WO2024085014A1 - 処理流体供給装置および処理流体供給方法 - Google Patents

処理流体供給装置および処理流体供給方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2024085014A1
WO2024085014A1 PCT/JP2023/036677 JP2023036677W WO2024085014A1 WO 2024085014 A1 WO2024085014 A1 WO 2024085014A1 JP 2023036677 W JP2023036677 W JP 2023036677W WO 2024085014 A1 WO2024085014 A1 WO 2024085014A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
processing fluid
fluid
supply line
supply
processing
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/036677
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
幹雄 中島
翔太 梅▲崎▼
貴大 林田
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Publication of WO2024085014A1 publication Critical patent/WO2024085014A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the disclosed embodiments relate to a processing fluid supply device and a processing fluid supply method.
  • a substrate processing apparatus that forms a liquid film to prevent drying on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and then brings the wafer on which the liquid film has been formed into contact with a processing fluid in a supercritical state to perform a drying process.
  • a processing fluid supplying apparatus that supplies a processing fluid to such a substrate processing apparatus (for example, see Patent Document 1).
  • This disclosure provides a technology that can improve the filtering performance of a processing fluid in a processing fluid supply device that supplies a processing fluid to a substrate processing device.
  • a processing fluid supply device includes a supply line, a cooling unit, a pump, a return line, a heating unit, and a flow rate adjustment mechanism.
  • the supply line supplies processing fluid from a processing fluid supply source that supplies processing fluid in a gaseous state to a substrate processing apparatus.
  • the cooling unit is provided in the supply line and cools the processing fluid in the gaseous state to generate the processing fluid in a liquid state.
  • the pump is provided in the supply line downstream of the cooling unit.
  • the return line branches from a branching unit located downstream of the pump in the supply line and returns the processing fluid to a junction located upstream of the cooling unit in the supply line.
  • the heating unit is provided in the return line and heats the processing fluid.
  • the flow rate adjustment mechanism adjusts the flow rate of the processing fluid supplied to the heating unit.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of a liquid processing unit according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view illustrating a configuration example of the drying unit according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of the overall system configuration of the substrate processing system according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a piping configuration of a supply unit and a drying unit according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of a piping configuration of the processing fluid supplying apparatus according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a piping configuration of a treatment fluid supplying apparatus according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a configuration of a heater according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of a piping configuration of a treatment fluid supplying apparatus according to the second modification of the embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of a piping configuration of a treatment fluid supplying apparatus according to the third modification of the embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of a piping configuration of a treatment fluid supplying apparatus according to the fourth modification of the embodiment.
  • substrate processing apparatuses that form a liquid film to prevent drying on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and then bring the wafer with the liquid film formed thereon into contact with a processing fluid in a supercritical state to perform a drying process.
  • a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer)
  • a processing fluid in a supercritical state
  • the processing fluid supply device that supplies processing fluid to such substrate processing equipment has piping arranged in series from the processing fluid supply source to the substrate processing equipment, so even if foreign matter in the processing fluid is filtered using a filter, there is a limit to the number of times it can be filtered.
  • the number of times that it can be filtered can be increased, improving the performance of removing foreign matter.
  • liquid processing fluid on the downstream side is heated by a heater in the return line to change the processing fluid into a gaseous state, and this gaseous processing fluid is then filtered by a gas filter.
  • Fig. 1 is a diagram showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.
  • an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertical upward direction.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a loading/unloading station 2 and a processing station 3.
  • the loading/unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading/unloading station 2 includes a carrier placement section 11 and a transport section 12.
  • a plurality of carriers C each of which holds a plurality of semiconductor wafers W (hereinafter referred to as "wafers W") in a horizontal position, are placed on the carrier placement section 11.
  • the transport section 12 is provided adjacent to the carrier placement section 11. Inside the transport section 12, a transport device 13 and a delivery section 14 are arranged.
  • the transfer device 13 is equipped with a wafer holding mechanism that holds the wafer W.
  • the transfer device 13 is also capable of moving in the horizontal and vertical directions and rotating around a vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the transfer section 14 using the wafer holding mechanism.
  • the processing station 3 is located adjacent to the transport section 12.
  • the processing station 3 includes a transport block 4 and a plurality of processing blocks 5.
  • the transport block 4 includes a transport area 15 and a transport device 16.
  • the transport area 15 is, for example, a rectangular parallelepiped region extending along the arrangement direction (X-axis direction) of the loading/unloading stations 2 and the processing stations 3.
  • the transport device 16 is disposed in the transport area 15.
  • the transfer device 16 is equipped with a wafer holding mechanism that holds the wafer W.
  • the transfer device 16 is also capable of moving in the horizontal and vertical directions and rotating around a vertical axis, and uses the wafer holding mechanism to transfer the wafer W between the transfer section 14 and the multiple processing blocks 5.
  • the multiple processing blocks 5 are arranged adjacent to the transport area 15 on both sides of the transport area 15. Specifically, the multiple processing blocks 5 are arranged on one side (positive Y-axis direction) and the other side (negative Y-axis direction) of the transport area 15 in a direction (Y-axis direction) perpendicular to the arrangement direction (X-axis direction) of the loading/unloading stations 2 and processing stations 3.
  • the multiple processing blocks 5 are arranged in multiple stages (for example, three stages) along the vertical direction.
  • the wafers W are transported between the processing blocks 5 arranged in each stage and the transfer section 14 by a single transport device 16 arranged in the transport block 4.
  • the number of stages of the multiple processing blocks 5 is not limited to three.
  • Each processing block 5 includes a liquid processing unit 17, a drying unit 18, and a supply unit 19.
  • the drying unit 18 is an example of a substrate processing section.
  • the liquid processing unit 17 performs a cleaning process to clean the top surface of the wafer W, which is the pattern formation surface.
  • the liquid processing unit 17 also performs a liquid film formation process to form a liquid film on the top surface of the wafer W after the cleaning process.
  • the configuration of the liquid processing unit 17 will be described later.
  • the drying unit 18 performs a supercritical drying process on the wafer W after the liquid film formation process. Specifically, the drying unit 18 dries the wafer W by bringing the wafer W after the liquid film formation process into contact with a processing fluid in a supercritical state (hereinafter also referred to as "supercritical fluid"). The configuration of the drying unit 18 will be described later.
  • the supply unit 19 supplies the processing fluid to the drying unit 18.
  • the supply unit 19 includes a group of supply devices including a flow meter, a flow regulator, a back pressure valve, a heater, etc., and a housing that houses the group of supply devices.
  • the supply unit 19 supplies CO2 as the processing fluid to the drying unit 18. The configuration of the supply unit 19 will be described later.
  • a treatment fluid supplying device 70 (see FIG. 4) that supplies a treatment fluid is connected to the supply unit 19.
  • the treatment fluid supplying device 70 supplies CO2 as the treatment fluid to the supply unit 19.
  • the treatment fluid supplying device 70 will be described in detail later.
  • the liquid treatment unit 17, drying unit 18 and supply unit 19 are arranged along the transport area 15 (i.e., along the X-axis direction). Of the liquid treatment unit 17, drying unit 18 and supply unit 19, the liquid treatment unit 17 is disposed at a position closest to the loading/unloading station 2, and the supply unit 19 is disposed at a position farthest from the loading/unloading station 2.
  • each processing block 5 has one liquid processing unit 17, one drying unit 18, and one supply unit 19.
  • the substrate processing apparatus 1 is provided with the same number of liquid processing units 17, drying units 18, and supply units 19.
  • the drying unit 18 also includes a processing area 18a where the supercritical drying process is performed, and a transfer area 18b where the wafer W is transferred between the transport block 4 and the processing area 18a.
  • the processing area 18a and the transfer area 18b are aligned along the transport area 15.
  • the delivery area 18b is arranged closer to the liquid processing unit 17 than the processing area 18a. That is, in each processing block 5, the liquid processing unit 17, the delivery area 18b, the processing area 18a, and the supply unit 19 are arranged in this order along the transport area 15.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a control device 6.
  • the control device 6 is, for example, a computer, and includes a control unit 7 and a memory unit 8.
  • the control unit 7 includes a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory), input/output ports, and various circuits.
  • the CPU of the microcomputer reads and executes programs stored in the ROM to realize control of the conveying devices 13, 16, the liquid treatment unit 17, the drying unit 18, the supply unit 19, and the like.
  • Such a program may be stored in a computer-readable storage medium and installed from that storage medium into the storage unit 8 of the control device 6.
  • Examples of computer-readable storage media include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
  • the memory unit 8 is realized, for example, by a semiconductor memory element such as a RAM or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.
  • the transfer device 13 in the loading/unloading station 2 removes the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement section 11, and places the removed wafer W on the transfer section 14.
  • the wafer W placed on the transfer section 14 is then removed from the transfer section 14 by the transfer device 16 in the processing station 3, and is transferred to the liquid processing unit 17.
  • the wafer W carried into the liquid treatment unit 17 is subjected to cleaning and liquid film forming processes by the liquid treatment unit 17, and then carried out of the liquid treatment unit 17 by the transfer device 16.
  • the wafer W carried out of the liquid treatment unit 17 is carried into the drying unit 18 by the transfer device 16, and is subjected to drying processes by the drying unit 18.
  • the wafer W that has been dried by the drying unit 18 is removed from the drying unit 18 by the transport device 16 and placed in the transfer section 14.
  • the processed wafer W placed in the transfer section 14 is then returned to the carrier C in the carrier placement section 11 by the transport device 13.
  • Fig. 2 is a diagram showing an example of the configuration of liquid processing unit 17.
  • Liquid processing unit 17 is configured, for example, as a single-wafer cleaning device that cleans wafers W one by one by spin cleaning.
  • the liquid processing unit 17 holds the wafer W almost horizontally using a wafer holding mechanism 25 disposed in an outer chamber 23 that forms the processing space, and rotates the wafer W by rotating the wafer holding mechanism 25 around a vertical axis.
  • the liquid processing unit 17 then inserts the nozzle arm 26 above the rotating wafer W and supplies chemical liquid and rinsing liquid in a predetermined order from the chemical nozzle 26a provided at the tip of the nozzle arm 26, thereby cleaning the top surface of the wafer W.
  • a chemical liquid supply path 25a is also formed inside the wafer holding mechanism 25.
  • the underside of the wafer W is also cleaned by the chemical liquid and rinsing liquid supplied from the chemical liquid supply path 25a.
  • the cleaning process begins with the removal of particles and organic contaminants using an alkaline chemical called SC1 liquid (a mixture of ammonia and hydrogen peroxide). This is followed by a rinse wash using deionized water (DIW), which serves as a rinse liquid.
  • SC1 liquid a mixture of ammonia and hydrogen peroxide
  • DIW deionized water
  • DIW diluted hydrofluoric acid
  • the various chemical solutions described above are received in the outer chamber 23 or the inner cup 24 placed in the outer chamber 23, and are discharged from the drainage port 23a provided at the bottom of the outer chamber 23 and the drainage port 24a provided at the bottom of the inner cup 24. Furthermore, the atmosphere inside the outer chamber 23 is exhausted from the exhaust port 23b provided at the bottom of the outer chamber 23.
  • the liquid film formation process is performed after the rinsing process in the cleaning process.
  • the liquid processing unit 17 supplies liquid IPA (Isopropyl Alcohol) (hereinafter also referred to as "IPA liquid") to the upper and lower surfaces of the wafer W while rotating the wafer holding mechanism 25. This replaces the DIW remaining on both sides of the wafer W with IPA.
  • the liquid processing unit 17 then gently stops the rotation of the wafer holding mechanism 25.
  • the wafer W After completing the liquid film formation process, the wafer W, with the IPA liquid film formed on its upper surface, is transferred to the transfer device 16 by a transfer mechanism (not shown) provided in the wafer holding mechanism 25, and is removed from the liquid processing unit 17.
  • the liquid film formed on the wafer W prevents pattern collapse caused by evaporation (vaporization) of the liquid on the top surface of the wafer W during transport of the wafer W from the liquid processing unit 17 to the drying unit 18 and during loading into the drying unit 18.
  • Fig. 3 is a schematic perspective view showing an example of the configuration of the drying unit 18.
  • the drying unit 18 has a main body 31, a holding plate 32, and a lid member 33.
  • the housing-shaped main body 31 has an opening 34 formed therein for loading and unloading the wafer W.
  • the holding plate 32 holds the wafer W to be processed in a horizontal direction.
  • the lid member 33 supports the holding plate 32 and seals the opening 34 when the wafer W is loaded into the main body 31.
  • the main body 31 is a container having a processing space formed therein capable of accommodating a wafer W having a diameter of, for example, 300 mm, and its wall is provided with supply ports 35, 36 and discharge port 37.
  • the supply ports 35, 36 and the discharge port 37 are respectively connected to a supply flow path and a discharge flow path for circulating a supercritical fluid to the drying unit 18.
  • the supply port 35 is connected to the side of the housing-like main body 31 opposite the opening 34.
  • the supply port 36 is connected to the bottom surface of the main body 31.
  • the discharge port 37 is connected to the lower side of the opening 34. Note that although two supply ports 35, 36 and one discharge port 37 are illustrated in FIG. 3, the number of supply ports 35, 36 and discharge ports 37 is not particularly limited.
  • fluid supply headers 38, 39 and a fluid discharge header 40 are provided inside the main body 31 .
  • the fluid supply headers 38, 39 are formed with a plurality of supply ports aligned in the longitudinal direction of the fluid supply headers 38, 39, and the fluid discharge header 40 is formed with a plurality of discharge ports aligned in the longitudinal direction of the fluid discharge header 40.
  • the fluid supply header 38 is connected to the supply port 35 and is provided inside the housing-like main body 31 adjacent to the side opposite the opening 34.
  • the multiple supply ports formed in line with the fluid supply header 38 face the opening 34 side.
  • the fluid supply header 39 is connected to the supply port 36 and is provided in the center of the bottom surface inside the housing-like main body 31.
  • the multiple supply ports formed in line with the fluid supply header 39 face upward.
  • the fluid discharge header 40 is connected to the discharge port 37 and is located inside the housing-like main body 31 adjacent to the side facing the opening 34 and below the opening 34.
  • the multiple discharge ports formed next to the fluid discharge header 40 face upward.
  • the fluid supply headers 38 and 39 supply the supercritical fluid into the main body 31.
  • the fluid discharge header 40 guides the supercritical fluid in the main body 31 to the outside of the main body 31 and discharges it.
  • the supercritical fluid discharged to the outside of the main body 31 via the fluid discharge header 40 includes IPA liquid that has dissolved in the supercritical fluid in a supercritical state from the surface of the wafer W.
  • the IPA liquid between the patterns formed on the wafer W comes into contact with the supercritical fluid at a high pressure (for example, 16 MPa) and gradually dissolves in the supercritical fluid, and the spaces between the patterns are gradually replaced by the supercritical fluid. Finally, the spaces between the patterns are filled only with the supercritical fluid.
  • a high pressure for example, 16 MPa
  • the pressure inside the main body 31 is reduced from a high pressure state to atmospheric pressure, whereby the CO2 changes from a supercritical state to a gaseous state, and the spaces between the patterns are occupied only by gas. In this way, the IPA liquid between the patterns is removed, and the drying process of the wafer W is completed.
  • supercritical fluids have a lower viscosity than liquids (e.g., IPA liquid) and a higher ability to dissolve liquids.
  • liquids e.g., IPA liquid
  • IPA liquid is used as the liquid for preventing drying
  • CO2 in a supercritical state is used as the processing fluid
  • a liquid other than IPA may be used as the liquid for preventing drying
  • a fluid other than CO2 in a supercritical state may be used as the processing fluid.
  • Fig. 4 is a diagram showing an example of the overall system configuration of the substrate processing system S according to the embodiment. Each part of the substrate processing system S described below can be controlled by a control unit 7.
  • the substrate processing system S includes a processing fluid supply source 60, a processing fluid supply device 70, and a substrate processing apparatus 1.
  • the processing fluid supply device 70 supplies the processing fluid supplied from the processing fluid supply source 60 to the substrate processing apparatus 1.
  • the substrate processing apparatus 1 has multiple drying units 18 and multiple supply units 19, and processes the wafer W (see FIG. 5) in the drying units 18 with the processing fluid supplied via the corresponding supply units 19.
  • the treatment fluid supply source 60 and the multiple drying units 18 are connected by a supply line 61, and treatment fluid is supplied from the treatment fluid supply source 60 to the multiple drying units 18 via this supply line 61.
  • the supply line 61 has a first supply line 62 and a plurality of second supply lines 63.
  • the first supply line 62 supplies the treatment fluid from the treatment fluid supply source 60 to the treatment fluid supply device 70.
  • the first supply line 62 also branches into a plurality of second supply lines 63 within the treatment fluid supply device 70.
  • the second supply lines 63 supply the treatment fluid to the drying unit 18 via the supply unit 19.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of the piping configuration of the supply unit 19 and drying unit 18 according to an embodiment.
  • the processing fluid flowing through the second supply line 63 is supplied to the drying unit 18 and discharged from the drying unit 18 to the outside via the discharge line 50.
  • a valve 41, a heater 42, a temperature sensor 43, an orifice 44, a filter 45, and a valve 46 are provided in this order from the upstream side.
  • a valve 48 is provided in a branch line 47 that branches off from between the filter 45 and the valve 46 in the second supply line 63.
  • Valve 41 is a valve that adjusts the flow of the processing fluid on and off. When open, the processing fluid flows to the downstream heater 42, and when closed, the processing fluid does not flow to the downstream heater 42.
  • the heater 42 heats the liquid processing fluid flowing through the second supply line 63 to generate a supercritical processing fluid.
  • the temperature sensor 43 detects the temperature of the supercritical processing fluid generated by the heater 42.
  • the orifice 44 serves to reduce the flow rate of the supercritical processing fluid generated by the heater 42 and adjust the pressure.
  • the orifice 44 can pass the supercritical processing fluid, the pressure of which is adjusted to, for example, about 16 MPa, through the downstream second supply line 63.
  • the filter 45 filters the supercritical processing fluid flowing through the second supply line 63 and removes foreign matter contained in the processing fluid. By removing foreign matter from the processing fluid using the filter 45, it is possible to suppress the generation of particles on the surface of the wafer W during the drying process of the wafer W using the supercritical fluid.
  • Valves 46 and 48 are valves that adjust the flow of the processing fluid on and off. When open, the processing fluid flows to the downstream drying unit 18, and when closed, the processing fluid does not flow to the downstream drying unit 18.
  • the drying unit 18 is provided with a temperature sensor 49.
  • the temperature sensor 49 detects the temperature of the processing fluid filled in the drying unit 18.
  • a pressure sensor 51 In the discharge line 50, a pressure sensor 51, a valve 52, a flow meter 53, and a back pressure valve 54 are provided in that order from the upstream side.
  • the pressure sensor 51 measures the pressure of the processing fluid flowing through the discharge line 50. Since the pressure sensor 51 is directly connected to the drying unit 18 via the discharge line 50, the pressure of the processing fluid measured by the pressure sensor 51 is approximately equal to the internal pressure of the processing fluid in the drying unit 18.
  • Valve 52 is a valve that adjusts the flow of the treatment fluid on and off. When open, it allows the treatment fluid to flow to the downstream drain section DR, and when closed, it does not allow the treatment fluid to flow to the downstream drain section DR.
  • Flow meter 53 measures the flow rate of the treatment fluid flowing through discharge line 50.
  • the back pressure valve 54 is configured to adjust the valve opening to allow fluid to flow to the secondary side when the primary pressure of the discharge line 50 exceeds the set pressure, thereby maintaining the primary pressure at the set pressure.
  • the valve opening and set pressure of the back pressure valve 54 can be changed at any time by the control unit 7.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of the piping configuration of a treatment fluid supplying device 70 according to an embodiment.
  • the treatment fluid supplying device 70 has a supply line 61.
  • the supply line 61 has a first supply line 62 and multiple (two in the figure) second supply lines 63.
  • the first supply line 62 supplies the treatment fluid from the treatment fluid supply source 60 to the treatment fluid supply device 70.
  • the first supply line 62 also branches into multiple second supply lines 63 within the treatment fluid supply device 70.
  • first supply line 62 from the upstream side with respect to the treatment fluid supply source 60, there are provided a valve 64, a check valve 65, a junction 71, multiple junctions 72 (two in the figure), a filter 73, a condenser 74, a pump 75, and a branching section 76.
  • a connection section 77 from the upstream side with respect to the branching section 76, there are provided a connection section 77, a pressure sensor 78, and a branching section 79.
  • Valve 64 is a valve that adjusts the flow of the treatment fluid on and off. When open, it allows the treatment fluid to flow to the downstream check valve 65, and when closed, it does not allow the treatment fluid to flow to the downstream check valve 65.
  • the check valve 65 prevents the treatment fluid in the first supply line 62 from flowing back to the upstream side of the check valve 65.
  • the junction 71 is where the first supply line 62 and the return line 90, which will be described later, join.
  • the junction 72 is an example of another junction.
  • the junction 72 is where the first supply line 62 and the return line 100, which will be described later, join.
  • the treatment fluid in a gaseous state is supplied from the treatment fluid supply source 60. Furthermore, the liquid treatment fluid returned to the first supply line 62 from the multiple return lines 100 changes from a liquid state to a gaseous state due to the high-temperature gaseous treatment fluid returned to the first supply line 62 from the return line 90. As a result, the treatment fluid in a gaseous state flows into the filter 73.
  • the filter 73 is, for example, a gas filter, and filters the gaseous processing fluid flowing through the first supply line 62 to remove foreign matter contained in the processing fluid. By removing foreign matter from the processing fluid using the filter 73, it is possible to suppress the generation of particles on the surface of the wafer W during the drying process of the wafer W using a supercritical fluid.
  • the condenser 74 is an example of a cooling section.
  • the condenser 74 is connected, for example, to a cooling water supply section (not shown) and can exchange heat between the cooling water and the gaseous processing fluid. In this way, the condenser 74 cools the gaseous processing fluid flowing through the first supply line 62 to generate a liquid processing fluid.
  • the pump 75 pumps the liquid treatment fluid supplied from the condenser 74 to the downstream side of the first supply line 62.
  • a return line 90 branches off from the branching point 76.
  • a bypass line 110 is connected to the connection point 77.
  • the pressure sensor 78 measures the pressure of the treatment fluid flowing through the first supply line 62. Multiple (two in the figure) second supply lines 63 branch off from the branching point 79.
  • Each second supply line 63 is provided with an orifice 80, a branch 81, and a pressure sensor 82, in that order from the upstream side, based on the branch 79.
  • the orifice 80 reduces the flow rate of the liquid-state treatment fluid flowing through the second supply line 63, thereby adjusting the pressure.
  • the return line 100 branches off from the branch point 81.
  • the pressure sensor 82 measures the pressure of the treatment fluid flowing through the second supply line 63.
  • the return line 100 is an example of another return line.
  • the return line 100 returns the liquid treatment fluid flowing through the second supply line 63 to the junction 72 of the first supply line 62. In this way, by returning the treatment fluid to the upstream side through the return line 100, the number of times that filtering can be performed can be increased, thereby improving the performance of removing foreign matter.
  • the return line 100 is provided with a back pressure valve 101 and a valve 102, in that order from the upstream side, based on the branching section 81.
  • the back pressure valve 101 is configured to adjust the valve opening to allow fluid to flow to the secondary side when the primary pressure of the return line 100 exceeds the set pressure, thereby maintaining the primary pressure at the set pressure.
  • the valve opening and set pressure of the back pressure valve 101 can be changed at any time by the control unit 7.
  • Valve 102 is a valve that adjusts the flow of the treatment fluid on and off. When open, it allows the treatment fluid to flow to the downstream junction 72, and when closed, it does not allow the treatment fluid to flow to the downstream junction 72.
  • the liquid-state processing fluid returned from the return line 100 returns to the junction 72 of the first supply line 62.
  • the liquid-state processing fluid returned from the junction 72 changes from the liquid state to the gas state due to the high-temperature gas-state processing fluid returned from the junction 71 and flowing through the first supply line 62.
  • the return line 90 branching off from the branching point 76 of the first supply line 62 returns the liquid treatment fluid flowing through the first supply line 62 to the confluence point 71 of the first supply line 62. In this way, by returning the treatment fluid to the upstream side through the return line 90, the number of times that it can be filtered can be increased, improving the performance of removing foreign matter.
  • the return line 90 is provided with a spiral heater 91, a connection 92, a back pressure valve 93, and a valve 94, in that order from the upstream side, based on the branching section 76.
  • the spiral heater 91 is an example of a heating unit.
  • the spiral heater 91 is wound around the return line 90 and heats the liquid processing fluid flowing through the return line 90 to generate a supercritical processing fluid.
  • a bypass line 110 is connected to the connection part 92. That is, the connection part 77 of the first supply line 62 and the connection part 92 of the return line 90 are connected by the bypass line 110.
  • the back pressure valve 93 is configured to maintain the primary pressure at the set pressure by adjusting the valve opening to allow fluid to flow to the secondary side when the primary pressure of the return line 90 exceeds the set pressure.
  • the back pressure valve 93 reduces the pressure of the supercritical processing fluid flowing through the return line 90 to generate a gaseous processing fluid.
  • the valve opening and set pressure of the back pressure valve 93 can be changed at any time by the control unit 7.
  • connection part 92 and the back pressure valve 93 are positioned above the spiral heater 91. This allows the low-density processing fluid in a supercritical state to flow smoothly from the spiral heater 91 to the connection part 92 and the back pressure valve 93.
  • Valve 94 is a valve that adjusts the flow of the treatment fluid on and off. When open, it allows the treatment fluid to flow to the downstream junction 71, and when closed, it does not allow the treatment fluid to flow to the downstream junction 71.
  • the high-temperature gaseous process fluid generated by the back pressure valve 93 returns to the junction 71 of the first supply line 62 via the valve 94.
  • the processing fluid supply device 70 described above supplies the processing fluid in a liquid state to the multiple supply units 19 (see FIG. 4). That is, in this embodiment, the processing fluid is supplied from the processing fluid supply device 70 to the substrate processing apparatus 1 in a liquid state, not in a gaseous state or a supercritical state.
  • the control unit 7 measures the pressure of the treatment fluid supplied from the second supply line 63 to the supply unit 19 using a pressure sensor 82 and controls it by the valve opening degree of the back pressure valve 101.
  • the control unit 7 increases the pressure of the treatment fluid supplied to the supply unit 19, for example, by increasing the set pressure on the primary side of the back pressure valve 101.
  • the control unit 7 also reduces the pressure of the treatment fluid supplied to the supply unit 19, for example, by lowering the set pressure on the primary side of the back pressure valve 101.
  • control unit 7 measures the pressure of the processing fluid supplied from the first supply line 62 to the multiple second supply lines 63 using a pressure sensor 78, and controls it by the valve opening of the back pressure valve 93. The control unit 7 then appropriately controls the valve opening of the back pressure valve 93 so that the measured value of the pressure sensor 78 becomes constant.
  • the spiral heater 91 changes the phase of the processing fluid between the pump 75 and the back pressure valve 93 from a liquid state to a supercritical state.
  • the space between the pump 75 and the valve 41 (see FIG. 5) or the back pressure valve 93, which can be closed, is not filled with processing fluid in a non-compressible liquid state, but is filled with processing fluid in a partially compressible supercritical state.
  • the treatment fluid supply device 70 is not provided with a bypass line 110, if the flow rate of the treatment fluid flowing through the first supply line 62 increases suddenly, the feedback control by the back pressure valve 93 may not be able to keep up.
  • the pressure loss of the processing fluid in the spiral heater 91 increases rapidly, and there is a risk that the processing fluid will not be sufficiently heated in the spiral heater 91.
  • the processing fluid returned from the return line 90 to the first supply line 62 does not reach the desired high temperature, and there is a risk that the liquid processing fluid supplied from the return line 100 will not be sufficiently heated.
  • the processing fluid flowing through the filter 73 is in a gas-liquid mixed state, and the processing fluid is not sufficiently filtered by the filter 73.
  • the bypass line 110 is not provided in the processing fluid supply device 70, a sudden increase in the flow rate of the processing fluid flowing through the first supply line 62 may cause a decrease in the filtering performance of the processing fluid.
  • a bypass line 110 is provided in the treatment fluid supply device 70. This allows the treatment fluid to flow through the bypass line 110 to the downstream side of the spiral heater 91 in the return line 90 when the flow rate of the treatment fluid flowing through the first supply line 62 increases suddenly.
  • the bypass line 110 allows the flow rate of the treatment fluid flowing through the spiral heater 91 to be adjusted.
  • the bypass line 110 functions as a flow rate adjustment mechanism that adjusts the flow rate of the processing fluid flowing to the spiral heater 91.
  • a sudden increase in pressure loss of the processing fluid in the spiral heater 91 can be suppressed.
  • the spiral heater 91 can sufficiently heat the processing fluid to the desired temperature, which can prevent the processing fluid from becoming a gas-liquid mixed state upstream of the filter 73 in the first supply line 62. Therefore, according to the embodiment, the filtering performance of the processing fluid can be improved.
  • the low-density supercritical processing fluid generated by the spiral heater 91 fills most of the connection part 92 and the bypass line 110, so the high-density liquid processing fluid from the first supply line 62 is unlikely to flow into the downstream side of the bypass line 110.
  • Figure 7 is a diagram showing an example of a piping configuration of a treatment fluid supplying apparatus 70 according to a first modified example of the embodiment.
  • the treatment fluid supply device 70 according to the first modification example differs from the above-described embodiment in that a heater 120 is provided in the first supply line 62. Therefore, in the following examples, parts similar to those in the already-described embodiment are given the same reference numerals, and detailed explanations are omitted.
  • the heater 120 is an example of another heating unit.
  • the heater 120 is provided between the multiple junctions 72 in the first supply line 62 and the filter 73, and heats the processing fluid flowing through the first supply line 62.
  • the filtration performance of the processing fluid can be improved.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of the configuration of a heater 120 according to the first modified embodiment, and is a schematic cross-sectional view of the heater 120 as viewed from the side. As shown in FIG. 8, the heater 120 has an annular pipe 121 and a heating member 122.
  • the annular pipe 121 is an annular pipe, and is arranged at an angle, for example, having a horizontally long rectangular shape in a side view.
  • the annular pipe 121 has a branching portion 121a, a descending portion 121b, an ascending portion 121c, an ascending portion 121d, a descending portion 121e, and a merging portion 121f.
  • the branching portion 121a is located, for example, at a corner of the rectangular annular pipe 121, and is connected to the upstream first supply line 62, and is the portion where the annular pipe 121 branches into a descending portion 121b and an ascending portion 121c.
  • the descending portion 121b is, for example, the long side of the rectangular annular pipe 121, and is the portion that descends gently from the branching portion 121a.
  • the ascending portion 121c is, for example, the short side of the rectangular annular pipe 121, and is the portion that ascends from the branching portion 121a.
  • the rising portion 121d is connected to the lower end of the falling portion 121b and rises from the lower end of the falling portion 121b.
  • This rising portion 121d includes, for example, most of the short and long sides of the rectangular ring pipe 121.
  • the descending portion 121e is connected to the upper end of the ascending portion 121c and is a portion that descends gently from the upper end of the ascending portion 121c.
  • This descending portion 121e includes, for example, a part of the long side of the rectangular ring pipe 121.
  • the junction 121f is where the upper end of the ascending section 121d and the lower end of the descending section 121e join together and are connected to the first supply line 62 downstream.
  • the heating element 122 is located along the descending portion 121b of the annular pipe 121, and heats the processing fluid flowing inside the descending portion 121b.
  • the detailed configuration of the heating element 122 will be described later.
  • the high density liquid processing fluid flows into the descending section 121b, and the low density gas processing fluid flows into the ascending section 121c. That is, in the first modification, a gas-liquid separation mechanism is provided inside the heater 120.
  • the liquid-state processing fluid that flows into the descending portion 121b is heated by the heating member 122 and changes into a gaseous processing fluid. Furthermore, this gaseous processing fluid flows downstream to the first supply line 62 through the ascending portion 121d and the junction portion 121f.
  • the gaseous processing fluid that flows into the ascending portion 121c flows downstream through the descending portion 121e and the junction portion 121f to the first supply line 62.
  • the liquid-state processing fluid that has flowed into the descending portion 121b is heated by the heating member 122 while flowing relatively slowly in the gently sloping descending portion 121b. This allows the liquid-state processing fluid to be heated over a wide contact area, so that the liquid-state processing fluid can be efficiently changed into a gas-state processing fluid.
  • the heater 120 has a gas-liquid separation mechanism. This allows the processing fluid in a gas-liquid mixed state to be heated only in a liquid state, so that the processing fluid in a gas-liquid mixed state can be efficiently changed to a gas state.
  • the annular pipe 121 has a horizontally long rectangular shape when viewed from the side, but the present disclosure is not limited to this example, and any side shape may be used as long as it is annular.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 8, showing the cross-sectional configuration of the heating member 122.
  • the heating member 122 has a first plate-shaped member 123, a second plate-shaped member 124, a heater body 125, a fastening member 126, and a fastening member 127.
  • the first plate-like member 123 is made of a metal material such as aluminum, and is, for example, flat.
  • the first plate-like member 123 has a screw hole 123a, a through hole 123b, a rod-like member 123c, and a groove 123d.
  • the screw hole 123a is a screw hole formed so that the fastening member 126 can be screwed in.
  • the through hole 123b penetrates between the upper and lower surfaces of the first plate-like member 123.
  • the rod-shaped member 123c is a rod-shaped member that extends in a predetermined direction (perpendicular to the paper in the figure) inside the through-hole 123b.
  • the rod-shaped member 123c is configured to be rotatable in the circumferential direction inside the through-hole 123b, and has a screw hole 123c1 that extends in the radial direction.
  • the screw hole 123c1 is a screw hole that is formed so that the fastening member 127 can be screwed in.
  • the groove 123d is formed on the underside of the first plate-like member 123, extends in a predetermined direction (perpendicular to the paper in the figure), and has a semicircular shape in cross section. This semicircular shape corresponds to the upper half of the cross-sectional shape of the descending portion 121b (see FIG. 8) of the annular piping 121 (see FIG. 8).
  • the second plate-like member 124 is made of a metal material such as aluminum, and is, for example, flat.
  • the second plate-like member 124 has a through hole 124a, a through hole 124b, a rod-like member 124c, and a groove 124d.
  • the through hole 124a is a through hole formed so that the fastening member 126 can be inserted therethrough, and is located at a position corresponding to the screw hole 123a of the first plate-like member 123.
  • the through-hole 124b passes through between the upper and lower surfaces of the second plate-like member 124. It is positioned at a position offset in a predetermined direction (to the right in the figure) relative to the through-hole 123b of the first plate-like member 123.
  • the rod-shaped member 124c is a rod-shaped member that extends in a predetermined direction (perpendicular to the paper in the figure) inside the through-hole 124b.
  • the rod-shaped member 124c is configured to be rotatable in the circumferential direction inside the through-hole 124b, and has a through-hole 124c1 that extends in the radial direction.
  • the through-hole 124c1 is a through-hole that is formed so that the fastening member 127 can be inserted therethrough.
  • the groove 124d is formed on the upper surface of the second plate-like member 124, extends in a predetermined direction (perpendicular to the paper in the figure), and has a semicircular shape in cross-section. This semicircular shape corresponds to the lower half of the cross-sectional shape of the descending portion 121b of the annular piping 121.
  • the groove 124d is positioned at a position corresponding to the groove 123d of the first plate-like member 123.
  • the heater body 125 is a member that heats up when power is supplied from the outside, and is embedded inside the second plate-like member 124.
  • the heater body 125 extends, for example, inside the second plate-like member 124 along a predetermined direction (a direction perpendicular to the paper surface in the figure).
  • Fastening member 126 and fastening member 127 are, for example, bolts, and are screwed to first plate-like member 123 via second plate-like member 124.
  • the heating member 122 is formed by positioning the descending portion 121b of the annular piping 121 between the groove 123d of the first plate-shaped member 123 and the groove 124d of the second plate-shaped member 124, and fastening the first plate-shaped member 123 and the second plate-shaped member 124 with fastening members 126 and 127.
  • the fastening member 126 is positioned approximately perpendicular to the main surface of the first plate-like member 123 and the main surface of the second plate-like member 124, while the fastening member 127 is positioned at an angle to the main surface of the first plate-like member 123 and the main surface of the second plate-like member 124.
  • rod-shaped members 123c and 124c which are in direct contact with fastening member 127, rotate in the circumferential direction as the screw fastening force is applied, generating a force that shifts the first plate-shaped member 123 and the second plate-shaped member 124 horizontally relative to each other.
  • the adhesion between the first plate-like member 123 and the second plate-like member 124 and the descending portion 121b of the annular piping 121 can be improved. Therefore, according to the first modification, the amount of heat transferred from the heater body 125 to the descending portion 121b of the annular piping 121 can be increased, thereby improving the heating efficiency of the heating member 122.
  • the left-right force generated by the fastening member 127 is suppressed to a certain extent by the fastening member 126, so that the left-right force generated by the fastening member 127 does not apply excessive force to the descending portion 121b of the annular pipe 121.
  • Fig. 10 is a diagram showing an example of a piping configuration of a treatment fluid supplying apparatus 70 according to Modification 2 of the embodiment. As shown in Fig. 10, the treatment fluid supplying apparatus 70 according to Modification 2 differs from the above-described Modification 1 in that the spiral heater 91 and the bypass line 110 are not provided.
  • the treatment fluid is not heated in the return line 90, and the treatment fluid in a liquid state is supplied to the junction 71 of the first supply line 62. Therefore, the treatment fluid in a gas-liquid mixed state flows into the downstream side of the multiple junctions 72 in the first supply line 62.
  • a heater 120 is provided between the multiple junctions 72 in the first supply line 62 and the filter 73, so that the processing fluid in a gas-liquid mixed state can be changed to a gaseous state.
  • the filtration performance of the processing fluid can be improved.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of a piping configuration of a treatment fluid supplying apparatus 70 according to Modification 3 of the embodiment.
  • a valve 64, a check valve 65, a junction 171, a plurality of junctions 172, and a junction 173 are provided in the first supply line 62 in this order from the upstream side with respect to the treatment fluid supply source 60.
  • the first supply line 62 is provided with a filter 174, a condenser 175, a pump 176, a branching section 177, a pressure sensor 178, a branching section 179, and a branching section 180, in that order from the upstream side with respect to the junction section 173.
  • the first supply line 62 and the return line 200 described later join.
  • the first supply line 62 and the return line 210 described later join.
  • the first supply line 62 and the return line 190 described later join.
  • the liquid-state processing fluid returned from the multiple return lines 210 and the return line 190 to the first supply line 62 changes from the liquid state to the gas state due to the high-temperature gas-state processing fluid returned from the return line 200 to the first supply line 62.
  • the gas-state processing fluid flows into the filter 174.
  • the filter 174 is, for example, a gas filter, and filters the gaseous processing fluid flowing through the first supply line 62 to remove foreign matter contained in the processing fluid. By removing foreign matter from the processing fluid using the filter 174, it is possible to suppress the generation of particles on the surface of the wafer W during the drying process of the wafer W using a supercritical fluid.
  • the condenser 175 is an example of a cooling unit.
  • the condenser 175 is connected, for example, to a cooling water supply unit (not shown) and can exchange heat between the cooling water and the gaseous processing fluid. In this way, the condenser 175 cools the gaseous processing fluid flowing through the first supply line 62 to generate a liquid processing fluid.
  • the pump 176 pumps the liquid process fluid supplied from the condenser 175 to the downstream side of the first supply line 62.
  • a return line 190 which will be described later, branches off from the branch point 177.
  • the pressure sensor 178 measures the pressure of the process fluid flowing through the first supply line 62.
  • the return line 200 branches out from the branch point 179.
  • Multiple second supply lines 63 (two in the figure) branch out from the branch point 180.
  • Each second supply line 63 is provided with an orifice 181, a branch 182, and a pressure sensor 183, in that order from the upstream side, based on the branch 180.
  • the orifice 181 reduces the flow rate of the liquid-state treatment fluid flowing through the second supply line 63, thereby adjusting the pressure.
  • the return line 210 branches off from the branch point 182.
  • the pressure sensor 183 measures the pressure of the treatment fluid flowing through the second supply line 63.
  • the return line 210 is an example of another return line.
  • the return line 210 returns the liquid treatment fluid flowing through the second supply line 63 to the junction 172 of the first supply line 62. In this way, by returning the treatment fluid to the upstream side through the return line 210, the number of times that filtering can be performed can be increased, thereby improving the performance of removing foreign matter.
  • the return line 210 is provided with a back pressure valve 211 and a valve 212 in this order from the upstream side with respect to the branch section 182.
  • the back pressure valve 211 is configured to adjust the valve opening to allow fluid to flow to the secondary side when the primary pressure of the return line 210 exceeds the set pressure, thereby maintaining the primary pressure at the set pressure.
  • the valve opening and set pressure of the back pressure valve 211 can be changed at any time by the control unit 7.
  • Valve 212 is a valve that adjusts the flow of the treatment fluid on and off. When open, it allows the treatment fluid to flow to the downstream junction 172, and when closed, it does not allow the treatment fluid to flow to the downstream junction 172.
  • the liquid-state processing fluid returned from the return line 210 returns to the junction 172 of the first supply line 62.
  • the liquid-state processing fluid returned from the junction 172 changes from the liquid state to the gas state due to the high-temperature gas-state processing fluid returned from the junction 171 and flowing through the first supply line 62.
  • the return line 190 which branches off from the branch point 177 of the first supply line 62, returns the liquid treatment fluid flowing through the first supply line 62 to the junction 173 of the first supply line 62. In this way, by returning the treatment fluid to the upstream side through the return line 190, the number of times that filtering can be performed can be increased, improving the performance of removing foreign matter.
  • the return line 190 is provided with a back pressure valve 191 and a valve 192, in that order from the upstream side with respect to the branching section 177.
  • the back pressure valve 191 is configured to maintain the primary pressure at the set pressure by adjusting the valve opening to allow fluid to flow to the secondary side when the primary pressure of the return line 190 exceeds the set pressure.
  • Valve 192 is a valve that adjusts the flow of the treatment fluid on and off. When open, it allows the treatment fluid to flow to the downstream junction 173, and when closed, it does not allow the treatment fluid to flow to the downstream junction 173.
  • the liquid-state processing fluid returned from the return line 190 returns to the junction 173 of the first supply line 62.
  • the liquid-state processing fluid returned from the junction 173 changes from the liquid state to the gas state due to the high-temperature gas-state processing fluid returned from the junction 171 and flowing through the first supply line 62.
  • the return line 200 which branches off from the branch point 179 of the first supply line 62, returns the liquid treatment fluid flowing through the first supply line 62 to the junction 171 of the first supply line 62. In this way, by returning the treatment fluid to the upstream side through the return line 200, the number of times that filtering can be performed can be increased, improving the performance of removing foreign matter.
  • the return line 200 is provided with a spiral heater 201, a valve 202, and an orifice 203, in that order from the upstream side, based on the branching point 179.
  • the spiral heater 201 is an example of a heating section.
  • the spiral heater 201 is wound around the return line 200, and heats the liquid processing fluid flowing through the return line 200 to generate a supercritical processing fluid.
  • the spiral heater 201 is located near the confluence 171.
  • Valve 202 is a valve that adjusts the flow of the processing fluid on and off. When open, it allows the processing fluid to flow to the downstream orifice 203, and when closed, it does not allow the processing fluid to flow to the downstream orifice 203.
  • Orifice 203 is an example of a flow rate adjustment mechanism. Orifice 203 controls the flow rate of the processing fluid so that the flow rate of the processing fluid passing through return line 200 is kept constant. Orifice 203 also reduces the pressure of the processing fluid in a supercritical state flowing through return line 200 to generate processing fluid in a gaseous state.
  • the high-temperature gaseous processing fluid generated at the orifice 203 returns to the junction 171 of the first supply line 62.
  • the spiral heater 201 changes the phase of the processing fluid between the pump 176 and the valve 202 from a liquid state to a supercritical state.
  • the space between the pump 176 and the valve 41 (see FIG. 5) or the valve 202, which may be in a closed state, is not filled with processing fluid in a non-compressible liquid state, but is filled partially with processing fluid in a compressible supercritical state.
  • the orifice 203 controls the amount of processing fluid flowing through the return line 200 to a constant value. This makes it possible to keep the amount of processing fluid flowing through the return line 200 constant even if the flow rate of the processing fluid flowing through the first supply line 62 increases suddenly, so that the spiral heater 201 can sufficiently heat the processing fluid to the desired temperature.
  • the processing fluid it is possible to prevent the processing fluid from becoming a gas-liquid mixed state upstream of the filter 174 in the first supply line 62, thereby improving the filtering performance of the processing fluid.
  • the spiral heater 201 is located near the junction 171. This allows a higher temperature gaseous processing fluid to be supplied to the junction 171 of the first supply line 62, thereby preventing the gas-liquid processing fluid from flowing into the filter 174.
  • ⁇ Modification 4> 12 is a diagram showing an example of a piping configuration of a treatment fluid supplying apparatus 70 according to the embodiment of the modified example 4. As shown in FIG. 12, the treatment fluid supplying apparatus 70 according to the modified example 4 is different from the modified example 3 in that the above-mentioned heater 120 is provided in the first supply line 62.
  • the heater 120 is provided between the junction 173 and the filter 174 in the first supply line 62, and heats the processing fluid flowing through the first supply line 62.
  • the filtration performance of the processing fluid can be improved.
  • the processing fluid supply device 70 includes a supply line 61, a cooling section (condenser 74 (175)), a pump 75 (176), a return line 90 (200), a heating section (spiral heater 91 (201)), and a flow rate adjustment mechanism.
  • the supply line 61 supplies processing fluid to the substrate processing apparatus 1 from a processing fluid supply source 60 that supplies processing fluid in a gaseous state.
  • the cooling section (condenser 74 (175)) is provided on the supply line 61 and cools the processing fluid in a gaseous state to generate processing fluid in a liquid state.
  • the pump 75 (176) is provided downstream of the cooling section (condenser 74 (175)) on the supply line 61.
  • the return line 90 (200) branches off from a branching section 76 (179) located downstream of the pump 75 (176) in the supply line 61, and returns the processing fluid to a junction section 71 (171) located upstream of the cooling section (condenser 74 (175)) in the supply line 61.
  • a heating section (spiral heater 91 (201)) is provided in the return line 90 (200) and heats the processing fluid.
  • a flow rate adjustment mechanism (bypass line 110, orifice 203) adjusts the flow rate of the processing fluid supplied to the heating section (spiral heater 91 (201)). This improves the filtration performance of the processing fluid.
  • the flow rate adjustment mechanism is a bypass line 110 that connects the downstream side of the branching section 76 in the supply line 61 to the downstream side of the heating section (spiral heater 91) in the return line 90. This makes it possible to suppress a sudden increase in pressure loss of the treatment fluid in the spiral heater 91 even if the flow rate of the treatment fluid flowing through the first supply line 62 increases suddenly.
  • the treatment fluid supply device 70 further includes a filter 174 provided between the junction 171 and the cooling section (condenser 175) in the supply line 61.
  • the heating section (spiral heater 201) is provided near the junction 171. This makes it possible to prevent the treatment fluid in a gas-liquid mixed state from flowing into the filter 174.
  • the heating section (spiral heater 201) is provided near the junction 171 in the return line 200.
  • the flow rate adjustment mechanism is an orifice 203 provided downstream of the heating section (spiral heater 201) in the return line 200. This makes it possible to suppress a sudden increase in pressure loss of the treatment fluid in the spiral heater 201, even if the flow rate of the treatment fluid flowing through the first supply line 62 increases suddenly.
  • the treatment fluid supply device 70 further includes another return line (return line 100 (210)).
  • the other return line (return line 100 (210)) branches off from another branch (branch 81 (182)) located downstream of branch 76 (179) in the supply line 61.
  • the other return line (return line 100 (210)) returns the treatment fluid to another junction (junction 72 (172)) located upstream of the cooling section (condenser 74 (175)) in the supply line 61. This increases the number of times that filtration can be performed, improving the performance of removing foreign matter.
  • the treatment fluid supply device 70 further includes a filter 73 (174) and another heating section (heater 120).
  • the filter 73 (174) is provided between another junction (junction 72 (172)) and a cooling section (condenser 74 (175)) in the supply line 61.
  • the other heating section (heater 120) is located between the other junction (junction 72 (172)) and the filter 73 (174) and heats the treatment fluid. This can improve the filtration performance of the treatment fluid.
  • another heating section (heater 120) has a gas-liquid separation mechanism. This allows the treatment fluid in a gas-liquid mixed state to be efficiently changed to a gas state.
  • the processing fluid supply method also includes a filtering step, a liquid state step, a liquid passage step, and a flow rate adjustment step.
  • the filtering step the gaseous processing fluid supplied from the processing fluid supply source 60 is filtered by passing it through a filter 73 (174) provided in the supply line 61.
  • the liquid state step the processing fluid that has passed through the filter 73 (174) is cooled in a cooling section (condenser 74 (175)) provided in the supply line 61 to be liquidized.
  • the liquid processing fluid is pumped to the substrate processing apparatus 1 by the pump 75 (176), while being passed through a return line 90 (200) that branches off from the downstream side of the pump 75 (176) in the supply line 61.
  • the flow rate adjustment process involves heating the processing fluid in a heating section (spiral heater 91 (201)) installed in the return line 90 (200) and adjusting the flow rate of the processing fluid supplied to the heating section (spiral heater 91 (201)). This improves the filtering performance of the processing fluid.
  • the processing fluid supply method includes a filtering step, a liquid state liquefying step, a liquid passing step, and a heating step.
  • the filtering step the gaseous processing fluid supplied from the processing fluid supply source 60 is filtered by passing it through a filter 73 (174) provided in the supply line 61.
  • the liquid state liquefying step the processing fluid that has passed through the filter 73 (174) is cooled by a cooling section (condenser 74 (175)) provided in the supply line 61 to be liquid.
  • the liquid processing fluid is pumped to the substrate processing apparatus 1 by the pump 75 (176) while passing it through the return line 90 (200) branching off from the downstream side of the pump 75 (176) in the supply line 61.
  • the heating step the processing fluid returned from the return line 90 (200) to the upstream side of the filter 73 (174) in the supply line 61 is heated before passing it through the filter 73 (174). This improves the filtration performance of the processing fluid.
  • first supply line 62 branches into two second supply lines 63
  • first supply line 62 may branch into three second supply lines 63
  • first supply line 62 does not have to branch into multiple second supply lines 63.
  • Substrate processing apparatus 18 Drying unit (an example of a substrate processing section) 60 Processing fluid supply source 61 Supply line 62 First supply line 63 Second supply line 71 Junction 72 Junction (another example of a junction) 73 Filter 74 Condenser (an example of a cooling section) 75 Pump 76 Branching portion 81 Branching portion (an example of another branching portion) 90 Return line 91 Spiral heater (an example of a heating section) 110 Bypass line (an example of a flow rate adjustment mechanism) 120 Heater (an example of another heating unit) 171 Junction 172 Junction (an example of another junction) 174 Filter 175 Condenser (an example of a cooling section) 176 Pump 179 Branching portion 182 Branching portion (an example of another branching portion) 200 Return line 201 Spiral heater (an example of a heating unit) 203 Orifice (an example of a flow rate adjustment mechanism)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本開示の一態様による処理流体供給装置（７０）は、供給ライン（６１）と、冷却部と、ポンプ（７５）と、戻しライン（９０）と、加熱部と、流量調整機構と、を備える。供給ライン（６１）は、気体状態の処理流体を供給する処理流体供給源（６０）から基板処理装置（１）に処理流体を供給する。冷却部は、供給ライン（６１）に設けられ、気体状態の処理流体を冷却して液体状態の処理流体を生成する。ポンプ（７５）は、供給ライン（６１）における冷却部の下流側に設けられる。戻しライン（９０）は、供給ライン（６１）におけるポンプ（７５）の下流側に位置する分岐部（７６）から分岐して、供給ライン（６１）における冷却部よりも上流側に位置する合流部（７１）に処理流体を戻す。加熱部は、戻しライン（９０）に設けられ、処理流体を加熱する。流量調整機構は、加熱部に供給される処理流体の流量を調整する。

Description

処理流体供給装置および処理流体供給方法
　開示の実施形態は、処理流体供給装置および処理流体供給方法に関する。
　従来、基板である半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）などの表面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成されたウェハを超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている。また、かかる基板処理装置に処理流体を供給する処理流体供給装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
特許第７１０９３２８号公報
　本開示は、基板処理装置に処理流体を供給する処理流体供給装置において、処理流体の濾過性能を向上させることができる技術を提供する。
　本開示の一態様による処理流体供給装置は、供給ラインと、冷却部と、ポンプと、戻しラインと、加熱部と、流量調整機構と、を備える。供給ラインは、気体状態の処理流体を供給する処理流体供給源から基板処理装置に前記処理流体を供給する。冷却部は、前記供給ラインに設けられ、気体状態の前記処理流体を冷却して液体状態の前記処理流体を生成する。ポンプは、前記供給ラインにおける前記冷却部の下流側に設けられる。戻しラインは、前記供給ラインにおける前記ポンプの下流側に位置する分岐部から分岐して、前記供給ラインにおける前記冷却部よりも上流側に位置する合流部に前記処理流体を戻す。加熱部は、前記戻しラインに設けられ、前記処理流体を加熱する。流量調整機構は、前記加熱部に供給される前記処理流体の流量を調整する。
　本開示によれば、基板処理装置に処理流体を供給する処理流体供給装置において、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
図１は、実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す図である。 図２は、実施形態に係る液処理ユニットの構成例を示す図である。 図３は、実施形態に係る乾燥ユニットの構成例を示す模式斜視図である。 図４は、実施形態に係る基板処理システムのシステム全体の構成例を示す図である。 図５は、実施形態に係る供給ユニットおよび乾燥ユニットの配管構成の一例を示す図である。 図６は、実施形態に係る処理流体供給装置の配管構成の一例を示す図である。 図７は、実施形態の変形例１に係る処理流体供給装置の配管構成の一例を示す図である。 図８は、実施形態の変形例１に係るヒータの構成の一例を示す図である。 図９は、図８に示すＡ－Ａ線の矢視断面図である。 図１０は、実施形態の変形例２に係る処理流体供給装置の配管構成の一例を示す図である。 図１１は、実施形態の変形例３に係る処理流体供給装置の配管構成の一例を示す図である。 図１２は、実施形態の変形例４に係る処理流体供給装置の配管構成の一例を示す図である。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する処理流体供給装置および処理流体供給方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
　従来、基板である半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）などの表面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成されたウェハを超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている。
　かかる基板処理装置に処理流体を供給する処理流体供給装置は、処理流体供給源から基板処理装置までの配管が直列状に形成されているため、処理流体内の異物をフィルタで濾過しようとしても濾過できる回数に限りがある。
　そこで、処理流体供給装置内において下流側から上流側に処理流体を戻す戻しラインを形成し、処理流体供給装置内で処理流体を循環させることにより、濾過できる回数を増やして異物を除去する性能を向上させることができる。
　この際、下流側では液体状態の処理流体を、戻しラインにおいてヒータで加熱することで処理流体を気体状態に変化させた上で、かかる気体状態の処理流体がガスフィルタで濾過されている。
　しかしながら、処理流体供給装置内において処理流体の圧力などが急上昇することで、戻しラインから上流側に戻される処理流体が十分に加熱されず、その結果気液混合状態の処理流体がガスフィルタを通流すると、処理流体の濾過性能が低下する恐れがあった。
　そこで、上記の課題を解決し、基板処理装置に処理流体を供給する処理流体供給装置において、処理流体の濾過性能を向上させることができる技術の実現が期待されている。
＜基板処理装置の構成＞
　まず、実施形態に係る基板処理装置１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成例を示す図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　図１に示すように、基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。
　搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数の処理ブロック５とを備える。
　搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。
　搬送装置１６は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウェハＷの搬送を行う。
　複数の処理ブロック５は、搬送エリア１５の両側において搬送エリア１５に隣接して配置される。具体的には、複数の処理ブロック５は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（Ｙ軸正方向側）および他方側（Ｙ軸負方向側）に配置される。
　また、図示してはいないが、複数の処理ブロック５は、鉛直方向に沿って多段（たとえば、３段）に配置される。そして、各段に配置された処理ブロック５と受渡部１４との間のウェハＷの搬送は、搬送ブロック４に配置された１台の搬送装置１６によって行われる。なお、複数の処理ブロック５の段数は３段に限定されない。
　各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８と、供給ユニット１９とを備える。乾燥ユニット１８は基板処理部の一例である。
　液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行う。また、液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの上面に液膜を形成する液膜形成処理を行う。液処理ユニット１７の構成については後述する。
　乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷに対して超臨界乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体（以下、「超臨界流体」とも呼称する。）と接触させることによって同ウェハＷを乾燥させる。乾燥ユニット１８の構成については後述する。
　供給ユニット１９は、乾燥ユニット１８に対して処理流体を供給する。具体的には、供給ユニット１９は、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。本実施形態において、供給ユニット１９は、処理流体としてＣＯ２を乾燥ユニット１８に供給する。供給ユニット１９の構成については後述する。
　また、供給ユニット１９には、処理流体を供給する処理流体供給装置７０（図４参照）が接続される。実施形態において、処理流体供給装置７０は、処理流体としてＣＯ２を供給ユニット１９に供給する。かかる処理流体供給装置７０の詳細については後述する。
　液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９は、搬送エリア１５に沿って（すなわち、Ｘ軸方向に沿って）並べられる。液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９のうち、液処理ユニット１７は、搬入出ステーション２に最も近い位置に配置され、供給ユニット１９は、搬入出ステーション２から最も遠い位置に配置される。
　このように、各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と乾燥ユニット１８と供給ユニット１９とをそれぞれ１つずつ備える。すなわち、基板処理装置１には、液処理ユニット１７と乾燥ユニット１８と供給ユニット１９とが同じ数だけ設けられる。
　また、乾燥ユニット１８は、超臨界乾燥処理が行われる処理エリア１８ａと、搬送ブロック４と処理エリア１８ａとの間でのウェハＷの受け渡しが行われる受渡エリア１８ｂとを備える。これら処理エリア１８ａおよび受渡エリア１８ｂは、搬送エリア１５に沿って並べられる。
　具体的には、処理エリア１８ａおよび受渡エリア１８ｂのうち、受渡エリア１８ｂは、処理エリア１８ａよりも液処理ユニット１７に近い側に配置される。すなわち、各処理ブロック５には、液処理ユニット１７、受渡エリア１８ｂ、処理エリア１８ａおよび供給ユニット１９が、搬送エリア１５に沿ってこの順番で配置される。
　図１に示すように、基板処理装置１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部７と記憶部８とを備える。
　制御部７は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）、ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３、１６、液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９等の制御を実現する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６の記憶部８にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　記憶部８は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash　Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
　上記のように構成された基板処理装置１では、まず、搬入出ステーション２の搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の搬送装置１６によって受渡部１４から取り出されて、液処理ユニット１７へ搬入される。
　液処理ユニット１７へ搬入されたウェハＷは、液処理ユニット１７によって洗浄処理および液膜形成処理が施された後、搬送装置１６によって液処理ユニット１７から搬出される。液処理ユニット１７から搬出されたウェハＷは、搬送装置１６によって乾燥ユニット１８へ搬入され、乾燥ユニット１８によって乾燥処理が施される。
　乾燥ユニット１８によって乾燥処理されたウェハＷは、搬送装置１６によって乾燥ユニット１８から搬出され、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜液処理ユニットの構成＞
　次に、液処理ユニット１７の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。
　図２に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。
　そして、液処理ユニット１７は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷ上面の洗浄処理を行う。
　また、液処理ユニット１７には、ウェハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの下面も洗浄される。
　洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われる。次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized　Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）によるリンス洗浄が行われる。
　次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted　HydroFluoric　acid：以下、「ＤＨＦ」と記載する）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。
　上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
　液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの上面および下面に液体状態のＩＰＡ（Isopropyl　Alcohol）（以下、「ＩＰＡ液体」とも呼称する）を供給する。これにより、ウェハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。
　液膜形成処理を終えたウェハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウェハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。
　ウェハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのウェハＷの搬送中や、乾燥ユニット１８への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。
＜乾燥ユニットの構成＞
　つづいて、乾燥ユニット１８の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、乾燥ユニット１８の構成例を示す模式斜視図である。
　乾燥ユニット１８は、本体３１と、保持板３２と、蓋部材３３とを有する。筐体状の本体３１には、ウェハＷを搬入出するための開口部３４が形成される。保持板３２は、処理対象のウェハＷを水平方向に保持する。蓋部材３３は、かかる保持板３２を支持するとともに、ウェハＷを本体３１内に搬入したときに、開口部３４を密閉する。
　本体３１は、たとえば直径３００ｍｍのウェハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート３５、３６と排出ポート３７とが設けられる。供給ポート３５、３６および排出ポート３７は、それぞれ、乾燥ユニット１８に超臨界流体を流通させるための供給流路および排出流路に接続されている。
　供給ポート３５は、筐体状の本体３１において、開口部３４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート３６は、本体３１の底面に接続されている。さらに、排出ポート３７は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、図３には２つの供給ポート３５、３６と１つの排出ポート３７が図示されているが、供給ポート３５、３６や排出ポート３７の数は特に限定されない。
　また、本体３１の内部には、流体供給ヘッダー３８、３９と、流体排出ヘッダー４０とが設けられる。そして、流体供給ヘッダー３８、３９には複数の供給口がかかる流体供給ヘッダー３８，３９の長手方向に並んで形成され、流体排出ヘッダー４０には複数の排出口がかかる流体排出ヘッダー４０の長手方向に並んで形成される。
　流体供給ヘッダー３８は、供給ポート３５に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３８に並んで形成される複数の供給口は、開口部３４側を向いている。
　流体供給ヘッダー３９は、供給ポート３６に接続され、筐体状の本体３１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー３９に並んで形成される複数の供給口は、上方を向いている。
　流体排出ヘッダー４０は、排出ポート３７に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４より下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー４０に並んで形成される複数の排出口は、上方を向いている。
　流体供給ヘッダー３８、３９は、超臨界流体を本体３１内に供給する。また、流体排出ヘッダー４０は、本体３１内の超臨界流体を本体３１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー４０を介して本体３１の外部に排出される超臨界流体には、ウェハＷの表面から超臨界状態の超臨界流体に溶け込んだＩＰＡ液体が含まれる。
　かかる乾燥ユニット１８内において、ウェハＷ上に形成されているパターンの間のＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解し、パターンの間は徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、最終的には、超臨界流体のみによってパターンの間が満たされる。
　そして、パターンの間からＩＰＡ液体が除去された後に、本体３１内部の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧することによって、ＣＯ２は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウェハＷの乾燥処理が完了する。
　ここで、超臨界流体は、液体（たとえばＩＰＡ液体）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。これにより、超臨界流体を用いた乾燥処理では、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。したがって、実施形態によれば、乾燥処理の際にパターンが倒れることを抑制することができる。
　なお、実施形態では、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体として超臨界状態のＣＯ２を用いた例について示しているが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、超臨界状態のＣＯ２以外の流体を処理流体として用いてもよい。
＜基板処理システムの構成＞
　つづいて、実施形態に係る基板処理システムＳの構成について、図４～図６を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係る基板処理システムＳのシステム全体の構成例を示す図である。なお、以下に示す基板処理システムＳの各部は、制御部７によって制御可能である。
　基板処理システムＳは、処理流体供給源６０と、処理流体供給装置７０と、基板処理装置１とを備える。処理流体供給装置７０は、処理流体供給源６０から供給される処理流体を基板処理装置１に供給する。
　図４に示すように、基板処理装置１は、複数の乾燥ユニット１８および複数の供給ユニット１９を有し、対応する供給ユニット１９を介して供給された処理流体によって、乾燥ユニット１８内でウェハＷ（図５参照）を処理する。
　処理流体供給源６０と複数の乾燥ユニット１８との間は、供給ライン６１によって接続され、かかる供給ライン６１を介して処理流体供給源６０から複数の乾燥ユニット１８に処理流体が供給される。
　供給ライン６１は、第１供給ライン６２および複数の第２供給ライン６３を有する。第１供給ライン６２は、処理流体供給源６０から処理流体供給装置７０に処理流体を供給する。また、第１供給ライン６２は、処理流体供給装置７０内で複数の第２供給ライン６３に分岐する。第２供給ライン６３は、供給ユニット１９を介して、乾燥ユニット１８に処理流体を供給する。
　図５は、実施形態に係る供給ユニット１９および乾燥ユニット１８の配管構成の一例を示す図である。基板処理装置１において、第２供給ライン６３を流れる処理流体は乾燥ユニット１８に供給され、排出ライン５０を介して乾燥ユニット１８から外部に排出される。
　基板処理装置１内の第２供給ライン６３には、上流側から順にバルブ４１と、ヒータ４２および温度センサ４３と、オリフィス４４と、フィルタ４５と、バルブ４６とが設けられる。また、第２供給ライン６３におけるフィルタ４５とバルブ４６との間から分岐する分岐ライン４７には、バルブ４８が設けられる。
　バルブ４１は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側のヒータ４２に処理流体を流し、閉状態では下流側のヒータ４２に処理流体を流さない。
　ヒータ４２は、第２供給ライン６３を流れる液体状態の処理流体を加熱して、超臨界状態の処理流体を生成する。温度センサ４３は、ヒータ４２で生成される超臨界状態の処理流体の温度を検出する。
　オリフィス４４は、ヒータ４２で生成された超臨界状態の処理流体の流速を低下させ、圧力を調整する役割を果たす。オリフィス４４は、下流側の第２供給ライン６３に、たとえば１６ＭＰａ程度に圧力が調整された超臨界状態の処理流体を流通させることができる。
　フィルタ４５は、第２供給ライン６３内を流れる超臨界状態の処理流体を濾過し、処理流体に含まれる異物を取り除く。かかるフィルタ４５で処理流体内の異物を取り除くことにより、超臨界流体を用いたウェハＷの乾燥処理の際に、ウェハＷ表面にパーティクルが発生することを抑制することができる。
　バルブ４６、４８は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の乾燥ユニット１８に処理流体を流し、閉状態では下流側の乾燥ユニット１８に処理流体を流さない。
　乾燥ユニット１８には、温度センサ４９が設けられる。かかる温度センサ４９は、乾燥ユニット１８内に充填される処理流体の温度を検出する。
　排出ライン５０には、上流側から順に圧力センサ５１と、バルブ５２と、流量計５３と、背圧弁５４とが設けられる。圧力センサ５１は、排出ライン５０を流れる処理流体の圧力を測定する。なお、圧力センサ５１は排出ライン５０を介して乾燥ユニット１８と直接つながっていることから、圧力センサ５１で測定された処理流体の圧力は、乾燥ユニット１８における処理流体の内圧と略等しい値である。
　バルブ５２は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側のドレイン部ＤＲに処理流体を流し、閉状態では下流側のドレイン部ＤＲに処理流体を流さない。流量計５３は、排出ライン５０を流れる処理流体の流量を測定する。
　背圧弁５４は、排出ライン５０の一次側圧力が設定圧力を超えた場合には弁開度を調整して二次側に流体を流すことにより、一次側圧力を設定圧力に維持するように構成される。なお、背圧弁５４の弁開度および設定圧力は制御部７により随時変更することが可能である。
　図６は、実施形態に係る処理流体供給装置７０の配管構成の一例を示す図である。図６に示すように、処理流体供給装置７０は、供給ライン６１を有する。かかる供給ライン６１は、第１供給ライン６２および複数（図では２つ）の第２供給ライン６３を有する。
　第１供給ライン６２は、処理流体供給源６０から処理流体供給装置７０に処理流体を供給する。また、第１供給ライン６２は、処理流体供給装置７０内で複数の第２供給ライン６３に分岐する。
　第１供給ライン６２には、処理流体供給源６０を基準として、上流側から順にバルブ６４と、逆止弁６５と、合流部７１と、複数（図では２つ）の合流部７２と、フィルタ７３と、コンデンサ７４と、ポンプ７５と、分岐部７６とが設けられる。また、第１供給ライン６２には、分岐部７６を基準として、上流側から順に接続部７７と、圧力センサ７８と、分岐部７９とが設けられる。
　バルブ６４は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の逆止弁６５に処理流体を流し、閉状態では下流側の逆止弁６５に処理流体を流さない。逆止弁６５は、第１供給ライン６２内の処理流体が逆止弁６５の上流側に逆流することを防止する。
　合流部７１は、第１供給ライン６２と、後述する戻しライン９０とが合流する。合流部７２は、別の合流部の一例である。合流部７２は、第１供給ライン６２と、後述する戻しライン１００とが合流する。
　なお、第１供給ライン６２において、処理流体供給源６０からは気体状態の処理流体が供給される。さらに、複数の戻しライン１００から第１供給ライン６２に戻される液体状態の処理流体は、戻しライン９０から第１供給ライン６２に戻される高熱の気体状態の処理流体によって、液体状態から気体状態に変化する。これにより、フィルタ７３には、気体状態の処理流体が流れ込む。
　フィルタ７３は、たとえばガスフィルタであり、第１供給ライン６２内を流れる気体状態の処理流体を濾過し、処理流体に含まれる異物を取り除く。かかるフィルタ７３で処理流体内の異物を取り除くことにより、超臨界流体を用いたウェハＷの乾燥処理の際に、ウェハＷ表面にパーティクルが発生することを抑制することができる。
　コンデンサ７４は、冷却部の一例である。コンデンサ７４は、たとえば、図示しない冷却水供給部に接続され、冷却水と気体状態の処理流体とを熱交換させることができる。これにより、コンデンサ７４は、第１供給ライン６２内を流れる気体状態の処理流体を冷却して、液体状態の処理流体を生成する。
　ポンプ７５は、コンデンサ７４から供給される液体状態の処理流体を、第１供給ライン６２の下流側に圧送する。分岐部７６からは、後述する戻しライン９０が分岐する。接続部７７には、バイパスライン１１０が接続される。
　圧力センサ７８は、第１供給ライン６２を流れる処理流体の圧力を測定する。分岐部７９からは、複数（図では２つ）の第２供給ライン６３が分岐する。
　それぞれの第２供給ライン６３には、分岐部７９を基準として、上流側から順にオリフィス８０と、分岐部８１と、圧力センサ８２とが設けられる。オリフィス８０は、第２供給ライン６３を流れる液体状態の処理流体の流速を低下させ、圧力を調整する。
　分岐部８１からは、戻しライン１００が分岐する。圧力センサ８２は、第２供給ライン６３を流れる処理流体の圧力を測定する。
　戻しライン１００は、別の戻しラインの一例である。戻しライン１００は、第２供給ライン６３を流れる液体状態の処理流体を、第１供給ライン６２の合流部７２に戻す。このように、戻しライン１００によって処理流体を上流側に戻すことで、濾過できる回数を増やして異物を除去する性能を向上させることができる。
　戻しライン１００には、分岐部８１を基準として、上流側から順に背圧弁１０１と、バルブ１０２とが設けられる。
　背圧弁１０１は、戻しライン１００の一次側圧力が設定圧力を超えた場合には弁開度を調整して二次側に流体を流すことにより、一次側圧力を設定圧力に維持するように構成される。なお、背圧弁１０１の弁開度および設定圧力は制御部７により随時変更することが可能である。
　バルブ１０２は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の合流部７２に処理流体を流し、閉状態では下流側の合流部７２に処理流体を流さない。
　そして、戻しライン１００から戻された液体状態の処理流体は、第１供給ライン６２の合流部７２に戻る。なお、合流部７２から戻された液体状態の処理流体は、合流部７１から戻されて第１供給ライン６２を流れる高熱の気体状態の処理流体によって、液体状態から気体状態に変化する。
　第１供給ライン６２の分岐部７６から分岐する戻しライン９０は、第１供給ライン６２を流れる液体状態の処理流体を、第１供給ライン６２の合流部７１に戻す。このように、戻しライン９０によって処理流体を上流側に戻すことで、濾過できる回数を増やして異物を除去する性能を向上させることができる。
　戻しライン９０には、分岐部７６を基準として、上流側から順にスパイラルヒータ９１と、接続部９２と、背圧弁９３と、バルブ９４とが設けられる。
　スパイラルヒータ９１は、加熱部の一例である。スパイラルヒータ９１は、戻しライン９０に巻回され、かかる戻しライン９０を流れる液体状態の処理流体を加熱して、超臨界状態の処理流体を生成する。
　接続部９２には、バイパスライン１１０が接続される。すなわち、第１供給ライン６２の接続部７７と戻しライン９０の接続部９２との間は、バイパスライン１１０で接続される。
　背圧弁９３は、戻しライン９０の一次側圧力が設定圧力を超えた場合には弁開度を調整して二次側に流体を流すことにより、一次側圧力を設定圧力に維持するように構成される。
　そして、背圧弁９３は、戻しライン９０を流れる超臨界状態の処理流体を減圧して、気体状態の処理流体を生成する。なお、背圧弁９３の弁開度および設定圧力は制御部７により随時変更することが可能である。
　また、接続部９２および背圧弁９３は、スパイラルヒータ９１よりも上方に配置される。これにより、密度の低い超臨界状態の処理流体をスパイラルヒータ９１から円滑に接続部９２および背圧弁９３に通流させることができる。
　バルブ９４は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の合流部７１に処理流体を流し、閉状態では下流側の合流部７１に処理流体を流さない。
　そして、背圧弁９３で生成された高温の気体状態の処理流体は、バルブ９４を介して第１供給ライン６２の合流部７１に戻る。
　ここまで説明した処理流体供給装置７０によって、複数の供給ユニット１９（図４参照）に向けて液体状態の処理流体が供給される。すなわち、実施形態では、処理流体を気体状態や超臨界状態ではなく、液体状態で処理流体供給装置７０から基板処理装置１に供給している。
　これにより、処理流体供給装置７０と各乾燥ユニット１８との距離、すなわち各第２供給ライン６３の長さにバラツキが生じたとしても、かかる長さのバラツキによる不具合を低減することができる。
　制御部７は、供給ユニット１９に向けて第２供給ライン６３から供給する処理流体の圧力を、圧力センサ８２によって測定するとともに、背圧弁１０１の弁開度によって制御する。制御部７は、たとえば、背圧弁１０１の一次側の設定圧力を上げることで、供給ユニット１９に向けて供給する処理流体の圧力を上昇させる。
　また、制御部７は、たとえば、背圧弁１０１の一次側の設定圧力を下げることで、供給ユニット１９に向けて供給する処理流体の圧力を低下させる。
　同様に、制御部７は、複数の第２供給ライン６３に向けて第１供給ライン６２から供給する処理流体の圧力を、圧力センサ７８によって測定するとともに、背圧弁９３の弁開度によって制御する。そして、制御部７は、圧力センサ７８の測定値が一定となるように、背圧弁９３の弁開度を適宜制御する。
　また、実施形態では、ポンプ７５と背圧弁９３との間において、スパイラルヒータ９１により処理流体が液体状態から超臨界状態に相変化している。すなわち、ポンプ７５と、閉状態となりうるバルブ４１（図５参照）または背圧弁９３との間が、非圧縮性である液体状態の処理流体で満たされるのではなく、一部が圧縮性である超臨界状態の処理流体となっている。
　これにより、第１供給ライン６２において非圧縮性である液体状態の処理流体をポンプ７５で送り出す場合でも、かかるポンプ７５で生じる脈動を超臨界状態の部位で吸収させることができる。したがって、実施形態によれば、液体状態の処理流体をポンプ７５で送り出す際に、かかるポンプ７５で生じる脈動の影響を低減することができる。
　ここで、たとえば処理流体供給装置７０にバイパスライン１１０が設けられない場合、第１供給ライン６２を流れる処理流体の流量が急激に増加すると、背圧弁９３によるフィードバック制御が追いつかない場合がある。
　そのため、この場合、スパイラルヒータ９１での処理流体の圧損が急激に増加することから、スパイラルヒータ９１において処理流体が十分に加熱されなくなる恐れがある。これにより、戻しライン９０から第１供給ライン６２に戻される処理流体が所望の高温に達していないため、戻しライン１００から供給される液体状態の処理流体が十分に加熱されない恐れがある。
　そのため、フィルタ７３を通流する処理流体が気液混合状態となることから、フィルタ７３において処理流体が十分に濾過されなくなる。すなわち、処理流体供給装置７０にバイパスライン１１０が設けられない場合、第１供給ライン６２を流れる処理流体の流量が急激に増加すると、処理流体の濾過性能が低下する恐れがある。
　そこで、実施形態では、処理流体供給装置７０にバイパスライン１１０を設けることとした。これにより、第１供給ライン６２を流れる処理流体の流量が急激に増加した場合に、バイパスライン１１０を通じて戻しライン９０におけるスパイラルヒータ９１の下流側に処理流体を流すことができる。すなわち、実施形態では、バイパスライン１１０によって、スパイラルヒータ９１を流れる処理流体の流量を調整することができる。
　換言すると、実施形態では、バイパスライン１１０がスパイラルヒータ９１に流れる処理流体の流量を調整する流量調整機構として機能する。そして、スパイラルヒータ９１に流れる処理流体の流量が調整されることで、スパイラルヒータ９１において処理流体の圧損が急激に増加することを抑制できる。
　そのため、スパイラルヒータ９１において処理流体を所望の温度まで十分に加熱することができることから、第１供給ライン６２におけるフィルタ７３の上流側で処理流体が気液混合状態になることを抑制できる。したがって、実施形態によれば、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
　なお、通常動作時には、スパイラルヒータ９１で生成される密度の低い超臨界状態の処理流体が接続部９２及びバイパスライン１１０の大半を満たすため、第１供給ライン６２から密度の高い液体状態の処理流体はバイパスライン１１０の下流側に流れ込みにくい。
＜変形例１＞
　つづいては、実施形態の各種変形例について、図７～図１２を参照しながら説明する。図７は、実施形態の変形例１に係る処理流体供給装置７０の配管構成の一例を示す図である。
　図７に示すように、変形例１に係る処理流体供給装置７０では、第１供給ライン６２にヒータ１２０が設けられる点が上述の実施形態と異なる。そこで、以降の例では、すでに説明した実施形態等と同様の部位については同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。
　ヒータ１２０は、別の加熱部の一例である。ヒータ１２０は、第１供給ライン６２における複数の合流部７２とフィルタ７３との間に設けられ、第１供給ライン６２を流れる処理流体を加熱する。
　これにより、図７に示すように、たとえば戻しライン１００から戻る処理流体の量が多く、複数の合流部７２よりも下流側で処理流体が気液混合状態である場合にも、かかる気液混合状態の処理流体を加熱して気体状態に変化させることができる。
　したがって、変形例１によれば、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
　図８は、実施形態の変形例１に係るヒータ１２０の構成の一例を示す図であり、ヒータ１２０を側面から見た場合の概略断面図である。図８に示すように、ヒータ１２０は、環状配管１２１と、加熱部材１２２とを有する。
　環状配管１２１は、環状の配管であり、たとえば側面視で横長の長方形状を有する環状の配管が傾いて配置される。環状配管１２１は、分岐部１２１ａと、下降部１２１ｂと、上昇部１２１ｃと、上昇部１２１ｄと、下降部１２１ｅと、合流部１２１ｆとを有する。
　分岐部１２１ａは、たとえば長方形状の環状配管１２１の角部に位置し、上流側の第１供給ライン６２に接続されるとともに、環状配管１２１が下降部１２１ｂと上昇部１２１ｃとに分岐する部位である。
　下降部１２１ｂは、たとえば長方形状の環状配管１２１の長辺であり、分岐部１２１ａからなだらかに下降する部位である。上昇部１２１ｃは、たとえば長方形状の環状配管１２１の短辺であり、分岐部１２１ａから上昇する部位である。
　上昇部１２１ｄは、下降部１２１ｂの下端部に接続され、かかる下降部１２１ｂの下端部から上昇する部位である。この上昇部１２１ｄには、たとえば、長方形状の環状配管１２１の短辺および長辺の大部分が含まれる。
　下降部１２１ｅは、上昇部１２１ｃの上端部に接続され、かかる上昇部１２１ｃの上端部からなだらかに下降する部位である。この下降部１２１ｅには、たとえば、長方形状の環状配管１２１における長辺の一部が含まれる。
　合流部１２１ｆは、上昇部１２１ｄの上端部と下降部１２１ｅの下端部とが合流して、下流側の第１供給ライン６２に接続される部位である。
　加熱部材１２２は、環状配管１２１の下降部１２１ｂに沿って位置し、かかる下降部１２１ｂの内部を流れる処理流体を加熱する。加熱部材１２２の詳細な構成については後述する。
　そして、変形例１では、図８に示すように、第１供給ライン６２の上流側からヒータ１２０に流れ込む気液混合状態の処理流体のうち、密度の高い液体状態の処理流体が下降部１２１ｂに流れるとともに、密度の低い気体状態の処理流体が上昇部１２１ｃに流れる。すなわち、変形例１では、ヒータ１２０の内部に気液分離機構が設けられる。
　そして、下降部１２１ｂに流れ込んだ液体状態の処理流体は、加熱部材１２２によって加熱されることで、気体状態の処理流体に変化する。さらに、かかる気体状態の処理流体は、上昇部１２１ｄおよび合流部１２１ｆを通じて下流側の第１供給ライン６２に流れる。
　また、上昇部１２１ｃに流れ込んだ気体状態の処理流体は、下降部１２１ｅおよび合流部１２１ｆを通じて下流側の第１供給ライン６２に流れる。
　このように、変形例１では、下降部１２１ｂに流れ込んだ液体状態の処理流体を、傾斜の緩い下降部１２１ｂにおいて比較的ゆっくり流しながら、加熱部材１２２によって加熱する。これにより、広い接触面積で液体状態の処理流体を加熱することができるため、液体状態の処理流体を効率よく気体状態の処理流体に変化させることができる。
　また、変形例１では、ヒータ１２０が気液分離機構を有するとよい。これにより、気液混合状態の処理流体の中から液体状態の処理流体に絞って加熱することができるため、気液混合状態の処理流体を気体状態に効率よく変化させることができる。
　なお、図８の例では、環状配管１２１が側面視で横長の長方形状である例について示したが、本開示はかかる例に限られず、環状であればどのような側面形状であってもよい。
　図９は、図８に示すＡ－Ａ線の矢視断面図であり、加熱部材１２２の断面構成を示す図である。図９に示すように、加熱部材１２２は、第１板状部材１２３と、第２板状部材１２４と、ヒータ本体１２５と、締結部材１２６と、締結部材１２７とを有する。
　第１板状部材１２３は、アルミニウムなどの金属材料で構成され、たとえば平板状である。第１板状部材１２３は、ネジ穴１２３ａと、貫通孔１２３ｂと、棒状部材１２３ｃと、溝１２３ｄとを有する。ネジ穴１２３ａは、締結部材１２６をネジ止め可能に形成されるネジ穴である。貫通孔１２３ｂは、第１板状部材１２３の上面と下面との間を貫通する。
　棒状部材１２３ｃは、貫通孔１２３ｂの内部で所定の方向（図では紙面に垂直な方向）に沿って延びる棒状の部材である。棒状部材１２３ｃは、貫通孔１２３ｂの内部で周方向に沿って回動可能に構成されるとともに、径方向に沿って延びるネジ穴１２３ｃ１を有する。ネジ穴１２３ｃ１は、締結部材１２７をネジ止め可能に形成されるネジ穴である。
　溝１２３ｄは、第１板状部材１２３の下面に形成され、所定の方向（図では紙面に垂直な方向）に沿って延び、断面視で半円形状を有する。かかる半円形状は、環状配管１２１（図８参照）の下降部１２１ｂ（図８参照）における断面形状の上半分に対応する形状である。
　第２板状部材１２４は、アルミニウムなどの金属材料で構成され、たとえば平板状である。第２板状部材１２４は、貫通孔１２４ａと、貫通孔１２４ｂと、棒状部材１２４ｃと、溝１２４ｄとを有する。貫通孔１２４ａは、締結部材１２６を挿通可能に形成される貫通孔であり、第１板状部材１２３のネジ穴１２３ａと対応する位置に配置される。
　貫通孔１２４ｂは、第２板状部材１２４の上面と下面との間を貫通する。第１板状部材１２３の貫通孔１２３ｂに対して所定の方向（図では右方向）にずれた位置に配置される。
　棒状部材１２４ｃは、貫通孔１２４ｂの内部で所定の方向（図では紙面に垂直な方向）に沿って延びる棒状の部材である。棒状部材１２４ｃは、貫通孔１２４ｂの内部で周方向に沿って回動可能に構成されるとともに、径方向に沿って延びる貫通孔１２４ｃ１を有する。貫通孔１２４ｃ１は、締結部材１２７を挿通可能に形成される貫通孔である。
　溝１２４ｄは、第２板状部材１２４の上面に形成され、所定の方向（図では紙面に垂直な方向）に沿って延び、断面視で半円形状を有する。かかる半円形状は、環状配管１２１の下降部１２１ｂにおける断面形状の下半分に対応する形状である。溝１２４ｄは、第１板状部材１２３の溝１２３ｄと対応する位置に配置される。
　ヒータ本体１２５は、外部から電力が供給されることによって昇温する部材であり、第２板状部材１２４の内部に埋め込まれるように位置する。ヒータ本体１２５は、たとえば、第２板状部材１２４の内部で所定の方向（図では紙面に垂直な方向）に沿って延びる。
　締結部材１２６および締結部材１２７は、たとえばボルトであり、第２板状部材１２４を介して第１板状部材１２３にネジ止めされる。
　そして、加熱部材１２２は、第１板状部材１２３の溝１２３ｄと第２板状部材１２４の溝１２４ｄとで環状配管１２１の下降部１２１ｂを挟み込むように配置させ、締結部材１２６、１２７で第１板状部材１２３と第２板状部材１２４とを締結して形成される。
　この際、締結部材１２６は第１板状部材１２３の主面および第２板状部材１２４の主面と略垂直に位置する一方、締結部材１２７は第１板状部材１２３の主面および第２板状部材１２４の主面に対して傾いて位置する。
　これにより、図９に示すように、溝１２３ｄおよび溝１２４ｄの内部に位置する環状配管１２１の下降部１２１ｂに対して、第１板状部材１２３および第２板状部材１２４が左右から押圧する力が発生する。
　なぜなら、締結部材１２７が直接接する棒状部材１２３ｃおよび棒状部材１２４ｃは、ネジ止めの力が加わるに従い周方向に回動するため、第１板状部材１２３と第２板状部材１２４との間で互いに水平方向にずれる力が生じるからである。
　これにより、変形例１では、第１板状部材１２３および第２板状部材１２４と、環状配管１２１の下降部１２１ｂとの間の密着力を向上させることができる。したがって、変形例１によれば、ヒータ本体１２５から環状配管１２１の下降部１２１ｂに伝達する熱量を増加させることができるため、加熱部材１２２の加熱効率を向上させることができる。
　なお、締結部材１２７によって生じる左右方向の力は、締結部材１２６によってある程度のところで抑えられるため、締結部材１２７によって生じる左右方向の力によって環状配管１２１の下降部１２１ｂに過剰な力が加わることはない。
＜変形例２＞
　図１０は、実施形態の変形例２に係る処理流体供給装置７０の配管構成の一例を示す図である。図１０に示すように、変形例２に係る処理流体供給装置７０では、スパイラルヒータ９１およびバイパスライン１１０が設けられない点が上述の変形例１と異なる。
　これにより、戻しライン９０では、処理流体が加熱されないため、液体状態の処理流体が第１供給ライン６２の合流部７１に供給される。そのため、第１供給ライン６２における複数の合流部７２の下流側には、気液混合状態の処理流体が流れ込む。
　一方で、変形例２では、第１供給ライン６２における複数の合流部７２とフィルタ７３との間にヒータ１２０が設けられるため、気液混合状態の処理流体を気体状態に変化させることができる。
　したがって、変形例２によれば、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
＜変形例３＞
　図１１は、実施形態の変形例３に係る処理流体供給装置７０の配管構成の一例を示す図である。図１１に示すように、変形例３に係る処理流体供給装置７０において、第１供給ライン６２には、処理流体供給源６０を基準として、上流側から順にバルブ６４と、逆止弁６５と、合流部１７１と、複数の合流部１７２と、合流部１７３とが設けられる。
　また、第１供給ライン６２には、合流部１７３を基準として、上流側から順にフィルタ１７４と、コンデンサ１７５と、ポンプ１７６と、分岐部１７７と、圧力センサ１７８と、分岐部１７９と、分岐部１８０とが設けられる。
　合流部１７１は、第１供給ライン６２と、後述する戻しライン２００とが合流する。合流部１７２は、別の合流部の一例である。合流部１７２は、第１供給ライン６２と、後述する戻しライン２１０とが合流する。合流部１７３は、第１供給ライン６２と、後述する戻しライン１９０とが合流する。
　なお、変形例３において、複数の戻しライン２１０および戻しライン１９０から第１供給ライン６２に戻される液体状態の処理流体は、戻しライン２００から第１供給ライン６２に戻される高熱の気体状態の処理流体によって、液体状態から気体状態に変化する。これにより、フィルタ１７４には、気体状態の処理流体が流れ込む。
　フィルタ１７４は、たとえばガスフィルタであり、第１供給ライン６２内を流れる気体状態の処理流体を濾過し、処理流体に含まれる異物を取り除く。かかるフィルタ１７４で処理流体内の異物を取り除くことにより、超臨界流体を用いたウェハＷの乾燥処理の際に、ウェハＷ表面にパーティクルが発生することを抑制することができる。
　コンデンサ１７５は、冷却部の一例である。コンデンサ１７５は、たとえば、図示しない冷却水供給部に接続され、冷却水と気体状態の処理流体とを熱交換させることができる。これにより、コンデンサ１７５は、第１供給ライン６２内を流れる気体状態の処理流体を冷却して、液体状態の処理流体を生成する。
　ポンプ１７６は、コンデンサ１７５から供給される液体状態の処理流体を、第１供給ライン６２の下流側に圧送する。分岐部１７７からは、後述する戻しライン１９０が分岐する。圧力センサ１７８は、第１供給ライン６２を流れる処理流体の圧力を測定する。
　分岐部１７９からは、後述する戻しライン２００が分岐する。分岐部１８０からは、複数（図では２つ）の第２供給ライン６３が分岐する。
　それぞれの第２供給ライン６３には、分岐部１８０を基準として、上流側から順にオリフィス１８１と、分岐部１８２と、圧力センサ１８３とが設けられる。オリフィス１８１は、第２供給ライン６３を流れる液体状態の処理流体の流速を低下させ、圧力を調整する。
　分岐部１８２からは、戻しライン２１０が分岐する。圧力センサ１８３は、第２供給ライン６３を流れる処理流体の圧力を測定する。
　戻しライン２１０は、別の戻しラインの一例である。戻しライン２１０は、第２供給ライン６３を流れる液体状態の処理流体を、第１供給ライン６２の合流部１７２に戻す。このように、戻しライン２１０によって処理流体を上流側に戻すことで、濾過できる回数を増やして異物を除去する性能を向上させることができる。
　戻しライン２１０には、分岐部１８２を基準として、上流側から順に背圧弁２１１と、バルブ２１２とが設けられる。
　背圧弁２１１は、戻しライン２１０の一次側圧力が設定圧力を超えた場合には弁開度を調整して二次側に流体を流すことにより、一次側圧力を設定圧力に維持するように構成される。なお、背圧弁２１１の弁開度および設定圧力は制御部７により随時変更することが可能である。
　バルブ２１２は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の合流部１７２に処理流体を流し、閉状態では下流側の合流部１７２に処理流体を流さない。
　そして、戻しライン２１０から戻された液体状態の処理流体は、第１供給ライン６２の合流部１７２に戻る。なお、合流部１７２から戻された液体状態の処理流体は、合流部１７１から戻されて第１供給ライン６２を流れる高熱の気体状態の処理流体によって、液体状態から気体状態に変化する。
　第１供給ライン６２の分岐部１７７から分岐する戻しライン１９０は、第１供給ライン６２を流れる液体状態の処理流体を、第１供給ライン６２の合流部１７３に戻す。このように、戻しライン１９０によって処理流体を上流側に戻すことで、濾過できる回数を増やして異物を除去する性能を向上させることができる。
　戻しライン１９０には、分岐部１７７を基準として、上流側から順に背圧弁１９１と、バルブ１９２とが設けられる。
　背圧弁１９１は、戻しライン１９０の一次側圧力が設定圧力を超えた場合には弁開度を調整して二次側に流体を流すことにより、一次側圧力を設定圧力に維持するように構成される。
　バルブ１９２は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の合流部１７３に処理流体を流し、閉状態では下流側の合流部１７３に処理流体を流さない。
　そして、戻しライン１９０から戻された液体状態の処理流体は、第１供給ライン６２の合流部１７３に戻る。なお、合流部１７３から戻された液体状態の処理流体は、合流部１７１から戻されて第１供給ライン６２を流れる高熱の気体状態の処理流体によって、液体状態から気体状態に変化する。
　第１供給ライン６２の分岐部１７９から分岐する戻しライン２００は、第１供給ライン６２を流れる液体状態の処理流体を、第１供給ライン６２の合流部１７１に戻す。このように、戻しライン２００によって処理流体を上流側に戻すことで、濾過できる回数を増やして異物を除去する性能を向上させることができる。
　戻しライン２００には、分岐部１７９を基準として、上流側から順にスパイラルヒータ２０１と、バルブ２０２と、オリフィス２０３とが設けられる。
　スパイラルヒータ２０１は、加熱部の一例である。スパイラルヒータ２０１は、戻しライン２００に巻回され、かかる戻しライン２００を流れる液体状態の処理流体を加熱して、超臨界状態の処理流体を生成する。スパイラルヒータ２０１は、合流部１７１の近傍に位置する。
　バルブ２０２は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側のオリフィス２０３に処理流体を流し、閉状態では下流側のオリフィス２０３に処理流体を流さない。
　オリフィス２０３は、流量調整機構の一例である。オリフィス２０３は、戻しライン２００を通流する処理流体の流量が一定の値を保つように、処理流体の流量を制御する。また、オリフィス２０３は、戻しライン２００を流れる超臨界状態の処理流体を減圧して、気体状態の処理流体を生成する。
　そして、オリフィス２０３で生成された高温の気体状態の処理流体は、第１供給ライン６２の合流部１７１に戻る。
　変形例３では、ポンプ１７６とバルブ２０２との間において、スパイラルヒータ２０１により処理流体が液体状態から超臨界状態に相変化している。すなわち、ポンプ１７６と、閉状態となりうるバルブ４１（図５参照）またはバルブ２０２との間が、非圧縮性である液体状態の処理流体で満たされるのではなく、一部が圧縮性である超臨界状態の処理流体となっている。
　これにより、第１供給ライン６２において非圧縮性である液体状態の処理流体をポンプ１７６で送り出す場合でも、かかるポンプ１７６で生じる脈動を超臨界状態の部位で吸収させることができる。したがって、変形例３によれば、液体状態の処理流体をポンプ１７６で送り出す際に、かかるポンプ１７６で生じる脈動の影響を低減することができる。
　また、変形例３では、オリフィス２０３によって戻しライン２００を通流する処理流体の量を一定の値に制御する。これにより、第１供給ライン６２を流れる処理流体の流量が急激に増加した場合でも、戻しライン２００を通流する処理流体の量を一定に保つことができるため、スパイラルヒータ２０１において処理流体を所望の温度まで十分に加熱することができる。
　したがって、変形例３によれば、第１供給ライン６２におけるフィルタ１７４の上流側で処理流体が気液混合状態になることを抑制できるため、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
　また、変形例３では、スパイラルヒータ２０１が、合流部１７１の近傍にあるとよい。これによって、より高温の気体状態の処理流体を第１供給ライン６２の合流部１７１に供給できるため、気液混合状態の処理流体がフィルタ１７４に流れ込むことを抑制できる。
＜変形例４＞
　図１２は、実施形態の変形例４に係る処理流体供給装置７０の配管構成の一例を示す図である。図１２に示すように、変形例４に係る処理流体供給装置７０では、第１供給ライン６２に上述のヒータ１２０が設けられる点が上述の変形例３と異なる。
　ヒータ１２０は、第１供給ライン６２における合流部１７３とフィルタ１７４との間に設けられ、第１供給ライン６２を流れる処理流体を加熱する。
　これにより、図１２に示すように、たとえば戻しライン１９０や戻しライン２１０から戻る処理流体の量が多く、合流部１７３よりも下流側で処理流体が気液混合状態である場合にも、かかる気液混合状態の処理流体を加熱して気体状態に変化させることができる。
　したがって、変形例４によれば、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
　実施形態に係る処理流体供給装置７０は、供給ライン６１と、冷却部（コンデンサ７４（１７５））と、ポンプ７５（１７６）と、戻しライン９０（２００）と、加熱部（スパイラルヒータ９１（２０１））と、流量調整機構と、を備える。供給ライン６１は、気体状態の処理流体を供給する処理流体供給源６０から基板処理装置１に処理流体を供給する。冷却部（コンデンサ７４（１７５））は、供給ライン６１に設けられ、気体状態の処理流体を冷却して液体状態の処理流体を生成する。ポンプ７５（１７６）は、供給ライン６１における冷却部（コンデンサ７４（１７５））の下流側に設けられる。戻しライン９０（２００）は、供給ライン６１におけるポンプ７５（１７６）の下流側に位置する分岐部７６（１７９）から分岐して、供給ライン６１における冷却部（コンデンサ７４（１７５））よりも上流側に位置する合流部７１（１７１）に処理流体を戻す。加熱部（スパイラルヒータ９１（２０１））は、戻しライン９０（２００）に設けられ、処理流体を加熱する。流量調整機構（バイパスライン１１０、オリフィス２０３）は、加熱部（スパイラルヒータ９１（２０１））に供給される処理流体の流量を調整する。これにより、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
　また、実施形態に係る処理流体供給装置７０において、流量調整機構は、供給ライン６１における分岐部７６の下流側と戻しライン９０における加熱部（スパイラルヒータ９１）の下流側とを繋ぐバイパスライン１１０である。これにより、第１供給ライン６２を流れる処理流体の流量が急激に増加した場合にも、スパイラルヒータ９１において処理流体の圧損が急激に増加することを抑制できる。
　また、実施形態に係る処理流体供給装置７０は、供給ライン６１における合流部１７１と冷却部（コンデンサ１７５）との間に設けられるフィルタ１７４、をさらに備える。また、加熱部（スパイラルヒータ２０１）は、合流部１７１の近傍に設けられる。これにより、気液混合状態の処理流体がフィルタ１７４に流れ込むことを抑制できる。
　また、実施形態に係る処理流体供給装置７０において、加熱部（スパイラルヒータ２０１）は、戻しライン２００における合流部１７１の近傍に設けられる。また、流量調整機構は、戻しライン２００における加熱部（スパイラルヒータ２０１）の下流側に設けられるオリフィス２０３である。これにより、第１供給ライン６２を流れる処理流体の流量が急激に増加した場合にも、スパイラルヒータ２０１において処理流体の圧損が急激に増加することを抑制できる。
　また、実施形態に係る処理流体供給装置７０は、別の戻しライン（戻しライン１００（２１０））をさらに備える。別の戻しライン（戻しライン１００（２１０））は、供給ライン６１における分岐部７６（１７９）の下流側に位置する別の分岐部（分岐部８１（１８２））から分岐する。また、別の戻しライン（戻しライン１００（２１０））は、処理流体を供給ライン６１における冷却部（コンデンサ７４（１７５））よりも上流側に位置する別の合流部（合流部７２（１７２））に処理流体を戻す。これにより、濾過できる回数を増やして異物を除去する性能を向上させることができる。
　また、実施形態に係る処理流体供給装置７０は、フィルタ７３（１７４）と、別の加熱部（ヒータ１２０）とをさらに備える。フィルタ７３（１７４）は、供給ライン６１における別の合流部（合流部７２（１７２））と冷却部（コンデンサ７４（１７５））との間に設けられる。別の加熱部（ヒータ１２０）は、別の合流部（合流部７２（１７２））とフィルタ７３（１７４）との間に位置し、処理流体を加熱する。これにより、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
　また、実施形態に係る処理流体供給装置７０において、別の加熱部（ヒータ１２０）は、気液分離機構を有する。これにより、気液混合状態の処理流体を気体状態に効率よく変化させることができる。
　また、実施形態に係る処理流体供給方法は、濾過する工程と、液体状態にする工程と、通液する工程と、流量を調整する工程と、を含む。濾過する工程は、処理流体供給源６０から供給された気体状態の処理流体を、供給ライン６１に設けられるフィルタ７３（１７４）に通流させて濾過する。液体状態にする工程は、フィルタ７３（１７４）を通流した処理流体を、供給ライン６１に設けられる冷却部（コンデンサ７４（１７５））で冷却して液体状態にする。通液する工程は、液体状態の処理流体をポンプ７５（１７６）で基板処理装置１に圧送しつつ、供給ライン６１におけるポンプ７５（１７６）の下流側から分岐する戻しライン９０（２００）に通液する。流量を調整する工程は、戻しライン９０（２００）に設けられる加熱部（スパイラルヒータ９１（２０１））で処理流体を加熱するとともに、加熱部（スパイラルヒータ９１（２０１））に供給される処理流体の流量を調整する。これにより、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
　また、実施形態に係る処理流体供給方法は、濾過する工程と、液体状態にする工程と、通液する工程と、加熱する工程と、を含む。濾過する工程は、処理流体供給源６０から供給された気体状態の処理流体を、供給ライン６１に設けられるフィルタ７３（１７４）に通流させて濾過する。液体状態にする工程は、フィルタ７３（１７４）を通流した処理流体を、供給ライン６１に設けられる冷却部（コンデンサ７４（１７５））で冷却して液体状態にする。通液する工程は、液体状態の処理流体をポンプ７５（１７６）で基板処理装置１に圧送しつつ、供給ライン６１におけるポンプ７５（１７６）の下流側から分岐する戻しライン９０（２００）に通液する。加熱する工程は、戻しライン９０（２００）から供給ライン６１におけるフィルタ７３（１７４）の上流側に戻される処理流体を、フィルタ７３（１７４）に通流させる前に加熱する。これにより、処理流体の濾過性能を向上させることができる。
　以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、第１供給ライン６２が２つの第２供給ライン６３に分岐する例について示したが、本開示はかかる例に限られず、第１供給ライン６２が３つの第２供給ライン６３に分岐してもよい。また、第１供給ライン６２が複数の第２供給ライン６３に分岐していなくてもよい。
　今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　１　　　基板処理装置
　１８　　乾燥ユニット（基板処理部の一例）
　６０　　処理流体供給源
　６１　　供給ライン
　６２　　第１供給ライン
　６３　　第２供給ライン
　７１　　合流部
　７２　　合流部（別の合流部の一例）
　７３　　フィルタ
　７４　　コンデンサ（冷却部の一例）
　７５　　ポンプ
　７６　　分岐部
　８１　　分岐部（別の分岐部の一例）
　９０　　戻しライン
　９１　　スパイラルヒータ（加熱部の一例）
　１１０　バイパスライン（流量調整機構の一例）
　１２０　ヒータ（別の加熱部の一例）
　１７１　合流部
　１７２　合流部（別の合流部の一例）
　１７４　フィルタ
　１７５　コンデンサ（冷却部の一例）
　１７６　ポンプ
　１７９　分岐部
　１８２　分岐部（別の分岐部の一例）
　２００　戻しライン
　２０１　スパイラルヒータ（加熱部の一例）
　２０３　オリフィス（流量調整機構の一例）

Claims (9)

  1. 　気体状態の処理流体を供給する処理流体供給源から基板処理装置に前記処理流体を供給する供給ラインと、
    　前記供給ラインに設けられ、気体状態の前記処理流体を冷却して液体状態の前記処理流体を生成する冷却部と、
    　前記供給ラインにおける前記冷却部の下流側に設けられるポンプと、
    　前記供給ラインにおける前記ポンプの下流側に位置する分岐部から分岐して、前記供給ラインにおける前記冷却部よりも上流側に位置する合流部に前記処理流体を戻す戻しラインと、
    　前記戻しラインに設けられ、前記処理流体を加熱する加熱部と、
    　前記加熱部に供給される前記処理流体の流量を調整する流量調整機構と、
    　を備える処理流体供給装置。
  2. 　前記流量調整機構は、前記供給ラインにおける前記分岐部の下流側と前記戻しラインにおける前記加熱部の下流側とを繋ぐバイパスラインである
    　請求項１に記載の処理流体供給装置。
  3. 　前記供給ラインにおける前記合流部と前記冷却部との間に設けられるフィルタ、をさらに備え、
    　前記加熱部は、前記合流部の近傍に設けられる
    　請求項１または２に記載の処理流体供給装置。
  4. 　前記加熱部は、前記戻しラインにおける前記合流部の近傍に設けられ、
    　前記流量調整機構は、前記戻しラインにおける前記加熱部の下流側に設けられるオリフィスである
    　請求項３に記載の処理流体供給装置。
  5. 　前記供給ラインにおける前記分岐部の下流側に位置する別の分岐部から分岐して、前記処理流体を前記供給ラインにおける前記冷却部よりも上流側に位置する別の合流部に前記処理流体を戻す別の戻しライン、をさらに備える
    　請求項１または２に記載の処理流体供給装置。
  6. 　前記供給ラインにおける前記別の合流部と前記冷却部との間に設けられるフィルタと、
    　前記別の合流部と前記フィルタとの間に位置し、前記処理流体を加熱する別の加熱部と、をさらに備える
    　請求項５に記載の処理流体供給装置。
  7. 　前記別の加熱部は、気液分離機構を有する
    　請求項６に記載の処理流体供給装置。
  8. 　処理流体供給源から供給された気体状態の処理流体を、供給ラインに設けられるフィルタに通流させて濾過する工程と、
    　前記フィルタを通流した前記処理流体を、前記供給ラインに設けられる冷却部で冷却して液体状態にする工程と、
    　液体状態の前記処理流体をポンプで基板処理装置に圧送しつつ、前記供給ラインにおける前記ポンプの下流側から分岐する戻しラインに通液する工程と、
    　前記戻しラインに設けられる加熱部で前記処理流体を加熱するとともに、前記加熱部に供給される前記処理流体の流量を調整する工程と、
    　を含む処理流体供給方法。
  9. 　処理流体供給源から供給された気体状態の処理流体を、供給ラインに設けられるフィルタに通流させて濾過する工程と、
    　前記フィルタを通流した前記処理流体を、前記供給ラインに設けられる冷却部で冷却して液体状態にする工程と、
    　液体状態の前記処理流体をポンプで基板処理装置に圧送しつつ、前記供給ラインにおける前記ポンプの下流側から分岐する戻しラインに通液する工程と、
    　前記戻しラインから前記供給ラインにおける前記フィルタの上流側に戻される前記処理流体を、前記フィルタに通流させる前に加熱する工程と、
    　を含む処理流体供給方法。
PCT/JP2023/036677 2022-10-21 2023-10-10 処理流体供給装置および処理流体供給方法 WO2024085014A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-168799 2022-10-21
JP2022168799 2022-10-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024085014A1 true WO2024085014A1 (ja) 2024-04-25

Family

ID=90737426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/036677 WO2024085014A1 (ja) 2022-10-21 2023-10-10 処理流体供給装置および処理流体供給方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2024085014A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019031303A1 (ja) * 2017-08-10 2019-02-14 株式会社フジキン 流体供給装置および流体供給方法
JP7109328B2 (ja) * 2018-09-26 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019031303A1 (ja) * 2017-08-10 2019-02-14 株式会社フジキン 流体供給装置および流体供給方法
JP7109328B2 (ja) * 2018-09-26 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7109328B2 (ja) 基板処理システム
JP7113949B2 (ja) 基板処理装置
US10796897B2 (en) Supercritical fluid producing apparatus and substrate processing apparatus
TWI840497B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR102468102B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6840036B2 (ja) 基板処理装置
TW202131386A (zh) 基板處理裝置
CN108155116A (zh) 基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统
JP7361865B2 (ja) 基板処理システム
JP2021086857A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2024085014A1 (ja) 処理流体供給装置および処理流体供給方法
WO2024095780A1 (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法
JP7458533B2 (ja) 処理流体供給装置
TW202431478A (zh) 處理流體供應裝置及處理流體供應方法
JP7525231B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7285992B2 (ja) 処理流体供給方法
TWI854933B (zh) 處理流體供給方法
WO2021112022A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2023234126A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW202238784A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20220359233A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20190164785A1 (en) Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23879658

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1