KR20000069823A - 산화물 ｃｍｐ용 조성물 - Google Patents

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브라이언 엘. 뮐러
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Abstract

본 발명은 pH가 3 이상이고 가용성 세륨 화합물을 포함하는 화학적 기계적 연마용 조성물, 및 집적회로 및 반도체 제조 동안에 1단계로 질화규소막층보다 우선적으로 산화규소 과충전층을 선택적으로 연마하는 방법을 제공한다.

Description

산화물 ＣＭＰ용 조성물{Composition for Oxide CMP}
집적 회로 (IC)는 실리콘 기판내 또는 그 위에 형성된 무수한 능동 디바이스로 이루어진다. 능동 디바이스에 의해 기능성 회로 및 컴포넌트들이 형성된다. 이어서, 이들 디바이스는 다층 (multilevel) 금속화 내부연결부 및 바이어스를 사용하여 연결된다. 내부연결 구조물은 통상 제1 금속화층, 내부연결 플러그, 제2 금속화층 및 때때로 각각의 내부연결부를 갖는 제3 또는 그 이상의 금속화 층들을 포함한다. 도핑되고 도핑되지 않은 SiO2와 같은 층간 유전체 (Inter Level Dielectric; ILD)는 상이한 층의 내부연결부를 전기적으로 격리시키는데 사용된다. 섈로우 트렌치 격리 (Shallow Trench Isolation; STI)는 IC 제조 공정에서 층을 제공하는 경우 디바이스를 격리시키는 기술이다. STI 공정에서, 질화규소는 열적으로 성장된 산화물상에 침착된다. 질화물의 침착 후, 샐로우 트렌치를 마스크를 사용하여 기판으로 에칭시킨다. 이어서, 산화물 층을 트렌치내로 침착시켜 트렌치에 의해 칩내의 디바이스를 격리시키는 작용을 하는 절연 유전체 영역을 형성하므로써 능동 디바이스들간의 횡적 교신 (cross-talk)을 경감시킨다. 과량의 침착된 산화물은 연마되고 트렌치는 평탄화되어 후속 층의 금속화를 준비해야 한다. 질화규소를 규소에 도포시켜 디바이스의 마스킹된 산화규소가 연마되는 것을 방지한다.
전형적인 기계적 연마 공정에서, 기판은 회전식 연마 패드와 직접 접촉되게 위치한다. 캐리어에 의해 기판의 이면에 대해 압력이 가해진다. 연마 공정 동안, 패드 및 테이블이 회전하면서, 하향력은 기판 이면에 대해 유지된다. 통상 "CMP 슬러리"로 불리우는 화학적으로 반응성인 용액 및 연마제는 연마 동안 패드상으로 유동된다. 슬러리내의 화학약품 및 연마제 입자가 연마되는 웨이퍼와 상호작용하므로써 연마 공정이 개시된다. 연마 공정은 슬러리가 웨이퍼/패드 계면에 제공될 때, 기판과 관련된 패드의 회전 운동에 의해 용이하게 된다. 연마는 최종 목적하는 막 두께가 필요량의 박막 재료의 제거에 의해 달성될 때까지 이 방식으로 계속된다.
산화물을 연마하는 경우, 사용되는 슬러리가 산화물층에 대해 높은 제거 속도를 갖고, CMP 동안 노출될 수 있는 질화규소와 같은 다른 층에 대해 낮은 제거 속도를 갖는 것이 바람직하다. 연마용 슬러리는 특정 박막층 재료에 선택적인 원하는 연마 범위에서 효과적인 연마를 제공하면서, 동시에 질화규소 및 다른 정지 층들의 표면 결함, 결손, 부식, 침식 및 제거를 최소화시키도록 조정되어야 한다.
산화물을 연마하기에 유용한 CMP 슬러리는 전형적으로 알칼리성 또는 높은 pH의 연마제를 함유한다. 이들 슬러리는 수산화칼륨 또는 수산화암모늄에 의존하여 높은 pH를 효과적으로 완충시킨다. 이들 슬러리에 의해 실리카가 고속으로 연마되는 동안 질화규소도 또한 고속으로 연마된다. 전형적으로, 이들의 제거 속도의 비율, 즉 선택도는 산화규소 대 질화규소가 최대 약 5 대 1이다. 질화규소의 연마 메카니즘은 수성 환경에서 산소에 대한 질화물의 산화성 가수분해인 것으로 여겨진다. 알칼리성 pH에서 이 산화물 및 질화물은 유사하게는 고속으로 에칭된다. 따라서, 존재하는 CMP 슬러리에 의해 바람직하지 않게는 질화규소가 허용가능하지 않은 고속으로 연마된다.
산화물 대 질화물 선택도가 5 대 1을 넘는 CMP 슬러리에 대한 요구가 반도체 산업에 남아있다. 따라서, 선택적으로는 산화물을 고속으로 제거하는 반면 질화규소의 정지 층은 비교적 손상됨 없이 보존시키는 신규한 CMP 슬러리는 존재하는 제조상 문제점들을 극복하고, 처리량을 증가시키고, CMP 공정의 비용을 경감시키는데 요구된다. 이는 제조 환경에 사용되는 경우, 낮은 선택도의 공정이 필연적으로 -웨이퍼의 보다 얇은 막에서- 과도하게 연마되어 질화물 정지 층이 하부 박막(들)의 천공을 막지 못할 것이기 때문이다.
<발명의 개요>
본 발명은 이산화규소를 고속으로 연마할 수 있는 화학적 기계적 연마용 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 또한 질화규소 막이 연마되는 것을 억제하는 화학적 기계적 연마용 조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 이산화규소를 기판으로부터 선택적으로 제거하는 반면, 기판이 본질적으로 손상되지 않게 질화규소층을 보존시키는 화학적 기계적 연마용 조성물의 사용 방법에 관한 것이다.
본 발명의 한 실시양태는 카르복실산, 염류 및 가용성 세륨 화합물을 포함하는 화학적 기계적 연마용 조성물이다. 이 조성물은 pH가 약 3.0 내지 약 11, 바람직하게는 약 3.8 내지 약 5.5이고, 이산화규소를 적층 기판으로부터 선택적으로 제거하는데 유용하다.
본 발명의 또다른 실시양태는 상술한 화학적 기계적 연마용 조성물 및 연마제를 포함하는 화학적 기계적 연마용 슬러리이다. 이 슬러리는 구체적으로는 이산화규소 막 연마에 유용하다.
본 발명의 또다른 실시양태는 집적 회로 및 반도체의 제조 동안 pH가 약 3.0 내지 약 11인 수용액중의 카르복실산, 염류 및 가용성 세륨 화합물을 포함하는 화학적 기계적 연마용 조성물을 사용하여 질화규소막층 보다는 과충전된 산화물을 선택적으로 제거하는 방법이다.
본 발명은 반도체 집적 회로 기판용 화학적 기계적 연마용(chemical mechanical polishing; CMP) 슬러리에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명은 이산화규소의 높은 제거 속도 및 질화규소의 낮은 제거 속도가 동일한 기판상에서 요구되는 화학적 기계적 평탄화에 특히 적합한 독특한 화학적 성질을 갖는 CMP 슬러리에 관한 것이다.
도 1은 pH 대 PETEOS 제거 속도와 질화물 제거 속도의 도표.
본 발명은 카르복실산, 염 및 가용성 세륨 화합물을 포함하고 pH가 약 3.0 내지 약 11.0인 기계화학적 연마용 조성물에 관한 것이다. 기계화학적 조성물은 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 이것은 금속 산화물 연마제와 합쳐져 슬러리를 형성할 수 있다. 본 발명의 조성물 및 슬러리는 고율로 기판과 결합된 이산화규소 층과 같은 산화물 층을 연마시킨다. 또한, 본 발명의 조성물은 질화규소 연마를 억제하는 것으로 밝혀졌다. 본 발명은 또한 산화물 층을 연마하기 위해 본 발명의 조성물 및 슬러리를 사용하는 신규 방법에 관한 것이다.
본 발명의 각종 바람직한 실시태양을 상세히 기재하기 전에 본 명세서에 사용되는 용어를 정의한다. "기계화학적 조성물"이란 기판의 하나 이상의 층을 제거하기 위해 연마 패드와 결합하여 사용될 수 있는 1종 이상의 카르복실산, 1종 이상의 염 및 1종 이상의 가용성 세륨 화합물의 배합물을 의미한다. "슬리러" 또는 "기계화학적 연마용 슬러리"란 용어는 기계화학적 연마용 조성물 및 1종 이상의 연마제의 배합물을 의미한다.
본 발명의 CMP 슬러리에 유용한 카르복실산에는 일관능 및 이관능 카르복실산 및 그의 염이 포함된다. 바람직하게는, 카르복실산은 아세트산, 아디프산, 부티르산, 카프르산, 카프로산, 카프릴산, 시트르산, 글루타르산, 글리콜산, 포름산, 푸마르산, 락트산, 라우르산, 말산, 말레산, 말론산, 미리스트산, 옥살산, 팔미트산, 프탈산, 프로피온산, 피루브산, 스테아르산, 숙신산, 타르타르산, 발레르산, 2-(2-메틸옥시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-메틸옥시에톡시)에톡시]아세트산, 폴리(에틸렌글리콜)비스(카르복시메틸)에테르 및 그의 염을 포함한 유도체를 포함하는 군으로부터 선택된다. 가장 바람직한 카르복실산은 아세트산이다.
본 발명의 조성물에서, 카르복실산은 슬러리의 10 %를 초과하여 포함될 수 있다. 바람직한 실시태양에서, 카르복실산은 약 0.05 내지 약 10 중량% 범위의 양으로 본 발명의 조성물 중에 존재한다. 그러나, 보다 바람직한 실시태양에서 카르복실산은 약 0.1 내지 약 3 중량% 범위의 양으로 본 발명의 조성물 중에 존재한다.
본 발명의 기계화학적 조성물은 염을 포함할 수 있다. "염"이란 용어는 질산염, 인산염 및 황산염과 같은 무기염 및 유기염을 포함한 모든 수용성 염을 의미한다. 가용성 염은 또한 물 중에 단지 부분적으로 또는 최소한으로 가용성인 염을 의미한다. 바람직한 염은 질산염이다.
"질산염"이란 용어는 질산을 포함한다. 유용한 질산염에는 화학식 (M)n(NO3)m(식중, n 및 m은 정수임)의 조성물을 포함한다. n = m인 경우, M은 일가이고, Li, Na, K과 같은 알칼리토 금속 뿐만 아니라 H, NH4, NR4(식중, R은 NMe4, NBu4등을 포함한 탄소 원자 1 내지 10 이상의 알킬기이거나 그의 혼합물임)일 수 있다. n ≠ m인 경우, M은 다가 양이온 또는 금속 또는 다가 양이온 및 일가 양이온의 배합물이다. 한가지 공지된 바람직한 질산염은 질산세륨암모늄 (NH4)2Ce(NO3)6이다.
염은 조성물의 약 0.05 내지 약 6 중량%의 양으로 조성물 중에 존재할 수 있다. 염이 조성물의 약 0.1 내지 약 4 중량%의 양으로 조성물 중에 존재하는 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 기계화학적 조성물은 1종 이상의 가용성 세륨 화합물을 포함한다. "가용성 세륨"이란 용어는 예를 들어, 본 발명의 목적을 위해 가용성 형태로 첨가되는 세륨 또는 콜로이드성 또는 분쇄된 입자로 용해된 세륨을 포함한다. 본 발명의 조성물에 유용한 가용성 세륨 화합물의 비제한적 예로는 수산화세륨 (Ce(OH)4)의 수용성 수화되고 비수화된 염, 황산세륨암모늄 (NH4)2SO4Ce2(SO4)3, 아세트산세륨 Ce(O2CH3)3, 황산세륨 Ce(SO4)2, 브롬산세륨 Ce(BrO3)3.9H2O, 브롬화세륨 CeBr3, 탄산세륨 Ce(CO3)2, 염화세륨 CeCl3, 옥살산세륨 Ce(C2O4)3, 질산세륨 Ce(NO3)3(OH).6H2O, 및 임의 다른 공지된 가용성 세륨 화합물을 포함한다. 바람직한 가용성 세륨 화합물은 질산세륨암모늄 (NH4)2Ce(NO3)6이다. 가용성 세륨 화합물은 약 0.05 내지 약 10.0 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 4.0 중량% 범위의 양으로 본 발명의 조성물 중에 존재한다.
본 발명의 기계화학적 조성물의 바람직한 실시태양은 염 및 가용성 세륨 화합물로서 질산세륨암모늄을 포함한다. 다른 가용성 질산세륨 염은 가용성 세륨 화합물 및 염으로서 본 발명의 조성물 중에 혼입될 수 잇다. 질산세륨암모늄은 전체 조성물 중량의 약 0.05 내지 약 6 중량% 범위의 양으로 본 발명의 조성물 중에 존재할 수 있다. 보다 바람직한 질산세륨암모늄의 범위는 약 0.1 내지 약 4.0 중량%이다.
시판용 산화세륨은 전형적으로 용해된 Ce4-및 Ce3+이온의 혼합물을 함유한다. 용해된 산화세륨은 Ce3+이온의 형태인 것이 바람직하다. 산화제를 Ce4+에서 Ce3-로 산화될 수 있는 본 발명의 조성물에 첨가하면 높은 산화물 특이성 및 낮은 질화물 특이성을 나타내는 생성물이 제조된다. 사용되는 산화제는 Ce3-보다 더 높은 산화력을 가져야 한다. 바람직한 산화제는 과황산암모늄이다. 약 0.05 내지 약 5.0 중량%의 양의 산화제가 유용하다. 산화제는 바람직하게는 약 0.1 내지 약 2.0 중량% 범위의 양으로 존재한다.
본 발명의 기계 화학적 조성물은 임의로 1종 이상의 킬레이팅제를 포함할 수 있다. 본 발명의 기계 화학적 조성물에 킬레이팅제의 첨가는 본 발명의 조성물로 연마된 기재의 세정력을 증진시킨다. 기재의 세정력이 증진되는 것은 킬레이팅제가, 만약 조성물에 첨가되지 않는다면 침착될, 유리 이온과 결합하기 때문이다.
유용한 킬레이팅제에는 본 발명의 조성물에서 유리 이온과 결합하는 임의의 킬레이팅제가 포함된다. 유용한 킬레이팅제의 예로는 시트르산과 같은 폴리카르복실산, EDTA, 트리에탄올아민 및 벤조니트릴, 아디프산, 말론산, 옥살산, 포스폰산, 인산 및 그의 염이 포함되나, 이에 한정되지는 않는다. 킬레이팅제를 사용하는 경우에는 조성물 중에 약 0.05 내지 약 5.0 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 1.5 중량%의 양으로 존재해야 한다.
본 발명의 기계 화학적 조성물은 단독으로 또는 연마제와 함께 사용되어 기계 화학적 연마용 "슬러리"를 얻을 수 있다. 본 발명의 조성물과 병용되기에 유용한 연마제에는 금속 산화물 연마제가 포함된다. 금속 산화물 연마제에는 알루미나, 티탄, 지르콘, 게르만, 실리카, 세리아 및 그의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택될 수 있다. 또한, 유용한 연마제는 2종 이상의 금속 산화물의 전구체를 혼합함으로써 혼합된 금속 산화물 연마제의 화학적 혼합물을 얻을 수 있다. 예를 들어, 알루미나는 실리카, 또는 알루미나/실리카와 함께 형성될 수 있다.
유용한 금속 산화물 연마제는 졸-겔, 열수법 또는 플라즈마법과 같은 고온법, 또는 발연(fumed) 또는 침전화된 금속 산화물의 제조법을 비롯한 당업자에게 공지된 방법에 의해 생성될 수 있다. 또한, 미분되거나 분쇄된 금속 산화물 연마제는 본 발명의 CMP 슬러리에서 유용하고, 젯-밀, 볼밀, 비드밀, 및 당업자에게 공지된 기타 다른 밀링법 및 분쇄법을 사용하여 밀링 또는 그라인딩하여 제조할 수 있다.
본 발명의 CMP 슬러리에 적합한 바람직한 연마제는 실리카 산화물 및 세륨 (세리아) 산화물이고, 발연 실리카가 가장 바람직하다. 다른 적합한 실리카 연마제는 졸-겔, 열수법, 플라즈마법, 연소 열분해법 또는 금속 산화물을 제조하기 위한 다른 방법에 의해 제조될 수 있다.
또한, 미분된 연마제가 본 발명에 적합한다. 임의의 미분된 금속 산화물 연마제는 본 발명의 CMP 슬러리에 사용될 수 있다. 그러나, 미분된 세륨 산화물이 바람직하다. 세륨 산화물 연마제는 매질 밀에서 분쇄되어 미분된 세리아를 얻는다. 원래의 세륨 산화물 입자는 마인드(mined) 세륨 산화물 또는 침전화되고 소결된 세륨 산화물 또는 그의 혼합물일 수 있다. 그라인딩은 젯트 밀링 또는 볼 밀링과 같은 임의의 유형의 그라인딩 또는 밀링 장치를 사용하여 수성 매질에서 수행될 수 있다. 바람직한 그라인딩 메카니즘은 이트륨 정방형 지르코늄 (YTZ) 또는 지르코늄 실리케이트 매질 중 하나를 사용하는 매질 밀링이다.
바람직한 미분된 금속 산화물 연마제는 약 0.5 미크론 미만의 중간 입자 크기(즉, 집합된 입자 또는 단독 입자)를 갖는 협소한 입자 크기 분포를 가질 것이다. 입자는 그라인딩한 후 희석되고 여과될 수 있다. 바람직하게, 여과 후에, 미분된 금속 산화물 연마제의 입자 크기는 약 40 내지 약 1000 nm, 바람직하게는 약 100 내지 약 300 nm이다. 바람직한 미분된 연마제는 0.6 ㎛를 초과하는 중간 입자 크기를 갖는 입자의 약 10 중량% 미만을 함유해야 한다.
침전화된 세륨 산화물은 산화물 CMP에 대한 적합한 연마제이다. 침전화된 세륨산화물 입자는 아세트산염, 탄산염 및 수산화물을 비롯한 다양한 전구체로부터 제조된다. 침전화된 세륨 산화물 입자의 중간 입자 크기는 약 10 nm 내지 약 500 nm의 범위일 수 있고, 침전화된 세륨 산화물 입자의 바람직한 크기는 약 30 내지 약 300 nm의 범위이다.
다른 바람직한 연마제는 발연 실리카이다. 발연 금속 산화물의 생성법은 수소 및 산소의 연소에서 적합한 공급원 증기 (예: 실리카 연마제에 대해서는 실리콘 테트라클로라이드)의 가수분해가 일어나는 공지의 방법이다. 거친 구형의 용융 입자는 연소법에서 형성된다. 입자의 직경, 통상적으로 1차 입자는 공정 매개변수 및 실리카 산화물 또는 유사 산화물의 용융된 구형에 따라 변화되고, 그들의 접촉점에서 서로 충돌함으로써 융합되어 분지형의 3차원 사슬형 집합체를 형성한다. 집합체를 파괴하는데 필요한 힘은 상당하고 종종 비가역적이다. 냉각 및 회수하는 동안, 집합체는 추가의 충돌을 일으켜 일부 기계적 엉킴작용을 초래하여 집합체를 형성할 수 있다.
바람직한 금속 산화물은 문헌[S. Brunauer, P.H. Emmet, and I. Teller, J. Am. Chemical Society, Volume 60, Page 309 (1938)] 및 흔히 BET로 칭해지는 방법으로 부터 측정된 바와 같이, 약 5 m2/g 내지 약 430 m2/g, 바람직하게는 약 30 m2/g 내지 약 170 m2/g의 범위의 표면적을 가질 것이다. IC 산업에서의 엄격한 순도 요건으로 인해, 바람직한 금속 산화물은 고순도여야 한다. 고순도란 원료 물질 불순물 및 소량 공정 오염물과 같은 공급원으로부터의 총 불순물 함량이 통상적으로 1% 미만, 바람직하게는 0.01% 미만 (즉, 100 ppm)인 것을 의미한다.
바람직한 실시양태에서, 금속 산화물 연마제는 약 1.0 미크론 미만의 직경, 약 0.4 미크론 미만의 평균 집합체 직경 및 연마제 집합체들 간의 반데르 발스력에 반발하여 극복하기에 충분한 힘을 갖는 입자를 약 99% 갖는 금속 산화물 집합체로 구성된다. 이러한 금속 산화물 연마제는 연마하는 동안 스크래칭, 패인 자국, 디보트(divot) 및 다른 표면 손상을 최소화 또는 막는데 유용하였다. 본 발명에서 집합체 크기 분포도는 전이 전자 현미경법 (TEM)과 같은 공지의 기술을 사용하여 측정될 수 있다. 평균 집합체 직경은 TEM 화상 분석을 사용하는 경우에, 즉 집합체의 단면적을 기준으로 평균 등가의 구형 직경을 의미한다. 금속 산화물 입자의 수소결합력은 입자 간의 표면 전위 또는 반데르발스 인력에 대항하여 극복할 만큼 충분해야 한다.
다른 바람직한 실시양태에서, 금속 산화물 연마제는 입자 직경이 0.5 미크론 (500 nm)이고 표면적이 약 10 m2/g 내지 약 250 m2/g인 개별적 금속 산화물 입자로 구성될 수 있다.
본 발명의 CMP 슬러리는 약 2 중량% 내지 약 25 중량%의 금속 산화물 연마제, 바람직하게는 약 2 중량% 내지 약 15 중량%의 금속 산화물 연마제를 포함할 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리에 유용한 산화 금속 연마제를 약 3% 내지 약 55%의 고체량 및 바람직하게는 30% 내지 50%의 고체량을 포함하는 산화 금속의 농축 수분산액으로서 연마용 슬러리의 수성 매질에 혼입하였다. 산화 금속의 수분산액은 콜로이드성 분산액을 형성하기 위해 적당한 매질, 예를 들면 탈이온수에 산화 금속 연마제를 천천히 첨가하는 것과 같은 통상의 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 분산액은 통상적으로 당업계의 숙련자들에게 공지되어 있는 고전단 혼합 조건에서 완결시킨다.
본 발명의 CMP 슬러리에 유용한 연마제는 상기에서 설명된 연마제의 혼합물일 수 있다. 예를 들어, 침전된 산화 세륨, 분쇄된 산화 세륨 (세리아라고도 부름) 및 발연 실리카를 본 발명의 CMP 슬러리에 혼입시킬 수 있다. 다른 연마제의 조합도 CMP 슬러리에 유용하다. 또한, 연마제의 혼합물은 연마제를 다른 연마제에 대한 하나의 연마제의 임의의 상대 분율로 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기에서 설명된 분쇄된 산화 연마제의 약 5 내지 100 중량%를 침전된 연마제 약 0 내지 약 95 중량%와 조합하는 것이 STI 용도에서의 CMP 슬러리 연마제로서 효율적이라는 것이 발견되었다.
시판중인 pH 약 1.5의 침전된 산화 세륨 고체는 CMP 슬러리로 효과적이지 않다. 그러나, 본 발명자들은 STI 연마에 유용한 CMP 슬러리에서는 시판중인 슬러리의 pH가 약 3.5로 상당히 증가한다는 것을 발견하였다. 따라서, 본 발명자들은 놀랍게도 상기에 기재된 조성물 및 pH를 갖는 CMP 슬러리는 높은 산화층 제거율 및 낮은 질산화층 제거율을 보인다는 것을 발견하였다.
본 발명의 CMP 슬러리는 효과적인 pH인 약 3.0 내지 약 11.0를 가져아 한다. 보다 바람직하게, 슬러리 pH는 약 3.5 내지 약 6.0의 범위이며, 약 3.8 내지 약 5.5의 pH가 가장 바람직하다. 조성물에 임의의 염기를 첨가시킴으로써 슬러리 pH를 조정할 수 있으며, 수산화 암모늄과 같은 비금속 염기를 슬러리에 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명의 화학적 기계적 조성물은 1종 이상의 완충제를 함유할 수 있다. 완충제의 목적은 원하는 범위의 pH, 가장 바람직하게는 약 3.8 내지 약 5.5의 조성물 pH를 유지하는 것을 돕는 것이다.
조성물의 pH를 원하는 범위로 유지할 수 있는 임의의 완충제를 사용할 수 있다. 보다 바람직한 완충제는 암모늄 포르메이트 또는 포름산이다. 조성물에 사용되는 완충제는 통상적으로 약 0.01 내지 약 5.0 중량%, 가장 바람직하게는 0.05 내지 약 0.5 중량%의 범위일 것이다.
산화제의 침강, 응집 및 분해에 대해 본 발명의 연마용 슬러리를 보다 안정화시키기 위해, 계면활성제, 중합성 안정화제 또는 그밖의 표면 활성 분산제와 같은 추가적인 임의의 다양한 첨가제를 사용할 수 있다. 표면활성제는 음이온성, 양이온성, 비이온성, 양쪽성일 수 있고, 2종 이상의 계면활성제를 조합하여 사용할 수 있다. 따라서, 계면활성제의 첨가가 웨이퍼 내의 비균일성(within-wafer-nonuniformity)(WIWNU)을 개선시켜서 웨이퍼의 표면을 개선시키며 웨이퍼 결합을 감소시키는데 유용할 수 있다는 것을 발견하였다.
일반적으로, 본 발명에서 계면활성제와 같은 첨가제의 사용량은 슬러리의 효과적인 입체 안정화를 달성시키기에 충분해야 하며, 통상적으로 선택된 특정 계면활성제 및 산화 금속 연마제의 표면 특성에 따라 변할 것이다. 예를 들어, 선택된 계면활성제를 충분히 사용하지 않는다면, 안정화에 거의 또는 전혀 영향을 주지 않을 것이다. 한편, 너무나 많은 계면활성제는 슬러리에 원치않는 발포 및(또는) 응집을 일으킬 수 있다. 결과적으로, 계면활성제와 같은 첨가제는 일반적으로 약 0.001 중량% 내지 10 중량%의 범위로 존재해야 한다. 따라서, 첨가제를 슬러리에 직접 첨가할 수 있거나, 또는 공지된 기술을 이용하여 첨가제를 산화 금속 연마제의 표면에 처리할 수 있다. 다른 경우에서는, 연마용 슬러리에서 원하는 농도를 달성하기 위해 첨가제의 양을 조절한다.
본 발명의 화학적 기계적 연마용 조성물 및 슬러리는 매우 높은 제거율로 적층 기판으로부터 이산화 규소층을 선택적으로 제거할 수 있다. 따라서, 본 발명의 조성물 및 슬러리는 적층 기판으로부터 질산화 규소의 연마를 억제한다. 본 발명의 화학적 기계적 연마용 조성물 및 슬러리에 대한 한가지 중요한 용도는 일체형 회로 및 반도체의 제조에 있다. 이러한 연마법의 사용에 있어서, 본 발명의 조성물 및 슬러리는 얕은 영역 장치 분리에 있어 이산화 규소를 효과적으로 제거한다.
본 발명의 조성물 및 슬러리는 바람직하게, 약 5 내지 약 100 이상 및 바람직하게는 약 15 내지 약 50 이상의 질소화물에 대한 산화물의 제거 선택율로, 약 1200 Å/분 내지 약 6000 Å/분 이상의 산화물 제거율을 나타낸다.
본 발명의 조성물 및 슬러리는 필수 조건 pH에서 1종 이상의 카르복실산, 가용성 세륨 화합물, 염, 임의의 연마제 및 임의의 첨가제의 수성 조성물을 포함하는 단일 패키지에 혼입할 수 있다. 시간에 대한 슬러리의 활성이 변하는 것을 피하기 위해 제1 패키지는 임의의 pH에서 1종 이상의 카르복실산, 염 및 가용성 세륨 화합물을 포함하고, 제2 패키지는 임의의 pH에서 임의의 연마제를 포함하는 적어도 2개의 패키지 시스템을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 이런 두개의 패키지는 처리되어서 그들이 혼합될 때 유용한 조성물이 원하는 pH 범위 내에 있도록 할 것이다. 별법으로, 하나의 콘테이너에 있는 성분은 건조 형태로 있는 한편, 다른 콘테이너에 있는 성분은 수분산액 형태로 존재할 수 있다. 다른 2개의 콘테이너에 있는, 본 발명의 CMP 슬러리의 구성성분의 조합법은 그 분야에서 보통의 기술을 가진 사람이라면 알 것이다.
필수 조건 pH에서, 본 발명의 조성물 및 슬러리는 질산화 규소 제거율을 크게 증가시키지는 않는다. 그러나, 본 발명의 조성물 및 슬러리는 공지되어 있는 슬러리에 비해 이산화 규소의 제거율을 상당히 증가시킨다. 본 발명의 연마용 슬러리는 반도체 일체형 회로 제조의 여러 단계 중에서 사용하여 표면 불완전함 및 결함을 최소로하면서 원하는 제거율로 산화 규소층을 효과적으로 제거할 수 있다.
<실시예 1>
하기 실시예는 본 발명의 바람직한 실시태양 뿐만 아니라 본 발명의 조성물을 사용하기 위한 바람직한 방법을 예시한다. 모든 조성물 및 슬러리를 하기 기재한 바와 같이 STI 연마 프로토콜로 사용하였다.
CMP 슬러리를 로델 인크 제품인 IC1000/SUBA IV 패드 스택을 사용하여 블랭킷 PETEOS 및 질소화규소를 화학적 기계적으로 연마하는데 사용하였다. 하향력 9 psi, 슬러리 유속 140 ㎖/분, 압반 속력 35 rpm 및 이동 속력 24 rpm으로 IPEC/WESTECH 472 CMP 기구를 사용하여 연마를 수행하였다.
<실시예 2>
분쇄된 세리아 제제
분쇄된 세리아 슬러리를 블랭킷 이산화규소 및 질소화물 웨이퍼를 연마시키는 성능을 평가하기 위하여 제조하였다. 입도가 약 2 내지 4 ㎛인 로다이트 (Rhodite) 등급 400HS 세리아는 뉴욕주 힉스빌 소재의 유니버살 포토닉스 (Universal Photonics) 제품이고, 교반기 비드 분쇄기를 사용하여 1차 평균 입도 150 ㎚로 분쇄시켰다. pH가 약 7.5 내지 8.5인 얻어진 슬러리가 분쇄 공정 후에도 고상물 20 내지 30 %를 함유하도록 분쇄를 습윤 조건하에 수행하였다.
이어서 슬러리를 희석하고 pH를 하기 표 1에 기재된 슬러리를 제조하도록 조절하였다. 슬러리를 실시예 1에 기재된 방법에 따라 기재를 연마하는데 사용하였다.
슬러리 번호 pH 고상물 % PETEOS RR (Å/분) Nitride RR (Å/분) 선택율
1 8 4.0 925 1050 0.89
2 8 5.0 4337 1137 3.81
3 8 7.5 4800 1130 4.25
4 8 10.0 5145 1153 4.46
5 10 4.0 4342 1101 3.95
6 10 10.0 4344 1015 4.28
분쇄된 세리아 슬러리를 연마하는데 사용하였다. 데이타는 분쇄된 세리아 슬러리가 매우 높은 PETEOS (산화규소층) 제거 속도를 제공함을 나타내었다.
<실시예 3>
침전된 세리아 니트레이트 제제
침전된 세리아 입자, 질산, pH가 1.8인 아세트산 및 고상물 20 %를 함유하는 니트레이트 안정화된 세리아 슬러리는 Nyacol Products (Ashland, MA) 제품이었다. 슬러리의 pH를 수산화암모늄을 첨가함으로써 약 4.2에서 6.8로 조절하였다. 슬러리를 실시예 1에 기재된 방법에 따라 기재를 연마하는데 사용하였다. 연마 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
슬러리 번호 pH 고상물 % 첨가제 PETEOS RR (Å/분) Nitride RR (Å/분) 선택율
7 4.2 20 406 14.5 28
8 5.8 20 281 208 1.35
9 6.1 20 241 281 0.86
10 6.2 20 163 354 0.46
연마 데이타는 최저 pH (4.2)에서 선택율은 높으나 전체 산화물 제거 속도가 낮음을 제시하였다.
<실시예 4>
침전된 세리아 아세테이트 제제
가용성 Ce2+및 Ce4+, 및 아세트산 (pH = 1/8 및 고상물 20 %)을 포함하는 콜로이드성 세륨 아세테이트 슬러리는 Nyacol Products (Ashland, MA) 제품이었다. 슬러리의 pH를 4.5로 조절하였고 고상물 함량을 15 %로 조절하였다. 슬러리를 실시예 1에 기재된 방법에 따라 기재에 적용하였고, 결과는 질소화물에 대한 산화물 선택율 11.1에 대하여 산화물층 제거 속도가 117 Å/분이고 질소화물층 제거 속도가 10.5 Å/분임을 나타내었다.
<실시예 5>
분쇄/침전된 세리아 제제
실시예 2에 기재된 바와 같이 제조된 분쇄된 세리아의 중량% 가변량을 포함하는 세리아 슬러리를 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 제형화하였다. 슬러리를 실시예 1에 기재된 방법에 따라 기재를 연마하는데 사용하고 연마 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
슬러리 번호 pH 총 고상물 % 슬러리 중분쇄된 세리아 % PETEOS RR(Å/분) Nitride RR(Å/분) 선택율
11 4 8 20 1595 108.4 14.71
12 4 8 40 2168 183.4 11.82
13 4 8 60 3356 826.5 4.06
14 4 8 80 4785 209.1 22.88
결과는 분쇄된 세리아 80 % 및 침전된 세리아 20 %를 포함하는 CMP 슬러리가 높은 PETEOS 속도, 낮은 질소화물 속도 및 높은 선택율의 가장 바람직한 특성을 제공함을 나타내었다.
<실시예 6>
분쇄된 세리아를 사용하는 화학적 배합물
캐보트 코포레이션 (Cabot Corporation)이 제조하여 상품명 CAB-O-SIL으로 판매하는 발연 실리카 입자, L-90, 암모늄 세륨 니트레이트, 아세트산 (다양한 %) 및 탈이온수로 이루어진 슬러리를 표 4에 제시된 바와 같이 배합하였다. 첨가물을 혼입한 후 모든 슬러리의 pH를 4로 조정하였다. 슬러리들을 실시예 1에 기재한 방법에 따라 기판에 도포하였다.
슬러리 실리카 중량% 암모늄 세륨 니트레이트 중량% 아세트산 중량% 질화물 RR (Å/분) PETEOS RR (Å/분) 선택도
20 4 0.1 0.1 58 280 4.83
21 4 0.1 1 52 253 4.87
22 4 0.65 0.5 59 619 10.49
23 4 1 0.1 44 1535 34.89
24 4 1 1 312 1524 4.88
25 4 1 0 104.62 1337.9 12.79
26 4 2 0.05 57.51 1103 19.18
27 4 3 0.1 89.99 835.8 9.29
28 4 1 0.5 71.5 803.1 11.23
29 4 2 0.1 24.1 346.6 14.38
30 4 2 0.5 71.1 768.0 10.8
질산염 함량이 높고 (1% 질산염) 아세트산 함량이 낮은 (0.1%) 경우 높은 PETEOS 제거율과 낮은 질화물 제거율을 얻었다.
<실시예 7>
실리카를 사용한 화학적 배합물 - pH 검사
CAB-O-SIL (등록 상표) L-90 발연 실리카 4 중량%, 암모늄 세륨 니트레이트 1.8 중량% 및 다양한 %의 아세트산 0.6 중량%로 이루어진 슬러리를 표 5에 제시된 바와 같이 배합하였다. 슬러리의 pH를 4.0 내지 5.0으로 변화시켰다. 슬러리를 실시예 1에 기재된 방법에 따라 기판에 도포하였다.
슬러리 실리카 중량% pH 아세트산 중량% 질화물 RR PETEOS RR 선택도
31 4 4.0 0.6 114 1713.7 15.03
32 4 4.3 0.6 141 1988.9 14.11
33 4 4.7 0.6 199 2810.5 14.12
34 4 5.0 0.6 219 2355 10.75
각 슬러리에 대해 높은 PETEOS 제거율을 얻었고 선택도도 매우 우수하였다. 결과는 슬러리의 pH가 PETEOS 제거율에 큰 영향을 미치는 것으로 나타났고 산화물의 최적 제거율은 약 pH 4.7에서 성취되었다 (도 1).
<실시예 8>
암모늄 세륨 니트레이트 1.8 중량%, 아세트산 0.8 중량% 및 탈이온수로 이루어진 조성물을 사용하여 실시예 1의 방법에 따라 PETEOS와 질화규소 웨이퍼를 연마하였다. 슬러리의 pH는 4.5로 조정하였다. 조성물로 PETEOS는 690 Å/분에서 연마하고 질화규소는 23 Å/분에서 연마하여 PETEOS 선택도 30을 얻었다.
<실시예 9>
(1) 니아콜 프로덕츠 (매사추셋츠주 애쉬랜드)가 제조한 20 중량% 세륨 콜로이드 용액; (2) 캐보트 코포레이션이 제조하여 상품명 CAB-O-SIL (등록 상표)로 판매하는 L-90 발연 실리카; 및 (3) 탈이온수 적당량을 배합하여 세륨 4.0 중량% 및 실리카 4.0 중량%로 이루어지고, pH가 4.5인 CMP 슬러리를 제조하였다. 수산화암모늄을 사용하여 슬러리의 pH를 4.5로 조정하였다. 슬러리는 0.15 중량% 암모늄 퍼술페이트를 포함하였다.
검사 전에, EDTA 또는 시트르산 킬레이트제를 여러가지 양으로 슬러리에 첨가하였다. 이어서 슬러리를 실시예 1의 방법에 따라 검사하였다. 검사 결과를 하기 표 6에 제시하였다.
킬레이트제 킬레이트제 (중량%) 산화물 제거율 질화물 제거율 후 CMP 세정 (LPD)
EDTA-K 0 3870 19 >20,000
EDTA-K 0.1 2731 11 977
EDTA-K 0.2 1806 12 169
EDTA-K 0.3 1381 11 45
시트르산 0 4241 20 3772
시트르산 0.10% 2095 34 516
시트르산 0.20% 1625 68 28
슬러리 중의 이칼륨 EDTA의 양을 증가시키면 산화물 제거율이 감소된다. 그러나, 이칼륨 EDTA 농도를 증가시키면 후 CMP 세정 후 웨이퍼 상의 입자수인 광점 결함 (LPD)가 크게 감소한다.
<실시예 10>
본 실시예에서는 산화제를 사용하거나 사용하지 않고 본 발명의 조성물의 연마 효과를 평가하였다. 실시예 9에 설명된 방법에 따라 Ce4+이온을 함유하는 4.0 중량%의 콜로이드성 세리아 및 4.0 중량%의 실리카로 이루어진, pH 4.5의 슬러리를 조성하였다. 이 슬러리를 0.15 중량%의 과황산암모늄을 첨가하거나 첨가하지 않고 실시예 2의 방법에 따라 시험하였다. 시험 결과를 하기 표 7에 나타냈다.
산화제 없음 산화제 사용
로트 산화물 율(Å/분) 질화물 율(Å/분) 선택도 산화물 율(Å/분) 질화물 율(Å/분) 선택도
1 2822 472 5.98 3255 28.9 112.6
2 3394 373 9.10 3513 22.8 154.1
3 3640 319 11.42 3428 25.8 132.9
4 2929 473 6.19 3711 36.1 102.8
5 1734 856 2.02 3880 46.5 83.4
표 7에 나타낸 결과는 과황산암모늄 산화제를 사용하지 않은 경우, 세리아의 각각의 로트가 상이한 연마율과 허용되지만 낮은 질화물 선택도를 나타내는 것을 보여준다. 0.15 중량%의 과황산암모늄을 첨가한 후 동일 로트의 성능은 보다 일관되고, 슬러리는 높은 질화물 선택도를 나타낸다.
본 발명은 특정 실시태양을 참조하여 설명하지만, 본 발명의 취지를 벗어나지 않으면서 변형할 수 있음이 이해될 것이다. 본 발명의 범위는 상기 명세서와 실시예에 기재된 발명의 범위에 의해 한정되는 것이 아니라 다음 청구의 범위에 의해 규정되는 것으로 생각된다.

Claims (74)

  1. 염, 가용성 세륨 및 카르복실산을 포함하고, pH가 약 3 내지 약 11인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 pH가 약 3.8 내지 약 5.5인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 염이 질산염인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 질산염이 하기 화학식의 화합물인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
    (M)n(NO3)m
    상기 식에서, n과 m은 모두 정수이고, n = m인 경우, M은 알칼리 토금속, H, NH4또는 NR4(여기에서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기임)이고, n ≠ m인 경우, M은 다가 양이온 또는 금속이거나 다가 양이온과 일가 양이온의 조합물이다.
  5. 제3항에 있어서, 약 0.05 내지 약 6.0 중량%의 질산염을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  6. 제3항에 있어서, 상기 질산염이 질산세륨암모늄인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 카르복실산이 일관능성 산, 이관능성 산 및 이들의 염 중에서 선택되는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 카르복실산이 아세트산, 아디프산, 부티르산, 카프르산, 카프로산, 카프릴산, 시트르산, 글루카르산, 글리콜산, 포름산, 푸마르산, 락트산, 라우르산, 말산, 말레산, 말론산, 미리스트산, 옥살산, 팔미트산, 프탈산, 프로피온산, 피루브산, 스테아르산, 숙신산, 타르타르산, 발레르산, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 및 폴리(에틸렌 글리콜)비스(카르복시메틸)에테르 및 이들의 혼합물의 군 중에서 선택되는 1종 이상의 화합물인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 카르복실산이 아세트산인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 카르복실산을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 약 0.1 내지 약 3.0 중량%의 카르복실산을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 약 0.05 내지 약 10 중량%의 가용성 세륨을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 가용성 세륨이 황산세륨암모늄, 아세트산세륨, 황산세륨 수화물, 수산화세륨, 브롬산세륨, 브롬화세륨, 염화세륨, 옥살산세륨, 질산세륨, 탄산세륨 및 이들의 혼합물로부터 선택된 1종 이상의 화합물인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 염 및 가용성 세륨이 질산세륨암모늄인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 약 0.1 내지 약 4.0 중량%의 질산세륨암모늄을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  16. 염, 가용성 세륨, 카르복실산 및 연마제를 포함하고, pH가 약 3 내지 약 11인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  17. 제16항에 있어서, 약 1 내지 약 25 중량%의 연마제를 포함하는 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  18. 제16항에 있어서, 연마제가 금속 산화물인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  19. 제18항에 있어서, 금속 산화물 연마제가 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 게르마니아, 실리카, 세리아, 또는 이들의 혼합물 및 화학적 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  20. 제19항에 있어서, 연마제가 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 게르마니아, 실리카 및 세리아 중에서 선택된 2종 이상의 원소 산화물의 물리적 혼합물인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  21. 제16항에 있어서, 연마제가 밀링되거나 그라인딩되는 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  22. 제17항에 있어서, 약 2 내지 약 15 중량%의 금속 산화물 연마제를 포함하는 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  23. 제17항에 있어서,약 0.5 내지 약 10 중량%의 질산염, 약 0.5 내지 약 10 중량%의 카르복실산 및 약 0.5 내지 약 10 중량%의 가용성 세륨을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  24. 제17항에 있어서, 약 0.1 내지 약 3.0 중량%의 아세트산 및 약 0.1 내지 약 4.0 중량%의 질산세륨암모늄을 포함하고, pH가 약 3.8 내지 약 5.5인 수성 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  25. 약 2 내지 약 15 중량%의 금속 산화물 연마제, 약 0.5 내지 약 10 중량%의 질산염, 약 0.5 내지 약 10 중량%의 카르복실산, 및 약 0.5 내지 약 10 중량%의 가용성 세륨을 포함하고, pH가 약 3 내지 약 11인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  26. 제25항에 있어서, 약 0.1 내지 약 3.0 중량%의 아세트산, 약 0.1 내지 약 4.0 중량%의 질산세륨암모늄 및 약 1.0 내지 약 15 중량%의 발연 실리카를 포함하고, pH가 약 3.8 내지 약 5.5인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  27. 제25항에 있어서, 약 0.1 내지 약 3.0 중량%의 아세트산, 약 0.1 내지 약 4.0 중량%의 질산세륨암모늄 및 약 1.0 내지 약 15 중량%의 밀링되거나 그라인딩된 세리아를 포함하고, pH가 약 3.8 내지 약 5.5인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  28. 염, 가용성 세륨 화합물, 카르복실산 및 탈이온수를 혼합하여 pH가 약 3.0 내지 약 11.0인 화학적 기계적 연마용 조성물을 생성시키는 단계,
    상기 화학적 기계적 연마용 조성물을 기판에 도포하는 단계,
    패드를 기판과 접촉시키고 패드를 기판에 대하여 이동시켜 기판으로부터 산화규소층의 적어도 일부를 제거하는 단계
    를 포함하는, 기판으로부터 이산화규소층의 적어도 일부를 제거하는 방법.
  29. 제28항에 있어서, 기판이 1층 이상의 이산화규소 및 1층 이상의 질화규소를 포함하는 적층 기판인 방법.
  30. 제29항에 있어서, 산화규소가 질화규소의 제거 속도보다 5배 이상의 속도로 제거되는 방법.
  31. 제28항에 있어서, 카르복실산이 아세트산인 방법.
  32. 제28항에 있어서, 염 및 가용성 세륨 화합물이 질산세륨암모늄인 방법.
  33. 제28항에 있어서, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 게르마니아, 실리카, 세리아 또는 이들의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 산화물 연마제를 포함하는 방법.
  34. 제33항에 있어서, 금속 산화물 연마제가 실리카인 방법.
  35. 약 2 내지 약 15 중량%의 실리카, 약 0.1 내지 약 4.0 중량%의 질산세륨암모늄, 약 0.1 내지 약 3.0 중량%의 아세트산 및 탈이온수를 혼합하여 pH가 약 3.8 내지 약 5.5인 화학적 기계적 연마용 슬러리를 생성시키는 단계,
    화학적 기계적 연마용 슬러리를 패드에 도포하는 단계,
    패드를 회전시키는 단계, 및
    회전 패드를 웨이퍼와 접촉시키고 웨이퍼를 회전 패드에 대하여 회전시켜서 이산화규소층의 적어도 일부를 제거하는 단계
    로 포함하는, 질화규소층을 포함하는 규소 웨이퍼 상에 침착된 이산화규소층의 적어도 일부를 제거하는 방법.
  36. 염, 카르복실산 및 가용성 세륨 화합물을 포함하는 화학적 기계적 연마용 조성물을 함유하는 패키지.
  37. 수용액, 질산염, 가용성 세륨 화합물 및 카르복실산을 보유하는 제1 용기 및
    분산된 금속 산화물 연마제를 보유하는 제2 용기
    를 포함하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 제조용으로 유용한 다중 패키지 시스템.
  38. Ce4+이온을 포함하는 가용성 세륨 및
    Ce4+보다 산화 전위가 큰 산화제
    를 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  39. 제38항에 있어서, pH가 약 3.8 내지 약 5.5인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  40. 제38항에 있어서, 질산염을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  41. 제40항에 있어서, 질산염이 하기 화학식의 화합물인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
    (M)n(NO3)m
    상기 식에서, n과 m은 모두 정수이고, n = m인 경우, M은 알칼리 토금속, H, NH4또는 NR4(여기서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기임)이고, n ≠ m인 경우, M은 다가 양이온 또는 금속이거나 다가 양이온과 일가 양이온의 조합물이다.
  42. 제40항에 있어서, 약 0.05 내지 약 6.0 중량%의 질산염을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  43. 제40항에 있어서, 질산염이 질산세륨암모늄인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  44. 제38항에 있어서, 약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 1종 이상의 카르복실산 또는 그의 염을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  45. 제44항에 있어서, 카르복실산 또는 그의 염이 일관능성 산, 이관능성 산 및 이들의 염으로부터 선택된 것인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  46. 제45항에 있어서, 카르복실산이 아세트산인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  47. 제38항에 있어서, 산화제가 과황산암모늄인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  48. 제47항에 있어서, 약 0.05 내지 약 5.0 중량%의 과황산암모늄을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  49. 제38항에 있어서, 약 0.05 내지 약 10 중량%의 콜로이드성 세륨을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  50. 제38항에 있어서, 가용성 세륨이 황산세륨암모늄, 아세트산세륨, 황산세륨 수화물, 수산화세륨, 브롬산세륨, 브롬화세륨, 염화세륨, 옥살산세륨, 질산세륨, 탄산세륨 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 1종 이상의 화합물인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  51. 제38항에 있어서, 가용성 세륨이 질산세륨암모늄인 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  52. 제38항에 있어서, 약 0.5 내지 약 10 중량%의 질산세륨암모늄을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  53. 제38항에 있어서, 1종 이상의 킬레이트화제를 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  54. 제53항에 있어서, 약 0.05 내지 약 5.0 중량%의 킬레이트화제를 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  55. 제38항에 있어서, EDTA 염, 시트르산 및 이들의 혼합물로부터 선택된 킬레이트화제를 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  56. 제38항에 있어서, 1종 이상의 완충제를 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 조성물.
  57. Ce4+이온을 포함하는 가용성 세륨,
    Ce4+보다 산화 전위가 큰 산화제,
    1종 이상의 킬레이트화제, 및
    1종 이상의 연마제
    를 포함하고, pH가 약 3 내지 약 11인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  58. 제57항에 있어서, 약 1 내지 약 25 중량%의 연마제를 포함하는 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  59. 제58항에 있어서, 연마제가 1종 이상의 금속 산화물인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  60. 제59항에 있어서, 금속 산화물 연마제가 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 게르마니아, 실리카, 세리아 또는 이들의 혼합물 및 화학적 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  61. 제59항에 있어서, 상기 연마제가 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 게르마니아, 실리카, 세리아 중에서 선택된 2종 이상의 원소 산화물의 물리적 혼합물인 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  62. 제59항에 있어서, 약 2 내지 약 15 중량%의 금속 산화물 연마제를 포함하는 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  63. 제57항에 있어서, 약 0.05 내지 약 5.0 중량%의 과황산암모늄, 약 0.05 내지 약 5.0 중량%의 1종 이상의 킬레이트화제, 약 0.5 내지 약 10 중량%의 가용성 세륨을 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  64. 제57항에 있어서, 약 0.05 내지 약 10 중량%의 질산세륨암모늄, 약 2.0 내지 약 15.0 중량%의 발연 실리카, 약 0.05 내지 약 5.0 중량%의 1종 이상의 킬레이트화제, 0.05 내지 약 5.0 중량%의 과황산암모늄을 포함하며, pH가 약 3.8 내지 약 5.5인 수성 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  65. 제64항에 있어서, 상기 킬레이트화제가 EDTA 염, 시트르산 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것인 수성 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  66. 제57항에 있어서, 완충제를 포함하는 수성 화학적 기계적 연마용 슬러리.
  67. 염, Ce4+이온을 갖는 가용성 세륨 화합물, 산화 전위가 Ce4+보다 큰 산화제, 및 탈이온수를 혼합하여 pH가 약 3.0 내지 약 11.0인 화학적 기계적 연마용 조성물을 생성시키는 단계,
    상기 화학적 기계적 연마용 조성물을 기판에 도포하는 단계,
    패드를 기판에 접촉시키고 기판에 대해 패드를 이동시켜 기판으로부터 산화규소층의 적어도 일부를 제거하는 것을 포함하는,
    기판으로부터 이산화규소층의 적어도 일부를 제거하는 방법.
  68. 제67항에 있어서, 상기 기판이 1층 이상의 이산화규소층 및 1층 이상의 질화규소층을 포함하는 적층 기판인 방법.
  69. 제67항에 있어서, 상기 이산화규소가 질화규소의 제거 속도보다 5배 이상 큰 속도로 기판에서 제거되는 방법.
  70. 제67항에 있어서, 상기 산화제가 과황산암모늄인 방법.
  71. 제67항에 있어서, 상기 염 및 가용성 세륨 화합물이 질산세륨암모늄인 방법.
  72. 제67항에 있어서, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 게르마니아, 실리카, 세리아 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택된 1종 이상의 금속 산화물 연마제를 포함하는 방법.
  73. 제67항에 있어서, 상기 금속 산화물 연마제가 실리카인 방법.
  74. 약 2 내지 약 15 중량%의 실리카, 약 0.05 내지 약 10 중량%의 질산세륨암모늄, 약 0.05 내지 약 5.0 중량%의 과황산암모늄, 1종 이상의 킬레이트화제 및 탈이온수를 혼합하여 pH가 약 3.8 내지 약 5.5인 화학적 기계적 연마용 슬러리를 생성시키는 단계,
    화학적 기계적 연마용 슬러리를 패드에 도포하는 단계,
    패드를 회전시키는 단계, 및
    회전 패드를 웨이퍼와 접촉시키고 웨이퍼를 회전 패드에 대하여 회전시켜서 이산화규소층의 적어도 일부를 제거하는 단계
    를 포함하는, 질화규소층을 포함하는 규소 웨이퍼 상에 침착된 이산화규소층의 적어도 일부를 제거하는 방법.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100457743B1 (ko) * 2002-05-17 2004-11-18 주식회사 하이닉스반도체 산화막용 ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의형성 방법
KR100474545B1 (ko) * 2002-05-17 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 소자의 형성 방법
KR100724287B1 (ko) * 2005-01-12 2007-06-04 제일모직주식회사 산화물 침식 특성이 우수한 금속배선 연마용 슬러리 조성물
KR100812052B1 (ko) * 2005-11-14 2008-03-10 주식회사 엘지화학 탄산세륨 분말, 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를포함하는 ｃｍｐ 슬러리
WO2008114972A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-25 Lg Chem, Ltd. Method for preparing cerium carbonate powder
KR101053653B1 (ko) * 2003-07-01 2011-08-02 주식회사 동진쎄미켐 산화세륨 연마제를 이용한 화학 기계적 연마 슬러리조성물
KR20160013077A (ko) * 2013-05-21 2016-02-03 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 높은 제거율 및 낮은 결함성으로 산화물 및 질화물에 대해 선택적인 cmp 조성물
KR20160060117A (ko) * 2013-09-24 2016-05-27 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 중합체 필름의 화학-기계적 평탄화
KR20170125379A (ko) * 2015-03-05 2017-11-14 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 세리아 입자를 함유하는 연마 조성물 및 사용방법
KR20200037338A (ko) * 2017-08-30 2020-04-08 히타치가세이가부시끼가이샤 슬러리 및 연마 방법

Families Citing this family (197)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230986B2 (ja) * 1995-11-13 2001-11-19 株式会社東芝 ポリッシング方法、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。
KR100336598B1 (ko) * 1996-02-07 2002-05-16 이사오 우치가사키 산화 세륨 연마제 제조용 산화 세륨 입자
US5827781A (en) * 1996-07-17 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Planarization slurry including a dispersant and method of using same
US5916819A (en) 1996-07-17 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same
US5738800A (en) * 1996-09-27 1998-04-14 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US6132637A (en) * 1996-09-27 2000-10-17 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US5759917A (en) * 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP
US20060147369A1 (en) * 1997-07-21 2006-07-06 Neophotonics Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20090075083A1 (en) * 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20090255189A1 (en) * 1998-08-19 2009-10-15 Nanogram Corporation Aluminum oxide particles
US6592776B1 (en) * 1997-07-28 2003-07-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for metal CMP
US20040229468A1 (en) * 1997-10-31 2004-11-18 Seiichi Kondo Polishing method
JP3371775B2 (ja) * 1997-10-31 2003-01-27 株式会社日立製作所 研磨方法
US6190237B1 (en) * 1997-11-06 2001-02-20 International Business Machines Corporation pH-buffered slurry and use thereof for polishing
US6149696A (en) * 1997-11-06 2000-11-21 Komag, Inc. Colloidal silica slurry for NiP plated disk polishing
US6362101B2 (en) * 1997-11-24 2002-03-26 United Microelectronics Corp. Chemical mechanical polishing methods using low pH slurry mixtures
US6114248A (en) * 1998-01-15 2000-09-05 International Business Machines Corporation Process to reduce localized polish stop erosion
US5990012A (en) * 1998-01-27 1999-11-23 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical polishing of hydrophobic materials by use of incorporated-particle polishing pads
DE19805525C2 (de) * 1998-02-11 2002-06-13 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren zum Naßätzen von Halbleiterscheiben zum Erzeugen eines definierten Randbereichs durch Unterätzen
TW419518B (en) * 1998-02-20 2001-01-21 Ind Tech Res Inst Non-Newtonian-fluid-behaviored formulation
US6159076A (en) * 1998-05-28 2000-12-12 Komag, Inc. Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface
US5928962A (en) * 1998-06-01 1999-07-27 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US6217416B1 (en) * 1998-06-26 2001-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
TW455626B (en) * 1998-07-23 2001-09-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
US6124207A (en) * 1998-08-31 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Slurries for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods and apparatuses for making and using such slurries
US6143192A (en) * 1998-09-03 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Ruthenium and ruthenium dioxide removal method and material
US6468909B1 (en) 1998-09-03 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Isolation and/or removal of ionic contaminants from planarization fluid compositions using macrocyclic polyethers and methods of using such compositions
JP2000080350A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法
US6270395B1 (en) 1998-09-24 2001-08-07 Alliedsignal, Inc. Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
US6069047A (en) * 1998-09-29 2000-05-30 Wanlass; Frank M. Method of making damascene completely self aligned ultra short channel MOS transistor
US6293851B1 (en) 1998-11-06 2001-09-25 Beaver Creek Concepts Inc Fixed abrasive finishing method using lubricants
US6568989B1 (en) 1999-04-01 2003-05-27 Beaver Creek Concepts Inc Semiconductor wafer finishing control
US6739947B1 (en) 1998-11-06 2004-05-25 Beaver Creek Concepts Inc In situ friction detector method and apparatus
US6656023B1 (en) * 1998-11-06 2003-12-02 Beaver Creek Concepts Inc In situ control with lubricant and tracking
US6267644B1 (en) 1998-11-06 2001-07-31 Beaver Creek Concepts Inc Fixed abrasive finishing element having aids finishing method
US6428388B2 (en) 1998-11-06 2002-08-06 Beaver Creek Concepts Inc. Finishing element with finishing aids
US6346202B1 (en) 1999-03-25 2002-02-12 Beaver Creek Concepts Inc Finishing with partial organic boundary layer
US6283829B1 (en) 1998-11-06 2001-09-04 Beaver Creek Concepts, Inc In situ friction detector method for finishing semiconductor wafers
US7131890B1 (en) 1998-11-06 2006-11-07 Beaver Creek Concepts, Inc. In situ finishing control
US6541381B2 (en) 1998-11-06 2003-04-01 Beaver Creek Concepts Inc Finishing method for semiconductor wafers using a lubricating boundary layer
US6634927B1 (en) 1998-11-06 2003-10-21 Charles J Molnar Finishing element using finishing aids
US6291349B1 (en) 1999-03-25 2001-09-18 Beaver Creek Concepts Inc Abrasive finishing with partial organic boundary layer
FR2785614B1 (fr) * 1998-11-09 2001-01-26 Clariant France Sa Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium
US6395635B1 (en) 1998-12-07 2002-05-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Reduction of tungsten damascene residue
US6200875B1 (en) 1998-12-21 2001-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Chemical mechanical polishing of polysilicon plug using a silicon nitride stop layer
EP1566421B1 (en) * 1998-12-25 2014-12-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP abrasive, liquid additive for CMP abrasive and method for polishing substrate.
KR100451499B1 (ko) * 1998-12-28 2004-12-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의소자분리막형성방법
US6426295B1 (en) 1999-02-16 2002-07-30 Micron Technology, Inc. Reduction of surface roughness during chemical mechanical planarization(CMP)
US6409936B1 (en) 1999-02-16 2002-06-25 Micron Technology, Inc. Composition and method of formation and use therefor in chemical-mechanical polishing
US6551933B1 (en) 1999-03-25 2003-04-22 Beaver Creek Concepts Inc Abrasive finishing with lubricant and tracking
US6752844B2 (en) * 1999-03-29 2004-06-22 Intel Corporation Ceric-ion slurry for use in chemical-mechanical polishing
KR100366619B1 (ko) * 1999-05-12 2003-01-09 삼성전자 주식회사 트랜치 소자분리방법, 트랜치를 포함하는 반도체소자의제조방법 및 그에 따라 제조된 반도체소자
US6251150B1 (en) * 1999-05-27 2001-06-26 Ekc Technology, Inc. Slurry composition and method of chemical mechanical polishing using same
US6153526A (en) * 1999-05-27 2000-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to remove residue in wolfram CMP
US6234875B1 (en) 1999-06-09 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Method of modifying a surface
US6238450B1 (en) 1999-06-16 2001-05-29 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Ceria powder
TW486514B (en) * 1999-06-16 2002-05-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
EP1691401B1 (en) * 1999-06-18 2012-06-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Method for polishing a substrate using CMP abrasive
TWI227726B (en) 1999-07-08 2005-02-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical-mechanical abrasive composition and method
US6221119B1 (en) * 1999-07-14 2001-04-24 Komag, Inc. Slurry composition for polishing a glass ceramic substrate
US6602111B1 (en) * 1999-07-16 2003-08-05 Seimi Chemical Co., Ltd. Abrasive
CN1107097C (zh) * 1999-07-28 2003-04-30 长兴化学工业股份有限公司 化学机械研磨组合物及方法
US6429133B1 (en) * 1999-08-31 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Composition compatible with aluminum planarization and methods therefore
CN1125862C (zh) * 1999-09-20 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体加工用化学机械研磨组合物
US6491843B1 (en) 1999-12-08 2002-12-10 Eastman Kodak Company Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
US6468910B1 (en) * 1999-12-08 2002-10-22 Ramanathan Srinivasan Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
ATE307859T1 (de) * 1999-12-17 2005-11-15 Cabot Microelectronics Corp Verfahren zum polieren oder planarisieren eines substrats
US6358850B1 (en) * 1999-12-23 2002-03-19 International Business Machines Corporation Slurry-less chemical-mechanical polishing of oxide materials
JP2001269859A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
TW586157B (en) * 2000-04-13 2004-05-01 Showa Denko Kk Slurry composition for polishing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same
US6733553B2 (en) 2000-04-13 2004-05-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for producing semiconductor device using the same
TWI268286B (en) * 2000-04-28 2006-12-11 Kao Corp Roll-off reducing agent
KR100378180B1 (ko) * 2000-05-22 2003-03-29 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
US20040092103A1 (en) * 2000-07-19 2004-05-13 Shigeo Fujii Polishing fluid composition
US6702954B1 (en) * 2000-10-19 2004-03-09 Ferro Corporation Chemical-mechanical polishing slurry and method
US6413869B1 (en) * 2000-11-06 2002-07-02 Advanced Micro Devices, Inc. Dielectric protected chemical-mechanical polishing in integrated circuit interconnects
DE10063491A1 (de) * 2000-12-20 2002-06-27 Bayer Ag Saure Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von SiO¶2¶-Isolationsschichten
JPWO2002067309A1 (ja) * 2001-02-20 2004-06-24 日立化成工業株式会社 研磨剤及び基板の研磨方法
US20070290166A1 (en) * 2001-03-14 2007-12-20 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
US6796883B1 (en) 2001-03-15 2004-09-28 Beaver Creek Concepts Inc Controlled lubricated finishing
US6540935B2 (en) 2001-04-05 2003-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical/mechanical polishing slurry, and chemical mechanical polishing process and shallow trench isolation process employing the same
KR100464429B1 (ko) * 2002-08-16 2005-01-03 삼성전자주식회사 화학 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학 기계적폴리싱 방법
JP4002740B2 (ja) * 2001-05-29 2007-11-07 三井金属鉱業株式会社 セリウム系研摩材の製造方法
US6811470B2 (en) 2001-07-16 2004-11-02 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing shallow trench isolation substrates
US6677239B2 (en) 2001-08-24 2004-01-13 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing
US20050028449A1 (en) * 2001-09-03 2005-02-10 Norihiko Miyata Polishing composition
US7156717B2 (en) 2001-09-20 2007-01-02 Molnar Charles J situ finishing aid control
US6589100B2 (en) 2001-09-24 2003-07-08 Cabot Microelectronics Corporation Rare earth salt/oxidizer-based CMP method
US6705926B2 (en) * 2001-10-24 2004-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Boron-containing polishing system and method
US20060032836A1 (en) * 2001-11-16 2006-02-16 Ferro Corporation Methods of controlling the properties of abrasive particles for use in chemical-mechanical polishing slurries
US7666239B2 (en) * 2001-11-16 2010-02-23 Ferro Corporation Hydrothermal synthesis of cerium-titanium oxide for use in CMP
US6596042B1 (en) 2001-11-16 2003-07-22 Ferro Corporation Method of forming particles for use in chemical-mechanical polishing slurries and the particles formed by the process
WO2003044123A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-30 Ferro Corporation Particles for use in cmp slurries and method for producing them
KR100474540B1 (ko) * 2002-06-24 2005-03-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 금속배선 콘택플러그 형성방법
US20030138201A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Cabot Microelectronics Corp. Self-aligned lens formed on a single mode optical fiber using CMP and thin film deposition
US7199056B2 (en) * 2002-02-08 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
KR100442873B1 (ko) * 2002-02-28 2004-08-02 삼성전자주식회사 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법
JP2003313542A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
US7677956B2 (en) * 2002-05-10 2010-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for dielectric CMP
US6616514B1 (en) 2002-06-03 2003-09-09 Ferro Corporation High selectivity CMP slurry
US20040007690A1 (en) * 2002-07-12 2004-01-15 Cabot Microelectronics Corp. Methods for polishing fiber optic connectors
US20040127045A1 (en) * 2002-09-12 2004-07-01 Gorantla Venkata R. K. Chemical mechanical planarization of wafers or films using fixed polishing pads and a nanoparticle composition
US7063597B2 (en) 2002-10-25 2006-06-20 Applied Materials Polishing processes for shallow trench isolation substrates
US20040123528A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Jung Jong Goo CMP slurry for semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same
US20060246723A1 (en) * 2002-12-31 2006-11-02 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Slurry composition for chemical mechanical polishing, method for planarization of surface of semiconductor element using the same, and method for controlling selection ratio of slurry composition
US7071105B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
KR100698396B1 (ko) * 2003-05-28 2007-03-23 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 연마제 및 연마 방법
US20040259366A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Kim Seong Han Method and composition for the chemical-vibrational-mechanical planarization of copper
US20050028450A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Wen-Qing Xu CMP slurry
JP4574140B2 (ja) * 2003-08-27 2010-11-04 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法
DE602004026454D1 (de) * 2003-09-30 2010-05-20 Fujimi Inc Polierzusammensetzung und polierverfahren
US6964600B2 (en) * 2003-11-21 2005-11-15 Praxair Technology, Inc. High selectivity colloidal silica slurry
JP4974447B2 (ja) * 2003-11-26 2012-07-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
US7294575B2 (en) * 2004-01-05 2007-11-13 United Microelectronics Corp. Chemical mechanical polishing process for forming shallow trench isolation structure
JP2005268664A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2005268666A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP4316406B2 (ja) * 2004-03-22 2009-08-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP4644434B2 (ja) * 2004-03-24 2011-03-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR100582771B1 (ko) * 2004-03-29 2006-05-22 한화석유화학 주식회사 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리
US7253111B2 (en) 2004-04-21 2007-08-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. Barrier polishing solution
US20050279733A1 (en) * 2004-06-18 2005-12-22 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition for improved oxide removal rate
US20060064335A1 (en) * 2004-08-17 2006-03-23 International Business Machines Corporation Method, system, and storage medium for performing business process modeling
JP2006086462A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた配線構造体の製造法
US20070218811A1 (en) * 2004-09-27 2007-09-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp polishing slurry and method of polishing substrate
US20060088976A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Applied Materials, Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing substrates
JP2006135072A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Fujimi Inc 研磨方法
US20060097219A1 (en) * 2004-11-08 2006-05-11 Applied Materials, Inc. High selectivity slurry compositions for chemical mechanical polishing
TWI323741B (en) * 2004-12-16 2010-04-21 K C Tech Co Ltd Abrasive particles, polishing slurry, and producing method thereof
KR100670538B1 (ko) * 2004-12-30 2007-01-16 매그나칩 반도체 유한회사 광 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법
US8062548B2 (en) * 2005-01-05 2011-11-22 Nitta Haas Incorporated Polishing slurry
US20060166458A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Yi-Lung Cheng Method for forming shallow trench isolation structures
JP4528164B2 (ja) * 2005-03-11 2010-08-18 関東化学株式会社 エッチング液組成物
WO2006105020A1 (en) 2005-03-25 2006-10-05 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Dihydroxy enol compounds used in chemical mechanical polishing compositions having metal ion oxidizers
WO2006119311A2 (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Symyx Technologies, Inc. High surface area metal and metal oxide materials and methods of making same
KR100641348B1 (ko) * 2005-06-03 2006-11-03 주식회사 케이씨텍 Ｃｍｐ용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법
JP2006339594A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Seimi Chem Co Ltd 半導体用研磨剤
JP5026710B2 (ja) * 2005-09-02 2012-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
TWI397577B (zh) * 2005-09-02 2013-06-01 Fujimi Inc 研磨用組成物
KR100643628B1 (ko) * 2005-11-04 2006-11-10 제일모직주식회사 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
US8512593B2 (en) * 2005-11-04 2013-08-20 Cheil Industries, Inc. Chemical mechanical polishing slurry compositions, methods of preparing the same and methods of using the same
US20070209287A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method to polish silicon nitride
TWI372729B (en) * 2006-04-21 2012-09-21 Hitachi Chemical Co Ltd Manufacturing method of oxide particles, slurry, polishing agent and polishing method of the substrate
US7510974B2 (en) * 2006-05-05 2009-03-31 United Microelectronics Corp. CMP process
US8759216B2 (en) * 2006-06-07 2014-06-24 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for polishing silicon nitride materials
US7294576B1 (en) * 2006-06-29 2007-11-13 Cabot Microelectronics Corporation Tunable selectivity slurries in CMP applications
SG139699A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-29 Fujimi Inc Polishing composition and polishing process
US10435639B2 (en) 2006-09-05 2019-10-08 Cerion, Llc Fuel additive containing lattice engineered cerium dioxide nanoparticles
CA2662769A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-13 Cerion Technology, Inc. Method of conditioning an internal combustion engine
US8883865B2 (en) 2006-09-05 2014-11-11 Cerion Technology, Inc. Cerium-containing nanoparticles
US20080135520A1 (en) * 2006-12-12 2008-06-12 Tao Sun Chemical composition for chemical mechanical planarization
JP2008235481A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法
JP5371207B2 (ja) * 2007-06-08 2013-12-18 富士フイルム株式会社 研磨液及び研磨方法
JP2009164186A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2009164188A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
EP2242615A4 (en) * 2007-12-31 2013-10-30 Innopad Inc CHIMIOMECHANICAL FLOOD BUFFER
JP5375025B2 (ja) * 2008-02-27 2013-12-25 日立化成株式会社 研磨液
US9548211B2 (en) * 2008-12-04 2017-01-17 Cabot Microelectronics Corporation Method to selectively polish silicon carbide films
CN102101981B (zh) * 2009-12-18 2014-08-20 安集微电子（上海）有限公司 一种用于介质材料平坦化的抛光液
WO2011111421A1 (ja) * 2010-03-12 2011-09-15 日立化成工業株式会社 スラリ、研磨液セット、研磨液及びこれらを用いた基板の研磨方法
US8961815B2 (en) 2010-07-01 2015-02-24 Planar Solutions, Llc Composition for advanced node front-and back-end of line chemical mechanical polishing
SG188460A1 (en) * 2010-09-08 2013-04-30 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices
WO2012032451A1 (en) 2010-09-08 2012-03-15 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films
CN103210047B (zh) 2010-09-08 2018-07-17 巴斯夫欧洲公司 含n取代的二氮烯*二氧化物和/或n’-羟基-二氮烯*氧化物盐的含水抛光组合物
US8497210B2 (en) 2010-10-04 2013-07-30 International Business Machines Corporation Shallow trench isolation chemical mechanical planarization
SG190058A1 (en) 2010-11-22 2013-06-28 Hitachi Chemical Co Ltd Slurry, polishing liquid set, polishing liquid, method for polishing substrate, and substrate
JP5590144B2 (ja) 2010-11-22 2014-09-17 日立化成株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液、及び、基板の研磨方法
EP2649144A4 (en) 2010-12-10 2014-05-14 Basf Se AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR MECHANICAL CHEMICAL POLISHING OF SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS
US9120200B2 (en) 2010-12-28 2015-09-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Polishing slurry including zirconia particles and a method of using the polishing slurry
US20140051335A1 (en) * 2011-01-27 2014-02-20 Fujimi Incorporated Abrasive and polishing composition
CN102956535B (zh) * 2011-08-24 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其制造方法
US10557058B2 (en) 2012-02-21 2020-02-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing agent, polishing agent set, and substrate polishing method
US9346977B2 (en) 2012-02-21 2016-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive, abrasive set, and method for abrading substrate
US10557059B2 (en) 2012-05-22 2020-02-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate
SG11201407087XA (en) * 2012-05-22 2014-12-30 Hitachi Chemical Co Ltd Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate
JP5943073B2 (ja) * 2012-05-22 2016-06-29 日立化成株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法
US9346978B2 (en) 2012-05-22 2016-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate
CN103896321A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 上海新安纳电子科技有限公司 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用
US8920667B2 (en) * 2013-01-30 2014-12-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition containing zirconia and metal oxidizer
US9279067B2 (en) 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
US9281210B2 (en) * 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
US10143661B2 (en) 2013-10-17 2018-12-04 Cerion, Llc Malic acid stabilized nanoceria particles
CN104403575B (zh) * 2014-12-23 2016-09-21 包头市华辰稀土材料有限公司 一种高精度氧化铝抛光粉的制备方法
KR102583709B1 (ko) * 2015-03-10 2023-09-26 가부시끼가이샤 레조낙 연마제, 연마제용 저장액 및 연마 방법
CN108076668B (zh) 2015-09-30 2019-05-14 福吉米株式会社 研磨用组合物
US10159949B2 (en) 2016-03-11 2018-12-25 Fujifilm Planar Solutions, LLC Advanced fluid processing methods and systems
US11111412B2 (en) 2016-07-15 2021-09-07 Fujimi Incorporated Polishing composition, method for producing polishing composition, and polishing method
JPWO2018012175A1 (ja) 2016-07-15 2019-05-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法および研磨方法
CN106381068A (zh) * 2016-08-31 2017-02-08 常熟市光学仪器有限责任公司 用于加工无色光学玻璃的抛光液
US10759970B2 (en) * 2018-12-19 2020-09-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of using same
US11326076B2 (en) 2019-01-25 2022-05-10 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with low abrasive concentration and a combination of chemical additives
US11608451B2 (en) 2019-01-30 2023-03-21 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates
US20200270479A1 (en) 2019-02-26 2020-08-27 Versum Materials Us, Llc Shallow Trench Isolation Chemical And Mechanical Polishing Slurry
KR20220054356A (ko) 2019-08-30 2022-05-02 세인트-고바인 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인크. 재료 제거 작업을 수행하기 위한 조성물 및 방법
US11518913B2 (en) 2019-08-30 2022-12-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Fluid composition and method for conducting a material removing operation
CN113122139B (zh) * 2019-12-30 2024-04-05 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液及其使用方法
CN115386300B (zh) * 2022-08-22 2023-09-19 万华化学集团电子材料有限公司 一种适用于硅晶圆再生的抛光组合物、制备方法及其应用

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4383857A (en) * 1980-05-28 1983-05-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Attack polish for nickel-base alloys and stainless steels
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
FR2604443A1 (fr) 1986-09-26 1988-04-01 Rhone Poulenc Chimie Composition de polissage a base de cerium destinee au polissage des verres organiques
US4752628A (en) * 1987-05-15 1988-06-21 Nalco Chemical Company Concentrated lapping slurries
US4867757A (en) * 1988-09-09 1989-09-19 Nalco Chemical Company Lapping slurry compositions with improved lap rate
US4959113C1 (en) * 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
JP2868885B2 (ja) * 1989-11-09 1999-03-10 新日本製鐵株式会社 シリコンウェハの研磨液及び研磨方法
US5114437A (en) * 1990-08-28 1992-05-19 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Polishing composition for metallic material
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5264010A (en) * 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5575837A (en) * 1993-04-28 1996-11-19 Fujimi Incorporated Polishing composition
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
US5389352A (en) * 1993-07-21 1995-02-14 Rodel, Inc. Oxide particles and method for producing them
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
JP3397501B2 (ja) * 1994-07-12 2003-04-14 株式会社東芝 研磨剤および研磨方法
JP3430733B2 (ja) * 1994-09-30 2003-07-28 株式会社日立製作所 研磨剤及び研磨方法
KR960041316A (ko) * 1995-05-22 1996-12-19 고사이 아키오 연마용 입상체, 이의 제조방법 및 이의 용도
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
US5863838A (en) * 1996-07-22 1999-01-26 Motorola, Inc. Method for chemically-mechanically polishing a metal layer
KR19980019046A (ko) * 1996-08-29 1998-06-05 고사이 아키오 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same)
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5773364A (en) * 1996-10-21 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for using ammonium salt slurries for chemical mechanical polishing (CMP)
US5759917A (en) * 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
US6063306A (en) * 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
US20030104770A1 (en) * 2001-04-30 2003-06-05 Arch Specialty Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing conductive and non-conductive layers on semiconductor wafers
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100457743B1 (ko) * 2002-05-17 2004-11-18 주식회사 하이닉스반도체 산화막용 ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의형성 방법
KR100474545B1 (ko) * 2002-05-17 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 소자의 형성 방법
KR101053653B1 (ko) * 2003-07-01 2011-08-02 주식회사 동진쎄미켐 산화세륨 연마제를 이용한 화학 기계적 연마 슬러리조성물
KR100724287B1 (ko) * 2005-01-12 2007-06-04 제일모직주식회사 산화물 침식 특성이 우수한 금속배선 연마용 슬러리 조성물
KR100812052B1 (ko) * 2005-11-14 2008-03-10 주식회사 엘지화학 탄산세륨 분말, 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를포함하는 ｃｍｐ 슬러리
US7682584B2 (en) 2005-11-14 2010-03-23 Lg Chem, Ltd. Cerium carbonate powder, cerium oxide powder, method for preparing the same, and CMP slurry comprising the same
US7976810B2 (en) 2007-03-16 2011-07-12 Lg Chem, Ltd. Method for preparing cerium carbonate powder
WO2008114972A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-25 Lg Chem, Ltd. Method for preparing cerium carbonate powder
KR20160013077A (ko) * 2013-05-21 2016-02-03 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 높은 제거율 및 낮은 결함성으로 산화물 및 질화물에 대해 선택적인 cmp 조성물
KR20160060117A (ko) * 2013-09-24 2016-05-27 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 중합체 필름의 화학-기계적 평탄화
KR20170125379A (ko) * 2015-03-05 2017-11-14 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 세리아 입자를 함유하는 연마 조성물 및 사용방법
KR20200037338A (ko) * 2017-08-30 2020-04-08 히타치가세이가부시끼가이샤 슬러리 및 연마 방법
US11702569B2 (en) 2017-08-30 2023-07-18 Resonac Corporation Slurry and polishing method

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