KR20200006505A - 전자 부품의 제조 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

전자 부품의 제조 방법은 지그에 지지된 전자 부품 본체(1) 각각의 단부에 도포된 도전성 페이스트(4)를 정반(100)의 표면(101)에 접촉시키는 블롯 공정을 가진다. 이 블롯 공정은 전자 부품 본체(1) 각각의 단면(2A)과 정반(100)의 표면(101) 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 공정과, 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 투영되는 2차원 위치를 2차원 위치가 정반(100)의 표면(101)과 평행하게 이동하는 방향이 축차 변화(예를 들면 원 궤도)하도록 변경하는 위치 변경 공정을 동시에 실시시킨다.

Description

전자 부품의 제조 방법 및 장치{ELECTRONIC COMPONENT MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS}
본 발명은 전자 부품의 제조 방법 및 장치 등에 관한 것이다.
본 발명자는, 예를 들면 적층 세라믹 콘덴서, 인덕터, 서미스터 등의 전자 부품 본체의 단면(端面)에 도전성 페이스트층을 딥(dip) 도포하여 전자 부품 본체에 외부 전극을 형성하는 장치 및 방법을 제안하고 있다(일본 공개특허공보 특개2002-237403호). 딥 도포된 그대로의 도전성 페이스트층의 막 두께는 균일화되지 않는다. 따라서, 도전성 페이스트가 딥 도포된 전자 부품 본체를 정반(定盤)면에 형성된 도전성 페이스트막층으로부터 끌어 올린 후에, 전자 부품 본체의 단부(端部)에 형성된 도전성 페이스트의 처짐부를 도전성 페이스트막층이 제거된 정반면에 접촉시키는 것도 제안되고 있다(일본 공개특허공보 특개소63-45813호). 이 공정은 전자 부품 본체 측의 여분의 도전성 페이스트를 정반에 의해 닦아내기 때문에 블롯(blot) 공정이라고 일컬어진다.
일본 공개특허공보 특개2002-237403호 일본 공개특허공보 특개소63-45813호
본 발명은 전자 부품 본체의 단부에 형성되는 도전성 페이스트층의 형상이 불균일해지는 원인을 예의 연구한 결과에 기초하여, 블롯 공정을 더 개량한 전자 부품의 제조 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(1) 본 발명의 한 양태는,
지그(jig)에 지지된 전자 부품 본체의 단면을 포함하는 단부에 도포된 도전성 페이스트를 정반의 표면에 접촉시켜 여분의 도전성 페이스트를 상기 정반에 전사시키는 블롯 공정을 가지며,
상기 블롯 공정은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 공정과, 상기 전자 부품 본체의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 상기 정반의 상기 표면과 평행한 면 내에서의 상기 2차원 위치의 이동 방향이 축차(逐次) 변화하도록 변경하는 위치 변경 공정을 동시에 실시하는 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 한 양태에 따르면, 위치 변경 공정의 실시에 의해 정반과 평행한 면 내에서의 전자 부품 본체의 정반에 대한 상대적 이동 방향이 축차 변화한다. 여기서, 전자 부품 본체의 여분의 도전성 페이스트는 정반 또는 정반에 전사된 도전성 페이스트에 끌어당겨지는데, 그 인장(引張) 방향이 축차 변화하므로 떨어지기 쉬워진다. 더욱이, 여분의 도전성 페이스트는 상대적 이동 방향이 축차 변화하지 않는 직선 이동 때와 같이 이동 방향 하류에 정류하여 도전성 페이스트층의 막 두께를 국소적으로 두껍게 하는 바와 같은 문제는 발생하지 않는다. 또한, 단면이 사각형인 전자 부품 본체에서는 여분의 도전성 페이스트가 모서리부에 모이기 쉬워져, 모서리부에서의 도전성 페이스트의 막 두께를 확보하기 쉬워진다. 또한, 거리 변경 공정의 실시에 의해, 블롯 공정 중에 정반에 접촉되는 도전성 페이스트의 양을 조정할 수 있다. 따라서, 전자 부품 본체에 확보하고자 하는 도전성 페이스트의 막 두께에 따라 거리 변경 공정에서 거리를 단축할지 연장할지를 선택하여 막 두께 조정하는 것이 가능해진다. 이 블롯 공정은 거리 변경 공정 및 위치 변경 공정을 포함하는 블롯 공정 중에 여분의 도전성 페이스트가 떨어지고, 블롯 공정 후에 도전 페이스트가 코브웨빙을 형성시킬 일은 없다.
한편, 블롯 공정은 지그에 지지된 복수개의 전자 부품 본체에 대해 동시에 실시해도 된다. 또한, 블롯 공정은 정반의 표면에 미리 도전성 페이스트를 도포하여, 정반의 표면을 도전성 페이스트의 웨트(wet)층을 형성하여 실시해도 된다. 이렇게 하면 블롯 공정에서는 전자 부품 본체의 여분의 도전성 페이스트는 정반의 표면에 형성된 웨트층과 접촉한다. 이 경우, 전자 부품 본체의 여분의 도전성 페이스트는 주로 금속으로 형성되는 정반 자체의 드라이한 표면보다도, 동일한 도전성 페이스트층에 의한 웨트층에 전사되기 쉬워진다.
(2) 본 발명의 한 양태 (1)에서는 상기 위치 변경 공정에서는 상기 2차원 위치의 이동 궤적이 루프(loop)를 그리고, 상기 블롯 공정은 상기 전자 부품 본체를 상기 정반의 상기 표면에 대해 상대적으로 나선 형상으로 이동시킬 수 있다. 그로써, 필요로 하는 정반의 면적을 최소한으로 하면서 위치 변경 공정을 효율적으로 실시할 수 있다.
(3) 본 발명의 한 양태 (1) 또는 (2)에서는 상기 거리 변경 공정은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 연장할 수 있다. 이렇게 하면, 블롯 공정 중에 전자 부품 본체가 정반으로부터 떨어지는 방향으로 상대 이동한다. 이 때문에, 정반에 전사되는 도전성 페이스트의 양이 적어지고, 전자 부품 본체의 도전성 페이스트의 막 두께를 비교적 두껍게 확보할 수 있다.
(4) 본 발명의 한 양태(1) 또는 (2)에서는 상기 거리 변경 공정은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축할 수 있다. 이렇게 하면, 블롯 공정 중에 전자 부품 본체가 정반에 접근하는 방향으로 상대 이동한다. 이 때문에, 정반에 전사되는 도전성 페이스트의 양이 많아지고, 전자 부품 본체의 도전성 페이스트의 막 두께를 비교적 얇게 확보할 수 있다. 또한, 상기 거리 변경 공정은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축한 후, 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 연장해도 된다.
(5) 본 발명의 다른 양태는,
지그에 지지된 복수개의 전자 부품 본체 각각의 단면을 포함하는 단부에 도포된 도전성 페이스트를 정반의 표면에 접촉시키는 블롯 공정을 가지며,
상기 블롯 공정에서는 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축하는 높이 변경 공정과, 상기 높이 변경 공정에 의해 설정된 다른 높이에서 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 변경하는 위치 변경 공정이 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동시킴으로써 실시되는 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태 (5)에 따르면, 높이 변경 공정에 의해 복수개의 전자 부품 본체가 상대적으로 정반에 접근하고, 위치 변경 공정에 의해 복수개의 전자 부품 본체는 상대적으로 정반과 평행한 방향으로 이동된다. 여기서, 지그에 지지된 복수개의 전자 부품 본체의 단면의 위치는 불균일할 수 있다. 이 경우, 높이 변경 공정이 없으면, 정반의 표면에 대한 지그의 높이 위치를 일정하게 하여 블롯 공정이 실시된다. 그렇게 하면, 정반의 표면으로부터 단면까지의 거리가 짧은 전자 부품 본체와, 정반의 표면으로부터 단면까지의 거리가 긴 전자 부품 본체가 혼재한 채로 블롯 공정이 실시된다. 이것이, 복수개의 전자 부품 본체의 단부에 도포되는 도전성 페이스트층의 형상의 균일성을 저해한다. 본 발명의 다른 양태에 따르면, 높이 변경 공정에 의해 설정된 다른 높이에서 위치 변경 공정을 실시함으로써, 복수개의 전자 부품 본체의 단면의 위치의 불균일함에 구애되지 않고, 복수개의 전자 부품 본체의 단면에 형성되는 도전성 페이스트층은 필요한 두께로 균일화된다. 그로써, 복수개의 전자 부품 본체의 단부에 형성되는 도전성 페이스트층의 형상이 균일화된다.
(6) 본 발명의 다른 양태 (5)에서는 상기 블롯 공정은 상기 높이 변경 공정과 상기 위치 변경 공정을 동시에 실시하는 공정을 포함할 수 있다. 이렇게 하면, 복수개의 전자 부품 본체가 상대적으로 정반에 접근함과 동시에, 복수개의 전자 부품 본체는 상대적으로 정반과 평행한 방향의 성분을 포함하여 이동된다. 그로써, 지그에 지지된 복수개의 전자 부품 본체의 단면의 위치가 불균일한 양이 제각각이더라도, 도전성 페이스트층의 두께가 균일화된다.
(7) 본 발명의 다른 양태(6)에서는 동시에 실시되는 상기 높이 변경 공정과 상기 위치 변경 공정에 의해 상기 복수개의 전자 부품 본체를 상기 정반의 상기 표면에 대해 상대적으로 나선 형상으로 이동시키면서 접근시킬 수 있다. 그로써, 필요로 하는 정반의 면적을 최소한으로 하면서 위치 변경 공정을 효율적으로 실시할 수 있다. 또한, 블롯 공정 중에 정반과 평행한 면 내에서 정반과 전자 부품 본체의 상대적 이동 방향이 축차 변화한다. 그로써, 정반 또는 정반에 전사된 도전성 페이스트가 전자 부품 본체의 도전성 페이스트를 끌어당겨, 전자 부품 본체 측의 여분의 도전성 페이스트를 정반 측에 전사할 수 있다.
(8) 본 발명의 또 다른 양태는,
지그에 지지된 복수개의 전자 부품 본체 각각의 단면을 포함하는 단부를 제1 정반의 표면에 형성된 도전성 페이스트의 딥층에 접촉시켜, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단부에 상기 도전성 페이스트를 도포하는 도포 공정을 가지며,
상기 도포 공정은 상기 제1 정반의 상기 표면에 수직인 방향으로 이동 가능하게 상기 복수개의 전자 부품 본체를 탄성적으로 지지한 상기 지그와 상기 제1 정반을 상대적으로 이동시켜, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면을 상기 제1 정반의 상기 표면에 접촉시키는 공정을 포함하는 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태 (8)에 따르면, 복수개의 전자 부품 본체를 탄성적으로 지지한 지그와 제1 정반을 상대적으로 이동시켜, 복수개의 전자 부품 본체 각각의 단면을 제1 정반의 상기 표면에 접촉시키고 있다. 여기서, 지그에 지지된 복수개의 전자 부품 본체의 단면의 위치는 불균일하더라도, 앞서 제1 정반의 표면과 접촉한 전자 부품 본체는 이 전자 부품 본체를 탄성적으로 지지하는 지그에 의해 제1 정반의 상기 표면에 수직인 방향으로 퇴피(退避) 이동된다. 그로써, 모든 전자 부품 본체의 단면이 제1 정반의 표면과 접촉된다. 그 결과, 모든 전자 부품 본체에서 단면으로부터 세워지는 측면에 대한 도전성 페이스트의 도포 길이가 동일해진다. 그로써, 전자 부품 본체의 단부에 형성되는 도전성 페이스트층의 형상이 균일화된다.
(9) 본 발명의 또 다른 양태 (8)에서는 제1 정반을 이용한 도포 공정 후에 본 발명의 다른 양태 (5)의 블롯 공정을 제2 정반을 이용하여 실시할 수 있다. 그로써, 전자 부품 본체의 단면에 형성되는 도전성 페이스트층의 두께도 균일화된다.
(10) 본 발명의 또 다른 양태 (9)에서는 상기 표면에 형성된 상기 딥층이 제거된 상기 제1 정반을 상기 제2 정반으로 겸용할 수 있다. 그로써, 이 제조 방법이 실시되는 장치를 소형화할 수 있다.
(11) 본 발명의 또 다른 양태는,
전자 부품 본체를 지지하는 지그와,
정반과,
상기 정반의 표면과 수직인 방향과 상기 정반의 상기 표면에 평행한 방향으로 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동시키는 이동 수단과,
상기 이동 수단을 제어하여, 상기 지그에 지지된 상기 전자 부품 본체의 각 단면을 포함하는 단부에 도포된 도전성 페이스트를 상기 정반의 상기 표면에 접촉시켜, 여분의 도전성 페이스트를 상기 정반에 전사시키는 블롯 동작을 실행시키는 제어 수단을 가지며,
상기 제어 수단은 상기 이동 수단이 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 이동과, 상기 전자 부품 본체의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 상기 정반의 상기 표면과 평행한 면 내에서의 상기 2차원 위치의 이동 방향이 축차 변화되도록 변경하는 위치 변경 이동을 동시에 실시하도록 시키는 전자 부품의 제조 장치에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태 (11)에서는 본 발명에 한 양태 (1)에 따른 전자 부품의 제조 방법을 알맞게 실시할 수 있다.
(12) 본 발명의 또 다른 양태는,
복수개의 전자 부품 본체를 지지하는 지그와,
정반과,
상기 정반의 표면과 수직인 방향과 상기 정반의 상기 표면에 평행한 방향으로 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동시키는 이동 수단과,
상기 이동 수단을 제어하여, 상기 지그에 지지된 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 단면을 포함하는 단부에 도포된 도전성 페이스트를 상기 정반의 상기 표면에 접촉시키는 블롯 동작을 실행시키는 제어 수단을 가지며,
상기 제어 수단은 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축하는 높이 변경 동작과, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 변경하는 위치 변경 동작을 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동 제어함으로써 실행하는 전자 부품의 제조 장치에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태 (12)에서는, 본 발명의 다른 양태 (5)에 따른 전자 부품의 제조 방법을 알맞게 실시할 수 있다.
(13) 본 발명의 또 다른 양태는,
복수개의 전자 부품 본체를 지지하는 지그와,
정반과,
상기 정반의 표면과 수직인 방향과 상기 정반의 상기 표면에 평행한 방향으로 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동시키는 이동 수단과,
상기 이동 수단을 제어하여, 상기 지그에 지지된 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 단면을 포함하는 단부를 상기 정반의 상기 표면에 형성된 도전성 페이스트의 딥층에 접촉시켜, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단부에 상기 도전성 페이스트를 도포하는 도포 동작을 실행시키는 제어 수단을 가지며,
상기 지그는 상기 정반의 상기 표면에 수직인 방향으로 이동 가능하게 상기 복수개의 전자 부품 본체를 탄성적으로 지지하며,
상기 제어 수단은 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동시켜, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면을 상기 정반의 상기 표면에 접촉시키는 전자 부품의 제조 장치에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태 (13)에서는 본 발명의 또 다른 양태 (8)에 따른 전자 부품의 제조 방법을 알맞게 실시할 수 있다.
(14) 본 발명의 또 다른 양태 (13)에서는 상기 제어 수단은 상기 도포 동작 후에, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면과 상기 딥층이 제거된 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축하는 높이 변경 동작과, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 변경하는 위치 변경 동작을 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동 제어함으로써 실행하여, 상기 지그에 지지된 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단부에 도포된 상기 도전성 페이스트를 상기 정반의 상기 표면에 접촉시키는 블롯 동작을 실행시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태 (14)에서는 본 발명의 또 다른 양태 (9) 및 (10)에 따른 전자 부품의 제조 방법을 알맞게 실시할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 전자 부품의 제조 방법 및 장치에 의해 제조되는 전자 부품의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 전자 부품의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시형태에 따른 전자 부품의 제조 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 제조 장치의 블록도이다.
도 5(A)(B)는 도 3 및 도 4에 나타내는 제조 장치로 실시되는 블롯 공정을 나타내는 도면이다.
도 6(A)~도 6(D)는 본 발명의 제1 실시형태인 도 5(A)의 블롯 공정의 동작을 설명하는 도면이다.
도 7(A)~도 7(D)는 본 발명의 제1 실시형태인 도 5(B)의 블롯 공정의 동작을 설명하는 도면이다.
도 8(A)~도 8(D)는 거리 변경 공정을 수반하지 않는 비교예의 블롯 공정의 동작을 설명하는 도면이다.
도 9는 도 5(A) 또는 도 5(B)의 블롯 공정을 실시하여 제조된 전자 부품 본체의 단면도이다.
도 10은 도 3 및 도 4에 나타내는 제조 장치로 실시되는 본 발명의 제3 실시형태의 도포 공정을 나타내는 도면이다.
도 11은 비교예의 도포 공정을 나타내는 도면이다.
도 12는 도 5(B)에 나타내는 본 발명의 제3 실시형태의 블롯 공정에서의 각 하강 위치에서의 도전성 페이스트의 상황을 나타내는 도면이다.
도 13은 본 실시형태와 2개의 비교예의 각 블롯 공정을 평가한 데이터를 나타내는 도면이다.
이하의 개시에서, 제시된 주제의 다른 특징을 실시하기 위한 많은 다른 실시형태나 실시예를 제공한다. 물론 이들은 단순한 예이며, 한정적인 것을 의도하는 것은 아니다. 더욱이, 본 개시에서는 다양한 예에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복하고 있는 경우가 있다. 이와 같이 반복하는 것은 간결 명료하게 하기 위함이며, 그 자체가 다양한 실시형태 및/또는 설명되어 있는 구성과의 사이에 관계가 있는 것을 필요로 하는 것은 아니다. 더욱이, 제1 요소가 제2 요소에 "접속되어 있다" 또는 "연결되어 있다"라고 기술할 때, 그와 같은 기술은 제1 요소와 제2 요소가 서로 직접적으로 접속 또는 연결되어 있는 실시형태를 포함함과 함께, 제1 요소와 제2 요소가 그 사이에 개재하는 1 이상의 다른 요소를 가져 서로 간접적으로 접속 또는 연결되어 있는 실시형태도 포함한다. 또한, 제1 요소가 제2 요소에 대해 "이동한다"라고 기술할 때, 그와 같은 기술은 제1 요소 및 제2 요소 중 적어도 한 쪽이 다른 쪽에 대해 이동하는 상대적인 이동의 실시형태를 포함한다.
1. 전자 부품
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 전자 부품(1A)을 나타내고, 도 2는 전자 부품 본체(1)에 형성된 도전층(4A)의 절단면을 나타내고 있다. 여기서, 본 발명이 적용되는 전자 부품(1A)의 크기에 특별히 제약은 없는데, 다운사이징에 따라 초소형화된 전자 부품(1A)에 알맞다. 초소형 전자 부품(1A)으로는 도 1에 나타내는 예를 들면 직사각형(정방형 또는 장방형) 절단면의 한 변의 최대길이를 L1로 하고, 직사각형 절단면과 직교하는 방향의 길이를 L2로 했을 때, L1=500㎛ 이하이면서 L2=1000㎛ 이하이다. 바람직하게는 L1=300㎛ 이하이면서 L2=600㎛ 이하, 더 바람직하게는 L1=200㎛ 이하이면서 L2=400㎛ 이하, 더 바람직하게는 L1=125㎛ 이하이면서 L2=250㎛ 이하이다. 한편, 여기서 말하는 직사각형이란, 두 변이 교차하는 코너가 엄밀하게 90°인 것 외에, 코너가 만곡 또는 모따기된 대략적인 직사각형도 포함하는 것으로 한다. 한편, 본 발명은 직사각형 절단면 이외의 전자 부품(1A)에도 적용 할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
도 2에서 전자 부품(1A)은 전자 부품 본체(1)의 단부에 도전성 페이스트층으로 이루어지는 전극(4A)이 형성된다. 전자 부품 본체(1)의 단부(2)는 단면(2A)과, 측면(2B)과, 단면(2A) 및 측면(2B)을 연결하는 모서리부(2C)를 포함한다. 단면(2A)에 형성된 전극(4A)의 실질적으로 균일한 두께(T1)와 측면(2B)에 형성된 전극(4A)의 실질적으로 균일한 두께(T2)는 실질적으로 T1=T2로 할 수 있다. 또한, 모서리부(2C)에 형성된 전극(4A)의 두께(T3)는 T3≥T1 또는 T3≥T2로 할 수 있다. 또한, 측면(2B)에 형성되는 전극(4A)의 단면(2A)으로부터의 전극 길이를 L3으로 한다. 본 발명의 실시형태에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 복수개의 전자 부품(1A)은 전극(4A)의 치수(T1~T3 및 L3)의 균일성을 가지는 것이 요구된다.
2. 전자 부품의 제조 장치
도 3은 본 실시형태의 실시에 이용되는 제조 장치(10)를 나타내고, 도 4는 제어계 블록도를 나타내고 있다. 이 제조 장치(10)는 캐리어 플레이트(지그)(20)와, 이동 기구(50)와, 정반(100)을 가진다. 도 3에서는 직교 3축 방향을 X, Y, Z로 한다.
복수개의 전자 부품 본체(1)를 아래로 늘어뜨려 지지하는 캐리어 플레이트(지그)(20)는 정반(100)의 표면(101)에 수직인 방향으로 이동 가능하게 복수개의 전자 부품 본체(1)를 탄성적으로 지지한다. 캐리어 플레이트(20)는, 예를 들면, Z방향으로 탄성 변형 가능한 점착 테이프로 구성할 수 있다. 캐리어 플레이트(20)는 지그 고정판(30)에 탈착이 자유롭게 지지된다. 지그 고정판(30)의 상방에는 기반(40)이 고정되고, 하방에는 정반(100)이 배치된다.
정반(100)에는 스퀴지(squeegee)(112) 및 블레이드(114)를 구비한 스퀴지 유닛(110)이 마련된다. 스퀴지 유닛(110)은 정반(100) 상을 이동한다. 스퀴지 유닛(110)은 블레이드(114)를 이동시킴으로써, 정반(100)의 표면(101)에 도전성 페이스트(120)에 의한 높이(H)의 딥층을 형성할 수 있다. 스퀴지 유닛(110)은 스퀴지(112)를 이동시킴으로써, 정반(100)의 표면(101)으로부터 도전성 페이스트(120)의 딥층을 긁어낼 수 있다.
기반(40)에는 지그 고정판(30)을 이동시키는 이동 기구(50)가 마련된다. 여기서, 이동 기구(50)는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 포함할 수 있다. 한편, 이동 기구(50)는 지그 고정판(30) 및 정반(100)을 X, Y, Z축 방향으로 상대적으로 이동시키는 것이면 된다. 즉, 이동 기구(50)는 정반(100)을 이동하는 것이어도 된다. 혹은, 지그 고정판(30)을 이동시키는 이동 기구(50)와 정반(100)을 이동시키는 이동 기구(50)를 마련해도 된다. 혹은, 이동 기구(50)에 포함되는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)의 일부가 지그 고정판(30)을 이동시키고, 타부(他部)가 정반(100)을 이동시켜도 된다.
X축 구동부(60)는 X축 가이드(62)를 따라 기반(40)에 대해 X축 방향으로 이동 가능한 X테이블로 구성할 수 있다. Y축 구동부(70)는 Y축 가이드(72)를 따라 X축 구동부(60)에 대해 Y축 방향으로 이동 가능한 Y테이블로 구성할 수 있다. Z축 구동부(80)는 예를 들면 Y축 구동부(70)에 고정되고, Z축(82)을 Z축 방향으로 이동 가능하다. 지그 고정판(30)은 Z축(82)에 고정된다. 한편, 도 3에서는 X, Y, Z축의 구동원인 예를 들면 모터 및 그 구동력 전달 기구의 도시는 생략되어 있다.
이렇게 하여, 지그 고정판(30), 캐리어 플레이트(20) 및 복수개의 전자 부품 본체(1)는 이동 기구(50)에 의해 정반(100)에 대해 상대적으로 Z축 방향으로 이동됨과 함께, 정반(100)의 표면에 평행한 X-Y평면을 따라 이동 가능하다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제조 장치(10)는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 제어하는 제어부(90)를 가진다. 제어부(90)는 키보드 등의 조작 입력부(92)에 접속된다. 제어부(90)는 기억부(91)를 포함하고, 기억부(91)에는 조작 입력부(92)를 통해 입력된 조작 정보나 미리 등록된 프로그램 등이 기억된다. 제어부(90)는 기억부(91)에 기억된 데이터나 프로그램에 따라, X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 제어한다. 제어부(90)는 X축 구동부(60) 및 Y축 구동부(70)에 의해 지그 고정판(30)을 정반(100)과 평행한 면 내에서 예를 들면 원 궤도로 이동시킬 수 있다. 또한, 제어부(90)는 X축 구동부(60) 및 Y축 구동부(70)에 의한 원 궤도의 이동과 동시에 Z축 구동부(80)에 의해 지그 고정판(30)을 상승 또는 하강시킬 수 있다.
3. 전자 부품의 제조 방법
본 실시형태의 제조 장치(10)에서는 도포 공정과 그 후의 블롯 공정이 실시된다. 도포 공정이란, 캐리어 플레이트(20)에 지지된 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단면(2A)을 포함하는 단부(2)를 정반(100)의 표면(101)에 형성된 도전성 페이스트의 딥층에 접촉시켜, 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단부(2)에 도전성 페이스트를 도포하는 공정이다. 블롯 공정이란, 캐리어 플레이트(20)에 지지된 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단부(2)에 도포된 도전성 페이스트를 정반(100)의 표면(101)에 접촉시켜, 여분의 도전성 페이스트를 정반(100)에 전사하는 공정이다.
3.1. 제1 실시형태
도 5(A)에 제1 실시형태의 블롯 공정을 모식적으로 나타낸다. 도 5(A)는 정반(100)과 캐리어 플레이트(20)에 지지된 복수개의 전자 부품 본체(1)(도 5에서는 하나만 나타냄)의 블롯 공정에서의 상대적 이동의 일례를 나타낸다. 이 블롯 공정에서는 전자 부품 본체(1) 각각의 단면(2A)과 정반(100)의 표면(101) 사이의 거리를 연장하도록 변경하는 거리 변경 공정과, 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 투영되는 2차원 위치를 정반(100)의 표면(101)과 평행한 면 내에서의 2차원 위치의 이동 방향이 축차 변화하도록 변경하는 위치 변경 공정이, 제어부(90)가 이동 기구(50)를 제어하여 캐리어 플레이트(20)와 정반(100)을 상대적으로 이동시킴으로써 실시된다.
도 5(A)에서는 거리 변경 공정 및 위치 변경 공정의 일례인 나선 운동을 나타내고 있다. 즉, 제어부(90)는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 동시에 제어하여, 전자 부품 본체(1)를 원 또는 타원 등과 같이 루프 궤도로 선회시키면서 정반(100)으로부터 떨어지도록 상승시키고 있다. 도 5(A)에 전자 부품 본체(1)의 상승 도중의 각 위치(A~D)를 나타낸다. 한편, 도 5(A)에서는 후술하는 도 5(B) 및 도 12에서도 마찬가지로, 전자 부품 본체(1)의 단부에 형성되어 있는 도전성 페이스트층에 대해, 블롯 공정 종료 전에는 부호(4)를 붙이고, 블롯 공정 종료 후는 부호(4A)를 붙였다. 또한, 정반(100)에 전사된 도전성 페이스트에는 부호(4B)를 붙였다.
도 6(A)~도 6(D)는 도 5(A)에 나타내는 각 위치(A~D)에서의 블롯 동작을 나타내고 있다. 도 6(A)에서 전자 부품 본체(1)의 단부에 형성되어 있는 도전성 페이스트층(4) 중, 정반(100)과 접촉한 여분의 도전성 페이스트(4B)는 도 6(B) 및 도 6(C)에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1)의 수평 이동 방향의 하류 측으로 끌어당겨지면서 정반(100)에 전사된다. 이 때, 위치 변경 공정의 실시에 의해, 정반(100)과 평행한 면 내에서의 전자 부품 본체(1)의 정반(100)에 대한 상대적 이동 방향이 축차 변화한다. 그리고 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트층(4)은 정반(100) 또는 정반(100)에 전사된 도전성 페이스트(4B)에 끌어당겨지는데, 그 인장 방향이 축차 변화하므로 떨어지기 쉬워진다. 더욱이, 여분의 도전성 페이스트는 상대적 이동 방향이 축차 변화하지 않는 직선 이동 때와 같이 이동 방향 하류에 정류하여 도전성 페이스트층(4A)의 막 두께를 국소적으로 두껍게하는 바와 같은 문제는 발생하지 않는다. 또한, 단면(2A)이 사각형인 전자 부품 본체(1)에서는 여분의 도전성 페이스트가 모서리부(2C)에 모이기 쉬워져, 모서리부(2C)에서의 도전성 페이스트의 막 두께를 확보하기 쉬워진다.
제1 실시형태의 거리 변경 공정에서는 블롯 공정 중에 전자 부품 본체(1)가 정반(100)으로부터 떨어지는 방향으로 상대 이동한다. 이 때문에, 정반(100)에 전사되는 도전성 페이스트의 양이 적어져, 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트의 막 두께를 비교적 두껍게 확보할 수 있다.
3.2. 제2 실시형태
도 5(B)에 제2 본 실시형태의 블롯 공정을 모식적으로 나타낸다. 도 5(B)가 도 5(A)와 다른 점은 거리 변경 방향을 하강 방향으로 한 점뿐이다. 즉, 제어부(90)는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 동시에 제어하여, 전자 부품 본체(1)를 나선 형상으로 선회시키면서 정반(100)에 접근하도록 하강시키고 있다. 도 5(B)에 전자 부품 본체(1)의 하강 도중의 각 위치(A~D)를 나타낸다.
도 7(A)~도 7(D)는 도 5(B)에 나타내는 각 위치(A~D)에서의 블롯 동작을 나타내고 있다. 이 제2 실시형태에서도 제1 실시형태와 동일하게 하여 위치 변경 공정이 실시된다. 제2 실시형태의 거리 변경 공정에서는 블롯 공정 중에 전자 부품 본체(1)가 정반(100)에 접근하는 방향으로 상대 이동한다. 이 때문에, 정반(100)에 전사되는 도전성 페이스트의 양이 많아져, 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트의 막 두께를 비교적 얇게 확보할 수 있다.
이상 설명한 제1, 제2 실시형태에 따르면, 거리 변경 공정의 실시에 의해 블롯 공정 중에 정반(100)에 접촉되는 도전성 페이스트의 양을 조정할 수 있다. 따라서, 전자 부품 본체(1)에 확보하고자 하는 도전성 페이스트의 막 두께에 따라 거리 변경 공정에서 거리를 단축할(제1 실시형태)지 또는 연장할(제2 실시형태)지를 선택하여 막 두께 조정하는 것이 가능해진다. 이 블롯 공정은 거리 및 위치 변경 공정을 포함하는 블롯 공정 중에 여분의 도전성 페이스트가 떨어지고, 블롯 공정 후에 도전 페이스트가 코브웨빙을 형성시킬 일은 없다. 따라서, 코브웨빙의 흔적이 생기지 않으므로, 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트층(4A)의 표면은 플랫해진다.
한편, 제1, 제2 실시형태에서의 위치 변경 공정은 정반(100)과 평행한 평면 내에서 전자 부품 본체(1)와 정반(100)의 상대적 이동 방향이 축차 변화하는 것이라면, 원 궤도, 타원 궤도 등의 루프 궤적 외에, 정반(100)과 평행한 평면 내에서 위치 변경 공정의 시점과 종점이 반드시 일치하지 않아도 된다.
또한, 제1, 제2 실시형태의 도 5(A)(B)의 블롯 공정을 조합하여 실시해도 된다. 우선, 제2 실시형태의 도 7(A), 도 7(B) 및 도 7(C)의 각 공정을 실시한다. 도 7(D)의 상태가 얻어지기 전에 거리 단축 공정을 정지한다. 이어서, 제1 실시형태의 도 6(B), 도 6(C) 및 도 6(D)의 각 공정을 실시하여 블롯 공정이 완료된다. 이때, 도 7(A), 도 7(B) 및 도 7(C)의 공정에서의 선회 방향과 도 6(B), 도 6(C) 및 도 6(D)의 공정에서의 선회 방향은 동일 방향이어도 되고, 역방향이어도 된다. 도 5(A)(B)의 블롯 공정을 조합하여 실시하면, 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트층(4A)의 막 두께는 도 5(A) 또는 도 5(B)의 블롯 공정에 의해 얻어지는 막 두께와는 다르게 할 수 있다. 따라서, 막 두께 조정의 자유도가 넓어진다.
도 8은 거리 변경 공정을 실시하지 않고, 전자 부품 본체(1)와 정반(100)의 수직 방향의 위치를 일정하게 한 채, 위치 변경 공정만을 실시하여 여분의 도전성 페이스트(4C)를 정반(100)에 전사하는 비교예의 블롯 공정을 나타내고 있다. 도 8의 블롯 공정에서는 도 6 및 도 7의 동작은 할 수 없다. 그러나 도 8의 블롯 공정은, 예를 들면 전자 부품 본체(1)에 도포된 도전성 페이스트(4)에 날카로운 돌기가 생겨 있는 바와 같은 경우, 그 돌기를 고르게 하여 도전성 페이스트(4)의 표면을 플랫하게 정형하는 것에 적합하다.
도 9는 제1, 제2 실시형태의 블롯 공정을 실시하여 얻은 전자 부품 본체(1)의 단면도를 나타내고 있다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1)에 형성되는 도전성 페이스트층(4A)은 단면(2A)에 이어지는 네 개의 측면(2B)에서의 막 두께가 균일화되고, 모서리부(2C)에도 필요한 도전성 페이스트층(4A)의 막 두께가 확보된다.
3.3. 제3 실시형태
이 제3 실시형태는 제2 실시형태의 블롯 공정을 이용하여 복수개의 전자 부품 본체(1)에 대해 동시에 블롯 공정을 실시하는 것이다.
3.3.1. 도포 공정
도 10에 본 실시형태의 도포 공정을 나타낸다. 도포 공정에서는 도 10에 나타내는 바와 같이, 정반(100)의 표면(101) 상에 도전성 페이스트(120)(도 3)에 의한 딥층(121)이 미리 형성된다. 그 후, 제어부(90)가 이동 기구(50)를 제어하여, 캐리어 플레이트(20)와 정반(100)을 상대적으로 Z방향으로 이동시켜 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단면(2A)을 정반(100)의 표면(101)에 접촉시킨다. 여기서, 도 10 우측의 전자 부품 본체(1a)의 길이가 좌측의 전자 부품 본체(1b)의 길이보다 h만큼 길다. 전자 부품 본체(1)의 길이의 차이(h)는 예를 들면 수십㎛이다. 이 경우에도, 도 10 우측의 전자 부품 본체(1a)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 접촉한 후에도 Z방향의 이동이 계속됨으로써, 도 10 우측의 전자 부품 본체(1a)는 정반(100)의 표면(101)과의 접촉이 지지된 채, 캐리어 플레이트(20)의 탄성 변형에 의해 상방으로 퇴피된다. 그리고 도 10 좌측의 전자 부품 본체(1b)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 접촉할 때까지 Z방향의 상대 이동이 계속된다. 이때, 도 10 좌측의 전자 부품 본체(1b)가 정반(100)의 표면(101)과의 접촉이 지지된 채, 캐리어 플레이트(20)의 탄성 변형에 의해 상방으로 퇴피되는 오버스트로크(over stroke)분량 만큼, 캐리어 플레이트(20)와 정반(100)을 Z방향으로 상대 이동시켜도 된다. 도 10과 같이, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b) 각각의 단면(2A)을 정반(100)의 표면(101)에 접촉시킴으로써, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b) 각각의 단부(2)에 형성되는 도포 길이는 딥층(121)의 높이(H)와 일치한다. 그로써, 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단부(2)에 형성되는 전극(4A)의 길이(L3)(도 2)가 동일해지고, 전극(4A)의 형상이 균일화된다.
도 11은 비교예의 도포 공정을 나타내고 있다. 도 11에 나타내는 캐리어 플레이트(21)는 도 10의 캐리어 플레이트(20)와는 달리, 전자 부품 본체(1)를 Z방향으로 탄성적으로 이동 가능하도록 지지하는 기능은 없다. 이 경우, 도 11 우측의 전자 부품 본체(1a)가 정반(100)의 표면(101)과 접촉됨으로써, Z방향의 상대 이동이 정지되어 있다. 그 때문에, 도 11 좌측의 전자 부품 본체(1b)는 정반(100)의 표면(101)과 접촉되지 않아, 단부(2)에 형성되는 전극(4A)의 도포 길이는 H1(＜H)이 된다. 따라서, 복수개의 전자 부품 본체(1) 사이에서 단부(2)에 형성되는 전극(4A)의 도포 길이는 제각각이 되어 버린다. 본 발명의 실시형태에 따르면, 도 11에 나타내는 바와 같은 전극(4A)의 도포 길이의 차이를 방지할 수 있다.
3.3.2. 블롯 공정
이 제3 실시형태에서는 도 5(B)에 나타내는 제2 실시형태의 블롯 공정이 채용된다. 도 12는 길이가 다른 2개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 하강 도중의 도 5(B)에 나타내는 각 위치(A~D)에서의 상태를 나타내고 있다. 한편, 도 12에서도 도 10과 마찬가지로 우측의 전자 부품 본체(1a)는 좌측의 전자 부품 본체(1b)보다도 길다.
도 5(B)의 위치(A)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1a, 1b)의 도전성 페이스트층(4)은 정반(100)의 표면(101)에 도달해 있지 않다. 높이 변경 공정이 실시된 도 5(B)의 위치(B)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1a)의 도전성 페이스트층(4)이 정반(100)의 표면(101)에 도달하고, 그 후 전자 부품 본체(1a)의 나선 형상의 하강에 따라 도전성 페이스트층(4)이 정반(100)의 표면(101)과 위치를 바꾸면서 접촉한다. 그로써, 여분의 도전성 페이스트는 정반(100)에 긁어내지고, 전자 부품 본체(1a)에 잔존하고 있는 도전성 페이스트층(4)은 정반(100)에 전사된 도전성 페이스트와의 사이에 코브웨빙이 생기면서 정형된다. 도 5(B)의 위치(C)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1a)에서는 코브웨빙이 종료하여 블롯 공정이 완료된 도전성 페이스트층(4A)이 형성된다.
한편, 높이 변경 공정이 추가로 실시된 도 5(B)의 위치(C)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1b)의 도전성 페이스트층(4)이 정반(100)의 표면(101)에 도달하고, 그 후 전자 부품 본체(1b)의 나선 형상의 하강에 따라 도전성 페이스트층(4)이 정반(100)의 표면(101)과 위치를 바꾸면서 접촉한다. 그로써, 여분의 도전성 페이스트는 정반(100)에 긁어내지고, 전자 부품 본체(1b)에 잔존하고 있는 도전성 페이스트층(4)은 정반(100)에 전사된 도전성 페이스트와의 사이에 코브웨빙이 생기면서 정형된다. 도 5(B)의 위치(D)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1b)에서도 코브웨빙이 종료하여 블롯 공정이 완료된 도전성 페이스트층(4A)이 형성된다.
이상과 같이, 본 실시형태의 블롯 공정의 실시에 의해, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 단면(2A)의 위치가 불균일함에도 불구하고, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 단면에 형성되는 도전성 페이스트층(4A)의 두께가 균일화된다. 그로써, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 단부(2)에 형성되는 도전성 페이스트층(4A)의 형상이 균일화된다. 또한, 이 블롯 공정에서는 높이 변경 공정과 위치 변경 공정이 동시에 실시되고 있다. 이렇게 하면, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)가 상대적으로 정반(100)에 접근됨과 동시에, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)는 상대적으로 정반(100)과 평행한 방향인 성분을 포함하여 이동된다. 더욱이, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)를 정반(100)의 표면(101)에 대해 상대적으로 나선 형상으로 이동시키면서 접근시킴으로써, 필요로 하는 정반(100)의 면적을 최소한으로 하면서 위치 변경 공정을 효율적으로 실시할 수 있다.
한편, 상기와 같이 본 실시형태에 대해 상세하게 설명했는데, 본 발명의 신규 사항 및 효과로부터 실체적으로 일탈하지 않는 많은 변형이 가능한 것은 당업자에게는 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 따라서, 이와 같은 변형예는 모두 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 한다.
예를 들면, 본 발명의 제3 실시형태에서는 도 10에 나타내는 도포 공정과 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정 중 한 쪽만 실시해도 된다. 도 10에 나타내는 도포 공정에 의해, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b) 각각의 단부(2)에 형성되는 도포 길이(L3)(도 2)는 딥층(121)의 높이(H)와 일치한다. 또한, 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정의 실시에 의해, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 단면에 형성되는 도전성 페이스트층(4A)의 두께(T1)(도 2)가 균일화된다. 그로써, 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단부(2)에 형성되는 전극(4A)의 형상이 각각 독립적으로 균일화되기 때문이다.
도 13은 길이가 다른 전자 부품 본체(1a, 1b)에 대해, 비교예 1, 2 및 본 실시형태의 블롯 공정을 실시하여 얻은 대표적인 평가 데이터를 나타낸다. 비교예 1은 일본 공개특허공보 특개소63-45813호에 개시된 블롯 공정을 이용하고 있다. 비교예 2는 전자 부품 본체(1)를 정반(100)에 대해 직선 이동시킨 블롯 공정을 이용하고 있다. 비교예 1, 2의 블롯 공정에서는 전자 부품 본체(1a, 1b)의 길이 차에 기인한 도전성 페이스트층(4A)의 TOP막 두께(도 2의 막 두께(T1))의 차가 7~8㎛로 컸다. 이에 반해, 본 실시형태에서는 도전성 페이스트층(4A)의 TOP막 두께의 차가 2㎛까지 축소되었다. 이로써, 도 5 및 도 12에 나타내는 블롯 공정에 의한 도전성 페이스트층(4A)의 두께(T1)(도 2)의 균일화 효과를 알 수 있다.
또한, 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정은 도 10의 도포 공정에서 이용된 캐리어 플레이트(20)를 반드시 사용하지 않아도 되는데, 블롯 공정에서는 캐리어 플레이트(20)의 탄성 변형은 필요로 하지 않기 때문이다. 더욱이, 도 10에 나타내는 도포 공정과 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정에서는 동일한 정반(100)을 반드시 이용할 필요는 없다. 도 10에 나타내는 도포 공정에서는 제1 정반을 이용하고, 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정에서는 제2 정반을 이용해도 된다.
본 발명의 제3 실시형태의 블롯 공정은 높이 변경 공정과 위치 변경 공정을 반드시 동시에 실시하지 않아도 된다. 요컨대, 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)과 정반(100)의 표면 사이의 거리가 다른 위치에서, 각각 위치 변경 공정이 실시되면 된다. 즉, 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)의 높이가 다른 복수개의 위치에서, 전자 부품 본체(1)와 정반(100)을 X축 및/또는 Y축으로 상대적으로 이동시켜도 된다. 높이 변경 공정과 위치 변경 공정을 동시에 실시하는 경우도 나선 운동에 한정되지 않고, 전자 부품 본체(1)와 정반(100)을 Y축으로 상대적으로 이동시키면서 X축 및/또는 Y축으로 상대적으로 이동시키는 것이면 된다.
또한, 도 10에 나타내는 도포 공정 후에 복수개의 전자 부품 본체(1)의 단부(2)에 형성되는 도전성 페이스트층(4)의 도포 상태를 카메라로 촬영하고, 전자 부품 본체(1a, 1b) 각각의 단부(2)에 형성되는 도포 길이(단면(2A)부터 단부까지의 길이)가 기정 범위와 비교하여, 범위 밖인 전자 부품 본체(1)는 에러로서 배제해도 된다.
한편, 상술한 제1~제3 실시형태의 블롯 공정 전에 정반(100)의 표면(101)에 도전성 페이스트를 도포하여, 정반(100)의 표면(101)을 도전성 페이스트의 웨트층으로 해둘 수 있다. 이렇게 하면, 블롯 공정에서는 전자 부품 본체(1, 1a, 1b)의 여분의 도전성 페이스트는 정반의 표면에 형성된 웨트층과 접촉한다. 이 경우, 전자 부품 본체(1, 1a, 1b)의 여분의 도전성 페이스트는 주로 금속으로 형성되는 정반(100) 자체의 드라이한 표면보다도, 동일한 도전성 페이스트에 의한 웨트층에 전사하기 쉬워진다. 혹은, 도전성 페이스트의 점성이 낮은 경우에는 웨트층에 전사되는 도전성 페이스트의 양을 적게 할 수 있다.

Claims (11)

  1. 지그(jig)에 지지된 전자 부품 본체의 단면(端面)을 포함하는 단부(端部)에 도포된 도전성 페이스트를 정반(定盤)의 표면에 접촉시켜 여분의 도전성 페이스트를 상기 정반에 전사시키는 블롯(blot) 공정을 가지며,
    상기 블롯 공정은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 공정과, 상기 전자 부품 본체의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 상기 정반의 상기 표면과 평행한 면 내에서의 상기 2차원 위치의 이동 방향이 축차(逐次) 변화하도록 변경하는 위치 변경 공정을 동시에 실시하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 위치 변경 공정에서는 상기 2차원 위치의 이동 궤적이 루프(loop)를 그리고,
    상기 블롯 공정은 상기 전자 부품 본체를 상기 정반의 상기 표면에 대해 상대적으로 나선 형상으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 블롯 공정 전에, 상기 정반의 상기 표면에 상기 도전성 페이스트를 도포하여 상기 정반의 상기 표면을 웨트(wet)층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거리 변경 공정은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 연장하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거리 변경 공정은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거리 변경 공정은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축한 후, 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 연장하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 블롯 공정은 상기 지그에 복수개의 전자 부품 본체를 지지하여 실시되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 지그에 지지된 복수개의 전자 부품 본체 각각의 단면을 포함하는 단부를 상기 정반의 표면에 형성된 도전성 페이스트의 딥층에 접촉시켜, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단부에 상기 도전성 페이스트를 도포하는 도포 공정을 더 가지며,
    상기 도포 공정은 상기 정반의 상기 표면에 수직인 방향으로 이동 가능하도록 상기 복수개의 전자 부품 본체를 탄성적으로 지지한 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동시켜, 상기 복수개의 전자 부품 본체 각각의 상기 단면을 상기 정반의 상기 표면에 접촉시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
  9. 전자 부품 본체를 지지하는 지그와,
    정반과,
    상기 정반의 표면과 수직인 방향과 상기 정반의 상기 표면에 평행한 방향으로 상기 지그와 상기 정반을 상대적으로 이동시키는 이동 수단과,
    상기 이동 수단을 제어하여, 상기 지그에 지지된 상기 전자 부품 본체의 각 단면(端面)을 포함하는 단부(端部)에 도포된 도전성 페이스트를 상기 정반의 상기 표면에 접촉시켜, 여분의 도전성 페이스트를 상기 정반에 전사시키는 블롯 동작을 실행시키는 제어 수단을 가지며,
    상기 제어 수단은 상기 이동 수단이 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 이동과, 상기 전자 부품 본체의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 상기 정반의 상기 표면과 평행한 면 내에서의 상기 2차원 위치의 이동 방향이 축차 변화하도록 변경하는 위치 변경 이동을 동시에 실시하도록 시키는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 지그는 복수개의 전자 부품 본체를 지지하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 지그는 상기 정반의 상기 표면에 수직인 방향으로 이동 가능하도록 상기 복수개의 전자 부품 본체를 탄성적으로 지지하는 전자 부품의 제조 장치.
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