JP2019140146A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019140146A JP2019140146A JP2018019245A JP2018019245A JP2019140146A JP 2019140146 A JP2019140146 A JP 2019140146A JP 2018019245 A JP2018019245 A JP 2018019245A JP 2018019245 A JP2018019245 A JP 2018019245A JP 2019140146 A JP2019140146 A JP 2019140146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing
- substrate
- gas supply
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 285
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 117
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 439
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 159
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 145
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 abstract description 4
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 29
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 11
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 4
- 238000007630 basic procedure Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
- C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4557—Heated nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
基板を収容した状態の処理空間に第一処理ガスを供給するとともに前記第一処理ガスのキャリアガスとして不活性ガスを用いる第一工程と、
前記基板を収容した状態の前記処理空間に第二処理ガスのプラズマを供給するとともに前記第二処理ガスのキャリアガスとして活性補助ガスを用いる第二工程と、
を有する技術が提供される。
以下に、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
先ず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成について説明する。
処理対象となる基板としては、例えば、半導体集積回路装置(半導体デバイス)が作り込まれる半導体ウエハ基板(以下、単に「ウエハ」という。)が挙げられる。
また、基板処理装置が行う処理としては、例えば、酸化処理、拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール、成膜処理等がある。本実施形態では、特に成膜処理を行う場合を例に挙げる。
図1は、本実施形態に係る基板処理装置の構成例を模式的に示す側断面図である。
図1に示すように、基板処理装置100は、処理容器としてのチャンバ202を備えている。チャンバ202は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、チャンバ202は、例えばアルミニウム(Al)やステンレス(SUS)等の金属材料により構成されている。チャンバ202内には、基板としてのシリコンウエハ等のウエハ200を処理する処理空間205と、ウエハ200を処理空間205に搬送する際にウエハ200が通過する搬送空間206とが形成されている。チャンバ202は、上部容器202aと下部容器202bで構成される。上部容器202aと下部容器202bの間には、仕切り板208が設けられる。
処理空間205の上部(上流側)には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド230が設けられている。シャワーヘッド230の蓋231には、第一分散機構241が挿入される貫通孔231aが設けられる。第一分散機構241は、シャワーヘッド内に挿入される先端部241aと、蓋231に固定されるフランジ241bとを有する。
シャワーヘッド230の蓋231に設けられたガス導入孔231aには、チャンバ側のガス供給管でもある第一分散機構241が接続されている。第一分散機構241には、共通ガス供給管242が接続されている。第一分散機構241には、フランジが設けられ、ねじ等によって、蓋231に固定されるとともに、共通ガス供給管242のフランジに固定される。
第一ガス供給管243aには、上流方向から順に、第一ガス供給源243b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)243c、および、開閉弁であるバルブ243dが設けられている。そして、第一ガス供給管243aからは、第一処理ガスが、MFC243c、バルブ243d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230に供給される。
第一ガス供給管243aのバルブ243dよりも下流側には、第一不活性ガス供給管246aの下流端が接続されている。第一不活性ガス供給管246aには、上流方向から順に、不活性ガス供給源246b、MFC246cおよびバルブ246dが設けられている。そして、第一不活性ガス供給管246aからは、不活性ガスが、MFC246c、バルブ246d、第一ガス供給管243a、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230に供給される。
第二ガス供給管244aには、下流にRPU244eが設けられている。上流には、上流方向から順に、第二ガス供給源244b、MFC244cおよびバルブ244dが設けられている。そして、第二ガス供給管244aからは、第二処理ガスが、MFC244c、バルブ244d、RPU244e、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。第二処理ガスは、RPU244eによりプラズマ状態とされて活性種となり、ウエハ200上に照射される。
第二ガス供給管244aのバルブ244dよりも下流側には、活性補助ガス供給管247aの下流端が接続されている。活性補助ガス供給管247aには、上流方向から順に、活性補助ガス供給源247b、MFC247cおよびバルブ247dが設けられている。そして、活性補助ガス供給管247aからは、活性補助ガスが、MFC247c、バルブ247d、第二ガス供給管244a、RPU244eを介して、シャワーヘッド230内に供給される。
第三ガス供給管245aには、上流方向から順に、第三ガス供給源245b、MFC245cおよびバルブ245dが設けられている。そして、第三ガス供給管245aからは、パージガスとしての不活性ガスが、MFC245c、バルブ245d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230に供給される。
チャンバ202の雰囲気を排気する排気系は、チャンバ202に接続された複数の排気管を有する。具体的には、バッファ空間232に接続される排気管(第一排気管)263と、処理空間205に接続される排気管(第二排気管)262と、搬送空間206に接続される排気管(第三排気管)261とを有する。また、各排気管261,262,263の下流側には、排気管(第四排気管)264が接続される。
基板処理装置100は、基板処理装置100の各部の動作を制御する制御部としてのコントローラ280を有している。
図2は、本実施形態に係る基板処理装置が有するコントローラの構成例を模式的に示すブロック図である。
次に、基板処理装置100を使用してウエハ200に対する所定処理を行う基板処理工程について、その概要を説明する。ここでは、基板処理工程として、ウエハ200上に薄膜を形成する場合を例に挙げる。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
基板搬入・載置工程を説明する。
基板処理工程に際しては、先ず、ウエハ200を処理空間205に搬入させる。具体的には、昇降機構218によって基板支持部210を下降させ、リフトピン207を貫通孔214から基板支持部210の上面側に突出させた状態にする。また、処理空間205内および搬送空間206内を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ149を開放し、ゲートバルブ149からリフトピン207上にウエハ200を載置させる。ウエハ200をリフトピン207上に載置させた後、昇降機構218によって基板支持部210を所定の位置まで上昇させる。これにより、ウエハ200がリフトピン207上から基板支持部210上へ移載されて、基板載置台212の基板載置面211上に載置されるようになる。つまり、ウエハ200は、前述した処理空間205内の処理位置(基板処理ポジション)に位置することになる。
続いて、減圧・昇温工程を説明する。
処理空間205内が所望の圧力(真空度)となるように、排気管262を介して処理空間205内を排気する。このとき、図示せぬ圧力センサが測定した圧力値に基づき、APC276の弁の開度をフィードバック制御する。これにより、処理空間205の圧力を、例えば10−5〜10−1Paの高真空に維持する。また、図示せぬ温度センサが検出した温度値に基づき、処理空間205内が所望の温度となるように、ヒータ213への通電量をフィードバック制御する。具体的には、基板載置台212を予め加熱しておき、ウエハ200または基板載置台212の温度変化が無くなってから一定時間置く。ウエハ200の温度は、例えば室温以上800℃以下であり、好ましくは、室温以上であって500℃以下である。この間、処理空間205内に残留している水分あるいは部材からの脱ガス等を真空排気やN2ガスの供給によるパージによって除去する。これで成膜工程前の準備が完了することになる。
成膜工程を説明する。
処理空間201内の処理位置にウエハ200を位置させたら、続いて、基板処理装置100では、成膜工程を行う。成膜工程は、異なる処理ガスである第一処理ガス(第一元素含有ガス)と第二処理ガス(第二元素含有ガス)とを交互に供給する工程を繰り返す交互供給処理を行うことで、ウエハ200上に薄膜を形成する工程である。なお、成膜工程については、その詳細を後述する。
基板搬出工程を説明する。
成膜工程の終了後、続いて、基板処理装置100では、基板搬出工程を行い、ウエハ200を処理空間205から搬出させる。具体的には、チャンバ202内をウエハ200が搬出可能温度まで降温させ、処理空間205内を不活性ガスとしてのN2ガスでパージし、チャンバ202内が搬送可能な圧力に調圧される。調圧後、昇降機構218により基板支持部210を下降させ、基板載置台212の表面から突出させたリフトピン207上にウエハ200を支持させる。これにより、ウエハ200は、処理位置から搬送位置へと移動する。そして、ウエハ200がリフトピン207上に載置された後、ゲートバルブ149を開放し、ウエハ200がチャンバ202の外へ搬出される。
次に、上述した基板処理工程のうちの成膜工程について、基本的な手順を説明する。
図3は、本実施形態に係る基板処理装置で行われる成膜工程の基本的な手順を示すフロー図である。
第一処理ガス供給工程(S202)を説明する。
成膜工程に際しては、先ず、第一ガス供給系243から処理空間205内に第一処理ガス(第一元素含有ガス)としてのDCSガスを供給する。また、このとき、DCSガスのキャリアガス(例えば、N2ガス)を、第一不活性ガス供給管246aから処理空間205内に供給する。
パージ工程(S204)を説明する。
第一処理ガス供給工程(S202)の後は、次に、第三ガス供給管245aからN2ガスを供給し、シャワーヘッド230および処理空間205のパージを行う。このときも、バルブ275は開とされてAPC276によって処理空間205の圧力が所定の圧力となるように制御される。一方、バルブ275以外の排気系のバルブは全て閉とされる。これにより、第一処理ガス供給工程(S202)でウエハ200に結合できなかったDCSガスは、DP278により、排気管262を介して処理空間205から除去される。
第二処理ガス供給工程(S206)を説明する。
パージ工程(S204)の後は、次に、第二ガス供給系244から処理空間205内に第二処理ガス(第二元素含有ガス)としてのNH3ガスを供給する。また、このとき、NH3ガスのキャリアガス(例えば、Arガス)を、活性補助ガス供給管247aから処理空間205内に供給する。
パージ工程(S208)を説明する。
第二処理ガス供給工程(S206)の後に、パージ工程(S208)を実行する。パージ工程(S208)における各部の動作は、上述したパージ工程(S204)の場合と同様であるので、ここではその説明を省略する。
判定工程(S210)を説明する。
パージ工程(S208)を終えると、続いて、コントローラ280は、上述した一連の処理(S202〜S208)を1つのサイクルとし、その1サイクルを所定回数(n cycle)実施したか否かを判定する。そして、所定回数実施していなければ、第一処理ガス供給工程(S202)からパージ工程(S208)までの1サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、成膜工程を終了する。
次に、本実施形態に係る成膜工程における特徴的な処理について説明する。
先ず、第一の処理パターンについて説明する。
図4は、本実施形態に係る基板処理装置で行われる成膜工程の第一の処理パターンの例を示すチャート図である。
次いで、第二の処理パターンについて説明する。ここでは、主として、上述した第一の処理パターンとの相違点を説明する。
図5は、本実施形態に係る基板処理装置で行われる成膜工程の第二の処理パターンの例を示すチャート図である。
次いで、第三の処理パターンについて説明する。ここでは、主として、上述した第二の処理パターンとの相違点を説明する。
図6は、本実施形態に係る基板処理装置で行われる成膜工程の第三の処理パターンの例を示すチャート図である。
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
以上に、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本開示が上述の実施形態に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板を収容した状態の処理空間に第一処理ガスを供給するとともに前記第一処理ガスのキャリアガスとして不活性ガスを用いる第一工程と、
前記基板を収容した状態の前記処理空間に第二処理ガスのプラズマを供給するとともに前記第二処理ガスのキャリアガスとして活性補助ガスを用いる第二工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記第一工程と前記第二工程とを繰り返すサイクリック処理を行う
付記1に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記第一処理ガスは原料ガスであり、
前記第二処理ガスは反応ガスまたは改質ガスである
付記1または2に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記不活性ガスはN2ガスであり、
前記活性補助ガスはArガスである
付記1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記第二工程では、前記処理空間内を他工程よりも低圧にして、前記第二処理ガスの供給を行う
付記1から4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記第二工程では、プラズマ状態の前記活性補助ガスの前記処理空間への供給を開始した後に、前記第二処理ガスの前記処理空間への供給を開始する
付記1から5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を収容する処理空間と、
前記処理空間に第一処理ガスを供給する第一ガス供給系と、
前記処理空間に前記第一処理ガスのキャリアガスとして不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理空間に第二処理ガスを供給する第二ガス供給系と、
前記処理空間に前記第二処理ガスのキャリアガスとして活性補助ガスを供給する活性補助ガス供給系と、
前記第二処理ガスまたは前記活性補助ガスの少なくとも一方を励起してプラズマ状態にするプラズマ生成部と、
を備える基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記第一処理ガスの供給および前記第二処理ガスの供給をサイクリック処理として行わせるように、前記第一ガス供給系、前記不活性ガス供給系、前記第二ガス供給系、前記活性補助ガス供給系および前記プラズマ生成部に対する動作制御を行う制御部
を備える付記7に記載の基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の一態様によれば、
基板を収容した状態の処理空間に第一処理ガスを供給するとともに前記第一処理ガスのキャリアガスとして不活性ガスを用いる第一手順と、
前記基板を収容した状態の前記処理空間に第二処理ガスのプラズマを供給するとともに前記第二処理ガスのキャリアガスとして活性補助ガスを用いる第二手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
本発明のさらに他の一態様によれば、
基板を収容した状態の処理空間に第一処理ガスを供給するとともに前記第一処理ガスのキャリアガスとして不活性ガスを用いる第一手順と、
前記基板を収容した状態の前記処理空間に第二処理ガスのプラズマを供給するとともに前記第二処理ガスのキャリアガスとして活性補助ガスを用いる第二手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
Claims (5)
- 基板を収容した状態の処理空間に第一処理ガスを供給するとともに前記第一処理ガスのキャリアガスとして不活性ガスを用いる第一工程と、
前記基板を収容した状態の前記処理空間に第二処理ガスのプラズマを供給するとともに前記第二処理ガスのキャリアガスとして活性補助ガスを用いる第二工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第二工程では、前記処理空間内を他工程よりも低圧にして、前記第二処理ガスの供給を行う
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第二工程では、プラズマ状態の前記活性補助ガスの前記処理空間への供給を開始した後に、前記第二処理ガスの前記処理空間への供給を開始する
請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板を収容する処理空間と、
前記処理空間に第一処理ガスを供給する第一ガス供給系と、
前記処理空間に前記第一処理ガスのキャリアガスとして不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理空間に第二処理ガスを供給する第二ガス供給系と、
前記処理空間に前記第二処理ガスのキャリアガスとして活性補助ガスを供給する活性補助ガス供給系と、
前記第二処理ガスまたは前記活性補助ガスの少なくとも一方を励起してプラズマ状態にするプラズマ生成部と、
を備える基板処理装置。 - 基板を収容した状態の処理空間に第一処理ガスを供給するとともに前記第一処理ガスのキャリアガスとして不活性ガスを用いる第一手順と、
前記基板を収容した状態の前記処理空間に第二処理ガスのプラズマを供給するとともに前記第二処理ガスのキャリアガスとして活性補助ガスを用いる第二手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018019245A JP6839672B2 (ja) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN201811034110.4A CN110120331A (zh) | 2018-02-06 | 2018-09-05 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
TW107132094A TWI712086B (zh) | 2018-02-06 | 2018-09-12 | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 |
US16/133,247 US10714316B2 (en) | 2018-02-06 | 2018-09-17 | Method of manufacturing semiconductor device |
KR1020180110975A KR20190095086A (ko) | 2018-02-06 | 2018-09-17 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018019245A JP6839672B2 (ja) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019140146A true JP2019140146A (ja) | 2019-08-22 |
JP6839672B2 JP6839672B2 (ja) | 2021-03-10 |
Family
ID=67477017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018019245A Active JP6839672B2 (ja) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10714316B2 (ja) |
JP (1) | JP6839672B2 (ja) |
KR (1) | KR20190095086A (ja) |
CN (1) | CN110120331A (ja) |
TW (1) | TWI712086B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022138599A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
JP2023036572A (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-14 | ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド | 基板処理装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6560924B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
KR102316239B1 (ko) * | 2019-10-17 | 2021-10-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20210089079A (ko) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007048982A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の制御方法およびプラズマ処理装置 |
JP2008277762A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-11-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009283794A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2011166060A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US20150099372A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-04-09 | Lam Research Corporation | Sequential precursor dosing in an ald multi-station/batch reactor |
JP2015173154A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置、縦型熱処理装置の運転方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100760078B1 (ko) | 2000-03-13 | 2007-09-18 | 다다히로 오미 | 산화막의 형성 방법, 질화막의 형성 방법, 산질화막의 형성 방법, 산화막의 스퍼터링 방법, 질화막의 스퍼터링 방법, 산질화막의 스퍼터링 방법, 게이트 절연막의 형성 방법 |
JP4585852B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2010-11-24 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 基板処理システム、基板処理方法及び昇華装置 |
US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
TWI562204B (en) | 2010-10-26 | 2016-12-11 | Hitachi Int Electric Inc | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and computer-readable recording medium |
US8592328B2 (en) * | 2012-01-20 | 2013-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing a chlorine-free conformal sin film |
US20140273530A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Victor Nguyen | Post-Deposition Treatment Methods For Silicon Nitride |
JP5807084B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-11-10 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US20150376789A1 (en) | 2014-03-11 | 2015-12-31 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment apparatus and method of operating vertical heat treatment apparatus |
JP5762602B1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-08-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
-
2018
- 2018-02-06 JP JP2018019245A patent/JP6839672B2/ja active Active
- 2018-09-05 CN CN201811034110.4A patent/CN110120331A/zh active Pending
- 2018-09-12 TW TW107132094A patent/TWI712086B/zh active
- 2018-09-17 US US16/133,247 patent/US10714316B2/en active Active
- 2018-09-17 KR KR1020180110975A patent/KR20190095086A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007048982A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の制御方法およびプラズマ処理装置 |
JP2008277762A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-11-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009283794A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2011166060A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US20150099372A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-04-09 | Lam Research Corporation | Sequential precursor dosing in an ald multi-station/batch reactor |
JP2015173154A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置、縦型熱処理装置の運転方法及び記憶媒体 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022138599A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
JP2023036572A (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-14 | ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド | 基板処理装置 |
JP7441905B2 (ja) | 2021-09-02 | 2024-03-01 | ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6839672B2 (ja) | 2021-03-10 |
TW201935557A (zh) | 2019-09-01 |
CN110120331A (zh) | 2019-08-13 |
US20190244790A1 (en) | 2019-08-08 |
KR20190095086A (ko) | 2019-08-14 |
US10714316B2 (en) | 2020-07-14 |
TWI712086B (zh) | 2020-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6368732B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP5807084B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP6839672B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP5837962B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部 | |
JP6001131B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム | |
JP5916909B1 (ja) | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
KR101312461B1 (ko) | 반도체 처리용의 배치 cvd 방법과 장치 및, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
JP5800964B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
KR101882774B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP5913414B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 | |
JP2019057667A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5963893B2 (ja) | 基板処理装置、ガス分散ユニット、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
KR20160001609A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록매체 | |
KR20160004904A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
US20160177446A1 (en) | Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium | |
KR20240019717A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조방법, 클리닝 방법 및 프로그램 | |
JP6691152B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP7118099B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP7351865B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP2020047640A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
EP4141917A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and program |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180821 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6839672 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |