CN118171678A - 存储卡和终端 - Google Patents
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Abstract
本文提供一种存储卡和终端，其中，该存储卡包括：存储单元、控制单元和存储卡接口，存储单元和控制单元设置在存储卡的卡体内，存储卡接口设置在存储卡的卡体上，控制单元分别与存储单元、存储卡接口电连接；由于存储卡的外形与Nano‑SIM卡的外形相同，且存储卡的尺寸与Nano‑SIM卡的尺寸相同，提供了一种Nano‑SD卡，从而可以将本实施例提供的存储卡插入到Nano‑SIM卡座中，进一步地，存储卡与Nano‑SIM卡可以共用同一个Nano‑SIM卡座。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术，尤其涉及一种存储卡和终端。
背景技术
随着终端技术的发展，终端已经成为人们生活和工作的中重要通信工具。现在，终端上设置有用户身份识别(subscriber identification module，SIM)卡、以及安全数字存储(secure digital memory，SD)卡，进而终端可以通过SIM卡进行通信，终端可以将数据存储到SD卡中。
现有技术中，终端上配置有双Nano-SIM卡，具体来说，终端提供了两个Nano-SIM卡座，可以将两个Nano-SIM卡分别插入到Nano-SIM卡座中，进而终端实现双Nano-SIM卡的通信。
然而，在用户使用终端的时候，往往用户只会在终端上配置一个Nano-SIM卡，去使用一个Nano-SIM卡，从而终端上另一个卡座上不会插入Nano-SIM卡，进而浪费了终端的空间；并且，由于现有技术中提供的SD卡为Micro-SD卡，现有的Micro-SD卡与Nano-SIM卡的外形以及接口定义完全不兼容，因此还在终端上设置了与现有的Micro-SD卡兼容的Micro-SD卡座，由于终端的设计越来越小型化，设计空间的优化称为业界难题。
发明内容
本申请提供一种存储卡和终端，以解决提供了两个Nano-SIM卡座的终端中会出现一个Nano-SIM卡座不被使用，而造成浪费终端空间，且现有的Micro-SD卡与Nano-SIM卡完全不兼容的问题。
第一方面，本申请提供一种存储卡，包括：存储单元、控制单元、和存储卡接口，所述存储单元和所述控制单元设置在所述存储卡的卡体内；所述存储卡接口设置在所述存储卡的卡体上；所述控制单元分别与所述存储单元、所述存储卡接口电连接，其特征在于，所述存储卡的外形与Nano-用户身份识别SIM卡的外形相同，且所述存储卡的尺寸与所述Nano-SIM卡的尺寸相同；
所述存储卡接口至少包括所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第二金属触点、所述存储卡的第三金属触点、所述存储卡的第四金属触点、以及所述存储卡的第五金属触点；其中，所述存储卡的第一金属触点用于传输电源信号，所述存储卡的第二金属触点用于传输数据，所述存储卡的第三金属触点用于传输控制信号，所述存储卡的第四金属触点用于传输时钟信号，所述存储卡的第五金属触点用于传输地信号。
结合第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第二金属触点、所述存储卡的第三金属触点、所述存储卡的第四金属触点、以及所述存储卡的第五金属触点都位于所述存储卡的卡体的同一侧面上。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第四金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第六金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；
所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点和所述存储卡的第七金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第二金属触点和所述存储卡的第七金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第二金属触点与所述存储卡的第四金属触点相邻；
所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第一金属触点相邻；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点和所述存储卡的第八金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第三金属触点和所述存储卡的第八金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第三金属触点与所述存储卡的第六金属触点相邻；
所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第五金属触点相邻。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第一金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；所述存储卡的第一金属触点的面积大于所述存储卡的第七金属触点的面积；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第五金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；所述存储卡的第五金属触点的面积大于所述存储卡的第八金属触点的面积。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第七金属触点位于所述存储卡的第四金属触点与所述存储卡的第六金属触点之间，且所述存储卡的第七金属触点分别与所述存储卡的第四金属触点、所述存储卡的第六金属触点隔离设置，所述存储卡的第七金属触点的中心点位于所述存储卡的第四金属触点的中心点与所述存储卡的第六金属触点的中心点的连接线上；
所述存储卡的第八金属触点位于所述存储卡的第一金属触点与所述存储卡的第五金属触点之间，且所述存储卡的第八金属触点分别与所述存储卡的第一金属触点、所述存储卡的第五金属触点隔离设置，所述存储卡的第八金属触点的中心点位于所述存储卡的第一金属触点的中心点与所述存储卡的第五金属触点的中心点的连接线上。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第七种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第七金属触点与所述存储卡的第三金属触点相邻；
所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第八金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻。
结合第一方面或第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第八种实施方式中，Nano-SIM卡的卡体上设置有所述Nano-SIM卡的第一金属触点、所述Nano-SIM卡的第二金属触点、所述Nano-SIM卡的第三金属触点、所述Nano-SIM卡的第四金属触点、所述Nano-SIM卡的第五金属触点、所述Nano-SIM卡的第六金属触点；
所述存储卡接口还包括所述存储卡的第六金属触点、所述存储卡的第七金属触点、以及所述存储卡的第八金属触点，其中，所述存储卡的第六金属触点用于传输数据，所述存储卡的第七金属触点用于传输数据，所述存储卡的第八金属触点用于传输数据；
所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第七金属触点和所述存储卡的第四金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第一金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第三金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第二金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的时钟信号与所述存储卡的第三金属触点相邻；
所述存储卡的第五金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第三金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点相邻且隔离设置，所述存储卡的第八金属触点和所述存储卡的第六金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第四金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
所述存储卡的第二金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第五金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且所述存储卡的第六金属触点与所述存储卡的第二金属触点相邻；
所述存储卡的第一金属触点在所述存储卡的卡体上的区域，与所述Nano-SIM卡的第六金属触点在所述Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
第二方面，本申请提供一种终端，所述终端上设置有如上任一项所述的存储卡。
在以上的各方面中，提供由存储单元、控制单元、和存储卡接口构成的存储卡，存储单元和控制单元设置在存储卡的卡体内，存储卡接口设置在存储卡的卡体上，控制单元分别与存储单元、存储卡接口电连接；由于存储卡的外形与Nano-用户身份识别SIM卡的外形相同，且存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同，提供了一种Nano-SD卡，从而可以将本实施例提供的存储卡插入到Nano-SIM卡座中，进一步地，存储卡与Nano-SIM卡可以共用同一个Nano-SIM卡座。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种存储卡的结构示意图；
图2为现有技术中的Nano-SIM卡的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图一；
图3a为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图二；
图3b为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图三；
图3c为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图四；
图4为本申请实施例提供的又一种存储卡的结构示意图一；
图4a为本申请实施例提供的又一种存储卡的结构示意图二；
图5为本申请实施例提供的再一种存储卡的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的还一种存储卡的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的其他一种存储卡的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的还有一种存储卡的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的另有一种存储卡的结构示意图；
图10为本申请实施例提供的又有一种存储卡的结构示意图；
图11为本申请实施例提供的再有一种存储卡的结构示意图；
图12为本申请实施例提供的其他有一种存储卡的结构示意图；
图13为本申请实施例提供的其他又有一种存储卡的结构示意图；
图14为本申请实施例提供的其他另有一种存储卡的结构示意图；
图15为本申请实施例提供的其他再有一种存储卡的结构示意图；
图16为本申请实施例提供的其他还有一种存储卡的结构示意图；
图17为本申请实施例提供的另外一种存储卡的结构示意图；
图18为本申请实施例提供的另外又一种存储卡的结构示意图；
图19为本申请实施例提供的另外再一种存储卡的结构示意图；
图20为本申请实施例提供的另外还一种存储卡的结构示意图；
图21为本申请实施例提供的另外有一种存储卡的结构示意图；
图22为本申请实施例提供的另外又有一种存储卡的结构示意图；
图23为本申请实施例提供的另外再有一种存储卡的结构示意图；
图24为本申请实施例提供的另外还有一种存储卡的结构示意图；
图25为本申请实施例提供的另外其他有一种存储卡的结构示意图；
图26为本申请实施例提供的一种终端的电路图。
具体实施方式
本申请实施例应用于通信装置中，以下对本申请中的部分用语进行解释说明，以便于本领域技术人员理解。需要说明的是，当本申请实施例的方案应用于现在通信装置或未来可能出现的通信装置时，存储卡和终端的名称可能发生变化，但这并不影响本申请实施例方案的实施。
首先，对本申请所涉及的技术名词进行解释：
1)、通用串行总线(universal serial bus，USB)：是连接计算机系统与外部设备的一种串口总线标准，也是一种输入输出接口的技术规范，被广泛地应用于个人电脑和移动设备等信息通讯产品。
2)、电气和电子工程师协会(institute of electrical and electronicsengineers，IEEE)1394标准：是一种串行标准。
3)、终端：可以包括各种具有通信功能的手持设备、车载设备、可穿戴设备、家庭智能设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备，以及各种形式的终端，例如，移动台(mobile station，MS)，终端(terminal)，用户设备(user equipment，UE)，软终端等等，举例来说有水表、电表、传感器等。
需要指出的是，本申请实施例中涉及的名词或术语可以相互参考，不再赘述。
需要说明的是，本申请实施例中，采用与Nano-SIM卡的外形尺寸相同的存储卡来实现存储功能时，存储卡的类型不限于如上示例中的SD卡。本申请实施例中，存储卡还可以是基于通用串行总线(universal serial bus，USB)、高速外设部件互连(peripheralcomponent interconnect express，PCIE)、通用闪存存储(universal flash storage，UFS)、多媒体存储卡(multi media card，MMC)或嵌入式多媒体存储卡(embedded multimedia card，EMMC)等接口协议的存储卡。
下面将结合在一个示例中的附图，对在一个示例中的技术方案进行描述。在现有技术中，当前的终端中可以配置Micro-SD卡，也可以配置Nano-SIM卡。Micro-SD卡的尺寸是11毫米(mm)*15毫米，Nano-SIM卡的尺寸是8.8毫米*12.3毫米。Micro-SD卡相比Nano-SIM尺寸大56mm2，进而Micro-SD卡座相对Nano SIM卡座尺寸大130mm2，可知Micro-SD卡是无法插到Nano-SIM卡座中的。但是，在终端提供了两个Nano-SIM卡座的时候，往往用户只会在终端上配置一个Nano-SIM卡，去使用一个Nano-SIM卡，从而终端上另一个Nano-SIM卡座上不会插入Nano-SIM卡，进而浪费了终端的空间；并且，由于Micro-SD卡是无法插到Nano-SIM卡座中的，进而配置了双Nano-SIM卡座的终端无法将数据进行存储。
本申请的各实施例中的引脚为金属触点，即引脚可以是具有接触面积的、具有导电功能的触点；本申请的各实施例中的引脚为可以称作连接端子；对于引脚的具体名称不做具体限定。
本申请的各实施例中，A与B“相对应”，也可以叫A和B映射，表征了A和B对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。举例来说，存储卡的时钟信号引脚在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，其中，这里的“相对应”也可以称存储卡的时钟信号引脚与Nano-SIM卡的时钟信号引脚映射，即存储卡的时钟信号引脚和Nano-SIM卡的时钟信号引脚对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
本申请的各实施例中，存储卡“电源引脚”指的是“存储卡的第一金属触点”，存储卡的“数据传输引脚”指的是“存储卡的第二金属触点”，存储卡的“控制信号引脚”指的是“存储卡的第三金属触点”，存储卡的“时钟信号引脚”指的是“存储卡的第四金属触点”，存储卡的“地信号引脚”指的是“存储卡的第五金属触点”；存储卡的“第一数据传输引脚”指的是“第二金属触点”，存储卡的“第二数据传输引脚”指的是“第六金属触点”，存储卡的“第三数据传输引脚”指的是“第七金属触点”，存储卡的“第四数据传输引脚”指的是“第八金属触点”。
本申请的各实施例中，Nano-SIM卡“时钟信号引脚”指的是“Nano-SIM卡的第一金属触点”，Nano-SIM卡“复位信号引脚”指的是“Nano-SIM卡的第二金属触点”，Nano-SIM卡“电源引脚”指的是“Nano-SIM卡的第三金属触点”，Nano-SIM卡“数据传输引脚”指的是“Nano-SIM卡的第四金属触点”，Nano-SIM卡“编程电压/输入信号引脚”指的是“Nano-SIM卡的第五金属触点”，Nano-SIM卡“地信号引脚”指的是“Nano-SIM卡的第六金属触点”。
图1为本申请实施例提供的一种存储卡的结构示意图，如图1所示，该存储卡包括：存储单元、控制单元、和存储卡接口，存储单元和控制单元设置在存储卡的卡体内；存储卡接口设置在存储卡的卡体上；控制单元分别与存储单元、存储卡接口电连接，存储卡的外形与Nano-SIM卡的外形相同，且存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同。
其中，存储卡接口至少包括电源引脚、数据传输引脚、控制信号引脚、时钟信号引脚、以及地信号引脚。
在可选的一种实施方式中，电源引脚、数据传输引脚、控制信号引脚、时钟信号引脚、以及地信号引脚都位于存储卡的卡体的同一侧面上。
在本实施例中，具体的，存储卡由存储单元、控制单元、和存储卡接口构成，并且，该存储卡还包括接口驱动电路，将存储单元、控制单元以及接口驱动电路设置在存储卡的卡体内，将存储卡接口设置在存储卡的卡体的表面上。
并且，将控制单元分别与存储单元、存储卡接口分别进行电连接，具体来说，接口驱动电路分别与存储卡接口、以及控制单元进行电连接，进而接口驱动电路将存储卡接口与控制单元进行电连接，并且将控制单元与存储单元进行电连接。
其中，存储卡接口至少包括了一个电源引脚、四个数据传输引脚、一个控制信号引脚、一个时钟信号引脚、以及一个地信号引脚；将电源引脚、数据传输引脚、控制信号引脚、时钟信号引脚、以及地信号引脚都设置在存储卡的卡体的同一侧面上，如图1所示，上述每一个引脚为图1中的标记11。可选的，存储卡的电源引脚、存储卡的数据传输引脚、存储卡的控制信号引脚、存储卡的时钟信号引脚、以及存储卡的地信号引脚分别为贴设在存储卡的卡体表面的扁平状触点。
在可选的一种实施方式中，在存储卡的卡体上设置有至少一个走线，至少一个走线位于存储卡接口中的各引脚之间；至少一个走线用于将存储单元与控制单元连接，至少一个走线还用于将控制单元与存储卡接口连接。
存储卡接口的各引脚在存储卡的卡体上的位置不做限定。存储卡接口的各引脚的长度值、高度值不做限定。本实施例中提到的引脚(或触点、或连接端子)的形状可以是规则的矩形，也可以是不规则的形状，本实施例对引脚(或触点、或连接端子)的形状不做限定。存储卡接口的各引脚的边与存储卡的各侧边之间的距离值不做限定；存储卡的具体高度值、长度值不做限定。
举例来说，根据图1的视图角度，从左到右为存储卡的长度方向，从下到上为存储卡的宽度方向。存储卡的长度为12.30毫米，公差为0.10毫米；存储卡的宽度为8.80毫米，公差为0.10毫米。
本申请实施例提供的存储卡的外形与Nano-SIM卡的外形相同；例如，Nano-SIM卡为矩形，并且矩形的四角为圆角，并且矩形的四角中的一角设置了定位缺口，进而本申请实施例提供的存储卡也是矩形，并且矩形的四角为圆角，并且矩形的四角中的一角进行了倒角设置，进而在该一角上设置了定位缺口12。并且，本申请实施例提供的存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同，具体来说，存储卡的长度与Nano-SIM卡的长度相同，存储卡的宽度与Nano-SIM卡的宽度相同，存储卡上的定位缺口的尺寸与Nano-SIM卡上的定位缺口的尺寸也相同。从而，可以将本实施例提供的存储卡插入到Nano-SIM卡座中，进一步地，存储卡与Nano-SIM卡可以共用同一个Nano-SIM卡座。
本申请实施例提供的存储卡可以被剪卡，基本能够适应剪卡和非剪卡情况。举例来说，根据图1的视图角度，从上到下为存储卡的X方向，从左到右为存储卡的Y方向。表1为Nano-SIM卡与终端的Nano-SIM卡座的配合情况、本实施例的存储卡与终端的Nano-SIM卡座的配合情况。
表1为本申请的存储卡与终端的Nano-SIM卡座的配合公差分析
从表1中可以看出，本实施例的存储卡与终端的Nano-SIM卡座进行配合时候所产生的公差，对比Nano-SIM卡与终端的Nano-SIM卡座进行配合时候所产生的公差是相同的，进而本实施例的存储卡可以较好的与Nano-SIM卡座进行配合。
本实施例通过，提供由存储单元、控制单元、和存储卡接口构成的存储卡，存储单元和控制单元设置在存储卡的卡体内，存储卡接口设置在存储卡的卡体上，控制单元分别与存储单元、存储卡接口电连接；由于存储卡的外形与Nano-用户身份识别SIM卡的外形相同，且存储卡的尺寸与Nano-SIM卡的尺寸相同，提供了一种Nano-SD卡，如图1所示，Nano-SD卡上设置了定位缺口12，从而可以将本实施例提供的存储卡插入到Nano-SIM卡座中，进一步地，存储卡与Nano-SIM卡可以共用同一个Nano-SIM卡座。
图2为现有技术中的Nano-SIM卡的结构示意图，如图2所示，Nano-SIM卡的卡体上设置有时钟信号引脚31、复位信号引脚32、电源引脚33、数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36。在以下的各实施例中，对引脚进行拆分的时候，对拆分后的得到引脚的形状、尺寸不做限定，对其他引脚的形状、尺寸也不做限定；例如，存储卡的各引脚的边缘边缘可以具有倒角，也可以没有倒角。在以下的各实施例中，对引脚进行拆分的时候，存储卡的形状、尺寸也不做限定，例如，存储卡的一角上可以具有定位缺口。
图3为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图一，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图3所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第三数据传输引脚27与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第四数据传输引脚28与存储卡的控制信号引脚23相邻。
在本实施例中，具体的，如图2所示，在现有的Nano-SIM卡的卡体上设置有一个时钟信号(clock，CLK)引脚31、一个复位信号(reset signal，RST)引脚32、一个电源(powersupply，VCC)引脚33、一个数据传输(data line，DAT)引脚34、一个编程电压/输入信号(programming voltage/input signal，VPP)引脚35、一个地信号(power supply ground，GND)引脚36。举例来说，CLK引脚31、RST引脚32、VCC引脚33三者的中心点位于同一条直线上，DAT引脚34、VPP引脚35、GND引脚36三者的中心点位于同一条直线上，这两条直线是平行的。
如图3所示，本申请实施例提供的存储卡的存储卡接口至少包括了时钟信号引脚21、电源引脚22、控制信号(command/response，CMD)引脚23、地信号引脚24、第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27以及第四数据传输引脚28。
如图3所示，在本实施例中，存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，其中，这里的“相对应”也可以称作存储卡的时钟信号引脚21与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31映射，即存储卡的时钟信号引脚21和Nano-SIM卡的时钟信号引脚31对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片；存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，其中，这里的“相对应”也可以称存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32映射，即存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片；进而，存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的第一数据传输引脚25相邻且隔离设置。并且，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，第三数据传输引脚27与存储卡的第一数据传输引脚25相邻且隔离设置，其中，这里的“相对应”也可以称第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22两者是与Nano-SIM卡的电源引脚33映射的，即第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22两个引脚、与Nano-SIM卡的电源引脚33对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。进而，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的，进而保证本实施例提供的存储卡可以与Nano-SIM卡共用同一个Nano-SIM卡座。可知，将Nano-SIM卡上的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；进而，存储卡的第二数据传输引脚26与存储卡的控制信号引脚23相邻且隔离设置。并且，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，第四数据传输引脚28与存储卡的控制信号引脚23相邻且隔离设置。进而，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的，进而保证本实施例提供的存储卡可以与Nano-SIM卡共用同一个Nano-SIM卡座。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26与存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
并且，图3a为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图二，如图3a所示，存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)的形状不做限定，各引脚(或触点、或连接端子)可以是不规则形状；从图3a中可以看到，存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以没有间距的，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部，走线用于将存储单元与控制单元连接，走线还用于将控制单元与存储卡接口连接。图3b为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图三，如图3b所示，存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以是具有间距的，且各引脚(或触点、或连接端子)与存储卡的边缘之间也可以是有间距的，可知存储卡上的各引脚并没有铺满存储卡的卡体表面，这些间距都是存储卡的卡体表面的区域，进而这些区域可以用于设置走线，即将走线铺设在各引脚(或触点、或连接端子)之间的间距上、以及各引脚(或触点、或连接端子)与存储卡的边缘之间的间距上，并且走线用于将存储单元与控制单元连接，走线还用于将控制单元与存储卡接口连接。
并且，图3c为本申请实施例提供的另一种存储卡的结构示意图四，如图3c所示，在图3a的情况下，存储卡的地信号引脚24在图3a所示形状下，参见图3c中斜线填充的区域，图3c中斜线填充的区域作为了存储卡的地信号引脚24。
以下各实施例中各引脚(或触点、或连接端子)的形状、间距都可以参照本实施例中的各引脚(或触点、或连接端子)的形状、间距的描述。
在以下实施例的附图中，存储卡的时钟信号引脚21标记为了CLK，存储卡的电源引脚22标记为了VCC，存储卡的控制信号引脚23标记为了CMD，存储卡的地信号引脚24标记为了GND，存储卡的第一数据传输引脚25标记为了D0，存储卡的第二数据传输引脚26标记为了D1，存储卡的第三数据传输引脚27标记为了D2，存储卡的第四数据传输引脚28标记为了D3。
图4为本申请实施例提供的又一种存储卡的结构示意图一，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图4所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的时钟信号引脚21与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第二数据传输引脚26与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是对应的，进而保证本实施例提供的存储卡可以与Nano-SIM卡共用同一个Nano-SIM卡座，举例来说，以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相同的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
并且，图4a为本申请实施例提供的又一种存储卡的结构示意图二，如图4a所示，存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)的形状不做限定，各引脚(或触点、或连接端子)可以是不规则形状。并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32映射，即存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图5为本申请实施例提供的再一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图5所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第一数据传输引脚25与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第三数据传输引脚27与存储卡的电源引脚22相邻。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的控制信号引脚23与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第四数据传输引脚28与存储卡的地信号引脚24相邻。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的时钟信号引脚21与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31映射，即存储卡的时钟信号引脚21与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图6为本申请实施例提供的还一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图6所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的电源引脚22与存储卡的第一数据传输引脚25相邻；存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的地信号引脚24与存储卡的控制信号引脚23相邻；存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27，在本实施例中，存储卡的电源引脚22与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。其中，存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28，在本实施例中，存储卡的地信号引脚24与存储卡的控制信号引脚23相邻。其中，存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
进一步地，存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积，存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。从而，新增的存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的第四数据传输引脚28信号尽量往卡外侧放置；并且，存储卡的电源引脚22的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的位置；存储卡的地信号引脚24的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的位置；进而可以增加Nano-SD卡的公差余量。
举例来说，根据图6的视图角度，从右到左，存储卡的第三数据传输引脚27具有第一边、第二边，存储卡具有第一侧边、第二侧边；存储卡的第三数据传输引脚27的第一边距离存储卡的第一侧边的长度为1毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第三数据传输引脚27的第二边距离存储卡的第一侧边的长度为4.9毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第三数据传输引脚27的第一边距离存储卡的第二侧边的长度为11.3毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第三数据传输引脚27的第二边距离存储卡的第二侧边的长度为7.55毫米，公差为0.1毫米。
根据图6的视图角度，从右到左，存储卡的第四数据传输引脚28具有第一边、第二边；存储卡的第四数据传输引脚28的第一边距离存储卡的第一侧边的长度为7.55毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第四数据传输引脚28的第二边距离存储卡的第一侧边的长度为11.3毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第四数据传输引脚28的第一边距离存储卡的第二侧边的长度为4.9毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第四数据传输引脚28的第二边距离存储卡的第二侧边的长度为1毫米，公差为0.1毫米。在图6中的其他引脚的第一边、第二边分别距离存储卡的第一侧边、存储卡的第二侧边的长度可以参照上述数据。
根据图6的视图角度，从上到下，存储卡具有第三侧边、第四侧边，存储卡的第四数据传输引脚28具有第三边、第四边，存储卡的地信号引脚24具有第三边、第四边，存储卡的控制信号引脚23具有第三边、第四边，存储卡的第二数据传输引脚26具有第三边、第四边。存储卡的第四数据传输引脚28的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为0.2毫米，存储卡的第四数据传输引脚28的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最大为1.05毫米。存储卡的地信号引脚24的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为1.4毫米；存储卡的地信号引脚24的第四边距离存储卡的第三侧边的长度为2.6毫米，公差为0.1毫米。存储卡的控制信号引脚23的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为3.35毫米，公差为0.1毫米；存储卡的控制信号引脚23的第四边距离存储卡的第三侧边的长度为5.25毫米，公差为0.1毫米。存储卡的第二数据传输引脚26的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为6.05毫米，公差为0.1毫米；存储卡的第二数据传输引脚26的第四边距离存储卡的第三侧边的长度为7.95毫米，公差为0.1毫米。存储卡的第三侧边与存储卡的第四侧边之间距离8.8毫米，公差为0.1毫米。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32映射，即存储卡的第一数据传输引脚25与Nano-SIM卡的复位信号引脚32对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图7为本申请实施例提供的其他一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图7所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27位于存储卡的时钟信号引脚21与第二数据传输引脚26之间，且第三数据传输引脚27分别与存储卡的时钟信号引脚21、第二数据传输引脚26隔离设置，第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
存储卡的第四数据传输引脚28位于存储卡的电源引脚22与存储卡的地信号引脚24之间，且第四数据传输引脚28分别与存储卡的电源引脚22、存储卡的地信号引脚24隔离设置，第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
将存储卡的第三数据传输引脚27设置在了位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的第二数据传输引脚26之间，优选的，存储卡的第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。存储卡的第四数据传输引脚28设置在了存储卡的电源引脚22与存储卡的地信号引脚24之间，优选的，存储卡的第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
举例来说，根据图7的视图角度，从左到右，存储卡的时钟信号引脚21具有第一边、第二边，存储卡具有第一侧边、第二侧边，存储卡的第三数据传输引脚27具有第一边、第二边，存储卡的第二数据传输引脚26具有第一边、第二边。存储卡的时钟信号引脚21的第一边距离存储卡的第一侧边的长度最大为1.00毫米，存储卡的时钟信号引脚21的第二边距离存储卡的第一侧边的长度最小为3.00毫米。存储卡的第三数据传输引脚27的第一边距离存储卡的第一侧边的长度最大为4.81毫米，存储卡的第三数据传输引脚27的第二边距离存储卡的第一侧边的长度最小为6.81毫米。存储卡的第二数据传输引脚26的第一边距离存储卡的第一侧边的长度最大为8.62毫米，存储卡的第二数据传输引脚26的第二边距离存储卡的第一侧边的长度最小为10.02毫米。存储卡的第一侧边与存储卡的第二侧边之间距离值为12.30毫米，公差为0.1毫米。存储卡的第二数据传输引脚26的第二边距离存储卡的第二侧边的长度为1.65毫米，公差为0.1毫米。存储卡的定位缺口的角为45度角。在图7中的其他引脚的第一边、第二边分别距离存储卡的第一侧边、存储卡的第二侧边的长度可以参照上述数据。
根据图7的视图角度，从上到下，存储卡具有第三侧边、第四侧边，存储卡的第二数据传输引脚26具有第三边、第四边，存储卡的控制信号引脚23具有第三边、第四边，存储卡的地信号引脚24具有第三边、第四边，存储卡的第四数据传输引脚28具有第三边、第四边，存储卡的第三数据传输引脚27具有第三边、第四边。存储卡的第四数据传输引脚28的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为0.81毫米，存储卡的第四数据传输引脚28的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为2.51毫米。存储卡的第三数据传输引脚27的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为6.29毫米，存储卡的第三数据传输引脚27的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为7.99毫米。存储卡的地信号引脚24的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为1.01毫米，存储卡的地信号引脚24的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为2.71毫米。存储卡的控制信号引脚23的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为3.55毫米，存储卡的控制信号引脚23的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为5.25毫米。存储卡的第二数据传输引脚26的第三边距离存储卡的第三侧边的长度最大为6.09毫米，存储卡的第二数据传输引脚26的第四边距离存储卡的第三侧边的长度最小为7.79毫米。存储卡的第三侧边与存储卡的第四侧边之间距离值为8.80毫米，公差为0.1毫米。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的电源引脚22与Nano-SIM卡的电源引脚33映射，即存储卡的电源引脚22与Nano-SIM卡的电源引脚33对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图8为本申请实施例提供的还有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图8所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第三数据传输引脚27与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第四数据传输引脚28与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。
在本实施例中，具体的，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
进而，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的第二数据传输引脚26与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31映射，即存储卡的第二数据传输引脚26与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图9为本申请实施例提供的另有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图9所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的时钟信号与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第二数据传输引脚26与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。
在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，例如，存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，指的是存储卡的地信号引脚24与Nano-SIM卡的电源引脚33映射，即存储卡的地信号引脚24与Nano-SIM卡的电源引脚3对应/映射了Nano-SIM卡座的同一个弹片。
图10为本申请实施例提供的又有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图10所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第一数据传输引脚25与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的控制信号引脚23与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图11为本申请实施例提供的再有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图11所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23引脚在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的电源引脚22与存储卡的控制信号引脚23相邻；存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的地信号引脚24与存储卡的第一数据传输相邻；存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27，在本实施例中，存储卡的电源引脚22与存储卡的控制信号引脚23相邻。其中，存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28，在本实施例中，存储卡的地信号引脚24与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。其中，存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
进一步地，存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积，存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。从而，新增的存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的第四数据传输引脚28信号尽量往卡外侧放置；并且，存储卡的电源引脚22的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的位置；存储卡的地信号引脚24的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的位置；进而可以增加Nano-SD卡的公差余量。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图12为本申请实施例提供的其他有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图12所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28位于存储卡的时钟信号引脚21与第二数据传输引脚26之间，且第四数据传输引脚28分别与存储卡的时钟信号引脚21、第二数据传输引脚26隔离设置，第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
存储卡的第三数据传输引脚27位于存储卡的电源引脚22与存储卡的地信号引脚24之间，且第三数据传输引脚27分别与存储卡的电源引脚22、存储卡的地信号引脚24隔离设置，第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
将存储卡的第四数据传输引脚28设置在了位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的第二数据传输引脚26之间，优选的，存储卡的第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。存储卡的第三数据传输引脚27设置在了存储卡的电源引脚22与存储卡的地信号引脚24之间，优选的，存储卡的第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图13为本申请实施例提供的其他又有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图13所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第三数据传输引脚27与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第四数据传输引脚28与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。
存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图14为本申请实施例提供的其他另有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图14所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的电源引脚22与存储卡的时钟信号引脚21相邻；存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的地信号引脚24与存储卡的第二数据传输引脚26相邻；存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27，在本实施例中，存储卡的电源引脚22与存储卡的时钟信号引脚21相邻。其中，存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。
存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28，在本实施例中，存储卡的地信号引脚24与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。其中，存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。
进一步地，存储卡的电源引脚22的面积大于存储卡的第三数据传输引脚27的面积，存储卡的地信号引脚24的面积大于存储卡的第四数据传输引脚28的面积。从而，新增的存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的第四数据传输引脚28信号尽量往卡外侧放置；并且，存储卡的电源引脚22的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的位置；存储卡的地信号引脚24的中心点在存储卡的卡体上的位置，尽量对应于Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的位置；进而可以增加Nano-SD卡的公差余量。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图15为本申请实施例提供的其他再有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图15所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图16为本申请实施例提供的其他还有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图16所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图17为本申请实施例提供的另外一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图17所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第二数据传输引脚26与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图18为本申请实施例提供的另外又一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图18所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21相邻且隔离设置，第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的控制信号引脚23相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26相邻且隔离设置，第四数据传输引脚28和第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的时钟信号引脚31的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21，其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的时钟信号引脚21的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的数据传输引脚34的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26，其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的第二数据传输引脚26的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图19为本申请实施例提供的另外再一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图19所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图20为本申请实施例提供的另外还一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图20所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第四数据传输引脚28存储卡的控制信号引脚23和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图21为本申请实施例提供的另外有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图21所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且第一数据传输引脚25与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的地信号引脚24相邻。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应；
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的时钟信号引脚21相邻。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，存储卡的控制信号引脚23与存储卡的电源引脚22连接。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第四数据传输引脚28、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图22为本申请实施例提供的另外又有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图22所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27相邻且隔离设置，第一数据传输引脚25和第三数据传输引脚27在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的第三数据传输引脚27与存储卡的第二数据传输引脚26相邻。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，存储卡的第一数据传输引脚25与存储卡的地信号引脚24相邻。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28相邻且隔离设置，存储卡的控制信号引脚23和第四数据传输引脚28在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的控制信号引脚23与存储卡的时钟信号引脚21相邻；
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，存储卡的第四数据传输引脚28与存储卡的电源引脚22相邻。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的第三数据传输引脚27、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的地信号引脚24以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的复位信号引脚32的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27，其中，存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的第三数据传输引脚27的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定。
存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的电源引脚22以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28，其中，存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第四数据传输引脚28的外形、尺寸不做限定。并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图23为本申请实施例提供的另外再有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图23所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27位于存储卡的电源引脚22与第二数据传输引脚26之间，且第三数据传输引脚27分别与存储卡的电源引脚22、第二数据传输引脚26隔离设置，第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
存储卡的第四数据传输引脚28位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的地信号引脚24之间，且第四数据传输引脚28分别与存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的地信号引脚24隔离设置，第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的电源引脚22、存储卡的第一数据传输引脚25和以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的地信号引脚24以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
将存储卡的第三数据传输引脚27设置在了位于存储卡的电源引脚22与存储卡的第二数据传输引脚26之间，优选的，存储卡的第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。存储卡的第四数据传输引脚28设置在了存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的地信号引脚24之间，优选的，存储卡的第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图24为本申请实施例提供的另外还有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图24所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第三数据传输引脚27位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的地信号引脚24之间，且第三数据传输引脚27分别与存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的地信号引脚24隔离设置，第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。
存储卡的第四数据传输引脚28位于存储卡的电源引脚22与第二数据传输引脚26之间，且第四数据传输引脚28分别与存储卡的电源引脚22、第二数据传输引脚26隔离设置，第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
在本实施例中，具体的，根据以上引脚的布局可知，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25和存储卡的电源引脚22以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
存储卡的地信号引脚24、存储卡的控制信号引脚23和存储卡的第二数据传输引脚26以上三个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。
将存储卡的第三数据传输引脚27设置在了位于存储卡的时钟信号引脚21与存储卡的地信号引脚24之间，优选的，存储卡的第三数据传输引脚27的中心点位于存储卡的时钟信号引脚21的中心点与存储卡的地信号引脚24的中心点的连接线上。存储卡的第四数据传输引脚28设置在了存储卡的电源引脚22与存储卡的第二数据传输引脚26之间，优选的，存储卡的第四数据传输引脚28的中心点位于存储卡的电源引脚22的中心点与存储卡的第二数据传输引脚26的中心点的连接线上。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
图25为本申请实施例提供的另外其他有一种存储卡的结构示意图，在图1所示实施例提供的存储卡的基础上，如图25所示，存储卡包括四个数据传输引脚，四个数据传输引脚分别为第一数据传输引脚25、第二数据传输引脚26、第三数据传输引脚27和第四数据传输引脚28。
存储卡的时钟信号引脚21在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的时钟信号引脚31在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的第一数据传输引脚25在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的复位信号引脚32在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的电源引脚22占据存储卡的第三数据传输引脚27的部分区域，存储卡的电源引脚22与存储卡的第三数据传输引脚27隔离设置，存储卡的电源引脚22与存储卡的第一数据传输引脚25相邻。
存储卡的第二数据传输引脚26在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的数据传输引脚34在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
存储卡的控制信号引脚23在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚35在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应。
第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24在存储卡的卡体上的区域，与Nano-SIM卡的地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域相对应，且存储卡的地信号引脚24占据存储卡的第四数据传输引脚28的部分区域，存储卡的地信号引脚24与存储卡的第四数据传输引脚28隔离设置，存储卡的地信号引脚24与存储卡的控制信号引脚23相邻。
在本实施例中，具体的，进而，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25、存储卡的电源引脚22和存储卡的第三数据传输引脚27以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的时钟信号引脚31、复位信号引脚32以及电源引脚33在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的电源引脚33的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22，并且使得存储卡的电源引脚22占据存储卡的第三数据传输引脚27的部分区域，从图25中可以看到存储卡的电源引脚22占据了存储卡的第三数据传输引脚27的一角。其中，存储卡的第三数据传输引脚27和存储卡的电源引脚22的外形、尺寸不做限定；并且，存储卡的时钟信号引脚21、存储卡的第一数据传输引脚25的外形、尺寸不做限定。
存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23、存储卡的地信号引脚24和存储卡的第四数据传输引脚28以上四个引脚在存储卡的卡体上的区域，相对于Nano-SIM卡中的数据传输引脚34、编程电压/输入信号引脚35、地信号引脚36在Nano-SIM卡的卡体上的区域是相对应的。可知，将Nano-SIM卡上的地信号引脚36的区域拆分为两个引脚，进而得到了存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24，并且使得存储卡的地信号引脚24占据存储卡的第四数据传输引脚28的部分区域，从图25中可以看到存储卡的地信号引脚24占据了存储卡的第四数据传输引脚28的一角。其中，存储卡的第四数据传输引脚28和存储卡的地信号引脚24的外形、尺寸不做限定；并且，存储卡的第二数据传输引脚26、存储卡的控制信号引脚23的外形、尺寸不做限定。
并且，本实施例中的存储卡的各引脚(或触点、或连接端子)之间可以具有间距，进而可以将存储卡的走线设置在这些间距的表面上；也可以没有间距，进而存储卡的走线可以是在存储卡的卡体内部。在本实施例中，“相对应”也可以称作映射关系，可以参见上述实施例的介绍。
本申请进一步提供一种包括上述存储卡的终端。通常为与各种产品(例如，终端)一起的应用使用该存储卡去存储数字式数据。经常性地，可从该终端去除该存储卡，以使该存储卡所存储的数字式数据是便携的。根据本申请的存储卡可具有一相对较小的形状因子，并可用于为终端存储数字式数据，该终端如相机、手持或笔记本电脑、网络应用装置、机顶盒、手持或其他小型音频播放器/记录器、以及医学监视器。
图26为本申请实施例提供的一种终端的电路图，如图26所示，可以将上述存储卡插入到终端的Nano-SIM卡座中，在Nano-SIM卡座设置了与存储卡的时钟信号引脚21对应的第一连接点41、与存储卡的电源引脚22对应的第二连接点42、与存储卡的控制信号引脚23对应的第二连接点43、与存储卡的地信号引脚24对应的第二连接点44、与存储卡的第一数据传输引脚25对应的第二连接点45、与存储卡的第二数据传输引脚26对应的第二连接点46、与存储卡的第三数据传输引脚27对应的第二连接点47、与存储卡的第四数据传输引脚28对应的第二连接点48；将存储卡插入到Nano-SIM卡座中之后，存储卡的各引脚分别与各自对应的连接点接触。终端的控制芯片上设置了与第一连接点41连接的第一引脚51、与第二连接点42连接的第二引脚52、与第二连接点43连接的第三引脚53、与第二连接点44连接的第四引脚54、与第二连接点45连接的第五引脚55、与第二连接点46连接的第六引脚56、与第二连接点47连接的第七引脚57、与第二连接点48连接的第八引脚58。其中，第二引脚52可以为控制芯片的电源引脚，第四引脚54可以为控制芯片的地信号引脚。
并且，在终端中设置了SD接口和SIM接口。SD接口上设置了六个引脚，分别为第一SD引脚、第二SD引脚、第三SD引脚、第四SD引脚、第五SD引脚以及第六SD引脚；SIM接口上设置了三个引脚，分别为第一SIM引脚、第二SIM引脚以及第三SIM引脚。
在控制芯片中提供了三个开关61，将三个开关61中每一个开关61的一端与第一引脚51、第三引脚53、第五引脚55、第六引脚56、第七引脚57、第八引脚58当中的任意三个引脚进行一一对应的连接；将第一引脚51、第三引脚53、第五引脚55、第六引脚56、第七引脚57、第八引脚58当中的没有与开关61连接的其他三个引脚分别与SD接口上的三个引脚进行一一对应的连接。
将SD接口上的没有与控制芯片的引脚连接的剩余的三个引脚，与三个开关61的另一端进行一一对应；将SIM接口上三个引脚，与三个开关61的另一端进行一一对应。
控制芯片根据对于存储卡的检测，控制三个开关61的另一端与SD接口上的没有与控制芯片的引脚连接的剩余的三个引脚分别一一对应连接，进而存储卡当前实现存储功能；或者，控制芯片根据对于存储卡的检测，控制三个开关61的另一端与SIM接口上三个引脚分别一一对应连接，进而存储卡转变为SIM卡去实现通信功能。
优选的，提供了一个近距离无线通信技术(near field communication，NFC)结构71，NFC结构71的输出端与一个其他开关的一端对应，并且，第七引脚57与该其他开关的一端对应；该其他开关的另一端与第二连接点47连接。从而NFC结构71的输出端与一个其他开关的一端连接，或者，第七引脚57与该其他开关的一端连接。
在上述实施例中，特别论述了存储卡和终端。上文所阐释的适合于存储卡的实施例起示范的目标且不意味着限制本申请。本申请所揭示的技术还可以将存储卡应用到连接到计算装置且由该计算装置控制或操作。除终端之外，可在存储卡上实施的应用的实例包括无线通信装置、全球定位系统(global positioning system，GPS)装置、蜂窝装置、网络接口，调制解调器、磁盘存储系统等。
从书面描述中已经可以知晓本申请的多个特征和有点，因此，有意用所附的权利要求来涵盖本申请的所有这些特征和优点。另外，由于对本技术领域专业人士来说，很容易进行多种调整和改变，所以本申请并不局限于已经阐释和描述过得精确结构与操作。因此，所有可采用的适合调整和改变都属于本申请的范围之内。
Claims (20)
1.一种存储卡，包括卡体和存储卡接口，所述存储卡接口设置于所述卡体的一个表面；所述存储卡接口包括八个金属触点，所述八个金属触点包括：用于传输电源信号的第一金属触点，用于传输第一数据信号的第二金属触点,用于传输控制信号的第三金属触点,用于传输时钟信号的第四金属触点,用于传输地信号的第五金属触点,用于传输第二数据信号的第六金属触点,用于传输第三数据信号的第七金属触点,用于传输第四数据信号的第八金属触点；
当所述存储卡设置于卡座，所述第一金属触点和所述卡座的第一弹片电连接，所述所第五金属触点和所述卡座的第二弹片电连接；
当Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的电源触点与所述第一弹片电连接，所述Nano-SIM卡的地触点与所述第二弹片电连接。
2.根据权利要求1所述的存储卡，其特征在于，所述存储卡还包括存储单元和控制单元，所述存储单元和所述控制单元设置于所述卡体内，所述控制单元和所述存储单元电连接，所述控制单元和所述存储卡接口电连接。
3.根据权利要求1或2所述的存储卡，其特征在于，所述存储卡是基于通用串行总线(universal serial bus，USB)、高速外设部件互连(peripheral componentinterconnectexpress，PCIE)、通用闪存存储(universal flash storage，UFS)、多媒体存储卡(multimedia card，MMC)或嵌入式多媒体存储卡(embedded multimedia card，EMMC)接口协议中一种的存储卡。
4.根据权利要求1至3任一项所述的存储卡，其特征在于，当所述存储卡设置于所述卡座，所述第七金属触点和所述卡座的第三弹片电连接，所述第八金属触点和所述卡座的第四弹片电连接；
当所述Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的电源触点与所述第一弹片和所述第三弹片电连接，所述Nano-SIM卡的地触点与所述第二弹片和所述第四弹片电连接。
5.根据权利要求1至4任一项所述的存储卡，其特征在于，
当所述存储卡设置于所述卡座，所述第二金属触点和所述卡座的第五弹片电连接，所述第三金属触点和所述卡座的第六弹片电连接，所述第四金属触点和所述卡座的第七弹片电连接，所述第六金属触点和所述卡座的第八弹片电连接；
当所述Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的复位信号引脚和所述卡座的第五弹片电连接，所述Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚和所述卡座的第六弹片电连接，所述Nano-SIM卡的时钟信号引脚和所述卡座的第七弹片电连接，所述Nano-SIM卡的数据信号引脚和所述卡座的第八弹片电连接。
6.根据权利要求1至5任一项所述的存储卡，其特征在于，所述存储卡的长度为12.3毫米，所述存储卡的宽度为8.8毫米。
7.根据权利要求1至6任一项所述的存储卡，其特征在于，所述卡体包括第一边、第二边、第三边以及第四边；
所述第一边和所述第二边平行，所述第三边和所述第四边平行；
所述第三边和所述第四边之间的距离大于所述第一边和所述第二边之间的距离；
所述卡体的一角设置有缺口，所述缺口位于所述第二边和所述第四边之间；
所述第六金属触点、所述第三金属触点、所述第五金属触点以及所述第八金属触点沿着所述第四边依次分布；
所述第四金属触点、所述第二金属触点、所述第一金属触点以及所述第七金属触点沿着所述第三边依次分布；
所述第四金属触点和所述第六金属触点与所述第二边相邻；
所述第七金属触点和所述第八金属触点与所述第一边相邻。
8.根据权利要求1至7任一项所述的存储卡，其特征在于，所述第七金属触点的形状是L形，所述第八金属触点的形状是L形。
9.根据权利要求1至8任一项所述的存储卡，其特征在于，所述存储卡是基于以下接口协议中的一种：
通用串行总线(universal serial bus，USB)、高速外设部件互连(peripheralcomponent interconnect express，PCIE)、通用闪存存储(universal flash storage，UFS)、多媒体存储卡(multi media card，MMC)或嵌入式多媒体存储卡(embedded multimedia card，EMMC)接口协议。
10.根据权利要求1至9任一项所述的存储卡，其特征在于，所述存储卡的尺寸和所述Nano-SIM卡的尺寸相同。
11.一种终端，包括卡座，所述卡座用于设置存储卡和Nano-SIM卡；
所述存储卡包括卡体和存储卡接口，所述存储卡接口设置于所述卡体的一个表面；所述存储卡接口包括八个金属触点，所述八个金属触点包括：用于传输电源信号的第一金属触点，用于传输第一数据信号的第二金属触点,用于传输控制信号的第三金属触点,用于传输时钟信号的第四金属触点,用于传输地信号的第五金属触点,用于传输第二数据信号的第六金属触点,用于传输第三数据信号的第七金属触点,用于传输第四数据信号的第八金属触点；
当所述存储卡设置于所述卡座，所述第一金属触点和所述卡座的第一弹片电连接，所述所第五金属触点和所述卡座的第二弹片电连接；
当Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的电源触点与所述第一弹片电连接，所述Nano-SIM卡的地触点与所述第二弹片电连接。
12.根据权利要求11所述的终端，其特征在于，当所述存储卡设置于所述卡座，所述第七金属触点和所述卡座的第三弹片电连接，所述第八金属触点和所述卡座的第四弹片电连接；
当所述Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的电源触点与所述第一弹片和所述第三弹片电连接，所述Nano-SIM卡的地触点与所述第二弹片和所述第四弹片电连接。
13.根据权利要求11或12所述的终端，其特征在于，当所述存储卡设置于所述卡座，所述第二金属触点和所述卡座的第五弹片电连接，所述第三金属触点和所述卡座的第六弹片电连接，所述第四金属触点和所述卡座的第七弹片电连接，所述第六金属触点和所述卡座的第八弹片电连接；
当所述Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的复位信号引脚和所述卡座的第五弹片电连接，所述Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚和所述卡座的第六弹片电连接，所述Nano-SIM卡的时钟信号引脚和所述卡座的第七弹片电连接，所述Nano-SIM卡的数据信号引脚和所述卡座的第八弹片电连接。
14.根据权利要求11至13任一项所述的终端，其特征在于，所述存储卡的长度为12.3毫米，所述存储卡的宽度为8.8毫米。
15.根据权利要求11至14任一项所述的终端，其特征在于，所述存储卡的尺寸和所述Nano-SIM卡的尺寸相同。
16.一种系统，包括终端和存储卡，所述终端包括用于设置所述存储卡和Nano-SIM卡的卡座；
所述存储卡包括卡体和存储卡接口，所述存储卡接口设置于所述卡体朝向所述卡座的表面；
所述存储卡接口包括八个金属触点，所述八个金属触点包括：用于传输电源信号的第一金属触点，用于传输第一数据信号的第二金属触点,用于传输控制信号的第三金属触点,用于传输时钟信号的第四金属触点,用于传输地信号的第五金属触点,用于传输第二数据信号的第六金属触点,用于传输第三数据信号的第七金属触点,用于传输第四数据信号的第八金属触点；
当所述存储卡设置于卡座，所述第一金属触点和所述卡座的第一弹片电连接，所述所第五金属触点和所述卡座的第二弹片电连接；
当Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的电源触点与所述第一弹片电连接，所述Nano-SIM卡的地触点与所述第二弹片电连接。
17.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，当所述存储卡设置于所述卡座，所述第七金属触点和所述卡座的第三弹片电连接，所述第八金属触点和所述卡座的第四弹片电连接；
当所述Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的电源触点与所述第一弹片和所述第三弹片电连接，所述Nano-SIM卡的地触点与所述第二弹片和所述第四弹片电连接。
18.根据权利要求16或17所述的系统，其特征在于，当所述存储卡设置于所述卡座，所述第二金属触点和所述卡座的第五弹片电连接，所述第三金属触点和所述卡座的第六弹片电连接，所述第四金属触点和所述卡座的第七弹片电连接，所述第六金属触点和所述卡座的第八弹片电连接；
当所述Nano-SIM卡设置于所述卡座，所述Nano-SIM卡的复位信号引脚和所述卡座的第五弹片电连接，所述Nano-SIM卡的编程电压/输入信号引脚和所述卡座的第六弹片电连接，所述Nano-SIM卡的时钟信号引脚和所述卡座的第七弹片电连接，所述Nano-SIM卡的数据信号引脚和所述卡座的第八弹片电连接。
19.根据权利要求16至18任一项所述的系统，其特征在于，所述存储卡的长度为12.3毫米，所述存储卡的宽度为8.8毫米。
20.根据权利要求16至19任一项所述的系统，其特征在于，所述存储卡的尺寸和所述Nano-SIM卡的尺寸相同。
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