CN105261553A - 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种使形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性提高、并使制造生产能力提高的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部。所述衬底处理装置包括：处理室，收纳衬底；衬底支承部，载置所述衬底；第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；以及流导调节部，具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或第二气体中任一方的排气流导。

Description

衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部
技术领域
本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部。
背景技术
随着大规模集成电路(LargeScaleIntegratedCircuit：以下简称为LSI)的高集成化，电路图案的微细化在不断发展。
为了在狭小的面积上集成大量半导体器件，必须将器件的尺寸形成得很小，因此，就必须缩小所要形成的图案的宽度和间隔。
由于近几年的微细化，对于埋入微细结构，尤其是向纵向很深、或横向很窄的空隙结构(槽)内埋入氧化物，用CVD法进行的埋入方法正逐渐达到技术上的极限。另外，由于晶体管的微细化，要求形成薄且均匀的栅绝缘膜和栅电极。进一步地，为了提高半导体器件的生产率，要求缩短每一张衬底的处理时间。
另外，为了提高半导体器件的生产率，要求提高对衬底的整个面内的处理均匀性。
发明内容
近几年的以LSI、DRAM(动态随机存取存储器、DynamicRandomAccessMemory)和闪存(FlashMemory)为代表的半导体器件的最小加工尺寸变得比30nm的宽度还小，而且膜厚也变得很薄，在保持品质的同时，微细化、制造生产能力(through-put)的提高和对衬底的处理均匀性的提高变得越来越难。
本发明的目的在于，提供一种能够使形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性提高、并使制造生产能力提高的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部。
根据本发明的一方案，提供一种衬底处理装置，包括：处理室，收纳衬底；衬底支承部，载置所述衬底；第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；以及流导调节部，设有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或第二气体中任一方的排气流导。
根据本发明的另一方案，提供一种具有均压部的半导体器件的制造方法，包括：将衬底收纳到处理室内的工序；将所述衬底载置到所述衬底支承部上的工序；向所述衬底供给第一气体的工序；向所述衬底供给第二气体的工序；以及，具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或所述第二气体中任一方的排气流导的工序。
根据本发明的又一方案，提供一种气体整流部，设置在具备设有支承衬底的衬底支承部的处理室的衬底处理装置上，包括：开口，供向所述衬底供给的第一气体和第二气体通过；和流导调节部，设有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体。
发明效果
根据本发明的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部，能够使形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性提高，并使制造生产能力提高。
附图说明
图1是一个实施方式的衬底处理装置的示意性结构图。
图2是表示一个实施方式的衬底载置台与气体整流部的位置关系的示意图。
图3是一个实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。
图4是一个实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。
图5是一个实施方式的控制器的示意性结构图。
图6是一个实施方式的衬底处理工序的流程图。
图7是一个实施方式的衬底处理工序的顺序图。
图8是其他实施方式的衬底处理工序的顺序图。
图9是其他实施方式的衬底处理工序的顺序图。
图10是其他实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。
图11是其他实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。
图12是其他实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。
图13是其他实施方式的气体整流部的结构例。
图14是其他实施方式的气体整流部支承机构的结构例。
图15是其他实施方式的气体整流部与流导调节部的示例。
附图标记说明
200-晶片(衬底)、201-处理室、202-处理容器、212-衬底载置台、213-加热器、221-排气口(第一排气部)、234-气体整流部、231-盖、250-远程等离子体单元(激励部)
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
<第一实施方式>
以下，根据附图对第一实施方式进行说明。
(1)衬底处理装置的结构
首先，对第一实施方式的衬底处理装置进行说明。
对本实施方式的处理装置100进行说明。衬底处理装置100是形成绝缘膜或金属膜等的单元，如图1所示，构成为单片式衬底处理装置。
如图1所示，衬底处理装置100具有处理容器202。处理容器202例如构成为横截面为圆形且扁平的密闭容器。另外，处理容器202例如由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英构成。在处理容器202内，形成有对作为衬底的硅晶片等晶片200进行处理的处理空间(处理室)201、输送空间203。处理容器202由上部容器202a与下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔板204。将由上部容器202a包围而成的空间、即分隔板204上方的空间称为处理空间201，将由下部容器202b包围而成的空间、即分隔板204下方的空间称为输送空间203。
在下部容器202b的侧面上，设置有与闸阀205邻接的衬底输送出入口206。晶片200经由衬底输送出入口206而在与未图示的输送室之间移动。在下部容器202b的底部，设置有多个升降销207。进一步地，下部容器202b为接地电位。
在处理空间201内，设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210主要包括载置晶片200的载置面211、表面上具有载置面211的载置台212、和内置于衬底载置台212内的作为加热部的加热器213。在衬底载置台212上的与升降销207对应的位置上分别设置有供升降销207贯通的贯通孔214。
衬底载置台212由轴217支承。轴217贯穿处理容器202的底部，并进一步在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218动作并使轴217及支承台212升降，能够使载置于载置面211上的晶片200升降。此外，轴217下端部的周围由波纹管(bellows)219包覆，从而将处理空间201内保持气密。
在输送晶片200时，衬底载置台212下降到衬底支承台以使载置面211达到衬底输送出入口206的位置(晶片输送位置)，在处理晶片200时，如图1所示，晶片200上升到处理室201内的处理位置(晶片处理位置)。
具体来说，在使衬底载置台212下降到晶片输送位置之后，变成升降销207的上端部从载置面211的上表面突出，且升降销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升到晶片处理位置之后，变成升降销207从载置面211的上表面埋入，且载置面211从下方支承晶片200。此外，升降销207由于与晶片200直接接触，所以例如优选为由石英、氧化铝等材料形成。
(排气系统)
在处理空间201(上部容器202a)的内壁上，设置有作为排出处理空间201的气氛的第一排气部的排气口221。在排气口221上连接有排气管222，在排气管222上依次串联连接有将处理空间201内部控制在规定压力的APC(AutoPressureController、自动压力控制器)等压力调节器223、真空泵224。主要由排气口221、排气管222、和压力调节器223构成排气系统(排气线路)220。此外，还可以将真空泵224增加到排气系统(排气线路)220结构的一部分中。
(气体导入口)
在设于处理空间201上部的后述气体整流部234的上表面(顶壁)上，设置有用于向处理空间201内供给各种气体的气体导入口241。关于与气体导入口241连接的气体供给系统的结构，详见后述。
(气体整流部)
在气体导入口241与处理空间201之间设置有气体整流部234。气体整流部234至少具有供处理气体穿过的开口234d。气体整流部234通过固定器具235而安装在盖231上。气体导入口241与盖231连接，从气体导入口241导入的气体经由设于盖231上的孔231a和气体整流部234而向晶片200供给。此外，气体整流部234还可以构成为室盖组件(chamberlidassembly)的侧壁。另外，气体导入口241还作为气体分散通道发挥作用，所供给的气体环绕整个衬底分散。
在此，本发明的发明人们发现：随着晶片200尺寸的大型化、和形成在晶片200上的半导体器件结构的微细化/结构的复杂化等，作为对晶片200的处理均匀性降低的原因，如图2所示的、气体整流部234与衬底载置台212的平行度发生了微小偏差(不在同一平行面内)。在此平行度是指在气体整流部234与衬底载置台212的外周之间沿圆周方向构成的气体流路251的高度。由于该平行度的偏差，会产生晶片200外周的圆周方向上的流导(conductance)不同的区域，气体的供给和排出无法变得均匀。另外，若衬底大型化成450mm等，则精密地调节该平行度将变得更加困难。例如，有时图2左侧所示的气体整流部234与衬底载置台212的距离X比图2右侧所示的距离Y短。距离X是与衬底载置台212的外周的一部分对应的气体流路251a的高度。距离Y是气体流路251中的、与不同于气体流路251a的部分(另一部分)对应的气体流路251b的高度。例如，气体整流部234与衬底载置台212的距离在0.5mm～5mm的范围内调节，例如即使设定为2mm左右，有时是距离X为1.8mm且距离Y为2.2mm。这种情况下，与距离X侧相比，从气体导入口241供给的气体更多地流向距离Y侧。即，距离X侧的气体流动容易性(流导)与距离Y侧的流导相比变小。其结果是，距离X侧的膜厚与距离Y侧相比变薄。另外，即使在膜厚相同地形成的情况下，有时也以膜质在距离X侧与距离Y侧不同的方式形成。即使距离X与距离Y之差以0.1mm的单位存在，也会对晶片200的处理均匀性造成影响。作为解决这种处理均匀性恶化的课题的方法，本发明的发明人们考虑对气体整流部234外周侧的气体流动容易性(流导)进行调节，发现了通过设置流导调节部来调节外周侧的流导。
(流导调节部)
流导调节部例如如图1、图2、图3、图4所示，通过在气体整流部234上形成均压部分隔板301a、301b、作为气体均压部的第一气体均压空间302a、第二气体均压空间302b、第一气体导入孔303a、第二气体导入孔303b、第一吹扫喷嘴304a、和第二吹扫喷嘴304b而构成。
在由均压部分隔板301a、301b分隔而成的第一气体均压空间302a上设置有第一气体导入孔303a和多个第一吹扫喷嘴304a，在第二气体均压空间302b上设置有第二气体导入孔303b和多个第二吹扫喷嘴304b。从第一气体导入孔303a供给到第一气体均压空间302a内的吹扫气体在第一气体均压空间302a的整个区域扩散，并以均等的压力向多个第一吹扫喷嘴304a供给。由此，向晶片200的外周均匀地供给吹扫气体。另外，从第二气体导入孔303b供给的吹扫气体在第二气体均压空间302b的整个区域扩散，并以均等的压力向多个第二吹扫喷嘴304b供给。由此，向晶片200的外周均匀地供给吹扫气体。
图3是从A-A方向观察到的图1、2的气体整流部234的俯视剖视图，图4是从B-B(下方)方向观察到的图1、2的气体整流部234的图。
向第一气体导入孔303a、第二气体导入孔303b供给吹扫气体，从而能够向衬底载置台212的上表面端部供给吹扫气体。作为吹扫气体，可以使用难以与衬底和后述的第一处理气体/第二处理气体反应的气体。例如，可以使用氮气、氩气、氦气、氖气、氙气等。
对于第一气体导入孔303a、第二气体导入孔303b，可以供给相同流量的吹扫气体，也可以供给不同流量的吹扫气体。例如，衬底载置台212的上表面端部与气体整流部234的外周的距离因场所而不同，有时图2的第一气体导入孔303a侧的距离比第二气体导入孔303b侧的衬底载置台212的上表面端部与气体整流部234的外周的距离短。换言之，有时气体流路251b的高度比气体流路251a的高度高。这时，向晶片200供给的第一处理气体和第二处理气体有可能与第一气体导入孔303a侧相比更多地流向第二气体导入孔303b侧，对晶片200的处理均匀性降低。在这种情况下，通过将向第二气体导入孔303b的吹扫气体供给量设为比向第一气体导入孔303a的吹扫气体供给量多，能够使第一处理气体和第二处理气体向晶片200的面内均匀地供给。
向第一气体导入孔303a、第二气体导入孔303b供给的气体是从后述的流导调节气体供给部供给的。
需要说明的是，在此示出的例子中设有两个作为气体均压部的气体均压空间，且将衬底载置台212的外周端部的吹扫气体供给区域设成两个(一分为二)，但并不限于此，还可以设置三、四个气体均压部，并以三分、四分的方式构成多个区域。通过以划分为多块的方式，能够在各区域内进行气体流量控制，并精密地进行晶片200外周的流导的调节，还能使对晶片200的处理均匀性提高。
另外，还可以如图10所示，不设置均压部分隔部301a、301b，而以单个空间构成气体均压部。
另外，在此设有第一气体导入孔303a和第二气体导入孔303b两处，但也可以设置多个，如设置三处、四处。另外，如图11所示，还可以在不设置均压部分隔板301a、301b而以单个空间构成气体均压部的状态下，在一处设置第一气体导入孔303a，并向气体均压部302a的整周供给气体。
此外，如图4所示，通过以与衬底载置台212平行的方式构成与衬底载置台212的外周相对的气体整流部边缘面305，能够使晶片200外周侧的气体流动(流导)均匀。
(供给系统)
在与气体整流部234连接的气体导入孔241上，连接有共通气体供给管242。在共通气体供给管242上，连接有第一气体供给管243a、第二气体供给管244a、第三气体供给管245a、清洗气体供给管248a。
从包括第一气体供给管243a在内的第一气体供给系统主要供给含有第一元素气体(第一处理气体)，从包括第二气体供给管244a在内的第二气体供给系统主要供给含有第二元素气体(第二处理气体)。当处理晶片时，从包括第三气体供给管245a在内的第三气体供给系统主要供给吹扫气体，而当清洗处理室时，主要供给清洗气体。
(第一气体供给系统)
在第一气体供给管243a上，从上游方向起依次设置有第一气体供给源243b、流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)243c、以及开闭阀即阀243d。
从第一处理气体供给源243b供给含有第一元素的气体(第一处理气体)，并经由质量流量控制器243c、阀243d、第一气体供给管243a、共通气体供给管242向气体整流部234供给。
第一处理气体是原料气体，即处理气体之一。
在此，第一元素例如为硅(Si)。即，第一处理气体例如为含硅气体。作为含硅气体，例如能够使用二氯硅烷(Dichlorosilane(SiH2Cl2)：DCS)气体。此外，第一处理气体的原料在常温常压下可以是固体、液体及气体中的任一种。若第一处理气体的原料在常温常压下是液体，则在第一气体供给源243b与质量流量控制器243c之间设置未图示的气化器即可。在此，对原料为气体的情况进行说明。
在第一气体供给管243a的与阀243d相比的下游侧，连接有第一非活性气体供给管246a的下游端。在第一非活性气体供给管246a上，从上游方向起依次设置有非活性气体供给源246b、流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)246c、以及开闭阀即阀246d。
在此，非活性气体例如为氮(N2)气。此外，作为非活性气体，除了N2气之外，例如还能使用氦(He)气、氖(Ne)气、氩(Ar)气等稀有气体。
含有第一元素气体供给系统(也称为含硅气体供给系统)主要通过第一气体供给管243a、质量流量控制器243c和阀243d构成。
另外，第一非活性气体供给系统主要通过第一非活性气体供给管246a、质量流量控制器246c和阀246d构成。此外，还可以考虑将非活性气体供给源236b、第一气体供给管243a包括在第一非活性气体供给系统内。
进一步地，还可以考虑将第一气体供给源243b、第一非活性气体供给系统包括在含有第一元素气体供给系统内。
(第二气体供给系统)
在第二气体供给管244a的上游，从上游方向起依次设置有第二气体供给源244b、流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)244c、以及开闭阀即阀244d。
从第二气体供给源244b供给含有第二元素的气体(以下称为“第二处理气体”)，并经由质量流量控制器244c、阀244d、第二气体供给管244a、共通气体供给管242向气体整流部234供给。
第二处理气体是处理气体之一。此外，还可以考虑将第二处理气体作为反应气体或改性气体。
在此，第二处理气体含有与第一元素不同的第二元素。作为第二元素，例如包含氧(O)、氮(N)、碳(C)、氢(H)中的一种以上。在本实施方式中，第二处理气体例如为含氮气体。具体来说，作为含氮气体，能够使用氨(NH3)气。
第二处理气体供给系统主要通过第二气体供给管244a、质量流量控制器244c和阀244d构成。
另外，在第二气体供给管244a的与阀244d相比的下游侧，连接有第二非活性气体供给管247a的下游端。在第二非活性气体供给管247a上，从上游方向起依次设置有非活性气体供给源247b、流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)247c、以及开闭阀即阀247d。
从第二非活性气体供给管247a经由质量流量控制器247c、阀247d和第二气体供给管247a向气体整流部234供给非活性气体。非活性气体在薄膜形成工序(S203～S207)中作为运载气体或稀释气体发挥作用。
第二非活性气体供给系统主要通过第二非活性气体供给管247a、质量流量控制器247c和阀247d构成。此外，还可以考虑将非活性气体供给源247b、第二气体供给管244a包括在第二非活性气体供给系统内。
进一步地，还可以考虑将第二气体供给源244b、第二非活性气体供给系统包括在含有第二元素气体供给系统内。
(第三气体供给系统)
在第三气体供给管245a上，从上游方向起依次设置有第三气体供给源245b、流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)245c、以及开闭阀即阀245d。
从第三气体供给源245b供给作为吹扫气体的非活性气体，并经由质量流量控制器245c、阀245d、第三气体供给管245a、共通气体供给管242向气体整流部234供给。
在此，非活性气体例如为氮(N2)气。此外，作为非活性气体，除了N2气之外，例如还能使用氦(He)气、氖(Ne)气、氩(Ar)气等稀有气体。
第三气体供给系统(也称为吹扫气体供给系统)主要通过第三气体供给管245a、质量流量控制器245c和阀245d构成。
(清洗气体供给系统)
在清洗气体供给管243a上，从上游方向起依次设置有清洗气体源248b、质量流量控制器(MFC)248c、阀248d、远程等离子体单元(RPU)250。
从清洗气体源248b供给清洗气体，并经由MFC248c、阀248d、RPU250、清洗气体供给管248a、共通气体供给管242向气体整流部234供给。
在清洗气体供给管248a的与阀248d相比的下游侧，连接有第四非活性气体供给管249a的下游端。在第四非活性气体供给管249a上，从上游方向起依次设置有第四非活性气体供给源249b、MFC249c和阀249d。
另外，清洗气体供给系统主要通过清洗气体供给管248a、MFC248c和阀248d构成。此外，还可以考虑将清洗气体源248b、第四非活性气体供给管249a、RPU250包括在清洗气体供给系统内。
此外，还可以供给从第四非活性气体供给源249b供给的非活性气体，使其作为清洗气体的运载气体或稀释气体发挥作用。
在清洗工序中，从清洗气体供给源248b供给的清洗气体作为除去附着在气体整流部234和处理室201内的副产物等的清洗气体来发挥作用。
在此，清洗气体例如为三氟化氮(NF3)气体。此外，作为清洗气体，例如还可以使用氟化氢(HF)气体、三氟化氯(ClF3)气体、氟(F2)气等，另外，也可以组合使用这些气体。
(流导调节气体供给部)
如图1所示，在流导调节部上设置有供给吹扫气体的流导调节气体供给系统。流导调节气体供给部至少由气体供给管400a、阀401a、MFC402a构成。在流导调节气体供给系统中还可以增加气体源403a。从气体源403a供给的气体在由MFC402a进行流量调节之后，通过阀401a并经由气体供给管400a向第一气体导入孔303a供给。
另外，还可以追加MFC402b、阀401b、气体供给管400b。另外，也可以追加气体源403b。
如上述示例所述，通过设置多个均压部分隔板来划分气体均压部，并在每个气体均压部上设置流导调节气体供给部、用MFC控制气体流量，由此能够在每个气体均压部调节流导。
(控制部)
如图1所示，衬底处理装置100具有控制衬底处理装置100的各部件的动作的控制器121。
如图5所示，控制部(控制机构)即控制器121构成为具有CPU(centralprocessingunit、中央处理器)121a、RAM(RandomAccessMemory、随机存取存储器)121b、存储装置121c、I/O端口121d的计算机。RAM121b、存储装置121c、I/O端口121d以经由内部总线121e能够与CPU121a进行数据交换的方式构成。在控制器121上，例如能够连接以触摸面板等的形式构成的输入输出装置122、外部存储装置283。
存储装置121c例如由闪存、HDD(HardDiskDrive、硬盘驱动器)等构成。在存储装置121c内，以能够读取的方式存储有控制衬底处理装置的动作的控制程序、和记载有后述的衬底处理步骤和条件等的工艺制程等。此外，工艺制程是以能够使控制器121执行后述的衬底处理工序中的各步骤并获得规定结果的方式编写的，其作为程序来发挥功能。以下，也将该工艺制程和控制程序等仅统称为程序。此外，当在本说明书中使用程序这一词时，有仅单独包括工艺制程的情况、仅单独包括控制程序的情况、或两者都包括的情况。另外，RAM121b构成为暂时保存由CPU121a读取出的程序和数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口121d与闸阀205、升降机构218、压力调节器223、真空泵224、远程等离子体单元250、MFC243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c、402a、402b、阀243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、401a、401b、加热器213等连接。
CPU121a以如下方式构成：读取并执行来自存储装置121c的控制程序，并根据来自输入输出装置122的操作命令的输入等从存储装置121c中读取工艺制程。而且，CPU121a以依照所读取出的工艺制程的内容的方式，控制闸阀205的开闭动作、升降机构218的升降动作、压力调节器223的压力调节动作、真空泵224的开关控制、远程等离子体单元250的气体激励动作、MFC243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c、402a、402b的流量调节动作、阀243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、401a、401b的气体的开关控制、加热器213的温度控制等。
此外，控制器121并不限于构成为专用计算机的情况，还可以构成为通用的计算机。例如，通过准备一个存储有上述程序的外部存储装置(例如，磁带、软盘和硬盘等磁盘、CD和DVD等光盘、MO等磁光盘、USB存储器和存储卡等半导体存储器)283，并用该外部存储装置283在通用的计算机上安装程序等，能够构成本实施方式的控制器121。此外，用于向计算机供给程序的手段并不限于经由外部存储装置283供给的情况。例如，还可以使用互联网和专用线路等通信手段而不经由外部存储装置283来供给程序。此外，存储装置121c和外部存储装置283构成为能够进行计算机读取的记录介质。以下，将它们仅统称为记录介质。此外，在本说明书中，当使用记录介质这一词时，有仅单独包括存储装置121c的情况、仅单独包括外部存储装置283的情况、或两者都包括的情况。
(2)衬底处理工序
接着，关于衬底处理工序的示例，通过半导体器件的制造工序之一、即使用DCS气体及NH3(氨)气形成氮化硅(SixNy)膜的示例进行说明。
图6是表示由本实施方式的衬底处理装置实施的衬底处理的一例的顺序图。图例表示进行利用等离子体的处理，并在作为衬底的晶片200上形成氮化硅(SixNy)膜的情况的顺序动作。
(衬底输入工序S201)
在进行成膜处理时，首先，使晶片200输送入处理室201内。具体来说，通过升降机构218使衬底支承部210下降，形成升降销207从贯通孔214向衬底支承部210的上表面侧突出的状态。另外，在将处理室201内部调节成规定压力之后，打开闸阀205，使晶片200从闸阀205载置到升降销207上。在使晶片200载置到升降销207上之后，通过升降机构218使衬底支承部210上升到规定位置，由此，晶片200从升降销207被载置到衬底支承部210上。
(减压/升温工序S202)
接着，经由排气管222排出处理室201内的气体，以使处理室201内部变成规定压力(真空度)。这时，根据压力传感器测定的压力值，对作为压力调节器223的APC阀的开度进行反馈控制。另外，根据温度传感器(未图示)检测出的温度值，对向加热器213供给的通电量进行反馈控制，以使处理室201内部变成规定温度。具体来说，预先加热衬托器(susceptor)，等晶片200或衬托器的温度不再变化之后放置一定时间。在此期间，通过真空排气或由供给N2气进行的吹扫，除去残留在处理室201内的水分或者来自部件的脱气等。于是，成膜工序之前的准备工作完成。
(第一处理气体供给工序S203)
接着，如图7所示，从第一处理气体供给系统向处理室201内供给作为第一处理气体(原料气体)的DCS气体。另外，以继续由排气系统进行处理室201内部的排气并使处理室201内部的压力变成规定压力(第一压力)的方式进行控制。具体来说，打开第一气体供给管243a的阀243d和第一非活性气体供给管246a的阀246d，使DCS气体流进第一气体供给管243a、N2气流进第一非活性气体供给管246a。DCS气体从第一气体供给管243a流出，并由MFC243c进行流量调节。N2气从第一非活性气体供给管246a流出，并由MFC246c进行流量调节。经过流量调节的DCS气体与经过流量调节的N2气在第一气体供给管243a内混合，从气体分散部234向加热后的减压状态的处理室201内供给，并从排气管222排出。这时，变成对晶片200供给DCS气体(原料气体(DCS)供给工序)。DCS气体以规定压力(第一压力：例如100Pa以上10000Pa以下)向处理室201内供给。由此，向晶片200供给DCS。通过供给DCS，在晶片200上形成含硅层。所谓含硅层，是指含有硅(Si)或者含有硅和氯(Cl)的层。
另外，如图7所示，开始向第一气体导入孔303a、第二气体导入孔303b供给吹扫气体。本实施方式的图7中，是在原料气体的供给开始的同时开始了吹扫气体的供给，但也可以在原料气体的供给之前进行供给。另外，还可以在原料气体的供给之后稍后供给。吹扫气体的供给从第一处理气体的供给工序S203持续到后述的吹扫工序S206。如图7所示，关于吹扫气体的流量，以与吹扫工序S204、S206的流量相比变多的方式，控制第一处理气体供给工序S203和第二处理气体供给工序S205的流量。通过这样的构成，能够在调节衬底200端部的流导的同时，抑制吹扫工序S204中的第一处理气体对除去的妨碍、以及吹扫工序S206中的第二处理气体对除去的妨碍。另外，通过始终供给吹扫气体，气体从第一吹扫喷嘴304a和第二吹扫喷嘴304b逆流，能够抑制在吹扫喷嘴和气体均压部内产生副产物。
(吹扫工序S204)
在晶片200上形成含硅层之后，关闭第一气体供给管243a的阀243d，停止DCS气体的供给。这时，将排气管222的APC阀223保持打开，通过真空泵224对处理室201内部进行真空排气，将残留在处理室201内的未反应或者对含硅层形成发挥作用后的DCS气体从处理室201内排除。另外，还可以将阀246d保持打开，维持向处理室201内供给作为非活性气体的N2气。从阀门246d持续供给的N2气作为吹扫气体发挥作用。由此，能够进一步提高将残留在第一气体供给管243a、共通气体供给管242、处理室201内的未反应或者对含硅层形成发挥作用后的DCS气体排除的效果。
此外，这时，也可以不将残留在处理室201内和气体整流部234内的气体完全排除(不完全吹扫处理室201内部)。若仅在处理室201内残留微量气体，则在之后进行的工序中不会产生不良影响。这时，向处理室201内供给的N2气的流量也无需设为大流量，例如，通过供给与处理室201的容积同等程度的量，能够进行在下一工序中不产生不良影响的程度的吹扫。这样，通过不完全吹扫处理室201内部，能够缩短吹扫时间并使制造生产能力提高。另外，还能将N2气的消耗控制在必要的最小限度。
这时的加热器213的温度与向晶片200供给原料气体时同样地设定为300～650℃，优选设定为300～600℃，更优选地设定为300～550℃的范围内的一定温度。从各非活性气体供给系统供给的作为吹扫气体的N2气的供给流量分别设为例如100～20000sccm的范围内的流量。作为吹扫气体，除了N2气之外，还可以使用Ar、He、Ne、Xe等稀有气体。
(第二处理气体供给工序S205)
在除去处理室201内的DCS残留气体之后，停止吹扫气体的供给，并供给作为反应气体的NH3气。具体来说，打开第二气体供给管244a的阀244d，使NH3气流进第二气体供给管244a内。在第二气体供给管244a内流动的NH3气由MFC244c进行流量调节。经过流量调节的NH3气经由共通气体供给管242、气体整流部234向晶片200供给。供给到晶片200上的NH3气与形成在晶片200上的含硅层反应，使硅氮化，并排出氢、氯、氯化氢等杂质。
(吹扫工序S206)
在第二处理气体供给工序之后，停止反应气体的供给，进行与吹扫工序S204同样的处理。通过进行吹扫工序，能够使残留在第二气体供给管244a、共通气体供给管242、处理室201内等的未反应或者对硅的氮化发挥作用后的NH3气体排除。通过除去残留气体，能够抑制由残留气体造成的预期之外的膜形成。
(重复工序S207)
通过将上述的第一处理气体供给工序S203、吹扫工序S204、第二处理气体供给工序S205、吹扫工序S206各进行一次，能够在晶片200上堆积规定厚度的氮化硅(SixNy)层。通过重复这些工序，能够控制晶片200上的氮化硅膜的膜厚。控制重复规定次数，直到形成为规定膜厚为止。
(衬底输出工序S208)
在通过重复工序S207实施规定次数之后，进行衬底输出工序S208，晶片200从处理室201被输送出。具体来说，降温到能够输送出的温度，用非活性气体吹扫处理室201内部，并将压力调节到能够进行输送。调压后，衬底支承部210通过升降机构218而下降，升降销207从贯通孔214突出，并且晶片200被载置到升降销207上。在晶片200被载置到升降销207上之后，打开闸阀205，晶片200从处理室201被输送出。
(3)本实施方式的效果
根据本实施方式，获得以下所述的一个或多个效果。
(a)能够调节衬底的外周、即圆周方向的气体流动(流导)。(b)通过调节圆周方向上的流导，能够使处理均匀性提高。(c)通过增加均压部分隔板，能够更精密地调节圆周方向的流导。(d)通过从第一处理气体供给工序到第二处理气体供给工序后的吹扫工序一直供给流导调节气体，能够抑制在流导调节部的气体逆流，并抑制在流导调节部产生副产物。(e)另外，通过向衬底的外周侧供给吹扫气体，能够用供给到衬底的外周侧的吹扫气体来稀释通过衬底上方被排出的处理气体，还能抑制在排气部产生副产物。
<其他实施方式>
以上，对第一实施方式进行了具体说明，但本发明并不限定于上述实施方式，其可以在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。
例如，具有图8所示的气体供给顺序例。图8表示向设于气体整流部234外周的两个吹扫区域分别以不同流量供给吹扫气体的例子。在图2所示的环境中，第一吹扫喷嘴304a侧的流导与第二吹扫喷嘴304b侧的流导相比形成得较大。由此，流向第一吹扫喷嘴304a侧的第一处理气体和第二处理气体的流量与流向第二吹扫喷嘴304b侧的第一处理气体和第二处理气体的流量相比变多，形成于第一吹扫喷嘴304a侧的膜特性与形成于第二吹扫喷嘴304b侧的膜特性形成得不同。例如，第一吹扫喷嘴304a侧的膜厚变厚，或者耐电压特性变高。这种情况下，例如，通过将向第一吹扫喷嘴304a供给的吹扫气体量设为比向第二吹扫喷嘴304b供给的吹扫气体量多，能够使流过第一吹扫喷嘴304a侧的第一处理气体、第二处理气体、吹扫气体的流导接近流过第二吹扫喷嘴304b侧的第一处理气体、第二处理气体、吹扫气体的流导。通过使第一吹扫喷嘴304a侧的流导接近第二吹扫喷嘴304b侧的流导，能够使向晶片200供给的气体量在圆周方向上均匀化。由此，能够使晶片200上形成的膜特性均匀化。此外，在此示出了将向第一吹扫喷嘴304a供给的吹扫气体的流量设为比向第二吹扫喷嘴304b供给的吹扫气体的流量多的例子，但并不限于此，还可以构成为第二吹扫喷嘴304b一方的变多。
另外，如图9所示，在吹扫工序中，还可以构成为在设于气体整流部234外周上的吹扫区域内不流过吹扫气体。
另外，在上述说明中，在S203和S205中使对流导调节部的吹扫气体供给量构成为了相同的量，但并不限于此。例如，还可以使S205中的流量与S203中的流量不同。例如，使S205中的流量比S203中的流量多。对上述的第一气体的活性度与第二气体的活性度进行比较，有时第二气体的活性度较高，会影响对衬底200的处理均匀性。通过调节衬底200外周的圆周方向的流导，能够使处理均匀性提高。
另外，在上述说明中，示出了气体整流部234向任意一方倾斜的例子，但并不限于此。例如，即使气体整流部234与衬底载置台212平行，第一气体和第二气体中的一方的排气也会偏向。该排气的偏向根据处理室201的结构或排气口206的位置等而变化。这时，例如，有与第二吹扫喷嘴304b侧相比第一处理气体更多地流向第一吹扫喷嘴304a侧，且与第一吹扫喷嘴304a相比第二处理气体更多地流向第二吹扫喷嘴304b侧的情况。这种情况下，通过在供给第一处理气体时使向第一吹扫喷嘴304a供给的吹扫气体更多，并在供给第二处理气体时使向第二吹扫喷嘴304b供给的吹扫气体更多，能够提高对晶片200的处理均匀性。此外，若第一处理气体更多地流向第二吹扫喷嘴304a侧，且第二处理气体更多地流向第一吹扫喷嘴304b侧，则通过在供给第一处理气体时更多地向第二吹扫喷嘴304b供给吹扫气体，并在供给第二处理气体时更多地向第一吹扫喷嘴304a供给吹扫气体，能够使处理均匀化。
另外，在上述说明中，构成为围绕气体整流部234整个外周设置第一吹扫喷嘴304a和第二吹扫喷嘴304b，但并不限于此。例如，还可以仅在设有处理室的排气口221的方向上配置喷嘴。
另外，在上述说明中，将流导调节部的第一吹扫喷嘴304a和第二吹扫喷嘴304b构成为圆形，但并不限于此。例如，还可以构成为椭圆形，也可以构成为圆弧状。另外，还可以构成为直线状，如图12所示，也可以构成为狭缝状。另外，还可以构成为与晶片200的形状相配合的形状。例如，构成为与晶片的切缺部分(缺口和定位边(orientationflat))的形状相配合。通过这样与衬底形状相配合，能够进一步使处理均匀性提高。
另外，在上述说明中，示出了将流导调节部设置在气体整流部234上的例子，但并不限于此。还可以构成为将流导调节部设置在衬底载置台212或分隔板204上。
经进一步潜心研究，结果本发明的发明人们发现通过与上述手段不同的方法也能解决上述课题。
使用图13进行具体说明。
如上所述，对晶片200的处理均匀性受到气体整流部234与衬底载置台212的平行度的影响。尤其是，保持气体整流部234的平行度的精度变得困难。气体整流部234的平行度通过气体整流部234的上表面234a与下表面234b(305)的平行而形成。上表面234a至少与晶片200的面积相比形成得较大，因此，在加工上表面234a时，难以无倾斜或无凹凸地形成整个上表面234a。于是，通过在气体整流部234a的上表面设置具有与下表面234b的面积同等的面积的气体整流部支承部234c，并与盖231连接，而使保持气体整流部支承部234c与下表面234b的平行度的精度变得容易。
经进一步潜心研究，结果本发明的发明人们发现通过设置图14所示的气体固定器具235，能够使气体整流部234的平行度的精度提高。
固定气体整流部的固定器具235具有固定母材235a、固定部235b、高度调节部235c。固定母材235a由固定部235b固定在盖231上，气体整流部234通过载置在固定母材235a上而得到支承。通过使高度调节部235c上下移动，能够调节气体整流部234的倾斜度，并能调节其与衬底载置台212的平行度，还能调节在晶片200的端部上的圆周方向的流导。
经进一步潜心研究，结果本发明的发明人们发现如图15所示，通过在气体整流部234的外周设置作为第二流导调节部的流导调节机构500，能够调节晶片200的端部的流导，并能使处理均匀性提高。流导调节机构500以埋入气体整流部的外周的方式设置。通过调节流导调节机构500从气体整流部234的下表面234b(305)突出的长度，能够调节晶片200的外周的圆周方向的流导。需要说明的是，在此，流导调节机构500由多个突起构成，但并不限于此。例如，还可以缩短设置间隔。另外，还可以仅设置在设有排气口221的一侧。另外，还可以不是突起状，而是以包围晶片200的方式构成为环形。
以上，对本发明的其他实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内可以进行各种变更。
在上述说明中，记载了半导体器件的制造工序，但实施方式中的技术方案在半导体器件的制造工序以外也能使用。例如，有液晶装置的制造工序、对陶瓷衬底的等离子体处理等。
另外，在上述说明中，记载了交替供给第一气体(原料气体)和第二气体(反应气体)来成膜的方法，但也能使用其他方法。例如，还可以以供给时间重叠的方式供给原料气体和反应气体。
另外，还可以供给原料气体和反应气体来进行CVD成膜。
另外，在上述说明中记载了成膜处理，但也能适用于其他处理。例如，还能将本发明适用于使用原料气体与反应气体中任一方或两者、对形成于衬底表面或衬底上的膜进行等离子体氧化处理或等离子体氮化处理的衬底处理。另外，也可以将本发明适用于使用原料气体与反应气体中任一方或两者的热处理、等离子体退火处理等衬底处理。在等离子体处理的情况下，能够使等离子体的偏向和活化后的气体的偏向均匀化。
另外，在上述说明中记载了使处理均匀性提高，但并不限于此。最近，开始要求在晶片200的面内、例如内周侧和外侧使膜质和膜厚不同地成膜。通过调节在晶片200外周的流导，能够使晶片的内周侧与外周侧的气体流导不同。其结果是，能够在晶片200的内周侧与外周侧形成不同膜质和不同膜厚的膜。例如，在衬底处理工序的1次循环～n次循环之间，通过在奇数次循环与偶数次循环使向流导调节部供给的吹扫气体的流量不同，能够在晶片200的内周侧与外周侧形成不同膜质的膜。或者，在规定循环的中途，通过使吹扫气体流量增加或减少来形成。
<本发明的优选方式>
以下，附注本发明的优选方式。
<附注1>
根据本发明的一方案，提供一种衬底处理装置，包括：
处理室，收纳衬底；
衬底支承部，载置所述衬底；
第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；
第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；以及
流导调节部，设有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或第二气体中任一方的排气流导。
<附注2>
根据附注1所述的衬底处理装置，优选地，所述气体均压部具有两个以上的气体均压空间。
<附注3>
根据附注1或附注2所述的衬底处理装置，优选地，具有气体整流部，其设于所述衬底支承部的上方，且对所述第一气体和所述第二气体进行整流。
<附注4>
根据附注1至附注3中任一项所述的衬底处理装置，优选地，所述流导调节部设置在所述气体整流部的外周端。
<附注5>
根据附注1至附注4中任一项所述的衬底处理装置，优选地，具有吹扫气体供给部，其以使吹扫气体的供给量不同的方式分别对所述两个以上的气体均压空间进行供给。
<附注6>
根据附注1至附注5中任一项所述的衬底处理装置，优选地，所述气体整流部的下表面与所述衬底支承部的上表面设置在不同的平行面内。
<附注7>
根据附注1至附注6中任一项所述的衬底处理装置，优选地，设置有控制部，其通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即，
在向所述衬底供给所述第一气体的工序中，以第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在向所述衬底供给所述第二气体的工序中，以所述第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的工序中，以所述第二流量向所述流导调节部供给吹扫气体。
<附注8>
根据附注7所述的衬底处理装置，优选地，以所述第一流量比所述第二流量多的方式构成。
<附注9>
根据附注1至附注6中任一项所述的衬底处理装置，优选地，设置有控制部，其通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即，
在向所述衬底供给所述第一气体的工序中，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在向所述衬底供给所述第二气体的工序中，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的工序中，以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体。
<附注10>
根据附注9所述的衬底处理装置，优选地，以所述第三流量比所述第四流量多、所述第四流量比所述第五流量和所述第六流量多的方式构成。
<附注11>
根据附注1至附注10中任一项所述的衬底处理装置，优选地，所述气体整流部通过设于所述气体整流部的上表面的气体整流部支承部而安装在所述处理室的盖上。
<附注12>
根据附注1至附注10中任一项所述的衬底处理装置，优选地，所述气体整流部通过设于所述气体整流部侧方的气体整流部固定器具而能够调节下表面与所述衬底支承部上表面的距离。
<附注13>
根据附注1至附注12中任一项所述的衬底处理装置，优选地，在所述气体整流部的下表面设置有第二流导调节机构。
<附注14>
根据本发明的另一方案，提供一种半导体器件的制造方法，包括：
将衬底收纳到处理室内的工序；
将所述衬底载置到所述衬底支承部上的工序；
向所述衬底供给第一气体的工序；
向所述衬底供给第二气体的工序；以及
具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或所述第二气体中任一方的排气流导的工序。
<附注15>
根据附注14所述的半导体器件的制造方法，优选地，所述气体均压部具有两个以上的气体均压空间，具有使分别向所述气体均压空间供给的吹扫气体流量不同的工序。
<附注16>
根据附注14或附注15所述的半导体器件的制造方法，优选地，在供给所述第一气体的第一气体供给部及供给所述第二气体的第二气体供给部与所述衬底支承部之间具有气体整流部，
具有所述气体均压部的流导调节部设置在所述气体整流部的外周端。
<附注17>
根据附注14至附注16中任一项所述的半导体器件的制造方法，优选地，在供给所述吹扫气体的工序中，所述气体均压部至少具有第一气体均压空间和第二气体均压空间，并使向所述第一气体均压空间与所述第二气体均压空间供给的吹扫气体流量不同。
<附注18>
根据附注14至附注17中任一项所述的半导体器件的制造方法，优选地，在所述衬底支承部的外周端、且在圆周方向上设置有两个以上的流导不同的区域，所述流导不同的两个区域分别与所述划分后的气体均压部对应。
<附注19>
根据附注14至附注18中任一项所述的半导体器件的制造方法，优选地，在供给所述第一气体的工序中，具有以第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体的工序，
在供给所述第二气体的工序中，具有以所述第一流量向所述流导调节部供给所述吹扫气体的工序，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的工序中，具有以所述第二流量向所述流导调节部供给所述吹扫气体的工序。
<附注20>
根据附注19所述的半导体器件的制造方法，优选地，以所述第一流量比所述第二流量多的方式构成。
<附注21>
根据附注14至附注18中任一项所述的半导体器件的制造方法，优选地，在供给所述第一气体的工序中，具有以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给所述吹扫气体的工序，
在供给所述第二气体的工序中，具有以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给所述吹扫气体的工序，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的工序中，具有以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体的工序。
<附注22>
根据附注21所述的半导体器件的制造方法，优选地，以所述第三流量比所述第四流量多、所述第四流量比所述第五流量和所述第六流量多的方式构成。
<附注23>
根据本发明的又一方案，提供一种程序，使计算机执行如下步骤：使衬底收纳到处理室内的步骤；
使所述衬底载置到所述衬底支承部上的步骤；
使第一气体向所述衬底供给的步骤；
使第二气体向所述衬底供给的步骤；以及
具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或所述第二气体中任一方的排气流导的步骤。
<附注24>
根据本发明的又一方案，提供一种记录介质，记录有使计算机执行如下步骤的程序，即，使衬底收纳到处理室内的步骤；
使所述衬底载置到所述衬底支承部上的步骤；
使第一气体向所述衬底供给的步骤；
使第二气体向所述衬底供给的步骤；以及
具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或所述第二气体中任一方的排气流导的步骤。
<附注25>
根据本发明的又一方案，提供一种气体整流部，设置在具备处理室的衬底处理装置上，所述处理室中设有支承衬底的衬底支承部，所述气体整流部包括：
开口，供向所述衬底供给的第一气体和第二气体通过；和
均压部流导调节部，设有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体。
<附注26>
根据附注25所述的气体整流部，优选地，所述气体均压部具有两个以上的气体均压空间。
<附注27>
根据附注25或附注26所述的气体整流部，优选地，所述流导调节部设置在所述气体整流部的外周端。
<附注28>
根据附注25至附注27中任一项所述的气体整流部，优选地，所述气体均压部至少具有第一气体均压空间和第二气体均压空间，向所述第一气体均压空间和所述第二气体均压空间供给不同流量的吹扫气体。
<附注29>
根据附注25至附注28中任一项所述的气体整流部，优选地，通过设于所述气体整流部的上表面的气体整流部支承部而安装在所述处理室的盖上。
<附注30>
根据附注25至附注28中任一项所述的气体整流部，优选地，通过设于所述气体整流部侧方的气体整流部固定器具而能够调节下表面与所述衬底支承部上表面的距离。
<附注31>
根据附注25至附注28中任一项所述的气体整流部，优选地，在所述气体整流部的下表面设置有第二流导调节机构。

Claims (21)

1.一种衬底处理装置，其特征在于，包括：
处理室，包含收纳衬底的处理空间；
衬底支承部，设于所述处理室，具有载置所述衬底的衬底载置台；
第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；
第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；
气体导入口，设于所述处理室，从所述第一气体供给部或所述第二气体供给部导入气体；
整流部，设于所述气体导入口与所述处理空间之间，具有供从所述气体导入口供给的气体穿过的开口；
气体流路，与所述开口连通，在所述整流部与所述衬底载置台的外周之间沿圆周方向构成；
气体均压部，至少具有2个以上的气体均压空间；
吹扫气体供给部，以使吹扫气体的供给量不同的方式分别对所述气体均压空间进行供给；以及
流导调节部，设有所述气体均压部，在与所述衬底载置台的外周端的一部分对应的气体流路的高度比与所述外周端的其他部分对应的气体流路的高度高的情况下，所述流导调节部对经由一方的所述气体均压空间向所述外周端的一部分供给的吹扫气体的供给量进行调节，以使其大于经由另一方所述气体均压空间向所述外周端的其他部分供给的吹扫气体的供给量。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述流导调节部设于所述气体整流部的外周端。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，设置有控制部，其通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即，
在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以所述第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以所述第二流量向所述流导调节部供给吹扫气体。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，
进一步形成如下结构：所述控制部以使所述第一流量大于所述第二流量的方式进行控制。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步形成如下结构：所述控制部通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即，
在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体。
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，
进一步形成如下结构：所述控制部以使所述第三流量大于所述第四流量、所述第四流量大于所述第五流量和所述第六流量的方式进行控制。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，
在所述气体整流部的下表面设有第二流导调节机构。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，设置有控制部，其通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即，
在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以所述第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以所述第二流量向所述流导调节部供给吹扫气体。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，
进一步形成如下结构：所述控制部以使所述第一流量大于所述第二流量的方式进行控制。
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步形成如下结构：所述控制部通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即，
在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体。
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其特征在于，
进一步形成如下结构：所述控制部以使所述第三流量大于所述第四流量、所述第四流量大于所述第五流量和所述第六流量的方式进行控制。
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置，其特征在于，
在所述气体整流部的下表面设有第二流导调节机构。
13.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步形成如下结构：所述控制部通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即，
在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体，
在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体。
14.根据权利要求13所述的衬底处理装置，其特征在于，
进一步形成如下结构：所述控制部以使所述第三流量大于所述第四流量、所述第四流量大于所述第五流量和所述第六流量的方式进行控制。
15.根据权利要求14所述的衬底处理装置，其特征在于，
在所述气体整流部的下表面设有第二流导调节机构。
16.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，
在所述气体整流部的下表面设有第二流导调节机构。
17.一种气体整流部，在衬底处理装置中使用，设于气体导入孔与处理空间之间，所述衬底处理装置包括：处理室，包括收纳衬底的处理空间；衬底支承部，设于所述处理室，具有载置所述衬底的衬底载置台；和导入孔，将气体导入所述处理空间，
所述气体整流部被构成为与设于所述处理室的开口连通，且在所述整流部与所述衬底载置台的外周之间沿圆周方向形成气体流路，
所述气体整流部包括：
气体均压部，至少具有2个以上的与吹扫气体供给部连接的气体均压空间，从所述吹扫气体供给部向各个所述气体均压空间供给不同流量的吹扫气体；以及
流导调节部，具有所述气体均压部，在与所述衬底载置台的外周端的一部分对应的气体流路的高度比与所述外周端的其他部分对应的气体流路的高度高的情况下，所述流导调节部对经由一方的所述气体均压空间向所述外周端的一部分供给的吹扫气体的供给量进行调节，以使其大于经由另一方的所述气体均压空间向所述外周端的其他部分供给的吹扫气体的供给量。
18.根据权利要求17所述的气体整流部，其特征在于，通过设于所述气体整流部的上表面的气体整流部支承部而安装在所述处理室的盖上。
19.根据权利要求18所述的气体整流部，其特征在于，通过设于所述气体整流部侧方的气体整流部固定器具而能够调节所述气体整流部的下表面与所述衬底支承部的上表面的距离。
20.根据权利要求19所述的气体整流部，其特征在于，在所述气体整流部的下表面设置有第二流导调节机构。
21.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
将衬底收纳到包含处理空间的处理室的工序；
将所述衬底载置到设于所述处理室的衬底支承部的衬底载置台上的工序；以及
经由设于所述处理室的气体导入口、和设于所述气体导入口与所述处理空间之间的、具有供从所述气体导入口供给的气体穿过的开口的整流部，向所述衬底供给第一气体和第二气体的任一种或供给第一气体和第二气体二者，并且，
在与所述开口连通、并于所述整流部与所述衬底载置台的外周之间沿圆周方向构成的气体流路中，在与所述衬底载置台的外周端的一部分对应的气体流路的高度比与所述外周端的其他部分对应的气体流路的高度高的情况下，在设置于流导调节部且至少具有两个以上的气体均压空间的气体均压部内，对经由一方的所述气体均压空间向所述外周端的一部分供给的吹扫气体的供给量进行调节，以使其大于经由另一方的所述气体均压空间向所述外周端的其他部分供给的吹扫气体的供给量。
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