JP2008078467A - 特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法 - Google Patents

特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008078467A
JP2008078467A JP2006257257A JP2006257257A JP2008078467A JP 2008078467 A JP2008078467 A JP 2008078467A JP 2006257257 A JP2006257257 A JP 2006257257A JP 2006257257 A JP2006257257 A JP 2006257257A JP 2008078467 A JP2008078467 A JP 2008078467A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
connection hole
integrated circuit
semiconductor integrated
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006257257A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Shiga
仁 志賀
Seishi Sakurai
清史 櫻井
Kenji Mima
健児 美馬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2006257257A priority Critical patent/JP2008078467A/ja
Priority to US11/838,605 priority patent/US7650584B2/en
Publication of JP2008078467A publication Critical patent/JP2008078467A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/394Routing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11898Input and output buffer/driver structures

Abstract

【課題】単位面積当りの配線本数を増加し、集積度を向上することができる特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】特定用途向け半導体集積回路1において、第1の配線層に配置され、第1の方向に延在する配線51及びそれに対して平行に延在する配線52と、第2の配線層に配置され、第2の方向において配線51上及び52上を延在し配線51に接続孔71を通して接続される配線61、配線51上及び52上を配線61に対して離間し平行に延在する配線63、及び配線61と配線63との間に双方に対して最小スペースにおいて離間されかつ平行に延在し配線52に接続孔72を通して接続される配線62と、を備え、配線62の一端620を、配線52上からそれと配線51との間の中央まで延在させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法に関し、特にコンピュータを使用して回路間を結線する配線並びに接続孔を自動的に配置する自動配置配線システムを利用して製作された特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法に関する。
特定用途向け半導体集積回路(ASIC:application specific integrated circuits)は多品種少量生産に適したデバイスである。この特定用途向け半導体集積回路において、フロアプランにより製作された論理回路、記憶回路等の回路(機能ブロック)の配置、これら回路間の結線を行う配線の配置及び上下配線間を接続する接続孔(ビヤホール)の配置にはコンピュータを使用した自動配置配線システムが使用されている。
近年、回路を構築する半導体素子の微細化並びに配線の配線幅と配線間隔との関係を意味するラインアンドスペースの微細化が進むにつれ、自動配置配線システムにおいて取り扱われるデザインルールが複雑化する傾向にある。例えば、配線のデザインルールには、配線幅に応じて隣接する配線間隔が変化するマルチスペースルールや配線幅に応じて接続孔の周囲のコンタクトフリンジのサイズを変更するコンタクトフリンジルールが新たなルールとして組み込まれる傾向にある。
デザインルールに組み込まれるこれらのルールは、自動配置配線システムに基づいて製作されたマスクデータから製造用マスクを製作し、この製造用マスクを使用して実際に特定用途向け半導体集積回路を製造する際に重要なルールである。自動配置配線システムのアルゴリズムを使用して自動配置される配線は、特定用途向け半導体集積回路の中央部分に高い密度において(「密」に)配置され、周辺部に低い密度において(「疎」に)配置される。実際の特定用途向け半導体集積回路の製造においては、配線には例えばアルミニウム合金膜が使用され、このアルミニウム合金膜は、スパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ技術により製作したフォトマスクを使用しエッチングによりパターニングされる。配線密度が異なれば、フォトマスクを製作する際の現像液の回り込み、アルミニウム合金膜をパターニングする際のエッチング液の回り込みに変化が生じる。通常、配線密度が高い部分に配置される配線の配線幅は、現像液の回り込みやエッチング液の回り込みが不十分になるので、増加する。これに対して、配線密度が低い部分に配置される配線の配線幅は、現像液の回り込みやエッチング液の回り込みが十分に行われるので、減少する。
マルチスペースルールは、このような製造上の不具合を解決するために、配線幅が大きい配線とそれに隣接する配線との間の配線間隔を増加し、配線幅が小さい配線とそれに隣接する配線との間の配線間隔を減少するルールである。一方、コンタクトフリンジルールは、隣接する配線間隔が広い場合に、特に導通不良が生じやすい配線の接続孔周囲の配線幅を増加するルールである。
なお、この種の特定用途向け半導体集積回路並びにその製造方法については、例えば下記特許文献1に開示されている。
特開2001−85614号公報
しかしながら、前述の特定用途向け半導体集積回路並びにその製造方法においては、以下の点について配慮がなされていなかった。自動配置配線システムにおいて、マルチスペースルールは配線幅及び配線間隔を固定とし、コンタクトフリンジルールは配線の接続項の周囲のコンタクトフリンジサイズを一定にする、一律のデザインルールを採用することが好ましい。ところが、どのような配線配置パターンや接続孔配置パターンにおいてもデザインルールチェック(DRC)エラーにならないようなデザインルールを選択した場合、配線配置後の配線レイアウト面積が増大し、結果的に単位面積当りに配置できる配線本数が減少するので、特定用途向け半導体集積回路の集積度が低下する。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、単位面積当りの配線本数を増加し、集積度を向上することができる特定用途向け半導体集積回路を提供することである。
本発明の他の目的は、製造プロセス上の配線幅の増減を減少しつつ、単位面積当りの配線本数を増加することができる特定用途向け半導体集積回路の製造方法を提供することである。
本発明の実施の形態に係る第1の特徴は、特定用途向け半導体集積回路において、第1の配線層に配置され、第1の方向に延在する第1の配線及びこの第1の配線に対して平行に延在する第2の配線と、第1の配線層上の第2の配線層に配置され、第1の方向と交差する第2の方向において第1の配線上及び第2の配線上を延在し第1の配線に第1の接続孔を通して接続される第3の配線、第1の配線上及び第2の配線上を第3の配線に対して離間し平行に延在する第4の配線、及び第3の配線と第4の配線との間に双方に対して最小スペースにおいて離間されかつ平行に延在し第2の配線に第2の接続孔を通して接続される第5の配線と、を備え、第5の配線の一端を、第2の配線上からこの第2の配線と第1の配線との間の中央まで延在させる。
本発明の実施の形態に係る第2の特徴は、特定用途向け半導体集積回路の製造方法において、フロアプランを作成する工程と、自動配置配線システムを使用し、フロアプランに基づき複数の回路を配置する工程と、自動配置配線システムを使用し、コンタクトフリンジレスのデザインルールに基づき、回路間を結線する複数の配線及び上下配線間を接続する複数の接続孔を自動配置する工程と、フリンジエラーチェックを行い、配線の接続孔周囲にコンタクトフリンジの配置が必要な箇所を抽出する工程と、コンタクトフリンジの配置が必要な箇所であって、配線に最小スペースにおいて隣接する他の配線が存在するとき、他の配線の一端を配線の接続孔近傍まで延長する工程と、コンタクトフリンジの配置が必要な箇所であって、配線に最小スペースにおいて隣接する他の配線が存在しないとき、配線の接続孔の周囲にコンタクトフリンジを配置する工程とを備える。
本発明によれば、単位面積当りの配線本数を増加し、集積度を向上することができる特定用途向け半導体集積回路を提供することができる。
更に、本発明によれば、製造プロセス上の配線幅の増減を減少しつつ、単位面積当りの配線本数を増加することができる特定用途向け半導体集積回路の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態は、特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法に本発明を適用した例を説明するものである。ここで、特定用途向け半導体集積回路とは、少なくとも配線配置及び接続孔配置がコンピュータを利用した自動配置配線システムにより自動的に行われる工程が組み込まれた製造プロセスによって製造された半導体デバイスという意味で使用されている。従って、広義には、特定用途向け半導体集積回路は少なくともマスタースライス、ゲートアレイ、スタンダードセルを含む意味において使用されている。
[特定用途向け半導体集積回路の平面レイアウト]
図2に示すように、本実施の形態に係る特定用途向け半導体集積回路1は、方形平面形状を有する半導体基板10上の各辺に沿った周辺部分に配列された外部端子(ポインティングパッド)2と、この外部端子2に対応して配設されたインターフェイス回路3と、このインターフェイス回路3により周囲を囲まれたエリア内に配置された回路(機能ブロック)41〜44と、これらの回路41〜44間を結線する複数の配線51、52、53、…、55、56、57、…、61、62、63、…、65、66、67、…とを備えている。
半導体基板10には、例えばシリコン単結晶基板を実用的に使用することができる。外部端子2は特定用途向け半導体集積回路1のインターフェイス回路3と特定用途向け半導体集積回路1の外部の機器との間を電気的に接続する端子である。インターフェイス回路3は、外部機器から回路41等に入力される信号レベルや電圧レベルの調整を行い、又回路41等から外部機器に出力される信号レベルや電圧レベルの調整を行う。
回路41〜44は、例えばCPU、MPU等の論理回路、ROM、RAM等の記憶回路である。回路41〜44は、まず製造プロセスの段階において、フロアプランに基づきコンピュータを使用した自動配置配線システム上のメモリ空間において最適な位置に自動配置される。この自動配置配線システムにおいて作成された情報に基づき製造用マスクが作成され、この製造用マスクを使用して実際の製造プロセスを実行することによって、半導体基板10上に回路41〜44を製作することができる。論理回路、記憶回路のそれぞれは予め最適に設計された機能ブロック(部品ツール)であり、自動配置配線システムにおいてこれらの機能ブロックを適宜使用することができる。
本実施の形態に係る特定用途向け半導体集積回路1において、外部端子2、インターフェイス回路3、回路41〜44のそれぞれの電気的な接続(結線)には多層配線構造が採用されている。説明を簡単にするために、ここでは2層配線構造を例にとる。なお、本発明は、2層配線構造に限定されるものではなく、3層以上の多層配線構造に適用することができる。
配線51、52、53、…、55、56、57、…のそれぞれは第1層目配線層に配置された第1層目の配線(下層配線)である。配線61、62、63、…、65、66、67、…のそれぞれは第1層目配線層の上層の第2層目配線層に配置された第2層目の配線(上層配線)である。第1層目の配線、第2層目の配線は、いずれも例えばアロイスパイクを防止するSiやエレクトロマイグレーションを防止するCuが添加されたアルミニウム合金を主体に形成されている。アルミニウム合金を主体とは、電流を流す主体がアルミニウム合金であるという意味であり、例えばバリアメタル膜、アルミニウム合金膜、反射防止膜のそれぞれを順次積層した配線構造も含む意味において使用されている。
特定用途向け半導体集積回路1においては、第1層目配線層に配置される配線51等は、図2中、横方向(第1の方向)に延在し、縦方向(第2の方向)に最小スペース又はそれ以上のスペースを有し配列されている。例えば、配線51等は、最小配線幅に最小スペースを加えた寸法を最小配列ピッチとして、この最小配列ピッチにおいて配列されている。実際の最小配列ピッチは、最小配線幅を有する配線の2分の1の配線幅と、最小スペースと、この最小スペースを介在して配線に隣接する最小配線幅を有する他の配線の2分の1の配線幅とを加算した寸法になる。配列ピッチは自動配線配置システム上の配線グリッド間隔に相当する。配線51等は例えば最小配列ピッチの整数倍において配列されている。ここで、最小配線幅とは、第1層目配線層において、製造プロセス上、加工することができる最小の配線幅寸法という意味で使用されている。また、最小スペースとは、第1層目配線層において、製造プロセス上、加工することができる最小の配線間の離間間隔という意味で使用される。第2層目配線層に配置される配線61等は、図2中、縦方向に延在し、横方向に最小スペース又はそれ以上のスペースを有し配列されている。同様に、例えば、配線61等は最小配列ピッチの整数倍において配列されている。ここでの最小配列ピッチとは、上記の最小配列ピッチと同一意味において使用されている。
特定用途向け半導体集積回路1は自動配置配線システムのアルゴリズムを使用して最適条件になるように自動的に配線を配置しているので、特定用途向け半導体集積回路1の中央部分の配線密度は高く(「密」に)なり、周辺部分の配線密度が低く(「疎」に)なる。第1層目配線層の配線51、52、53、…、第2層目配線層の配線61、62、63、…は配線密度が高い領域に配置され、配線51と52との間、配線52と53との間、配線61と62との間、配線62と63との間等は最小スペースにおいて配列されている。これに対して、第2層目配線層の配線55、56、57、…、第2層目配線層の配線65、66、67、…は配線密度が低い領域に配置され、配線55と56との間、配線56と57との間、配線65と66との間、配線66と67との間等は最小スペースの2倍以上の整数倍のスペースを有し配列されている。
[配線の詳細な平面レイアウト]
本実施の形態に係る特定用途向け半導体集積回路1は、図1(A)に示すように、配線密度が高い領域において、第1層目配線層に配置され、横方向に延在する配線(第1の配線)51及びこの配線51に対して平行に延在する配線(第2の配線)52と、第2層目配線層に配置され、縦方向において配線51上及び配線52上を延在し配線51に接続孔(第1の接続孔又は第1のビアホール)71を通して接続される配線(第3の配線)61、配線51上及び配線52上を配線71に対して離間し平行に延在する配線(第4の配線)63、及び配線61と配線63との間に双方に対して最小スペースにおいて離間されかつ平行に延在し配線52に接続孔(第2の接続孔)72を通して接続される配線(第5の配線)62とを備えている。そして、配線62の一端620は、同図においてハッチングにて表示しているように、配線52上からこの配線52と配線51との間の中央まで少なくとも延在されている。
ここでは、実際の製品として製作される特定用途向け半導体集積回路1の平面を示しているが、自動配置配線システムにおいて配線が配置可能なグリッドGY、GXを便宜的に重ねて示す。つまり、特定用途向け半導体集積回路1の中央部分のグリッドGX1上には配線51が延在し、グリッドGX2上には配線52が延在し、グリッドGY1上には配線61が延在し、グリッドGY2上には配線62が延在し、グリッドGY3上には配線63が延在する。第1層目配線層内のグリッドGX間、第2層目配線層内のグリッドGY間は最小配線間隔(配線ピッチ)に相当し、グリッドGX間並びにグリッドGY間に配線は配置されない。
本実施の形態においては、配線62の一端620は、配線51上の中間位置まで延長されている。本来、配線62の一端620が配線51上まで延長された場合には、この重複領域において接続孔が配置されるが、ここでは接続孔は配置されていない。つまり、配線62の延長された一端620は、配線61の接続孔71の近傍まで延長され、この配線61に配設するべきコンタクトフリンジに相当し、製造プロセスの配線密度の疎密に起因する配線幅寸法のばらつきを抑制するダミー配線として使用されている。なお、配線62の一端620は、配線51の端面まで、或いはコンタクトフリンジが必要とされる領域まで、グリッドGY2上を延在させることができる。
一方、特定用途向け半導体集積回路1は、図1(B)に示すように、配線密度が低い領域において、第1層目配線層に配置され、横方向に延在する配線55(第6の配線)及びこの配線55に対して平行に延在する配線(第7の配線)56と、第2層目配線層に配置され、縦方向において配線55上及び配線56上を延在し配線55に接続孔(第3の接続孔)75を通して接続される配線(第8の配線)65、及び配線55上及び配線56上を配線65に対して最小スペース以上のスペースにおいて離間されかつ平行に延在する配線(第9の配線)66とを備えている。そして、接続孔75近傍において、配線65の配線66側には、同図においてハッチングにて表示しているように、コンタクトフリンジ650が配設されている。
前述と同様に、グリッドGX5上には配線55が延在し、グリッドGX7上には配線56が延在し、グリッドGY5上には配線65が延在し、グリッドGY7上には配線66が延在する。グリッドGX6上、GY6上には配線が配置されていない。グリッドGY5上に延在する配線65に対して最小スペースにおいて隣接するグリッドGY6上に配線が存在すると、デザインルールを満足しないので、コンタクトフリンジ650を配設することができない。
すなわち、本実施の形態に係る特定用途向け半導体集積回路1においては、配線密度が高い領域は、最小スペースを維持しつつ、配線62の一端620を延長しコンタクトフリンジに相当するダミー配線を配設し、配線密度が低い領域は、配線間スペースに余裕があるので、コンタクトフリンジ650を配設する。図1(A)及び図1(B)には、製造プロセスが終了し製品として完成した特定用途向け半導体集積回路1の要部の配線パターンを示しているが、このような配線パターンの製作には、自動配線配置システムが利用されている。
[特定用途向け半導体集積回路の製造方法]
次に、前述の特定用途向け半導体集積回路1の製造方法について、前述の図1(A)、図1(B)及び図2を参照しつつ、図3を用いて説明する。
まず、構築する特定用途向け半導体集積回路1の全体のフロアプランが作成される(ステップS1。以下、単に「S1」と表記する。)。このフロアプランにおいては、搭載する論理機能や記憶機能が決定され、更に配線、電源配線等のデザインルールが決定され、最終的な物理的実現性が確認される。
このようなフロアプランに基づき、コンピュータを利用する自動配置配線システムにおいて(S2)、メモリ空間に用意された半導体基板10上に外部端子2、インターフェイス回路3、回路41〜44のそれぞれを最適な位置に自動的に配置する(S21)。
同様に、自動配置配線システムにおいて、コンタクトフリンジレスのデザインルールに従って回路41〜44間を結線する配線をアルゴリズムにより自動的に配置するとともに、上下配線間の接続箇所(第1層目の配線と第2層目の配線との接続箇所)に接続孔を配置する(S22)。ここでの配線の配置には、外部端子2とインターフェイス回路3との間の結線、インターフェイス回路3内の半導体素子間の結線、回路41〜44内の半導体素子間の結線が含まれる。また、コンタクトフリンジレスのデザインルールとは、一律の配線幅を維持し、かつ配線の接続孔の周囲にはコンタクトフリンジを配置しないルールである。つまり、前述の図1(A)及び図1(B)に示すグリッドGX間、GY間の間隔は一定であり、実際の製品として完成された特定用途向け半導体集積回路1の配線間隔は最小スペースを実現することができる。
次に、フリンジエラーチェックを行い、配線の接続孔周囲にコンタクトフリンジの配置が必要な箇所を抽出する(S23)。ここで、コンタクトフリンジの配置が必要な箇所とは、接続孔が配置された配線とそれに隣接する配線との間の離間寸法が例えば最小スペースよりも大きいスペースが存在する領域であって、製造プロセス中の配線の製造中に現像液やエッチング液の回り込みが十分に行われ、結果として配線幅寸法が減少してしまう現象を補正する必要がある領域のことを意味する。例えば、コンタクトフリンジの配置が必要な箇所は、最小スペースの2倍以上のスペース或いは2倍以上の最小配列ピッチを有する領域が対象になる。
フリンジエラーチェックにより抽出された結果に基づき、コンタクトフリンジの配置が本来必要な箇所であって、配線に最小スペースにおいて隣接する他の配線が存在するとき(特に配線密度が高い領域)、つまり前述図1(A)に示すように、配線61と配線63との間に配線62が存在するとき、この配線62の一端620を配線61の接続孔71近傍まで延長する補正を行う(S24)。この延長補正は、自動配置配線システムの配線データを修正することであり、プログラムにより自動的に行ってもよいし、手動により行ってもよい。
次に、フリンジエラーチェックにより抽出された結果に基づき、コンタクトフリンジの配置が本来必要な箇所であって、配線に最小スペースにおいて隣接する他の配線が存在しないとき(特に配線密度が低い領域)、つまり前述図1(B)に示すように、配線65と配線66との間に配線が存在しないとき、配線65の接続孔75の周囲にコンタクトフリンジ650を配置する補正を行う(S25)。この配置補正は、自動配置配線システムの配線データを修正することであり、プログラムにより自動的に行ってもよいし、手動により行ってもよい。
次に、デザインルールチェック(DRC)を行い(S26)、デザインルールに違反しているか否かが検討される。違反している場合には、コンタクトフリンジレスのデザインルールにおいて配線の配置を再度行う。また、デザインルールに違反している箇所の延長補正若しくはコンタクトフリンジ650の配置補正を再度行う。
次に、このように自動配線配置システムにおいて作成された外部端子2の配置情報、インダーフェイス回路3の配置情報、回路41〜44の配置情報、延長補正やコンタクトフリンジ650の配置補正を行った配線51等の配置情報に基づき、製造用マスクを製作する(S3)。この製造用マスクの製作とは、マスクブランクスに電子線描画装置を用いてパターンを書き込み、レチクル(又はマスターマスク)を製作するという意味である。
そして、製造用マスクを使用し、実際の半導体基板10に半導体製造プロセスを行うことにより、特定用途向け半導体集積回路1を製造し、製品として完成させることができる。
以上説明したように、本実施の形態に係る特定用途向け半導体集積回路1においては、本来、コンタクトフリンジが必要な箇所であって、配線密度が高い領域には、配線62の一端620を延長し、コンタクトフリンジとして機能するダミー配線を配設したので、配線間隔を最小スペースに維持することができ、単位面積当りの配線本数を増加し、集積度を向上することができる。
更に、本実施の形態に係る特定用途向け半導体集積回路1の製造方法においては、コンタクトフリンジレスのデザインルールに基づき配線を配置した後に、配線密度が高い領域には配線62の一端620を延長し、配線密度が低い領域にはコンタクトフリンジ650を配置したので、製造プロセス上の配線幅の増減を減少しつつ、単位面積当りの配線本数を増加することができる。
(その他の実施の形態)
なお、本発明は、前述の実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明は、コンピュータを使用する自動配線配置システムにより、配線基板、液晶ガラス基板、絶縁基板等の基板上に配線を配置する場合にも適用することができる。
(A)及び(B)は本発明の一実施の形態に係る特定用途向け半導体集積回路の要部拡大平面図である。 図1に示す特定用途向け半導体集積回路の平面レイアウト図である。 図1に示す特定用途向け半導体集積回路の製造方法を説明するフローチャートである。
符号の説明
1 特定用途向け半導体集積回路
10 半導体基板
41〜44 回路
51、52、53、55、56、57、61、62、63、65、66、67 配線
71〜73 接続孔
620 一端
650 コンタクトフリンジ

Claims (5)

  1. 第1の配線層に配置され、第1の方向に延在する第1の配線及びこの第1の配線に対して平行に延在する第2の配線と、
    前記第1の配線層上の第2の配線層に配置され、前記第1の方向と交差する第2の方向において前記第1の配線上及び前記第2の配線上を延在し前記第1の配線に第1の接続孔を通して接続される第3の配線、前記第1の配線上及び前記第2の配線上を前記第3の配線に対して離間し平行に延在する第4の配線、及び前記第3の配線と前記第4の配線との間に双方に対して最小スペースにおいて離間されかつ平行に延在し前記第2の配線に第2の接続孔を通して接続される第5の配線と、を備え、
    前記第5の配線の一端を、前記第2の配線上からこの第2の配線と前記第1の配線との間の中央まで延在したことを特徴とする特定用途向け半導体集積回路。
  2. 前記第5の配線の一端は前記第1の配線上まで延在され、この第5の配線の一端とその下層の前記第1の配線との間には接続孔が配置されないことを特徴とする請求項1に記載の特定用途向け半導体集積回路。
  3. 前記第1の配線層に配置され、前記第1の方向に延在する第6の配線及びこの第6の配線に対して平行に延在する第7の配線と、
    前記第2の配線層に配置され、前記第2の方向において前記第6の配線上及び前記第7の配線上を延在し前記第6の配線に第3の接続孔を通して接続される第8の配線、及び前記第6の配線上及び前記第7の配線上を前記第8の配線に対して最小スペース以上のスペースにおいて離間されかつ平行に延在する第9の配線と、を備え、
    前記第3の接続孔近傍において、前記第8の配線の前記第9の配線側にコンタクトフリンジを備えたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の特定用途向け半導体集積回路。
  4. フロアプランを作成する工程と、
    自動配置配線システムを使用し、前記フロアプランに基づき複数の回路を配置する工程と、
    前記自動配置配線システムを使用し、コンタクトフリンジレスのデザインルールに基づき、前記回路間を結線する複数の配線及び上下配線間を接続する複数の接続孔を自動配置する工程と、
    フリンジエラーチェックを行い、前記配線の前記接続孔周囲にコンタクトフリンジの配置が必要な箇所を抽出する工程と、
    前記コンタクトフリンジの配置が必要な箇所であって、前記配線に最小スペースにおいて隣接する他の配線が存在するとき、前記他の配線の一端を前記配線の前記接続孔近傍まで延長する工程と、
    前記コンタクトフリンジの配置が必要な箇所であって、前記配線に最小スペースにおいて隣接する他の配線が存在しないとき、前記配線の前記接続孔の周囲にコンタクトフリンジを配置する工程と、
    を備えたことを特徴とする特定用途向け半導体集積回路の製造方法。
  5. 前記配線及び接続孔を自動配置する工程、前記他の配線の一端を延長する工程及び前記コンタクトフリンジを配置する工程の後に、これらの情報に基づき、前記配線、前記他の配線、前記接続孔及びコンタクトフリンジを製造する製造用マスクを形成する工程と、
    前記製造用マスクを使用し、基板上に前記配線、前記他の配線、前記接続孔及びコンタクトフリンジを製造する工程と、
    を更に備えたことを特徴とする請求項4に記載の特定用途向け半導体集積回路の製造方法。
JP2006257257A 2006-09-22 2006-09-22 特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法 Pending JP2008078467A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006257257A JP2008078467A (ja) 2006-09-22 2006-09-22 特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法
US11/838,605 US7650584B2 (en) 2006-09-22 2007-08-14 Application specific semiconductor integrated circuit and its manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006257257A JP2008078467A (ja) 2006-09-22 2006-09-22 特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008078467A true JP2008078467A (ja) 2008-04-03

Family

ID=39224764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006257257A Pending JP2008078467A (ja) 2006-09-22 2006-09-22 特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7650584B2 (ja)
JP (1) JP2008078467A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278189A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路の設計方法及び設計システム
KR20190024620A (ko) * 2017-08-30 2019-03-08 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 병합된 필러 구조 및 이 구조의 레이아웃 다이어그램을 생성하는 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7725850B2 (en) * 2007-07-30 2010-05-25 International Business Machines Corporation Methods for design rule checking with abstracted via obstructions
US7861204B2 (en) * 2007-12-20 2010-12-28 International Business Machines Corporation Structures including integrated circuits for reducing electromigration effect
US7902613B1 (en) * 2008-01-28 2011-03-08 Cadence Design Systems, Inc. Self-alignment for semiconductor patterns
JP5779145B2 (ja) * 2012-06-28 2015-09-16 株式会社Screenホールディングス 配線データの生成装置、生成方法、そのプログラム、および描画装置
JP6939281B2 (ja) * 2017-09-04 2021-09-22 富士通株式会社 設計支援装置、設計支援プログラムおよび設計支援方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085614A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Toshiba Corp 半導体装置、その設計方法、及びその設計プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001022802A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Nec Corp 論理セルライブラリ生成装置と論理セルライブラリ生成方法および配線レイアウト装置と配線レイアウト方法
JP3789266B2 (ja) * 1999-12-27 2006-06-21 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置レイアウト方法及び半導体装置をレイアウトするためのプログラムを記録した記録媒体
US6763511B2 (en) * 2001-07-02 2004-07-13 Nec Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit having macro cells and designing method of the same
JP3977246B2 (ja) 2002-12-27 2007-09-19 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085614A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Toshiba Corp 半導体装置、その設計方法、及びその設計プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278189A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路の設計方法及び設計システム
KR20190024620A (ko) * 2017-08-30 2019-03-08 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 병합된 필러 구조 및 이 구조의 레이아웃 다이어그램을 생성하는 방법
US10515178B2 (en) 2017-08-30 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Merged pillar structures and method of generating layout diagram of same
KR102131143B1 (ko) * 2017-08-30 2020-07-08 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 병합된 필러 구조 및 이 구조의 레이아웃 다이어그램을 생성하는 방법
US11157677B2 (en) 2017-08-30 2021-10-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Merged pillar structures and method of generating layout diagram of same

Also Published As

Publication number Publication date
US20080074929A1 (en) 2008-03-27
US7650584B2 (en) 2010-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9262570B2 (en) Layout boundary method
US8392856B2 (en) Semiconductor device and layout design method for the same
JP4585197B2 (ja) レイアウト設計方法およびフォトマスク
JP2008078467A (ja) 特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法
JP2003142584A5 (ja)
KR20160034300A (ko) 직접 기록 리소그래피를 이용한 집적회로 제조
TW201804592A (zh) 用於後段製程(beol)間隔物為基內連之以光桶來圖案化的削減栓塞與突片
JP2005268748A (ja) 半導体装置及びその製造方法
TW201839871A (zh) 半導體裝置、半導體結構及其形成方法
US7949982B2 (en) Semiconductor integrated circuit design system, semiconductor integrated circuit design method, and computer readable medium
JP2010021187A (ja) 半導体集積回路の設計方法、設計プログラム、及び半導体集積回路の製造方法
JP2009076677A (ja) 半導体装置の製造方法及びフォトマスクの設計方法
JP4949734B2 (ja) 半導体装置及びその設計方法
JP4469539B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
US8692351B2 (en) Dummy shoulder structure for line stress reduction
US20110079914A1 (en) Standard cell and semiconductor device including the same
JP4901302B2 (ja) 半導体集積回路
TWI518446B (zh) 修正佈局圖案的方法以及製作光罩的方法
WO2018180010A1 (ja) 半導体集積回路装置
JP2006237123A (ja) 半導体集積回路
JP3340267B2 (ja) 半導体記憶装置における配線形成方法
JP2009169366A (ja) レチクル、配線およびビアのレイアウト方法、および半導体装置の製造方法
JP4444765B2 (ja) 半導体装置
JP2007294500A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2007036290A (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090210

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20090216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111004

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120221