JP2010161276A - 半導体ウエハに被膜を形成する装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 被膜形成処理を連続的に実施可能な技術を提供する。
【解決手段】 被膜形成装置は、半導体ウエハを保持するウエハホルダと、搬入口から加熱管内に順次搬入される複数のウエハホルダを一連に支持しながら搬出口へと搬送する搬送手段と、加熱管内にガスを供給する第1ガス供給手段と、加熱管内のガスを外部に排出するガス排出手段を備えている。各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、搬送手段によって一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成する。第1ガス供給手段は、熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第1種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給し、ガス排出手段は、枠体の内側に形成される反応空間のガスを外部に排出するように構成されている。
【選択図】図1
【解決手段】 被膜形成装置は、半導体ウエハを保持するウエハホルダと、搬入口から加熱管内に順次搬入される複数のウエハホルダを一連に支持しながら搬出口へと搬送する搬送手段と、加熱管内にガスを供給する第1ガス供給手段と、加熱管内のガスを外部に排出するガス排出手段を備えている。各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、搬送手段によって一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成する。第1ガス供給手段は、熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第1種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給し、ガス排出手段は、枠体の内側に形成される反応空間のガスを外部に排出するように構成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウエハに被膜を形成する技術に関する。特に、化学気相成長処理(CVD処理)によって被膜を形成する技術に関する。
CVD処理は、半導体ウエハに被膜を形成する手法の一種であり、半導体ウエハを加熱管内に収容し、加熱管内に被膜材料を含む原料ガスを供給することによって、半導体ウエハに被膜材料を堆積させる技術である。
特許文献1に、CVD処理によって半導体ウエハに被膜を形成する技術が開示されている。この技術では、複数の半導体ウエハをボートと称する治具に載置し、当該治具を加熱管内に収容することによって、複数の半導体ウエハに一括してCVD処理を行っている。
特許文献1に、CVD処理によって半導体ウエハに被膜を形成する技術が開示されている。この技術では、複数の半導体ウエハをボートと称する治具に載置し、当該治具を加熱管内に収容することによって、複数の半導体ウエハに一括してCVD処理を行っている。
特許文献1に開示された技術のように、複数の半導体ウエハに一括してCVD処理を行う手法では、前工程から既定数の半導体ウエハが供給されるまで、仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させてしまうことになる。また、CVD処理後においても、多数の半導体ウエハを一括して後工程に供給することになり、やはり仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させてしまうことになる。
さらに、特許文献1に開示された技術では、半導体ウエハに対してCVD処理を行った際に、加熱管の内壁にも被膜が形成されてしまう。加熱管の内壁に形成された被膜は、適当な頻度で除去する必要があり、被膜を除去する洗浄作業を行うために、CVD処理をたびたび休止しなければならない。その結果、仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させてしまう。
本発明は、上記の問題を解決する。本発明は、半導体ウエハの被膜形成処理を連続的に実施し、仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させることを防止できる技術を提供する。
さらに、特許文献1に開示された技術では、半導体ウエハに対してCVD処理を行った際に、加熱管の内壁にも被膜が形成されてしまう。加熱管の内壁に形成された被膜は、適当な頻度で除去する必要があり、被膜を除去する洗浄作業を行うために、CVD処理をたびたび休止しなければならない。その結果、仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させてしまう。
本発明は、上記の問題を解決する。本発明は、半導体ウエハの被膜形成処理を連続的に実施し、仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させることを防止できる技術を提供する。
本発明は、半導体ウエハに被膜を形成する被膜形成装置に具現化される。この被膜形成装置は、複数の半導体ウエハをそれぞれ保持する複数のウエハホルダと、ウエハホルダを搬入可能な搬入口からウエハホルダを搬出可能な搬出口まで伸びる加熱管と、搬入口から加熱管内に順次搬入される複数のウエハホルダを一連に支持しながら搬出口へと搬送する搬送手段と、加熱管内にガスを供給する第1ガス供給手段と、加熱管内のガスを外部に排出するガス排出手段を備えている。
この被膜形成装置において、各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、搬送手段によって一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成する。そして、第1ガス供給手段は、熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第1種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給し、ガス排出手段は、枠体の内側に形成される反応空間のガスを外部に排出するように構成されている。
この被膜形成装置において、各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、搬送手段によって一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成する。そして、第1ガス供給手段は、熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第1種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給し、ガス排出手段は、枠体の内側に形成される反応空間のガスを外部に排出するように構成されている。
この被膜形成装置は、半導体ウエハをセットしたウエハホルダを、搬入口から加熱管内を通って搬出口まで順次搬送可能であり、前工程から順次供給される半導体ウエハに対して、被膜の形成処理を一枚ずつ順次開始することができる。複数の半導体ウエハを一括して処理する従来の技術と比較して、仕掛品の半導体ウエハを過剰に滞留させることがない。
さらに、この被膜形成装置では、各々のウエハホルダが枠体を有しており、加熱管内で一連に支持された半導体ウエハの枠体によって、搬入口から搬出口まで伸びる反応空間が形成される。反応空間には、被膜の原料となる第1種類のガスが供給され、半導体ウエハに被膜を形成する処理が施される。このとき、反応空間は枠体の内側に形成され、加熱管の内壁からは隔離されているので、加熱管の内壁にまで被膜が形成されることが顕著に防止される。その結果、加熱管の洗浄作業を行う頻度、即ち、被膜の形成処理を休止しなければならない頻度を、有意に低減させることができる。被膜の形成処理を長期間に亘って連続的に実施することが可能であり、仕掛品の半導体ウエハを過剰に滞留させることがなくなる。
さらに、この被膜形成装置では、各々のウエハホルダが枠体を有しており、加熱管内で一連に支持された半導体ウエハの枠体によって、搬入口から搬出口まで伸びる反応空間が形成される。反応空間には、被膜の原料となる第1種類のガスが供給され、半導体ウエハに被膜を形成する処理が施される。このとき、反応空間は枠体の内側に形成され、加熱管の内壁からは隔離されているので、加熱管の内壁にまで被膜が形成されることが顕著に防止される。その結果、加熱管の洗浄作業を行う頻度、即ち、被膜の形成処理を休止しなければならない頻度を、有意に低減させることができる。被膜の形成処理を長期間に亘って連続的に実施することが可能であり、仕掛品の半導体ウエハを過剰に滞留させることがなくなる。
本発明に係る被膜形成装置は、加熱管内にガスを供給する第2ガス供給手段をさらに備えることが好ましい。この場合、第2ガス供給手段は、分解しても単独では被膜を形成しない第2種類のガスを、枠体の外側に形成される周辺空間に供給することが好ましい。
この構成によると、枠体の外側に形成される周辺空間から、枠体の内側に形成される反応空間へと向う、ガスの流れを形成することができる。反応空間に供給した第1種類のガスが周辺空間に漏れ出すことを防止し、加熱管の内壁における被膜の形成をより確実に防止することができる。
この構成によると、枠体の外側に形成される周辺空間から、枠体の内側に形成される反応空間へと向う、ガスの流れを形成することができる。反応空間に供給した第1種類のガスが周辺空間に漏れ出すことを防止し、加熱管の内壁における被膜の形成をより確実に防止することができる。
前記した第1ガス供給手段は、搬入口と搬出口の一方において反応空間にガスを供給することが好ましい。この場合、前記したガス排出手段は、搬入口と搬出口の一方において反応空間のガスを排出することが好ましい。
この構成によると、搬入口と搬出口に到る反応空間の全体に第1種類のガスを確実に行き渡らせることができる。
この構成によると、搬入口と搬出口に到る反応空間の全体に第1種類のガスを確実に行き渡らせることができる。
前記した搬送手段において互いに隣接するウエハホルダでは、一方のウエハホルダの枠体の端部が、他方のウエハホルダの枠体の端部の内側に挿入されていることが好ましい。
この構成によると、反応空間に供給した第1種類のガスが、隣接するウエハホルダの枠体の隙間を通って周辺空間に漏れ出ることを抑制することができ、加熱管の内壁への被膜の形成をより確実に防止することができる。
この構成によると、反応空間に供給した第1種類のガスが、隣接するウエハホルダの枠体の隙間を通って周辺空間に漏れ出ることを抑制することができ、加熱管の内壁への被膜の形成をより確実に防止することができる。
前記した加熱管では、その中間部分にヒータが設置されたヒータ設置区間が設けられているとともに、その両端部分にヒータが設置されていないヒータ非設置区間が設けられていることが好ましい。
搬入口や搬出口の位置では、反応空間に供給した第1種類のガスが、周辺空間に漏れ出しやすい。また、搬入口や搬出口に加熱管を閉塞する蓋体を設けた場合、反応空間に面する蓋体に、被膜が形成されてしまうことがある。このような場合、加熱管の両端部分では加熱を行わない構成とすると、第1種類のガスが熱分解することを抑制することができ、搬入口や搬出口の付近で意図しない被膜が形成されることを効果的に防止することができる。
搬入口や搬出口の位置では、反応空間に供給した第1種類のガスが、周辺空間に漏れ出しやすい。また、搬入口や搬出口に加熱管を閉塞する蓋体を設けた場合、反応空間に面する蓋体に、被膜が形成されてしまうことがある。このような場合、加熱管の両端部分では加熱を行わない構成とすると、第1種類のガスが熱分解することを抑制することができ、搬入口や搬出口の付近で意図しない被膜が形成されることを効果的に防止することができる。
上記した被膜形成装置は、被膜が形成された半導体ウエハの製造装置と解することもでき、上記した被膜形成装置によって、被膜が形成された半導体ウエハの新規で有用な製造方法が実現されることになる。この製造方法では、複数の半導体ウエハをそれぞれ保持する複数のウエハホルダを、搬入口から搬出口まで伸びる加熱管内に搬入口から順次搬入するとともに、加熱管内に順次搬入される複数のウエハホルダを一連に支持しながら搬出口へと搬送する。ここで、各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なることによって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成する。そして、熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第1種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給するとともに、枠体の内側に形成される反応空間のガスを、外部に排出することを特徴とする。
この製造方法によると、被膜が形成された半導体ウエハを連続的に製造することが可能であり、材料となる仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させることを防止することができる。
この製造方法によると、被膜が形成された半導体ウエハを連続的に製造することが可能であり、材料となる仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させることを防止することができる。
本発明によると、半導体ウエハの被膜形成処理を連続的に実施し、仕掛品の半導体ウエハを無用に滞留させることを防止することができる。
本発明を実施するための好適な特徴を列記する。
(形態1) 加熱管には、加熱管を周方向から囲繞するヒータを、加熱管の軸方向に沿って複数設けることが好ましい。
(形態2) 加熱管内において、枠体の内側に形成される反応空間の圧力は、枠体の外側に形成される周辺空間の圧力よりも、低いことが好ましい。この構成によると、枠体の外側に形成される周辺空間から、枠体の内側に形成される反応空間へと向う、ガスの流れを形成することができる。反応空間に供給した第1種類のガスが周辺空間に漏れ出すことを防止し、加熱管の内壁における被膜の形成をより確実に防止することができる。
(形態3) 加熱管の搬入口には、ウエハホルダを加熱管内に順次搬入する搬入装置が設けられており、加熱管の搬出口には、ウエハホルダを加熱管内から順次搬出する搬出装置を有することが好ましい。この場合、搬入装置及び搬出装置は、ロードドックチャンバを有することが好ましい。この構成によると、加熱管内を減圧した状態に維持することができ、半導体ウエハに均質な被膜を形成することが可能となる。
(形態1) 加熱管には、加熱管を周方向から囲繞するヒータを、加熱管の軸方向に沿って複数設けることが好ましい。
(形態2) 加熱管内において、枠体の内側に形成される反応空間の圧力は、枠体の外側に形成される周辺空間の圧力よりも、低いことが好ましい。この構成によると、枠体の外側に形成される周辺空間から、枠体の内側に形成される反応空間へと向う、ガスの流れを形成することができる。反応空間に供給した第1種類のガスが周辺空間に漏れ出すことを防止し、加熱管の内壁における被膜の形成をより確実に防止することができる。
(形態3) 加熱管の搬入口には、ウエハホルダを加熱管内に順次搬入する搬入装置が設けられており、加熱管の搬出口には、ウエハホルダを加熱管内から順次搬出する搬出装置を有することが好ましい。この場合、搬入装置及び搬出装置は、ロードドックチャンバを有することが好ましい。この構成によると、加熱管内を減圧した状態に維持することができ、半導体ウエハに均質な被膜を形成することが可能となる。
本発明を実施した実施例について図面を参照しながら説明する。図1に、本実施例のCVD装置10の構成を模式的に示す。図2は、図1中のII−II線断面図である。CVD装置10は、半導体ウエハ120にCVD処理(化学気相成長処理)を施し、半導体ウエハ120の表面に被膜を形成する装置である。
CVD装置10は、例えば、シリコンで形成された半導体ウエハ120の表面に、ポリシリコン膜、窒化膜、HTO酸化膜、TEOS酸化膜を形成することができる。なお、CVD装置10は、これらの被膜に限られず、利用する原料ガスに応じて、多種の被膜を形成することができる。
CVD装置10は、例えば、シリコンで形成された半導体ウエハ120の表面に、ポリシリコン膜、窒化膜、HTO酸化膜、TEOS酸化膜を形成することができる。なお、CVD装置10は、これらの被膜に限られず、利用する原料ガスに応じて、多種の被膜を形成することができる。
図1、図2に示すように、CVD装置10は、複数のウエハホルダ100と、複数のウエハホルダ100を収容可能な加熱管40と、加熱管40内で複数のウエハホルダ100を搬送する固定治具62及び可動治具64と、加熱管40内に第1の原料ガスを供給する第1ガス供給装置51と、加熱管40内に第2の原料ガスを供給する第2ガス供給装置52と、加熱管40内にウエハホルダ100を順次搬入する搬入装置20と、加熱管40内からウエハホルダ100を順次搬出する搬出装置80を備えている。
先ず、図3、図4を参照して、ウエハホルダ100の構成について説明する。図3(A)は、ウエハホルダ100の正面図を示しており、図3(B)は、ウエハホルダ100の側面図を示している。そして、図4は、図3(A)中のIV−IV線における断面図を示している。なお、図3、図4では、ウエハホルダ100に保持された半導体ウエハ120が併せて示されている。
図3、図4に示すように、ウエハホルダ100は、リング状の枠体110を有している。枠体110の一方の端部は、比較的に径の小さい小径部110aとなっており、枠体110の他方の端部は、比較的に径の大きい大径部110bとなっている。ここで、小径部110aの外径は、大径部110bの内径よりも小さくなっており、2つのウエハホルダ100を隣接させたときに、一方のウエハホルダ100の小径部110aを、他方のウエハホルダ100の大径部110bに挿入できる構成となっている。なお、図1や図5に示すように、加熱管40内では、枠体110の小径部110aが搬出口40b側に位置し、枠体110の大径部110bが搬入口40a側に位置する。
図3、図4に示すように、ウエハホルダ100は、リング状の枠体110を有している。枠体110の一方の端部は、比較的に径の小さい小径部110aとなっており、枠体110の他方の端部は、比較的に径の大きい大径部110bとなっている。ここで、小径部110aの外径は、大径部110bの内径よりも小さくなっており、2つのウエハホルダ100を隣接させたときに、一方のウエハホルダ100の小径部110aを、他方のウエハホルダ100の大径部110bに挿入できる構成となっている。なお、図1や図5に示すように、加熱管40内では、枠体110の小径部110aが搬出口40b側に位置し、枠体110の大径部110bが搬入口40a側に位置する。
枠体110の内周面には、半導体ウエハ120を保持する複数の支持部102が形成されている。各々の支持部102には、溝102aが形成されており、半導体ウエハ120の外周縁120eを収容可能となっている。複数の支持部102に保持された半導体ウエハ120は、枠体110と同軸上に位置し、枠体110によって周囲から取り囲まれる。
枠体110の外周面には、一対の側方突出部112と、下方突出部114が形成されている。側方突出部112は、固定治具62がウエハホルダ100を支持するために設けられており、下方突出部114は、可動治具64がウエハホルダ100を支持するために設けられている。
以上のように、各々のウエハホルダ100は、一枚の半導体ウエハ120を保持可能であり、保持された半導体ウエハ120が、枠体110によって取り囲まれる構成となっている。
枠体110の外周面には、一対の側方突出部112と、下方突出部114が形成されている。側方突出部112は、固定治具62がウエハホルダ100を支持するために設けられており、下方突出部114は、可動治具64がウエハホルダ100を支持するために設けられている。
以上のように、各々のウエハホルダ100は、一枚の半導体ウエハ120を保持可能であり、保持された半導体ウエハ120が、枠体110によって取り囲まれる構成となっている。
次に、図1、図2を参照して、加熱管40の構成について説明する。加熱管40は、断面形状が略円形の管形状を有している。加熱管40の内径は、ウエハホルダ100の外径よりも十分に大きく、加熱管40内でウエハホルダ100を搬送可能となっている。加熱管40の一端は、ウエハホルダ100を搬入可能な搬入口40aとなっており、加熱管40の他端は、ウエハホルダ100を搬出可能な搬出口40bとなっている。加熱管40は、略水平に配置されており、搬入口40aから搬出口40bまで水平面内で略直線状に伸びている。
加熱管40には、複数のヒータ44が設けられている。ヒータ44は、リング形状を有しており、管状の加熱管40を周方向から囲繞している。ヒータ44の内周面は、加熱管40内に向けて放熱するヒータ面となっている。複数のヒータ44は、加熱管40の軸方向(図1中の左右方向)に沿って配列されている。本実施例では、リング形状を有する5つのヒータ44が、加熱管40の軸方向に沿って配列されている。複数のヒータ44は、図示しない温度調節装置によって、その出力が個々に制御される。それにより、加熱管40内の温度が、被膜の形成に必要な温度(原料ガスが熱分解する温度)に調節される。
ここで、個々のヒータ44は、リング形状のものに限られず、例えば複数のパネルヒータ(平面形状のヒータ)を、加熱管40の周囲に複数配置して構成してもよい。
ここで、個々のヒータ44は、リング形状のものに限られず、例えば複数のパネルヒータ(平面形状のヒータ)を、加熱管40の周囲に複数配置して構成してもよい。
図1に示すように、本実施例の加熱管40では、その軸方向における中間部分S2のみに、複数のヒータ44が設けられている。ヒータ44が設置された中間部分S2では、ヒータ44によって加熱管40内が高温に加熱される。それにより、加熱管40内に供給された原料ガスが熱分解を起こし、半導体ウエハ120の表面に被膜が形成(堆積)されていく。一方、加熱管40の両端部分S1、S3は、ヒータ44が設置されておらず、ヒータ44の非設置区間となっている。それにより、搬入口40aや搬出口40bの付近では、加熱管40内の温度が中間部分S2よりも低く維持される。この構成によると、搬入口40aや搬出口40bの付近では、原料ガスの熱分解が抑制されることになり、搬入装置20や搬出装置80へ被膜が形成されることを防止することができる。
また、加熱管40の搬入口40a側の端部S1をヒータ44の非設置区間とすることにより、当該端部S1における内部温度は搬入口40aから中間部分S2に向って徐々に上昇していくことになる。さらに、加熱管40の搬出口40b側の端部S3をヒータ44の非設置区間とすることにより、当該端部S3における内部温度は中間部分S2から搬出口40bに向って低下していくことになる。ウエハホルダ100の搬送方向に沿って加熱管40内にこのような温度勾配が形成されると、搬入口40aから加熱管40内に搬入された半導体ウエハ120は、加熱管40の中間部分S2へと搬送される間に、その温度が緩やかに上昇することになる。また、搬出口40bから加熱管40外に搬出される半導体ウエハ120は、搬出口40bへと搬送される間に、その温度が緩やかに低下することになる。加熱管40内へ半導体ウエハ120が搬入される際、及び、加熱管40外に半導体ウエハ120が搬出される際に、半導体ウエハ120の急激な温度変化が防止されることから、熱応力に起因する半導体ウエハ120の破損が有意に防止される。
図1、図2に示すように、固定治具62と可動治具64は、加熱管40内に設けられている。
固定治具62は、加熱管40内に固定されており、搬入口40aから搬出口40bまで伸びている。固定治具62には、複数の溝62aが等間隔に形成されている。固定治具62の溝62aは、ウエハホルダ100の側方突出部112が係合可能となっている。それにより、固定治具62は、複数のウエハホルダ100を、搬入口40aから搬出口40bまで、等間隔で一連に支持することが可能となっている。
可動治具64は、アクチュエータ66によって支持されており、加熱管40の軸方向(図1の左右方向)及び径方向(図1の上下方向)に移動可能となっている。可動治具64にも、固定治具62の溝62aと同じ間隔で、複数の溝64aが等間隔に形成されている。可動治具64の溝64aは、ウエハホルダ100の下方突出部114が係合可能に構成されている。可動治具64は、固定治具62に対して相対移動することによって、固定治具62とウエハホルダ100の受け渡しを繰り返し、複数のウエハホルダ100を一連に支持しながら搬出口40bへと搬送していく。即ち、固定治具62、可動治具64、アクチュエータ66は、加熱管40内で複数のウエハホルダ100を搬送する搬送機構を構成している。固定治具62、可動治具64、アクチュエータ66によるウエハホルダ100の搬送動作については、後段において詳細に説明する。
固定治具62は、加熱管40内に固定されており、搬入口40aから搬出口40bまで伸びている。固定治具62には、複数の溝62aが等間隔に形成されている。固定治具62の溝62aは、ウエハホルダ100の側方突出部112が係合可能となっている。それにより、固定治具62は、複数のウエハホルダ100を、搬入口40aから搬出口40bまで、等間隔で一連に支持することが可能となっている。
可動治具64は、アクチュエータ66によって支持されており、加熱管40の軸方向(図1の左右方向)及び径方向(図1の上下方向)に移動可能となっている。可動治具64にも、固定治具62の溝62aと同じ間隔で、複数の溝64aが等間隔に形成されている。可動治具64の溝64aは、ウエハホルダ100の下方突出部114が係合可能に構成されている。可動治具64は、固定治具62に対して相対移動することによって、固定治具62とウエハホルダ100の受け渡しを繰り返し、複数のウエハホルダ100を一連に支持しながら搬出口40bへと搬送していく。即ち、固定治具62、可動治具64、アクチュエータ66は、加熱管40内で複数のウエハホルダ100を搬送する搬送機構を構成している。固定治具62、可動治具64、アクチュエータ66によるウエハホルダ100の搬送動作については、後段において詳細に説明する。
図5は、加熱管40内で一連に支持されるウエハホルダ100を模式的に示している。図5に示すように、一連に支持された複数のウエハホルダ100は、それらの枠体110が連なることによって、搬入口40aから搬出口40bまで伸びる反応空間41を形成する。先に説明したように、各々のウエハホルダ100では、保持された半導体ウエハ120が枠体110によって取り囲まれているので、各々のウエハホルダ100に保持された半導体ウエハ120は、枠体110の内側に形成される反応空間41内に位置することになる。また、枠体110の外側には、加熱管40の内壁との間に周辺空間42が形成される。このように、加熱管40内は、搬入口40aから搬出口40bまで、ウエハホルダ100の枠体110によって、内側に位置する反応空間41と外側に位置する周辺空間42に二分される。
次に、図1、図5を参照して、第1ガス供給装置51、第2ガス供給装置52、及びガス排出装置53について説明する。
第1ガス供給装置51は、第1ガス供給路26を介して、加熱管40内に第1の原料ガスを供給する。第1ガス供給路26は、搬入口40aに設けられた搬入装置20に形成されており、ウエハホルダ100の枠体110の内側に形成される反応空間41に向けて開口する。それにより、第1ガス供給装置51が供給する第1の原料ガスは、ウエハホルダ100の枠体110の内側に形成される反応空間41に供給されるようになっている。
一方、第2ガス供給装置52は、第2ガス供給路38を介して、第2の原料ガスを供給する。第2ガス供給路38は、搬入口40aの近傍に位置する加熱管40の壁面に設けられており、ウエハホルダ100の枠体110の外側に形成される周辺空間42に向けて開口する。それにより、第2ガス供給装置52が供給する第2の原料ガスは、ウエハホルダ100の枠体110の外側に形成される周辺空間42に供給されるようになっている。
第1ガス供給装置51は、第1ガス供給路26を介して、加熱管40内に第1の原料ガスを供給する。第1ガス供給路26は、搬入口40aに設けられた搬入装置20に形成されており、ウエハホルダ100の枠体110の内側に形成される反応空間41に向けて開口する。それにより、第1ガス供給装置51が供給する第1の原料ガスは、ウエハホルダ100の枠体110の内側に形成される反応空間41に供給されるようになっている。
一方、第2ガス供給装置52は、第2ガス供給路38を介して、第2の原料ガスを供給する。第2ガス供給路38は、搬入口40aの近傍に位置する加熱管40の壁面に設けられており、ウエハホルダ100の枠体110の外側に形成される周辺空間42に向けて開口する。それにより、第2ガス供給装置52が供給する第2の原料ガスは、ウエハホルダ100の枠体110の外側に形成される周辺空間42に供給されるようになっている。
ガス排出装置53は、ガス排出路86を介して、加熱管40内のガスを外部に排出する。ガス排出装置53は、加熱管40内のガスを外部に排出することにより、加熱管40内の圧力を減圧可能となっている。本実施例のCVD装置10は、大気圧よりも十分に減圧した状態下でCVD処理を実施する、いわゆる減圧CVD処理を行うことができる。ガス排出路86は、搬出口40bに設けられた搬出装置80に形成されており、ウエハホルダ100の枠体110の内側に形成される反応空間41に向けて開口する。それにより、第1ガス排出装置53によるガスの排出は、ウエハホルダ100の枠体110の内側に形成される反応空間41から行われるように構成されている。この構成により、加熱管40内では、搬入口40a側で供給された第1及び第2の原料ガスが搬出口40b側に向って流れるとともに、周辺空間42から枠体110の隙間を通じて反応空間41へと流れる気流が形成される。それにより、加熱管40内に供給された第1及び第2の原料ガスが反応空間41の全体に行き渡るとともに、反応空間41に供給された第1の原料ガスが周辺空間42へ漏れ出すことを防止することができる。
特に、隣接するウエハホルダ100では、一方のウエハホルダ100の枠体110の小径部110aが、他方のウエハホルダ100の枠体110の大径部110bの内側に挿入されている。この構成によると、第1の原料ガスの漏出がより効果的に防止される。さらに、隣接するウエハホルダ100では、搬入口40a側に位置するウエハホルダ100の小径部110aが、搬出口40b側に位置するウエハホルダ100の大径部110bの内側に挿入されている。この構成によると、第1の原料ガスの流れ方向に対して、上流側に位置するウエハホルダ100の小径部110aが、下流側に位置するウエハホルダ100の大径部110bに挿入される関係となり、第1の原料ガスの漏出がさらに効果的に防止される。
特に、隣接するウエハホルダ100では、一方のウエハホルダ100の枠体110の小径部110aが、他方のウエハホルダ100の枠体110の大径部110bの内側に挿入されている。この構成によると、第1の原料ガスの漏出がより効果的に防止される。さらに、隣接するウエハホルダ100では、搬入口40a側に位置するウエハホルダ100の小径部110aが、搬出口40b側に位置するウエハホルダ100の大径部110bの内側に挿入されている。この構成によると、第1の原料ガスの流れ方向に対して、上流側に位置するウエハホルダ100の小径部110aが、下流側に位置するウエハホルダ100の大径部110bに挿入される関係となり、第1の原料ガスの漏出がさらに効果的に防止される。
上記のように、本実施例のCVD装置10は、ウエハホルダ100の枠体110の内側に形成される反応空間41と、ウエハホルダ100の枠体110の外側に形成される周辺空間42に、それぞれ異なる種類のガスを供給することができる構成となっている。一般に、CVD処理に使用される原料ガスは、熱分解すると単独でも被膜を形成し得るもの(第1種類)と、熱分解しても単独では被膜を形成しないもの(第2種類)に大別することができる。そこで、本実施例のCVD装置10では、熱分解すると単独でも被膜を形成し得るガスについては、第1ガス供給装置51によって反応空間41に供給し、熱分解しても単独では被膜を形成しないガスについては、第2ガス供給装置52によって周辺空間42に供給する。この構成によると、ウエハホルダ100に囲まれた反応空間41内では被膜の形成が行われる一方において、加熱管40に囲まれた周辺空間42内では被膜の形成が防止されることになる。加熱管40の内壁への被膜の形成を防止することができ、加熱管40の内壁を洗浄する洗浄作業の頻度を大幅に減少させることができる。即ち、CVD装置10の稼動を休止する頻度を大幅に減少させることができる。
ここで、第1ガス供給装置51によって供給する第1の原料ガスと、第2ガス供給装置52によって供給する第2の原料ガスの組み合わせについて、いくつかの例を挙げておく。例えば、半導体ウエハ120にポリシリコン膜を形成する場合、第1の原料ガスにはシランガスを採用し、第2の原料ガスには窒素ガスやホスフィンガス(不純物をドープする場合)を採用するとよい。窒化膜を形成する場合には、第1の原料ガスにジクロルシランガスを採用し、第2の原料ガスにアンモニアガスを採用するとよい。HTO酸化膜を形成する場合には、第1の原料ガスにシランガスを採用し、第2の原料ガスに亜酸化窒素ガスを採用するとよい。TESO酸化膜を形成する場合には、第1の原料ガスにテトラエトキシシランガスを採用し、第2の原料ガスに酸素ガスを採用するとよい。上記したいずれの具体例においても、第1の原料ガスは、熱分解すると単独でも被膜を形成し得るガスであり、第2の原料ガスは、熱分解しても単独では被膜を形成しないガスとなっている。
次に、図1を参照して、搬入装置20及び搬出装置80について説明する。
搬入装置20は、加熱管40の搬入口40aに設けられている。搬入装置20は、加熱管40内の空間を外界から遮断する外側シャッター24及び内側シャッター28を備えている。ここで、前出の第1ガス供給路26は、内側シャッター28に形成されている。外側シャッター24と内側シャッター28の間には、気密性を有するロードロックチャンバ22が形成されている。ロードロックチャンバ22には、通気孔32を介して、真空ポンプ34及び弁装置36が並列に接続されている。ロードロックチャンバ22は、真空ポンプ34によって減圧可能であるとともに、弁装置36によって大気開放が可能となっている。また、ロードロックチャンバ22には、ウエハホルダ100を加熱管40内の固定治具62に引き渡す搬入機構30が設けられている。
搬出装置80は、加熱管40の搬出口40bに設けられている。搬出装置80は、加熱管40内の空間を外界から遮断する外側シャッター84及び内側シャッター88を備えている。ここで、前出のガス排出路86は、内側シャッター88に形成されている。外側シャッター84と内側シャッター88の間には、気密性を有するロードロックチャンバ82が形成されている。ロードロックチャンバ82には、通気孔92を介して、真空ポンプ94及び弁装置96が並列に接続されている。ロードロックチャンバ82は、真空ポンプ94によって減圧可能であるとともに、弁装置96によって大気開放が可能となっている。また、ロードロックチャンバ82には、加熱管40内の固定治具62からウエハホルダ100を引き取る搬出機構90が設けられている。
搬入装置20は、加熱管40の搬入口40aに設けられている。搬入装置20は、加熱管40内の空間を外界から遮断する外側シャッター24及び内側シャッター28を備えている。ここで、前出の第1ガス供給路26は、内側シャッター28に形成されている。外側シャッター24と内側シャッター28の間には、気密性を有するロードロックチャンバ22が形成されている。ロードロックチャンバ22には、通気孔32を介して、真空ポンプ34及び弁装置36が並列に接続されている。ロードロックチャンバ22は、真空ポンプ34によって減圧可能であるとともに、弁装置36によって大気開放が可能となっている。また、ロードロックチャンバ22には、ウエハホルダ100を加熱管40内の固定治具62に引き渡す搬入機構30が設けられている。
搬出装置80は、加熱管40の搬出口40bに設けられている。搬出装置80は、加熱管40内の空間を外界から遮断する外側シャッター84及び内側シャッター88を備えている。ここで、前出のガス排出路86は、内側シャッター88に形成されている。外側シャッター84と内側シャッター88の間には、気密性を有するロードロックチャンバ82が形成されている。ロードロックチャンバ82には、通気孔92を介して、真空ポンプ94及び弁装置96が並列に接続されている。ロードロックチャンバ82は、真空ポンプ94によって減圧可能であるとともに、弁装置96によって大気開放が可能となっている。また、ロードロックチャンバ82には、加熱管40内の固定治具62からウエハホルダ100を引き取る搬出機構90が設けられている。
以上、CVD装置10の構成について詳細に説明した。次に、図6から図12を参照して、CVD装置10が実施する一連の動作について説明する。
図6に示すように、搬入口40a側に位置する搬入装置20では、外側シャッター24を開放し、ウエハホルダ100をロードロックチャンバ22内の搬入機構30にセットする。ウエハホルダ100のセットは、図示しないロボットによって行われる。ここで、ウエハホルダ100には、前工程から供給された半導体ウエハ120がセットされている。
加熱管40内では、搬入口40aから搬出口40bまで、固定治具62によって複数のウエハホルダ100が一連に支持されている。また、加熱管40内では、第1ガス供給装置51及び第2ガス供給装置52による原料ガスの供給、及び、ガス排出装置53によるガスの排出が行われている。それにより、加熱管40内では、減圧された状況下で、ウエハホルダ100に保持された半導体ウエハ120に被膜が形成されていく。先にも説明したように、原料ガスによる被膜の形成は、ウエハホルダ100の内側に位置する反応空間41のみで生じ、ウエハホルダ100の外側に位置する周辺空間42では生じない。従って、加熱管40の内壁に被膜が形成されることが防止される。また、搬入口40a及び搬出口40bの付近では温度が低く維持されているので、搬入装置20の内側シャッター28や搬出装置80の内側シャッター88に被膜が形成されることも防止される。
搬出口40b側の搬出装置80では、加熱管40からウエハホルダ100を引き取る準備として、ロードロックチャンバ82の減圧が行われている。
図6に示すように、搬入口40a側に位置する搬入装置20では、外側シャッター24を開放し、ウエハホルダ100をロードロックチャンバ22内の搬入機構30にセットする。ウエハホルダ100のセットは、図示しないロボットによって行われる。ここで、ウエハホルダ100には、前工程から供給された半導体ウエハ120がセットされている。
加熱管40内では、搬入口40aから搬出口40bまで、固定治具62によって複数のウエハホルダ100が一連に支持されている。また、加熱管40内では、第1ガス供給装置51及び第2ガス供給装置52による原料ガスの供給、及び、ガス排出装置53によるガスの排出が行われている。それにより、加熱管40内では、減圧された状況下で、ウエハホルダ100に保持された半導体ウエハ120に被膜が形成されていく。先にも説明したように、原料ガスによる被膜の形成は、ウエハホルダ100の内側に位置する反応空間41のみで生じ、ウエハホルダ100の外側に位置する周辺空間42では生じない。従って、加熱管40の内壁に被膜が形成されることが防止される。また、搬入口40a及び搬出口40bの付近では温度が低く維持されているので、搬入装置20の内側シャッター28や搬出装置80の内側シャッター88に被膜が形成されることも防止される。
搬出口40b側の搬出装置80では、加熱管40からウエハホルダ100を引き取る準備として、ロードロックチャンバ82の減圧が行われている。
次に、図7に示すように、搬入装置20では、外側シャッター24を閉鎖し、ウエハホルダ100を収容したロードロックチャンバ22を、真空ポンプ34によって減圧していく。一方、搬出装置80では、内側シャッター88を開放し、ロードロックチャンバ82を加熱管40に連通させる。このとき、内側シャッター88の開放に伴って、ガス排出装置53の運転を一時的に中止する。ただし、搬出装置80の真空ポンプ94が運転し続けることによって、加熱管40内の搬入口40aから搬出口40bに向う気流は維持される。
次に、図8に示すように、加熱管40の搬出口40bでは、固定治具62に支持されている一つのウエハホルダ100が、搬出機構90によって搬出装置80のロードロックチャンバ82に移送される。その結果、加熱管40の搬出口40bでは、固定治具62にウエハホルダ100の一つ分の空きスペースが生まれる。
搬出装置80では、ウエハホルダ100をロードロックチャンバ82に収容した後、内側シャッター88を閉鎖するとともに、弁装置96を開弁させてロードロックチャンバ82を大気開放する。
搬出装置80によるウエハホルダ100の搬出後、加熱管40内では、可動治具64が固定治具62に向って上方に移動し、固定治具62に支持された全てのウエハホルダ100が可動治具64へと受け渡される。この状態で、全てのウエハホルダ100は固定治具62から完全に離間しており、可動治具64のみによって支持されている。
搬出装置80では、ウエハホルダ100をロードロックチャンバ82に収容した後、内側シャッター88を閉鎖するとともに、弁装置96を開弁させてロードロックチャンバ82を大気開放する。
搬出装置80によるウエハホルダ100の搬出後、加熱管40内では、可動治具64が固定治具62に向って上方に移動し、固定治具62に支持された全てのウエハホルダ100が可動治具64へと受け渡される。この状態で、全てのウエハホルダ100は固定治具62から完全に離間しており、可動治具64のみによって支持されている。
次に、図9に示すように、加熱管40内では、可動治具64が搬出口40bに向って水平方向に移動し、全てのウエハホルダ100が搬出口40bに向けて移動される。このときの移動量は、固定治具62に形成された溝62aの間隔に等しい。その結果、加熱管40の搬入口40aでは、固定治具62にウエハホルダ100の一つ分の空きスペースが生まれる。このとき、第1ガス供給装置51は、第1の原料ガスの供給を中断する。
次に、図10に示すように、加熱管40内では、可動治具64が固定治具62から離間するように下方へ移動し、可動治具64に支持された全てのウエハホルダ100が固定治具62へと受け渡される。
次に、図10に示すように、加熱管40内では、可動治具64が固定治具62から離間するように下方へ移動し、可動治具64に支持された全てのウエハホルダ100が固定治具62へと受け渡される。
ウエハホルダ100の移動が完了後、図11に示すように、搬入装置20では、内側シャッター28を開放するとともに、ロードロックチャンバ22内のウエハホルダ100が、搬入機構30によって固定治具62の空きスペースへ移送される。
一方、搬出装置80では、外側シャッター84を開放し、ロードロックチャンバ82からウエハホルダ100が取り出される。ウエハホルダ100の取り出しは、図示しないロボットによって行われる。ウエハホルダ100に保持された半導体ウエハ120は、ウエハホルダ100から取り外して後工程に送られる。一方、使用後のウエハホルダ100は、必要に応じて洗浄工程に送られた後に再利用される。ウエハホルダ100の洗浄はオフラインで行うことができるので、加熱管40を洗浄する場合とは異なり、CVD装置10の稼動を休止させる必要がない。
一方、搬出装置80では、外側シャッター84を開放し、ロードロックチャンバ82からウエハホルダ100が取り出される。ウエハホルダ100の取り出しは、図示しないロボットによって行われる。ウエハホルダ100に保持された半導体ウエハ120は、ウエハホルダ100から取り外して後工程に送られる。一方、使用後のウエハホルダ100は、必要に応じて洗浄工程に送られた後に再利用される。ウエハホルダ100の洗浄はオフラインで行うことができるので、加熱管40を洗浄する場合とは異なり、CVD装置10の稼動を休止させる必要がない。
次に、図12に示すように、搬入装置20では、搬入機構30を元の位置へ戻し、内側シャッター28を閉鎖する。そして、新たなウエハホルダ100を外部から受け入れる準備のため、弁装置36を開弁させてロードロックチャンバ22の大気開放を開始する。一方、搬出装置80では、外側シャッター84を閉鎖した後に、新たなウエハホルダ100を加熱管40から搬出する準備のため、ロードロックチャンバ22の減圧を開始する。その結果、図6に示した最初の状態に戻る。
以上に説明した一連の動作により、CVD装置10では、前工程から順次供給される半導体ウエハ120に対して、CVD処理を順次開始することができる。また、CVD処理後の半導体ウエハ120を、後工程に順次供給することができる。そのことから、仕掛品の半導体ウエハ120を無用に滞留させることを防止することができる。
また、CVD装置10では、ウエハホルダ100によって形成される反応空間41において被膜の形成が行われ、加熱管40の内壁に接する周辺空間42では被膜の形成が抑制される。それにより、加熱管40の内壁に被膜が形成されることが防止され、加熱管40の内壁を洗浄する洗浄作業の頻度を有意に低下させることができる。半導体ウエハ120のCVD処理を長期間に亘って連続的に実施することができ、仕掛品の半導体ウエハ120を無用に滞留させることを防止することができる。なお、ウエハホルダ100には、特に枠体110の内側において被膜が形成されることになるが、ウエハホルダ100の洗浄はオフラインで行うことができるので、CVD装置10を休止させる必要が生じない。
また、CVD装置10では、ウエハホルダ100によって形成される反応空間41において被膜の形成が行われ、加熱管40の内壁に接する周辺空間42では被膜の形成が抑制される。それにより、加熱管40の内壁に被膜が形成されることが防止され、加熱管40の内壁を洗浄する洗浄作業の頻度を有意に低下させることができる。半導体ウエハ120のCVD処理を長期間に亘って連続的に実施することができ、仕掛品の半導体ウエハ120を無用に滞留させることを防止することができる。なお、ウエハホルダ100には、特に枠体110の内側において被膜が形成されることになるが、ウエハホルダ100の洗浄はオフラインで行うことができるので、CVD装置10を休止させる必要が生じない。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、本実施例では、加熱管40が水平方向に配置されているが、加熱管40は鉛直方向に配置することもできるし、水平方向及び鉛直方向に対して角度を成す斜め方向に配置することもできる。この場合、ウエハホルダ100、固定治具62、可動治具64の構成を、必要に応じて適宜変更することが可能である。
例えば、本実施例では、加熱管40が水平方向に配置されているが、加熱管40は鉛直方向に配置することもできるし、水平方向及び鉛直方向に対して角度を成す斜め方向に配置することもできる。この場合、ウエハホルダ100、固定治具62、可動治具64の構成を、必要に応じて適宜変更することが可能である。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
10:CVD装置
20:搬入装置
22:ロードロックチャンバ
40:加熱管
40a:搬入口
40b:搬出口
41:反応空間
42:周辺空間
44:ヒータ
51:第1ガス供給装置
52:第2ガス供給装置
53:ガス排出装置
62:固定治具
64:可動治具
66:アクチュエータ
80:搬出装置
82:ロードロックチャンバ
100:ウエハホルダ
110:ウエハホルダの枠体
110a:枠体の小径部
110b:枠体の大径部
120:半導体ウエハ
20:搬入装置
22:ロードロックチャンバ
40:加熱管
40a:搬入口
40b:搬出口
41:反応空間
42:周辺空間
44:ヒータ
51:第1ガス供給装置
52:第2ガス供給装置
53:ガス排出装置
62:固定治具
64:可動治具
66:アクチュエータ
80:搬出装置
82:ロードロックチャンバ
100:ウエハホルダ
110:ウエハホルダの枠体
110a:枠体の小径部
110b:枠体の大径部
120:半導体ウエハ
Claims (6)
- 半導体ウエハに被膜を形成する被膜形成装置であって、
複数の半導体ウエハをそれぞれ保持する複数のウエハホルダと、
ウエハホルダを搬入可能な搬入口からウエハホルダを搬出可能な搬出口まで伸びる加熱管と、
搬入口から加熱管内に順次搬入される複数のウエハホルダを一連に支持しながら搬出口へと搬送する搬送手段と、
加熱管内にガスを供給する第1ガス供給手段と、
加熱管内のガスを外部に排出するガス排出手段を備え、
各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、搬送手段によって一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なることによって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成し、
第1ガス供給手段は、熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第1種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給し、
ガス排出手段は、枠体の内側に形成される反応空間のガスを外部に排出することを特徴とする被膜形成装置。 - 加熱管内にガスを供給する第2ガス供給手段をさらに備え、
第2ガス供給手段は、分解しても単独では被膜を形成しない第2種類のガスを、枠体の外側に形成される周辺空間に供給することを特徴とする請求項1に記載の被膜形成装置。 - 第1ガス供給手段は、搬入口と搬出口の一方において反応空間にガスを供給し、
ガス排出手段は、搬入口と搬出口の他方において反応空間のガスを排出することを特徴とする請求項1又は2に記載の被膜形成装置。 - 前記搬送手段において互いに隣接するウエハホルダでは、一方のウエハホルダの枠体の端部が、他方のウエハホルダの枠体の端部の内側に挿入されていることを特徴とする請求項3に記載の被膜形成装置。
- 前記加熱管の中間部分には、ヒータが設置されたヒータ設置区間が設けられており、
前記加熱管の両端部分には、ヒータが設置されていないヒータ非設置区間が設けられていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の被膜形成装置。 - 被膜が形成された半導体ウエハの製造方法であって、
複数の半導体ウエハをそれぞれ保持する複数のウエハホルダを用意する工程と、
搬入口から搬出口まで伸びる加熱管内に複数のウエハホルダを搬入口から順次搬入する工程と、
加熱管内に順次搬入される複数のウエハホルダを一連に支持しながら搬出口へと搬送する工程を備え、
各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なることによって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成し、
熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第1種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給するとともに、枠体の内側に形成される反応空間のガスを、外部に排出することを特徴とする製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106816400A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
-
2009
- 2009-01-09 JP JP2009003469A patent/JP2010161276A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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