TWI569383B - Chip chip chip package and its molding chip package board and molding method - Google Patents

Description

晶片卡之晶片封裝件及其成型用片狀封裝板與成型方法

本發明係有關一種晶片卡之晶片封裝件及其成型用片狀封裝板與成型方法，尤指一種將一晶片卡所使用之晶片模組作成一片體式晶片封裝件以當作一晶片基體供能簡易嵌置於一晶片卡體上所設一開口槽中以構成一晶片卡，藉以提昇晶片卡製程之經濟效益。

一般泛稱之晶片卡係指嵌設有一晶片模組之卡片，如智慧卡(SIM卡)、金融卡或信用卡等，其中該智慧卡係指用戶身份模組(Subscriber Identity Module，SIM)，乃是用以保存行動電話服務的用戶身份識別數據的智慧卡，通稱為SIM卡，目前SIM卡可分為Mini(迷你)SIM卡、Micro(微)SIM卡及Nano(奈)SIM卡，其分別設具一預定之規格尺寸，如Mini SIM卡為一15mm x 25mm之矩形小卡體，Micro SIM卡為一15mm x 12mm之矩形小卡體，Nano SIM卡為一8.8mm x 12.3mm之矩形小卡體，上述各矩形卡體雖然並非呈現完整的矩形形狀，如其一邊角上設有切角，但因非本案之訴求重點且不影響本案之技術，故在此不再贅述。以習知SIM卡結構而言，其係利用一具有上述預定規格尺寸之矩形塑質小卡體如15mm x 25mm(Mini SIM卡)、15mm x 12mm(Micro SIM卡)或8.8mm x 12.3mm(Nano SIM卡)，並於該矩形小卡體上預設一內凹之嵌槽供嵌設一符合該SIM卡功能之晶片模組 而構成；依目前SIM卡之相關技術而言，不論是Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡，其上所嵌設之晶片模組的尺寸可設計為相同或約略相同，如此有利於SIM卡晶片模組或晶片卡之製造端的製程，但非用以限制本發明。

以下所述之晶片卡係以智慧卡(SIM卡)為例說明，但非用 以限制本發明。參考圖1、2，其分別係習知之一卡一芯卡片中SIM卡之晶片模組與卡片本體組合及分解之立體示意圖。該一卡一芯卡片100包含一智慧卡(晶片卡)200及一承載用卡片本體300。該卡片本體300一般為一85.6mm x 53.98mm之矩形塑質片卡，由於晶片卡如金融卡或信用卡長久來已是大量製作及使用之物品，故該卡片本體300已成為晶片卡相關業界所認同之規格化片卡，換言之，用以製作該85.6mm x 53.98mm之矩形卡片本體之機械設備及其製程或相關技術等，目前皆相當齊備及成熟，有利於業界大量製作及使用，因此該卡片本體300也被相關業界延伸使用於製作及/或存放具有較小尺寸之SIM卡，如圖1、2所示該智慧卡200可依使用需要而選擇目前已有之SIM卡種類如Mini SIM卡之規格尺寸為15mm x 25mm、Micro SIM卡之規格尺寸為15mm x 12mm或Nano SIM卡之規格尺寸為8.8mm x 12.3mm中之一種，如圖1、2所示為以Mini SIM卡為例說明但不限制，由於製造端在製作時係在一承載用卡片本體300上只設單一片智慧卡200，故稱為一卡一芯，但亦可製成一卡多芯而不限制(參考圖12-16所示)。

該習知智慧卡200包含一卡片體201及一智慧卡晶片模組202 嵌置並黏固在該卡片體201上所設一晶片卡體(200)上所預設之嵌槽(盲槽)203中如圖2所示，其中該晶片模組202更包含一載板層204、一晶片電路層圖案205設在該載板層204之第一面上(如圖所示之上面)及一晶粒206組裝在 該載板層204之相對之第二面上(如圖所示之底面)並能對應連通於該晶片電路層圖案205。

以目前智慧卡(SIM卡)之製程技術而言，在此以圖1、2所 示一卡一芯卡片為例說明，該晶片模組202之製造端一般是使用一連續之長條狀軟性電路板(FPC)當作載板(圖未示)，即一般通稱Roll to Roll FPC或Reel to Reel FPC(捲軸方式)之生產方式，而該長條狀FPC上沿其長度方向(即送料方向)依序形成有一連串以預定間距連續排列之晶片模組(202)(包含一晶片電路層圖案205及一晶粒206)；之後，再配合承載用卡片本體300之製造端而利用已知的專用機台設備來進行智慧卡之後續製程，包含：由該長條狀FPC上取出單體化之卡晶片模組(202)，再將各晶片模組(202)逐一組裝在相配合之卡片本體300上如圖2所示，以製成該一卡一芯卡片100。

以習知一卡一芯卡片100之製程而言，在各卡片本體300上須 沖製出該智慧卡200之折裂線207供使用者方便由該一卡一芯卡片100中取出該智慧卡200，又於該智慧卡200之卡片層201表面上須藉刳刨工具(router)以刳刨出該嵌槽203供該智慧卡晶片模組202能嵌置其內，且該嵌槽203更須刳刨形成有一中央室腔208供容納該晶片模組202底面所設之晶粒206及一階梯槽209供該晶片模組202底面之四周緣能藉黏膠而黏固在該嵌槽203內；更且，上述製程目前皆是利用特殊設計之專用機台設備始能進行製作。

由上可知，習知一卡一芯卡片100(或一卡多芯)之製程技 術會受到專用機台設備之限制，以致晶片模組202製造端及卡片本體300製造端之製程也受到限制，例如在習知製程中，從晶片模組202之製作包含各晶片電路層圖案205之形成作業及各晶粒206之安裝作業，至後續之製程作業如 將晶片模組202組裝在卡片本體300上，皆是採用Roll to Roll FPC或Reel to Reel FPC(捲軸方式)之生產加工方式，由於其是在一長條狀軟性電路板(FPC)上依序進行，故其機台結構不但較為煩雜，且製程相對較慢，難以達成量產化效益，而且以軟性電路板(FPC)來當作載板，也相對增加製程及材料成本，更造成晶片模組202製造端與卡片本體300製造端之間生產管制的困擾；此外，且該智慧卡200之卡片層201表面上須藉刳刨工具(router)以刳刨出供該晶片模組202嵌置於內之特殊嵌槽203，更增加刳刨加工之困難度及成本。因此，習知之製程技術不但無法達成量產化需求，而且製造成本相對提高，不符合生產智慧卡之經濟效益。

由上可知，針對晶片卡(智慧卡)之製程，如何發展一能 符合量產化需求並提昇經濟效益的晶片卡製程，乃為本發明亟欲解決的課題，而本發明即是針對上述欲解決的課題，而提出一具有新穎性及進步性之技術方案。

本發明之主要目的乃在於提供一種晶片卡之晶片封裝件及其成型用片狀封裝板與成型方法，其係利用一片狀(panel)載板層以製作多個間隔排列之晶片模組，各晶片模組包含一晶片電路層圖案形成在該片狀載板層之第一面上及一晶粒組裝在相對之第二面上並能對應連通該晶片電路層圖案，再於該片狀載板層之第二面上形成至少一塑料封裝層並結合成一體，藉此製成該成型用片狀封裝板；再進行單體化裁切以製成多個供晶片卡使用之晶片封裝件，藉此使該晶片封裝件成為一晶片基體而能簡易嵌置於一晶片卡體上所設一開口槽中以構成一晶片卡；藉此製造端能以分 開之製程分別量產化製作該晶片封裝件及該晶片卡體(或承載用卡片本體)並再簡易組合成一體，不但可避免受到習知製程技術所必備之專用機台的限制，並能降低載板層材料成本，故可符合量產化需求並提昇晶片卡製程之經濟效益。

在本發明之一實施例中，該至少一塑料封裝層係利用層壓 (lamination)工法或射出成型(injection molding)工法中之一種工法以形成在該片狀載板層之第二面上並結合成一體。

在本發明之一實施例中，該晶片封裝件之成型用片狀封裝 板包含：一片狀載板層，其上設有多個間隔排列之晶片模組，其中各晶片模組更包含一晶片電路層圖案形成在該片狀載板層之第一面上及一晶粒組裝在相對該第一面之第二面上對應位置處以對應導通該晶片電路層圖案；及至少一塑料封裝層，其係形成在該片狀載板層之第二面上且結合成一體，並保持各晶片模組中該晶粒與所對應之晶片電路層圖案的連通及作用功能。

在本發明之一實施例中，該晶片封裝件包含：一晶片模組 其更包含一晶片電路層圖案形成在一片狀載板層之第一面上及一晶粒組裝在相對該第一面之第二面上並位於對應該晶片電路層圖案之相對位置處以與該對應之晶片電路層圖案導通；及至少一塑料封裝層，其係形成在該片狀載板層之第二面上並結合成一體，且保持各晶片模組中該晶粒與所對應之晶片電路層圖案之間的連通及作用功能。

在本發明之一實施例中，該晶片模組係包含符合迷你SIM卡 (Mini SIM卡)、微SIM卡(Micro SIM卡)或奈SIM卡(Nano SIM卡)使用之 晶片模組。

在本發明之一實施例中，該晶片封裝件係包含符合迷你SIM卡(Mini SIM卡)、微SIM卡(Micro SIM卡)、奈SIM卡(Nano SIM卡)使用之晶片封裝件。

10‧‧‧片狀載板層

10a‧‧‧片狀封裝板

11‧‧‧第一面

12‧‧‧第二面

20‧‧‧晶片模組

21‧‧‧晶片電路層圖案

22‧‧‧晶粒

30‧‧‧塑料封裝層

31‧‧‧雙面膠層

311‧‧‧室腔

32‧‧‧第一塑料層

321‧‧‧室腔

33‧‧‧第二塑料層

40‧‧‧晶片卡晶片封裝件

50‧‧‧射出成型模具

51‧‧‧上模具

52‧‧‧下模具

53‧‧‧模腔

54‧‧‧注入口

60‧‧‧卡片本體

60a‧‧‧卡片本體

60b‧‧‧卡片本體

60c‧‧‧卡片本體

60d‧‧‧卡片本體

60e‧‧‧卡片本體

61‧‧‧折裂線

70‧‧‧迷你SIM卡

71‧‧‧第一開口槽

72‧‧‧斷裂線

80‧‧‧微SIM卡

81‧‧‧第二開口槽

82‧‧‧斷裂線

90‧‧‧奈SIM卡

(先前技術)

100‧‧‧一卡一芯卡片

200‧‧‧智慧卡

201‧‧‧卡片體

202‧‧‧智慧卡晶片模組

203‧‧‧嵌槽

204‧‧‧載板層

205‧‧‧晶片電路層圖案

206‧‧‧晶粒

207‧‧‧折裂線

208‧‧‧中央室腔

209‧‧‧階梯槽

300‧‧‧卡片本體

圖1-2分別係習知一卡一芯卡片中晶片模組與卡片本體之組合及分解立體示意圖。

圖3係本發明之片狀載板層上設有多個間隔排列之晶片模組之第一面(設有多個晶片電路層圖案)之一實施例平面示意圖。

圖4係圖3之片狀載板層之第二面(設有多個晶粒)平面示意圖。

圖5-7分別係本發明晶片卡(智慧卡)之晶片封裝件之成型用片狀封裝板成型方法之步驟示意圖。

圖8係本發明中該至少一塑料封裝層利用層壓(lamination)工法以形成在該片狀載板層之第二面上之示意圖。

圖9係本發明中該至少一塑料封裝層利用射出成型(injection molding)工法以形成在該片狀載板層之第二面上之示意圖。

圖10-11分別係本發明晶片卡(智慧卡)之晶片封裝件嵌置於一承載用卡片本體上以成為一卡一芯卡片實施例之分解及組合立體示意圖。

圖12-16分別係本發明中該晶片封裝件嵌置於一承載用卡片本體上以成為一卡二芯卡片、一卡四芯卡片、一卡四芯卡片、一卡六芯卡片及一卡九芯卡片實施例之組合立體示意圖。

為使本發明更加明確詳實，茲列舉較佳實施例並配合下列圖示，將本發明之技術特徵詳述如後。

以下所述之晶片卡係以智慧卡(SIM卡)為例說明，但非用以限制本發明。本發明晶片卡之晶片封裝件之成型用片狀封裝板的成型方法，包含下列步驟：步驟1：利用一片狀載板層10以製作多個間隔排列之晶片模組20如圖1、2所示，該片狀載板層10可為一矩形片狀載板但不限制，其係使用一般標準印刷電路板(PCB)形成，不同於傳統之軟性電路板(FPC)，故得降低載板10的材料及製作成本；其中在該片狀載板層10之第一面11上形成有多個間隔排列之晶片電路層圖案21，其中之間隔排列方式可設計成如圖1所示12x24之陣列方式而共有二八八個晶片電路層圖案21但非用以限制本發明；又在相對該第一面11之第二面12上於對應第一面11上各晶片電路層圖案21之相對位置處各組裝一晶粒22，以使該晶粒22能透過該片狀載板層10所設之電路(圖未示)以與所對應之晶片電路層圖案21連通，藉此在該片狀載板層10上製成多個晶片模組20，而各晶片模組20包含一晶片電路層圖案21設在第一面11上及一晶粒22設在第二面12上並與該晶片電路層圖案21連通；在本實施例中，該晶片模組20係包含符合各種SIM卡使用如Mini SIM卡、Micro SIM卡、Nano SIM卡之卡晶片模組，且各種SIM卡之晶片模組20之尺寸視為相同但非用以限制本發明；之後再進行下一步驟2。

步驟2：再於該片狀載板層10之第二面12上(如圖5所示)形成至少一塑料封裝層30如圖5、6所示，其中該至少一塑料封裝層30在形成過 程中即能與該片狀載板層10之第二面12結合成一體，但仍可保持該片狀載板層10上所設各晶片模組20中該晶粒22與該電路層圖案21之間的連通及作用功能，藉此製成本發明之成型用片狀封裝板10a，而該成型用片狀封裝板10a上已製成有多個間隔排列之晶片封裝件40如圖7所示，以圖3、4之片狀載板層10為例說明，該成型用片狀封裝板10a上具有二八八個以12x24之陣列方式間隔排列之晶片卡(智慧卡)之晶片封裝件40，但非用以限制本發明。

在步驟2之後得再進行下一步驟3：對該成型用片狀封裝板 10a進行單體化裁切如圖6所示利用切割線A進行單體化裁切，以製成多個本發明晶片卡之晶片封裝件40如圖7所示；以圖3、4之片狀載板層10為例說明，透過步驟3即可製成二八八個晶片封裝件40但非用以限制本發明；在本發明中，該晶片封裝件40係一由一晶片模組20及至少一塑料封裝層30所結合構成並具有適當厚度之片體式結構體如圖7、10所示，而藉由該至少一塑料封裝層30所增加之厚度及剛性，使該晶片封裝件40得具有足夠之機械強度供能以一定的緊密度嵌置於一相配合之承載用卡片本體60或其上一晶片卡體(如圖中70或80所示)上所設之開口槽81中如圖10、11所示，也就是，該晶片卡(智慧卡)之晶片封裝件40能穩固嵌置於承載用卡片本體60上之開口槽81中而不易脫離，但使用者只要手指微施力即能掰開以由卡片本體60上取出該晶片封裝件40。

以圖7、10、11所示之SIM卡為例說明，本發明之主要特徵 在於：指定一種SIM卡如Mini SIM卡(70)、Micro SIM卡(80)、Nano SIM卡(90)其中之一，再將該SIM卡所使用之晶片模組20作成一片體式晶片封裝件40供當作一晶片基體，以使該晶片封裝件40(晶片基體)能簡易嵌置於一 承載用卡片本體60上所設一開口槽81中以構成一所欲之SIM卡，也就是，當該晶片模組20被設計為符合Mini SIM卡、Micro SIM卡、Nano SIM卡其中之一SIM卡使用之晶片模組時，則所形成之晶片封裝件40即為符合Mini SIM卡、Micro SIM卡、Nano SIM卡其中之一使用之晶片封裝件40，因此當該晶片封裝件40被當作一晶片基體而嵌置於一承載用卡片本體60上所設之開口槽中時如圖10、11所示之開口槽81，則可構成Mini SIM卡、Micro SIM卡、Nano SIM卡其中之一種SIM卡(晶片卡)如圖10、11所示之Mini SIM卡70或Micro SIM卡80或Nano SIM卡90。

以習知SIM卡技術而言，Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡所使用之晶片模組之尺寸可設計為或視相同或約略相同如圖3、4所示之晶片模組20，因此在如圖10、11所示之實施例中，該晶片封裝件40之尺寸係符合Mini SIM卡、Micro SIM卡或Nano SIM卡使用之晶片封裝件。此外，目前已知之SIM卡之規格尺寸是由迷你SIM卡(Mini SIM卡)之15mm x 25mm縮小至微SIM卡(Micro SIM卡)之15mm x 12mm，再進一步縮小至奈SIM卡(Nano SIM卡)之8.8mm x 12.3mm，因此在如圖10、11所示之實施例中，該晶片封裝件40係直接以Nano SIM卡之規格尺寸8.8mm x 12.3mm製成供當作一晶片基體，但非用以限制本發明。而該晶片封裝件40之厚度係以相等於相配合之承載用卡片本體60之厚度為佳(如圖10所示)如0.3mm~0.85mm，也就是當承載用卡片本體60是以習知一卡一芯卡片100(如圖1、2所示)之習用卡片本體300作成時，該智慧卡晶片封裝件40之厚度即以相等於該卡片本體300(60)之厚度為佳，且承載用卡片本體60(300)上之開口槽81(如圖10、11所示)之尺寸及形狀亦配合該晶片卡晶片封裝件40之尺寸，以使該 晶片卡晶片封裝件40在嵌置於該卡片本體60(300)之一開口槽81(如圖10、11所示)內時得穩固嵌合且不會凸出於該卡片本體60(300)之表面如圖11所示。

在該步驟1中，本發明係利用表面黏著技藝(SMT， surface-mount technology)以將利用WLCSP(晶圓級晶片尺寸封裝)方式封裝之各晶片卡(SIM卡)之晶粒22組裝在該片狀載板層10之第二面12上並對應於第一面11上各晶片電路層圖案21，藉以達成量產化效益，但上述各晶粒22之WLCSP封裝方式或其SMT組裝製程並非用以限制本發明。

此外，在該步驟2中，該至少一塑料封裝層30係利用層壓 (lamination)工法或射出成型(injection molding)工法中之一種工法以形成在該片狀載板層10之第二面12上並結合構成一片體式晶片基體(40)，但該層壓工法及射出成型工法非用以限制本發明，進一步說明如下：參考圖8所示，當在該步驟2中該至少一塑料封裝層30係利用層壓工法以形成在該片狀載板層10之第二面12上並結合構成一片體式晶片基體(40)時，其係在該片狀載板層10之第二面12上逐一疊置一雙面膠層31、一第一塑料層32及一第二塑料層33，再藉層壓工法層壓該雙面膠層31、第一塑料層32及第二塑料層33以結合成一體而形成該至少一塑料封裝層30並在層壓過程中同時與該片狀載板層10之第二面12結合成一體。

在該雙面膠層31上得預設多個室腔311，在該第一塑料層32 上得預設多個室腔321，且所設之各室腔311、321係分別對應於該片狀載板層10之第二面12上所組裝之各晶粒22，以使各晶粒22在層壓之後能容置在各室腔311、321內，並藉由該第二塑料層33設在最外層以形成封閉狀態。此外， 該第一、第二塑料層32、33之材料可為PVC(聚氯乙烯，polyvinyl chloride)或ABS樹脂(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物，Acrylonitrile Butadiene Styrene)但不限制。由於本發明所採用之層壓工法包含材料選擇或温度及壓力控制等可利用目前機械領域中層壓工法之習知技術來達成，且該層壓工法亦非本發明之訴求重點，故不另贅述。

參考圖9所示，當在該步驟2中該至少一塑料封裝層30係利用 射出成型(injection molding)工法以形成在該片狀載板層10之第二面12上並結合構成一片體式晶片基體(40)時，其係將已設有多個晶片模組20之片狀載板層10先定位埋置在一射出成型模具50內，如圖9所示先定位埋置在該射出成型模具50之下模具52內，再蓋上一相配合之上模具51以使上、下模具51、52之間形成一相同於該至少一塑料封裝層30所佔空間之模腔53，並使該片狀載板層10之第二面12朝向該模腔53；再利用一用以形成該塑料封裝層30之材料(30)當作射出料以由該射出成型模具50之注入口54以一適當壓力注入該模腔53中，即可直接在該片狀載板層10之第二面12上射出成型該塑料封裝層30且其可藉由射出成型時温度與壓力之控制以與該片狀載板層10之第二面12結合成一體。由於本發明所採用之射出成型工法包含材料選擇或温度及壓力控制等，或另利用一間隔遮護片(圖未示)遮蓋在第二面12上各晶粒22上方以在射出成型後能形成並具有如圖8所示室腔311、321之容置功效，皆可利用目前機械領域中射出成型工法之習知技術來達成，且該射出成型工法亦非本發明之訴求重點，故不另贅述。

再參考圖10、11所示，其分別係本發明中該晶片卡晶片封裝 件40嵌置於一相配合之承載用卡片本體60上一實施例之立體分解及組合示 意圖。如前所述，目前已知之SIM卡之規格尺寸是由迷你SIM卡(Mini SIM卡)之15mm x 25mm縮小至微SIM卡(Micro SIM卡)之15mm x 12mm，再進一步縮小至奈SIM卡(Nano SIM卡)之8.8mm x 12.3mm，因此在如圖10、11所示之實施例中，該晶片封裝件40係直接以Nano SIM卡之規格尺寸8.8mm x 12.3mm製成，在圖10、11中之晶片封裝件40不但被當作一晶片基體同時也被製成為一Nano SIM卡90，但非用以限制本發明。在本實施例中，該承載用卡片本體60是利用習知一卡一芯卡片100(如圖1、2所示)之習用卡片本體300作成但非用以限制本發明(即亦可為一卡多芯卡片，容後述)，而卡片本體60(300)之製造端得在該承載用卡片本體60(300)上可藉由預先沖製之折裂線61而成型設置一符合Mini SIM卡規格尺寸(15mm x 25mm)之迷你SIM卡(亦即Mini SIM卡之晶片卡體)70。本實施例進一步可在該迷你SIM卡70之卡片範圍內再開設一斷裂線72以形成一較縮小之第一開口槽71及一符合Micro SIM卡規格尺寸(15mm x 12mm)之微SIM卡(亦即Micro SIM卡之晶片卡體)80，使該微SIM卡之晶片卡體(80)能以一定的緊密度嵌置於該第一開口槽71中；本實施例進一步在該微SIM卡80之卡片範圍內再開設一斷裂線82以形成一第二開口槽81及一符合奈SIM卡(Nano SIM卡)規格尺寸(8.8mm x 12.3mm)之奈SIM卡(亦即Nano SIM卡之晶片卡體)90如圖10-11所示，使該奈SIM卡90能以一定的緊密度嵌置於該第二開口槽81中，在如圖10、11所示之實施例中，該晶片封裝件40係直接以Nano SIM卡之規格尺寸8.8mm x 12.3mm製成，故該晶片封裝件40同時被製成為一Nano SIM卡90，但非用以限制本發明。

此外，在如圖10、11所示之實施例中，該一卡一芯模式之卡 片本體60(300)上雖然只設有一第二開口槽81供嵌置一晶片封裝件40，但該一卡一芯模式之卡片本體60(300)卻可由製造端選擇用以承載迷你SIM卡70、微SIM卡80或奈SIM卡90等三種不同SIM卡型態中之任一種SIM卡，也就是，當卡片本體60之製造端在製出如圖10、11所示之一卡一芯模式之卡片本體60(300)時，可視實際使用需要而對上述之迷你SIM卡70、微SIM卡80或奈SIM卡90三者加以選擇及組合，例如：在該卡片本體60(300)上只成型設有一迷你SIM卡(卡體)70及一第二開口槽81供嵌置一符合迷你SIM卡70使用之晶片封裝件40(如圖14中之一迷你SIM卡70)；或在該卡片本體60(300)上只成型設有一微SIM卡80及一第二開口槽81供嵌置一符合微SIM卡80使用之晶片封裝件40(如圖15中之一微SIM卡80)；或在該卡片本體60(300)上只成型設有一奈SIM卡90及一第二開口槽81供嵌置一符合奈SIM卡90使用之晶片封裝件40(如圖16中之一奈SIM卡90)，其中在本實施例中該晶片封裝件40即為奈SIM卡90。換言之，不論該承載用卡片本體60(300)被指定用以承載迷你SIM卡70、微SIM卡80及奈SIM卡90(40)三者中那一種SIM卡，該承載用卡片本體60(300)之製造端皆可在該承載用卡片本體60(300)上所設SIM卡(如70、80)之卡片範圍內開設一能共用尺寸之第二開口槽81供嵌置一符合該種SIM卡使用且又能共用尺寸之晶片封裝件40(如圖10、11中所示之奈SIM卡90)，而本發明之晶片卡(智慧卡)晶片封裝件40之製造端即能先量產化製成該晶片卡(智慧卡)之晶片封裝件40，以使該晶片封裝件40能當作一晶片基體供嵌置於該卡片本體60(300)所設SIM卡(70、80、90)之卡片範圍內之開口槽(81)內，如此即可形成一種SIM卡(70、80、90)之使用型態。因此，本發明之製造端能以分開二製程分別量產化製作 該晶片封裝件40及承載用卡片本體60，不但可避免受到習知製程技術所必備之專用機台的限制，亦能降低載板層材料成本並符合量產化需求，故可有效提昇智慧卡製程之經濟效益，此乃本發明技術之優勢所在。

此外，如圖10、11所示承載用卡片本體60僅係一卡一芯模式之實施例，但非用以限制本發明，也就是該一卡一芯之卡片本體60(300)可依據圖10、11所示之技術特徵而類推至一卡多芯之卡片本體，分別說明如下：如圖12所示，其係一承載有二個SIM卡之一卡二芯卡片本體60a，其中該二SIM卡可為迷你SIM卡70、微SIM卡80、奈SIM卡90其中之一種，其中所承載之SIM卡的數目可依該SIM卡之尺寸而設定。

如圖13所示，其係一承載有四個SIM卡之一卡四芯卡片本體60b，其中該四SIM卡可為迷你SIM卡70、微SIM卡80、奈SIM卡90其中之一種，其中所承載之SIM卡的數目可依該SIM卡之尺寸而設定。

如圖14所示，其係一承載有四個SIM卡之一卡四芯卡片本體60c，其中該四SIM卡可為迷你SIM卡70、奈SIM卡90其中之一種，其中所承載之SIM卡的數目可依該SIM卡之尺寸而設定。

如圖15所示，其係一承載有六個SIM卡之一卡六芯卡片本體60d，其中該六SIM卡可為微SIM卡80、奈SIM卡90其中之一種，其中所承載之SIM卡的數目可依該SIM卡之尺寸而設定。

如圖16所示，其係一承載有九個SIM卡之一卡六芯卡片本體60e，其中該九SIM卡為奈SIM卡90，其中所承載之SIM卡的數目可依該SIM卡之尺寸而設定。

以上所述僅為本發明的優選實施例，對本發明而言僅是說明性的，而非限制性的；本領域普通技術人員理解，在本發明權利要求所限定的精神和範圍內可對其進行許多改變，修改，甚至等效變更，但都將落入本發明的保護範圍內。

40‧‧‧晶片封裝件

60‧‧‧卡片本體

61‧‧‧折裂線

70‧‧‧迷你SIM卡

71‧‧‧第一開口槽

72‧‧‧斷裂線

80‧‧‧微SIM卡

81‧‧‧第二開口槽

82‧‧‧斷裂線

90‧‧‧奈SIM卡

Claims (14)

1. 一種晶片卡之晶片封裝件之成型用片狀封裝板的成型方法，包含下列步驟：步驟1：利用一片狀載板層以製作多個形成間隔排列之晶片卡之晶片模組，其中在該片狀載板層之第一面上形成有多個間隔排列之晶片電路層圖案，並在相對該第一面之第二面上於對應第一面上各晶片電路層圖案之相對位置處各組裝一晶粒以透過該片狀載板層以與該對應晶片電路層圖案連通，藉此製作完成多個晶片模組，而各晶片模組包含一晶片電路層圖案設在第一面上及一晶粒設在第二面上並與該晶片電路層圖案連通；步驟2：在該片狀載板層之第二面上形成至少一塑料封裝層，該至少一塑料封裝層係與該片狀載板層之第二面結合成一體，並保持各智慧卡晶片模組中該晶粒與所對應晶片電路層圖案之間的連通及作用功能，藉此製作完成一具有多個間隔排列之晶片封裝件之成型用片狀封裝板；其中在該步驟2中該至少一塑料封裝層係利用層壓(lamination)工法或射出成型(injection molding)工法中之一種工法以形成在該片狀載板層之第二面上並結合構成一體成型體；其中當該步驟2中是利用層壓工法時，其係在該片狀載板層之第二面上逐一疊置一雙面膠層、一第一塑料層及一第二塑料層，再藉層壓工法以層壓形成該至少一塑料封裝層並與該片狀載板層之第二面結合成一體；其中當該步驟2中是利用射出成型工法時，其係將該片狀載板層先埋置在射出成型模具內，再利用一用以形成該塑料封裝層之材料當作射出 料以藉該射出成型模具直接在該片狀載板層之第二面上射出成型該塑料封裝層並與該片狀載板層之第二面結合成一體。
2. 如請求項1所述之成型方法，其中在該步驟2之後更包含下列之步驟：步驟3：對該成型用片狀封裝板進行單體化裁切，以製作完成多個智慧卡晶片封裝件，其中各智慧卡晶片封裝件為一由一智慧卡晶片模組及至少一塑料封裝層所結合構成之一體成型體。
3. 如請求項1所述之成型方法，其中在該雙面膠層及該第一塑料層上預設多個室腔，其中各室腔係分別對應於該片狀載板層之第二面上所組裝之各晶粒供各晶粒能容置在各室腔內。
4. 如請求項1所述之成型方法，其中該第一塑料層及該第二塑料層之材料包含PVC(聚氯乙烯，polyvinyl chloride)、ABS樹脂(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物，Acrylonitrile Butadiene Styrene)。
5. 如請求項1或2所述之成型方法，其中該晶片模組係包含符合迷你SIM卡(Mini SIM卡)、微SIM卡(Micro SIM卡)、奈SIM卡(Nano SIM卡)使用之晶片模組。
6. 如請求項1或2所述之成型方法，其中該晶片封裝件係包含符合迷你SIM卡(Mini SIM卡)、微SIM卡(Micro SIM卡)、奈SIM卡(Nano SIM卡)使用之晶片封裝件。
7. 如請求項1或2所述之成型方法，其中該晶片封裝件由一晶片模組及至少一塑料封裝層所構成之厚度為0.3~0.85mm。
8. 一種晶片卡之晶片封裝件之成型用片狀封裝板，其係利用申請專利範圍請求項1至7中任一項所述之成型方法所製成，該片狀封裝板包含：一片狀載板層，其上設有多個間隔排列之晶片模組，其中各智慧卡晶片模組更包含：一晶片電路層圖案其形成在該片狀載板層之第一面上； 及一晶粒其組裝在相對該第一面之第二面上並位於對應該晶片電路層圖案之相對位置處以透過該片狀載板層以與該對應晶片電路層圖案導通；及至少一塑料封裝層，其係形成在該片狀載板層之第二面上且與該片狀載板層之第二面結合成一體，並保持各智慧卡晶片模組中該晶粒與所對應之晶片電路層圖案的作用功能。
9. 一種晶片卡之晶片封裝件，其係利用申請專利範圍請求項8中所述之成型用片狀封裝板進行單體化裁切所形成之片體式晶片基體，該晶片封裝件包含：一晶片模組，其包含：一晶片電路層圖案形成在一片狀載板層之第一面上；及一晶粒組裝在相對該第一面之第二面上並位於對應該晶片電路層圖案之相對位置處供能透過該片狀載板層以與該對應晶片電路層圖案導通；及至少一塑料封裝層，其係形成在該片狀載板層之第二面上且與該片狀載板層之第二面結合成一體，並保持各智慧卡晶片模組中該晶粒與所對應之晶片電路層圖案之間的連通及作用功能；其中該晶片封裝件藉由該至少一塑料封裝層形成並結合在該片狀載板層之第二面上所增加之厚度，使該晶片封裝件得具有足夠之機械強度供能緊密嵌置於一相配合之晶片卡體上所開設之一開口槽中。
10. 如請求項9所述之晶片封裝件，其中該晶片模組係包含符合迷你SIM卡(Mini SIM卡)、微SIM卡(Micro SIM卡)、奈SIM卡(Nano SIM卡)使用之晶片模組。
11. 如請求項9所述之晶片封裝件，其中該晶片封裝件係包含符合迷你SIM卡(Mini SIM卡)、微SIM卡(Micro SIM卡)、奈SIM卡(Nano SIM卡) 使用之晶片封裝件。
12. 如請求項9所述之晶片封裝件，其中該晶片卡體係一具有迷你SIM卡(Mini SIM卡)、微SIM卡(Micro SIM卡)、奈SIM卡(Nano SIM卡)其中之一SIM卡之尺寸的卡體。
13. 如請求項12所述之晶片封裝件，其中該晶片卡體係設在一尺寸為85.6mm x 53.98mm之矩形卡片本體上。
14. 如請求項9所述之晶片封裝件，其中該晶片封裝件由一晶片模組及至少一塑料封裝層所構成之厚度為0.3~0.85mm。