KR102289575B1 - 유체공급 장치 및 유체공급 방법 - Google Patents

유체공급 장치 및 유체공급 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102289575B1
KR102289575B1 KR1020207000031A KR20207000031A KR102289575B1 KR 102289575 B1 KR102289575 B1 KR 102289575B1 KR 1020207000031 A KR1020207000031 A KR 1020207000031A KR 20207000031 A KR20207000031 A KR 20207000031A KR 102289575 B1 KR102289575 B1 KR 102289575B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluid
pump
flow path
fluid supply
liquid
Prior art date
Application number
KR1020207000031A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200014403A (ko
Inventor
토시히데 요시다
유키오 미나미
츠토무 시노하라
Original Assignee
가부시키가이샤 후지킨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 후지킨 filed Critical 가부시키가이샤 후지킨
Publication of KR20200014403A publication Critical patent/KR20200014403A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102289575B1 publication Critical patent/KR102289575B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2225/00—Handled fluid after transfer, i.e. state of fluid after transfer from the vessel
    • F17C2225/01—Handled fluid after transfer, i.e. state of fluid after transfer from the vessel characterised by the phase
    • F17C2225/0107—Single phase
    • F17C2225/013—Single phase liquid
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2225/00—Handled fluid after transfer, i.e. state of fluid after transfer from the vessel
    • F17C2225/01—Handled fluid after transfer, i.e. state of fluid after transfer from the vessel characterised by the phase
    • F17C2225/0146—Two-phase
    • F17C2225/0153—Liquefied gas, e.g. LPG, GPL
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2225/00—Handled fluid after transfer, i.e. state of fluid after transfer from the vessel
    • F17C2225/01—Handled fluid after transfer, i.e. state of fluid after transfer from the vessel characterised by the phase
    • F17C2225/0146—Two-phase
    • F17C2225/0153—Liquefied gas, e.g. LPG, GPL
    • F17C2225/0161—Liquefied gas, e.g. LPG, GPL cryogenic, e.g. LNG, GNL, PLNG
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2270/00—Applications
    • F17C2270/05—Applications for industrial use
    • F17C2270/0518—Semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

[과제] 초임계 유체를 안정적으로 공급가능한 유체공급 장치 및 유체공급 방법을 제공한다. [해결수단] 초임계 유체로 변화시키기 전의 액체상태의 유체를 처리실(500)을 향해서 공급하는 유체공급 장치(1)이며, 기체상태의 이산화탄소를 응축액화하는 콘덴서(130)와, 콘덴서(130)에 의해 응축액화된 유체를 저류하는 탱크(140)와, 탱크(140)에 저류된 액화된 이산화탄소를 처리실(500)을 향해서 압송하는 펌프(150)와, 펌프(150)의 토출측과 연통하는 유로(2)에 설치되고, 펌프(150)로부터 토출되는 액체의 주기적인 압력변동을 억제하는 댐퍼부(10)를 갖고, 댐퍼부(10)는, 양단부가 소정의 위치에 고정되고, 또한, 펌프(150)로부터 토출되는 액체가 유통하는 스파이럴형으로 형성된 스파이어럴 관(20)을 가진다.

Description

유체공급 장치 및 유체공급 방법
본 발명은, 반도체 기판, 포토마스크용 유리 기판, 액정표시용 유리 기판등의 각종 기판의 건조 공정등에 사용되는 유체의 유체공급 장치 및 유체공급 방법에 관한 것이다.
대규모로 고밀도, 고성능 반도체 디바이스는, 실리콘 웨이퍼 위에 성막한 레지스트에 대하여 노광, 현상, 린스 세정, 건조를 경과해서 패턴을 형성한 후, 코팅, 에칭, 린스 세정, 건조 등의 프로세스를 경과해서 제조된다. 특히, 고분자 재료의 레지스트는, 광, X선, 전자선등에 감광하는 고분자 재료이며, 각 공정에 있어서, 현상, 린스 세정 공정에서는 현상액, 린스 액등의 약액을 사용하고 있기 때문에, 린스 세정 공정후는 건조 공정이 필수적이다.
이 건조 공정에 있어서, 레지스트 기판 위에 형성한 패턴간의 스페이스 폭이 90nm정도이하가 되면 패턴간에 잔존하는 약액의 표면장력(모세관력)의 작용에 의해, 패턴간에 라플라스 힘이 작용해서 패턴 쓰러짐이 생기는 문제가 발생한다. 그 패턴간에 잔존하는 약액의 표면장력의 작용에 의한 패턴 쓰러짐을 방지하기 위해서, 패턴간에 작용하는 표면장력을 경감하는 건조 프로세스로서, 이산화탄소의 초임계 유체를 사용한 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌1∼4).
특허문헌1: 일본 특허공개2014-22520호 공보 특허문헌2: 일본 특허공개2006-294662호 공보 특허문헌3: 일본 특허공개2004-335675호 공보 특허문헌4: 일본 특허공개2002-33302호 공보
이산화탄소의 초임계 유체의 처리 챔버에의 공급은, 공급원으로부터의 기체상태의 이산화탄소(예를 들면, 20℃, 5.OMPa)를 콘덴서(응축기)로 응축 액화해서 탱크에 저류하고, 이것을 펌프로 처리 챔버에 압송하는 것으로 행해진다(예를 들면, 20℃, 20.OMPa). 처리 챔버에 압송된 액체형의 이산화탄소는, 처리 챔버의 직전 또는 처리 챔버내에서 가열되어(예를 들면, 80℃, 20.OMPa), 초임계 유체가 된다.
그렇지만, 펌프로 압송되는 액체상태의 이산화탄소는, 맥동하기 때문에, 액체의 압력이 크게 변동한다. 이 때문에, 처리 챔버의 직전 또는 처리 챔버내에서 초임계 상태로 변화되는 이산화탄소의 공급량이 불안정해지고, 이산화탄소의 초임계 유체를 안정적으로 공급하는 것이 곤란했다.
본 발명의 목적은, 초임계 유체를 안정적으로 공급가능한 유체공급 장치 및 유체공급 방법을 제공하는데에 있다.
본 발명의 유체공급 장치는, 액체상태의 유체를 처리실을 향해서 공급하는 유체공급 장치이며,
기체상태의 유체를 액화하는 콘덴서와,
상기 콘덴서에 의해 액화된 유체를 저류하는 탱크와,
상기 탱크에 저류된 액화된 유체를 상기 처리실을 향해서 압송하는 펌프와,
상기 펌프의 토출측의 유로와 연통하여, 상기 펌프로부터 토출되는 액체의 압력변동을 억제하는 댐퍼부를 갖고,
상기 댐퍼부는, 양단부가 소정의 위치에 고정되어, 양단부가 소정의 위치에 고정되고, 또한, 상기 양단부의 사이에서 액체의 흐름의 방향을 변경시키도록 형성된 변류관부를 가진다.
적합하게는, 상기 댐퍼부는, 상기 펌프의 토출측으로부터 상기 처리실에 이르는 유로의 도중에 설치된 개폐 밸브의 상류측에서 분기되고, 상기 펌프로부터 토출된 액체를 상기 콘덴서에 되돌리기 위한 유로에 설치되어 있는, 구성을 채용할 수 있다.
더욱 적합하게는, 상기 콘덴서, 상기 탱크, 상기 펌프 및 상기 개폐 밸브는, 상기 기체상태의 유체를 공급하는 유체공급원과 상기 처리실을 잇는 메인 유로에 설치되고,
상기 댐퍼부는, 상기 펌프와 상기 개폐 밸브와의 사이로부터 분기되고, 상기 콘덴서의 상류의 상기 메인 유로에 접속되는 분기 유로에 설치되고,
상기 펌프로부터 압송되는 상기 액체상태의 유체는, 상기 개폐 밸브가 닫힌 상태에서는, 상기 분기 유로를 통해서 다시 상기 콘덴서 및 상기 탱크에 되돌아가고,
상기 개폐 밸브가 개방되면, 상기 액체상태의 유체는, 상기 처리실에 압송되어, 초임계 상태로 변화시키기 위해, 상기 처리실의 앞 또는 상기 처리실내에 설치된 가열 유닛에 의해 가열되는, 구성을 채용할 수 있다.
본 발명의 유체공급 방법은, 상기 구성의 유체공급 장치를 사용하여, 액체상태의 유체를 처리실을 향해서 공급한다.
본 발명의 반도체 제조 장치는, 상기 구성의 유체공급 장치와,
상기 유체공급 장치로부터 공급되는 유체를 사용해서 기재를 처리하는 처리실을 가진다.
본 발명의 반도체 제조 방법은, 상기 구성의 유체공급 장치를 사용하여, 기초가 되는 것(基體)의 처리를 한다.
본 발명에 의하면, 댐퍼부에 의해 펌프에서 압송되는 유체의 맥동을 흡수해서 액체상태의 유체의 압력변동을 억제할 수 있으므로, 처리 챔버에 초임계 유체를 안정적으로 공급할 수 있다.
[도1a] 본 발명의 일 실시형태에 따른 유체공급 장치의 구성도이며, 유체를 순환시키고 있는 상태의 도.
[도1b] 도1a의 유체공급 장치에 있어서 처리 챔버에 액체를 공급하고 있는 상태를 나타내는 도면.
[도2] 이산화탄소의 상태도.
[도3] 댐퍼부의 일례(스파이어럴 관)를 나타내는 정면도.
[도4a] 댐퍼부의 다른 실시형태를 나타내는 개략 구성도.
[도4b] 댐퍼부의 또 다른 실시형태를 나타내는 개략 구성도.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
제 1 실시형태
도1a 및 도1b에 본 발명의 일 실시형태에 따른 유체공급 장치를 나타낸다. 본 실시형태에서는, 유체로서 이산화탄소를 사용하는 경우에 대해서 설명한다. 도1a 및 도1b에 있어서, 1은 유체공급 장치, 10은 댐퍼부, 20은 스파이어럴 관, 100은 C02공급원, 110은 개폐 밸브, 120은 체크밸브, 121은 필터, 130은 콘덴서, 140은 탱크, 150은 펌프, 160은 자동개폐 밸브, 170은 배압밸브, 500은 처리 챔버를 나타낸다. 또한, 도중의 P는 압력 센서, TC는 온도 센서를 나타낸다. 도1a는 자동개폐 밸브(160)가 닫힌 상태를 나타내고 있고, 도1b는 자동개폐 밸브(160)가 개방된 상태를 나타낸다.
처리 챔버(500)에서는, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판의 처리가 행해진다. 또한, 본 실시형태에서는, 처리 대상으로서, 실리콘 웨이퍼를 예시하지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 유리 기판등의 다른 처리 대상이어도 좋다.
C02 공급원(100)은, 기체상태의 이산화탄소(예를 들면, 20℃, 5.OMPa)를 메인 유로(2)에 공급한다. 도2를 참조하면, C02공급원(100)으로부터 공급되는 이산화탄소는, 도2의 Pl의 상태에 있다. 이 상태의 이산화탄소는, 개폐 밸브(110), 체크 밸브(120), 필터(121)를 통해서 콘덴서(130)에 보내진다.
콘덴서(130)에서는, 공급되는 기체상태의 이산화탄소를 냉각함으로써, 액화 응축하고, 액화 응축된 이산화탄소는 탱크(140)에 저류된다. 탱크(140)에 저류된 이산화탄소는, 도2의 P2와 같은 상태(3℃, 5MPa)가 된다. 탱크(140)의 저부로부터 도2의 P2와 같은 상태에 있는 액체상태의 이산화탄소가 펌프(150)에 보내져, 펌프(150)의 토출측에 압송됨으로써, 도2의 P3과 같은 액체상태(20℃, 20MPa)가 된다.
펌프(150)와 처리 챔버(500)를 잇는 메인 유로(2)의 도중에는, 자동개폐 밸브(160)가 설치된다. 메인 유로(2)의 펌프(150)와 자동개폐 밸브(160)의 사이로부터는, 분기 유로(3)가 분기되어 있다. 분기 유로(3)는, 펌프(150)와 자동개폐 밸브(160)의 사이에서, 메인 유로(2)로부터 분기되고, 필터(121)의 상류측에서 다시 메인 유로(2)에 접속되어 있다. 분기 유로(3)에는, 댐퍼부(10) 및 배압밸브(170)가 설치된다.
배압밸브(170)는, 펌프(150)의 토출측의 유체(액체)의 압력이 설정압력(예를 들면, 20MPa) 이상으로 되면, 필터(121)측에 액체를 릴리스 한다. 이에 따라, 펌프(150)의 토출측의 액체의 압력이 설정압력을 초과하는 것을 방지한다.
자동개폐 밸브(160)가 닫힌 상태에서는, 도1a에 도시한 바와 같이, 펌프(150)로부터 압송되는 액체는, 분기 유로(3)를 통해서 다시 콘덴서(130) 및 탱크(140)에 되돌아간다.
자동개폐 밸브(160)가 개방되면, 도1b에 도시한 바와 같이, 액체상태의 이산화탄소가 처리 챔버(500)에 압송된다. 압송된 액체상태의 이산화탄소는, 처리 챔버(500)의 직전 또는 처리 챔버(500)내에 설치된 도시하지 않은 히터에 의해 가열되어, 도2에 나타내는 P4와 같은 초임계 상태(80℃, 20MPa)가 된다.
여기서, 펌프(150)로부터 토출되는 액체는 적지 않게 맥동한다.
펌프(150)로부터 토출되는 액체를 처리 챔버(500)에 공급할 때에, 처리 챔버(500)까지 메인 유로(2)는 액체로 충전되어 있음과 아울러, 분기 유로(3)도 배압밸브(170)까지 액체가 충전되어 있다. 이 때문에, 펌프(150)로부터 토출되는 액체가 맥동하면, 메인 유로(2) 및 분기 유로(3)내의 액체상태의 이산화탄소의 압력이 주기적으로 변동한다.
액체상태의 이산화탄소는, 압축성이 부족하다. 이 때문에, 액체상태의 이산화탄소의 압력이 주기적으로 변동하면, 처리 챔버(500)에 공급되는 액체상태의 이산화탄소의 유량도 그것에 따라서 크게 변동한다. 공급되는 액체상태의 이산화탄소의 유량이 크게 변동하면, 처리 챔버(500)의 직전 혹은 처리 챔버(500)내에서 초임계 상태로 변화시킨 이산화탄소의 공급량도 크게 변동해버린다.
이 때문에, 본 실시형태에서는, 분기 유로(3)에 댐퍼부(10)를 설치하고, 펌프(150)로부터 토출되는 액체의 맥동을 감쇠시켜서, 펌프(150)로부터 토출되는 액체의 주기적인 압력변동을 억제하고, 초임계 상태로 변화시킨 이산화탄소의 공급량을 안정화시킨다.
댐퍼부(10)는, 양단부가 소정의 위치에 고정되고, 또한, 상기 양단부의 사이에서 액체의 흐름의 방향을 변경시키도록 형성된 변류관부로 하여, 도3에 도시한 바와 같이, 분기 유로(3)에 직렬로 접속된 스파이어럴 관(20)을 가진다.
또한, 변류관부로서, 스파이어럴 관(나선관)이외에도, 소용돌이 모양의 관, 파형의 관, 지그재그관 등이어도 좋다. 나선이나 소용돌이의 형상은, 원형일 필요는 없고, 뿔형이여도 좋다.
스파이어럴 관(20)은, 하단부 및 상단부에 각각 관 이음매(21, 24)가 설치되어 있고, 이것들의 관 이음매(21, 24)에 의해 스파이어럴 관(20)이 분기 유로(3)에 직렬로 접속된다.
스파이어럴 관(20)을 구성하는 관(22)은, 예를 들면, 스테인레스 강등의 금속재료로 형성되어 있다. 관(22)의 직경은 6.35mm, 스파이어럴부(23)의 전체 길이 L은 280mm, 스파이어럴부(23)의 직경Dl이 140mm정도, 스파이어럴부(23)의 권수는 22권, 관(22)의 전체 길이는 9800mm정도다.
본 발명자의 실험에 의하면, 양단부가 고정된 스파이어럴 관(20)은, 내부에 충전된 액체의 압력이 변동하면, 액체의 압력변동에 따라서 진동(탄성변형)하는 것을 알았다. 다시 말해, 액체가 맥동할 때에 스파이어럴 관(20)에서 에너지가 소비되는 것에 의해, 펌프(150)로부터 토출되는 액체의 맥동(압력변동)을 억제하는 댐퍼 작용이 발휘된다고 추측된다.
이 결과, 처리 챔버(500)의 직전(앞) 혹은 처리 챔버(500)내에서 초임계 상태로 변화시킨 이산화탄소의 공급량을 안정화시킬 수 있었다.
제2실시형태
도4a에 댐퍼부의 다른 실시형태를 나타낸다.
도4a에 나타내는 댐퍼부는, 분기 유로(3)에 대하여 스파이어럴 관(20)을 병렬로 접속하고, 분기 유로(3)와 스파이어럴 관(20)과의 사이에 오리피스(30)를 설치하고 있다.
이러한 구성으로서도, 제1실시형태와 마찬가지로, 펌프(150)로부터 토출되는 액체의 맥동(주기적인 압력변동)이 억제되어, 처리 챔버(500)의 직전 혹은 처리 챔버(500)내에서 초임계 상태로 변화시킨 이산화탄소의 공급량을 안정화시킬 수 있다.
제3실시형태
도4b에 댐퍼부의 또 다른 실시형태를 나타낸다.
도4b에 나타내는 댐퍼부는, 2개의 스파이어럴 관(20)을 병렬로 접속하고, 이것들을 분기 유로(3)에 삽입함과 아울러, 분기 유로(3)와 한쪽의 스파이어럴 관(20)과의 사이에 오리피스(30)를 설치하고 있다.
이러한 구성으로서도, 제1실시형태와 마찬가지로, 펌프(150)로부터 토출되는 액체의 맥동(주기적인 압력변동)이 억제되어, 처리 챔버(500)의 직전 혹은 처리 챔버(500)내에서 초임계 상태로 변화시킨 이산화탄소의 공급량을 안정화시킬 수 있다.
상기 실시형태에서는, 댐퍼부(10)를 분기 유로(3)에 설치했을 경우에 대해서 예시했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 펌프(150)의 토출측의 메인 유로(2)에 댐퍼부(10)를 설치하는 것도 가능하다.
상기 실시형태에서는, 유체로서 이산화탄소를 예시했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 초임계 상태로 변화시킬 수 있는 유체이면, 본 발명을 적용가능하다.
1 유체공급 장치
2 메인 유로
3 분기 유로
10 댐퍼부
20 스파이어럴 관
30 오피리스
100 CO2 공급원
110 개폐 밸브
120 체크 밸브
121 필터
130 콘덴서
140 탱크
150 펌프
160 자동개폐 밸브
170 배압 밸브
500 처리 챔버(처리실)

Claims (10)

  1. 액체상태의 유체를 처리실을 향해서 공급하는 유체공급 장치이며,
    기체상태의 유체를 액화하는 콘덴서와,
    상기 콘덴서에 의해 액화된 유체를 저류하는 탱크와,
    상기 탱크에 저류된 액화된 유체를 상기 처리실을 향해서 압송하는 펌프와,
    상기 펌프의 토출측의 유로와 연통하여, 상기 펌프로부터 토출되는 액체의 압력변동을 억제하는 댐퍼부를 갖고,
    상기 댐퍼부는, 상기 펌프와 상기 펌프의 토출측으로부터 상기 처리실에 이르는 유로의 도중에 설치된 개폐 밸브와의 사이에서 분기된 분기 유로에 설치되어 있고, 양단부가 소정의 위치에 고정되고, 또한, 상기 양단부의 사이에서 액체의 흐름의 방향을 변경시키도록 형성된 변류관부를 갖고,
    상기 분기된 분기 유로는, 상기 펌프로부터 토출된 액체를 액체상태로 상기 콘덴서에 되돌리기 위한 유로인 것을 특징으로 하는 유체공급 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 콘덴서, 상기 탱크, 상기 펌프 및 상기 개폐 밸브는, 상기 기체상태의 유체를 공급하는 유체공급원과 상기 처리실을 잇는 메인 유로에 설치되고,
    상기 댐퍼부는, 상기 펌프와 상기 개폐 밸브와의 사이로부터 분기되고, 상기 콘덴서의 상류의 상기 메인 유로에 접속되는 분기 유로에 설치되고,
    상기 펌프로부터 압송되는 상기 액체상태의 유체는, 상기 개폐 밸브가 닫힌 상태에서는, 상기 분기 유로를 통해서 다시 상기 콘덴서 및 상기 탱크에 되돌아가고,
    상기 개폐 밸브가 개방되면, 상기 액체상태의 유체는, 상기 처리실에 압송되어, 초임계 상태로 변화시키기 위해, 상기 처리실의 앞 또는 상기 처리실내에 설치된 가열 유닛에 의해 가열되는, 유체공급 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 댐퍼부는, 상기 개폐 밸브가 개방된 상태에서, 상기 펌프로부터 토출되는 액체의 압력변동을 억제하도록 설치되는, 유체공급 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 변류관부는, 스파이어럴 관, 소용돌이 모양의 관, 파형의 관 및 지그재그관 중 어느 하나를 포함하는, 유체공급 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체는, 이산화탄소를 포함하는, 유체공급 장치.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 유체공급 장치를 사용하여, 액체상태의 유체를 처리실을 향해서 공급하는 것을 특징으로 하는 유체공급 방법.
  7. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 유체공급 장치와,
    상기 유체공급 장치로부터 공급되는 유체를 사용해서 기초가 되는 것을 처리하는 처리실을, 갖는 반도체 제조 장치.
  8. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 유체공급 장치로부터 공급되는 유체를 사용해서 기초가 되는 것의 처리를 하는 반도체 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020207000031A 2017-08-10 2018-07-31 유체공급 장치 및 유체공급 방법 KR102289575B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-156177 2017-08-10
JP2017156177 2017-08-10
PCT/JP2018/028592 WO2019031301A1 (ja) 2017-08-10 2018-07-31 流体供給装置および流体供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200014403A KR20200014403A (ko) 2020-02-10
KR102289575B1 true KR102289575B1 (ko) 2021-08-13

Family

ID=65272040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207000031A KR102289575B1 (ko) 2017-08-10 2018-07-31 유체공급 장치 및 유체공급 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210125839A1 (ko)
JP (1) JP7146283B2 (ko)
KR (1) KR102289575B1 (ko)
CN (1) CN110998802B (ko)
TW (1) TWI717624B (ko)
WO (1) WO2019031301A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005048605A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ポンプ
JP2006297327A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Anest Iwata Corp 粉体定量供給装置
JP2007500940A (ja) * 2003-07-29 2007-01-18 東京エレクトロン株式会社 処理チャンバ内のみへの処理化学物質のフローの制御
JP2011525594A (ja) 2008-06-24 2011-09-22 オーロラ エスエフシー システムズ， インコーポレイテッド 圧縮性流体のポンプシステム
JP2013159499A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Japan Organo Co Ltd 液化炭酸ガス製造装置及びその洗浄方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2851058A (en) * 1956-12-26 1958-09-09 Houdaille Industries Inc Tuned pulse damper
US4679597A (en) * 1985-12-20 1987-07-14 Kim Hotstart Mfg. Co., Inc. Liquid pulsation dampening device
WO2001078911A1 (en) * 2000-04-18 2001-10-25 S. C. Fluids, Inc. Supercritical fluid delivery and recovery system for semiconductor wafer processing
KR20020033302A (ko) 2000-10-30 2002-05-06 박종섭 에스램셀의 제조 방법
JP2002224627A (ja) * 2001-02-05 2002-08-13 Tokyo Electron Ltd 基板の洗浄方法および装置
JP3863116B2 (ja) * 2002-03-14 2006-12-27 株式会社小松製作所 流体温度調節装置
CN100384545C (zh) * 2002-09-30 2008-04-30 松下电器产业株式会社 流体排出装置和流体排出方法
JP3914134B2 (ja) * 2002-11-06 2007-05-16 日本電信電話株式会社 超臨界乾燥方法及び装置
JP3965693B2 (ja) 2003-05-07 2007-08-29 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ 微細構造乾燥処理法とその装置及びその高圧容器
JP4546314B2 (ja) 2005-04-06 2010-09-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造乾燥処理法及びその装置
KR101062253B1 (ko) * 2006-06-16 2011-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
JP2008078507A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Univ Of Yamanashi 導電体の選択形成方法および半導体装置の製造方法
US8133038B2 (en) * 2008-12-30 2012-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Hermetic compressor
WO2011043194A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012087983A (ja) * 2010-10-19 2012-05-10 Tokyo Electron Ltd 流体加熱装置及び基板処理装置
JP5459185B2 (ja) * 2010-11-29 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5019082B1 (ja) * 2011-03-25 2012-09-05 栗田工業株式会社 液体加熱方法及び液体加熱装置並びに加熱液体供給装置
JP3168588U (ja) * 2011-04-08 2011-06-16 アドバンス電気工業株式会社 流体供給量調節装置
JP5679910B2 (ja) * 2011-06-03 2015-03-04 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ制御装置、クライオポンプシステム、及びクライオポンプの真空度保持判定方法
JP5912596B2 (ja) * 2012-02-02 2016-04-27 オルガノ株式会社 流体二酸化炭素の供給装置及び供給方法
JP5716710B2 (ja) 2012-07-17 2015-05-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、流体の供給方法及び記憶媒体
JP5837962B1 (ja) * 2014-07-08 2015-12-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部
JP5953565B1 (ja) * 2015-02-23 2016-07-20 防衛装備庁長官 冷凍ピンチャック装置および冷凍ピンチャック方法
KR101702840B1 (ko) * 2015-09-08 2017-02-06 주식회사 만도 유압 브레이크 시스템의 맥동 저감 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007500940A (ja) * 2003-07-29 2007-01-18 東京エレクトロン株式会社 処理チャンバ内のみへの処理化学物質のフローの制御
JP2005048605A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ポンプ
JP2006297327A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Anest Iwata Corp 粉体定量供給装置
JP2011525594A (ja) 2008-06-24 2011-09-22 オーロラ エスエフシー システムズ， インコーポレイテッド 圧縮性流体のポンプシステム
JP2013159499A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Japan Organo Co Ltd 液化炭酸ガス製造装置及びその洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019031301A1 (ja) 2020-07-02
US20210125839A1 (en) 2021-04-29
KR20200014403A (ko) 2020-02-10
TWI717624B (zh) 2021-02-01
TW201921209A (zh) 2019-06-01
CN110998802A (zh) 2020-04-10
CN110998802B (zh) 2023-08-29
WO2019031301A1 (ja) 2019-02-14
JP7146283B2 (ja) 2022-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102312482B1 (ko) 유체공급 장치 및 유체공급 방법
JP5843638B2 (ja) 液化炭酸ガス製造装置及びその洗浄方法
TWI558450B (zh) 流體二氧化碳之供給裝置及供給方法
KR102469166B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 처리 유체 공급 방법
KR20190001753A (ko) 초임계유체 가열장치 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR102289575B1 (ko) 유체공급 장치 및 유체공급 방법
KR102515859B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
JP5912597B2 (ja) 流体二酸化炭素の供給装置及び供給方法
KR100858429B1 (ko) 튜브 구조체 및 이를 구비하는 반도체 제조 장치
KR102227726B1 (ko) 유체공급 장치 및 이 장치에 있어서의 액체배출 방법
JP2008016669A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
WO2024085014A1 (ja) 処理流体供給装置および処理流体供給方法
KR101092109B1 (ko) 이소프로필 알코올 공급장치
JP2009054650A (ja) 基板洗浄装置及びその補液補給装置
JP2022101053A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20210149799A (ko) 감소된 용존 담체 가스 및 산소 함량을 갖는 용존 암모니아 용액을 생성하기 위한 시스템들 및 방법들
KR20190070130A (ko) 초임계유체 공급장치
KR20020077549A (ko) 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 웨이퍼 건조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant