KR101631031B1 - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 가스 정류부 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 가스 정류부 및 기록 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR101631031B1
KR101631031B1 KR1020150093178A KR20150093178A KR101631031B1 KR 101631031 B1 KR101631031 B1 KR 101631031B1 KR 1020150093178 A KR1020150093178 A KR 1020150093178A KR 20150093178 A KR20150093178 A KR 20150093178A KR 101631031 B1 KR101631031 B1 KR 101631031B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
substrate
flow rate
supplied
purge
Prior art date
Application number
KR1020150093178A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160006111A (ko
Inventor
히데히로 야나이
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Publication of KR20160006111A publication Critical patent/KR20160006111A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101631031B1 publication Critical patent/KR101631031B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는, 기판 상에 형성되는 막의 특성이나 기판 면내에의 처리 균일성을 향상시킴과 함께, 제조 스루풋을 향상시키는 것이다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하는 처리실과, 기판 지지부와, 상기 기판에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 기판에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 복수 개소로부터 공급된 퍼지 가스를 균압하는 가스 균압부를 갖고, 당해 가스 균압부에서 균압된 퍼지 가스를 상기 기판 지지부의 외주단 측에 공급하고, 적어도 상기 제1 가스 혹은 제2 가스 중 어느 한쪽의 배기 컨덕턴스를 조정하는 컨덕턴스 조정부를 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 가스 정류부 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, GAS RECTIFYING UNIT AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 가스 정류부에 관한 것이다.
대규모 집적 회로(Large Scale Integrated Circuit:이하 LSI)의 고집적화에 수반하여, 회로 패턴의 미세화가 진행되고 있다.
좁은 면적에 많은 반도체 디바이스를 집적시키기 위해서는, 디바이스의 사이즈를 작게 형성해야 하고, 이를 위해서는, 형성하려고 하는 패턴의 폭과 간격을 작게 해야 한다.
최근의 미세화에 의해, 미세 구조의 매립, 특히 종방향으로 깊거나, 혹은 횡방향으로 좁은 공극 구조(홈)에의 산화물의 매립에 대해, CVD법에 의한 매립 방법이 기술 한계에 달하고 있다. 또한, 트랜지스터의 미세화에 의해, 얇고 균일한 게이트 절연막이나 게이트 전극의 형성이 요구되고 있다. 또한, 반도체 디바이스의 생산성을 높이기 위해 기판 1매당 처리 시간의 단축이 요구되고 있다.
또한, 반도체 디바이스의 생산성을 높이기 위해, 기판의 면내 전체에의 처리 균일성을 향상시키는 것이 요구되고 있다.
최근의 LSI, DRAM(Dynamic Random Access Memory)이나 Flash Memory로 대표되는 반도체 장치의 최소 가공 치수가, 30㎚ 폭보다 작아지고, 또한 막 두께도 얇아져, 품질을 유지한 상태에서, 미세화나 제조 스루풋 향상이나 기판에의 처리 균일성을 향상시키는 것이 곤란하게 되어 있다.
본 발명은 기판 상에 형성되는 막의 특성이나 기판 면내에의 처리 균일성을 향상시킴과 함께, 제조 스루풋을 향상시키는 것이 가능한 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 가스 정류부를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 형태에 따르면, 기판을 수용하는 처리 공간을 포함하는 처리실과, 상기 처리실에 설치되고, 기판 적재대를 포함하는 기판 지지부와, 상기 기판에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 기판에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 상기 처리실에 설치되고, 상기 제1 가스 공급부 또는 상기 제2 가스 공급부로부터 가스가 도입되는 가스 도입구와, 상기 가스 도입구와 상기 처리 공간의 사이에 설치되고, 상기 가스 도입구로부터 공급되는 가스가 빠져나가는 개구를 포함하는 가스 정류부와, 상기 개구에 연통되고, 상기 가스 정류부와 상기 기판 적재대의 외주와의 사이에 둘레 방향으로 구성되는 가스 유로와, 적어도 2개 이상의 가스 균압 공간을 포함하는 가스 균압부와, 상기 가스 균압 공간의 각각에 대하여 퍼지 가스의 공급량을 다르게 하여 공급하는 퍼지 가스 공급부와, 상기 가스 균압부가 설치되고, 상기 기판 적재대의 외주단의 일부에 대응하는 가스 유로의 높이가, 상기 외주단의 타부에 대응하는 가스 유로의 높이보다도 높은 경우에, 한쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 일부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량이, 다른쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 타부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량보다도 많도록 조정하는 컨덕턴스 조정부를 포함하는, 기판 처리 장치가 제공된다.
다른 형태에 따르면, 기판을 수용하는 처리 공간을 포함하는 처리실과, 상기 처리실에 설치된 기판 적재대를 포함하는 기판 지지부와, 가스를 상기 처리 공간에 도입하는 가스 도입 구멍을 포함하는 기판 처리 장치에 사용되고, 상기 가스 도입 구멍과 상기 처리 공간의 사이에 설치되는 가스 정류부로서, 상기 처리실에 설치된 개구에 연통되고, 상기 가스 정류부와 상기 기판 적재대의 외주와의 사이에 둘레 방향으로 가스 유로가 형성되도록 구성되며, 퍼지 가스 공급부에 접속되는 적어도 2개 이상의 가스 균압 공간을 포함하고, 상기 각각의 가스 균압 공간에는 상기 퍼지 가스 공급부로부터 상이한 유량의 퍼지 가스가 공급되는 가스 균압부와, 상기 가스 균압부를 포함하고, 상기 기판 적재대의 외주단의 일부에 대응하는 상기 가스 유로의 높이가, 상기 외주단의 타부에 대응하는 상기 가스 유로의 높이보다도 높은 경우에, 한쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 일부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량이, 다른쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 타부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량보다도 많아지도록 조정하는 컨덕턴스 조정부를 포함하는, 가스 정류부가 제공된다.
또 다른 형태에 따르면, 기판을, 처리 공간을 포함하는 처리실에 수용하는 공정과, 상기 기판을, 상기 처리실에 설치된 기판 지지부의 기판 적재대에 적재하는 공정과, 상기 처리실에 형성된 가스 도입구와, 상기 가스 도입구와 상기 처리 공간의 사이에 설치되고, 상기 가스 도입구로부터 공급되는 가스가 빠져나가는 개구를 포함하는 가스 정류부를 통하여 상기 기판에 제1 가스와 제2 가스 중 어느 하나, 혹은 양쪽을 공급함과 함께, 상기 개구에 연통되고, 상기 가스 정류부와 상기 기판 적재대의 외주와의 사이에 둘레 방향으로 구성된 가스 유로에 있어서, 상기 기판 적재대의 외주단의 일부에 대응하는 가스 유로의 높이가, 상기 외주단의 타부에 대응하는 가스 유로의 높이보다도 높은 경우에, 컨덕턴스 조정부에 설치된 적어도 2개 이상의 가스 균압 공간을 포함하는 가스 균압부 중, 한쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 일부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량이, 다른쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 타부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량보다도 많아지도록 조정하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
또 다른 형태에 따르면, 기판을, 처리 공간을 포함하는 처리실에 수용하는 수순과, 상기 기판을, 상기 처리실에 설치된 기판 지지부의 기판 적재대에 적재하는 수순과, 상기 처리실에 형성된 가스 도입구와, 상기 가스 도입구와 상기 처리 공간의 사이에 설치되고, 상기 가스 도입구로부터 공급되는 가스가 빠져나가는 개구를 포함하는 가스 정류부를 통하여 상기 기판에 제1 가스와 제2 가스 중 어느 하나, 혹은 양쪽을 공급함과 함께, 상기 개구에 연통되고, 상기 가스 정류부와 상기 기판 적재대의 외주와의 사이에 둘레 방향으로 구성된 가스 유로에 있어서, 상기 기판 적재대의 외주단의 일부에 대응하는 가스 유로의 높이가, 상기 외주단의 타부에 대응하는 가스 유로의 높이보다도 높은 경우에, 컨덕턴스 조정부에 설치된 적어도 2개 이상의 가스 균압 공간을 포함하는 가스 균압부 중, 한쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 일부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량이, 다른쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 타부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량보다도 많아지도록 조정하는 수순을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 저장한 기록 매체가 제공된다.
본 발명에 관한 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 가스 정류부에 따르면, 기판 상에 형성되는 막의 특성이나, 기판 면내에의 처리 균일성을 향상시킴과 함께, 제조 스루풋을 향상시키는 것이 가능해진다.
도 1은 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 일 실시 형태에 관한, 기판 적재대와 가스 정류부의 위치 관계를 나타내는 개략도이다.
도 3은 일 실시 형태에 관한 가스 정류부와 컨덕턴스 조정부의 예를 도시한 도면이다.
도 4는 일 실시 형태에 관한 가스 정류부와 컨덕턴스 조정부의 예를 도시한 도면이다.
도 5는 일 실시 형태에 관한, 컨트롤러의 개략 구성도이다.
도 6은 일 실시 형태에 관한, 기판 처리 공정의 흐름도이다.
도 7은 일 실시 형태에 관한, 기판 처리 공정의 시퀀스도이다.
도 8은 다른 실시 형태에 관한, 기판 처리 공정의 시퀀스도이다.
도 9는 다른 실시 형태에 관한, 기판 처리 공정의 시퀀스도이다.
도 10은 다른 실시 형태에 관한 가스 정류부와 컨덕턴스 조정부의 예를 도시한 도면이다.
도 11은 다른 실시 형태에 관한 가스 정류부와 컨덕턴스 조정부의 예를 도시한 도면이다.
도 12는 다른 실시 형태에 관한 가스 정류부와 컨덕턴스 조정부의 예를 도시한 도면이다.
도 13은 다른 실시 형태에 관한 가스 정류부의 구성예를 도시한 도면이다.
도 14는 다른 실시 형태에 관한 가스 정류부 지지 기구의 구성예를 도시한 도면이다.
도 15는 다른 실시 형태에 관한 가스 정류부와 컨덕턴스 조정부의 예를 도시한 도면이다.
이하에 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다.
<제1 실시 형태>
이하, 제1 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
우선, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
본 실시 형태에 관한 처리 장치(100)에 대해 설명한다. 기판 처리 장치(100)는, 절연막 또는 금속막 등을 형성하는 유닛이며, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 낱장식 기판 처리 장치로서 구성되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는 처리 용기(202)를 구비하고 있다. 처리 용기(202)는, 예를 들어 횡단면이 원형이며 편평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(202)는, 예를 들어 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료 또는, 석영에 의해 구성되어 있다. 처리 용기(202) 내에는, 기판으로서의 실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼(200)를 처리하는 처리 공간(처리실)(201), 반송 공간(203)이 형성되어 있다. 처리 용기(202)는, 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b) 사이에는 구획판(204)이 설치된다. 상부 용기(202a)에 둘러싸인 공간으로서, 구획판(204)보다도 상방의 공간을 처리 공간(201)이라 하고, 하부 용기(202b)에 둘러싸인 공간으로서, 구획판보다도 하방의 공간을 반송 공간(203)이라 한다.
하부 용기(202b)의 측면에는, 게이트 밸브(205)에 인접한 기판 반입 출구(206)가 형성되어 있고, 웨이퍼(200)는 기판 반입 출구(206)를 통해 도시하지 않은 반송실과의 사이를 이동한다. 하부 용기(202b)의 저부에는, 리프트 핀(207)이 복수 설치되어 있다. 또한, 하부 용기(202b)는 접지 전위로 되어 있다.
처리 공간(201) 내에는, 웨이퍼(200)를 지지하는 기판 지지부(210)가 설치되어 있다. 기판 지지부(210)는, 웨이퍼(200)를 적재하는 적재면(211)과, 적재면(211)을 표면에 갖는 적재대(212), 기판 적재대(212)에 내포된 가열부로서의 히터(213)를 주로 갖는다. 기판 적재대(212)에는, 리프트 핀(207)이 관통하는 관통 구멍(214)이, 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 형성되어 있다.
기판 적재대(212)는 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는, 처리 용기(202)의 저부를 관통하고 있고, 나아가서는 처리 용기(202)의 외부에서 승강 기구(218)에 접속되어 있다. 승강 기구(218)를 작동시켜 샤프트(217) 및 기판 적재대(212)를 승강시킴으로써, 적재면(211) 상에 적재되는 웨이퍼(200)를 승강시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 샤프트(217) 하단부의 주위는 벨로즈(219)에 의해 덮여 있어, 처리 공간(201) 내는 기밀하게 유지되어 있다.
기판 적재대(212)는, 웨이퍼(200)의 반송 시에는, 적재면(211)이 기판 반입 출구(206)의 위치(웨이퍼 반송 위치)로 되도록 기판 지지대까지 하강하고, 웨이퍼(200)의 처리 시에는 도 1에서 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(200)가 처리 공간(201) 내의 처리 위치(웨이퍼 처리 위치)까지 상승한다.
구체적으로는, 기판 적재대(212)를 웨이퍼 반송 위치까지 하강시켰을 때에는, 리프트 핀(207)의 상단부가 적재면(211)의 상면으로부터 돌출되어, 리프트 핀(207)이 웨이퍼(200)를 하방으로부터 지지하도록 되어 있다. 또한, 기판 적재대(212)를 웨이퍼 처리 위치까지 상승시켰을 때에는, 리프트 핀(207)은 적재면(211)의 상면으로부터 매몰되어, 적재면(211)이 웨이퍼(200)를 하방으로부터 지지하도록 되어 있다. 또한, 리프트 핀(207)은, 웨이퍼(200)와 직접 접촉하므로, 예를 들어 석영이나 알루미나 등의 재질로 형성하는 것이 바람직하다.
(배기계)
처리 공간(201)[상부 용기(202a)]의 내벽에는, 처리 공간(201)의 분위기를 배기하는 제1 배기부로서의 배기구(221)가 형성되어 있다. 배기구(221)에는 배기관(222)이 접속되어 있고, 배기관(222)에는, 처리 공간(201) 내를 소정의 압력으로 제어하는 APC(Auto Pressure Controller) 등의 압력 조정기(223), 진공 펌프(224)가 순서대로 직렬로 접속되어 있다. 주로, 배기구(221), 배기관(222), 압력 조정기(223)에 의해 배기계(배기 라인)(220)가 구성된다. 또한, 진공 펌프(224)를 배기계(배기 라인)(220)의 일부에 추가하도록 해도 된다.
(가스 도입구)
처리 공간(201)의 상부에 설치되는 후술하는 가스 정류부(234)의 상면(천장벽)에는, 처리 공간(201) 내에 각종 가스를 공급하기 위한 가스 도입구(241)가 형성되어 있다. 가스 도입구(241)에 접속되는 가스 공급계의 구성에 대해서는 후술한다.
(가스 정류부)
가스 도입구(241)와 처리 공간(201) 사이에는, 가스 정류부(234)가 설치되어 있다. 가스 정류부(234)는, 적어도 처리 가스가 빠져나가는 개구(234d)를 갖는다. 가스 정류부(234)는, 고정구(235)에 의해, 덮개(231)에 장착된다. 가스 도입구(241)는 덮개(231)에 접속되고, 가스 도입구(241)로부터 도입되는 가스는 덮개(231)에 형성된 구멍(231a)과 가스 정류부(234)를 통해 웨이퍼(200)에 공급된다. 또한, 가스 정류부(234)는, 챔버 리드 어셈블리의 측벽으로 되도록 구성해도 된다. 또한, 가스 도입구(241)는, 가스 분산 채널로서도 기능하고, 공급되는 가스가, 기판의 전체 둘레에 분산된다.
여기서, 발명자들은, 웨이퍼(200) 사이즈의 대형화나, 웨이퍼(200)에 형성되는 반도체 디바이스 구조의 미세화·구조의 복잡화 등에 수반하여, 웨이퍼(200)에의 처리 균일성이 저하되는 원인으로서, 도 2에 도시하는 바와 같은, 가스 정류부(234)와 기판 적재대(212)의 평행도가 미소하게 어긋나 있는(동일한 평행면에 없는) 것을 발견하였다. 여기에서 평행도란, 가스 정류부(234)와 기판 적재대(212)의 외주 사이에 둘레 방향으로 구성된 가스 유로(251)의 높이를 나타낸다. 이 평행도의 어긋남에 의해, 웨이퍼(200)의 외주의 둘레 방향에서의 컨덕턴스가 서로 다른 영역이 발생하여, 가스의 공급이나 배기가 균일해지지 않는다. 또한, 기판이 450㎜ 등으로 대형화되면, 이 평행도를 정밀하게 조정하는 것이 보다 곤란해진다. 예를 들어, 도 2의 좌측에 나타내는 가스 정류부(234)와 기판 적재대(212)의 거리 X가, 도 2의 우측에 나타내는 거리 Y보다도 짧은 경우가 있다. 거리 X는, 기판 적재대(212)의 외주의 일부에 대응하는 가스 유로(251a)의 높이이다. 거리 Y는, 가스 유로(251) 중, 가스 유로(251a)와는 다른 부분(타부)에 대응하는 가스 유로(251b)의 높이이다. 예를 들어, 가스 정류부(234)와 기판 적재대(212)의 거리는, 0.5㎜∼5㎜로 조정되고, 예를 들어 2㎜ 정도 설정하였다고 해도, 거리 X가 1.8㎜이며 거리 Y가 2.2㎜로 되는 경우가 있다. 이 경우, 가스 도입구(241)로부터 공급되는 가스는, 거리 X측보다도 거리 Y측에 많이 흐르게 된다. 즉, 거리 X측의 가스의 흐름 용이성(컨덕턴스)이 거리 Y측의 컨덕턴스보다도 작아진다. 이 결과, 거리 X측의 막 두께는 거리 Y측보다도 얇아진다. 또한, 막 두께가 동일하도록 형성된 경우라도, 막질이 거리 X측과 거리 Y측에서 다르도록 형성되는 경우가 있다. 거리 X와 거리 Y의 차는, 0.1㎜ 단위라도, 웨이퍼(200)의 처리 균일성에 영향을 미친다. 이러한 처리 균일성이 악화되는 과제를 해결하는 방법으로서, 발명자들은, 가스 정류부(234)의 외주측의 가스 흐름 용이성(컨덕턴스)을 조정하는 것을 생각하고, 컨덕턴스 조정부를 설치함으로써, 외주측의 컨덕턴스를 조정하는 것을 발견하였다.
(컨덕턴스 조정부)
컨덕턴스 조정부는, 예를 들어 가스 정류부(234)에, 도 1, 도 2, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같이, 균압부 구획판(301a, 301b), 가스 균압부로서의 제1 가스 균압 공간(302a), 제2 가스 균압 공간(302b), 제1 가스 도입 구멍(303a), 제2 가스 도입 구멍(303b), 제1 퍼지 노즐(304a), 제2 퍼지 노즐(304b)이 형성됨으로써 구성된다.
균압부 구획판(301a, 301b)으로 구획된 제1 가스 균압 공간(302a)에 제1 가스 도입 구멍(303a)과 복수의 제1 퍼지 노즐(304a)이 설치되고, 제2 가스 균압 공간(302b)에, 제2 가스 도입 구멍(303b)과 복수의 제2 퍼지 노즐(304b)이 설치되도록 구성된다. 제1 가스 도입 구멍(303a)으로부터 제1 가스 균압 공간(302a)에 공급된 퍼지 가스는, 제1 가스 균압 공간(302a)의 영역 전체에 확산되고, 복수의 제1 퍼지 노즐(304a)에 균등한 압력으로 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(200)의 외주에 균일하게 퍼지 가스가 공급된다. 또한, 제2 가스 도입 구멍(303b)으로부터 공급된 퍼지 가스는, 제2 가스 균압 공간(302b)의 영역 전체에 확산되고, 복수의 제2 퍼지 노즐(304b)에 균등한 압력으로 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(200)의 외주에 균일하게 퍼지 가스가 공급된다.
도 3은 도 1 및 도 2의 가스 정류부(234)를 A-A 방향에서 본 상면 단면도이며, 도 4는 도 1 및 도 2의 가스 정류부(234)를 B-B(하방) 방향에서 본 도면이다.
제1 가스 도입 구멍(303a), 제2 가스 도입 구멍(303b)에는, 퍼지 가스가 공급되고, 기판 적재대(212)의 상면 단부에 퍼지 가스를 공급 가능하게 구성된다. 퍼지 가스로서는, 기판이나 후술하는 제1 처리 가스·제2 처리 가스와 반응하기 어려운 가스가 사용된다. 예를 들어, 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스, 네온 가스, 크세논 가스 등이 사용된다.
제1 가스 도입 구멍(303a), 제2 가스 도입 구멍(303b)에는, 동일한 유량의 퍼지 가스가 공급되도록 구성해도 되고, 서로 다른 유량의 퍼지 가스를 공급해도 된다. 예를 들어, 기판 적재대(212)의 상면 단부와 가스 정류부(234)의 외주의 거리가, 장소에 따라 다르고, 도 2의 제1 가스 도입 구멍(303a)측의 거리가, 제2 가스 도입 구멍(303b)측의 거리보다 짧은 경우가 있다. 바꾸어 말하면, 가스 유로(251b)의 높이가 가스 유로(251a)의 높이보다 높은 경우가 있다. 이때, 웨이퍼(200)에 공급되는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스는, 제1 가스 도입 구멍(303a)측보다도 제2 가스 도입 구멍(303b)측에 많이 흐르게 될 가능성이 있어, 웨이퍼(200)에의 처리 균일성이 저하된다. 이러한 경우에는, 제2 가스 도입 구멍(303b)에의 퍼지 가스의 공급량을 제1 가스 도입 구멍(303a)에의 퍼지 가스의 공급량보다도 많게 함으로써, 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를, 웨이퍼(200)의 면내에 균일하게 공급시키는 것이 가능해진다.
제1 가스 도입 구멍(303a), 제2 가스 도입 구멍(303b)에 공급되는 가스는, 후술하는 컨덕턴스 조정 가스 공급부로부터 공급되도록 구성되어 있다.
또한, 여기에서는, 가스 균압부로서의 가스 균압 공간을 2개 형성하여, 기판 적재대(212)의 외주 단부의 퍼지 가스가 공급되는 영역을 2개로 하는(2분할하는) 예를 나타냈지만, 이것에 한정하는 것이 아니라, 가스 균압부를 3, 4개 형성하여, 3분할, 4분할과 같이, 많은 영역을 구성하도록 해도 된다. 다분할로 구성함으로써, 각 영역에서의 가스 유량 제어를 할 수 있어, 웨이퍼(200)의 외주에서의 컨덕턴스의 조정을 미세하게 행할 수 있어, 웨이퍼(200)에의 처리 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 10에 도시하는 바와 같이 균압부 구획판(301a, 301b)을 설치하지 않고 가스 균압부를 단일의 공간으로 구성해도 된다.
또한, 여기에서는, 제1 가스 도입 구멍(303a), 제2 가스 도입 구멍(303b)으로 2개소에 형성하였지만, 3개소, 4개소로 복수 형성해도 된다. 또한, 도 11과 같이 균압부 구획판(301a, 301b)을 설치하지 않고 가스 균압부를 단일의 공간으로 구성한 상태에서, 1개소에 제1 가스 도입 구멍(303a)을 형성하여, 가스 균압부(302a) 전체 둘레에 가스가 공급되도록 구성해도 된다.
또한, 도 4에 도시하는 바와 같이, 기판 적재대(212)의 외주와 대향하는 가스 정류부 에지면(305)을 기판 적재대(212)와 평행해지도록 구성함으로써, 웨이퍼(200)의 외주측에서의 흐름(컨덕턴스)을 균일하게 할 수 있다.
(공급계)
가스 정류부(234)에 접속된 가스 도입구(241)에는, 공통 가스 공급관(242)이 접속되어 있다. 공통 가스 공급관(242)에는, 제1 가스 공급관(243a), 제2 가스 공급관(244a), 제3 가스 공급관(245a), 클리닝 가스 공급관(248a)이 접속되어 있다.
제1 가스 공급관(243a)을 포함하는 제1 가스 공급계로부터는 제1 원소 함유 가스(제1 처리 가스)가 주로 공급되고, 제2 가스 공급관(244a)을 포함하는 제2 가스 공급계로부터는 주로 제2 원소 함유 가스(제2 처리 가스)가 공급된다. 제3 가스 공급관(245a)을 포함하는 제3 가스 공급계로부터는, 웨이퍼를 처리할 때에는 주로 퍼지 가스가 공급되고, 처리실을 클리닝할 때에는 클리닝 가스가 주로 공급된다.
(제1 가스 공급계)
제1 가스 공급관(243a)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제1 가스 공급원(243b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(243c) 및 개폐 밸브인 밸브(243d)가 설치되어 있다.
제1 가스 공급원(243b)으로부터, 제1 원소를 함유하는 가스(제1 처리 가스)가 공급되고, 매스 플로우 컨트롤러(243c), 밸브(243d), 제1 가스 공급관(243a), 공통 가스 공급관(242)을 통해 가스 정류부(234)에 공급된다.
제1 처리 가스는, 원료 가스, 즉, 처리 가스의 하나이다.
여기서, 제1 원소는, 예를 들어 실리콘(Si)이다. 즉, 제1 처리 가스는, 예를 들어 실리콘 함유 가스이다. 실리콘 함유 가스로서는, 예를 들어 디클로로실란[Dichlorosilane(SiH2Cl2):DCS] 가스를 사용할 수 있다. 또한, 제1 처리 가스의 원료는, 상온 상압에서 고체, 액체 및 기체 중 어느 것이어도 된다. 제1 처리 가스의 원료가 상온 상압에서 액체인 경우에는, 제1 가스 공급원(243b)과 매스 플로우 컨트롤러(243c) 사이에, 도시하지 않은 기화기를 설치하면 된다. 여기에서는 원료는 기체로서 설명한다.
제1 가스 공급관(243a)의 밸브(243d)보다도 하류측에는, 제1 불활성 가스 공급관(246a)의 하류단이 접속되어 있다. 제1 불활성 가스 공급관(246a)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 불활성 가스 공급원(246b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(246c) 및 개폐 밸브인 밸브(246d)가 설치되어 있다.
여기서, 불활성 가스는, 예를 들어 질소(N2) 가스이다. 또한, 불활성 가스로서, N2 가스 외에, 예를 들어 헬륨(He) 가스, 네온(Ne) 가스, 아르곤(Ar) 가스 등의 희가스를 사용할 수 있다.
주로, 제1 가스 공급관(243a), 매스 플로우 컨트롤러(243c), 밸브(243d)에 의해, 제1 원소 함유 가스 공급계(실리콘 함유 가스 공급계라고도 함)가 구성된다.
또한, 주로, 제1 불활성 가스 공급관(246a), 매스 플로우 컨트롤러(246c) 및 밸브(246d)에 의해 제1 불활성 가스 공급계가 구성된다. 또한, 불활성 가스 공급원(246b), 제1 가스 공급관(243a)을, 제1 불활성 가스 공급계에 포함하여 생각해도 된다.
나아가서는, 제1 가스 공급원(243b), 제1 불활성 가스 공급계를, 제1 원소 함유 가스 공급계에 포함하여 생각해도 된다.
(제2 가스 공급계)
제2 가스 공급관(244a)의 상류에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제2 가스 공급원(244b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(244c) 및 개폐 밸브인 밸브(244d)가 설치되어 있다.
제2 가스 공급원(244b)으로부터, 제2 원소를 함유하는 가스(이하, 「제2 처리 가스」)가 공급되고, 매스 플로우 컨트롤러(244c), 밸브(244d), 제2 가스 공급관(244a), 공통 가스 공급관(242)을 통해, 가스 정류부(234)에 공급된다.
제2 처리 가스는, 처리 가스의 하나이다. 또한, 제2 처리 가스는, 반응 가스 또는 개질 가스로서 생각해도 된다.
여기서, 제2 처리 가스는, 제1 원소와 다른 제2 원소를 함유한다. 제2 원소로서는, 예를 들어 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H) 중 1개 이상을 포함하고 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 처리 가스는, 예를 들어 질소 함유 가스인 것으로 한다. 구체적으로는, 질소 함유 가스로서는, 암모니아(NH3) 가스가 사용된다.
주로, 제2 가스 공급관(244a), 매스 플로우 컨트롤러(244c), 밸브(244d)에 의해, 제2 처리 가스 공급계가 구성된다.
또한, 제2 가스 공급관(244a)의 밸브(244d)보다도 하류측에는, 제2 불활성 가스 공급관(247a)의 하류단이 접속되어 있다. 제2 불활성 가스 공급관(247a)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 불활성 가스 공급원(247b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(247c) 및 개폐 밸브인 밸브(247d)가 설치되어 있다.
제2 불활성 가스 공급관(247a)으로부터는, 불활성 가스가, 매스 플로우 컨트롤러(247c), 밸브(247d), 제2 가스 공급관(247a)을 통해, 가스 정류부(234)에 공급된다. 불활성 가스는, 박막 형성 공정(S203∼S207)에서는 캐리어 가스 혹은 희석 가스로서 작용한다.
주로, 제2 불활성 가스 공급관(247a), 매스 플로우 컨트롤러(247c) 및 밸브(247d)에 의해 제2 불활성 가스 공급계가 구성된다. 또한, 불활성 가스 공급원(247b), 제2 가스 공급관(244a)을 제2 불활성 가스 공급계에 포함하여 생각해도 된다.
나아가서는, 제2 가스 공급원(244b), 제2 불활성 가스 공급계를, 제2 원소 함유 가스 공급계에 포함하여 생각해도 된다.
(제3 가스 공급계)
제3 가스 공급관(245a)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제3 가스 공급원(245b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(245c) 및 개폐 밸브인 밸브(245d)가 설치되어 있다.
제3 가스 공급원(245b)으로부터, 퍼지 가스로서의 불활성 가스가 공급되고, 매스 플로우 컨트롤러(245c), 밸브(245d), 제3 가스 공급관(245a), 공통 가스 공급관(242)을 통해 가스 정류부(234)에 공급된다.
여기서, 불활성 가스는, 예를 들어 질소(N2) 가스이다. 또한, 불활성 가스로서, N2 가스 외에, 예를 들어 헬륨(He) 가스, 네온(Ne) 가스, 아르곤(Ar) 가스 등의 희가스를 사용할 수 있다.
주로, 제3 가스 공급관(245a), 매스 플로우 컨트롤러(245c), 밸브(245d)에 의해, 제3 가스 공급계(퍼지 가스 공급계라고도 함)가 구성된다.
(클리닝 가스 공급계)
클리닝 가스 공급관(243a)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 클리닝 가스원(248b), 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(248c), 밸브(248d), 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(250)이 설치되어 있다.
클리닝 가스원(248b)으로부터, 클리닝 가스가 공급되고, MFC(248c), 밸브(248d), RPU(250), 클리닝 가스 공급관(248a), 공통 가스 공급관(242)을 통해 가스 정류부(234)에 공급된다.
클리닝 가스 공급관(248a)의 밸브(248d)보다도 하류측에는, 제4 불활성 가스 공급관(249a)의 하류단이 접속되어 있다. 제4 불활성 가스 공급관(249a)에는, 상류 방향으로부터 순서대로, 제4 불활성 가스 공급원(249b), MFC(249c), 밸브(249d)가 설치되어 있다.
또한, 주로, 클리닝 가스 공급관(248a), MFC(248c) 및 밸브(248d)에 의해 클리닝 가스 공급계가 구성된다. 또한, 클리닝 가스원(248b), 제4 불활성 가스 공급관(249a), RPU(250)를, 클리닝 가스 공급계에 포함하여 생각해도 된다.
또한, 제4 불활성 가스 공급원(249b)으로부터 공급되는 불활성 가스를, 클리닝 가스의 캐리어 가스 혹은 희석 가스로서 작용하도록 공급해도 된다.
클리닝 가스원(248b)으로부터 공급되는 클리닝 가스는, 클리닝 공정에서는 가스 정류부(234)나 처리실(201)에 부착된 부생성물 등을 제거하는 클리닝 가스로서 작용한다.
여기서, 클리닝 가스는, 예를 들어 3불화질소(NF3) 가스이다. 또한, 클리닝 가스로서, 예를 들어 불화수소(HF) 가스, 3불화염소가스(ClF3) 가스, 불소(F2) 가스 등을 사용해도 되고, 또한 이들을 조합하여 사용해도 된다.
(컨덕턴스 조정 가스 공급부)
도 1에 도시하는 바와 같이, 컨덕턴스 조정부에, 퍼지 가스를 공급하는 컨덕턴스 조정 가스 공급계가 설치된다.
컨덕턴스 조정 가스 공급부는, 적어도, 가스 공급관(400a), 밸브(401a), MFC(402a)로 구성된다. 컨덕턴스 조정 가스 공급계에, 가스원(403a)을 추가해도 된다. 가스원(403a)으로부터 공급된 가스는, MFC(402a)에서 유량 조정된 후, 밸브(401a)를 통과하고, 가스 공급관(400a)을 통해, 제1 가스 도입 구멍(303a)에 공급되도록 구성된다.
또한, MFC(402b), 밸브(401b), 가스 공급관(400b)을 추가해도 된다. 또한, 가스원(403b)을 추가해도 된다.
상술한 예와 같이, 균압부 구획판을 많이 설치하여 가스 균압부를 분할하고, 가스 균압부마다 컨덕턴스 조정 가스 공급부를 설치하여 MFC에서 가스 유량을 제어함으로써, 가스 균압부마다 컨덕턴스를 조정할 수 있다.
(제어부)
도 1에 도시하는 바와 같이 기판 처리 장치(100)는, 기판 처리 장치(100)의 각 부의 동작을 제어하는 컨트롤러(121)를 갖고 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해, CPU(121a)와 데이터 교환 가능하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)나, 외부 기억 장치(283)가 접속 가능하게 구성되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로그램 레시피 등이 판독 가능하게 저장되어 있다. 또한, 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에 있어서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로그램 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 단순히 프로그램이라고도 한다. 또한, 본 명세서에 있어서 프로그램이라 하는 말을 사용한 경우에는, 프로그램 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 게이트 밸브(205), 승강 기구(218), 압력 조정기(223), 진공 펌프(224), 리모트 플라즈마 유닛(250), MFC(243c, 244c, 245c, 246c, 247c, 248c, 249c, 402a, 402b), 밸브(243d, 244d, 245d, 246d, 247d, 248d, 249d, 401a, 401b), 히터(213) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터의 제어 프로그램을 판독하여 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(121c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 그리고, CPU(121a)는, 판독된 프로세스 레시피의 내용을 따르도록, 게이트 밸브(205)의 개폐 동작, 승강 기구(218)의 승강 동작, 압력 조정기(223)의 압력 조정 동작, 진공 펌프(224)의 온/오프 제어, 리모트 플라즈마 유닛(250)의 가스 여기 동작, MFC(243c, 244c, 245c, 246c, 247c, 248c, 249c, 402a, 402b)의 유량 조정 동작, 밸브(243d, 244d, 245d, 246d, 247d, 248d, 249d, 401a, 401b)의 가스의 온/오프 제어, 히터(213)의 온도 제어 등을 제어하도록 구성되어 있다.
또한, 컨트롤러(121)는, 전용의 컴퓨터로서 구성되어 있는 경우에 한정하지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 자기 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)(283)를 준비하고, 이러한 외부 기억 장치(283)를 사용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해, 본 실시 형태에 관한 컨트롤러(121)를 구성할 수 있다. 또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(283)를 통해 공급하는 경우에 한정하지 않는다. 예를 들어, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용하여, 외부 기억 장치(283)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(283)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 단순히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기록 매체라 하는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(283) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
(2) 기판 처리 공정
다음으로, 기판 처리 공정의 예에 대해, 반도체 디바이스의 제조 공정의 하나인, DCS 가스 및 NH3(암모니아) 가스를 사용하여 실리콘 질화(SixNy)막을 형성하는 예를 들어 설명한다.
도 6은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 의해 실시되는 기판 처리의 일례를 나타내는 시퀀스도이다. 도시한 예는, 플라즈마를 이용한 처리를 행하여, 기판으로서의 웨이퍼(200) 상에 실리콘 질화(SixNy)막을 형성하는 경우의 시퀀스 동작을 나타내고 있다.
(기판 반입 공정 S201)
성막 처리 시에는, 우선, 웨이퍼(200)를 처리실(201)에 반입시킨다. 구체적으로는, 기판 지지부(210)를 승강 기구(218)에 의해, 하강시키고, 리프트 핀(207)이, 관통 구멍(214)으로부터 기판 지지부(210)의 상면측으로 돌출시킨 상태로 한다. 또한, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 압력 조절한 후, 게이트 밸브(205)를 개방하고, 게이트 밸브(205)로부터 리프트 핀(207) 상에 웨이퍼(200)를 적재시킨다. 웨이퍼(200)를 리프트 핀(207) 상에 적재시킨 후, 승강 기구(218)에 의해 기판 지지부(210)를 소정의 위치까지 상승시킴으로써, 웨이퍼(200)가, 리프트 핀(207)으로부터 기판 지지부(210)에 적재되게 된다.
(감압·승온 공정 S202)
계속해서, 처리실(201) 내가 소정의 압력(진공도)으로 되도록, 배기관(222)을 통해 처리실(201) 내를 배기한다. 이때, 압력 센서가 측정한 압력값에 기초하여, 압력 조정기(223)로서의 APC 밸브의 밸브 개방도를 피드백 제어한다. 또한, 온도 센서(도시하지 않음)가 검출한 온도값에 기초하여, 처리실(201) 내가 소정의 온도로 되도록, 히터(213)에의 통전량을 피드백 제어한다. 구체적으로는, 서셉터를 미리 가열해 두고, 웨이퍼(200) 또는 서셉터의 온도 변화가 없어지고 나서 일정시간 둔다. 그 동안, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 수분 혹은 부재로부터의 탈가스 등을 진공 배기나 N2 가스의 공급에 의한 퍼지에 의해 제거한다. 이것으로 성막 프로세스 전의 준비가 완료되게 된다.
(제1 처리 가스 공급 공정 S203)
계속해서, 도 7에 도시하는 바와 같이, 제1 처리 가스 공급계로부터 처리실(201) 내에 제1 처리 가스(원료 가스)로서의 DCS 가스를 공급한다. 또한, 배기계에 의한 처리실(201) 내의 배기를 계속하고 처리실(201) 내의 압력을 소정의 압력(제1 압력)으로 되도록 제어한다. 구체적으로는, 제1 가스 공급관(243a)의 밸브(243d), 제1 불활성 가스 공급관(246a)의 밸브(246d)를 개방하고, 제1 가스 공급관(243a)에 DCS 가스, 제1 불활성 가스 공급관(246a)에 N2 가스를 흘린다. DCS 가스는, 제1 가스 공급관(243a)으로부터 흐르고, MFC(243c)에 의해 유량 조정된다. N2 가스는, 제1 불활성 가스 공급관(246a)으로부터 흐르고, MFC(246c)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 DCS 가스는, 유량 조정된 N2 가스와 제1 가스 공급관(243a) 내에서 혼합되어, 가스 정류부(234)로부터, 가열된 감압 상태의 처리실(201) 내에 공급되고, 배기관(222)으로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대해 DCS 가스가 공급되게 된다[원료 가스(DCS) 공급 공정]. DCS 가스는, 소정의 압력(제1 압력:예를 들어 100㎩ 이상 10000㎩ 이하)으로 처리실(201) 내에 공급한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(200)에 DCS를 공급한다. DCS가 공급됨으로써, 웨이퍼(200) 상에, 실리콘 함유층이 형성된다. 실리콘 함유층이라 함은, 실리콘(Si) 또는, 실리콘과 염소(Cl)를 포함하는 층을 말한다.
또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 제1 가스 도입 구멍(303a), 제2 가스 도입 구멍(303b)에 퍼지 가스의 공급을 개시한다. 본 실시 형태의 도 7에서는, 원료 가스의 공급 개시와 동시에 퍼지 가스의 공급을 개시하고 있지만, 원료 가스의 공급 전에 공급되도록 구성해도 된다. 또한, 원료 가스의 공급 후에 지연시켜 공급하도록 구성해도 된다. 퍼지 가스의 공급은, 제1 처리 가스의 공급 공정 S203이나 후술하는 퍼지 공정 S206까지 계속시킨다. 퍼지 가스의 유량은, 도 7에 도시하는 바와 같이, 제1 처리 가스 공급 공정 S203과 제2 처리 가스 공급 공정 S205의 유량을, 퍼지 공정 S204·S206의 유량보다도 많아지도록 제어한다. 이와 같이 구성함으로써, 기판(200) 단부에서의 컨덕턴스를 조정하면서, 퍼지 공정 S204에서의 제1 처리 가스의 제거의 저해를 억제하고, 퍼지 공정 S206에서의 제2 처리 가스의 제거의 저해를 억제할 수 있다. 또한, 퍼지 가스를 상시적으로 공급함으로써, 제1 퍼지 노즐(304a)이나 제2 퍼지 노즐(304b)로부터 가스가 역류하여, 퍼지 노즐이나 가스 균압부 내에서의 부생성물의 발생을 억제시킬 수 있다.
(퍼지 공정 S204)
웨이퍼(200) 상에 실리콘 함유층이 형성된 후, 제1 가스 공급관(243a)의 밸브(243d)를 폐쇄하고, DCS 가스의 공급을 정지한다. 이때, 배기관(222)의 APC 밸브(223)는 개방된 상태로 하고, 진공 펌프(224)에 의해 처리실(201) 내를 진공 배기하고, 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 혹은 실리콘 함유층 형성에 기여한 후의 DCS 가스를 처리실(201) 내로부터 배제한다. 또한, 밸브(246d)는 개방된 상태로 하여, 불활성 가스로서의 N2 가스의 처리실(201) 내에의 공급을 유지해도 된다. 밸브(246d)로부터 계속해서 공급되는 N2 가스는, 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해, 제1 가스 공급관(243a), 공통 가스 공급관(242), 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 혹은 실리콘 함유층 형성에 기여한 후의 DCS 가스를 배제하는 효과를 더욱 높일 수 있다.
또한, 이때, 처리실(201) 내나, 가스 정류부(234) 내에 잔류하는 가스를 완전히 배제[처리실(201) 내를 완전히 퍼지]하지 않아도 된다. 처리실(201) 내에 잔류하는 가스가 미량이면, 그 후에 행해지는 공정에 있어서 악영향이 발생하는 일은 없다. 이때 처리실(201) 내에 공급하는 N2 가스의 유량도 대유량으로 할 필요는 없고, 예를 들어 처리실(201)의 용적과 동일한 정도의 양을 공급함으로써, 다음 공정에 있어서 악영향이 발생하지 않는 정도의 퍼지를 행할 수 있다. 이와 같이, 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않음으로써, 퍼지 시간을 단축하여, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, N2 가스의 소비도 필요 최소한으로 억제하는 것이 가능해진다.
이때의 히터(213)의 온도는, 웨이퍼(200)에의 원료 가스 공급 시와 마찬가지로 300∼650℃, 바람직하게는 300∼600℃, 보다 바람직하게는 300∼550℃의 범위 내의 일정한 온도로 되도록 설정한다. 각 불활성 가스 공급계로부터 공급하는 퍼지 가스로서의 N2 가스의 공급 유량은, 각각 예를 들어 100∼20000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 퍼지 가스로서는, N2 가스 외에, Ar, He, Ne, Xe 등의 희가스를 사용해도 된다.
(제2 처리 가스 공급 공정 S205)
처리실(201) 내의 DCS 잔류 가스를 제거한 후, 퍼지 가스의 공급을 정지하고, 반응 가스로서의 NH3 가스를 공급한다. 구체적으로는, 제2 가스 공급관(244a)의 밸브(244d)를 개방하고, 제2 가스 공급관(244a) 내에 NH3 가스를 흘린다. 제2 가스 공급관(244a) 내를 흐르는 NH3 가스는, MFC(244c)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 NH3 가스는 공통 가스 공급관(242)·가스 정류부(234)를 통해, 웨이퍼(200)에 공급된다. 웨이퍼(200) 상에 공급된 NH3 가스는, 웨이퍼(200) 상에 형성된 실리콘 함유층과 반응하여, 실리콘을 질화시킴과 함께, 수소, 염소, 염화수소 등의 불순물이 배출된다.
(퍼지 공정 S206)
제2 처리 가스 공급 공정 후, 반응 가스의 공급을 멈추고, 퍼지 공정 S204와 마찬가지의 처리를 행한다. 퍼지 공정을 행함으로써, 제2 가스 공급관(244a), 공통 가스 공급관(242), 처리실(201) 내 등에 잔류하는 미반응 혹은 실리콘의 질화에 기여한 후의 NH3 가스를 배제시킬 수 있다. 잔류 가스를 제거함으로써, 잔류 가스에 의한 예기치 않은 막 형성을 억제할 수 있다.
(반복 공정 S207)
이상의 제1 처리 가스 공급 공정 S203, 퍼지 공정 S204, 제2 처리 가스 공급 공정 S205, 퍼지 공정 S206 각각을 1공정씩 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에 소정의 두께의 실리콘 질화(SixNy)층이 퇴적된다. 이들 공정을 반복함으로써, 웨이퍼(200) 상의 실리콘 질화막의 막 두께를 제어할 수 있다. 소정 막 두께로 될 때까지, 소정 횟수 반복하도록 제어된다.
(기판 반출 공정 S208)
반복 공정 S207에서 소정 횟수 실시된 후, 기판 반출 공정 S208이 행해지고, 웨이퍼(200)가 처리실(201)로부터 반출된다. 구체적으로는, 반출 가능 온도까지 강온시키고, 처리실(201) 내를 불활성 가스로 퍼지하고, 반송 가능한 압력으로 압력 조절된다. 압력 조절 후, 기판 지지부(210)가 승강 기구(218)에 의해 강하되고, 리프트 핀(207)이, 관통 구멍(214)으로부터 돌출되고, 웨이퍼(200)가 리프트 핀(207) 상에 적재된다. 웨이퍼(200)가, 리프트 핀(207) 상에 적재된 후, 게이트 밸브(205)가 개방되고, 웨이퍼(200)가 처리실(201)로부터 반출된다.
(3) 본 실시 형태에 관한 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 1개 또는 복수의 효과를 발휘한다.
(a) 기판의 외주에서의 둘레 방향의 가스 흐름(컨덕턴스)을 조정할 수 있다.
(b) 둘레 방향에서의 컨덕턴스를 조정함으로써, 처리 균일성을 향상시킬 수 있다.
(c) 균압부 구획판을 늘림으로써, 둘레 방향의 컨덕턴스를 더욱 미세하게 조정할 수 있다.
(d) 제1 처리 가스 공급 공정으로부터 제2 처리 가스 공급 공정 후의 퍼지 공정까지, 컨덕턴스 조정 가스를 공급함으로써, 컨덕턴스 조정부에서의 가스의 역류를 억제하고, 컨덕턴스 조정부에서의 부생성물의 발생을 억제할 수 있다.
(e) 또한, 기판의 외주측에 퍼지 가스를 공급함으로써, 기판 상을 통과하여 배기되는 처리 가스를, 기판의 외주측에 공급된 퍼지 가스로 희석할 수 있어, 배기부에서의 부생성물의 발생을 억제할 수 있다.
<다른 실시 형태>
이상, 제1 실시 형태를 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.
예를 들어, 도 8에 도시하는 가스 공급 시퀀스예가 있다. 도 8에 가스 정류부(234)의 외주에 형성된 2개의 퍼지 영역에, 각각 서로 다른 유량으로 퍼지 가스를 공급하는 예를 도시한다. 도 2에 도시하는 바와 같은 환경에서는, 제1 퍼지 노즐(304a)측의 컨덕턴스는, 제2 퍼지 노즐(304b)측의 컨덕턴스보다도 크게 형성된다. 이에 의해, 제1 퍼지 노즐(304a)측에 흐르는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스의 유량이, 제2 퍼지 노즐(304b)측에 흐르는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스의 유량보다 많아져, 제1 퍼지 노즐(304a)측에 형성되는 막 특성과 제2 퍼지 노즐(304b)측에 형성되는 막 특성이 다르도록 형성된다. 예를 들어 제1 퍼지 노즐(304a)측의 막 두께가 두꺼워지거나, 내전압 특성이 높다. 이러한 경우, 예를 들어 제1 퍼지 노즐(304a)에 공급하는 퍼지 가스량을 제2 퍼지 노즐(304b)에 공급하는 퍼지 가스량보다도 많게 함으로써, 제1 퍼지 노즐(304a)측을 흐르는 제1 처리 가스, 제2 처리 가스, 퍼지 가스의 컨덕턴스를, 제2 퍼지 노즐(304b)측을 흐르는 제1 처리 가스, 제2 처리 가스, 퍼지 가스의 컨덕턴스에 근접시킬 수 있다. 제1 퍼지 노즐(304a)측의 컨덕턴스를 제2 퍼지 노즐(304b)측의 컨덕턴스에 근접시킴으로써, 웨이퍼(200)에 공급되는 가스량을, 둘레 방향에서 균일화시킬 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 막 특성을 균일화시킬 수 있다. 또한, 여기에서는, 제1 퍼지 노즐(304a)에 공급하는 퍼지 가스의 유량을 제2 퍼지 노즐(304b)에 공급하는 퍼지 가스의 유량보다도 많게 하는 예를 나타냈지만, 이에 한정하지 않고, 제2 퍼지 노즐(304b)의 쪽이 많아지도록 구성해도 된다.
또한, 도 9에 나타내는 바와 같이, 퍼지 공정에서, 가스 정류부(234)의 외주에 형성된 퍼지 영역에 퍼지 가스를 흘리지 않도록 구성해도 된다.
또한, 상술에서는, S203과 S205에서 컨덕턴스 조정부에의 퍼지 가스 공급량을 동일한 양으로 구성하였지만, 이것에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, S205에서의 유량과 S203에서의 유량을, 서로 다르게 하도록 구성해도 된다. 예를 들어, S205에서의 유량을 S203에서의 유량보다도 많게 한다. 상술한 제1 가스의 활성도와 제2 가스의 활성도를 비교한 경우에, 제2 가스의 쪽이, 활성도가 높은 경우가 있어, 기판(200)에의 처리 균일성에 영향을 미친다. 기판(200)의 외주의 둘레 방향의 컨덕턴스를 조정함으로써, 처리 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술에서는, 가스 정류부(234)가 어느 한쪽으로 기울어져 있는 예를 나타냈지만, 이것에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 가스 정류부(234)와 기판 적재대(212)가 평행하여도, 제1 가스와 제2 가스 중의 한쪽의 배기가 치우치는 경우가 있다. 이 배기의 치우침은, 처리실(201)의 구조나 배기구(206)의 위치 등에 따라 변화한다. 이때, 예를 들어 제1 처리 가스가, 제2 퍼지 노즐(304b)측보다도 제1 퍼지 노즐(304a)측에 많이 흐르고, 제2 처리 가스가 제1 퍼지 노즐(304a)보다도 제2 퍼지 노즐(304b)측에 많이 흐르는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 제1 처리 가스를 공급할 때에 제1 퍼지 노즐(304a)에 공급하는 퍼지 가스를 많게 하고, 제2 처리 가스를 공급할 때에 제2 퍼지 노즐(304b)에 공급하는 퍼지 가스를 많게 함으로써, 웨이퍼(200)에의 처리 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 처리 가스가 제2 퍼지 노즐(304a)측에 많이 흐르고, 제2 처리 가스가 제1 퍼지 노즐(304b)측에 많이 흐르는 경우에는, 제1 처리 가스를 공급할 때에 제2 퍼지 노즐(304b)에 퍼지 가스를 많이 공급하고, 제2 처리 가스를 공급할 때에 제1 퍼지 노즐(304a)에 퍼지 가스를 많이 공급함으로써, 처리를 균일화시킬 수 있다.
또한, 상술에서는, 가스 정류부(234)의 외주 전부에 걸쳐 제1 퍼지 노즐(304a)과 제2 퍼지 노즐(304b)을 설치하도록 구성하였지만, 이것에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 처리실의 배기구(221)가 형성되는 방향에만 노즐을 배치해도 된다.
또한, 상술에서는, 컨덕턴스 조정부의 제1 퍼지 노즐(304a)과 제2 퍼지 노즐(304b)을 원형으로 구성하였지만, 이것에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 타원 형상으로 구성해도 되고, 원호 형상으로 구성해도 된다. 또한, 직선 형상으로 구성해도 되고, 도 12에 도시하는 바와 같이, 슬릿 형상으로 구성해도 된다. 또한, 웨이퍼(200)의 형상에 맞춘 형상으로 구성해도 된다. 예를 들어, 웨이퍼의 절결 부분(노치나 오리엔테이션 플랫)의 형상과 맞도록 구성한다. 이와 같이 기판 형상과 맞도록 구성함으로써, 처리 균일성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 상술에서는, 컨덕턴스 조정부를 가스 정류부(234)에 설치한 예를 나타냈지만, 이에 한정하지 않고, 기판 적재대(212)나 구획판(204)에 컨덕턴스 조정부를 설치하도록 구성해도 된다.
또한 예의 연구한 결과, 발명자들은, 상술한 수단과는 다른 방법으로, 상술한 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.
도 13을 사용하여 상세를 설명한다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼(200)에의 처리 균일성은, 가스 정류부(234)와 기판 적재대(212)의 평행도의 영향을 받는다. 특히, 가스 정류부(234)의 평행도의 정밀도를 유지하는 것이 곤란해진다. 가스 정류부(234)의 평행도는, 가스 정류부(234)의 상면(234a)과 하면[234b(305)]의 평행에 의해 형성된다. 상면(234a)은, 적어도 웨이퍼(200)의 면적보다도 크게 형성되므로, 상면(234a)을 가공할 때, 상면(234a) 전체를, 기울기나 요철 없이 형성하는 것이 곤란해진다. 따라서, 가스 정류부(234)의 상면에, 하면(234b)의 면적과 동등한 면적을 갖는 가스 정류부 지지부(234c)를 설치하고 덮개(231)에 접속함으로써, 가스 정류부 지지부(234c)와 하면(234b)의 평행도의 정밀도를 유지하는 것이 용이해진다.
또한 예의 연구한 결과, 발명자들은, 도 14에 도시하는 가스 고정구(235)를 설치함으로써, 가스 정류부(234)의 평행도의 정밀도를 향상시킬 수 있는 것을 발견하였다.
가스 정류부를 고정하는 고정구(235)는, 고정 모재(235a), 고정부(235b), 높이 조정부(235c)를 갖는다. 고정 모재(235a)는, 고정부(235b)에 의해 덮개(231)에 고정되고, 가스 정류부(234)는, 고정 모재(235a) 상에 적재됨으로써 지지된다. 높이 조정부(235c)를 상하시킴으로써, 가스 정류부(234)의 기울기를 조정할 수 있어, 기판 적재대(212)와의 평행도를 조정할 수 있으므로, 웨이퍼(200)의 단부에서의 둘레 방향의 컨덕턴스를 조정할 수 있다.
또한 예의 연구한 결과, 발명자들은 도 15에 도시하는, 가스 정류부(234)의 외주에 제2 컨덕턴스 조정부로서의 컨덕턴스 조정 기구(500)를 설치함으로써, 웨이퍼(200)의 단부의 컨덕턴스를 조정 가능하게 되어, 처리 균일성을 향상시킬 수 있는 것을 발견하였다. 컨덕턴스 조정 기구(500)는, 가스 정류부의 외주에 매립되도록 설치된다. 컨덕턴스 조정 기구(500)의 가스 정류부(234)의 하면[234b(305)]으로부터 튀어나오는 길이를 조정함으로써, 웨이퍼(200)의 외주의 둘레 방향의 컨덕턴스를 조정할 수 있다. 또한, 여기에서는, 컨덕턴스 조정 기구(500)는, 복수의 돌기에 의해 구성하였지만 이것에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 형성하는 간격을 짧게 해도 된다. 또한, 배기구(221)가 형성되는 측에만 형성되어도 된다. 또한, 돌기 형상이 아니라, 웨이퍼(200)를 둘러싸도록 링 형상으로 구성해도 된다.
이상, 본 발명의 다른 형태를 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.
상술에서는, 반도체 장치의 제조 공정에 대해 기재하였지만, 실시 형태에 관한 발명은, 반도체 장치의 제조 공정 이외에도 적용 가능하다. 예를 들어, 액정 디바이스의 제조 공정이나, 세라믹 기판에의 플라즈마 처리 등이 있다.
또한, 상술에서는, 제1 가스(원료 가스)와 제2 가스(반응 가스)를 교대로 공급하여 성막하는 방법에 대해 기재하였지만, 다른 방법에도 적용 가능하다. 예를 들어, 원료 가스와 반응 가스의 공급 타이밍이 겹치도록 공급해도 된다.
또한, 원료 가스와 반응 가스를 공급하여 CVD 성막으로 되도록 해도 된다.
또한, 상술에서는, 성막 처리에 대해 기재하였지만, 다른 처리에도 적용 가능하다. 예를 들어, 원료 가스와 반응 가스 중 어느 하나 혹은 양쪽을 사용하여, 기판 표면이나 기판에 형성된 막을 플라즈마 산화 처리나, 플라즈마 질화 처리하는 기판 처리에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 원료 가스와 반응 가스 중 어느 하나 혹은 양쪽을 사용한 열처리나, 플라즈마 어닐 처리 등의 기판 처리에도 적용할 수 있다. 플라즈마 처리의 경우, 플라즈마의 치우침이나, 활성화된 가스의 치우침을 균일화시킬 수 있다.
또한, 상술에서는, 처리 균일성을 향상시키는 것에 대해 기재하였지만 이것에 한정하는 것은 아니다. 최근에는, 웨이퍼(200)의 면내로서, 예를 들어 내주측과 외주측에서 막질이나 막 두께를 다르게 하여 성막시키는 것이 요구되고 있다. 웨이퍼(200) 외주에서의 컨덕턴스를 조정함으로써, 웨이퍼의 내주측과 외주측의 가스 컨덕턴스를 다르게 할 수 있다. 이 결과, 웨이퍼(200)의 내주측과 외주측에서 서로 다른 막질이나 서로 다른 막 두께의 막을 형성시킬 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 공정의 1사이클∼n사이클 동안에, 홀수 사이클과 짝수 사이클에서, 컨덕턴스 조정부에 공급하는 퍼지 가스의 유량을 다르게 함으로써, 웨이퍼(200)의 내주측과 외주측에서 서로 다른 막질의 막을 형성시킬 수 있다. 또는, 소정의 사이클의 도중에, 퍼지 가스 유량을 증가 혹은 감소시킴으로써, 형성할 수 있다.
<본 발명의 바람직한 형태>
이하에, 본 발명의 바람직한 형태에 대해 부기한다.
<부기 1>
일 형태에 따르면,
기판을 수용하는 처리실과,
상기 기판이 적재되는 기판 지지부와,
상기 기판에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와,
상기 기판에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와,
복수 개소로부터 공급된 퍼지 가스를 균압하는 가스 균압부가 설치되고 당해 가스 균압부에서 균압된 퍼지 가스를 상기 기판 지지부의 외주단 측에 공급하고, 적어도 상기 제1 가스 혹은 제2 가스 중 어느 한쪽의 배기 컨덕턴스를 조정하는 컨덕턴스 조정부
를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.
<부기 2>
부기 1에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 가스 균압부는 2개 이상의 가스 균압 공간을 갖는다.
<부기 3>
부기 1 또는 부기 2에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 기판 지지부의 상방에 설치되고, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스를 정류하는 가스 정류부를 갖는다.
<부기 4>
부기 1 내지 부기 3 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 컨덕턴스 조정부는, 상기 가스 정류부의 외주단에 설치된다.
<부기 5>
부기 1 내지 부기 4 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 2개 이상의 가스 균압 공간 각각에 대해 퍼지 가스의 공급량을 다르게 하여 공급하는 퍼지 가스 공급부를 갖는다.
<부기 6>
부기 1 내지 부기 5 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 가스 정류부의 하면과, 상기 기판 지지부의 상면은, 서로 다른 평행면에 형성된다.
<부기 7>
부기 1 내지 부기 6 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 제1 가스를 상기 기판에 공급하는 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에 제1 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
상기 제2 가스를 상기 기판에 공급하는 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에 상기 제1 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되어 있지 않은 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에 제2 유량으로 퍼지 가스를 공급하도록 상기 제1 가스 공급부와 상기 제2 가스 공급부와 상기 컨덕턴스 조정부를 제어하도록 구성된 제어부가 설치된다.
<부기 8>
부기 7에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 제1 유량은, 상기 제2 유량보다도 많도록 구성된다.
<부기 9>
부기 1 내지 부기 6 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 제1 가스를 상기 기판에 공급하는 공정에서는, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
상기 제2 가스를 상기 기판에 공급하는 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되어 있지 않은 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에, 제5 유량과 제6 유량으로 퍼지 가스를 공급하도록 상기 제1 가스 공급부와 상기 제2 가스 공급부와 상기 컨덕턴스 조정부를 제어하도록 구성된 제어부가 설치된다.
<부기 10>
부기 9에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 제3 유량은 상기 제4 유량보다도 많고, 상기 제4 유량은, 상기 제5 유량과 상기 제6 유량보다도 많도록 구성된다.
<부기 11>
부기 1 내지 부기 10 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 가스 정류부는, 상기 가스 정류부의 상면에 설치된 가스 정류부 지지부에 의해 상기 처리실의 덮개에 장착된다.
<부기 12>
부기 1 내지 부기 10 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 가스 정류부는, 상기 가스 정류부의 측방에 설치된 가스 정류부 고정구에 의해, 하면과 상기 기판 지지부 상면의 거리를 조정 가능하게 구성된다.
<부기 13>
부기 1 내지 부기 12 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서, 바람직하게는,
상기 가스 정류부의 하면에는, 제2 컨덕턴스 조정 기구가 설치된다.
<부기 14>
다른 형태에 따르면,
기판을 처리실에 수용하는 공정과,
상기 기판을 상기 기판 지지부에 적재하는 공정과,
상기 기판에 제1 가스를 공급하는 공정과,
상기 기판에 제2 가스를 공급하는 공정과,
복수 개소로부터 공급된 퍼지 가스를 균압하는 가스 균압부를 갖고, 당해 가스 균압부에서 균압된 퍼지 가스를 상기 기판 지지부의 외주단 측에 공급하고, 적어도 상기 제1 가스 혹은 상기 제2 가스 중 어느 한쪽의 배기 컨덕턴스를 조정하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
<부기 15>
부기 14에 기재된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 가스 균압부는, 2개 이상의 가스 균압 공간을 갖고, 상기 가스 균압 공간 각각에 공급되는 퍼지 가스 유량을 다르게 하는 공정을 갖는다.
<부기 16>
부기 14 또는 부기 15에 기재된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부 및 상기 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 상기 기판 지지부 사이에 가스 정류부를 갖고,
상기 가스 균압부를 갖는 컨덕턴스 조정부는, 상기 가스 정류부의 외주 단부에 설치된다.
<부기 17>
부기 14 내지 부기 16 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 퍼지 가스를 공급하는 공정에서는,
상기 가스 균압부는, 적어도 제1 가스 균압 공간과 제2 가스 균압 공간을 갖고, 상기 제1 가스 균압 공간과 상기 제2 가스 균압 공간에 공급되는 퍼지 가스 유량을 다르게 하도록 한다.
<부기 18>
부기 14 내지 부기 17 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 기판 지지부의 외주단에서의 둘레 방향의 컨덕턴스가 서로 다른 영역이 2개 이상 형성되고, 상기 컨덕턴스가 서로 다른 2개의 영역이 각각, 상기 분할된 가스 균압부에 대응한다.
<부기 19>
부기 14 내지 부기 18 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 가스를 공급하는 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에 제1 유량으로 퍼지 가스를 공급하는 공정과,
상기 제2 가스를 공급하는 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에 상기 제1 유량으로 상기 퍼지 가스를 공급하는 공정과,
상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되어 있지 않은 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에 상기 제2 유량으로 상기 퍼지 가스를 공급하는 공정을 갖는다.
<부기 20>
부기 19에 기재된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 유량은, 상기 제2 유량보다도 많도록 구성된다.
<부기 21>
부기 14 내지 부기 18 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 상기 퍼지 가스를 공급하는 공정을 갖고,
상기 제2 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 상기 퍼지 가스를 공급하는 공정을 갖고,
상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되어 있지 않은 공정에서, 상기 컨덕턴스 조정부에, 제5 유량과 제6 유량으로 퍼지 가스를 공급하는 공정을 갖는다.
<부기 22>
부기 21에 기재된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제3 유량은 상기 제4 유량보다도 많고, 상기 제4 유량은, 상기 제5 유량과 상기 제6 유량보다도 많게 구성된다.
<부기 23>
또 다른 형태에 따르면,
기판을 처리실에 수용시키는 수순과,
상기 기판을 상기 기판 지지부에 적재시키는 수순과,
상기 기판에 제1 가스를 공급시키는 수순과,
상기 기판에 제2 가스를 공급시키는 수순과,
복수 개소로부터 공급된 퍼지 가스를 균압하는 가스 균압부를 갖고, 당해 가스 균압부에서 균압된 퍼지 가스를 상기 기판 지지부의 외주단 측에 공급하고, 적어도 상기 제1 가스 혹은 상기 제2 가스 중 어느 한쪽의 배기 컨덕턴스를 조정시키는 수순을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 제공된다.
<부기 24>
또 다른 형태에 따르면,
기판을 처리실에 수용시키는 수순과,
상기 기판을 상기 기판 지지부에 적재시키는 수순과,
상기 기판에 제1 가스를 공급시키는 수순과,
상기 기판에 제2 가스를 공급시키는 수순과,
복수 개소로부터 공급된 퍼지 가스를 균압하는 가스 균압부를 갖고, 당해 가스 균압부에서 균압된 퍼지 가스를 상기 기판 지지부의 외주단 측에 공급하고, 적어도 상기 제1 가스 혹은 상기 제2 가스 중 어느 한쪽의 배기 컨덕턴스를 조정시키는 수순과, 균압부를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체가 제공된다.
<부기 25>
또 다른 형태에 따르면,
기판을 지지하는 기판 지지부가 설치된 처리실을 갖는 기판 처리 장치에 설치되고,
상기 기판에 공급되는 제1 가스와 제2 가스가 통과하는 개구와,
복수 개소로부터 공급된 퍼지 가스를 균압하는 가스 균압부가 설치되고 당해 가스 균압부에서 균압된 퍼지 가스를 상기 기판 지지부의 외주단 측에 공급하는 균압부 컨덕턴스 조정부
를 갖는 가스 정류부가 제공된다.
<부기 26>
부기 25에 기재된 가스 정류부로서, 바람직하게는,
상기 가스 균압부는 2개 이상의 가스 균압 공간을 갖는다.
<부기 27>
부기 25 또는 부기 26에 기재된 가스 정류부이며, 바람직하게는,
상기 컨덕턴스 조정부는, 상기 가스 정류부의 외주단에 설치된다.
<부기 28>
부기 25 내지 부기 27 중 어느 하나에 기재된 가스 정류부로서, 바람직하게는,
상기 가스 균압부는, 적어도 제1 가스 균압 공간과 제2 가스 균압 공간을 갖고, 상기 제1 가스 균압 공간과 상기 제2 가스 균압 공간에 서로 다른 유량의 퍼지 가스가 공급된다.
<부기 29>
부기 25 내지 부기 28 중 어느 하나에 기재된 가스 정류부로서, 바람직하게는,
상기 가스 정류부의 상면에 설치된 가스 정류부 지지부에 의해 상기 처리실의 덮개에 장착된다.
<부기 30>
부기 25 내지 부기 28 중 어느 하나에 기재된 가스 정류부로서, 바람직하게는,
상기 가스 정류부의 측방에 설치된 가스 정류부 고정구에 의해, 하면과 상기 기판 지지부 상면의 거리를 조정 가능하게 구성된다.
<부기 31>
부기 25 내지 부기 28 중 어느 하나에 기재된 가스 정류부로서, 바람직하게는,
상기 가스 정류부의 하면에는, 제2 컨덕턴스 조정 기구가 설치된다.
200 : 웨이퍼(기판)
201 : 처리실
202 : 처리 용기
212 : 기판 적재대
213 : 히터
221 : 배기구(제1 배기부)
234 : 가스 정류부
231 : 덮개
250 : 리모트 플라즈마 유닛(여기부)

Claims (22)

  1. 기판을 수용하는 처리 공간을 포함하는 처리실과,
    상기 처리실에 설치되고, 기판 적재대를 포함하는 기판 지지부와,
    상기 기판에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와,
    상기 기판에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와,
    상기 처리실에 설치되고, 상기 제1 가스 공급부 또는 상기 제2 가스 공급부로부터 가스가 도입되는 가스 도입구와,
    상기 가스 도입구와 상기 처리 공간의 사이에 설치되고, 상기 가스 도입구로부터 공급되는 가스가 빠져나가는 개구를 포함하는 가스 정류부와,
    상기 개구에 연통되고, 상기 가스 정류부와 상기 기판 적재대의 외주와의 사이에 둘레 방향으로 구성되는 가스 유로와,
    적어도 2개 이상의 가스 균압 공간을 포함하는 가스 균압부와,
    상기 가스 균압 공간의 각각에 대하여 퍼지 가스의 공급량을 다르게 하여 공급하는 퍼지 가스 공급부와,
    상기 가스 균압부가 설치되고,
    상기 기판 적재대의 외주단의 일부에 대응하는 가스 유로의 높이가, 상기 외주단의 타부에 대응하는 가스 유로의 높이보다도 높은 경우에,
    한쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 일부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량이, 다른쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 타부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량보다도 많도록 조정하는 컨덕턴스 조정부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 컨덕턴스 조정부는, 상기 가스 정류부의 외주단에 설치되는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제1 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 제2 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 상기 제1 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되지 않은 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제2 유량으로 퍼지 가스를 공급하도록 상기 제1 가스 공급부와 상기 제2 가스 공급부와 상기 컨덕턴스 조정부를 제어하도록 구성된 제어부가 더 설치되는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 유량이 상기 제2 유량보다도 많아지게 제어하도록 더 구성되는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 제2 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되어 있지 않은 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에, 제5 유량과 제6 유량으로 퍼지 가스를 공급하도록 상기 제1 가스 공급부와 상기 제2 가스 공급부와 상기 컨덕턴스 조정부를 제어하도록 더 구성되는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 유량은 상기 제4 유량보다도 많고, 상기 제4 유량은, 상기 제5 유량과 상기 제6 유량보다도 많아지게 제어하도록 더 구성되는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가스 정류부의 하면에는, 컨덕턴스 조정 기구가 설치되는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제1 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 제2 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 상기 제1 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되지 않은 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제2 유량으로 퍼지 가스를 공급하도록 상기 제1 가스 공급부와 상기 제2 가스 공급부와 상기 컨덕턴스 조정부를 제어하도록 구성된 제어부가 더 설치되는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 유량이, 상기 제2 유량 보다도 많아지게 제어하도록 더 구성되는, 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 제2 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되어 있지 않은 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에, 제5 유량과 제6 유량으로 퍼지 가스를 공급하도록 상기 제1 가스 공급부와 상기 제2 가스 공급부와 상기 컨덕턴스 조정부를 제어하도록 더 구성되는, 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 유량은 상기 제4 유량보다도 많고, 상기 제4 유량은, 상기 제5 유량과 상기 제6 유량보다도 많아지게 제어하도록 더 구성되는, 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 가스 정류부의 하면에는, 컨덕턴스 조정 기구가 설치되는, 기판 처리 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 제2 가스를 상기 기판에 공급하는 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에 제3 유량과 제4 유량으로 퍼지 가스를 공급하고,
    상기 기판에 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 공급되어 있지 않은 경우에, 상기 컨덕턴스 조정부에, 제5 유량과 제6 유량으로 퍼지 가스를 공급하도록 상기 제1 가스 공급부와 상기 제2 가스 공급부와 상기 컨덕턴스 조정부를 제어하도록 더 구성되는, 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제3 유량은 상기 제4 유량보다도 많고, 상기 제4 유량은, 상기 제5 유량과 상기 제6 유량보다도 많아지게 제어하도록 더 구성되는, 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 가스 정류부의 하면에는, 컨덕턴스 조정 기구가 설치되는, 기판 처리 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 가스 정류부의 하면에는, 컨덕턴스 조정 기구가 설치되는, 기판 처리 장치.
  17. 기판을 수용하는 처리 공간을 포함하는 처리실과, 상기 처리실에 설치된 기판 적재대를 포함하는 기판 지지부와, 가스를 상기 처리 공간에 도입하는 가스 도입 구멍을 포함하는 기판 처리 장치에 사용되고, 상기 가스 도입 구멍과 상기 처리 공간의 사이에 설치되는 가스 정류부로서,
    상기 처리실에 설치된 개구에 연통되고, 상기 가스 정류부와 상기 기판 적재대의 외주와의 사이에 둘레 방향으로 가스 유로가 형성되도록 구성되며,
    퍼지 가스 공급부에 접속되는 적어도 2개 이상의 가스 균압 공간을 포함하고, 상기 각각의 가스 균압 공간에는 상기 퍼지 가스 공급부로부터 상이한 유량의 퍼지 가스가 공급되는 가스 균압부와,
    상기 가스 균압부를 포함하고, 상기 기판 적재대의 외주단의 일부에 대응하는 상기 가스 유로의 높이가, 상기 외주단의 타부에 대응하는 상기 가스 유로의 높이보다도 높은 경우에, 한쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 일부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량이, 다른쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 타부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량보다도 많아지도록 조정하는 컨덕턴스 조정부를 포함하는, 가스 정류부.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 가스 정류부의 상면에 설치된 가스 정류부 지지부에 의해 상기 처리실의 덮개에 장착되는, 가스 정류부.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 가스 정류부의 측방에 설치된 가스 정류부 고정구에 의해, 상기 가스 정류부의 하면과 상기 기판 지지부 상면의 거리를 조정 가능하게 구성되는, 가스 정류부.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 가스 정류부의 하면에는, 컨덕턴스 조정 기구가 설치되는, 가스 정류부.
  21. 기판을, 처리 공간을 포함하는 처리실에 수용하는 공정과,
    상기 기판을, 상기 처리실에 설치된 기판 지지부의 기판 적재대에 적재하는 공정과,
    상기 처리실에 형성된 가스 도입구와, 상기 가스 도입구와 상기 처리 공간의 사이에 설치되고, 상기 가스 도입구로부터 공급되는 가스가 빠져나가는 개구를 포함하는 가스 정류부를 통하여 상기 기판에 제1 가스와 제2 가스 중 어느 하나, 혹은 양쪽을 공급함과 함께,
    상기 개구에 연통되고, 상기 가스 정류부와 상기 기판 적재대의 외주와의 사이에 둘레 방향으로 구성된 가스 유로에 있어서, 상기 기판 적재대의 외주단의 일부에 대응하는 가스 유로의 높이가, 상기 외주단의 타부에 대응하는 가스 유로의 높이보다도 높은 경우에,
    컨덕턴스 조정부에 설치된 적어도 2개 이상의 가스 균압 공간을 포함하는 가스 균압부 중, 한쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 일부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량이, 다른쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 타부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량보다도 많아지도록 조정하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 기판을, 처리 공간을 포함하는 처리실에 수용하는 수순과,
    상기 기판을, 상기 처리실에 설치된 기판 지지부의 기판 적재대에 적재하는 수순과,
    상기 처리실에 형성된 가스 도입구와, 상기 가스 도입구와 상기 처리 공간의 사이에 설치되고, 상기 가스 도입구로부터 공급되는 가스가 빠져나가는 개구를 포함하는 가스 정류부를 통하여 상기 기판에 제1 가스와 제2 가스 중 어느 하나, 혹은 양쪽을 공급함과 함께,
    상기 개구에 연통되고, 상기 가스 정류부와 상기 기판 적재대의 외주와의 사이에 둘레 방향으로 구성된 가스 유로에 있어서, 상기 기판 적재대의 외주단의 일부에 대응하는 가스 유로의 높이가, 상기 외주단의 타부에 대응하는 가스 유로의 높이보다도 높은 경우에,
    컨덕턴스 조정부에 설치된 적어도 2개 이상의 가스 균압 공간을 포함하는 가스 균압부 중, 한쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 일부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량이, 다른쪽의 상기 가스 균압 공간을 통하여 상기 외주단의 타부에 공급하는 퍼지 가스의 공급량보다도 많아지도록 조정하는 수순을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 저장한 기록 매체.
KR1020150093178A 2014-07-08 2015-06-30 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 가스 정류부 및 기록 매체 KR101631031B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014140494A JP5837962B1 (ja) 2014-07-08 2014-07-08 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部
JPJP-P-2014-140494 2014-07-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160006111A KR20160006111A (ko) 2016-01-18
KR101631031B1 true KR101631031B1 (ko) 2016-06-15

Family

ID=54933250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150093178A KR101631031B1 (ko) 2014-07-08 2015-06-30 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 가스 정류부 및 기록 매체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10287684B2 (ko)
JP (1) JP5837962B1 (ko)
KR (1) KR101631031B1 (ko)
CN (1) CN105261553B (ko)
TW (1) TWI584393B (ko)

Families Citing this family (226)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6107327B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP2016036018A (ja) * 2014-07-31 2016-03-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びガス供給部材
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6088083B1 (ja) * 2016-03-14 2017-03-01 株式会社東芝 処理装置及びコリメータ
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
JP6616258B2 (ja) * 2016-07-26 2019-12-04 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、蓋部カバーおよび半導体装置の製造方法
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6723116B2 (ja) * 2016-08-31 2020-07-15 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長方法
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) * 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR102493945B1 (ko) * 2017-06-06 2023-01-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Teos 유동의 독립적 제어를 통한 증착 반경방향 및 에지 프로파일 튜닝가능성
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
KR102289575B1 (ko) * 2017-08-10 2021-08-13 가부시키가이샤 후지킨 유체공급 장치 및 유체공급 방법
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
DE112019001953T5 (de) * 2018-04-13 2021-01-21 Veeco Instruments Inc. Vorrichtung zur chemischen gasphasenabscheidung mit mehrzonen-injektorblock
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
KR102131933B1 (ko) * 2018-08-17 2020-07-09 주식회사 넥서스비 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102381238B1 (ko) * 2018-11-26 2022-04-01 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR102275757B1 (ko) * 2020-08-24 2021-07-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR20230063746A (ko) * 2021-11-02 2023-05-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142355A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2009088473A (ja) 2007-09-12 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2014074190A (ja) 2012-10-02 2014-04-24 Tokyo Electron Ltd 成膜装置

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
DE4011933C2 (de) * 1990-04-12 1996-11-21 Balzers Hochvakuum Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür
US5200232A (en) * 1990-12-11 1993-04-06 Lam Research Corporation Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors
US5453124A (en) * 1992-12-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
US5744049A (en) * 1994-07-18 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with enhanced plasma uniformity by gas addition, and method of using same
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
TW283250B (en) * 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
JP3925566B2 (ja) * 1996-11-15 2007-06-06 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置
JPH10158843A (ja) * 1996-12-06 1998-06-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 気相成長装置
EP0854210B1 (en) * 1996-12-19 2002-03-27 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Vapor deposition apparatus for forming thin film
KR100331544B1 (ko) * 1999-01-18 2002-04-06 윤종용 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드
JP3668079B2 (ja) * 1999-05-31 2005-07-06 忠弘 大見 プラズマプロセス装置
AU2001242363A1 (en) * 2000-02-04 2001-08-14 Aixtron Ag Device and method for depositing one or more layers onto a substrate
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
KR100332313B1 (ko) * 2000-06-24 2002-04-12 서성기 Ａｌｄ 박막증착장치 및 증착방법
KR100516844B1 (ko) * 2001-01-22 2005-09-26 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 및 처리 방법
US7378127B2 (en) * 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US20020129768A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-19 Carpenter Craig M. Chemical vapor deposition apparatuses and deposition methods
US7138336B2 (en) * 2001-08-06 2006-11-21 Asm Genitech Korea Ltd. Plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) equipment and method of forming a conducting thin film using the same thereof
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
DE20221269U1 (de) 2001-10-26 2005-12-08 Applied Materials, Inc., Santa Clara Gaszuführvorrichtung zur Abscheidung atomarer Schichten
US6590344B2 (en) * 2001-11-20 2003-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Selectively controllable gas feed zones for a plasma reactor
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
KR100532354B1 (ko) * 2004-05-31 2005-11-30 삼성전자주식회사 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법
WO2005124845A1 (ja) * 2004-06-15 2005-12-29 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101121417B1 (ko) * 2004-10-28 2012-03-15 주성엔지니어링(주) 표시소자의 제조장치
WO2007066472A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Ulvac, Inc. ガスヘッド及び薄膜製造装置
JP4981485B2 (ja) * 2007-03-05 2012-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法および気相成長装置
US8197636B2 (en) * 2007-07-12 2012-06-12 Applied Materials, Inc. Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
US8440259B2 (en) * 2007-09-05 2013-05-14 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
JP2009088298A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7967912B2 (en) * 2007-11-29 2011-06-28 Nuflare Technology, Inc. Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US20090170334A1 (en) 2007-12-27 2009-07-02 Tong Fang Copper Discoloration Prevention Following Bevel Etch Process
KR101432562B1 (ko) * 2007-12-31 2014-08-21 (주)소슬 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US8876024B2 (en) * 2008-01-10 2014-11-04 Applied Materials, Inc. Heated showerhead assembly
US8129288B2 (en) * 2008-05-02 2012-03-06 Intermolecular, Inc. Combinatorial plasma enhanced deposition techniques
TWI498988B (zh) * 2008-02-20 2015-09-01 Tokyo Electron Ltd A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method
JP4956469B2 (ja) 2008-03-24 2012-06-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置
US20090269506A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 Seiji Okura Method and apparatus for cleaning of a CVD reactor
JP5544697B2 (ja) * 2008-09-30 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5195640B2 (ja) * 2009-05-22 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR101062462B1 (ko) * 2009-07-28 2011-09-05 엘아이지에이디피 주식회사 샤워헤드 및 이를 포함하는 화학기상증착장치
JP5392069B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5327147B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5396264B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5497423B2 (ja) * 2009-12-25 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20120009765A1 (en) * 2010-07-12 2012-01-12 Applied Materials, Inc. Compartmentalized chamber
JP5625624B2 (ja) * 2010-08-27 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5579009B2 (ja) * 2010-09-29 2014-08-27 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP5572515B2 (ja) * 2010-10-15 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
US9695510B2 (en) * 2011-04-21 2017-07-04 Kurt J. Lesker Company Atomic layer deposition apparatus and process
JP5602711B2 (ja) * 2011-05-18 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5644719B2 (ja) * 2011-08-24 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及びプラズマ発生装置
JP5712874B2 (ja) * 2011-09-05 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5765154B2 (ja) * 2011-09-12 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び成膜装置
US8900364B2 (en) * 2011-11-29 2014-12-02 Intermolecular, Inc. High productivity vapor processing system
JP5679581B2 (ja) * 2011-12-27 2015-03-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP2013133521A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
JP6150506B2 (ja) * 2011-12-27 2017-06-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP5884500B2 (ja) * 2012-01-18 2016-03-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5993154B2 (ja) * 2012-01-20 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 パーティクル低減方法
JP6144924B2 (ja) 2012-03-21 2017-06-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、メンテナンス方法及びプログラム
JP5823922B2 (ja) * 2012-06-14 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP2014017296A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
US8925588B2 (en) * 2012-08-17 2015-01-06 Novellus Systems, Inc. Flow balancing in gas distribution networks
JP5954202B2 (ja) * 2013-01-29 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9328420B2 (en) * 2013-03-14 2016-05-03 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Gas distribution plate for chemical vapor deposition systems and methods of using same
JP6157942B2 (ja) * 2013-06-13 2017-07-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
WO2015023435A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors
JP6158025B2 (ja) * 2013-10-02 2017-07-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置及び成膜方法
JP5950892B2 (ja) * 2013-11-29 2016-07-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US9741575B2 (en) * 2014-03-10 2017-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CVD apparatus with gas delivery ring

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142355A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2009088473A (ja) 2007-09-12 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2014074190A (ja) 2012-10-02 2014-04-24 Tokyo Electron Ltd 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5837962B1 (ja) 2015-12-24
US10287684B2 (en) 2019-05-14
TWI584393B (zh) 2017-05-21
JP2016018886A (ja) 2016-02-01
TW201606910A (zh) 2016-02-16
US20160010210A1 (en) 2016-01-14
KR20160006111A (ko) 2016-01-18
CN105261553A (zh) 2016-01-20
CN105261553B (zh) 2018-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101631031B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 가스 정류부 및 기록 매체
JP5800964B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
KR101685833B1 (ko) 기판 처리 장치, 가스 정류부, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101612622B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR101971326B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP5944429B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
US9171734B1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
KR20150077250A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
TWI606508B (zh) Semiconductor device manufacturing method, program recording medium, and substrate processing apparatus
KR101664153B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20160117164A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체 및 기판 처리 장치
JP2019140146A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6691152B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JPWO2020059093A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 4