KR20050026476A

KR20050026476A - 전자파 차폐재 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20050026476A
Application number: KR1020057000564A
Authority: KR
Inventors: 요시다다로; 스즈키아쓰시; 쓰바이야스오; 고바야시가즈히사
Original assignee: 후지모리 고교 가부시키가이샤; 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤
Priority date: 2002-07-12
Filing date: 2003-07-11
Publication date: 2005-03-15
Also published as: JP2010043358A; WO2004007810A1; US7749620B2; US20060115636A1; CN1668783A; CN100346003C; EP1553212B1; AU2003280996A1; EP1553212A4; KR100936527B1; JP4429901B2; AU2003280996A8; JPWO2004007810A1; JP5002634B2; EP1553212A1

Abstract

본 발명은 투명 기재 및 그 위에 형성된 세선 패턴으로 이루어지는 전자 차폐재로서 상기 세선 패턴이 물리 현상에 의한 금속 은을 촉매재로 하는 금속 도금막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐재 및 투명 기재 상에 물리 현상 핵층과 할로겐화은 유제층을 이 순서로 가지는 감광성 재료를 노광하고, 물리 현상 처리에 의하여 상기 물리 현상핵 층 상에 임의의 세선 패턴으로 금속 은을 석출시키고, 이어서 상기 물리현상핵층 위에 둔 층을 제거한 후, 상기 물리 현상된 금속 은을 촉매 핵으로 하여 금속을 도금하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐재의 제조방법을 제공한다.

Description

전자파 차폐재 및 그 제조 방법{ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}

본 발명은 각종 전자 기기, 통신 장치, 예를 들면 디스플레이 장치 등을 구비한 장치에 설치되고, 양호한 투광성과 전자파 차단성을 함께 가지는 전자파 차폐재 및 그 제조 방법에 관한 것이다

최근, 정보화 사회가 급속하게 발달함에 따라 정보 관련기기에 관한 기술이 급속하게 진보되고 보급되어 왔다. 각종 전자 기기, 통신 장치, 예를 들면 CRT, 액정, EL, PDP, FED 등의 디스플레이 장치는 텔레비전용 퍼스널 컴퓨터용, 역이나 공항 등의 안내표시용, 기타 각종 정보 제공용으로 사용되고 있다.

이러한 전자 기기나 빠친코, 슬롯 머신 등의 전자 제어 게임기, 휴대 전화 등의 통신 장치로부터 방사되는, 또는 이러한 기기에 가하여지는 전자파의 영향이 염려되고 있다. 예를 들면, 이 전자파가 주위 기기를 오작동시키는 문제, 또한 인체에 대한 악영향 등이 거론되고 있고, 전자파 차폐재에 대한 요구는 더욱 높아지고 있다. 이와 같은 요구에 대하여 가지각색의 투명 도전성 필름(전자파 차폐재)이 개발되어 있다. 예를 들면, 특개평9-53030호, 특개평11-126024호, 특개2000-294980호, 특개2000-357414호, 특개2000-329934호, 특개2001-38843호, 특개2001-47549호, 특개2001-5l610호, 특개2001-57110호, 특개2001-60416호 공보 등에 개시되어 있다.

이러한 전자파 차폐재의 제조 방법으로서는 은 동, 니켈, 인듐 등의 도전성 금속 또는 이러한 금속들의 도전성 금속 화합물을 스퍼터링법, 이온 플레이팅(ion plating)법, 이온 빔 어시스트법, 진공 증착법, 습식 코팅법에 의하여 투명 수지 필름 기재 위에 금속 박막을 형성시키는 방법이 일반적으로 사용되고 있으며, 투명성을 유지할 수 있는 정도의 막 두께나 패턴 세선(fine line) 폭으로 하면, 도전층의 표면 저항이 너무 커지기 때문에 차단 효과가 작아지고, 예를 들면, 30OMHz 이상의 높은 주파수대에 걸쳐서 30dB 이상의 차단 효과를 얻는 것이 곤란하다는 문제가 있다. 따라서, 투명성이 높고 고주파 대역에 있어서도 차단 효과가 뛰어난 전자파 차폐재가 요구되어 왔다. 또한 최근, 전자파 차폐재의 수요가 확대되는 가운데, 저비용이 들고 생산성은 높은 제조법이 요망되고 있다.

특공소42-23745호 공보에는 할로겐화은 유제층과 할로겐화은 용제(은착염 형성재)를 응용하여, 은착염 확산 전사 현상법(DTR 현상법)에 의하여 물리 현상은(physically developed silver)으로 이루어지는 도전성층을 형성하는 기술이 기재되어 있다. 그러나, 상술한 바와 같이 최근의 전자파 차폐재에 요구되는, 전광선 투과율 5O% 이상의 투광성과 표면 저항 1O옴/스퀘어(1O Ω/square) 이하의 도전성을 동시에 만족시키려면, 상기 특허공보에 기재된 기술만으로는 달성할 수 없었다.

따라서, 본 발명의 목적은 개구율이 높아지는 가는 선폭의 세선 패턴을 만들어도 도전성 및 전광선 투과율이 높은 전자파 차폐재를 제공하는데 있다. 본 발명의 목적은 도전성 및 전광선 투과율이 높고, 또한 저코스트로 생산성이 높은 전자파 차폐재의 제조방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 상기 목적은 물리 현상된 금속 은을 촉매 핵으로 하여 금속을 도금한 전자파 차폐재에 의하여 기본적으로 달성되었다.

본 발명의 전자파 차폐재의 기본적인 제조법은 사진 현상법으로 알려져 있는 DTR 현상법을 응용하고, 할로겐화은을 가용성 은착염 형성제로 용해하여 가용성 은착염으로 하고, 동시에 하이드로키논 등의 환원제(현상액)로 환원하여 물리 현상 핵상에 임의의 세선 패턴의 물리 금속 은을 석출시키고, 이러한 물리 현상은을 촉매 핵으로 하여, 동이나 니켈 등의 금속으로 도금하는 것으로 이루어진다.

발명의 요약

본 발명의 전자파 차폐재는 투명 기재 및 그 위에 형성한 세선 패턴으로 이루어지는 전자파 차폐재로서, 상기 세선 패턴이 물리 현상에 의한 금속 은을 촉매 핵으로 하는 금속 도금 막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한 본 발명의 전자파 차폐재의 제조 방법은 투명 기재 상에, 물리 현상 핵층과 할로겐화은 유제층을 이러한 순서로 가지는 감광 재료를 노광하고, 물리 현상 처리에 의하여 상기 물리 현상 핵층 상에 임의의 세선 패턴으로 금속 은을 석출시키고, 이어서 상기 물리 현상 핵층 상에 형성된 층을 제거한 후, 상기 물리 현상된 금속 은을 촉매 핵으로 하여 금속으로 도금하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.

본 발명에 있어서 사용되는 투명 기재로서는, 가시 영역에서 투명하고, 또한 유연성(flexibility)을 가지며, 바람직하게는 내열성이 양호한 플라스틱 수지 필름을 들 수 있다. 투명성으로서는 전광선 투과율이 70 내지 90% 정도의 투명성이면 되지만, 전자파 차폐재로 한 때의 전광선 투과율을 높게 유지한다는 관점에서는 투명 기재의 전광선 투과율은 높을수록 바람직하다. 이와 같은 투명 기재로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스테르수지, 디아세테이트 수지, 트리아세테이트 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트수지, 폴리염화비닐, 폴리이미드수지, 폴리아미드수지 등으로 이루어지고, 두께를 10 내지 60O㎛의 단층 또는 복합 필름을 들 수 있다.

투명 기재에는 사전에 물리 현상 핵층이 형성된다. 물리 현상 핵으로서는, 중금속 또는 그 황화물로 이루어지는 미립자 (입자 사이즈는 1 내지 수십nm 정도)가 사용된다. 예를 들면, 금, 은 등의 콜로이드, 팔라듐, 아연 등의 수용성염과 황화물을 혼합한 금속 황화물 등을 들 수 있다. 이러한 물리 현상 핵의 미립자층은 진공 증착법, 음극 스퍼터링법, 코팅법 등에 의하여 투명 기재 상에 형성할 수 있다. 생산 효율 면에서 코팅법이 바람직하게 사용된다. 물리 현상 핵층에서의 물리 현상 핵의 함유량은 고형분으로 1평방미터당 O.1 내지 10mg정도가 적당하다.

투명 기재에는 염화비닐리덴나 폴리우레탄 등의 중합체 라텍스층의 접착층을 둘 수 있고, 또한 접착층과 물리 현상 핵층과의 사이에는 젤라틴 등의 친수성 바인더로 이루어지는 중간층을 마련할 수도 있다.

물리 현상 핵층은 친수성 바인더를 함유하는 것이 바람직하다. 친수성 바인더의 분량은 물리 현상 핵에 대하여 10 내지 300질량% 정도가 바람직하다. 친수성 바인더로서는, 젤라틴, 아라비아 고무, 셀룰로스, 알부민, 카제인, 알긴산 나트륨, 각종 전분, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴아미드, 아크릴아미드와 비닐이미다졸의 공중합체 등을 사용할 수 있다. 물리 현상 핵층은 친수성 바인더의 가교제를 함유할 수도 있다.

물리 현상 핵층이나 중간층 등의 도포에는, 예를 들면 딥 코팅, 슬라이드 코팅, 커튼 코팅, 바 코팅, 에어나이프 코팅, 롤 코팅, 글라비아(gravure) 코팅, 스프레이 코팅 등의 도포 방식으로 도포할 수 있다. 본 발명에 있어서 물리 현상 핵층은 상기 코팅법에 의하여 통상 연속된 균일한 층으로서 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 물리 현상 핵층에 금속 은을 석출시키기 위한 할로겐화은의 공급 방법으로서는, 투명 기재 상에 물리 현상 핵층과 할로겐화은 유제층을 이 순서대로 일체적으로 형성하는 방법, 또는 다른 종이나 플라스틱 수지 필름 등의 기재 위에 형성한 할로겐화은 유제층으로부터 가용성은 착염을 공급하는 방법이 있다. 비용 및 생산 효율 면에서는 전자의 물리 현상 핵층과 할로겐화은 유제층을 일체적으로 형성하는 방법이 바람직하다.

본 발명에 있어서 사용하는 할로겐화은 유제는 할로겐화은 사진 감광재료 분야에서의 일반적인 할로겐화은 유제의 제조 방법에 따라서 제조할 수 있다. 할로겐화은 유제는 통상, 질산은 수용액과, 염화나트륨이나 브롬화나트륨 등의 할로겐화물 수용액을 젤라틴의 존재 하에 혼합 숙성함으로써 만들 수 있다.

본 발명에 사용되는 할로겐화은 유제층의 할로겐화은 조성은 염화은을 80몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 특히 90몰% 이상이 염화은인 것이 바람직하다. 염화은 함유율을 높임으로써 형성한 물리 현상은의 도전성이 향상된다.

본 발명에 사용되는 할로겐화은 유제층은 각종 광원에 대하여 감광성을 가지고 있다. 전자파 차폐재를 제작하기 위한 하나의 방법으로서, 예를 들면 그물눈 모양의 세선 패턴 형상을 가지는 물리 현상은을 형성하는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 할로겐화은 유제층은 세선 패턴 상에 노광되지만, 노광방법으로서, 세선 패턴의 투과 원고와 할로겐화은 유제층을 밀착하여 자외광으로 노광하는 방법, 또는 각종 레이저광을 사용하여 주사 노광하는 방법 등이 있다. 전자의 자외광을 사용하는 밀착 노광은 할로겐화은의 감광성은 비교적 낮아도 가능하지만, 레이저광을 사용한 주사노광의 경우는 비교적 높은 감광성이 요구된다. 따라서, 후자의 노광방법을 사용하는 경우는 할로겐화은의 감광성을 높이기 위하여, 할로겐화은에는 화학 증감 또는 증감 색소에 의한 분광 증감을 실시하여도 된다. 화학 증감으로서는, 금화합물이나 은화합물을 사용한 금속 증감, 유황 화합물을 사용한 유황 증감, 또는 이들을 병용한 것을 들 수 있다. 바람직하게는 금화합물과 유황 화합물을 병용한 금-유황 증감이다. 상기한 레이저광으로 노광하는 방법에 있어서는, 450mm이하의 발진 파장을 가지는 레이저광, 예를 들면 400 내지 430nm으로 발진 파장을 가지는 청색 반도체 레이저(바이올렛 레이저 다이오드라고도 한다)를 사용함으로써, 명실(light room) 하(밝은 옐로우 형광등 하)에서도 취급이 가능하게 된다.

본 발명에 있어서, 물리 현상 핵층이 형성되는 투명 기재 상의 임의의 위치, 예를 들면 접착층, 중간층, 물리 현상 핵층 또는 할로겐화은 유제층, 또는 지지체를 사이에 두고 형성되는 백 코팅층(back coating layer)에 할레이션(halation) 내지 이래디에이션(irradiation) 방지용의 염료 또는 안료를 함유시켜도 된다.

물리 현상 핵 층의 위에 직접 또는 중간층을 사이에 두고 할로겐화은 유제층이 도포된 감광 재료를 사용하여 전자파 차폐재를 제작하는 경우에는, 그물 눈 모양 패턴과 같은 임의의 세선 패턴의 투과 원고와 상기 감광 재료를 밀착하여 노광, 또는 임의의 세선 패턴의 디지털 화상을 각종 레이저광의 출력기로 상기 감광 재료에 주사노광한 후, 가용성은 착염 형성제와 환원제의 존재 하에 알칼리액 중에서 처리함으로써 은착염 확산 전사 현상(DTR 현상)이 일어나고, 미노광부의 할로겐화은이 용해되어 은착염이 되며, 물리 현상 핵상에서 환원되어 금속 은이 석출되어 세선 패턴의 물리 현상은 박막을 얻을 수 있다. 노광된 부분은 할로겐화은 유제층 중에 화학 현상되어 흑화은이 된다. 현상 후, 할로겐화은 유제층 및 중간층, 또는 필요에 따라 형성된 보호층은 수세 제거되고, 세선 패턴의 물리 현상은 박막이 표면에 노출된다.

DTR 현상 후, 물리 현상 핵층 상에 도포된 할로겐화은 유제층 등의 제거 방법은 수세 제거 또는 박리지 등에 전사 박리되는 방법이 있다. 수세 제거는 스크러블링 롤러(scrabbling roller) 등을 사용하여 온수 샤워를 분사하면서 제거하는 방법이나 온수를 노즐 등으로 제트 분사하면서 물의 힘으로 제거하는 방법이 있다.

한편, 물리 현상 핵층이 도포된 투명 기재와는 다른 기재 위에 형성한 할로겐화은 유제층으로부터 가용성 은착염을 공급하는 경우, 전술한 바와 같이 할로겐화은 유제층에 노광을 한 후, 물리 현상 핵층이 도포된 투명 기재와, 할로겐화은 유제층이 도포된 다른 감광 재료를, 가용성은 착염 형성제와 환원제의 존재 하에 알칼리액 중에서 중복하여 밀착하고, 알칼리액 중에서 꺼낸 후, 수십초 내지 수분간 경과한 후에, 양자를 벗겨냄으로써, 물리 현상 핵상으로 석출한 세선 패턴의 물리 현상은 박막이 얻어진다.

다음으로, 은착염 확산 전사 현상을 위하여 필요한 가용성은 착염 형성제, 환원제, 및 알칼리액에 대하여 설명한다. 가용성은 착염 형성제는 할로겐화은을 용해하여 가용성 은착염을 형성시키는 화합물이고, 환원제는 이 가용성은 착염을 환원하여 물리 현상 핵상에 금속 은을 석출시키기 위한 화합물이며, 이러한 반응은 알칼리액 중에서 이루어진다.

본 발명에 사용되는 가용성은 착염 형성제로서는, 티오황산나트륨, 티오황산암모늄과 같은 티오황산염, 티오시안산나트륨, 티오시안산암모늄과 같은티오시안산염, 알카놀아민, 아황산나트륨, 아황산수소칼륨과 같은 아황산염, T. H. 제임스 편의 The theory of the photographic process 4판의 474 내지 475항 (l977년)에 기재되어 있는 화합물 등을 들 수 있다.

본 발명에 사용되는 환원제로서는 사진 현상 분야에서 공지되어 있는 현상액을 사용할 수 있다. 예를 들면, 하이드로키논, 카테콜, 피로갈롤, 메틸하이드로키논, 크로로하이드로키논 등의 폴리히드록시벤젠류, 1-페닐-4, 4-디메틸-3-피라졸리돈, 1-페닐-3-피라졸리돈, 1-페닐-4-메틸-4-히드록시메틸-3-피라졸리돈 등의 3-피라졸리돈류, p-메틸아미노페놀, p-아미노페놀, p-히드록시페닐글리신, p-페닐렌아민 등을 들 수 있다.

상기한 가용성은 착염 형성제 및 환원제는 물리 현상 핵층과 함께 투명 기재에 도포하여도 되고, 할로겐화은 유제층 중에 첨가하여도 되며, 또한 알칼리액 중에 첨가하여도 되고, 또한 복수의 위치에 첨가하여도 되나, 적어도 알칼리액 중에 첨가하는 것이 바람직하다.

알칼리액 중에의 가용성 은착염 형성제의 함유량은 현상액 1리터당, 0.1 내지 5몰의 범위로 사용하는 것이 적당하고, 환원제는 현상액 1리터당 0.05 내지 1몰의 범위로 사용하는 것이 적당하다.

알칼리액의 pH는 10 이상이 바람직하고, 11 내지 14가 더욱 바람직하다. 알칼리제로서는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 제3 인산나트륨, 아미노알코올 등을 사용할 수 있다. 현상 시간은 5 내지 60초가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 7 내지 45초 정도이다. 현상 온도는 10 내지 40℃가 바람직하고, 더욱 더 바람직하게는 15 내지 35℃ 정도이다. 본 발명에 있어서 은착염 확산 전사 현상을 하기 위한 알칼리액의 적용은 침지 방식이어도 도포 방식이어도 된다. 침지 방식은 예를 들면, 탱크에 대량으로 저류된 알칼리액 중에, 물리 현상 핵층 및 할로겐화은 유제층이 형성된 투명 기재를 침지하면서 반송하는 것이다. 또한 도포 방식은 예를 들면 할로겐화은 유제층 위에 알칼리액을 1평방미터당 40 내지 120m1정도 도포하는 것이다.

한편, 전술한 바와 같이 세선 패턴으로서는 예를 들면 10 내지 10O㎛정도의 선폭의 세선을 종횡으로 격자 모양으로 만든 것이 있다. 세선 폭을 줄이고 개구율을 높이면 투광성은 증가되지만 도전성은 저하되고, 반대로 세선 폭을 크게 하면 투광성은 저하되고 도전성은 높아진다. 전광선 투과율이 70 내지 90% 정도인 투명 기재에 형성한 경우, 투명 기재 상에 형성한 임의의 세선 패턴의 물리 현상은만으로는 전광선 투과율 50% 이상의 투광성과 표면 저항 10옴/스퀘어 이하의 도전성을 동시에 만족시키는 것은 곤란하다. 그 이유는 이 물리 현상은은 표면 고유 저항 50옴/스퀘어 이하, 바람직한 상태에서는 20옴/스퀘어 이하의 도전성을 가지고 있는데, 세선 폭 40㎛이하, 예를 들면 세선 폭 20㎛의 패턴에, 전광선 투과율 50% 이상으로 한 경우에는, 표면 저항은 수백 옴/스퀘어 내지 천 옴/스퀘어 이상으로도 되어 버리기 때문이다. 그러나, 이 물리 현상은 자신은 확실한 은 화상이 형성되어 통전성을 가지고 있다. 그 때문에, 동이나 니켈 등의 금속에 의한 도금, 특히 전해 도금을 실시함으로써 세선 패턴이 15㎛ 이하의 두께 및 40㎛ 이하의 선폭의 세선 패턴을 전광선 투과율이 70 내지 90% 정도인 투명 기재에 만들었을 경우, 전광선 투과율 50% 이상, 바람직하게는 60% 이상의 투광성으로도, 표면 저항 10옴/스퀘어 이하, 바람직하게는 7옴/스퀘어 이하 내지 0.001옴/스퀘어의 도전성을 유지할 수 있다.

금속 도금한 세선 패턴의 두께는 소망하는 특성에 의하여 임의로 변할 수 있지만, 바람직하게는 0.5 내지 15㎛, 더욱 바람직하게는 2 내지 12㎛의 범위이다. 이 범위 보다 얇으면 소망하는 표면 저항치가 얻어지지 않는 경우가 있고, 이 범위보다 두꺼워져도 문제는 없지만, 도금 작업의 효율을 저하시킴에도 불구하고 표면 저항치의 저감 효과를 기대하기는 어렵다. 또한 본 발명의 전자파 차폐재 3OMHz 내지 1,OOOMHz의 넓은 대역에 걸쳐 3OdB 이상의 차단 효과, 또는 그 이상의 높은 주파수대에 걸쳐 양호한 차단 효과를 얻을 수 있다.

본 발명에 있어서는, 세선 패턴의 물리 현상은의 도금은 무전해 도금법, 전해 도금법 또는 양자를 조합한 도금법 중 어느 것이나 가능하지만, 본 발명 전자파 차폐재 제조함에 있어서, 투명 기재 상에 물리 현상 핵층과 할로겐화은 유제층을 설치한 롤상의 긴 웹에, 적어도 세선 패턴의 노광, 현상 처리 및 도금 처리라고 하는 일련의 처리를 연속적으로, 또는 롤상 그대로 실시할 수 있다는 관점 및 도금의 작업 효율의 관점에서도, 전해 도금 또는 그것에 무전해 도금을 조합하는 방법이 바람직하다. 세선 패턴의 물리 현상은은 통전성을 가지기 때문에, 전해 도금은 용이하다.

본 발명에 있어서, 금속 도금법은 공지의 방법으로 할 수 있다. 예를 들면 전해 도금법은 동, 니켈, 은, 금, 백랍(solder) 또는 동/니켈 등의 금속을 사용하고, 이러한 다층 또는 복합계 등의 전해 도금막을 형성하는 종래의 주지의 방법을 사용할 수 있다. 이들에 관해서는, 「표면 처리 기술총람; (주) 기술 자료 센터, 1987/12/21 초판, 281 내지 422페이지」 등의 문헌을 참조할 수 있다.

도금이 용이하고, 또한 도전성이 우수하며, 또한 후막으로 도금을 할 수 있고, 비용이 적게 드는 등의 이유로 동 및/또는 니켈을 사용하는 것이 바람직하다. 전해 도금의 일례를 들면, 황산동, 황산 등을 주성분으로 하는 욕중에 전술한 물리 현상은이 형성된 투명 기재를 침지하고, 10 내지 40℃에서, 전류 밀도 1 내지 20 암페어/dm²로 통전함으로써 도금을 할 수 있다.

본 발명의 전자파 차폐재는 세선 패턴이 0.5 내지 15㎛의 두께 및 1 내지 40㎛의 선폭일 때, 전광선 투과율 50% 이상, 또한 표면 저항이 10옴/스퀘어 이하라는 우수한 투광 성능과 도전 성능을 가지고, 30MHz 내지 l,00OMHz의 넓은 대역에 걸쳐서 3OdB 이상의 차단 효과, 또는 그 이상의 높은 주파수대에 걸쳐 양호한 차단 효과를 발휘할 수 있다. 그리고, 이 차단 효과는 또한 높은 수10GHz대의 주파수대에 관하여도 충분히 효과를 기대할 수 있다.

본 발명의 전자파 차폐재는 전자파 차단층을 가지는 측 또는 기재의 안쪽에 임의의 층, 예를 들면 보호층, 근적외선 흡수층 등을 가질 수 있고, 이러한 층은 도포 또는 필름 접착 등에 의하여 형성할 수 있다.

또한 시인성을 높일 목적으로, 도금층의 표면을 산이나 알칼리 등을 사용하고, 또는 도금 등으로 흑화 처리하는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다.

실시예1

투명 기재로서, 전광선 투과율이 89%인 두께100㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 사용하였다. 이 필름 기재는 염화비닐리덴으로 이루어지는 하층(subbing layer), 그 위에 5Omg/m²의 젤라틴층을 가지고 있다. 그 위에, 고형분에 O.4mg/m²의 유화 팔라듐의 히드로졸액을 도포하고, 건조하여 물리 현상 핵층을 설치하였다.

이어서, 사진용 할로겐화은 유제의 일반적인 더블젯 혼합법으로 제조한 할로겐화은 유제층(염화은 90몰%와 브롬화은 10몰%로, 평균 입경이 0.23㎛가 되도록 조제)를 상기 물리 현상 핵층의 위에 도포하였다. 할로겐화은 유제층의 은(질산은)/젤라틴의 질량비는 1.5이고, 할로겐화은량(질산은으로 환산)이 4g/m²가 되도록 도포하여 감광 재료를 제작하였다.

이 감광 재료를 수은 등을 광원으로 하는 명실용 밀착 프린터로 세선 패턴의 투과 원고를 거쳐 노광하고, 계속하여 시판되는 은착염 확산 전사용 현상액에, 25 또는 40초간 침지 현상한 후, 계속하여 할로겐화은 유제층을 수세 제거하고, 세선폭 20㎛에 세선 두께는 0.05 내지 0.1㎛ 및 세선 간격 200㎛의 세선 패턴의 물리 현상은 박막을 형성시켰다.

상기한 바와 같이 하여 얻은 세선 패턴 상은 박막이 형성한 전자파 차폐재(비교시료1)의 전광선 투과율은 76%이었다. 이 비교시료1의 표면 저항치를 JISK 7194의 측정법에 따라서 측정하였다. 그 결과, 표면 저항치는 850옴/스퀘어이었다. 또 비교시료1은 50OMHz에서는 27dB, 1,OOOMHz에서는 23dB의 차단성을 나타낸다. 또한 참고로, 상기 감광 재료를 노광하지 않고 비교시료1과 같이 현상하고, 전면에 물리 현상은 박막을 형성한 시료의 표면 고유 저항치는 13옴/스퀘어이었다.

다음으로, 상기 비교시료1을 다음과 같이 하여 전해 도금 처리하였다. 전해 동 도금용 처리액(황산동75g/l, 황산190g/l, 염소 이온 50ppm)을 사용하고, 소정의 방법(25℃에서, 3A/cm²)에 따라서, 물리 현상은 막 위에 막 두께 5㎛의 동도금을 실시하고, 본 발명 시료A를 제작하였다. 비교시료1과 같이 전광선 투과율 및 표면 저항치를 측정한 결과, 본 발명 시료A는 전광선 투과율은 73%이고, 표면 저항치는 0.5옴/스퀘어이며, 50OMHz에서는 56dB, 1, O0OMHz에서는 63dB의 차단성을 나타내었다.

실시예2

동의 도금액과 니켈의 도금액을 사용하여, 전체 막 두께 5㎛인 동과 니켈의 전해 도금을 실시한 이외에는 실시예1과 같이 하고, 본 발명 시료B를 제작하였다. 전광선 투과율 및 표면 저항치를 측정한 결과, 본 발명 시료B는 전광선 투과율은 71%이고, 표면 저항치는 0.3옴/스퀘어이며, 50OMHz에서는 60dB, 1,O0OMHz에서는 64dB의 차단성을 나타내었다.

본 발명에 의하면, 넓은 주파수대에 걸쳐, 또는 높은 주파수대에 있어서 투광성과 차단성이 우수한 전자파 차폐재를 얻을 수 있다.

Claims

투명 기재 및 그 위에 형성한 세선 패턴으로 이루어지는 전자파 차폐재로서,

상기 세선 패턴이 물리 현상에 의한 금속 은을 촉매 핵으로 하는 금속 도금막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐재.
제1항에 있어서,

상기 세선 패턴이 15㎛ 이하의 두께 및 40㎛ 이하의 선폭으로 이루어지고, 전 광선 투과율이 50% 이상, 또한 표면 저항이 10옴/스퀘어 이하인 전자파 차폐재.
제1항 또는 제2항에 있어서,

전 광선 투과율이 60% 이상인 전자파 차폐재.
제1 항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

표면 저항이 7옴/스퀘어 이하인 전자파 차폐재.
제1 항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

세선 패턴의 두께가 0.5 내지 15㎛인 전자파 차폐재.
제1 항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,

세선 패턴의 두께가 2 내지 12㎛인 전자파 차폐재.
제1 항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,

세선 패턴의 선폭이 1 내지 40㎛인 전자파 차폐재.
제1 항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 도금이 전해 도금인 전자파 차폐재.
제8항에 있어서,

상기 도금이 동 및 니켈로부터 선택되는 적어도 1종의 도금인 전자파 차폐재.
투명 기재 상에, 물리 현상 핵층과 할로겐화은 유제층을 이 순서로 가지는 감광 재료를 노광하고, 물리 현상 처리에 의하여 상기 물리 현상 핵층 상에 임의의 세선 패턴으로 금속 은을 석출시키고, 이어서 상기 물리 현상 핵층 상에 형성된 층을 제거한 후, 상기 물리 현상된 금속 은을 촉매 핵으로 하여 금속을 도금하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐재의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 세선 패턴이 15㎛이하의 두께 및 40㎛이하의 선폭으로 이루어지고, 전 광선 투과율이 50% 이상, 또한 표면 저항이 10옴/스퀘어 이하인 전자파 차폐재의 제조 방법.
제10항 또는 제11항에 있어서,

전광선 투과율이 60% 이상인 전자파 차폐재의 제조 방법.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,

표면 저항이 7옴/스퀘어 이하인 전자파 차폐재의 제조 방법.
제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,

세선 패턴의 두께가 0.5 내지 15㎛인 전자파 차폐재의 제조 방법.
제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,

세선 패턴의 두께가 2 내지 12㎛인 전자파 차폐재의 제조 방법.
제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,

세선 패턴의 선폭이 1 내지 40㎛인 전자파 차폐재의 제조 방법.
제10항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 도금이 전해 도금인 전자파 차폐재의 제조 방법.
제17항에 있어서,

상기 도금이 동 및 니켈로부터 선택되는 적어도 1종의 도금인 전자파 차폐재의 제조 방법.
제10항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,

전해 도금이 황산동 및 황산을 주성분으로 하는 욕 중에 물리 현상은이 형성된 투명 기재를 침지하고, 10 내지 40℃에서, 전류 밀도1 내지 20암페어/dm²로 통전함으로써 이루어지는 전자파 차폐재의 제조 방법.