JP2023101795A

JP2023101795A - 半導体記憶装置

Info

Publication number: JP2023101795A
Application number: JP2023092052A
Authority: JP
Inventors: 曜久藤本; Teruhisa Fujimoto; 敦志近藤; Atsushi Kondo; 典哉坂本; Noriya Sakamoto; 拓西山; Taku Nishiyama; 勝好渡邊; Katsuyoshi Watanabe
Original assignee: Kioxia Corp
Current assignee: Kioxia Corp
Priority date: 2018-04-23
Filing date: 2023-06-05
Publication date: 2023-07-21
Also published as: WO2019208051A1; TWI828605B; TW202328978A; TWI814685B; TW202347176A

Abstract

【課題】通信インターフェースを高速化可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】一つの実施形態に係る半導体記憶装置は、筐体と、メモリと、コントローラと、複数の端子と、を備える。前記複数の端子は、第１の列と第２の列とを形成する。前記第１の列の前記複数の端子は、ＰＣＩｅ規格に準拠する差動データ信号の複数のレーンに割り当てられた複数対の第１の信号端子と、グランドに割り当てられた複数のグランド端子と、を含む。前記第２の列の前記複数の端子は、電源に割り当てられた複数の電源端子を含む。前記複数の電源端子は、第１の電源が割り当てられた第１の電源端子と、電圧が前記第１の電源以下である第２の電源が割り当てられた複数の第２の電源端子と、電圧が前記第２の電源以下である第３の電源が割り当てられた複数の第３の電源端子と、を含む。
【選択図】図１３

Description

本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。

フラッシュメモリの記憶容量は、技術改良に伴い増大している。それに伴い、リムーバブルメモリーカードのような半導体記憶装置のデータ転送量が増大し、データ転送時間も増大している。

特開２００９－２５９２０７号公報

半導体記憶装置の通信インターフェースが高速化すれば、データ転送時間を短縮することができる。

一つの実施形態に係る半導体記憶装置は、筐体と、メモリと、コントローラと、複数の端子と、を備える。前記筐体は、第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、第１の方向に延びた第１の端縁と、前記第１の端縁の反対側に位置して前記第１の方向に延びた第２の端縁と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びた第１の側縁と、前記第１の端縁と前記第１の側縁との間の切欠きを形成する第１の角部と、を有する。前記メモリは、前記筐体の内部に設けられる。前記コントローラは、前記筐体の内部に設けられ、前記メモリを制御する。前記複数の端子は、信号の伝送に用いられる複数の信号端子を含み、前記第１の面で露出する。前記複数の端子は、少なくとも一つの第１の列と、少なくとも一つの第２の列と、を形成する。前記少なくとも一つの第１の列は、前記第２の端縁よりも前記第１の端縁に近い位置で互いに間隔を介して前記第１の方向に並べられた前記複数の端子をそれぞれが含む。前記少なくとも一つの第２の列は、前記第１の列よりも前記第２の端縁に近い位置で互いに間隔を介して前記第１の方向に並べられた前記複数の端子をそれぞれが含む。前記第１の列を形成する前記複数の端子は、ＰＣＩｅ規格に準拠する差動データ信号の複数のレーンに割り当てられた複数対の第１の信号端子と、グランドに割り当てられた複数のグランド端子と、を含む。前記第２の列を形成する前記複数の端子は、電源に割り当てられた複数の電源端子を含む。前記複数の電源端子は、第１の電源が割り当てられた第１の電源端子と、電圧が前記第１の電源以下である第２の電源が割り当てられた複数の第２の電源端子と、電圧が前記第２の電源以下である第３の電源が割り当てられた複数の第３の電源端子と、を含む。

図１は、第１の実施形態に係るメモリーカードを示す例示的な平面図である。図２は、第１の実施形態のメモリーカードを示す例示的な側面図である。図３は、第１の実施形態の複数の端子の信号割り当ての一例を示す例示的な表である。図４は、第１の実施形態のメモリーカードの配線を模式的に示す例示的な平面図である。図５は、第１の実施形態のメモリーカードの構成の第１の例を概略的に示す例示的なブロック図である。図６は、第１の実施形態のメモリーカードの構成の第２の例を概略的に示す例示的なブロック図である。図７は、第１の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおけるホスト機器の動作を示す例示的なフローチャートである。図８は、第１の実施形態の電源仕様情報の一例を示す例示的な表である。図９は、第１の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおける第１の例を示す例示的なタイミングチャートである。図１０は、第１の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおける第２の例を示す例示的なタイミングチャートである。図１１は、第１の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおける第３の例を示す例示的なタイミングチャートである。図１２は、第２の実施形態に係るメモリーカードを示す例示的な平面図である。図１３は、第３の実施形態に係るメモリーカードを示す例示的な平面図である。図１４は、第３の実施形態のメモリーカードを示す例示的な側面図である。図１５は、第３の実施形態の変形例に係るメモリーカードを示す例示的な平面図である。図１６は、第３の実施形態の複数の端子の信号割り当ての一例を示す例示的な表である。図１７は、第３の実施形態のメモリーカードの構成の第１の例を概略的に示す例示的なブロック図である。図１８は、第３の実施形態のメモリーカードの構成の第２の例を概略的に示す例示的なブロック図である。図１９は、第３の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおけるホスト機器の動作を示す例示的なフローチャートである。図２０は、第３の実施形態の電源仕様情報の一例を示す例示的な表である。図２１は、第３の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおける第１の例を示す例示的なタイミングチャートである。図２２は、第３の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおける第２の例を示す例示的なタイミングチャートである。図２３は、第３の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおける第３の例を示す例示的なタイミングチャートである。図２４は、第３の実施形態のメモリーカードの電源チェックシーケンスにおける第４の例を示す例示的なタイミングチャートである。図２５は、第３の実施形態のメモリーカードの温度チェックシーケンスにおけるカードコントローラの動作を示す例示的なフローチャートである。図２６は、第４の実施形態に係るメモリーカードを示す例示的な平面図である。

（第１の実施形態）
以下に、第１の実施形態について、図１乃至図１１を参照して説明する。なお、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明について、複数の表現が記載されることがある。複数の表現がされた構成要素及び説明は、記載されていない他の表現がされても良い。さらに、複数の表現がされない構成要素及び説明も、記載されていない他の表現がされても良い。

図１は、第１の実施形態に係るメモリーカード１０を示す例示的な平面図である。図２は、第１の実施形態のメモリーカード１０を示す例示的な側面図である。メモリーカード１０は、半導体記憶装置の一例であり、例えば、リムーバブルメディア及びリムーバブルメモリーカードとも称され得る。

各図面に示されるように、本明細書において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、メモリーカード１０の幅に沿う。Ｙ軸は、メモリーカード１０の長さに沿う。Ｚ軸は、メモリーカード１０の厚さに沿う。

メモリーカード１０は、筐体１１と、基板１２と、フラッシュメモリ１３と、カードコントローラ１４と、保護シート１５とを有する。フラッシュメモリ１３は、メモリの一例である。カードコントローラ１４は、コントローラの一例である。

メモリーカード１０、及び筐体１１は、例えば、Ｙ軸方向に延びた略矩形の板状に形成される。Ｙ軸方向は、メモリーカード１０及び筐体１１の長手方向であって、Ｙ軸の正方向（Ｙ軸の矢印が示す方向）とＹ軸の負方向（Ｙ軸の矢印の反対方向）とを含む。Ｙ軸方向は、第２の方向の一例である。

図２に示すように、筐体１１は、板状であって、第１の面２１と、第２の面２２と、外縁２３とを有する。第１の面２１及び第２の面２２は、Ｙ軸方向に延びた略四角形（矩形）状に形成される。すなわち、Ｙ軸方向は、第１の面２１及び第２の面２２の長手方向でもある。本実施形態において、メモリーカード１０、筐体１１、第１の面２１、及び第２の面２２の形状はそれぞれ、矩形状と表現されるが、他の表現もされ得る。

第１の面２１は、Ｚ軸の正方向（Ｚ軸の矢印が向く方向）に向く略平坦な面である。図１に示すように、第１の面２１に、複数の開口２１ａが設けられる。図２に示すように、第２の面２２は、第１の面２１の反対側に位置し、Ｚ軸の負方向（Ｚ軸の矢印の反対方向）に向く略平坦な面である。

外縁２３は、第１の面２１と第２の面２２との間に設けられ、第１の面２１の縁と第２の面２２の縁とに接続される。図１に示すように、外縁２３は、第１の縁３１と、第２の縁３２と、第３の縁３３と、第４の縁３４と、第１の角部３５と、第２の角部３６と、第３の角部３７と、第４の角部３８とを有する。

第１の縁３１は、Ｘ軸方向に延び、Ｙ軸の正方向に向く。Ｘ軸方向は、メモリーカード１０、筐体１１、第１の面２１、及び第２の面２２の短手方向であって、Ｘ軸の正方向（Ｘ軸の矢印が示す方向）と、Ｘ軸の負方向（Ｘ軸の矢印の反対方向）とを含む。Ｘ軸方向は、第１の方向の一例である。

第２の縁３２は、Ｙ軸方向に延び、Ｘ軸の負方向に向く。第２の縁３２には、凹部３２ａが設けられる。第３の縁３３は、第２の縁３２の反対側に位置してＹ軸方向に延び、Ｘ軸の正方向に向く。第４の縁３４は、第１の縁３１の反対側に位置してＸ軸方向に延び、Ｙ軸の負方向に向く。

第２の縁３２及び第３の縁３３のそれぞれの長さは、第１の縁３１及び第４の縁３４のそれぞれの長さよりも長い。第１の縁３１及び第４の縁３４は、略矩形のメモリーカード１０の短辺を形成し、第２の縁３２及び第３の縁３３は、略矩形のメモリーカード１０の長辺を形成する。

第１の角部３５は、第１の縁３１と第２の縁３２との間の角部分であり、第１の縁３１のＸ軸の負方向における端と、第２の縁３２のＹ軸の正方向における端とを接続する。第１の縁３１のＸ軸の負方向における端は、第１の縁の一方の端の一例である。第２の縁３２のＹ軸の正方向における端は、第２の縁の端の一例である。

第１の角部３５は、第１の縁３１のＸ軸の負方向における端と、第２の縁３２のＹ軸の正方向における端との間で直線状に延びる。Ｘ軸方向において、第１の縁３１のＸ軸の負方向における端と、第２の縁３２との間の距離は、１．１ｍｍである。Ｙ軸方向において、第２の縁３２のＹ軸の正方向における端と、第１の縁３１との間の距離は、１．１ｍｍである。

第１の縁３１と第２の縁３２との角が、いわゆるＣ１．１の角面取りに設定されることで、第１の角部３５が設けられる。別の表現によれば、第１の角部３５は、第１の縁３１と第２の縁３２との間の切欠きＣを形成する。

本実施形態において、第１の角部３５は、互いに直交する方向に延びる第１の縁３１と第２の縁３２との角部分に略三角形の切欠きＣを形成する。しかし、切欠きＣは、この例に限られない。第１の角部３５は、例えば、本実施形態よりも筐体１１の内側に窪んだ略四角形の切欠きＣを形成しても良い。

第２の角部３６は、第１の縁３１と第３の縁３３との間の角部分であり、第１の縁３１のＸ軸の正方向における端と、第３の縁３３のＹ軸の正方向における端とを接続する。第１の縁３１のＸ軸の正方向における端は、第１の縁の他方の端の一例である。第３の縁３３のＹ軸の正方向における端は、第３の縁の端の一例である。

第２の角部３６は、第１の縁３１のＸ軸の正方向における端と、第３の縁３３のＹ軸の正方向における端との間で円弧状に延びる。第２の角部３６は、正円の円弧状に延びるが、楕円の円弧状に延びても良い。

円弧状に延びる第２の角部３６の半径は、０．２ｍｍである。第１の縁３１と第３の縁３３との角が、いわゆるＲ０．２の丸面取りに設定されることで、第２の角部３６が設けられる。このように、第１の角部３５の形状と第２の角部３６の形状とは、互いに異なる。

第３の角部３７は、第２の縁３２のＹ軸の負方向における端と、第４の縁３４のＸ軸の負方向における端とを接続する。第４の角部３８は、第３の縁３３のＹ軸の負方向における端と、第４の縁３４のＸ軸の正方向における端とを接続する。第３の角部３７及び第４の角部３８はそれぞれ、半径が０．２ｍｍである円弧状に延びる。

メモリーカード１０、筐体１１、第１の面２１、及び第２の面２２は、Ｙ軸方向における長さが約１８±０．１ｍｍに設定され、Ｘ軸方向における長さが約１４±０．１ｍｍに設定される。すなわち、Ｙ軸方向における第１の縁３１と第４の縁３４との間の距離が約１８±０．１ｍｍに設定され、Ｘ軸方向における第２の縁３２と第３の縁３３との間の距離が約１４±０．１ｍｍに設定される。なお、メモリーカード１０、筐体１１、第１の面２１、及び第２の面２２のＸ軸方向及びＹ軸方向の長さは、この例に限られない。

図２に示すように、筐体１１は、傾斜部３９をさらに有する。傾斜部３９は、第１の面２１と第１の縁３１との間の角部分であり、第１の面２１のＹ軸の正方向における端と、第１の縁３１のＺ軸の正方向における端との間で直線状に延びる。

図１に示すように、基板１２、フラッシュメモリ１３、及びカードコントローラ１４は、筐体１１の内部に設けられる。基板１２、フラッシュメモリ１３、及びカードコントローラ１４は、箱型の筐体１１に収容されても良いし、筐体１１に埋め込まれても良い。

基板１２は、例えばプリント回路板（ＰＣＢ）である。なお、基板１２は他の種類の基板であっても良い。フラッシュメモリ１３及びカードコントローラ１４は、基板１２に実装される。

フラッシュメモリ１３は、情報を記憶可能な不揮発性メモリであり、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。なお、フラッシュメモリ１３は、ＮＯＲ型のような他のフラッシュメモリであっても良い。メモリーカード１０は、例えば、積層された複数のフラッシュメモリ１３を有しても良い。

カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３、及び当該フラッシュメモリ１３を含むメモリーカード１０の全体を制御可能である。例えば、カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３へのリード／ライト制御及び外部との通信制御を行うことができる。この通信制御には、ＰＣＩｅ（ＰｅｒｉｐｈｅｒａｌＣｏｍｐｏｎｅｎｔＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｘｐｒｅｓｓ）で規格（以下、単にＰＣＩｅと称する）に対応したプロトコル制御が含まれる。なお、カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３を制御する他の電子部品を介して、フラッシュメモリ１３を間接的に制御しても良い。

保護シート１５は、第１の面２１に貼り付けられる。保護シート１５は、例えば、第１の面２１に露出するテスト用の端子を封印する。なお、保護シート１５はこの例に限られない。

メモリーカード１０は、複数の端子Ｐをさらに有する。本実施形態において、メモリーカード１０は、２６個の端子Ｐを有する。なお、端子Ｐの数はあくまで一例であって、この例に限られない。すなわち、端子Ｐの数は、２６個より少なくても良いし、２６個より多くても良い。複数の端子Ｐは、例えば、基板１２に設けられる。複数の端子Ｐは、開口２１ａにより、第１の面２１で露出される。本実施形態において、第２の面２２は、端子Ｐが設けられず、例えば印刷面や放熱面に利用され得る。

本実施形態において、複数の端子Ｐは、二列に並べられ、第１の列Ｒ１と、第２の列Ｒ２とを形成する。なお、複数の端子Ｐは、三列以上に並べられ、複数の第２の列Ｒ２を形成しても良い。

１３個の端子Ｐが、互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられ、第１の列Ｒ１を形成する。以下、第１の列Ｒ１を形成する１３個の端子Ｐを、端子Ｐ１～Ｐ１３と個別に称することがある。なお、第１の列Ｒ１を形成する端子Ｐの数は、１３個に限られない。第１の列Ｒ１を形成する端子Ｐは、最も第２の縁３２に近い端子Ｐ１から順に、最も第３の縁３３に近い端子Ｐ１３まで並べられる。

端子Ｐ１～Ｐ１３は、第１の縁３１の近傍で、当該第１の縁３１に沿ってＸ軸方向に並べられる。端子Ｐ１～Ｐ１３、及び端子Ｐ１～Ｐ１３によって形成される第１の列Ｒ１は、第１の縁３１から離間している。しかし、第１の列Ｒ１と第１の縁３１との間の距離は、第１の列Ｒ１と第４の縁３４との間の距離よりも短い。なお、端子Ｐ１～Ｐ１３及び第１の列Ｒ１は、第１の縁３１に隣接しても良い。

１３個の端子Ｐが、互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられ、第２の列Ｒ２を形成する。以下、第２の列Ｒ２を形成する１３個の端子Ｐを、端子Ｐ１４～Ｐ２６と個別に称することがある。なお、第２の列Ｒ２を形成する端子Ｐの数は、１３個に限られない。また、第２の列Ｒ２を形成する端子Ｐの数は、第１の列Ｒ１を形成する端子Ｐの数より多くても良いし少なくても良い。第２の列Ｒ２を形成する端子Ｐは、最も第２の縁３２に近い端子Ｐ１４から順に、最も第３の縁３３に近い端子Ｐ２６まで並べられる。

第２の列Ｒ２を形成する複数の端子Ｐは、第１の列Ｒ１よりも第１の縁３１から離れた位置で並べられる。このため、第２の列Ｒ２は、第１の列Ｒ１よりも第１の縁３１から離れている。第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２とは、間隔を介してＹ軸方向に並べられる。

上述のように、複数の端子Ｐは、Ｘ軸方向に並べられる。この場合、一つの端子Ｐの少なくとも一部は、Ｙ軸方向において、隣接する他の端子ＰのＹ軸の正方向における端とＹ軸の負方向における端との間の領域に位置する。第１の列Ｒ１及び第２の列Ｒ２のそれぞれにおいて、一つの端子Ｐが、他の端子ＰのＹ軸の正方向における端よりもＹ軸の正方向に張り出しても良いし、他の端子ＰのＹ軸の負方向における端よりもＹ軸の負方向に張り出しても良い。すなわち、各端子Ｐの位置は、Ｙ軸方向にずれても良い。同じ列Ｒ１，Ｒ２の各端子ＰのＹ軸の負方向の端を揃えることで、コネクタのコンタクト位置をＹ軸方向に揃えた場合に各端子Ｐの電気的特性を類似させることができる。

複数の端子Ｐは、互いに異なる形状を有しても良い。例えば、第１の列Ｒ１において、端子Ｐ１，Ｐ４，Ｐ７，Ｐ１０，Ｐ１３の形状と、端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２の形状とは、互いに異なる。さらに、第２の列Ｒ２において、端子Ｐ１４，Ｐ１７，Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５の形状と、端子Ｐ１５，Ｐ１６，Ｐ２０，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２６の形状とは、互いに異なる。さらに、本実施形態において、第１の列Ｒ１及び第２の列Ｒ２のそれぞれにおいて、複数の端子Ｐの間の距離は略一定である。しかし、複数の端子Ｐの間の距離が異なっても良い。Ｙ軸方向に装着するコネクタにおいて、メモリーカード１０の電源端子やグランド端子である端子Ｐ１，Ｐ４，Ｐ７，Ｐ１０，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ１７，Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５が、信号端子である端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１５，Ｐ１６，Ｐ２０，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２６より長く設定される。これにより、コネクタと電源端子及びグランド端子とが最初に接触するため、電気的に安定になり、信号端子に電気的ストレスを与えることを回避することができる。カードコントローラ１４に電源が供給される前に信号端子に電圧が印加されると後述のインターフェース回路５１の入力バッファに電気的ストレスがかかってしまう。

複数の端子Ｐには、所定のインターフェース規格に準拠した通信に用いられる信号が割り当てられる。しかし、複数の端子Ｐに、複数のインターフェース規格に準拠した通信に用いられる信号が割り当てられても良い。

図３は、第１の実施形態の複数の端子Ｐの信号割り当ての一例を示す例示的な表である。図３に示すように、本実施形態において、第１の列Ｒ１の複数の端子Ｐには、ＰＣＩｅのデータ通信に用いられる信号が割り当てられる。ＰＣＩｅでは、データの通信に差動データ信号ペアを用いることができる。

第１の列Ｒ１において、端子Ｐ１，Ｐ４，Ｐ７，Ｐ１０，Ｐ１３にグランド電位のグランド（ＧＮＤ）が割り当てられ、端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ８，Ｐ９に受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１が割り当てられ、端子Ｐ５，Ｐ６，Ｐ１１，Ｐ１２に送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１が割り当てられる。

端子Ｐ１，Ｐ４，Ｐ７，Ｐ１０，Ｐ１３は、グランド端子の一例である。受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１及び送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１は、信号及び差動データ信号の一例である。端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２は、信号端子、第１の信号端子、及び差動データ信号端子の一例である。

受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０が割り当てられた一対の端子Ｐ２，Ｐ３は、二つの端子Ｐ１，Ｐ４の間に位置し、二つの端子Ｐ１，Ｐ４に囲まれる。送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０が割り当てられた一対の端子Ｐ５，Ｐ６は、二つの端子Ｐ４，Ｐ７の間に位置し、二つの端子Ｐ４，Ｐ７に囲まれる。

受信差動信号ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１が割り当てられた一対の端子Ｐ８，Ｐ９は、二つの端子Ｐ７，Ｐ１０の間に位置し、二つの端子Ｐ７，Ｐ１０に囲まれる。送信差動信号ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１が割り当てられた一対の端子Ｐ１１，Ｐ１２は、二つの端子Ｐ１０，Ｐ１３の間に位置し、二つの端子Ｐ１０，Ｐ１３に囲まれる。

ＰＣＩｅでは、データをシリアル伝送するが、受信回路でクロックを生成できるようにするためと、データに同じ論理レベルが連続することで電圧レベルがハイレベル又はローレベルに偏ることを避けるために、ある単位毎にコード化される。コード化には、８Ｂ１０Ｂや１２８ｂ／１３０ｂなどの方式が用いられる。このコード化により平均信号電圧レベルがコモン電圧付近にすることができ、受信閾値レベルからの差異を少なくできる。また受信側は、データの変化点から受信クロックを生成することで、データの時間的変動に追従した受信クロックが生成できるため安定したデータ受信が可能となる。複数のレーン(差動データ信号の上り下りのペア)間で偏りがある場合でも、それぞれレーンで独立に受信回路を構成して受信データの開始位置を揃えることで、レーン間スキューをキャンセルすることができる。

例えば、ＰＣＩｅ３．０の場合の最大転送速度は１レーン当たり２Ｇバイト／秒（上り下りの合計）である。ＰＣＩｅでは、一組の送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０及び受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０で１レーンを構成することができる。また、ＰＣＩｅでは、一組の送信差動信号ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１及び受信差動信号ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１でさらに１レーンを構成することができる。このように、第１の列Ｒ１を形成する複数の端子Ｐに２レーンが割り当てられるため、ＰＣＩｅのレーン数を増大させることができ、データ転送速度を向上させることができる。

ＰＣＩｅでは、初期化時に複数レーン構成を認識して、一つのデータを複数レーンで転送することができる。なお、ホスト機器が複数レーンに対応していない場合、メモリーカード１０は１レーンモードで動作可能である。

端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２は、ＰＣＩｅに準拠した差動データ信号の伝送を行い、双方向通信を可能とする。端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２は、周波数がＧＨｚ帯の差動データ信号を伝送する。

ＰＣＩｅでの通信の制御に用いられる制御信号が、第２の列Ｒ２の複数の端子Ｐに割り当てられる。第２の列Ｒ２において、端子Ｐ１４，Ｐ１７にＧＮＤが割り当てられ、端子Ｐ１５，Ｐ１６にレファレンス差動クロック信号ＲＥＦＣＬＫｐ，ＲＥＦＣＬＫｎが割り当てられ、端子Ｐ１８，Ｐ１９に第２の電源（パワーレール）ＰＷＲ２が割り当てられ、端子Ｐ２０にリセット信号ＰＥＲＳＴ＃が割り当てられ、端子Ｐ２１に第１の電源（パワーレール）ＰＷＲ１が割り当てられ、端子Ｐ２２にパワーマネジメント制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃が割り当てられ、端子Ｐ２３，Ｐ２６に制御信号ＣＮＴＡ，ＣＮＴＢが割り当てられ、端子Ｐ２４，Ｐ２５に第３の電源（パワーレール）ＰＷＲ３が割り当てられる。

端子Ｐ１５，Ｐ１６，Ｐ２０，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２６は、信号端子及び第２の信号端子の一例である。端子Ｐ１５，Ｐ１６は、差動クロック信号端子の一例である。端子Ｐ２０，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２６は、シングルエンド信号端子の一例である。端子Ｐ２０，Ｐ２２は、サイドバンド信号端子の一例である。端子Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５は、電源端子の一例である。端子Ｐ１８，Ｐ１９は、第２の電源端子の一例である。Ｐ２１は、第１の電源端子の一例である。端子Ｐ２４，Ｐ２５は、第３の電源端子の一例である。電源端子として複数の端子Ｐが設けられることにより、電流が分散し、一つの端子当たりに流れる電流が小さくなり、電源回路から電源端子までの間に存在する抵抗成分によるドロップ電圧を小さくすることができる。

レファレンス差動クロック信号ＲＥＦＣＬＫｐ／ｎは、２本で差動クロック信号を構成する。ホスト機器から端子Ｐ１５，Ｐ１６に周波数がＭＨｚ帯のクロック信号を伝送されることにより、メモリーカード１０は、当該メモリーカード１０が装着されたホスト機器との同期を容易化することができる。このように、端子Ｐ１５，Ｐ１６が伝送に用いられるクロック信号の周波数は、端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２が伝送に用いられる差動データ信号の周波数よりも低くし正弦波に近い波形にすることでＥＭＩの発生を低くできる。

ホスト機器は、例えば、パーソナルコンピュータのような情報処理装置、携帯電話、デジタルカメラ、撮像装置、タブレットコンピュータやスマートフォンのような携帯端末、ゲーム機器、カーナビゲーションシステムのような車載端末、又は他の装置である。

メモリーカード１０は、受信したレファレンス差動クロックをＰＬＬ発振回路で逓倍してビットクロックを生成する。データはビットクロックに同期して、送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１から出力される。受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１から読み込まれたデータは、ビットクロックに同期して一つのデータとして揃えられる。つまり前記コードから生成した受信クロックにより一旦受信したデータをレファレンス差動クロックに再同期することが可能となる。

リセット信号ＰＥＲＳＴ＃は、ＰＣＩｅでの通信に用いられるバスをホスト機器がリセットするために用いることができる。ＰＣＩｅのリセット解除のタイミング規定によりＰＣＩｅ差動レーンの初期化開始タイミングが規定される。このリセット信号ＰＥＲＳＴ＃は、エラー発生時などにホスト機器がメモリーカード１０の再初期化を行う時に用いることができる。

パワーマネジメント制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃は、パワーセービングモードから復帰するためのクロックとして用いることができる。パワーセービングモードでは、データ転送に用いられる高周波ビットクロックを停止させることで、消費電力を低減することができる。

制御信号ＣＮＴＡ，ＣＮＴＢは、種々の機能を制御するため用いられ得る。例えば後述するように、ＰＣＩｅの初期化に電源電圧ＰＷＲ３が必要か、電源電圧ＰＷＲ２が必要か、電源電圧ＰＷＲ１だけで動作可能かを判別できるようにするため、制御信号ＣＮＴＢを用いることができる。

リセット信号ＰＥＲＳＴ＃、パワーマネジメント制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃、及び制御信号ＣＮＴＡ，ＣＮＴＢは、シングルエンド信号である。また、リセット信号ＰＥＲＳＴ＃及びパワーマネジメント制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃は、ＰＣＩｅのサイドバンド信号である。

メモリーカード１０がＰＣＩｅでの通信をサポートすることにより、ＰＣＩｅの標準的な物理層（ＰＨＹ：ＰｈｙｓｉｃａｌＬａｙｅｒ）を用いることができる。このため、メモリーカード１０のデータの転送速度を上げるための設計の容易化と開発コストの低減を図ることができる。

さらに、メモリーカード１０がＰＣＩｅでの通信をサポートすることにより、ＰＣＩｅのデータリンク層にＮＶＭｅ（ＮｏｎＶｏｌａｔｉｌｅＭｅｍｏｒｙｅｘｐｒｅｓｓ）を採用することができる。このため、データ転送時のオーバーヘッドを低減させることができ、データ転送効率を向上させることができる。

ホスト機器は、端子Ｐ２１に、第１の電源としての電源電圧ＰＷＲ１を供給することができる。電源電圧ＰＷＲ１は、本実施形態において、３．３Ｖに設定される。電源電圧表記は中央値を示し、ある程度の電圧変動幅は許容されている。電源電圧ＰＷＲ１は、例えば、２．５Ｖ以上３．３Ｖ以下の範囲に設定され得るが、この例に限られない。

ホスト機器は、端子Ｐ１８，Ｐ１９に、第２の電源としての電源電圧ＰＷＲ２を供給することができる。電源電圧ＰＷＲ２は、第２の電源電圧の一例である。電源電圧ＰＷＲ２は、本実施形態において、１．８Ｖに設定される。すなわち、電源電圧ＰＷＲ２は、電源電圧ＰＷＲ１以下である。電源電圧ＰＷＲ２は、例えば、１．２Ｖ以上１．８Ｖ以下の範囲に設定され得るが、この例に限られない。

ホスト機器は、端子Ｐ２４、Ｐ２５に、第３の電源としての電源電圧ＰＷＲ３を供給することができる。電源電圧ＰＷＲ３は、第１の電源電圧の一例である。電源電圧ＰＷＲ３は、本実施形態において、１．２Ｖに設定される。すなわち、電源電圧ＰＷＲ３は、電源電圧ＰＷＲ２以下である。電源電圧ＰＷＲ３は、この例に限られない。

図４は、第１の実施形態のメモリーカード１０の配線を模式的に示す例示的な平面図である。図４に示すように、カードコントローラ１４は、第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２との間に位置する。なお、カードコントローラ１４は、他の位置に配置されても良く、例えば、第１の列Ｒ１に含まれる端子ＰのＹ軸の正方向の端と、第２の列Ｒ２に含まれる端子ＰのＹ軸の負方向の端と、の間に位置する。また、カードコントローラ１４は、当該カードコントローラ１４のＹ軸の正方向の端とＹ軸の負方向の端との間に第２の列Ｒ２に含まれる端子Ｐが位置するように配置されても良い。

カードコントローラ１４は、複数の接続端子ＣＰを有する。複数の接続端子ＣＰは、受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１及び送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１が割り当てられたカードコントローラ１４の端子である。複数の接続端子ＣＰは、カードコントローラ１４の一部の辺１４ａ設けられ、第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２との間に位置する。接続端子ＣＰは、端子Ｐとの間の配線が交差しないように配置することが望ましい。

メモリーカード１０は、複数の配線Ｗと、複数のグランドプレーン４１と、複数の電源配線４２と、複数のＥＳＤ保護ダイオード４３とをさらに有する。図４は説明のため、カードコントローラ１４と、端子Ｐと、配線Ｗと、グランドプレーン４１と、電源配線４２と、ＥＳＤ保護ダイオード４３とを同一平面に模式的に示す。また、図４は説明のため、グランドプレーン４１と電源配線４２とにハッチングを付す。

本実施形態において、複数の端子Ｐは、複数の配線Ｗ、複数のグランドプレーン４１、及び複数の電源配線４２が互いに重ならないように割り当てられる。このため、配線Ｗ、グランドプレーン４１、電源配線４２は、ビアホール無しに効率良く配線される。

複数の配線Ｗは、カードコントローラ１４の接続端子ＣＰと、端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２とを接続する配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２を含む。さらに、複数の配線Ｗは、カードコントローラ１４と、端子Ｐ１５，Ｐ１６，Ｐ２０，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２６とを接続する配線Ｗ１５，Ｗ１６，Ｗ２０，Ｗ２２，Ｗ２３，Ｗ２６を含む。

配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２の長さは、互いに等しく設定される。さらに、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２は、端子Ｐ７の中心を通ってＹ軸方向に延びる中心軸Ａｘに対して鏡面対称に設けられる。このため、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２の設計が容易となる。また、配線Ｗ１５，Ｗ１６の長さは、互いに等しく設定される。

配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２は、等長に配線し線間スキューをなくす。長さを調整するために配線を曲げる必要があるが、通常なめらかな曲線でパターンを引くことが難しいため、配線方向を変えるときは９０°ではなく、複数の箇所で４５°に曲げている。配線Ｗの幅は曲げ部分で若干広くなってしまうが、特性インピーダンスの変化が起こり、そこからノイズが発生してしまう。９０°に比べ４５°の方が幅の変動が少ないためノイズの発生が抑制される。

複数のグランドプレーン４１は、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２，Ｗ１５，Ｗ１６を囲む。別の表現によれば、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２，Ｗ１５，Ｗ１６は、複数のグランドプレーン４１の間を通される。これにより、差動信号ごとにリターンパスを確保することができ、差動信号間の相互干渉を低減して作動信号レベルが安定化される。

電源配線４２は、端子Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５に接続される。電源配線４２の幅は、配線Ｗの幅よりも広い。このため、電源配線４２を流れることが可能な電流が大きくなるとともに、電源配線４２を介した放熱が効率良く行える。また、メモリーカード１０は、複数の端子Ｐから放熱できる。

ホスト電源出力とメモリーカード端子の間には配線やコネクタの抵抗成分やインダクタンス成分が存在するため電圧降下が発生する。電源電圧の許容変動範囲が、電源電圧に対して一定の割合である場合、電圧が低いほど許容電圧変動幅が小さくなる。したがって前記電圧降下があるため、電源電圧が低い程ホスト機器からカード端子の電源電圧を許容電圧変動幅に収めるように電源電圧を制御することが難しくなる。

一方で、ホスト機器のコネクタや、電源配線４２を含む配線の抵抗値は、同一基板、同一コネクタであれば電圧にかかわらず同じ抵抗値である。このため、電源電圧が低いと、一つの端子Ｐに流すことができる電流値が小さくなる。

本実施形態では、電源電圧ＰＷＲ２は、二つの端子Ｐ１８，Ｐ１９に流される。さらに、電源電圧ＰＷＲ３は、二つの端子Ｐ２４，Ｐ２５に流される。このように、複数の端子Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２４，Ｐ２５に電流が分配され、一つの端子Ｐあたりの電流値が小さくされることで、電源配線４２やホスト機器のコネクタの抵抗成分によるドロップ電圧を小さくすることができる。従って、ホスト機器が電源電圧を許容電圧変動幅に収めやすくなる。さらに、電源電圧ＰＷＲ２，ＰＷＲ３が同じ電圧に設定することで、より大きな電流を供給することができる。

また、通常ＰＷＲ１は３．３Ｖ±５％、ＰＷＲ２は１．８Ｖ±５％であるが、上述のように、電源電圧ＰＷＲ１が２．５－５％～３．３Ｖ＋５％のように下側により広い電圧レンジに設定され、電源電圧ＰＷＲ２が１．２－５％～１．８Ｖ＋５％のように下側により広い電圧レンジに設定しても良い。これにより、電圧を下げて消費電力を低減することが可能となる。

ＥＳＤ保護ダイオード４３は、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２のそれぞれと、グランドプレーン４１とを接続する。ＥＳＤ保護ダイオード４３は、端子Ｐと接続端子ＣＰとの間に配置され、端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２から侵入する静電気を吸収する。

複数の接続端子ＣＰが第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２との間に位置することで、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２は、他の配線や他の部品を迂回したり、第２の列Ｒ２に含まれる複数の端子Ｐの間を通過したりすることが無いように設定可能となる。このため、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２の長さを短くすることができるとともに、ＥＳＤ保護ダイオード４３を効果的に配置可能である。本実施形態では、ＥＳＤ保護ダイオード４３は、第１の列Ｒ１に含まれる端子Ｐの近傍に配置される。

メモリーカード１０は、ホスト機器のコネクタに装着される。例えば、メモリーカード１０は、プッシュプルのコネクタのスロットに挿入されることで、当該コネクタに装着される。なお、メモリーカード１０は、他のタイプのコネクタに装着されても良い。

本実施形態のメモリーカード１０は、切欠きＣが設けられる図１の第１の縁３１から、コネクタのスロットに挿入される。これにより、メモリーカード１０がコネクタに装着された状態において、第１の縁３１は、第４の縁３４よりもコネクタの奥に位置する。

第１の角部３５が第１の縁３１と第２の縁３２との間に切欠きＣを形成することで、メモリーカード１０が表裏逆にコネクタのスロットに挿入されることが防止される。例えば、メモリーカード１０が正しい向きでコネクタのスロットに挿入されると、切欠きＣがコネクタの内部の部材を避ける。一方、メモリーカード１０が表裏逆にコネクタのスロットに挿入されると、コネクタの内部の部材が、例えば第２の角部３６に干渉し、メモリーカード１０が完全に挿入されることを妨げる。また、Ｙ軸方向を逆向きに、第４の縁からメモリーカード１０をコネクタに挿したときも、同様にメモリーカード１０はコネクタに装着できない。第１の縁３１と第３の縁３３との間に形成される第２の角部３６付近において、Ｘ軸方向の縁とＹ軸方向の縁がコネクタに密着することにより、コネクタとメモリーカード１０の回転方向のズレを少なくすることができる。

メモリーカード１０がコネクタに挿入されると、コネクタのリードフレームが、複数の端子Ｐのそれぞれに接触する。メモリーカード１０に傾斜部３９が設けられ、メモリーカード１０の先端がテーパ状になっている。このため、リードフレームが傾斜部３９にガイドされることができ、例えば、リードフレームと筐体１１との間の摩擦が低減される。従って、リードフレームのメッキが剥離することが抑制され、コネクタの耐摩耗性が向上する。

リードフレームが端子Ｐに接触すると、ホスト機器のコントローラ（以下、ホストコントローラと称する）と、メモリーカード１０のカードコントローラ１４とが、ホスト機器の配線や、メモリーカード１０の配線Ｗを介して電気的に接続される。

ホスト機器の基板に実装するためのコネクタの端子のような、コネクタのホストコントローラ側の接続点は、一般的に、コネクタのスロットの奥側（図１の上方向）に設けられる。このため、第１の列Ｒ１を形成する端子Ｐ及びリードフレームの接触点と、ホストコントローラとの間の配線の長さは、より短くされやすい。一方、第２の列Ｒ２を形成する端子Ｐ及びリードフレームの接触点と、ホストコントローラとの間の配線の長さは、例えば、第１の列Ｒ１を迂回するため、より長くなりやすい。

本実施形態のメモリーカード１０では、ホストコントローラまでの配線長がより短くなる第１の列Ｒ１に、高速な差動データ信号の伝送を行う端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２が含まれるようになっている。これにより、ホスト機器の物理層（ＰＨＹ）とメモリーカード１０の物理層（ＰＨＹ）とが近くなり、メモリーカード１０の差動データ信号の伝送において、シグナルインテグリティを確保しやすくなる。

図５は、第１の実施形態のメモリーカード１０の構成の第１の例を概略的に示す例示的なブロック図である。カードコントローラ１４は、インターフェース回路（Ｉ／Ｆ）５１と、物理層及びメモリコントローラ５２と、二つのレギュレータ５３，５４と、電源チェック回路５５とを有する。カードコントローラ１４の物理層及びメモリコントローラ５２は、図５において一つのブロックに示されるとともに、以下でも一体的に説明される。

Ｉ／Ｆ５１は、シングルエンド信号に対応することができる。Ｉ／Ｆ５１には、例えば、入力バッファ及び出力バッファが設けられる。入力バッファには、端子Ｐ２０，Ｐ２２，Ｐ２３から、リセット信号ＰＥＲＳＴ＃、パワーマネジメント制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃、及び制御信号ＣＮＴＡを入力することができる。出力バッファは、端子Ｐ２２，Ｐ２６を通じて、パワーマネジメント制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃に対するレスポンス及び制御信号ＣＮＴＢを出力することができる。

物理層及びメモリコントローラ５２は、差動信号に対応することができる。物理層及びメモリコントローラ５２には、レシーバ及びトランスミッタが設けられる。レシーバには、受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１を入力することができる。トランスミッタは、送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１を出力することができる。

物理層及びメモリコントローラ５２と、電源チェック回路５５とは、Ｉ／Ｆ５１に接続される。物理層及びメモリコントローラ５２は、フラッシュメモリ１３に接続される。カードコントローラ１４には、ＰＣＩｅの物理層の他、ＰＣＩｅのデータリンク層及びトランザクション層が設けられても良い。

物理層及びメモリコントローラ５２は、シリアル／パラレル変換、パラレル／シリアル変換、及びデータのシンボル化などを行うことができる。当該シンボル化は、データの０又は１が連続する時に、前記８Ｂ１０Ｂや１２８ｂ／１３０ｂなどのコードの中から、０又は１が連続しないシンボルに置き換えることで、同じ値の連続回数を所定値以下に抑える処理である。このシンボル化により、データ伝送時の電圧レベルの偏りを抑えることができる。また、同一シンボルパターンを繰り返し転送すると、特定の周波数の高周波が大きくなってしまうが、繰り替えしパターンにならないようにパターンが異なる複数のシンボルに切り替えることで、特定の周波数の高調波が大きくならないようにすることができる。つまり、ＥＭＩ（ＥｌｅｃｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）の発生を抑えることができる。

なお、ＰＣＩｅのトランザクション層では、データをパケット化したり、パケットのヘッダにコマンドなどを付加したりすることができる。ＰＣＩｅのデータリンク層では、トランザクション層から受けとったパケットにシーケンス番号を付加したり、ＣＲＣ（ＣｙｃｌｉｃＲｅｄｕｎｄａｎｃｙＣｈｅｃｋ）符号を付加したりすることができる。シーケンス番号は、パケットの送達確認などに用いることができる。

ホスト機器からメモリーカード１０にシリアルの受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１が送信されると、レシーバにてパラレルデータの受信信号に変換される。トランスミッタにパラレルデータの送信信号が送信されると、その送信信号がシリアルの送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１に変換され、ホスト機器に送信される。

電源電圧ＰＷＲ１は、フラッシュメモリ１３及びカードコントローラ１４に供給される。本実施形態において、電源電圧ＰＷＲ１は、フラッシュメモリ１３のリード／ライトのような、フラッシュメモリ１３の動作に使用される。

上述のように、電源電圧ＰＷＲ１は、電源電圧ＰＷＲ２以上であり、且つ電源電圧ＰＷＲ３以上である。電源電圧ＰＷＲ１は、フラッシュメモリ１３の書き込み電圧を満たすことができる。

ホスト機器とメモリーカード１０とが３．３Ｖ信号電圧で接続される場合、Ｉ／Ｏ電源に電源電圧ＰＷＲ１が用いられる。図５の例のようにホスト機器とメモリーカード１０とが１．８Ｖ信号電圧で接続される場合であっても、電源電圧ＰＷＲ１がＩ／Ｏ電源として用いられても良い。これにより、メモリーカード１０が高耐圧化され、カード入力回路が保護される。メモリーカード１０は、例えば、電源電圧ＰＷＲ１が２．５Ｖに設定されると２．５Ｖ耐圧、電源電圧ＰＷＲ１が３．３Ｖに設定されれば３．３Ｖ耐圧とされ得る。

電源電圧ＰＷＲ２は、フラッシュメモリ１３及びカードコントローラ１４に供給される。本実施形態において、電源電圧ＰＷＲ２は、ロジック回路の電源として用いられる。また、電源電圧ＰＷＲ２は、フラッシュメモリ１３とカードコントローラ１４との間のインターフェース電圧としても用いられる。

ホスト機器とメモリーカード１０とが１．８Ｖ信号電圧で接続される場合、Ｉ／Ｏ電源に電源電圧ＰＷＲ２が用いられても良い。この場合、メモリーカード１０は、１．８Ｖ耐圧とされ得る。

電源電圧ＰＷＲ３は、カードコントローラ１４に供給される。本実施形態において、電源電圧ＰＷＲ３は、差動信号回路の物理層（ＰＨＹ）やアナログ回路の電源として用いられる。

一般的に、アナログ動作する差動信号回路には、ノイズの少ない電源が用いられ、デジタル電源とは分離される。本実施形態において、ホスト機器から供給される電源電圧ＰＷＲ３は、十分安定化されてノイズが少ない電源である必要がある。

以上のように、メモリーカード１０では、ノイズや電源変動の影響を低減するため、三つの電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２、ＰＷＲ３が分離されて供給される。すなわち、三つの電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２、ＰＷＲ３が用途によって使い分けられる。

図６は、第１の実施形態のメモリーカード１０の構成の第２の例を概略的に示す例示的なブロック図である。図６に示すように、電源電圧ＰＷＲ２は、レギュレータ５３，５４に供給されても良い。さらに、電源電圧（第３の電源）ＰＷＲ３が割り当てられた端子Ｐ２４，Ｐ２５が、グランドレベルにされても良い。これは電源電圧ＰＷＲ１と電源電圧ＰＷＲ２の２電源で動作するメモリーカード１０を使用する場合である。

図６の例のように、レギュレータ５４は、入力された電源電圧ＰＷＲ２よりも低い電源電圧Ｖｌｏｇｉｃを生成する。この電源電圧Ｖｌｏｇｉｃが、電源電圧ＰＷＲ２の代わりに、フラッシュメモリ１３と、カードコントローラ１４の物理層及びメモリコントローラ５２に供給される。電源電圧Ｖｌｏｇｉｃは、ロジック回路の電源として用いられるとともに、フラッシュメモリ１３とカードコントローラ１４との間のインターフェース電圧としても用いられる。インターフェース電圧が低減されることで、フラッシュメモリ１３とカードコントローラ１４との間で高速でデータ転送をすることができ、消費電力も低減される。一般に信号電圧が低い方が信号の立ち上がり／立ち下がり時間を短くできるため高速なデータ伝送が可能となる。

図６の例のように、端子Ｐ２４，Ｐ２５がグランド接続されると、レギュレータ５３は、入力された電源電圧ＰＷＲ２から、当該電源電圧ＰＷＲ２よりも低い電源電圧ＰＷＲ３を生成する。環境などの理由によりホスト機器から安定した電源電圧ＰＷＲ３の供給が難しい場合、レギュレータ５３により生成された電源電圧ＰＷＲ３を用いることで問題を解消できる。

電源電圧ＰＷＲ３，Ｖｌｏｇｉｃは、ともに電源電圧ＰＷＲ２から生成される。電源電圧ＰＷＲ３と電源電圧Ｖｌｏｇｉｃとは、互いに同じ電圧でも異なった電圧でも良いが、電源分離して相互に影響しないようにするために別々なレギュレータ５３及びレギュレータ５４で電源電圧を生成している。また、レギュレータ５３，５４としてＬＤＯ（ＬｏｗＤｒｏｐＯｕｔ）が用いられることで、入出力電圧差による無駄な消費電力を低減できる。

図６の破線で示すように、レギュレータ５３が電源電圧ＰＷＲ１から電源電圧ＰＷＲ３を生成し、レギュレータ５４が電源電圧ＰＷＲ１から電源電圧Ｖｌｏｇｉｃを生成しても良い。すなわち、メモリーカード１０は、電源電圧ＰＷＲ１があれば動作し得る。

以上のように、メモリーカード１０は、端子Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５に印加される電源電圧ＰＷＲ１、電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２、又は電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３により動作し得る。メモリーカード１０は、端子Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５に印加される電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の組合せに応じて、電源モードを切り替え可能であっても良い。

ホスト機器は、以下の電源チェックシーケンスにより、フラッシュメモリ１３に保存されたメモリーカード１０の電源仕様情報１３ａを取得することで、メモリーカード１０の電源構成に対応することができる。電源仕様情報１３ａは、例えば、電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の電圧範囲、最大電流（連続）、及びピーク電流（１００μ秒区間）を含む。

図７は、第１の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおけるホスト機器の動作を示す例示的なフローチャートである。ホスト機器がフラッシュメモリ１３から電源仕様情報１３ａを取得する前に、ＰＣＩｅの初期化が行われる。このため、ホスト機器は、電源チェックシーケンスにおいて、供給する電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の組み合わせで初期化が開始可能か否かを判定する。

図７に示すように、ホスト機器は、コネクタのスロットに挿入されたメモリーカード１０の端子Ｐ１８，Ｐ１９に、電源電圧ＰＷＲ２を供給（印加）する（Ｓ１）。

図５に示すように、電源チェック回路５５に、電源電圧ＰＷＲ２が入力される。電源チェック回路５５は、印加された電源電圧ＰＷＲ２によってＰＣＩｅによる初期化が開始できる場合、ＣＮＴＢ＝Ｈｉｇｈをドライブする。この時点でＰＷＲ１は供給されていないが、初期化を開始する前にＰＷＲ１は供給されると想定している。

電源チェック回路５５は、印加された電源電圧ＰＷＲ２によってＰＣＩｅによる初期化が開始できない場合、ＣＮＴＢ＝Ｌｏｗのままとする。

ホスト機器は、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ２）、制御信号ＣＮＴＢのレベルをチェックする（Ｓ３）。電源チェック回路５５は、時間Ｔｐｏｋの間に制御信号ＣＮＴＢのレベルをＬｏｗからＨｉｇｈに切り替えることができる。このため、ホスト機器は、時間Ｔｐｏｋ経過後に制御信号ＣＮＴＢのレベルを一度チェックすれば良い。ＣＮＴＢ＝Ｌｏｗのままである場合（Ｓ３：Ｎｏ）、ホスト機器は、メモリーカード１０の端子Ｐ２４，Ｐ２５に電源電圧ＰＷＲ３を供給（印加）する（Ｓ４）。

電源チェック回路５５は、印加された電源電圧ＰＷＲ３によってＰＣＩｅによる初期化が開始できる場合、ＣＮＴＢ＝Ｈｉｇｈをドライブする。この時点でＰＷＲ１は供給されていないが、初期化を開始する前にＰＷＲ１は供給されると想定している。一方、電源チェック回路５５は、印加された電源電圧ＰＷＲ３によってＰＣＩｅによる初期化が開始できない場合、ＣＮＴＢ＝Ｌｏｗのままとする。例えば、電源チェック回路５５は、電源電圧ＰＷＲ１によってＰＣＩｅによる初期化が開始可能である場合、ＣＮＴＢ＝Ｌｏｗのままとする。

ホスト機器は、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ５）、制御信号ＣＮＴＢのレベルをチェックする（Ｓ６）。ＣＮＴＢ＝Ｌｏｗのままである場合（Ｓ６：Ｎｏ）、ホスト機器は、印加と逆の順番で、電源電圧ＰＷＲ３をオフにし（Ｓ７）、電源電圧ＰＷＲ２をオフにする（Ｓ８）。この例ではカードが使わない電源をオフにしているが、カードの未使用電源は入れたままにしておくこともできる。

制御信号ＣＮＴＢのレベルチェック時にＣＮＴＢ＝Ｈｉｇｈであった場合（Ｓ３：Ｙｅｓ、Ｓ６：Ｙｅｓ）、又は電源電圧ＰＷＲ２をオフにした場合（Ｓ８）、ホスト機器は、メモリーカード１０の端子Ｐ２１に電源電圧ＰＷＲ１を供給（印加）する（Ｓ９）。つまり初期化を開始する前に電源電圧ＰＷＲ１はいつも供給される。

上記のように、端子Ｐ２１に電源電圧ＰＷＲ１が印加されていない場合、端子Ｐ２６に出力する制御信号ＣＮＴＢは、電源チェック回路５５の結果の出力に用いられる。メモリーカード１０は、電源チェック回路５５が電源電圧ＰＷＲ１を検知すると、端子Ｐ２６に出力するＣＮＴＢは別な用途の出力信号に切り替えることができる。また、制御信号ＣＮＴＢは、電源電圧ＰＷＲ２の信号電圧で出力されるため、電源チェックシーケンスにおいて電源電圧ＰＷＲ２が最初に印加される。

次に、ホスト機器は、ＰＣＩｅのトレーニングシーケンスを実行する（Ｓ１０）。このトレーニングシーケンスにより、物理層の検出、物理層のトレーニング等が行われ、ホスト機器とメモリーカード１０とが通信可能となって、ＭＭＩＯレジスタが読み出せる状態となる。

図８は、第１の実施形態の電源仕様情報１３ａの一例を示す例示的な表である。図８に例示される電源仕様情報１３ａは、電源要求仕様として記載されるレジスタ情報であり、上述のように電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の電圧範囲、最大電流（連続）、及びピーク電流（例えば１００μ秒区間）を含む。

最大電流（連続）は、メモリーカード１０のメモリアクセス時に用いられる連続電流値である。ホスト機器の電源回路は、連続でこの電流値を供給することが要求される。

ピーク電流（１００μ秒区間）は、例えば、１００μ秒区間で測定した場合に流れるピーク電流値であり、ホスト機器の電源設定におけるカップリングコンデンサの容量や、電源回路の応答特性に影響される。ホスト機器の電源回路は、当該ピーク電流を供給可能であることが要求される。

電圧範囲は、電源電圧が変動を許容される範囲である。ホスト機器の電源回路は、配線やコネクタのドロップ電圧が存在しても、端子Ｐにおける電源電圧が当該電圧範囲に入るように電圧を保持することが要求される。

さらに、電源仕様情報１３ａは、電源電圧ＰＷＲ３がレギュレータ５３によって生成されるか否かを示す情報を含む。上述のように、レギュレータ５３は、端子Ｐ２４，Ｐ２５に電源電圧ＰＷＲ３が印加されない場合、電源電圧ＰＷＲ２から電源電圧ＰＷＲ３を生成可能である。なお、メモリーカード１０は、レギュレータ５３を有していても、端子Ｐ２４，Ｐ２５に印加された電源電圧ＰＷＲ３を用いて良い。

図７に示すように、ホスト機器は、フラッシュメモリ１３から電源仕様情報１３ａを読み出す（Ｓ１１）。電源仕様情報１３ａは、例えば、ＭＭＩＯ上にマッピングされたＮＶＭｅレジスタのＶｅｎｄｏｒＳｐｅｃｉｆｉｃ領域に配置されており、物理層及びメモリコントローラ５２を経由して、差動データ信号で出力される。ホスト機器は、差動データ信号をデコードすることで、システムメモリ上に電源仕様情報１３ａを復元する。

ホスト機器は、読み出した電源仕様情報１３ａの電源要求仕様と、当該ホスト機器の電源回路仕様とを比較して、メモリーカード１０が使用可能か否かを判断する（Ｓ１２）。ホスト機器が電源要求仕様を全て満足している場合（Ｓ１２：Ｙｅｓ）、ホスト機器がフラッシュメモリ１３にアクセスするための十分な電源回路を実装しているので、メモリーカード１０は使用可能と判断される（Ｓ１３）。

ホスト機器が電源要求仕様を満足していない場合（Ｓ１２：Ｎｏ）、ホスト機器は、電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の調停が可能か否かを判断する（Ｓ１４）。例えば、電源電圧ＰＷＲ１が不足している場合、ホスト機器は、ＰＣＩｅで定義されているＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔで最大電力を制限することによりメモリーカード１０が使用可能であれば（Ｓ１４：Ｙｅｓ）、当該調停を行って（Ｓ１５）、メモリーカード１０が使用可能と判断する（Ｓ１３）。一方、調停ができない場合（Ｓ１４：Ｎｏ）、ホスト機器は、メモリーカード１０を使用しない（Ｓ１６）。

メモリーカード１０は、複数の電力モードを実装することができる。例えば、上述のように、メモリーカード１０は、ＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔ（最大消費電力の上限設定機能）を実装可能である。

ホスト機器は電源能力に応じて、使用可能なＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔをＰＣＩｅパケットでメモリーカード１０に設定する。例えば図８に示すように、本実施形態のメモリーカード１０は、三つのＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔをサポートした例である。なお、メモリーカード１０はこの例に限られない。ピーク電流はＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔに依存しないため、共通の設定となっている。

ＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔＡは、ＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔＢよりも消費電力が大きい。また、ＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔＢは、ＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔＣよりも消費電力が大きい。消費電力が大きいほど性能は高くなる。ホスト機器の電源回路がＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔＡを満足しない場合、ＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔＢに設定されることで、ホスト機器はメモリーカード１０を使うことができる。ＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔの選択肢は、例えば、他のＰＣＩｅレジスタで与えられる。

図９は、第１の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおける第１の例を示す例示的なタイミングチャートである。以下、図７及び図９を参照して、電源チェックシーケンスにおける第１の例を説明する。当該第１の例に係るメモリーカード１０は、電源電圧ＰＷＲ３を用いることで、ＰＣＩｅによる初期化を開始することができる。また、図９において、図７の各動作に対応するタイミングに、当該図７に対応する符号を付与する。

まず、ホスト機器が、メモリーカード１０の端子Ｐ１８，Ｐ１９に電源電圧ＰＷＲ２を供給する（Ｓ１）。メモリーカード１０の初期化には電源電圧ＰＷＲ３が用いられるので、一定時間Ｔｐｏｋが経過しても（Ｓ２）、制御信号ＣＮＴＢのレベルはＬｏｗのままである（Ｓ３：Ｎｏ）。このため、ホスト機器は、メモリーカード１０の端子Ｐ２４，Ｐ２５に電源電圧ＰＷＲ３を供給する（Ｓ４）。

電源電圧ＰＷＲ３が供給されることで、ＣＮＴＢ＝Ｈｉｇｈとなる。このため、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ５）、ＣＮＴＢのレベルチェック時にＣＮＴＢ＝Ｈｉｇｈとなっているため（Ｓ６：Ｙｅｓ）、ホスト機器は端子Ｐ２１に電源電圧ＰＷＲ１を供給する（Ｓ９）。つまり、ホストは３電源を要するメモリーカード１０であると認識できる。

図１０は、第１の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおける第２の例を示す例示的なタイミングチャートである。以下、図７及び図１０を参照して、電源チェックシーケンスにおける第２の例を説明する。当該第２の例に係るメモリーカード１０は、レギュレータ５３により電源電圧ＰＷＲ２から電源電圧ＰＷＲ３を生成でき、電源電圧ＰＷＲ２を用いることでＰＣＩｅによる初期化を開始することができる。

まず、ホスト機器が、メモリーカード１０の端子Ｐ１８，Ｐ１９に電源電圧ＰＷＲ２を供給する（Ｓ１）。電源電圧ＰＷＲ２が供給されることで、ＣＮＴＢ＝Ｈｉｇｈとなる。このため、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ２）、ＣＮＴＢのレベルチェック時にＣＮＴＢ＝Ｈｉｇｈとなっているため（Ｓ３：Ｙｅｓ）、ホスト機器は端子Ｐ２１に電源電圧ＰＷＲ１を供給する（Ｓ９）。時間Ｔｐｏｋは、例えば、レギュレータ５３が生成する電源電圧ＰＷＲ３が安定するために十分な時間に設定される。つまり、ホストはＰＷＲ１とＰＷＲ２の２電源を要するメモリーカード１０であると認識できる。

図１１は、第１の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおける第３の例を示す例示的なタイミングチャートである。以下、図７及び図１１を参照して、電源チェックシーケンスにおける第３の例を説明する。当該第３の例に係るメモリーカード１０は、レギュレータ５３により電源電圧ＰＷＲ１から電源電圧ＰＷＲ３を生成でき、電源電圧ＰＷＲ１を用いることでＰＣＩｅによる初期化を開始することができる。

まず、ホスト機器が、メモリーカード１０の端子Ｐ１８，Ｐ１９に電源電圧ＰＷＲ２を供給する（Ｓ１）。メモリーカード１０の初期化には電源電圧ＰＷＲ１が用いられるので、一定時間Ｔｐｏｋが経過しても（Ｓ２）、制御信号ＣＮＴＢのレベルはＬｏｗのままである（Ｓ３：Ｎｏ）。

ホスト機器は、メモリーカード１０の端子Ｐ２４，Ｐ２５に電源電圧ＰＷＲ３を供給する（Ｓ４）。一定時間Ｔｐｏｋが経過しても（Ｓ５）、制御信号ＣＮＴＢのレベルはＬｏｗのままである（Ｓ６：Ｎｏ）。このため、ホスト機器は、電源電圧ＰＷＲ３（Ｓ７）、電源電圧ＰＷＲ２をオフとし（Ｓ８）、端子Ｐ２１に電源電圧ＰＷＲ１を供給する（Ｓ９）。つまり、ホストはＰＷＲ１の１電源を要するメモリーカード１０であると認識できる。電源電圧ＰＷＲ１が供給されると、メモリーカード１０は、電源チェック回路５５の出力は切り離されて制御信号ＣＮＴＢが割り当てられた端子Ｐ２６に出力されなくなるが、制御信号ＣＮＴＢは別な用途の信号として使用することができる。

フラッシュメモリ１３に高速アクセスするために、大きな電流が用いられる場合がある。しかし、ＰＣＩｅの初期化で消費される電流は、高速アクセスするための電流よりも少なくて済む。そのため最低限の電源の実装でも前記電源仕様情報１３ａは読み出すことができる。

以上の電源チェックシーケンスにおいて、メモリーカード１０のカードコントローラ１４は、端子Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５に印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３によって差動データ信号によるＰＣＩｅの初期化が可能か否かを判定して、端子Ｐ２６から判定結果を出力する。さらに、フラッシュメモリ１３は、差動データ信号によるＰＣＩｅの初期化が完了すると、当該フラッシュメモリ１３に記録された電源仕様情報１３ａが読み出し可能となる。

以上の電源チェックシーケンスにより、別々の電源仕様を有する複数の種類のメモリーカード１０が混在しても、ホスト機器が当該電源仕様を識別することができる。なお、メモリーカード１０と、対応するホスト機器との電源仕様を予め定めておくことで、電源チェックシーケンスを省略することができる。

ホスト機器は、例えば、コネクタに対するメモリーカード１０の挿抜を検出する機能を有する。この場合、ホスト機器は、コネクタへのメモリーカード１０の挿入を検出した後に電源を投入し、コネクタからメモリーカード１０が抜かれたことを検出すると電源をオフにする。このため、メモリーカード１０は、活線挿抜についての機能を省略できる。

以上説明された第１の実施形態に係るメモリーカード１０において、筐体１１は、Ｘ軸方向に延びた第１の縁３１と、Ｘ軸方向と交差するＹ軸方向に延びた第２の縁３２と、第１の縁３１と第２の縁３２との間の切欠きＣを形成する第１の角部３５とを有する。切欠きＣを形成する第１の角部３５は、例えば、メモリーカード１０の逆挿し防止に用いられる。このため、メモリーカード１０が例えばプッシュプルタイプのコネクタに挿入される場合、メモリーカード１０は、第１の縁３１からコネクタに挿入される。そして、複数の端子Ｐは、互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられて第１の列Ｒ１を形成するとともに、第１の列Ｒ１よりも第１の縁３１から離れた位置で互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられて第２の列Ｒ２を形成する。このように、複数の端子Ｐが複数の列Ｒ１，Ｒ２を形成することで、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

一般的に、コネクタに挿入されたメモリーカード１０の端子Ｐとホストコントローラとの間の配線の長さは、コネクタの奥ほど短くなる。すなわち、第１の列Ｒ１に含まれる端子Ｐとホストコントローラとの間の配線の長さは、第２の列Ｒ２に含まれる端子Ｐとホストコントローラとの間の配線の長さよりも短くなる。このため、第１の列Ｒ１に含まれる信号の伝送に用いられる端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２は、第２の列Ｒ２に含まれる信号の伝送に用いられる端子Ｐ１５，Ｐ１６，Ｐ２０，Ｐ２２、Ｐ２３，Ｐ２６よりも、シグナルインテグリティを確保しやすい。例えば、第１の列Ｒ１に含まれる信号の伝送に用いられる端子Ｐの数を第２の列Ｒ２に含まれる信号の伝送に用いられる端子Ｐの数より多くしたり、第１の列Ｒ１に含まれる端子Ｐが差動信号の伝送に用いられたりすることで、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

第１の列Ｒ１に含まれる端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２の数が、第２の列Ｒ２に含まれる端子Ｐ１５，Ｐ１６，Ｐ２０，Ｐ２２、Ｐ２３，Ｐ２６の数よりも多い。これにより、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

さらに、複数の端子Ｐが、第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２とを形成する。これにより、複数の端子Ｐを一列に並べる場合に比べ、信号の伝送に用いられる端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２を第１の縁３１の近傍により多く並べたとしても、端子Ｐの所望の大きさや、複数の端子Ｐの所望の間隔を確保することができる。

端子Ｐ１５，Ｐ１６，Ｐ２０，Ｐ２２、Ｐ２３，Ｐ２６よりも高い周波数の信号の伝送に用いられる端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２が、第１の列Ｒ１に含まれる。これにより、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

差動データ信号端子を増やしレーン数を増やすことで、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

第１の列Ｒ１を形成する複数の端子Ｐは、差動データ信号が割り当てられた端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２を含む。一方、第２の列Ｒ２を形成する複数の端子Ｐは、差動データ信号よりも低い周波数の差動クロック信号が割り当てられた端子Ｐ１５，Ｐ１６と、シングルエンド信号が割り当てられた端子Ｐ２０，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ２６と、電源が割り当てられた端子Ｐ１８，Ｐ１９、Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５とを含む。これにより、第１の列Ｒ１において、高速に信号を伝送可能な端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２の数をより多くすることができ、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

第１の列Ｒ１を形成する複数の端子Ｐは、差動データ信号の複数のレーンが割り当てられた端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２を含む。これにより、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

複数対の端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２はそれぞれ、複数の端子Ｐ１，Ｐ４，Ｐ７，Ｐ１０，Ｐ１３のうち二つの間に位置する。これにより、差動信号ごとにリターンパスを確保することができ、差動信号間の相互干渉を低減して作動信号レベルが安定化される。

端子Ｐ２０，Ｐ２２は、ＰＣＩｅ規格のサイドバンド信号が割り当てられる。これにより、第１の列Ｒ１において、高速に信号を伝送可能な端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２の数をより多くすることができ、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

端子Ｐ２１は、第１の電源ＰＷＲ１が割り当てられる。端子Ｐ１８，Ｐ１９は、電圧が第１の電源ＰＷＲ１以下である第２の電源ＰＷＲ２が割り当てられる。端子Ｐ２４，Ｐ２５は、電圧が第２の電源ＰＷＲ２以下である第３の電源ＰＷＲ３が割り当てられる。これにより、第１乃至第３の電源ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３を用途によって使い分けることができ、メモリーカード１０のフレキシビリティが高まる。さらに、電圧が低いほど電源電圧変動の許容値が小さくなるので、ひとつの端子Ｐに流す電流値を小さくした方が良いが、複数の端子Ｐ１８，Ｐ１９と複数の端子Ｐ２４，Ｐ２５が設けられることで、電流値が分散されて一端子当たりの電流値が小さくなり、電圧変動が抑制される。

レギュレータ５３は、電源電圧ＰＷＲ３の第３の電源ＰＷＲ３が割り当てられた端子Ｐ２４，Ｐ２５がグランド接続された場合、電源電圧ＰＷＲ２の第２の電源ＰＷＲ２が割り当てられた端子Ｐ１８，Ｐ１９に印加された電源電圧ＰＷＲ２から電源電圧ＰＷＲ３を生成する。これにより、本実施形態のメモリーカード１０は、ＰＷＲ１，ＰＷＲ２の２電源構成のホスト機器とＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の３電源構成のホスト機器のどちらにも対応することができる。

カードコントローラ１４は、端子Ｐ１８，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２４，Ｐ２５に印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３によって差動データ信号による初期化が可能か否かを判定して、制御信号ＣＮＴＢが割り当てられた端子Ｐ２６から判定結果を出力する。フラッシュメモリ１３は、差動データ信号による初期化が完了すると、当該フラッシュメモリ１３に記憶された電源仕様情報１３ａが読み出し可能となる。ホスト機器は、電源仕様情報１３ａと、当該ホスト機器の電源仕様とを比較することにより、メモリーカード１０が使用可能か否か判断できる。これにより、複数種類の電源構成を有するメモリーカード１０が混在しても、ホスト機器がメモリーカード１０の電源仕様を識別することができる。

少なくともカードコントローラ１４の一部の辺１４ａは、第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２との間に位置するとともに第１の列Ｒ１に含まれる端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２に配線Ｗによって接続された接続端子ＣＰを辺１４ａに有する。これにより、配線Ｗが他の配線や他の部品を迂回したり、第２の列Ｒ２に含まれる複数の端子Ｐの間を通過したりすることが無いよう設定可能となる。従って、例えばＥＳＤ保護ダイオード４３を配線Ｗに設けることが容易になるとともに、第１の列Ｒ１に含まれる端子Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１１，Ｐ１２と接続端子ＣＰとの間の配線Ｗの長さを短くすることができる。

メモリーカード１０は、Ｘ軸方向における長さが１４±０．１ｍｍであり、Ｙ軸方向における長さが１８±０．１ｍｍである。一般的に、ｍｉｃｒｏＳＤカードの寸法は１１ｍｍ×１５ｍｍである。すなわち、本実施形態のメモリーカード１０は、ｍｉｃｒｏＳＤカードよりも大きい。従って、メモリーカード１０は、例えば、大型の三次元フラッシュメモリのような、ｍｉｃｒｏＳＤカードに搭載困難な記憶容量及び寸法が大きいメモリを搭載することができ、例えば、技術進化による将来的なフラッシュメモリ１３のサイズの大型化に対応できる。さらに、メモリーカード１０は、ｍｉｃｒｏＳＤカードよりも大きく、標準のＳＤメモリーカードよりも小さい。このため、メモリーカード１０は、ホスト機器にとって大き過ぎず、且つホスト機器のコネクタへの挿抜もしやすい。

筐体１１は、第２の縁３２の反対側に位置してＹ軸方向に延びた第３の縁３３と、第１の縁３１と第３の縁３３との間の第２の角部３６と、をさらに有する。第１の角部３５の形状と、第２の角部３６の形状とが互いに異なる。これにより、メモリーカード１０の逆挿しが抑制される。

第１の角部３５は、第１の縁３１の一方の端と第２の縁３２の端との間で直線状に延び、いわゆるＣ１．１の角面取りされた部分を形成する。第２の角部３６は、第１の縁３１の他方の端と第３の縁３３の端との間で円弧状に延び、いわゆるＲ０．２の丸面取りされた部分を形成する。メモリーカード１０は、第２の角部３６がコネクタに当接した状態で当該コネクタに挿入されることがある。この場合に、Ｘ軸方向におけるメモリーカード１０の位置ずれを小さくすることができる。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態について、図１２を参照して説明する。なお、以下の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。

図１２は、第２の実施形態に係るメモリーカード１０を示す例示的な平面図である。図１２に示すように、第２の実施形態に係るカードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３に積層される。

フラッシュメモリ１３は、第２の列Ｒ２に含まれる端子Ｐに重ねられる。別の表現によれば、フラッシュメモリ１３は、当該フラッシュメモリ１３のＹ軸の正方向の端とＹ軸の負方向の端との間に第２の列Ｒ２に含まれる端子Ｐが位置するように配置される。一方、フラッシュメモリ１３は、第１の列Ｒ１に含まれる端子Ｐから離間している。

カードコントローラ１４は、第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２との間に位置する。このため、第１の実施形態と同じく、カードコントローラ１４の複数の接続端子ＣＰも、第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２との間に位置する。配線Ｗが、接続端子ＣＰと、第１の列Ｒ１に含まれる端子Ｐとを接続する。

以上説明された第２の実施形態のメモリーカード１０のように、カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３に積層されても良い。フラッシュメモリ１３が第１の列Ｒ１から離間し、接続端子ＣＰが第１の列Ｒ１と第２の列Ｒ２との間に位置することで、配線Ｗの長さが長くなることが抑制される。

（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態について、図１３乃至図２５を参照して説明する。図１３は、第３の実施形態に係るメモリーカード１０を示す例示的な平面図である。図１４は、第３の実施形態のメモリーカード１０を示す例示的な側面図である。メモリーカード１０は、半導体記憶装置の一例である。

メモリーカード１０、及び筐体１１は、例えば、Ｙ軸方向に延びた略矩形の板状に形成される。Ｙ軸方向は、メモリーカード１０及び筐体１１の長手方向である。Ｙ軸方向は、第２の方向の一例である。

図１４に示すように、筐体１１は、板状であって、第１の面２１と、第２の面２２と、外縁２３とを有する。第１の面２１及び第２の面２２は、Ｙ軸方向に延びた略四角形（矩形）状に形成される。すなわち、Ｙ軸方向は、第１の面２１及び第２の面２２の長手方向でもある。本実施形態において、メモリーカード１０、筐体１１、第１の面２１、及び第２の面２２の形状はそれぞれ、矩形状と表現されるが、他の表現もされ得る。

第１の面２１は、Ｚ軸の正方向に向く略平坦な面である。図１３に示すように、第１の面２１に、複数の開口２１ａが設けられる。図１４に示すように、第２の面２２は、第１の面２１の反対側に位置し、Ｚ軸の負方向に向く略平坦な面である。

外縁２３は、第１の面２１と第２の面２２との間に設けられ、第１の面２１の縁と第２の面２２の縁とに接続される。図１３に示すように、外縁２３は、第１の縁３１と、第２の縁３２と、第３の縁３３と、第４の縁３４と、第１の角部３５と、第２の角部３６と、第３の角部３７と、第４の角部３８とを有する。第１の縁３１は、第１の端縁の一例である。第２の縁３２は、第１の側縁の一例である。第３の縁３３は、第２の側縁の一例である。第４の縁３４は、第２の端縁の一例である。

第１の縁３１は、Ｘ軸方向に延び、Ｙ軸の正方向に向く。Ｘ軸方向は、メモリーカード１０、筐体１１、第１の面２１、及び第２の面２２の短手方向であって、Ｘ軸の正方向と、Ｘ軸の負方向とを含む。Ｘ軸方向は、第１の方向の一例である。

第１の角部３５は、第１の縁３１のＸ軸の負方向における端と、第２の縁３２のＹ軸の正方向における端との間で直線状に延びる。Ｘ軸方向において、第１の縁３１のＸ軸の負方向における端と、第２の縁３２との間の距離は、１．１ｍｍである。別の表現によれば、Ｘ軸方向において、第１の縁３１のＸ軸の負方向における端と、第１の縁３１の延長線及び第２の縁３２の延長線の交点との間の距離は、１．１ｍｍである。

Ｙ軸方向において、第２の縁３２のＹ軸の正方向における端と、第１の縁３１との間の距離は、１．１ｍｍである。別の表現によれば、Ｙ軸方向において、第２の縁３２のＹ軸の正方向における端と、第１の縁３１の延長線及び第２の縁３２の延長線の交点との間の距離は、１．１ｍｍである。

図１４に示すように、筐体１１は、傾斜部３９をさらに有する。傾斜部３９は、第１の面２１と第１の縁３１との間の角部分であり、第１の面２１のＹ軸の正方向における端と、第１の縁３１のＺ軸の正方向における端との間で直線状に延びる。

図１３に示すように、基板１２、フラッシュメモリ１３、及びカードコントローラ１４は、筐体１１の内部に設けられる。基板１２、フラッシュメモリ１３、及びカードコントローラ１４は、箱型の筐体１１に収容されても良いし、筐体１１に埋め込まれても良い。

基板１２は、例えばＰＣＢである。なお、基板１２は他の種類の基板であっても良い。フラッシュメモリ１３及びカードコントローラ１４は、基板１２に実装される。

カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３、及び当該フラッシュメモリ１３を含むメモリーカード１０の全体を制御可能である。例えば、カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３へのリード／ライト制御及び外部との通信制御を行うことができる。この通信制御には、ＰＣＩｅに対応したプロトコル制御が含まれる。なお、カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３を制御する他の電子部品を介して、フラッシュメモリ１３を間接的に制御しても良い。

メモリーカード１０は、複数の端子Ｐをさらに有する。本実施形態において、メモリーカード１０は、３９個の端子Ｐを有する。なお、端子Ｐの数はあくまで一例であって、この例に限られない。すなわち、端子Ｐの数は、３９個より少なくても良いし、３９個より多くても良い。複数の端子Ｐは、例えば、基板１２に設けられる。複数の端子Ｐは、開口２１ａにより、第１の面２１で露出される。本実施形態において、第２の面２２は、端子Ｐが設けられず、例えば印刷面や放熱面に利用され得る。

本実施形態の複数の端子Ｐは、第１のグループＧ１と、第２のグループＧ２と、に分けられる複数の列を形成する。第１のグループＧ１は、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２を含む。第２のグループＧ２は、第２の列Ｒ２１を含む。すなわち、複数の端子Ｐは、三列に並べられ、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２及び第２の列Ｒ２１を形成する。

第１のグループＧ１は、少なくとも一つの第１の列（Ｒ１１，Ｒ１２）を含む。すなわち、第１のグループＧ１は、一つの第１の列（Ｒ１１又はＲ１２）を含んでも良いし、二つより多い第１の列（Ｒ１１，Ｒ１２…）を含んでも良い。

第２のグループＧ２は、少なくとも一つの第２の列（Ｒ２１）を含む。すなわち、第２のグループＧ２は、一つの第２の列（Ｒ２１）を含んでも良いし、二つより多い第２の列（Ｒ２１，Ｒ２２…）を含んでも良い。

図１５は、第３の実施形態の変形例に係るメモリーカード１０を示す例示的な平面図である。図１５に示すように、変形例のメモリーカード１０は、二列に並べられて第１の列Ｒ１１及び第２の列Ｒ２１を形成する２６個の端子Ｐを有しても良い。すなわち、第１のグループＧ１が一つの第１の列Ｒ１１を有し、第１の列Ｒ１２が省略されても良い。

図１３に示すように、第１の列Ｒ１１は、第４の縁３４よりも第１の縁３１に近い位置で互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられた１３個の端子Ｐを含む。以下、第１の列Ｒ１１を形成し、第１の列Ｒ１１に含まれる１３個の端子Ｐを、端子Ｐ１０１～Ｐ１１３と個別に称することがある。なお、第１の列Ｒ１１を形成する端子Ｐの数は、１３個に限られない。第１の列Ｒ１１を形成する端子Ｐは、最も第２の縁３２に近い端子Ｐ１０１から順に、最も第３の縁３３に近い端子Ｐ１１３まで並べられる。

端子Ｐ１０１～Ｐ１１３は、第１の縁３１の近傍で、当該第１の縁３１に沿ってＸ軸方向に並べられる。端子Ｐ１０１～Ｐ１１３、及び端子Ｐ１０１～Ｐ１１３によって形成される第１の列Ｒ１１は、第１の縁３１から若干離間している。しかし、第１の列Ｒ１１と第１の縁３１との間の距離は、第１の列Ｒ１１と第４の縁３４との間の距離よりも短い。なお、端子Ｐ１０１～Ｐ１１３及び第１の列Ｒ１１は、第１の縁３１に隣接しても良い。

第１の列Ｒ１２は、第４の縁３４よりも第１の縁３１に近い位置で互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられた１３個の端子Ｐを含む。以下、第１の列Ｒ１２を形成し、第１の列Ｒ１２に含まれる１３個の端子Ｐを、端子Ｐ１１４～Ｐ１２６と個別に称することがある。なお、第１の列Ｒ１２を形成する端子Ｐの数は、１３個に限られない。また、第１の列Ｒ１２を形成する端子Ｐの数は、第１の列Ｒ１１を形成する端子Ｐの数より多くても良いし少なくても良い。第１の列Ｒ１２を形成する端子Ｐは、最も第２の縁３２に近い端子Ｐ１１４から順に、最も第３の縁３３に近い端子Ｐ１２６まで並べられる。

第１の列Ｒ１２を形成する複数の端子Ｐは、第１の列Ｒ１１よりも第１の縁３１から離れた位置で並べられる。このため、第１の列Ｒ１２は、第１の列Ｒ１１よりも第１の縁３１から離れている。第１の列Ｒ１１と第１の列Ｒ１２とは、所定の短い間隔を介して、Ｙ軸方向に並べられる。

第２の列Ｒ２１は、第１の縁３１よりも第４の縁３４に近い位置で互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられた１３個の端子Ｐを含む。以下、第２の列Ｒ２１を形成し、第２の列Ｒ２１に含まれる１３個の端子Ｐを、端子Ｐ１２７～Ｐ１３９と個別に称することがある。なお、第２の列Ｒ２１を形成する端子Ｐの数は、１３個に限られない。また、第２の列Ｒ２１を形成する端子Ｐの数は、第１の列Ｒ１１及び第１の列Ｒ１２をそれぞれ形成する端子Ｐの数より多くても良いし少なくても良い。第２の列Ｒ２１を形成する端子Ｐは、最も第２の縁３２に近い端子Ｐ１２７から順に、最も第３の縁３３に近い端子Ｐ１３９まで並べられる。

第２の列Ｒ２１を形成する複数の端子Ｐは、第１の縁３１よりも第４の縁３４に近い位置にある。別の表現によれば、第２の列Ｒ２１を形成する複数の端子Ｐは、Ｙ軸方向におけるメモリーカード１０及び筐体１１の中心線（一点鎖線で示される）と、第４の縁３４との間に配置される。このため、第１の列Ｒ１２と第２の列Ｒ２１との間の間隔は広くなる。本実施形態において、第２の列Ｒ２１を形成する複数の端子Ｐは、中心線から離間する。

上述のように、第２のグループＧ２は、二点鎖線で示される第２の列Ｒ２２をさらに含んでも良い。この場合、第２の列Ｒ２１と第２の列Ｒ２２とは、所定の短い間隔を介して、Ｙ軸方向に並べられる。

上述のように、複数の端子Ｐは、Ｘ軸方向に並べられる。Ｘ軸方向における隣接する端子Ｐの間の距離は、第２の縁３２と第３の縁３３との間の長さが一定の場合、例えば、端子Ｐの数に応じて決められる。さらに、Ｘ軸方向における隣接する端子Ｐの間の最小の距離により、Ｘ軸方向に並べられる端子Ｐの最大数が決められる。Ｘ軸方向における複数の端子Ｐの間の距離は、均等であっても良いし、異なっても良い。本実施形態において、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２及び第２の列Ｒ２１のそれぞれの端子Ｐの数が同一である。このため、全ての端子Ｐの間の距離は一定である。

Ｙ軸方向における端子Ｐの長さは、例えば、メモリーカード１０と、当該メモリーカード１０のためのコネクタと、が接続可能なように決められた最大長と最小長の間の長さに設定される。第１の列Ｒ１１，Ｒ１２及び第２の列Ｒ２１のそれぞれにおいて、端子Ｐは、当該端子ＰのＹ軸の負方向における端が揃うように並べられる。

ＰＣＩｅＧｅｎ４は１６ＧＴ／ｓのロウビットレートとなるため、できるだけパッド面積を小さくすることで、静電容量を小さくし周波数特性を向上させる必要がある。一方、パッド面積が小さくなるほどメカニカルに関する製造容易性は低下するので、製造上のバラツキ、カード・コネクタ接触点位置のバラツキを許容できる大きさのパッド面積は必要となる。したがってパッドの最小長は、電気的特性と機械的な技術レベルのトレードオフで決まる。本カードフォームファクタにおいては、現状の実装技術の最小間隔からひとつの列に配置可能なパッド数は１３本と計算されている。

複数の端子ＰのＸ軸方向及びＹ軸方向における長さが略同一に設定されると、複数の端子Ｐの電気的特性を類似させることができる。本実施形態では、第１の列Ｒ１１における全ての信号用の端子Ｐと、第１の列Ｒ１２における全ての端子Ｐとの、Ｙ軸方向及びＸ軸方向における長さは、電気的特性としては小さい程良くなるが、機械的な技術レベルでの最小長に設定される。これにより、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２を形成する複数の端子Ｐの電気的特性が向上するとともに、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２が設けられる領域の面積が小さくなる。

また、本実施形態では、第１の列Ｒ１１及び第２の列Ｒ２１のデータ転送用の端子Ｐにおいて、端子ＰのＹ軸方向における長さは、同一に設定される。これにより、第１の列Ｒ１１と第１の列Ｒ１２のデータ転送用の端子Ｐの電気的特性を類似させることができる。さらに、一つの端子Ｐが、他の端子ＰのＹ軸の正方向における端よりもＹ軸の正方向に張り出しても良い。例えば電源用の端子Ｐ及びＧＮＤ用の端子Ｐが、データ転送用の端子Ｐよりも張り出すことで、メモリーカード１１０をＹ軸正方向に挿入する横挿しコネクタの場合に電源用及びＧＮＤ用の端子Ｐがデータ転送用の端子Ｐよりも先にコネクタのリードフレームに接触する。これにより、ホスト機器のＧＮＤレベルとメモリーカード１０のＧＮＤレベルとが等価になり、カードコントローラ１４の電気的レベルを安定させることができる。第１の列Ｒ１１及び第２の列Ｒ２１における端子Ｐのうち、電源用の端子Ｐ及びＧＮＤ用の端子ＰがＹ軸方向に長く設定されることにより、例えば図１５のように複数の端子Ｐが二列に並べられる場合、メモリーカード１０がプッシュプッシュタイプやプッシュプルタイプなどの横挿しコネクタで使用可能になる。

第１の列Ｒ１１，Ｒ１２において、信号用の端子Ｐを除く端子Ｐは、ＧＮＤ用の端子Ｐのみである。このため、第１の列Ｒ１１のＧＮＤ用の端子Ｐが先にコネクタのリードフレームに接触していれば、第１の列Ｒ１２のＧＮＤ用の端子Ｐを長くする必要がない。このため、第１の列Ｒ１２の全ての端子ＰのＹ軸方向における長さを短くすることができる。これにより、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２の間隔を短くすることができる。

複数の端子Ｐは、互いに異なる形状を有しても良い。例えば、第１の列Ｒ１１において、端子Ｐ１０１，Ｐ１０４，Ｐ１０７，Ｐ１１０，Ｐ１１３の形状と、端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２の形状とは、互いに異なっているが、同じでも良い。さらに、第２の列Ｒ２１において、端子Ｐ１２７，Ｐ１３０，Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７、Ｐ１３８の形状と、端子Ｐ１２８，Ｐ１２９，Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６，Ｐ１３９の形状とは、互いに異なっているが、同じでも良い。

本実施形態において、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２及び第２の列Ｒ２１のそれぞれにおいて、複数の端子Ｐの間の距離は略一定である。しかし、複数の端子Ｐの間の距離が異なっても良い。

Ｙ軸方向に装着するコネクタにおいて、メモリーカード１０の電源端子やグランド端子である端子Ｐ１０１，Ｐ１０４，Ｐ１０７，Ｐ１１０，Ｐ１１３，Ｐ１２７，Ｐ１３０，Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７、Ｐ１３８が、信号端子である端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１２８，Ｐ１２９，Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６，Ｐ１３９より若干長く設定される。これにより、コネクタと電源端子及びグランド端子とが最初に接触するため、電気的に安定になり、信号端子に電気的ストレスを与えることを回避することができる。カードコントローラ１４に電源が供給される前に信号端子に電圧が印加されると後述のインターフェース回路５１の入力バッファに電気的ストレスがかかってしまう。

図１６は、第３の実施形態の複数の端子Ｐの信号割り当ての一例を示す例示的な表である。図１６に示すように、本実施形態において、第１のグループＧ１の第１の列Ｒ１１及び第１の列Ｒ１２の複数の端子Ｐには、ＰＣＩｅのデータ通信に用いられる信号が割り当てられる。ＰＣＩｅでは、データの通信に差動データ信号ペアを用いることができる。

第１の列Ｒ１１において、端子Ｐ１０１，Ｐ１０４，Ｐ１０７，Ｐ１１０，Ｐ１１３にグランド電位のグランド（ＧＮＤ）が割り当てられ、端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０８，Ｐ１０９に受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１が割り当てられ、端子Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１１１，Ｐ１１２に送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１が割り当てられる。

第１の列Ｒ１２において、端子Ｐ１１４，Ｐ１１７，Ｐ１２０，Ｐ１２３，Ｐ１２６にグランド電位のグランド（ＧＮＤ）が割り当てられ、端子Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１２１，Ｐ１２２に受信差動信号ＰＥＲｐ２，ＰＥＲｎ２，ＰＥＲｐ３，ＰＥＲｎ３が割り当てられ、端子Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２４，Ｐ１２５に送信差動信号ＰＥＴｐ２，ＰＥＴｎ２，ＰＥＴｐ３，ＰＥＴｎ３が割り当てられる。

端子Ｐ１０１，Ｐ１０４，Ｐ１０７，Ｐ１１０，Ｐ１１３，Ｐ１１４，Ｐ１１７，Ｐ１２０，Ｐ１２３，Ｐ１２６は、グランド端子の一例である。端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５は、信号端子、第１の信号端子、及び差動データ信号端子の一例である。受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１，ＰＥＲｐ２，ＰＥＲｎ２，ＰＥＲｐ３，ＰＥＲｎ３及び送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１，ＰＥＴｐ２，ＰＥＴｎ２，ＰＥＴｐ３，ＰＥＴｎ３は、信号及び差動データ信号の一例である。

受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０が割り当てられた一対の端子Ｐ１０２，Ｐ１０３は、二つの端子Ｐ１０１，Ｐ１０４の間に位置し、二つの端子Ｐ１０１，Ｐ１０４に囲まれる。送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０が割り当てられた一対の端子Ｐ１０５，Ｐ１０６は、二つの端子Ｐ１０４，Ｐ１０７の間に位置し、二つの端子Ｐ１０４，Ｐ１０７に囲まれる。

受信差動信号ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１が割り当てられた一対の端子Ｐ１０８，Ｐ１０９は、二つの端子Ｐ１０７，Ｐ１１０の間に位置し、二つの端子Ｐ１０７，Ｐ１１０に囲まれる。送信差動信号ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１が割り当てられた一対の端子Ｐ１１１，Ｐ１１２は、二つの端子Ｐ１１０，Ｐ１１３の間に位置し、二つの端子Ｐ１１０，Ｐ１１３に囲まれる。

受信差動信号ＰＥＲｐ２，ＰＥＲｎ２が割り当てられた一対の端子Ｐ１１５，Ｐ１１６は、二つの端子Ｐ１１４，Ｐ１１７の間に位置し、二つの端子Ｐ１１４，Ｐ１１７に囲まれる。送信差動信号ＰＥＴｐ２，ＰＥＴｎ２が割り当てられた一対の端子Ｐ１１８，Ｐ１１９は、二つの端子Ｐ１１７，Ｐ１２０の間に位置し、二つの端子Ｐ１１７，Ｐ１２０に囲まれる。

受信差動信号ＰＥＲｐ３，ＰＥＲｎ３が割り当てられた一対の端子Ｐ１２１，Ｐ１２２は、二つの端子Ｐ１２０，Ｐ１２３の間に位置し、二つの端子Ｐ１２０，Ｐ１２３に囲まれる。送信差動信号ＰＥＴｐ３，ＰＥＴｎ３が割り当てられた一対の端子Ｐ１２４，Ｐ１２５は、二つの端子Ｐ１２３，Ｐ１２６の間に位置し、二つの端子Ｐ１２３，Ｐ１２６に囲まれる。

ＰＣＩｅでは、データをシリアル伝送するが、受信回路でクロックを生成できるようにするためと、データに同じ論理レベルが連続することで電圧レベルがハイレベル又はローレベルに偏ることを避けるために、ある単位毎にコード化される。コード化には、８Ｂ１０Ｂや１２８ｂ／１３０ｂなどの方式が用いられる。このコード化により平均信号電圧レベルをコモン電圧付近にすることができ、受信閾値レベルからの差異を少なくできる。また受信側は、データの変化点から受信クロックを生成することで、データの時間的変動に追従した受信クロックが生成できるため安定したデータ受信が可能となる（ＣＤＲ：ＣｌｏｃｋＤａｔａＲｅｃｏｖｅｒｙと呼ばれる技術）。複数のレーン(差動データ信号の上り下りのペア)間で偏りがある場合でも、それぞれレーンで独立に受信回路を構成してパラレル化した受信データの開始位置を揃えることで、レーン間スキューをキャンセルすることができる。

例えば、ＰＣＩｅ３．０の場合の最大転送速度は１レーン当たり２Ｇバイト／秒（上り下りの合計）である。ＰＣＩｅでは、一組の送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０及び受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０で１レーンを構成することができる。また、ＰＣＩｅでは、一組の送信差動信号ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１及び受信差動信号ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１でさらに１レーンを構成することができる。同様に、一組の送信差動信号ＰＥＴｐ２，ＰＥＴｎ２及び受信差動信号ＰＥＲｐ２，ＰＥＲｎ２で１レーンを構成することができ、一組の送信差動信号ＰＥＴｐ３，ＰＥＴｎ３及び受信差動信号ＰＥＲｐ３，ＰＥＲｎ３でさらに１レーンを構成することができる。

上述のように、第１の列Ｒ１１を形成する複数の端子Ｐに２レーンが割り当てられ、第１の列Ｒ１２を形成する複数の端子Ｐに２レーンが割り当てられる。別の表現によれば、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２を形成する複数の端子Ｐは、差動データ信号の複数のレーンに割り当てられた複数対の端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５を含む。このため、ＰＣＩｅのレーン数を増大させることができ、データ転送速度を向上させることができる。

ＰＣＩｅでは、初期化時に複数レーン構成を認識して、一つのデータを複数レーンに分配して転送することができる。なお、ホスト機器が複数レーンに対応していない場合、メモリーカード１０は、１レーンモード、又は上述の４レーンのうちの２レーンのように一部の複数のレーンを用いたモードでも動作可能である。

端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５は、ＰＣＩｅに準拠した差動データ信号の伝送を行い、送信端子と受信端子とがペアとなる構成により双方向通信を可能とする。端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５は、周波数がＧＨｚ帯の差動データ信号を伝送することができる。

ＰＣＩｅの差動データ信号以外の制御信号は、第２の列Ｒ２１の複数の端子Ｐに割り当てられる。第２の列Ｒ２１において、端子Ｐ１２７，Ｐ１３０にＧＮＤが割り当てられ、端子Ｐ１２８，Ｐ１２９にレファレンス差動クロック信号ＲＥＦＣＬＫｐ，ＲＥＦＣＬＫｎが割り当てられ、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２に第２の電源（パワーレール）ＰＷＲ２が割り当てられ、端子Ｐ１３３にリセット信号ＰＥＲＳＴ＃が割り当てられ、端子Ｐ１３４に第１の電源（パワーレール）ＰＷＲ１が割り当てられ、端子Ｐ１３５にクロック制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃が割り当てられ、端子Ｐ１３６，Ｐ１３９に制御信号ＣＮＴＡ，ＣＮＴＢが割り当てられ、端子Ｐ１３７，Ｐ１３８に第３の電源（パワーレール）ＰＷＲ３が割り当てられる。

端子Ｐ１２８，Ｐ１２９，Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６，Ｐ１３９は、信号端子及び第２の信号端子の一例である。端子Ｐ１２８，Ｐ１２９は、差動クロック信号端子の一例である。端子Ｐ１３３，Ｐ１３５は、シングルエンド信号端子の一例であるとともに、サイドバンド信号端子の一例である。端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８は、電源端子の一例である。端子Ｐ１３１，Ｐ１３２は、第２の電源端子の一例である。Ｐ１３４は、第１の電源端子の一例である。端子Ｐ１３７，Ｐ１３８は、第３の電源端子の一例である。後述のように複数の電源端子に印加される電圧は異なり、また、電源端子として複数の端子Ｐが設けられることにより、電流が分散し、一つの端子当たりに流れる電流が小さくなり、電源回路から電源端子までの間に存在する抵抗成分によるドロップ電圧を小さくすることができる。

ＰＣＩｅレファレンス差動クロック信号ＲＥＦＣＬＫｐ／ｎは、２本で差動クロック信号を構成する。ホスト機器から端子Ｐ１２８，Ｐ１２９に周波数がＭＨｚ帯のクロック信号を伝送することにより、メモリーカード１０は、高精度なクロック発信器の実装が不要となり、当該メモリーカード１０が装着されたホスト機器との同期を容易化することができる。また、端子Ｐ１２８，Ｐ１２９が伝送に用いられるクロック信号の周波数を低くし正弦波に近い波形にすることでＥＭＩの発生を低くできる。メモリーカード１０は、受信したクロックをＰＬＬ回路で逓倍することで、端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５が伝送に用いられる差動データ信号の高い周波数を生成する。

メモリーカード１０は、受信したレファレンス差動クロックをＰＬＬ発振回路で逓倍してビットクロックを生成する。データはビットクロックに同期して、送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１，ＰＥＴｐ２，ＰＥＴｎ２，ＰＥＴｐ３，ＰＥＴｎ３から出力される。受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１，ＰＥＲｐ２，ＰＥＲｎ２，ＰＥＲｐ３，ＰＥＲｎ３から入力されたデータは、受信した前記コードパターンから生成した受信クロック（前記ＣＤＲ）により一旦サンプリングされ、各レーンのデータは、パラレルデータとして揃えられる。このデータをレファレンス差動クロックから生成した内部クロックに再同期することが可能となる。シリアルデータをパラレル変換したデータビット数の分だけ、内部クロックは前記ビットクロックより低い周波数に設定されている。例えば、８Ｂ１０Ｂコーデックが使用される場合、シリアルに受信した１０ビットコードを１バイト（８ビット）パラレルデータに揃えたときは、内部クロックはビットクロックに対して１／１０の周波数となる。

リセット信号ＰＥＲＳＴ＃は、ＰＣＩｅでの通信に用いられるメモリデバイスをホスト機器が起動及びリセットするために用いることができる。ＰＣＩｅのリセット解除のタイミング規定によりＰＣＩｅ差動レーンの初期化開始タイミングが規定される。エンベデッドメモリの場合は、電源投入からリセット解除までの時間が規定されているため、メモリーカード１０は、この時間内に初期化可能な状態になるように準備する。しかし、リムーバブルメモリの場合は、メモリーカード１０とコネクタが安定して嵌合状態になる時間も考慮してリセット解除タイミングを決める必要がある。このリセット信号ＰＥＲＳＴ＃は、通常の復旧プロトコルでは復旧不可能なエラーが発生した時などにホスト機器がメモリーカード１０の再初期化を行う時に用いることができる。

クロック制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃は、レファレンス差動クロックの供給をホストに要求する制御信号である。この信号は、メモリーカード１０に電源が投入された後は一旦Ｈｉｇｈレベル（オープンドレインのためプルアップでＨｉｇｈとなる）に設定されるが、メモリーカード１０の内部の電源電圧が安定しメモリーカード１０がクロックを受信可能になった段階でＬｏｗレベルにドライブされる。ホストはＣＬＫＲＥＱ＃がＬｏｗレベルになったことを検出するとレファレンスクロックの供給を開始する。またホストはこの信号を、メモリーカード１０のパワーセービングモードへの遷移とパワーセービングモードから復帰を制御する信号として用いることができる。メモリーカード１０は、メモリアクセスを行っていないアイドル状態にあるとき、パワーセービングモードに入ることでＰＨＹの消費電力を下げることができる。パワーセービングモードで、ホストはＰＣＩｅレファレンス差動クロック信号ＲＥＦＣＬＫｐ／ｎを停止させることができ、またメモリーカード１０はＰＨＹのコモン電源を切ることができるモードも有し、大幅に消費電力を低減することができる。

リセット信号ＰＥＲＳＴ＃及びクロック制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃は、シングルエンド信号であり、ＰＣＩｅのサイドバンド信号として定義されている。

メモリーカード１０がＰＣＩｅでの通信をサポートすることにより、ＰＣＩｅの標準的な物理層（ＰＨＹ）を用いることができる。このため、メモリーカード１０のデータの転送速度を上げるための設計の容易化と開発コストの低減を図ることができる。

さらに、メモリーカード１０がＰＣＩｅでの通信をサポートすることにより、プロトコルにＮＶＭｅを採用することができる。プロトコルが標準化されているため、ＮＶＭｅに対応したホスト機器では、メモリーカード１０は接続するだけで使用可能となる。また、ＮＶＭｅは、フラッシュメモリ１３に最適な制御が行われ、システムメモリ上キューを作成することで複数のコマンドが登録でき、マルチトランザクション処理によりデータ転送時のオーバーヘッドを低減させることができる。また、ＰＣＩｅのマスター転送機能を用いてデータ転送を行うことで、データ転送効率を向上させることができる。

ホスト機器は、端子Ｐ１３４に、第１の電源としての電源電圧ＰＷＲ１を供給することができる。電源電圧ＰＷＲ１は、本実施形態において、３．３Ｖに設定される。電源電圧表記は上側の標準値を示し、ほとんどのフラッシュメモリがサポートする動作電圧である。フラッシュメモリが広い動作電圧範囲をサポートする場合は、より低い電圧での動作が許容されている。電源電圧ＰＷＲ１は、例えば、２．５Ｖ以上３．３Ｖ以下の範囲に設定され得るが、この例に限られない。この２．５Ｖ以上３．３Ｖ以下の電圧範囲は動的な変動を意味するものではなく、電源電圧ＰＷＲ１は、この電圧範囲内のある電圧を安定して用いる。

ホスト機器は、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２に、第２の電源としての電源電圧ＰＷＲ２を供給することができる。電源電圧ＰＷＲ２は、第２の電源電圧の一例である。電源電圧ＰＷＲ２は、本実施形態において、１．８Ｖに設定される。すなわち、電源電圧ＰＷＲ２は、電源電圧ＰＷＲ１以下である。後術する電源電圧ＰＷＲ３を用いない場合に電源電圧ＰＷＲ２は、例えば、１．２Ｖ以上１．８Ｖ以下の範囲に設定され得るが、この例に限られない。

ホスト機器は、端子Ｐ１３７、Ｐ１３８に、第３の電源としての電源電圧ＰＷＲ３を供給することができる。電源電圧ＰＷＲ３は、第１の電源電圧の一例である。電源電圧ＰＷＲ３は、本実施形態において、１．２Ｖ以下に設定される。すなわち、電源電圧ＰＷＲ３は、電源電圧ＰＷＲ２以下である。電源電圧ＰＷＲ３は、この例に限られない。

メモリーカード１０において、電源電圧ＰＷＲ３は必須ではない。メモリーカード１０の内部で電源電圧ＰＷＲ２から電源電圧ＰＷＲ３が生成されることで、電源電圧ＰＷＲ３を不要にすることができる。その場合、ホストは、電源電圧ＰＷＲ１と電源電圧ＰＷＲ２との２電源を供給すれば良い。

図１３に示すように、カードコントローラ１４は、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２と第２の列Ｒ２１との間に位置する。なお、カードコントローラ１４は、他の位置に配置されても良く、例えば、第１の列Ｒ１１に含まれる端子ＰのＹ軸の正方向の端と、第２の列Ｒ２１に含まれる端子ＰのＹ軸の負方向の端と、の間に位置する。また、カードコントローラ１４は、当該カードコントローラ１４のＹ軸の正方向の端とＹ軸の負方向の端との間に第２の列Ｒ２１に含まれる端子Ｐが位置するように配置されても良い。

第１の実施形態と同じく、カードコントローラ１４は、図４に示す複数の接続端子ＣＰを有する。複数の接続端子ＣＰは、カードコントローラ１４の一部の辺１４ａ設けられ、第１の列Ｒ１１と第２の列Ｒ２１との間に位置する。接続端子ＣＰは、例えば、端子Ｐとの間の配線が交差しないように配置できる。

本実施形態において、複数の端子Ｐは、図４に示す複数の配線Ｗ、複数のグランドプレーン４１、及び複数の電源配線４２が互いに重ならないように割り当てられる。このため、配線Ｗ、電源配線４２は、ビアホール無しに効率良く配線できる。

配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２は、カードコントローラ１４の接続端子ＣＰと、端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２とを接続する。

配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２の長さは、互いに等しく設定される。さらに、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２は、端子Ｐ１０７の中心を通ってＹ軸方向に延びる中心軸Ａｘに対して鏡面対称に設けられる。このため、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２の設計が容易となる。また、配線Ｗ１５，Ｗ１６の長さは、互いに等しく設定される。

配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２は、等長に配線されて線間スキューを低減する。長さを調整するために配線が曲げられるが、通常なめらかな曲線でパターンを引くことが難しいため、配線方向を変えるときは９０°ではなく、複数の箇所で４５°に曲げている。もし９０°で曲げたとすると、配線Ｗの幅は曲げ部分で若干広くなり、特性インピーダンスの変化が起こり、ノイズが発生する。９０°に比べ４５°の方が幅の変動が少ないためノイズの発生が抑制される。

複数のグランドプレーン４１は、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２を囲む。これにより、差動信号ごとにリターンパスを確保することができ、差動信号間の相互干渉を低減して作動信号レベルが安定化される。

電源配線４２は、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８に接続される。電源配線４２の幅は、配線Ｗの幅よりも広くすることで、電源配線４２の抵抗を低くするとともに、電源配線４２を介した放熱が効率良く行える。また、メモリーカード１０は、複数の端子Ｐからコネクタに放熱できる。

ホスト電源出力とメモリーカード端子の間には配線やコネクタの抵抗成分やインダクタンス成分が存在するため電圧降下が発生する。電源電圧の許容変動範囲が、電源電圧に対して一定の割合である場合（例えば＋／－５％）、電圧が低いほど許容電圧変動幅が小さくなる。したがって前記電圧降下があるため、電源電圧が低い程ホスト機器からカード端子の電源電圧を許容電圧変動幅に収めるように電源電圧を制御することが難しくなる。

一方で、ホスト機器のコネクタや、電源配線４２を含む配線の抵抗値は、同一基板、同一コネクタであれば電圧にかかわらず類似した抵抗値である。このため、電源電圧が低いと、一つの端子Ｐに流すことができる電流値が小さくなる。

本実施形態では、電源電圧ＰＷＲ２は、二つの端子Ｐ１３１，Ｐ１３２に流される。さらに、電源電圧ＰＷＲ３は、二つの端子Ｐ１３７，Ｐ１３８に流される。このように、複数の端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３７，Ｐ１３８に電流が分配され、一つの端子Ｐあたりの電流値がおおよそ半分になることで、電源配線４２やホスト機器のコネクタの抵抗成分によるドロップ電圧を小さくすることができる。従って、ホスト機器が電源電圧を許容電圧変動幅に収めやすくなる。さらに、電源電圧ＰＷＲ２，ＰＷＲ３を同じ電圧に設定することで、より大きな電流を供給することができる。

コネクタの抵抗成分は、例えば、コンタクト抵抗と接触抵抗から成るが、抵抗を小さくすることでメモリーカード１０に流せる電流を大きくできる。コンタクト抵抗は、コンタクト長、太さ、材質などによりが決まり、コンタクト接触抵抗は、圧力、接触点の形状、粗さ、材質などで決まる。

また、通常、電源電圧ＰＷＲ１は３．３Ｖ±５％、電源電圧ＰＷＲ２は１．８Ｖ±５％であるが、上述のように、電源電圧ＰＷＲ１が２．５－５％～３．３Ｖ＋５％のように下側により広い電圧レンジに設定され、電源電圧ＰＷＲ２が１．２－５％～１．８Ｖ＋５％のように下側により広い電圧レンジに設定されても良い。これにより、電圧を下げて消費電力を低減することが可能となる。

ＥＳＤ保護ダイオード４３は、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２のそれぞれと、グランドプレーン４１とを接続する。ＥＳＤ保護ダイオード４３は、端子Ｐと接続端子ＣＰとの間に配置され、端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２から侵入する静電気を吸収する。

複数の接続端子ＣＰが第１の列Ｒ１１と第１の列Ｒ１２との間に位置すると、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２は、他の配線や他の部品を迂回したり、第１の列Ｒ１２に含まれる複数の端子Ｐの間を通過したりすることが無いように設定可能となる。このため、配線Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２の長さを短くすることができるとともに、ＥＳＤ保護ダイオード４３を効果的に配置可能である。本実施形態では、ＥＳＤ保護ダイオード４３は、第１の列Ｒ１１に含まれる端子Ｐの近傍に配置される。

メモリーカード１０は、ホスト機器のコネクタに装着される。例えば、メモリーカード１０は、プッシュプッシュやプッシュプルタイプのコネクタのスロットに挿入されることで、当該コネクタに装着される。なお、メモリーカード１０は、ヒンジタイプコネクタのような他のタイプのコネクタに装着されても良い。

本実施形態のメモリーカード１０は、切欠きＣが設けられる図１３の第１の縁３１から、コネクタのスロットに挿入される。これにより、メモリーカード１０がコネクタに装着された状態において、第１の縁３１は、第４の縁３４よりもコネクタの奥に位置する。

図１４に示すように、メモリーカード１０がコネクタに挿入されると、コネクタのリードフレーム１０１，１０３が、第１の列Ｒ１１及び第２の列Ｒ２１を形成する複数の端子Ｐのそれぞれに接触する。リードフレーム１０１，１０３が延びる方向は、例えば、ホストの配線が最短になる方向に配置される。この場合、メモリーカード１０がコネクタに挿入されるときに、リードフレーム１０１，１０３が曲がりやすい方向に力がかかる。メモリーカード１０に傾斜部３９が設けられ、メモリーカード１０の先端がテーパ状になっている。このため、リードフレーム１０１，１０３が傾斜部３９にガイドされることができ、例えば、リードフレーム１０１，１０３と筐体１１との間の摩擦が低減され、リードフレームを曲げようとする力も小さくできる。さらに、リードフレーム１０１，１０３のメッキが剥離することが抑制され、コネクタの耐摩耗性が向上する。リードフレーム１０２の方向は、曲げる力は小さいが、コネクタから多数ある信号の引き出しが難しくなり、ホストの配線が長くなる。このため、リードフレーム１０２の実装はオプションであって良い。

例えばヒンジタイプコネクタにおいて、リードフレーム１０２が、第１の列Ｒ１２を形成する複数の端子Ｐにそれぞれ接触する。また、図１５の変形例のメモリーカード１０では、リードフレーム１０２は筐体１１の第１の面２１に接触する。リードフレーム１０２が端子Ｐ又は第１の面２１に接触することで、コネクタとメモリーカード１０との接触点が増える。このため、メモリーカード１０の熱がコネクタへ伝導し、メモリーカード１０が冷却されやすくなる。

リードフレーム１０１，１０２，１０３が端子Ｐに接触すると、ホスト機器のコントローラ（以下、ホストコントローラと称する）と、メモリーカード１０のカードコントローラ１４とが、ホスト機器の配線や、メモリーカード１０の配線Ｗを介して電気的に接続される。

ホスト機器の基板に実装するためのコネクタの端子のような、コネクタのホストコントローラ側の接続点は、一般的に、コネクタのスロットの奥側（図１３の上方向）に設けられる。このため、第１の列Ｒ１１を形成する端子Ｐ及びリードフレーム１０１の接触点と、ホストコントローラとの間の配線の長さは、より短くされやすい。一方、第２の列Ｒ２１を形成する端子Ｐ及びリードフレーム１０３の接触点と、ホストコントローラとの間の配線の長さは、例えば、第１の列Ｒ１１を迂回するため、より長くなりやすい。

本実施形態のメモリーカード１０では、ホストコントローラまでの配線長がより短くなる第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に、高速な差動データ信号の伝送を行う端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５が含まれるようになっている。これにより、ホスト機器の物理層（ＰＨＹ）とメモリーカード１０の物理層（ＰＨＹ）とが近くなり、メモリーカード１０の差動データ信号の伝送において、シグナルインテグリティを確保しやすくなる。

図１７は、第３の実施形態のメモリーカード１０の構成の第１の例を概略的に示す例示的なブロック図である。カードコントローラ１４は、インターフェース回路（Ｉ／Ｆ）５１と、物理層及びメモリコントローラ５２と、二つのレギュレータ５３，５４と、電源チェック回路５５とを有する。カードコントローラ１４の物理層及びメモリコントローラ５２は、図１７において一つのブロックに示されるとともに、以下でも一体的に説明される。

Ｉ／Ｆ５１は、シングルエンド信号に対応することができる。Ｉ／Ｆ５１には、例えば、入力バッファ及び出力バッファが設けられる。リセット信号ＰＥＲＳＴ＃は入力信号であり、端子Ｐ１３３に入力バッファが配置される。ＣＬＫＲＥＱ＃は、双方向信号であり、端子Ｐ１３５に、入力バッファとオープンドレインの出力バッファが配置される。この信号は、ホストによりＨｉｇｈレベルにプルアップされている。メモリーカード１０は、この信号をＬｏｗにドライブしないことで、入力状態になる。またホストがこの信号をＬｏｗにドライブしていない間、メモリーカード１０は、当該メモリーカード１０から信号レベルを制御できる出力状態になる。

物理層及びメモリコントローラ５２は、差動信号に対応することができる。物理層及びメモリコントローラ５２には、レシーバ及びトランスミッタが設けられる。レシーバには、受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１，ＰＥＲｐ２，ＰＥＲｎ２，ＰＥＲｐ３，ＰＥＲｎ３を入力することができる。トランスミッタは、送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１，ＰＥＴｐ２，ＰＥＴｎ２，ＰＥＴｐ３，ＰＥＴｎ３を出力することができる。

物理層及びメモリコントローラ５２は、シリアル／パラレル変換、パラレル／シリアル変換、及びデータのシンボル化などを行うことができる。当該シンボル化は、データの０又は１が連続する時に、前記８Ｂ１０Ｂや１２８ｂ／１３０ｂなどのコードの中から、０又は１が連続しないシンボルに置き換えることで、同じ値の連続回数を所定値以下に抑える処理である。このシンボル化により、データ伝送時の電圧レベルの偏りを抑えることができる。また、同一シンボルパターンを繰り返し転送すると、特定の周波数の高周波が大きくなってしまうが、繰り替えしパターンにならないようにパターンが異なる複数のシンボルに切り替えることで、特定の周波数の高調波が大きくならないようにすることができる。つまり、ＥＭＩの発生を抑えることができる。

なお、ＰＣＩｅのトランザクション層では、データをパケット化して送受信したり、メッセージ送受信したりすることができる。ＰＣＩｅのデータリンク層では、トランザクション層から受けとったパケットにシーケンス番号を付加したり、ＣＲＣ符号を付加したりすることができる。シーケンス番号は、パケットの送達確認などに用いることができる。

ＰＣＩｅは複数レーンで構成可能であるが、ホストとメモリーカード１０とを接続した各レーンは、独立して初期化される。初期化が完了し通信が可能なレーンのみが使用される。本実施例の場合、最大４レーンが使用されるが、１レーン又は２レーンのみが使用されても良い。
１レーンＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０、又は、
ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１
２レーンＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，
ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１
４レーンＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，
ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１，
ＰＥＲｐ２，ＰＥＲｎ２，ＰＥＴｐ２，ＰＥＴｎ２，
ＰＥＲｐ３，ＰＥＲｎ３，ＰＥＴｐ３，ＰＥＴｎ３
データの順番は、通信可能なレーン数に応じてバイト単位にレーン番号の順番に分配される。

ホスト機器からメモリーカード１０にシリアルの受信差動信号ＰＥＲｐ０，ＰＥＲｎ０，ＰＥＲｐ１，ＰＥＲｎ１，ＰＥＲｐ２，ＰＥＲｎ２，ＰＥＲｐ３，ＰＥＲｎ３が送信されると、各レーンのレシーバ毎にバイト単位でパラレルデータに変換される。各レーンのトランスミッタにバイト単位のパラレルデータが送信されると、そのデータがシリアルの送信差動信号ＰＥＴｐ０，ＰＥＴｎ０，ＰＥＴｐ１，ＰＥＴｎ１，ＰＥＴｐ２，ＰＥＴｎ２，ＰＥＴｐ３，ＰＥＴｎ３に変換され、ホスト機器に送信される。

電源電圧ＰＷＲ１は、フラッシュメモリ１３及びカードコントローラ１４に供給される。本実施形態において、電源電圧ＰＷＲ１は、主としてフラッシュメモリ１３のリード／ライトのような、フラッシュメモリ１３の動作に使用される。電源電圧ＰＷＲ１を昇圧することで、フラッシュメモリ１３の書き込み電圧が生成される。また電源電圧ＰＷＲ１は、他の用途に使うこともできる。上述のように、電源電圧ＰＷＲ１は、電源電圧ＰＷＲ２以上であり、且つ電源電圧ＰＷＲ３以上である。

ホスト機器とメモリーカード１０とが３．３Ｖ信号電圧で接続される場合、Ｉ／Ｏ電源に電源電圧ＰＷＲ１が用いられる。図１７の例のようにホスト機器とメモリーカード１０とが１．８Ｖ信号電圧で接続される場合であっても、電源電圧ＰＷＲ１がＩ／Ｏ電源として用いられても良い。これにより、メモリーカード１０が高耐圧化され、カード入力回路が保護される。メモリーカード１０は、例えば、電源電圧ＰＷＲ１が２．５Ｖに設定されると２．５Ｖ耐圧、電源電圧ＰＷＲ１が３．３Ｖに設定されれば３．３Ｖ耐圧とされ得る。

一般的に、アナログ動作する差動信号回路には、ノイズの少ない電源が用いられ、デジタル電源とは分離される。本実施形態において、ホスト機器から供給される電源電圧ＰＷＲ３は、十分安定化されてノイズが少ない電源である。

以上のように、メモリーカード１０では、ノイズや電源変動の影響を低減するため、三つの電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２、ＰＷＲ３が分離されて供給される。すなわち、三つの電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２、ＰＷＲ３が用途によって使い分けられる。なお、電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２、ＰＷＲ３は、上述の例に限定されず、他の態様で使用されても良い。

図１８は、第３の実施形態のメモリーカード１０の構成の第２の例を概略的に示す例示的なブロック図である。図１８に示すように、電源電圧ＰＷＲ２は、レギュレータ５３，５４に供給されても良い。電源電圧（第３の電源）ＰＷＲ３が割り当てられた端子Ｐ１３７，Ｐ１３８がグランドレベルとされることで、電源電圧ＰＷＲ３はレギュレータ５３で生成される。これは電源電圧ＰＷＲ１と電源電圧ＰＷＲ２の２電源で動作するメモリーカード１０を使用する場合である。

図１８の例のように、レギュレータ５４は、入力された電源電圧ＰＷＲ２よりも低い電源電圧Ｖｌｏｇｉｃを生成する。この電源電圧Ｖｌｏｇｉｃが、電源電圧ＰＷＲ２の代わりに、フラッシュメモリ１３と、カードコントローラ１４の物理層及びメモリコントローラ５２に供給される。電源電圧Ｖｌｏｇｉｃは、ロジック回路の電源として用いられるとともに、フラッシュメモリ１３とカードコントローラ１４との間のインターフェース電圧としても用いることもできる。インターフェース電圧が低減されることで、フラッシュメモリ１３とカードコントローラ１４との間で高速でデータ転送をすることができ、消費電力も低減される。一般に信号電圧が低い方が信号の立ち上がり／立ち下がり時間を短くできるため高速なデータ伝送が可能となる。

ホスト機器から安定した電源電圧ＰＷＲ３の供給が難しい場合、レギュレータ５３により生成された電源電圧ＰＷＲ３を用いることで問題を解消できる。図１８の例のように、端子Ｐ１３７，Ｐ１３８がグランド接続されると、レギュレータ５３は、入力された電源電圧ＰＷＲ２から、当該電源電圧ＰＷＲ２よりも低い電源電圧ＰＷＲ３を生成する。図１７のようにホストが電源電圧ＰＷＲ３を供給した場合、メモリーカード１０はレギュレータ５３を使わずに、ホストから供給される電源電圧ＰＷＲ３を使用するように切り替えることもできる。

図１８の破線で示すように、レギュレータ５３が電源電圧ＰＷＲ１から電源電圧ＰＷＲ３を生成し、レギュレータ５４が電源電圧ＰＷＲ１から電源電圧Ｖｌｏｇｉｃを生成しても良い。すなわち、この場合、メモリーカード１０は、電源電圧ＰＷＲ１があれば動作し得る。

以上のように、メモリーカード１０は、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８に印加される電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２、又は電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３により動作し得る。メモリーカード１０は、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８に印加される電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の組合せに応じて、電源モードを切り替え可能であっても良い。

図１９は、第３の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおけるホスト機器の動作を示す例示的なフローチャートである。ホスト機器がフラッシュメモリ１３から電源仕様情報１３ａを取得する前に、ＰＣＩｅの初期化が行われる。このため、ホスト機器は、電源チェックシーケンスにおいて、供給する電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の組み合わせで初期化が開始可能か否かを判定する。

図１９に示すように、ホスト機器は、コネクタのスロットに挿入されたメモリーカード１０の端子Ｐ１３４に、電源電圧ＰＷＲ１を供給（印加）し（Ｓ１０１）、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２に、電源電圧ＰＷＲ２を供給（印加）する（Ｓ１０２）。

図１７に示すように、電源チェック回路５５に、電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２が入力される。電源チェック回路５５は、印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２によってメモリーカード１０を使うことができる場合、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗをドライブする。一方、電源チェック回路５５は、印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２によってカードを使うことができない場合、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｈｉｇｈのままとする。

図１９に示すように、ホスト機器は、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ１０３）、ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルをチェックする（Ｓ１０４）。電源チェック回路５５は、時間Ｔｐｏｋの間にＣＬＫＲＥＱ＃のレベルをＨｉｇｈからＬｏｗに切り替えることができる。このため、ホスト機器は、時間Ｔｐｏｋ経過後にＣＬＫＲＥＱ＃のレベルを一度チェックすれば良い。ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｈｉｇｈのままである場合（Ｓ１０４：Ｎｏ）、ホスト機器は、メモリーカード１０の端子Ｐ１３７，Ｐ１３８に電源電圧ＰＷＲ３を供給（印加）する（Ｓ１０５）。

電源チェック回路５５は、印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３によってメモリーカード１０を使うことができる場合、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗをドライブする。一方、電源チェック回路５５は、印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３によってカードを使うことができない場合、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｈｉｇｈのままとする。

ホスト機器は、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ１０６）、ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルをチェックする（Ｓ１０７）。ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｈｉｇｈのままである場合（Ｓ１０７：Ｎｏ）、ホスト機器は、電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ３をオフにする（Ｓ１０８）。

ホスト機器は、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ１０９）、ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルをチェックする（Ｓ１１０）。ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｈｉｇｈのままである場合（Ｓ１１０：Ｎｏ）、ホスト機器は、メモリーカード１０を使用しない（Ｓ１１１）。

電源電圧ＰＷＲ２のみが印加されている場合（Ｓ１０８）、電源チェック回路５５は、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗをドライブする。電源電圧ＰＷＲ２だけでＰＣＩｅの初期化は可能であるため、ホスト機器は、後述のように電源仕様情報１３ａを読み出して、メモリーカード１０が必要とする別な電源電圧を供給可能か否かを判断する。

制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルチェック時にＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗであった場合（Ｓ１０４：Ｙｅｓ、Ｓ１０７：Ｙｅｓ、Ｓ１１０：Ｙｅｓ）、ホスト機器は、ＰＣＩｅの初期化を開始する（Ｓ１１２、Ｓ１１３、Ｓ１１４）。Ｓ１１２、Ｓ１１３、Ｓ１１４は、ＰＣＩｅの標準パワーアップシーケンスである。ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗであると、ホスト機器は差動クロックＲＥＦＣＬＫを供給し（Ｓ１１２）、所定のタイミング(ＴＰＶＰＧＬ)でリセット信号ＰＥＲＳＴ＃をＨｉｇｈとする（Ｓ１１３）。

次に、ホスト機器は、ＰＣＩｅのトレーニングシーケンスを実行する（Ｓ１１４）。このトレーニングシーケンスにより、物理層の検出、物理層の動作パラメータの調整等が行われ、ホスト機器とメモリーカード１０とが通信可能となって、ＭＭＩＯレジスタが読み出せる状態となる。上述の初期化は、このトレーニングシーケンスを含む。

図２０は、第３の実施形態の電源仕様情報１３ａの一例を示す例示的な表である。図２０に例示される電源仕様情報１３ａは、電源要求仕様として記載されるレジスタ情報であり、上述のように電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の電圧範囲、最大電流（連続）、及びピーク電流（例えば１００μ秒区間）を含む。

ピーク電流（１００μ秒区間）は、例えば、１００μ秒区間で測定した場合に流れるピーク電流値であり、ホスト機器の電源設計におけるカップリングコンデンサの容量や、電源回路の応答特性に影響される。ホスト機器の電源回路は、当該ピーク電流を供給可能であることが要求される。

電圧範囲は、電源電圧が変動を許容される範囲を含む。ホスト機器の電源回路は、配線やコネクタのドロップ電圧が存在しても、端子Ｐにおける電源電圧が当該電圧範囲に入るように電圧を保持することが要求される。

さらに、電源仕様情報１３ａは、電源電圧ＰＷＲ３がレギュレータ５３によって電源電圧ＰＷＲ２から生成されるか否かを示す情報を含む。上述のように、レギュレータ５３は、端子Ｐ１３７，Ｐ１３８に電源電圧ＰＷＲ３が印加されない場合、電源電圧ＰＷＲ２から電源電圧ＰＷＲ３を生成可能である。なお、メモリーカード１０は、レギュレータ５３を有していても、端子Ｐ１３７，Ｐ１３８に印加された電源電圧ＰＷＲ３を用いて良い。

図１９に示すように、ホスト機器は、以降のチェックを省略可能か否か判断する（Ｓ１１５）。例えば、Ｓ１０４，Ｓ１０７でＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗであった場合、ホスト機器がフラッシュメモリ１３にアクセスするための十分な電源回路を実装しているので、ホスト機器は、以降のチェックを省略可能とし（Ｓ１１５：Ｙｅｓ）、メモリーカード１０が使用可能と判断する（Ｓ１１６）。

チェックの省略が不可である場合（Ｓ１１５：Ｎｏ）、ホスト機器は、フラッシュメモリ１３から電源仕様情報１３ａを読み出す（Ｓ１１７）。電源仕様情報１３ａは、例えば、ＭＭＩＯ上にマッピングされたＮＶＭｅレジスタのＶｅｎｄｏｒＳｐｅｃｉｆｉｃ領域に配置されており、物理層及びメモリコントローラ５２を経由して、パケットに乗せられて差動データ信号で出力される。ホスト機器は、差動データ信号をデコードすることで、パケットを復元し電源仕様情報１３ａを取得する。

ホスト機器は、読み出した電源仕様情報１３ａの電源要求仕様と、当該ホスト機器の電源回路仕様とを比較して、メモリーカード１０が使用可能か否かを判断する（Ｓ１１８）。ホスト機器が電源要求仕様を全て満足している場合（Ｓ１１８：Ｙｅｓ）、ホスト機器がフラッシュメモリ１３にアクセスするための十分な電源回路を実装しているので、メモリーカード１０は使用可能と判断される（Ｓ１１６）。

ホスト機器が電源要求仕様を満足していない場合（Ｓ１１８：Ｎｏ）、ホスト機器は、電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の調停が可能か否かを判断する（Ｓ１１９）。例えば、電源電圧ＰＷＲ１が不足している場合、ホスト機器は、ＰＣＩｅで定義されているパワーステート（ＰｏｗｅｒＳｔａｔｅ）で最大電力を制限することによりメモリーカード１０が使用可能であれば（Ｓ１１９：Ｙｅｓ）、当該調停を行って（Ｓ１２１）、メモリーカード１０が使用可能と判断する（Ｓ１１６）。一方、調停ができない場合（Ｓ１１９：Ｎｏ）、ホスト機器は、メモリーカード１０を使用しない（Ｓ１２０）。

また、電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の調停として、電圧を下げるプロセスもあり得る。例えば、電源仕様情報１３ａにおいて、３．３Ｖを印加した電源電圧ＰＷＲ１が２．５Ｖで動作可能であった場合、ホスト機器は、電源電圧ＰＷＲ１を２．５Ｖに下げることで消費電力を下げることができ、メモリーカード１０の電源要求とホスト機器の電源能力の一致するところに調停することができる。

メモリーカード１０は、複数の電力モードを実装することができる。例えば、上述のように、メモリーカード１０は、複数のパワーステート又はパワーリミットを実装可能である。

ホスト機器は電源能力に応じて、使用可能なパワーステートをＰＣＩｅパケットでメモリーカード１０に設定する。例えば図２０に示すように、本実施形態のメモリーカード１０は、三つのパワーステートをサポートした例である。なお、メモリーカード１０はこの例に限られない。ピーク電流は瞬間の電流値であって定常電流ではなく、パワーステートに依存しないため、共通の設定となっている。

パワーステートＡは、パワーステートＢよりも消費電力が大きい。また、パワーステートＢは、パワーステートＣよりも消費電力が大きい。消費電力が大きいほど性能は高くなる。ホスト機器の電源回路がパワーステートＡを満足しない場合、パワーステートＢに設定されることで、ホスト機器はメモリーカード１０を使うことができる。パワーステートの選択肢は、例えば、他のＰＣＩｅレジスタ又はＮＶＭｅコマンドで与えられる。

ＰＣＩｅの初期化によって、ＰＣＩｅバス性能が決まり、それによってメモリーカード１０の最大性能が決まり、メモリーカード１０の最大消費電力が決まる。従って、メモリーカード１０がＰＣＩｅの初期化結果とホスト機器から供給される電源電圧値によってパワーステートの設定を変えることにより、ホスト機器はメモリーカード１０の消費電力を制御することができる。

メモリーカード１０は、パワーステートの代わりに、第１の実施形態と同じくパワーリミット（ＳｌｏｔＰｏｗｅｒＬｉｍｉｔ）を使用しても良い。

図２１は、第３の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおける第１の例を示す例示的なタイミングチャートである。以下、図１９及び図２１を参照して、電源チェックシーケンスにおける第１の例を説明する。当該第１の例に係るメモリーカード１０は、また、図２１において、図１９の各動作に対応するタイミングに、当該図１９に対応する符号を付与する。ホスト機器とメモリーカード１０との間のインターフェースは、電源電圧ＰＷＲ２による信号電圧が使われるため、ホスト機器は少なくともメモリーカード１０の電源電圧ＰＷＲ２の範囲内の電圧を供給する。

まず、ホスト機器が、メモリーカード１０の端子Ｐ１３４に電源電圧ＰＷＲ１を供給し（Ｓ１０１）、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２に電源電圧ＰＷＲ２を供給する（Ｓ１０２）。電源電圧ＰＷＲ３はグランドレベルに設定されている。メモリーカード１０の初期化には電源電圧ＰＷＲ３が用いられるので、一定時間Ｔｐｏｋが経過しても（Ｓ１０３）、制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルはＨｉｇｈのままである（Ｓ１０４：Ｎｏ）。このため、ホスト機器は、メモリーカード１０の端子Ｐ１３７，Ｐ１３８に電源電圧ＰＷＲ３を供給する（Ｓ１０５）。

電源電圧ＰＷＲ３が供給されることで、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗとなる。このため、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ１０６）、ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルチェック時にＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗとなっているため（Ｓ１０７：Ｙｅｓ）、ホスト機器は３電源を要するメモリーカード１０であると認識できる。ＣＬＫＲＥＱ＃＝ＬｏｗからＴｃｋ時間経過後、ホスト機器から差動レファレンスクロックが供給される（Ｓ１１２）。またＴＰＶＰＧＬ時間経過後にリセット信号ＰＥＲＳＴ＃がＬｏｗからＨｉｇｈにディアサートされる（Ｓ１１３）。

図２２は、第３の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおける第２の例を示す例示的なタイミングチャートである。以下、図１９及び図２２を参照して、電源チェックシーケンスにおける第２の例を説明する。当該第２の例に係るメモリーカード１０は、レギュレータ５３により電源電圧ＰＷＲ１又はＰＷＲ２から電源電圧ＰＷＲ３を生成でき、電源電圧ＰＷＲ１及びＰＷＲ２だけでＰＣＩｅによる初期化を開始することができる。

まず、ホスト機器が、端子Ｐ１３４に電源電圧ＰＷＲ１を供給し（Ｓ１０１）、メモリーカード１０の端子Ｐ１３１，Ｐ１３２に電源電圧ＰＷＲ２を供給する（Ｓ１０２）。電源電圧ＰＷＲ１及びＰＷＲ２が供給されることで、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗとなる。このため、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ１０３）、ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルチェック時にＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗとなっているため（Ｓ１０４：Ｙｅｓ）、ホスト機器はＰＷＲ１とＰＷＲ２の２電源を要とし、ＰＷＲ３を必要としないメモリーカード１０であると認識できる。

図２３は、第３の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおける第３の例を示す例示的なタイミングチャートである。以下、図１９及び図２３を参照して、電源チェックシーケンスにおける第３の例を説明する。

まず、ホスト機器が、メモリーカード１０の端子Ｐ１３４に電源電圧ＰＷＲ１を供給し（Ｓ１０１）、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２に電源電圧ＰＷＲ２を供給する（Ｓ１０２）。一定時間Ｔｐｏｋが経過しても（Ｓ１０３）、制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルはＨｉｇｈのままである（Ｓ１０４：Ｎｏ）。

ホスト機器は、メモリーカード１０の端子Ｐ１３７，Ｐ１３８に電源電圧ＰＷＲ３を供給する（Ｓ１０５）。一定時間Ｔｐｏｋが経過しても（Ｓ１０６）、制御信号ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルはＨｉｇｈのままである（Ｓ１０７：Ｎｏ）。このため、ホスト機器は、当該第３の例に係るメモリーカード１０が電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３に対して標準とは別な電源電圧で動作させる必要があることを認識する。一例として、ある高性能なメモリーカード１０が、標準電源電圧では当該メモリーカード１０の消費電力が大き過ぎてしまうとき、電源電圧を下げて使用することで当該メモリーカード１０の消費電力を下げて使用することができる場合がある。

ホスト機器が電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ３をオフにして、ＰＷＲ２だけを印加する（Ｓ１０８）ことで、ＰＣＩｅの初期化が可能であればＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗとなる。ホスト機器は、一定時間Ｔｐｏｋ経過後（Ｓ１０９）、ＣＬＫＲＥＱ＃のレベルチェック時にＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗとなっているため（Ｓ１１０：Ｙｅｓ）ＰＣＩｅの初期化を実行する（Ｓ１１２，Ｓ１１３，Ｓ１１４）。

上述のように、第３の例に係るメモリーカード１０は特殊な電源電圧で動作するため、ホスト機器は、チェックを省略せず（Ｓ１１５：Ｎｏ）、電源仕様情報１３ａを読み出す（Ｓ１１７）。第３の例のカードは、電源電圧ＰＷＲ２のみでＰＣＩｅの初期化を行うことができ、電源仕様情報１３ａは読み出せるようになっている。電源仕様情報１３ａの読み出しに電源電圧ＰＷＲ１が用いられる場合、Ｓ１０１で電源電圧ＰＷＲ１が供給されているため、ホスト機器は、電源電圧ＰＷＲ１がオフにされる前に電源仕様情報１３ａを読み出しても良い。ホスト機器は、一旦電源電圧ＰＷＲ２を落とし、電源仕様情報１３ａにしたがって電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２,ＰＷＲ３の電圧を供給し、パワーアップシーケンスを最初から実行する。なお、例えばホスト機器が使用されるメモリーカード１０の電源仕様を予め認識している場合、特殊な電源電圧で動作するメモリーカード１０であってもチェックが省略されても良い（Ｓ１１５：Ｙｅｓ）。

図２４は、第３の実施形態のメモリーカード１０の電源チェックシーケンスにおける第４の例を示す例示的なタイミングチャートである。第４の例は、一般的なＰＣＩｅのパワーアップシーケンスである。図２４に示すように、ホスト機器は、メモリーカード１０が動作可能な三つの電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２,ＰＷＲ３を最初から供給する。この場合、電源電圧ＰＷＲ３を使うか使わないかにかかわらず、チェックが省略され、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗが出力され、メモリアクセスが可能であることを示す。これにより、一般的なＰＣＩｅのパワーアップシーケンスとの互換性が得られる。

また、特定のホスト機器と特定のメモリーカード１０のみ組み合わせで使用するような環境で、ホスト機器がメモリーカード１０の電源仕様を予め認識している場合がある。この場合、ホスト機器は、電源チェクシーケンスを実行せずに、最初から必要なすべての電源電圧を印加して初期化を開始しても良い。この場合も、ＣＬＫＲＥＱ＃＝Ｌｏｗとなることでメモリアクセスが可能なことが示される。

フラッシュメモリ１３に高速アクセスするために、大きな電流が用いられる場合がある。しかし、ＰＣＩｅの初期化で消費される電流は、高速アクセスするための電流よりも少なくて済む。そのため最低限の電源電流の実装でも前記電源仕様情報１３ａは読み出すことができる。ホスト機器は、前記電源仕様情報１３ａによって、メモリーカード１０に最適な電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の情報を得ることができる。

以上の電源チェックシーケンスにおいて、メモリーカード１０のカードコントローラ１４は、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８に印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の組合せによって差動データ信号によるメモリアクセスが可能か否かを判定して、端子Ｐ１３５から判定結果を出力する。さらに、フラッシュメモリ１３は、差動データ信号によるＰＣＩｅの初期化が完了すると、当該フラッシュメモリ１３に記録された電源仕様情報１３ａが読み出し可能となる。また、メモリーカード１０のカードコントローラ１４は、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８に印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の組合せと、ＰＣＩｅの初期化の結果と、に応じてメモリアクセス性能を制御し、パワーステート情報を変更する。

メモリーカード１０は、活線挿抜に対応しないため、ホスト機器やコネクタに対策がされる。メモリーカード１０の交換は、メモリーカード１０の電源がオフになっている状態で行われる。

ホスト機器は、コネクタへのメモリーカード１０の挿入検出を用いて、メモリーカード１０が装着された後に電源を投入するように制御する。また、メモリーカード１０に電源が供給されている間にメモリーカード１０が抜かれるとデータ喪失が起こるので、コネクタがロック機能を持つことでこれを防ぐことができる。メモリーカード１０を交換する場合、ホスト機器は、メモリーカード１０のシャットダウン処理を行い、シャットダウン処理完了後に電源供給を止め、コネクタのロック機能を解除する。これによりメモリーカード１０の不用意な取り外しを抑制し、メモリーカード１０のデータを保護することができる。

メモリーカード１０の交換が常に電源オフの状態で行われるホストシステムの場合、メモリーカード１０の挿抜を検出する機能は不要となる。コネクタは、メモリーカード１０が装着されているかどうかを検出できる信号があれば良い。当該ホストシステムは、電源投入後のメモリーカード１０の初期化で、メモリーカード１０の存在を判定することもできる。

図２５は、第３の実施形態のメモリーカード１０の温度チェックシーケンスにおけるカードコントローラ１４の動作を示す例示的なフローチャートである。例えば、ホスト機器の放熱機構の設計において、メモリーカード１０の温度の情報が用いられることがある。当該設計のため、カードコントローラ１４は、以下に説明するように、要求に応じてメモリーカード１０の温度に係る情報をホスト機器へ送信する。

図２５に示すように、カードコントローラ１４は、ホスト機器からの温度の情報の読出し要求を受けたか否かを判断する（Ｓ２０１）。ホスト機器の放熱機構の設計においては、例えば、メモリーカード１０が最大パフォーマンス状態（最大消費電力状態）の場合の、メモリーカード１０の表面温度が用いられる。このため、ホスト機器は、例えば、カードコントローラ１４がフラッシュメモリ１３に対して連続で書込み（ライト）している場合、又は連続して読出し（リード）している場合に、読出し要求をメモリーカード１０へ送信する。

カードコントローラ１４は、ホスト機器からの温度の情報の読出し要求を受け取ると（Ｓ２０１：Ｙｅｓ）、メモリーカード１０に設けられた温度センサ１１１の値を読み込む（Ｓ２０２）。例えば温度センサ１１１の値は、カードコントローラ１４のジャンクション温度を示す。

図１７及び図１８に示すように、温度センサ１１１は、カードコントローラ１４とは別な部品として、メモリーカード１０に設けられる。温度センサ１１１は、例えば、カードコントローラ１４の上面又は下面に搭載される。カードコントローラ１４は、温度センサ１１１の値を、例えば温度センサインターフェース（Ｉ／Ｆ）を経由して読み取る。

なお、温度センサ１１１は、カードコントローラ１４の内部に設けられても良い。例えば、温度センサ１１１は、カードコントローラ１４に内蔵された電気抵抗を半導体温度センサとして用いたものであっても良い。温度センサ１１１は、カードコントローラ内の最も発熱する回路付近に配置されることで、コントローラのジャンクション温度を測ることができる。カードコントローラ１４が温度の情報の読出し要求を受け取ると、カードコントローラ１４のＣＰＵは、半導体温度センサの値が表示されるレジスタの値を読み出すことで、ジャンクション温度の情報を取得することができる。

上述の半導体温度センサは、温度変化に伴って、電気抵抗の抵抗値が変化する。温度と抵抗値との間の特性を予め測定しておくことで、逆に抵抗値から温度が計算できる。このため、カードコントローラ１４は、半導体温度センサの電気抵抗値を測定することで、ジャンクション温度に変換することができる。

温度センサ１１１は、電気抵抗に限らず、温度変化で特性が変化する他の素子を半導体センサとして用いたものであっても良い。半導体センサとして利用される素子は、例えば、一定の電流を流された場合に、両端における電位差が温度に応じて変化する。このため、予め実測を基に算出された当該素子の温度－電圧特性を用いて、素子の両端における電位差から、温度を算出することが可能となる。

上記素子が半導体センサとして利用される場合、例えば、電圧を測定するＡ／Ｄコンバータが当該素子に接続される。Ａ／Ｄコンバータが測定した電圧値と、素子の温度－電圧特性とに基づき、カードコントローラ１４のジャンクション温度が算出される。カードコントローラ１４のＣＰＵは、算出されたジャンクション温度の情報を、レジスタを介して読み出すことができる。

次に、カードコントローラ１４は、温度センサ１１１から読み込んだジャンクション温度を、メモリーカード１０の表面温度に変換する（Ｓ２０３）。ジャンクション温度とメモリーカード１０の表面温度とは、例えば、ファームウェアにて記述されている変換テーブル又は変換式を元に変換される。

上記ファームウェアは、フラッシュメモリ１３、又はカードコントローラ１４の不揮発性メモリに保存されている。メモリーカード１０が電源供給を受けたときに、カードコントローラ１４のＣＰＵが、保存されたファームウェアを、カードコントローラ１４のメモリへ読出して実行する。

カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３、又はカードコントローラ１４の不揮発性メモリに保存されている変換テーブル又は変換式を用いて、ジャンクション温度をメモリーカード１０の表面温度に変換する。変換テーブル及び変換式は、例えば、メモリーカード１０の工場出荷前に、最大パフォーマンス状態（最大消費電力状態）のジャンクション温度と表面温度とが実測され、当該実測結果からジャンクション温度と表面温度との関係を算出することで作成される。また、変換テーブル及び変換式は、例えば、フラッシュメモリ１３の種類及び構成と、カードコントローラ１４の配置と、筐体１１の材料と、に基づく計算により作成されても良いが、あらゆる種類の材料に対して物理特性の理論式を求めるのは難しい。これに対し、実測による作成方法は、容易に対応関係を求めることができる。実測では、通常はカードコントローラ１４付近の表面温度が測定される。

次に、カードコントローラ１４は、メモリーカード１０の表面温度の情報を、温度の情報の読出し要求の応答としてホスト機器に送信する（Ｓ２０４）。なお、カードコントローラ１４は、表面温度及びジャンクション温度を送信しても良いし、ジャンクション温度のみを送信しても良い。

ホスト機器による表面温度の読出し要求は、例えば、メモリーカード１０に対して温度情報を含むＳ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ．（Ｓｅｌｆ－ＭｏｎｉｔｏｒｉｎｇＡｎａｌｙｓｉｓａｎｄＲｅｐｏｒｔｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）情報を要求するフィールドを含むコマンドである。

メモリーカード１０とホスト機器との接続がＮＶＭｅに準拠する場合、ホスト機器はＳ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ．情報を要求するコマンドとして例えば、ＮＶＭＥｘｐｒｅｓｓＲｅｖｉｓｉｏｎ１．３に記述されているＳＭＡＲＴ／ＨｅａｌｔｈＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎコマンドを使用する。メモリーカード１０は当該コマンドに対して、ジャンクション温度をＣｏｍｐｏｓｉｔｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅフィールドに、ジャンクション温度から変換されたメモリーカード１０の表面温度をリザーブ領域に設定した応答をホスト機器へ通知しても良い。

メモリーカード１０とホスト機器との接続がＳＭＢｕｓに準拠する場合、例えば、ホスト機器は、ＳＭＢｕｓの特定のアドレスに割り当てられた情報読み出しコマンドを割当ててメモリーカード１０へ送信する。メモリーカード１０は当該コマンドに対して温度情報を所定のエリアに保存した応答をホスト機器へ返送する。この場合、端子Ｐ１３６（ＣＯＮＴＡ）、端子Ｐ１３９（ＣＯＮＴＢ）が２線式のＳＭＢｕｓインターフェース信号として割り当てられ、メモリーカード１０は、端子Ｐ１３６，Ｐ１３９を使用してホスト機器から表面温度の読出し要求を受信し、メモリーカード１０の表面温度情報を送信しても良い。

以上の温度チェックシーケンスにより、メモリーカード１０の温度情報がホスト機器に提供される。提供された温度情報は、例えば、ホスト機器の放熱機構の特性の解析や、ホスト機器の放熱機構の確認に利用することができる。

メモリーカード１０の温度チェックシーケンスは、上述の例に限られない。例えば、温度センサ１１１は、フラッシュメモリ１３の表面の温度を測定しても良い。この場合に、カードコントローラ１４は、温度センサ１１１から取得した温度情報をフラッシュメモリ１３のジャンクション温度としてメモリーカード１０の表面温度に変換しても良い。この場合の表面温度は、フラッシュメモリ１３付近の表面温度を表す。

以上説明された第３の実施形態に係るメモリーカード１０において、筐体１１は、Ｘ軸方向に延びた第１の縁３１と、第１の縁３１の反対側に位置してＸ軸方向に延びた第４の縁３４と、Ｘ軸方向と交差するＹ軸方向に延びた第２の縁３２と、第１の縁３１と第２の縁３２との間の切欠きＣを形成する第１の角部３５とを有する。切欠きＣを形成する第１の角部３５は、例えば、メモリーカード１０の逆挿し防止に用いられる。このため、メモリーカード１０が例えばプッシュプルタイプのコネクタに挿入される場合、メモリーカード１０は、第１の縁３１からコネクタに挿入される。そして、複数の端子Ｐは、互いに間隔を介してＹ軸方向に並べられた第１の列Ｒ１１，Ｒ１２と、第２の列Ｒ２１と、を形成する。第１の列Ｒ１１，Ｒ１２は、第４の縁３４よりも第１の縁３１に近い位置で互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられた複数の端子Ｐをそれぞれが含む。第２の列Ｒ２１は、第１の縁３１よりも第４の縁３４に近い位置で互いに間隔を介してＸ軸方向に並べられた複数の端子Ｐをそれぞれが含む。このように、複数の端子Ｐが複数の列（Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１）を形成することで、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

一般的に、コネクタに挿入されたメモリーカード１０の端子Ｐとホストコントローラとの間の配線の長さは、コネクタの奥ほど短くなる。すなわち、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる端子Ｐとホストコントローラとの間の配線の長さは、第２の列Ｒ２１に含まれる端子Ｐとホストコントローラとの間の配線の長さよりも短くなる。このため、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる信号の伝送に用いられる端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５は、第２の列Ｒ２１に含まれる信号の伝送に用いられる端子Ｐ１２８，Ｐ１２９，Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６，Ｐ１３９よりも、シグナルインテグリティを確保しやすい。例えば、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる信号の伝送に用いられる端子Ｐの数を第２の列Ｒ２１に含まれる信号の伝送に用いられる端子Ｐの数より多くしたり、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる端子Ｐが差動信号の伝送に用いられたりすることで、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる信号端子（端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５）の数が、第２の列Ｒ２１に含まれる信号端子（端子Ｐ１２８，Ｐ１２９，Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６，Ｐ１３９）の数よりも多い。これにより、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

また、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２が同時にデータ転送に使用されることにより、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

さらに、複数の端子Ｐが、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２と第２の列Ｒ２１とを形成する。これにより、全ての端子Ｐを一列に並べる場合に比べ、端子Ｐの所望の大きさや、複数の端子Ｐの所望の間隔を確保することができる。

端子Ｐ１２８，Ｐ１２９，Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６、Ｐ１３９よりも高い周波数の信号の伝送に用いられる端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２０，Ｐ１２１，Ｐ１２４，Ｐ１２５が、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる。これにより、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

差動データ信号に割り当てられた端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２０，Ｐ１２１，Ｐ１２４，Ｐ１２５を増やしレーン数を増やすことで、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

第１の列Ｒ１１，Ｒ１２を形成する複数の端子Ｐは、差動データ信号に割り当てられた端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５を含む。一方、第２の列Ｒ２１を形成する複数の端子Ｐは、差動データ信号よりも低い周波数の差動クロック信号に割り当てられた端子Ｐ１２８，Ｐ１２９と、シングルエンド信号に割り当てられた端子Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６，Ｐ１３９と、電源に割り当てられた端子Ｐ１３１，Ｐ１３２、Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８とを含む。これにより、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２において、高速に信号を伝送可能な端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５によりレーン数をより多くすることができ、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

第１の列Ｒ１１を形成する複数の端子Ｐは、差動データ信号の２レーンに割り当てられた端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２を含む。第１の列Ｒ１２を形成する複数の端子Ｐは、差動データ信号の２レーンに割り当てられた端子Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５を含む。これにより、本実施形態のメモリーカード１０は、通信インターフェースを高速化できる。

差動データ信号に割り当てられた複数対の端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２はそれぞれ、グランドに割り当てられた複数の端子Ｐ１０１，Ｐ１０４，Ｐ１０７，Ｐ１１０，Ｐ１１３のうち二つの間に位置する。これにより、差動信号ごとにリターンパスを確保することができ、差動信号間の相互干渉を低減して作動信号レベルが安定化される。

差動データ信号に割り当てられた複数対の端子Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５はそれぞれ、グランドに割り当てられた複数の端子Ｐ１１４，Ｐ１１７，Ｐ１２０，Ｐ１２３，Ｐ１２６のうち二つの間に位置する。これにより、差動信号ごとにリターンパスを確保することができ、差動信号間の相互干渉を低減して作動信号レベルが安定化される。

端子Ｐ１３４は、第１の電源ＰＷＲ１に割り当てられる。端子Ｐ１３１，Ｐ１３２は、電圧が第１の電源ＰＷＲ１以下である第２の電源ＰＷＲ２に割り当てられる。端子Ｐ１３７，Ｐ１３８は、電圧が第２の電源ＰＷＲ２以下である第３の電源ＰＷＲ３に割り当てられる。これにより、第１乃至第３の電源ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３を用途によって使い分けることができ、メモリーカード１０のフレキシビリティが高まる。さらに、電圧が低いほど電源電圧変動の許容値が小さくなるので、ひとつの端子Ｐに流す電流値を小さくした方が良いが、複数の端子Ｐ１３１，Ｐ１３２と複数の端子Ｐ１３７，Ｐ１３８が設けられることで、電流値が分散されて一端子当たりの電流値が小さくなり、電圧変動が抑制される。

レギュレータ５３は、電源電圧ＰＷＲ３の第３の電源ＰＷＲ３に割り当てられた端子Ｐ１３７，Ｐ１３８がグランド接続された場合、電源電圧ＰＷＲ２の第２の電源ＰＷＲ２に割り当てられた端子Ｐ１３１，Ｐ１３２に印加された電源電圧ＰＷＲ２、又は電源電圧ＰＷＲ１の第１の電源ＰＷＲ１に割り当てられた端子Ｐ１３４に印加された電源電圧ＰＷＲ１から、電源電圧ＰＷＲ３を生成する。これにより、本実施形態のメモリーカード１０は、ＰＷＲ１，ＰＷＲ２の２電源構成のホスト機器とＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の３電源構成のホスト機器のどちらにも対応することができる。

カードコントローラ１４は、端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８に印加された電源電圧ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３の組合せによって差動データ信号によるメモリアクセスが可能か否かを判定して、ＣＬＫＲＥＱ＃に割り当てられた端子Ｐ１３５から判定結果を出力する。フラッシュメモリ１３は、差動データ信号によるメモリアクセスが可能である場合、当該フラッシュメモリ１３に記憶された電源仕様情報１３ａが読み出し可能となる。ホスト機器は、電源仕様情報１３ａと、当該ホスト機器の電源仕様とを比較することにより、メモリーカード１０が使用可能か否か判断できる。これにより、複数種類の電源構成を有するメモリーカード１０が混在しても、ホスト機器がメモリーカード１０の電源仕様を識別することができる。

少なくともカードコントローラ１４の一部の辺１４ａは、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２と第２の列Ｒ２１との間に位置するとともに第１の列Ｒ１１に含まれる端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２に配線Ｗによって接続された接続端子ＣＰを辺１４ａに配置することができる。第１の列Ｒ１２も同様に、それに含まれる端子Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５に配線Ｗによって接続された接続端子ＣＰを辺１４ａに配置することができる。これにより、配線Ｗが他の配線や他の部品を迂回したり、第２の列Ｒ２１に含まれる複数の端子Ｐの間を通過したりすることが無い配線が可能となる。従って、例えばＥＳＤ保護ダイオード４３を配線Ｗに設けることが容易になるとともに、第１の列Ｒ１１に含まれる端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２、第１の列Ｒ１２に含まれる端子Ｐ１１５，Ｐ１１６，Ｐ１１８，Ｐ１１９，Ｐ１２１，Ｐ１２２，Ｐ１２４，Ｐ１２５と接続端子ＣＰとの間の配線Ｗの長さを短くすることができる。

第１の列Ｒ１１，Ｒ１２は、第１の縁３１の近傍に配置される。第２の列Ｒ２１は、第１の縁３１よりも第４の縁３４に近い位置にある。すなわち、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２は、Ｙ軸方向におけるメモリーカード１０及び筐体１１の中心線と第１の縁３１との間に位置し、第２の列Ｒ２１は、上記中心線と第４の縁３４との間に位置する。このため、コネクタのリードフレーム１０１，１０２，１０３によりメモリーカード１０に作用する圧力が、上記中心線と第１の縁３１との間の領域と、上記中心線と第４の縁３４との間の領域と、で均一化され、コネクタ内でメモリーカード１０がより安定する。

Ｘ軸方向における端子Ｐの幅と、隣接する端子Ｐの間の距離とは、コネクタの端子形成や基板のフットプリント形成が可能な最小寸法となっている。このため、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２及び第２の列Ｒ２１の端子Ｐの数は、同じ１３個になっている。第１の列Ｒ１１がＰＣＩｅの２レーンを含み、第１の列Ｒ１２もＰＣＩｅの２レーンを含む。第１の列Ｒ１１及び第２の列Ｒ２１が形成される図１５のメモリーカード１０は、ＰＣＩｅの２レーンを使用することができる。第１の列Ｒ１１，Ｒ１２及び第２の列Ｒ２１が形成される図１３のメモリーカード１０は、ＰＣＩｅの４レーンを使用することができ、高速化することができる。

ホスト機器として、第１の列Ｒ１１のみを使用する第１のホスト機器と、第１の列Ｒ１１及び第１の列Ｒ１２を使用する第２のホスト機器とが構成可能である。第１のホスト機器及び第２のホスト機器と、図１３のメモリーカード１０及び図１５のメモリーカード１０とは、全てのホスト機器とメモリーカード１０との組み合わせで使用可能である。

また各ＰＣＩｅレーンは、少なくともＧｅｎ．３の性能を持ち、Ｇｅｎ．４の性能をサポートすることができる。ホスト機器は、幅広い通信速度の選択肢を持ちアプリケーションに最適な性能でもっとも消費電力の少ないバス性能を選択可能である。

第１のホスト機器又は図１５のメモリーカード１０の場合、第１の列Ｒ１２は通信に使用されない。しかし、リードフレーム１０２によりメモリーカード１０を放熱させることが可能である。リードフレーム１０２は、第１の列Ｒ１２の端子Ｐに接触しても、筐体１１の第１の面２１に接触しても、メモリーカード１０を放熱させることが可能である。第１のホスト機器は、放熱専用に電気的にグランドに接続されたリードフレーム１０２を有しても良い。

第２の列Ｒ２１の下にフラッシュメモリ１３が配置されることで、第２の列Ｒ２１がフラッシュメモリ１３の放熱に用いられることができる。例えば、第２の列Ｒ２１に接触するリードフレーム１０３が、フラッシュメモリ１３を放熱する。

以上のように、コネクタにおいて第２の面２２に接触する放熱機構だけでなく、第１の面２１に接触するリードフレーム１０１，１０２，１０３もメモリーカード１０の放熱に利用可能である。第１の面２１及び第２の面２２の両方から放熱されることで、メモリーカード１０の放熱能力及び放熱効果が向上する。

それぞれの第１の列Ｒ１１，Ｒ１２において端子Ｐの第１の縁３１から遠い側の端がＹ軸方向において同一位置に揃えられる。第１の列Ｒ１２よりも第１の縁３１に近い第１の列Ｒ１１に含まれる信号用の端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２のそれぞれのＹ軸方向における長さは、グランド用の端子Ｐ１０１，Ｐ１０４，Ｐ１０７，Ｐ１１０，Ｐ１１３のそれぞれのＹ軸方向における長さよりも短く、且つ第１の列Ｒ１２に含まれる端子Ｐ１１４～Ｐ１２６のそれぞれのＹ軸方向における長さが等しい。これにより、メモリーカード１０がホスト機器のコネクタにＹ軸方向に挿入されるときに、グランド用の端子Ｐ１０１，Ｐ１０４，Ｐ１０７，Ｐ１１０，Ｐ１１３，Ｐ１２７，Ｐ１３０及び電源用の端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８が、信号用の端子Ｐ１０２，Ｐ１０３，Ｐ１０５，Ｐ１０６，Ｐ１０８，Ｐ１０９，Ｐ１１１，Ｐ１１２，Ｐ１２８，Ｐ１２９，Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６，Ｐ１３９より先に、コネクタのリードフレームに接触する。従って、ホスト機器のＧＮＤレベルとメモリーカード１０のＧＮＤレベルとが等価になり、カードコントローラ１４の電気的レベルを安定させることができる。さらに、第１の列Ｒ１１のグランド用の端子Ｐ１０１，Ｐ１０４，Ｐ１０７，Ｐ１１０，Ｐ１１３が先にコネクタのリードフレームに接触するため、第１の列Ｒ１２のグランド用の端子Ｐを長くする必要がない。このため、第１の列Ｒ１２の全ての端子ＰのＹ軸方向における長さを短くすることができ、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２の間隔を短くすることができる。従って、第１の列Ｒ１２と第２の列Ｒ２１との間隔を広くすることができ、図１４の互いに逆方向に延びるリードフレーム１０２，１０３を配置する領域が確保できる。

第２の列Ｒ２１，Ｒ２２に含まれる端子Ｐの形状及び長さは、当該端子Ｐが使用する信号の周波数が低いため、任意に設定され得る。例えば、図１３及び図１５に示すように、複数の端子Ｐが複数の第２の列Ｒ２１，Ｒ２２を形成する場合、それぞれの第２の列Ｒ２１，Ｒ２２において端子Ｐの第１の縁３１から遠い側の端がＹ軸方向において同一位置に揃えられる。さらに、第２の列Ｒ２２よりも第１の縁３１に近い第２の列Ｒ２１に含まれる信号用の端子のＰ１２８，Ｐ１２９，Ｐ１３３，Ｐ１３５，Ｐ１３６，Ｐ１３９のそれぞれのＹ軸正方向における長さは、グランド用の端子Ｐ１２７，Ｐ１３０及び電源用の端子Ｐ１３１，Ｐ１３２，Ｐ１３４，Ｐ１３７，Ｐ１３８のそれぞれのＹ軸方向における長さよりも短くされる。

Ｙ軸方向において、第２の列Ｒ２２に含まれる信号用の端子Ｐの長さは、第２の列Ｒ２２に含まれる電源用及びグランド用の端子Ｐの長さより短くても良い。また、第２の列Ｒ２２に電源用の端子Ｐが含まれる場合、当該電源用の端子Ｐは、第２の列Ｒ２１に含まれる電源用の端子Ｐと同一形状であっても良い。

第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる信号用の端子ＰのＸ軸方向におけるそれぞれの長さは等しい。これにより、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる信号用の端子Ｐの電気的特性を類似させることができる。

Ｘ軸方向において、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる信号用の端子Ｐの長さとグランド用の端子Ｐの長さとが異なっても良い。この場合、例えば、Ｘ軸方向において、信号用の端子Ｐのそれぞれの長さが互いに等しくされ、グランド用の端子Ｐのそれぞれの長さが互いに等しくされる。なお、Ｘ軸方向における端子Ｐの長さは、この例に限られない。

以上、メモリーカード１０の一つのフォームファクタについて説明した。しかし、メモリーカード１０のフォームファクタは、以上説明されたメモリーカード１０のフォームファクタに対し、第１の列Ｒ１１及び第２の列Ｒ２１を形成する端子Ｐの位置を保ったまま、外形及び端子Ｐの数を拡張されても良い。

例えば、メモリーカード１０の外形は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向の少なくとも一つにおいて拡大され得る。外形を拡大されたメモリーカード１０のフォームファクタにおいて、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２を形成する端子Ｐの数が拡張され得る。例えば、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる端子Ｐの数が１３個より多く設けられ得る。また、複数の端子Ｐが、二つより多くの第１の列Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４…を形成し得る。

拡張された第１の列Ｒ１３，Ｒ１４…は、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に対して、Ｙ軸の負方向に並べられても良いし、Ｙ軸の正方向に並べられても良い。第１の列Ｒ１３，Ｒ１４…が第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に対してＹ軸の負方向に並べられる場合、第１の列Ｒ１３，Ｒ１４…に含まれる端子Ｐの形状は、第１の列Ｒ１２に含まれる端子Ｐの形状と同一である。

外形を拡大されたメモリーカード１０のフォームファクタにおいて、第２の列Ｒ２１，Ｒ２２を形成する端子Ｐの数が拡張されても良い。例えば、複数の端子Ｐが、二つより多くの第２の列Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４…を形成し得る。拡張された第２の列Ｒ２３，Ｒ２４…に含まれる端子Ｐの形状は、任意に設定され得る。

一つのフォームファクタに係るメモリーカード１０は、例えば、アダプタを用いることで、より大きいフォームファクタに係るメモリーカード１０のためのコネクタで使用可能とされても良い。当該コネクタと、上記一つのフォームファクタに係るメモリーカード１０のためのコネクタとにおいて、リードフレーム１０１，１０２，１０３の相対的な位置は同一である。

（第４の実施形態）
以下に、第４の実施形態について、図２６を参照して説明する。図２６は、第４の実施形態に係るメモリーカード１０を示す例示的な平面図である。図２６に示すように、第４の実施形態に係るカードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３に積層される。

フラッシュメモリ１３は、第２の列Ｒ２１に含まれる端子Ｐに重ねられる。別の表現によれば、フラッシュメモリ１３は、当該フラッシュメモリ１３のＹ軸の正方向の端とＹ軸の負方向の端との間に第２の列Ｒ２１に含まれる端子Ｐが位置するように配置することができる。一方、フラッシュメモリ１３は、メモリ容量によりチップ面積が異なり、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２に含まれる端子Ｐに近い場合と離間している場合がある。

カードコントローラ１４は、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２と第２の列Ｒ２１との間に位置する。このため、第３の実施形態と同じく、カードコントローラ１４の複数の接続端子ＣＰも、第１の列Ｒ１１，Ｒ１２と第２の列Ｒ２１との間に配置することができる。配線Ｗが、接続端子ＣＰと、第１の列Ｒ１１に含まれる端子Ｐとを接続する。

以上説明された第４の実施形態のメモリーカード１０のように、カードコントローラ１４は、フラッシュメモリ１３に積層されても良い。フラッシュメモリ１３が第１の列Ｒ１１，Ｒ１２から離間した位置にあり、接続端子ＣＰが第１の列Ｒ１１，Ｒ１２と第２の列Ｒ２１との間に位置することで、カードコントローラ１４の配線Ｗの長さが長くなることが抑制される。

以上説明された少なくとも一つの実施形態によれば、筐体は、第１の方向に延びた第１の縁と、第１の方向と交差する第２の方向に延びた第２の縁と、第１の縁と第２の縁との間の切欠きを形成する第１の角部とを有する。切欠きを形成する第１の角部は、例えば、半導体記憶装置の逆挿し防止に用いられる。このため、半導体記憶装置が例えばプッシュプルタイプのコネクタに挿入される場合、半導体記憶装置は、第１の縁からコネクタに挿入される。そして、複数の端子は、互いに間隔を介して第１の方向に並べられて第１の列を形成するとともに、第１の列よりも第１の縁から離れた位置で互いに間隔を介して第１の方向に並べられて少なくとも一つの第２の列を形成する。複数の端子が複数の列を形成することで、本実施形態の半導体記憶装置は、通信インターフェースを高速化できる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、もとの特許出願における出願当初の特許請求の範囲の内容を付記する。
［１］
第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、第１の方向に延びた第１の端縁と、前記第１の端縁の反対側に位置して前記第１の方向に延びた第２の端縁と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びた第１の側縁と、前記第１の端縁と前記第１の側縁との間の切欠きを形成する第１の角部と、を有する筐体と、
前記筐体の内部に設けられたメモリと、
前記筐体の内部に設けられ、前記メモリを制御するコントローラと、
信号の伝送に用いられる複数の信号端子を含み、前記第１の面で露出した、複数の端子と、
を具備し、
前記複数の端子は、少なくとも一つの第１の列と、少なくとも一つの第２の列と、を形成し、
前記少なくとも一つの第１の列は、前記第２の端縁よりも前記第１の端縁に近い位置で互いに間隔を介して前記第１の方向に並べられた前記複数の端子をそれぞれが含み、前記複数の端子が複数の前記第１の列を形成する場合に互いに間隔を介して前記第２の方向に並べられ、
前記少なくとも一つの第２の列は、前記第１の端縁よりも前記第２の端縁に近い位置で互いに間隔を介して前記第１の方向に並べられた前記複数の端子をそれぞれが含み、前記複数の端子が複数の前記第２の列を形成する場合に互いに間隔を介して前記第２の方向に並べられる、
半導体記憶装置。
［２］
前記少なくとも一つの第１の列を形成する前記複数の端子は、差動データ信号が割り当てられた少なくとも一対の差動データ信号端子を含む、［１］の半導体記憶装置。
［３］
前記複数の信号端子は、差動データ信号が割り当てられた少なくとも一対の第１の信号端子と、前記第１の信号端子よりも低い周波数の信号の伝送に用いられる第２の信号端子と、を含み、
前記第１の信号端子は、前記少なくとも一つの第１の列に含まれ、
前記第２の信号端子は、前記少なくとも一つの第２の列に含まれる、
［１］の半導体記憶装置。
［４］
前記少なくとも一つの第１の列に含まれる前記信号端子の数は、前記少なくとも一つの第２の列に含まれる前記信号端子の数よりも多い、［１］又は［３］の半導体記憶装置。
［５］
前記少なくとも一つの第１の列を形成する前記複数の端子は、グランドに割り当てられた複数のグランド端子を含み、
前記少なくとも一対の第１の信号端子は、それぞれの対が前記複数のグランド端子のうち二つの間に位置し、
前記少なくとも一つの第２の列を形成する前記複数の端子は、前記差動データ信号よりも低い周波数の差動クロック信号に割り当てられた差動クロック信号端子と、シングルエンド信号に割り当てられたシングルエンド信号端子と、電源に割り当てられた少なくとも一つの電源端子とを含む、
［３］の半導体記憶装置。
［６］
前記差動データ信号は、ＰＣＩｅ規格に準拠し、
前記少なくとも一つの第１の列を形成する前記複数の端子は、前記差動データ信号の複数のレーンに割り当てられた複数対の前記第１の信号端子を含む、
［５］の半導体記憶装置。
［７］
前記シングルエンド信号端子は、ＰＣＩｅ規格のサイドバンド信号に割り当てられた複数のサイドバンド信号端子を含む、［５］又は［６］の半導体記憶装置。
［８］
前記電源端子は、第１の電源が割り当てられた第１の電源端子と、電圧が前記第１の電源以下である第２の電源が割り当てられた複数の第２の電源端子と、電圧が前記第２の電源以下である第３の電源が割り当てられた複数の第３の電源端子と、を含む、［５］乃至［７］のいずれか一つの半導体記憶装置。
［９］
入力された電源電圧よりも低い電源電圧を生成するレギュレータ、をさらに具備し、
前記電源端子は、第１の電源電圧の電源が割り当てられた前記電源端子と、第２の電源電圧の電源が割り当てられた前記電源端子と、を含み、
前記レギュレータは、前記第１の電源電圧の電源が割り当てられた前記電源端子がグランド接続された場合、前記第２の電源電圧の電源が割り当てられた前記電源端子に印加された前記第２の電源電圧から前記第１の電源電圧を生成する、
［５］乃至［８］のいずれか一つの半導体記憶装置。
［１０］
前記少なくとも一つの第２の列を形成する前記複数の端子は、複数の前記電源端子を含み、
前記コントローラは、前記複数の電源端子に印加された電源電圧の組合せによって前記差動データ信号によるメモリアクセスが可能か否かを判定して、前記シングルエンド信号端子から判定結果を出力し、
前記メモリは、前記差動データ信号による初期化が完了すると、当該メモリに記録された電源仕様情報が読み出し可能となる、
［５］乃至［９］のいずれか一つの半導体記憶装置。
［１１］
配線、をさらに具備し、
少なくとも前記コントローラの一部の辺は、前記少なくとも一つの第１の列と前記少なくとも一つの第２の列との間に位置するとともに前記少なくとも一つの第１の列に含まれる前記信号端子に前記配線によって接続された接続端子、を前記一部の辺に有する、
［１］乃至［１０］のいずれか一つの半導体記憶装置。
［１２］
前記第１の方向と前記第２の方向とは互いに直交し、
前記第１の方向における長さが１４±０．１ｍｍである、
前記第２の方向における長さが１８±０．１ｍｍであり、
［１］乃至［１１］のいずれか一つの半導体記憶装置。
［１３］
前記筐体は、前記第１の側縁の反対側に位置して前記第２の方向に延びた第２の側縁と、前記第１の端縁と前記第２の側縁との間の第２の角部と、をさらに有し、
前記第１の角部の形状と、前記第２の角部の形状とが互いに異なる、
［１］乃至［１２］のいずれか一つの半導体記憶装置。
［１４］
前記第１の角部は、前記第１の端縁の一方の端と前記第１の側縁の端との間で直線状に延び、
前記第１の方向における前記第１の端縁の前記一方の端と前記第１の側縁との間の長さが１．１ｍｍであり、
前記第２の方向における前記第１の端縁と前記第１の側縁の前記端との間の長さが１．１ｍｍであり、
前記第２の角部は、前記第１の端縁の他方の端と前記第２の側縁の端との間で円弧状に延び、
前記第２の角部の半径が０．２ｍｍである、
［１３］の半導体記憶装置。
［１５］
前記コントローラは、前記複数の電源端子に印加された電源電圧の組合せと、前記初期化の結果と、に応じてメモリアクセス性能を制御し、パワーステート情報を変更することが可能である、［１０］の半導体記憶装置。
［１６］
前記複数の端子が複数の前記第１の列を形成する場合、それぞれの前記第１の列において前記端子の前記第１の端縁から遠い側の端が前記第２の方向において同一位置に揃えられ、他の前記第１の列よりも前記第１の端縁に近い一つの前記第１の列に含まれる前記信号端子のそれぞれの前記第２の方向における長さは、前記グランド端子及び前記電源端子のそれぞれの前記第２の方向における長さよりも短く、且つ他の前記第１の列に含まれる前記端子のそれぞれの前記第２の方向における長さが等しい、
［５］乃至［１０］のいずれか一つの半導体記憶装置。
［１７］
前記第１の列に含まれる前記信号端子の前記第１の方向におけるそれぞれの長さが等しい、［１］乃至［１６］のいずれか一つの半導体記憶装置。

１０…メモリーカード、１１…筐体、１３…フラッシュメモリ、１３ａ…電源仕様情報、１４…カードコントローラ、１４ａ…辺、２１…第１の面、２２…第２の面、３１…第１の縁、３２…第２の縁、３３…第３の縁、３５…第１の角部、３６…第２の角部、５３，５４…レギュレータ、Ｃ…切欠き、Ｐ，Ｐ１～Ｐ２６，Ｐ１０１～Ｐ１３９…端子、ＰＷＲ１，ＰＷＲ２，ＰＷＲ３…電源電圧、Ｗ，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１１，Ｗ１２…配線、ＣＰ…接続端子，Ｒ１１，Ｒ１２…第１の列、Ｒ２１，Ｒ２２…第２の列。

Claims

第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面と、第１の方向に延びた第１の端縁と、前記第１の端縁の反対側に位置して前記第１の方向に延びた第２の端縁と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びた第１の側縁と、前記第１の端縁と前記第１の側縁との間の切欠きを形成する第１の角部と、を有する筐体と、
前記筐体の内部に設けられたメモリと、
前記筐体の内部に設けられ、前記メモリを制御するコントローラと、
信号の伝送に用いられる複数の信号端子を含み、前記第１の面で露出した、複数の端子と、
を具備し、
前記複数の端子は、少なくとも一つの第１の列と、少なくとも一つの第２の列と、を形成し、
前記少なくとも一つの第１の列は、前記第２の端縁よりも前記第１の端縁に近い位置で互いに間隔を介して前記第１の方向に並べられた前記複数の端子をそれぞれが含み、
前記少なくとも一つの第２の列は、前記第１の列よりも前記第２の端縁に近い位置で互いに間隔を介して前記第１の方向に並べられた前記複数の端子をそれぞれが含み、
前記第１の列を形成する前記複数の端子は、ＰＣＩｅ規格に準拠する差動データ信号の複数のレーンに割り当てられた複数対の第１の信号端子と、グランドに割り当てられた複数のグランド端子と、を含み、
前記第２の列を形成する前記複数の端子は、電源に割り当てられた複数の電源端子を含み、
前記複数の電源端子は、第１の電源が割り当てられた第１の電源端子と、電圧が前記第１の電源以下である第２の電源が割り当てられた複数の第２の電源端子と、電圧が前記第２の電源以下である第３の電源が割り当てられた複数の第３の電源端子と、を含む、
半導体記憶装置。
前記複数の信号端子は、前記第１の信号端子よりも低い周波数の信号の伝送に用いられる第２の信号端子と、を含み、
前記第２の信号端子は、前記第２の列に含まれる、
請求項１の半導体記憶装置。
前記第１の列に含まれる前記信号端子の数は、前記第２の列に含まれる前記信号端子の数よりも多い、請求項１の半導体記憶装置。
前記複数対の第１の信号端子は、それぞれの対が前記複数のグランド端子のうち二つの間に位置する、
請求項１の半導体記憶装置。
前記第２の列を形成する前記複数の端子は、前記差動データ信号よりも低い周波数の差動クロック信号に割り当てられた差動クロック信号端子と、シングルエンド信号に割り当てられたシングルエンド信号端子と、を含む、
請求項１乃至請求項４のいずれか一つの半導体記憶装置。
前記シングルエンド信号端子は、ＰＣＩｅ規格のサイドバンド信号に割り当てられた複数のサイドバンド信号端子を含む、請求項５の半導体記憶装置。
入力された電源電圧よりも低い電源電圧を生成するレギュレータ、をさらに具備し、
前記レギュレータは、前記複数の第３の電源端子がグランド接続された場合、前記複数の第２の電源端子に印加された前記第２の電源から前記第３の電源を生成する、
請求項１の半導体記憶装置。
前記第２の列を形成する前記複数の端子は、前記複数の電源端子を含み、
前記コントローラは、前記複数の電源端子に印加された電源電圧の組合せによって前記差動データ信号によるメモリアクセスが可能か否かを判定して、前記シングルエンド信号端子から判定結果を出力し、
前記メモリは、前記差動データ信号による初期化が完了すると、当該メモリに記録された電源仕様情報が読み出し可能となる、
請求項５の半導体記憶装置。