KR101971326B1 - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR101971326B1
KR101971326B1 KR1020160162857A KR20160162857A KR101971326B1 KR 101971326 B1 KR101971326 B1 KR 101971326B1 KR 1020160162857 A KR1020160162857 A KR 1020160162857A KR 20160162857 A KR20160162857 A KR 20160162857A KR 101971326 B1 KR101971326 B1 KR 101971326B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
substrate
heating
unit
temperature
Prior art date
Application number
KR1020160162857A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170065009A (ko
Inventor
가즈유키 도요다
데츠오 야마모토
Original Assignee
가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 filed Critical 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Publication of KR20170065009A publication Critical patent/KR20170065009A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101971326B1 publication Critical patent/KR101971326B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4557—Heated nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45582—Expansion of gas before it reaches the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

기판에의 처리 균일성을 향상시킨다. 기판을 가열하는 제1 가열부가 설치된 기판 지지부와, 기판 지지부의 상측에 설치되어 기판에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와, 기판 지지부 상의 처리 공간의 분위기를 배기하는 제1 배기구와, 기판 지지부와 대향해서 설치된 가스 분산부와, 가스 공급부와 가스 분산부와의 사이의 버퍼 공간을 배기하는 제2 배기구가 형성된 덮개부와, 버퍼 공간 내에 설치되고, 제2 배기구와 적어도 일부가 대향하는 제2 가열부를 갖고, 처리 가스를 정류하는 가스 정류부와, 제2 가열부를 제어하는 제어부를 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는, 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 장치(디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서, 기판에 대하여 처리 가스와 반응 가스를 공급하여, 기판에 막을 형성하는 처리 공정이 행하여지고 있다.
그러나, 기판의 온도 분포가 불균일해져, 처리 균일성이 저하되는 경우가 있다.
본 개시의 목적의 하나는, 기판의 처리 균일성을 향상시키는 기술을 제공하는 데 있다.
일 형태에 의하면, 기판을 가열하는 제1 가열부가 설치된 기판 지지부와, 기판 지지부의 상측에 설치되어 기판에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와, 기판 지지부 상의 처리 공간의 분위기를 배기하는 제1 배기구와, 기판 지지부와 대향해서 설치된 가스 분산부와, 가스 공급부와 가스 분산부와의 사이의 버퍼 공간을 배기하는 제2 배기구가 형성된 덮개부와, 버퍼 공간 내에 설치되고, 제2 배기구와 적어도 일부가 대향하는 제2 가열부를 갖고, 처리 가스를 정류하는 가스 정류부와, 제2 가열부를 제어하는 제어부를 갖는 기술이 제공된다.
본 개시에 관한 기술에 의하면, 적어도 기판의 처리 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 일 실시 형태에 따른 제2 가열부의 개략 구성도이다.
도 3은 일 실시 형태에 따른 제2 가열부의 온도 측정부와 전력 공급 제어부와의 접속 관계를 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시 형태에서 바람직하게 사용되는 기판 처리 장치의 가스 공급 계통의 개략 구성도이다.
도 5는 일 실시 형태에서 바람직하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이다.
도 6은 일 실시 형태에서 바람직하게 사용되는 제1 테이블 도이다.
도 7은 일 실시 형태에서 바람직하게 사용되는 제2 테이블 도이다.
도 8은 일 실시 형태에서 바람직하게 사용되는 제3 테이블 도이다.
도 9는 일 실시 형태에 따른 기판 처리 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 일 실시 형태에 따른 샤워 헤드에의 가스 공급 시퀀스도이다.
<제1 실시 형태>
이하에 본 개시의 제1 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
먼저, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다.
본 실시 형태에 따른 처리 장치(100)에 대해서 설명한다. 기판 처리 장치(100)는 박막 형성 유닛이며, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 낱장식 기판 처리 장치로서 구성되어 있다. 기판 처리 장치(100)에서는, 반도체 디바이스 제조의 일 공정이 행하여진다. 여기서, 반도체 디바이스란, 집적 회로나, 전자 소자 단체(저항 소자, 코일 소자, 캐패시터 소자, 반도체 소자로서 기능하는 막) 중 어느 하나, 또는 복수를 포함하는 것을 말한다. 또한, 반도체 디바이스의 제조 도중에 필요해지는 더미 막을 형성하는 공정 등이 행하여진다.
여기서, 발명자들은, 기판 처리 장치(100)에서, 처리 온도가 고온으로 된 경우에, 이하의 과제 중 어느 하나 또는 복수의 과제를 발생하는 것을 알아내었다. 여기서, 고온이란, 예를 들어 400℃ 내지 850℃의 온도이다.
<과제 1>
처리 온도가 고온으로 된 경우, 히터(213)로부터의 열이, 상부 용기(202a) 방향으로 발산하여, 웨이퍼(200)의 온도 균일성이 저하되어, 처리 균일성이 저하되는 과제가 있다. 여기서, 열의 발산은, 열전도나 열전달 등의 열의 이동으로 발생한다. 또한, 열의 발산은, 예를 들어 가스 분산부로서의 가스 분산판(234a)의 외주, 정류부(270)의 외주나 상방, 제2 배기부로서의 배기구(240)에서 일어나, 기판 처리 장치(100)의 외부나, 처리실(201)과 비교해서 저온의 부분으로 열이 이동한다.
<과제 2>
열의 발산을 보상하도록 히터(213)를 제어할 필요가 있기 때문에, 소비 전력이 증대한다.
<과제 3>
기판과 상부 용기(202a)의 덮개(231)와의 사이에서 온도 차가 발생하기 때문에, 그들 사이에 설치된 분산판(234a)에 열응력이 걸린다. 그 열응력에 의해, 분산판(234a)이 변형되거나, 파손되거나 할 가능성이 있다. 또한, 분산판(234a)에 부착된 막이 열응력에 의해 박리되어, 파티클이 발생하는 경우가 있다.
<과제 4>
정류부(270)의 상단과 하단의 사이나 중심과 외주의 사이에서 온도 차가 발생하기 때문에, 열응력 발생한다. 그 때문에, 정류부(270)의 표면에 부착된 막이 박리되어, 파티클이 발생하는 경우가 있다.
<과제 5>
배기 가이드(235)의 상단과 하단의 사이나 중심과 외주의 사이에, 온도 차를 발생하고, 열응력이 가해져, 정류부(270)의 이면이나 배기 유로(238)에 부착된 막이 박리되어, 파티클이 발생하는 경우가 있다.
발명자들은, 이들 과제를 해결하는 기술로서, 이하와 같은 기판 처리 장치를 알아내었다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 처리 용기(202)를 구비하고 있다. 처리 용기(202)는, 예를 들어 횡단면이 원형이며 편평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(202)는, 예를 들어 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료, 또는, 석영에 의해 구성되어 있다. 처리 용기(202) 내에는, 기판으로서의 실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼(200)를 처리하는 처리 공간(처리실)(201), 반송 공간(203)이 형성되어 있다. 처리 용기(202)는, 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)의 사이에는 구획판(204)이 설치된다. 상부 처리 용기(202a)에 둘러싸인 공간이며, 구획판(204)보다도 상방의 공간을 처리 공간(처리실이라고도 함)(201)이라 칭하고, 하부 용기(202b)에 둘러싸인 공간이며, 구획판(204)보다도 하방의 공간을 반송 공간(203)이라 칭한다.
하부 용기(202b)의 측면에는, 게이트 밸브(205)에 인접한 기판 반입출구(1480)가 형성되어 있고, 웨이퍼(200)는 기판 반입출구(1480)를 통해서 도시하지 않은 반송실과의 사이를 이동한다. 하부 용기(202b)의 저부에는, 리프트 핀(207)이 복수 설치되어 있다. 또한, 하부 용기(202b)는 접지되어 있다.
처리실(201) 내에는, 웨이퍼(200)를 지지하는 기판 지지부(210)가 설치되어 있다. 기판 지지부(210)는, 웨이퍼(200)를 적재하는 적재면(211)과, 적재면(211)과 외주면(215)을 표면에 갖는 기판 적재대(212)를 갖는다. 바람직하게는, 제1 가열부로서의 히터(213)를 설치한다. 제1 가열부를 설치함으로써, 기판을 가열시켜, 기판 상에 형성되는 막의 품질을 향상시킬 수 있다. 기판 적재대(212)에는, 리프트 핀(207)이 관통하는 관통 구멍(214)이 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 형성되어 있어도 된다. 또한, 기판 적재대(212)의 표면에 형성된 적재면(211)의 높이를 외주면(215)보다도 웨이퍼(200)의 두께에 상당하는 길이만큼 낮게 형성해도 된다. 이와 같이 구성함으로써, 웨이퍼(200)의 상면 높이와 기판 적재대(212)의 외주면(215)과의 높이의 차가 작아져, 차에 의해 발생하는 가스의 난류를 억제할 수 있다. 또한, 가스의 난류가 웨이퍼(200)에의 처리 균일성에 영향을 주지 않는 경우에는, 외주면(215)의 높이를 적재면(211)과 동일 평면 상의 높이 이상이 되도록 구성해도 된다.
제1 가열부로서의 히터(213)에는 전력 공급선(213b)이 접속된다. 전력 공급선(213b) 중, 히터(213)와 상이한 측에는, 히터(213)의 온도를 제어하기 위한 전력 제어부(213c)가 접속된다. 또한, 히터(213)의 근방에는, 히터(213)의 온도를 계측하는 온도 검출부(213d)가 설치된다. 온도 검출부(213d)는 배선(213e)을 통해서 제1 온도 측정부(213f)에 접속된다.
온도 제어부로서의 전력 제어부(213c)는 컨트롤러(260)에 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(260)는, 전력 제어부(213c)에 대하여 히터(213)를 제어하기 위한 전력 값을 송신하고, 그것을 수신한 전력 제어부(213b)는, 그 정보에 기초한 전력을 히터(213)에 공급하여, 히터(213)의 온도를 제어한다.
제1 온도 측정부(213f)는, 온도 검출부(213d), 배선(213e)을 통해서 히터(213)의 온도를 계측한다. 검출한 온도는, 전압 값으로서 계측된다. 후술하는 다른 온도 측정부도 마찬가지로, 온도는, 전압 값으로서 계측된다. 제1 온도 측정부(213f)에서 계측된 온도(전압값)는, 제1 온도 측정부(213f)에서 아날로그/디지털 변환되어, 온도 데이터(온도 정보)를 생성한다. 제1 온도 측정부(213f)는, 컨트롤러(260)에 전기적으로 접속되어 있고, 생성된 온도 정보를 컨트롤러(260)에 송신한다. 또한, 제1 온도 측정부(213f)는, 전력 제어부(213c)에 온도 정보를 송신 가능하게 구성되어 있어도 되고, 전력 제어부(213c)는, 제1 온도 측정부(213f)로부터 송신된 온도 정보를 기초로, 히터(213)의 온도가 소정의 온도로 되도록 피드백 제어 가능하게 구성해도 된다.
기판 적재대(212)는 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는, 처리 용기(202)의 저부를 관통하고 있고, 또한 처리 용기(202)의 외부에서 승강 기구(218)에 접속되어 있다. 승강 기구(218)를 작동시켜서 샤프트(217) 및 기판 적재대(212)를 승강시킴으로써, 기판 적재면(211) 상에 적재되는 웨이퍼(200)를 승강시키는 것이 가능하게 구성된다. 또한, 샤프트(217) 하단부의 주위는 벨로우즈(219)에 의해 덮여 있어, 처리실(201) 내는 기밀하게 유지되어 있다. 나아가, 샤프트(217)의 내측에는, 전력 공급선(213b)과 배선(213e)이 배치되어 있다.
기판 적재대(212)는, 웨이퍼(200)의 반송 시에는, 기판 적재면(211)이 기판 반입출구(1480)의 위치(웨이퍼 반송 위치)가 되도록 하강하고, 웨이퍼(200)의 처리 시에는 도 1에서 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(200)가 처리실(201) 내의 처리 위치(웨이퍼 처리 위치)까지 상승한다.
구체적으로는, 기판 적재대(212)를 웨이퍼 반송 위치까지 하강시켰을 때는, 리프트 핀(207)의 상단부가 기판 적재면(211)의 상면으로부터 돌출되어, 리프트 핀(207)이 웨이퍼(200)를 하방으로부터 지지하도록 되어 있다. 또한, 기판 적재대(212)를 웨이퍼 처리 위치까지 상승시켰을 때는, 리프트 핀(207)은 기판 적재면(211)의 상면으로부터 매몰되어, 기판 적재면(211)이 웨이퍼(200)를 하방으로부터 지지하도록 되어 있다. 또한, 리프트 핀(207)은, 웨이퍼(200)와 직접 접촉하기 때문에, 예를 들어 석영이나 알루미나 등의 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 리프트 핀(207)에 승강 기구를 설치하여, 기판 적재대(212)와 리프트 핀(207)이 상대적으로 움직이도록 구성해도 된다.
(배기부)
처리실(201)(상부 용기(202a))의 내벽 상면에는, 처리실(201)의 분위기를 배기하는 제1 배기부로서의 제1 배기구(221)가 형성되어 있다. 제1 배기구(221)에는 제1 배기관으로서의 배기관(224)이 접속되어 있고, 배기관(224)에는, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 제어하는 APC(Auto Pressure Controller) 등의 압력 조정기(227), 진공 펌프(223)가 순서대로 직렬로 접속되어 있다. 주로, 제1 배기구(221), 배기관(224), 압력 조정기(227)에 의해, 제1 배기부(배기 라인)가 구성된다. 또한, 진공 펌프(223)를 제1 배기부에 포함하도록 구성해도 된다.
버퍼 공간(232)의 내벽 상면에는, 버퍼 공간(232)의 분위기를 배기하는 제2 배기부로서의 제2 배기구(샤워 헤드 배기구)(240)가 설치되어 있다. 제2 배기구(240)에는 제2 배기관으로서의 배기관(236)이 접속되어 있고, 배기관(236)에는, 밸브(237) 등이 순서대로 직렬로 접속되어 있다. 주로, 샤워 헤드 배기구(240), 밸브(237), 배기관(236)에 의해, 제2 배기부(배기 라인)가 구성된다.
(가스 도입구)
상부 용기(202a)의 상면(천장벽)에는 처리실(201) 내에 각종 가스를 공급하기 위한 가스 도입구(241)가 형성되어 있다. 가스 공급부인 가스 도입구(241)에 접속되는 각 가스 공급 유닛의 구성에 대해서는 후술한다. 이와 같이 중앙으로부터 공급하는 구성에 의하면, 버퍼 공간(232) 내의 가스 흐름이 중심으로부터 외주를 향해서 흘러, 공간 내의 가스 흐름을 균일하게 하여, 웨이퍼(200)에의 가스 공급량을 균일화시킬 수 있다.
(가스 분산 유닛)
가스 분산 유닛으로서의 샤워 헤드(234)는, 버퍼 실(공간)(232), 가스 분산부로서의 분산판(234a), 정류부(270)에 의해 구성되어 있다. 샤워 헤드(234)는, 가스 도입구(241)와 처리실(201)과의 사이에 설치되어 있다. 가스 도입구(241)로부터 도입되는 처리 가스는 샤워 헤드(234)의 버퍼 공간(232)에 공급되어, 분산 구멍(234b)을 통해서 처리실(201)에 공급된다. 샤워 헤드(234)를 구성하는, 분산판(234a)과 정류부(270)는, 예를 들어 석영, 알루미나 등의 내열 재료 중 어느 하나 또는 복합 재료로 구성된다.
가스 정류부(270)에는, 제2 가열부로서의 히터(정류부 히터)(271)가 설치되어 있고, 정류부(270), 버퍼 공간(232) 내의 분위기, 분산판(234a), 덮개(231) 중 적어도 어느 하나를 가열 가능하게 구성된다.
또한, 제2 가열부로서의 히터는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 분할되어 구성되고, 존 마다(중심부(271a), 중간부(271b), 외주부(271c)) 가열 가능하게 구성된다. 바람직하게는, 후술하는 바와 같이, 제2 배기구(240)와 대향하는 존의 온도를 높게 하도록 제2 가열부(271)를 제어한다. 예를 들어, 제2 배기구(240)와 대향하는 존이 중심부(271a)라면, 중심부(271a)의 온도를 높게 하도록 제2 가열부(271)를 제어한다. 기판 지지부(210)에 설치된 제1 가열부로서의 히터(213)로부터의 열이, 제2 배기구(240)를 통해서 기판 처리 장치(100)의 밖으로 유출됨으로써, 웨이퍼(200)의 온도 분포나, 처리실(201)의 온도 분포가 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 샤워 헤드(234)의 덮개(231)를 도전성이 있는 금속으로 형성하여, 버퍼 공간(232) 또는 처리실(201) 내에 존재하는 가스를 여기하기 위한 활성화부(여기부)로 해도 된다. 이때는, 덮개(231)와 상부 용기(202a)와의 사이에는 절연 블록(233)이 설치되어, 덮개(231)와 상부 용기(202a)의 사이를 절연하고 있다. 활성화부로서의 전극(덮개(231))에는, 정합기(251)와 고주파 전원(252)을 접속하여, 전자파(고주파 전력이나 마이크로파)가 공급 가능하게 구성되어도 된다.
또한, 바람직하게는 덮개(231)의 외주부(231b)와 분산판(234a)의 외주부와의 사이에는, 단열부로서의 단열재(239)가 설치되어 있다. 단열재(239)를 설치함으로써, 히터(213)나 제2 가열부(271)로부터, 상부 용기 시일부(202c)나, 하부 용기 시일부(202d)에의 열전도를 억제할 수 있다. 이에 의해, 상부 용기 시일부(202c)나 하부 용기 시일부(202d)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 덮개의 외주부(231b)와 구획판(204)과의 열팽창 차를 작게 하여, 열팽창 어긋남에 의한 시일성의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 단열재(239)는, 석영, 알루미나 등 중 어느 하나, 또는, 이들을 조합한 재료로 구성된다.
샤워 헤드(234)는, 버퍼 공간(232)과 처리실(201)의 사이에서, 가스 도입구(241)로부터 도입되는 가스를 분산시키기 위한 기능을 갖고 있다.
정류부(270)는, 가스 도입구(241)를 중심으로 해서 웨이퍼(200)의 직경 방향을 향함에 따라 직경이 넓어지는 원추 형상이다. 정류부(270)의 외주 하단은, 기판(200)의 단부보다도 외주에 위치하도록 구성된다.
도 2에 정류부(270)에 설치된 제2 가열부(정류부 가열체)(271)를 웨이퍼(200)측에서 본 도면을 나타낸다. 도 2와 같이, 제2 가열부(271)는, 복수의 존으로 구성되고, 중심의 존은, 제2 배기부로서의 배기구(240)에 대향하도록 구성되어, 배기구(240)로부터의 열 유출을 보상 가능하게 구성되어 있다.
또한, 샤워 헤드의 덮개(231)에는, 제3 가열부(덮개 가열체)(272)가 설치되어, 버퍼 실(232)의 배기 유로(238)나, 덮개 상부(231a) 등을 가열 가능하게 구성되어 있다. 제3 가열부(272)에는 전력 공급선(2721)이 접속되고, 전력 공급선(2721) 중, 제3 가열부와 상이한 측에는 전력 공급 제어부(2722)가 접속된다.
온도 제어부로서의 전력 제어부(2722)는, 배선(2723)을 통해서 컨트롤러(260)에 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(260)는 전력 제어부(2722)에 대하여 제3 가열부(272)를 제어하기 위한 전력 값을 송신하고, 그것을 수신한 전력 제어부(2722)는, 그 정보에 기초한 전력을 제3 가열부(272)에 공급하여, 제3 가열부(272)의 온도를 제어한다.
나아가, 제3 가열부(272)의 근방에는, 온도 검출부(2724)가 설치된다. 온도 검출부(2724)는, 배선(2725)을 통해서 제3 온도 측정부(2726)에 접속되어 있고, 제3 온도 측정부(2726)에 의해 제3 가열부(272)의 온도를 모니터 가능하게 하고 있다.
제3 온도 측정부(2726)에서 계측된 온도(전압값)는, 제3 온도 측정부(2726)에서 아날로그/디지털 변환되어, 온도 데이터(온도 정보)를 생성한다. 제3 온도 측정부(2726)는, 컨트롤러(260)에 전기적으로 접속되어 있어, 생성된 온도 정보를 컨트롤러(260)에 송신한다. 또한, 제3 온도 측정부(2726)는, 전력 제어부(2722)에 온도 정보를 송신 가능하게 구성되어 있어도 되고, 전력 제어부(2722)는, 제3 온도 측정부(2726)로부터 송신된 온도 정보를 기초로, 제3 가열부(272)의 온도가 소정의 온도가 되도록 피드백 제어 가능하게 구성해도 된다.
또한, 배기 유로(238)는, 정류부(270)와, 덮개(231)에 설치된 배기 가이드(235)로 구성되어 있고, 덮개 가열체(272)는, 덮개(231)와 배기 가이드(235)를 통해서, 배기 유로(238)를 가열 가능하게 구성되어 있다.
계속해서, 도 3을 사용해서 제2 가열부(271)의 주변 구성에 대해 설명한다. 도 3에 기재되어 있는 바와 같이, 제2 가열부(271)에는, 존마다 전력 공급선(2811a, 2811b, 2811c)이 접속되어 있어, 존마다 제2 가열부의 온도를 제어 가능하게 하고 있다. 전력 공급선(2811a, 2811b, 2811c)은, 제2 가열부(271)에 전력을 공급하는 전력 공급 제어부(2812)에 접속된다.
구체적으로는, 중심부(271a)에는 전력 공급선(2811a)이 접속되고, 중간부(217b)에는 전력 공급선(2811b)이 접속되고, 외주부(271c)에는 전력 공급선(2811c)이 접속된다. 또한, 전력 공급선(2811a)은, 전력 공급 제어부(2812a)에 접속되고, 전력 공급선(2811b)은 전력 공급 제어부(2812b)에 접속되고, 전력 공급선(2811c)은 전력 공급 제어부(2812c)에 접속된다.
온도 제어부로서의 전력 제어부(2812)(전력 공급 제어부(2812a), 전력 공급 제어부(2812b), 전력 공급 제어부(2812c))는, 배선(2813)을 통해서 컨트롤러(260)에 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(260)는, 전력 제어부(2812)에 대하여 제2 가열부(271)를 제어하기 위한 전력 값(설정 온도 데이터)을 송신하고, 그것을 수신한 전력 제어부(2812)는, 그 정보에 기초한 전력을 제2 가열부(271)(중심부(271a), 중간부(217b), 외주부(271c))에 공급하여, 제2 가열부(271)의 온도를 제어한다.
나아가, 도 3에 기재되어 있는 바와 같이, 제2 가열부(271)의 근방에는, 각 존에 대응한 온도 검출부(2821a, 2821b, 2821c)가 설치된다. 온도 검출부(2821a, 2821b, 2821c)는, 배선(2822)을 통해서 온도 측정부(2823)에 접속되어 있어, 존마다의 온도를 검출 가능하게 하고 있다.
구체적으로는, 중심부(271a) 근방에는 온도 검출부(2821a)가 설치된다. 온도 검출부(2821a)는, 배선(2822a)을 통해서 제2 온도 측정부(2823a)에 접속된다. 중간부(271b) 근방에는 온도 검출부(2821b)가 설치된다. 온도 검출부(2821b)는, 배선(2822b)을 통해서 제2 온도 측정부(2823b)에 접속된다. 외주부(271c) 근방에는 온도 검출부(2821c)가 설치된다. 온도 검출부(2821c)는, 배선(2822c)을 통해서 제2 온도 측정부(2823c)에 접속된다.
각 제2 온도 측정부(2823)(제2 온도 측정부(2823a), 제2 온도 측정부(2823b), 제2 온도 측정부(2823c))는, 각각이 대응하는 존의 온도를, 온도 검출부(2821)(온도 검출부(2821a), 온도 검출부(2821b), 온도 검출부(2821c))와 배선(2822)(배선(2822a), 배선(2822b), 배선(2822c))을 통해서 모니터링(계측)한다. 제2 온도 측정부(2823)에서 계측한 온도(전압값)는, 제2 온도 측정부(2823)에서 아날로그/디지털 변환되어, 온도 데이터(온도 정보)를 생성한다. 생성된 온도 정보는, 배선(2824)을 통해서 컨트롤러(260)에 송신 가능하게 구성된다.
분산판(234a) 중, 정류부(270)와 대향하는 면(234c)에는, 온도 검출부(2341)가 설치된다. 온도 검출부(2341)는 배선(2342)을 통해서 제4 온도 측정부(2343)에 접속된다.
제4 온도 측정부(2343)는 면(234c)의 온도를 계측한다. 제4 온도 측정부(2343)에서 계측된 온도(전압값)는, 제4 온도 측정부(2343)에서 아날로그/디지털 변환되어, 온도 데이터(온도 정보)를 생성한다. 제4 온도 측정부(2343)는, 컨트롤러(260)에 전기적으로 접속되어 있고, 생성된 온도 정보를 컨트롤러(260)에 송신 가능하게 구성된다.
분산판(234a) 중, 기판 적재면(211)과 대향하는 면(234d)에는, 온도 검출부(2345)가 설치된다. 온도 검출부(2345)는, 배선(2346)을 통해서 온도 측정부(2347)에 접속된다.
온도 측정부(2347)는 면(234d)의 온도를 계측한다. 온도 측정부(2347)가 계측한 온도(전압값)는, 온도 측정부(2347)에서 아날로그/디지털 변환되어, 온도 데이터(온도 정보)를 생성한다. 온도 측정부(2347)는, 컨트롤러(260)에 전기적으로 접속되어 있어, 생성된 온도 정보를 컨트롤러(260)에 송신 가능하게 구성된다.
(처리 가스 공급부)
정류부(270)에 접속된 가스 도입구(241)에는, 공통 가스 공급관(242)이 접속되어 있다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 공통 가스 공급관(242)에는, 제1 가스 공급관(243a), 제2 가스 공급관(244a), 제3 가스 공급관(245a), 클리닝 가스 공급관(248a)이 접속되어 있다.
제1 가스 공급관(243a)을 포함하는 제1 가스 공급부(243)로부터는 제1 원소 함유 가스(제1 처리 가스)가 주로 공급되고, 제2 가스 공급관(244a)을 포함하는 제2 가스 공급부(244)로부터는 주로 제2 원소 함유 가스(제2 처리 가스)가 공급된다. 제3 가스 공급관(245a)을 포함하는 제3 가스 공급부(245)로부터는, 주로 퍼지 가스가 공급되고, 클리닝 가스 공급관(248a)을 포함하는 클리닝 가스 공급부(248)로부터는 클리닝 가스가 공급된다. 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부는, 제1 처리 가스 공급부와 제2 처리 가스 공급부 중 어느 하나 또는 양쪽으로 구성되고, 처리 가스는, 제1 처리 가스와 제2 처리 가스 중 어느 하나 또는 양쪽으로 구성된다.
(제1 가스 공급부)
제1 가스 공급관(243a)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 제1 가스 공급원(243b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(243c) 및 개폐 밸브인 밸브(243d)가 설치되어 있다.
제1 가스 공급원(243b)으로부터, 제1 원소를 함유하는 가스(제1 처리 가스)가 공급되어, 매스 플로우 컨트롤러(243c), 밸브(243d), 제1 가스 공급관(243a), 공통 가스 공급관(242)을 통해서 버퍼 공간(232)에 공급된다.
제1 처리 가스는, 원료 가스, 즉, 처리 가스의 하나이다.
여기서, 제1 원소는, 예를 들어 실리콘(Si)이다. 즉, 제1 처리 가스는, 예를 들어 실리콘 함유 가스이다. 실리콘 함유 가스로서는, 예를 들어 디클로로실란(Dichlorosilane(SiH2Cl2): DCS) 가스를 사용할 수 있다. 또한, 제1 처리 가스의 원료는, 상온 상압에서 고체, 액체 및 기체의 어느 것이어도 된다. 제1 처리 가스의 원료가 상온 상압에서 액체인 경우에는, 제1 가스 공급원(243b)과 매스 플로우 컨트롤러(243c)와의 사이에, 도시하지 않은 기화기를 설치하면 된다. 여기에서는 원료는 기체로서 설명한다.
제1 가스 공급관(243a)의 밸브(243d)보다도 하류측에는, 제1 불활성 가스 공급관(246a)의 하류단이 접속되어 있다. 제1 불활성 가스 공급관(246a)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 불활성 가스 공급원(246b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(246c) 및 개폐 밸브인 밸브(246d)가 설치되어 있다.
여기서, 불활성 가스는, 예를 들어 질소(N2) 가스이다. 또한, 불활성 가스로서, N2 가스 이외에, 예를 들어 헬륨(He) 가스, 네온(Ne) 가스, 아르곤(Ar) 가스 등의 희가스를 사용할 수 있다.
주로, 제1 가스 공급관(243a), 매스 플로우 컨트롤러(243c), 밸브(243d)에 의해, 제1 원소 함유 가스 공급부(243)(실리콘 함유 가스 공급부라고도 함)가 구성된다.
또한, 주로, 제1 불활성 가스 공급관(246a), 매스 플로우 컨트롤러(246c) 및 밸브(246d)에 의해 제1 불활성 가스 공급부가 구성된다. 또한, 불활성 가스 공급원(246b), 제1 가스 공급관(243a)을 제1 불활성 가스 공급부에 포함해서 생각해도 된다.
나아가, 제1 가스 공급원(243b), 제1 불활성 가스 공급부를, 제1 원소 함유 가스 공급부에 포함해서 생각해도 된다.
(제2 가스 공급부)
제2 가스 공급관(244a)의 상류에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 제2 가스 공급원(244b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(244c) 및 개폐 밸브인 밸브(244d)가 설치되어 있다.
제2 가스 공급원(244b)으로부터, 제2 원소를 함유하는 가스(이하, 「제2 처리 가스」)가 공급되어, 매스 플로우 컨트롤러(244c), 밸브(244d), 제2 가스 공급관(244a), 공통 가스 공급관(242)을 통해서 버퍼 공간(232)에 공급된다.
제2 처리 가스는, 처리 가스의 하나이다. 또한, 제2 처리 가스는, 반응 가스 또는 개질 가스로서 생각해도 된다.
여기서, 제2 처리 가스는, 제1 원소와 상이한 제2 원소를 함유한다. 제2 원소로서는, 예를 들어 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H) 중, 1개 이상을 포함하고 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 처리 가스는, 예를 들어 질소 함유 가스인 것으로 한다. 구체적으로는, 질소 함유 가스로서는, 암모니아(NH3) 가스가 사용된다.
주로, 제2 가스 공급관(244a), 매스 플로우 컨트롤러(244c), 밸브(244d)에 의해, 제2 처리 가스 공급부(244)가 구성된다.
이것 외에, 활성화부로서의 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(244e)을 설치하여, 제2 처리 가스를 활성화 가능하게 구성해도 된다.
또한, 제2 가스 공급관(244a)의 밸브(244d)보다도 하류측에는, 제2 불활성 가스 공급관(247a)의 하류단이 접속되어 있다. 제2 불활성 가스 공급관(247a)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 불활성 가스 공급원(247b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(247c) 및 개폐 밸브인 밸브(247d)가 설치되어 있다.
제2 불활성 가스 공급관(247a)으로부터는, 불활성 가스가, 매스 플로우 컨트롤러(247c), 밸브(247d), 제2 가스 공급관(247a)을 통해서 버퍼 공간(232)에 공급된다. 불활성 가스는, 박막 형성 공정(후술하는 S203 내지 S207)에서는 캐리어 가스 또는 희석 가스로서 작용한다.
주로, 제2 불활성 가스 공급관(247a), 매스 플로우 컨트롤러(247c) 및 밸브(247d)에 의해 제2 불활성 가스 공급부가 구성된다. 또한, 불활성 가스 공급원(247b), 제2 가스 공급관(244a)을 제2 불활성 가스 공급부에 포함해서 생각해도 된다.
나아가, 제2 가스 공급원(244b), 제2 불활성 가스 공급부를, 제2 원소 함유 가스 공급부(244)에 포함해서 생각해도 된다.
(제3 가스 공급부)
제3 가스 공급관(245a)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 제3 가스 공급원(245b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(245c) 및 개폐 밸브인 밸브(245d)가 설치되어 있다.
제3 가스 공급원(245b)으로부터, 퍼지 가스로서의 불활성 가스가 공급되어, 매스 플로우 컨트롤러(245c), 밸브(245d), 제3 가스 공급관(245a), 공통 가스 공급관(242)을 통해서 버퍼 공간(232)에 공급된다.
여기서, 불활성 가스는, 예를 들어 질소(N2) 가스이다. 또한, 불활성 가스로서, N2 가스 이외에, 예를 들어 헬륨(He) 가스, 네온(Ne) 가스, 아르곤(Ar) 가스 등의 희가스를 사용할 수 있다.
주로, 제3 가스 공급관(245a), 매스 플로우 컨트롤러(245c), 밸브(245d)에 의해, 제3 가스 공급부(245)(퍼지 가스 공급부라고도 함)가 구성된다.
(클리닝 가스 공급부)
클리닝 가스 공급관(248a)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 클리닝 가스원(248b), 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(248c), 밸브(248d), 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(250)이 설치되어 있다.
클리닝 가스원(248b)으로부터, 클리닝 가스가 공급되어, MFC(248c), 밸브(248d), RPU(250), 클리닝 가스 공급관(248a), 공통 가스 공급관(242)을 통해서 버퍼 공간(232)에 공급된다.
클리닝 가스 공급관(248a)의 밸브(248d)보다도 하류측에는, 제4 불활성 가스 공급관(249a)의 하류단이 접속되어 있다. 제4 불활성 가스 공급관(249a)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 제4 불활성 가스 공급원(249b), MFC(249c), 밸브(249d)가 설치되어 있다.
또한, 주로, 클리닝 가스 공급관(248a), MFC(248c) 및 밸브(248d)에 의해 클리닝 가스 공급부가 구성된다. 또한, 클리닝 가스원(248b), 제4 불활성 가스 공급관(249a), RPU(250)를, 클리닝 가스 공급부에 포함해서 생각해도 된다.
또한, 제4 불활성 가스 공급원(249b)으로부터 공급되는 불활성 가스를, 클리닝 가스의 캐리어 가스 또는 희석 가스로서 작용하도록 공급해도 된다.
클리닝 가스원(248b)으로부터 공급되는 클리닝 가스는, 클리닝 공정에서는 버퍼 공간(232)이나 처리실(201)에 부착된 부생성물 등을 제거하는 클리닝 가스로서 작용한다.
여기서, 클리닝 가스는, 예를 들어 3불화질소(NF3) 가스이다. 또한, 클리닝 가스로서, 예를 들어 불화수소(HF) 가스, 3불화염소(ClF3) 가스, 불소(F2) 가스 등을 사용해도 되고, 또한 이들을 조합해서 사용해도 된다.
또한 바람직하게는, 상술한 각 가스 공급부에 설치된, 유량 제어부로서는, 니들 밸브나 오리피스 등의, 가스 플로우의 응답성이 높은 유량 제어부가 좋다. 예를 들어, 가스의 펄스 폭이 밀리 초 오더가 된 경우에는, MFC에서는 응답할 수 없는 경우가 있는데, 니들 밸브나 오리피스의 경우에는, 고속의 ON/OFF 밸브와 조합함으로써, 밀리 초 이하의 가스 펄스에 대응하는 것이 가능하게 된다.
(제어부)
도 1에 도시한 바와 같이 기판 처리 장치(100)는, 기판 처리 장치(100)의 각 부의 동작을 제어하는 컨트롤러(260)를 갖고 있다.
컨트롤러(260)의 개략을 도 5에 도시한다. 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(260)는, 연산부로서의 CPU(Central Processing Unit)(260a), RAM(Random Access Memory)(260b), 기억 장치(260c), I/O 포트(260d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(260b), 기억 장치(260c), I/O 포트(260d)는, 내부 버스(260e)를 통해서 CPU(260a)와 데이터 교환 가능하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(260)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(261)나, 외부 기억 장치(262)가 접속 가능하게 구성되어 있다.
기억 장치(260c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(260c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피, 기판(200)에의 프로세스 레시피를 설정할 때까지의 연산 과정에서 사용되는 처리 데이터, 제어 조건을 기억한 테이블 등이 판독 가능하게 저장되어 있다. 또한, 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(260)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로그램 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히 프로그램이라고도 한다. 또한, 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우에는, 프로그램 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는, 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, RAM(260b)은, CPU(260a)에 의해 판독된 프로그램, 연산 데이터, 처리 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(260d)는, 게이트 밸브(1330, 1350, 1490), 승강 기구(218), 히터(213), 압력 조정기(227), 진공 펌프(223), 리모트 플라즈마 유닛(244e, 250), MFC(243c, 244c, 245c, 246c, 247c, 248c, 249c), 밸브(243d, 244d, 245d, 246d, 247d, 248d, 249d) 등에 접속되어 있다. 또한, 정합기(251), 고주파 전원(252), 반송 로봇(1700), 대기 반송 로봇(1220), 로드로크 유닛(1300) 등에도 접속되어 있어도 된다.
연산부로서의 CPU(260a)는, 기억 장치(260c)로부터의 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(261)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(260c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 또한, 수신부(285)로부터 입력된 설정값과, 기억 장치(260c)에 기억된 프로세스 레시피나 제어 데이터를 비교·연산하여, 연산 데이터를 산출 가능하게 구성되어 있다. 또한, 연산 데이터로부터 대응하는 처리 데이터(프로세스 레시피)의 결정 처리 등을 실행 가능하게 구성되어 있다. 그리고, CPU(260a)는, 판독된 프로세스 레시피의 내용을 따르도록, 게이트 밸브(1330, 1350, 1490)의 개폐 동작, 승강 기구(218)의 승강 동작, 압력 조정기(227)의 압력 조정 동작, 진공 펌프(223)의 온/오프 제어, 리모트 플라즈마 유닛(250)의 가스 여기 동작, MFC(243c, 244c, 245c, 246c, 247c, 248c, 249c)의 유량 조정 동작, 밸브(243d, 244d, 245d, 246d, 247d, 248d, 249d)의 가스의 온/오프 제어, 히터(213), 히터(271), 히터(272)의 온도 제어 등을 제어하도록 구성되어 있다.
또한, 컨트롤러(260)는, 전용의 컴퓨터로서 구성되어 있는 경우에 한하지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 자기 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)(262)를 준비하여, 관련된 외부 기억 장치(262)를 사용해서 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해, 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(260)를 구성할 수 있다. 또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(262)를 통해서 공급하는 경우에 제한하지 않는다. 예를 들어, 수신부(285)를 통해서 네트워크(263)(인터넷이나 전용 회선) 등의 통신 수단을 사용하여, 외부 기억 장치(262)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 기억 장치(260c)나 외부 기억 장치(262)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에서, 기록 매체라는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(260c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(262) 단체만을 포함하는 경우, 또는, 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
테이블로서는, 적어도 제1 히터(213), 제2 히터(271), 제3 히터(272) 각각에 대응한 것이 기록된다. 구체적으로는, 도 6에 기재된 제1 테이블, 도 7에 기재된 제2 테이블, 도 8에 기재된 제3 테이블이 기록된다.
제1 테이블에서는, 온도 측정부에서 계측된 온도 정보(A1, B1, C1)와, 제1 히터(213)에 공급하는 전력 값을 비교하는 것이다. 이 테이블에서의 온도 정보는, 예를 들어 제1 온도 측정부(213f)나 온도 측정부(2347)에 의해 측정된다. 이 경우, 어느 한쪽의 온도 정보이어도 되고, 양쪽을 가미해서 산출한 온도 정보로 해도 된다.
제1 테이블을 사용할 때는, 예를 들어 온도 정보(A1)를 검출한 경우, 컨트롤러(260)는, 전력 제어부(213c)에 전력 값(α1)을 제1 가열부(213)에 공급하도록 지시한다. 다른 온도 정보(B1, C1)에서도 마찬가지이다.
제2 테이블에서는, 온도 측정부(2823)에서 측정된 온도 정보(A2, B2, C2)와, 제2 히터(271)에 공급하는 전력 값을 비교하는 것이다. 이 테이블에서의 온도 정보는, 예를 들어 온도 측정부(2823)나 제4 온도 측정부(2343)에 의해 측정된다. 이 경우, 어느 한쪽의 온도 정보이어도 되고, 양쪽을 가미해서 산출한 검출값으로 해도 된다.
제2 테이블을 사용할 때는, 예를 들어 온도 정보(A2)를 검출한 경우, 컨트롤러(260)는, 전력 제어부(2812a)에 전력 값(α2a)을 제2 가열부의 중심부(271a)에 공급하고, 전력 제어부(2812b)에 전력 값(α2b)을 제2 가열부의 중간부(271b)에 공급하고, 전력 공급 제어부(2812c)에 전력 값(α2c)을 제2 가열부의 외주부(271c)에 공급하도록 지시한다. 다른 검출값(B2, C2)에서도 마찬가지이다.
제3 테이블에서는, 온도 측정부(2726)에서 검출된 온도 정보(A3, B3, C3)와, 제3 히터(272)에 공급하는 전력 값을 비교하는 것이다. 이 테이블에서의 온도 정보는, 예를 들어 온도 측정부(2726)나 제4 온도 측정부(2343)에 의해 측정 된다. 이 경우, 어느 한쪽의 검출값이어도 되고, 양쪽을 가미해서 산출한 검출값으로 해도 된다.
제3 테이블을 사용할 때는, 예를 들어 온도 정보(A3)를 검출한 경우, 컨트롤러(260)는, 전력 제어부(2722)에 전력 값(α3)을 공급하도록 지시한다. 다른 검출값(B3, C3)에서도 마찬가지이다.
(2) 기판 처리 공정
이어서, 기판 처리 공정의 예에 대해서, 반도체 디바이스의 제조 공정의 하나인, DCS 가스 및 NH3(암모니아) 가스를 사용해서 실리콘 질화(SixNy)막을 형성하는 예로 설명한다. 또한, 이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은, 컨트롤러(260)에 의해 제어된다.
도 9에 기판으로서의 웨이퍼(200) 상에 실리콘 질화(SixNy)막을 형성하는 경우의 기판 처리 공정의 플로우를 나타내고 있다.
(기판 반입 공정 S201)
성막 처리 시에는, 우선, 웨이퍼(200)를 처리실(201)에 반입시킨다. 구체적으로는, 기판 지지부(210)를 승강 기구(218)에 의해 하강시켜, 리프트 핀(207)이 관통 구멍(214)으로부터 기판 지지부(210)의 상면측에 돌출시킨 상태로 한다. 또한, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 압력 조절한 후, 게이트 밸브(1490)를 개방하고, 리프트 핀(207) 상에 웨이퍼(200)를 적재시킨다. 웨이퍼(200)를 리프트 핀(207) 상에 적재시킨 후, 승강 기구(218)에 의해 기판 지지부(210)를 소정의 위치까지 상승시킴으로써, 웨이퍼(200)가 리프트 핀(207)으로부터 기판 지지부(210)에 적재되게 된다. 또한, 기판 적재대(212)의 돌출부(212b)와 구획판(204)은 접촉하는(맞부딪치는) 위치로 상승시켜도 된다.
이때, 기판 적재대(212)를 히터(213)에 의해 미리 가열하고 있어도 된다. 미리 가열해 둠으로써, 웨이퍼(200)의 가열 시간을 단축할 수 있다. 또한, 웨이퍼(200)를 리프트 핀(207)으로부터 적재면(211)에 적재했을 때, 웨이퍼(200)가 튀어오르는 경우나, 웨이퍼(200)에 휨이 발생하는 경우 등에는, 웨이퍼(200)를 예비 가열해도 된다. 예비 가열은, 기판 처리 장치(100) 내에서 행해도 되고, 기판 처리 장치(100) 밖에서 행해도 된다. 예를 들어, 기판 처리 장치(100) 내에서 행하는 경우에는, 웨이퍼(200)를 리프트 핀(207)으로 지지한 상태에서, 기판 적재대(212)와 기판과의 거리를, 소정의 제1 거리로 하여, 소정 시간 대기시켜서 가열한다. 여기서 제1 거리는, 웨이퍼(200)가 게이트 밸브(1490)로부터 반송될 때의 반송 위치로 해도 된다. 또한, 반송 위치의 거리보다도 짧은 거리로 해도 된다. 기판 처리 장치(100) 내에서 예비 가열할 때의 승온 시간은, 웨이퍼(200)와 기판 적재대(212)와의 거리에 따라 변화하여, 거리가 보다 짧은 것이 승온 시간을 더 단축시킬 수 있다. 구체적으로는, 기판 적재대를 미리 가열해 두고, 웨이퍼(200) 또는 서셉터의 온도 변화가 없어지고 나서 일정 시간 유지한다. 이때, 제3 가스 공급부(245)로부터 불활성 가스를 공급하여, 정류부(270)에 설치된 제2 가열부(271)에 의해 웨이퍼(200)를 가열하면서, 소정의 위치까지 상승시켜도 된다. 제2 가열부(271)에 의해 가열함으로써, 웨이퍼(200)의 휨 양이나 웨이퍼(200)의 튀어오름을 억제할 수 있다.
이때, 각 가열부의 온도는, 각 온도 측정부에서 검출된 온도 정보를 바탕으로 제어되며, 예를 들어 이하와 같이 설정된다. 히터(213)는 400 내지 850℃, 바람직하게는 400 내지 800℃, 보다 바람직하게는 400 내지 750℃의 범위 내의 일정한 온도가 되도록 설정한다. 히터(213)에 의한 웨이퍼(200)의 가열 또는 기판 적재대(212)의 가열은, 예를 들어 반복 공정 S207까지 계속된다. 제2 가열부(271)는, 히터(213)와 동등한 온도로 설정되고, 덮개부 가열체(272)는, 250 내지 400℃ 정도의 범위 내에서 일정한 온도가 되도록 설정된다. 또한, 제2 가열부(271)의 각 존의 온도는, 제2 배기구(240)와 대향하는 존의 온도를 높게 한다. 예를 들어, 제2 배기구(240)와 대향하는 존이 중심부(271a)라면, 중심부(271a)의 온도를 높게 하도록 제2 가열부(271)를 제어한다. 구체적으로는, 중심부(271a)>외주부(271c)>중간부(271b)가 되도록 설정된다. 또한, 제2 가열부(271)의 각 존의 온도는, 제1 처리 가스와 제2 처리 가스(반응 가스) 중 어느 한쪽 또는 양쪽이 분해되는 온도 이하로 하는 것이 바람직하다. 처리 가스와 반응 가스 중 어느 한쪽 또는 양쪽이 분해되는 온도 이하로 함으로써, 정류부(270)에의 성막을 억제시킬 수 있다.
(감압·승온 공정 S202)
계속해서, 처리실(201) 내가 소정의 압력(진공도)이 되도록, 배기관(224)을 통해서 처리실(201) 내를 배기한다. 이때, 압력 센서가 측정한 압력값에 기초하여, 압력 조정기(227)로서의 APC 밸브의 밸브 개방도를 피드백 제어한다. 또한, 온도 센서(도시하지 않음)가 검출한 온도 값에 기초하여, 처리실(201) 내가 소정의 온도로 되도록, 히터(213)에의 통전량을 피드백 제어한다. 웨이퍼(200)의 온도가 일정해질 때까지의 동안에, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 수분 또는 부재로부터의 탈가스 등을 진공 배기나 N2 가스의 공급에 의한 퍼지에 의해 제거하는 공정을 마련해도 된다. 이것으로 성막 프로세스 전의 준비가 완료하게 된다. 또한, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 배기할 때, 한번, 도달 가능한 진공도까지 진공 배기해도 된다.
(제1 처리 가스 공급 공정 S203)
계속해서, 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 처리 가스 공급부로부터 처리실(201) 내에 제1 처리 가스(원료 가스)로서의 DCS 가스를 공급한다. 또한, 배기부에 의한 처리실(201) 내의 배기를 계속해서 처리실(201) 내의 압력을 소정의 압력(제1 압력)이 되도록 제어한다. 구체적으로는, 제1 가스 공급관(243a)의 밸브(243d), 제1 불활성 가스 공급관(246a)의 밸브(246d)를 개방하여, 제1 가스 공급관(243a)에 DCS 가스, 제1 불활성 가스 공급관(246a)에 N2 가스를 흘린다. DCS 가스는, 제1 가스 공급관(243a)으로부터 흘러, MFC(243c)에 의해 소정의 유량으로 조정된다. N2 가스는, 제1 불활성 가스 공급관(246a)으로부터 흘러, MFC(246c)에 의해 소정의 유량으로 조정된다. 유량 조정된 DCS 가스는, 유량 조정된 N2 가스와 제1 가스 공급관(243a) 내에서 혼합되어, 버퍼 공간(232)으로부터, 처리실(201) 내에 공급되어, 배기관(224)으로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 DCS 가스가 공급되게 된다(원료 가스(DCS) 공급 공정). DCS 가스는, 소정의 압력 범위(제1 압력: 예를 들어 100Pa 이상 10000Pa 이하)로 처리실(201) 내에 공급한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(200)에 DCS를 공급한다. DCS가 공급됨으로써, 웨이퍼(200) 상에 실리콘 함유층이 형성된다. 실리콘 함유층이란, 실리콘(Si), 또는, 실리콘과 염소(Cl)를 포함하는 층이다.
(제1 퍼지 공정 S204)
웨이퍼(200) 상에 실리콘 함유층이 형성된 후, 제1 가스 공급관(243a)의 밸브(243d)를 폐쇄하여, DCS 가스의 공급을 정지한다. 이때, 배기관(224)의 압력 조정기(227)는 개방한 채로 두고, 진공 펌프(223)에 의해 처리실(201) 내를 진공 배기하여, 처리실(201) 내에 잔류한 DCS 가스, 미반응된 DCS 가스, 또는, 실리콘 함유층 형성에 기여한 후의 DCS 가스를 처리실(201) 내로부터 배제한다. 또한, 밸브(246d)는 개방한 채로 두어, 불활성 가스로서의 N2 가스의 처리실(201) 내에의 공급을 유지해도 된다. 밸브(246a)로부터 계속해서 공급되는 N2 가스는, 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해, 제1 가스 공급관(243a), 공통 가스 공급관(242), 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 실리콘 함유층 형성에 기여한 후의 DCS 가스를 배제하는 효과를 더욱 높일 수 있다.
또한, 이때, 처리실(201) 내나, 버퍼 공간(232)에 잔류하는 가스를 완전히 배제(처리실(201) 내를 완전히 퍼지)하지 않아도 된다. 처리실(201) 내에 잔류하는 가스가 미량이면, 그 후에 행하여지는 공정에서 악영향이 발생하지 않는다. 이때 처리실(201) 내에 공급하는 N2 가스의 유량도 대유량으로 할 필요는 없고, 예를 들어 처리실(201)의 용적과 동일 정도의 양을 공급함으로써, 다음 공정에서 악영향이 발생하지 않을 정도의 퍼지를 행할 수 있다. 이와 같이, 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않음으로써, 퍼지 시간을 단축하여, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, N2 가스의 소비도 필요 최소한으로 억제하는 것이 가능하게 된다.
이때의 히터(213)의 온도는, 웨이퍼(200)에의 원료 가스 공급 시와 마찬가지로 설정한다. 각 불활성 가스 공급부로부터 공급하는 퍼지 가스로서의 N2 가스의 공급 유량은, 각각 예를 들어 100 내지 20000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 퍼지 가스로서는, N2 가스 외에, Ar, He, Ne, Xe 등의 희가스를 사용해도 된다.
또한, 이때, 제2 배기부의 밸브(237)를 개방하고, 버퍼 공간(232)이나 공통 가스 공급관(242) 내에 잔류하는 미반응 또는 실리콘 함유층 형성에 기여한 후의 DCS 가스를 배기 유로(238), 배기관(236) 등을 통해서 배기하도록 구성해도 된다. 배기 유로(238)나 배기관(236)으로부터 버퍼 공간(232)이나 공통 가스 공급관(242) 내의 분위기를 배기함으로써, 잔류하는 미반응 또는 실리콘 함유층 형성에 기여한 후의 DCS 가스의 처리 공간(201)(웨이퍼(200))에의 공급을 저감시킬 수 있다. 또한, 이 제2 배기부로부터의 배기는, 제1 퍼지 공정의 전과 후 중 어느 한쪽, 또는 양쪽에서 행하도록 구성해도 된다. 또한 동시에 행해도 된다.
(제2 처리 가스 공급 공정 S205)
처리실(201) 내의 DCS 잔류 가스를 제거한 후, 퍼지 가스의 공급을 정지하고, 반응 가스로서의 NH3 가스를 공급한다. 구체적으로는, 제2 가스 공급관(244a)의 밸브(244d)를 개방하여, 제2 가스 공급관(244a) 내에 NH3 가스를 흘린다. 제2 가스 공급관(244a) 내를 흐르는 NH3 가스는, MFC(244c)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 NH3 가스는 공통 가스 공급관(242)·버퍼 공간(232)을 통해서 웨이퍼(200)에 공급된다. 웨이퍼(200) 상에 공급된 NH3 가스는, 웨이퍼(200) 상에 형성된 실리콘 함유층과 반응하여, 실리콘을 질화시킴과 함께, 수소, 염소, 염화수소 등의 불순물이 배출된다.
이때의 히터(213)의 온도는, 웨이퍼(200)에의 원료 가스 공급 시와 마찬가지로 한다.
(제2 퍼지 공정 S206)
제2 처리 가스 공급 공정 후, 반응 가스의 공급을 멈추고, 제1 퍼지 공정 S204와 마찬가지의 처리를 행한다. 잔류 가스 제거 공정을 행함으로써, 제2 가스 공급관(244a), 공통 가스 공급관(242), 버퍼 공간(232), 처리실(201) 내 등에 잔류하는 미반응 또는 실리콘의 질화에 기여한 후의 NH3 가스를 배제시킬 수 있다. 잔류 가스를 제거함으로써, 잔류 가스에 의한 예기하지 못한 막 형성을 억제할 수 있다.
또한, 이때, 제2 배기부의 밸브(237)를 개방하고, 버퍼 공간(232)이나 공통 가스 공급관(242) 내에 잔류하는 미반응 또는 실리콘 함유층 형성에 기여한 후의 DCS 가스를 배기 유로(238), 배기관(236) 등을 통해서 배기하도록 구성해도 된다. 배기 유로(238)나 배기관(236)으로부터 버퍼 공간(232)이나 공통 가스 공급관(242) 내의 분위기를 배기함으로써, 잔류하는 미반응 또는 실리콘 함유층 형성에 기여한 후의 DCS 가스의 처리 공간(201)(웨이퍼(200))에의 공급을 저감시킬 수 있다. 또한, 이 제2 배기부로부터의 배기는, 제1 퍼지 공정의 전과 후 중 어느 한쪽, 또는 양쪽에서 행하도록 구성해도 된다. 또한 동시에 행해도 된다.
(판정 공정(반복 공정) S207)
이상의 제1 처리 가스 공급 공정 S203, 제1 퍼지 공정 S204, 제2 처리 가스 공급 공정 S205, 제2 퍼지 공정 S206 각각을 1 공정씩 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에 소정의 두께의 실리콘 질화(SixNy)층이 퇴적된다. 이들 공정을 반복함으로써, 웨이퍼(200) 상의 실리콘 질화막의 막 두께를 제어할 수 있다. 소정 막 두께가 될 때까지, 소정 횟수 반복하도록 제어된다.
(반송 압력 조정 공정 S208)
공정 S203 내지 공정 S207을 반복해서 소정 횟수 실시된 후, 반송 압력 조정 S208이 행하여지고, 웨이퍼(200)가 처리실(201)로부터 반출된다. 구체적으로는, 처리실(201) 내에 불활성 가스를 공급하여, 반송 가능한 압력으로 압력 조절된다.
(기판 반출 공정 S209)
압력 조절 후, 기판 지지부(210)가 승강 기구(218)에 의해 강하되어, 리프트 핀(207)이 관통 구멍(214)으로부터 돌출되어, 웨이퍼(200)가 리프트 핀(207) 상에 적재된다. 웨이퍼(200)가 리프트 핀(207) 상에 적재된 후, 게이트 밸브(1490)가 개방되고, 웨이퍼(200)가 처리실(201)로부터 반출된다. 또한, 반출 전에, 반출 가능 온도까지 강온시키도록 해도 된다.
(3) 본 실시 형태에 따른 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하 (a) 내지 (f)로 나타내는 하나 또는 복수의 효과를 발휘한다.
(a) 제2 가열부를 설치하여, 분산판(234a)을 가열함으로써, 분산판(234a)으로부터의 열의 발산을 억제하여, 웨이퍼(200)의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 가열부(히터(213))의 소비 전력을 저감시킬 수 있다.
(b) 제2 가열부를 복수 존으로 분할하고, 제2 배기구와 대향하는 위치의 존의 온도를, 다른 존의 온도보다도 높게 함으로써, 제2 배기구에의 열전도를 억제하여, 웨이퍼(200)의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다.
(c) 분산판(234a)의 온도 차를 억제하여, 분산판(234a)의 열응력의 발생을 억제시킬 수 있다. 또한, 분산판(234a)에 부착된 막의 박리를 억제할 수 있다.
(d) 정류부(270)의 온도 차에 의한 열응력의 발생을 억제하여, 정류부(270)로부터의 막 박리를 억제할 수 있다.
(e) 배기 가이드(235)의 온도에 의한 열응력의 발생을 억제하여, 배기 가이드(235)로부터의 막 박리를 억제할 수 있다.
(f) 덮개(231)의 외주부(231b)와, 분산판(234a)과 절연 블록(233)과의 사이에, 단열부로서의 단열재(239)를 설치함으로써, 분산판(234a)으로부터, 분산판(234a)의 외주 방향(직경 방향)에의 열전도를 억제하여, 샤워 헤드(234)의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 히터(213)나 제2 가열부(271)로부터, 상부 용기 시일부(202c)나, 하부 용기 시일부(202d)에의 열전도를 억제할 수 있다. 이에 의해, 상부 용기 시일부(202c)나 하부 용기 시일부(202d)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 덮개의 외주부(231b)와 구획판(204)과의 열팽창 차를 작게 하여, 열팽창 어긋남에 의한 시일성의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 상술에서는, 원료 가스와 반응 가스를 교대로 공급해서 성막하는 방법에 대해 기재했지만, 원료 가스와 반응 가스의 기상 반응량이나 부생성물의 발생량이 허용 범위 내이면, 다른 방법에도 적용 가능하다. 예를 들어, 원료 가스와 반응 가스의 공급 타이밍이 겹치는 방법이다.
또한, 상술에서는, 성막 처리에 대해서 기재했지만, 다른 처리에도 적용 가능하다. 예를 들어, 확산 처리, 산화 처리, 질화 처리, 산질화 처리, 환원 처리, 산화 환원 처리, 에칭 처리, 가열 처리 등이 있다. 예를 들어, 반응 가스만을 사용하여, 기판 표면이나 기판에 형성된 막을 플라즈마 산화 처리나, 플라즈마 질화 처리할 때도 본 개시를 적용할 수 있다. 또한, 반응 가스만을 사용한 플라즈마 어닐 처리에도 적용할 수 있다.
또한, 상술에서는, 기판 처리에 대해서 기재했지만, 이에 한정하지 않고, 기판 처리 장치의 클리닝 처리에도 적용 가능하다. 예를 들어, 클리닝 가스를, 샤워 헤드(234)에 공급할 때 정류부 히터(271)의 각 존에 온도 차를 둠으로써, 정류부(270)에 부착된 막이나 이물의 제거 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술에서는, 반도체 장치의 제조 공정에 대해서 기재했지만, 실시 형태에 따른 개시는, 반도체 장치의 제조 공정 이외에도 적용 가능하다. 예를 들어, 액정 디바이스의 제조 공정이나, 세라믹 기판에의 플라즈마 처리 등이 있다.
또한, 상술에서는, 원료 가스로서 실리콘 함유 가스와, 질소 함유 가스를 사용하여, 실리콘 질화막을 형성하는 예를 나타냈지만, 다른 가스를 사용한 성막에도 적용 가능하다. 예를 들어, 산소 함유막, 질소 함유막, 탄소 함유막, 붕소 함유막, 금속 함유막과 이들 원소가 복수 함유된 막 등이 있다. 또한, 이들 막으로서는, 예를 들어 SiO막, AlO막, ZrO막, HfO막, HfAlO막, ZrAlO막, SiC막, SiCN막, SiBN막, TiN막, TiC막, TiAlC막 등이 있다. 이들 막을 성막하기 위해서 사용되는 원료 가스와 반응 가스 각각의 가스 특성(흡착성, 탈리성, 증기압 등)을 비교하여, 공급 위치나 샤워 헤드(234) 내의 구조를 적절히 변경함으로써, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술에서는 제2 가열부(271)를 3개의 존을 각각 가열하도록, 중심부(271a), 중간부(271b), 외주부(271c)로 나누었지만, 이에 한정하는 것은 아니다. 제2 배기구(240)와 대향하는 존의 온도가 다른 것에 비해 높아지는 구성이면 되며, 예를 들어 2개의 존이나 4개 이상의 존에 대응하도록 구성해도 된다.
100 : 기판 처리 장치 200 : 웨이퍼(기판)
201 : 처리실 202 : 처리 용기
211 : 적재면 212 : 기판 적재대
215 : 외주면 232 : 버퍼 공간
234 : 샤워 헤드 234 : 분산판
234b : 분산 구멍 241 : 제1 가스 도입구

Claims (21)

  1. 기판을 가열하는 제1 가열부가 설치된 기판 지지부와,
    상기 기판 지지부의 상측에 설치되어 상기 기판에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 기판 지지부 상의 처리 공간의 분위기를 배기하는 제1 배기구와,
    상기 기판 지지부와 대향해서 설치된 가스 분산부와,
    상기 가스 공급부와 상기 가스 분산부와의 사이의 버퍼 공간을 배기하는 제2 배기구가 형성된 덮개부와,
    상기 버퍼 공간 내에 설치되고, 상기 제2 배기구와 적어도 일부가 대향하고, 복수 존으로 분할된 제2 가열부를 갖고, 상기 처리 가스를 정류하는 가스 정류부와,
    상기 제2 배기구와 대향하는 존의 온도를, 다른 존의 온도보다도 높아지도록 상기 제2 가열부를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 가스 분산부의 상기 버퍼 공간측의 면의 온도와, 상기 가스 분산부의 상기 처리 공간측의 면의 온도가, 동일해지도록 상기 제2 가열부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 덮개부에는 제3 가열부가 설치되고,
    상기 제어부는,
    상기 처리 가스가 상기 덮개부에 흡착되지 않는 온도가 되도록 상기 제3 가열부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 덮개부의 외주부와 상기 가스 분산부의 외주부와의 사이에 단열부가 설치되는, 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제5항에 있어서,
    상기 덮개부의 외주부와 상기 가스 분산부의 외주부와의 사이에 단열부가 설치되는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 가열부의 외주단은, 상기 기판의 외주단보다도 외측에 위치하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제2 가열부의 외주단은, 상기 기판의 외주단보다도 외측에 위치하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 제1 가열부가 설치된 기판 지지부에 기판을 반송하는 공정과,
    상기 제1 가열부에 의해 상기 기판을 가열하는 공정과,
    상기 기판 지지부 상의 처리 공간의 분위기를 제1 배기구로부터 배기하는 공정과,
    상기 기판 지지부의 상측에 설치된 가스 공급부로부터 상기 기판 지지부와 대향해서 설치된 가스 분산부와 상기 가스 분산부 상에 설치된 가스 정류부를 통해서 상기 기판에 처리 가스를 공급하는 공정과,
    상기 가스 분산부 상에 설치된 덮개부에 형성된 제2 배기구로부터, 상기 가스 공급부와 상기 가스 분산부와의 사이의 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 공정과,
    상기 제2 배기구와 대향한 위치에서, 상기 가스 정류부에 설치되고, 복수 존으로 분할된 제2 가열부의 내, 상기 제2 배기구와 대향하는 존의 온도를, 다른 존의 온도보다도 높아지도록 상기 가스 정류부를 가열하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제2 가열부에 의해, 상기 가스 분산부의 상기 버퍼 공간측의 면의 온도와, 상기 가스 분산부의 상기 처리 공간측의 면의 온도가, 동일해지도록 상기 가스 분산부를 가열하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 삭제
  17. 제13항에 있어서,
    상기 처리 가스가 상기 덮개부에 흡착되지 않도록 상기 덮개부에 설치된 제3 가열부에 의해 상기 덮개부를 가열하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 처리 가스가 상기 덮개부에 흡착되지 않도록 상기 덮개부에 설치된 제3 가열부에 의해 상기 덮개부를 가열하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 기판을 상기 기판 지지부에 반송하는 공정 후,
    상기 기판 지지부를 처리 위치로 이동시킬 때, 상기 제2 가열부에 의해 가열된 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 삭제
  21. 제1 가열부가 설치된 기판 지지부에 기판을 반송시키는 단계와,
    상기 제1 가열부에 의해 상기 기판을 가열시키는 단계와,
    상기 기판 지지부 상의 처리 공간의 분위기를 제1 배기구로부터 배기시키는 단계와,
    상기 기판 지지부의 상측에 설치된 가스 공급부로부터 상기 기판 지지부와 대향해서 설치된 가스 분산부와 상기 가스 분산부 상에 설치된 가스 정류부를 통해서 상기 기판에 처리 가스를 공급시키는 단계와,
    상기 가스 분산부 상에 설치된 덮개부에 형성된 제2 배기구로부터, 상기 가스 공급부와 상기 가스 분산부와의 사이의 버퍼 공간의 분위기를 배기시키는 단계와,
    상기 제2 배기구와 대향한 위치에서, 상기 가스 정류부에 설치되고, 복수 존으로 분할된 제2 가열부의 내, 상기 제2 배기구와 대향하는 존의 온도를, 다른 존의 온도보다도 높아지도록 상기 가스 정류부를 가열시키는 단계를 기판 처리 장치에 의해 수행시키는, 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체.
KR1020160162857A 2015-12-02 2016-12-01 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 KR101971326B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-235692 2015-12-02
JP2015235692A JP6333232B2 (ja) 2015-12-02 2015-12-02 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170065009A KR20170065009A (ko) 2017-06-12
KR101971326B1 true KR101971326B1 (ko) 2019-04-22

Family

ID=58799577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160162857A KR101971326B1 (ko) 2015-12-02 2016-12-01 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20170159181A1 (ko)
JP (1) JP6333232B2 (ko)
KR (1) KR101971326B1 (ko)
CN (1) CN106816400B (ko)
TW (1) TWI634230B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10407771B2 (en) * 2014-10-06 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber with thermal lid
EP3665718B1 (en) * 2017-08-07 2024-04-24 Sharpack Technology Pte. Ltd. Hot wall flux free solder ball treatment arrangement
US11598003B2 (en) * 2017-09-12 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber having heated showerhead assembly
DE102017124456A1 (de) * 2017-10-19 2019-04-25 Heraeus Noblelight Gmbh Beheizbarer Gasinjektor
JP2019125736A (ja) 2018-01-18 2019-07-25 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理システム、半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム
JP6653722B2 (ja) 2018-03-14 2020-02-26 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置
JP2019169662A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置
JP7066525B2 (ja) * 2018-05-30 2022-05-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10607866B2 (en) * 2018-08-01 2020-03-31 Boston Process Technologies, Inc Hot wall flux free solder ball treatment arrangement
KR102563925B1 (ko) * 2018-08-31 2023-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 제조 장치
JP2020077666A (ja) 2018-11-05 2020-05-21 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP7247749B2 (ja) * 2019-05-27 2023-03-29 住友金属鉱山株式会社 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置
JP6973956B2 (ja) 2019-07-04 2021-12-01 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
CN112530774B (zh) * 2019-09-17 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备
CN115595563B (zh) * 2022-10-13 2024-03-19 苏州中科重仪半导体材料有限公司 一种托盘控温加热器装置及其控制方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002155364A (ja) * 2000-09-08 2002-05-31 Tokyo Electron Ltd シャワーヘッド構造、成膜装置、成膜方法及びクリーニング方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174264A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Sony Corp シリコン酸化膜の形成方法
US5993679A (en) * 1997-11-06 1999-11-30 Anelva Corporation Method of cleaning metallic films built up within thin film deposition apparatus
US20030047282A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-13 Yasumi Sago Surface processing apparatus
US7408225B2 (en) * 2003-10-09 2008-08-05 Asm Japan K.K. Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
JP4698251B2 (ja) * 2004-02-24 2011-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7918938B2 (en) * 2006-01-19 2011-04-05 Asm America, Inc. High temperature ALD inlet manifold
US20080308036A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Hideki Ito Vapor-phase growth apparatus and vapor-phase growth method
CN101842877B (zh) * 2007-10-31 2012-09-26 朗姆研究公司 用于半导体处理室的温度控制模块及控制元件温度的方法
JP2010161276A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Toyota Motor Corp 半導体ウエハに被膜を形成する装置
JP5807084B2 (ja) * 2013-09-30 2015-11-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP5726281B1 (ja) * 2013-12-27 2015-05-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5897617B2 (ja) * 2014-01-31 2016-03-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2018026809A (ja) * 2016-07-29 2018-02-15 コニカミノルタ株式会社 放射線画像撮影装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002155364A (ja) * 2000-09-08 2002-05-31 Tokyo Electron Ltd シャワーヘッド構造、成膜装置、成膜方法及びクリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6333232B2 (ja) 2018-05-30
JP2017103356A (ja) 2017-06-08
TWI634230B (zh) 2018-09-01
TW201734250A (zh) 2017-10-01
CN106816400A (zh) 2017-06-09
CN106816400B (zh) 2019-07-19
KR20170065009A (ko) 2017-06-12
US20170159181A1 (en) 2017-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101971326B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
CN107154370B (zh) 衬底处理装置、半导体器件的制造方法
US9929005B1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP6368732B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR101725902B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101685833B1 (ko) 기판 처리 장치, 가스 정류부, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101665373B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
US9163309B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
KR20150110246A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101611202B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101882774B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP5800969B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体
CN106920760B (zh) 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
JP2013084898A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
KR101965154B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20150077318A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5963893B2 (ja) 基板処理装置、ガス分散ユニット、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR20160001609A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록매체
US20160093476A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium
US20160177446A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium
US20240222086A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant