JP2001358100A - Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 - Google Patents
Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法Info
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- JP2001358100A JP2001358100A JP2000177702A JP2000177702A JP2001358100A JP 2001358100 A JP2001358100 A JP 2001358100A JP 2000177702 A JP2000177702 A JP 2000177702A JP 2000177702 A JP2000177702 A JP 2000177702A JP 2001358100 A JP2001358100 A JP 2001358100A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速
に研磨でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高
く（高選択性がある）、高平坦化が可能なＣＭＰ研磨剤
及び酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨
でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高
平坦化が可能な基板の研磨方法を提供する。 【解決手段】 酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系
水溶性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤において、酸化
セリウム粒子のζ電位が−２５０〜−１２０mVであるＣ
ＭＰ研磨剤並びに研磨する膜を形成した基盤を研磨定盤
と研磨布に押し当て加圧し、前記ＣＭＰ研磨剤を研磨膜
と研磨布との間に供給しながら、基盤と研磨定盤を動か
して研磨する基盤の研磨方法。
に研磨でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高
く（高選択性がある）、高平坦化が可能なＣＭＰ研磨剤
及び酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨
でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高
平坦化が可能な基板の研磨方法を提供する。 【解決手段】 酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系
水溶性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤において、酸化
セリウム粒子のζ電位が−２５０〜−１２０mVであるＣ
ＭＰ研磨剤並びに研磨する膜を形成した基盤を研磨定盤
と研磨布に押し当て加圧し、前記ＣＭＰ研磨剤を研磨膜
と研磨布との間に供給しながら、基盤と研磨定盤を動か
して研磨する基盤の研磨方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子製造技
術である基板表面の平坦化工程、特にシャロー・トレン
チ分離の形成工程等において使用されるＣＭＰ研磨剤及
びこれらＣＭＰ研磨剤を使用した基板の研磨方法に関す
る。
術である基板表面の平坦化工程、特にシャロー・トレン
チ分離の形成工程等において使用されるＣＭＰ研磨剤及
びこれらＣＭＰ研磨剤を使用した基板の研磨方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在の超々大規模集積回路では、実装密
度を高める傾向にあり、種々の微細加工技術が研究、開
発されている。既に、デザインルールは、サブハーフミ
クロンのオーダーになっている。このような厳しい微細
化の要求を満足するために開発されている技術の一つに
ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）技術があ
る。この技術は、半導体装置の製造工程において、露光
を施す層を完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、
歩留まりを安定させることができるため、例えば、層間
絶縁膜の平坦化、シャロー・トレンチ分離等を行う際に
必須となる技術である。
度を高める傾向にあり、種々の微細加工技術が研究、開
発されている。既に、デザインルールは、サブハーフミ
クロンのオーダーになっている。このような厳しい微細
化の要求を満足するために開発されている技術の一つに
ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）技術があ
る。この技術は、半導体装置の製造工程において、露光
を施す層を完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、
歩留まりを安定させることができるため、例えば、層間
絶縁膜の平坦化、シャロー・トレンチ分離等を行う際に
必須となる技術である。
【０００３】従来、半導体装置の製造工程において、プ
ラズマ−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学的
蒸着法）、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される酸化珪素
絶縁膜等無機絶縁膜層を平坦化するためのＣＭＰ研磨剤
として、フュームドシリカ系の研磨剤が一般的に検討さ
れていた。しかし、フュームドシリカ系の研磨剤は、無
機絶縁膜の研磨速度が充分な速度をもたない。また、研
磨傷も多く酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が小さ
いという技術課題があった。
ラズマ−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学的
蒸着法）、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される酸化珪素
絶縁膜等無機絶縁膜層を平坦化するためのＣＭＰ研磨剤
として、フュームドシリカ系の研磨剤が一般的に検討さ
れていた。しかし、フュームドシリカ系の研磨剤は、無
機絶縁膜の研磨速度が充分な速度をもたない。また、研
磨傷も多く酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が小さ
いという技術課題があった。
【０００４】従来の層間絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術
では、研磨速度の基板上被研磨膜のパターン依存性が大
きく、パターン密度差或いはサイズ差の大小により凸部
の研磨速度が大きく異なり、また凹部の研磨も進行して
しまうため、ウエハ面内全体での高いレベルの平坦化を
実現することができないという技術課題があった。
では、研磨速度の基板上被研磨膜のパターン依存性が大
きく、パターン密度差或いはサイズ差の大小により凸部
の研磨速度が大きく異なり、また凹部の研磨も進行して
しまうため、ウエハ面内全体での高いレベルの平坦化を
実現することができないという技術課題があった。
【０００５】また、層間膜を平坦化するＣＭＰ技術で
は、層間膜の途中で研磨を終了する必要があり、研磨量
の制御を研磨時間で行うプロセス管理方法が一般的に行
われている。しかし、パターン段差形状の変化だけでな
く、研磨布の状態等でも、研磨速度が顕著に変化してし
まうため、プロセス管理が難しいという問題があった。
は、層間膜の途中で研磨を終了する必要があり、研磨量
の制御を研磨時間で行うプロセス管理方法が一般的に行
われている。しかし、パターン段差形状の変化だけでな
く、研磨布の状態等でも、研磨速度が顕著に変化してし
まうため、プロセス管理が難しいという問題があった。
【０００６】近年の集積回路内の素子分離で主流となり
つつあるシャロー・トレンチ分離では、基板上に成膜し
た余分の酸化珪素膜を除くためにＣＭＰが使用され、研
磨を停止させるために、酸化珪素膜の下に研磨速度の遅
いストッパ膜が形成される。ストッパ膜には窒化珪素な
どが使用され、酸化珪素膜とストッパ膜との研磨速度比
が大きいことが望ましい。従来のフュームドシリカ系の
研磨剤は、上記の酸化珪素膜とストッパ膜の研磨速度比
が３程度と小さい。また、研磨傷も多く発生するため、
シャロー・トレンチ分離用としては実用に耐える特性を
有していなかった。
つつあるシャロー・トレンチ分離では、基板上に成膜し
た余分の酸化珪素膜を除くためにＣＭＰが使用され、研
磨を停止させるために、酸化珪素膜の下に研磨速度の遅
いストッパ膜が形成される。ストッパ膜には窒化珪素な
どが使用され、酸化珪素膜とストッパ膜との研磨速度比
が大きいことが望ましい。従来のフュームドシリカ系の
研磨剤は、上記の酸化珪素膜とストッパ膜の研磨速度比
が３程度と小さい。また、研磨傷も多く発生するため、
シャロー・トレンチ分離用としては実用に耐える特性を
有していなかった。
【０００７】一方、フォトマスクやレンズ等のガラス表
面研磨剤として、酸化セリウム研磨剤が用いられてい
る。酸化セリウム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比
べ硬度が低くいため、被研磨膜表面に傷が入りにくく、
また研磨速度が高い。しかしながら、これまで高研磨速
度比及び高平坦化を実現する半導体用酸化セリウム研磨
剤はなかった。
面研磨剤として、酸化セリウム研磨剤が用いられてい
る。酸化セリウム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比
べ硬度が低くいため、被研磨膜表面に傷が入りにくく、
また研磨速度が高い。しかしながら、これまで高研磨速
度比及び高平坦化を実現する半導体用酸化セリウム研磨
剤はなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】請求項１〜５記載の発
明は、酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研
磨でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く
（高選択性がある）、高平坦化が可能なＣＭＰ研磨剤を
提供するものである。請求項６記載の発明は、酸化珪素
膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨でき、酸化珪
素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高平坦化が可能
な基板の研磨方法を提供するものである。
明は、酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研
磨でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く
（高選択性がある）、高平坦化が可能なＣＭＰ研磨剤を
提供するものである。請求項６記載の発明は、酸化珪素
膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨でき、酸化珪
素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高平坦化が可能
な基板の研磨方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化セリウム
粒子、分散剤、アニオン系水溶性高分子及び水を含むＣ
ＭＰ研磨剤において、酸化セリウム粒子のζ電位が−２
５０〜−１２０mVであるＣＭＰ研磨剤に関する。また、
本発明は、酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系水溶
性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤において、アニオン
系水溶性高分子と酸化セリウム粒子が水素結合を介し付
着している前記ＣＭＰ研磨剤に関する。
粒子、分散剤、アニオン系水溶性高分子及び水を含むＣ
ＭＰ研磨剤において、酸化セリウム粒子のζ電位が−２
５０〜−１２０mVであるＣＭＰ研磨剤に関する。また、
本発明は、酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系水溶
性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤において、アニオン
系水溶性高分子と酸化セリウム粒子が水素結合を介し付
着している前記ＣＭＰ研磨剤に関する。
【００１０】また、本発明は、酸化セリウム粒子、分散
剤、アニオン系水溶性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤
が、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む液Ａ及びア
ニオン系水溶性高分子と水を含む液Ｂの混合液である前
記ＣＭＰ研磨剤に関する。また、本発明は、酸化セリウ
ム粒子、分散剤及び水を含む液Ａにおいて、酸化セリウ
ム粒子のζ電位が−１００〜０mVである前記ＣＭＰ研磨
剤に関する。また、本発明は、酸化セリウム粒子、分散
剤及び水を含む液Ａにおいて分散剤を加える前の酸化セ
リウム粒子のζ電位が０〜３０mVである前記ＣＭＰ研磨
剤に関する。
剤、アニオン系水溶性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤
が、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む液Ａ及びア
ニオン系水溶性高分子と水を含む液Ｂの混合液である前
記ＣＭＰ研磨剤に関する。また、本発明は、酸化セリウ
ム粒子、分散剤及び水を含む液Ａにおいて、酸化セリウ
ム粒子のζ電位が−１００〜０mVである前記ＣＭＰ研磨
剤に関する。また、本発明は、酸化セリウム粒子、分散
剤及び水を含む液Ａにおいて分散剤を加える前の酸化セ
リウム粒子のζ電位が０〜３０mVである前記ＣＭＰ研磨
剤に関する。
【００１１】また、本発明は、研磨する膜を形成した基
板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、上記のＣＭＰ
研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と
研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基盤の研磨方
法に関する。
板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、上記のＣＭＰ
研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と
研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基盤の研磨方
法に関する。
【００１２】
【発明の実施の形態】一般に酸化セリウム粒子は、炭酸
塩、硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩のセリウム化合物を酸
化することによって得られる。ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法等で
形成される酸化珪素膜の研磨に使用する酸化セリウム粒
子は、その製造方法を限定するものではないが、酸化セ
リウム結晶子径は５〜３００nmであることが好ましい。
また、半導体チップ研磨に使用することから、アルカリ
金属及びハロゲン類の含有率は酸化セリウム粒子中１０
ppm以下に抑えることが好ましい。
塩、硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩のセリウム化合物を酸
化することによって得られる。ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法等で
形成される酸化珪素膜の研磨に使用する酸化セリウム粒
子は、その製造方法を限定するものではないが、酸化セ
リウム結晶子径は５〜３００nmであることが好ましい。
また、半導体チップ研磨に使用することから、アルカリ
金属及びハロゲン類の含有率は酸化セリウム粒子中１０
ppm以下に抑えることが好ましい。
【００１３】本発明において、酸化セリウム粉末を作製
する方法として焼成又は過酸化水素等による酸化法が使
用できる。焼成温度は３５０〜９００℃が好ましい。上
記の方法により製造された酸化セリウム粒子は凝集して
いるため、機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法
として、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミ
ル等による湿式粉砕方法が好ましい。ジェットミルは例
えば化学工業論文集第６巻第５号(1980)527〜532頁に説
明されている。
する方法として焼成又は過酸化水素等による酸化法が使
用できる。焼成温度は３５０〜９００℃が好ましい。上
記の方法により製造された酸化セリウム粒子は凝集して
いるため、機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法
として、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミ
ル等による湿式粉砕方法が好ましい。ジェットミルは例
えば化学工業論文集第６巻第５号(1980)527〜532頁に説
明されている。
【００１４】本発明におけるＣＭＰ研磨剤は、例えば、
酸化セリウム粒子と分散剤及び水を含む組成物に、アニ
オン系水溶性高分子を添加することによって得られる。
ここで、酸化セリウム粒子の濃度に制限はないが、分散
液の取り扱いやすさから０．５〜２０重量％の範囲が好
ましい。
酸化セリウム粒子と分散剤及び水を含む組成物に、アニ
オン系水溶性高分子を添加することによって得られる。
ここで、酸化セリウム粒子の濃度に制限はないが、分散
液の取り扱いやすさから０．５〜２０重量％の範囲が好
ましい。
【００１５】分散剤としては、例えば、水溶性陰イオン
性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性
分散剤、水溶性両性分散剤等が挙げられ、これらは単独
で又は組み合わせて使用される。
性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性
分散剤、水溶性両性分散剤等が挙げられ、これらは単独
で又は組み合わせて使用される。
【００１６】水溶性陰イオン性分散剤としては、例え
ば、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸
アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫
酸トリエタノールアミン等が挙げられるが、後述するア
ニオン系水溶性高分子を用いてもよい。
ば、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸
アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫
酸トリエタノールアミン等が挙げられるが、後述するア
ニオン系水溶性高分子を用いてもよい。
【００１７】水溶性非イオン性分散剤としては、例え
ば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポ
リオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシ
エチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアル
キルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレ
ンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソ
ルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタン
モノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオ
レエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビ
ット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエ
チレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリ
コールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオ
レエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオ
キシエチレン硬化ヒマシ油、アルキルアルカノールアミ
ド等が挙げられる。
ば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポ
リオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシ
エチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアル
キルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレ
ンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソ
ルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタン
モノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオ
レエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビ
ット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエ
チレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリ
コールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオ
レエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオ
キシエチレン硬化ヒマシ油、アルキルアルカノールアミ
ド等が挙げられる。
【００１８】水溶性陽イオン性分散剤としては、例え
ば、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンア
セテート等が挙げられる。
ば、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンア
セテート等が挙げられる。
【００１９】水溶性両性分散剤としては、例えば、ラウ
リルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチル
アミンオキサイド、２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチ
ル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン等
が挙げられる。
リルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチル
アミンオキサイド、２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチ
ル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン等
が挙げられる。
【００２０】これらの分散剤の添加量は、分散性及び沈
降防止、さらに研磨傷低減の観点から、酸化セリウム粒
子１００重量部に対して、０．０１〜２．０重量部の範
囲が好ましい。酸化セリウム粒子を水中に分散させる方
法としては、通常の攪拌機による分散処理の他にホモジ
ナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル等を用いるこ
とができる。
降防止、さらに研磨傷低減の観点から、酸化セリウム粒
子１００重量部に対して、０．０１〜２．０重量部の範
囲が好ましい。酸化セリウム粒子を水中に分散させる方
法としては、通常の攪拌機による分散処理の他にホモジ
ナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル等を用いるこ
とができる。
【００２１】本発明におけるアニオン系水溶性高分子と
しては、例えば、特殊ポリカルボン酸型高分子（アクリ
ル酸／アクリル酸メチル等のアクリル酸アルキルの共重
合体、アクリル酸の単独重合体、これらのアンモニウム
塩又はカリウム塩）、ポリビニルスルホン酸、ポリメタ
クリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリル酸、
ポリアクリル酸誘導体、ポリ（４−ビニルピリジニウム
塩）、ポリ（１−（３−スルホニル）−２−ビニルピリ
ジニウムベタイン−ｃｏ−ｐ−スチレンスルホン酸）、
ポリビニルアルコール誘導体、ポリアクロレイン、ポリ
（酢酸ビニル−ｃｏ−メタクリル酸メチル）、ポリ（ス
チレン−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（オレフィン−
ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリアクリルアミド部分加水
分解物、ポリ（アクリルアミド−ｃｏ−アクリル酸）、
アルギン酸、ポリメタクリル酸メチル、これらのアンモ
ニウム塩又はカリウム塩などが挙げられる。
しては、例えば、特殊ポリカルボン酸型高分子（アクリ
ル酸／アクリル酸メチル等のアクリル酸アルキルの共重
合体、アクリル酸の単独重合体、これらのアンモニウム
塩又はカリウム塩）、ポリビニルスルホン酸、ポリメタ
クリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリル酸、
ポリアクリル酸誘導体、ポリ（４−ビニルピリジニウム
塩）、ポリ（１−（３−スルホニル）−２−ビニルピリ
ジニウムベタイン−ｃｏ−ｐ−スチレンスルホン酸）、
ポリビニルアルコール誘導体、ポリアクロレイン、ポリ
（酢酸ビニル−ｃｏ−メタクリル酸メチル）、ポリ（ス
チレン−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（オレフィン−
ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリアクリルアミド部分加水
分解物、ポリ（アクリルアミド−ｃｏ−アクリル酸）、
アルギン酸、ポリメタクリル酸メチル、これらのアンモ
ニウム塩又はカリウム塩などが挙げられる。
【００２２】これらのアニオン系水溶性高分子の使用量
は、ＣＭＰ研磨剤中の酸化セリウム粒子のζ電位の制御
性、選択研磨性、高平坦性等の観点から、酸化セリウム
粒子１００重量部に対して、０．０１〜１，０００重量
部の範囲が好ましい。またアニオン系水溶性高分子の重
量平均分子量（ゲルパーミエーションクロマトグラフで
測定し、標準ポリスチレン換算した値）は、５００〜５
０，０００が好ましい。アニオン系水溶性高分子と酸化
セリウム粒子は、選択性、平坦性等の観点から、水素結
合を介し付着していることが好ましい。
は、ＣＭＰ研磨剤中の酸化セリウム粒子のζ電位の制御
性、選択研磨性、高平坦性等の観点から、酸化セリウム
粒子１００重量部に対して、０．０１〜１，０００重量
部の範囲が好ましい。またアニオン系水溶性高分子の重
量平均分子量（ゲルパーミエーションクロマトグラフで
測定し、標準ポリスチレン換算した値）は、５００〜５
０，０００が好ましい。アニオン系水溶性高分子と酸化
セリウム粒子は、選択性、平坦性等の観点から、水素結
合を介し付着していることが好ましい。
【００２３】本発明のＣＭＰ研磨剤のζ電位は、−２５
０〜−１２０mVとされる。研磨中の酸化セリウム粒子の
ζ電位が−１２０mVを超えると充分な平坦性が得られ
ず、−２５０mV未満だと研磨速度が遅くなる。酸化セリ
ウム粒子のζ電位は−２２０〜−１４０mVが好ましく、
−２００〜−１５０mVがより好ましい。
０〜−１２０mVとされる。研磨中の酸化セリウム粒子の
ζ電位が−１２０mVを超えると充分な平坦性が得られ
ず、−２５０mV未満だと研磨速度が遅くなる。酸化セリ
ウム粒子のζ電位は−２２０〜−１４０mVが好ましく、
−２００〜−１５０mVがより好ましい。
【００２４】酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む液
Ａと、アニオン系水溶性高分子及び水を含む液Ｂとを別
々に調整しておき、基板を研磨する際にこれらを混合し
て使用することにより酸化セリウム粒子とアニオン性水
溶性高分子の相対濃度を調節できる。
Ａと、アニオン系水溶性高分子及び水を含む液Ｂとを別
々に調整しておき、基板を研磨する際にこれらを混合し
て使用することにより酸化セリウム粒子とアニオン性水
溶性高分子の相対濃度を調節できる。
【００２５】液Ａにおいて、酸化セリウム粒子のζ電位
は、−１００〜０mVであることが好ましい。０mVを超え
ると粒子の分散性が悪くなる傾向があり、−１００mV未
満だと粒子は凝集する傾向がある。酸化セリウム粒子の
ζ電位は−２０〜−１００mVが好ましく、−４０〜−９
０mVがより好ましい。液Ａにおいて、高選択性、高平坦
性等の観点から、分散剤を加える前の酸化セリウム粒子
のζ電位は、０〜３０mVであることが好ましい。
は、−１００〜０mVであることが好ましい。０mVを超え
ると粒子の分散性が悪くなる傾向があり、−１００mV未
満だと粒子は凝集する傾向がある。酸化セリウム粒子の
ζ電位は−２０〜−１００mVが好ましく、−４０〜−９
０mVがより好ましい。液Ａにおいて、高選択性、高平坦
性等の観点から、分散剤を加える前の酸化セリウム粒子
のζ電位は、０〜３０mVであることが好ましい。
【００２６】液Ｂは液Ａと別々に研磨定盤上に供給し、
研磨定盤上で混合するか、研磨前に予め液Ａと液Ｂとを
混合し、研磨定盤上に供給する方法がとられる。なお、
分散剤として水溶性陰イオン性分散剤のアニオン系水溶
性高分子を使用する場合は、本発明のＣＭＰ研磨剤は、
酸化セリウム粒子、アニオン系水溶性高分子及び水を含
むものと言うことができる。
研磨定盤上で混合するか、研磨前に予め液Ａと液Ｂとを
混合し、研磨定盤上に供給する方法がとられる。なお、
分散剤として水溶性陰イオン性分散剤のアニオン系水溶
性高分子を使用する場合は、本発明のＣＭＰ研磨剤は、
酸化セリウム粒子、アニオン系水溶性高分子及び水を含
むものと言うことができる。
【００２７】本発明において基板としては、半導体基板
すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半
導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の
半導体基板上に酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層が形
成された基板が使用できる。
すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半
導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の
半導体基板上に酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層が形
成された基板が使用できる。
【００２８】このような半導体基板上に形成された酸化
珪素膜層あるいは窒化珪素膜層を上記ＣＭＰ研磨剤で研
磨することによって、酸化珪素膜層表面の凹凸を解消
し、半導体基板全面にわたって平滑な面とすることがで
きる。また、シャロー・トレンチ分離にも使用できる。
シャロー・トレンチ分離に使用するためには、酸化珪素
膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比、酸化珪素膜研磨
速度／窒化珪素膜研磨速度が大きいことが必要である。
この比が小さいと、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研
磨速度の差が小さく、シャロー・トレンチ分離をする
際、窒化珪素膜を過剰研磨する恐れがある。本発明によ
る研磨剤を用いれば、窒化珪素膜上での研磨の停止が容
易になる。
珪素膜層あるいは窒化珪素膜層を上記ＣＭＰ研磨剤で研
磨することによって、酸化珪素膜層表面の凹凸を解消
し、半導体基板全面にわたって平滑な面とすることがで
きる。また、シャロー・トレンチ分離にも使用できる。
シャロー・トレンチ分離に使用するためには、酸化珪素
膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比、酸化珪素膜研磨
速度／窒化珪素膜研磨速度が大きいことが必要である。
この比が小さいと、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研
磨速度の差が小さく、シャロー・トレンチ分離をする
際、窒化珪素膜を過剰研磨する恐れがある。本発明によ
る研磨剤を用いれば、窒化珪素膜上での研磨の停止が容
易になる。
【００２９】本発明のＣＭＰ研磨剤は、半導体基板に形
成された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配
線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無
機絶縁膜、ポリシリコン、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、
Ｗ、Ｔａ、ＴａＮ等を主として含有する膜、フォトマス
ク・レンズ・プリズム等の光学ガラス、ＩＴＯ等の無機
導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路
・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端
面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結
晶、青色レーザＬＥＤ用サファイヤ基板、ＳｉＣ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス
基板、磁気ヘッド等を研磨することができる。
成された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配
線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無
機絶縁膜、ポリシリコン、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、
Ｗ、Ｔａ、ＴａＮ等を主として含有する膜、フォトマス
ク・レンズ・プリズム等の光学ガラス、ＩＴＯ等の無機
導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路
・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端
面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結
晶、青色レーザＬＥＤ用サファイヤ基板、ＳｉＣ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス
基板、磁気ヘッド等を研磨することができる。
【００３０】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。
【００３１】実施例１ （酸化セリウム粒子の作製）炭酸セリウム水和物２kgを
アルミナ製容器に入れ、８００℃で２時間空気中で焼成
することにより黄白色の粉末を約１kg得た。この酸化セ
リウム粉末１kgをジェットミルを用いて乾式粉砕を行
い、酸化セリウム粒子を得た。
アルミナ製容器に入れ、８００℃で２時間空気中で焼成
することにより黄白色の粉末を約１kg得た。この酸化セ
リウム粉末１kgをジェットミルを用いて乾式粉砕を行
い、酸化セリウム粒子を得た。
【００３２】（酸化セリウムスラリーの作製）上記作製
の酸化セリウム粒子１kgと分散剤としての重量平均分子
量１０，０００のポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液
（固形分：４０重量％）２３ｇと脱イオン水８９７７ｇ
を混合し、撹拌しながら超音波分散を１０分間施した。
得られたスラリーを１ミクロンフィルターでろ過をし、
さらに脱イオン水を加えることにより５重量％スラリー
（液Ａとする）を得た。
の酸化セリウム粒子１kgと分散剤としての重量平均分子
量１０，０００のポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液
（固形分：４０重量％）２３ｇと脱イオン水８９７７ｇ
を混合し、撹拌しながら超音波分散を１０分間施した。
得られたスラリーを１ミクロンフィルターでろ過をし、
さらに脱イオン水を加えることにより５重量％スラリー
（液Ａとする）を得た。
【００３３】上記の液Ａ５０ｇにアニオン系水溶性高分
子としての重量平均分子量１０，０００のポリアクリル
酸アンモニウム塩（固形分：４０重量％）１１２．５ｇ
と脱イオン水１８８７．５ｇを混合して、酸化セリウム
粒子濃度１重量％、アニオン系水溶性高分子濃度１．８
重量％のＣＭＰ研磨剤を作製した。
子としての重量平均分子量１０，０００のポリアクリル
酸アンモニウム塩（固形分：４０重量％）１１２．５ｇ
と脱イオン水１８８７．５ｇを混合して、酸化セリウム
粒子濃度１重量％、アニオン系水溶性高分子濃度１．８
重量％のＣＭＰ研磨剤を作製した。
【００３４】（酸化セリウム粒子のζ電位の測定）酸化
セリウム粒子のζ電位はWyatt Technology Corporation
社製のＥＳＡ−９８００で測定した（通常のζ電位計は
液を希釈しないと測定ができないが、本装置は液に高周
波の交流電流を供給することにより、濃厚状態での測定
が可能）。ζ電位測定の結果、液Ａにおける分散剤を入
れる前の酸化セリウム粒子のζ電位は、６．２mV、分散
剤を入れた後の酸化セリウム粒子のζ電位は−８８mVで
あった。また、液Ｂにおいてアニオン系水溶性高分子を
混合したときの酸化セリウム粒子のζ電位は−１７３mV
であった。
セリウム粒子のζ電位はWyatt Technology Corporation
社製のＥＳＡ−９８００で測定した（通常のζ電位計は
液を希釈しないと測定ができないが、本装置は液に高周
波の交流電流を供給することにより、濃厚状態での測定
が可能）。ζ電位測定の結果、液Ａにおける分散剤を入
れる前の酸化セリウム粒子のζ電位は、６．２mV、分散
剤を入れた後の酸化セリウム粒子のζ電位は−８８mVで
あった。また、液Ｂにおいてアニオン系水溶性高分子を
混合したときの酸化セリウム粒子のζ電位は−１７３mV
であった。
【００３５】（絶縁膜層及びシャロートレンチ分離層の
研磨）８インチＳｉ基板上にLine/Space幅が０．０５〜
５mmで高さが１０００nmのＡｌ配線Line部を形成した
後、その上にＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法で酸化珪素膜
を２０００nm形成した絶縁膜層パターンウエハを作製す
る。上記のＣＭＰ研磨剤（酸化セリウム粒子：１．０重
量％、アニオン性水溶性高分子１．８重量％、ζ電位：
−１７３mV）で、３分間研磨（定盤回転数：５０mi
n-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml／
分）した。その結果、研磨後の凸部と凹部の段差が４０
nmとなり高平坦性を示した。
研磨）８インチＳｉ基板上にLine/Space幅が０．０５〜
５mmで高さが１０００nmのＡｌ配線Line部を形成した
後、その上にＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法で酸化珪素膜
を２０００nm形成した絶縁膜層パターンウエハを作製す
る。上記のＣＭＰ研磨剤（酸化セリウム粒子：１．０重
量％、アニオン性水溶性高分子１．８重量％、ζ電位：
−１７３mV）で、３分間研磨（定盤回転数：５０mi
n-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml／
分）した。その結果、研磨後の凸部と凹部の段差が４０
nmとなり高平坦性を示した。
【００３６】また、８インチウエハ上の酸化珪素膜及び
窒化珪素膜を上記のＣＭＰ研磨剤で研磨（定盤回転数：
５０min-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００
ml／分）した結果、酸化珪素膜の研磨速度は１５０nm／
分、窒化珪素膜の研磨速度は６nm／分となり、研磨速度
比は２５であった。８インチＳｉ基板に一辺３５０nm〜
０．１mm四方の凸部、深さが４００nmの凹部を形成し、
凸部密度がそれぞれ２〜４０％となるようなシャロート
レンチ分離層パターンウエハを作製した。凸部上に酸化
窒素膜を１００nm形成し、その上にＴＥＯＳ−プラズマ
ＣＶＤ法で酸化珪素膜を５００nm成膜した。上記のＣＭ
Ｐ研磨剤で、このパターンウエハを３分間研磨（定盤回
転数：５０min-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：
２００ml／分）した。その結果、研磨後の段差は４０nm
となり、高平坦性を示した。
窒化珪素膜を上記のＣＭＰ研磨剤で研磨（定盤回転数：
５０min-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００
ml／分）した結果、酸化珪素膜の研磨速度は１５０nm／
分、窒化珪素膜の研磨速度は６nm／分となり、研磨速度
比は２５であった。８インチＳｉ基板に一辺３５０nm〜
０．１mm四方の凸部、深さが４００nmの凹部を形成し、
凸部密度がそれぞれ２〜４０％となるようなシャロート
レンチ分離層パターンウエハを作製した。凸部上に酸化
窒素膜を１００nm形成し、その上にＴＥＯＳ−プラズマ
ＣＶＤ法で酸化珪素膜を５００nm成膜した。上記のＣＭ
Ｐ研磨剤で、このパターンウエハを３分間研磨（定盤回
転数：５０min-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：
２００ml／分）した。その結果、研磨後の段差は４０nm
となり、高平坦性を示した。
【００３７】比較例１ （絶縁膜層及びシャロートレンチ分離層の研磨）上記、
実施例１と同様の絶縁膜層パターンウエハを、上記の液
Ａ（酸化セリウム粒子：１．０重量％ζ電位：−８８m
V）で、３分間研磨（定盤回転数：５０min-1、研磨荷
重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml／分）した。そ
の結果、研磨後の凸部と凹部の段差が１００nmとなっ
た。
実施例１と同様の絶縁膜層パターンウエハを、上記の液
Ａ（酸化セリウム粒子：１．０重量％ζ電位：−８８m
V）で、３分間研磨（定盤回転数：５０min-1、研磨荷
重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml／分）した。そ
の結果、研磨後の凸部と凹部の段差が１００nmとなっ
た。
【００３８】また、８インチウエハ上の酸化珪素膜及び
窒化珪素膜を液Ａで研磨（定盤回転数：５０min-1、研
磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml／分）した
結果、酸化珪素膜の研磨速度は５７０nm／分、窒化珪素
膜の研磨速度は６１nm／分となり、研磨速度比は９．３
であった。また、上記実施例１と同様のシャロートレン
チ分離層パターンウエハを、定盤上に上記の液Ａで、３
分間研磨（定盤回転数：５０min-1、研磨荷重：３０kP
a、研磨剤供給量：２００ml／分）した。その結果、凸
部上の窒化珪素膜を過剰研磨し、研磨後の段差は１００
nmであった。
窒化珪素膜を液Ａで研磨（定盤回転数：５０min-1、研
磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml／分）した
結果、酸化珪素膜の研磨速度は５７０nm／分、窒化珪素
膜の研磨速度は６１nm／分となり、研磨速度比は９．３
であった。また、上記実施例１と同様のシャロートレン
チ分離層パターンウエハを、定盤上に上記の液Ａで、３
分間研磨（定盤回転数：５０min-1、研磨荷重：３０kP
a、研磨剤供給量：２００ml／分）した。その結果、凸
部上の窒化珪素膜を過剰研磨し、研磨後の段差は１００
nmであった。
【００３９】比較例２ （絶縁膜層及びシャロートレンチ分離層の研磨）上記、
実施例１と同様の絶縁膜層パターンウエハを、定盤上に
市販のシリカスラリ（ＳｉＯ2粒子：１２．５重量％）
で、３分間研磨（定盤回転数：５０min-1、研磨荷重：
２５kPa、研磨剤供給量：２００ml／分）した。その結
果、研磨後の凸部と凹部の段差が１００nmとなった。
実施例１と同様の絶縁膜層パターンウエハを、定盤上に
市販のシリカスラリ（ＳｉＯ2粒子：１２．５重量％）
で、３分間研磨（定盤回転数：５０min-1、研磨荷重：
２５kPa、研磨剤供給量：２００ml／分）した。その結
果、研磨後の凸部と凹部の段差が１００nmとなった。
【００４０】また、８インチウエハ上の酸化珪素膜及び
窒化珪素膜を上記シリカスラリで研磨（定盤回転数：５
０min-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml
／分）した結果、酸化珪素膜の研磨速度は２００nm／
分、窒化珪素膜の研磨速度は６０nm／分となり、研磨速
度比は３．３であった。また、上記実施例１と同様のシ
ャロートレンチ分離層パターンウエハを、定盤上に上記
シリカスラリで、３分間研磨（定盤回転数：５０mi
n-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml／
分）した。その結果、凸部上の窒化珪素膜を過剰研磨
し、研磨後の段差は１２０nmであった。
窒化珪素膜を上記シリカスラリで研磨（定盤回転数：５
０min-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml
／分）した結果、酸化珪素膜の研磨速度は２００nm／
分、窒化珪素膜の研磨速度は６０nm／分となり、研磨速
度比は３．３であった。また、上記実施例１と同様のシ
ャロートレンチ分離層パターンウエハを、定盤上に上記
シリカスラリで、３分間研磨（定盤回転数：５０mi
n-1、研磨荷重：３０kPa、研磨剤供給量：２００ml／
分）した。その結果、凸部上の窒化珪素膜を過剰研磨
し、研磨後の段差は１２０nmであった。
【００４１】
【発明の効果】請求項１〜５記載のＣＭＰ研磨剤は、酸
化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨でき、
酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高平坦化
が可能なものである。請求項６記載の基板の研磨方法
は、酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨
でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高
平坦化が可能なものである。
化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨でき、
酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高平坦化
が可能なものである。請求項６記載の基板の研磨方法
は、酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨
でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高
平坦化が可能なものである。
Claims (6)
- 【請求項１】 酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系
水溶性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤において、酸化
セリウム粒子のζ電位が−２５０〜−１２０mVであるＣ
ＭＰ研磨剤。 - 【請求項２】 酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系
水溶性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤において、アニ
オン系水溶性高分子と酸化セリウム粒子が水素結合を介
し付着している請求項１記載のＣＭＰ研磨剤。 - 【請求項３】 酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系
水溶性高分子及び水を含むＣＭＰ研磨剤が、酸化セリウ
ム粒子、分散剤及び水を含む液Ａ及びアニオン系水溶性
高分子と水を含む液Ｂとの混合液である請求項１又は２
記載のＣＭＰ研磨剤。 - 【請求項４】 酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む
液Ａにおいて、酸化セリウム粒子のζ電位が−１００〜
０mVである請求項３記載のＣＭＰ研磨剤。 - 【請求項５】 酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む
液Ａにおいて、分散剤を加える前の酸化セリウム粒子の
ζ電位が０〜３０mVである請求項３又は４記載のＣＭＰ
研磨剤。 - 【請求項６】 研磨する膜を形成した基盤を研磨定盤と
研磨布に押し当て加圧し、請求項１〜５記載のＣＭＰ研
磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基盤と研
磨定盤を動かして研磨する基盤の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177702A JP2001358100A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177702A JP2001358100A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358100A true JP2001358100A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18679252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000177702A Pending JP2001358100A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358100A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004297035A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤、研磨方法及び電子部品の製造方法 |
| WO2006035779A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP2006318952A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| WO2008032794A1 (fr) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Agent de polissage cmp, solution additive pour agent de polissage cmp, et procédé pour polir le substrat en utilisant l'agent de polissage et la solution additive |
| JP2008187191A (ja) * | 2008-02-25 | 2008-08-14 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| US20100147799A1 (en) * | 2004-12-28 | 2010-06-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing method |
-
2000
- 2000-06-14 JP JP2000177702A patent/JP2001358100A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004297035A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤、研磨方法及び電子部品の製造方法 |
| WO2006035779A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| KR100985609B1 (ko) * | 2004-09-28 | 2010-10-05 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Ｃｍｐ연마제 |
| CN101333418B (zh) * | 2004-09-28 | 2011-05-25 | 日立化成工业株式会社 | Cmp抛光剂以及衬底的抛光方法 |
| US8900335B2 (en) | 2004-09-28 | 2014-12-02 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP polishing slurry and method of polishing substrate |
| US20100147799A1 (en) * | 2004-12-28 | 2010-06-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing method |
| US8592315B2 (en) * | 2004-12-28 | 2013-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing method |
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| WO2008032794A1 (fr) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Agent de polissage cmp, solution additive pour agent de polissage cmp, et procédé pour polir le substrat en utilisant l'agent de polissage et la solution additive |
| JP5186707B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-04-24 | 日立化成株式会社 | Ｃｍｐ研磨剤、ｃｍｐ研磨剤用添加液及びこれらを用いた基板の研磨方法 |
| JP2008187191A (ja) * | 2008-02-25 | 2008-08-14 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
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