JP2001038843A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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- JP2001038843A JP2001038843A JP11213014A JP21301499A JP2001038843A JP 2001038843 A JP2001038843 A JP 2001038843A JP 11213014 A JP11213014 A JP 11213014A JP 21301499 A JP21301499 A JP 21301499A JP 2001038843 A JP2001038843 A JP 2001038843A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた耐久性及び電磁波遮蔽性を有する透明
導電性フィルムを提供する。 【解決手段】 透明基体(A)の一方の主面上に高屈折
率透明薄膜層(B)と少なくとも銀を含む金属薄膜層
(C)からなる透明導電層が(B)/(C)を繰り返し
単位として3〜5回繰り返し積層され、さらにその上に
高屈折率透明薄膜層(B)が形成された透明導電性フィ
ルムであって、金属薄膜層(C)が銀97.5〜99.
9重量%、並びに、パラジウム及び銅の合計含有量が
0.1〜2.5重量%である銀、パラジウム、及び銅を
含む3成分の合金である透明導電性フィルム。
導電性フィルムを提供する。 【解決手段】 透明基体(A)の一方の主面上に高屈折
率透明薄膜層(B)と少なくとも銀を含む金属薄膜層
(C)からなる透明導電層が(B)/(C)を繰り返し
単位として3〜5回繰り返し積層され、さらにその上に
高屈折率透明薄膜層(B)が形成された透明導電性フィ
ルムであって、金属薄膜層(C)が銀97.5〜99.
9重量%、並びに、パラジウム及び銅の合計含有量が
0.1〜2.5重量%である銀、パラジウム、及び銅を
含む3成分の合金である透明導電性フィルム。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性フィル
ムに関する。詳しくは、プラズマディスプレイ(PD
P)、ブラウン管(CRT)、液晶表示装置(LCD)
等のディスプレイから発生する電磁波を効率よく低減さ
せることの出来る電磁波フィルターとして用い得る透明
導電性フィルムに関する。
ムに関する。詳しくは、プラズマディスプレイ(PD
P)、ブラウン管(CRT)、液晶表示装置(LCD)
等のディスプレイから発生する電磁波を効率よく低減さ
せることの出来る電磁波フィルターとして用い得る透明
導電性フィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、社会が高度に情報化されるように
なってきている。それに従って、情報関連機器、関連部
品に対する技術が著しく進歩、普及するようになった。
その中で、ディスプレイ装置は、テレビジョン用、パー
ソナルコンピュータ用、駅や空港などの案内表示用、そ
の他各種の情報提供用に用いられている。その様々な用
途に用いるため、ディスプレイ装置には様々な特性が要
求されるようになってきており、特にその大型で、且
つ、薄型であることが要求されるようになってきた。
なってきている。それに従って、情報関連機器、関連部
品に対する技術が著しく進歩、普及するようになった。
その中で、ディスプレイ装置は、テレビジョン用、パー
ソナルコンピュータ用、駅や空港などの案内表示用、そ
の他各種の情報提供用に用いられている。その様々な用
途に用いるため、ディスプレイ装置には様々な特性が要
求されるようになってきており、特にその大型で、且
つ、薄型であることが要求されるようになってきた。
【0003】それらの要求の中で、近年、大型で且つ薄
型のディスプレイとしてプラズマディスプレイが注目さ
れるようになり、すでに一部が市場に出始めている。し
かしながら、プラズマディスプレイにはその原理上の問
題から強度の漏洩電磁界を発生するという問題を有して
いる。漏洩電磁界の影響に関しては、近年特に関心が持
たれるようになってきており、特に人体や他の電子機器
に対する影響を防ぐ必要がある。また、更にプラズマデ
ィスプレイ装置からは、そのプラズマ中の励起原子から
発生する近赤外線光がコードレスフォン、リモコン等の
電子機器に作用して誤動作を引き起こすという問題を起
こす可能性がある。
型のディスプレイとしてプラズマディスプレイが注目さ
れるようになり、すでに一部が市場に出始めている。し
かしながら、プラズマディスプレイにはその原理上の問
題から強度の漏洩電磁界を発生するという問題を有して
いる。漏洩電磁界の影響に関しては、近年特に関心が持
たれるようになってきており、特に人体や他の電子機器
に対する影響を防ぐ必要がある。また、更にプラズマデ
ィスプレイ装置からは、そのプラズマ中の励起原子から
発生する近赤外線光がコードレスフォン、リモコン等の
電子機器に作用して誤動作を引き起こすという問題を起
こす可能性がある。
【0004】そのため、一般的にディスプレイ装置、特
にPDPには、漏洩電磁界及び近赤外光を遮蔽するため
のフィルター(電磁波フィルター)が用いられている。
電磁波フィルターは、主として、支持板、電磁波遮蔽層
を形成したプラスチックフィルム、及び反射防止層から
なっている。これらの部材を貼り合わせ、塗布等の手法
で組み合わせてPDP光学フィルターとして用いてい
る。
にPDPには、漏洩電磁界及び近赤外光を遮蔽するため
のフィルター(電磁波フィルター)が用いられている。
電磁波フィルターは、主として、支持板、電磁波遮蔽層
を形成したプラスチックフィルム、及び反射防止層から
なっている。これらの部材を貼り合わせ、塗布等の手法
で組み合わせてPDP光学フィルターとして用いてい
る。
【0005】電磁波フィルターの近赤外線及び電磁界の
遮蔽材料としては、現在のところ大きく分けて、アー
スした金属メッシュ、合成樹脂または金属繊維のメッシ
ュに金属を被覆したものと、近赤外線を吸収する色素と
を組み合わせたもの、酸化インジウム−錫(ITO)
に代表される透明導電性薄膜と(場合によっては)近赤
外線を吸収する色素とを組み合わせたものがある。
遮蔽材料としては、現在のところ大きく分けて、アー
スした金属メッシュ、合成樹脂または金属繊維のメッシ
ュに金属を被覆したものと、近赤外線を吸収する色素と
を組み合わせたもの、酸化インジウム−錫(ITO)
に代表される透明導電性薄膜と(場合によっては)近赤
外線を吸収する色素とを組み合わせたものがある。
【0006】の例としては、例えば、特開平9−33
0667号公報には、透明樹脂板上に導電性ペーストを
メッシュ状に塗布乾燥させて作成した電磁波シールド板
が開示されている。また、の透明導電性薄膜を基体上
に形成した例としては、特開平9−331488号等が
挙げられる。これらの電磁波シールド層を用いると効率
よく匡体から発生する電磁波を遮蔽することが可能とな
る。特に後者の例では、前者と比較してメッシュによる
遮光部分の発生やモワレの発生がなく、特に好ましい。
0667号公報には、透明樹脂板上に導電性ペーストを
メッシュ状に塗布乾燥させて作成した電磁波シールド板
が開示されている。また、の透明導電性薄膜を基体上
に形成した例としては、特開平9−331488号等が
挙げられる。これらの電磁波シールド層を用いると効率
よく匡体から発生する電磁波を遮蔽することが可能とな
る。特に後者の例では、前者と比較してメッシュによる
遮光部分の発生やモワレの発生がなく、特に好ましい。
【0007】この中で、ITO等の金属酸化物に代表さ
れる高屈折率薄膜層と銀を主成分とする金属薄膜層とを
積層したものは、透明性が高く、表面抵抗率が低く、良
好な電磁波遮蔽能を有するために好ましく用いることが
出来る。しかしながら、この高屈折率薄膜層と金属薄膜
層とを積層した基体の場合、I)主に銀層の劣化による
反射性欠陥の発生、及び、II)表面抵抗値が金属メッ
シュと比較して一桁以上高いため、電磁波遮蔽能が充分
でないなどの問題が発生していた。
れる高屈折率薄膜層と銀を主成分とする金属薄膜層とを
積層したものは、透明性が高く、表面抵抗率が低く、良
好な電磁波遮蔽能を有するために好ましく用いることが
出来る。しかしながら、この高屈折率薄膜層と金属薄膜
層とを積層した基体の場合、I)主に銀層の劣化による
反射性欠陥の発生、及び、II)表面抵抗値が金属メッ
シュと比較して一桁以上高いため、電磁波遮蔽能が充分
でないなどの問題が発生していた。
【0008】この問題を解決するためさまざまな検討が
為されてきたが、充分な効果が得られなかった。例え
ば、I)前者の問題を解決するため、例えば、特公昭5
9−44993号公報に示されるように銀薄膜層を銀−
金薄膜層とすることで銀層の劣化を改善することが出来
た。しかし、金の含有割合を重量比で5%以上添加しな
いと耐久性の改善は認められない。しかしながら、銀−
金合金薄膜の表面抵抗率は、金の含有率を上げると急激
に上昇し、耐久性向上に関し有効な含有率である重量比
で5%添加すると純粋な銀薄膜に比較して50%以上表
面抵抗率が上がり、電磁波遮蔽能が低下する事になり好
ましくない。
為されてきたが、充分な効果が得られなかった。例え
ば、I)前者の問題を解決するため、例えば、特公昭5
9−44993号公報に示されるように銀薄膜層を銀−
金薄膜層とすることで銀層の劣化を改善することが出来
た。しかし、金の含有割合を重量比で5%以上添加しな
いと耐久性の改善は認められない。しかしながら、銀−
金合金薄膜の表面抵抗率は、金の含有率を上げると急激
に上昇し、耐久性向上に関し有効な含有率である重量比
で5%添加すると純粋な銀薄膜に比較して50%以上表
面抵抗率が上がり、電磁波遮蔽能が低下する事になり好
ましくない。
【0009】一方、II)後者の問題を解決するため、
本出願人は、特開平10−73718号公報に係わる特
許出願において、高屈折率透明薄膜層と金属薄膜層の積
層体からなる透明導電層において各金属薄膜層を薄く
し、積層の繰り返し回数を増やすことにより透明性を維
持したまま、さらに抵抗率を低下させることを提案して
いた。しかし、この場合においても銀層の劣化の問題は
完全には解決できていない。また、同特許出願におい
て、透明導電層の周端部を保護することにより銀層の劣
化を防止できることを提案していたが、周端部を保護す
ることにより銀層の劣化の大部分を押さえることは出来
たものの未だ充分であるとは言い難く、周端部以外から
発生する劣化の問題が有った。
本出願人は、特開平10−73718号公報に係わる特
許出願において、高屈折率透明薄膜層と金属薄膜層の積
層体からなる透明導電層において各金属薄膜層を薄く
し、積層の繰り返し回数を増やすことにより透明性を維
持したまま、さらに抵抗率を低下させることを提案して
いた。しかし、この場合においても銀層の劣化の問題は
完全には解決できていない。また、同特許出願におい
て、透明導電層の周端部を保護することにより銀層の劣
化を防止できることを提案していたが、周端部を保護す
ることにより銀層の劣化の大部分を押さえることは出来
たものの未だ充分であるとは言い難く、周端部以外から
発生する劣化の問題が有った。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、従来の技術では解決することの困難であった、優れ
た耐久性、及び電磁波遮蔽性を有する電磁波シールド用
フィルターとして用い得る透明導電性フィルムを提供す
ることに有る。
は、従来の技術では解決することの困難であった、優れ
た耐久性、及び電磁波遮蔽性を有する電磁波シールド用
フィルターとして用い得る透明導電性フィルムを提供す
ることに有る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、銀、パラジウ
ム及び銅からなる三成分系の合金を用いて金属薄膜層を
成形すると、銀及びパラジウム、又は、銀及び銅等の二
成分系の合金を用いた場合よりも耐久性が高く、銀層の
劣化を抑えるのに必用な他成分の割合を少なく出来る事
を見出した。また、該合金において、銀以外の成分が
2.5重量%以下であると、実質的に電気特性が銀単独
の場合とほぼ等しくなり、合金化による表面抵抗率の低
下を抑え得ることを見出し本発明を完成した。
題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、銀、パラジウ
ム及び銅からなる三成分系の合金を用いて金属薄膜層を
成形すると、銀及びパラジウム、又は、銀及び銅等の二
成分系の合金を用いた場合よりも耐久性が高く、銀層の
劣化を抑えるのに必用な他成分の割合を少なく出来る事
を見出した。また、該合金において、銀以外の成分が
2.5重量%以下であると、実質的に電気特性が銀単独
の場合とほぼ等しくなり、合金化による表面抵抗率の低
下を抑え得ることを見出し本発明を完成した。
【0012】すなわち、本発明は、透明基体(A)の一
方の主面上に高屈折率透明薄膜層(B)と少なくとも銀
を含む金属薄膜層(C)からなる透明導電層が(B)/
(C)を繰り返し単位として3〜5回繰り返し積層さ
れ、さらにその上に高屈折率透明薄膜層(B)が形成さ
れた透明導電性フィルムであって、金属薄膜層(C)が
銀97.5〜99.9重量%、並びに、パラジウム及び
銅の合計含有量が0.1〜2.5重量%である銀、パラ
ジウム、及び銅を含む3成分の合金であることを特徴と
する透明導電性フィルムである。
方の主面上に高屈折率透明薄膜層(B)と少なくとも銀
を含む金属薄膜層(C)からなる透明導電層が(B)/
(C)を繰り返し単位として3〜5回繰り返し積層さ
れ、さらにその上に高屈折率透明薄膜層(B)が形成さ
れた透明導電性フィルムであって、金属薄膜層(C)が
銀97.5〜99.9重量%、並びに、パラジウム及び
銅の合計含有量が0.1〜2.5重量%である銀、パラ
ジウム、及び銅を含む3成分の合金であることを特徴と
する透明導電性フィルムである。
【0013】本発明に係わる透明導電性フィルムの好ま
しい態様として、前記合金中のパラジウムの含有量が
0.05〜1.5重量%であり、銅の含有量が0.05
〜1.5重量%である前記透明導電性フィルム、また、
可視光域における平均透過率が40%以上であり、表面
抵抗率が5Ω/□以下である前記透明導電性フィルムが
挙げられる。本発明の透明導電性フィルムは、優れた耐
久性、及び電磁波遮蔽性を有し、電磁波シールド用フィ
ルターとして好適に用いることができる。
しい態様として、前記合金中のパラジウムの含有量が
0.05〜1.5重量%であり、銅の含有量が0.05
〜1.5重量%である前記透明導電性フィルム、また、
可視光域における平均透過率が40%以上であり、表面
抵抗率が5Ω/□以下である前記透明導電性フィルムが
挙げられる。本発明の透明導電性フィルムは、優れた耐
久性、及び電磁波遮蔽性を有し、電磁波シールド用フィ
ルターとして好適に用いることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の透明導電性フィルムは、透明基体(A)
の一方の主面上に、高屈折率透明薄膜層(B)、並び
に、銀、パラジウム、及び銅を特定の重量割合で含む3
成分系合金から形成された金属薄膜層(C)からなる透
明導電性薄膜層を(B)/(C)を繰り返し単位として
3〜5回繰り返し積層し、更に、その最上層に高屈折率透
明薄膜層(B)を積層することにより製造される。
する。本発明の透明導電性フィルムは、透明基体(A)
の一方の主面上に、高屈折率透明薄膜層(B)、並び
に、銀、パラジウム、及び銅を特定の重量割合で含む3
成分系合金から形成された金属薄膜層(C)からなる透
明導電性薄膜層を(B)/(C)を繰り返し単位として
3〜5回繰り返し積層し、更に、その最上層に高屈折率透
明薄膜層(B)を積層することにより製造される。
【0015】本発明に使用する透明基体としては、ガラ
ス板も用いることが可能であるが、本発明では透明プラ
スチックフィルムを好ましく用いる。本発明で用いる透
明プラスチックフィルムとしては、透明であれば特に限
定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリアクリ
レート、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポ
リアミド、ポリイミド等のホモポリマー、及びこれらの
樹脂のモノマーと共重合可能なモノマーとのコポリマー
からなる高分子フィルムが挙げられる。
ス板も用いることが可能であるが、本発明では透明プラ
スチックフィルムを好ましく用いる。本発明で用いる透
明プラスチックフィルムとしては、透明であれば特に限
定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリアクリ
レート、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポ
リアミド、ポリイミド等のホモポリマー、及びこれらの
樹脂のモノマーと共重合可能なモノマーとのコポリマー
からなる高分子フィルムが挙げられる。
【0016】透明プラスチックフィルムの形成法として
は、溶融押出法、キャスト法、カレンダー法等の公知の
プラスチックフィルムの製造法を用いる事が可能であ
る。また、一般的に、透明導電層は透過色、反射色とも
に着色しており、好ましくない色である場合がある。そ
の際の色の補正を目的として、透明プラスチックフィル
ムを着色することも可能である。着色の方法としては、
前記プラスチックフィルムを形成する際に色素と前もっ
て混合してからフィルム化する方法、樹脂中に色素を分
散させインキ化し、塗布乾燥させる方法、着色したプラ
スチックフィルムを貼り合わせる方法等が挙げられる。
は、溶融押出法、キャスト法、カレンダー法等の公知の
プラスチックフィルムの製造法を用いる事が可能であ
る。また、一般的に、透明導電層は透過色、反射色とも
に着色しており、好ましくない色である場合がある。そ
の際の色の補正を目的として、透明プラスチックフィル
ムを着色することも可能である。着色の方法としては、
前記プラスチックフィルムを形成する際に色素と前もっ
て混合してからフィルム化する方法、樹脂中に色素を分
散させインキ化し、塗布乾燥させる方法、着色したプラ
スチックフィルムを貼り合わせる方法等が挙げられる。
【0017】透明プラスチックフィルムの全光線透過率
は、70%以上であることが好ましい。75%以上であ
る事が更に好ましく、80%以上である事が最も好まし
い。これらの透明プラスチックフィルムの全光線透過率
は92%を超える事は一般的にはない。ただし、反射防
止層などを形成して光線透過率を上げる事により上記の
値を超える事は可能である。また、透明プラスチックフ
ィルムの厚みには特に規定を設けないが、ハンドリング
性の観点から25〜250μmが好ましい。
は、70%以上であることが好ましい。75%以上であ
る事が更に好ましく、80%以上である事が最も好まし
い。これらの透明プラスチックフィルムの全光線透過率
は92%を超える事は一般的にはない。ただし、反射防
止層などを形成して光線透過率を上げる事により上記の
値を超える事は可能である。また、透明プラスチックフ
ィルムの厚みには特に規定を設けないが、ハンドリング
性の観点から25〜250μmが好ましい。
【0018】透明導電層との密着性を向上させる事を目
的として、透明導電層を形成する面に、例えば、水性ポ
リウレタン系、シリコン系コート剤等の密着性を向上さ
せるための下地層を形成する事も可能である。透明導電
層の形成は、透明プラスチックフィルムの片面上に形成
する事が好ましい。両面上に形成すると透明導電層の接
地が困難となり好ましくない。さらに、透明導電層は、
メッシュの場合と異なり、電磁波シールド面全体を覆っ
ており、ディスプレイの表示分解能を落とすことがな
い。また、近赤外線の反射能も兼ね備えており、さらに
ロール状での加工が可能であるなど多くの優れた特徴を
有しており、本発明の目的に良く合致した電磁波フィル
ターとなり得る。
的として、透明導電層を形成する面に、例えば、水性ポ
リウレタン系、シリコン系コート剤等の密着性を向上さ
せるための下地層を形成する事も可能である。透明導電
層の形成は、透明プラスチックフィルムの片面上に形成
する事が好ましい。両面上に形成すると透明導電層の接
地が困難となり好ましくない。さらに、透明導電層は、
メッシュの場合と異なり、電磁波シールド面全体を覆っ
ており、ディスプレイの表示分解能を落とすことがな
い。また、近赤外線の反射能も兼ね備えており、さらに
ロール状での加工が可能であるなど多くの優れた特徴を
有しており、本発明の目的に良く合致した電磁波フィル
ターとなり得る。
【0019】電磁波フィルターとしては、このほかに金
属のメッシュや金属を樹脂中に分散させた導電性ペース
トをメッシュ状に塗布、乾燥させたものがあるが、メッ
シュ自体は光を透過しないために光を透過しない部分が
現れたり、モワレの発生、メッシュを形成する際に断線
部分が生じ、歩留りが悪くなるなどの問題が有り、好ま
しくない。
属のメッシュや金属を樹脂中に分散させた導電性ペース
トをメッシュ状に塗布、乾燥させたものがあるが、メッ
シュ自体は光を透過しないために光を透過しない部分が
現れたり、モワレの発生、メッシュを形成する際に断線
部分が生じ、歩留りが悪くなるなどの問題が有り、好ま
しくない。
【0020】本発明に用いる透明導電層としては、高屈
折率薄膜層(B)と金属薄膜層(C)とからなる事が好
ましい。一般的に、透明導電性薄膜として知られている
酸化インジウム−錫(ITO)や酸化亜鉛(ZnO)な
どの金属酸化物系透明導電層単独の場合、表面抵抗値を
下げるためには金属薄膜層(C)を厚くする必要が有
り、その場合、全光線透過率が大幅に低下し好ましくな
い。
折率薄膜層(B)と金属薄膜層(C)とからなる事が好
ましい。一般的に、透明導電性薄膜として知られている
酸化インジウム−錫(ITO)や酸化亜鉛(ZnO)な
どの金属酸化物系透明導電層単独の場合、表面抵抗値を
下げるためには金属薄膜層(C)を厚くする必要が有
り、その場合、全光線透過率が大幅に低下し好ましくな
い。
【0021】また、高屈折率透明薄膜層(B)と金属薄
膜層(C)とは、繰り返し積層する事が好ましい。この
場合、最表面層は、高屈折率透明薄膜層(B)である事
が好ましい。最表面層が金属薄膜層(C)である場合、
空気層もしくは樹脂層と金属薄膜層(C)との間に直接
反射する界面が出来るため、光の反射が大きくなり、光
線透過率が大幅に低下するために好ましくない。また、
金属薄膜層(C)が直接外気にさらされ、金属層の劣化
が進行し、この観点からも好ましくない。
膜層(C)とは、繰り返し積層する事が好ましい。この
場合、最表面層は、高屈折率透明薄膜層(B)である事
が好ましい。最表面層が金属薄膜層(C)である場合、
空気層もしくは樹脂層と金属薄膜層(C)との間に直接
反射する界面が出来るため、光の反射が大きくなり、光
線透過率が大幅に低下するために好ましくない。また、
金属薄膜層(C)が直接外気にさらされ、金属層の劣化
が進行し、この観点からも好ましくない。
【0022】繰り返しの積層回数は3〜5回である。繰
り返し回数が上記の範囲よりも多い場合には、各層の膜
厚の誤差が全体の光学特性の精度に大きく影響を及ぼす
ようになり、しかも生産性が悪くなるために好ましくな
い。また、繰り返しの回数が少ないと有効に電磁波を遮
蔽するためには、各金属薄膜層の厚みを厚くしなくては
ならない。その場合、反射強度が大きくなるため、全光
線透過率が著しく低下し、要求される光学特性を達成す
る事が困難となり、好ましくない。
り返し回数が上記の範囲よりも多い場合には、各層の膜
厚の誤差が全体の光学特性の精度に大きく影響を及ぼす
ようになり、しかも生産性が悪くなるために好ましくな
い。また、繰り返しの回数が少ないと有効に電磁波を遮
蔽するためには、各金属薄膜層の厚みを厚くしなくては
ならない。その場合、反射強度が大きくなるため、全光
線透過率が著しく低下し、要求される光学特性を達成す
る事が困難となり、好ましくない。
【0023】本発明で用いる透明導電層の表面抵抗率
は、5Ω/□以下であることが好ましい。0.7〜4Ω
/□であることが更に好ましい。表面抵抗率が上記の範
囲内である場合、良好な電磁波遮蔽性と光学特性とを両
立する事が可能となる。表面抵抗率が上記の範囲よりも
低い場合、電磁波遮蔽特性自身は良好であるものの、光
線透過率が著しく低下するために好ましくない。また、
表面抵抗率が上記の範囲よりも高い場合は、光学特性は
良好になるものの、電磁波遮蔽特性が悪くなるために好
ましくない。この場合、透明導電層の全光線透過率は5
0%以上である。
は、5Ω/□以下であることが好ましい。0.7〜4Ω
/□であることが更に好ましい。表面抵抗率が上記の範
囲内である場合、良好な電磁波遮蔽性と光学特性とを両
立する事が可能となる。表面抵抗率が上記の範囲よりも
低い場合、電磁波遮蔽特性自身は良好であるものの、光
線透過率が著しく低下するために好ましくない。また、
表面抵抗率が上記の範囲よりも高い場合は、光学特性は
良好になるものの、電磁波遮蔽特性が悪くなるために好
ましくない。この場合、透明導電層の全光線透過率は5
0%以上である。
【0024】上記透明導電層を形成した透明導電性フィ
ルムの全光線透過率は40%以上であることが好まし
い。50%以上である事が更に好ましく、60%以上で
ある事が最も好ましい。全光線透過率が上記の値よりも
低い透明導電性薄膜層を用いた電磁波フィルターをディ
スプレイに組み付けると画面が暗くなるために好ましく
ない。上述したように、本発明では、透明導電層として
一部に金属薄膜層(C)を用いている。そのため、金属
薄膜層(C)と透明屈折率薄膜層(B)との厚みを光学
的に最適化しても金属薄膜層(C)による金属の光の吸
収、反射を避ける事は出来ないために本発明で用いる透
明導電層の全光線透過率は80%超える事は一般的には
ない。
ルムの全光線透過率は40%以上であることが好まし
い。50%以上である事が更に好ましく、60%以上で
ある事が最も好ましい。全光線透過率が上記の値よりも
低い透明導電性薄膜層を用いた電磁波フィルターをディ
スプレイに組み付けると画面が暗くなるために好ましく
ない。上述したように、本発明では、透明導電層として
一部に金属薄膜層(C)を用いている。そのため、金属
薄膜層(C)と透明屈折率薄膜層(B)との厚みを光学
的に最適化しても金属薄膜層(C)による金属の光の吸
収、反射を避ける事は出来ないために本発明で用いる透
明導電層の全光線透過率は80%超える事は一般的には
ない。
【0025】本発明で用いる高屈折率透明薄膜層(B)
としては、特に材質が限定されるものではないが、好ま
しくは屈折率が1.6以上、より好ましくは1.8以上
の材料が好ましく使用される。このような高屈折率透明
薄膜層(B)を形成し得る具体的な材料としては、イン
ジウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス、錫、亜鉛、
アンチモン、タンタル、セリウム、ネオジウム、ランタ
ン、トリウム、マグネシウム、ガリウム等の酸化物、こ
れらの酸化物の混合物、複合酸化物や硫化亜鉛等が挙げ
られる。これら酸化物あるいは硫化物は、金属と酸素、
硫黄との間の化学量論的な組成にずれがあっても、光学
特性を大きく変えない範囲にあれば差し支えない。これ
らの材料の中で酸化インジウム、酸化インジウム−錫
(ITO)、酸化錫及び酸化亜鉛は透明性が高く、屈折
率が高い事に加えて、製膜速度が速く、金属薄膜層
(C)との密着性が良好である事から好ましく用いる事
が出来る。
としては、特に材質が限定されるものではないが、好ま
しくは屈折率が1.6以上、より好ましくは1.8以上
の材料が好ましく使用される。このような高屈折率透明
薄膜層(B)を形成し得る具体的な材料としては、イン
ジウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス、錫、亜鉛、
アンチモン、タンタル、セリウム、ネオジウム、ランタ
ン、トリウム、マグネシウム、ガリウム等の酸化物、こ
れらの酸化物の混合物、複合酸化物や硫化亜鉛等が挙げ
られる。これら酸化物あるいは硫化物は、金属と酸素、
硫黄との間の化学量論的な組成にずれがあっても、光学
特性を大きく変えない範囲にあれば差し支えない。これ
らの材料の中で酸化インジウム、酸化インジウム−錫
(ITO)、酸化錫及び酸化亜鉛は透明性が高く、屈折
率が高い事に加えて、製膜速度が速く、金属薄膜層
(C)との密着性が良好である事から好ましく用いる事
が出来る。
【0026】高屈折率透明薄膜層(B)の厚みとして
は、要求する光学特性から求まるものであり、特に制限
されるものではないが、各層の厚みは5〜200nmが
好ましい。10〜100nmが更に好ましい。また、先
にも述べたように、高屈折率透明薄膜層(B)は、金属
薄膜層(C)と繰り返し積層して用いるが、各高屈折率
透明薄膜層(B)は同じ材料である必要はなく、また、
同じ厚みである必要もない。高屈折率透明薄膜層(B)
の形成方法としては、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法、イオンビームアシスト法、真空蒸着法、湿
式塗工法など公知の手法を用いる事が出来る。これらの
内、スパッタリング法が好ましい。
は、要求する光学特性から求まるものであり、特に制限
されるものではないが、各層の厚みは5〜200nmが
好ましい。10〜100nmが更に好ましい。また、先
にも述べたように、高屈折率透明薄膜層(B)は、金属
薄膜層(C)と繰り返し積層して用いるが、各高屈折率
透明薄膜層(B)は同じ材料である必要はなく、また、
同じ厚みである必要もない。高屈折率透明薄膜層(B)
の形成方法としては、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法、イオンビームアシスト法、真空蒸着法、湿
式塗工法など公知の手法を用いる事が出来る。これらの
内、スパッタリング法が好ましい。
【0027】金属薄膜層(C)の材料としては、銀、パ
ラジウム、及び銅からなる三成分系の合金が好ましい。
金属薄膜層(C)を上記の合金とする事により、銀単独
で形成する場合よりも耐久性を飛躍的に向上させる事が
可能となる。銀及びパラジウム、又は、銀及び銅からな
る合金においても耐久性を向上させる事は可能である
が、有効に耐久性を向上させるためには銀以外の成分、
つまり、パラジウムもしくは銅の添加割合を重量比で5
%以上にしなければならない。銀に他成分を5重量%程
度加えると、比抵抗が銀と比較して大幅に大きくなるた
めに各金属薄膜層(C)の厚みが同じ場合、銀単独の場
合と比較して表面抵抗率が大幅に高くなり、また各金属
層の厚みを厚くして表面抵抗率を下げても光線透過率が
著しく低下し、好ましくない。このように、銀及びパラ
ジウム、又は、銀及び銅からなる金属薄膜層は、高透明
性と低表面抵抗率を両立する透明導電性薄膜層を形成す
る事が困難である。
ラジウム、及び銅からなる三成分系の合金が好ましい。
金属薄膜層(C)を上記の合金とする事により、銀単独
で形成する場合よりも耐久性を飛躍的に向上させる事が
可能となる。銀及びパラジウム、又は、銀及び銅からな
る合金においても耐久性を向上させる事は可能である
が、有効に耐久性を向上させるためには銀以外の成分、
つまり、パラジウムもしくは銅の添加割合を重量比で5
%以上にしなければならない。銀に他成分を5重量%程
度加えると、比抵抗が銀と比較して大幅に大きくなるた
めに各金属薄膜層(C)の厚みが同じ場合、銀単独の場
合と比較して表面抵抗率が大幅に高くなり、また各金属
層の厚みを厚くして表面抵抗率を下げても光線透過率が
著しく低下し、好ましくない。このように、銀及びパラ
ジウム、又は、銀及び銅からなる金属薄膜層は、高透明
性と低表面抵抗率を両立する透明導電性薄膜層を形成す
る事が困難である。
【0028】本発明においては、銀の含有割合が重量百
分率で97.5〜99.9%であり、、パラジウム及び
銅の合計含有量は重量百分率で0.1〜2.5%である
合金を使用する。この場合、前記合金中のパラジウムの
含有割合が重量百分率で0.05〜2.45%であり、
且つ、銅の含有割合が重量百分率で0.05〜2.45
%であるが好ましい。(おかしい)また、銀の含有割合
が重量百分率で98.5〜99.8%であり、パラジウ
ム及び銅の合計含有量が重量百分率で0.2〜1.5%
である合金を使用することが好ましい。この場合、合金
中のパラジウムの含有割合が重量百分率で0.1〜1.
4%であり、銅の含有割合が重量百分率で0.1〜1.
4%であるが好ましい。
分率で97.5〜99.9%であり、、パラジウム及び
銅の合計含有量は重量百分率で0.1〜2.5%である
合金を使用する。この場合、前記合金中のパラジウムの
含有割合が重量百分率で0.05〜2.45%であり、
且つ、銅の含有割合が重量百分率で0.05〜2.45
%であるが好ましい。(おかしい)また、銀の含有割合
が重量百分率で98.5〜99.8%であり、パラジウ
ム及び銅の合計含有量が重量百分率で0.2〜1.5%
である合金を使用することが好ましい。この場合、合金
中のパラジウムの含有割合が重量百分率で0.1〜1.
4%であり、銅の含有割合が重量百分率で0.1〜1.
4%であるが好ましい。
【0029】合金中の各金属の割合が上記の範囲にある
場合、耐久性が銀単独と比較して大幅に向上し、また、
比抵抗が銀とほぼ等しいために、銀薄膜の特徴である透
明性と低抵抗性を損なう事がなく、透明導電層の一構成
材として好ましく用いる事が出来る。パラジウム及び銅
の割合が上記の範囲よりも大きい場合、すなわち、銀の
割合が上記の範囲よりも小さい場合、合金の比抵抗が大
きくなり、高透明性と低表面抵抗性を両立する事が出来
なくなり好ましくない。また、パラジウム及び銅の割合
が上記の範囲よりも大きい場合、すなわち、銀の割合が
上記の範囲よりも小さい場合、合金の耐久性が銀単独の
場合と同程度になり好ましくない。
場合、耐久性が銀単独と比較して大幅に向上し、また、
比抵抗が銀とほぼ等しいために、銀薄膜の特徴である透
明性と低抵抗性を損なう事がなく、透明導電層の一構成
材として好ましく用いる事が出来る。パラジウム及び銅
の割合が上記の範囲よりも大きい場合、すなわち、銀の
割合が上記の範囲よりも小さい場合、合金の比抵抗が大
きくなり、高透明性と低表面抵抗性を両立する事が出来
なくなり好ましくない。また、パラジウム及び銅の割合
が上記の範囲よりも大きい場合、すなわち、銀の割合が
上記の範囲よりも小さい場合、合金の耐久性が銀単独の
場合と同程度になり好ましくない。
【0030】各金属層の厚みは、島状構造でない事が好
ましいため、4nm以上が好ましく、透明性の観点から
30nm以下が好ましい。但し、上記の範囲よりも厚く
なってもフィルターにした場合の全光線透過率が40%
以上である場合には問題なく使用する事が可能である。
ましいため、4nm以上が好ましく、透明性の観点から
30nm以下が好ましい。但し、上記の範囲よりも厚く
なってもフィルターにした場合の全光線透過率が40%
以上である場合には問題なく使用する事が可能である。
【0031】高屈折率透明薄膜層(B)の場合と同じよ
うに、各金属薄膜層(C)の厚みは同じである必要はな
く、また、各金属薄膜中の銀、パラジウム、及び銅の割
合も上記の範囲内であれば同じである必要はない。金属
薄膜層(C)の形成方法としては、上述した高屈折率透
明薄膜層(B)の形成方法をそのまま用いる事が出来
る。また、透明導電層、特に金属薄膜層(C)の劣化防
止を目的として、透明導電層の周端部を封止する事も可
能である。例えば、トリアジンアミン系化合物、チオジ
プロピオン酸エステル系化合物、ベンゾイミダゾール系
化合物単独もしくはこれらの化合物を含む透明樹脂を前
記の目的のために使用する事が可能である。
うに、各金属薄膜層(C)の厚みは同じである必要はな
く、また、各金属薄膜中の銀、パラジウム、及び銅の割
合も上記の範囲内であれば同じである必要はない。金属
薄膜層(C)の形成方法としては、上述した高屈折率透
明薄膜層(B)の形成方法をそのまま用いる事が出来
る。また、透明導電層、特に金属薄膜層(C)の劣化防
止を目的として、透明導電層の周端部を封止する事も可
能である。例えば、トリアジンアミン系化合物、チオジ
プロピオン酸エステル系化合物、ベンゾイミダゾール系
化合物単独もしくはこれらの化合物を含む透明樹脂を前
記の目的のために使用する事が可能である。
【0032】上記の如くして製造される、本発明に係わ
る透明導電性フィルムは、全光線透過率が40%以上で
あることが好ましい。50%以上であることが更に好ま
しく、60%以上が最も好ましい。全光線透過率が上記
の値よりも低い場合、これを電磁波シールド用フィルタ
ーとして用いたときに、ディスプレイの画面が暗くなり
好ましくない。また、本発明において用いる透明導電性
薄膜には金属薄膜層が用いられているので全光線透過率
が78%を超えることは一般的にはない。また、全体の
厚みは25〜250μm程度、表面抵抗率は5Ω/□以
下である。好ましくは0.7〜4Ω/□である。
る透明導電性フィルムは、全光線透過率が40%以上で
あることが好ましい。50%以上であることが更に好ま
しく、60%以上が最も好ましい。全光線透過率が上記
の値よりも低い場合、これを電磁波シールド用フィルタ
ーとして用いたときに、ディスプレイの画面が暗くなり
好ましくない。また、本発明において用いる透明導電性
薄膜には金属薄膜層が用いられているので全光線透過率
が78%を超えることは一般的にはない。また、全体の
厚みは25〜250μm程度、表面抵抗率は5Ω/□以
下である。好ましくは0.7〜4Ω/□である。
【0033】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。な
お、評価項目、評価方法に関しては以下のようにして行
なった。
お、評価項目、評価方法に関しては以下のようにして行
なった。
【0034】(1)全光線透過率(%) 分光光度計〔(株)日立製作所製、製品名:U−350
0型〕を用いて、得られた各試料の任意の5点を測定
し、その平均値を用いる。
0型〕を用いて、得られた各試料の任意の5点を測定
し、その平均値を用いる。
【0035】(2)表面抵抗率(Ω/□) 4探針式表面抵抗率測定装置〔三菱化学(株)製、製品
名:ロレスタSP]を用いて、得られた各試料の任意の
10点を測定し、その平均値を用いる。
名:ロレスタSP]を用いて、得られた各試料の任意の
10点を測定し、その平均値を用いる。
【0036】(3)耐環境性(hr) 塩水中での反射性欠陥の発生までの時間を測定する。塩
水は、塩化ナトリウム(和光純薬製)1.8gを純水1
000ml中に溶解させた溶液を用いる。得られた各試
料を100mm×100mmに切り出し、23℃の前述
の塩水中に保管し、直径0.1mm以上の欠陥が発生す
るまでの時間を測定する。
水は、塩化ナトリウム(和光純薬製)1.8gを純水1
000ml中に溶解させた溶液を用いる。得られた各試
料を100mm×100mmに切り出し、23℃の前述
の塩水中に保管し、直径0.1mm以上の欠陥が発生す
るまでの時間を測定する。
【0037】実施例1 厚み75μmのポリエチレンテレフタレート(PET)
フィルム(東洋紡績株式会社製、製品名:A−410
0)の一方の主面上にPETフィルム側から酸化インジ
ウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金
薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化イン
ジウム薄膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40
/10/80/10/80/10/40nmである透明
導電性薄膜層を積層し、透明導電性フィルムを得た。銀
合金薄膜は、銀、パラジウム及び銅からなり、それぞ
れの重量割合は銀が99.0%、パラジウムが0.5
%、銅が0.5%である。得られた透明導電性フィルム
の全光線透過率、表面抵抗率、耐環境性を上記方法によ
り測定した。金属薄膜層の組成、及び透明導電性フィル
ムの前記特性を〔表1〕に示す。
フィルム(東洋紡績株式会社製、製品名:A−410
0)の一方の主面上にPETフィルム側から酸化インジ
ウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金
薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化イン
ジウム薄膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40
/10/80/10/80/10/40nmである透明
導電性薄膜層を積層し、透明導電性フィルムを得た。銀
合金薄膜は、銀、パラジウム及び銅からなり、それぞ
れの重量割合は銀が99.0%、パラジウムが0.5
%、銅が0.5%である。得られた透明導電性フィルム
の全光線透過率、表面抵抗率、耐環境性を上記方法によ
り測定した。金属薄膜層の組成、及び透明導電性フィル
ムの前記特性を〔表1〕に示す。
【0038】なお、酸化インジウム薄膜の形成は、ター
ゲットに金属インジウムを用い、圧力が0.01Paと
なるように排気した後、全圧が0.18Paになるまで
アルゴンガスを導入し、さらに全圧が0.26Paとな
るように酸素ガスを導入した。この状態でマグネトロン
DCスパッタリング法により行った。また、銀合金薄膜
の形成は、ターゲットに上記銀合金薄膜と同一の組成
をもつ金属を用い、圧力が0.01Paとなるように排
気した後、全圧が0.18Paになるまでアルゴンガス
を導入した。この状態でマグネトロンDCスパッタリン
グ法により行った。
ゲットに金属インジウムを用い、圧力が0.01Paと
なるように排気した後、全圧が0.18Paになるまで
アルゴンガスを導入し、さらに全圧が0.26Paとな
るように酸素ガスを導入した。この状態でマグネトロン
DCスパッタリング法により行った。また、銀合金薄膜
の形成は、ターゲットに上記銀合金薄膜と同一の組成
をもつ金属を用い、圧力が0.01Paとなるように排
気した後、全圧が0.18Paになるまでアルゴンガス
を導入した。この状態でマグネトロンDCスパッタリン
グ法により行った。
【0039】実施例2 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が98重量%、パラジウムが
1.0重量%、銅が1.0重量%である。得られた透明
導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、及び耐環
境性を実施例1と同様にして測定した。結果を〔表1〕
にあわせて示す。
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が98重量%、パラジウムが
1.0重量%、銅が1.0重量%である。得られた透明
導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、及び耐環
境性を実施例1と同様にして測定した。結果を〔表1〕
にあわせて示す。
【0040】実施例3 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が99.8重量%、パラジウム
が0.1重量%、銅が0.1重量%である。得られた透
明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、及び耐
環境性を実施例1と同様にして測定した。結果を〔表
1〕にあわせて示す。
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が99.8重量%、パラジウム
が0.1重量%、銅が0.1重量%である。得られた透
明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、及び耐
環境性を実施例1と同様にして測定した。結果を〔表
1〕にあわせて示す。
【0041】比較例1 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀薄膜/酸化インジウム薄膜/銀薄膜/酸化インジウ
ム薄膜/銀薄膜/酸化インジウム薄膜の積層構造からな
り、それぞれの厚みが40/10/80/10/80/
10/40nmとした以外は、実施例1と同様にして透
明導電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルム
の全光線透過率、表面抵抗率、及び耐環境性を実施例1
と同様にして測定した。結果を〔表1〕にあわせて示
す。
/銀薄膜/酸化インジウム薄膜/銀薄膜/酸化インジウ
ム薄膜/銀薄膜/酸化インジウム薄膜の積層構造からな
り、それぞれの厚みが40/10/80/10/80/
10/40nmとした以外は、実施例1と同様にして透
明導電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルム
の全光線透過率、表面抵抗率、及び耐環境性を実施例1
と同様にして測定した。結果を〔表1〕にあわせて示
す。
【0042】比較例2 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は実施例
1と同様にして透明導電性フィルムを得た。また、用い
た銀合金薄膜の組成は、銀が99.0%、パラジウム
が1.0%である。得られた透明導電性フィルムの全光
線透過率・表面抵抗率・耐環境性を実施例1と同様にし
て測定した。結果を表1にあわせて示す。
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は実施例
1と同様にして透明導電性フィルムを得た。また、用い
た銀合金薄膜の組成は、銀が99.0%、パラジウム
が1.0%である。得られた透明導電性フィルムの全光
線透過率・表面抵抗率・耐環境性を実施例1と同様にし
て測定した。結果を表1にあわせて示す。
【0043】比較例3 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が99.0重量%、銅が1.0
重量%である。得られた透明導電性フィルムの全光線透
過率、表面抵抗率、及び耐環境性を実施例1と同様にし
て測定した。結果を〔表1〕にあわせて示す。
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が99.0重量%、銅が1.0
重量%である。得られた透明導電性フィルムの全光線透
過率、表面抵抗率、及び耐環境性を実施例1と同様にし
て測定した。結果を〔表1〕にあわせて示す。
【0044】比較例4 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が95.0重量%、パラジウム
が2.5重量%、銅が2.5重量%である。得られた透
明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、及び耐
環境性を実施例1と同様にして測定した。結果を〔表
1〕にあわせて示す。
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が95.0重量%、パラジウム
が2.5重量%、銅が2.5重量%である。得られた透
明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、及び耐
環境性を実施例1と同様にして測定した。結果を〔表
1〕にあわせて示す。
【0045】比較例5 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が99.94重量%、パラジウ
ムが0.03重量%、銅が0.03重量%である。得ら
れた透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、
及び耐環境性を実施例1と同様にして測定した。結果を
表〔1〕にあわせて示す。
/銀合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/
酸化インジウム薄膜/銀合金薄膜/酸化インジウム薄
膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/
80/10/80/10/40nmとした以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀
合金薄膜の組成は、銀が99.94重量%、パラジウ
ムが0.03重量%、銅が0.03重量%である。得ら
れた透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、
及び耐環境性を実施例1と同様にして測定した。結果を
表〔1〕にあわせて示す。
【0046】
【表1】
【0047】<考察>耐環境性が5時間以下である場
合、実際の使用環境下に置くと劣化が生じる。かかる観
点から、比較例1〜3、及び比較例5は好ましくない。
また、好ましい電磁波遮蔽能を持つにためには、表面抵
抗率が5.0Ω/□以下である事が好ましい。かかる観
点から、比較例4は好ましくない。
合、実際の使用環境下に置くと劣化が生じる。かかる観
点から、比較例1〜3、及び比較例5は好ましくない。
また、好ましい電磁波遮蔽能を持つにためには、表面抵
抗率が5.0Ω/□以下である事が好ましい。かかる観
点から、比較例4は好ましくない。
【0048】
【発明の効果】本発明に係わる透明導電性フィルムは、
優れた耐久性、及び電磁波遮蔽性を有する。従って、従
来のものでは不可能であった電磁波遮蔽能が高く、しか
も耐環境性に優れる電磁波シールドフィルターを構成す
る事が出来る。
優れた耐久性、及び電磁波遮蔽性を有する。従って、従
来のものでは不可能であった電磁波遮蔽能が高く、しか
も耐環境性に優れる電磁波シールドフィルターを構成す
る事が出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/00 309 G09F 9/00 309A (72)発明者 鈴木 彰 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 浅川 幸紀 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井化学株式会社内 Fターム(参考) 4F100 AA09B AA17B AA25B AA28B AA33B AB01C AB17C AB24C AB31C AK01A AK42 BA04 BA05 BA07 BA08 BA10A BA10D BA13 EH66 GB41 JD08 JG01C JG04 JL00 JM02B JM02D JN01A JN01B JN01C JN01D JN18B JN18D YY00 YY00A YY00C 5G435 AA14 AA16 FF02 GG33 HH02 HH12 HH14 KK07 LL04 LL08
Claims (11)
- 【請求項1】 透明基体(A)の一方の主面上に高屈折
率透明薄膜層(B)と少なくとも銀を含む金属薄膜層
(C)からなる透明導電層が(B)/(C)を繰り返し
単位として3〜5回繰り返し積層され、さらにその上に
高屈折率透明薄膜層(B)が形成された透明導電性フィ
ルムであって、金属薄膜層(C)が銀97.5〜99.
9重量%、並びに、パラジウム及び銅の合計含有量が
0.1〜2.5重量%である銀、パラジウム、及び銅を
含む3成分の合金であることを特徴とする透明導電性フ
ィルム。 - 【請求項2】 透明基体(A)が、厚みが25〜250
μm、全光線透過率が少なくとも70%の透明プラスチ
ックフィルムであることを特徴とする請求項1記載の透
明導電性フィルム。 - 【請求項3】 高屈折率透明薄膜層(B)が、金属酸化
物または金属硫化物で形成された薄膜層であることを特
徴とする請求項1記載の透明導電性フィルム。 - 【請求項4】 金属酸化物が、酸化インジウム−錫、酸
化インジウム、酸化錫及び酸化亜鉛の中から選ばれた少
なくとも一種の金属酸化物であることを特徴とする請求
項3記載の透明導電性フィルム。 - 【請求項5】 各高屈折率透明薄膜層(B)の厚みが5
〜200nmであることを特徴とする請求項1記載の透
明導電性フィルム。 - 【請求項6】 前記3成分の合金中、パラジウムが0.
05〜2.45重量%、銅が0.05〜2.45重量%
であることを特徴とする請求項1記載の透明導電性フィ
ルム。 - 【請求項7】 銀の含有量が98.5.5〜99.8重
量%、並びに、パラジウム及び銅の合計含有量が0.2
〜1.5重量%である請求項1記載の透明導電性フィル
ム。 - 【請求項8】 前記3成分の合金中、パラジウムが0.
1〜1.4重量%、銅が0.1〜1.4重量%であるこ
とを特徴とする請求項7記載の透明導電性フィルム。 - 【請求項9】 各金属薄膜層(C)の厚みが4〜30n
mであることを特徴とする請求項1記載の透明導電性フ
ィルム。 - 【請求項10】 透明導電性薄膜層の表面抵抗率が5Ω
/□以下、全光線透過率が少なくとも50%であること
を特徴とする請求項1記載の透明導電性フィルム。 - 【請求項11】 全光線透過率が40%以上、表面抵抗
率が5Ω/□以下であることを特徴とする請求項1記載
の透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11213014A JP2001038843A (ja) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11213014A JP2001038843A (ja) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | 透明導電性フィルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001038843A true JP2001038843A (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16632082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11213014A Pending JP2001038843A (ja) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001038843A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112007001519T5 (de) | 2006-06-22 | 2009-06-18 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Verfahren zum Herstellen eines leitfähigen Materials |
US7749620B2 (en) | 2002-07-12 | 2010-07-06 | Fujimori Kogyo Co., Ltd. | Electromagnetic wave shield material and process for producing the same |
JP2012054006A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Gunze Ltd | 透明導電性ガスバリヤフィルム及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-07-28 JP JP11213014A patent/JP2001038843A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7749620B2 (en) | 2002-07-12 | 2010-07-06 | Fujimori Kogyo Co., Ltd. | Electromagnetic wave shield material and process for producing the same |
DE112007001519T5 (de) | 2006-06-22 | 2009-06-18 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Verfahren zum Herstellen eines leitfähigen Materials |
DE112007001519B4 (de) | 2006-06-22 | 2022-03-10 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Verfahren zum Herstellen eines leitfähigen Materials |
JP2012054006A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Gunze Ltd | 透明導電性ガスバリヤフィルム及びその製造方法 |
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