KR20210030893A - 전자 부품의 제조 장치 - Google Patents

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KR20210030893A
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가부시키가이샤 크리에이티브 코팅즈
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Abstract

전자 부품의 제조 장치는 전자 부품 본체(1)를 유지하는 유지 부재(20, 23)와, 정반(100)과, 유지 부재와 정반을 상대적으로 이동시키는 이동 수단(50)과, 이동 수단을 제어하는 제어 수단(90)을 가진다. 제어 수단(90)은 전자 부품 본체(1) 각각의 단면(2A)과 정반(100)의 표면(101) 사이의 거리를 단축 또는 연장하여 변경하는 거리 변경 이동과, 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 투영되는 2차원 위치를 2차원 위치가 정반(100)의 표면(101)과 평행으로 이동하는 방향이 축차 변화되(예를 들면 원 궤도)도록 변경하는 위치 변경 이동을 동시에 실시시킨다.

Description

전자 부품의 제조 장치
본 발명은 전자 부품의 제조 장치 등에 관한 것이다.
본 발명자는 예를 들면 적층 세라믹 콘덴서, 인덕터, 서미스터 등의 전자 부품 본체의 단면(端面)에 도전성 페이스트층을 딥(dip) 도포하여 전자 부품 본체에 외부전극을 형성하는 장치 및 방법을 제안하고 있다(특허문헌 1). 딥 도포된 그대로의 도전성 페이스트층의 막 두께는 균일화되지 않는다. 따라서, 도전성 페이스트가 딥 도포된 전자 부품 본체를 정반(定盤)면에 형성된 도전성 페이스트막층으로부터 끌어 올린 후에, 전자 부품 본체의 단부(端部)에 형성된 도전성 페이스트의 처짐부를 도전성 페이스트막층이 제거된 정반면에 접촉시키는 것도 제안되어 있다(특허문헌 2). 이 공정은 전자 부품 본체 측의 여분의 도전성 페이스트를 정반에 의해 닦아내기 때문에 블롯(blot)공정이라고 일컬어진다.
일본 공개특허공보 특개2002-237403호 일본 공개특허공보 특개소63-45813호
블롯 공정을 개량함으로써, 전자 부품 본체의 단부에 형성되는 도전성 페이스트층의 균일성의 향상을 도모하는 것이 기대된다. 그러나 블롯 공정과의 병용에 의해, 혹은 블롯 공정을 반드시 이용하지 않아도, 전자 부품 본체의 단부에 형성되는 도전성 페이스트층의 균일화를 도모하는 것이 가능한 것이 판명됐다.
본 발명은 블롯 공정 이외의 공정을 개선하여 전자 부품 본체의 단부에 형성되는 도전성 페이스트층의 두께나 형상을 균일하게 할 수 있는 전자 부품의 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(1) 본 발명의 한 양태는,
전자 부품 본체를 유지하는 유지 부재와,
정반과,
상기 정반의 표면과 수직인 방향과, 상기 정반의 상기 표면에 평행한 방향으로 상기 유지 부재와 상기 정반을 상대적으로 이동시키는 이동 수단과,
상기 이동 수단을 제어하여 지그(jig)에 유지된 상기 전자 부품 본체의 단면을 상기 정반의 상기 표면에 접촉시키고, 그 후 상기 전자 부품 본체를 상기 정반 측으로부터 분리하는 동작을 실행시키는 제어 수단을 가지며,
상기 제어 수단은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축 또는 연장하여 변경하는 거리 변경 이동과, 상기 전자 부품 본체의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 상기 정반의 상기 표면과 평행한 면 내에서의 상기 2차원 위치의 이동방향이 축차(逐次) 변화되도록 변경하는 위치 변경 이동을, 상기 이동 수단에 의해 동시에 실시시키는 전자 부품의 제조 장치에 관한 것이다.
본 발명의 한 양태(1)에서는 전자 부품 본체의 단면과 정반의 표면 사이의 거리를 단축 또는 연장하여 변경하는 거리 변경 이동 시에 정반의 표면과 평행한 면 내에서의 전자 부품 본체의 2차원 위치의 이동방향이 축차 변화되도록 변경하는 위치 변경 이동이 동시에 실시된다. 그로써, 종래의 거리 변경 이동만으로는 얻어지지 않았던 전자 부품 본체의 상대적인 움직임을 얻을 수 있다. 그로써, 유지 부재에 대한 전자 부품 본체의 장착 자세가 교정되거나 정반의 표면에 형성된 도전성 페이스트에 의한 딥층과의 원활한 분리가 실현된다. 이렇게 하여, 전자 부품 본체의 단부에 형성되는 도전성 페이스트층의 두께나 형상을 균일하게 할 수 있다.
(2) 본 발명의 한 양태(1)에서는,
상기 제어 수단은 상기 거리 변경 이동 시에 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축하면서, 적어도 상기 유지 부재에 유지된 상기 전자 부품 본체의 상기 단면을 상기 정반의 상기 표면에 접촉시킨 후의 오버드라이브(overdrive) 시에 상기 거리 변경 이동과 상기 위치 변경 이동을 동시에 실시하여 상기 유지 부재에 유지되는 상기 전자 부품 본체의 자세를 교정할 수 있다. 이렇게 하면, 도포 공정 전이며 전자 부품 본체의 단면을 정반의 표면에 접촉시키는 프리프레스(prepress) 중에 정반의 표면과 평행한 면 내에서의 전자 부품 본체의 2차원 위치의 이동방향이 축차 변화되는 외력을 전자 부품 본체에 부여할 수 있다. 이렇게 하여, 유지 부재에 대한 전자 부품 본체의 장착 자세가 교정된다.
(3) 본 발명의 한 양태(2)에서는,
상기 유지 부재는 탄성을 가지는 지그 본체와, 상기 지그 본체에 관통 형성되고 상기 전자 부품 본체가 감입되는 구멍을 포함하는 지그로 할 수 있다. 이 경우, 전자 부품 본체가 지그 본체에서 돌출되는 돌출량(헤드 돌출량)이 균일화되어 전자 부품 본체의 자세가 교정된다. 또한, 전자 부품 본체가 구멍의 중심선에 대하여 기울어져 있어도, 전자 부품 본체의 감입이 촉진됨으로써 경사가 해소되어, 전자 부품 본체의 자세가 교정된다.
(4) 본 발명의 한 양태(2)에서는,
상기 유지 부재는 상기 유지 부재는 기재와, 상기 기재에 형성된 접착층을 포함할 수 있고, 상기 접착층은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과는 반대 측의 단면과 접착된다. 이 경우, 전자 부품 본체의 단면 전체가 접착층과 접착하도록 작용되고, 접착층에 대하여 기울어져 장착되어 있던 전자 부품 본체의 자세가 교정된다.
(5) 본 발명의 한 양태(1)에서는,
상기 정반의 상기 표면은 도전성 페이스트의 딥층이고,
상기 제어 수단은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면을 포함하는 단부가 상기 딥층에 침지된 후에, 상기 거리 변경 이동 및 상기 위치 변경 이동을 동시에 실시하면서, 상기 거리 변경 이동 시에 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 연장할 수 있다. 이렇게 하면, 전자 부품 본체의 단부가 딥층에 침지된 후에 전자 부품 본체를 정반 측으로부터 분리할 때에, 정반의 표면과 평행한 면 내에서의 전자 부품 본체의 2차원 위치의 이동방향을 축차 변화시킨 실질적인 블롯 공정을 실시할 수 있다. 그로써, 도포 공정에서 전자 부품 본체의 단부에 형성되는 도전성 페이스트층을 균일화할 수 있다. 또한, 도포 공정 중에서 블롯 공정이 실시되므로, 도포 공정 후의 블롯 공정을 생략하는 것도 가능해진다.
(6) 본 발명의 한 양태(1)~(5)에서는,
상기 유지 부재는 상기 전자 부품 본체를 포함하는 복수개의 전자 부품 본체를 유지할 수 있다.
(7) 본 발명의 한 양태 (1)~(6)에서는 상기 위치 변경 공정에서는 상기 2차원 위치의 이동 궤적이 루프(loop)를 그리고, 상기 거리 변경 이동 및 상기 위치 변경 이동은 상기 전자 부품 본체를 상기 정반의 상기 표면에 대하여 상대적으로 나선 형상으로 이동시킬 수 있다. 그로써, 필요로 되는 정반의 면적을 최소한으로 하면서 위치 변경 공정을 효율적으로 실시할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 전자 부품의 제조 방법 및 장치에 의해 제조되는 전자 부품의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 전자 부품의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시형태에 따른 전자 부품의 제조 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 제조 장치의 블록도이다.
도 5(A), (B)는 도 3 및 도 4에 나타내는 제조 장치로 실시되는 개량된 블롯 공정을 나타내는 도면이다.
도 6(A)~도 6(D)는 도 5(A)의 블롯 공정의 동작을 설명하는 도면이다.
도 7(A)~도 7(D)는 도 5(B)의 블롯 공정의 동작을 설명하는 도면이다.
도 8(A)~도 8(D)는 위치 변경 이동을 수반하지 않는 비교예의 블롯 공정의 동작을 설명하는 도면이다.
도 9는 도 5(A) 또는 도 5(B)의 블롯 공정을 실시하여 제조된 전자 부품 본체의 단면도이다.
도 10은 도 3 및 도 4에 나타내는 제조 장치로 실시되는 도포 공정을 나타내는 도면이다.
도 11은 비교예의 도포 공정을 나타내는 도면이다.
도 12는 도 5(B)에 나타내는 블롯 공정에서의 각 하강 위치에서의 도전성 페이스트의 상황을 나타내는 도면이다.
도 13은 개량된 블롯 공정과 2개의 비교예를 평가한 데이터를 나타내는 도면이다.
도 14(A), (B)는 도 3 및 도 4에 나타내는 제조 장치로 실시되는 본 발명의 실시형태인 제1 프리프레스 공정을 나타내는 도면이다.
도 15(A), (B)는 도 3 및 도 4에 나타내는 제조 장치로 실시되는 본 발명의 실시형태인 제2 프리프레스 공정을 나타내는 도면이다.
도 16(A)~도 16(D)는 도 3 및 도 4에 나타내는 제조 장치로 실시되는 본 발명의 실시형태인 도포 공정을 나타내는 도면이다.
이하의 개시에서 제시된 주제의 다른 특징을 실시하기 위한 많은 다른 실시형태나 실시예를 제공한다. 물론 이들은 단순한 예이며, 한정적인 것을 의도하는 것은 아니다. 더욱이, 본 개시에서는 다양한 예에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복하고 있는 경우가 있다. 이와 같이 반복하는 것은 간결 명료하게 하기 위함이며, 그 자체가 다양한 실시형태 및/또는 설명되어 있는 구성과의 사이에 관계가 있는 것을 필요로 하는 것은 아니다. 더욱이, 제1 요소가 제2 요소에 "접속되어 있다" 또는 "연결되어 있다"라고 기술할 때, 그와 같은 기술은 제1 요소와 제2 요소가 서로 직접적으로 접속 또는 연결되어 있는 실시형태를 포함함과 함께, 제1 요소와 제2 요소가 그 사이에 개재하는 하나 이상의 다른 요소를 가져 서로 간접적으로 접속 또는 연결되어 있는 실시형태도 포함한다. 또한, 제1 요소가 제2 요소에 대하여 "이동한다"라고 기술할 때, 그와 같은 기술은 제1 요소 및 제2 요소 중 적어도 한쪽이 다른 쪽에 대하여 이동하는 상대적인 이동의 실시형태를 포함한다.
1. 전자 부품
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 전자 부품(1A)을 나타내고, 도 2는 전자 부품 본체(1)에 형성된 도전층(4A)의 절단면을 나타내고 있다. 여기서, 본 발명이 적용되는 전자 부품(1A)의 크기에 특별히 제약은 없는데, 다운사이징에 따라 초소형화된 전자 부품(1A)에 알맞다. 초소형 전자 부품(1A)으로는 도 1에 나타내는 예를 들면 직사각형(정방형 또는 장방형) 절단면의 한 변의 최대 길이를 L1로 하고, 직사각형 절단면과 직교하는 방향의 길이를 L2로 했을 때, L1=500㎛ 이하이면서 L2=1000㎛ 이하이다. 바람직하게는 L1=300㎛ 이하이면서 L2=600㎛ 이하, 더 바람직하게는 L1=200㎛ 이하이면서 L2=400㎛ 이하, 더 바람직하게는 L1=125㎛ 이하이면서 L2=250㎛ 이하이다. 한편, 여기서 말하는 직사각형이란, 두 변이 교차하는 코너가 엄밀하게 90°인 것 외에, 코너가 만곡 또는 모따기된 대략적인 직사각형도 포함하는 것으로 한다. 한편, 본 발명은 직사각형 절단면 이외의 전자 부품(1A)에도 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
도 2에서 전자 부품(1A)은 전자 부품 본체(1)의 단부에 도전성 페이스트층으로 이루어지는 전극(4A)이 형성된다. 전자 부품 본체(1)의 단부(2)는 단면(2A)과, 측면(2B)과, 단면(2A) 및 측면(2B)을 잇는 모서리부(2C)를 포함한다. 단면(2A)에 형성된 전극(4A)의 실질적으로 균일한 두께(T1)와 측면(2B)에 형성된 전극(4A)의 실질적으로 균일한 두께(T2)는 실질적으로 T1=T2로 할 수 있다. 또한, 모서리부(2C)에 형성된 전극(4A)의 두께(T3)는 T3≥T1 또는 T3≥T2로 할 수 있다. 또한, 측면(2B)에 형성되는 전극(4A)의 단면(2A)으로부터의 전극 길이를 L3으로 한다. 본 발명의 실시형태에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 복수개의 전자 부품(1A)은 전극(4A)의 치수(T1~T3 및 L3)의 균일성을 가지는 것이 요구된다.
2. 전자 부품의 제조 장치
도 3은 본 실시형태의 실시에 이용되는 제조 장치(10)를 나타내고, 도 4는 제어계 블록도를 나타내고 있다. 이 제조 장치(10)는 전자 부품 본체(1)의 유지 부재인 캐리어 플레이트(지그)(20)와 이동 기구(50)와 정반(100)을 가진다. 도 3에서는 직교 3축 방향을 X, Y, Z로 한다.
복수개의 전자 부품 본체(1)를 아래로 늘어뜨려 유지하는 캐리어 플레이트(지그)(20)는 정반(100)의 표면(101)에 수직인 방향으로 이동 가능하게 복수개의 전자 부품 본체(1)를 탄성적으로 유지한다. 캐리어 플레이트(20)는 예를 들면, Z방향으로 탄성 변형 가능한 점착 테이프로 구성할 수 있다. 캐리어 플레이트(20)는 지그 고정판(30)에 탈착이 자유롭게 지지된다. 지그 고정판(30)의 상방(上方)에는 기반(40)이 고정되고, 하방(下方)에는 정반(100)이 배치된다.
정반(100)에는 스퀴지(squeegee)(112) 및 블레이드(114)를 구비한 스퀴지 유닛(110)이 마련된다. 스퀴지 유닛(110)은 정반(100) 상을 이동한다. 스퀴지 유닛(110)은 블레이드(114)를 이동시킴으로써, 정반(100)의 표면(101)에 도전성 페이스트(120)에 의한 높이(H)의 딥층을 형성할 수 있다. 스퀴지 유닛(110)은 스퀴지(112)를 이동시킴으로써, 정반(100)의 표면(101)으로부터 도전성 페이스트(120)의 딥층을 긁어낼 수 있다.
기반(40)에는 지그 고정판(30)을 이동시키는 이동 기구(50)가 마련된다. 여기서, 이동 기구(50)는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 포함할 수 있다. 한편, 이동 기구(50)는 지그 고정판(30) 및 정반(100)을 X, Y, Z축방향으로 상대적으로 이동시키는 것이면 된다. 즉, 이동 기구(50)는 정반(100)을 이동하는 것이어도 된다. 혹은, 지그 고정판(30)을 이동시키는 이동 기구(50)와, 정반(100)을 이동시키는 이동 기구(50)를 마련해도 된다. 혹은, 이동 기구(50)에 포함되는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)의 일부가 지그 고정판(30)을 이동시키고, 타부(他部)가 정반(100)을 이동시켜도 된다.
X축 구동부(60)는 X축 가이드(62)를 따라 기반(40)에 대하여 X축방향으로 이동 가능한 X테이블로 구성할 수 있다. Y축 구동부(70)는 Y축 가이드(72)를 따라 X축 구동부(60)에 대하여 Y축방향으로 이동 가능한 Y테이블로 구성할 수 있다. Z축 구동부(80)는 예를 들면 Y축 구동부(70)에 고정되고, Z축(82)을 Z축방향으로 이동 가능하다. 지그 고정판(30)은 Z축(82)에 고정된다. 한편, 도 3에서는 X, Y, Z축의 구동원인 예를 들면 모터 및 그 구동력 전달 기구의 도시는 생략되어 있다.
이렇게 하여, 지그 고정판(30), 캐리어 플레이트(20) 및 복수개의 전자 부품 본체(1)는 이동 기구(50)에 의해 정반(100)에 대하여 상대적으로 Z축방향으로 이동됨과 함께, 정반(100)의 표면에 평행한 X-Y평면을 따라 이동 가능하다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제조 장치(10)는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 제어하는 제어부(90)를 가진다. 제어부(90)는 키보드 등의 조작 입력부(92)에 접속된다. 제어부(90)는 기억부(91)를 포함하고, 기억부(91)에는 조작 입력부(92)를 통해 입력된 조작 정보나 미리 등록된 프로그램 등이 기억된다. 제어부(90)는 기억부(91)에 기억된 데이터나 프로그램에 따라, X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 제어한다. 제어부(90)는 X축 구동부(60) 및 Y축 구동부(70)에 의해 지그 고정판(30)을 정반(100)과 평행한 면 내에서의 이동 궤적을 예를 들면 원 궤도로 이동시킬 수 있다(위치 변경 이동). 또한, 제어부(90)는 X축 구동부(60) 및 Y축 구동부(70)에 의한 원 궤도의 이동과 동시에 Z축 구동부(80)에 의해 지그 고정판(30)을 상승 또는 하강시킬 수 있다(거리 변경 이동).
3. 전자 부품의 제조 방법
본 실시형태의 제조 장치(10)에서는 프리프레스 공정과 도포 공정과 그 후의 블롯 공정이 실시된다. 프리프레스 공정이란, 도포 공정 전에 캐리어 플레이트(20)에 유지된 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)을 정반(100)에 접촉시키는 공정이며, 그 상세는 후술한다. 도포 공정이란, 캐리어 플레이트(20)에 유지된 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단면(2A)을 포함하는 단부(2)를 정반(100)의 표면(101)에 형성된 도전성 페이스트의 딥층에 접촉시켜, 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단부(2)에 도전성 페이스트를 도포하는 공정이다. 블롯 공정이란, 캐리어 플레이트(20)에 유지된 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단부(2)에 도포된 도전성 페이스트를 정반(100)의 표면(101)에 접촉시켜, 여분의 도전성 페이스트를 정반(100)에 전사하는 공정이다.
3.1. 개량된 제1 블롯 공정
도 5(A)에 개량된 블롯 공정을 모식적으로 나타낸다. 도 5(A)는 정반(100)과, 캐리어 플레이트(20)에 유지된 복수개의 전자 부품 본체(1)(도 5에서는 하나만 나타냄)의 블롯 공정에서의 상대적 이동의 일례를 나타낸다. 이 블롯 공정에서는 전자 부품 본체(1) 각각의 단면(2A)과 정반(100)의 표면(101) 사이의 거리를 연장하도록 변경하는 거리 변경 공정과, 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 투영되는 2차원 위치를 정반(100)의 표면(101)과 평행한 면 내에서의 2차원 위치의 이동방향이 축차 변화되도록 변경하는 위치 변경 공정이, 제어부(90)가 이동 기구(50)를 제어하여 캐리어 플레이트(20)와 정반(100)을 상대적으로 이동시킴으로써 실시된다.
도 5(A)에서는 거리 변경 공정 및 위치 변경 공정의 일례인 나선 운동을 나타내고 있다. 즉, 제어부(90)는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 동시에 제어하여, 전자 부품 본체(1)를 원 또는 타원 등과 같이 루프 궤도로 선회시키면서 정반(100)으로부터 떨어지도록 상승시키고 있다. 도 5(A)에 전자 부품 본체(1)의 상승 도중의 각 위치(A~D)를 나타낸다. 한편, 도 5(A)에서는 후술할 도 5(B) 및 도 12에서도 마찬가지로, 전자 부품 본체(1)의 단부에 형성되어 있는 도전성 페이스트층에 대해, 블롯 공정 종료 전에는 부호(4)를 붙이고, 블롯 공정 종료 후는 부호(4A)를 붙였다. 또한, 정반(100)에 전사된 도전성 페이스트에는 부호(4B)를 붙였다.
도 6(A)~도 6(D)는 도 5(A)에 나타내는 각 위치(A~D)에서의 블롯 동작을 나타내고 있다. 도 6(A)에서 전자 부품 본체(1)의 단부에 형성되어 있는 도전성 페이스트층(4) 중, 정반(100)과 접촉한 여분의 도전성 페이스트(4B)는 도 6(B) 및 도 6(C)에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1)의 수평 이동방향의 하류 측으로 끌어당겨지면서 정반(100)에 전사된다. 이 때, 위치 변경 공정의 실시에 의해, 정반(100)과 평행한 면 내에서의 전자 부품 본체(1)의 정반(100)에 대한 상대적 이동방향이 축차 변화된다. 그리고 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트층(4)은 정반(100) 또는 정반(100)에 전사된 도전성 페이스트(4B)에 끌어당겨지는데, 그 인장(引張)방향이 축차 변화되므로 떨어지기 쉬워진다. 게다가 여분의 도전성 페이스트는 상대적 이동방향이 축차 변화되지 않는 직선 이동 때와 같이 이동방향 하류에 정류하여 도전성 페이스트층(4A)의 막 두께를 국소적으로 두껍게 하는 바와 같은 문제는 발생하지 않는다. 또한, 단면(2A)이 사각형인 전자 부품 본체(1)에서는 여분의 도전성 페이스트가 모서리부(2C)에 모이기 쉬워져, 모서리부(2C)에서의 도전성 페이스트의 막 두께를 확보하기 쉬워진다.
제1 실시형태의 거리 변경 공정에서는 블롯 공정 중에 전자 부품 본체(1)가 정반(100)으로부터 떨어지는 방향으로 상대 이동한다. 이 때문에, 정반(100)에 전사되는 도전성 페이스트의 양이 적어져, 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트의 막 두께를 비교적 두껍게 확보할 수 있다.
3.2. 개량된 제2 블롯 공정
도 5(B)에 개량된 다른 블롯 공정을 모식적으로 나타낸다. 도 5(B)가 도 5 (A)와 다른 점은 거리 변경방향을 하강방향으로 한 점뿐이다. 즉, 제어부(90)는 X축 구동부(60), Y축 구동부(70) 및 Z축 구동부(80)를 동시에 제어하여, 전자 부품 본체(1)를 나선 형상으로 선회시키면서 정반(100)에 접근하도록 하강시키고 있다. 도 5(B)에 전자 부품 본체(1)의 하강 도중의 각 위치(A~D)를 나타낸다.
도 7(A)~도 7(D)는 도 5(B)에 나타내는 각 위치(A~D)에서의 블롯 동작을 나타내고 있다. 이 제2 블롯 공정에서도 제1 블롯 공정과 동일하게 하여 위치 변경 공정이 실시된다. 제2 블롯 공정의 거리 변경 공정에서는 블롯 공정 중에 전자 부품 본체(1)가 정반(100)에 접근하는 방향으로 상대 이동한다. 이 때문에, 정반(100)에 전사되는 도전성 페이스트의 양이 많아져, 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트의 막 두께를 비교적 얇게 확보할 수 있다.
이상 설명한 제1, 제2 블롯 공정에 따르면, 거리 변경 공정의 실시에 의해 블롯 공정 중에 정반(100)에 접촉되는 도전성 페이스트의 양을 조정할 수 있다. 따라서, 전자 부품 본체(1)에 확보하고자 하는 도전성 페이스트의 막 두께에 따라 거리 변경 공정에서 거리를 단축할(제1 블롯 공정)지 또는 연장할(제2 블롯 공정)지를 선택하여 막 두께 조정하는 것이 가능해진다. 이 블롯 공정은 거리 및 위치 변경 공정을 포함하는 블롯 공정 중에 여분의 도전성 페이스트가 떨어지고, 블롯 공정 후에 도전 페이스트가 코브웨빙을 형성시킬 일은 없다. 따라서, 코브웨빙의 흔적이 생기지 않으므로, 전자 부품 본체(1)의 도전성 페이스트층(4A)의 표면은 플랫해진다.
한편, 제1, 제2 블롯 공정에서의 위치 변경 공정은 정반(100)과 평행한 평면 내에서 전자 부품 본체(1)와 정반(100)의 상대적 이동방향이 축차 변화되는 것이라면, 원 궤도, 타원 궤도 등의 루프 궤적 외에, 정반(100)과 평행한 평면 내에서 위치 변경 공정의 시점과 종점이 반드시 일치하지 않아도 된다.
또한, 제1, 제2 블롯 공정의 도 5(A), (B)의 블롯 공정을 조합하여 실시해도 된다. 우선, 제2 실시형태의 도 7(A), 도 7(B) 및 도 7(C)의 각 공정을 실시한다. 도 7(D)의 상태가 얻어지기 전에 거리 단축 공정을 정지한다. 이어서, 제1 블롯 공정의 도 6(B), 도 6(C) 및 도 6(D)의 각 공정을 실시하여 블롯 공정이 완료된다. 이 때, 도 7(A), 도 7(B) 및 도 7(C)의 공정에서의 선회방향과 도 6(B), 도 6(C) 및 도 6(D)의 공정에서의 선회방향은 동일 방향이어도 되고 역방향이어도 된다.
도 8은 거리 변경 공정을 실시하지 않고, 전자 부품 본체(1)와 정반(100)의 수직방향의 위치를 일정하게 한 채, 위치 변경 공정만을 실시하여 여분의 도전성 페이스트(4C)를 정반(100)에 전사하는 비교예의 블롯 공정을 나타내고 있다. 도 8의 블롯 공정에서는 도 6 및 도 7의 동작은 할 수 없다. 그러나 도 8의 블롯 공정은 예를 들면 전자 부품 본체(1)에 도포된 도전성 페이스트(4)에 날카로운 돌기가 생겨 있는 바와 같은 경우, 그 돌기를 고르게 하여 도전성 페이스트(4)의 표면을 플랫하게 정형하는 것에 적합하다.
도 9는 제1, 제2 블롯 공정을 실시하여 얻은 전자 부품 본체(1)의 단면도를 나타내고 있다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1)에 형성되는 도전성 페이스트층(4A)은 단면(2A)에 이어지는 네 개의 측면(2B)에서의 막 두께가 균일화되고, 모서리부(2C)에도 필요한 도전성 페이스트층(4A)의 막 두께가 확보된다.
3.3. 제3 블롯 공정
이 제3 블롯 공정은 제2 블롯 공정을 이용하여 복수개의 전자 부품 본체(1)에 대하여 동시에 블롯 공정을 실시하는 것이다.
3.3.1. 도포 공정
도 10에 도포 공정을 나타낸다. 도포 공정에서는 도 10에 나타내는 바와 같이 정반(100)의 표면(101) 상에 도전성 페이스트(120)(도 3)에 의한 딥층(121)이 미리 형성된다. 그 후, 제어부(90)가 이동 기구(50)를 제어하여, 캐리어 플레이트(20)와 정반(100)을 상대적으로 Z방향으로 이동시켜 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단면(2A)을 정반(100)의 표면(101)에 접촉시킨다. 여기서, 도 10 우측의 전자 부품 본체(1a)의 길이가 좌측의 전자 부품 본체(1b)의 길이보다 h만큼 길다. 전자 부품 본체(1)의 길이의 차이(h)는 예를 들면 수십㎛이다. 이 경우에도, 도 10 우측의 전자 부품 본체(1a)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 접촉한 후에도 Z방향의 이동이 계속됨으로써, 도 10 우측의 전자 부품 본체(1a)는 정반(100)의 표면(101)과의 접촉이 유지된 채, 캐리어 플레이트(20)의 탄성 변형에 의해 상방으로 퇴피된다. 그리고 도 10 좌측의 전자 부품 본체(1b)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 접촉할 때까지 Z방향의 상대 이동이 계속된다. 이 때, 도 10 좌측의 전자 부품 본체(1b)가 정반(100)의 표면(101)과의 접촉이 유지된 채, 캐리어 플레이트(20)의 탄성 변형에 의해 상방으로 퇴피되는 오버스트로크(over stroke) 분량만큼, 캐리어 플레이트(20)와 정반(100)을 Z방향으로 상대 이동시켜도 된다. 도 10과 같이 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b) 각각의 단면(2A)을 정반(100)의 표면(101)에 접촉시킴으로써, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b) 각각의 단부(2)에 형성되는 도포 길이는 딥층(121)의 높이(H)와 일치한다. 그로써, 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단부(2)에 형성되는 전극(4A)의 길이(L3)(도 2)가 동일해지고, 전극(4A)의 형상이 균일화된다.
도 11은 비교예의 도포 공정을 나타내고 있다. 도 11에 나타내는 캐리어 플레이트(21)는 도 10의 캐리어 플레이트(20)와는 달리, 전자 부품 본체(1)를 Z방향으로 탄성적으로 이동 가능하도록 유지하는 기능은 없다. 이 경우, 도 11 우측의 전자 부품 본체(1a)가 정반(100)의 표면(101)과 접촉됨으로써, Z방향의 상대 이동이 정지되어 있다. 그 때문에, 도 11 좌측의 전자 부품 본체(1b)는 정반(100)의 표면(101)과 접촉되지 않아, 단부(2)에 형성되는 전극(4A)의 도포 길이는 H1(<H)이 된다. 따라서, 복수개의 전자 부품 본체(1) 사이에서 단부(2)에 형성되는 전극(4A)의 도포 길이는 제각각이 되어 버린다. 본 도 10의 도포 공정에 따르면, 도 11에 나타내는 바와 같은 전극(4A)의 도포 길이의 차이를 방지할 수 있다.
3.3.2. 블롯 공정
도 10의 도포 공정에 계속되는 블롯 공정에서는 도 5(B)에 나타내는 제2 블롯 공정이 채용된다. 도 12는 길이가 다른 2개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 하강 도중의 도 5(B)에 나타내는 각 위치(A~D)에서의 상태를 나타내고 있다. 한편, 도 12에서도 도 10과 마찬가지로 우측의 전자 부품 본체(1a)는 좌측의 전자 부품 본체(1b)보다도 길다.
도 5(B)의 위치(A)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이 전자 부품 본체(1a, 1b)의 도전성 페이스트층(4)은 정반(100)의 표면(101)에 도달해 있지 않다. 높이 변경 공정이 실시된 도 5(B)의 위치(B)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이 전자 부품 본체(1a)의 도전성 페이스트층(4)이 정반(100)의 표면(101)에 도달하고, 그 후 전자 부품 본체(1a)의 나선 형상의 하강에 따라 도전성 페이스트층(4)이 정반(100)의 표면(101)과 위치를 바꾸면서 접촉한다. 그로써, 여분의 도전성 페이스트는 정반(100)에 긁어내지고, 전자 부품 본체(1a)에 잔존하고 있는 도전성 페이스트층(4)은 정반(100)에 전사된 도전성 페이스트와의 사이에 코브웨빙이 생기면서 정형된다. 도 5(B)의 위치(C)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이 전자 부품 본체(1a)에서는 코브웨빙이 종료하여 블롯 공정이 완료된 도전성 페이스트층(4A)이 형성된다.
한편, 높이 변경 공정이 추가로 실시된 도 5(B)의 위치(C)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이 전자 부품 본체(1b)의 도전성 페이스트층(4)이 정반(100)의 표면(101)에 도달하고, 그 후 전자 부품 본체(1b)의 나선 형상의 하강에 따라 도전성 페이스트층(4)이 정반(100)의 표면(101)과 위치를 축차 바꾸면서 접촉한다. 그로써, 여분의 도전성 페이스트는 정반(100)에 긁어내지고, 전자 부품 본체(1b)에 잔존하고 있는 도전성 페이스트층(4)은 정반(100)에 전사된 도전성 페이스트와의 사이에 코브웨빙이 생기면서 정형된다. 도 5(B)의 위치(D)에서는 도 12에 나타내는 바와 같이 전자 부품 본체(1b)에서도 코브웨빙이 종료하여 블롯 공정이 완료된 도전성 페이스트층(4A)이 형성된다.
이상과 같이, 블롯 공정의 실시에 의해, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 단면(2A)의 위치가 불균일함에도 불구하고, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 단면에 형성되는 도전성 페이스트층(4A)의 두께가 균일화된다. 그로써, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 단부(2)에 형성되는 도전성 페이스트층(4A)의 형상이 균일화된다. 또한, 이 블롯 공정에서는 높이 변경 공정과 위치 변경 공정이 동시에 실시되고 있다. 이렇게 하면, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)가 상대적으로 정반(100)과 접근됨과 동시에, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)는 상대적으로 정반(100)과 평행한 방향인 성분을 포함하여 이동된다. 더욱이, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)를 정반(100)의 표면(101)에 대하여 상대적으로 나선 형상으로 이동시키면서 접근시킴으로써, 필요로 하는 정반(100)의 면적을 최소한으로 하면서 위치 변경 공정을 효율적으로 실시할 수 있다.
여기서, 도 10에 나타내는 도포 공정과 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정 중 한쪽만을 실시해도 된다. 도 10에 나타내는 도포 공정에 의해, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b) 각각의 단부(2)에 형성되는 도포 길이(L3)(도 2)는 딥층(121)의 높이(H)와 일치한다. 또한, 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정의 실시에 의해, 복수개의 전자 부품 본체(1a, 1b)의 단면에 형성되는 도전성 페이스트층(4A)의 두께(T1)(도 2)가 균일화된다. 그로써, 복수개의 전자 부품 본체(1) 각각의 단부(2)에 형성되는 전극(4A)의 형상이 각각 독립적으로 균일화되기 때문이다.
도 13은 길이가 다른 전자 부품 본체(1a, 1b)에 대해, 비교예 1, 비교예 2 및 개량된 블롯 공정을 실시하여 얻은 대표적인 평가 데이터를 나타낸다. 비교예 1은 특허문헌 2에 개시된 블롯 공정을 이용하고 있다. 비교예 2는 전자 부품 본체(1)를 정반(100)에 대하여 직선 이동시킨 블롯 공정을 이용하고 있다. 비교예 1, 2의 블롯 공정에서는 전자 부품 본체(1a, 1b)의 길이 즈음에 기인한 도전성 페이스트층(4a)의 TOP막 두께(도 2의 막 두께(T1))의 차가 7~8㎛로 컸다. 이에 반해, 개량된 블롯 공정에서는 도전성 페이스트층(4a)의 TOP막 두께의 차가 2㎛까지 축소되었다. 이로써, 도 5 및 도 12에 나타내는 블롯 공정에 의한 도전성 페이스트층(4A)의 두께(T1)(도 2)의 균일화 효과를 알 수 있다.
또한, 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정은 도 10의 도포 공정에서 이용된 캐리어 플레이트(20)를 반드시 사용하지 않아도 되는데, 블롯 공정에서는 캐리어 플레이트(20)의 탄성 변형은 필요로 하지 않기 때문이다. 더욱이, 도 10에 나타내는 도포 공정과 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정은 동일한 정반(100)을 반드시 이용할 필요는 없다. 도 10에 나타내는 도포 공정에서는 제1 정반을 이용하고, 도 5(B) 및 도 12에 나타내는 블롯 공정에서는 제2 정반을 이용해도 된다.
3.4. 제1 실시형태(개량된 프리프레스 공정)
이하, 도 3 및 도 4의 제조 장치(10)를 이용하여, 도포 공정 전의 프리프레스 공정을 실시하는 실시형태에 대해 설명한다. 한편, 이하에 설명하는 프리프레스 공정 후이며 도포 공정이 실시된 후에는 상술한 블롯 공정(비교예 1, 비교예 2 또는 개량된 블롯 공정)이 실시된다.
3.4.1. 제1 프리프레스 공정
제1 프리프레스 공정을 도 14(A) 및 도 14(B)에 나타낸다. 도 14(A)에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1)를 유지하는 지그(20)는 예를 들면 실리콘고무 등의 탄성체로 형성된 지그 본체(21)에 구멍(22)이 형성되어 있다. 전자 부품 본체(1)는 구멍(22)에 감입되어 유지된다.
프리프레스 공정은 지그 본체(21)의 구멍(22)에 감입되어 전자 부품 본체(1)가 유지되어 있는 지그(20)와, 정반(100)을 도 3 및 도 4의 제조 장치(10)를 이용하여 상대적으로 이동시킴으로써 실시된다. 프리프레스 공정에서는 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 접촉된다. 그로써, 지그(20)에서 돌출되는 전자 부품 본체(1)의 돌출량(헤드 돌출량), 즉 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)의 돌출 위치(헤드 돌출 위치)가 일정해지도록 교정된다. 지그(20)에서 돌출되는 전자 부품 본체(1)의 돌출량이 도포 공정 시에 상이하면, 전자 부품 본체(1)의 단부(2)에 도포되는 도전성 페이스트의 양이나 형상이 달라지는 불균일이 생기는데, 프리프레스 공정에 의해 그 불균일이 시정(是正)된다.
여기서, 프리프레스 공정 전에는 지그 본체(21)의 구멍(22)에 대한 전자 부품 본체(1)의 감입 길이나 방향(지그 본체(21)에 대한 수직도)을 포함하는 자세가 흐트러진다. 전자 부품 본체(1)의 감입 시에 전자 부품 본체(1)의 구멍(22)에 대한 자세가 흐트러지고, 탄성체인 지그 본체(21)가 변형되기 때문이다.
종래, 프리프레스 공정은 지그(20)를 정반(100)에 대하여 직선적으로 하강 이동시키고 있었다. 이렇게 하면, 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)이 정반(100)의 표면(101)에 접촉한 후의 오버드라이브 시에 전자 부품 본체(1)가 되밀린다. 그로써, 전자 부품 본체(1)의 돌출량(헤드 돌출량)이 균일화될 것으로 기대된다.
그러나 오버드라이브 시에 전자 부품 본체(1)에 밀리는 지그 본체(21)가 탄성 변형되는 경우가 있다. 이 경우, 오버드라이브가 해제되어 전자 부품 본체(1)가 정반(100)으로부터 분리될 때에, 지그 본체(21)가 탄성 복귀할 뿐이고, 전자 부품 본체(1)의 돌출량(헤드 돌출량)이 변경되지 않는다는 폐해가 생긴다.
이 폐해를 방지하기 위해, 도 14(B)에 나타내는 바와 같이, 도 5(B)와 마찬가지로 하여 거리 단축 이동과 위치 변경 이동을 동시에 실시한다. 단, 도 5(B)와는 달리, 도 14(B)에 나타내는 바와 같이 전자 부품 본체(1)에는 도전성 페이스트층(4)은 형성되어 있지 않다. 또한, 거리 단축 이동과 위치 변경 이동의 동시 실시는 적어도 오버드라이브 시에 실시되어 있으면 되는데, 오버드라이브 전부터 실시되어도 된다.
이렇게 하면, 오버드라이브 시에 정반(100)의 표면(101)과 평행한 면 내에서 방향이 축차 변화되는 외력이 전자 부품 본체(1)에 작용한다. 그 때문에, 지그 본체(21)가 탄성 변형되었다고 해도 지그 본체(21)의 구멍(22)에 대한 전자 부품 본체(1)의 감입이 촉진된다. 그로써, 전자 부품 본체(1)의 돌출량(헤드 돌출량)이 균일화되어 전자 부품 본체(1)의 자세가 교정된다. 또한, 도 14(A)에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1)가 구멍(22)의 중심선에 대하여 기울어져 있어도, 전자 부품 본체(1)의 감입이 촉진됨으로써 경사가 해소되어, 전자 부품 본체(1)의 자세가 교정된다.
3.4.2. 제2 프리프레스 공정
제2 프리프레스 공정을 도 15(A) 및 도 15(B)에 나타낸다. 도 15(A)에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1)를 유지하는 유지 부재(23)는 기재(24)의 한 면에 접착층(25)을 포함한다. 기재(24)는 강체이어도 되고, 테이프 등의 플렉시블 부재이어도 된다. 전자 부품 본체(1)의 2개의 단면(2A, 2A) 중 한쪽 단면(2A)이 접착층(25)과 접착되고, 다른 쪽 단면(2A)을 포함하는 단부에 도전성 페이스트가 도포된다. 이 경우, 프리프레스 공정 전에는 도 15(A)에 나타내는 바와 같이, 지그 본체(21)의 구멍(22)에 대한 전자 부품 본체(1)의 방향(기재(24)에 대한 수직도)을 포함하는 자세가 흐트러진다. 종래의 프리프레스 공정과 같이, 유지 부재(23)를 정반(100)에 대하여 직선적으로 하강 이동시킨 것만으로는, 이 자세의 흐트러짐은 강제되지 않는다. 기울어진 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)의 모서리부만이 정반(100)과 접촉한 채, 전자 부품 본체(1)의 경사 자세가 유지될 수 있기 때문이다.
이 폐해를 방지하기 위해, 도 15(B)에 나타내는 바와 같이, 거리 단축 이동과 위치 변경 이동을 동시에 실시한다. 도 15(B)에서도 도 14(B)와 마찬가지로, 거리 단축 이동과 위치 변경 이동의 동시 실시는 적어도 오버드라이브 시에 실시되어 있으면 되는데, 오버드라이브 전부터 실시되어도 된다.
이렇게 하면, 오버드라이브 시에 정반(100)의 표면(101)과 평행한 면 내에서 방향이 축차 변화되는 외력이 전자 부품 본체(1)에 작용한다. 그 때문에, 기울어진 전자 부품 본체(1)의 단면(2A)의 모서리부만이 정반(100)과 접촉되어 있어도, 축차 변화되는 외력에 의해 전자 부품 본체(1)의 단면(2A) 전체가 접착층(25)과 접착하도록 작용된다. 이렇게 하여, 전자 부품 본체(1)의 자세가 교정된다. 한편, 기재(24)가 플렉시블 부재인 경우에는 유지 부재(23)의 상대적 이동 시에는 기재(24)의 배면에 강체가 배치되어, 기재(24)의 변형이 방지된다.
3.5. 제2 실시형태(개량된 도포 공정)
이하, 도 3 및 도 4의 제조 장치(10)를 이용하여 도포 공정 전의 프리프레스 공정을 실시하는 실시형태에 대해 설명한다. 한편, 이하에 설명하는 도포 공정 전에는 개량된 프리프레스 공정이 실시되는 것이 바람직하고, 이 프리프레스 공정 및 도포 공정은 도 3 및 도 4의 제조 장치(10)를 이용하여 실시할 수 있다. 단, 도포 공정 후는 상술한 블롯 공정(비교예 1, 비교예 2 또는 개량된 블롯 공정)을 실시해도 되고, 블롯 공정 자체를 생략해도 된다. 개량된 도포 공정에 의해, 전자 부품 본체(1)의 단부(2)에 형성되는 도전성 페이스트층의 두께나 형상이 균일화되기 때문이다.
도포 공정에서는, 정반(100)의 표면은 도전성 페이스트의 딥층(121)이다. 지그(20)에 유지된 전자 부품 본체(1)의 단부(2)를 딥층(121)에 침지하기 위해서는, 종래와 마찬가지로 지그(20)와 정반(100)을 도 3의 Z방향으로 상대적으로 이동하면 된다. 그 후, 전자 부품 본체(1)를 정반(100) 측으로부터 분리하기 위해, 도 16(A)~도 16(D)에 나타내는 상대적 이동이 실시된다.
도 16(A)~도 16(D)에서는 도 5(A)와 마찬가지로 하여, 거리 연장 이동과 위치 변경 이동을 동시에 실시한다. 도 16(A)는 전자 부품 본체(1)가 정반(100) 측으로부터 분리된 초기 상태를 나타내고 있다. 그 후, 도 16(B) 및 도 16(C)의 상대적 이동을 거쳐, 도 16(D)에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 본체(1)의 단부에 형성된 도전성 페이스트층(4)이 딥층(121)으로부터 완전히 분리된다. 도 16(A)~도 16(D)에서의 상대적 이동에 의해, 도 6(A)~도 6(D)에 나타내는 개량된 블롯 공정과 동일하게 기능한다. 바꿔 말하면, 도포 공정에서 딥층(121)에 대한 침지 후의 분리 공정에서 도 16(A)~도 16(D)에 나타내는 이동 공정을 실시함으로써, 분리 공정이 도 6(A)~도 6(D)에 나타내는 개량된 블롯 공정과 동일해진다. 그로써, 개량된 도포 공정 후에는 블롯 공정을 생략하는 것이 가능해진다.
1, 1a, 1b: 전자 부품 본체
1A: 전자 부품
2: 단부
2A: 단면
2B: 측면
2C: 모서리부
4: 블롯 공정 완료 전의 도전성 페이스트층
4A: 전극(블롯 공정 완료 후의 도전성 페이스트층)
10: 제조 장치
20: 지그(유지 부재)
21: 지그 본체
22: 구멍
23: 유지 부재
24: 기재
25: 접착층
30: 지그 고정판
40: 기반
50: 이동 기구
60: X축 구동부
70: Y축 구동부
80: Z축 구동부
90: 제어부
91: 기억부
92: 조작 입력부
100: 정반
101: 표면
120: 도전성 페이스트
121: 딥층
H: 딥층의 높이
L3: 도포 길이
T1: 두께

Claims (7)

  1. 전자 부품 본체를 유지하는 유지 부재와,
    정반(定盤)과,
    상기 정반의 표면과 수직인 방향과, 상기 정반의 상기 표면에 평행한 방향으로 상기 유지 부재와 상기 정반을 상대적으로 이동시키는 이동 수단과,
    상기 이동 수단을 제어하여 상기 유지 부재에 유지된 상기 전자 부품 본체의 단면(端面)을 상기 정반의 상기 표면에 접촉시키고, 그 후 상기 전자 부품 본체를 상기 정반 측으로부터 분리하는 동작을 실행시키는 제어 수단을 가지며,
    상기 제어 수단은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축 또는 연장하여 변경하는 거리 변경 이동과, 상기 전자 부품 본체의 상기 단면이 상기 정반의 상기 표면에 투영되는 2차원 위치를 상기 정반의 상기 표면과 평행한 면 내에서의 상기 2차원 위치의 이동방향이 축차(逐次) 변화되도록 변경하는 위치 변경 이동을, 상기 이동 수단에 의해 동시에 실시시키는 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 수단은 상기 거리 변경 이동 시에 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 단축하면서, 적어도 상기 유지 부재에 유지된 상기 전자 부품 본체의 상기 단면을 상기 정반의 상기 표면에 접촉시킨 후의 오버드라이브(overdrive) 시에 상기 거리 변경 이동과 상기 위치 변경 이동을 동시에 실시하여 상기 유지 부재에 유지되는 상기 전자 부품 본체의 자세를 교정하는 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유지 부재는 탄성을 가지는 지그(jig) 본체와, 상기 지그 본체에 관통 형성되고 상기 전자 부품 본체가 감입되는 구멍을 포함하는 지그인 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 유지 부재는 상기 유지 부재는 기재와, 상기 기재에 형성된 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과는 반대 측의 단면과 접착되는 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 정반의 상기 표면은 도전성 페이스트의 딥(dip)층이고,
    상기 제어 수단은 상기 전자 부품 본체의 상기 단면을 포함하는 단부(端部)가 상기 딥층에 침지된 후에 상기 거리 변경 이동 및 상기 위치 변경 이동을 동시에 실시하면서, 상기 거리 변경 이동 시에 상기 전자 부품 본체의 상기 단면과 상기 정반의 상기 표면 사이의 거리를 연장하는 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유지 부재는 상기 전자 부품 본체를 포함하는 복수개의 전자 부품 본체를 유지하는 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치 변경 이동에서는 상기 2차원 위치의 이동 궤적이 루프(loop)를 그리고,
    상기 거리 변경 이동 및 상기 거리 변경 이동은 상기 전자 부품 본체를 상기 정반의 상기 표면에 대하여 상대적으로 나선 형상으로 이동시키는 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 장치.
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