CN101302404A - 纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法 - Google Patents
纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101302404A CN101302404A CNA2008100400333A CN200810040033A CN101302404A CN 101302404 A CN101302404 A CN 101302404A CN A2008100400333 A CNA2008100400333 A CN A2008100400333A CN 200810040033 A CN200810040033 A CN 200810040033A CN 101302404 A CN101302404 A CN 101302404A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cerium oxide
- composite abrasive
- polishing solution
- oxide composite
- percent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法,本发明的特点是以无机研磨粒子为内核,以氧化铈包覆层为外壳,形成核/壳型结构的纳米氧化铈复合磨粒抛光液,属高精密抛光材料制备工艺技术领域。本发明抛光液的制备过程是:先用均相沉淀法制得纳米氧化铈复合磨粒,然后由氧化铈复合磨粒制备抛光液。抛光液的制备过程中,氧化铈复合磨料和水的重量配比为2~10%,加入分散剂0.5~2%,混合物经进一步超声分散或球磨分散后,形成均匀的分散液,随后加入氧化剂0.5~5%,缓蚀剂0.05~0.1%,润滑剂0.05~0.1%(各物量的加入量以水100为参照基准),此即为纳米氧化铈复合磨粒抛光液。本发明的抛光液表现出具有很低的表面粗糙度及划痕水平,得到超光滑的表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种以无机研磨粒子为内核,以氧化铈包覆层为外壳,形成核/壳型结构的纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法,属高精密抛光材料制备工艺技术领域。
背景技术
当今,随着先进电子产品如数字光盘、光学玻璃、集成电路硅晶片、计算机硬盘等的性能不断提高,向机械制造极限提出了严峻的挑战,对加工精度和表面质量的要求越来越高。
化学机械抛光(CMP)技术是适于得到高精度表面的几乎唯一的表面全局平整化技术。纳米磨粒是化学机械抛光抛光液的关键及基础成分,其特性直接决定了抛光质量的高低。目前,商品磨粒大多为单一的无机粒子如氧化铝、氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、金刚石、氮化硅、碳化硅等等,但单一的无机磨粒往往存在不满意的抛光性能,如氧化铝硬度大、抛光速度快,但划痕多;另外,市售商品氧化铈抛光粉,往往粒子较大,大多在微米或亚微米级,存在分散稳定性差等问题,导致抛光划痕。这些都局限了抛光后表面质量的提高。
发明内容
本发明的目的是克服现有磨粒抛光液存在的缺陷,提供一种纳米氧化铈复合研磨粒子的抛光液及其制备方法。
本发明一种纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:
a.氧化铈复合磨粒的制备:在无机研磨剂粒子表面包覆氧化铈,即以无机研磨剂粒子为内核,以氧化铈包覆层为外壳,形成核/壳型结构;氧化铈与无机研磨剂的相对含量为30~60%;所述的无机研磨剂粒子选自氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛中的任一种;无机研磨剂粒子表面包覆氧化铈的制备方法采用均相沉淀法,最终得到纳米氧化铈复合磨粒;
b.由氧化铈复合磨粒制备抛光液:将上述的氧化铈复合磨粒加入到水中,氧化铈复合磨料与水的重量比为2~10%;加入分散剂,其用量为0.5~2%;用机械搅拌机搅拌,使分散均匀;将上述混合液进一步用超声分散或球磨分散,使形成均匀的分散液。然后加入氧化剂,其用量为0.5~5%;再加入缓蚀剂0.05~0.1%;加入润滑剂0.05~0.1%,此即为纳米氧化铈复合磨粒抛光液;所述的氧化剂为双氧水、过硫酸、硝酸中的任一种;所述的分散剂为六偏磷酸钠、聚乙二醇中的任一种;所述的缓蚀剂为苯并三氮唑;所述的润滑剂为磷酸酯。
本发明中的氧化铈复合磨粒,由于无机研磨剂粒子具有氧化铈包覆层外壳,因外壳硬度较低,该核/壳型结构的粒子可以降低在加式、加速抛光条件下抛光微区无机磨粒对工作表面的“硬冲击”。本发明制得的氧化铈复合磨粒具有很小的粒径,并且表现出有良好的分散性;本发明的抛光液可降低抛光划痕的表面损伤,因而改善和提高了工件抛光后的表面质量。
附图说明
图1为纳米SiO2/CeO2粉体形貌的扫描电镜图。
图2为市售商品1微米CeO2抛光后的玻璃基片表面形貌AFM图像。
图3为纳米SiO2/CeO2抛光后的玻璃基片表面形貌AFM图像。
具体实施方式
现将本发明的具体实施例叙述于后。
实施例一:本实施例中的抛光液制备过程和步骤如下所述:
(1)氧化铈复合磨粒的制备:采用均相沉淀法制备,称取5克粒径为30nm的SiO2无机研磨剂粒子,将其分散到100ml水中,随后分别加入10ml浓度0.6mol/L的CO(NH2)2溶液和10ml浓度为0.3mol/L的(NH4)2Ce(NO3)6溶液;将配好的混合液倒入三颈烧瓶中,用套式恒温器加热至100℃,并用电动搅拌器搅拌,在搅拌下加热回流反应7小时。反应完毕冷却至室温,将所得沉淀物用离心分离机分离出,并用去离子水洗涤3次;然后在恒温干燥箱中80℃下烘干,然后进行研磨,得到浅黄色粉体,即为以纳米氧化硅粒子为内核,以氧化铈为外壳的SiO2/CeO2复合磨粒。其形貌参见图1的纳米粉体形貌的扫描电镜图。
(2)由氧化铈复合磨粒制备抛光液:将上述的SiO2/CeO2复合磨料加入到水中,该复合磨料与水的重量比为2.5%;加入分散聚乙二醇1%,用机械搅拌机搅拌,使分散均匀;将上述混合液进一步用超声分散,使形成均匀的分散液;然后加入氧化剂双氧水0.5%,再加入缓蚀剂苯并三氮唑0.1%,润滑剂磷酸酯0.1%;以上各物质的加入量均以水100为参照基准;此即为纳米SiO2/CeO2复合磨粒抛光液。
实施例二:本实施例中的抛光液制备过程和步骤如下所述:
(1)氧化铈复合磨粒的制备:将上述的SiO2/CeO2复合磨剂粒子加入到水中,该复合磨料与水的重量比为4%;再加入分散剂六偏磷酸钠1%,用机械搅拌机搅拌,使分散均匀;将上述混合液进一步用球磨机进行分散,使形成均匀的分散液;然后加入氧化剂双氧水2%,缓蚀剂苯并三氮唑0.1%,润滑剂磷酸酯0.1%;以上各物质的加入量均以水100为参照基准,此即为纳米SiO2/CeO2复合磨粒抛光液。
为了对比比较,采用市售商品CeO2抛光粉制备抛光液作为对比比较例。
比较例1
市售商品CeO2(粒径1μm)加入于水中,CeO2与水的重量比为7%,另再加入分散剂聚乙二醇1%,构成CeO2抛光液。
抛光试验
分别使用实施例1、实施例2和比较例1的抛光液,在下述条件下对光盘玻璃基片进行抛光试验。
抛光条件
抛光机:SPEEDFAM双面抛光机
工件:φ180mm钠钙玻璃基片
抛光垫:聚氨酯材料,RODEL生产产品
抛光压力:70g/cm2
下盘转速:25rpm
抛光时间:60min
抛光液流量500~1000ml/min
抛光后,洗涤和干燥玻璃基片,然后采用原子力显微镜(AFM)分析测量玻璃基片的表面形貌特征。
实施例,比较例的抛光效果分别参见图3和图2。
图中可见,采用本发明所述的纳米SiO2/CeO2复合磨料抛光液比市售商品CeO2磨粒表现出更低的表面粗糙度及划痕水平。用本发明的纳米SiO2/CeO2抛光液可得到近无缺陷的超光滑表面。
Claims (1)
1.一种纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:
a.氧化铈复合磨粒的制备:在无机研磨剂粒子表面包覆氧化铈,即以无机研磨剂粒子为内核,以氧化铈包覆层为外壳,形成核/壳型结构;氧化铈与无机研磨剂的相对含量为30~60%;所述的无机研磨剂粒子选自氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛中的任一种;无机研磨剂粒子表面包覆氧化铈的制备方法采用均相沉淀法,最终得到纳米氧化铈复合磨粒;
b.由氧化铈复合磨粒制备抛光液:将上述的氧化铈复合磨粒加入到水中,氧化铈复合磨料与水的重量比为2~10%;加入分散剂,其用量为0.5~2%;用机械搅拌机搅拌,使分散均匀;将上述混合液进一步用超声分散或球磨分散,使形成均匀的分散液;然后加入氧化剂,其用量为0.5~5%;再加入缓蚀剂0.05~0.1%;加入润滑剂0.05~0.1%,此即为纳米氧化铈复合磨粒抛光液;所述的氧化剂为双氧水、过硫酸、硝酸中的任一种;所述的分散剂为六偏磷酸钠、聚乙二醇中的任一种;所述的缓蚀剂为苯并三氮唑;所述的润滑剂为磷酸酯。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2008100400333A CN101302404A (zh) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2008100400333A CN101302404A (zh) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101302404A true CN101302404A (zh) | 2008-11-12 |
Family
ID=40112515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2008100400333A Pending CN101302404A (zh) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101302404A (zh) |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101972755A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-02-16 | 河北工业大学 | Ulsi铜材料抛光后表面清洗方法 |
CN101972754A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-02-16 | 河北工业大学 | 铌酸锂晶片碱性cmp后的表面洁净方法 |
CN102248495A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-11-23 | 河南工业大学 | 玻璃抛光盘及其制造方法 |
CN102268236A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-12-07 | 河南工业大学 | 氧化铝-氧化铈核壳复合磨粒及其制备方法 |
CN102337082A (zh) * | 2011-07-11 | 2012-02-01 | 河南科技学院 | 水基6H-SiC单晶衬底化学机械抛光液及其制备方法 |
CN101475792B (zh) * | 2009-01-20 | 2012-03-28 | 江苏工业学院 | 一种包覆型氧化铈/氧化硅复合磨料的制备方法 |
CN102528648A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-04 | 安徽工业大学 | 一种用于固结磨料抛光垫的纳米金刚石-高分子复合磨料 |
CN101818047B (zh) * | 2010-02-08 | 2013-04-24 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用 |
CN103339219A (zh) * | 2011-01-25 | 2013-10-02 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨液及其制造方法、复合粒子的制造方法以及基体的研磨方法 |
CN103666372A (zh) * | 2012-09-11 | 2014-03-26 | 上海华明高技术(集团)有限公司 | 氧化硅为内核的氧化铈复合磨料及其制备方法 |
CN103814102A (zh) * | 2011-09-20 | 2014-05-21 | 堺化学工业株式会社 | 玻璃研磨用复合颗粒 |
CN103896321A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用 |
CN104130714A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-11-05 | 蚌埠市高华电子有限公司 | 一种含有磨料的适用于金属的混合抛光液及其制备方法 |
CN104479560A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-01 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于低下压力的集成电路铜抛光液 |
CN105001832A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-28 | 安徽三联泵业股份有限公司 | 一种泵体法兰密封面加工用纳米刚玉研磨液 |
CN105086835A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 低温主动加压水热合成纳米级氧化铈抛光液的方法和设备 |
CN105331332A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-02-17 | 太仓市建兴石英玻璃厂 | 一种光学石英玻璃抛光用纳米复合磨料的制备方法 |
CN105385412A (zh) * | 2015-10-16 | 2016-03-09 | 珠海东锦石英科技有限公司 | 研磨液、研磨液制备工艺及研磨液的使用添加方法 |
WO2016150176A1 (zh) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | 江苏天恒纳米科技有限公司 | 含钴掺杂二氧化硅纳米复合磨粒溶胶、抛光液及其制备方法 |
CN106281045A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-04 | 广州市新稀冶金化工有限公司 | 一种用于不锈钢精密抛光的纳米材料配方及其制备工艺 |
CN106479371A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-03-08 | 惠州市米特仑科技有限公司 | 一种高精度复合抛光液及其制备方法 |
CN106497434A (zh) * | 2016-10-07 | 2017-03-15 | 常州创索新材料科技有限公司 | 一种机械部件抛光液的制备方法 |
JP2017095693A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-06-01 | ファチォ ユニバーシティー | ハードコアソフトシェルの複合研磨材及びそれの製造方法と応用 |
CN107629701A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-01-26 | 东旭科技集团有限公司 | 抛光液及其制备方法 |
CN108117843A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-05 | 东莞信柏结构陶瓷股份有限公司 | 氧化锆陶瓷抛光液及其制备方法 |
CN108192506A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-06-22 | 东莞华拓研磨材料有限公司 | 一种金属表面研磨抛光剂及制备方法 |
CN109135580A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-04 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种玻璃用抛光液及其制备方法 |
CN109439282A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-03-08 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 复合纳米磨料、抛光液及其制备方法、玻璃晶片和电子设备 |
CN109702560A (zh) * | 2017-10-24 | 2019-05-03 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法及研磨装置 |
CN111015432A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-17 | 天津津航技术物理研究所 | 提高Ge-As-Se硫系玻璃光学表面质量的化学机械加工方法 |
EP3689988A1 (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-05 | Versum Materials US, LLC | Shallow trench isolation (sti) chemical mechanical planarization (cmp) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates |
CN110238713B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-04-30 | 浙江工业大学 | 控温控压研抛微半球凹模阵列的加工方法 |
WO2021135807A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
CN114591687A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-06-07 | 深圳市瑞来稀土材料有限公司 | 一种用于半导体晶圆抛光处理的稀土抛光粉及其制备方法 |
CN115216273A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-10-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 研磨颗粒及其制备方法、抛光液、清洗系统 |
CN115785818A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-03-14 | 湖北五方光电股份有限公司 | 一种抛光液及其制备方法和应用 |
CN115895453A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-04-04 | 湖北五方光电股份有限公司 | 一种红外截止滤光片用抛光液及其制备方法和应用 |
CN116102051A (zh) * | 2023-02-17 | 2023-05-12 | 中国科学院赣江创新研究院 | 一种二氧化铈纳米材料及其制备方法与应用 |
CN116144323A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-05-23 | 上海应用技术大学 | 具有介孔核壳结构的铜cmp用复合微球及其制备方法、化学机械抛光液及其应用 |
CN116656244A (zh) * | 2023-07-20 | 2023-08-29 | 包头天骄清美稀土抛光粉有限公司 | 用于鳍式场效应晶体管的化学机械抛光组合物及制备方法 |
-
2008
- 2008-07-01 CN CNA2008100400333A patent/CN101302404A/zh active Pending
Cited By (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101475792B (zh) * | 2009-01-20 | 2012-03-28 | 江苏工业学院 | 一种包覆型氧化铈/氧化硅复合磨料的制备方法 |
CN101818047B (zh) * | 2010-02-08 | 2013-04-24 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用 |
CN101972754A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-02-16 | 河北工业大学 | 铌酸锂晶片碱性cmp后的表面洁净方法 |
CN101972755A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-02-16 | 河北工业大学 | Ulsi铜材料抛光后表面清洗方法 |
CN101972754B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-09-05 | 河北工业大学 | 铌酸锂晶片碱性cmp后的表面洁净方法 |
US9447306B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-09-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP polishing fluid, method for manufacturing same, method for manufacturing composite particle, and method for polishing base material |
CN103339219A (zh) * | 2011-01-25 | 2013-10-02 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨液及其制造方法、复合粒子的制造方法以及基体的研磨方法 |
CN103339219B (zh) * | 2011-01-25 | 2015-01-14 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨液及其制造方法、复合粒子的制造方法以及基体的研磨方法 |
CN102337082A (zh) * | 2011-07-11 | 2012-02-01 | 河南科技学院 | 水基6H-SiC单晶衬底化学机械抛光液及其制备方法 |
CN102248495B (zh) * | 2011-08-12 | 2012-09-26 | 河南工业大学 | 玻璃抛光盘及其制造方法 |
CN102268236B (zh) * | 2011-08-12 | 2013-09-04 | 河南工业大学 | 氧化铝-氧化铈核壳复合磨粒及其制备方法 |
CN102268236A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-12-07 | 河南工业大学 | 氧化铝-氧化铈核壳复合磨粒及其制备方法 |
CN102248495A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-11-23 | 河南工业大学 | 玻璃抛光盘及其制造方法 |
CN103814102A (zh) * | 2011-09-20 | 2014-05-21 | 堺化学工业株式会社 | 玻璃研磨用复合颗粒 |
CN102528648A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-04 | 安徽工业大学 | 一种用于固结磨料抛光垫的纳米金刚石-高分子复合磨料 |
CN103666372A (zh) * | 2012-09-11 | 2014-03-26 | 上海华明高技术(集团)有限公司 | 氧化硅为内核的氧化铈复合磨料及其制备方法 |
CN103896321A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用 |
CN104130714B (zh) * | 2014-07-01 | 2015-10-28 | 蚌埠市高华电子有限公司 | 一种含有磨料的适用于金属的混合抛光液及其制备方法 |
CN104130714A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-11-05 | 蚌埠市高华电子有限公司 | 一种含有磨料的适用于金属的混合抛光液及其制备方法 |
CN104479560A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-01 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于低下压力的集成电路铜抛光液 |
WO2016150176A1 (zh) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | 江苏天恒纳米科技有限公司 | 含钴掺杂二氧化硅纳米复合磨粒溶胶、抛光液及其制备方法 |
CN105001832A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-28 | 安徽三联泵业股份有限公司 | 一种泵体法兰密封面加工用纳米刚玉研磨液 |
CN105086835A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 低温主动加压水热合成纳米级氧化铈抛光液的方法和设备 |
CN105385412A (zh) * | 2015-10-16 | 2016-03-09 | 珠海东锦石英科技有限公司 | 研磨液、研磨液制备工艺及研磨液的使用添加方法 |
JP2017095693A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-06-01 | ファチォ ユニバーシティー | ハードコアソフトシェルの複合研磨材及びそれの製造方法と応用 |
CN105331332A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-02-17 | 太仓市建兴石英玻璃厂 | 一种光学石英玻璃抛光用纳米复合磨料的制备方法 |
CN106281045A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-04 | 广州市新稀冶金化工有限公司 | 一种用于不锈钢精密抛光的纳米材料配方及其制备工艺 |
CN106479371A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-03-08 | 惠州市米特仑科技有限公司 | 一种高精度复合抛光液及其制备方法 |
CN106497434A (zh) * | 2016-10-07 | 2017-03-15 | 常州创索新材料科技有限公司 | 一种机械部件抛光液的制备方法 |
CN109702560A (zh) * | 2017-10-24 | 2019-05-03 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法及研磨装置 |
US11260496B2 (en) | 2017-10-24 | 2022-03-01 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
CN109702560B (zh) * | 2017-10-24 | 2021-11-02 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法及研磨装置 |
CN107629701A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-01-26 | 东旭科技集团有限公司 | 抛光液及其制备方法 |
CN108117843B (zh) * | 2018-01-18 | 2020-07-10 | 东莞信柏结构陶瓷股份有限公司 | 氧化锆陶瓷抛光液及其制备方法 |
CN108117843A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-05 | 东莞信柏结构陶瓷股份有限公司 | 氧化锆陶瓷抛光液及其制备方法 |
CN108192506A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-06-22 | 东莞华拓研磨材料有限公司 | 一种金属表面研磨抛光剂及制备方法 |
CN109439282A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-03-08 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 复合纳米磨料、抛光液及其制备方法、玻璃晶片和电子设备 |
CN109135580B (zh) * | 2018-10-25 | 2021-04-02 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种玻璃用抛光液及其制备方法 |
CN109135580A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-04 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种玻璃用抛光液及其制备方法 |
CN111500197A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 具有可调节的氧化硅和氮化硅去除速率的浅沟槽隔离化学机械平面化抛光 |
US11608451B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-03-21 | Versum Materials Us, Llc | Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates |
EP3689988A1 (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-05 | Versum Materials US, LLC | Shallow trench isolation (sti) chemical mechanical planarization (cmp) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates |
TWI768285B (zh) * | 2019-01-30 | 2022-06-21 | 美商慧盛材料美國責任有限公司 | 以可調的矽氧化物及矽氮化物去除速率進行淺溝隔離(sti)化學機械平坦化(cmp)研磨組合物、方法及系統 |
CN111500197B (zh) * | 2019-01-30 | 2022-08-26 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 具有可调节的氧化硅和氮化硅去除速率的浅沟槽隔离化学机械平面化抛光 |
IL272142B1 (en) * | 2019-01-30 | 2023-10-01 | Versum Mat Us Llc | STI chemical mechanical planarization polishing with adjustable silicon oxide and silicon nitride removal rates |
CN110238713B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-04-30 | 浙江工业大学 | 控温控压研抛微半球凹模阵列的加工方法 |
CN111015432B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-04-01 | 天津津航技术物理研究所 | 提高Ge-As-Se硫系玻璃光学表面质量的化学机械加工方法 |
CN111015432A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-17 | 天津津航技术物理研究所 | 提高Ge-As-Se硫系玻璃光学表面质量的化学机械加工方法 |
WO2021135807A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
CN113122146A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
CN113122146B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-04-12 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
CN114591687A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-06-07 | 深圳市瑞来稀土材料有限公司 | 一种用于半导体晶圆抛光处理的稀土抛光粉及其制备方法 |
CN115216273A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-10-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 研磨颗粒及其制备方法、抛光液、清洗系统 |
CN115895453A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-04-04 | 湖北五方光电股份有限公司 | 一种红外截止滤光片用抛光液及其制备方法和应用 |
CN115895453B (zh) * | 2022-11-10 | 2023-09-08 | 湖北五方光电股份有限公司 | 一种红外截止滤光片用抛光液及其制备方法和应用 |
CN115785818A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-03-14 | 湖北五方光电股份有限公司 | 一种抛光液及其制备方法和应用 |
CN116144323A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-05-23 | 上海应用技术大学 | 具有介孔核壳结构的铜cmp用复合微球及其制备方法、化学机械抛光液及其应用 |
CN116102051A (zh) * | 2023-02-17 | 2023-05-12 | 中国科学院赣江创新研究院 | 一种二氧化铈纳米材料及其制备方法与应用 |
CN116656244A (zh) * | 2023-07-20 | 2023-08-29 | 包头天骄清美稀土抛光粉有限公司 | 用于鳍式场效应晶体管的化学机械抛光组合物及制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101302404A (zh) | 纳米氧化铈复合磨粒抛光液的制备方法 | |
CN108239484B (zh) | 一种蓝宝石抛光用氧化铝抛光液及其制备方法 | |
CN106479371A (zh) | 一种高精度复合抛光液及其制备方法 | |
EP2438133B1 (en) | Polishing slurry containing raspberry-type metal oxide nanostructures coated with CeO2 | |
CN101588895B (zh) | 磁盘用玻璃基板的制造方法 | |
CN102408871A (zh) | 含抛光活性元素的多孔纳米复合磨粒、抛光液组合物及其制备方法 | |
CN101367189A (zh) | 硅片抛光表面划伤的控制方法 | |
JP2000336344A (ja) | 研磨剤 | |
CN109135580A (zh) | 一种玻璃用抛光液及其制备方法 | |
CN108587474A (zh) | 一种氧化铝微粉抛光液及其制备方法 | |
Zhang et al. | Preparation of α-alumina/polymethacrylic acid composite abrasive and its CMP performance on glass substrate | |
KR20080016606A (ko) | 연마용 조성물의 제조 방법 | |
Lei et al. | Preparation of silica/ceria nano composite abrasive and its CMP behavior on hard disk substrate | |
CN104745092A (zh) | 一种应用于sti领域的化学机械抛光液及其使用方法 | |
CN106010297B (zh) | 一种氧化铝抛光液的制备方法 | |
CN114231182A (zh) | 一种易解理氧化镓晶片化学机械抛光工艺、抛光液及其制备方法 | |
CN108034362A (zh) | 一种复合抛光液及其制备方法 | |
CN115181498A (zh) | 一种用于kdp晶体的抛光液及高效研磨抛光工艺 | |
JP4927342B2 (ja) | 半導体薄膜研磨用酸化セリウムスラリー | |
CN106147614A (zh) | 硬质陶瓷抛光液及其制备方法 | |
CN102220087A (zh) | 一种用于计算机硬盘基片抛光的多孔纳米氧化铝抛光液 | |
TWI326706B (zh) | ||
CN105086939B (zh) | 一种单晶金刚石磨粒及其制备方法 | |
JP2006315110A (ja) | 研磨剤、その製造方法及び研磨方法 | |
CN104531067B (zh) | 一种杂化磨料及制备方法和在超精密抛光中的用途 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20081112 |