CN103896321A - 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及化学工程领域,具体涉及一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用。本发明的氧化铈复合颗粒的制备方法为:将无机颗粒分散液与有机连接剂混合后,加入铈盐与沉淀剂,搅拌均匀得到混合分散液;将前一步骤制备的分散液转移至密闭高压反应釜中,加热进行反应,获得反应产物;反应产物离心,取沉淀物多次水洗,即得到氧化铈复合颗粒。本发明通过有机连接剂结合无机颗粒内核和氧化铈纳米颗粒,形成复合颗粒,通过高温水热促成氧化铈良好的结晶性。
Description
技术领域
本发明涉及化学工程领域,具体涉及一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用。
背景技术
半导体工业沿着每18个月晶体管数翻一倍的摩尔定律飞速发展。随着器件尺寸的越来越小,布线越来越密集,光学光刻设备焦深的减小,要求片子表面可接受的分辨率的平整度达到纳米级。传统的平坦化技术如基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG、低压CVD、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积—腐蚀—淀积等,这些技术在IC工艺中都曾获得应用。但是,它们虽然也能提供“光滑”的表面,却都是局部平坦化技术,不能做到全局平坦化。化学机械抛光(CMP)因Walsh和Herzog提出的新型硅溶胶的制备和凝胶抛光后于60年代产生。是目前公认最好的也是唯一的全局平坦化技术。
磨料是化学机械抛光抛光液中的基础且重要的组成部分,它的硬度、大小、形貌、化学性能等决定了抛光液的抛光速率、表面平整度、选择比等基本性能。常见的商品化的纳米磨料颗粒一半都是单一物质:氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆、碳化硅、金刚石等等。但单一颗粒往往存在各种各样的缺点。如氧化硅是最成熟的抛光磨料,其成本低,分散性,均匀性好,但其pH适应范围小,抛光速率低,选择性差;氧化铝则硬度高抛光速率快,但其形貌不规则,表面划伤多。
纳米氧化铈也是目前最常用的磨料之一,铈表面羟基位于活性路易士酸的位置,易与SiO2表面硅醇键的路易士碱反应,脱水形成氧桥基键结,因此有很高的对SiO2抛光速率,是一般氧化硅速率的3倍,在STI抛光中对氧化硅/氮化硅选择比较高。但同时铈有成本高,难以制得大小、形貌均匀的颗粒,易划伤,分散性差,等缺点。已越来越难以满足下一代集成电路抛光的需求。
因此研制出保留氧化铈优异性能,同时克服其缺点的复合颗粒是氧化铈磨料的一个发展方向。中国专利CN101302404A公开了一种纳米氧化铈复合颗粒的制备方法,并使用含有其复合颗粒的抛光液进行玻璃抛光,得到较好的平整度。中国专利CN101818047A公开了一种氧化硅/氧化铈复合颗粒的制备方法,并对二氧化硅介质层抛光,得到非常平整的表面。但是这些专利的不足之处在于反应温度低,氧化铈结晶差导致化学活性变差,抛光速率提高不多。或者还需要进行后期煅烧或水热进行2次结晶。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种包覆均匀,活性良好,能有效应用于氧化硅衬底和STI抛光的氧化铈复合颗粒及其制备方法。
本发明首先公开了一种氧化铈复合颗粒的制备方法,为采用水热法制备氧化铈复合颗粒,其具体步骤如下:
1)将无机颗粒分散液与有机连接剂混合后,加入铈盐与沉淀剂,搅拌均匀得到混合分散液;
2)将前一步骤制备的分散液转移至密闭高压反应釜中,加热进行反应,获得反应产物;
3)反应产物离心,取沉淀物多次水洗,即得到氧化铈复合颗粒。
较优的,步骤1)所述无机颗粒分散液中,所述溶剂为水,所述溶质选自SiO2、Al2O3、ZrO2、MnO2、Cr2O3、TiO2或SiC,溶质的粒径为20~1000nm。
更优的,所述无机颗粒分散液中,溶质的质量百分比为1%~20%。
较优的,步骤1)所述有机连接剂选自硅烷偶联剂、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、甲基丙烯酸或硬脂酸。
更优的,所述有机连接剂占所述混合分散液质量的0.05%~2%。
最优的,所述有机连接剂占所述混合分散液质量的0.1%~1%。
本发明所采用的铈盐为可溶性铈盐。
较优的,所述铈盐选自硝酸铈铵、硫酸高铈、硝酸亚铈、醋酸铈、氯化铈或硫酸铈。
更优的,所述铈盐的添加量为所述无机颗粒分散液质量的2%~30%。
最优的,所述铈盐的添加量为所述无机颗粒分散液质量的4%~9%。
进一步的,当所述铈盐中的铈离子为三价铈离子时,还需要在加入铈盐的同时加入氧化剂。
更进一步的,所述氧化剂为过氧化氢。所述氧化剂过量即可。
较优的,所述沉淀剂选自氨水、碳酸铵、尿素、四氮六甲环、氢氧化钠或氢氧化钾。
更优的,所述沉淀剂的添加量为所述无机颗粒分散液质量的0.5%~5%。
较优的,步骤2)所述反应的温度为100~800℃,反应时间为2~48小时。
更优的,步骤2)所述反应的温度为500~800℃,反应时间为5~24小时。
本发明第二方面还公开了采用上述制备方法获得的氧化铈复合颗粒。
本发明最后还公开了所述氧化铈复合颗粒作为抛光磨料的应用。
本发明中的复合颗粒,以无机颗粒为核,以结晶氧化铈为外壳,包覆均匀,活性良好。能有效应用于氧化硅衬底和STI抛光中,实现高抛光速率和高选择比。
本发明通过有机连接剂结合无机颗粒内核和氧化铈纳米颗粒,形成复合颗粒,通过高温水热促成氧化铈良好的结晶性。
附图说明
图1:实施例1氧化铈复合颗粒(氧化硅/氧化铈复合颗粒)电镜图片
图2:实施例2氧化铈复合颗粒(氧化硅/氧化铈复合颗粒)电镜图片
具体实施方式
本发明将通过下列实施例进一步加以详细描述,下列实施例仅用来举例说明本发明,而不对本发明的范围作任何限制。
实施例1
配置100g质量浓度20%的硅溶胶。加入1g硅烷偶联剂KH550,搅拌均匀。之后加入8.68g六水合硝酸亚铈和5g氨水,再加入1g双氧水,混合均匀后转移至高压密闭反应釜中。放置于250℃烘箱24小时。反应完后取出产物,离心,水洗3次,得到氧化硅/氧化铈复合颗粒。所得产物用扫描电镜观察,如图1所示。
实施例2
配置100g质量浓度为1%的氧化铝分散液。加入0.1g聚乙烯吡咯烷酮,搅拌均匀。之后加入0.548g硝酸铈铵和0.48g尿素,混合均匀后转移至高压密闭反应釜中。放置于500℃烘箱12小时。反应完后取出产物,离心,水洗3次,得到氧化铝/氧化铈复合颗粒。所得产物用透射电镜观察,如图2所示。
实施例3
配置100g质量浓度为5%的氧化钛分散液,溶质的粒径为600nm。加入0.5g聚丙烯酰胺,搅拌均匀。之后加入4.34g六水合硝酸亚铈和4g四氮六甲环,再加入0.5g双氧水,混合均匀后转移至高压密闭反应釜中。放置于800℃烘箱5小时。反应完后取出产物,离心,水洗3次,得到氧化钛/氧化铈复合颗粒。
实施例4
1.对比例
对比例1:实施例1中的硅溶胶,浓度稀释为1%,并调节溶液pH值为9.0。
对比例2:配置100g质量浓度20%的硅溶胶。加入1g硅烷偶联剂KH550,搅拌均匀。之后加入8.68g六水合硝酸亚铈和5g氨水,再加入1g双氧水,混合均匀在大气环境下沸腾搅拌冷凝回流24小时。反应完后取出产物,离心,水洗3次,得到氧化硅/氧化铈复合颗粒。加水将复合颗粒配制成1%分散液,加入0.2%聚丙烯酸分散剂,搅拌均匀,pH值调至9.0。
2.实验样品
将实施例1中制备的氧化铈复合颗粒(氧化硅/氧化铈复合颗粒)配制成1%分散液,加入0.2%聚丙烯酸分散剂,搅拌均匀,pH值调至9.0。
3、抛光条件:
抛光机:CETR CP-4
抛光垫:Rhom Haas ic1010
抛光片:3英寸氧化硅片
下压力:4psi
抛光头转速:100rpm
抛光垫转速:100rpm
抛光液流量:100ml/min
抛光时间:1min
用称重得到抛去氧化硅片重量,换算算出抛光速率,实验结果见表1。
表1
比较例1 | 比较例2 | 实验样品 | |
去除速率nm/min | 51 | 20 | 155 |
由上述结果可知,普通条件下合成的复合颗粒,因为氧化铈结晶性差,体现不出其化学活性,导致抛光速率反而比单一颗粒下降。而经过水热高温反应生成的复合颗粒,抛光速率大大提高。
Claims (10)
1.一种氧化铈复合颗粒的制备方法,为采用水热法制备氧化铈复合颗粒,其具体步骤如下:
1)将无机颗粒分散液与有机连接剂混合后,加入铈盐与沉淀剂,搅拌均匀得到混合分散液;
2)将前一步骤制备的分散液转移至密闭高压反应釜中,加热进行反应,获得反应产物;
3)反应产物离心,取沉淀物多次水洗,即得到氧化铈复合颗粒;
步骤1)所述无机颗粒分散液中,所述溶剂为水,所述溶质选自SiO2、Al2O3、ZrO2、MnO2、Cr2O3、TiO2或SiC,溶质的粒径为20~1000nm。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述无机颗粒分散液中,溶质的质量百分比为1%~20%。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1)所述有机连接剂选自硅烷偶联剂、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、甲基丙烯酸或硬脂酸。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述有机连接剂占所述混合分散液质量的0.05%~2%。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铈盐选自硝酸铈铵、硫酸高铈、硝酸亚铈、醋酸铈、氯化铈或硫酸铈。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述铈盐的添加量为所述无机颗粒分散液质量的2%~30%。
7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述沉淀剂选自氨水、碳酸铵、尿素、四氮六甲环、氢氧化钠或氢氧化钾。
8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)所述反应的温度为100~800℃,反应时间为2~48小时。
9.一种氧化铈复合颗粒,采用权利要求1-8任一权利要求所述制备方法获得。
10.权利要求9所述氧化铈复合颗粒作为抛光磨料的应用。
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