KR20040060743A - Ｉｃ 카드 및 그 ｉｃ 카드를 사용한 기장(記帳) 시스템 - Google Patents

Ｉｃ 카드 및 그 ｉｃ 카드를 사용한 기장(記帳) 시스템 Download PDF

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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

본 발명은 얼굴 사진의 바꿔치기 등의 위조를 방지함으로써 안전을 확보할 수 있고, 또한 얼굴 사진 이외의 화상의 표시가 가능한 보다 고기능의 IC 카드를 제공하는 것을 목적으로 한다. 표시장치와 다수의 박막 집적회로를 가지는 IC 카드로서, 다수의 박막 집적회로에 의해 표시장치의 구동이 제어되고, 다수의 박막 집적회로 및 표시장치에 사용되는 반도체 소자는 다결정 반도체막을 이용하여 형성되어 있으며, 다수의 박막 집적회로는 적층되어 있고, 표시장치와 다수의 박막 집적회로는 동일한 프린트 배선 기판에 실장되어 있으며, IC 카드는 0.05 mm 내지 1 mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 IC 카드이다.

Description

ＩＣ 카드 및 그 ＩＣ 카드를 사용한 기장(記帳) 시스템{IC card and booking-account system using the IC card}
본 발명은 메모리나 마이크로프로세서(CPU) 등의 집적회로를 내장한 IC 카드(스마트(smart) 카드라고도 불림)에 관한 것이고, 또한, 이 IC 카드를 ATM(automated teller machine) 카드(캐쉬(cash) 카드라고도 불림)로서 이용한 경우의 거래 내용의 기장(記帳) 시스템에 관한 것이다.
자기(磁氣)로 데이터를 기록할 수 있는 타입의 자기 카드는 기록할 수 있는 데이터가 겨우 수 십 바이트 정도인 것에 대하여, 반도체 메모리가 내장되어 있는 IC 카드는 기록할 수 있는 데이터가 5 KB 정도 혹은 그 이상이 일반적이고, 자기 카드보다 현격히 큰 용량을 확보할 수 있다. 또한, IC 카드는, 자기 카드와 달리, 카드 상에 사철(砂鐵)을 제공하는 등의 물리적 수단에 의해 데이터가 판독될 우려가 없고, 또한 기억되어 있는 데이터가 고쳐지기 어렵다는 이점(利點)이 있다.
근년, 메모리뿐만 아니라 CPU가 탑재됨으로써, IC 카드는 더욱 고기능화 되고, 그의 용도는 ATM 카드, 크레디트 카드, 프리페이드(prepaid) 카드, 진찰권, 학생증이나 사원증 등의 신분 증명증, 정기권, 회원증 등 다방면에 걸쳐 있다. 고기능화의 일 예로서, 문헌 1(일본국 특허공고 평2-7105호 공보)에는, 단순한 문자나 숫자 등을 표시할 수 있는 표시장치와, 숫자를 입력하기 위한 키보드가 탑재된 IC 카드에 관하여 기재되어 있다.
상기 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, IC 카드에 새로운 기능을 부가함으로써, 새로운 이용이 가능하게 되었다. 현재, IC 카드를 사용한 전자 상거래, 재택 근무, 원격 의료, 원격 교육, 행정 서비스의 전자화, 고속 도로의 자동 요금 징수, 영상 배신(配信) 서비스 등의 실용화가 진행되고 있고, 장래에는 더욱 광범위한 분야에서 IC 카드가 사용될 것이라 생각되고 있다.
이와 같이 IC 카드의 이용 범위가 넓어짐에 따라, IC 카드의 부정 사용이 무시할 수 없는 큰 문제가 되고 있고, IC 카드 사용 시의 본인 인증의 확실성을 어떻게 높일지가 앞으로의 과제이다.
부정 사용 방지책의 하나로 IC 카드에 얼굴 사진을 게재하는 것이 있다. 얼굴 사진을 게재함으로써, ATM 등의 무인 단말장치가 아닌 한, IC 카드 사용 시에 제삼자가 눈으로 본인 인증을 할 수 있게 된다. 그리고, 근거리에서 사용자의 얼굴을 촬영할 수 있는 방범용 감시 카메라가 설치되어 있지 않은 경우에도, 부정 사용 방지를 효과적으로 행할 수 있다.
그러나, 일반적으로, 얼굴 사진은 인쇄법에 의해 IC 카드에 전사되어 있어,위조에 의해 비교적 용이하게 바꿔치기할 수 있다는 함정이 있다.
또한, IC 카드의 두께는 일반적으로 0.7 mm로 얇다. 그 때문에, 집적회로가 탑재되는 영역이 한정되는 경우, 고기능화를 목적으로 하려면, 회로 규모나 메모리 용량이 더욱 큰 집적회로를 그 한정된 용량 안에 보다 많이 탑재할 필요가 있다.
그래서, 본 발명은, 얼굴 사진을 바꿔치기하는 등의 위조를 방지함으로써 안전을 확보할 수 있고, 또한, 얼굴 사진 이외의 화상을 표시할 수 있는 더욱 고기능의 IC 카드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1(A)∼도 1(C)는 본 발명의 IC 카드의 외관도와, 내부 구조를 나타내는 도면.
도 2(A)∼도 2(C)는 접속 단자 및 박막 집적회로의 확대도와, 표시장치와 프린트 배선 기판 사이의 접속 부분의 확대도.
도 3(A)∼도 3(E)는 반도체 소자의 제조 방법을 나타내는 도면.
도 4(A)∼도 4(C)는 반도체 소자의 제조 방법을 나타내는 도면.
도 5(A)∼도 5(C)는 반도체 소자의 제조 방법을 나타내는 도면.
도 6은 액정 표시장치의 단면도.
도 7은 박막 집적회로와 표시장치의 블럭도.
도 8(A)∼도 8(C)는 본 발명의 IC 카드의 내부 구조를 나타내는 도면.
도 9는 박막 집적회로와 표시장치의 블럭도.
도 10(A) 및 도 10(B)는 입출력용 인터페이스의 구조를 나타내는 블럭도.
도 11(A)∼도 11(D)는 박막 집적회로의 구조를 나타내는 단면도.
도 12는 본 발명의 IC 카드의 이용 방법을 나타내는 도면.
도 13(A)∼도 13(F)는 본 발명의 표시장치의 제조 방법을 나타내는 도면.
도 14(A) 및 도 14(B)는 액정 표시장치의 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101: 카드 본체 102: 화소부 103: 접속 단자
104: 프린트 배선 기판 105: 표시장치 106: 박막 집적회로
107, 110: 콘택트 홀 108, 109: 리드(lead) 111: 패드(pad)
112, 113: 와이어(wire) 114: 단자
본 발명에서는, IC 카드 내에 실장될 정도로 얇은 표시장치를 IC 카드 내에 탑재한다. 구체적으로는, 아래의 방법을 이용하여 집적회로와 표시장치를 제조한다.
먼저, 제 1 기판 위에 금속막을 성막하고, 이 금속막의 표면을 산화시킴으로써 수 nm 두께의 극히 얇은 금속 산화막을 성막한다. 다음에, 이 금속 산화막 상에 절연막과 반도체막을 순차적으로 적층한다. 그리고, 이 반도체막을 사용하여, 집적회로 또는 표시장치에 사용되는 반도체 소자를 제조한다. 또한, 본 명세서에서는, 기존의 실리콘 웨이퍼를 사용하여 형성된 집적회로와 구별하기 위해, 이하, 본 발명에서 사용하는 집적회로를 박막 집적회로라고 부른다. 반도체 소자를 형성한 다음, 이 소자를 덮도록 제 2 기판을 붙여, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 반도체 소자가 끼워진 상태로 한다.
그리고, 제 1 기판의 반도체 소자가 형성되어 있는 쪽과는 반대 쪽에, 제 1기판의 강성(剛性)을 보강하기 위해 제 3 기판을 붙인다. 제 1 기판의 강성이 제 2 기판보다도 높은 경우, 제 1 기판을 떼어낼 때, 반도체 소자에 손상을 주기 어렵고 부드럽게 떼어낼 수 있다. 그러나, 제 3 기판은 후에 제 1 기판을 반도체 소자로부터 떼어낼 때, 제 1 기판의 강성이 충분하다면, 반드시 붙일 필요는 없다.
다음에, 가열 처리 등을 실시함으로써 금속 산화막을 결정화하여, 그 막의 취성(脆性)을 높이고, 기판을 반도체 소자로부터 박리하기 쉽게 한다. 그리고, 제 1 기판을 제 3 기판과 함께 반도체 소자로부터 떼어낸다. 또한, 금속 산화막을 결정화하기 위한 가열 처리는 제 3 기판을 붙이기 전이라도 좋고, 제 2 기판을 붙이기 전이라도 좋다. 또는, 반도체 소자를 형성하는 공정에서 행해지는 가열 처리가 이 금속 산화막의 결정화 공정을 겸하여도 좋다.
이렇게 떼어내는 공정에 의해, 금속막이 금속 산화막으로부터 분리되는 부분과, 절연막이 금속 산화막으로부터 분리되는 부분과, 금속 산화막 자체가 쌍방으로 분리되는 부분이 생긴다. 어떻든, 반도체 소자는 제 2 기판측에 부착될 수 있도록 제 1 기판으로부터 떼어내어진다.
그리고, 제 1 기판을 박리한 후, 반도체 소자를 프린트 배선 기판 또는 인터포저(interposer) 위에 장착(마운트)하여, 제 2 기판을 박리한다. 또한, 제 2 기판은 반드시 박리할 필요는 없고, 제 2 기판의 두께가 문제가 되지 않는다면, 제 2 기판이 부착된 채로 반도체 소자를 완성하여도 좋다.
또한, 표시장치의 표시 소자는 반도체 소자를 프린트 배선 기판 또는 인터포저 위에 장착한 후에 제조된다. 구체적으로는, 액정 표시장치의 경우, 예를 들어,반도체 소자의 하나인 TFT에 전기적으로 접속된 액정 셀(cell)의 화소 전극이나 이 화소 전극을 덮는 배향막을 형성한 다음, 반도체 소자, 화소 전극 및 배향막을 프린트 배선 기판 또는 인터포저 위에 장착하고, 그 후, 별도로 제조한 대향 기판을 화소 전극 및 배향막에 붙이고, 액정을 주입하여 액정 표시장치를 완성한다.
또한, 제 1 기판을 박리한 후, 반도체 소자를 프린트 배선 또는 인터포저가 아니라, 표시장치의 토대가 되는 다른 기판에 붙이도록 하여도 좋다. 그리고, 표시 소자를 형성하여 표시장치가 완성된 후, 그 표시장치를 토대가 되는 기판과 함께 프린트 배선 기판 또는 인터포저 위에 장착하도록 하여도 좋다. 이 경우, 제 2 기판의 박리는 그 장착 전에 행한다. 또한, 토대가 되는 기판의 두께는 IC 카드 자체의 박막화를 방해하지 않을 정도로 하고, 구체적으로는, 수 백 ㎛ 이하 정도로 하는 것이 바람직하다.
또한, 반도체 소자를 사용하여 형성된 표시장치 또는 박막 집적회로와, 프린트 배선 기판 또는 인터포저 사이의 전기적 접속(본딩(bonding))은 플립 칩(flip chip)법, TAB(Tape Automated Bonding)법을 사용하거나, 또는 와이어 본딩법을 사용하여 행할 수 있다. 플립 칩법을 이용하는 경우, 본딩은 장착과 동시에 행해진다. 와이어 본딩법을 사용하는 경우에는, 본딩 공정은 장착 후 제 2 기판이 박리된 상태로 행해진다.
또한, 하나의 기판 상에 다수의 박막 집적회로나 표시장치를 형성하는 경우에는, 도중에 다이싱(dicing)을 행하여 박막 집적회로나 표시장치를 서로 떼어놓도록 한다. 다이싱을 행하는 타이밍은 박막 집적회로의 경우 패키징의 유무에 따라다르며, 표시장치의 경우, 토대가 되는 기판의 유무에 따라 다르지만, 어느 경우에도, 박막 집적회로나 표시장치를 프린트 배선 기판에 장착 또는 실장되기 전에 다이싱을 행한다.
또한, 박막 집적회로를 패키징하는 경우에는, 동일 인터포저 상에 다수의 박막 집적회로를 장착하여 MCP로서 사용하여도 좋다. 이 경우도, 박막 집적회로 간의 전기적 접속을 위해 와이어 본딩법을 사용하여도 좋고, 플립 칩법을 사용하여도 좋다.
또한, 인터포저는 프린트 배선 기판과의 전기적 접속을 리드 프레임(lead frame)으로 수행하는 타입이어도 좋고, 범프(bump)를 사용하여 수행하는 타입이어도 좋고, 그 외 공지의 형태를 가지고 있어도 좋다.
본 발명에서는, 실리콘 웨이퍼로 제조된 집적회로의 막 두께가 50 ㎛ 정도인 것에 대하여, 막 두께가 500 nm 이하인 박막 반도체막을 사용하여, 전체 막 두께가 1 ㎛ 내지 5 ㎛, 대표적으로는 2 ㎛ 정도의 비약적으로 얇은 박막 집적회로를 형성할 수 있다. 또한, 표시장치의 두께를 0.5 mm 정도, 바람직하게는 0.02 mm 정도로 할 수 있다. 따라서, 표시장치를 두께가 0.5 mm 내지 1 mm인 IC 카드에 탑재할 수 있고, 또한, 회로 규모나 메모리 용량이 보다 큰 박막 집적회로를 IC 카드의 한정된 용적 안에 보다 많이 탑재할 수 있어, 소형화 및 경량화를 방해하지 않고 IC 카드의 다기능을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 실리콘 웨이퍼에 비하여 저렴하고 대형인 유리 기판을 사용할 수 있어, 보다 낮은 비용으로 또한 높은 처리량(스루풋)으로 박막 집적회로를 대량 생산할 수 있으며, 그 결과, 생산 비용을 비약적으로 억제할 수 있다. 또한, 기판을 반복하여 사용할 수도 있으므로, 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 이 박막 집적회로는, 실리콘 웨이퍼로 제작된 집적회로와 달리, 크랙이나 연마 흔적의 원인이 되는 백 그라인딩(back-grinding) 처리를 행할 필요가 없고, 또한, 두께의 불균일도 박막 집적회로를 구성하는 각 막의 성막 시의 불균일에 의존하게 되므로, 그 불균일은 커도 수 백 nm 정도이며, 백 그라인딩 처리에 의해 수∼수 십 ㎛의 불균일과 비교하여 비약적으로 작게 억제될 수 있다.
또한, 프린트 배선 기판의 형상에 맞추어 박막 집적회로나 표시장치를 붙일 수 있으므로, IC 카드의 형상의 자유도가 높아진다. 따라서, 예를 들어, 원주 형상의 병 등에 부착할 수 있는 곡면을 가지는 형상으로 IC 카드를 형성할 수도 있다.
또한, 박막 집적회로는 프린트 배선 기판 상에 베어 칩(bare chip)으로서 직접 실장되는 형태에 한정되지 않고, 인터포저 상에 장착하여 패키지하고 나서 실장하는 형태도 취할 수 있다. 박막 집적회로를 베어 칩으로서 실장함으로써, 소형화 및 경량화를 도모할 수 있다. 한편, 패키지하고 나서 실장함으로써, 패키징 업체로부터 공급된 박막 집적회로를 전자 기기 업체 측에서 실장할 때, 청정 룸(room)이나 특수한 본더(bonder) 등의 설비·기술을 필요로 하지 않고 실장을 용이하게 할 수 있다. 그리고, 박막 집적회로를 외부 환경으로부터 보호하고, 프린트 배선 기판의 풋프린트(footprint)를 표준화할 수 있고, 서브마이크론 스케일의 박막 집적회로의 배선을 프린트 배선 기판과 같은 정도의 밀리미터 스케일까지 확대할 수있다.
패키지는 CSP(Chip Size Package), MCP(Multi Chip Package)뿐만 아니라, DIP(Dual In-line Package), QFP(Quad Flat Package), SOP(Small Outline Package) 등의 모든 공지 형태가 가능하다.
또한, 표시장치는, 예를 들어, 액정 표시장치, 유기 발광 소자로 대표되는 발광 소자를 각 화소에 구비한 발광장치, DMD(Digital Micromirror Device) 등으로서 사용될 수 있다. 또한, 박막 집적회로에는, 마이크로프로세서(CPU), 메모리, 전원 회로, 또는 그 외의 디지털 회로나 아날로그 회로를 설치할 수 있다. 또한, 이 표시장치의 구동회로나 이 구동회로에 공급할 신호를 생성하는 콘트롤러를 박막 집적회로 내에 형성하여도 좋다.
본 발명은 카드에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 범주에는 상기한 박막 집적회로와 표시장치를 구비하고 호스트와의 데이터의 송수신을 행할 수 있는 휴대형 기록매체도 포함된다.
다음, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.
도 1(A)는 본 발명의 IC 카드의 상면도를 나타낸다. 도 1(A)에 나타낸 IC 카드는, IC 카드에 제공된 접속 단자를 단말 장치의 리더(reader)/라이터(writer)에 전기적으로 접속하여 데이터의 송수신을 행하는 접촉형 카드이지만, 비접촉으로 데이터의 송수신을 행하는 비접촉형이라도 좋다.
부호 101은 카드 본체를 나타내고, 부호 102는 카드 본체(101)에 탑재되어 있는 표시장치의 화소부, 부호 103은 마찬가지로 카드 본체(101)에 탑재되어 있는박막 집적회로의 접속 단자에 해당한다.
도 1(B)는 카드 본체의 내부에 봉지되어 있는 프린트 배선 기판(104)의 구성을 나타낸다. 또한, 도 1(C)는 도 1(B)에 도시한 프린트 배선 기판(104)의 뒷측의 구성을 나타낸다. 프린트 배선 기판(104)의 한 쪽 면에는 표시장치(105)가 실장되어 있고, 다른 쪽 면에는 박막 집적회로(106)가 실장되어 있다.
또한, 도 1(A)∼도 1(C)에 도시된 IC 카드에서는, 표시장치(105)와 박막 집적회로(106)가 프린트 배선 기판(104)의 상이한 면들에 실장되어 있지만, 모두가 동일 면에 실장되어 있어도 좋다. 도 1(A)∼도 1(C)에 나타낸 바와 같이, 표시장치(105)와 박막 집적회로(106)가 프린트 배선 기판(104)의 상이한 면들에 실장되어 있는 경우에는, 표시장치(105)에 전기적으로 접속되어 있는 리드(lead)(배선)(108)와, 박막 집적회로(106)에 전기적으로 접속되어 있는 리드(배선)(109)가 콘택트 홀(107)을 통하여 서로 전기적으로 접속될 수 있다.
접속 단자(103)는, 단말 장치에 구비된 리더/라이터에 직접 접속되어 단말 장치와 IC 카드 사이에서의 데이터의 송수신을 행하기 위한 단자이다. 도 2(A)는 도 1(B)에 도시한 접속 단자(103)의 확대도를 나타내고, 도 2(B)는 도 1(C)에 도시한 박막 집적회로(106)의 확대도를 나타낸다.
도 2(A)에서는, 프린트 배선 기판(104)의 한 쪽 면에 접속 단자(103)가 8개 설치되어 있는 예를 나타내고 있으나, 물론, 접속 단자의 수는 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도 2(B)에 도시한 바와 같이, 프린트 배선 기판(104)의 다른 쪽 면에 패드(pad)(111)가 다수 형성되어 있다.
패드(111)는 와이어(112)에 의해 박막 집적회로(106)에 전기적으로 접속되어 있다. 패드(111)에는, 프린트 배선 기판(104)에 형성된 콘택트 홀(110)을 통하여 접속 단자(103)에 전기적으로 접속된 패드, 또는 리드(109)에 전기적으로 접속된 패드가 있다. 또한, 때로는, 와이어(112)를 형성하지 않고 박막 집적회로(106)에 전기적으로 접속되지 않고, 접속 단자(103)나 리드(109)에 전기적으로 접속되어 있는 패드(111)를 형성하여도 좋다.
또한, 도 2(C)는 표시장치(105)와 리드(108)가 서로 접속되어 있는 부분의 단면도를 나타낸다. 도 2(C)에 나타낸 바와 같이, 표시장치(105)에 마련된 단자(114)와 리드(108)가 와이어(113)에 의해 서로 전기적으로 접속되어 있고, 리드(108)와 리드(109)가 콘택트 홀(107)을 통하여 서로 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 패드(111)와 박막 집적회로(106) 사이의 전기적 접속을 와이어 본딩법을 사용하여 접속하고 있지만, 본 발명은 그것에 한정되는 것은 아니다. 그 전기적 접속에는, 와이어 본딩법에 한하지 않고, 솔더 볼(solder ball)을 이용한 플립 칩(flip chip)법으로 접속하여도 좋고, 그 외의 방법을 사용하여도 좋다. 또한, 표시장치(105)와 리드(108) 사이의 전기적 접속방법은 와이어 본딩법에 한하지 않고, 그 외의 방법을 사용하여도 좋다.
또한, 접속 단자(103)와 박막 집적회로(106)의 사이의 전기적 접속은 본 실시형태에 나타낸 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 패드를 제공하지 않고 콘택트 홀을 통하여 직접 와이어에 의해 접속 단자와 박막 직접 회로를 접속하도록 하여도 좋다.
다음, 박막 집적회로의 제조 방법에 관하여 설명한 후, 표시장치의 제조 방법에 관하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 반도체 소자로서 2개의 TFT를 예로 들어 나타내고 있으나, 박막 집적회로와 표시장치에 포함되어 있는 반도체 소자는 이에 한정되지 않고, 모든 회로 소자를 사용할 수 있다. 예를 들어, TFT 외에, 기억 소자, 다이오드, 광전 변환 소자, 저항 소자, 코일, 용량 소자, 인덕터 등을 대표적인 예로 들 수 있다.
먼저, 도 3(A)에 도시한 바와 같이, 스퍼터법을 사용하여 제 1 기판(500) 상에 금속막(501)을 성막한다. 여기에서는, 금속막(501)에 텅스텐을 사용하고, 막 두께를 10 nm∼200 nm, 바람직하게는, 50 nm∼75 nm으로 한다. 또한, 본 실시형태에서는, 제 1 기판(500) 상에 직접 금속막(501)을 성막하지만, 예를 들어, 산화규소, 질화규소, 질화산화규소 등의 절연막으로 제 1 기판(500)을 덮은 후, 금속막(501)을 성막하도록 하여도 좋다.
그 금속막(501)의 성막 후, 대기에 노출되지 않도록 산화물 막(502)을 적층하도록 성막한다. 여기에서는, 산화물 막(502)으로서 산화규소막을 150 nm∼300 nm의 막 두께로 성막한다. 또한, 스퍼터법을 사용하는 경우, 제 1 기판(500)의 단면에도 성막이 이루어진다. 그 때문에, 후의 공정에서의 박리 시에, 산화물 막(502)이 제 1 기판(500) 측에 남는 것을 방지하기 위해, 그 단면에 성막된 금속막(501)과 산화물 막(502)을 O2애싱(ashing) 등으로 선택적으로 제거하는 것이 바람직하다.
또한, 산화물 막(502)의 성막 시에, 스퍼터링의 전(前)단계로서 타겟과 기판 사이를 셔터로 차단하여 플라즈마를 발생시키는 프리스퍼터링(pre-sputtering)을 행한다. 프리스퍼터링은, Ar을 10 sccm, O2를 30 sccm의 유량으로 하고, 제 1 기판(500)의 온도를 270℃, 성막 파워를 3 kW의 평행 상태로 유지하여 행한다. 프리스퍼터링에 의해 금속막(501)과 산화물 막(502) 상에 극히 얇은 수 nm(여기에서는 3 nm) 정도의 금속 산화막(503)이 형성된다. 이 금속 산화막(503)은 금속막(501)의 표면이 산화됨으로써 형성된다. 따라서, 본 실시형태에서는, 금속 산화막(503)은 산화텅스텐으로 형성된다.
또한, 본 실시형태에서는, 프리스퍼터링에 의해 금속 산화막(503)을 형성하고 있으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 산소, 또는 산소에 Ar 등의 불활성 가스를 첨가하고 플라즈마에 의해 의도적으로 금속막(501)의 표면을 산화하여 금속 산화막(503)을 형성하도록 하여도 좋다.
다음에, 산화물 막(502)을 성막한 후, PCVD법을 사용하여 하지막(504)을 성막한다. 여기에서는, 하지막(504)으로서, 산화질화규소막을 100 nm 정도의 막 두께로 성막한다. 그 하지막(504)을 성막한 후, 대기에의 노출 없이 반도체막(505)을 형성한다. 이 반도체막(505)의 막 두께는 25∼100 nm(바람직하게는, 30∼60 nm)로 한다. 또한, 반도체막(505)은 비정질 반도체라도 좋고, 다결정 반도체라도 좋다. 또한, 반도체는 규소뿐만 아니라 실리콘 게르마늄도 사용할 수 있다. 실리콘 게르마늄을 사용하는 경우, 게르마늄의 농도는 0.01∼4.5 원자% 정도인 것이 바람직하다.
다음에, 도 3(B)에 나타낸 바와 같이, 반도체막(505)을 공지의 기술에 의해 결정화한다. 공지의 결정화 방법으로서는, 전열로(電熱瀘)를 사용한 열 결정화 방법, 레이저광을 사용한 레이저 결정화법, 적외광을 사용한 램프 어닐 결정화법이 있다. 또는, 일본국 공개특허공고 평7-130652호 공보에 개시된 기술에 따라, 촉매원소를 사용하는 결정화법을 사용할 수도 있다.
또한, 다결정 반도체막인 반도체막(505)을 스퍼터법, 플라즈마 CVD법, 열 CVD법 등으로 미리 형성하도록 하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 레이저 결정화에 의해, 반도체막(505)을 결정화한다. 연속 발진이 가능한 고체 레이저를 사용하여, 기본파의 제 2 고조파∼제 4 고조파의 레이저광을 조사함으로써, 대립경의 결정을 얻을 수 있다. 예를 들어, 대표적으로는 Nd:YVO4레이저(기본파: 1064 nm)의 제 2 고조파(532 nm)나 제 3 고조파(355 nm)를 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 연속 발진의 YVO4레이저로부터 방출된 레이저광을 비선형 광학 소자에 의해 고조파로 변환하여, 출력 10 W의 레이저광을 얻는다. 또한, 비선형 광학 소자를 사용하여, 고조파를 방출하는 방법도 있다. 그리고, 바람직하게는, 광학계에 의해 조사(照射)면에서 사각형상 또는 타원형상의 레이저광으로 형성하여 반도체막(502)에 조사한다. 이 때의 에너지 밀도는 0.01∼100 MW/㎠ 정도(바람직하게는, 0.1∼10 MW/㎠)가 필요하다. 그리고, 주사 속도를 10∼2000 cm/s 정도로 하여 화살표로 나타낸 방향으로 조사한다.
또한, 레이저 결정화는 연속 발진 기본파의 레이저광과 연속 발진 고조파의 레이저광을 조사하도록 하여도 좋고, 연속 발진 기본파의 레이저광과 펄스 발진 고조파의 레이저광을 조사하도록 하여도 좋다.
또한, 희가스나 질화물 등의 불활성 가스 분위기 속에서 레이저광을 조사하도록 하여도 좋다. 이렇게 함으로써, 레이저광 조사에 의해 반도체 표면이 거칠어지는 것을 억제할 수 있고, 계면 준위 밀도의 불균일에 의해 발생하는 스레시홀드 값의 변동을 억제할 수 있다.
반도체막(505)에의 상기한 레이저광 조사에 의해 결정성이 보다 높아진 반도체막(506)이 형성된다. 다음에, 도 3(C)에 나타낸 바와 같이, 반도체막(506)을 패터닝하여, 섬 형상의 반도체막(507, 508)을 형성하고, 이 섬 형상의 반도체막(507, 508)을 이용하여 TFT로 대표되는 각종 반도체 소자를 형성한다. 또한, 본 실시형태에서는, 하지막(504)과 섬 형상의 반도체막(507, 508)이 접하고 있으나, 반도체 소자에 따라서는 하지막(504)과 섬 형상의 반도체막(507, 508) 사이에 전극이나 절연막 등이 형성되어 있어도 좋다. 예를 들어, 반도체 소자의 하나인 보텀 게이트형 TFT의 경우, 하지막(504)과 섬 형상의 반도체막(507, 508) 사이에 게이트 전극과 게이트 절연막이 형성된다.
본 실시형태에서는, 섬 형상의 반도체막(507, 508)을 사용하여 탑 게이트형 TFT(509, 510)를 형성한다(도 3(D)). 구체적으로는, 섬 형상의 반도체막(507, 508)을 덮도록 게이트 절연막(511)을 성막하고, 그 게이트 절연막(511) 상에 도전막을 성막하고, 패터닝함으로써, 게이트 전극(512, 513)을 형성한다. 그리고, 게이트전극(512, 513)이나 혹은 레지스트를 성막하여 패터닝한 것을 마스크로 사용하여, 섬 형상의 반도체막(507, 508)에 n형을 부여하는 불순물을 첨가하여, 소스 영역, 드레인 영역, LDD(Lightly Doped Drain) 영역 등을 형성한다. 또한, 여기에서는, TFT(509, 510)를 n형으로 하지만, p형 TFT의 경우에는 p형의 도전성을 부여하는 불순물을 첨가한다.
상기 일련의 공정에 의해 TFT(509, 510)가 형성될 수 있다. 또한, TFT의 제조 방법은 상술한 공정에 한정되는 것은 아니다.
다음에, TFT(509, 510)를 덮도록 제 1 층간절연막(514)을 성막한다. 그리고, 게이트 절연막(511) 및 제 1 층간절연막(514)에 콘택트 홀을 형성한 후, 콘택트 홀을 통하여 TFT(509, 510)에 접속되는 배선(515∼518)을 제 1 층간절연막(514)에 접하도록 형성한다. 그리고, 배선(515∼518)을 덮도록 제 1 층간절연막(514) 위에 제 2 층간절연막(519)을 성막한다.
그리고, 제 2 층간절연막(519)에 콘택트 홀을 형성하고, 이 콘택트 홀을 통하여 배선(518)에 접속되는 단자(520)를 제 2 층간절연막(519) 상에 형성한다. 또한, 본 실시형태에서는, 단자(520)가 배선(518)을 통하여 TFT(510)와 전기적으로 접속되어 있으나, 반도체 소자와 단자(520)와의 전기적 접속의 형태는 이것에 한정되는 것은 아니다.
다음에, 제 2 층간절연막(519) 및 단자(520) 상에 보호층(521)을 형성한다. 보호층(521)의 재료로는, 후에 제 2 기판을 붙이거나 박리할 때, 제 2 층간절연막(519) 및 단자(520)의 표면을 보호할 수 있고, 또한 제 2 기판의 박리후에 제거가 가능한 재료를 사용한다. 예를 들어, 물 또는 알코올류에 용해 가능한 에폭시계, 아크릴레이트계, 실리콘계의 수지를 전면(全面)에 도포하고 소성함으로써 보호층(521)을 형성할 수 있다.
본 실시형태에서는, 스핀 코팅법으로 수용성 수지(토아고세이사제: VL-WSHL10)를 30 ㎛의 막 두께로 도포하고, 가(假)경화시키기 위해 2분간의 노광을 행한 후, UV광을 뒷면에서 2.5분, 표면에서 10분, 합계 12.5분의 노광을 행하여 본(本)경화시켜, 보호층(521)을 형성한다.(도 3(E))
또한, 다수의 유기 수지를 적층하는 경우, 적층된 유기 수지들이, 사용하고 있는 용매에 따라 도포 또는 소성 시에 일부 용해되거나, 밀착성이 너무 높아질 우려가 있다. 따라서, 제 2 층간절연막(519)과 보호층(521) 모두를 동일 용매에 용해 가능한 유기 수지를 사용하는 경우, 후의 공정에서 보호층(521)의 제거가 원활하게 행해지도록 제 2 층간절연막(519)을 덮도록, 또한 제 2 층간절연막(519)과 단자(520) 사이에 끼워지도록, 무기 절연막(SiNx막, SiNxOy막, AlNx막, 또는 AlNxOy막)을 형성하여 두는 것이 바람직하다.
다음에, 후의 박리를 행하기 쉽게 하기 위해, 금속 산화막(503)을 결정화시킨다. 결정화에 의해 금속 산화막(503)이 입계에서 나누어지기 쉽게 되어 취성(脆性)을 높일 수 있다. 본 실시형태에서는, 420℃∼550℃, 0.5∼5시간 정도의 가열 처리를 행하여 결정화를 행하였다.
다음에, 금속 산화막(503)과 산화물 막(502) 사이의 밀착성, 또는 금속 산화막(503)과 금속막(501) 사이의 밀착성을 부분적으로 저하시켜, 박리 개시의 계기가되는 부분을 형성하는 처리를 금속 산화막(503)에 행한다. 구체적으로는, 분리하려는 영역의 주위를 따라 금속 산화막(503)에 외부에서 국소적으로 압력을 가하여 금속 산화막(503)의 층내 또는 계면 근방의 일부에 손상을 준다. 본 실시형태에서는, 다이아몬드 펜 등의 단단한 침을 금속 산화막(503)의 단부 근방에 수직으로 내리 누르고, 그대로 하중이 걸린 상태로 금속 산화막(503)을 따라 움직인다. 바람직하게는, 스크라이버(scriber) 장치를 이용하여, 밀어넣는 양을 0.1 mm∼2 mm으로 하고, 압력을 걸어 움직이면 좋다. 이와 같이, 박리를 행하기 전에, 박리가 개시되는 계기가 되는 밀착성이 저하된 부분을 형성함으로써, 후의 박리 공정에서의 불량을 저감시킬 수 있고, 수율 향상으로 이어진다.
이어서, 양면 테이프(522)를 사용하여 보호층(521) 위에 제 2 기판(523)을 부착하고, 또한 양면 테이프(524)를 사용하여 제 1 기판(500) 위에 제 3 기판(525)을 부착한다(도 4(A)). 또한, 양면 테이프가 아닌 접착제를 사용하여도 좋다. 예를 들어, 자외선에 의해 박리하는 접착제를 사용함으로써, 제 2 기판의 박리 시에 반도체 소자에 걸리는 부담을 경감시킬 수 있다. 제 3 기판(525)은 후의 박리 공정에서 제 1 기판(500)이 파손하는 것을 방지한다. 제 2 기판(523) 및 제 3 기판(525)으로서는, 제 1 기판(500)보다도 강성이 높은 기판, 예를 들어, 석영 기판, 반도체 기판을 사용하는 것이 바람직하다.
이어서, 금속막(501)을 물리적 수단에 의해 산화물 막(502)으로부터 분리한다. 금속막(501)의 벗겨냄은 선행 공정에서 금속막(501) 또는 산화물 막(502)에 대한 금속 산화막(503)의 밀착성이 부분적으로 저하된 영역으로부터 개시한다.
금속막(501)의 벗겨냄에 의해 3개의 분리된 부분, 즉, 금속막(501)이 금속 산화막(503)으로부터 분리되는 부분과, 산화물 막(502)이 금속 산화막(503)으로부터 분리되는 부분과, 금속 산화막(503) 자체가 쌍방으로 분리되는 부분이 생긴다. 그리고, 반도체 소자(여기에서는 TFT(509, 510))가 부착된 제 2 기판(523)이, 제 1 기판(500) 및 금속막(501)이 부착된 제 3 기판(525)으로부터 분리된다. 이 벗겨냄은 비교적 작은 힘(예를 들어, 사람의 손, 노즐에서 불어나오는 가스의 풍압, 초음파 등)으로 행할 수 있다. 도 4(B)는 이 박리 공정 후의 상태를 나타낸다.
다음에, 프린트 배선 기판(527)을 접착제(526)에 의해 금속 산화막(503)이 부분적으로 부착되어 있는 산화물 막(502)에 접착한다(도 4(C)). 또한, 본 실시형태에서는, 박막 집적회로를 베어 칩으로서 프린트 배선 기판에 실장하는 예에 관하여 나타내지만, 패키징 후에 실장하는 경우에는 박막 집적회로를 인터포저 위에 장착한다.
이 접착 시에, 접착제(526)에 의한 산화물 막(502)과 프린트 배선 기판(527) 사이의 밀착력이 양면 테이프(522)에 의한 제 2 기판(523)과 보호층(521) 사이의 접착력보다도 크게 되도록 접착제(526)의 재료를 선택하는 것이 중요하다.
또한, 금속 산화막(503)이 산화물 막(502)의 표면에 잔존하고 있으면, 프린트 배선 기판(527)과의 밀착성이 나쁘게 되는 경우가 있으므로, 금속 산화막(503)을 에칭 등에 의해 완전하게 제거하고 나서 프린트 배선 기판에 접착하여 밀착성을 높이도록 하여도 좋다.
프린트 배선 기판(527)의 재료로서는, 세라믹 기판, 유리 에폭시 기판, 폴리이미드 기판 등의 공지의 재료를 사용할 수 있다. 또한, 박막 집적회로나 표시장치에서 발생한 열을 확산시키기 위해, 2∼30 W/mK 정도의 높은 열 전도율을 가지는 재료가 바람직하다.
프린트 배선 기판(527) 위에 패드(530)가 형성된다. 이 패드(530)는, 예를 들어, 구리에 납땜, 금 또는 주석을 도금한 것으로 형성되어 있다.
접착제(526)로서는, 예를 들어, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 자외선 경화형 접착제 등의 광 경화형 접착제, 혐기형(嫌氣型) 접착제 등의 각종 경화형 접착제가 사용될 수 있다. 더욱 바람직하게는, 은, 니켈, 알루미늄, 질화알루미늄으로 된 분말, 또는 필러(filler)를 혼합시켜 접착제(526)에 높은 열전도성을 부여하는 것이 바람직하다.
다음에, 도 5(A)에 나타낸 바와 같이, 보호층(521)으로부터 양면 테이프(522)와 제 2 기판(523)을 순서대로 또는 동시에 떼어낸다.
그리고, 도 5(B)에 나타낸 바와 같이, 보호층(521)을 제거한다. 여기에서는 보호층(521)이 수용성의 수지로 되어 있으므로, 물에 녹여 제거한다. 보호층(521)이 잔류하고 있으면 불량의 원인이 되는 경우에는, 제거 후의 표면에 세정 처리나 O2플라즈마 처리를 실시하여, 잔류하고 있는 보호층(521)의 일부를 제거하는 것이 바람직하다.
다음에, 와이어 본딩법을 이용하여, 단자(520)와 패드(530)를 와이어(532)로 접속한다. 장착(마운팅)과 전기적 접속을 행함으로써, 실장이 완료된다.
또한, 박막 집적회로를 인터포저 위에 장착하여 패키징하는 경우에는, 기밀(氣密) 봉지(封止) 방식 또는 플라스틱 성형 방식 등으로 봉지할 수 있다. 기밀 봉지 방식을 사용하는 경우, 일반적으로는 세라믹, 금속 또는 유리 등으로 된 케이스를 사용하여 봉지한다. 플라스틱 성형 방식을 사용하는 경우에는, 구체적으로는 몰드(mold) 수지 등이 사용된다. 또한, 반드시 박막 집적회로를 봉지할 필요는 없지만, 봉지함으로써, 패키지의 기계적 강도를 높이거나, 박막 집적회로에서 발생한 열을 방열하거나, 인접하는 회로로부터의 전자(電磁) 노이즈를 차폐할 수 있는 이점이 제공된다.
또한, 본 실시형태에서는, 금속막(501)으로서 텅스텐을 사용하고 있으나, 본 발명에서 금속막은 이 재료에 한정되는 것은 아니다. 그 재료의 표면에 금속 산화막(503)을 형성하고 이 금속 산화막(503)을 결정화함으로써 기판을 떼어낼 수 있는 금속을 포함하는 재료라면 좋다. W 뿐만 아니라, 예를 들어, TiN, WN, Mo 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들의 합금을 금속막으로 사용하는 경우, 그의 조성비에 따라 결정화 시의 가열 처리의 최적 온도가 상이하다. 따라서, 그 조성비를 조정함으로써 반도체 소자의 제조 공정에서 방해가 되지 않는 온도로 가열 처리를 행할 수 있으므로, 반도체 소자의 프로세스의 선택이 거의 제한되기 않는다.
또한, 레이저 결정화 시, 각 박막 집적회로를 레이저광의 빔 스폿(beam spot)의 주사 방향에 대하여 수직인 방향으로 폭에 잘 맞는 영역에 형성함으로써, 박막 집적회로가 빔 스폿의 장축의 양단에 형성되는 결정성이 나쁜 영역(엣지(edge))을 가로지르는 것을 방지하고, 이에 따라, 적어도 결정립계가 거의 존재하지 않는 반도체막을 박막 집적회로 내의 반도체 소자에 사용할 수 있다.
상기 제조 방법에 의해, 전체 막 두께가 1 ㎛ 내지 5 ㎛, 대표적으로는, 2 ㎛ 정도인 비약적으로 얇은 박막 집적회로를 형성할 수 있다. 또한, 박막 집적회로의 두께에는, 반도체 소자 자체의 두께뿐만 아니라, 금속 산화막과 반도체 소자 사이에 형성된 절연막의 두께와, 반도체 소자를 형성한 후에 덮는 층간절연막의 두께와, 단자의 두께가 포함된다.
다음에, 본 발명에 다른 표시장치의 제조 방법에 관하여 설명한다.
도 6은, 프린트 배선 기판(6000) 상에 접착제(6001)에 의해 장착(마운트)된 표시장치(6002)의 단면도를 나타낸다. 도 6에서는, 표시장치(6002)로서 액정 표시장치를 사용한 예를 나타낸다.
도 6에 나타낸 표시장치(6002)에서는, 먼저, 도 3(A)에 도시한 제조 방법에 따라, 반도체막을 형성하는 공정까지를 행한다. 그리고, 이 반도체막을 사용하여 제조된 TFT(6003)와, 무기 절연막으로 된 패시베이션 막(6015)과, TFT(6003)를 덮는 절연막(6005)과, TFT(6003)에 전기적으로 접속되고 또한 절연막(6005) 상에 형성된 화소 전극(6004)과, 마찬가지로 절연막(6005) 상에 형성된 표시장치(6002)용 단자(6006)와, 화소 전극(6004)을 덮는 배향막(6007)을 형성한다. 그리고, 배향막(6007)에는 러빙 처리를 실시하여 둔다. 또한, 배향막(6007)을 형성하기 전에, 절연막을 이용하여 스페이서(6008)를 형성하여도 좋다. 또한, 단자(6006)는 배향막(6007)에 의해 덮이지 않고 노출되도록 한다.
그리고, 도 3(E)에 도시한 제조 방법에 따라, 배향막(6007) 상에 보호막을형성하고, 도 4(A)∼도 5(B)에 도시한 공정에 따라, 제 1 기판을 박리한 후, 반도체 소자를 프린트 배선 기판 위에 장착하고, 제 2 기판과 보호막을 제거한다.
그리고, 별도 형성하여 둔 대향 기판(6009)을 시일제(6010)를 이용하여 배향막(6007)에 붙인다. 시일제에는 필러가 혼입되어 있어도 좋다. 대향 기판(6009)은 두께가 수 백 ㎛ 정도인 기판(6011) 상에 투명 도전막으로 이루어진 대향 전극(6012)과, 러빙 처리가 된 배향막(6013)이 형성되어 있는 구조를 가진다. 또한, 이들에 추가하여, 컬러 필터나 디스클리네이션을 방지하기 위한 차폐막 등이 형성되어 있어도 좋다. 또한, 편광판(6014)을 대향 기판(6009)의 대향 전극(6012)이 형성되어 있는 면과는 반대의 면에 붙여 둔다.
또한, 기판(6011)은 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 플라스틱 기판으로는, 극성 기(基)가 붙은 노르보르넨 수지로 된 ARTON(JSR사제)을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르 술폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 나일론, 폴리에테르 에테르케톤(PEEK), 폴리 술폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리이미드 등의 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
그리고, 액정(6025)을 주입하고 봉지하여, 표시장치가 완성된다. 그리고, 표시장치(6002)용의 단자(6006)를 프린트 배선 기판(6000)에 제공된 리드에 와이어 본딩법 등을 이용하여 전기적으로 접속함으로써, 실장이 완료된다.
본 실시형태에서는, 표시장치의 제조 공정에서, 제 1 기판을 박리한 후, 반도체 소자를 프린트 배선 기판에 장착하고 있으나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 표시장치의 토대가 되는 다른 기판을 별도로 준비하고, 제 1 기판을 박리한 후, 이 토대가 되는 기판에 표시장치를 붙이도록 하여도 좋다. 그리고, 이 토대가 되는 기판과 함께 표시장치를 프린트 배선 기판 위에 장착하도록 하여도 좋다. 이 경우, 표시장치를 완성하고 나서 프린트 배선 기판에 이 표시장치를 장착하는 것이 가능하다. 즉, 액정 표시장치의 경우, 액정을 주입하고 봉지하여 표시장치를 완성한 후 프린트 배선 기판 위에 표시장치를 장착할 수 있다. 예를 들어, 발광 장치에서는, 표시 소자인 발광 소자의 제조는, 전계 발광층의 성막이나 음극의 성막 등의 공정이 포함되어 있으므로, 프린트 배선 기판 상에서 행해지는 것이 어렵다. 따라서, 발광 장치의 경우, 토대가 되는 기판을 이용하여 표시장치를 완성한 후 프린트 배선 기판 위에 표시장치를 장착하는 방법이 유효하다.
또한, 도 6에 도시한 액정 표시장치는 반사형이지만, 백 라이트의 탑재가 가능하다면 투과형이라도 좋다. 반사형 액정 표시장치의 경우, 화상 표시를 행하기 위해 소비되는 전력을 투과형보다도 억제할 수 있다. 투과형 액정 표시장치의 경우, 반사형과 달리, 어두운 곳에서의 화상의 인식이 용이하게 된다.
또한, 본 발명에서 사용하는 표시장치는 얼굴 사진으로 인물을 식별할 수 있는 정도의 해상도를 가지고 있을 필요가 있다. 따라서, 증명 사진 대신에 사용하는 것이라면, 적어도 QVGA(320 ×240) 정도의 해상도가 필요하다고 생각된다.
프린트 배선 기판에 박막 집적회로와 표시장치의 실장이 완료되면, 프린트 배선 기판을 봉지재로 봉지한다. 카드의 봉지에는 일반적으로 사용되고 있는 재료를 사용할 수 있고, 예를 들어, 폴리에스테르, 아크릴산, 폴리비닐 아세테이트, 프로필렌, 염화비닐, 아크릴로니트릴 부타디엔 스틸렌 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 고분자 재료를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 봉지 시, 표시장치의 화소부가 노출되도록 하고, 또한, 접촉형 IC 카드의 경우는, 화소부뿐만 아니라 접속 단자도 노출되도록 한다. 봉지에 의해, 도 1(A)에 도시한 바와 같은 외관을 가지는 IC 카드를 형성할 수 있다.
다음에, 박막 집적회로와 표시장치의 구성의 일 형태에 관하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 IC 카드에 탑재된 박막 집적회로(201)와 표시장치(202)의 블럭도를 나타낸다.
박막 집적회로(201)에 제공된 인터페이스(203)를 통하여, 프린트 배선 기판에 제공된 접속 단자(215)와 박막 집적회로(201) 사이에서 신호의 송수신이 행해진다. 또한, 접속 단자(215)로부터의 전원 전압이 인터페이스(203)를 통하여 박막 집적회로(201)에 공급된다.
또한, 도 7에 나타낸 박막 집적회로(201)에는, CPU(204), ROM(205), RAM(204), EEPROM(207), 코프로세서(coprocesser)(208), 콘트롤러(209)가 제공되어 있다.
CPU(204)에 의해, IC 카드의 모든 처리가 제어되고 있으며, ROM(205)에는 CPU(204)에서 사용되는 각종 프로그램이 기억되어 있다. 코프로세서(208)는 메인이 되는 CPU(204)의 작동을 돕는 부(副)프로세서이고, RAM(206)은 단말 장치와 박막 집적회로(201) 사이의 통신 시의 버퍼로서 기능하는 외에, 데이터 처리 시의 작업 영역으로서도 사용된다. EEPROM(207)은 신호로서 입력된 데이터를 정해진 어드레스에 기억한다.
또한, 얼굴 사진 등의 화상 데이터를 재기입(rewrite) 가능한 상태로 기억시킨다면 EEPROM(207)에 기억하고, 재기입이 불가능한 상태로 기억시킨다면 ROM(205)에 기억한다. 또한, 별도의 화상 데이터 기억용 메모리를 준비하여 두어도 좋다.
콘트롤러(209)는 화상 데이터를 포함하는 신호에 표시장치(202)의 사양에 맞추어 데이터 처리를 실시하고, 비디오 신호로서 표시장치(202)에 공급한다. 또한, 콘트롤러(209)는 접속 단자(215)로부터 입력된 전원 전압이나 각종 신호를 기반으로 하여 Hsync 신호, Vsync 신호, 클럭 신호 CLK, 교류 신호(AC Cont) 등을 생성하고, 표시장치(202)에 공급한다.
표시장치(202)에는, 각각의 화소에 표시 소자가 제공된 화소부(210)와, 그 화소부(210)에 제공된 화소를 선택하는 주사선 구동회로(211)와, 선택된 화소에 비디오 신호를 공급하는 신호선 구동회로(212)가 제공되어 있다.
또한, 도 7에 도시한 박막 집적회로(201)와 표시장치(202)의 구성은 일 예이고, 본 발명은 이 구성에 한정되지는 않는다. 표시장치(202)는 화상을 표시하는 기능을 가지고 있으면 좋고, 액티브형이라도 패시브형이라도 상관없다. 또한, 박막 집적회로(201)는 표시장치(202)의 구동을 제어하는 신호를 표시장치(202)에 공급할 수 있는 기능을 가지고 있으면 좋다.
이와 같이 얼굴 사진의 데이터를 표시장치에서 표시함으로써, 인쇄법을 이용한 경우에 비하여 얼굴 사진의 바꿔치기를 곤란하게 할 수 있다. 더욱이, 얼굴 사진의 데이터를 ROM 등의 재기입이 불가능한 메모리에 기억시킴으로써, 카드가 위조되는 것을 방지할 수 있고, IC 카드의 안전을 더욱 확보할 수 있다. 또한, 무리하게 IC 카드를 분해하면 ROM이 망가지는 구성으로 해 두면, 더욱 확실하게 위조를 방지할 수 있다.
또한, 표시장치에 사용되는 반도체막이나 절연막 등에 일련 번호를 각인해 두면, 예를 들어, ROM에 화상 데이터를 기억시키기 전의 IC 카드가 도난 등에 의해 제삼자에게 부정하게 건내진다 하더라도 일련 번호로부터 그 유통 루트를 어느 정도 추적해 낼 수 있다. 이 경우, 복원 불가능한 정도로 표시장치를 분해하지 않으면 없어지지 않는 위치에 일련 번호를 각인해 두면 더욱 효과적이다.
본 발명의 IC 카드는, 박막 집적회로가 실리콘 웨이퍼로 제작한 것에 비하여 비약적으로 얇으므로, IC 카드의 정해진 용적 안에 보다 많은 박막 집적회로를 적층시켜 실장할 수 있다. 따라서, 프린트 배선 기판 상에 레이아웃되는 박막 집적회로의 면적을 억제하면서, 회로 규모나 메모리 용량을 보다 크게 할 수 있어, IC 카드를 더욱 고기능화할 수 있다.
또한, 플라스틱 기판은 반도체 소자의 제조 공정에서의 가열 처리의 온도에 대하여 불량한 내열성을 가져, 사용하는 것이 어렵다. 그러나, 본 발명에서는, 가열 처리를 포함하는 제조 공정은 온도에 대한 내성이 비교적 높은 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 등을 사용하여 이 제조 공정이 종료된 후에 반도체 소자를 플라스틱 기판 상으로 옮기는 것이 가능하므로, 유리 기판 등에 비하여 얇은 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 그리고, 유리 기판 상에 형성되어 있는 표시장치의 두께가 겨우 2 내지 3 mm 정도인 것에 대하여, 본 발명에서는 플라스틱 기판을 이용함으로써, 표시장치의 두께를 0.5 mm 정도, 더 바람직하게는 0.02 mm 정도로 비약적으로 얇게 할 수 있다. 따라서, IC 카드에의 탑재도 가능하게 되어, IC 카드를 보다 고기능화시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 IC 카드는 접촉형에 한정되지 않고, 비접촉형이라도 좋다. 비접촉형의 본 발명의 IC 카드의 구성을 도 8(A)∼도 8(C)에 의거하여 설명한다.
도 8(A)는 비접촉형 IC 카드에 봉지되어 있는 프린트 배선 기판(301)의 구성을 나타낸다. 도 8(A)에 나타낸 바와 같이, 프린트 배선 기판(301)에는 표시장치(302)와 박막 집적회로(303)가 실장되어 있고, 표시장치(302)와 박막 집적회로(303)는 리드(304)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 도 8(A)에서는, 프린트 배선 기판(301)의 한 쪽 면에 박막 집적회로(303)와 표시장치(302)가 함께 실장되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 프린트 배선 기판(301)의 한 쪽 면에 표시장치(302)가 실장되고, 다른 쪽 면에 박막 집적회로가 실장되어 있어도 좋다.
도 8(B)는 도 8(A)에 도시한 프린트 배선 기판(301)의 뒷측의 구성을 나타낸다. 도 8(B)에 나타낸 바와 같이, 프린트 배선 기판(305)에 안테나 코일(305)이 실장되어 있다. 안테나 코일(305)에 의해, 프린트 배선 기판(305)과 단말 장치와의 사이의 데이터의 송수신을 전자(電磁) 유도를 이용하여 비접촉으로 행할 수 있으므로, 접촉형에 비하여 IC 카드가 물리적인 마모나 손상을 받기 어렵다.
도 8(B)는 안테나 코일(305)을 일체로 구비한 프린트 배선 기판(301)을 사용하는 예를 나타내고 있으나, 별도로 제작한 안테나 코일을 프린트 배선 기판(301)에 실장하도록 하여도 좋다. 예를 들어, 동선(銅線) 등을 코일 형태로 감아, 100 ㎛ 정도의 두께를 가지는 2장의 플라스틱 필름 사이에 이 동선을 끼워 프레스한 것을 안테나 코일로 사용할 수 있다.
또한, 도 8(B)에서는, 하나의 IC 카드에 안테나 코일(305)이 하나만 사용되고 있지만, 도 8(C)에 나타내는 바와 같이, 안테나 코일(305)이 다수 사용되어도 좋다.
다음에, 비접촉형 IC 카드에 있어서의 박막 집적회로와 표시장치의 구성의 일 형태에 관하여 설명한다. 도 9는 본 발명의 IC 카드에 탑재된 박막 집적회로(401)와 표시장치(402)의 블럭도를 나타낸다.
부호 400은 입력용 안테나 코일이고, 부호 413은 출력용 안테나 코일이다. 또한, 부호 403a는 입력용 인터페이스이고, 부호 403b는 출력용 인터페이스이다. 또한, 각종 안테나 코일의 수는 도 9에 도시한 수에 한정되는 것은 아니다.
도 9에 나타낸 박막 집적회로(401)에는, 도 7의 경우와 마찬가지로, CPU(404), ROM(405), RAM(404), EEPROM(407), 코프로세서(408), 콘트롤러(409)가 제공되어 있다. 또한, 표시장치(402)에는, 화소부(410)와 주사선 구동회로(411)와 신호선 구동회로(412)가 제공되어 있다.
입력용 안테나 코일(400)에 의해 단말 장치로부터 입력된 AC 전원 전압이나 각종 신호는 입력용 인터페이스(403a)에서 파형 정형되거나 직류화된 다음, 각종 회로에 공급된다. 또한, 박막 집적회로(401)로부터 출력되는 출력 신호는 출력용 인터페이스(403b)에서 변조되고, 출력용 안테나 코일(413)에 의해 단말 장치로 보내진다.
도 10(A)는 입력용 인터페이스(403a)의 보다 상세한 구성을 나타낸다. 도 10(A)에 나타낸 입력용 인터페이스(403a)에는, 정류 회로(420)와 복조(複調) 회로(421)가 제공되어 있다. 입력용 안테나 코일(400)로부터 입력된 AC 전원 전압이 정류 회로(420)에서 정류화되고, DC 전원 전압으로서 박막 집적회로(401) 내의 각종 회로에 공급된다. 또한, 입력용 안테나 코일(400)로부터 입력된 각종 AC 신호는 복조 회로(421)에서 복조되고, 박막 집적회로(401) 내의 각종 회로에 공급된다.
도 10(B)는 출력용 인터페이스(403b)의 보다 상세한 구성을 나타낸다. 도 10(B)에 나타낸 출력용 인터페이스(403b)에는 변조 회로(423)와 증폭기(424)가 제공되어 있다. 박막 집적회로(401) 내의 각종 회로로부터 출력용 인터페이스(403b)에 입력된 각종 신호는 변조 회로(423)에서 변조되고, 증폭기(424)에서 증폭 또는 완충 증폭된 후, 출력용 안테나 코일(413)로부터 단말 장치로 보내진다.
또한, 본 실시형태에서는, 비접촉형으로서 코일 안테나를 사용한 예를 나타내었지만, 비접촉형 IC 카드는 이것에 한정되지 않고, 발광 소자나 광 센서 등을 이용하여 광으로 데이터의 송수신을 행하도록 하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 안테나 코일이나 접속 단자를 통하여 리더/라이터로부터 전원 전압이 공급되고 있는 예에 대하여 나타내었으나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 리튬 전지 등의 초박형 전지를 내장하고 있어도 좋고, 태양 전지를 구비하고 있어도 좋다.
이상과 같이, 본 발명에서는, 실리콘 웨이퍼에 비하여 저렴하고 대형의 유리 기판을 이용할 수 있으므로, 보다 낮은 비용으로 더욱 높은 처리량으로 박막 집적회로를 대량 생산할 수 있고, 생산 비용을 비약적으로 억제할 수 있다. 또한, 기판을 반복하여 사용할 수도 있으므로, 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 비약적으로 얇은 박막 집적회로를 형성할 수가 있으므로, 회로 규모나 메모리 용량이 보다 큰 박막 집적회로를 IC 카드의 한정된 용적 내에 보다 많이 탑재할 수 있다. 또한, 표시장치를 두께 0.05 mm 내지 1 mm의 IC 카드에 탑재하는 것이 가능한 정도의 두께로 형성할 수 있다. 따라서, 소형화 및 경량화를 방해하지 않고 IC 카드의 다기능을 실현할 수 있다.
또한, 프린트 배선 기판의 형상에 맞추어 박막 집적회로나 표시장치를 붙이는 것이 가능하므로, IC 카드의 형상의 자유도가 높아진다. 따라서, 예를 들어, 원주 형상의 병 등에 부착되도록 곡면을 가지는 형상으로 IC 카드를 형성할 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 관하여 설명한다.
[실시예 1]
본 실시예에서는, 접촉형 IC 카드에 탑재되어 있는 프린트 배선 기판과 박막 집적회로와의 전기적 접속의 방법에 관하여 설명한다.
도 11(A)는 와이어 본딩법에 의해 프린트 배선 기판에 접속되어 있는 박막 집적회로의 단면 구조를 나타내는 사시도이다. 부호 601은 인터포저(interposer), 부호 602는 박막 집적회로를 나타낸다. 박막 집적회로(602)는 장착(마운트)용 접착제(604)에 의해 인터포저(601) 위에 장착되어 있다.
또한, 도 11(A)에 나타낸 인터포저(601)에는 박막 집적회로(602)가 장착되어 있는 면의 뒷면 측에 접속 단자(605)가 형성되어 있다. 그리고, 인터포저(601)에 형성된 패드(606)는 인터포저(601)에 형성된 콘택트 홀을 통하여 접속 단자(605)와 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 본 실시예에서는, 접속 단자(605)와 패드(606)를 콘택트 홀을 통하여 직접 접속하고 있지만, 예를 들어, 인터포저(601)의 내부에 다층화된 배선을 마련하고, 이 배선을 통하여 전기적으로 접속되도록 하여도 좋다.
그리고, 도 11(A)에서는, 박막 집적회로(602)와 패드(606)가 와이어(607)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 도 11(B)는 도 11(A)에 도시한 패키지의 단면도이다. 박막 집적회로(602)에는 반도체 소자(609)가 형성되어 있고, 또한, 인터포저(601)가 형성되어 있는 박막 집적회로(602)의 측면과는 반대 측에 박막 집적회로용의 패드(608)가 형성되어 있다. 이 패드(608)는 반도체 소자(609)에 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 박막 집적회로용의 패드(608)는 와이어(607)에 의해 인터포저(601) 위에 형성된 패드(606)에 접속되어 있다.
다음에, 도 11(C)는 플립 칩(flip chip)법을 이용하여 인터포저에 접속되어 있는 박막 집적회로의 단면도이다. 도 11(C)에 나타낸 패키지에서는, 박막 집적회로(622)에 솔더 볼(solder ball)(627)이 형성되어 있다. 이 솔더 볼(627)은 박막 집적회로(622)의 인터포저(621) 측에 제공되어 있고, 마찬가지로 박막 집적회로(622)에 형성되어 있는 패드(628)에 접속되어 있다. 박막 집적회로(622)에 제공되어 있는 반도체 소자(629)는 패드(628)에 접속되어 있다. 반도체 소자(629)로서 TFT가 사용되는 경우, 패드(628)는 이 TFT의 게이트 전극의 것과 동일한 도전막으로 형성되어도 좋다.
솔더 볼(627)은 인터포저(621)에 형성된 패드(626)에 접속되어 있다. 그리고, 도 11(C)에서는, 솔더 볼(627)들 사이의 간격을 채우기 위해 언더필(underfill)(624)이 제공되어 있다. 또한, 인터포저(621)의 접속 단자(625)는 박막 집적회로(622)가 장착되어 있는 인터포저(621)의 측면과는 반대 측에 형성되어 있다. 그리고, 인터포저(621)에 제공된 패드(626)는 인터포저(625)에 제공된 콘택트 홀을 통하여 접속 단자(625)에 전기적으로 접속되어 있다.
플립 칩법의 경우, 접속해야 하는 패드의 수가 증가하여도, 와이어 본딩법에 비하여, 비교적 패드 간의 피치를 넓게 확보할 수 있으므로, 단자 수가 많은 박막 집적회로의 접속에 적합하다.
도 11(D)는 플립 칩법을 이용하여 적층되어 있는 박막 집적회로의 단면도이다. 도 11(D)에서는, 인터포저(633) 상에 2개의 박막 집적회로(630, 631)가 적층되어 있다. 그리고, 인터포저(633)에 마련된 패드(636)와, 박막 집적회로(630)와의 전기적 접속은 솔더 볼(634)을 이용하여 행하고 있다. 또한, 박막 집적회로(630)와 박막 집적회로(631)와의 전기적 접속도 솔더 볼(632)을 이용하여 행하고 있다.
또한, 도 11(A)∼도 11(D)에서는, 박막 집적회로가 베어 칩으로서 인터포저 위에 장착되는 예를 나타내었으나, 본 발명에서는, 박막 집적회로가 패키지된 다음, 장착되어 있어도 좋다. 이 경우도, 박막 집적회로와 인터포저와의 전기적 접속은 솔더 볼을 이용한 것이라도, 와이어를 이용한 것이라도, 또는 그들의 조합을 이용한 것이라도 좋다.
또한, 솔더 볼과 패드와의 접속 방법으로는, 열 압착이나 초음파 진동을 부가한 열 압착 등의 다양한 방법을 사용할 수 있다. 또한, 열 압착 후의 솔더 볼들 사이의 간격을 채우도록 언더필을 제공하여, 접속 부분의 기계적 강도나 패키지에서 발생한 열의 확산 등의 효율을 높이도록 하여도 좋다. 언더필은 반드시 이용할 필요는 없지만, 프린트 배선 기판 또는 인터포저와 박막 집적회로와의 열팽창 계수의 미스매치(mismatch)에 의해 발생하는 응력에 의해 접속 불량이 일어나는 것을 방지할 수 있다. 초음파 진동을 부가한 열 압착에 의한 접속의 경우에는, 단순히 열 압착하는 경우에 비하여 접속 불량을 억제할 수 있다. 특히, 박막 집적회로와 프린트 배선 기판 또는 인터포저와의 사이의 접속점이 100보다 많은 경우에 유효하다.
[실시예 2]
본 실시예에서는, 본 발명의 IC 카드를 ATM 카드로서 이용하는 경우의 구체적인 예에 관하여 설명한다.
도 12에 나타낸 바와 같이, 먼저, 은행 등의 금융 기관에서 구좌를 개설할 때, 예금자의 얼굴 사진의 화상 데이터를 ATM 카드의 박막 집적회로에 제공된 ROM에 기억시킨다. ROM에 얼굴 사진의 데이터를 기억시킴으로써, 얼굴 사진을 바꿔치우는 등의 위조를 방지할 수 있다. 그리고, 이 ATM 카드를 예금자에게 제공함으로써, ATM 카드의 사용이 개시된다.
ATM 카드는 ATM(자동 현금 인출기) 또는 창구에서의 거래에 사용된다. 그리고, 연금 인출, 입금, 이체 등의 거래가 행해지면, ATM 카드의 박막 집적회로에 제공되어 있는 EEPROM에 예금 잔고나 거래 일시 등의 명세가 기억되도록 한다.
이 거래 후, ATM 카드의 화소부에서, 예금 잔고나 거래 일시 등의 명세가 표시되도록 하고, 일정 시간 경과 후에 이 표시가 없어지도록 프로그램해 두어도 좋다. 그리고, 이 거래 시, 예를 들어, ATM 카드를 사용하지 않고 자동 이체에 의한 거래 등이 행해지는 결제를 모두 IC 카드 내에 기장하고, 화소부에서 이것을 확인하는 것이 가능하도록 하여도 좋다.
또한, 데빗(debit) 카드(R)와 같이 은행의 ATM 카드를 이용하여 현금을 사용하지 않고 구좌에서 직접 지불하여 결제하기 전에, 결제를 행할 시에 사용하는 단말 장치를 통하여 은행의 호스트(host) 컴퓨터로부터 잔고의 정보를 꺼내어, IC 카드의 화소부에 그 잔고를 표시하도록 하여도 좋다. 단말 장치에서 잔고를 표시하면, 사용하고 있을 때 배후에서 제삼자가 훔쳐 볼 우려가 있지만, IC 카드의 화소부에 잔고를 표시함으로써, 훔쳐 보여지는 일 없이 IC 카드의 사용자가 잔고를 확인할 수 있다. 그리고, 판매점에 설치된 결제용 단말 장치를 사용하여 잔고의 확인을 할 수 있으므로, 결제 전에 잔고를 확인하기 위해 일부러 은행 창구나 ATM 등에서 잔고 조회나 기장을 행하는 번잡함을 해소할 수 있다.
또한, 본 발명의 IC 카드는 ATM 카드에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 IC 카드를 정기권이나 프리페이드 카드로서 이용하고, 잔금이 화소부에 표시되도록하여도 좋다.
[실시예 3]
본 실시예에서는, 하나의 기판으로부터 다수의 액정 표시장치를 제조하는 경우에 관하여 설명한다.
도 13(A)는 제 1 기판(1301) 상에 다수의 액정 표시장치를 동시에 제조하고 있는 경우의 기판의 상면도이다. 배향막이 형성된 제 1 기판(1301) 위에는, 액정이 봉입되는 영역을 둘러싸도록 레이아웃된 시일재(1302)가 형성되어 있다. 그리고, 시일재(1302)로 둘러싸인 영역에 액정(1303)이 적하(滴下)되어 있다.
도 13(B)는 도 13(A)의 파선 A-A'에 따른 단면도이다. 도 13(B)에 나타낸 바와 같이, 액정(1303)은 시일재(1302)로 둘러싸인 영역에 적하되어 있다. 그 다음, 도 13(C)에 도시한 바와 같이, 액정(1303)을 시일재(1302)로 둘러싸인 영역에 봉입하도록 대향 기판(1304)을 압착하여 붙인다.
대향 기판을 압착하여 붙인 후, 도 13(D)에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판(1301)을 박리하여 제거한 후, 도 13(E)에 나타낸 바와 같이, 플라스틱 기판(1305)을 붙인다. 그리고, 파선의 위치에서 다이싱(dicing)을 행하여, 도 13(F)와 같이 표시장치를 서로 분리한다.
또한, 본 실시예에서는, 액정 표시장치의 경우에 관하여 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 발광 장치나 그 외의 표시장치도 다수 개를 동시에 제조할 수 있다.
도 14(A) 및 도 14(B)는 본 실시예의 액정 표시장치의 단면도이다. 도14(A)에 나타낸 액정 표시장치에서는, 화소에 주상(柱狀) 스페이서(1401)가 형성되어 있고, 이 주상 스페이서(1401)에 의해 대향 기판(1402)과 소자측의 기판(1403) 사이의 밀착성을 높이고 있다. 이것에 의해, 제 1 기판의 박리 시에, 시일재와 중첩하는 영역 외측의 반도체 소자가 제 1 기판 측에 잔류하게 되는 것을 방지할 수 있다.
도 14(B)는 네마틱 액정, 스멕틱 액정, 강유전성 액정 혹은 그들이 고분자 수지 중에 함유된 PDLC(폴리머 분산형 액정)를 이용한 액정 표시장치의 단면도이다. PDLC(1404)를 이용함으로써, 대향 기판(1402)과 소자측의 기판(1403) 사이의 밀착성을 높이고, 이것에 의해, 제 1 기판의 박리 시에, 시일재와 중첩되는 영역 외측의 반도체 소자가 제 1 기판측에 잔류하게 되는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에서는, 실리콘 웨이퍼에 비하여 저렴하고 대형의 유리 기판을 이용할 수 있으므로, 보다 낮은 비용으로 더욱 높은 처리량으로 박막 집적회로를 대량 생산할 수 있어, 생산 비용을 비약적으로 억제할 수 있다. 또한, 기판을 반복하여 사용할 수 있으므로 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 비약적으로 얇은 박막 집적회로를 형성할 수 있으므로, 회로 규모나 메모리 용량이 보다 큰 박막 집적회로를 IC 카드의 한정된 용량 내에 보다 많이 탑재할 수 있다. 또한, 표시장치를 두께 0.05 mm 내지 1 mm의 IC 카드에 탑재할 수 있을 정도의 두께로 형성할 수 있다. 따라서, 소형화 및 경량화를 방해하지 않고, IC 카드의 다기능화를 실현하는 것이 가능하다. 또한, 프린트배선 기판의 형상에 맞추어 박막 집적회로나 표시장치를 붙이는 것이 가능하므로, IC 카드의 형상의 자유도가 높아진다. 따라서, 예를 들어, 원주 형상의 병 등에 부착되도록 곡면을 가지는 형상으로 IC 카드를 형성하는 것도 가능하다.

Claims (13)

  1. 표시장치와 박막 집적회로를 가지는 IC 카드로서,
    상기 박막 집적회로에 의해 상기 표시장치의 구동이 제어되고,
    상기 박막 집적회로 및 상기 표시장치에 사용되는 반도체 소자는 다결정 반도체막을 사용하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 표시장치가 액정 표시장치 또는 발광 장치인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
  3. 제 1 항에 따른 IC 카드를 사용한 기장(記帳) 시스템으로서,
    금융 기관에서 구좌를 사용하여 행해지는 거래의 금액, 그 거래의 일시 또는 예금 잔고를 상기 IC 카드의 박막 집적회로에 기억시키고,
    상기 기억시킨 거래 금액, 거래 일시 또는 예금 잔고를 상기 IC 카드의 표시장치에서 표시하는 것을 특징으로 하는 IC 카드를 사용한 기장 시스템.
  4. 표시장치와 박막 집적회로를 가지는 IC 카드로서,
    상기 박막 집적회로에 의해 상기 표시장치의 구동이 제어되고,
    상기 박막 집적회로 및 상기 표시장치에 사용되는 반도체 소자는 다결정 반도체막을 사용하여 형성되어 있고,
    상기 IC 카드는 0.05 mm 내지 1 mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 표시장치가 액정 표시장치 또는 발광 장치인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
  6. 제 4 항에 따른 IC 카드를 사용한 기장 시스템으로서,
    금융 기관에서 구좌를 사용하여 행해지는 거래의 금액, 그 거래의 일시 또는 예금 잔고를 상기 IC 카드의 박막 집적회로에 기억시키고,
    상기 기억시킨 거래 금액, 거래 일시 또는 예금 잔고를 상기 IC 카드의 표시장치에서 표시하는 것을 특징으로 하는 IC 카드를 사용한 기장 시스템.
  7. 표시장치와 박막 집적회로를 가지는 IC 카드로서,
    상기 박막 집적회로에 의해 상기 표시장치의 구동이 제어되고,
    상기 박막 집적회로 및 상기 표시장치에 사용되는 반도체 소자는 다결정 반도체막을 사용하여 형성되어 있고,
    상기 표시장치는 패시브 매트릭스형 또는 액티브 매트릭스형이고,
    상기 표시장치와 상기 박막 집적회로는 동일한 프린트 배선 기판에 실장되어 있으며,
    상기 IC 카드는 0.05 mm 내지 1 mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 IC카드.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 표시장치가 액정 표시장치 또는 발광 장치인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
  9. 제 7 항에 따른 IC 카드를 사용한 기장 시스템으로서,
    금융 기관에서 구좌를 사용하여 행해지는 거래의 금액, 그 거래의 일시 또는 예금 잔고를 상기 IC 카드의 박막 집적회로에 기억시키고,
    상기 기억시킨 거래 금액, 거래 일시 또는 예금 잔고를 상기 IC 카드의 표시장치에서 표시하는 것을 특징으로 하는 IC 카드를 사용한 기장 시스템.
  10. 표시장치와 다수의 박막 집적회로를 가지는 IC 카드로서,
    상기 다수의 박막 집적회로에 의해 상기 표시장치의 구동이 제어되고,
    상기 다수의 박막 집적회로 및 상기 표시장치에 사용되는 반도체 소자는 다결정 반도체막을 사용하여 형성되어 있고,
    상기 다수의 박막 집적회로가 적층되어 있고,
    상기 표시장치와 상기 다수의 박막 집적회로는 동일한 프린트 배선 기판에 실장되어 있으며,
    상기 IC 카드는 0.05 mm 내지 1 mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 다수의 박막 집적회로 각각의 두께가 1 ㎛ 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 표시장치가 액정 표시장치 또는 발광 장치인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
  13. 제 10 항에 따른 IC 카드를 사용한 기장 시스템으로서,
    금융 기관에서 구좌를 사용하여 행해지는 거래의 금액, 그 거래의 일시 또는 예금 잔고를 상기 IC 카드의 박막 집적회로에 기억시키고,
    상기 기억시킨 거래 금액, 거래 일시 또는 예금 잔고를 상기 IC 카드의 표시장치에서 표시하는 것을 특징으로 하는 IC 카드를 사용한 기장 시스템.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718005B1 (ko) * 2005-08-09 2007-05-17 나도진 양도성 예금 및 주식 스마트카드의 서비스 방법 및 그 시스템

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7652359B2 (en) * 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
EP1437683B1 (en) * 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
US7973313B2 (en) * 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
US7333072B2 (en) * 2003-03-24 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device
US7566001B2 (en) * 2003-08-29 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card
US7768405B2 (en) * 2003-12-12 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7130234B2 (en) * 2003-12-12 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101205191B1 (ko) * 2003-12-19 2012-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
US7405665B2 (en) * 2003-12-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RFID tag and label-like object
US7566010B2 (en) 2003-12-26 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Securities, chip mounting product, and manufacturing method thereof
US7508305B2 (en) * 2003-12-26 2009-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Packing material, tag, certificate, paper money, and securities
CN1910600B (zh) * 2004-01-23 2011-12-14 株式会社半导体能源研究所 Id标记、id卡和id标签
DE102004006504A1 (de) * 2004-02-10 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Kontaktloser Datenträger mit Signalgeber
TWI406690B (zh) * 2004-02-26 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 運動器具，娛樂工具，和訓練工具
TWI372413B (en) * 2004-09-24 2012-09-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same, and electric appliance
EP1825419A4 (en) * 2004-11-09 2008-08-06 Digimarc Corp AUTHENTICATION IDENTIFICATION AND SECURITY DOCUMENTS
EP1696368B1 (en) * 2005-02-28 2011-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20080002947A (ko) 2005-04-27 2008-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 무선 칩
US20060267769A1 (en) * 2005-05-30 2006-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Terminal device and communication system
US20070205290A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 First Data Corporation Presentation and transaction instruments with image display
KR101299932B1 (ko) * 2006-03-10 2013-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2007108371A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2002383B1 (en) 2006-03-15 2012-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8344888B2 (en) * 2006-08-31 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9022293B2 (en) 2006-08-31 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and power receiving device
US8463332B2 (en) * 2006-08-31 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless communication device
GB0618266D0 (en) * 2006-09-18 2006-10-25 Dosanjh Harkamaljit Mobile devices and systems for using them
US7839124B2 (en) * 2006-09-29 2010-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power storage device comprising battery, semiconductor device including battery, and method for operating the wireless power storage device
US7808206B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US8044800B2 (en) 2006-11-14 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20080204197A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory carrier and method for driving the same
US7982137B2 (en) * 2007-06-27 2011-07-19 Hamilton Sundstrand Corporation Circuit board with an attached die and intermediate interposer
EP2019425A1 (en) * 2007-07-27 2009-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5248240B2 (ja) * 2007-08-30 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2009087928A (ja) * 2007-09-13 2009-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
EP2197074B1 (en) * 2007-09-27 2012-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Antenna device, display device substrate, liquid crystal display unit, display system, method for manufacturing antenna device and method for manufacturing display device substrate
US7743982B2 (en) * 2007-10-31 2010-06-29 Target Brands, Inc. Transaction product with generator
WO2009090780A1 (ja) * 2008-01-15 2009-07-23 Sharp Kabushiki Kaisha 半導体装置、その製造方法及び表示装置
FR2930523B1 (fr) * 2008-04-25 2013-03-29 Sidel Participations Recipient portant une etiquette electronique avec ecran
WO2011024844A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 凸版印刷株式会社 非接触通信媒体
US8644025B2 (en) * 2009-12-22 2014-02-04 Mxtran Inc. Integrated circuit film for smart card
TWI473022B (zh) * 2009-12-22 2015-02-11 Mxtran Inc 用於貼附於智慧卡之積體電路貼片
US9122964B2 (en) * 2010-05-14 2015-09-01 Mark Krawczewicz Batteryless stored value card with display
KR101937732B1 (ko) 2010-07-28 2019-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 무선 급전 시스템 및 무선 급전 방법
JP5755067B2 (ja) 2010-07-30 2015-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 無線給電システム、及び無線給電方法
JP5755066B2 (ja) 2010-07-30 2015-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 無線給電システム、及び無線給電方法
US10147125B2 (en) 2010-08-24 2018-12-04 Molex, Llc Dynamic electronic communication device
WO2012027465A1 (en) 2010-08-24 2012-03-01 Soligie, Inc. Dynamic electronic communication device
US9391476B2 (en) 2010-09-09 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power feeding device, wireless power feeding system using the same and wireless power feeding method
WO2012070634A1 (en) 2010-11-26 2012-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power transmission device and wireless power transmission system including the same
US9054544B2 (en) 2010-12-22 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power feeding device, power receiving device, and wireless power feed system
US9065302B2 (en) 2010-12-24 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
CN102073888A (zh) * 2010-12-31 2011-05-25 上海众人网络安全技术有限公司 一种可实时显示交易数据的智能卡系统及方法
KR20120084659A (ko) 2011-01-20 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 급전 장치 및 비접촉 급전 시스템
US9325205B2 (en) 2011-03-04 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving power supply system
CN201984511U (zh) * 2011-03-28 2011-09-21 国民技术股份有限公司 一种具有显示功能的ic卡
US9781783B2 (en) 2011-04-15 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system
CN102831471A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 王海泉 一种新的接触式智能卡的封装方法
JP5780894B2 (ja) 2011-09-16 2015-09-16 株式会社半導体エネルギー研究所 非接触給電システム
JP2013078171A (ja) 2011-09-29 2013-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 受電装置及び非接触給電システム
US8649820B2 (en) 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
US9246357B2 (en) 2011-12-07 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Contactless power feeding system
TWI669895B (zh) 2011-12-16 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 可攜式資訊終端
JP6088234B2 (ja) 2011-12-23 2017-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 受電装置、無線給電システム
DE112013001263T5 (de) * 2012-03-02 2015-04-30 Pulse Electronics, Inc. Abgeschiedene Antennenvorrichtung und Verfahren dazu
USD703208S1 (en) * 2012-04-13 2014-04-22 Blackberry Limited UICC apparatus
US8936199B2 (en) 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
USD701864S1 (en) * 2012-04-23 2014-04-01 Blackberry Limited UICC apparatus
US9391674B2 (en) 2012-04-26 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power feeding system and power feeding method
US9390850B2 (en) 2012-07-13 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power transmitting device, power feeding system, and power feeding method
USD707682S1 (en) * 2012-12-05 2014-06-24 Logomotion, S.R.O. Memory card
CN105264541A (zh) * 2013-03-04 2016-01-20 Visa国际服务协会 用于附着到通信卡上的加密标签
US9888283B2 (en) 2013-03-13 2018-02-06 Nagrastar Llc Systems and methods for performing transport I/O
US9647997B2 (en) 2013-03-13 2017-05-09 Nagrastar, Llc USB interface for performing transport I/O
USD758372S1 (en) 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD759022S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
USD729808S1 (en) * 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
US10380471B2 (en) * 2013-07-23 2019-08-13 Capital One Services, Llc Dynamic transaction card power management
US9711994B2 (en) 2014-01-31 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and its operation system
KR102123615B1 (ko) 2014-02-12 2020-06-17 펄스 핀랜드 오와이 전도성 부재 배치 및 형성을 위한 방법 및 장치
KR102435833B1 (ko) 2014-02-28 2022-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
US9833802B2 (en) 2014-06-27 2017-12-05 Pulse Finland Oy Methods and apparatus for conductive element deposition and formation
JP2016110075A (ja) 2014-10-03 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、モジュール、及び電子機器
CN105740165A (zh) * 2014-12-10 2016-07-06 国际商业机器公司 用于管理统一存储系统的文件系统的方法和装置
USD780763S1 (en) 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
WO2016168423A1 (en) 2015-04-14 2016-10-20 Capital One Services, LLC. Tamper-resistant dynamic transaction card and method of providing a tamper-resistant dynamic transaction card
US10664020B2 (en) 2015-04-23 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
USD864968S1 (en) 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface
KR20180065426A (ko) * 2016-12-07 2018-06-18 삼성전자주식회사 반도체 저장 장치
JP6797042B2 (ja) * 2017-02-02 2020-12-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10923509B2 (en) * 2018-12-04 2021-02-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and display panel

Family Cites Families (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US129450A (en) * 1872-07-16 Ebwaed w
US4022947A (en) * 1975-11-06 1977-05-10 Airco, Inc. Transparent panel having high reflectivity for solar radiation and a method for preparing same
JPS5288370A (en) * 1976-01-20 1977-07-23 Hitachi Ltd Electronic watch
JPS5614369A (en) 1979-07-13 1981-02-12 Fujitsu Ltd Card
US4536014A (en) * 1981-01-08 1985-08-20 Securicard Systems Limited Indentification of articles using liquid crystal identity cards
DE3129429A1 (de) * 1981-07-25 1983-02-10 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen 5-amino-1-phenyl-pyrazol-4-carbonsaeurederivate, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung zur bekaempfung unerwuenschten pflanzenwuchses
EP0073603B1 (en) 1981-08-19 1987-08-26 Hitachi, Ltd. Polycrystalline thin-film transistor,integrated circuit including such transistors and a display device including such a circuit
JPS5922961A (ja) * 1982-07-29 1984-02-06 Toshiba Corp 耐熱性接着剤
US4472627A (en) * 1982-09-30 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury Authenticating and anti-counterfeiting device for currency
US4709991A (en) * 1983-04-26 1987-12-01 Seiko Epson Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with barrier layer to reduce permeability
US4754418A (en) * 1984-03-27 1988-06-28 Casio Computer Co., Ltd. Combined electronic calculator and credit card
US4876441A (en) * 1984-03-27 1989-10-24 Casio Computer Co., Ltd. Card-like electronic apparatus
US4746787A (en) * 1984-07-20 1988-05-24 Oki Electric Industry Co., Ltd. IC card with display and card recording and reading device
US4709995A (en) * 1984-08-18 1987-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric display panel and driving method therefor to achieve gray scale
US4918631A (en) * 1984-09-07 1990-04-17 Casio Computer Co., Ltd. Compact type electronic information card
US4614861A (en) * 1984-11-15 1986-09-30 Intellicard International, Inc. Unitary, self-contained card verification and validation system and method
JPS61177586A (ja) 1985-02-01 1986-08-09 Toshiba Corp メモリ−カ−ド
US4667087A (en) * 1986-03-31 1987-05-19 Max A. Quintana Secure credit card
JPS62237592A (ja) * 1986-04-08 1987-10-17 Casio Comput Co Ltd Ｉｃカ−ドにおけるクロツク切換方式
DE3852907T2 (de) * 1987-05-09 1995-05-24 Semiconductor Energy Lab Karte mit einem Datenspeicher aus ferroelektrischen Flüssigkristallen.
JPS6427998A (en) * 1987-07-24 1989-01-30 Hitachi Ltd Ic card
US6064988A (en) * 1987-08-17 2000-05-16 Thomas; Harold K. Data processing system including transaction authorization device
US4931623A (en) * 1987-11-14 1990-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Portable storage medium
JPH0731534B2 (ja) 1988-01-20 1995-04-10 三菱電機株式会社 オフセット形状の作成方法
DE3906349A1 (de) * 1989-03-01 1990-09-13 Hartmut Hennige Verfahren und vorrichtung zur vereinfachung des gebrauchs einer vielzahl von kreditkarten u. dgl.
JPH0391932A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Canon Inc 半導体装置の製造方法
US5148301A (en) * 1990-02-27 1992-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary
JP3278845B2 (ja) 1990-05-21 2002-04-30 カシオ計算機株式会社 Ｉｃカード
TW222345B (en) * 1992-02-25 1994-04-11 Semicondustor Energy Res Co Ltd Semiconductor and its manufacturing method
US7158031B2 (en) * 1992-08-12 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Thin, flexible, RFID label and system for use
EP0867942B1 (en) * 1992-09-08 2002-04-24 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display apparatus
FR2702882B1 (fr) 1993-03-16 1995-07-28 Thomson Lcd Procédé de fabrication de transistors à couches minces étagés directs.
US5567967A (en) * 1993-06-28 1996-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a crystallized island semiconductor layer
US5412192A (en) * 1993-07-20 1995-05-02 American Express Company Radio frequency activated charge card
JPH0752589A (ja) 1993-08-11 1995-02-28 Hitachi Maxell Ltd Ｉｃカードモジュール
US5436744A (en) * 1993-09-03 1995-07-25 Motorola Inc. Flexible liquid crystal display with integrated driver circuit and display electrodes formed on opposite sides of folded substrate
JPH07146922A (ja) 1993-09-28 1995-06-06 Dainippon Printing Co Ltd 非接触型ｉｃモジュール、非接触型ｉｃカードおよびその製造方法
JP3431033B2 (ja) 1993-10-29 2003-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体作製方法
TW264575B (ko) * 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5923962A (en) * 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
KR100319332B1 (ko) * 1993-12-22 2002-04-22 야마자끼 순페이 반도체장치및전자광학장치
US5834327A (en) * 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
US5733814A (en) * 1995-04-03 1998-03-31 Aptek Industries, Inc. Flexible electronic card and method
JPH08310172A (ja) * 1995-05-23 1996-11-26 Hitachi Ltd 半導体装置
US5671271A (en) * 1995-05-25 1997-09-23 Henderson; Daniel A. Dialer programming system and device with integrated printing process
US5567947A (en) * 1995-06-01 1996-10-22 Aerodyne Research, Inc. Spectral line discriminator for passive detection of fluorescence
US5789732A (en) * 1995-06-08 1998-08-04 Mcmahon; Steven A. Portable data module and system for consumer transactions
KR19990028493A (ko) * 1995-06-30 1999-04-15 니시무로 타이죠 전자부품 및 그 제조방법
JPH0951020A (ja) 1995-08-08 1997-02-18 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法ならびにｉｃカード
JPH0964364A (ja) * 1995-08-28 1997-03-07 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JPH09311921A (ja) 1996-05-21 1997-12-02 Oki Electric Ind Co Ltd 回路基板及びそれを用いたｉｃカード
JPH09311922A (ja) 1996-05-21 1997-12-02 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置付きフィルム及びそれを用いたｉｃカード
US6027958A (en) 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
US5693956A (en) * 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
SG54559A1 (en) * 1996-09-13 1998-11-16 Hitachi Ltd Power transmission system ic card and information communication system using ic card
US5834071A (en) * 1997-02-11 1998-11-10 Industrial Technology Research Institute Method for forming a thin film transistor
JPH10302030A (ja) * 1997-02-28 1998-11-13 Toshiba Corp 接続装置、および情報処理装置
US6012636A (en) * 1997-04-22 2000-01-11 Smith; Frank E. Multiple card data system having first and second memory elements including magnetic strip and fingerprints scanning means
CH691749A5 (fr) * 1997-05-09 2001-09-28 Njc Innovations Carte à puce et moyens de transmission RF pour communiquer avec cette carte à puce.
JP4042182B2 (ja) 1997-07-03 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 Ｉｃカードの製造方法及び薄膜集積回路装置の製造方法
US6586872B2 (en) * 1997-09-03 2003-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission source, method and image-forming apparatus, with enhanced output and durability
KR100269947B1 (ko) * 1997-09-13 2000-10-16 윤종용 인쇄회로기판및이를이용한엘씨디모듈
JP3116085B2 (ja) * 1997-09-16 2000-12-11 東京農工大学長 半導体素子形成法
JPH11120312A (ja) 1997-10-09 1999-04-30 Toppan Printing Co Ltd Ｉｃカード
WO1999021128A1 (en) * 1997-10-22 1999-04-29 Cambridge Consultants Limited Portable ic card
US6019284A (en) * 1998-01-27 2000-02-01 Viztec Inc. Flexible chip card with display
DE19805282A1 (de) * 1998-02-10 1999-08-19 Siemens Ag Flächiger Träger mit einer Anzeigeeinrichtung
JPH11238697A (ja) * 1998-02-23 1999-08-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH11250215A (ja) * 1998-03-04 1999-09-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｉｃチップおよびｉｃカード
WO1999060558A1 (fr) * 1998-05-20 1999-11-25 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique, dispositif electronique et circuit d'attaque pour dispositif electro-optique
JP3874145B2 (ja) * 1998-06-10 2007-01-31 ソニー株式会社 変調回路、送信装置及び送信回路
FR2780551B1 (fr) * 1998-06-29 2001-09-07 Inside Technologies Micromodule electronique integre et procede de fabrication d'un tel micromodule
JP2000020665A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Toshiba Corp 半導体装置
US6677171B1 (en) * 1998-07-14 2004-01-13 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of collective substrate of active-matrix substrates, manufacturing method of active-matrix substrates, and inspecting method of collective substrates of active-matrix substrates
JP4298068B2 (ja) * 1998-08-18 2009-07-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびそれらを備えた電子機器並びに電気光学装置の製造方法
US6924781B1 (en) * 1998-09-11 2005-08-02 Visible Tech-Knowledgy, Inc. Smart electronic label employing electronic ink
JP3462135B2 (ja) * 1999-01-14 2003-11-05 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置
JP3331999B2 (ja) * 1999-02-09 2002-10-07 日本電気株式会社 半導体薄膜の製造方法
US6771239B1 (en) * 1999-05-17 2004-08-03 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing an active matrix substrate
KR100338011B1 (ko) * 1999-06-30 2002-05-24 윤종용 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
WO2001018596A1 (fr) * 1999-09-08 2001-03-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif d'affichage et son procede de fabrication
TW516244B (en) * 1999-09-17 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for manufacturing the same
JP2001100684A (ja) 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd メッセージカード
US6456353B1 (en) * 1999-11-04 2002-09-24 Chi Mei Opto Electronics Corp. Display driver integrated circuit module
KR100720066B1 (ko) * 1999-11-09 2007-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법
JP2001188891A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Shinko Electric Ind Co Ltd 非接触型ｉｃカード
US7060153B2 (en) * 2000-01-17 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
DE60133453T2 (de) * 2000-02-18 2009-05-07 Cypak Ab Verfahren und vorrichtung zur identifizierung und authentisierung
JP3617458B2 (ja) * 2000-02-18 2005-02-02 セイコーエプソン株式会社 表示装置用基板、液晶装置及び電子機器
JP2001318627A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US6916693B2 (en) * 2000-03-08 2005-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001306967A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Dainippon Printing Co Ltd クレジット決済システム
US7804552B2 (en) * 2000-05-12 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6765813B2 (en) * 2000-08-14 2004-07-20 Matrix Semiconductor, Inc. Integrated systems using vertically-stacked three-dimensional memory cells
JP3669919B2 (ja) * 2000-12-04 2005-07-13 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6631849B2 (en) * 2000-12-06 2003-10-14 Bank One, Delaware, National Association Selectable multi-purpose card
JP4588203B2 (ja) * 2000-12-14 2010-11-24 レノボ シンガポール プライヴェート リミテッド 表示装置
TW525402B (en) * 2001-01-18 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Process for producing a light emitting device
JP4784794B2 (ja) * 2001-01-26 2011-10-05 ソニー株式会社 電子装置
TWI249712B (en) 2001-02-28 2006-02-21 Hitachi Ltd Memory card and its manufacturing method
SG142160A1 (en) * 2001-03-19 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP2002328396A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR100630587B1 (ko) * 2001-06-01 2006-10-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 컬러 필터의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법과 그 제조 장치, 및 전자 기기의 제조 방법
JP2002366059A (ja) 2001-06-07 2002-12-20 Hitachi Ltd 携帯情報端末
JP2002366051A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Sanyo Electric Co Ltd 集積回路チップ及びこれを用いた表示装置
US6887650B2 (en) * 2001-07-24 2005-05-03 Seiko Epson Corporation Transfer method, method of manufacturing thin film devices, method of manufacturing integrated circuits, circuit board and manufacturing method thereof, electro-optical apparatus and manufacturing method thereof, ic card, and electronic appliance
US6814832B2 (en) * 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
US7351300B2 (en) * 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003077940A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
DE10147140A1 (de) 2001-09-25 2003-04-17 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit Display
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
KR100885378B1 (ko) * 2001-10-10 2009-02-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
TW594947B (en) * 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7255899B2 (en) * 2001-11-12 2007-08-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus and heat treatment method of substrate
JP4031291B2 (ja) * 2001-11-14 2008-01-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
US7589029B2 (en) * 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
DE60325669D1 (de) * 2002-05-17 2009-02-26 Semiconductor Energy Lab Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP4240276B2 (ja) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2004119015A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004119016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7235466B2 (en) * 2002-10-31 2007-06-26 Au Optronics Corporation Method of fabricating a polysilicon layer
US20040088855A1 (en) * 2002-11-11 2004-05-13 Salman Akram Interposers for chip-scale packages, chip-scale packages including the interposers, test apparatus for effecting wafer-level testing of the chip-scale packages, and methods
US20040099926A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
KR100506006B1 (ko) * 2002-12-04 2005-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 전계효과트랜지스터에 대한 오프-스테이트스트레스 인가용 패널구조
US6843893B2 (en) * 2002-12-12 2005-01-18 International Business Machines Corporation Metal dry etch using electronic field
US7652359B2 (en) * 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
EP1437683B1 (en) * 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
US7440771B2 (en) * 2003-02-28 2008-10-21 American Express Travel Related Services Company, Inc. Transaction card providing displayed information
US7566001B2 (en) * 2003-08-29 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card
US7239564B2 (en) * 2003-11-19 2007-07-03 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Semiconductor device for rectifying memory defects
US7566010B2 (en) * 2003-12-26 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Securities, chip mounting product, and manufacturing method thereof
KR101044489B1 (ko) * 2003-12-29 2011-06-27 엘지디스플레이 주식회사 대형 폭의 채널을 구비하는 폴리실리콘 액정표시소자 및그 제조방법
KR100632257B1 (ko) * 2004-11-09 2006-10-11 삼성전자주식회사 액정 디스플레이 구동용 탭 패키지의 배선 패턴 구조

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718005B1 (ko) * 2005-08-09 2007-05-17 나도진 양도성 예금 및 주식 스마트카드의 서비스 방법 및 그 시스템

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