TWI584393B - A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, a gas rectifying section, and a computer-readable recording medium - Google Patents

A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, a gas rectifying section, and a computer-readable recording medium Download PDF

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TWI584393B
TWI584393B TW104121468A TW104121468A TWI584393B TW I584393 B TWI584393 B TW I584393B TW 104121468 A TW104121468 A TW 104121468A TW 104121468 A TW104121468 A TW 104121468A TW I584393 B TWI584393 B TW I584393B
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Description

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法，氣體整流部及電腦可讀取之記錄媒體
本發明係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及氣體整流部。
隨著大型積體電路(Large Scale Integrated Circuit：以下稱為LSI)之高積體化，電路圖案趨向於更加細微。
為了使更多之半導體元件集中於狹窄之面積內，必須將元件之尺寸形成為更小型，因此，必須縮小欲形成之圖案之寬度及間隔。
隨著近年之細微化，採用CVD法之埋入方法，對微細構造之埋入、尤其是朝縱向深、或橫向窄之空隙構造(凹槽)的氧化物之埋入，已趨近於技術極限。此外，隨著電晶體之細微化，要求形成薄且均勻之閘極絕緣膜及閘極電極。並且，為了提高半導體元件之生產性，要求縮短每片基板之處理時間。
此外，為了提高半導體元件之生產性，要求提高對基板之面內整體之處理均勻性。
近年來，以LSI、DRAM(Dynamic Random Access Memory)及Flash Memory為代表之半導體裝置之最小加工尺寸，已 縮小至小於30nm之寬度，並且膜厚也變薄，以致於既要維持品質，又要提高細微化、生產率或提高對基板之處理均勻性，變得愈加困難。
本發明之目的在於，提供一種基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及氣體整流部，其可提高形成於基板上之膜之特性或對基板面內之處理均勻性，並可提高生產率。
根據一形態，提供一種基板處理裝置，其包含：處理室，其收容基板；基板支撐部，其載置上述基板；第1氣體供給部，其朝上述基板供給第1氣體；第2氣體供給部，其朝上述基板供給第2氣體；及流導調整部，其設置有對自複數個部位供給之驅氣氣體進行均壓之氣體均壓部，且將利用該氣體均壓部而均壓後之驅氣氣體供給於上述基板支撐部之外周端側，至少對上述第1氣體或第2氣體之任一者的排氣流導進行調整。
根據其他之形態，提供一種具有均壓部之半導體裝置之製造方法，其包含以下之步驟：將基板收容於處理室；將基板載置於上述基板支撐部；朝上述基板供給第1氣體；朝上述基板供給第2氣體；及具有對自複數個部位供給之驅氣氣體進行均壓之氣體均壓部，且將利用該氣體均壓部而均壓後之驅氣氣體供給於上述基板支撐部之外周端側，至少對上述第1氣體或第2氣體之任一者的排氣流導進行調整。
根據另一其他之形態，提供一種氣體整流部，其設置於具有處理室之基板處理裝置，該處理室設置有支撐基板之基板支撐部，該氣體整流部具有使供給於上述基板之第1氣體及第2氣體 通過之開口，及設置有對自複數個部位供給之驅氣氣體進行均壓之氣體均壓部、且將利用該氣體均壓部而均壓後之驅氣氣體供給於上述基板支撐部之外周端側之流導調整部。
根據本發明之基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及氣體整流部，可提高形成於基板上之膜之特性及對基板面內之處理均勻性，並可提高生產率。
100‧‧‧基板處理裝置
121‧‧‧控制器
121a‧‧‧CPU
121b‧‧‧RAM
121c‧‧‧記憶裝置
121d‧‧‧I/O埠
121e‧‧‧內部匯流排
122‧‧‧輸入輸出裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間(處理室)
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧分隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧起銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧昇降機構
219‧‧‧波紋管
221‧‧‧排氣口(第1排氣部)
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器
224‧‧‧真空泵
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧孔
234‧‧‧氣體整流部
234a‧‧‧上面
234b‧‧‧下面
234d‧‧‧開口
235‧‧‧固定器
235a‧‧‧固定母材
235b‧‧‧固定部
235c‧‧‧高度調整部
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共同氣體供給管
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧第一氣體供給源
243c‧‧‧MFC
243d‧‧‧閥
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧第二氣體供給源
244c‧‧‧MFC
244d‧‧‧閥
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧第三氣體供給源
245c‧‧‧MFC
245d‧‧‧閥
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b‧‧‧惰性氣體供給源
246c‧‧‧MFC
246d‧‧‧閥
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
247b‧‧‧惰性氣體供給源
247c‧‧‧MFC
247d‧‧‧閥
248a‧‧‧清潔氣體供給管
248b‧‧‧清潔氣體源
248c‧‧‧MFC
248d‧‧‧閥
249a‧‧‧第四惰性氣體供給管
249b‧‧‧第四惰性氣體供給源
249c‧‧‧MFC
249d‧‧‧閥
250‧‧‧遠距電漿單元(RPU)
251‧‧‧氣體流路
251a‧‧‧氣體流路
251b‧‧‧氣體流路
283‧‧‧外部記憶裝置
301a、301b‧‧‧均壓部分隔板
302a‧‧‧第1氣體均壓空間
302b‧‧‧第2氣體均壓空間
303a‧‧‧第1氣體導入孔
303b‧‧‧第2氣體導入孔
304a‧‧‧第1驅氣噴嘴
304b‧‧‧第2驅氣噴嘴
305‧‧‧氣體整流部邊緣面(下面)
400a‧‧‧氣體供給管
400b‧‧‧氣體供給管
401a‧‧‧閥
401b‧‧‧閥
402a‧‧‧MFC
402b‧‧‧MFC
403a‧‧‧氣體源
403b‧‧‧氣體源
圖1為一實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。
圖2為顯示一實施形態之基板載置台及氣體整流部的位置關係之概略圖。
圖3為一實施形態之氣體整流部及流導調整部之例子。
圖4為一實施形態之氣體整流部及流導調整部之例子。
圖5為一實施形態之控制器之概略構成圖。
圖6為一實施形態之基板處理步驟之流程圖。
圖7為一實施形態之基板處理步驟之順序圖。
圖8為其他實施形態之基板處理步驟之順序圖。
圖9為其他實施形態之基板處理步驟之順序圖。
圖10為其他實施形態之氣體整流部及流導調整部之例子。
圖11為其他實施形態之氣體整流部及流導調整部之例子。
圖12為其他實施形態之氣體整流部及流導調整部之例子。
圖13為其他實施形態之氣體整流部之構成例。
圖14為其他實施形態之氣體整流部支撐機構之構成例。
圖15為其他實施形態之氣體整流部及流導調整部之例子。
以下，對本發明之實施形態進行說明。
<第一之一實施形態>
以下，參照圖式對第一實施形態進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
首先，對第一實施形態之基板處理裝置進行說明。
對本實施形態之處理裝置100進行說明。基板處理裝置100係形成絕緣膜或金屬膜等之單元，如圖1所示，構成為單片式基板處理裝置。
如圖1所示，基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202例如構成為橫截面為圓形且扁平之密封容器。此外，處理容器202例如由鋁(Al)、不鏽鋼(SUS)等之金屬材料、或石英所構成。於處理容器202內形成有對作為基板之矽晶圓等之晶圓200進行處理之處理空間(處理室)201、搬送空間203。處理容器202係由上部容器202a及下部容器202b構成。於上部容器202a與下部容器202b之間設置有分隔板204。將由上部容器202a所包圍之空間、且較分隔板204靠上方之空間稱為處理空間201，將由下部容器202b所包圍之空間、且較分隔板靠下方之空間為搬送空間203。
於下部容器202b之側面設置有鄰接於閘閥205之基板搬入搬出口206，晶圓200係經由基板搬入搬出口206而移動於與未圖示之搬送室之間。於下部容器202b之底部設置有複數個起 銷207。並且，下部容器202b為接地電位。
於處理空間201內設置有支撐晶圓200之基板支撐部210。基板支撐部210主要具有載置晶圓200之載置面211、表面具有載置面211之載置台212、及內包於基板載置台212之作為加熱部之加熱器213。於基板載置台212，於與起銷207對應之位置分別設置有供起銷207貫通之貫通孔214。
基板載置台212係藉由軸217所支撐。軸217係貫通處理容器202之底部，並且於處理容器202之外部連接於昇降機構218。藉由使昇降機構218動作，以使軸217及支撐台212昇降，進而可使載置於載置面211上之晶圓200昇降。再者，軸217下端部之周圍係由波紋管219覆蓋，處理空間201內係保持氣密式密封。
基板載置台212係於晶圓200之搬送時下降至基板支撐台，以使載置面211成為基板搬入搬出口206之位置(晶圓搬送位置)，於晶圓200之處理時，如圖1所示，晶圓200上昇至處理空間201內之處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，於使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，起銷207之上端部自載置面211之上面突出，起銷207自下方支撐晶圓200。此外，於使基板載置台212上昇至晶圓處理位置時，起銷207自載置面211之上面埋沒，載置面211自下方支撐晶圓200。再者，由於起銷207與晶圓200直接接觸，因此，例如較佳為希望由石英或氧化鋁等之材質形成。
(排氣系統)於處理空間201(上部容器202a)之內壁設置有對處理空間201之環境氣氛進行排氣之作為第1排氣部之排氣口221。於排氣口221連接有排氣管222，於排氣管222依序串 聯連接有將處理空間201內控制成既定之壓力的APC(Auto Pressure Controller)等之壓力調整器223、真空泵224。排氣系統(排氣線)220主要由排氣口221、排氣管222、壓力調整器223構成。再者，也可於排氣系統(排氣線)220之一部分加入真空泵224。
(氣體導入口)於設在處理空間201上部之後述的氣體整流部234之上面(頂壁)，設置有朝處理空間201內供給各種氣體之氣體導入口241。關於連接於氣體導入口241之氣體供給系統之構成，容待後述。
(氣體整流部)於氣體導入口241與處理空間201之間設置有氣體整流部234。氣體整流部234至少具有供處理氣體通過之開口234d。氣體整流部234係藉由固定器235安裝於蓋231。氣體導入口241連接於蓋231，自氣體導入口241導入之氣體，係經由設於蓋231之孔231a及氣體整流部234供給於晶圓200。再者，氣體整流部234也可構成為腔蓋組件之側壁。此外，氣體導入口241也可作為氣體分散通道發揮功能，使供給之氣體分散於基板之全周。
在此，發明者等發現，如圖2所示之氣體整流部234與基板載置台212之平行度的微小偏差(不在相同平行面上)情形，即為伴隨晶圓200尺寸之大型化、形成於晶圓200之半導體元件構造之細微化及構造之複雜化等而造成晶圓200之處理均勻性降低之原因。在此，平行度係指於氣體整流部234與基板載置台212之外周之間構成於圓周方向的氣體流路251之高度。因該平行度之偏差，於晶圓200之外周之圓周方向會產生流導不同之區域，從而無法均勻地進行氣體之供給或排氣。此外，若基板大型化至450mm 等，則對此平行度進行精密調整變得更困難。例如，有圖2左側所示之氣體整流部234與基板載置台212之距離X較圖2右側所示之距離Y短之情況。距離X係與基板載置台212之外周之一部分對應之氣體流路251a之高度。距離Y係氣體流路251中、對應於與氣體流路251a不同之部分(其他部分)的氣體流路251b之高度。例如，氣體整流部234與基板載置台212之距離係依0.5mm~5mm之範圍進行調整，例如，即使設定為2mm左右，仍有距離X為1.8mm，距離Y為2.2mm之情況。該情況下，自氣體導入口241供給之氣體係較距離X側更多地流向距離Y側。亦即，距離X側之氣體之流動容易度(流導)變得較距離Y側之流導小。其結果，距離X側之膜厚較距離Y側薄。此外，即使為形成相同膜厚之情況，仍有於距離X側與距離Y側形成不同膜質之情況。即使距離X與距離Y與之差僅以0.1mm單位存在，仍會影響晶圓200之處理均勻性。作為解決此種處理均勻性惡化之課題之方法，發明者等思及對氣體整流部234之外周側之氣體流動容易度(流導)進行調整，進而發現了藉由設置流導調整部以對外周側之流導進行調整之方法。
(流導調整部)流導調整部係例如藉由於氣體整流部234，如圖1、圖2、圖3、圖4所示形成均壓部分隔板301a、301b、作為氣體均壓部之第1氣體均壓空間302a、第2氣體均壓空間302b、第1氣體導入孔303a、第2氣體導入孔303b、第1驅氣噴嘴304a、第2驅氣噴嘴304b而構成。
於以均壓部分隔板301a、301b分隔之第1氣體均壓空間302a設置有第1氣體導入孔303a及複數個第1驅氣噴嘴304a，於第2氣體均壓空間302b設置有第2氣體導入孔303b及複 數個第2驅氣噴嘴304b。自第1氣體導入孔303a供給於第1氣體均壓空間302a之驅氣氣體，擃散於第1氣體均壓空間302a之區域全域，且以均等之壓力供給於複數個第1驅氣噴嘴304a。藉此，驅氣氣體均勻地供給於晶圓200之外周。此外，自第2氣體導入孔303b供給之驅氣氣體，擴散於第2氣體均壓空間302b之區域全域，且以均等之壓力供給於複數個第2驅氣噴嘴304b。藉此，將驅氣氣體均勻地供給於晶圓200之外周。
圖3為於A-A方向觀察圖1、圖2之氣體整流部234之上面剖視圖，圖4為自B-B(下方)方向觀察圖1、圖2之氣體整流部234之圖。
其構成為使驅氣氣體可供給於第1氣體導入孔303a、第2氣體導入孔303b，且驅氣氣體可供給於基板載置台212之上面端部。作為驅氣氣體，可使用不易與基板或後述之第1之處理氣體及第2處理氣體反應之氣體。例如，可使用氮氣、氬氣、氦氣、氖氣、氙氣等。
於第1氣體導入孔303a、第2氣體導入孔303b內，既可構成為供給相同流量之驅氣氣體，也可供給不同流量之驅氣氣體。例如，基板載置台212之上面端部與氣體整流部234之外周之距離，係根據部位而異，圖2之第1氣體導入孔303a側之距離，有第2氣體導入孔303b側之基板載置台212之上面端部與氣體整流部234之外周之距離為較短之情況。換言之，有氣體流路251b之高度較氣體流路251a之高度高之情況。此時，供給於晶圓200之第1處理氣體及第2處理氣體，具有較第1氣體導入孔303a側更多地流向第2氣體導入孔303b側之可能性，因而晶圓200之處 理均勻性下降。此種情況之下，藉由將朝第2氣體導入孔303b之驅氣氣體之供給量設定為較朝第1氣體導入孔303a之驅氣氣體之供給量更多，可將第1處理氣體與第2處理氣體均勻地供給於晶圓200之面內。
供給於第1氣體導入孔303a、第2氣體導入孔303b之氣體，係自後述之流導調整氣體供給部所供給。
再者，在此顯示了設置二個作為氣體均壓部之氣體均壓空間，將基板載置台212之外周端部之供給驅氣氣體之區域設為2個區域(2分割)之例子，但不限於此，也可設置3、4個氣體均壓部，以3分割、4分割之方式構成多個區域。藉由多分割地構成，可於各區域進行氣體流量控制，可於晶圓200之外周更加微細地進行流導之調整，從而可提高對晶圓200之處理均勻性。
此外，如圖10所示，也可不設置均壓部分隔板301a、301b，而由單一之空間構成氣體均壓部。
又，於此，第1氣體導入孔303a、第2氣體導入孔303b設於2個部位，但也可設於3個部位、4個部位之複數個部位。並且也可構成為如圖11般不設置均壓部分隔板301a、301b而以單一之空間構成氣體均壓部之狀態，將第1氣體導入孔303a設置於一個部位，對氣體均壓部302a全周供給氣體。
再者，如圖4所示，藉由將與基板載置台212之外周對向之氣體整流部邊緣面305構成為與基板載置台212平行，可使進行晶圓200之外周側之流動(流導)均勻。
(供給系統)於連接於氣體整流部234之氣體導入口241，連接有共同氣體供給管242。於共同氣體供給管242連接有第 一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a、清潔氣體供給管248a。
自包含第一氣體供給管243a之第一氣體供給系統主要供給第一元素含有氣體(第一處理氣體)，自包含第二氣體供給管244a之第二氣體供給系統主要供給第二元素含有氣體(第二處理氣體)。自包含第三氣體供給管245a之第三氣體供給系統，於處理晶圓時主要供給驅氣氣體，於對處理室進行清潔時主要供給清潔氣體。
(第一氣體供給系統)於第一氣體供給管243a，自上游方向起依序設置有第一氣體供給源243b、作為流量控制器(流量控制部)之氣體流量控制器(MFC)243c、及作為開閉閥之閥243d。
自第一氣體供給源243b供給含有第一元素之氣體(第一處理氣體)，且經由氣體流量控制器243c、閥243d、第一氣體供給管243a、共同氣體供給管242供給於氣體整流部234。
第一處理氣體係原料氣體、亦即處理氣體之一。在此，第一元素例如為矽(Si)。亦即，第一處理氣體例如為含矽氣體。作為含矽氣體，例如可使用二氯矽烷(Dichlorosilane(SiH2Cl2)：DCS)氣體。再者，第一處理氣體之原料，於常溫常壓下可為固體、液體及氣體之任一者。於第一處理氣體之原料於常溫常壓下為液體之情況，只要於第一氣體供給源243b與氣體流量控制器243c之間設置未圖示之汽化器即可。以下，對原料為氣體之情況進行說明。
於較第一氣體供給管243a之閥243d靠下流側，連接有第一惰性氣體供給管246a之下游端。於第一惰性氣體供給管 246a，自上游方向起依序設置有惰性氣體供給源246b、作為流量控制器(流量控制部)之氣體流量控制器(MFC)246c、及作為開閉閥之閥246d。
在此，惰性氣體例如為氮(N2)氣。再者，作為惰性氣體，除N2氣體外，例如可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等之稀有氣體。
第一元素含有氣體供給系統(也稱為含矽氣體供給系統)，主要由第一氣體供給管243a、氣體流量控制器243c、閥243d構成。
此外，第一惰性氣體供給系統主要由第一惰性氣體供給管246a、氣體流量控制器246c及閥246d構成。再者，也可認為於第一惰性氣體供給系統內涵括惰性氣體供給源246b、第一氣體供給管243a。
並且，也可認為於第一元素含有氣體供給系統內涵括第一氣體供給源243b、第一惰性氣體供給系統。
(第二氣體供給系統)於第二氣體供給管244a之上游，自上游方向起依序設置有第二氣體供給源244b、作為流量控制器(流量控制部)之氣體流量控制器(MFC)244c、及作為開閉閥之閥244d。
自第二氣體供給源244b供給含有第二元素之氣體(以下稱為「第2處理氣體」)，且經由氣體流量控制器244c、閥244d、第二氣體供給管244a、共同氣體供給管242供給於氣體整流部234。
第2處理氣體係處理氣體之一。再者，第2處理氣體也可視為反應氣體或改質氣體。
在此，第2處理氣體含有與第一元素不同之第二元素。作為第二元素，例如包含氧(O)、氮(N)、碳(C)、氫(H)中之一個以上。本實施形態中，第2處理氣體例如為含氮氣體。具體而言，作為含氮氣體，可採用氨(NH3)氣。
第2處理氣體供給系統主要由第二氣體供給管244a、氣體流量控制器244c、閥244d構成。
此外，於較第二氣體供給管244a之閥244d靠下流側，連接有第二惰性氣體供給管247a之下游端。於第二惰性氣體供給管247a，自上游方向起依序設置有惰性氣體供給源247b、作為流量控制器(流量控制部)之氣體流量控制器(MFC)247c、及作為開閉閥之閥247d。
惰性氣體係自第二惰性氣體供給管247a經由氣體流量控制器247c、閥247d、第二氣體供給管247a供給於氣體整流部234。於薄膜形成步驟(S203~S207)中，惰性氣體係作為運載氣體或稀釋氣體發揮作用。
第二惰性氣體供給系統主要由第二惰性氣體供給管247a、氣體流量控制器247c及閥247d構成。再者，也可認為於第二惰性氣體供給系統內涵括惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管244a。
並且，也可認為於第二元素含有氣體供給系統內涵括第二氣體供給源244b、第二惰性氣體供給系統。
(第三氣體供給系統)於第三氣體供給管245a，自上游方向起依序設置有第三氣體供給源245b、作為流量控制器(流量控制部)之氣體流量控制器(MFC)245c、及作為開閉閥之閥245d。
自第三氣體供給源245b供給有作為驅氣氣體之惰性氣體，且經由氣體流量控制器245c、閥245d、第三氣體供給管245a、共同氣體供給管242供給於氣體整流部234。
在此，惰性氣體例如為氮(N2)氣。再者，作為惰性氣體，除N2氣外，例如亦可採用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等之稀有氣體。
第三氣體供給系統(也稱為驅氣氣體供給系統)，主要由第三氣體供給管245a、氣體流量控制器245c、閥245d構成。
(清潔氣體供給系統)於清潔氣體供給管248a，自上游方向起依序設置有清潔氣體源248b、氣體流量控制器(MFC)248c、閥248d、遠距電漿單元(RPU)250。
自清潔氣體源248b供給有清潔氣體，經由MFC248c、閥248d、RPU250、清潔氣體供給管248a、共同氣體供給管242供給於氣體整流部234。
於較清潔氣體供給管248a之閥248d靠下流側，連接有第四惰性氣體供給管249a之下游端。於第四惰性氣體供給管249a，自上游方向起依序設置有第四惰性氣體供給源249b、MFC249c及閥249d。
此外，清潔氣體供給系統主要由清潔氣體供給管248a、MFC248c及閥248d構成。再者，也可認為於清潔氣體供給系統內涵括清潔氣體源248b、第四惰性氣體供給管249a、RPU250。
再者，也可供給自第四惰性氣體供給源249b供給之惰性氣體，以使該惰性氣體作為清潔氣體之運載氣體或稀釋氣體發揮作用。
自清潔氣體供給源248b供給之清潔氣體，係於清潔步驟中作為除去附著於氣體整流部234或處理室201之副生成物等之清潔氣體發揮作用。
在此，清潔氣體例如為三氟化氮(NF3)氣體。再者，作為清潔氣體，例如也可使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、氟(F2)氣等，也可將此等氣體組合使用。
(流導調整氣體供給部)如圖1所示，於流導調整部設置有供給驅氣氣體之流導調整氣體供給系統。流導調整氣體供給部係至少由氣體供給管400a、閥401a、MFC402a構成。也可於流導調整氣體供給系統中加入氣體源403a。自氣體源403a供給之氣體，係於利用MFC402a進行流量調整之後，通過閥401a且經由氣體供給管400a供給於第1氣體導入孔303a。
此外，也可追加MFC402b、閥401b、氣體供給管400b。此外，也可追加氣體源403b。
如上述例子，藉由設置多個均壓部分隔板將氣體均壓部分割，且於各氣體均壓部設置流導調整氣體供給部，利用MFC對氣體流量進行控制，可於每個氣體均壓部對流導進行調整。
(控制部)如圖1所示，基板處理裝置100具有控制基板處理裝置100之各部分的動作之控制器121。
如圖5所示，作為控制部(控制手段)之控制器121，係構成為具備CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、I/O埠121d之電腦。RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d係構成為經由內部匯流排121e而可與CPU121a進行資料交換。於控制器121可連接例如構 成為觸控面板等之輸入輸出裝置122、外部記憶裝置283。
記憶裝置121c例如由快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive等)構成。於記憶裝置121c內可讀取地存儲有控制基板處理裝置之動作之控制程式、或記載有後述之基板處理之操作順序及條件等之程式配方等。再者，製程配方係組合成使控制器121執行後述之基板處理步驟中的各操作順序而可獲得既定之結果者，其作為程式發揮作用。以下，將程式配方及控制程式簡單地統稱為程式。再者，本說明書中使用稱為程式之一詞之情況，有僅包含程式配方單體之情況、僅包含控制程式單體之情況、或者包含兩者之情況。此外，RAM121b係構成為暫時保存藉由CPU121a讀取之程式或資料等之記憶體區域(工作區)。
I/O埠121d係連接於閘閥205、昇降機構218、壓力調整器223、真空泵224、遠距電漿單元250、MFC243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c、402a、402b、閥243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、401a、401b、加熱器213等。
CPU121a係構成為讀取及執行來自記憶裝置121c之控制程式，並配合來自輸入輸出裝置122之操作指令之輸入等，自記憶裝置121c讀取程式配方。並且，CPU121a係構成為按照讀取之製程配方之內容，對閘閥205之開閉動作、昇降機構218之昇降動作、壓力調整器223之壓力調整動作、真空泵224之開關控制、遠距電漿單元250之氣體激勵動作、MFC243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c、402a、402b之流量調整動作、閥243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、401a、401b之氣體之開關控制、加熱器213之溫度控制等進行控制。
再者，控制器121不限於僅構成為專用之電腦之情況，也可構成為普通之電腦。例如，準備儲存有上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等之磁碟、CD或DVD等之光碟、MO等之光磁碟、USB記憶體或記憶卡等之半導體記憶體)283，藉由使用上述外部記憶裝置283將程式安裝於普通之電腦等，即可構成本實施形態之控制器121。再者，用以將程式供給於電腦之手段，不限於經由外部記憶裝置283進行供給之情況。例如，也可使用網路或專用迴線等之通信手段，不經由外部記憶裝置283而供給程式。再者，記憶裝置121c或外部記憶裝置283係構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，將此等簡單地總稱為記錄媒體。再者，本說明書中使用稱為記錄媒體一詞之情況，有僅包含記憶裝置121c單體之情況、僅包含外部記憶裝置283單體之情況、或者包含兩者之情況。
(2)基板處理步驟
其次，以半導體元件之製造步驟之一例、亦即使用DCS氣體及NH3(氨)氣體而形成矽氮化(SixNy)膜之例子，對基板處理步驟之例子進行說明。
圖6為顯示藉由本實施形態之基板處理裝置所實施之基板處理之一例之順序圖。圖例顯示進行利用電漿之處理，於作為基板做之晶圓200上形成矽氮化(SixNy)膜之情況之順序動作。
(基板搬入步驟S201)於成膜處理時，首先將晶圓200搬入處理室201。具體而言，藉由昇降機構218使基板支撐部210下降，使起銷207成為自貫通孔214突出於基板支撐部210之 上面側之狀態。此外，於將處理室201內調壓至既定之壓力之後，開放閘閥205，自閘閥205將晶圓200載置於起銷207上。於將晶圓200載置於起銷207上之後，藉由利用昇降機構218使基板支撐部210上昇至既定之位置，使晶圓200自起銷207上載置於基板支撐部210。
(減壓．昇溫步驟S202)其次，經由排氣管222對處理室201內進行排氣，以使處理室201內成為既定之壓力(真空度)。此時，根據壓力感測器所測量之壓力值，對作為壓力調整器223之APC閥之閥開度進行反饋控制。並且，根據溫度感測器(未圖示)所檢測之溫度值，對朝加熱器213之通電量進行反饋控制，以使處理室201內成為既定之溫度。具體而言，預先將承受器加熱，待晶圓200或承受器無溫度變化之後放置一定時間。於此期間，藉由真空排氣或由N2氣體之供給所進行之驅氣將殘留於處理室201內之水分或來自構件之脫氣等除去。藉此完成成膜製程前之準備。
(第1處理氣體供給步驟S203)接著，如圖7所示，自第1處理氣體供給系統朝處理室201內供給作為第1處理氣體(原料氣體)之DCS氣體。並且，繼續進行排氣系統對處理室201內之排氣，將處理室201內之壓力控制為既定之壓力(第1壓力)。具體而言，將第一氣體供給管243a之閥243d、第一惰性氣體供給管246a之閥246d開放，使DCS氣體流向第一氣體供給管243a，且使N2氣體流向第一惰性氣體供給管246a。DCS氣體係自第一氣體供給管243a流入，且藉由MFC243c進行流量調整。N2氣體係自第一惰性氣體供給管246a流入，且藉由MFC246c進行流量調整。經流量調整後之DCS氣體，於第一氣體供給管243a內與經流量調整後之 N2氣體混合後，自氣體整流部234供給於被加熱之減壓狀態之處理室201內，自排氣管222排出。此時，對於晶圓200供給DCS氣體(原料氣體(DCS)供給步驟)。DCS氣體係以既定之壓力(第1壓力：例如100Pa以上且10000Pa以下)供給於處理室201內。如此，將DCS供給於晶圓200。藉由供給DCS，於晶圓200上形成含矽層。含矽層係指含矽(Si)或矽及氯(Cl)之層。
並且，如圖7所示，開始對第1氣體導入孔303a、第2氣體導入孔303b供給驅氣氣體。本實施形態之圖7中，係與原料氣體之供給開始之同時，開始驅氣氣體之供給，但也可構成為於原料氣體之供給前進行供給。此外，也可構成為延遲於原料氣體之供給後進行供給。驅氣氣體之供給係持續至第1處理氣體之供給步驟S203或後述之驅氣步驟S206。如圖7所示，驅氣氣體之流量係控制成使第1處理氣體供給步驟S203與第2處理氣體供給步驟S205之流量較驅氣步驟S204、S206之流量多。藉由如此構成，可一面調整基板200端部之流導，一面抑制驅氣步驟S204中第1處理氣體之除去阻礙，且抑制驅氣206中第2處理氣體之除去阻礙。此外，藉由經常地供給驅氣氣體，可抑制氣體自第1驅氣噴嘴304a及第2驅氣噴嘴304b逆流而驅氣噴嘴或氣體均壓部內之副生成物之產生。
(驅氣步驟S204)於晶圓200上形成含矽層之後，關閉第一氣體供給管243a之閥243d，停止DCS氣體之供給。此時，使排氣管222之APC閥223保持開放，藉由真空泵224對處理室201內進行真空排氣，將殘留於處理室201內之未反應或用於含矽層形成後的DCS氣體自處理室201內排除。此外，也可使閥246d 保持開放，維持朝處理室201內供給作為惰性氣體之N2氣體。自閥246d持續供給之N2氣體，係作為驅氣氣體發揮作用，藉此，可更加提高將殘留於第一氣體供給管243a、共同氣體供給管242、處理室201內之未反應或用於矽含有層形成後的DCS氣體排除之功效。
再者，此時也可不將殘留於處理室201內或氣體整流部234內之氣體完全排除(對處理室201內進行完全驅氣)。只要殘留於處理室201內之氣體為微量，就不會於此後進行之步驟中產生不良影響。此時也不需要將供給於處理室201內之N2氣體之流量設定為大流量，例如，藉由供給與處理室201之容積相同程度之量，即可進行於下一步驟中不產生不良影響之程度之驅氣。如此，藉由不對處理室201內進行完全驅氣，可縮短驅氣時間，提高生產率。並且，N2氣體之消費也可抑制為最小。
此時之加熱器213之溫度，係與朝晶圓200供給原料氣體時同樣地設定為300~650℃、較佳為300~600℃、更佳為300~550℃之範圍內之一定溫度。自各惰性氣體供給系統供給之作為驅氣氣體之N2氣體之供給流量，分別設定為例如100~20000sccm之範圍內之流量。作為驅氣氣體，除N2氣體外，也可使用Ar、He、Ne、Xe等之稀有氣體。
(第2處理氣體供給步驟S205)於除去處理室201內之DCS殘留氣體之後，停止驅氣氣體之供給，供給作為反應氣體之NH3氣體。具體而言，將第二氣體供給管244a之閥244d開放，於第二氣體供給管244a內流動NH3氣體。流動於第二氣體供給管244a內之NH3氣體，藉由MFC244c進行流量調整。經流量調整後 之NH3氣體，經由共同氣體供給管242、氣體整流部234供給於晶圓200。供給於晶圓200上之NH3氣體，係與形成於晶圓200上之矽含有層反應而使矽氮化，並將氫、氯、氯化氫等之雜質排出。
(驅氣步驟S206)第2處理氣體供給步驟之後，停止反應氣體之供給，進行與驅氣步驟S204同樣之處理。藉由進行驅氣步驟，可排除殘留於第二氣體供給管244a、共同氣體供給管242、處理室201內等之未反應或用於矽之氮化後的NH3氣體。藉由除去殘留氣體，可抑制因殘留氣體而形成非預期之膜之情形。
(重複步驟S207)藉由分別對以上之第1處理氣體供給步驟S203、驅氣步驟S204、第2處理氣體供給步驟S205、驅氣步驟S206各執行一個步驟，於晶圓200上沉積既定厚度之矽氮化(SixNy)層。藉由重複地進行此等步驟，可控制晶圓200上之矽氮化膜之膜厚。以重複既定次數之方式進行控制而至成為既定膜厚為止。
(基板搬出步驟S208)於在重複步驟S207實施了既定次數之後，進行基板搬出步驟S208，將晶圓200自處理室201搬出。具體而言，降溫至可搬出溫度，以惰性氣體對處理室201內進行驅氣，調壓至可搬送之壓力。調壓後，藉由昇降機構218使基板支撐部210下降，以使起銷207自貫通孔214突出，將晶圓200載置於起銷207上。於晶圓200載置於起銷207上之後，將閘閥205開放，自處理室201中搬出晶圓200。
(3)本實施形態之功效
根據本實施形態，可獲得以下所示之一個或複數之功效。
(a)可對基板之外周、亦即圓周方向之氣流進行調整(流導)。(b)藉由對圓周方向上之流導進行調整，可提高處理均勻性。(c)藉由增加均壓部分隔板，可更微細地調整圓周方向之流導。(d)藉由於自第1處理氣體供給步驟至第2處理氣體供給步驟後之驅氣步驟供給流導調整氣體，可抑制在流導調整部之氣體逆流，抑制在流導調整部之副生成物之產生。(e)此外，藉由朝基板之外周側供給驅氣氣體，可藉由供給於基板之外周側之驅氣氣體將通過基板上而排出之處理氣體稀釋，從而可抑制在排氣部之副生成物之產生。
<其他實施形態>至此，對第一實施形態進行了具體說明，但本發明不限於上述實施形態，只要於不超出其實質之範圍內，即可進行各種之變更。
例如，具有圖8所示之氣體供給順序例。圖8顯示以互不相同之流量將驅氣氣體供給於設在氣體整流部234之外周的2個驅氣區域之例子。於如圖2所示之環境中，第1驅氣噴嘴304a側之流導係形成為較第2驅氣噴嘴304b側之流導大。藉此，流動於第1驅氣噴嘴304a側之第1處理氣體及第2處理氣體之流量，變得較流動於第2驅氣噴嘴304b側之第1處理氣體及第2處理氣體之流量多，使得形成於第1驅氣噴嘴304a側之膜特性與形成於第2驅氣噴嘴304b側之膜特性變為不同。例如，第1驅氣噴嘴304a側之膜厚變厚或耐電壓特性高。此種情況之下，例如，藉由將供給於第1驅氣噴嘴304a之驅氣氣體量設定為較供給於第2驅氣噴嘴304b之驅氣氣體量多，可使流動於第1驅氣噴嘴304a側之第1處理氣體、第2處理氣體、驅氣氣體之流導，接近於流動於第2驅氣噴嘴304b側之第1處理氣體、第2處理氣體、驅氣氣體之流導。 藉由使第1驅氣噴嘴304a側之流導接近於第2驅氣噴嘴304b側之流導，可於圓周方向使供給於晶圓200之氣體量均勻化。藉此，可使形成於晶圓200上之膜特性均勻化。再者，在此，顯示了將供給於第1驅氣噴嘴304a之驅氣氣體之流量設定為較供給於第2驅氣噴嘴304b之驅氣氣體之流量多之例子，但不限於此，也可構成為第2驅氣噴嘴304b之驅氣氣體之流量較多。
此外，如圖9所示，也可構成為，於驅氣步驟中不使驅氣氣體流向設於氣體整流部234之外周之驅氣區域。
此外，於上述說明中，於S203及S205中將朝流導調整部之驅氣氣體之供給量構成為相同量，但不限於此。例如，也可將S205之流量與S203之流量構成為不同流量。例如，將S205之流量設定為較S203之流量多。於對上述第1氣體之活性度與第2氣體之活性度進行比較之情況，有第2氣體之活性度較高之情況，其會對基板200之處理均勻性帶來影響。藉由對基板200外周之圓周方向之流導進行調整，可提高處理均勻性。
此外，於上述說明中，顯示了氣體整流部234向任一側傾斜之例子，但不限於此。例如，即使氣體整流部234與基板載置台212平行，仍有第1氣體與第2氣體之一者之排氣產生偏差之情況。該排氣之偏差係根據處理室201之構造或排氣口206之位置等而變化。此時，例如有第1處理氣體較第2驅氣噴嘴304b側更多地流向第1驅氣噴嘴304a側，且第2處理氣體較第1驅氣噴嘴304a側更多地流向第2驅氣噴嘴304b側之情況。於此種情況下，藉由於供給第1處理氣體時增加供給於第1驅氣噴嘴304a之驅氣氣體，於供給第2處理氣體時使增加供給於第2驅氣噴嘴304b之 驅氣氣體，可提高朝晶圓200之處理均勻性。再者，於第1處理氣體更多地流向第2驅氣噴嘴304b側，且第2處理氣體更多地流向第1驅氣噴嘴304a側之情況，藉由於供給第1處理氣體時朝第2驅氣噴嘴304b更多地供給驅氣氣體，於供給第2處理氣體時朝第1驅氣噴嘴304a更多地供給驅氣氣體，可使處理均勻化。
此外，於上述說明中，構成為於氣體整流部234之外周全周設置第1驅氣噴嘴304a及第2驅氣噴嘴304b，但不限於此。例如，也可僅於設置有處理室之排氣口221之方向配置噴嘴。
此外，於上述說明中，將流導調整部之第1驅氣噴嘴304a與第2驅氣噴嘴304b構成為圓形，但不限於此。例如，也可可構成為橢圓形，或者也可構成為圓弧狀。此外，也可構成為直線形狀，或者如圖12所示，也可構成為細縫形狀。此外，也可構成為配合晶圓200之形狀的形狀。例如，構成為與晶圓之缺口部分(凹口或定位平面)之形狀符合。如此，藉由構成為與基板形狀符合，可進一步提高處理均勻性。
此外，於上述說明中，顯示了於氣體整流部234設置流導調整部之例子，但不限於此，也可構成為於基板載置台212或分隔板204設置流導調整部。
經進一步刻意研究之結果，發明者等發現了能以與上述手段不同之方法解決上述課題。
使用圖13詳細地進行說明。
如上述，晶圓200之處理均勻性係受氣體整流部234與基板載置台212之平行度之影響。尤其是不容易保持氣體整流部234之平行度之精度。氣體整流部234之平行度係藉由氣體整流部 234之上面234a與下面234b(305)之平行而形成。由於上面234a形成為至少較晶圓200之面積大，因此於加工上面234a時，難以無傾斜或凹凸地形成上面234a整體。因此，藉由於氣體整流部234之上面設置與下面234b之面積具有相同面積之氣體整流部支撐部234c且連接於蓋231，可容易保持氣體整流部支撐部234c與下面234b之平行度之精度。
經進一步刻意研究之結果，發明者等發現了藉由設置圖14所示之氣體固定器235，可提高氣體整流部234之平行度之精度。
固定氣體整流部之固定器235，係具有固定母材235a、固定部235b、高度調整部235c。固定母材235a係由固定部235b固定於蓋231，氣體整流部234係藉由載置於固定母材235a上而被支撐。藉由使高度調整部235c昇降，可調整氣體整流部234之傾斜，可調整與基板載置台212之平行度，進而可調整在晶圓200之端部之圓周方向之流導。
經進一步刻意研究之結果，發明者等發現了如圖15所示，藉由於氣體整流部234之外周設置作為第2流導調整部之流導調整機構500，可調整晶圓200之端部之流導，可提高處理均勻性。流導調整機構500係以埋入至氣體整流部之外周之方式設置。藉由調整流導調整機構500自氣體整流部234之下面234b(305)突出之長度，可調整晶圓200之外周之圓周方向之流導。再者，在此，流導調整機構500也可藉由複數個突起構成，但不限於此。例如，也可縮短設置之間隔。此外，也可僅設於設置有排氣口221之側。此外，也可不是突起狀，而構成為圍繞晶圓200之環狀。
以上，對本發明之其他形態進行了說明，但本發明不限於上述實施形態，只要於不超出實質之範圍內，即可進行各種變更。
於上述說明中，對半導體裝置之製造步驟進行了說明，但實施形態之發明也可應用於半導體裝置之製造步驟以外。例如，具有液晶元件之製造步驟或對陶瓷基板之電漿處理等。
此外，於上述說明中，對交替供給第1氣體(原料氣體)及第2氣體(反應氣體)進行成膜之方法進行了說明，但也可應用於其他之方法。例如，也可以原料氣體與反應氣體之供給時序重疊之方式進行供給。
此外，也可供給原料氣體與供給反應氣體而進行CVD成膜。
此外，於上述說明中，對成膜處理進行了說明，但也可應用於其他之處理。例如，也可將本發明應用於使用原料氣體及反應氣體之任一者或兩者，對基板表面或形成於基板之膜進行電漿氧化處理或電漿氮化處理之基板處理。此外，也可應用於使用原料氣體及反應氣體之任一者或兩者之熱處理、或電漿退火處理等之基板處理。於電漿處理之情況，可使電漿之偏差或活化之氣體之偏差均勻化。
此外，於上述說明中，對提高處理均勻性進行了說明，但不限於此。最近，要求於晶圓200之面內、例如內周側及外側進行使膜質或膜厚不同之成膜。藉由調整在晶圓200外周之流導，可使晶圓之內周側及外周側之氣體流導不同。其結果，可於晶圓200之內周側及外周側形成不同之膜質或不同之膜厚之膜。例 如，藉由於基板處理步驟之1個周期~n個周期之期間，於奇數周期及偶數周期使供給於流導調整部之驅氣氣體之流量不同，可於晶圓200之內周側周及外周側形成不同膜質之膜。或者，可藉由於既定周期之途中增加或減少驅氣氣體流量而形成。
<本發明之較佳形態>
以下，附記關於本發明之較佳形態。
<附記1>
根據一形態，提供一種基板處理裝置，其包含：處理室，其收容基板；基板支撐部，其載置上述基板；第1氣體供給部，其朝上述基板供給第1氣體；第2氣體供給部，其朝上述基板供給第2氣體；及流導調整部，其設置有對自複數個部位供給之驅氣氣體進行均壓之氣體均壓部，且將利用該氣體均壓部而均壓後之驅氣氣體供給於上述基板支撐部之外周端側，至少對上述第1氣體或第2氣體之任一者的排氣流導進行調整。
<附記2>
於附記1記載之基板處理裝置中，其較佳為，上述氣體均壓部具有2個以上之氣體均壓空間。
<附記3>
於附記1或附記2記載之基板處理裝置中，其較佳為，具有設於上述基板支撐部之上方、對上述第1氣體及上述第2氣體進行整流之氣體整流部。
<附記4>
於附記1至附記3之任一記載之基板處理裝置中，其較佳為，上述流導調整部係設於上述氣體整流部之外周端。
<附記5>
於附記1至附記4之任一記載之基板處理裝置中，其較佳構成為，具有驅氣氣體供給部，其分別對上述2個以上之氣體均壓空間供給不同供給量之驅氣氣體。
<附記6>
於附記1至附記5之任一記載之基板處理裝置中，其較佳為，上述氣體整流部之下面及上述基板支撐部之上面，係設於不同之平行面。
<附記7>
於附記1至附記6之任一記載之基板處理裝置中，其較佳為，設置有控制部，該控制部係對上述第1氣體供給部、上述第2氣體供給部及上述流導調整部進行控制， 而於將上述第1氣體供給於上述基板之步驟中，以第1流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於將上述第2氣體供給於上述基板之步驟中，以上述第1流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之步驟中，以上述第2流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部。
<附記8>
於附記7記載之基板處理裝置中，其較佳為，上述第1流量係較上述第2流量多。
<附記9>
於附記1至附記6之任一記載之基板處理裝置中，其較佳為，設置有控制部，該控制部係對上述第1氣體供給部、上述第2氣體供給部及上述流導調整部進行控制，而於將上述第1氣體供給於上述基板之步驟中，以第3流量及第4流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於將上述第2氣體供給於上述基板之步驟中，以上述第3流量及第4流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之步驟中，以第5流量及第6流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部。
<附記10>
於附記9記載之基板處理裝置中，其較佳為， 上述第3流量係較上述第4流量多，上述第4流量係較上述第5流量及上述第6流量多。
<附記11>
於附記1至附記10之任一記載之基板處理裝置中，其較佳為，上述氣體整流部係藉由設於上述氣體整流部之上面之氣體整流部支撐部而安裝於上述處理室之蓋。
<附記12>
於附記1至附記10之任一記載之基板處理裝置中，其較佳為，上述氣體整流部係藉由設於上述氣體整流部之側方之氣體整流部固定器，構成為可調整下面與上述基板支撐部上面之距離。
<附記13>
於附記1至附記12之任一記載之基板處理裝置中，其較佳為，於上述氣體整流部之下面設置有第2流導調整機構。
<附記14>
根據其他之形態，提供一種半導體裝置之製造方法，其包含以下之步驟：將基板收容於處理室；將上述基板載置於上述基板支撐部；朝上述基板供給第1氣體；朝上述基板供給第2氣體；及 具有對自複數個部位供給之驅氣氣體進行均壓之氣體均壓部，且將利用該氣體均壓部而被均壓之驅氣氣體供給於上述基板支撐部之外周端側，至少對上述第1氣體或第2氣體之任一者的排氣流導進行調整。
<附記15>
於附記14記載之半導體裝置之製造方法中，其較佳構成為，上述氣體均壓部具有2個以上之氣體均壓空間，具有使分別供給於上述氣體均壓空間之驅氣氣體流量不同之步驟。
<附記16>
於附記14或附記15記載之半導體裝置之製造方法中，其較佳為，於供給上述第1氣體之第1氣體供給部及供給上述第2氣體之第2氣體供給部與上述基板支撐部之間，具有氣體整流部，具有上述氣體均壓部之流導調整部係設於上述氣體整流部之外周端。
<附記17>
於附記14至附記16之任一記載之半導體裝置之製造方法中，其較佳為，於供給上述驅氣氣體之步驟中，上述氣體均壓部至少具有第1氣體均壓空間與及第2氣體均壓空間，且構成為使供給於上述第1氣體均壓空間及上述第2氣體均 壓空間之驅氣氣體流量不同。
<附記18>
於附記14至附記17之任一記載之半導體裝置之製造方法中，其較佳為，於上述基板支撐部之外周端設置有2個以上於圓周方向流導不同之區域，上述流導不同之2個區域分別與上述分割之氣體均壓部對應。
<附記19>
於附記14至附記18之任一記載之半導體裝置之製造方法中，其較佳為包含以下之步驟：於供給上述第1氣體之步驟，以第1流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部；於供給上述第2氣體之步驟中，以上述第1流量將上述驅氣氣體供給於上述流導調整部；於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之步驟中，以上述第2流量將上述驅氣氣體供給於上述流導調整部。
<附記20>
於附記19記載之半導體裝置之製造方法中，其較佳為，上述第1流量係較上述第2流量多。
<附記21>
於附記14至附記18之任一記載之半導體裝置之製造方法中，其較佳為，具有於供給上述第1氣體之步驟中，以第3流量及第4流量將上述驅氣氣體供給於上述流導調整部之步驟，具有於供給上述第2氣體之步驟中，以第3流量及第4流量將上述驅氣氣體供給於上述流導調整部之步驟，具有於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之步驟中，以第5流量及第6流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部之步驟。
<附記22>
於附記21記載之半導體裝置之製造方法中，其較佳為，上述第3流量係較上述第4流量多，上述第4流量係較上述第5流量及上述第6流量多。
<附記23>
根據其他之形態，提供一種使電腦執行以下操作順序之程式，使處理室收容基板，使上述基板支撐部載置上述基板，朝上述基板供給第1氣體，朝上述基板供給第2氣體，具有對自複數個部位供給之驅氣氣體進行均壓之氣體均壓部，且將利用該氣體均壓部而均壓後之驅氣氣體供給於上述基板支 撐部之外周端側，至少對上述第1氣體或上述第2氣體之任一者的排氣流導進行調整。
<附記24>
根據其他之形態，提供一種記錄有使電腦執行以下操作順序之程式之記錄媒體，使處理室收容基板，使上述基板支撐部載置上述基板，朝上述基板供給第1氣體，朝上述基板供給第2氣體，具有對自複數個部位供給之驅氣氣體進行均壓之氣體均壓部，且將利用該氣體均壓部而均壓後之驅氣氣體供給於上述基板支撐部之外周端側，至少對上述第1氣體或上述第2氣體之任一者的排氣流導進行調整。
<附記25>
根據其他之形態，提供一種氣體整流部，其設於具有處理室之基板處理裝置，該處理室設置有支撐基板之基板支撐部，該氣體整流部具有：使供給於上述基板之第1氣體及第2氣體通過之開口；及設置有對自複數個部位供給之驅氣氣體進行均壓之氣體均壓部，且將利用該氣體均壓部而均壓後之驅氣氣體供給於上述基板支 撐部之外周端側之均壓部流導調整部。
<附記26>
於附記25記載之氣體整流部中，其較佳為，上述氣體均壓部具有2個以上之氣體均壓空間。
<附記27>
於附記25或附記26記載之氣體整流部中，其較佳為，上述流導調整部係設於上述氣體整流部之外周端。
<附記28>
於附記25至附記27之任一記載之氣體整流部中，其較佳為，上述氣體均壓部至少具有第1氣體均壓空間及第2氣體均壓空間，對上述第1氣體均壓空間及上述第2氣體均壓空間供給不同流量之驅氣氣體。
<附記29>
於附記25至附記28之任一記載之氣體整流部中，其較佳為，藉由設於上述氣體整流部之上面之氣體整流部支撐部而安裝於上述處理室之蓋上。
<附記30>
於附記25至附記28之任一記載之氣體整流部中，其較佳為，藉由設於上述氣體整流部之一側之氣體整流部固定器，構成為 可調整下面與上述基板支撐部上面之距離。
<附記31>
於附記25至附記28之任一記載之氣體整流部中，其較佳為，於上述氣體整流部之下面設置有第2流導調整機構。
100‧‧‧基板處理裝置
121‧‧‧控制器
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間(處理室)
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧分隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧起銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧昇降機構
219‧‧‧波紋管
221‧‧‧排氣口(第1排氣部)
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器
224‧‧‧真空泵
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧孔
234‧‧‧氣體整流部
234a‧‧‧上面
234b‧‧‧下面
234d‧‧‧開口
235‧‧‧固定器
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共同氣體供給管
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧第一氣體供給源
243c‧‧‧MFC
243d‧‧‧閥
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧第二氣體供給源
244c‧‧‧MFC
244d‧‧‧閥
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧第三氣體供給源
245c‧‧‧MFC
245d‧‧‧閥
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b‧‧‧惰性氣體供給源
246c‧‧‧MFC
246d‧‧‧閥
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
247b‧‧‧惰性氣體供給源
247c‧‧‧MFC
247d‧‧‧閥
248a‧‧‧清潔氣體供給管
248b‧‧‧清潔氣體源
248c‧‧‧MFC
248d‧‧‧閥
249a‧‧‧第四惰性氣體供給管
249b‧‧‧第四惰性氣體供給源
249c‧‧‧MFC
249d‧‧‧閥
250‧‧‧遠距電漿單元(RPU)
251‧‧‧氣體流路
303a‧‧‧第1氣體導入孔
303b‧‧‧第2氣體導入孔
304a‧‧‧第1吹驅噴嘴
304b‧‧‧第2吹驅噴嘴
400a‧‧‧氣體供給管
400b‧‧‧氣體供給管
401a‧‧‧閥
401b‧‧‧閥
402a‧‧‧MFC
402b‧‧‧MFC
403a‧‧‧氣體源
403b‧‧‧氣體源

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：處理室，其包含收容基板之處理空間；基板支撐部，其設於上述處理室，具有載置上述基板之基板載置台；第1氣體供給部，其朝上述基板供給第1氣體；第2氣體供給部，其朝上述基板供給第2氣體；氣體導入口，其設於上述處理室，自上述第1氣體供給部或上述第2氣體供給部導入氣體；氣體整流部，其設於上述氣體導入口與上述處理空間之間，具有使自上述氣體導入口供給之氣體通過之開口；氣體流路，其連通於上述開口，且於上述氣體整流部與上述基板載置台之外周之間構成於圓周方向；氣體均壓部，其具有至少2個以上之氣體均壓空間；驅氣氣體供給部，其分別對上述氣體均壓空間供給不同供給量之驅氣氣體；及流導調整部，其設置有上述氣體均壓部，於對應於上述基板載置台之外周端之一部分的氣體流路之高度，較與上述外周端之其他部分對應之氣體流路之高度高之情況下，將經由一者上述氣體均壓空間供給於上述外周端之一部分的驅氣氣體之供給量，調整為較經由另一者之上述氣體均壓空間供給於上述外周端之其他部分的驅氣氣體之供給量多，於上述氣體整流部之下面，設置有第2流導調整機構。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述流導調整部係設於上述氣體整流部之外周端。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，設置有控制部，如下述般對上述第1氣體供給部、上述第2氣體供給部及上述流導調整部進行控制：將上述第1氣體供給於上述基板之情況，以第1流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於將上述第2氣體供給於上述基板之情況，以上述第1流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之情況，以第2流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為進行控制以使上述第1流量較上述第2流量多。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，還構成為，上述控制部係構成為如下述般對上述第1氣體供給部、上述第2氣體供給部及上述流導調整部進行控制：於將上述第1氣體供給於上述基板之情況，以第3流量及第4流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於將上述第2氣體供給於上述基板之情況，以第3流量及第4流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之情況，以第5流量及第6流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為使上述第3流量較上述第4流量多，使上述第4流量較上述第5流量及 上述第6流量多。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，於上述氣體整流部之下面，設置有第2流導調整機構。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，設置有控制部，如下述般對上述第1氣體供給部、上述第2氣體供給部及上述流導調整部進行控制：於將上述第1氣體供給於上述基板之情況，以第1流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於將上述第2氣體供給於上述基板之情況，以上述第1流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之情況，以第2流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為進行控制以使上述第1流量較上述第2流量多。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為如下述般對上述第1氣體供給部、上述第2氣體供給部及上述流導調整部進行控制：於將上述第1氣體供給於上述基板之情況，以第3流量及第4流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於將上述第2氣體供給於上述基板之情況，以第3流量及第4流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之情況，以第5流量及第6流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中， 上述控制部係構成為進行控制以使上述第3流量較上述第4流量多，上述第4流量較上述第5流量及上述第6流量多。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，於上述氣體整流部之下面，設置有第2流導調整機構。
  13. 如請求項8之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為如下述般對上述第1氣體供給部、上述第2氣體供給部及上述流導調整部進行控制：於將上述第1氣體供給於上述基板之情況，以第3流量及第4流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於將上述第2氣體供給於上述基板之情況，以第3流量及第4流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部，於不將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述基板之情況，以第5流量及第6流量將驅氣氣體供給於上述流導調整部。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中，還構成為，上述控制部係構成為進行控制以使上述第3流量較上述第4流量多，使上述第4流量較上述第5流量及上述第6流量多。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中，於上述氣體整流部之下面，設置有第2流導調整機構。
  16. 一種氣體整流部，係使用於基板處理裝置，該基板處理裝置具有：處理室，其包含收容基板之處理空間；基板支撐部，其設於上述處理室，具有載置上述基板之基板載置台；及氣體導入孔，其將氣體導入上述處理空間， 該氣體整流部係設於上述氣體導入孔與上述處理空間之間；該氣體整流部係構成為形成有氣體流路，其連通設於上述處理室之開口，且於上述氣體整流部與上述基板載置台之外周之間形成於圓周方向；並具有：氣體均壓部，其具有至少2個以上連接於驅氣氣體供給部之氣體均壓空間，且自上述驅氣氣體供給部對上述各氣體均壓空間供給不同流量之驅氣氣體；及流導調整部，其具有上述氣體均壓部，且於對應於上述基板載置台之外周端之一部分的上述氣體流路之高度，較與上述外周端之其他部分對應之上述氣體流路之高度高之情況下，將經由一者之上述氣體均壓空間供給於上述外周端之一部分的驅氣氣體之供給量，調整為較經由另一者之上述氣體均壓空間供給於上述外周端之其他部分的驅氣氣體之供給量多，於上述氣體整流部之下面，設置有第2流導調整機構。
  17. 如請求項16之氣體整流部，其中，藉由設於上述氣體整流部之上面之氣體整流部支撐部，安裝於上述處理室之蓋。
  18. 如請求項17之氣體整流部，其中，藉由設於上述氣體整流部之側面之氣體整流部固定器，構成為可調整上述氣體整流部之下面與上述基板支撐部上面之距離。
  19. 一種半導體裝置之製造方法，其包含以下之步驟：將基板收容於包含處理空間之處理室；將上述基板載置於設在上述處理室之基板支撐部之基板載置台；經由設於上述處理室之氣體導入口、及設於上述氣體導入口與上 述處理空間之間且具有使自上述氣體導入口供給之氣體通過之開口之氣體整流部，朝上述基板供給第1氣體及第2氣體之任一者或兩者，並且，於連通於上述開口、且於上述氣體整流部與上述基板載置台之外周之間構成於圓周方向的氣體流路中，於對應於上述基板載置台之外周端之一部分的氣體流路之高度，較與上述外周端之其他部分對應之氣體流路之高度高之情況下，於具有至少2個以上之設於流導調整部之氣體均壓空間之氣體均壓部中，將經由一者之上述氣體均壓空間供給於上述外周端之一部分的驅氣氣體之供給量，調整為較經由另一者之上述氣體均壓空間供給於上述外周端之其他部分的驅氣氣體之供給量多，於上述氣體整流部之下面，設置有第2流導調整機構。
  20. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有使電腦執行以下之操作順序之程式：將基板收容於包含處理空間之處理室；將上述基板載置於設在上述處理室之基板支撐部之基板載置台；經由設於上述處理室之氣體導入口、及設於上述氣體導入口與上述處理空間之間且具有使自上述氣體導入口供給之氣體通過之開口之氣體整流部，朝上述基板供給第1氣體及第2氣體之任一者或兩者，並且，於上述氣體整流部之下面，設置有第2流導調整機構，於連通於上述開口、且於上述氣體整流部與上述基板載置台之外周之間構成於圓周方向的氣體流路中，於對應於上述基板載置台之外周端之一部分的氣體流路之高度，較與上述外周端之其他部分對 應之氣體流路之高度高之情況下，於具有至少2個以上之設於流導調整部之氣體均壓空間之氣體均壓部中，將經由一者之上述氣體均壓空間供給於上述外周端之一部分的驅氣氣體之供給量，調整為較經由另一者之上述氣體均壓空間供給於上述外周端之其他部分的驅氣氣體之供給量多。
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