JP2005142489A - Ｃｍｐ研磨剤および基板の研磨方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子の層間絶縁膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を効率的、高速に行うことを可能にするＣＭＰ研磨剤および研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、２種類のモノマーの共重合体及び水を含むＣＭＰ研磨剤、及びこの研磨剤を用いて半導体ウエハ等の被研磨面を研磨する基板の研磨方法であり、好ましくは前記共重合体がアクリル酸−マレイン酸共重合体である。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体素子製造工程のうち、層間絶縁膜の平坦化工程またはシャロー・トレンチ分離の形成工程等において使用されるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨剤および基板の研磨方法に関する。

超大規模集積回路の分野において実装密度を高めるために種々の微細加工技術が研究、開発されており、既に、デザインルールは、サブハーフミクロンのオーダーになっている。このような厳しい微細化要求を満足するための技術の一つにＣＭＰ研磨技術がある。この技術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を完全に平坦化することによって微細化を可能とし、歩留まりを向上させることができるため、例えば、層間絶縁膜の平坦化やシャロー・トレンチ分離等を行う際に必要となる技術である。

従来、集積回路内の素子分離にはＬＯＣＯＳ（シリコン局所酸化）法が用いられてきたが、素子分離幅をより狭くするため、近年ではシャロー・トレンチ分離法が用いられている。シャロー・トレンチ分離法では、ウエハ基板上に成膜した余分の酸化珪素膜を除くためにＣＭＰが必須であり、研磨を停止させるために、酸化珪素膜の下に窒化珪素膜がストッパとして形成されるのが一般的である。

半導体装置の製造工程において、プラズマ−ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学的蒸着法）、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される酸化珪素絶縁膜等を平坦化するためのＣＭＰ研磨剤としては、従来、フュームドシリカを研磨粒子とするｐＨ９を超えるアルカリ性の研磨剤が多用されてきた。しかしながら、酸化珪素膜の研磨速度を高くするためにアルカリ性に保持されたシリカ研磨剤では、ストッパである窒化珪素膜の研磨速度も高く、ウエハ全面が均一に削れない（すなわち高平坦化できない。）、あるいは電気特性に悪影響を与える研磨傷が多い等の問題があった。

一方、フォトマスクやレンズ等のガラス表面研磨剤としては、酸化セリウムを用いた研磨剤が近年多用されている。この技術は、例えば特許文献１に開示されている。酸化セリウム研磨剤はシリカ研磨剤と比べて酸化珪素膜の研磨速度が早く、研磨傷も比較的少ないという特長を有するため、酸化セリウム研磨剤を半導体用研磨剤として適用する検討が近年行われており、その一部は半導体用研磨剤として実用化されるようになっている。この技術は、例えば特許文献２に開示されている。
特開平５−３２６４６９号公報 特開平９−２７０４０２号公報

しかし、各種デバイスが形成されたウエハの全面を、電気特性不良に至る研磨傷をほとんど発生させずに、完全に平坦化できるような酸化セリウム研磨剤はまだ得られていなかった。
本発明の目的は、電気特性不良に至る研磨傷をほとんど発生させずに高平坦化することが可能なＣＭＰ研磨剤及びそれを用いた研磨方法を提供することにある。

本発明者らは、上記課題に鑑み、２種類のモノマーの共重合体であるポリマーをＣＭＰ研磨剤に混合することが有効であることを見出した。
本発明は、下記（１）〜（７）の発明に関する。
（１） 酸化セリウム粒子、２種類のモノマーの共重合体及び水を含むＣＭＰ研磨剤。
（２） 前記２種類のモノマーがそれぞれアクリル酸、マレイン酸である前記（１）記載のＣＭＰ研磨剤。
（３） 前記共重合体の共重合比がモル比で０．５〜２．０である前記（１）または（２）記載のＣＭＰ研磨剤。
（４） 前記共重合体の分子量がＭｗ＝１０００〜２００００である前記（１）〜（３）のいずれか記載のＣＭＰ研磨剤。
（５） さらに、分子量Ｍｗ＝５０００〜５００００であるポリアクリル酸を含む前記（１）〜（４）のいずれか記載のＣＭＰ研磨剤。
（６） ｐＨが４．０〜９．０である前記（１）〜（５）のいずれか記載のＣＭＰ研磨剤。
（７） 被研磨膜を形成した基板を研磨定盤上の研磨布に押し当て加圧し、２種類のモノマーの共重合体及び水を含むＣＭＰ研磨剤を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する基板の研磨方法。

本発明のＣＭＰ研磨剤は、高平坦化可能であり、半導体素子製造工程、特にシャロー・トレンチ分離に好適である。また、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷なく、高速に研磨することができる。
又、本発明の研磨方法により、基板の被研磨面を、傷なく、研磨することが可能となる。

本発明のＣＭＰ研磨剤は、酸化セリウム粒子、２種類のモノマーの共重合体及び水を含むことを特徴とする。
一般に酸化セリウム粒子は、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩のセリウム化合物を酸化することによって得られる。ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法等で形成される酸化珪素膜の研磨に使用する酸化セリウム粒子は、その製造方法を限定するものではないが、酸化セリウム結晶子径は５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。また、半導体チップ研磨に使用することから、アルカリ金属及びハロゲン類の含有率は酸化セリウム粒子中１０ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。

本発明において、酸化セリウム粉末を作製する方法として焼成または過酸化水素等による酸化法が使用できる。焼成温度は３５０℃以上９００℃以下が好ましい。

上記の方法により製造された酸化セリウム粒子は凝集しているため、機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法として、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。ジェットミル法は例えば化学工業論文集第６巻第５号（１９８０）５２７〜５３２頁に説明されている。

これらの酸化セリウム粒子を水中に分散させる方法としては、通常の攪拌機による分散処理の他にホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミルなどを用いることができる。

本発明のＣＭＰ研磨剤は、例えば、上記の特徴を有する酸化セリウム粒子と分散剤及び水からなる組成物に、２種類のモノマー（以下、モノマーa₁、モノマーa₂という。）からなる共重合体であるポリマー（以下、ポリマーＡという。）を添加することによって得られる。ここで、酸化セリウム粒子の濃度に制限はないが、研磨剤の取り扱いやすさから０．５重量％以上２０重量％以下の範囲が好ましい。

共重合体であるポリマーＡとしては、水溶性であれば特に制限はないが、アクリル酸−マレイン酸共重合体、アクリル酸−ビニルピロリドン共重合体、マレイン酸−ビニルピロリドン共重合体等が挙げられる。このうち、アクリル酸−マレイン酸共重合体が望ましい。
ポリマーＡの分子量は、Ｍｗ＝１０００〜２００００が好ましく、Ｍｗ＝２０００〜１００００がより好ましく、Ｍｗ＝２０００〜５０００が更により好ましい。また、ポリマーＡのＣＭＰ研磨剤中における濃度は、十分な平坦性を得るために０．０１重量％〜５．０重量％が好ましく、０．１０重量％〜１．０重量％がより好ましい。また、ポリマーＡにおけるモノマーa₁、モノマーa₂の共重合比 a₁／a₂は、例えばモノマーa₁がアクリル酸、モノマーa₂がマレイン酸の共重合体の場合、モル比で０．５〜２．０が好ましく、０．７５〜１．５０がより好ましい。

本発明の研磨剤には、さらにポリアクリル酸（以下、ポリマーＢという。）を含むのが好ましい。ポリマーＢの分子量は、Ｍｗ＝５０００〜５００００が好ましく、６０００〜３００００がより好ましく、Ｍｗ＝７０００〜１５０００が更により好ましい。また、ポリマーＢを用いる場合のＣＭＰ研磨剤中における濃度は十分な平坦性を得るために０．０１重量％〜３．０重量％が好ましく、０．０３重量％〜１．０重量％がより好ましい。

本発明のＣＭＰ研磨剤は、例えば、酸化セリウム粒子、ポリマーＡ、ポリマーＢ、分散剤、その他の添加剤、水から構成される一液式研磨剤として調製することも、また、酸化セリウム粒子、分散剤及び水からなる酸化セリウムスラリと、ポリマーＡ、ポリマーＢ、添加剤及び水からなる添加液とを分けた二液式ＣＭＰ研磨剤として調製することもできる。いずれの場合も、安定した特性を得ることができる。
酸化セリウムスラリと添加液とを分けた二液式研磨剤として保存する場合、これら二液の配合を任意に変えられることにより平坦化特性と研磨速度の調整が可能となる。二液式の場合、添加液は、酸化セリウムスラリと別々の配管で送液し、これらの配管を合流させて供給配管出口の直前で混合して研磨定盤上に供給する方法か、研磨直前に酸化セリウムスラリと混合する方法がとられる。

本発明のＣＭＰ研磨剤には分散剤を含むことができる。分散剤としては、水溶性陰イオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤、水溶性両性分散剤から選ばれた少なくとも１種類を含むのが好ましく、これらのうち２種類以上の分散剤を使用するのがより好ましい。
水溶性陰イオン性分散剤としては、例えば、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン等が挙げられ、また、ポリアクリル酸アンモニウム塩等のアニオン系水溶性高分子を用いてもよい。
水溶性非イオン性分散剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。
水溶性陽イオン性分散剤としては、例えば、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート等が挙げられ、水溶性両性分散剤としては、例えば、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン等が挙げられる。
分散剤を用いる場合、これらの分散剤添加量は、分散性及び沈降防止、さらに研磨傷と分散剤添加量との関係から酸化セリウム粒子１００重量部に対して、０．０１重量部以上２．０重量部以下の範囲が好ましい。

ＣＭＰ研磨剤のｐＨは４．０〜９．０である事が好ましく、４．５〜７．０がより好ましく、４．６〜６．５がさらにより好ましい。ＣＭＰ研磨剤のｐＨが４．０未満では研磨速度が低下し、９．０より大きいと、研磨速度が大きくなりディッシングが生じ易くなる。また、ＣＭＰ研磨剤を所望のｐＨ値にするために、アルカリ性化合物または酸性化合物を添加し調整することができる。アルカリ性化合物は、ｐＨの値を調整できる化合物であれば特に制限はないが、アンモニア、有機アミン等が好ましく、有機アミンの中では、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）がより好ましい。
本発明の研磨剤のｐＨは、ｐＨメータ（例えば、横河電機株式会社製の Model ｐＨ８１）で測定する。標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液ｐＨ:４．２１(２５℃)、中性りん酸塩ｐＨ緩衝液ｐＨ６．８６（２５℃））を用いて、２点校正した後、電極を研磨剤に入れて、２分以上経過して安定した後の値を測定する。

本発明の研磨方法は、被研磨膜を形成した基板を研磨定盤上の研磨布に押し当て加圧し、２種類のモノマーの共重合体及び水を含むＣＭＰ研磨剤を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨することを特徴とする。
前記共重合体及び水を含むＣＭＰ研磨剤は、具体的には本発明のＣＭＰ研磨剤であることが好ましい。

基板として、半導体装置製造に係る基板、例えば回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に、無機絶縁層が形成された基板などが挙げられる。そして、被研磨膜は、前記無機絶縁層、例えば酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層及び酸化珪素膜層等が挙げられる。
以下、無機絶縁層が形成された半導体基板の場合を例に挙げて研磨方法を説明する。

本発明の研磨方法において、使用出来る研磨装置としては、被研磨膜を有する基板を保持するホルダーと、研磨布（パッド）を貼り付け可能で、回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある研磨定盤とを有する一般的な研磨装置が使用できる。例えば、荏原製作所株式会社製研磨装置：型番ＥＰＯ１１１が使用できる。

研磨定盤上の研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨布にはＣＭＰ研磨剤がたまるような溝加工を施すことが好ましい。研磨条件に制限はないが、定盤の回転速度は半導体基板が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力（研磨荷重）は研磨後に傷が発生しないように１ｋｇ／ｃｍ^２（９８ｋＰａ）以下が好ましい。研磨速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、５ｋＰａ〜５０ｋＰａであることがより好ましい。

基板の被研磨膜を研磨布に押圧した状態で基板と研磨定盤とを相対的に動かすには、具体的には基板と研磨定盤との少なくとも一方を動かせば良い。研磨定盤を回転させる他に、ホルダーを回転や揺動させて研磨しても良い。また、研磨定盤を遊星回転させる研磨方法、ベルト状の研磨布を長尺方向の一方向に直線状に動かす研磨方法等が挙げられる。なお、ホルダーは固定、回転、揺動のいずれの状態でも良い。

研磨している間、研磨布と被研磨膜の間にはスラリ状の本発明の研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。具体的には、研磨布面積１ｃｍ^２当たり、０．００５〜０．４０ミリリットル供給されることが好ましい。

研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
このように被研磨膜である無機絶縁層を上記研磨剤で研磨することによって、表面の凹凸を解消し、半導体基板全面にわたって平滑な面とすることができる。

本発明のＣＭＰ研磨剤及び研磨方法は、半導体基板に形成された酸化珪素膜の研磨だけでなく、各種半導体装置の製造プロセス内においても適用することができる。例えば、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、ポリシリコン、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｔａ、ＴａＮ等を主として含有する膜、フォトマスク・レンズ・プリズム等の光学ガラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザＬＥＤ用サファイヤ基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨することができる。

以下、実施例により本発明を説明する。
実施例１
（酸化セリウムスラリの作製）
炭酸セリウム水和物２ｋｇをアルミナ製容器に入れ、８５０℃の空気中で２時間焼成することにより酸化セリウム粉末を得た。上記作製の酸化セリウム粒子１ｋｇとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液（４０重量％）２３ｇと脱イオン水８９７７ｇを混合し、撹拌しながら超音波分散を１０分間施した。得られたスラリを１ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン水を加えて酸化セリウム５．０重量％を含む酸化セリウムスラリを得た。

（ＣＭＰ研磨剤の作製）
上記の酸化セリウムスラリを７５０ｇ、アクリル酸−マレイン酸共重合体（Ａｌｄｒｉｃｈ試薬、Ｍｗ＝３０００、濃度＝５０重量％、アクリル酸：マレイン酸のモル比＝１：１）を５０．０ｇ、脱イオン水を４１８４ｇ、ｐＨ調整剤としてアンモニア（試薬、３０重量％水溶液）１６．０ｇを配合してアクリル酸−マレイン酸共重合体０．５重量％、酸化セリウム０．７５重量％のＣＭＰ研磨剤（以下、ＣＭＰ研磨剤１という。）とした。研磨剤１のｐＨを測定したところ、５．６であった。

（シャロー・トレンチ分離層の研磨）
８インチウエハ上の酸化珪素膜及び窒化珪素膜を上記のＣＭＰ研磨剤１でそれぞれ研磨した。
研磨装置は荏原製作所製ＥＰＯ−１１１、研磨条件は定盤回転数／ヘッド回転数：５０／５０ｒｐｍ、研磨荷重：３０ｋＰａ、研磨剤供給量：２００ｍｌ／分とした。
それぞれ１分間研磨したところ、酸化珪素膜の研磨速度は２４０ｎｍ／分、窒化珪素膜の研磨速度は７．８ｎｍ／分となり、研磨速度比は３０．８であった。また研磨後の酸化珪素膜をウエハ欠陥検出装置：ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社「Ｓｕｒｆｓｃａｎ６２２０」で０．２μｍ以上の異物を検出し、ウエハ外観研磨装置：オリンパス社「ＡＬ−２０００」を用いて研磨傷をカウントしたところ、１３個／ウエハだった。
別に、８インチＳｉ基板に一辺３５０ｎｍ〜０．１ｍｍ四方の凸部、深さが４００ｎｍの凹部を形成し、凸部密度がそれぞれ２〜４０％となるようなシャロー・トレンチ分離層パターンウエハを作製した。凸部上に窒化珪素膜を１００ｎｍ形成し、その上にＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法で酸化珪素膜を６００ｎｍ成膜した。上記のＣＭＰ研磨剤１で、このパターンウエハを研磨装置、研磨条件は上記と同様にして３分間研磨した。その結果、窒化珪素膜上で研磨が停止し、研磨後の凸部と凹部の残段差は２０ｎｍとなり、高平坦性を示した。

実施例２
（ＣＭＰ研磨剤の作製）
上記実施例１で作製した酸化セリウムスラリを７５０ｇ、アクリル酸−マレイン酸共重合体（Ａｌｄｒｉｃｈ試薬、Ｍｗ＝３０００、濃度＝５０重量％）を３０ｇ、ポリアクリル酸（Ｍｗ＝１００００、濃度＝４０重量％）を１２．５ｇ、脱イオン水を４１７３ｇ、ｐＨ調整剤として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（Ａｌｄｒｉｃｈ試薬、濃度＝２５重量％）を３４．４ｇ混合し、アクリル酸−マレイン酸共重合体：０．３重量％、ポリアクリル酸：０．１重量％、酸化セリウム粒子濃度０．７５重量％のＣＭＰ研磨剤（以下、ＣＭＰ研磨剤２という。）とした。研磨剤２のｐＨを測定したところ５．５であった。

（絶縁膜層及びシャロー・トレンチ分離層の研磨）
８インチＳｉ基板上にＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ幅が０．０５〜５ｍｍで高さが１０００ｎｍのＡｌ配線Ｌｉｎｅ部を形成した後、その上にＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法で酸化珪素膜を２０００ｎｍ形成した絶縁膜層パターンウエハを作製した。上記のＣＭＰ研磨剤２を用いて、研磨装置、研磨条件は実施例１と同様にして３分間研磨した。その結果、研磨後の凸部と凹部の段差が２０ｎｍとなり高平坦性を示した。
また、８インチウエハ上の酸化珪素膜及び窒化珪素膜を上記のＣＭＰ研磨剤２で研磨装置、研磨条件は実施例１と同様にしてそれぞれ１分間研磨したところ、酸化珪素膜の研磨速度は９２ｎｍ／分、窒化珪素膜の研磨速度は５．０ｎｍ／分となり、研磨速度比は１８．４であった。また研磨後の酸化珪素膜をウエハ欠陥検出装置：ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製品名「Ｓｕｒｆｓｃａｎ６２２０」で０．２μｍ以上の異物を検出し、ウエハ外観研磨装置：オリンパス社製品名「ＡＬ−２０００」を用いて研磨傷をカウントしたところ、１５個／ウエハだった。
また、実施例１と同じシャロー・トレンチ分離層パターンウエハを、上記のＣＭＰ研磨剤２で、研磨装置、研磨条件は上記と同様にして３分間研磨した。その結果、窒化珪素膜上で研磨が停止し、研磨後の凸部と凹部の残段差は２０ｎｍとなり、高平坦性を示した。

比較例１
（ＣＭＰ研磨剤の作製）
実施例１記載の酸化セリウムスラリ７５０ｇと脱イオン水４２５０ｇを混合し（酸化セリウム粒子濃度０．７５重量％）、実施例１記載のアクリル酸−マレイン酸共重合体を加えず得られたものをＣＭＰ研磨剤３とした。研磨剤３のｐＨは７．０であった。

（絶縁膜層及びシャロー・トレンチ分離層の研磨）
上記のＣＭＰ研磨剤３を用いて、実施例２と同じ絶縁膜層、シャロー・トレンチ分離層を同条件で３分間研磨した。その結果、研磨後の段差は１５０ｎｍとなり、平坦性が著しく劣ることがわかった。また、研磨後の酸化珪素膜を実施例１と同じ方法で研磨傷をカウントしたところ、３０個／ウエハだった。

Claims (7)

1. 酸化セリウム粒子、２種類のモノマーの共重合体及び水を含むＣＭＰ研磨剤。
2. 前記２種類のモノマーがそれぞれアクリル酸、マレイン酸である請求項１記載のＣＭＰ研磨剤。
3. 前記共重合体の共重合比がモル比で０．５〜２．０である請求項１または２記載のＣＭＰ研磨剤。
4. 前記共重合体の分子量がＭｗ＝１０００〜２００００である請求項１〜３のいずれか記載のＣＭＰ研磨剤。
5. さらに、分子量Ｍｗ＝５０００〜５００００であるポリアクリル酸を含む請求項１〜４のいずれか記載のＣＭＰ研磨剤。
6. ｐＨが４．０〜９．０である請求項１〜５のいずれか記載のＣＭＰ研磨剤。
7. 被研磨膜を形成した基板を研磨定盤上の研磨布に押し当て加圧し、２種類のモノマーの共重合体及び水を含むＣＭＰ研磨剤を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する基板の研磨方法。