在该片状载板层的第一面上形成有多个间隔排列的晶片电路层图案，并在相对该第一面的第二面上于对应第一面上各晶片电路层图案的相对位置处各组装一晶粒以通过该片状载板层以与该对应晶片电路层图案连通，如此制作完成多个晶片模块，而各晶片模块包含一晶片电路层图案设在第一面上及一晶粒设在第二面上并与该晶片电路层图案连通；

步骤2：在该片状载板层的第二面上形成至少一塑料封装层，该至少一塑料封装层与该片状载板层的第二面结合成一体，并保持各智能卡晶片模块中该晶粒与所对应晶片电路层图案之间的连通及作用功能，如此制作完成一具有多个间隔排列的晶片封装件的成型用片状封装板。

其中，在该步骤2的后还包含下列的步骤：

步骤3：对该成型用片状封装板进行单体化裁切，以制作完成多个智慧卡晶片封装件，其中各智能卡晶片封装件为一由一智能卡晶片模块及至少一塑料封装层所结合构成的一体成型体。

其中，在该步骤2中该至少一塑料封装层是利用层压工法或射出成型工法中的一种工法以形成在该片状载板层的第二面上并结合构成一体成型体。

其中，当该步骤2中是利用层压工法时，其是在该片状载板层的第二面上逐一叠置一双面胶层、一第一塑料层及一第二塑料层，再凭借层压工法以层压形成该至少一塑料封装层并与该片状载板层的第二面结合成一体。

其中，在该双面胶层及该第一塑料层上预设多个室腔，其中各室腔分别对应于该片状载板层的第二面上所组装的各晶粒供各晶粒能容置在各室腔内。

其中，该第一塑料层及该第二塑料层的材料包含PVC、ABS树脂。

其中，当该步骤2中是利用射出成型工法时，其是将该片状载板层先埋置在射出成型模具内，再利用一用以形成该塑料封装层的材料当作射出料以凭借该射出成型模具直接在该片状载板层的第二面上射出成型该塑料封装层并与该片状载板层的第二面结合成一体。

其中，该晶片模块包含符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片模块。

其中，该晶片封装件包含符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片封装件。

其中，该晶片封装件由一晶片模块及至少一塑料封装层所构成的厚度为0.3～0.85mm。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案还包括：

一种晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板，其是利用上述成型方法所制成，其特征在于，该片状封装板包含：

一片状载板层，其上设有多个间隔排列的晶片模块，其中各智能卡晶片模块还包含：一晶片电路层图案，其形成在该片状载板层的第一面上；及一晶粒，其组装在相对该第一面的第二面上并位于对应该晶片电路层图案的相对位置处，以通过该片状载板层以与该对应晶片电路层图案导通；及

至少一塑料封装层，其是形成在该片状载板层的第二面上且与该片状载板层的第二面结合成一体，并保持各智能卡晶片模块中该晶粒与所对应的晶片电路层图案的作用功能。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案还包括：

一种晶片卡的晶片封装件，其是利用上述成型用片状封装板进行单体化裁切所形成的片体式晶片基体，其特征在于，该晶片封装件包含：

一晶片模块，其包含：一晶片电路层图案，形成在一片状载板层的第一面上；及一晶粒，组装在相对该第一面的第二面上并位于对应该晶片电路层图案的相对位置处，供能通过该片状载板层以与该对应晶片电路层图案导通；及

至少一塑料封装层，其是形成在该片状载板层的第二面上且与该片状载板层的第二面结合成一体，并保持各智能卡晶片模块中该晶粒与所对应的晶片电路层图案之间的连通及作用功能；

其中该晶片封装件凭借该至少一塑料封装层形成并结合在该片状载板层的第二面上所增加的厚度，使该晶片封装件得具有足够的机械强度供能紧密嵌置于一相配合的晶片卡体上所开设的一开口槽中。

其中，该晶片模块包含符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片模块。

其中，该晶片封装件包含符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片封装件。

其中，该晶片卡体是一具有Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡其中之一SIM卡的尺寸的卡体。

其中，该晶片卡体设在一尺寸为85.6mmx53.98mm的矩形卡片本体上。

其中，该晶片封装件由一晶片模块及至少一塑料封装层所构成的厚度为0.3～0.85mm。

如此制造端能以分开的制程分别量产化制作该晶片封装件及该晶片卡体(或承载用卡片本体)并再简易组合成一体，不但可避免受到现有制程技术所必备的专用机台的限制，并能降低载板层材料成本，故可符合量产化需求并提升晶片卡制程的经济效益。

附图说明

图1-图2分别是现有一卡一芯卡片中晶片模块与卡片本体的组合及分解立体示意图；

图3是本发明的片状载板层上设有多个间隔排列的晶片模块的第一面(设有多个晶片电路层图案)的一实施例平面示意图；

图4是图3的片状载板层的第二面(设有多个晶粒)平面示意图；

图5-图7分别是本发明晶片卡(智能卡)的晶片封装件的成型用片状封装板成型方法的步骤示意图；

图8是本发明中该至少一塑料封装层利用层压(lamination)工法以形成在该片状载板层的第二面上的示意图；

图9是本发明中该至少一塑料封装层利用射出成型(injection molding)工法以形成在该片状载板层的第二面上的示意图；

图10-图11分别是本发明晶片卡(智能卡)的晶片封装件嵌置于一承载用卡片本体上以成为一卡一芯卡片实施例的分解及组合立体示意图；

图12-图16分别是本发明中该晶片封装件嵌置于一承载用卡片本体上以成为一卡二芯卡片、一卡四芯卡片、一卡四芯卡片、一卡六芯卡片及一卡几芯卡片实施例的组合立体示意图。

附图标记说明：10片状载板层；10a片状封装板；11第一面；12第二面；20晶片模块；21晶片电路层图案；22晶粒；30塑料封装层；31双面胶层；311室腔；32第一塑料层；321室腔；33第二塑料层；40晶片卡晶片封装件；50射出成型模具；51上模具；52下模具；53模腔；54注入口；60卡片本体；60a卡片本体；60b卡片本体；60c卡片本体；60d卡片本体；60e卡片本体；61折裂线；70迷你SIM卡；71第一开口槽；72断裂线；80微SIM卡；81第二开口槽；82断裂线；90奈SIM卡；(现有技术)；100一卡一芯卡片；200智能卡；201卡片体；202智能卡晶片模块；203嵌槽；204载板层；205晶片电路层图案；206晶粒；207折裂线；208中央室腔；209阶梯槽；300卡片本体。

具体实施方式

为使本发明更加明确详实，兹列举较佳实施例并配合下列图示，将本发明的技术特征详述如后。

以下所述的晶片卡是以智能卡(SIM卡)为例说明，但非用以限制本发明。本发明晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，包含下列步骤：

步骤1：利用一片状载板层10以制作多个间隔排列的晶片模块20如图1、2所示，该片状载板层10可为一矩形片状载板但不限制，其是使用一般标准印刷电路板(PCB)形成，不同于传统的软性电路板(FPC)，故得降低载板10的材料及制作成本；其中在该片状载板层10的第一面11上形成有多个间隔排列的晶片电路层图案21，其中之间隔排列方式可设计成如图1所示12x24的阵列方式而共有二八八个晶片电路层图案21但非用以限制本发明；又在相对该第一面11的第二面12上于对应第一面11上各晶片电路层图案21的相对位置处各组装一晶粒22，以使该晶粒22能通过该片状载板层10所设的电路(图未示)以与所对应的晶片电路层图案21连通，如此在该片状载板层10上制成多个晶片模块20，而各晶片模块20包含一晶片电路层图案21设在第一面11上及一晶粒22设在第二面12上并与该晶片电路层图案21连通；在本实施例中，该晶片模块20包含符合各种SIM卡使用如Mini SIM卡、Micro SIM卡、Nano SIM卡的卡晶片模块，且各种SIM卡的晶片模块20的尺寸视为相同但非用以限制本发明；的后再进行下一步骤2。

步骤2：再于该片状载板层10的第二面12上(如图5所示)形成至少一塑料封装层30如图5、6所示，其中该至少一塑料封装层30在形成过程中即能与该片状载板层10的第二面12结合成一体，但仍可保持该片状载板层10上所设各晶片模块20中该晶粒22与该电路层图案21之间的连通及作用功能，如此制成本发明的成型用片状封装板10a，而该成型用片状封装板10a上已制成有多个间隔排列的晶片封装件40如图7所示，以图3、4的片状载板层10为例说明，该成型用片状封装板10a上具有二八八个以12x24的阵列方式间隔排列的晶片卡(智能卡)的晶片封装件40，但非用以限制本发明。

在步骤2的后得再进行下一步骤3：对该成型用片状封装板10a进行单体化裁切如图6所示利用切割线A进行单体化裁切，以制成多个本发明晶片卡的晶片封装件40如图7所示；以图3、4的片状载板层10为例说明，通过步骤3即可制成二八八个晶片封装件40但非用以限制本发明；在本发明中，该晶片封装件40是一由一晶片模块20及至少一塑料封装层30所结合构成并具有适当厚度的片体式结构体如图7、10所示，而凭借该至少一塑料封装层30所增加的厚度及刚性，使该晶片封装件40得具有足够的机械强度供能以一定的紧密度嵌置于一相配合的承载用卡片本体60或其上一晶片卡体(如图中70或80所示)上所设的开口槽81中如图10、11所示，也就是，该晶片卡(智能卡)的晶片封装件40能稳固嵌置于承载用卡片本体60上的开口槽81中而不易脱离，但使用者只要手指微施力即能掰开以由卡片本体60上取出该晶片封装件40。

以图7、10、11所示的SIM卡为例说明，本发明的主要特征在于：指定一种SIM卡如Mini SIM卡(70)、Micro SIM卡(80)、Nano SIM卡(90)其中之一，再将该SIM卡所使用的晶片模块20作成一片体式晶片封装件40供当作一晶片基体，以使该晶片封装件40(晶片基体)能简易嵌置于一承载用卡片本体60上所设一开口槽81中以构成一所欲的SIM卡，也就是，当该晶片模块20被设计为符合Mini SIM卡、Micro SIM卡、Nano SIM卡其中之一SIM卡使用的晶片模块时，则所形成的晶片封装件40即为符合Mini SIM卡、Micro SIM卡、Nano SIM卡其中之一使用的晶片封装件40，因此当该晶片封装件40被当作一晶片基体而嵌置于一承载用卡片本体60上所设的开口槽中时如图10、11所示的开口槽81，则可构成Mini SIM卡、MicroSIM卡、Nano SIM卡其中之一种SIM卡(晶片卡)如图10、11所示的Mini SIM卡70或Micro SIM卡80或Nano SIM卡90。

以现有SIM卡技术而言，Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡所使用的晶片模块的尺寸可设计为或视相同或约略相同如图3、4所示的晶片模块20，因此在如图10、11所示的实施例中，该晶片封装件40的尺寸是符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片封装件。此外，目前已知的SIM卡的规格尺寸是由迷你SIM卡(Mini SIM卡)的15mmx25mm缩小至微SIM卡(Micro SIM卡)的15mmx12mm，再进一步缩小至奈SIM卡(Nano SIM卡)的8.8mmx12.3mm，因此在如图10、11所示的实施例中，该晶片封装件40是直接以Nano SIM卡的规格尺寸8.8mmx12.3mm制成供当作一晶片基体，但非用以限制本发明。而该晶片封装件40的厚度是以相等于相配合的承载用卡片本体60的厚度为佳(如图10所示)如0.3mm～0.85mm，也就是当承载用卡片本体60是以现有一卡一芯卡片100(如图1、2所示)的现有卡片本体300作成时，该智能卡晶片封装件40的厚度即以相等于该卡片本体300(60)的厚度为佳，且承载用卡片本体60(300)上的开口槽81(如图10、11所示)的尺寸及形状也配合该晶片卡晶片封装件40的尺寸，以使该晶片卡晶片封装件40在嵌置于该卡片本体60(300)的一开口槽81(如图10、11所示)内时得稳固嵌合且不会凸出于该卡片本体60(300)的表面如图11所示。

在该步骤1中，本发明是利用表面粘着技艺(SMT，surface-mount technology)以将利用WLCSP(晶圆级晶片尺寸封装)方式封装的各晶片卡(SIM卡)的晶粒22组装在该片状载板层10的第二面12上并对应于第一面11上各晶片电路层图案21，以达成量产化效益，但上述各晶粒22的WLCSP封装方式或其SMT组装制程并非用以限制本发明。

此外，在该步骤2中，该至少一塑料封装层30是利用层压(lamination)工法或射出成型(injection molding)工法中之一种工法以形成在该片状载板层10的第二面12上并结合构成一片体式晶片基体(40)，但该层压工法及射出成型工法非用以限制本发明，进一步说明如下：

参考图8所示，当在该步骤2中该至少一塑料封装层30是利用层压工法以形成在该片状载板层10的第二面12上并结合构成一片体式晶片基体(40)时，其是在该片状载板层10的第二面12上逐一叠置一双面胶层31、一第一塑料层32及一第二塑料层33，再凭借层压工法层压该双面胶层31、第一塑料层32及第二塑料层33以结合成一体而形成该至少一塑料封装层30并在层压过程中同时与该片状载板层10的第二面12结合成一体。

在该双面胶层31上得预设多个室腔311，在该第一塑料层32上得预设多个室腔321，且所设的各室腔311、321分别对应于该片状载板层10的第二面12上所组装的各晶粒22，以使各晶粒22在层压的后能容置在各室腔311、321内，并凭借该第二塑料层33设在最外层以形成封闭状态。此外，该第一、第二塑料层32、33的材料可为PVC(聚氯乙烯，polyvinylchloride)或ABS树脂(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物，AcrylonitrileButadiene Styrene)但不限制。由于本发明所采用的层压工法包含材料选择或温度及压力控制等可利用目前机械领域中层压工法的现有技术来达成，且该层压工法也非本发明的诉求重点，故不另赘述。

参考图9所示，当在该步骤2中该至少一塑料封装层30是利用射出成型(injectionmolding)工法以形成在该片状载板层10的第二面12上并结合构成一片体式晶片基体(40)时，其是将已设有多个晶片模块20的片状载板层10先定位埋置在一射出成型模具50内，如图9所示先定位埋置在该射出成型模具50的下模具52内，再盖上一相配合的上模具51以使上、下模具51、52之间形成一相同于该至少一塑料封装层30所占空间的模腔53，并使该片状载板层10的第二面12朝向该模腔53；再利用一用以形成该塑料封装层30的材料(30)当作射出料以由该射出成型模具50的注入口54以一适当压力注入该模腔53中，即可直接在该片状载板层10的第二面12上射出成型该塑料封装层30且其可凭借射出成型时温度与压力的控制以与该片状载板层10的第二面12结合成一体。由于本发明所采用的射出成型工法包含材料选择或温度及压力控制等，或另利用一间隔遮护片(图未示)遮盖在第二面12上各晶粒22上方以在射出成型后能形成并具有如图8所示室腔311、321的容置功效，都可利用目前机械领域中射出成型工法的现有技术来达成，且该射出成型工法也非本发明的诉求重点，故不另赘述。

再参考图10、11所示，其分别是本发明中该晶片卡晶片封装件40嵌置于一相配合的承载用卡片本体60上一实施例的立体分解及组合示意图。如前所述，目前已知的SIM卡的规格尺寸是由迷你SIM卡(Mini SIM卡)的15mmx25mm缩小至微SIM卡(Micro SIM卡)的15mmx12mm，再进一步缩小至奈SIM卡(Nano SIM卡)的8.8mmx12.3mm，因此在如图10、11所示的实施例中，该晶片封装件40是直接以Nano SIM卡的规格尺寸8.8mmx12.3mm制成，在图10、11中的晶片封装件40不但被当作一晶片基体同时也被制成为一Nano SIM卡90，但非用以限制本发明。在本实施例中，该承载用卡片本体60是利用现有一卡一芯卡片100(如图1、2所示)的现有卡片本体300作成但非用以限制本发明(即也可为一卡多芯卡片，容后述)，而卡片本体60(300)的制造端得在该承载用卡片本体60(300)上可凭借预先冲制的折裂线61而成型设置一符合MiniSIM卡规格尺寸(15mmx25mm)的迷你SIM卡(也即Mini SIM卡的晶片卡体)70。本实施例进一步可在该迷你SIM卡70的卡片范围内再开设一断裂线72以形成一较缩小的第一开口槽71及一符合Micro SIM卡规格尺寸(15mmx12mm)的微SIM卡(也即Micro SIM卡的晶片卡体)80，使该微SIM卡的晶片卡体(80)能以一定的紧密度嵌置于该第一开口槽71中；本实施例进一步在该微SIM卡80的卡片范围内再开设一断裂线82以形成一第二开口槽81及一符合奈SIM卡(Nano SIM卡)规格尺寸(8.8mmx12.3mm)的奈SIM卡(也即Nano SIM卡的晶片卡体)90如图10-11所示，使该奈SIM卡90能以一定的紧密度嵌置于该第二开口槽81中，在如图10、11所示的实施例中，该晶片封装件40是直接以Nano SIM卡的规格尺寸8.8mmx12.3mm制成，故该晶片封装件40同时被制成为一Nano SIM卡90，但非用以限制本发明。

此外，在如图10、11所示的实施例中，该一卡一芯模式的卡片本体60(300)上虽然只设有一第二开口槽81供嵌置一晶片封装件40，但该一卡一芯模式的卡片本体60(300)却可由制造端选择用以承载迷你SIM卡70、微SIM卡80或奈SIM卡90等三种不同SIM卡型态中的任一种SIM卡，也就是，当卡片本体60的制造端在制出如图10、11所示的一卡一芯模式的卡片本体60(300)时，可视实际使用需要而对上述的迷你SIM卡70、微SIM卡80或奈SIM卡90三者加以选择及组合，例如：在该卡片本体60(300)上只成型设有一迷你SIM卡(卡体)70及一第二开口槽81供嵌置一符合迷你SIM卡70使用的晶片封装件40(如图14中之一迷你SIM卡70)；或在该卡片本体60(300)上只成型设有一微SIM卡80及一第二开口槽81供嵌置一符合微SIM卡80使用的晶片封装件40(如图15中之一微SIM卡80)；或在该卡片本体60(300)上只成型设有一奈SIM卡90及一第二开口槽81供嵌置一符合奈SIM卡90使用的晶片封装件40(如图16中之一奈SIM卡90)，其中在本实施例中该晶片封装件40即为奈SIM卡90。换言之，不论该承载用卡片本体60(300)被指定用以承载迷你SIM卡70、微SIM卡80及奈SIM卡90(40)三者中那一种SIM卡，该承载用卡片本体60(300)的制造端都可在该承载用卡片本体60(300)上所设SIM卡(如70、80)的卡片范围内开设一能共用尺寸的第二开口槽81供嵌置一符合该种SIM卡使用且又能共用尺寸的晶片封装件40(如图10、11中所示的奈SIM卡90)，而本发明的晶片卡(智能卡)晶片封装件40的制造端即能先量产化制成该晶片卡(智能卡)的晶片封装件40，以使该晶片封装件40能当作一晶片基体供嵌置于该卡片本体60(300)所设SIM卡(70、80、90)的卡片范围内的开口槽(81)内，如此即可形成一种SIM卡(70、80、90)的使用型态。因此，本发明的制造端能以分开二制程分别量产化制作该晶片封装件40及承载用卡片本体60，不但可避免受到现有制程技术所必备的专用机台的限制，也能降低载板层材料成本并符合量产化需求，故可有效提升智能卡制程的经济效益，此乃本发明技术的优势所在。

此外，如图10、11所示承载用卡片本体60仅是一卡一芯模式的实施例，但非用以限制本发明，也就是该一卡一芯的卡片本体60(300)可依据图10、11所示的技术特征而类推至一卡多芯的卡片本体，分别说明如下：

如图12所示，其是一承载有二个SIM卡的一卡二芯卡片本体60a，其中该二SIM卡可为迷你SIM卡70、微SIM卡80、奈SIM卡90其中之一种，其中所承载的SIM卡的数目可依该SIM卡的尺寸而设定。

如图13所示，其是一承载有四个SIM卡的一卡四芯卡片本体60b，其中该四SIM卡可为迷你SIM卡70、微SIM卡80、奈SIM卡90其中之一种，其中所承载的SIM卡的数目可依该SIM卡的尺寸而设定。

如图14所示，其是一承载有四个SIM卡的一卡四芯卡片本体60c，其中该四SIM卡可为迷你SIM卡70、奈SIM卡90其中之一种，其中所承载的SIM卡的数目可依该SIM卡的尺寸而设定。

如图15所示，其是一承载有六个SIM卡的一卡六芯卡片本体60d，其中该六SIM卡可为微SIM卡80、奈SIM卡90其中之一种，其中所承载的SIM卡的数目可依该SIM卡的尺寸而设定。

如图16所示，其是一承载有九个SIM卡的一卡六芯卡片本体60e，其中该九SIM卡为奈SIM卡90，其中所承载的SIM卡的数目可依该SIM卡的尺寸而设定。

以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，其特征在于，包含下列步骤：

步骤1：利用一片状载板层以制作多个形成间隔排列的晶片卡的晶片模组，其中在该片状载板层的第一面上形成有多个间隔排列的晶片电路层图案，并在相对该第一面的第二面上于对应第一面上各晶片电路层图案的相对位置处各组装一晶粒以通过该片状载板层以与该对应晶片电路层图案连通，如此制作完成多个晶片模块，而各晶片模块包含一晶片电路层图案设在第一面上及一晶粒设在第二面上并与该晶片电路层图案连通；

步骤2：在该片状载板层的第二面上形成至少一塑料封装层，该至少一塑料封装层与该片状载板层的第二面结合成一体，并保持各智能卡晶片模块中该晶粒与所对应晶片电路层图案之间的连通及作用功能，如此制作完成一具有多个间隔排列的晶片封装件的成型用片状封装板；

其中在该步骤2中该至少一塑料封装层是利用层压工法或射出成型工法中的一种工法以形成在该片状载板层的第二面上并结合构成一体成型体；

其中当该步骤2中是利用层压工法时，其是在该片状载板层的第二面上逐一叠置一双面胶层、一第一塑料层及一第二塑料层，再凭借层压工法以层压形成该至少一塑料封装层并与该片状载板层的第二面结合成一体；

其中当该步骤2中是利用射出成型工法时，其是将该片状载板层先埋置在射出成型模具内，再利用一用以形成该塑料封装层的材料当作射出料以凭借该射出成型模具直接在该片状载板层的第二面上射出成型该塑料封装层并与该片状载板层的第二面结合成一体。

2.如权利要求1所述的晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，其特征在于，在该步骤2的后还包含下列的步骤：

步骤3：对该成型用片状封装板进行单体化裁切，以制作完成多个智慧卡晶片封装件，其中各智能卡晶片封装件为一由一智能卡晶片模块及至少一塑料封装层所结合构成的一体成型体。

3.如权利要求1所述的晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，其特征在于，在该双面胶层及该第一塑料层上预设多个室腔，其中各室腔分别对应于该片状载板层的第二面上所组装的各晶粒供各晶粒能容置在各室腔内。

4.如权利要求1所述的晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，其特征在于，该第一塑料层及该第二塑料层的材料包含PVC、ABS树脂。

5.如权利要求1或2所述的晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，其特征在于，该晶片模块包含符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片模块。

6.如权利要求1或2所述的晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，其特征在于，该晶片封装件包含符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片封装件。

7.如权利要求1或2所述的晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板的成型方法，其特征在于，该晶片封装件由一晶片模块及至少一塑料封装层所构成的厚度为0.3～0.85mm。

8.一种晶片卡的晶片封装件的成型用片状封装板，其是利用如权利要求1至7中任一项所述的成型方法所制成，其特征在于，该片状封装板包含：

一片状载板层，其上设有多个间隔排列的晶片模块，其中各智能卡晶片模块还包含：一晶片电路层图案，其形成在该片状载板层的第一面上；及一晶粒，其组装在相对该第一面的第二面上并位于对应该晶片电路层图案的相对位置处，以通过该片状载板层以与该对应晶片电路层图案导通；及

至少一塑料封装层，其是形成在该片状载板层的第二面上且与该片状载板层的第二面结合成一体，并保持各智能卡晶片模块中该晶粒与所对应的晶片电路层图案的作用功能。

9.一种晶片卡的晶片封装件，其是利用如权利要求8中所述的成型用片状封装板进行单体化裁切所形成的片体式晶片基体，其特征在于，该晶片封装件包含：

一晶片模块，其包含：一晶片电路层图案，形成在一片状载板层的第一面上；及一晶粒，组装在相对该第一面的第二面上并位于对应该晶片电路层图案的相对位置处，供能通过该片状载板层以与该对应晶片电路层图案导通；及

至少一塑料封装层，其是形成在该片状载板层的第二面上且与该片状载板层的第二面结合成一体，并保持各智能卡晶片模块中该晶粒与所对应的晶片电路层图案之间的连通及作用功能；

其中该晶片封装件凭借该至少一塑料封装层形成并结合在该片状载板层的第二面上所增加的厚度，使该晶片封装件得具有足够的机械强度供能紧密嵌置于一相配合的晶片卡体上所开设的一开口槽中。

10.如权利要求9所述的晶片封装件，其特征在于，该晶片模块包含符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片模块。

11.如权利要求9所述的晶片封装件，其特征在于，该晶片封装件包含符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用的晶片封装件。

12.如权利要求9所述的晶片封装件，其特征在于，该晶片卡体是一具有Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡其中之一SIM卡的尺寸的卡体。

13.如权利要求12所述的晶片封装件，其特征在于，该晶片卡体设在一尺寸为85.6mmx53.98mm的矩形卡片本体上。

14.如权利要求9所述的晶片封装件，其特征在于，该晶片封装件由一晶片模块及至少一塑料封装层所构成的厚度为0.3～0.85mm。