JP5780894B2 - 非接触給電システム - Google Patents

非接触給電システム Download PDF

Info

Publication number
JP5780894B2
JP5780894B2 JP2011203373A JP2011203373A JP5780894B2 JP 5780894 B2 JP5780894 B2 JP 5780894B2 JP 2011203373 A JP2011203373 A JP 2011203373A JP 2011203373 A JP2011203373 A JP 2011203373A JP 5780894 B2 JP5780894 B2 JP 5780894B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
terminal
circuit
electrically connected
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011203373A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013066296A (ja
Inventor
康一郎 鎌田
康一郎 鎌田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2011203373A priority Critical patent/JP5780894B2/ja
Priority to US13/606,303 priority patent/US9054548B2/en
Publication of JP2013066296A publication Critical patent/JP2013066296A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5780894B2 publication Critical patent/JP5780894B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/10Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
    • H02J50/12Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/80Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power involving the exchange of data, concerning supply or distribution of electric power, between transmitting devices and receiving devices
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/00032Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries characterised by data exchange
    • H02J7/00034Charger exchanging data with an electronic device, i.e. telephone, whose internal battery is under charge

Description

開示される発明の一態様は、非接触給電システムに関する。
様々な電子機器の普及が進み、多種多様な製品が市場に出荷されている。近年では、携帯電話及びデジタルビデオカメラ等の携帯型の電子機器の普及が顕著である。また電力を基に動力を得る電気自動車等の電気推進移動体も製品として市場に登場しつつある。
携帯電話、デジタルビデオカメラまたは電気推進移動体には、蓄電手段である蓄電装置(バッテリ、蓄電池ともいう)が内蔵されている。当該蓄電装置の充電は、殆どが給電手段である家庭用交流電源より直接的に接触させて行われているのが現状である。また蓄電装置を具備しない構成または蓄電装置に充電された電力を用いない構成では、家庭用交流電源より配線等を介して直接給電し動作させているのが現状である。
一方で非接触により蓄電装置の充電または負荷への給電を行う方式についての研究開発も進んでおり、代表的な方式として、電磁結合方式(電磁誘導方式ともいう)(特許文献1参照)、電波方式(マイクロ波方式ともいう)、共鳴方式(共振方式ともいう)(特許文献2乃至特許文献4参照)が挙げられる。
特許文献2乃至特許文献4に示されるように、共鳴方式の非接触給電技術においては、電力を受ける側の装置(以下、受電装置という)及び電力を供給する側の装置(以下、送電装置という)のそれぞれが、共鳴コイルを有している。また受電装置及び送電装置には、それぞれ電磁結合コイルが設けられている。送電装置における電源から共鳴コイルへの給電、及び、受電装置における共鳴コイルから負荷への給電は、電磁結合コイルを介して行われる。
送電装置の共鳴コイル及び受電装置の共鳴コイルは、同一の周波数で共鳴(LC共振)現象が発現するよう調整されている。
これら送電装置の共鳴コイル及び受電装置の共鳴コイルが対向し、共鳴(共振)現象を起こすことにより、当該共鳴コイル間距離が離れている状態でも、効率の良い電力伝送が実現できる(非特許文献1参照)。
また、近年、個別の対象物にID(個体識別番号)を与えることで、その対象物が持っている情報の履歴を明確にし、生産、または管理等に役立てるといった個体認識技術が注目されている。特に、無線通信によりデータの送受信を行うRFID(Radio Frequency IDentification)技術が世の中に普及しつつある(特許文献5参照)。RFID技術を用いた無線通信システムは、無線通信装置(質問器)とデータキャリア(応答器)から構成され、無線により両者の間でデータのやりとりを行う通信システムである。無線通信装置は、リーダ/ライタ、携帯電話、パーソナルコンピュータなど、無線による信号の送受信が可能であるものを指すが、本明細書においては代表的にリーダ/ライタと表記する。また、データキャリアは、一般にRFID、RFタグ、IDタグ、ICタグ、ICチップ、無線タグ、電子タグ等と呼ばれているが、本明細書においては代表的にRFIDと表記する。
RFIDは、電源を持たない受動型(パッシブ型)のものや、電源を内蔵する能動型(アクティブ型)のものがある。パッシブ型のRFIDは、リーダ/ライタから発せられる無線信号(搬送波、または搬送波に変調波を重畳して生成された振幅変調波)を、RFID内部に設けられた整流回路により直流電圧に変換する機能を有し、この直流電圧を用いてRFID内部の回路が動作する。
特開2002−101578号公報 特開2010−193598号公報 特開2010−239690号公報 特開2010−252468号公報 特開2006−180073号公報
「ワイヤレス給電2010 非接触充電と無線電力電送のすべて」日経エレクトロニクス、2010年3月、pp.66−81
上記の共鳴方式の非接触給電システムにおいて、送電装置の共鳴コイルと受電装置の共鳴コイルが適切な距離を維持している場合でないと、最大効率が得られないという問題点がある。二つの共鳴コイルが遠すぎる場合はもちろん効率が低下するが、近すぎる場合でも伝送効率が低下してしまう。
したがって、給電システムとは別に、送電装置側及び受電装置側に無線信号の通信機能を具備させ、当該通信機能を用い、二つの共鳴コイルの距離、当該非接触給電システムの伝送効率等を検知できる機能を有していることが望ましい。
また当該給電システムに無線機能を組み込むことができれば、回路構成の簡素化が可能となり、省スペース化、低コスト化につながる。
図2は、無線通信機能を組み込んだ共鳴方式の非接触給電システムの回路図である。図2に示す非接触給電システムは、送電装置100及び受電装置210を有する。
図2に示す非接触給電システムは、RFID技術を用いた無線通信システムを応用したものである。より具体的には、図2に示す非接触給電システムは、リーダ/ライタとして機能する回路101を送電装置100、RFIDとして機能する回路241を受電装置210に応用した構成である。図2に示す非接触給電システムでは、送電装置100で発生させる電磁波に振幅変調をかけ、当該振幅変調をかけた電磁波(変調信号)を用いて送電装置100及び受電装置210間で無線通信を行う。
送電装置100は、交流電源107、混合器102、方向性結合器103、送受信回路104、マイクロプロセッサ105、電磁結合コイル106、共鳴コイル108、コンデンサ109を有している。リーダ/ライタとして機能する回路101は、混合器102、方向性結合器103、変調回路141及び復調回路142を有する送受信回路104、マイクロプロセッサ105を有している。
また受電装置210は、コンデンサ211、共鳴コイル212、電磁結合コイル213、負荷231、トランジスタ232、トランジスタ233、負荷234、方向性結合器214、整流回路215、コンデンサ216、DC−DCコンバータ217、充電制御回路218、マイクロプロセッサ219、変調回路225及び復調回路226を有する送受信回路221、蓄電装置222を有している。なお、負荷231、トランジスタ232、トランジスタ233、負荷234は負荷変調回路235を構成している。またRFIDとして機能する回路241は、負荷変調回路235、マイクロプロセッサ219、送受信回路221を有している。
交流電源107は高周波電力を出力する電源である。交流電源107の一方の端子は、混合器102の第1の端子に電気的に接続されている。交流電源107の他方の端子は、接地されている。
混合器102は、交流電源107で生成された交流の高周波電力(交流信号)の周波数を変える機能を有する回路である。混合器102の第1の端子は、交流電源107の一方の端子に電気的に接続されている。混合器102の第2の端子は、方向性結合器103の第1の端子に電気的に接続されている。混合器102の第3の端子は、変調回路141の第1の端子に電気的に接続されている。
方向性結合器103及び方向性結合器214(「方向性結合器:カプラ」ともいう)は、順方向に伝搬する電力(進行波)若しくは逆方向に伝搬する電力(反射波)、またはその両方に対応する信号を取り出すことができる。方向性結合器103の第1の端子は、混合器102の第2の端子に電気的に接続されている。方向性結合器103の第2の端子は、電磁結合コイル106の一方の端子に電気的に接続されている。方向性結合器103の第3の端子は、復調回路142の第1の端子に電気的に接続されている。
送受信回路104の変調回路141は、マイクロプロセッサ119から出力された送信信号を、混合器102が処理可能な信号に変換する機能を有する回路である。ここで、混合器102の第3の端子に電気的に接続されている変調回路141の第1の端子を、端子TXと呼ぶこともあり、変調回路141の端子TXから出力され混合器102の第3の端子に入力される信号を、信号TXと呼ぶこともある。
変調回路141の第1の端子(端子TX)は、混合器102の第3の端子に電気的に接続されている。変調回路141の第2の端子は、マイクロプロセッサの第1の端子と電気的に接続されている。
復調回路142は、受電装置210からの無線信号(本明細書では返信信号という)をマイクロプロセッサ105が処理可能な信号に変換する機能を有する回路である。ここで、方向性結合器103の第3の端子と電気的に接続されている復調回路142の第1の端子を、端子RXと呼ぶこともあり、方向性結合器103の第3の端子から出力され復調回路142の端子RXに入力される信号を、信号RXと呼ぶこともある。
復調回路142の第1の端子(端子RX)は、方向性結合器103の第3の端子に電気的に接続されている。復調回路142の第2の端子は、マイクロプロセッサ105の第2の端子に電気的に接続されている。
マイクロプロセッサ105は、送電装置100から送信される交流信号(交流の高周波電力)の値を決定する機能や、受電装置210へ送信する送信信号を生成する機能や、当該送信信号に応じて受電装置210から返信され、受電装置210の情報を有する返信信号を処理する機能を有する。マイクロプロセッサ105の第1の端子は、変調回路141の第2の端子に電気的に接続されている。マイクロプロセッサ105の第2の端子は、復調回路142の第2の端子に電気的に接続されている。
電磁結合コイル106の一方の端子は、方向性結合器103の第2の端子に電気的に接続されている。電磁結合コイル106の他方の端子は接地されている。
共鳴コイル108の一方の端子は、コンデンサ109の一方の端子に電気的に接続されている。共鳴コイル108の他方の端子は、コンデンサ109の他方の端子に電気的に接続されている。
交流電源107から共鳴コイル108への給電は、電磁結合コイル106を介して電磁結合方式を用いて行われる。
送電装置100の電磁結合コイル106及び受電装置210の電磁結合コイル213は、例えば1ループ程度に巻かれたコイルであり、送電装置100の共鳴コイル108及び受電装置210の共鳴コイル212は、例えば数ループ程度に巻かれたコイルである。
送電装置100の共鳴コイル108、及び後述する受電装置210の共鳴コイル212は、両端が開放されたコイルである。当該共鳴コイル108及び共鳴コイル212は、浮遊容量によるコンデンサ(図2のコンデンサ109及びコンデンサ211に相当)を有する。これによって、当該共鳴コイル108及び共鳴コイル212は、LC共振回路となる。なお、コンデンサは浮遊容量方式に限らず、コイルの両端にコンデンサを電気的に接続してLC共振回路を実現してもよい。
なおコイルを用いた電力伝送技術において、高い伝送効率を示す指標となるパラメータとしてk×Qがある(kは結合係数、Qは共鳴コイルのQ値)。結合係数kは、給電側の共鳴コイルと受電側の共鳴コイルとの結合の度合いを示す係数である。またQ値は、共振回路の共振のピークの鋭さを表す値である。共鳴方式の非接触給電技術では、高い伝送効率を実現するため、当該共鳴コイル108及び共鳴コイル212として、Q値が非常に高く設定された共鳴コイル(例えば、Qは100より大きい(k×Qが1より大きい))を用いることが好ましい。
交流電源107で生成された交流電力は、混合器102、方向性結合器103、電磁結合コイル106、共鳴コイル108を介して、受電装置210に伝送される。
またマイクロプロセッサ105で生成された送信信号は、変調回路141の端子TX、混合器102、方向性結合器103、電磁結合コイル106、共鳴コイル108を介して、受電装置210に伝送される。
受電装置210において、共鳴コイル212の一方の端子は、コンデンサ211の一方の端子に電気的に接続されている。共鳴コイル212の他方の端子は、コンデンサ211の他方の端子に電気的に接続されている。
電磁結合コイル213の一方の端子は、方向性結合器214の第1の端子に電気的に接続されている。電磁結合コイル213の他方の端子は、整流回路215の第1の端子及び負荷234の一方の端子に電気的に接続されている。
なお図2において、送電装置100は、電磁結合コイル106、共鳴コイル108、及びコンデンサ109(送電素子151とする)、並びに、受電装置210は、電磁結合コイル213、共鳴コイル212、及びコンデンサ211(受電素子252とする)を有しているが、これに限定されない。送電素子151及び受電素子252は、それぞれ、ヘリカルアンテナを用いた磁界型の素子や、メアンダラインアンテナを用いた電界型の素子を用いてもよい。
方向性結合器214の第1の端子は、電磁結合コイル213の一方の端子及び負荷231の一方の端子に電気的に接続されている。方向性結合器214の第2の端子は、整流回路215の第2の端子に電気的に接続されている。方向性結合器214の第3の端子は、送受信回路221の復調回路226の第1の端子に電気的に接続されている。
送電装置100から伝送された送信信号は、共鳴コイル212、電磁結合コイル213、方向性結合器214、及び復調回路226の端子RXを介して、マイクロプロセッサ219に伝送される。
マイクロプロセッサ219に伝送された送信信号は、マイクロプロセッサ219で処理され、受電装置の情報を有する返信信号として伝送される。
上述のように、負荷変調回路235は、負荷231、トランジスタ232、トランジスタ233、負荷234から構成されている。
負荷231の一方の端子は、電磁結合コイル213の一方の端子及び方向性結合器214の第1の端子に電気的に接続されている。負荷231の他方の端子は、トランジスタ232のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。
トランジスタ232のゲートは、送受信回路221の変調回路225の第1の端子及びトランジスタ233のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ232のソース又はドレインの一方は、負荷231の他方の端子に電気的に接続されている。トランジスタ232のソース又はドレインの他方は、トランジスタ233のソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、かつ、接地されている。
トランジスタ233のゲートは、送受信回路221の変調回路225の第1の端子及びトランジスタ232のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ233のソース又はドレインの一方は、トランジスタ232のソース又はドレインの他方に電気的に接続されており、かつ、接地されている。トランジスタ233のソース又はドレインの他方は、負荷234の他方の端子に電気的に接続されている。
負荷234の一方の端子は、電磁結合コイル213の他方の端子及び整流回路215の第1の端子に電気的に接続されている。負荷234の他方の端子は、トランジスタ233のソース又はドレインの他方に電気的に接続されている。
上記、マイクロプロセッサ219で生成された返信信号は、変調回路225の端子TXを介して、負荷変調回路235に入力される。これにより負荷変調回路235は、返信信号に基づいて変調信号を生成する。生成された変調信号は、受電装置210の電磁結合コイル212、共鳴コイル213、受電装置100の共鳴コイル108、電磁結合コイル106、方向性結合器103、及び復調回路142の端子RXを介して、マイクロプロセッサ105に伝送される。
整流回路215は、4つのダイオードから構成される整流ブリッジである。整流回路215は、交流電力を直流電力に変換する交流−直流変換器(AC−DCコンバータ)として機能する。整流回路215の第1の端子は、電磁結合コイル213の他方の端子及び負荷234の一方の端子に電気的に接続されている。整流回路215の第2の端子は、方向性結合器214の第2の端子に電気的に接続されている。整流回路215の第3の端子は、コンデンサ216の一方の端子、DC−DCコンバータ217の第1の端子、及びマイクロプロセッサ219の第1の端子に電気的に接続されている。整流回路215の第4の端子は接地されている。
コンデンサ216は、整流回路215から出力された直流電力を蓄え、かつ放出することにより、直流電力を平滑化する機能を有する。すなわち、コンデンサ216は、直流電力を平滑化する平滑化回路ともいえる。コンデンサ216の一方の端子は、整流回路215の第3の端子、DC−DCコンバータ217の第1の端子、マイクロプロセッサ219の第1の端子に電気的に接続されている。コンデンサ216の他方の端子は、接地されている。
DC−DCコンバータ217は、直流電圧の電圧値を別の電圧値に変換する電圧変換回路である。DC−DCコンバータ217の第1の端子は、コンデンサ216の一方の端子、整流回路215の第3の端子、及びマイクロプロセッサ219の第1の端子に電気的に接続されている。DC−DCコンバータ217の第2の端子は、充電制御回路218の第1の端子に電気的に接続されている。
充電制御回路218は、DC−DCコンバータ217から出力された直流電力の蓄電装置222への充電を制御する回路である。充電制御回路218の第1の端子は、DC−DCコンバータ217の第2の端子に電気的に接続されている。充電制御回路218の第2の端子は、蓄電装置222の正極に電気的に接続されている。
蓄電装置222の正極は、充電制御回路218の第2の端子に電気的に接続されている。蓄電装置222の負極は接地されている。
以上のように、受電装置210に伝送された交流電力は、共鳴コイル212、電磁結合コイル213、方向性結合器214を介して整流回路215に電送される。当該交流電力は、整流回路215により整流、すなわち直流電力に変換される。さらに当該直流電力は平滑化回路216により平滑化される。平滑化された直流電力は、DC−DCコンバータ217により電圧値を変換される。当該電圧値を変換された直流電力は、充電制御回路218に制御される蓄電装置222に蓄えられる。
送受信回路221の復調回路226は、送電装置100が送信し受電装置210が受信した高周波電力が方向性結合器214を介してマイクロプロセッサ219に入力される際に、当該高周波電力を、マイクロプロセッサ219が処理可能な信号に変換する機能を有する回路である。
復調回路226の第1の端子は、方向性結合器214の第3の端子に電気的に接続されている。復調回路226の第2の端子は、マイクロプロセッサ219の第3の端子に電気的に接続されている。ここで方向性結合器214の第3の端子に電気的に接続されている復調回路226の第1の端子を、端子RXと呼ぶこともあり、方向性結合器214の第3の端子から出力され復調回路226の端子RXに入力される信号を、信号RXと呼ぶこともある。
送受信回路221の変調回路225は、マイクロプロセッサ219から出力された信号を、変調する機能を有する回路である。当該変調された信号がトランジスタ232のゲート及びトランジスタ233のゲートに入力することにより、返信信号を受電装置210から送電装置100に送信することが可能となる。
変調回路225の第1の端子は、トランジスタ232のゲート及びトランジスタ233のゲートに電気的に接続されている。変調回路225の第2の端子は、マイクロプロセッサ219の第2の端子に電気的に接続されている。ここでトランジスタ232のゲート及びトランジスタ233のゲートに電気的に接続されている変調回路225の第1の端子を、端子TXと呼ぶこともあり、変調回路225から出力されトランジスタ232のゲート及びトランジスタ233のゲートに入力される信号を、信号TXと呼ぶこともある。
マイクロプロセッサ219は、送電装置100から送信される交流信号(交流の高周波電力)を処理する機能や、受電装置210の情報を有する返信信号を生成する機能や、DC−DCコンバータ217に入力される電力(電圧及び電流)を検知する機能を有する。
マイクロプロセッサ219の第1の端子は、コンデンサ216の一方の端子、整流回路215の第3の端子、及びDC−DCコンバータ217の第1の端子に電気的に接続されている。マイクロプロセッサ219の第2の端子は、変調回路225の第2の端子に電気的に接続されている。マイクロプロセッサ219の第3の端子は、復調回路226の第2の端子に電気的に接続されている。
図2に示す非接触給電システムでは、受電装置210に含まれる、負荷231、トランジスタ232、トランジスタ233、負荷234を含む負荷変調回路235の電力消費が大きいという欠点がある。トランジスタ232及びトランジスタ233は、負荷変調回路235にてオン及びオフを繰り返すことにより、受け取った高周波電力から変調信号を生成する。生成された変調信号は、方向性結合器214及び復調回路226を介して、マイクロプロセッサ219に入力される。また、マイクロプロセッサ219は、受電装置210の情報を返信信号として、負荷変調回路235を介して送電装置100に送信する。
以上のように、変調信号生成中は、受電装置210が送電装置100から受け取った高周波電力の一部が負荷231、トランジスタ232、トランジスタ233、負荷234を流れることとなる。高周波電力とは高エネルギーの電力であるため、負荷231、トランジスタ232、トランジスタ233、負荷234が発熱する恐れが生じる。また発熱により、負荷231、トランジスタ232、トランジスタ233、負荷234が劣化する恐れや破壊が生じる恐れがある。
またトランジスタ232及びトランジスタ233が破壊されない場合においても、無線通信を行うたびに発熱により電力の一部を失ってしまうという恐れがある。このように、無線通信を行うたびに電力の一部を失ってしまうと、電力の伝送効率が低下してしまう。
以上を鑑みて、開示される発明の一様態では、電力の伝送効率が高い、無線通信機能を組み込んだ共鳴方式の非接触給電システムを提供することを課題の一とする。
開示される発明の一様態では、受電装置のマイクロプロセッサから出力され、受電装置の情報を有する返信信号を、蓄電装置への充電速度を制御する充電制御回路に入力する。返信信号が高レベル電位か低レベル電位かに基づいて、充電制御回路は充電速度(蓄電装置に流れ込む充電電流の電流値)を切り替える。返信信号が高レベル電位か低レベル電位のいずれかの電位を有するため、蓄電装置への充電速度もデジタル的に変化する。これにより蓄電装置の負荷抵抗としての抵抗値が変化し、インピーダンスが変化する。インピーダンスの変化により変調信号を生成する。
生成された変調信号は、受電装置の電磁結合コイル、共鳴コイル、送電装置の共鳴コイル、電磁結合コイルにより、受電装置から送電装置に送信される。送電装置に送信された変調信号は、送電装置のマイクロプロセッサに入力され処理される。
開示される発明の一様態は、交流電力を生成する交流電源と、当該交流電力を送電する送電素子と、当該交流電源及び当該送電素子との間に設けられ、送信信号を生成する第1のマイクロプロセッサと、を有する送電装置と、当該送電された交流電力を受け取る受電素子と、当該受電素子が受け取った交流電力を直流電力に変換する整流回路と、当該整流回路で変換された直流電力を平滑化する平滑化回路と、当該平滑化された直流電力の電圧値を別の電圧値に変換する電圧変換回路と、当該送信信号に基づいて返信信号を生成する第2のマイクロプロセッサと、当該電圧変換回路の出力電力、及び、当該返信信号が入力される充電制御回路と、当該充電制御回路により充電が制御される蓄電装置と、を有する受電装置と、を有し、当該返信信号に基いて、当該充電制御回路は当該蓄電装置への充電速度を切り替え、当該蓄電装置への充電速度を切り替えることにより、当該蓄電装置の抵抗値を変化させ、当該蓄電装置の抵抗値を変化させることにより、インピーダンスを変化させ、当該インピーダンスを変化させることにより、変調信号を生成させ、当該生成された変調信号は、当該受電装置から当該送電装置に送信され、当該送信された変調信号は、当該第1のマイクロプロセッサで処理されることを特徴とする非接触給電システムに関する。
開示される発明の一様態は、交流電力を生成する交流電源と、電磁結合により当該交流電力を伝送する第1の電磁結合コイルと、当該交流電源及び当該第1の電磁結合コイルとの間に設けられ、送信信号を生成する第1のマイクロプロセッサと、電磁共鳴により当該第1の電磁結合コイルから伝送された交流電力を伝送する第1の共鳴コイルとを有する送電装置と、電磁共鳴により当該第1の共鳴コイルから当該交流電力が伝送される第2の共鳴コイルと、電磁結合により当該第2の共鳴コイルから当該交流電力が伝送される第2の電磁結合コイルと、当該第2の電磁結合コイルに伝送された交流電力を直流電力に変換する整流回路と、当該整流回路で変換された直流電力を平滑化する平滑化回路と、当該平滑化された直流電力の電圧値を別の電圧値に変換する電圧変換回路と、当該送信信号に基づいて返信信号を生成する第2のマイクロプロセッサと、当該電圧変換回路の出力電力、及び、当該返信信号が入力される充電制御回路と、当該充電制御回路により充電が制御される蓄電装置とを有する受電装置と、を有し、当該返信信号に基いて、当該充電制御回路は当該蓄電装置への充電速度を切り替え、当該蓄電装置への充電速度を切り替えることにより、当該蓄電装置の抵抗値を変化させ、当該蓄電装置の抵抗値を変化させることにより、インピーダンスを変化させ、当該インピーダンスを変化させることにより、変調信号を生成させ、当該生成された変調信号は、当該受電装置から当該送電装置に送信され、当該送信された変調信号は、当該第1のマイクロプロセッサで処理されることを特徴とする非接触給電システムに関する。
開示される発明の一様態において、当該充電制御回路は、第1の抵抗と、当該第1の抵抗とは異なる抵抗値を有する第2の抵抗と、カレントミラー回路とを有していることを特徴とする。
開示される発明の一様態により、電力の伝送効率が高い、無線通信機能を組み込んだ共鳴方式の非接触給電システムを提供することが可能である。
非接触給電システムの回路図。 非接触給電システムの回路図。 充電制御回路の回路図。 充電電流の変化を示す図。
以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
なお本明細書に開示された発明において、半導体装置とは、半導体を利用することで機能する素子及び装置全般を指し、電子回路、表示装置、発光装置等を含む電気装置およびその電気装置を搭載した電子機器をその範疇とする。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、説明を分かりやすくするために、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
なお、本明細書等における「第1」、「第2」、「第3」などの序数は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
図1は、本実施の形態の無線通信機能を組み込んだ共鳴方式の非接触給電システムの回路図である。図1に示す非接触給電システムは、送電装置100及び受電装置110を有する。
送電装置100は、交流電源107、混合器102、方向性結合器103、送受信回路104、マイクロプロセッサ105、電磁結合コイル106、共鳴コイル108、コンデンサ109を有している。
また受電装置110は、コンデンサ111、共鳴コイル112、電磁結合コイル113、方向性結合器114、整流回路115、コンデンサ216、DC−DCコンバータ217、充電制御回路218、マイクロプロセッサ119、変調回路125及び復調回路126を有する送受信回路121、蓄電装置122を有している。
交流電源107は高周波電力を出力する電源である。交流電源107の一方の端子は、混合器102の第1の端子に電気的に接続されている。交流電源107の他方の端子は、接地されている。
混合器102は、交流電源107で生成された交流の高周波電力(交流信号)の周波数を変える機能を有する回路である。混合器102の第1の端子は、交流電源107の一方の端子に電気的に接続されている。混合器102の第2の端子は、方向性結合器103の第1の端子に電気的に接続されている。混合器102の第3の端子は、変調回路141の第1の端子に電気的に接続されている。
方向性結合器103及び方向性結合器214(「方向性結合器:カプラ」ともいう)は、順方向に伝搬する電力(進行波)若しくは逆方向に伝搬する電力(反射波)、またはその両方に対応する信号を取り出すことができる。方向性結合器103の第1の端子は、混合器102の第2の端子に電気的に接続されている。方向性結合器103の第2の端子は、電磁結合コイル106の一方の端子に電気的に接続されている。方向性結合器103の第3の端子は、復調回路142の第1の端子に電気的に接続されている。
送受信回路104の変調回路141は、マイクロプロセッサ119から出力された送信信号を、混合器102が処理可能な信号に変換する機能を有する回路である。ここで、混合器102の第3の端子に電気的に接続されている変調回路141の第1の端子を、端子TXと呼ぶこともあり、変調回路141の端子TXから出力され混合器102の第3の端子に入力される信号を、信号TXと呼ぶこともある。
変調回路141の第1の端子(端子TX)は、混合器102の第3の端子に電気的に接続されている。変調回路141の第2の端子は、マイクロプロセッサの第1の端子と電気的に接続されている。
復調回路142は、受電装置210からの無線信号(本明細書では返信信号という)をマイクロプロセッサ119が処理可能な信号に変換する機能を有する回路である。ここで、方向性結合器103の第3の端子と電気的に接続されている復調回路142の第1の端子を、端子RXと呼ぶこともあり、方向性結合器103の第3の端子から出力され復調回路142の端子RXに入力される信号を、信号RXと呼ぶこともある。
復調回路142の第1の端子(端子RX)は、方向性結合器103の第3の端子に電気的に接続されている。復調回路142の第2の端子は、マイクロプロセッサ105の第2の端子に電気的に接続されている。
マイクロプロセッサ105は、送電装置100から送信される交流信号(交流の高周波電力)の値を決定する機能や、受電装置110へ送信する送信信号を生成する機能や、当該送信信号に応じて受電装置110から返信され、受電装置110の情報を有する返信信号を処理する機能を有する。マイクロプロセッサ105の第1の端子は、変調回路141の第2の端子に電気的に接続されている。マイクロプロセッサ105の第2の端子は、復調回路142の第2の端子に電気的に接続されている。
電磁結合コイル106の一方の端子は、方向性結合器103の第2の端子に電気的に接続されている。電磁結合コイル106の他方の端子は接地されている。
共鳴コイル108の一方の端子は、コンデンサ109の一方の端子に電気的に接続されている。共鳴コイル108の他方の端子は、コンデンサ109の他方の端子に電気的に接続されている。
交流電源107から共鳴コイル108への給電は、電磁結合コイル106を介して電磁結合方式を用いて行われる。
送電装置100の電磁結合コイル106及び受電装置110の電磁結合コイル113は、例えば1ループ程度に巻かれたコイルであり、送電装置100の共鳴コイル108及び受電装置110の共鳴コイル112は、例えば数ループ程度に巻かれたコイルである。
送電装置100の共鳴コイル108、及び後述する受電装置110の共鳴コイル112は、両端が開放されたコイルである。当該共鳴コイル108及び共鳴コイル112は、浮遊容量によるコンデンサを有する。これによって、当該共鳴コイル108及び共鳴コイル112は、LC共振回路となる。なお、コンデンサは浮遊容量方式に限らず、コイルの両端にコンデンサを電気的に接続してLC共振回路を実現してもよい。
なおコイルを用いた電力伝送技術において、高い伝送効率を示す指標となるパラメータとしてk×Qがある(kは結合係数、Qは共鳴コイルのQ値)。結合係数kは、給電側の共鳴コイルと受電側の共鳴コイルとの結合の度合いを示す係数である。またQ値は、共振回路の共振のピークの鋭さを表す値である。共鳴方式の非接触給電技術では、高い伝送効率を実現するため、当該共鳴コイル108及び共鳴コイル112として、Q値が非常に高く設定された共鳴コイル(例えば、Qは100より大きい(k×Qが1より大きい))を用いることが好ましい。
交流電源107で生成された交流電力は、混合器102、方向性結合器103、電磁結合コイル106、共鳴コイル108を介して、受電装置110に伝送される。
またマイクロプロセッサ105で生成された送信信号は、変調回路141の端子TX、混合器102、方向性結合器103、電磁結合コイル106、共鳴コイル108を介して、受電装置110に伝送される。
受電装置110において、共鳴コイル112の一方の端子は、コンデンサ111の一方の端子に電気的に接続されている。共鳴コイル112の他方の端子は、コンデンサ111の他方の端子に電気的に接続されている。
電磁結合コイル113の一方の端子は、方向性結合器114の第1の端子に電気的に接続されている。電磁結合コイル113の他方の端子は、整流回路215の第1の端子に電気的に接続されている。
なお図1において、送電装置100は、電磁結合コイル106、共鳴コイル108、及びコンデンサ109(送電素子151とする)、並びに、受電装置110は、電磁結合コイル113、共鳴コイル112、及びコンデンサ111(受電素子152とする)を有しているが、これに限定されない。送電素子151及び受電素子152は、それぞれ、ヘリカルアンテナを用いた磁界型の素子や、メアンダラインアンテナを用いた電界型の素子を用いてもよい。
送電素子151は、方向結合器103及び混合器102を介して交流電源107に電気的に接続されており、交流電源107で生成された交流電力を送電する機能を有する。また、受電素子152は、方向性結合器114及び整流回路115に電気的に接続されており、当該送電された交流電力を受け取る機能を有する。
方向性結合器114の第1の端子は、電磁結合コイル113の一方の端子に電気的に接続されている。方向性結合器114の第2の端子は、整流回路115の第2の端子に電気的に接続されている。方向性結合器114の第3の端子は、送受信回路121の復調回路126の第1の端子に電気的に接続されている。
送電装置100から伝送された送信信号は、共鳴コイル112、電磁結合コイル113、方向性結合器114、及び復調回路126の端子RXを介して、マイクロプロセッサ119に伝送される。
マイクロプロセッサ119に伝送された送信信号は、マイクロプロセッサ119で処理され、受電装置の情報を有する返信信号として伝送される。
整流回路115は、4つのダイオードから構成される整流ブリッジである。整流回路115は、交流電力を直流電力に変換する交流−直流変換器(AC−DCコンバータ)として機能する。整流回路115の第1の端子は、電磁結合コイル113の他方の端子に電気的に接続されている。整流回路115の第2の端子は、方向性結合器114の第2の端子に電気的に接続されている。整流回路115の第3の端子は、コンデンサ116の一方の端子、DC−DCコンバータ117の第1の端子、及びマイクロプロセッサ119の第1の端子に電気的に接続されている。整流回路115の第4の端子は接地されている。
コンデンサ116は、整流回路115から出力された直流電力を蓄え、かつ放出することにより、直流電力を平滑化する機能を有する。すなわち、コンデンサ116は、直流電力を平滑化する平滑化回路ともいえる。コンデンサ116の一方の端子は、整流回路115の第3の端子、DC−DCコンバータ117の第1の端子、マイクロプロセッサ119の第1の端子に電気的に接続されている。コンデンサ116の他方の端子は、接地されている。
DC−DCコンバータ117は、直流電力の電圧値を別の電圧値に変換する電圧変換回路である。DC−DCコンバータ117の第1の端子は、コンデンサ116の一方の端子、整流回路115の第3の端子、及びマイクロプロセッサ119の第1の端子に電気的に接続されている。DC−DCコンバータ117の第2の端子は、充電制御回路118の第1の端子に電気的に接続されている。
充電制御回路118は、DC−DCコンバータ117から出力された直流電力が、蓄電装置122に充電されるのを制御する回路である。充電制御回路118の第1の端子は、DC−DCコンバータ117の第2の端子に電気的に接続されている。充電制御回路118の第2の端子は、蓄電装置122の正極に電気的に接続されている。充電制御回路118の第3の端子は、送受信回路121の変調回路125の第1の端子に電気的に接続されている。なお充電制御回路118の具体的な回路構成の例については後述する。
蓄電装置122の正極は、充電制御回路118の第2の端子に電気的に接続されている。蓄電装置122の負極は接地されている。
受電装置110に伝送された交流電力は、共鳴コイル112、電磁結合コイル113、方向性結合器114を介して整流回路115に電送される。当該交流電力は、整流回路115により整流、すなわち直流電力に変換される。さらに当該直流電力は平滑化回路116により平滑化される。平滑化された直流電力は、DC−DCコンバータ117により電圧値を変換される。当該電圧値を変換された直流電力は、充電制御回路118に制御される蓄電装置122に蓄えられる。
送受信回路121の復調回路126は、送電装置100が送信し受電装置110が受信した高周波電力が方向性結合器114を介してマイクロプロセッサ119に入力される際に、当該高周波電力を、マイクロプロセッサ119が処理可能な信号に変換する機能を有する回路である。
復調回路126の第1の端子は、方向性結合器114の第3の端子に電気的に接続されている。復調回路126の第2の端子は、マイクロプロセッサ119の第3の端子に電気的に接続されている。ここで方向性結合器114の第3の端子に電気的に接続されている復調回路126の第1の端子を、端子RXと呼ぶこともあり、方向性結合器114の第3の端子から出力され復調回路126の端子RXに入力される信号を、信号RXと呼ぶこともある。
送受信回路121の変調回路125は、マイクロプロセッサ119から出力された信号を、変調する機能を有する回路である。
変調回路125の第1の端子は、充電制御回路118の第3の端子に電気的に接続されている。変調回路125の第2の端子は、マイクロプロセッサ119の第2の端子に電気的に接続されている。ここで充電制御回路118の第3の端子に電気的に接続されている変調回路125の第1の端子を、端子TXと呼ぶこともあり、変調回路125から出力され充電制御回路118の第3の端子に入力される信号を、信号TXと呼ぶこともある。
マイクロプロセッサ119は、送電装置100から送信される交流信号(交流の高周波電力)のを処理する機能や、受電装置110の情報を有する返信信号を生成する機能や、DC−DCコンバータ117に入力される電力(電圧及び電流)を検知する機能を有する。
マイクロプロセッサ119の第1の端子は、整流回路115の第3の端子、コンデンサ116の一方の端子、及びDC−DCコンバータ117の第1の端子に電気的に接続されている。マイクロプロセッサ119の第2の端子は、変調回路125の第2の端子に電気的に接続されている。マイクロプロセッサ119の第3の端子は、復調回路126の第2の端子に電気的に接続されている。
マイクロプロセッサ119は、上述のように、受電装置110の情報を返信信号として生成する。生成された返信信号は、変調回路125の端子TXを介して、蓄電装置122への充電速度を制御する充電制御回路118に入力される。返信信号が高レベル電位か低レベル電位かに基づいて、充電制御回路118は充電速度(蓄電装置122に流れ込む充電電流の電流値)を切り替える。返信信号が高レベル電位か低レベル電位のいずれかの電位を有するため、蓄電装置122への充電速度もデジタル的に変化する。これにより蓄電装置122の負荷抵抗としての抵抗値が変化し、インピーダンスが変化する。インピーダンスの変化により変調信号が生成される。以上より、返信信号に基づいて変調信号が生成される。
生成された変調信号は、受電装置110の電磁結合コイル112、共鳴コイル113、受電装置100の共鳴コイル108、電磁結合コイル106、方向性結合器103、及び復調回路142の端子RXを介して、マイクロプロセッサ105に伝送され、マイクロプロセッサ105で処理される。
ここで、充電制御回路118の回路構成の一例を図3に示す。
図3に示す充電制御回路118は、抵抗値R1を有する抵抗131、抵抗値R2を有する抵抗132、スイッチ135、トランジスタ133、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_n(nは1以上の整数)を有している。図3に示す充電制御回路118において、トランジスタ133、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_n(nは1以上の整数)がカレントミラー回路を構成している。
抵抗131の一方の端子は、スイッチ135の一方の端子に電気的に接続される、又は、スイッチ135の一方の端子にされず浮遊電位である。抵抗131の他方の端子は、接地されている。
抵抗132の一方の端子は、スイッチ135の一方の端子に電気的に接続される、又は、スイッチ135の一方の端子にされず浮遊電位である。抵抗132の他方の端子は、接地されている。
スイッチ135の一方の端子は、抵抗131の一方の端子又は抵抗132の端子に電気的に接続される。スイッチ135の一方の端子が、抵抗131の一方の端子又は抵抗132の端子のいずれかに電気的に接続されるかは、返信信号による。スイッチ135の他方の端子は、トランジスタ133のソース又はドレインの一方、トランジスタ133のゲート、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのゲートに電気的に接続されている。
トランジスタ133のゲートは、トランジスタ133のソース又はドレインの一方、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのゲート、スイッチ135の他方の端子に電気的に接続されている。トランジスタ133のソース又はドレインの一方は、トランジスタ133のゲート、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのゲート、スイッチ135の他方の端子に電気的に接続されている。トランジスタ133のソース又はドレインの他方は、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのソース又はドレインの一方、電源電圧Vddを与える端子136に電気的に接続されている。
トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのゲートは、トランジスタ133のゲート、トランジスタ133のソース又はドレインの一方、スイッチ135の他方の端子に電気的に接続されている。トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのソース又はドレインの一方は、トランジスタ133のソース又はドレインの他方、DC−DCコンバータ117の出力電圧Voutが印加される端子136に電気的に接続されている。トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのソース又はドレインの他方は、蓄電装置122の正極に電気的に接続されている。
図3に示す充電制御回路118において、カレントミラー回路を構成するトランジスタ133、及び、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのそれぞれのゲートの電位は等しい。そのため、トランジスタ133、及び、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのそれぞれのソース及びドレインを流れる電流値は等しくなる。
図3に示すように、蓄電装置122に流れ込む充電電流Ioutの電流値は、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのソース及びドレインを流れる電流値の総和である。トランジスタ133、及び、トランジスタ134_1乃至トランジスタ134_nのそれぞれのソース及びドレインを流れる電流値は等しいので、充電電流Ioutの電流値は、トランジスタ133のソース及びドレインを流れる電流値のn倍の値となる。
トランジスタ133のソース又はドレインの一方は、スイッチ135を介して、抵抗値R1を有する抵抗131、又は、抵抗値R2を有する抵抗132に電気的に接続される。トランジスタ133のソース又はドレインの一方が、抵抗131又は抵抗132のいずれかに電気的に接続されるかは、返信信号に基づいて決定される。
以上から、蓄電装置122に流れ込む充電電流Ioutの電流値は、返信信号に基づいて決定される。
充電制御回路118として図3に示す回路を用いた場合の、時間Tと充電電流Ioutの関係を、図4に示す。なお、図3に示す充電制御回路118の抵抗131の抵抗値R1が、抵抗132の抵抗値R2より小さいとすると(R1<R2)、スイッチ135が抵抗131に電気的に接続された場合は、充電電流Ioutは大きく(電流値Ihとする)、スイッチ135が抵抗132に電気的に接続された場合は、充電電流Ioutは小さく(電流値Ilとする)なる(Ih>Il)。
図4に示すように、返信信号が高レベル電位か低レベル電位かに基づいて、充電電流Ioutは、電流値Ih又は電流値Ilにデジタル的に変化する。
充電電流Ioutがデジタル的に変化することで、蓄電装置122の負荷抵抗としての抵抗値が変化し、インピーダンスが変化する。インピーダンスの変化により変調信号が生成される。
また、充電電流Ioutがデジタル的に変化したとしても、蓄電装置122を充電する電流は流れ続ける。このため、蓄電装置122に直流電力が充電され続ける。なお、蓄電装置122への充電が終了すると、変調信号の生成も終了する。
以上本実施の形態では、受電装置110の情報を有する返信信号に基づいて、充電制御回路118により、蓄電装置122への充電速度を変化させる。蓄電装置122への充電速度を変化させることにより、蓄電装置122の負荷抵抗としての抵抗値が変化し、インピーダンスが変化する。インピーダンスの変化により変調信号を生成することができる。
よって本実施の形態の非接触給電システム(図1参照)では、図2の非接触給電システムとは異なり、充電装置110が受け取った高周波電力の経路ではない部分で変調信号を生成する。これにより発熱が生じることを抑制でき、さらに電力の一部を失うことも防ぐことができる。よって本実施の形態により、電力の伝送効率が高い、無線通信機能を組み込んだ共鳴方式の非接触給電システムを提供することが可能である。
100 送電装置
101 回路
102 混合器
103 方向性結合器
104 送受信回路
105 マイクロプロセッサ
106 電磁結合コイル
107 交流電源
108 共鳴コイル
109 コンデンサ
110 受電装置
111 コンデンサ
112 共鳴コイル
113 電磁結合コイル
114 方向性結合器
115 整流回路
116 コンデンサ
117 DC−DCコンバータ
118 充電制御回路
119 マイクロプロセッサ
121 送受信回路
122 蓄電装置
125 変調回路
126 復調回路
131 抵抗
132 抵抗
133 トランジスタ
134_1 トランジスタ
134_2 トランジスタ
134_n トランジスタ
135 スイッチ
136 端子
141 変調回路
142 復調回路
210 受電装置
211 コンデンサ
212 共鳴コイル
213 電磁結合コイル
214 方向性結合器
215 整流回路
216 コンデンサ
217 DC−DCコンバータ
218 充電制御回路
219 マイクロプロセッサ
221 送受信回路
222 蓄電装置
225 変調回路
226 復調回路
231 負荷
232 トランジスタ
233 トランジスタ
234 負荷
235 負荷変調回路
241 回路

Claims (2)

  1. 交流電力を生成する交流電源と、
    前記交流電力を送電する送電素子と、
    前記交流電源及び前記送電素子との間に設けられ、送信信号を生成する第1のマイクロプロセッサと、を有する送電装置と、
    前記送電された交流電力を受け取る受電素子と、
    前記受電素子が受け取った交流電力を直流電力に変換する整流回路と、
    前記整流回路で変換された直流電力を平滑化する平滑化回路と、
    前記平滑化された直流電力の電圧値を別の電圧値に変換する電圧変換回路と、
    前記送信信号に基づいて返信信号を生成する第2のマイクロプロセッサと、
    前記電圧変換回路の出力電力、及び、前記返信信号が入力される充電制御回路と、
    前記充電制御回路により充電が制御される蓄電装置と、を有する受電装置と、を有し、
    前記返信信号に基いて、前記充電制御回路は前記蓄電装置への充電速度を切り替え、
    前記蓄電装置への充電速度を切り替えることにより、前記蓄電装置の抵抗値を変化させ、
    前記蓄電装置の抵抗値を変化させることにより、インピーダンスを変化させ、
    前記インピーダンスを変化させることにより、変調信号を生成させ、
    前記生成された変調信号は、前記受電装置から前記送電装置に送信され、
    前記送信された変調信号は、前記第1のマイクロプロセッサで処理され、
    前記充電制御回路は、
    第1の抵抗と、
    前記第1の抵抗とは異なる抵抗値を有する第2の抵抗と、
    第1乃至第nのトランジスタと、ダイオード接続されたトランジスタと、を有するカレントミラー回路と、を有し、
    前記ダイオード接続されたトランジスタのゲートは、前記第1乃至第nのトランジスタのそれぞれのゲートと電気的に接続され、
    前記ダイオード接続されたトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1乃至第nのトランジスタのそれぞれのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記ダイオード接続されたトランジスタのソースまたはドレインの他方は、スイッチを介して前記第1の抵抗または前記第2の抵抗の一方の端子と電気的に接続され、
    前記第1の抵抗及び第2の抵抗の他方の端子は、接地され、
    前記第1乃至第nのトランジスタのそれぞれのソースまたはドレインの他方は、前記蓄電装置と電気的に接続されていることを特徴とする非接触給電システム。
  2. 交流電力を生成する交流電源と、
    電磁結合により前記交流電力を伝送する第1の電磁結合コイルと、
    前記交流電源及び前記第1の電磁結合コイルとの間に設けられ、送信信号を生成する第1のマイクロプロセッサと、
    電磁共鳴により前記第1の電磁結合コイルから伝送された交流電力を伝送する第1の共鳴コイルと、を有する送電装置と、
    電磁共鳴により前記第1の共鳴コイルから前記交流電力が伝送される第2の共鳴コイルと、
    電磁結合により前記第2の共鳴コイルから前記交流電力が伝送される第2の電磁結合コイルと、
    前記第2の電磁結合コイルに伝送された交流電力を直流電力に変換する整流回路と、
    前記整流回路で変換された直流電力を平滑化する平滑化回路と、
    前記平滑化された直流電力の電圧値を別の電圧値に変換する電圧変換回路と、
    前記送信信号に基づいて返信信号を生成する第2のマイクロプロセッサと、
    前記電圧変換回路の出力電力、及び、前記返信信号が入力される充電制御回路と、
    前記充電制御回路により充電が制御される蓄電装置と、を有する受電装置と、を有し、
    前記返信信号に基いて、前記充電制御回路は前記蓄電装置への充電速度を切り替え、
    前記蓄電装置への充電速度を切り替えることにより、前記蓄電装置の抵抗値を変化させ、
    前記蓄電装置の抵抗値を変化させることにより、インピーダンスを変化させ、
    前記インピーダンスを変化させることにより、変調信号を生成させ、
    前記生成された変調信号は、前記受電装置から前記送電装置に送信され、
    前記送信された変調信号は、前記第1のマイクロプロセッサで処理され、
    前記充電制御回路は、
    第1の抵抗と、
    前記第1の抵抗とは異なる抵抗値を有する第2の抵抗と、
    第1乃至第nのトランジスタと、ダイオード接続されたトランジスタと、を有するカレントミラー回路と、を有し、
    前記ダイオード接続されたトランジスタのゲートは、前記第1乃至第nのトランジスタのそれぞれのゲートと電気的に接続され、
    前記ダイオード接続されたトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1乃至第nのトランジスタのそれぞれのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記ダイオード接続されたトランジスタのソースまたはドレインの他方は、スイッチを介して前記第1の抵抗または前記第2の抵抗の一方の端子と電気的に接続され、
    前記第1の抵抗及び第2の抵抗の他方の端子は、接地され、
    前記第1乃至第nのトランジスタのそれぞれのソースまたはドレインの他方は、前記蓄電装置と電気的に接続されていることを特徴とする非接触給電システム。
JP2011203373A 2011-09-16 2011-09-16 非接触給電システム Expired - Fee Related JP5780894B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011203373A JP5780894B2 (ja) 2011-09-16 2011-09-16 非接触給電システム
US13/606,303 US9054548B2 (en) 2011-09-16 2012-09-07 Contactless power feeding system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011203373A JP5780894B2 (ja) 2011-09-16 2011-09-16 非接触給電システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013066296A JP2013066296A (ja) 2013-04-11
JP5780894B2 true JP5780894B2 (ja) 2015-09-16

Family

ID=47880057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011203373A Expired - Fee Related JP5780894B2 (ja) 2011-09-16 2011-09-16 非接触給電システム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9054548B2 (ja)
JP (1) JP5780894B2 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2775616B1 (en) 2011-11-25 2019-08-28 Oticon A/s RF transmitter for electrically short antenna
US9246357B2 (en) 2011-12-07 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Contactless power feeding system
US9847675B2 (en) 2011-12-16 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and power feeding system
KR20130083660A (ko) * 2012-01-13 2013-07-23 삼성전기주식회사 무선전력 전송 장치 및 방법
CN104137387B (zh) * 2012-02-29 2016-12-07 中国电力株式会社 非接触供电系统、供电装置、受电装置及非接触供电系统的控制方法
US9673867B2 (en) 2012-03-14 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power transmission device and power feeding system
US9641223B2 (en) * 2012-03-26 2017-05-02 Semiconductor Enegry Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and power feeding system
TWI448032B (zh) * 2012-11-02 2014-08-01 Espower Electronics Inc 感應耦合電能傳輸與電場耦合電能傳輸兩用裝置
CN204517509U (zh) * 2012-12-27 2015-07-29 株式会社村田制作所 无线电力传输系统
DE112013006857T5 (de) * 2013-03-22 2015-12-03 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Fahrzeug und kontaktloses Leistungsversorgungssystem
US10199865B2 (en) 2014-04-16 2019-02-05 Integrated Device Technology, Inc. High efficiency wireless power system
JP6446194B2 (ja) * 2014-07-17 2018-12-26 ローム株式会社 ワイヤレス受電装置、そのレシーバ回路およびワイヤレス受電装置の制御方法
WO2017133386A2 (zh) * 2016-02-05 2017-08-10 广东欧珀移动通信有限公司 适配器和充电控制方法
WO2017173287A1 (en) 2016-04-01 2017-10-05 Lutron Electronics Co., Inc. Wireless power supply for electrical devices
KR102085646B1 (ko) * 2018-03-05 2020-03-06 주식회사 아모센스 무선전력 송신장치

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3879647A (en) * 1974-06-07 1975-04-22 Bell Telephone Labor Inc DC to DC converter with regulation having accelerated soft start into active control region of regulation and fast response overcurrent limiting features
NL8901659A (nl) 1989-06-30 1991-01-16 Nedap Nv Multipassysteem.
US5126585A (en) * 1990-06-19 1992-06-30 Auckland Uniservices Limited Uninterruptible power supplies
JP2803943B2 (ja) 1992-10-21 1998-09-24 アルプス電気株式会社 非接触電力供給装置
US5790946A (en) 1993-07-15 1998-08-04 Rotzoll; Robert R. Wake up device for a communications system
US5998968A (en) * 1997-01-07 1999-12-07 Ion Control Solutions, Llc Method and apparatus for rapidly charging and reconditioning a battery
US6025695A (en) * 1997-07-09 2000-02-15 Friel; Daniel D. Battery operating system
US6184660B1 (en) * 1998-03-26 2001-02-06 Micro International, Ltd. High-side current-sensing smart battery charger
US6837438B1 (en) 1998-10-30 2005-01-04 Hitachi Maxell, Ltd. Non-contact information medium and communication system utilizing the same
US6509217B1 (en) 1999-10-22 2003-01-21 Damoder Reddy Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same
US20020049714A1 (en) 2000-05-11 2002-04-25 Shunpei Yamazaki Communication system
JP4200257B2 (ja) 2000-09-26 2008-12-24 パナソニック電工株式会社 非接触電力伝達装置
US7209771B2 (en) 2000-12-22 2007-04-24 Terahop Networks, Inc. Battery powered wireless transceiver having LPRF component and second wake up receiver
US6944424B2 (en) 2001-07-23 2005-09-13 Intermec Ip Corp. RFID tag having combined battery and passive power source
US6737302B2 (en) 2001-10-31 2004-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for field-effect transistor
US7215976B2 (en) 2001-11-30 2007-05-08 Symbol Technologies, Inc. RFID device, system and method of operation including a hybrid backscatter-based RFID tag protocol compatible with RFID, bluetooth and/or IEEE 802.11x infrastructure
JP3866594B2 (ja) 2002-03-15 2007-01-10 Necエレクトロニクス株式会社 遅延回路と半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法
JP4719852B2 (ja) 2002-10-18 2011-07-06 シンボル テクノロジーズ, インコーポレイテッド パッシブrfidタグの不必要な再交渉を最小化するためのシステムおよび方法
US7072697B2 (en) 2002-10-22 2006-07-04 Nokia Corporation Method and device for transponder aided wake-up of a low power radio device by a wake-up event
US7652359B2 (en) 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
US7603144B2 (en) 2003-01-02 2009-10-13 Cymbet Corporation Active wireless tagging system on peel and stick substrate
JP2005235615A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Hitachi Maxell Ltd アダプタパネル、電子機器、及びケーブルコネクタ認識システム
JP4611093B2 (ja) 2004-05-12 2011-01-12 セイコーインスツル株式会社 電波発電回路
AU2005258784A1 (en) 2004-07-01 2006-01-12 Powerid Ltd. Battery-assisted backscatter RFID transponder
JP2006024087A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Nec Corp 無線デバイス、その製造方法、その検査方法及び検査装置並びに無線装置及びその製造方法
US20060103533A1 (en) 2004-11-15 2006-05-18 Kourosh Pahlavan Radio frequency tag and reader with asymmetric communication bandwidth
JP2006180073A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Okayama Prefecture 無線icタグ
JP4299309B2 (ja) * 2006-02-07 2009-07-22 レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド 蓄電池の充電システムおよび充電方法
CN102360442B (zh) 2006-03-10 2015-01-07 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其操作方法
WO2007105607A1 (en) 2006-03-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007105606A1 (en) 2006-03-15 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007108371A1 (en) 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007105663A1 (en) 2006-03-15 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power supply system and electric power supply system for motor vehicle
KR101435966B1 (ko) 2006-05-31 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 가진 ic 라벨, ic 태그, 및 ic 카드
US8132026B2 (en) 2006-06-02 2012-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device and mobile electronic device having the same
JP2009027781A (ja) 2007-07-17 2009-02-05 Seiko Epson Corp 受電制御装置、受電装置、無接点電力伝送システム、充電制御装置、バッテリ装置および電子機器
US20090160261A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Nokia Corporation Wireless energy transfer
US8907571B2 (en) * 2008-02-01 2014-12-09 Tai-Her Yang Lamp driving circuit of power source and charge/discharge device in parallel connection
JP2010016985A (ja) 2008-07-03 2010-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 電力搬送における情報伝送方法とこの情報伝送方法を使用する充電台と電池内蔵機器
JP5258521B2 (ja) 2008-11-14 2013-08-07 トヨタ自動車株式会社 給電システム
JP4759610B2 (ja) 2008-12-01 2011-08-31 株式会社豊田自動織機 非接触電力伝送装置
JP5372537B2 (ja) * 2009-01-28 2013-12-18 パナソニック株式会社 電子機器充電システム、充電器、及び電子機器
JP2010193598A (ja) 2009-02-17 2010-09-02 Nippon Soken Inc 非接触給電設備および非接触給電システム
JP5621203B2 (ja) 2009-03-30 2014-11-12 富士通株式会社 無線電力供給システム、無線電力供給方法
JP5365306B2 (ja) 2009-03-31 2013-12-11 富士通株式会社 無線電力供給システム
JP4865001B2 (ja) 2009-04-13 2012-02-01 株式会社日本自動車部品総合研究所 非接触給電設備、非接触受電装置および非接触給電システム
JP2010252468A (ja) 2009-04-14 2010-11-04 Sony Corp 送電装置および方法、受電装置および方法、並びに、電力伝送システム
JP5431033B2 (ja) * 2009-06-08 2014-03-05 Necトーキン株式会社 非接触電力伝送及び通信システム
JP5499955B2 (ja) 2009-10-05 2014-05-21 Tdk株式会社 ワイヤレス給電装置およびワイヤレス電力伝送システム
JP5664019B2 (ja) 2009-10-28 2015-02-04 Tdk株式会社 ワイヤレス給電装置、ワイヤレス電力伝送システムおよびそれらを利用したテーブルと卓上ランプ
JP5664018B2 (ja) 2009-10-30 2015-02-04 Tdk株式会社 ワイヤレス給電装置、ワイヤレス電力伝送システムおよびそれらを利用したテーブルと卓上ランプ
JP5456625B2 (ja) 2010-09-07 2014-04-02 日本電信電話株式会社 共鳴型無線電力伝送装置
JP5395018B2 (ja) 2010-09-07 2014-01-22 日本電信電話株式会社 共鳴型無線電力伝送装置
KR101854420B1 (ko) 2010-11-26 2018-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 급전 장치 및 이 급전 장치를 구비하는 비접촉 급전 시스템
JP2013078171A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 受電装置及び非接触給電システム

Also Published As

Publication number Publication date
US9054548B2 (en) 2015-06-09
US20130069585A1 (en) 2013-03-21
JP2013066296A (ja) 2013-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5780894B2 (ja) 非接触給電システム
JP6585258B2 (ja) 非接触給電システム
JP6266207B2 (ja) 受電装置
US11424622B2 (en) Power feeding device, power receiving device, and wireless power feed system
JP6110236B2 (ja) 受電装置及び非接触給電システム
EP2332098B1 (en) Bidirectional wireless power transmission
US10348130B2 (en) Power harvesting for RFID/NFC-applications
JP6585210B2 (ja) 受電装置
EP2912751B1 (en) High power rf field effect transistor switching using dc biases
CN108737999B (zh) 近场通信装置
TW201347346A (zh) 無線功率接收器及其功率管理方法
US20140177305A1 (en) Gate drive circuit for synchronous rectification
US20220321172A1 (en) Near-field communication device
JP2012182652A (ja) 無線通信装置及び高周波スイッチ回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140625

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150324

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150707

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150714

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5780894

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees