KR20010030379A - 반도체 장치, 그 설계 방법, 및 그 설계 프로그램을저장한 기록 매체 - Google Patents

반도체 장치, 그 설계 방법, 및 그 설계 프로그램을저장한 기록 매체 Download PDF

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Abstract

비어(via) 컨택트와, 종단의 비어 컨택트에 접속하는 주배선과, 주배선의 배선 방향에 대해 평행한 방향으로 주배선의 종단에 계속하여 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다 좁은 커버리지 배선을 갖는다. 커버리지 배선을 설치함으로써, 주배선의 종단에 있어서의 라운딩 현상의 발생을 억제할 수 있다. 비어 컨택트와 주배선과의 접촉 불량, 오픈 불량을 방지하여, 비어 컨택트 주변에 있어서 주배선의 선폭이 넓어지는 것을 억제한다. 비어 컨택트를 디자인룰에 위반하지 않고, 인접하여 배치할 수 있다.

Description

반도체 장치, 그 설계 방법, 및 그 설계 프로그램을 저장한 기록 매체{SEMICONDUCTOR DEVICE, DESIGN METHOD AND RECORDING MEDIA STORING DESIGN PROGRAM OF THE SAME}
본 발명은 반도체 장치, 그 설계 방법, 및 그 설계 프로그램을 저장한 기록 매체에 관한 것으로, 특히 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치에 관한 것이다. 또한, 배선층간을 접속하는 비어 컨택트에 커버리지 배선을 포함하게 함으로써, 금속 배선의 미세화 및 집적도의 향상을 도모한 반도체 장치의 설계 기술에 관한 것이다.
최근, 반도체 집적 회로에 있어서, 미세 가공 기술은 급속하게 진보하고 있으며, 반도체 집적 회로의 패턴 치수는 축소되어 있다. 그러나, 이 패턴 치수의 축소에 따라, 패턴 형상으로 나타나는 폐해 요소가 두드러지게 된다.
금속 배선의 패턴 치수를 축소하면, 마스크, 단계의 정밀도에 상관 없이, 리소그래피 공정에 있어서의 광 근접 효과가 두드러지게 나타난다. 예를 들면, 금속 배선의 종단에 라운딩 현상이 발생된다. 라운딩 현상이 발생된 금속 배선이 그 종단에 있어서 비어 컨택트를 통해 다른 배선층에 접속되어 있는 경우, 비어 컨택트와의 접속 면적이 감소하게 되거나 혹은 없어지게 되기 때문에, 금속 배선과 비어 컨택트와의 접촉 저항이 증대하거나, 혹은 금속 배선의 오픈 불량이 발생될 우려가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 금속 배선의 설계 패턴을 나타내는 평면도이다. 상층의 금속 배선(53, 54)의 종단에서 비어 컨택트(51, 52)를 통해 하층의 금속 배선(55, 56)에 접속되어 있다. 도 2는 도 1의 설계도에 따라 제조된 금속 배선을 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 설계 그리드 V2에 따른 단면도이다. 설계 그리드는 각층의 금속 배선끼리 인접할 수 있는 최소의 간격을 나타낸다. 도 1에 도시한 바와 같이, 설계도에서의 금속 배선의 종단은 모나 있는 비어 컨택트 전면에 접하고 있다. 물론, 이 설계도에 따라서 형성되는 마스크도 종단이 모난 금속 배선의 패턴을 갖고 있다. 그러나, 도 1에 도시한 바와 같이. 금속 배선(53, 54)의 제조 공정 (리소그래피 공정)에 있어서, 광 근접 효과에 의해 금속 배선(53, 54)의 종단에서 라운딩 현상이 발생하게 된다. 그리고, 광 근접 효과가 더욱 증대되면, 도 3에 도시한 바와 같이, 화살표의 방향으로 금속 배선(53, 54)의 종단이 이동해 가서, 비어 컨택트(51, 52)와의 접속 면적이 감소해진다. 도 3의 점선은 설계 도면 상에서의 배선의 종단을 나타내고 있다.
일반적으로, 금속 배선과 비어 컨택트와의 접속 면적을 증대시키기 때문에, OPC(Optical Proximity Correction)라 불리우는 마스크 묘화 데이터의 작성 단계에서 데이터 정정을 금속 배선의 종단에 넣는 방법이 이용된다. 그 하나의 방법으로서 비어 컨택트에 대해 전 방향으로 금속 배선의 커버리지를 늘리기 위해 보조 패턴을 부여하는 방법이 있다. 도 4는 비어 컨택트에 대해 금속 배선의 커버리지를 전 방향에 넣은 보정 패턴(58, 59)을 부여한 설계 패턴을 나타낸다. 도 3에 도시한 설계 패턴에 따라서 금속 배선을 형성함으로써, 금속 배선 종단의 라운딩 현상이 해소되어, 비어 컨택트와의 접속 면적을 증대시킬 수 있다.
그러나, 도 4에 도시한 보정 패턴(58, 59)을 부여하면, 비어 컨택트(51, 52)가 있는 부분의 금속 배선의 폭이 비어 컨택트(51, 52)가 없는 부분에 비하여 넓게 된다. 따라서, 도 4에 도시한 바와 같이, 인접하는 비어 컨택트(51, 52)를 설계 그리드 H2를 비워 배치할 필요가 있다. 또한, 비어 컨택트(51, 52)에 인접하는 설계 그리드 상에 다른 금속 배선 및 다른 비어 컨택트를 배치할 수 없게 된다. 혹은 설계 그리드의 간격을 보정 패턴(58, 59)만큼 넓힘으로써 상기 문제점이 해결된다. 그러나, 어떻게 하여도 보정 패턴(58, 59)에 의해 금속 배선의 집적도는 떨어지게 된다.
또한, 보정 패턴을 부여함으로써, 설계 패턴의 데이터량이 증가하기 때문에, 마스크 묘화 데이터의 제작에 시간이 걸려, 반도체 집적 회로의 개발 기간의 단축에 커다란 장해가 된다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 금속 배선과 비어 컨택트의 접촉 불량이 적고, 또한 집적도가 높은 반도체 장치, 그 설계 방법, 및 그 설계 프로그램을 저장한 기록 매체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 개발 기간을 단축시킨 반도체 장치, 그 설계 방법, 및 그 설계 프로그램을 저장한 기록 매체를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제1 특징은 비어 컨택트와, 종단에 있어서 비어 컨택트에 접속하는 주배선과, 주배선의 배선 방향에 대하여 평행한 방향으로 주배선의 종단에 계속하며 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다 좁은 커버리지 배선을 갖는 반도체 장치이다.
여기서, 「비어 컨택트」는 반도체 장치의 다층 배선 구조에 있어서, 상하로 인접하는 금속 배선층간을 전기적으로 접속하기 위해 층간막 중에 형성된 도체 플러그이다. 비어 컨택트의 평면 형상은 문제삼지 않는다. 사각형, 원형상 혹은 그 밖의 평면 형상이어도 상관 없다. 또한, 「주배선」은 반도체 장치에 있어서 칩 상의 기능 블록, 소자, 외부 단자간을 전기적으로 접속하고, 신호의 전달, 전력 공급을 위해 기능하는 금속 배선이다. 또한, 「커버리지 배선」은 「주배선」의 종단에 계속하여 배치되어 있으므로, 주배선에 전기적으로 접속되어 있다. 커버리지 배선은 구성 재료 제조 방법 및 제조 공정이 주배선과 동일한 것이 바람직하다. 커버리지 배선은 비어 컨택트의 주변 중, 주배선의 배선 방향에 평행한 방향으로 배치되어 있고, 종래와 같이 비어 컨택트 주변 전체에 걸쳐 커버리지된 보정 패턴과는 다른 것이다. 또한, 커버리지 배선의 평면 형상은 문제삼지 않는다. 사각형, 원 형상 혹은 그 밖의 형상이어도 상관 없다.
본 발명의 제1 특징에 따르면, 주배선의 배선 방향에 대해 평행한 방향에만 배선의 종단에 계속하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 좁은 커버리지 배선을 설치함으로써, 광 근접 효과에 따라 발생하는 배선 종단의 라운이, 커버리지 배선으로 발생하고, 주배선의 종단에서의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 비어 컨택트와 주배선과의 접촉 불량 혹은 오픈 불량을 방지할 수 있다. 또한, 비어 컨택트 주변에 있어서 주배선의 선폭이 넓어지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 비어 컨택트에 인접하는 설계 그리드 혹은 그리드점 상에, 다른 주배선 혹은 다른 비어 컨택트를 디자인룰에 위반하지 않고, 배치할 수 있다. 따라서, 배선 및 비어 컨택트를 고밀도로 배치할 수 있게 되어, 집적도가 높은 배선의 레이아웃을 행할 수 있다.
본 발명의 제2 특징은 비어 컨택트와, 종단에 있어서 비어 컨택트에 접속하는 주배선과, 주배선의 배선 방향에 대하여 수직 방향으로 주배선의 종단에 계속하여 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다 좁은 커버리지 배선을 포함하는 반도체 장치이다.
본 발명의 제2 특징에 따르면, 주배선의 배선 방향에 대하여 수직 방향으로 배선의 종단에 계속하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 좁은 커버리지 배선을 설치함으로써, 광 근접 효과에 의해 발생하는 배선 종단의 라운딩이 커버리지 배선에서 발생하고, 주배선의 종단에서의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 비어 컨택트와 주배선과의 접촉 불량 혹은 오픈 불량을 방지할 수 있다.
본 발명의 제3 특징은 자동 배치 툴을 이용하여 기능 블록 및 소자를 칩 상에 배치하는 단계와, 자동 배선 툴을 이용하여 N+1 배선층 및 N 배선층의 주배선과, N층 비어 컨택트 집합체를 배치하여, 기능 블록 및 소자간을 접속하는 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 X층 배선 구조로 이루어진 반도체 장치의 설계 방법 이다. 또한, N층 비어 컨택트 집합체는 이하의 구성 요소로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
(1) N+1 배선층과 N 배선층간을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트
(2) N층 비어 컨택트 위 및 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 180°방향으로 N층 비어 컨택트 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다 좁은 N+1층 커버리지 영역
(3) N층 비어 컨택트 아래 및 N 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 180°방향으로 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다 좁은 N층 커버리지 영역
여기서,「N」은 X층 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 0≤N≤X-l의 조건을 만족하는 임의의 자연수이다(X는 자연수임). 다만, N=O의 경우, N 배선층은 기판을 나타내고, N+1 배선층은 제1 배선층을 나타낸다. 반도체 장치 내의 모든 비어 컨택트, 즉 모든 N에 대해 N층 비어 컨택트가 상기 특징을 갖는 것이 바람직하다. 그러나, 설계자의 판단에 따라 특정한 배선층간의 비어 컨택트만이 상기 특징을 갖고 있어도 발명의 효과는 충분히 발휘된다.
본 발명의 제3 특징에 따르면, 커버리지 영역을 비어 컨택트 집합체에 포함시킴으로써, 주배선의 종단의 비어 컨택트 집합체와 접속하는 경우에, 금속 배선의 종단에서 발생하는 라운딩 현상은 커버리지 배선에서 발생하기 때문에, 주배선의 종단에서의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 비어 컨택트 집합체와 주배선과의 접촉 불량 혹은 오픈 불량을 방지할 수 있다. 또한, 비어 컨택트 집합체 주변에 있어서 주배선의 선폭이 넓어지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 비어 컨택트 집합체에 인접하는 설계 그리드 혹은 그리드점 상에, 다른 주배선 혹은 다른 비어 컨택트 집합체를 디자인 룰에 위반하지 않고, 배치하는 것이 가능하다. 따라서, 금속 배선 및 비어 컨택트를 고밀도로 배치할 수 있어, 집적도가 높은 금속 배선의 레이아웃을 행할 수 있다. 또한, 금속 배선의 레이아웃 작업에 있어서, 자동 배선 툴에 제공되는 비어 컨택트의 정보에, 커버리지 영역을 미리 포함시킴으로써, 마스크 묘화 데이터의 작성 시에 커버리지 영역을 보정 패턴으로서 주배선에 부여하지 않게 되어, 설계 패턴의 데이터량이 증가하지 않게 된다. 마스크 묘화 데이터의 제작으로 시간을 단축하여, 반도체 장치의 개발 기간을 단축시킬 수 있다.
본 발명의 제4 특징은 자동 배치 툴을 이용하여 기능 블록 혹은 소자를 칩 상에 배치하는 단계와, 자동 배선 툴을 이용하여 N+1 배선층과 N 배선층의 주배선과, N층 비어 컨택트 집합체를 배치하여, 기능 블록 혹은 소자간을 접속하는 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 X층 배선 구조로 이루어지는 반도체 장치의 설계 방법이다. 또한, N층 비어 컨택트 집합체는 이하의 구성 요소로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
(1) N+1 배선층과 N 배선층간을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트
(2) N층 비어 컨택트 위 및 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 90°방향 및 270°방향으로 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다 좁은 N+1층 커버리지 영역
(3) N층 비어 컨택트 아래 및 N 배선층의 배선 방향에 대해 90°방향 및 270°방향으로 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다 좁은 N층 커버리지 영역
본 발명의 제4 특징에 의하면, 커버리지 영역을 비어 컨택트 집합체에 포함시킴으로써, 주배선의 종단에 있어서 비어 컨택트 집합체와 접속하는 경우에 금속 배선의 종단에서 발생하는 라운딩 현상이 커버리지 배선에서 발생하기 때문에, 주배선의 종단에서의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 비어 컨택트와 주배선과의 접촉 불량 혹은 오픈 불량을 방지할 수 있다. 또한, 금속 배선의 레이아웃 작업에 있어서, 자동 배선 툴에 제공되는 비어 컨택트의 정보에, 커버리지 영역을 미리 포함시킴으로써, 마스크 묘화 데이터의 작성시에 커버리지 영역을 보정 패턴으로서 주배선에 부여하지 않게 된다. 설계 패턴의 데이터량이 증가하지 않게 된다. 마스크 묘화 데이터의 제작에서 시간을 단축한다. 반도체 장치의 개발 기간을 단축시킬 수 있다.
본 발명의 제5 특징은, 자동 배치 툴을 이용하여, 기능 블록 혹은 소자를 칩 상에 배치하는 단계와, 자동 배선 툴을 이용하여 N+1 배선층과 N 배선층의 주배선과, N층 비어 컨택트 집합체를 배치하여, 기능 블록 혹은 소자 사이를 접속하는 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 X층 배선 구조로 이루어지는 반도체 장치의 설계 프로그램을 저장한 기록 매체이다. 또한, N층 비어 컨택트 집합체는 이하의 구성 요소로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
(1) N+l 배선층과 N 배선층간을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트
(2) N층 비어 컨택트 위 및 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 180°방향으로 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다 좁은 N+1층 커버리지 영역
(3) N층 비어 컨택트 아래 및 N 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 l80°방향으로 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다도 좁은 N층 커버리지 영역
본 발명의 제6 특징은 자동 배치 툴을 이용하여 기능 블록 혹은 소자를 칩 상에 배치하는 단계와, 자동 배선 툴을 이용하여 N+1 배선층과 N 배선층의 주배선과, N층 비어 컨택트 집합체를 배치하여, 기능 블록 혹은 소자간을 접속하는 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 X층 배선 구조로 이루어지는 반도체 장치의 설계 프로그램을 저장한 기록 매체이다. 또한, N층 비어 컨택트 집합체는 이하의 구성 요소로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
(1) N+1 배선층과 N 배선층을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트
(2) N층 비어 컨택트 위 및 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 90°방향 및 270°방향으로 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다도 좁은 N+1층 커버리지 영역
(3) N층 비어 컨택트 아래 및 N 배선층의 배선 방향에 대하여 90°방향 및 270°방향으로 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 주배선보다도 좁은 N층 커버리지 영역
도 1은 종래 기술에 따른 금속 배선의 설계 패턴을 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에 따라서 제조된 금속 배선 패턴을 나타내는 평면도.
도 3은 도 2의 설계 그리드 V2에 따른 단면도.
도 4는 비어 컨택트 주변 전체에 커버리지가 형성된 금속 배선을 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 금속 배선을 나타내는 평면도.
도 6은 도 5의 설계 그리드 V2에 따른 단면도.
도 7a는 도 5의 설계 그리드 H3에 따른 단면도.
도 7b는 도 5의 설계 그리드 H1에 따른 단면도.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 설계 방법을 나타내는 평면도.
도 9는 도 8의 설계 그리드 V2에 따른 단면도.
도 10a는 도 8의 설계 그리드 H3에 따른 단면도.
도 10b는 도 8의 설계 그리드 H1에 따른 단면도.
도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 설계 방법을 실현하는 컴퓨터 시스템의 개관을 나타내는 조감도.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치의 금속 배선을 나타내는 평면도.
도 13은 도 12의 설계 그리드 V2에 따른 단면도.
도 14a는 도 12의 설계 그리드 H3에 따른 단면도.
도 14b는 도 12의 설계 그리드 H1에 따른 단면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 비어 컨택트
3 내지 6 : 주배선
7 내지 10 : 커버리지 배선(7∼10)
80 : 컴퓨터 시스템
81 : 플로피 디스크 드라이브
82 : CD-ROM 드라이브
83 : 플로피 디스크
84 : CD-ROM
85 : ROM
본 발명의 기타 목적 및 특징은 첨부 도면을 참조한 이하의 실시예를 통해 명백해질 것이며, 기술에서의 숙련자는 본 발명을 실시함으로써, 본 발명에서 언급하지 않았던 본 발명의 다양한 이점을 알 수 있을 것이다.
본 발명의 다양한 이점은 첨부하는 도면을 참조하여 설명될 것이다. 동일하거나 유사한 부분과, 구성 성분들에 적용되는 동일하거나 유사한 참조 부호들은 생략되거나 간략화될 것임을 유의하여야 할 것이다.
(제1 실시예)
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 금속 배선을 나타내는 평면도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치는 비어 컨택트(1, 2)와, 종단의 비어 컨택트(1, 2)에 접속하는 주배선(3∼6)을 갖는 반도체 장치로서, 주배선(3∼6)의 배선 방향에 대하여 평행한 방향에만 주배선(3∼6)의 종단에 계속하여 비어 컨택트(1, 2)로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선(3∼6)과 동일하거나 주배선(3∼6)보다 좁은 커버리지 배선(7∼10)을 갖고 있다.
비어 컨택트(1, 2)는 반도체 장치의 다층 배선 구조에 있어서, 상하로 인접하는 금속 배선층을 전기적으로 접속하기 위해 층간막 중에 형성된 도체 플러그이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 실시예에 있어서 비어 컨택트는 제1 비어 컨택트(1)와, 제2 비어 컨택트(2)로 이루어진다. 제1 및 제2 비어 컨택트(1, 2)는 설계 그리드 상에 배치되어 있다. 설계 그리드는 각층의 금속 배선끼리 인접할 수 있는 최소의 간격을 나타내고, 도 5에서는 수직 방향의 설계 그리드(Vl∼V4) 및 수평 방향의 설계 그리드(H1∼H4)가 격자형으로 배열되어 있다. 수직 방향의 설계 그리드와 수평 방향의 설계 그리드가 교차하는 점을 그리드점이라 정의하면, 제1 비어 컨택트(1)는 그리드점(V2-H3) 상에 배치되고, 제2 비어 컨택트(2)는 그리드점(V2-H1) 상에 배치되어 있다. 또한, 제1 실시예에 있어서는 제1 및 제2 비어 컨택트의 직경이 주배선(3∼6)의 선폭과 동일한 경우에 대해 진술하지만, 본 발명은 비어 컨택트의 직경이 주배선의 선폭보다도 좁은 경우에 대해서도 통용 가능하다. 또한 도면 중에서는 간략적으로 사각형의 평면 형상으로 기재되어 있지만, 원형 혹은 그 밖의 평면 형상이어도 상관 없다.
주배선(3∼6)은 반도체 장치에 있어서 칩 상의 기능 블록 혹은 소자 사이를 전기적으로 접속하고, 신호의 전달을 위해 기능하는 금속 배선이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 실시예에 있어서 주배선(3∼6)은 제1 N층 비어 컨택트(1)에 N+1 배선층에 있어서 접속하는 제1 N+1층 주배선(3)과, N 배선층에 있어서 접속하는 제1 N층 주배선(5)과, 제2 N층 비어 컨택트(2)에 N+1 배선층에 있어서 접속하는 제2 N+1층 주배선(4)과, N 배선층에 있어서 접속하는 제2 N층 주배선(6)을 포함한다. 모든 주배선(3∼6)은 종단에 있어서 N층 비어 컨택트(1, 2)에 접속되어 있다. 또한, 모든 주배선(3∼6)은 설계 그리드 상에 배치되어 있다. 또, 제1 실시예에 있어서, N은 X층 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 0≤N≤X-1의 조건을 만족시키는 임의의 자연수이다. 단, N=0의 경우 N 배선층은 기판을 나타내고, N+1 배선층은 제1 배선층을 나타낸다. 또한, N 배선층과 N+1 배선층을 접속하는 비어 컨택트를 N층 비어 컨택트(1, 2)라 정의한다.
커버리지 배선(7∼10)은 금속 배선의 종단에 라운딩 현상이 생기더라도, 그 라운딩 현상이 커버리지 배선 내에만 생기게 하기 위한 금속 배선이다. 주배선(3∼6)의 종단에 계속하여 배치되어 있기 때문에, 주배선(3∼6)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 커버리지 배선(7∼10)은 구성 재료, 제조 방법 및 제조 공정이 주배선(3∼6)과 동일한 것이 바람직하다. 커버리지 배선(7∼10)은 비어 컨택트(1, 2) 의 주변 사이에서, 주배선(3∼6)의 배선 방향에 평행한 방향으로 배치되어 있고, 종래와 같이 비어 컨택트 주변 전체에 걸쳐 커버리지하는 보정 패턴과는 다른 것이다. 또, 도 5에 있어서 커버리지 배선(7∼10)의 평면 형상을 사각형으로 기재하고 있지만, 이 형상에 한정되는 것은 아니며, 원형 혹은 그 밖의 형상이어도 상관 없다.
또한 커버리지 배선(7∼10)은 제1 실시예에 있어서, 제1 N+1층 주배선(3)의 종단에 계속하여 배치된 제1 N+1층 커버리지 배선(8)과, 제2 N+1층 주배선(4)의 종단에 계속하여 배치된 제2 N+1층 커버리지 배선(10)과, 제1의 N층 주배선(5)의 종단에 계속하여 계속된 제1 N층 커버리지 배선(7)과, 제2 N층 주배선(6)의 종단에 계속하여 접속된 제2 N층 커버리지 배선(9)으로 이루어진다. 도 5에 있어서는 N층 비어 컨택트(1, 2)에 접속하는 주배선(3∼6)의 종단을 전부 N층 비어 컨택트 (1, 2) 위에 배치하였지만, 본 발명은 모든 주배선의 종단이 N층 비어 컨택트(1, 2) 위에 배치되는 경우에 한정되는 것은 아니며, 4개의 주배선 (3∼6)에는 주배선의 도중에 비어 컨택트가 형성되어 있는 것이 포함되어 있어도 상관 없다. 중간에 비어 컨택트가 형성되어 있는 주배선에는 커버리지 배선이 배치되지 않는다.
도 6은 도 5의 설계 그리드 V2에 따른 단면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 N층 비어 컨택트(1) 위에, 제1 N+1층 주배선(3)의 종단이 배치되고, 제1 N층 비어 컨택트(1) 아래에, 제1 N층 주배선(5)이 배치되어 있다. 마찬가지로, 제2 N층 비어 컨택트(2) 위에, 제2 N+1층 주배선(4)의 종단이 배치되고, 제2 N층 비어 컨택트(2) 아래에, 제2 N층 주배선(6)이 배치되어 있다. 도 6에 도시한 단면은 N+1 배선층의 배선 방향에 따른 절단면이기 때문에, 제1 N+l층 주배선(3)의 종단에 계속하여 제1 N+1층 커버리지 배선(8)이 제1 N층 비어 컨택트(1)로부터 연장하여 배치되어 있다. 마찬가지로, 제2 N+1층 주배선(4)의 종단에 계속하여 제2 N+1층 커버리지 배선(10)이 제2 N층 비어 컨택트(2)로부터 연장하여 배치되어 있다.
도 7a는 도 5의 설계 그리드 H3에 따른 단면도이다. 또한, 도 7b는 도 6의 H1 그리드에 따른 단면도이다. 도 7a 및 도 7b에 도시한 단면은 N 배선층의 배선 방향에 따른 단면이기 때문에, 제1 N층 커버리지 배선(7)이 제1 N층 비어 컨택트(1) 아래에 배치된 제1 N층 주배선(5)의 종단에 계속하여 제1 N층 비어 컨택트(1)로부터 연장하여 배치되어 있다. 또한, 제2 N층 커버리지 배선(9)이 제2 N층 비어 컨택트(2) 아래에 배치된 제2 N층 주배선(6)의 종단에 계속하여 제2 N층 비어 컨택트(2)로부터 연장하여 배치되어 있다.
다음에, 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 설계 방법에 대해 설명한다.
(1) 우선, 단계 S1에 있어서, 통상의 LSl의 자동 배치 툴을 이용하여, LSI를 구성하는 기능 블록 혹은 소자를 디잔인 룰에 위반하지 않고, 칩 상에 조밀하게 배치한다. 이 때, 각 기능 블록 등을 전기적으로 접속하는 금속 배선을 배치하기 위한 소정의 배선 스페이스가 각 기능 블록 등의 사이에 확보되어 있다.
(2) 다음에, 단계 S2에 있어서, 통상의 자동 배선 툴을 이용하여 소정의 배선 스페이스 상에, N+1 배선층 및 N 배선층의 주배선과, N+1 배선층과 N 배선층간을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트를 배치하여, 각 기능 블록 등을 접속하는 금속 배선, 또한 입력 신호 및 출력 신호를 입출력 패드에 보내기 위한 배선 패턴을 형성한다.
여기서, 통상의 LSI의 금속 배선은 그 배선 방향이 각 배선층마다의 수직 방향 혹은 수평 방향 중의 어느 하나에 반드시 배선된다. 즉, 배선층이 결정되면 그 배선층에 형성되는 금속 배선의 배선 방향은 자동적으로 결정되게 된다. 자동 배선 툴을 이용하여 배치하는 N층 비어 컨택트는 N+1 배선층과 N 배선층을 접속하는 비어 컨택트이기 때문에, 접속되는 주배선의 배선 방향도 자동적으로 결정된다. 그래서, 단계 S2에 있어서, 자동 배선 툴을 이용하여 N층 비어 컨택트와 함께, N층 비어 컨택트와 접속되는 N 배선층 및 N+1 배선층의 주배선의 배선 방향에 평행한 방향으로, 커버리지 영역을 배치한다. 도 5에 도시한 바와 같은 커버리지 배선을 포함한 금속 배선을 자동 배선 툴에 의해 작성할 수 있다. 즉, 단계 S2에 있어서, N+l 배선층 및 N 배선층 주배선과, N층 비어 컨택트 집합체를 배치한다.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 장치의 설계 방법에 의해 작성된 금속 배선의 평면 패턴을 나타낸다. 도 8에 도시한 바와 같이, N층 비어 컨택트 결합체는
(A) N+1 배선층과 N 배선층을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트(1, 2) 와,
(B) N층 비어 컨택트(1, 2) 위 및 N+1 배선층의 배선 방향에 대해 0°방향 및 180°방향으로 N층 비어 컨택트(1, 2)로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선(3, 4)과 동일하거나 주배선(3, 4)보다도 좁은 N+1층 커버리지 영역(12, 14)과,
(C) N층 비어 컨택트(1, 2) 아래 및 N 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 180°방향으로 N층 비어 컨택트(1, 2)로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선(5, 6)과 동일하거나 주배선(3, 4)보다 좁은 N층 커버리지 영역(11, 13)을 포함하고 있다.
제1 실시예에 있어서, N층 비어 컨택트는 제1 N층 비어 컨택트(1)와, 제2 N층 비어 컨택트(2)로 이루어진다. 제1 N층 비어 컨택트(1) 위에는 제1 N+1층 커버리지 영역(12)이 N+1 배선층의 배선 방향으로 연장하여 배치되고, 제1 N층 비어 컨택트(1) 아래에는 제1 N층 커버리지 영역(11)이 N 배선층의 배선 방향으로 연장하여 배치되어 있다. 마찬가지로, 제2 N층 비어 컨택트(2) 위에는 제2 N+1층 커버리지 영역(14)이 N+1 배선층의 배선 방향으로 연장하여 배치되고, 제2 N층 비어 컨택트(2) 아래에는 제2 N층 커버리지 영역(13)이 N 배선층의 배선 방향으로 연장하여 배치되어 있다. 또한, 제1 N+1층 주배선(3) 및 제1 N층 주배선(5)이 그 종단에서 제1 N층 비어 컨택트(1)에 각각 접속하고 있고, 제2 N+1층 주배선(4) 및 제2 N층 주배선(6)이 그 종단에서 제2 N층 비어 컨택트(2)에 각각 접속하고 있다.
도 9는 도 8의 설계 그리드 V2에 따른 단면도이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 제1 N층 비어 컨택트(1) 위에 제1 N+1층 커버리지 영역(12)이 배치된다. 제1 N층 비어 컨택트(1) 아래에 제1 N층 커버리지 영역(11)이 배치되어 있다. 마찬가지로, 제2 N층 비어 컨택트(2) 위에 제2 N+1층 커버리지 영역(14)이 배치되고, 제2 N층 비어 컨택트(2) 아래에 제2 N층 커버리지 영역(13)이 배치되어 있는 N+1 배선층부의 배선 방향에 따른 단면도인 도 9에 있어서, 제1 및 제2 N+1층 커버리지 영역(12, 14)이 제1 및 제2 N층 비어 컨택트(1, 2)의 양측으로 연장하여 형성되어 있지만, 제1 및 제2 N층 커버리지 영역(11, 13)은 연장하여 형성되어 있지 않다. 또한, 제1 N+1층 커버리지 영역(12)의 우측의 연장된 부분은 제1 N+1층 주배선(3)과 중첩되고, 제2 N+1층 커버리지 영역(14)의 좌측의 연장된 부분은 제2 N+1층 주배선(4)과 중첩되어 있다. 따라서, N+1 배선층의 배선 구조는 결과적으로 도 6에 도시한 것과 동일하게 된다.
도 10a는 도 8의 설계 그리드 H3에 따른 단면도이다. 또한 도 10b는 도 8의 H1 그리드에 따른 단면도이다. 도 10a에 도시한 바와 같이, 제1 N층 비어 컨택트(1) 아래에 제1 N층 커버리지 영역(11)이 배치되고, 제1 N층 비어 컨택트(1) 위에 제1 N+1층 커버리지 영역(12)이 배치되어 있다. 또한, 도 10b에 도시한 바와 같이, 제2 N층 비어 컨택트(2) 아래에 제2 N층 커버리지 영역(13)이 배치되고, 제2 N층 비어 컨택트(2) 위에 제2 N+1층 커버리지 영역(14)이 배치되어 있다. 도 lOa 및 도 10b는 N 배선층의 배선 방향에 따른 단면도이기 때문에, 제1 및 제 2 N층 커버리지 영역(11, 23)은 제1 및 제2 N층 비어 컨택트의 양측으로 연장하여 형성되어 있지만, 제1 및 제2 N+1층 커버리지 영역(12, 14)은 연장하여 형성되어 있지 않다. 또한, 제1 N층 커버리지 영역(11)의 좌측의 연장된 부분에는 제1 N층 주배선과 중첩되고, 제2 N층 커버리지 영역(13)의 우측의 연장된 부분에는 제2 N층 주배선(6)과 중첩되어 있다. 따라서, N 배선층의 배선 구조는 결과적으로 도 7a 및 도 7b에 도시한 것과 동일하게 된다.
이 반도체 장치의 설계 방법을 실행하기 위한 프로그램은 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 보존하고 있어도 좋다. 이 기록 매체를 컴퓨터 시스템에 의해 판독시키고, 이 프로그램을 실행하여, 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 설계 방법을 실현하는 것이 가능하다. 여기서, 기록 매체란 예를 들면, 반도체 메모리, 자기 디스크, 광 디스크, 광자기 디스크, 자기 테이프 등의 프로그램 기록이 가능한 여러가지의 매체이다.
도 11은 이들 기록 매체에 기록된 프로그램을 판독하고, 거기에 기술된 순서에 따라서, 일련의 설계 방법을 실현하는 컴퓨터 시스템(80)의 개관을 나타내는 조감도이다. 컴퓨터 시스템(80)의 본체 전방면에는, 플로피 디스크 드라이브(81), 및 CD-ROM 드라이브(82)가 설치되어 있고, 자기 디스크로서의 플로피 디스크(83), 또는 광 디스크로서의 CD-ROM(84)을 각 드라이브 입구에 삽입하여, 소정의 판독 조작을 행함으로써, 이들 기록 매체에 저장된 프로그램을 시스템 내에 인스톨할 수가 있다. 또한, 소정의 드라이브 장치(87)를 접속함으로써, 예를 들면 게임팩 등에 사용되어 있는 반도체 메모리로서의 ROM(85)이나, 자기 테이프로서의 카세트 테이프(86)를 이용하는 것이 가능하다.
제1 실시예에 따르면, N+1층 및 N층 커버리지 배선(7∼10) 혹은 N+1층 및 N층 커버리지 영역(11∼14)이 각각 N+1층 주배선(3, 4) 및 N층 주배선(5, 6)의 종단에 계속하여 배치되고, N층 비어 컨택트(1, 2)보다 연장하여 형성되어 있기 때문에, 금속 배선의 종단에 라운딩 현상이 생기더라도 N+1층 및 N층 커버리지 영역(11∼14)에서 라운딩 현상이 생기므로, N층 주배선(3, 4) 및 N층 주배선(5, 6)의 종단에서 발생하는 라운딩 현상을 억제할 수 있다.
또한, N+1층 커버리지 배선(8, 10) 혹은 N+1층 커버리지 영역(12, 14)은 설계 그리드 H2 측을 향해서 N층 비어 컨택트(1, 2)보다 연장하여 형성되어 있기 때문에, 제1 N층 주배선(5)과 제2 N층 주배선(6)은 설계 그리드 H2를 비우고, 설계 그리드 H1 및 설계 그리드 H3 상에 각각 배치할 필요가 있다. 그러나, 제1 및 제2 N층 주배선(5, 6)의 선폭은 제1 및 제2 N층 비어 컨택트(1, 2) 위에서도 넓어지지 않기 때문에, 이 그리드 H2에는 다른 N층 주배선을 통과시킬 수 있다. 마찬가지로 설계 그리드 H4에도, 다른 제 N층 주배선을 통과시킬 수 있다.
또한, 제1 및 제2 N+l층 주배선(3, 4)의 선폭은 제1 및 제2 N층 비어 컨택트(1, 2) 위에 있어도 넓어지는 일이 없기 때문에, 제1및 제2 N+1층 주배선 (3, 4)이 배치된 설계 그리드 V2에 인접하는 설계 그리드(V1, V3)에, 다른 N+1층 주배선을 통과시킬 수 있다.
또한, 커버리지 배선(7∼10) 혹은 커버리지 영역(11, 14)이 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되어 있으므로, 3개의 그리드점(V1-H1, V 2-H2, V3-H3)에 다른 N층 비어 컨택트를 배치할 수 없다. 그러나, 비어 컨택트의 커버리지는 배선 방향이기 때문에 N층 비어 컨택트(1, 2)가 배치된 그리드점(V2-H1, V2-H3)의 교차하여 이웃하는 그리드점(Vl-H2, V3-H2, V1-H4, V3-H4)에 다른 비어 컨택트를 배치할 수 있다.
이와 같이, 주배선의 배선 방향에 대하여 평행한 방향으로 배선의 종단에 계속하여 배치된, 선폭이 주배선과 동일하거나 좁은 커버리지 배선을 설치함으로써, 금속 배선의 종단에 있어서 라운딩 현상이 발생하더라도, 그 라운딩 현상은 커버리지 배선에서 발생하고, 주배선의 종단에 있어서는 발생을 억제할 수 있기 때문에, 비어 컨택트와 주배선과의 접촉 불량 혹은 오픈 불량을 방지할 수 있다. 또한, 비어 컨택트 주변에 있어서 주배선의 선폭이 넓어지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 비어컨택트에 인접하는 설계 그리드 혹은 그리드점 상에, 다른 주배선 혹은 다른 비어 컨택트를 디자인 룰에 위반하지 않고 배치할 수가 있다. 따라서, 금속 배선 및 비어 컨택트를 고밀도로 배치할 수가 있어, 집적도가 높은 금속 배선의 레이아웃을 행할 수 있다. 또한, 금속 배선의 레이아웃 작업에 있어서, 자동 배선 툴에 제공하는 비어 컨택트의 정보에, 커버리지 영역을 미리 포함시킴으로써, 마스크 묘화 데이터 작성 시에 커버리지 영역을 보정 패턴으로서 주배선에 부여하지 않기 때문에. 설계 패턴의 데이터량이 증가하지 않고, 마스크 묘화 데이터의 제작에서 시간을 단축하여, 반도체 장치의 개발 기간을 단축시킬 수가 있다.
(제2 실시예)
본 발명의 제1 실시예에 있어서는 커버리지 배선 혹은 커버리지 영역이 주배선의 배선 방향에 대하여 평행한 방향으로 배치한 경우에 대해 진술하였지만, 주배선의 배선 방향에 대하여 수직 방향으로 커버리지를 배치하여도 상관 없다. 도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치의 금속 배선을 나타내는 평면도이다.
도 12에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치는 비어 컨택트(1, 2)와, 종단에 있어서 비어 컨택트(1, 2)에 접속하는 주배선(3∼6)을 갖는 반도체 장치에 있어서, 주배선(3∼6)의 배선 방향에 대하여 수직 방향으로 주배선(3∼6)의 종단에 계속하여 비어 컨택트(1, 2)로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선(3∼6)과 동일하거나 주배선(3∼6)보다 좁은 커버리지 배선(15∼l8)을 갖고 있다.
제2 실시예에 있어서, 비어 컨택트(1, 2)는 제1 N층 비어 컨택트(1) 및 제2 N층 비어 컨택트(2)로 이루어지고, 주배선(3∼6)은 제1 및 제2 N+1층 주배선(3, 4)과, 제1 및 제2 N층 주배선(5, 6)으로 이루어진다. 비어 컨택트(1, 2) 및 주배선(3∼6)은 제1 실시예와 동일하므로, 그 설명을 생략한다.
또한, 커버리지 배선(15∼18)은 제1 N+1층 주배선(3)의 종단에 계속하여 배치된 제1 N+1층 커버리지 배선(16)과, 제2 N+1층 주배선(4)의 종단에 계속하여 배치된 제2 N+1층 커버리지 배선(18)과, 제1 N층 상배선(5)의 종단에 계속하여 배치된 제1 N층 커버리지 배선(15)과, 제2 N층 주배선(6)의 종단에 계속하여 접속된 제2 N층 커버리지 배선(17)으로 이루어진다. 도 12에 있어서는 N층 비어 컨택트 (1, 2)에 접속하는 주배선(3∼6)의 종단을 전부 N층 비어 컨택트(1, 2) 위에 배치하였지만, 본 발명은 모든 주배선의 종단이 N층 비어 컨택트(1, 2) 위에 배치되는 경우에 한정되는 것은 아니다. 도 l2 중의 4개의 주배선(3∼6)에는 주배선의 도중에 비어 컨택트가 형성되어 있는 것이 포함되어 있어도 상관 없다. 주배선(3∼6)의 도중에 비어 컨택트(1, 2)가 형성되어 있는 경우에, 주배선(3∼6)의 배선 방향에 수직 방향으로, 비어 컨택트(1, 2)로부터 연장하여 커버리지 배선(15∼18)을 형성하더라도 상관 없다. 또한, 도 12에 있어서 커버리지 배선(15∼18)의 평면 형상을 사각형으로 기재하고 있지만, 이 형상에 한정되는 것은 아니며, 원형 혹은 그 밖의 형상이어도 상관 없다.
도 13은 도 12의 설계 그리드 V2에 따른 단면도이다. 도 13에 도시한 바와 같이, 제1 N층 비어 컨택트(1) 위에, 제1 N+1층 주배선(3)의 종단이 배치되고, 제l N층 비어 컨택트(1) 위에, 제1 N층 주배선이 배치되어 있다. 마찬가지로, 제2 N층 비어 컨택트(2) 위에, 제2 N+1층 주배선(4)의 종단이 배치되고, 제2 N층 비어 컨택트(2) 아래에, 제2 N층 주배선(6)이 배치되어 있다. 설계 그리드 V2는, N 배선층의 배선 방향에 대해 수직 방향의 설계 그리드이며, 동시에 N층 주배선(5, 6)의 종단이 배치된 비어 컨택트(1, 2) 위의 설계 그리드이다. 따라서, 제1 N층 주배선(5)의 종단에 계속하여 제1 N층 커버리지 배선(15)이 제1 N층 비어 컨택트(1)로부터 연장하여 배치되어 있다. 마찬가지로, 제2 N층 주배선(6)의 종단에 계속하여 제2 N층 커버리지 배선(17)이 제2 N층 비어 컨택트(2)로부터 연장하여 배치되어 있다.
도 14a는 도 12의 설계 그리드 H3에 따른 단면도이다. 또한. 도 14b는 도 12의 설계 그리드 H1에 따른 단면도이다. 설계 그리드 H1은 N+1 배선층의 배선 방향에 대해 수직인 방향의 설계 그리드이고, 동시에 제1 N+1층 주배선(3)의 종단이 배치된 제1 N층 비어 컨택트(1) 위의 설계 그리드이다. 따라서, 제1 N+1층 주배선(3)의 종단에 계속하여 제1 N+1층 커버리지 배선(16)이 제1 N층 비어 컨택트(1)로부터 연장하여 배치되어 있다. 마찬가지로, 설계 그리드 H1은 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 수직 방향의 설계 그리드이고, 동시에 제2의 제N+1층 주배선(4)의 종단이 배치된 제2 N층 비어 컨택트(2) 위의 설계 그리드이다. 따라서, 제2 N+1층 커버리지 배선(18)은 제2 N+1층 주배선(4)의 종단에 계속하며 제2 N층 비어 컨택트(2)로부터 연장하여 배치되어 있다.
또한, 제2 실시예에 있어서도 제1 실시예와 마찬가지로, N층 비어 컨택트(1, 2)와 함께, N층 비어 컨택트(1, 2)와 접속되는 금속 배선의 배선 방향에 수직 방향으로 커버리지 영역을 미리 포함시켜 놓음으로써, 도 12에 도시한 바와 같은 커버리지 배선(15∼18)을 포함한 금속 배선을 갖는 반도체 장치를 자동 배선 툴에 의해 설계할 수가 있다. 즉, 자동 배선 툴을 이용하여, N+1 배선층 및 N 배선층의 주배선(3∼6)과, N층 비어 컨택트 집합체를 배치한다. N층 비어 컨택트 집합체는 도 12에 도시한 바와 같이,
(A) N+1 배선층과 N 배선층간을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트(1, 2) 와,
(B) N층 비어 컨택트(1, 2) 위 및 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 90°방향 및 270°방향에만 N층 비어 컨택트(1, 2)로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선(3, 4)과 동일하거나 주배선(3, 4)보다 좁은 N+1층 커버리지 영역(16, 18)과,
(C) N층 비어 컨택트(1, 2) 아래 및 N 배선층의 배선 방향에 대하여 90°방향 및 270°방향으로 N층 비어 컨택트(1, 2)로부터 연장하여 배치된, 선폭이 주배선(5, 6)과 동일하거나 주배선(3, 4)보다 좁은 N층 커버리지 영역(15, 17)을 포함하고 있다.
여기서, 제2 실시예에 있어서, 커버리지 영역은 커버리지 배선과 같은 뜻이다. 또, 제2 실시예에 따른 반도체 장치의 설계 방법을 실행하기 위한 프로그램은 제1 실시예와 마찬가지로, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 보존하고 있어도 좋다. 이 기록 매체를 컴퓨터 시스템에 의해 판독시키고, 이 프로그램을 실행하여, 제2 실시예에 따른 반도체 장치의 설계 방법을 실현할 수 있다. 또한, 이들 기록 매체에 기록된 프로그램을 판독하고, 거기에 기술된 순서에 따라, 일련의 설계 방법을 실현하는 컴퓨터에 대해서도, 도 11에 도시한 것을 사용할 수 있다.
제2 실시예에 따르면, 제1 실시예와 마찬가지로 N+1층 및 N층 커버리지 배선(15∼18)이 각각 N+1층 주배선(3, 4) 및 N층 주배선(5, 6)의 종단에 계속해서 배치되고, N층 비어 컨택트(1, 2)보다 연장하여 형성되어 있기 때문에, 금속 배선의 종단에 라운딩 현상이 생기더라도, N+1층 및 N층 커버리지 영역(15∼18)에서 라운딩 현상이 발생되기 때문에, N+1층 주배선(3, 4) 및 N층 주배선(5, 6)의 종단에서 발생하는 라운딩 현상을 억제하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 비어 컨택트와 주배선과의 접촉 불량 혹은 오픈 불량을 억제할 수 있다. 또한, 금속 배선의 레이아웃 작업에 있어서, 자동 배선 툴에 제공되는 비어 컨택트의 정보에, 커버리지 영역을 미리 포함시킴으로써, 마스크 묘화 데이터 작성 시에 커버리지 영역을 정정 패턴으로서 주배선에 부여하지 않아, 설계 패턴의 데이터량이 증가하지 않고, 마스크 묘화 데이터의 제작으로 시간을 단축하여, 반도체 장치의 개발 기간을 단축시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 금속 배선과 비어 컨택트의 접촉 불량이 적고, 또한 집적도가 높은 반도체 장치, 그 설계 방법, 및 그 설계 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 개발 기간을 짧게 한 반도체 장치, 그 설계 방법, 및 그 설계 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 제공하는 것이 가능하다.

Claims (9)

  1. 반도체 장치에 있어서,
    비어 컨택트와,
    종단에 있어서 상기 비어 컨택트에 접속하는 주배선과,
    상기 주배선의 상기 종단에 계속하며 상기 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 상기 주배선과 동일하거나 상기 주배선보다 좁은 커버리지 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 커버리지 배선은 상기 주배선의 배선 방향에 대하여 평행한 방향으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 커버리지 배선은 상기 주배선의 배선 방향에 대해 수직 방향으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 반도체 장치의 설계 방법에 있어서,
    자동 배치 툴을 이용하여, 기능 블록 혹은 소자를 칩 상에 배치하는 단계와,
    자동 배선 툴을 이용하여, N+1 배선층 및 N 배선층의 주배선과, N층 비어 컨택트 집합체를 배치하고, 상기 기능 블록 혹은 상기 소자 사이를 접속하는 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 N층 비어 컨택트 집합체는
    상기 N+1 배선층과 상기 N 배선층간을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트와, 상기 N층 비어 컨택트 위 및 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 상기 주배선과 동일하거나 상기 주배선보다 좁은 N+1층 커버리지 영역과,
    상기 N층 비어 컨택트 아래 및 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 상기 주배선과 동일하거나 상기 주배선보다 좁은 N층 커버리지 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 X층 배선 구조로 이루어지는 반도체 장치의 설계 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 N+1층 커버리지 영역은 상기 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 180°방향으로 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되고,
    상기 N층 커버리지 영역은 상기 N 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 180°방향으로 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 설계 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 N+1층 커버리지 영역은 상기 N+l 배선층의 배선 방향에 대하여 90° 방향 및 270°방향으로 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되고,
    상기 N층 커버리지 영역은 상기 N 배선층의 배선 방향에 대하여 90°방향 및 270°방향으로 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 설계 방법.
  7. 반도체 장치의 설계 프로그램을 저장한 기록 매체에 있어서,
    자동 배치 툴을 이용하여, 기능 블록 혹은 소자를 칩 상에 배치하는 단계와,
    자동 배선 툴을 이용하여, N+l 배선층 및 N 배선층의 주배선과, N층 비어 컨택트 집합체를 배치하여, 상기 기능 블록 혹은 상기 소자간을 접속하는 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 N층 비어 컨택트 집합체는
    상기 N+1 배선층과 상기 N 배선층간을 전기적으로 접속하는 N층 비어 컨택트와,
    상기 N층 비어 컨택트 위 및 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 상기 주배선과 동일하거나 상기 주배선보다 좁은 N+1층 커버리지 영역과,
    상기 N층 비어 컨택트 아래 및 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치된, 선폭이 상기 주배선과 동일하거나 상기 주배선보다도 좁은 N층 커버리지 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 X층 배선 구조로 이루어지는 반도체 장치의 설계 프로그램을 저장한 기록 매체.
  8. 제7항에 있어서, 상기 N+1층 커버리지 영역은 상기 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 l80°방향으로 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되고,
    상기 N층 커버리지 영역은 상기 N 배선층의 배선 방향에 대하여 0°방향 및 180°방향으로 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 설계 프로그램을 저장한 기록 매체.
  9. 제7항에 있어서, 상기 N+1층 커버리지 영역은 상기 N+1 배선층의 배선 방향에 대하여 90° 방향 및 270°방향으로 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되고,
    상기 N층 커버리지 영역은 상기 N 배선층의 배선 방향에 대하여 90°방향 및 270°방향으로 상기 N층 비어 컨택트로부터 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 설계 프로그램을 저장한 기록 매체.
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