KR101288212B1 - 기판처리방법 - Google Patents

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Abstract

기판처리방법은 시릴화제를 기판에 공급하는 시릴화 공정과, 상기 시릴화 공정이 행하여진 후에, 에칭제를 상기 기판에 공급하는 에칭 공정을 포함한다. 상기 방법은 시릴화 공정과 상기 에칭 공정을 포함하는 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 포함하여도 좋다. 상기 사이클은, 상기 에칭 공정이 행하여진 후에, 린스액을 상기 기판에 공급하는 린스 공정을 더 포함하여도 좋다. 또한, 상기 사이클은, 상기 에칭 공정이 행하여진 후에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 자외선 조사 공정을 더 포함하여도 좋다. 상기 방법은, 상기 시릴화 공정이 행하여지기 전 또는 후에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 시릴화 전 자외선 조사 공정을 더 포함하여도 좋다.

Description

기판처리방법{SUSBTRATE TREATMENT METHOD}
본 발명은 기판을 처리하는 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치나 액정표시장치 등의 제조 공정에서는, 실리콘 질화막(SiN막)과 실리콘 산화막(SiO2막)이 형성된 기판의 표면으로부터, 실리콘 질화막을 선택적으로 제거하는 선택 에칭이 필요하게 되는 경우가 있다. 이 경우, 에칭액으로서 고온(예를 들면, 120℃∼160℃)의 인산 수용액이 기판의 표면에 공급된다(예를 들면, 일본특허공개 2007-258405호 공보 참조).
본 발명은 선택 에칭의 선택비(질화막의 제거량/산화막의 제거량)가 높은 기판 처리를 행할 수 있는 기판처리방법 및 기판처리장치를 제공한다.
본 발명의 기판처리방법은 시릴화제를 기판에 공급하는 시릴화 공정과, 상기 시릴화 공정이 행하여진 후에, 에칭제를 상기 기판에 공급하는 에칭 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 에칭제의 공급에 의해 기판이 에칭되기 전에, 시릴화제의 공급에 의해 기판이 시릴화된다. 따라서, 시릴화된 기판이 에칭된다. 후술하는 바와 같이, 산화막과 질화막이 형성된 기판을 시릴화함으로써, 산화막이 에칭되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 시릴화된 기판을 에칭함으로써, 선택비(질화막의 제거량/산화막의 제거량)를 향상시킬 수 있다.
상기 기판처리방법은 상기 에칭 공정이 행하여진 후에, 린스액을 상기 기판에 공급하는 린스 공정과, 상기 린스 공정이 행하여진 후에, 상기 기판을 건조시키는 건조 공정을 더 포함하고 있어도 좋다.
또한, 상기 기판처리방법은 상기 시릴화 공정과 병행하여 행하여지는 공정으로서, 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 더 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 기판의 온도가 상승하기 때문에, 기판에 공급된 시릴화제의 온도의 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 시릴화제의 활성이 온도의 변화에 따라 변화하는 경우에는, 시릴화제의 활성을 안정시킬 수 있다. 또한 기판의 온도가 상기 기판에 공급된 시릴화제의 온도보다 높은 경우에는, 기판에 공급된 시릴화제의 온도를 상승시킬 수 있다. 따라서, 시릴화제의 활성이 온도의 상승에 따라 높아지는 경우에는, 시릴화제의 활성을 높일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의한 기판처리방법은 상기 시릴화 공정과 상기 에칭 공정을 포함한 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 포함한다. 이 방법에 의하면, 시릴화된 기판이 에칭된다. 그 후, 에칭된 기판이 다시 시릴화된다. 그리고, 시릴화된 기판이 다시 에칭된다. 즉, 에칭이 중단되어, 이 에칭의 중단 기간중에 기판이 다시 시릴화된다. 에칭제의 공급이 장시간 계속되면, 시릴화제에 의해 부여된 산화막의 에칭 억제 능력이 도중에 저하되어, 선택비가 저하하여 버리는 경우가 있다. 따라서, 다시 기판을 시릴화함으로써, 산화막의 에칭 억제 능력을 회복시킬 수 있다. 그 때문에, 에칭을 재개하였을 때에 산화막이 에칭되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 선택비의 저하를 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 사이클은 상기 에칭 공정이 행하여진 후에, 린스액을 상기 기판에 공급하는 린스 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 시릴화된 기판이 에칭되고 그 후, 에칭된 기판에 린스액이 공급되어, 기판에 부착되어 있는 액체나 이물질이 씻겨진다. 그리고, 다시, 시릴화 공정, 에칭 공정, 및 린스 공정이 순차적으로 행하여진다. 에칭된 기판에는, 에칭에 의해 생긴 이물질이 부착되어 있는 경우가 있다. 특히, 기판에 공급되는 에칭제가 증기(vapor)인 경우에는, 에칭제가 액체인 경우에 비해, 이물질이 기판에 남기 쉽다. 에칭에 의해 생긴 이물질이 부착되어 있는 상태로 기판을 시릴화하면, 이 이물질을 기판으로부터 없애기 어려워지는 경우가 있다. 따라서, 다시 시릴화 공정을 실시하기 전에, 기판에 부착되어 있는 이물질을 제거함으로써, 이 이물질을 기판으로부터 제거하기 어려워지는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이에 의해, 이물질이 기판에 남는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 따라서, 기판의 청정도를 향상시킬 수 있다.
상기 사이클은 상기 에칭 공정이 행하여진 후에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 자외선 조사 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 시릴화 공정, 에칭 공정, 및 자외선 조사 공정을 포함한 일련의 사이클이 복수회 행하여진다. 각 사이클에서는, 시릴화제 및 에칭제가 공급된 기판에 자외선이 조사된다. 2회째 이후의 사이클에서는, 자외선이 조사된 기판에 시릴화제 및 에칭제가 공급된다. 시릴화된 기판에 자외선을 조사함으로써, 기판에 부착되어 있는 시릴화제를 제거할 수 있다. 따라서, 기판의 청정도를 향상시킬 수 있다. 또한, 2회째 이후의 사이클에서는, 자외선의 조사에 의해 유기물 등의 이물질이 제거된 기판에 시릴화제 및 에칭제가 공급된다. 따라서, 2회째 이후의 사이클에 대하여 기판에 대한 시릴화제 및 에칭제의 반응성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 선택비를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의한 방법은 상기 시릴화 공정이 행하여지기 전에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 시릴화 전(前) 자외선 조사 공정을 더 포함한다. 이 방법에 의하면, 자외선이 기판에 조사된 후에, 시릴화제 및 에칭제가 기판에 순차적으로 공급된다. 자외선을 기판에 조사함으로써, 기판에 부착되어 있는 유기물 등의 이물질을 제거할 수 있다. 따라서, 기판에 대한 시릴화제 및 에칭제의 반응성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 선택비를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의한 방법은 상기 시릴화 공정이 행하여진 후에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 시릴화 후(後) 자외선 조사 공정을 더 포함한다. 이 방법에 의하면, 시릴화된 기판에 자외선이 조사된다. 시릴화된 기판에 자외선을 조사함으로써, 기판에 부착되어 있는 시릴화제를 제거할 수 있다. 따라서, 기판의 청정도를 향상시킬 수 있다.
상기 에칭 공정에 대하여 기판에 공급되는 에칭제는 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액이어도 좋다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 시릴화제는 비수용성이며, 상기 에칭제는 물을 포함한다. 비수용성의 시릴화제는 물에 전혀 녹지 않는 시릴화제이어도 좋고, 물에 대부분 녹지 않는 시릴화제이어도 좋다. 이 실시형태에서는, 비수용성의 시릴화제가 기판에 공급된 후에, 물을 포함한 에칭제가 그 기판에 공급된다. 시릴화제가 비수용성이므로, 기판에 부착되어 있는 시릴화제는 기판에 공급된 에칭제에 녹지 않는다. 따라서, 산화막의 에칭이 억제되는 상태를 유지할 수 있다. 이에 의해, 선택비의 저하를 억제 또는 방지할 수 있다.
또한, 상기 에칭 공정에 대하여 기판에 공급되는 에칭제는 에칭 성분을 갖는 증기이어도 좋다.
본 발명의 기판처리장치는 시릴화 위치 및 에칭 위치에서 기판을 유지하는 기판유지유닛과, 상기 기판유지유닛에 상기 시릴화 위치에서 유지된 기판에 시릴화제를 공급하는 시릴화제 공급유닛과, 상기 기판유지유닛에 상기 에칭 위치에서 유지된 기판에 에칭제를 공급하는 에칭제 공급유닛과, 상기 시릴화제 공급유닛 및 에칭제 공급유닛을 제어하는 제어유닛을 포함한다. 상기 제어유닛은 상기 시릴화제 공급유닛을 제어함으로써, 상기 기판유지유닛에 상기 시릴화 위치에서 유지된 기판에 시릴화제를 공급시키는 시릴화 공정을 실행한다. 또한, 상기 제어유닛은 상기 에칭제 공급유닛을 제어함으로써, 상기 시릴화 공정이 행하여진 후에, 상기 기판유지유닛에 상기 에칭 위치에서 유지된 상기 기판에 에칭제를 공급시키는 에칭 공정을 실행한다.
상기 시릴화 위치 및 에칭 위치는 같은 위치로서도 좋다. 즉, 기판에 대한 시릴화제의 공급 및 에칭제의 공급이 같은 위치에서 행하여져도 좋다. 이 경우, 기판에 대한 시릴화제의 공급이 행하여진 후에, 에칭 위치까지 기판을 이동시키지 않아도 좋다. 이에 의해, 기판의 반송 시간을 단축할 수 있기 때문에, 기판의 처리 시간을 단축할 수 있다.
상기 기판처리장치는 상기 기판에 자외선을 조사하는 자외선조사유닛을 더 포함하고 있어도 좋다.
본 발명에서의 상술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는 첨부 도면을 참조하여 다음에 기술는 실시형태의 설명에 의해 명백하게 된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 의한 시릴화유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 에칭유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4(a) - 4(d)는 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치에 의해 행하여지는 기판의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 시릴화되지 않은 기판을 에칭하였을 때의 에칭 시간과 에칭량 및 선택비와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 6은 시릴화된 기판을 에칭하였을 때의 에칭 시간과 에칭량 및 선택비와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태에 의한 기판처리장치의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 의한 시릴화·에칭유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시형태에 의한 차단판 및 이에 관련하는 구성의 저면도이다.
도 10(a) - 10(d)는 본 발명의 제2 실시형태에 의한 기판처리장치에 의해 행하여지는 기판의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시형태에 의한 차단판의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시형태에 의한 기판처리장치의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시형태에 의한 시릴화유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 14는 본 발명의 제4 실시형태에 의한 시릴화유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 15는 본 발명의 제4 실시형태에 의한 에칭유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 16은 본 발명의 제4 실시형태에 의한 기판처리장치에 의해 행하여지는 기판의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 시릴화되지 않은 기판을 에칭하였을 때의 기판의 온도와 에칭량 및 선택비와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 18은 시릴화된 기판을 에칭하였을 때의 기판의 온도와 에칭량 및 선택비와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 19는 본 발명의 제5 실시형태에 의한 기판처리장치의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 20은 본 발명의 제5 실시형태에 의한 냉각유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 21은 본 발명의 제5 실시형태에 의한 기판처리장치에 의해 행하여지는 기판의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 22는 본 발명의 제6 실시형태에 의한 기판처리장치의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
도 23은 본 발명의 제6 실시형태에 의한 자외선조사유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 24는 본 발명의 제6 실시형태에 의한 자외선조사유닛의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 25는 본 발명의 제6 실시형태에 의한 기판처리장치에 의해 행하여지는 기판의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(1)의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
기판처리장치(1)는 약액이나 린스액 등의 처리액에 의해 반도체 웨이퍼 등의 원형의 기판(W)을 1매씩 처리하는 매엽식(枚葉式)의 기판처리장치이다. 기판처리장치(1)는 인덱서블록(2)과, 인덱서블록(2)에 결합된 처리블록(3)과, 기판처리장치(1)에 구비된 장치의 동작이나 밸브의 개폐를 제어하는 제어장치(4)를 구비하고 있다.
인덱서블록(2)은 캐리어 유지부(5)와, 인덱서로봇(IR)과, IR이동기구(6)를 구비하고 있다. 캐리어 유지부(5)는 복수매의 기판(W)을 수용할 수 있는 캐리어(C)를 유지한다. 복수의 캐리어(C)는 수평한 캐리어 배열 방향(U)으로 배열된 상태로, 캐리어 유지부(5)에 유지된다. IR이동기구(6)는 캐리어 배열 방향(U)으로 인덱서로봇(IR)을 이동시킨다. 인덱서로봇(IR)은 캐리어 유지부(5)에 유지된 캐리어(C)에 기판(W)을 반입하는 반입 동작, 및 기판(W)을 캐리어(C)로부터 반출하는 반출 동작을 행한다.
한편, 처리블록(3)은 기판(W)을 처리하는 복수(예를 들면, 4개 이상)의 처리유닛(7)과, 센터로봇(CR)을 구비하고 있다. 복수의 처리유닛(7)은 평면에서, 센터로봇(CR)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 복수의 처리유닛(7)은 기판(W)을 시릴화하는 시릴화유닛(7a)과, 기판(W)을 에칭하는 에칭유닛(7b)를 포함한다. 센터로봇(CR)은 처리유닛(7)에 기판(W)을 반입하는 반입 동작, 및 기판(W)을 처리유닛(7)으로부터 반출하는 반출 동작을 행한다. 또한 센터로봇(CR)은 복수의 처리유닛(7) 사이로 기판(W)을 반송한다. 센터로봇(CR)은 인덱서로봇(IR)으로부터 기판(W)을 받음과 함께, 인덱서로봇(IR)에 기판(W)을 건네준다. 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)은 제어장치(4)에 의해 제어된다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 의한 시릴화유닛(7a)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 이하에서는, 시릴화유닛(7a)의 개략 구성, 및 시릴화유닛(7a)에서 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례에 대하여 설명한다. 최초로, 시릴화유닛(7a)의 개략 구성에 대하여 설명한다.
시릴화유닛(7a)은 챔버(8)를 구비하고 있다. 챔버(8)는 예를 들면, 직사각형 형상이다. 챔버(8)는 수평으로 대향하는 2개의 측벽(9) 및 측벽(10)과 상하로 대향하는 상벽(11) 및 저벽(12)을 포함한다. 시릴화유닛(7a)은 상벽(11)의 외면(상면)을 따라 배치된 냉각장치(13)를 더 구비하고 있다. 챔버(8)는 냉각장치(13)에 의해 냉각되어 있다. 냉각장치(13)는 예를 들면, 수냉의 냉각장치이다. 시릴화유닛(7a)은 챔버(8) 내에 설치된 기판유지대(14)를 더 구비하고 있다. 제1 실시형태에서는, 기판유지대(14)와 후술하는 스핀척(38)에 의해, 기판유지유닛이 구성되어 있다. 챔버(8) 내에 반입된 1매의 기판(W)은 기판유지대(14) 상에 재치된 상태로, 유지 위치(P1)(시릴화 위치)에서 기판유지대(14)에 유지된다. 기판유지대(14)는 연직 방향으로 뻗는 회전축(15)의 상단에 고정되어 있다. 회전축(15)에는, 회전축(15)의 중심축선 둘레로 회전축(15)을 회전시키는 기판회전기구(16)가 결합되어 있다. 기판회전기구(16)는 예를 들면, 모터를 포함한 기구이다.
기판유지대(14)의 내부에는, 기판유지대(14)에 유지된 기판(W)을 가열하기 위한 히터(17)가 매설되어 있다. 또한 기판유지대(14) 상에는, 히터(17)에 의한 가열시에 기판(W)의 온도를 균일화하는 균열링(18)이 설치되어 있다. 균열링(18)은 기판유지대(14) 상에서의 기판(W)의 유지 위치(P1)를 둘러싸는 링상태로 형성되어 있다.
기판유지대(14)에 관련하여, 기판유지대(14)에 대하여 기판(W)을 승강시키는 복수 라인(예를 들면, 3개)의 리프트핀(19)이 설치되어 있다. 복수 라인의 리프트핀(19)은 챔버(8)의 저벽(12)에 삽입 통과되어 챔버(8) 바깥에 있고, 공통의 지지부재(20)에 지지되어 있다. 지지부재(20)에는, 실린더를 포함한 리프트핀 승강기구(21)가 결합되어 있다. 리프트핀 승강기구(21)는 복수 라인의 리프트핀(19)의 선단(先端)이 기판유지대(14)의 위쪽으로 돌출하는 위치와, 복수 라인의 리프트핀(19)의 선단이 기판유지대(14)의 아래쪽으로 퇴피하는 위치 사이에서, 복수 라인의 리프트핀(19)을 일체적으로 승강시킨다.
또한, 챔버(8)의 한쪽의 측벽(9)(도 2에서는, 좌측의 측벽)에는, 챔버(8) 내에 대한 기판(W)의 반입/반출을 위한 게이트(22)가 형성되어 있다. 측벽(9)의 외측에는, 게이트(22)를 개폐하는 게이트 셔터(23)가 설치되어 있다. 게이트 셔터(23)에는, 실린더를 포함한 게이트 개폐기구(24)가 결합되어 있다. 게이트 개폐기구(24)는, 게이트 셔터(23)가 측벽(9)의 외면에 밀착하여 게이트(22)를 밀폐하는 폐쇄 위치와, 게이트 셔터(23)가 측벽(9)의 측방으로 이간하면서 하강하여 게이트(22)를 크게 개방하는 개방 위치 사이에서, 게이트 셔터(23)를 이동시킨다.
또한, 챔버(8)의 다른 쪽의 측벽(10)(도 2에서는, 우측의 측벽)에는, 불활성 가스의 일례인 질소가스를 챔버(8) 내에 도입하는 측방도입관(25)이 설치되어 있다. 측방도입관(25)에는, 측방가스밸브(26)를 통하여 질소가스가 공급된다. 측방도입관(25)은 측벽(10)을 관통하여 있다. 측방도입관(25)의 챔버(8) 내에 접하는 단면은 측벽(10)의 내면과 대략 동일 평면으로 되어 있다. 측벽(10)의 내면에는, 그 내면의 대략 전체 영역을 덮는 크기의 확산판(27)이 설치되어 있다. 확산판(27)은 챔버(8) 내에 접하는 다수의 토출구(도시하지 않음)를 갖고 있다. 측방도입관(25)에 공급되는 질소가스는 확산판(27)의 다수의 토출구로부터 분산하여 토출된다. 따라서, 측방도입관(25)에 공급되는 질소가스는 챔버(8) 내에 있어서, 측벽(10)의 내면과 평행한 면내에서 대략 균일한 유속으로 되는 샤워 형상으로 확산된다.
또한, 챔버(8)의 상벽(11)을 관통하여, 시릴화제의 증기와 질소가스를 챔버(8) 내에 도입하는 시릴화제도입관(28)(시릴화제 공급유닛)이 설치되어 있다. 시릴화제도입관(28)에는, 시릴화제 밸브(29) 및 상방가스밸브(30)를 각각 통하여 시릴화제 및 질소가스가 공급된다. 시릴화제도입관(28)의 챔버(8) 내에 접하는 단면은 상벽(11)의 내면(하면)과 대략 동일 평면으로 되어 있다. 상벽(11)의 내면에는, 기판(W)보다도 큰 직경을 갖는 원판 형상의 확산판(31)이 설치되어 있다. 이 확산판(31)은 챔버(8) 내에 접하는 다수의 토출구(도시하지 않음)를 갖고 있다. 시릴화제도입관(28)에 공급되는 시릴화제 및 질소가스는 확산판(31)의 다수의 토출구로부터 분산하여 토출된다. 따라서, 시릴화제도입관(28)에 공급되는 시릴화제 및 질소가스는 챔버(8) 내에 있어서, 상벽(11)의 내면과 평행한 면내에서 대략 균일한 유속으로 되는 샤워형상으로 확산된다.
시릴화제로서는, 예를 들면, TMSI(N-Trimethylsilyimidazole), BSTFA(N, O-bis［Trimethylsilyl］trifluoroacetamide), BSA(N, 0-bis［Trimethylsilyl］acetamide), MSTFA(N-Methyl-N-trimethylsilyl-trifluoacetamide), TMSDMA(N- Trimethylsilyldimethylamine), TMSDEA(N-Trimethylsilyldiethylamine), MTMSA(N,0-bis(trimethylsilyl) trifluoroacetamide), TMCS(with base)(Trimethylchlorosilane), HMDS(Hexamethyldisilazane), 소수기를 갖는 아민, 유기 실리콘 화합물, TMS(tetramethylsilane), 불소화 알킬클로로실란, 알킬디실라잔, 디메틸 시릴 디메틸 아민, 디메틸 시릴 디에틸 아민, 비스(디메틸아미노) 디메틸실란, 및 오르가노실란 화합물을 들 수 있다. 시릴화제도입관(28)에는, 이러한 시릴화제 중 어느 하나의 증기가 공급된다. 시릴화제도입관(28)에 공급되는 시릴화제의 증기는 시릴화제의 미립자만을 포함하는 것이어도 좋고, 시릴화제의 미립자와 캐리어 가스(예를 들면, 불활성 가스)를 포함하는 것이어도 좋다.
또한, 챔버(8)의 저벽(12)에는, 기판유지대(14)의 주위를 둘러싸는 평면에서 보아 원환(圓環)형상의 주위(周圍)배기구(32)가 형성되어 있다. 주위배기구(32)에는, 선단이 배기원(도시하지 않음)에 접속된 배기관(33)의 기단(起端)이 접속되어 있다. 배기관(33)의 도중부(途中部)에는, 주위(周圍)배기밸브(34)가 개재 장착되어 있다. 주위배기밸브(34)가 열리면, 챔버(8) 내의 분위기가 주위배기구(32)로부터 배기되며, 주위배기밸브(34)가 닫혀지면, 주위배기구(32)로부터의 배기가 정지된다.
또한, 챔버(8)의 저벽(12)에는, 주위배기구(32)의 외측에서, 측벽(9)을 따라 뻗는 평면에서 보아 대략 직사각 형상의 게이트측 배기구(35)가 형성되어 있다. 게이트측 배기구(35)에는, 선단이 배기원(도시하지 않음)에 접속된 배기관(36)의 기단이 접속되어 있다. 배기관(36)의 도중부에는, 게이트측 배기밸브(37)가 개재 장착되어 있다. 게이트측 배기밸브(37)가 열리면, 챔버(8) 내의 분위기가 게이트측 배기구(35)로부터 배기되며, 게이트측 배기밸브(37)이 닫혀지면, 게이트측 배기구(35)로부터의 배기가 정지된다.
다음으로, 시릴화유닛(7a)에서 행하여지는 기판(W) 처리의 일례에 대하여 설명한다.
센터로봇(CR)은 시릴화유닛(7a) 내에 기판(W)을 반입한다. 시릴화유닛(7a) 내에의 기판(W)의 반입에 앞서서, 게이트 개폐기구(24)가 제어장치(4)에 의해 구동된다. 이에 의해, 게이트 셔터(23)가 개방 위치에 배치되어, 게이트(22)가 개방된다. 게이트(22)가 개방되고 있는 동안, 측방가스밸브(26)가 제어장치(4)에 의해 열려, 측방도입관(25)으로부터 챔버(8) 내에 질소가스가 도입된다. 또한 게이트측 배기밸브(37)가 제어장치(4)에 의해 열려, 챔버(8) 내의 분위기가 게이트측 배기구(35)로부터 배기된다. 이에 의해, 기판유지대(14)의 게이트(22)와 반대측, 즉 측벽(10)측으로부터 게이트(22)로 향하는 질소가스의 기류가 챔버(8) 내에 형성되고, 이 기류에 의해, 챔버(8) 외부의 분위기가 챔버(8) 내에 유입되는 것이 방지된다. 게이트(22)가 개방되고 있는 동안, 시릴화제 밸브(29), 상방가스밸브(30) 및 주위배기밸브(34)는 닫혀져 있다.
또한, 시릴화유닛(7a) 내에의 기판(W)의 반입에 앞서서, 리프트핀 승강기구(21)가 제어장치(4)에 의해 구동된다. 이에 의해, 리프트핀(19)은, 그 선단이 기판유지대(14)의 위쪽으로 돌출하는 위치에 배치된다. 그리고, 기판(W)이 센터로봇(CR)에 의해 챔버(8) 내에 반입된다. 챔버(8) 내에 반입된 기판(W)은 센터로봇(CR)에 의해 리프트핀(19) 상에 재치된다. 그 후, 센터로봇(CR)이 챔버(8) 내로부터 퇴피된다. 센터로봇(CR)이 챔버(8) 내로부터 퇴피된 후는, 게이트 개폐기구(24)가 제어장치(4)에 의해 구동된다. 이에 의해, 게이트 셔터(23)가 폐쇄 위치에 배치되어, 게이트(22)가 게이트 셔터(23)에 의해 밀폐된다.
게이트(22)가 밀폐된 후는, 제어장치(4)는 측방가스밸브(26) 및 게이트측 배기밸브(37)를 닫아 상방가스밸브(30) 및 주위배기밸브(34)를 연다. 이에 의해, 시릴화제도입관(28)으로부터 챔버(8) 내에 질소가스가 도입됨과 함께, 챔버(8) 내의 분위기가 주위배기구(32)로부터 급속히 배기된다. 그 결과, 챔버(8) 내의 분위기는 시릴화제도입관(28)으로부터 도입되는 질소가스로 단시간에 치환된다. 또한, 챔버(8) 내의 분위기가 질소가스 분위기로 치환되는 것과 병행하여, 리프트핀 승강기구(21)가 제어장치(4)에 의해 구동된다. 이에 의해, 리프트핀(19)은, 그 선단이 기판유지대(14)의 아래쪽으로 퇴피되는 위치로 하강된다. 이 리프트핀(19)의 하강에 의해, 리프트핀(19) 상의 기판(W)이 기판유지대(14) 상으로 이재(移載)된다. 이에 의해, 기판(W)이 유지 위치(P1)에서 기판유지대(14)에 유지된다.
기판(W)이 기판유지대(14) 상에 이재된 후는, 제어장치(4)는 상방가스밸브(30)를 닫아 시릴화제 밸브(29)를 연다. 이에 의해, 시릴화제도입관(28)으로부터 챔버(8) 내에 시릴화제가 도입되고, 이 시릴화제의 증기가 기판(W)의 상면에 공급된다. 또한, 시릴화제의 공급과 병행하여, 기판회전기구(16)가 제어장치(4)에 의해 구동되어, 기판(W)이 회전된다. 이에 의해, 시릴화제가 기판(W) 상면의 전체 영역에 얼룩 없이 공급된다. 또한 시릴화제의 공급과 병행하여, 히터(17)가 제어장치(4)에 의해 구동되어, 상온(실온과 같음. 예를 들면, 20℃∼30℃)보다 높은 온도까지 기판(W)이 가열된다. 기판유지대(14)에 유지된 기판(W)은 시릴화제의 공급에 의해 시릴화된다.
시릴화제의 공급이 소정 시간에 걸쳐 행하여지면, 리프트핀 승강기구(21)가 제어장치(4)에 의해 구동된다. 이에 의해, 리프트핀(19)이 상승되어 기판(W)이 기판유지대(14)에 대하여 위쪽으로 이간(離間)되는 위치(예를 들면, 센터로봇(CR)과의 사이에 기판(W)의 주고받기가 가능한 위치)까지 들어 올려진다. 그리고, 제어장치(4)가 시릴화제 밸브(29)를 닫아 상방가스밸브(30)를 연다. 이에 의해, 시릴화제도입관(28)으로부터 챔버(8) 내에 상온의 질소가스가 도입되어, 이 질소가스가 기판(W)의 상면에 공급된다. 그 결과, 고온의 기판(W)은 상온의 질소가스에 의해 냉각된다. 기판(W)이 질소가스에 의해 냉각되고 있는 동안, 주위배기밸브(34)는 열린 채로 있다. 그 때문에, 챔버(8) 내의 분위기는 시릴화제도입관(28)으로부터 도입되는 질소가스로 급속히 치환된다.
챔버(8) 내의 분위기가 질소가스 분위기로 치환된 후는, 게이트 개폐기구(24)가 제어장치(4)에 의해 구동된다. 이에 의해, 게이트 셔터(23)가 개방 위치에 배치되어 게이트(22)가 개방된다. 또한, 게이트(22)가 개방되면, 제어장치(4)는 상방가스밸브(30) 및 주위배기밸브(34)를 닫아, 측방가스밸브(26) 및 게이트측 배기밸브(37)를 연다. 이에 의해, 측벽(10)측으로부터 게이트(22)로 향하는 질소가스의 기류가 챔버(8) 내에 형성되고, 이 기류에 의해, 챔버(8) 외부의 분위기가 챔버(8) 내에 유입되는 것이 방지된다. 이 상태에서, 리프트핀(19)에 의해 지지된 기판(W)이 센터로봇(CR)에 의해 챔버(8)로부터 반출된다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 에칭유닛(7b)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 이하에서는, 에칭유닛(7b)의 개략 구성, 및 에칭유닛(7b)에서 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례에 대하여 설명한다. 최초로, 에칭유닛(7b)의 개략 구성에 대하여 설명한다.
에칭유닛(7b)은 기판(W)을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀척(38)(기판유지유닛)과, 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면에 에칭제로서 에칭액을 공급하는 에칭제노즐(39)(에칭제 공급유닛)과, 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면에 린스액을 공급하는 린스액노즐(40)과, 스핀척(38), 에칭제노즐(39), 및 린스액노즐(40)을 수용하는 챔버(41)를 구비하고 있다.
스핀척(38)은 기판(W)을 수평으로 유지하여 그 기판(W)의 중심을 통과하는 연직축선 둘레로 회전 가능한 원반형상의 스핀베이스(42)와, 이 스핀베이스(42)를 연직축선 둘레로 회전시키는 스핀모터(43)를 포함한다. 스핀척(38)은 기판(W)을 수평 방향으로 끼워 그 기판(W)을 수평으로 유지하는 협지식(挾持式)의 척이어도 좋고, 비(非)디바이스 형성면인 기판(W)의 이면(하면)을 흡착함으로써 그 기판(W)을 수평으로 유지하는 진공식의 척이어도 좋다. 제1 실시형태에서는, 스핀척(38)은 협지식의 척이다. 스핀척(38)은 유지 위치(P2)에서 기판(W)을 수평으로 유지한다. 제1 실시형태에서는, 유지 위치(P2)는 에칭 위치이다.
에칭제노즐(39)는 에칭제밸브(44)가 개재 장착된 에칭제공급관(45)에 접속되어 있다. 에칭제노즐(39)에의 에칭액의 공급은 에칭제밸브(44)의 개폐에 의해 제어된다. 에칭제노즐(39)에 공급된 에칭액은 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면 중앙부를 향하여 토출된다. 에칭제노즐(39)에 공급되는 에칭액으로서는, 상온으로부터 70℃의 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액, 고온(예를 들면, 120℃∼190℃)의 인산 수용액, 및 상온 또는 고온(상온보다 높은 온도)의 불화수소산을 들 수 있다.
린스액노즐(40)은 린스액밸브(46)가 개재 장착된 린스액공급관(47)에 접속되어 있다. 린스액노즐(40)에의 린스액의 공급은 린스액밸브(46)의 개폐에 의해 제어된다. 린스액노즐(40)에 공급된 린스액은 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면 중앙부를 향하여 토출된다. 린스액노즐(40)에 공급되는 린스액으로서는, 순수(탈이온수), 탄산수, 전해이온수, 수소수, 오존수나, 희석 농도(예를 들면, 10∼100 ppm 정도)의 염산수 등을 예시할 수 있다.
챔버(41)는 챔버(41) 내에 대한 기판(W)의 반입/반출을 위한 통로(48)가 형성된 격벽(49)과, 이 통로(48)를 덮는 게이트 셔터(50)를 포함한다. 게이트 셔터(50)는 격벽(49) 바깥에 배치되어 있다. 게이트 셔터(50)에는, 실린더를 포함한 게이트 개폐기구(51)가 결합되어 있다. 게이트 개폐기구(51)는, 게이트 셔터(50)가 격벽(49) 외면에 밀착하여 통로(48)를 밀폐하는 폐쇄 위치와, 게이트 셔터(50)가 격벽(49) 측방으로 이간되면서 하강하여 통로(48)를 크게 개방하는 개방 위치 사이로, 게이트 셔터(50)를 이동시킨다.
다음으로, 에칭유닛(7b)에서 행하여지는 기판(W) 처리의 일례에 대하여 설명한다.
센터로봇(CR)은 에칭유닛(7b) 내에 기판(W)을 반입한다. 에칭유닛(7b) 내에의 기판(W)의 반입에 앞서서, 게이트 개폐기구(51)가 제어장치(4)에 의해 구동된다. 이에 의해, 게이트 셔터(50)가 개방 위치에 배치되어, 챔버(41)의 통로(48)가 개방된다. 그 후, 센터로봇(CR)이 챔버(41) 내에 기판(W)을 반입하고, 이 기판(W)을 스핀척(38) 상에 재치한다. 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 스핀척(38) 상에 기판(W)을 재치시킨 후, 챔버(41) 내에서 센터로봇(CR)을 퇴피시킨다. 그 후, 게이트 개폐기구(51)가 제어장치(4)에 의해 구동되어, 게이트 셔터(50)가 폐쇄 위치에 배치된다. 이에 의해, 챔버(41)의 통로(48)가 게이트 셔터(50)에 의해 밀폐된다. 챔버(41)의 통로(48)가 밀폐된 후, 제어장치(4)는 스핀모터(43)를 제어함으로써, 스핀척(38)에 유지된 기판(W)을 회전시킨다.
다음으로, 에칭액을 기판(W)에 공급하여, 기판(W)을 에칭하는 에칭 처리가 행하여진다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 스핀척(38)에 의해 기판(W)을 회전시키면서, 에칭제밸브(44)를 열어, 에칭제노즐(39)로부터 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면 중앙부를 향하여 에칭액을 토출시킨다. 에칭제노즐(39)로부터 토출된 에칭액은 기판(W)의 상면 중앙부에 공급되어, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 기판(W)의 상면을 따라 바깥쪽으로 퍼진다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전체 영역에 에칭액이 공급되어, 기판(W)의 상면 전체 영역이 에칭된다. 그리고, 에칭제밸브(44)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어장치(4)는 에칭제밸브(44)를 닫아 에칭제노즐(39)로부터의 에칭액의 토출을 정지시킨다.
다음으로, 린스액을 기판(W)에 공급하여, 기판(W)에 부착되어 있는 에칭액을 씻어내는 린스 처리가 행하여진다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 스핀척(38)에 의해 기판(W)을 회전시키면서, 린스액밸브(46)를 열어, 린스액노즐(40)로부터 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면 중앙부를 향하여 린스액을 토출시킨다. 린스액노즐(40)로부터 토출된 린스액은 기판(W)의 상면 중앙부에 공급되어, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 기판(W)의 상면을 따라 바깥쪽으로 퍼진다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전체 영역에 린스액이 공급되어, 기판(W)에 부착되어 있는 에칭액이 씻겨진다. 그리고, 린스액밸브(46)이 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어장치(4)는 린스액밸브(46)를 닫아 린스액노즐(40)로부터의 린스액의 토출을 정지시킨다.
다음으로, 기판(W)을 건조시키는 건조 처리(스핀 드라이)가 행하여진다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 스핀모터(43)를 제어하여, 기판(W)을 고회전 속도(예를 들면, 수천 rpm)로 회전시킨다. 이에 의해, 기판(W)에 부착되어 있는 린스액에 큰 원심력이 작용하여, 그 린스액이 기판(W)의 주위로 털어내진다. 이와 같이 하여, 기판(W)으로부터 린스액이 제거되어 기판(W)이 건조된다. 건조 처리가 소정 시간에 걸쳐 행해진 후는, 제어장치(4)는 스핀모터(43)를 제어하여, 스핀척(38)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 그 후, 게이트 개폐기구(51)가 제어장치(4)에 의해 구동되어, 게이트 셔터(50)가 개방 위치에 배치된다. 이에 의해, 챔버(41)의 통로(48)가 개방된다. 그 후, 스핀척(38)에 유지된 기판(W)이 센터로봇(CR)에 의해 챔버(41) 내로부터 반출된다.
도 4(a) - 4(d)는 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(1)에 의해 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는, 산화막의 일례인 SiO2막과, 질화막의 일례인 SiN막이 형성된 기판(W)의 표면에 에칭제를 공급하여, SiN막을 선택적으로 제거하는 선택 에칭의 일례에 대하여 설명한다. 기판(W)의 표면에 형성된 산화막은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)를 사용하여 형성된 막(TEOS막)이어도 좋다. 이하에서는, 도 1 및 도 4(a) - 도 4(d)를 참조한다.
캐리어 유지부(5)에 유지된 캐리어(C) 내에 수용된 미처리의 기판(W)은 인덱서로봇(IR)에 의해 반출된다. 그리고, 캐리어(C) 내로부터 반출된 기판(W)은 인덱서로봇(IR)으로부터 센터로봇(CR)에 건네진다. 센터로봇(CR)은 인덱서로봇(IR)으로부터 받은 미처리의 기판(W)을 시릴화유닛(7a) 내에 반입한다.
도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 시릴화유닛(7a)에서는, 전술한 바와 같이 하여 시릴화제의 증기가 기판(W)에 공급되어, 기판(W)이 시릴화된다(시릴화 처리. 시릴화 공정). 구체적으로는, 시릴화제의 일례인 HMDS의 증기가 기판유지대(14)에 유지 위치(P1)에서 유지된 기판(W)의 표면에 공급되어, 기판(W)의 표면이 시릴화된다. 그리고, 기판(W)의 표면이 시릴화된 후는, 시릴화유닛(7a) 내에 배치된 기판(W)이 센터로봇(CR)에 의해 시릴화유닛(7a) 내로부터 반출된다. 시릴화유닛(7a) 내로부터 반출된 기판(W)은 센터로봇(CR)에 의해, 에칭유닛(7b) 내에 반입된다.
도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 에칭유닛(7b)에서는, 전술한 바와 같이 하여 에칭제가 기판(W)에 공급되어, 기판(W)이 에칭된다(에칭 처리. 에칭 공정). 구체적으로는, 에칭제의 일례인 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액이 스핀척(38)에 유지 위치(P2)에서 유지된 기판(W)의 표면에 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면에 형성된 SiN막이 선택적으로 제거된다. 그 후, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 린스액의 일례인 순수가 스핀척(38)에 유지 위치(P2)에서 유지된 기판(W)의 표면에 공급되어, 기판(W)의 표면에 부착되어 있는 에칭제가 씻겨진다(린스 처리. 린스 공정). 그리고, 도 4(d)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 고속 회전에 의해 기판(W)에 부착되어 있는 린스액이 기판(W)으로부터 제거된다. 이에 의해, 스핀척(38)에 유지 위치(P2)에서 유지된 기판(W)이 건조된다(건조 처리. 건조 공정).
에칭유닛(7b)에서 건조 처리가 행하여진 후는, 센터로봇(CR)에 의해 에칭유닛(7b) 내로부터 기판(W)이 반출된다. 그리고, 에칭유닛(7b) 내로부터 반출된 기판(W)은 센터로봇(CR)으로부터 인덱서로봇(IR)에 건네진다. 인덱서로봇(IR)은 센터로봇(CR)으로부터 받은 처리가 끝난 기판(W)을 캐리어 유지부(5)에 유지된 캐리어(C)에 반입한다. 이에 의해, 기판처리장치(1)에서의 일련의 처리가 종료된다. 제어장치(4)는 이러한 동작을 반복하여 실행시켜, 복수매의 기판(W)을 1매씩 처리시킨다.
도 5는 시릴화되지 않은 기판(W)을 에칭하였을 때의 에칭 시간과 에칭량 및 선택비와의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 6은 시릴화된 기판(W)을 에칭하였을 때의 에칭 시간과 에칭량 및 선택비와의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 5는 비교예의 그래프이며, 도 6은 본 발명의 실시예의 그래프이다.
도 5 및 도 6에서는, SiO2막과 SiN막이 형성된 기판(W)의 표면에, 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함한 수용액을 공급하여, 기판(W)을 에칭하였을 때의 에칭량 및 선택비가 나타나 있다. 기판(W)의 에칭에 이용된 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함한 수용액은 50%의 불화수소산(불화수소의 수용액)과 100%의 에틸렌글리콜이 4：96(불화수소산이 4이고, 에틸렌글리콜이 96)의 비율로 혼합되어, 60℃로 온도 조정된 것이다.
도 6에 나타내는 에칭량 및 선택비는 에칭액을 기판(W)에 공급하기 전에, HMDS를 기판(W)에 공급하였을 때의 값이다. 즉, 도 5에 나타내는 에칭량 및 선택비는 시릴화되지 않은 기판(W)을 에칭하였을 때의 값이며, 도 6에 나타내는 에칭량 및 선택비는 시릴화된 기판(W)을 에칭하였을 때의 값이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 시릴화되지 않은 기판(W)을 에칭한 경우, SiO2막 및 SiN막의 에칭량은 처리 시간의 증가에 따라 증가되고 있어, 그 변화의 비율은 대략 같다. 따라서, 시릴화되지 않은 기판(W)을 에칭한 경우, 선택비(질화막의 제거량/산화막의 제거량)는 처리 시간에 관계없이 대략 일정하다.
한편, 도 6에 나타내는 바와 같이, 시릴화된 기판(W)을 에칭한 경우, SiN막의 에칭량은 처리 시간의 증가에 따라 증가되고 있지만, SiO2막의 에칭량은 처리 시간에 관계없이 대략 일정하다. 따라서, 시릴화된 기판(W)을 에칭한 경우, 선택비는 처리 시간의 증가에 따라 증가되고 있다.
시릴화되지 않은 기판(W)을 에칭하였을 때의 SiN막의 에칭량과 시릴화된 기판(W)을 에칭하였을 때의 SiN막의 에칭량을 비교하면, 처리 시간이 같으면 양자는 대부분 변하지 않다. 한편, 시릴화되지 않은 기판(W)을 에칭하였을 때의 SiO2막의 에칭량과 시릴화된 기판(W)을 에칭하였을 때의 SiO2막의 에칭량을 비교하면, 기판(W)이 시릴화되어 있는 경우의 쪽이 적다. 즉, 산화막은 수산기(OH기)를 갖고 있으므로, 시릴화제와 반응하지만, 질화막은 수산기를 갖지 않기 때문에, 시릴화제와 반응하지 않는다. 그 때문에, 시릴화제를 기판(W)에 공급한 후에 에칭액을 기판(W)에 공급하면, 산화막의 에칭이 시릴화제의 공급에 의해 억제된다. 따라서, 시릴화제를 기판(W)에 공급한 후에 에칭액을 기판(W)에 공급함으로써, 선택비를 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 제1 실시형태에서는, 시릴화제를 기판(W)에 공급한 후에, 에칭제로서 에칭액을 기판(W)에 공급한다. 따라서, 시릴화된 기판(W)이 에칭된다. 전술한 바와 같이 산화막과 질화막이 형성된 기판(W)을 시릴화함으로써, 산화막이 에칭되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 시릴화된 기판(W)을 에칭함으로써, 선택비를 향상시킬 수 있다.
또 제1 실시형태에서는, 기판(W)에 공급되는 시릴화제가 시릴화제의 일례인 비수용성의 시릴화제를 포함하므로, 비수용성의 시릴화제가 기판(W)에 공급된다. 또한 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함한 수용액 등의 물을 포함한 에칭액이 기판(W)에 공급된다. 따라서, 제1 실시형태에서는, 비수용성의 시릴화제가 기판(W)에 공급된 후에, 물을 포함한 에칭제가 그 기판(W)에 공급된다. 이 경우, 시릴화제가 비수용성이기 때문에, 기판(W)에 부착되어 있는 시릴화제는 기판(W)에 공급된 에칭액에 녹지 않는다. 따라서, 산화막의 에칭이 억제되는 상태를 유지할 수 있다. 이에 의해, 선택비의 저하를 억제 또는 방지할 수 있다.
［제2 실시형태］
다음으로, 본 발명의 제2 실시형태에 대하여 설명한다. 이 제2 실시형태와 전술한 제1 실시형태와의 주요한 차이점은 처리유닛의 구성이 다른 것이다. 즉, 제1 실시형태에서는, 복수의 처리유닛이 기판(W)을 시릴화하는 시릴화유닛과, 기판(W)을 에칭하는 에칭유닛을 포함하는 경우에 대하여 설명하였지만, 제 2 실시형태에서는, 복수의 처리유닛이 기판(W)을 시릴화함과 함께 기판(W)을 에칭하는 시릴화·에칭유닛을 포함한다. 이하의 도 7∼도 10(d)에 있어서, 전술한 도 1∼도 6에 나타난 각 부(部)와 동등한 구성부분에 대하여는 도 1 등과 동일한 참조부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태에 의한 기판처리장치(201)의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
제2 실시형태에 의한 기판처리장치(201)는 복수의 처리유닛을 제외하고, 제1 실시형태에 의한 기판처리장치(1)와 같은 구성을 구비하고 있다. 즉, 기판처리장치(201)는 제1 실시형태에 의한 복수의 처리유닛(7)을 대신하여, 복수의 처리유닛(207)을 포함한다. 복수의 처리유닛(207)은 평면에서 보아, 센터로봇(CR)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 복수의 처리유닛(207)은 기판(W)을 시릴화함과 함께 기판(W)을 에칭하는 시릴화·에칭유닛(207a)을 포함한다. 제2 실시형태에서는, 모든 처리유닛(207)이 시릴화·에칭유닛(207a)이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 의한 시릴화·에칭유닛(207a)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 도 9는 본 발명의 제2 실시형태에 의한 차단판(252) 및 이에 관련하는 구성의 저면도이다. 이하에서는, 도 8을 참조한다. 도 9에 대하여는 적당히 참조한다.
시릴화·에칭유닛(207a)은 스핀척(38)과, 에칭제노즐(39)과, 린스액노즐(40)과, 챔버(41)를 구비하고 있다. 제2 실시형태에서는, 스핀척(38)에 의해, 기판유지유닛이 구성되어 있다. 시릴화·에칭유닛(207a)은 챔버(41) 내에서 스핀척(38)의 위쪽에 배치된 차단판(252)과, 챔버(41)의 상부로부터 챔버(41) 내에 클린 에어(clean air)를 공급하는 팬·필터·유닛(253)(FFU(253))과, 챔버(41)의 하부로부터 챔버(41) 내의 분위기를 배출하는 배기기구(도시하지 않음)를 더 구비하고 있다. FFU(253) 및 배기기구는 항시 구동되어 있어, 챔버(41)의 상부로부터 챔버(41)의 하부로 향하여 흐르는 기류를 챔버(41) 내에 형성하고 있다.
차단판(252)은 수평으로 배치된 원판부(254)와, 원판부(254)의 바깥 둘레를 따라 설치된 통형상부(255)와, 원판부(254)에 접속된 히터(256)를 포함한다. 통형상부(255)는 원판부(254)의 바깥 둘레로부터 하부로 향하여 연직(鉛直)으로 뻗어 있다. 통형상부(255)는 원통형이다. 원판부(254)와 통형상부(255)는 동축(同軸)이다. 원판부(254)는 기판(W)의 직경보다도 큰 직경을 갖고 있다. 통형상부(255)는 스핀베이스(42)보다도 큰 내경을 갖고 있다. 원판부(254)는 수평인 자세로 지축(支軸)(257)의 하단부에 연결되어 있다. 차단판(252)의 중심축선은 스핀척(38)의 회전축선 상에 배치되어 있다. 차단판(252)은 원판부(254)의 하면이 수평으로 되도록 배치되어 있다. 기판(W)이 스핀척(38)에 유지되어 있는 상태에서는, 원판부(254)의 하면이 기판(W)의 상면에 대향한다.
원판부(254)는 원판부(254)의 중앙부를 연직 방향으로 관통하는 관통공을 갖고 있다. 이 관통공은 원판부(254)의 하면 중앙부에서 개구되어 있다. 지축(257)은 중공축(中空軸)이며, 지축(257)의 내부 공간은 관통공에 연통되어 있다. 지축(257)에는, 시릴화제도입관(258)(시릴화제 공급유닛)이 비접촉 상태로 삽입 통과되어 있고, 시릴화제도입관(258)의 하단은 관통공 내에 이르고 있다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 시릴화제도입관(258)의 하단에는, 시릴화제를 토출하는 시릴화제토출구(259)와, 질소가스를 토출하는 중심가스토출구(260)가 형성되어 있다. 또한, 지축(257)과 시릴화제도입관(258) 사이에는, 시릴화제도입관(258)을 둘러싸는 통형상의 가스공급로(261)가 형성되어 있다. 가스공급로(261)의 하단은 원판부(254)의 하면에서 개구되어 있다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 가스공급로(261)의 하단은 질소가스를 토출하는 환형상(環狀) 가스토출구(262)를 형성하고 있다.
시릴화제도입관(258)에는, 시릴화제공급관(263) 및 제1 가스공급관(264)이 접속되어 있다. 시릴화제도입관(258)에는, 시릴화제공급관(263) 및 제1 가스공급관(264)을 각각 통하여 시릴화제 및 질소가스가 공급된다. 시릴화제도입관(258)에 공급되는 시릴화제는 시릴화제의 증기이어도 좋고, 시릴화제의 액체이어도 좋다. 시릴화제공급관(263)에는, 시릴화제도입관(258)에의 시릴화제의 공급 및 공급 정지를 제어하는 시릴화제밸브(265)가 개재 장착되어 있고, 제1 가스공급관(264)에는, 시릴화제도입관(258)에의 질소가스의 공급 및 공급 정지를 제어하는 제1 가스밸브(266)가 개재 장착되어 있다.
또한, 지축(257)의 상단부에는, 제2 가스밸브(267)가 개재 장착된 제2 가스공급관(268)이 접속되어 있다. 가스공급로(261)에는, 이 제2 가스공급관(268)을 통하여 질소가스가 공급된다. 가스공급로(261)에 공급된 질소가스는 환형상 가스토출구(262)로부터 하부로 토출된다.
지축(257)은 차단판승강기구(269)에 결합되어 있다. 차단판승강기구(269)는 원판부(254)의 하면이 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면에 근접하는 근접 위치(도 10(a)에 나타내는 위치)와, 원판부(254)의 하면이 스핀척(38)의 위쪽으로 크게 퇴피한 퇴피 위치(도 8에 나타내는 위치) 사이에서, 지축(257) 및 차단판(252)을 일체적으로 승강시킨다. 차단판(252)이 근접 위치에 위치하는 상태에서는, 원판부(254)의 하면이 기판(W)의 상면에 근접함과 함께, 차단판(252)의 통형상부(255)가 기판(W)의 주위를 둘러싼다.
도 10(a) - 도 10(d)는 본 발명의 제2 실시형태에 의한 기판처리장치(201)에 의해 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는, 산화막의 일례인 SiO2막과, 질화막의 일례인 SiN막이 형성된 기판(W)의 표면에 에칭제로서 에칭액을 공급하여, SiN막을 선택적으로 제거하는 선택 에칭의 일례에 대하여 설명한다. 또한, 이하에서는, 도 7, 도 8, 및 도 10(a) - 도 10(d)를 참조한다.
캐리어 유지부(5)에 유지된 캐리어(C) 내에 수용된 미처리의 기판(W)은 인덱서로봇(IR)에 의해 반출된다. 그리고, 캐리어(C) 내로부터 반출된 기판(W)은 인덱서로봇(IR)으로부터 센터로봇(CR)에 건네진다. 센터로봇(CR)은 인덱서로봇(IR)으로부터 받은 미처리의 기판(W)을 시릴화·에칭유닛(207a) 내에 반입한다.
구체적으로는, 시릴화·에칭유닛(207a) 내에의 기판(W)의 반입에 앞서서, 게이트 개폐기구(51)가 제어장치(4)에 의해 구동된다. 이에 의해, 게이트 셔터(50)가 개방 위치에 배치되어, 챔버(41)의 통로(48)가 개방된다. 그 후, 센터로봇(CR)이 챔버(41) 내에 기판(W)을 반입하여, 이 기판(W)을 스핀척(38) 상에 재치(載置)한다. 기판(W)이 스핀척(38) 상에 재치될 때, 차단판(252)은 스핀척(38)의 위쪽으로 크게 퇴피한 퇴피 위치에 배치되어 있다.
제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 스핀척(38) 상에 기판(W)을 재치시킨 후, 챔버(41) 내에서 센터로봇(CR)을 퇴피시킨다. 그 후, 게이트 개폐기구(51)가 제어장치(4)에 의해 구동되어, 게이트 셔터(50)가 폐쇄 위치에 배치된다. 이에 의해, 챔버(41)의 통로(48)가 게이트 셔터(50)에 의해 밀폐된다. 챔버(41)의 통로(48)가 밀폐된 후는, 제어장치(4)는 스핀모터(43)를 제어함으로써, 스핀척(38)에 유지된 기판(W)을 회전시킨다.
다음으로, 도 10(a)에 나타내는 바와 같이, 시릴화제를 기판(W)에 공급하여, 기판(W)을 시릴화하는 시릴 처리(시릴화 공정)가 행하여진다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 차단판승강기구(269)를 제어함으로써, 차단판(252)을 퇴피 위치로부터 근접 위치로 이동시킨다. 이에 의해, 차단판(252)의 원판부(254)의 하면이 기판(W)의 상면에 근접함과 함께, 차단판(252)의 통형상부(255)가 기판(W)의 주위를 둘러싼다. 제어장치(4)는, 차단판(252)이 근접 위치에 위치하는 상태에서, 제1 가스밸브(266) 및 제2 가스밸브(267)를 열어, 중심가스토출구(260) 및 환형상 가스토출구(262)로부터 질소가스를 토출시킨다. 이에 의해, 원판부(254)와 스핀베이스(42) 사이의 분위기(수분을 포함하는 분위기)가 질소가스 분위기로 치환된다.
이어서, 제어장치(4)는, 차단판(252)이 근접 위치에 위치하는 상태에서, 시릴화제밸브(265)를 열어, 시릴화제의 일례인 HMDS의 액체를 시릴화제토출구(259)로부터 토출시킨다. 시릴화제토출구(259)로부터 토출된 HMDS는 기판(W)의 상면 중앙부에 공급되어, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 기판(W)의 상면을 따라 바깥쪽으로 퍼진다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전체 영역에 HMDS가 공급되어, 기판(W)의 상면 전체 영역이 시릴화된다. 그리고, 시릴화제밸브(265)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어장치(4)는 시릴화제밸브(265)를 닫아 시릴화제토출구(259)로부터의 HMDS의 토출을 정지시킨다. HMDS가 기판(W)에 공급되고 있는 동안, 히터(256)가 제어장치(4)에 의해 구동되어, 기판(W)이 가열되어도 좋다.
HMDS의 토출이 정지된 후는, 제어장치(4)는, 차단판(252)이 근접 위치에 위치하는 상태에서, 다시, 제1 가스밸브(266) 및 제2 가스밸브(267)를 열어, 중심가스토출구(260) 및 환형상 가스토출구(262)로부터 질소가스를 토출시킨다. 이에 의해, 원판부(254)와 스핀베이스(42) 사이의 분위기가 질소가스 분위기로 치환된다. 또한, 질소가스의 공급에 의해 원판부(254)와 스핀베이스(42) 사이로부터 배출된 분위기는 배기기구(도시하지 않음)에 의해 챔버(41) 내로부터 배출된다.
이와 같이, HMDS가 기판(W)에 공급되기 전에, 수분을 포함하는 분위기가 기판(W)의 근방으로부터 제거된다. 이에 의해, HMDS가 물과 반응하여 암모니아 가스가 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, HMDS가 기판(W)에 공급된 후에, 차단판(252)과 스핀베이스(42) 사이의 분위기가 챔버(41) 내로부터 제거된다. 따라서, HMDS와 기판(W)과의 반응에 의해 생성된 암모니아가스가 챔버(41) 내로부터 제거된다.
다음으로, 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 에칭제의 일례인, 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액을 기판(W)에 공급하여, 기판(W)을 에칭하는 에칭 처리(에칭 공정)가 행하여진다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 스핀척(38)에 의해 기판(W)을 회전시키면서, 에칭제밸브(44)를 열어, 에칭제노즐(39)로부터 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면 중앙부를 향하여 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액을 토출시킨다. 에칭제노즐(39)로부터 토출된 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액은 기판(W)의 상면 중앙부에 공급되어, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 기판(W)의 상면을 따라 바깥쪽으로 퍼진다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전체 영역에 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액이 공급되어, 기판(W)의 상면 전체 영역이 에칭된다. 그리고, 에칭제밸브(44)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어장치(4)는 에칭제밸브(44)를 닫아 에칭제노즐(39)로부터의 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액의 토출을 정지시킨다.
다음으로, 도 10(c)에 나타내는 바와 같이, 린스액의 일례인 순수를 기판(W)에 공급하여, 기판(W)에 부착되어 있는 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액을 씻어 내는 린스 처리(린스 공정)가 행하여진다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 스핀척(38)에 의해 기판(W)을 회전시키면서, 린스액밸브(46)를 열어, 린스액노즐(40)으로부터 스핀척(38)에 유지된 기판(W)의 상면 중앙부를 향하여 순수를 토출시킨다. 린스액노즐(40)로부터 토출된 순수는 기판(W)의 상면 중앙부에 공급되어, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 기판(W)의 상면을 따라 바깥쪽으로 퍼진다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전체 영역에 순수가 공급되어, 기판(W)에 부착되어 있는 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 혼합액이 씻겨진다. 그리고, 린스액밸브(46)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어장치(4)는 린스액밸브(46)를 닫아 린스액노즐(40)으로부터의 순수의 토출을 정지시킨다.
다음으로, 도 10(d)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)을 건조시키는 건조 처리(스핀 드라이.건조 공정)가 행하여진다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 스핀모터(43)를 제어하여, 기판(W)을 고회전 속도(예를 들면, 수천 rpm)로 회전시킨다. 이에 의해, 기판(W)에 부착되어 있는 순수에 큰 원심력이 작용하여, 그 순수가 기판(W)의 주위로 털어내진다. 이와 같이 하여, 기판(W)으로부터 순수가 제거되어 기판(W)이 건조된다. 건조 처리가 소정 시간에 걸쳐 행해진 다음은 제어장치(4)는 스핀모터(43)를 제어하여, 스핀척(38)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 그 후, 게이트 개폐기구(51)가 제어장치(4)에 의해 구동되어, 게이트 셔터(50)가 개방 위치에 배치된다. 이에 의해, 챔버(41)의 통로(48)가 개방된다.
챔버(41)의 통로(48)가 개방된 후는, 스핀척(38)에 유지된 기판(W)이 센터로봇(CR)에 의해 시릴화·에칭유닛(207a) 내로부터 반출된다. 그리고, 시릴화·에칭유닛(207a) 내로부터 반출된 기판(W)은 센터로봇(CR)으로부터 인덱서로봇(IR)에 건네진다. 인덱서로봇(IR)은 센터로봇(CR)으로부터 받은 처리가 끝난 기판(W)을 캐리어 유지부(5)에 유지된 캐리어(C)에 반입한다. 이에 의해, 기판처리장치(201)에서의 일련의 처리가 종료된다. 제어장치(4)는 이러한 동작을 반복하여 실행시켜, 복수매의 기판(W)을 1매씩 처리시킨다.
이상과 같이 제2 실시형태에서는, 시릴화제 및 에칭제가 스핀척(38)에 유지된 기판(W)에 공급된다. 즉, 제2 실시형태에서는, 시릴화 위치와 에칭 위치가 같은 위치이며, 기판(W)에 대한 시릴화제의 공급 및 에칭제의 공급이 같은 위치에서 행하여진다. 따라서, 기판(W)에 대한 시릴화제의 공급을 한 후에, 에칭 위치까지 기판(W)을 이동시키지 않아도 좋다. 이에 의해, 기판(W)의 반송 시간을 단축할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 처리 시간을 단축할 수 있다.
［제3 실시형태］
제2 실시형태에서는, 차단판(252)의 통형상부(255)가 원통형인 경우에 대하여 설명하였지만, 통형상부(255)는 원추대이어도 좋다. 구체적으로는, 도 11에 나타내는 제3 실시형태에 의한 차단판(352)과 같이 통형상부(355)는 원판부(254)의 바깥 둘레를 따라 설치되어 있고, 원판부(254)의 바깥 둘레로부터 바깥쪽으로 넓혀지도록 아래쪽으로 뻗어 있어도 좋다. 또한 통형상부(355)는 통형상부(355)의 하단에 가까워짐에 따라 두께가 감소하고 있어도 좋다.
［제4 실시형태］
다음으로, 본 발명의 제4 실시형태에 대하여 설명한다. 이 제4 실시형태와 전술한 제1 실시형태와의 주요한 차이점은, 에칭제의 증기에 의해 기판(W)이 에칭되는 것이다. 이하의 도 12∼도 18에 있어서, 전술한 도 1∼도 11에 나타난 각 부와 동등한 구성부분에 도 1 등과 동일한 참조부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
도 12는 본 발명의 제4 실시형태에 의한 기판처리장치(401)의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
기판처리장치(401)는 기판(W)을 처리하는 복수의 처리유닛(407)을 포함한다. 복수의 처리유닛(407)은 평면에서 보아, 센터로봇(CR)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 센터로봇(CR)은 인덱서로봇(IR)과 처리유닛(407) 사이로 기판(W)을 반송함과 함께, 복수의 처리유닛(407) 사이로 기판(W)을 반송한다. 복수의 처리유닛(407)은 기판(W)을 시릴화하는 시릴화유닛(407a)과, 기판(W)을 에칭하는 에칭유닛(407b)과, 린스액을 기판(W)에 공급함과 함께 그 기판(W)을 건조시키는 세정유닛(407c)을 포함한다.
도시하지 않았지만, 세정유닛(407c)은 스핀척(38)과, 린스액노즐(40)(린스액공급유닛)과, 챔버(41)를 구비하고 있다(도 3 참조). 세정유닛(407c)에서는, 린스액노즐(40)로부터 토출된 순수가 스핀척(38)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면 전체 영역에 공급됨으로써, 기판(W)에 부착되어 있는 액체나 이물질이 씻겨진다(린스 처리. 린스 공정). 그 후, 스핀척(38)이 기판(W)을 고회전 속도로 회전시킴으로써, 기판(W)으로부터 순수가 제거된다. 이에 의해, 기판(W)이 건조된다(건조 처리. 건조 공정).
도 13 및 도 14는 본 발명의 제4 실시형태에 의한 시릴화유닛(407a)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 이하에서는, 시릴화유닛(407a)의 개략 구성, 및 시릴화유닛(407a)에서 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례에 대하여 설명한다. 최초로, 시릴화유닛(407a)의 개략 구성에 대하여 설명한다.
시릴화유닛(407a)은 기판(W)을 유지하는 기판유지대(414)와, 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)을 가열하는 히터(417)와, 기판유지대(414)를 지지하는 지지부재(412)를 포함한다. 기판유지대(414)는 예를 들면, 기판(W)보다도 큰 직경을 갖는 원판형상의 플레이트이다. 히터(417)는 기판유지대(414)에 매설되어 있다. 기판(W)은 기판(W)의 중심과 기판유지대(414)의 중심이 공통의 연직축선 상에 위치하도록 기판유지대(414) 상에 수평으로 재치된다. 이에 의해, 기판(W)이 기판유지대(414)에 의해 유지 위치(P1)에서 수평으로 유지된다. 제4 실시형태에서는, 기판유지대(414)와, 후술하는 핫플레이트(478)에 의해, 기판유지유닛이 구성되어 있다. 기판유지대(414)는 지지부재(412)의 위쪽에 배치되어 있다. 지지부재(412)는 예를 들면, 기판유지대(414)보다도 큰 직경을 갖는 원판형상의 플레이트이다. 지지부재(412)의 외주부(外周部)는 기판유지대(414)보다 바깥쪽으로 돌출되어 있다.
또한, 시릴화유닛(407a)은 기판유지대(414)의 위쪽에서 기판(W)을 지지하는 복수의 리프트핀(419)과, 복수의 리프트핀(419)을 일체적으로 승강시키는 리프트핀 승강기구(421)를 더 포함한다. 각 리프트핀(419)은 연직 방향으로 뻗어 있다. 각 리프트핀(419)의 상단은 같은 높이에 배치되어 있다. 기판유지대(414) 및 지지부재(412)에는, 기판유지대(414) 및 지지부재(412)를 연직 방향으로 관통하는 복수의 관통공이 형성되어 있다. 리프트핀 승강기구(421)가 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치(도 13에 나타내는 위치)로부터 돌출 위치(도 14에 나타내는 위치)로 상승시키면, 복수의 리프트핀(419)이 각각 복수의 관통공에 삽입되어, 각 리프트핀(419)의 상단이 기판유지대(414)의 상면으로부터 돌출된다. 한편, 리프트핀 승강기구(421)가 복수의 리프트핀(419)을 돌출 위치로부터 퇴피 위치로 하강시키면, 각 리프트핀(419)의 상단이 기판유지대(414)의 상면보다 아래쪽으로 이동된다.
복수의 리프트핀(419)은 기판(W)의 하면을 지지함으로써, 그 기판(W)을 수평으로 유지한다. 복수의 리프트핀(419)이 돌출 위치에서 기판(W)을 유지하고 있는 상태에서, 리프트핀 승강기구(421)가 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치까지 하강시키면, 복수의 리프트핀(419)에 유지되어 있는 기판(W)이 기판유지대(414)에 재치된다. 이에 의해, 유지 위치(P1)로 기판(W)이 반송되어, 기판유지대(414)에 의해 유지 위치(P1)에서 기판(W)이 수평으로 유지된다. 그 한편으로, 기판유지대(414)에 기판(W)이 유지되어 있는 상태에서, 리프트핀 승강기구(421)가 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치로부터 돌출 위치까지 상승시키면, 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)이 복수의 리프트핀(419)에 의해 지지되어, 유지 위치(P)보다도 위쪽으로 반송된다. 이와 같이 하여, 기판유지대(414)와 복수의 리프트핀(419) 사이에서 기판(W)의 주고받기가 행하여진다.
또한, 시릴화유닛(407a)은 지지부재(412)의 위쪽에 배치되어 있는 차단판(452)을 더 포함한다. 차단판(452)은 수평으로 배치된 원판부(454)와, 원판부(454)의 바깥 둘레를 따라 설치된 통형상부(455)를 포함한다. 통형상부(455)는 원판부(454)의 외주연으로부터 아래쪽으로 향하여 연직으로 뻗어 있다. 통형상부(455)는 원통형이다. 원판부(454)와 통형상부(455)는 동축이다. 원판부(454)는 기판유지대(414)보다도 큰 직경을 갖고 있다. 통형상부(455)는 기판유지대(414)의 직경보다도 큰 내경을 갖고 있다. 통형상부(455)의 내경은 지지부재(412)의 외경보다 작다. 차단판(452)은 원판부(454)의 하면이 수평으로 되도록 배치되어 있다. 기판(W)이 기판유지대(414)에 유지되어 있는 상태에서는, 원판부(454)의 하면이 기판(W)의 상면에 대향한다. 차단판(452)은 원판부(454)의 중심과 기판유지대(414)의 중심이 공통의 연직축선 상에 위치하도록 배치되어 있다.
통형상부(455)의 하단은 지지부재(412)의 상면 주연부에 대향하여 있다. 통형상부(455)의 하단과 지지부재(412)의 상면 주연부 사이에는, 기판유지대(414)보다도 큰 내경을 갖는 환형상의 씰(seal)부재(470)(예를 들면, Ｏ링)가 배치되어 있다. 제4 실시형태에서는, 씰부재(470)는 지지부재(412)의 상면 주연부에 유지되어 있다. 씰부재(470)는 지지부재(412)에 한정되지 않으며, 통형상부(455)의 하단에 유지되어 있어도 좋다. 씰부재(470)는 지지부재(412)의 상면 주연부를 따라 지지부재(412)의 둘레방향으로 뻗어 있다. 차단판(452)은 차단판승강기구(269)에 결합되어 있다. 차단판승강기구(269)는 밀폐 위치(도 13에 나타내는 위치)와, 밀폐 위치의 위쪽에 설치된 개방 위치(도 14에 나타내는 위치) 사이에서 차단판(452)을 승강시킨다. 차단판승강기구(269)가 차단판(452)을 퇴피 위치로부터 밀폐 위치로 하강시키면, 통형상부(455)의 하단과 지지부재(412)의 상면 사이의 틈새가 씰부재(470)에 의해 밀폐된다. 이에 의해, 유지 위치(P1)를 포함한 수용 공간(471)(도 13 참조)이 밀폐된다. 그 한편으로, 차단판승강기구(269)가 차단판(452)을 밀폐 위치로부터 퇴피 위치로 상승시키면, 통형상부(455)가 씰부재(470)로부터 멀어져, 수용 공간(471)이 개방된다.
원판부(454)의 하면 중앙부에는, 토출구(472)가 형성되어 있다. 시릴화제도입관(458)(시릴화제공급유닛)은 토출구(472)에 접속되어 있다. 시릴화제도입관(458)에는, 시릴화제공급관(463)을 통하여 시릴화제의 증기가 공급된다. 또한, 시릴화제도입관(458)에는, 질소가스공급관(464)을 통하여 질소가스가 공급된다. 시릴화제공급관(463)에는, 시릴화제도입관(458)에의 시릴화제의 공급 및 공급 정지를 제어하는 시릴화제밸브(465)가 개재 장착되어 있고, 질소가스공급관(464)에는, 시릴화제도입관(458)에의 질소가스의 공급 및 공급 정지를 제어하는 질소가스 밸브(466)가 개재 장착되어 있다. 시릴화제도입관(458)에 공급된 시릴화제의 증기 및 질소가스는 토출구(472)로부터 아래쪽으로 토출된다.
또한, 지지부재(412)의 상면에는, 평면에서 보아 기판유지대(414)를 둘러싸는 환형상의 배기구(432)가 형성되어 있다. 배기구(432)는 수용 공간(471)에 연통되어 있다. 배기관(433)의 일단부는 배기구(432)에 접속되어 있다. 배기관(433)에는, 압력조정밸브(473)가 개재 장착되어 있다. 차단판(452)이 밀폐 위치에 위치하는 상태에서는, 수용 공간(471)이 밀폐되어 있기 때문에, 이 상태에서, 시릴화제의 증기 또는 질소가스가 토출구(472)로부터 토출되면, 수용 공간(471)의 기압이 높아진다. 그리고, 수용 공간(471)의 기압이 소정치에 이르면, 압력조정밸브(473)가 열려, 수용 공간(471)의 분위기가 배출구(432)로부터 배출된다. 이에 의해, 수용 공간(471)의 기압이 저하된다. 그리고, 수용 공간(471)의 기압이 소정치 미만으로 되면, 압력조정밸브(473)가 닫힌다. 따라서, 차단판(452)이 밀폐 위치에 위치하는 상태에서, 시릴화제의 증기 또는 질소가스가 토출구(472)로부터 토출되면, 수용 공간(471)의 기체가 퍼지(purge)되어, 수용 공간(471)의 분위기가 시릴화제의 증기 또는 질소가스로 치환된다. 그 후, 토출구(472)로부터의 시릴화제의 증기 또는 질소가스의 토출이 정지되면, 압력조정밸브(473)가 닫혀, 시릴화제의 증기 또는 질소가스가 수용 공간(471)에 충만되어 있는 상태가 유지된다.
다음으로, 시릴화유닛(407a)에서 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례에 대하여 설명한다.
시릴화유닛(407a)에 기판(W)이 반입될 때는, 미리, 차단판(452)이 개방 위치에 배치되고, 복수의 리프트핀(419)이 돌출 위치에 배치된다. 이 상태에서, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 복수의 리프트핀(419) 상에 기판(W)을 재치시킨다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)을 퇴피시킨 후, 리프트핀 승강기구(421)에 의해 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치까지 하강시킨다. 이에 의해, 복수의 리프트핀(419)에 지지되어 있는 기판(W)이 기판유지대(414)에 재치되고, 기판유지대(414)에 의해 유지 위치(P1)에서 기판(W)이 유지된다. 그리고, 제어장치(4)는 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치까지 이동시킨 후, 차단판승강기구(269)에 의해 차단판(452)을 밀폐 위치까지 하강시킨다. 이에 의해, 수용 공간(471)이 밀폐된다. 그 때문에, 기판(W)은 밀폐 공간 내에서 유지된다.
다음으로, 수용 공간(471)의 분위기가 질소가스 분위기로 치환된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는, 차단판(452)이 밀폐 위치에 위치하는 상태에서, 질소가스 밸브(466)를 열어, 토출구(472)로부터 질소가스를 토출시킨다. 이에 의해, 질소가스가 수용 공간(471)에 공급된다. 그 때문에, 수용 공간(471)의 기압이 상승되어, 압력조정밸브(473)가 열린다. 따라서, 수용 공간(471)의 기체가 배출구(432)로부터 배출된다. 이에 의해, 수용 공간(471)의 분위기가 질소가스로 치환된다. 그 후, 제어장치(4)는 질소가스 밸브(466)를 닫는다. 이에 의해, 압력조정밸브(473)가 닫혀, 수용 공간(471)으로부터의 기체의 배출이 정지된다. 그 때문에, 질소가스가 수용 공간(471)에 충만되어 있는 상태가 유지된다.
다음으로, 시릴화제의 일례인 HMDS의 증기가 기판(W)에 공급된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는, 차단판(452)이 밀폐 위치에 위치하는 상태에서, 시릴화제밸브(465)를 열어, HMDS의 증기를 토출구(472)로부터 토출시킨다. 이에 의해, HMDS의 증기가 수용 공간(471)에 공급된다. 그 때문에, 압력조정밸브(473)가 열려, 수용 공간(471)에 충만되어 있는 질소가스가 HMDS의 증기로 치환된다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화제밸브(465)를 닫는다. 이에 의해, 압력조정밸브(473)가 닫혀, 수용 공간(471)으로부터의 기체의 배출이 정지된다. 그 때문에, HMDS의 증기가 수용 공간(471)에 충만되어 있는 상태가 유지 된다. HMDS의 증기가 수용 공간(471)에 충만됨으로써, 기판유지대(414)에 유지 위치(P1)에서 유지되어 있는 기판(W)에 HMDS의 증기가 공급된다. 또한, 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)은 히터(417)에 의한 가열에 의해 실온보다 높은 일정한 온도(예를 들면, 50∼100℃의 범위 내의 일정한 온도)로 유지되어 있다. 따라서, 일정한 온도로 유지되어 있는 기판(W)에 HMDS의 증기가 공급된다. 이에 의해, 시릴화 처리(시릴화 공정)가 실행되어, 기판(W)의 상면 전체 영역이 시릴화된다.
다음으로, 수용 공간(471)의 분위기가 질소가스 분위기로 치환된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는, 차단판(452)이 밀폐 위치에 위치하는 상태에서, 질소가스 밸브(466)를 열어, 질소가스를 토출구(472)로부터 토출시킨다. 이에 의해, 질소가스가 수용 공간(471)에 공급된다. 그 때문에, 압력조정밸브(473)가 열려, 수용 공간(471)에 충만되어 있는 HMDS의 증기나, 기판(W)과 HMDS와의 반응으로 생성된 가스가 질소가스로 치환된다. 그리고, 제어장치(4)는 수용 공간(471)의 분위기가 질소가스로 치환된 후에, 질소가스 밸브(466)를 닫는다. 이에 의해, 압력조정밸브(473)가 닫혀 수용 공간(471)으로부터의 기체의 배출이 정지된다. 그 때문에, 질소가스가 수용 공간(471)에 충만되어 있는 상태가 유지된다.
다음으로, 시릴화유닛(407a)으로부터 기판(W)이 반출된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 차단판승강기구(269)에 의해 차단판(452)을 퇴피 위치까지 상승시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 리프트핀 승강기구(421)에 의해 복수의 리프트핀(419)을 돌출 위치까지 상승시킨다. 이에 의해, 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)이 복수의 리프트핀(419)에 의해 지지되고, 유지 위치(P1)의 위쪽에 배치된다. 제어장치(4)는 복수의 리프트핀(419)을 돌출 위치로 이동시킨 후, 복수의 리프트핀(419)에 의해 지지되어 있는 기판(W)을 센터로봇(CR)에 의해 반출시킨다. 이에 의해, 시릴화유닛(407a)으로부터 기판(W)이 반출된다.
도 15는 본 발명의 제4 실시형태에 의한 에칭유닛(407b)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 이하에서는, 에칭유닛(407b)의 개략 구성, 및 에칭유닛(407b)에서 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례에 대하여 설명한다. 최초로, 에칭유닛(407b)의 개략 구성에 대하여 설명한다.
에칭유닛(407b)은 불화수소산 수용액(474)를 밀폐 상태로 저장하는 증기발생용기(475)(에칭제 공급유닛)와, 증기발생용기(475)를 수용하는 하우징(476)을 구비하고 있다. 이 증기발생용기(475)의 아래쪽에는, 에칭제의 일례인 불화수소산의 증기를 아래쪽으로 토출하는 다수의 관통공이 형성된 펀칭플레이트(477)가 설치되어 있다. 또한 펀칭플레이트(477)의 아래쪽에는, 기판(W)을 펀칭플레이트(477)에 대향시킨 상태에서, 그 기판(W)을 유지 위치(P2)에서 수평으로 유지하는 핫플레이트(478)가 배치되어 있다. 핫플레이트(478)는 회전축(479)의 상단에 고정되어 있다. 모터 등을 포함하는 회전구동기구(480)가 회전축(479)을 회전시키면, 핫플레이트(478)는 회전축(479)과 함께 연직축선 둘레로 회전한다. 핫플레이트(478)에 유지되어 있는 기판(W)은 핫플레이트(478)에 의해 가열된다.
에칭유닛(407b)은 핫플레이트(478)의 주위에 설치된 통형상의 밸로즈(482)를 더 구비하고 있다. 핫플레이트(478)는 벨로즈(482) 내에 배치되어 있다. 벨로즈(482)는 하우징(476)의 저면(476a)에 대하여 상하로 수축 가능하다. 도시하지 않은 구동기구는 벨로즈(482)의 상단연(上端緣)이 펀칭플레이트(477)에 맞닿아, 핫플레이트(478) 주위의 공간이 밀폐되는 밀폐 위치(실선으로 나타내는 위치)와, 벨로즈(482)의 상단연이 핫플레이트(478)의 상면(478a)보다도 아래쪽으로 퇴피한 퇴피 위치(파선으로 나타내는 위치) 사이에서, 벨로즈(482)를 신축시킨다. 벨로즈(482) 내의 기체는 하우징(476)의 저면(476a)에 접속된 배기관(483)을 통하여 배기기구(484)에 의해 배기된다.
또한, 하우징(476)의 측벽에는, 핫플레이트(478)의 측방에 위치하는 개구(485)가 형성되어 있다. 개구(485)는 셔터(486)에 의해 개폐된다. 에칭유닛(407b)에 기판(W)이 반입될 때는 미리, 벨로즈(482)가 퇴피 위치(파선의 위치)에 배치됨과 함께, 개구(485)가 열린다. 그리고, 이 상태에서, 센터로봇(CR)에 의해, 핫플레이트(478) 상에 기판(W)이 재치된다. 그 후, 개구(485)가 셔터(486)에 의해 닫혀진다. 한편, 에칭유닛(407b)으로부터 기판(W)이 반출될 때는, 벨로즈(482)가 퇴피 위치에 배치됨과 함께, 개구(485)가 열린다. 그리고, 이 상태에서, 핫플레이트(478)에 유지되어 있는 기판(W)이 센터로봇(CR)에 의해 반출된다. 그 후, 개구(485)가 셔터(486)에 의해 닫혀진다.
증기발생용기(475)에는, 증기발생용기(475)에 설치된 증기충만공간(487)에 캐리어 가스로서의 질소가스를 공급하는 질소가스공급관(488)이 접속되어 있다. 질소가스 공급원(489)으로부터의 질소가스는 유량 콘트롤러(MFC)(490), 밸브(491), 및 질소가스공급관(488)을 통하여 증기충만공간(487)에 공급된다. 또한, 증기충만공간(487)은 밸브(492)를 통하여 증기공급로(493)에 접속되어 있다. 질소가스공급원(489)로부터의 질소가스는 유량컨트롤러(494), 밸브(495) 및 질소가스공급관(496)을 통하여 증기공급로(493)에 공급된다. 밸브(492)가 열려 있는 상태에서는, 증기충만공간(487)에 자욱이 낀 불화수소산의 증기가 질소가스의 흐름에 의해 밸브(492)를 통하여 증기공급로(493)에 공급된다. 그리고, 증기공급로(493)에 공급된 불화수소산의 증기는 질소가스의 흐름에 의해 증기공급로(493)를 통하여 펀칭플레이트(477)로 인도된다.
증기발생용기(475) 내에 저류되어 있는 불화수소산 수용액(474)은 소위, 의사공비조성(擬似共沸組成)으로 되는 농도(예를 들면, 1기압, 실온의 것으로, 약 39.6%)로 조제되어 있다. 이 의사공비조성의 불화수소산 수용액(474)은 물과 불화 수소와의 증발 속도가 동일하고, 그 때문에, 밸브(492)를 통하여 증기충만공간(487)으로부터 증기공급로(493)에 불화수소산의 증기가 인도됨에 따라 증기발생용기(475) 내의 불화수소산 수용액(474)이 감소되었더라도, 증기공급로(493)로 인도되는 불화수소산의 증기의 농도는 일정하게 유지된다.
다음으로, 에칭유닛(407b)에서 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례에 대하여 설명한다.
기판(W)의 표면을 에칭하는 경우에는, 기판(W)이 핫플레이트(478)에 의해 유지되어 있고, 벨로즈(482)가 밀착 위치(실선의 위치)에 위치하는 상태에서, 제어장치(4)가 3개의 밸브(491, 492, 495)를 연다. 이에 의해, 증기발생용기(475) 내에서 생성된 불화수소산의 증기가 질소가스공급관(488)으로부터의 질소가스에 의해, 밸브(492)를 통하여 증기공급로(493)로 밀려나온다. 또한, 이 불화수소산의 증기는 질소가스공급관(496)으로부터의 질소가스에 의해, 펀칭플레이트(477)로 옮겨진다. 그리고, 이 불화수소산의 증기는 펀칭플레이트(477)에 형성된 관통공을 통하여, 핫플레이트(478)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면(표면)에 공급된다. 불화수소산의 증기가 기판(W)에 공급되고 있을 때, 제어장치(4)는 회전구동기구(480)에 의해 일정한 회전 속도로 기판(W)을 연직축선 둘레로 회전시키고 있다. 또한, 제어장치(4)는 핫플레이트(478)에 의해 기판(W)을 가열함으로써, 기판(W)의 온도를 예를 들면, 40∼150℃의 범위 내의 일정한 온도로 유지하고 있다. 이와 같이 하여, 일정한 온도로 유지된 기판(W)의 상면 전체 영역에 불화수소산의 증기가 공급되어, 기판(W)의 표면이 에칭된다(에칭 처리. 에칭 공정).
도 16은 본 발명의 제4 실시형태에 의한 기판처리장치(401)에 의해 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이하의 설명에서의 시릴화 처리, 에칭 처리, 및 린스 처리는 각각, 시릴화유닛(407a), 에칭유닛(407b), 및 세정유닛(407c)에 의해 행하여지는 처리이다. 이하에서는, 산화막의 일례인 SiO2막과, 질화막의 일례인 SiN막이 형성된 기판(W)의 표면에 에칭제의 일례인 불화수소산의 증기를 공급하여, SiN막을 선택적으로 제거하는 선택 에칭의 일례에 대하여 설명한다.
처리예 4-1에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화유닛(407a)에 의해 시릴화 처리를 실행한다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전체 영역이 시릴화된다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해, 시릴화유닛(407a)으로부터 에칭유닛(407b)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 에칭유닛(407b)에 의해 에칭 처리를 실행한다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전체 영역이 에칭된다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
처리예 4-2에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화 처리 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 에칭 처리가 행하여진 후, 제어장치는 센터로봇(CR)에 의해 에칭유닛(407b)으로부터 세정유닛(407c)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 세정유닛(407c)에 의해 린스 처리 및 건조 처리를 실행한다. 이에 의해, 기판(W)에 부착되어 있는 액체나 이물질이 씻겨진다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
처리예 4-3에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화 처리 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 에칭 처리가 행하여진 후, 제어장치(4)는 다시 시릴화 처리 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 즉, 처리예 4-3에서는, 제어장치(4)는 시릴화 처리 및 에칭 처리를 포함하는 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 실행한다. 그리고, 반복 공정이 행하여진 후는, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 에칭유닛(407b)으로부터 세정유닛(407c)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 세정유닛(407c)에 의해 린스 처리 및 건조 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
처리예 4-4에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화 처리, 에칭 처리, 린스 처리, 및 건조 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 건조 처리가 행하여진 후, 제어장치(4)는 다시 시릴화 처리, 에칭 처리, 린스 처리, 및 건조 처리를 순차적으로 실행한다. 즉, 처리예 4-4에서는, 제어장치(4)는 시릴화 처리, 에칭 처리, 린스 처리 및 건조 처리를 포함하는 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 실행한다. 그리고, 반복 공정이 행하여진 후는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
도 17은 시릴화되지 않은 기판(W)을 에칭하였을 때의 기판(W)의 온도와 에칭량 및 선택비와의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 18은 시릴화된 기판(W)을 에칭하였을 때의 기판(W)의 온도와 에칭량 및 선택비와의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 17은 비교예의 그래프이며, 도 18은 본 발명의 실시예의 그래프이다.
도 17 및 도 18에서는, SiO2막과 SiN막이 형성된 기판(W)의 표면에, 불화수소산의 증기를 공급하여, 기판(W)을 에칭하였을 때의 에칭량 및 선택비가 나타내져 있다. 에칭에 사용된 불화수소산의 증기의 농도는 39.6%이다. 각 그래프에서의 기판(W)의 온도는 불화수소산의 증기가 기판(W)에 공급되고 있을 때의 기판(W)의 온도이다.
도 17에 나타내는 바와 같이, 시릴화되지 않은 기판(W)을 에칭한 경우, 기판(W)의 온도가 30℃일 때는, SiN막의 에칭량(심볼●의 곡선 참조. 4.66nm)에 대하여, SiO2막의 에칭량(심볼■의 곡선 참조. 90.00nm)이 극히 크다. 즉, 기판(W)의 온도가 30℃일 때는, 선택비(질화막의 제거량/산화막의 제거량)의 분모가 분자에 대하여 극히 크기 때문에, 선택비가 작다(심볼▲의 곡선 참조. 0.05). 또한, 기판(W)의 온도가 40℃, 50℃, 70℃일 때, SiN막의 에칭량은 3.97nm(40℃), 3.39nm(50℃), 168nm(70℃)이며, 30℃일 때와 비교하여 큰 변화는 없다. 또한, 기판(W)의 온도가 40℃, 50℃, 70℃일 때, SiO2막의 에칭량은 2.09nm(40℃), 0.31nm(50℃), 0.27nm(70℃)이며, 30℃일 때보다 적지만, SiO2막은 에칭되어 있다. 기판(W)의 온도가 40℃, 50℃, 70℃일 때의 선택비는 1.90(40℃), 11.09(50℃), 6.31(70℃)이다. 이와 같이, 시릴화되지 않은 기판(W)을 불화수소산의 증기에 의해 에칭한 경우, 기판(W)의 온도가 어느 온도이어도, 선택비는 약 11 이하이다.
한편, 도 18에 나타내는 바와 같이, 시릴화된 기판(W)을 에칭한 경우, 기판(W)의 온도가 30℃일 때는 SiN막의 에칭량(심볼●의 곡선 참조. 4.65nm)에 대하여, SiO2막의 에칭량(심볼■의 곡선 참조. 89.00nm)가 극히 크기 때문에, 선택비(심볼▲의 곡선 참조)가 작다(0.05). 또한, 기판(W)의 온도가 40℃, 50℃, 70℃일 때, SiN막의 에칭량은 3.92nm(40℃), 3.48nm(50℃), 1.38nm(70℃)이며, 30℃일 때와 비교하여 큰 변화는 없다. 또한 기판(W)이 시릴화되지 않은 경우와 비교하여도, 큰 차이는 없다. 한편, 기판(W)의 온도가 40℃, 50℃, 70℃일 때, SiO2막의 에칭량은 -0.05nm(40℃),-0.06nm(50℃),-0.07nm(70℃)이다. 에칭량이 마이너스라는 것은, 막두께가 증가되고 있어, 에칭되지 않는, 즉, 에칭량이 영이라는 것을 나타내고 있다. 따라서, 기판(W)의 온도가 40℃이상일 때에는, 선택비의 분모가 영이므로, 선택비는 무한대이다. 이와 같이, 기판(W)을 에칭하기 전에 그 기판(W)을 시릴화함으로써, 기판(W)의 온도가 40℃이상일 때에는, 선택비를 큰 폭으로 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 제4 실시형태에서는, 시릴화된 기판(W)이 에칭된다. 그 후, 에칭된 기판(W)이 다시 시릴화된다. 그리고, 시릴화된 기판(W)이 다시 에칭된다. 즉, 에칭이 중단되어, 이 에칭의 중단기간 중에 기판(W)이 다시 시릴화된다. 에칭제의 공급이 장시간 계속되면, 시릴화제에 의해 주어진 산화막의 에칭 억제 능력이 도중에 저하되어, 산화막의 에칭을 충분히 억제할 수 없게 되는 경우가 있다. 따라서, 다시 기판(W)을 시릴화함으로써, 산화막의 에칭 억제 능력을 회복시킬 수 있다. 그 때문에, 에칭을 재개하였을 때에 산화막이 에칭되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 선택비의 저하를 억제 또는 방지할 수 있다.
또한 제4 실시형태에서는, 시릴화된 기판(W)이 에칭된 후에, 린스액이 기판(W)에 공급되어, 기판(W)에 부착되어 있는 액체나 이물질이 씻겨진다. 그리고, 다시, 시릴화 공정, 에칭 공정, 및 린스 공정이 순차적으로 행하여진다. 에칭된 기판(W)에는, 에칭에 의해 생긴 이물질이 부착되어 있는 경우가 있다. 에칭에 의해 생긴 이물질이 부착되어 있는 상태에서 기판(W)을 시릴화하면, 이 이물질이 기판(W)으로부터 없애기 어려워지는 경우가 있다. 따라서, 다시 시릴화 공정을 실시하기 전에, 기판(W)에 부착되어 있는 이물질을 제거함으로써, 이 이물질이 기판(W)으로부터 없애기 어려워지는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이에 의해, 이물질이 기판(W)에 잔류하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 청정도를 향상시킬 수 있다.
［제5 실시형태］
다음으로, 본 발명의 제5 실시형태에 대하여 설명한다. 이 제5 실시형태와 전술한 제4 실시형태와의 주요한 차이점은, 복수의 처리유닛이 기판(W)을 냉각하는 냉각유닛을 더 포함하는 것이다. 이하의 도 19∼도 21에 있어서, 전술한 도 1∼도 18에 나타난 각 부와 동등한 구성부분에 대하여는 도 1 등과 동일한 참조부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
도 19는 본 발명의 제5 실시형태에 의한 기판처리장치(501)의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
기판처리장치(501)는 기판(W)을 처리하는 복수의 처리유닛(507)을 포함한다. 복수의 처리유닛(507)은 평면에서 보아, 센터로봇(CR)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 센터로봇(CR)은 인덱서로봇(IR)과 처리유닛(507) 사이로 기판(W)을 반송함과 함께, 복수의 처리유닛(507) 사이로 기판(W)을 반송한다. 복수의 처리유닛(507)은 시릴화유닛(407a)과, 에칭유닛(407b)과, 세정유닛(407c)을 포함한다. 또한, 복수의 처리유닛(507)은 기판(W)을 냉각하는 냉각유닛(507d)을 포함한다.
도 20은 본 발명의 제5 실시형태에 의한 냉각유닛(507d)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
냉각유닛(507d)은 기판유지대(414)와, 지지부재(412)와, 리프트핀(419)과, 리프트핀 승강기구(421)를 포함한다. 또한 냉각유닛(507d)은 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)을 냉각하는 냉각장치(517)를 포함한다. 냉각장치(517)는 예를 들면, 수냉식의 냉각장치이다. 냉각장치(517)는 기판유지대(414)에 매설되어 있다. 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)은 기판유지대(414)와의 접촉에 의해 냉각된다(냉각 처리. 냉각 공정). 이에 의해, 예를 들면, 실온 이하의 일정한 온도까지 기판(W)의 온도가 저하되어, 기판(W)이 이 일정한 온도로 유지된다.
도 21은 본 발명의 제5 실시형태에 의한 기판처리장치(501)에 의해 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 도 21에서의 시릴화 처리, 에칭 처리, 린스 처리, 및 냉각 처리는 각각, 시릴화유닛(407a), 에칭유닛(407b), 세정유닛(407c), 및 냉각유닛(507d)에 의해 행하여지는 처리이다. 이하에서는, 산화막의 일례인 SiO2막과 질화막의 일례인 SiN막이 형성된 기판(W)의 표면에 에칭제의 일례인 불화수소산의 증기를 공급하여, SiN막을 선택적으로 제거하는 선택 에칭의 일례에 대하여 설명한다.
처리예 5-1에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화유닛(407a)에 의해 시릴화 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 시릴화유닛(407a)으로부터 냉각유닛(507d)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 냉각유닛(507d)에 의해 냉각 처리를 실행한다. 이에 의해, 기판(W)의 온도가 실온 이하의 일정한 온도까지 저하된다.
그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 냉각유닛(507d)으로부터 에칭유닛(407b)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 에칭유닛(407b)에 의해 에칭 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
처리예 5-2에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화 처리, 냉각 처리, 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 에칭유닛(407b)으로부터 세정유닛(407c)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 세정유닛(407c)에 의해 린스 처리 및 건조 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
처리예 5-3에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화 처리, 냉각 처리, 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 에칭 처리가 행하여진 후, 제어장치(4)는 다시 시릴화 처리, 냉각 처리, 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 즉, 처리예 5-3에서는, 제어장치(4)는 시릴화 처리, 냉각 처리, 및 에칭 처리를 포함하는 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 실행한다. 그리고, 반복 공정이 행하여진 후는, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 에칭유닛(407b)으로부터 세정유닛(407c)으로 기판(W)을 반송시킨다.
그 후, 제어장치(4)는 세정유닛(407c)에 의해 린스 처리 및 건조 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
처리예 5-4에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화 처리, 냉각 처리, 에칭 처리, 린스 처리, 및 건조 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 건조 처리가 행하여진 후, 제어장치(4)는 다시 시릴화 처리, 냉각 처리, 에칭 처리, 린스 처리, 및 건조 처리를 순차적으로 실행한다. 즉, 처리예 5-4에서는, 제어장치(4)는 시릴화 처리, 냉각 처리, 에칭 처리, 린스 처리, 및 건조 처리를 포함하는 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 실행한다. 그리고, 반복 공정이 행하여진 후는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
［제6 실시형태］
다음으로, 본 발명의 제6 실시형태에 대하여 설명한다. 이 제6 실시형태와 전술한 제5 실시형태와의 주요한 차이점은, 복수의 처리유닛이 자외선(ultraviolet radiation)을 기판(W)에 조사하는 자외선조사유닛을 더 포함하는 것이다. 이하의 도 22∼도 25에 있어서, 전술한 도 1∼도 21에 나타난 각 부와 동등한 구성부분에 도 1 등과 동일한 참조부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
도 22는 본 발명의 제6 실시형태에 의한 기판처리장치(601)의 레이아웃을 나타내는 도해적인 평면도이다.
기판처리장치(601)는 기판(W)을 처리하는 복수의 처리유닛(607)을 포함한다. 복수의 처리유닛(607)은 평면에서 보아, 센터로봇(CR)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 센터로봇(CR)은 인덱서로봇(IR)과 처리유닛(607) 사이로 기판(W)을 반송함과 함께, 복수의 처리유닛(607) 사이로 기판(W)을 반송한다. 복수의 처리유닛(607)은 시릴화유닛(407a)과, 에칭유닛(407b)과, 세정유닛(407c)과, 냉각유닛(507d)을 포함한다. 또한 복수의 처리유닛(607)은 자외선을 기판(W)에 조사하는 자외선조사유닛(607e)을 포함한다.
도 23 및 도 24는 본 발명의 제6 실시형태에 의한 자외선조사유닛(607e)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
자외선조사유닛(607e)은 기판유지대(414)와, 기판유지대(414)를 수용하는 챔버(608)를 구비하고 있다. 챔버(608)는 게이트(622)가 형성된 격벽(649)과, 게이트(622)를 개폐하는 게이트 셔터(623)와, 격벽(649)과 게이트 셔터(623) 사이를 밀폐하는 씰부재(670)(예를 들면, Ｏ링)와, 게이트(622)를 개폐시키는 게이트 개폐기구(624)를 포함한다. 씰부재(670)는 게이트(622)를 따라 격벽(649)에 장착되어 있다. 씰부재(670)는 격벽(649)에 한정되지 않으며, 게이트 셔터(623)에 장착되어 있어도 좋다. 게이트 셔터(623)는 게이트 개폐기구(624)에 결합되어 있다. 게이트 개폐기구(624)는, 게이트(622)가 게이트 셔터(623)에 의해 닫혀지는 폐쇄 위치와, 게이트(622)가 열리는 개방 위치 사이로, 게이트 셔터(623)를 이동시킨다. 게이트 셔터(623)가 폐쇄 위치에 배치되면, 게이트 셔터(623)와 격벽(649) 사이의 틈새가 씰부재(670)에 의해 밀폐된다. 이에 의해, 챔버(608) 내의 공간이 밀폐된다.
또한, 자외선조사유닛(607e)은 복수의 리프트핀(419)과, 리프트핀 승강기구(421)를 더 포함한다. 격벽(649)의 저벽(612)과 기판유지대(414)에는, 기판유지대(414) 및 저벽(612)을 연직 방향으로 관통하는 복수의 관통공이 형성되어 있다.리프트핀 승강기구(421)가 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치(도 23에 나타내는 위치)로부터 돌출 위치(도 24에 나타내는 위치)로 상승시키면, 복수의 리프트핀(419)이 각각 복수의 관통공에 삽입되어, 각 리프트핀(419)의 상단이 기판유지대(414)의 상면으로부터 돌출한다. 또한, 리프트핀 승강기구(421)가 복수의 리프트핀(419)을 돌출 위치로부터 퇴피 위치로 하강시키면, 각 리프트핀(419)의 상단이 기판유지대(414)의 상면보다도 아래쪽으로 이동된다. 기판유지대(414)와 복수의 리프트핀(419) 사이에서 기판(W)의 주고받기는 복수의 리프트핀(419)의 승강에 의해 행하여진다.
또한, 자외선조사유닛(607e)은 질소가스를 챔버(608) 내에 도입하는 측방도입관(625)을 더 구비하고 있다. 측방도입관(625)은 격벽(649)의 측벽(609)에 장착되어 있다. 측방도입관(625)에는, 질소가스밸브(626)가 개재 장착되어 있다.질소가스밸브(626)가 열리면, 측벽(609)에 형성된 토출구(697)로부터 챔버(608) 내에 질소가스가 토출된다.
또한, 저벽(612)의 상면에는, 평면에서 보아 기판유지대(414)를 둘러싸는 환형상의 배기구(632)가 형성되어 있다. 배기구(632)는 챔버(608) 내에 연통되어 있다. 배기관(433)의 일단부는 배기구(632)에 접속되어 있다. 배기관(433)에는, 압력조정밸브(473)가 개재 장착되어 있다. 게이트(622)가 닫혀져 있는 상태에서, 토출구(697)로부터 질소가스가 토출되면, 챔버(608) 내의 기압이 높아진다. 그리고, 챔버(608) 내의 기압이 소정치에 이르면, 압력조정밸브(473)가 열려, 챔버(608) 내로부터 배출구(632)로 기체가 배출된다. 이에 의해, 챔버(608) 내의 기압이 저하된다. 그리고, 챔버(608) 내의 기압이 소정치 미만으로 되면, 압력조정밸브(473)가 닫힌다.
또한, 자외선조사유닛(607e)은 자외선조사램프(698)(자외선조사유닛)을 더 구비하고 있다. 자외선조사램프(698)는 격벽(649)의 상벽(611)에 장착되어 있다. 자외선조사램프(698)는 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)에 대향하는 위치에 배치되어 있다. 자외선조사램프(698)는 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면을 향하여 자외선을 조사한다. 이에 의해, 자외선이 기판(W)의 상면에 균일하게 조사된다. 자외선조사램프(698)는 예를 들면, 185∼254nm의 파장의 자외선, 혹은 20∼200nm의 파장의 자외선을 조사한다.
다음으로, 자외선조사유닛(607e)에 대하여 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례에 대하여 설명한다.
먼저, 자외선조사램프(698)가 185∼254nm의 파장의 자외선을 조사하는 경우의 처리에 대하여 설명한다.
자외선조사유닛(607e)에 기판(W)이 반입될 때는, 미리, 게이트 셔터(623)가 개방 위치에 배치되며, 복수의 리프트핀(419)이 돌출 위치에 배치된다. 이 상태에서, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 복수의 리프트핀(419) 상에 기판(W)을 재치시킨다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)을 퇴피시킨 후, 리프트핀 승강기구(421)에 의해 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치까지 하강시킨다. 이에 의해, 복수의 리프트핀(419)에 지지되어 있는 기판(W)이 기판유지대(414)에 재치되어, 기판유지대(414)에 의해 기판(W)이 유지된다. 그리고, 제어장치(4)는 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치까지 이동시킨 후, 게이트 개폐기구(624)에 의해 게이트 셔터(623)를 폐쇄 위치까지 하강시킨다. 이에 의해, 챔버(608) 내가 밀폐된다. 그 때문에, 기판(W)은 밀폐공간 내에서 유지된다.
다음으로, 자외선이 기판(W)에 조사된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는, 게이트 셔터(623)가 폐쇄 위치에 위치하는 상태에서, 자외선조사램프(698)로부터 자외선을 조사시킨다. 이에 의해, 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에 자외선이 균일하게 조사된다. 기판(W)은, 자외선이 조사됨으로써 가열된다. 또한 기판(W)에 부착되어 있는 유기물 등의 이물질은 자외선의 조사에 의해 제거된다. 이와 같이 하여, UV 처리(자외선 조사 공정)가 행하여진다. 그리고, 자외선의 조사가 소정 시간에 걸쳐 행하여지면, 제어장치(4)는 자외선조사램프(698)로부터의 자외선의 조사를 정지시킨다.
다음으로, 챔버(608) 내의 분위기가 질소가스 분위기로 치환된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는, 게이트 셔터(623)가 폐쇄 위치에 위치하는 상태에서, 질소가스밸브(626)를 열어, 토출구(697)로부터 질소가스를 토출시킨다. 이에 의해, 질소가스가 챔버(608) 내에 공급된다. 그 때문에, 챔버(608) 내의 기압이 상승되어, 압력조정밸브(473)가 열린다. 따라서, 챔버(608) 내의 분위기가 배출구(632)로부터 배출된다. 이에 의해, 챔버(608) 내의 분위기가 질소가스로 치환된다.
다음으로, 자외선조사유닛(607e)으로부터 기판(W)이 반출된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 게이트 개폐기구(624)에 의해 게이트 셔터(623)를 개방 위치로 이동시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 리프트핀 승강기구(421)에 의해 복수의 리프트핀(419)을 돌출 위치까지 상승시킨다. 이에 의해, 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)이 복수의 리프트핀(419)에 의해 지지된다. 제어장치(4)는 복수의 리프트핀(419)을 돌출 위치로 이동시킨 후, 복수의 리프트핀(419)에 의해 지지되어 있는 기판(W)을 센터로봇(CR)에 의해 반출시킨다. 이에 의해, 자외선조사유닛(607e)으로부터 기판(W)이 반출된다.
다음으로, 자외선조사램프(698)가 20∼200nm의 파장의 자외선을 조사하는 경우의 처리에 대하여 설명한다.
자외선조사유닛(607e)에 기판(W)이 반입될 때는, 미리, 게이트 셔터(623)가 개방 위치에 배치되며, 복수의 리프트핀(419)이 돌출 위치에 배치된다. 이 상태에서, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 복수의 리프트핀(419) 상에 기판(W)을 재치시킨다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)을 퇴피시킨 후, 리프트핀 승강기구(421)에 의해 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치까지 하강시킨다. 이에 의해, 복수의 리프트핀(419)에 지지되어 있는 기판(W)이 기판유지대(414)에 재치되어, 기판유지대(414)에 의해 기판(W)이 유지된다. 그리고, 제어장치(4)는 복수의 리프트핀(419)을 퇴피 위치까지 이동시킨 후, 게이트 개폐기구(624)에 의해 게이트 셔터(623)를 폐쇄 위치까지 하강시킨다. 이에 의해, 챔버(608) 내가 밀폐된다. 그 때문에, 기판(W)은 밀폐공간 내에서 유지된다.
다음으로, 챔버(608) 내의 분위기에 질소가스가 도입된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는, 게이트 셔터(623)가 폐쇄 위치에 위치하는 상태에서, 질소가스밸브(626)를 열어, 토출구(697)로부터 질소가스를 토출시킨다. 이에 의해, 질소가스가 챔버(608) 내에 공급된다. 그 때문에, 챔버(608) 내의 기압이 상승되어, 압력조정밸브(473)가 열린다. 따라서, 챔버(608) 내의 분위기가 배출구(632)로부터 배출된다. 이에 의해, 챔버(608) 내에, 질소가스가 도입된다. 이 때, 챔버(608) 내의 분위기 중 산소 농도가 1∼10%로 되도록 질소가스가 도입된다. 그 후, 제어장치(4)는 질소가스밸브(626)를 닫는다. 이에 의해, 압력조정밸브(473)가 닫혀, 챔버(608) 내로부터의 기체의 배출이 정지된다. 그 때문에, 공기 및 질소가스가 챔버(608) 내에 충만되어 있는 상태가 유지된다.
다음으로, 자외선이 기판(W)에 조사된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는, 게이트 셔터(623)가 폐쇄 위치에 위치하는 상태에서, 자외선조사램프(698)로부터 자외선을 조사시킨다. 이에 의해, 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에 자외선이 균일하게 조사된다. 또한, 챔버(608) 내의 분위기가 질소가스 분위기로 치환되어 있으므로, 기판(W)의 상면에는, 질소가스 분위기에서 자외선이 조사된다. 기판(W)은, 자외선이 조사됨으로써 가열된다. 또한 기판(W)에 부착되어 있는 유기물 등의 이물질은 자외선의 조사에 의해 제거된다. 이와 같이 하여, UV 처리(자외선 조사 공정)가 행하여진다. 그리고, 자외선의 조사가 소정 시간에 걸쳐 행하여지면, 제어장치(4)는 자외선조사램프(698)로부터의 자외선의 조사를 정지시킨다.
다음으로, 챔버(608) 내의 분위기가 질소가스 분위기로 치환된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는, 게이트 셔터(623)가 폐쇄 위치에 위치하는 상태에서, 질소가스밸브(626)를 열어, 토출구(697)로부터 질소가스를 토출시킨다. 이에 의해, 질소가스가 챔버(608) 내에 공급된다. 그 때문에, 챔버(608) 내의 기압이 상승되어, 압력조정밸브(473)가 열린다. 따라서, 챔버(608) 내의 분위기가 배출구(632)로부터 배출된다. 이에 의해, 챔버(608) 내의 분위기가 질소가스로 치환된다.
다음으로, 자외선조사유닛(607e)으로부터 기판(W)이 반출된다. 구체적으로는, 제어장치(4)는 게이트 개폐기구(624)에 의해 게이트 셔터(623)를 개방 위치로 이동시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 리프트핀 승강기구(421)에 의해 복수의 리프트핀(419)을 돌출 위치까지 상승시킨다. 이에 의해, 기판유지대(414)에 유지되어 있는 기판(W)이 복수의 리프트핀(419)에 의해 지지된다. 제어장치(4)는 복수의 리프트핀(419)을 돌출 위치로 이동시킨 후, 복수의 리프트핀(419)에 의해 지지되어 있는 기판(W)을 센터로봇(CR)에 의해 반출시킨다. 이에 의해, 자외선조사유닛(607e)으로부터 기판(W)이 반출된다.
도 25는 본 발명의 제6 실시형태에 의한 기판처리장치(601)에 의해 행하여지는 기판(W)의 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 도 25에서의 시릴화 처리, 에칭 처리, 린스 처리, 및 UV 처리는 각각, 시릴화유닛(407a), 에칭유닛(407b), 세정유닛(407c), 및 자외선조사유닛(607e)에 의해 행하여지는 처리이다. 이하에서는, 산화막의 일례인 SiO2막과, 질화막의 일례인 SiN막이 형성된 기판(W)의 표면에 에칭제의 일례인 불화수소산의 증기를 공급하여, SiN막을 선택적으로 제거하는 선택 에칭의 일례에 대하여 설명한다.
처리예 6-1에서는, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 자외선조사유닛(607e)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 자외선조사유닛(607e)에 의해 UV 처리(시릴화 전 자외선 조사 공정)를 실행한다. 이에 의해, 기판(W)으로부터 유기물이 제거된다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 자외선조사유닛(607e)으로부터 시릴화유닛(407a)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 시릴화유닛(407a)에 의해 시릴화 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 시릴화유닛(407a)으로부터 에칭유닛(407b)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 에칭유닛(407b)에 의해 에칭 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
처리예 6-2에서는, 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 자외선조사유닛(607e)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 UV 처리(시릴화 전 자외선 조사 공정), 시릴화 처리, 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 에칭유닛(407b)으로부터 자외선조사유닛(607e)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 자외선조사유닛(607e)에 의해 UV 처리(시릴화 후 자외선 조사 공정)를 실행한다. 이에 의해, 기판(W)으로부터 시릴화제(예를 들면, HMDS)가 제거된다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
전술한 처리예 6-1에 있어서, 제어장치(4)는 에칭 처리를 실행한 후에 세정유닛(407c)에 의해 린스 처리 및 건조 처리를 실행하고, 기판(W)에 부착되어 있는 액체나 이물질을 씻어내도 좋다(처리예 6-3 참조). 또한 제어장치(4)는 처리예 6-1, 3에 있어서, 시릴화 처리를 실행한 후로서 에칭 처리를 실행하기 전에 냉각유닛(507d)에 의해 냉각 처리를 실행하여도 좋다. 마찬가지로, 제어장치(4)는 처리예 6-2에 있어서, 2회째의 UV 처리를 실행한 후에 세정유닛(407c)에 의해 린스 처리 및 건조 처리를 실행하고, 기판(W)에 부착되어 있는 액체나 이물질을 씻어내도 좋다(처리예 6-4 참조). 또한 제어장치(4)는 처리예 6-2 및 처리예 6-4에 있어서, 시릴화 처리를 실행한 후로서 에칭 처리를 실행하기 전에 냉각유닛(507d)에 의해 냉각 처리를 실행하여도 좋다.
처리예 6-5에서는, 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 자외선조사유닛(607e)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 UV 처리(시릴화 전 자외선 조사 공정), 시릴화 처리, 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 에칭 처리가 행하여진 후, 제어장치(4)는 다시 시릴화 처리 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 즉, 처리예 6-5에서는, 제어장치(4)는 UV 처리를 실시한 후에, 시릴화 처리 및 에칭 처리를 포함하는 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 실행한다. 그리고, 반복 공정이 행하여진 후는, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 에칭유닛(407b)으로부터 세정유닛(407c)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 세정유닛(407c)에 의해 린스 처리 및 건조 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
처리예 6-6에서는, 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 캐리어(C)로부터 자외선조사유닛(607e)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 UV 처리(시릴화 전 자외선 조사 공정), 시릴화 처리, 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 그리고, 에칭 처리가 행하여진 후, 제어장치(4)는 다시 시릴화 처리 및 에칭 처리를 순차적으로 실행한다. 즉, 처리예 6-6에서는, 제어장치(4)는 UV 처리를 실시한 후에, 시릴화 처리 및 에칭 처리를 포함하는 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 실행한다. 그리고, 반복 공정이 행하여진 후는, 제어장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 에칭유닛(407b)으로부터 자외선조사유닛(607e)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 자외선조사유닛(607e)에 의해 UV 처리(시릴화 후 자외선 조사 공정)를 실행한다. 그리고, 체사장치(4)는 센터로봇(CR)에 의해 자외선조사유닛(607e)으로부터 세정유닛(407c)으로 기판(W)을 반송시킨다. 그 후, 제어장치(4)는 세정유닛(407c)에 의해 린스 처리 및 건조 처리를 실행한다. 그리고, 제어장치(4)는 인덱서로봇(IR) 및 센터로봇(CR)에 의해, 기판(W)을 캐리어(C) 내에 반입시킨다.
전술한 처리예 6-5에 있어서, 제어장치(4)는 시릴화 처리 및 에칭 처리와 아울러, 린스 처리 및 건조 처리를 반복하여 실행하여도 좋다. 즉, 처리예 6-5에 있어서 반복 공정이 행하여진 후에 실행되는 린스 처리 및 건조 처리가 일련의 사이클에 포함되어 있어, 시릴화 처리, 에칭 처리, 린스 처리, 및 건조 처리가 순차적으로 반복하여 실행되어도 좋다(처리예 6-7 참조). 마찬가지로, 처리예 6-6에 있어서 반복 공정이 행하여진 후에 실행되는 UV 처리, 린스 처리, 및 건조 처리가 일련의 사이클에 포함되어 있어, 시릴화 처리, 에칭 처리, UV 처리, 린스 처리, 및 건조 처리가 순차적으로 반복 실행되어도 좋다(처리예 6-8 참조). 또한 처리예 6-5∼6-8에 있어서, 시릴화 처리가 실행된 후로서, 에칭 처리가 실행되기 전에, 냉각 처리가 실행되어도 좋다. 즉, 처리예 6-5∼6-8의 일련의 사이클에 냉각 처리가 포함되어 있어도 좋다. 처리예 6-8에 나타내는 바와 같이, UV 처리(자외선 조사 공정)가 일련의 사이클에 포함되는 경우, 각 사이클의 UV 처리는 같은 사이클의 시릴화 처리(시릴화 공정)가 행하여진 후에 실행되기 때문에, 그 UV 처리는 시릴화 후 자외선 조사 공정이다. 또한, 각 사이클의 UV 처리는 다음의 사이클의 시릴화 처리가 행하여지기 전에 실행되기 때문에, 그 UV 처리는 시릴화 전 자외선 조사 공정이기도 하다.
이상과 같이 제6 실시형태에서는, 자외선이 조사된 기판(W)에 시릴화제 및 에칭제가 순차적으로 공급된다. 자외선이 기판(W)에 조사됨으로써, 기판(W)에 부착되어 있는 유기물 등의 이물질을 제거할 수 있다. 따라서, 기판(W)에 대한 시릴화제 및 에칭제의 반응성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 선택비를 향상시킬 수 있다. 또한, 제6 실시형태에서는, 시릴화된 기판(W)에 자외선이 조사되므로, 기판(W)에 부착되어 있는 HMDS 등의 시릴화제를 제거할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 청정도를 향상시킬 수 있다.
또한 제6 실시형태에서는, 시릴화 공정, 에칭 공정, 및 자외선 조사 공정을 포함한 일련의 사이클이 복수회 행하여진다. 즉, 같은 사이클에서는, 시릴화제 및 에칭제가 공급된 기판(W)에 자외선이 조사되고, 2회째 이후의 사이클에서는, 자외선이 조사된 기판(W)에 시릴화제 및 에칭제가 공급된다. 전술한 바와 같이, 시릴화된 기판(W)에 자외선을 조사함으로써, 기판(W)에 부착되어 있는 시릴화제를 제거할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 청정도를 향상시킬 수 있다. 또한, 2회째 이후의 사이클에서는, 자외선의 조사에 의해 유기물 등의 이물질이 제거된 기판(W)에 시릴화제 및 에칭제가 공급된다. 따라서, 2회째 이후의 사이클에 대하여 기판(W)에 대한 시릴화제 및 에칭제의 반응성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 선택비를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시형태의 설명은 이상이지만, 본 발명은 전술한 제1∼제6 실시형태의 내용에 한정되는 것은 아니며, 또 다른 형태로 실시할 수 있다.
예를 들면, 전술한 제1∼제6 실시형태에서는, 기판처리장치가 매엽식의 기판처리장치인 경우에 대하여 설명하였지만, 제1∼제6 실시형태에 의한 기판처리장치는 복수매의 기판(W)을 일괄하여 처리하는 배치(batch)식의 기판처리장치이어도 좋다. 구체적으로는, 제1∼제6 실시형태에 의한 기판처리장치는 복수매의 기판(W)이 침지(浸漬)되는 처리액을 저장하는 처리조(處理槽)와, 처리조에 시릴화제를 공급하는 시릴화제 공급기구와, 처리조에 에칭제를 공급하는 에칭제 공급기구 포함하는 배치식의 기판처리장치이어도 좋다.
또한, 전술한 제1 및 제2 실시형태에서는, 에칭제로서 에칭액을 기판에 공급하고 있지만, 에칭제로서 에칭 성분을 갖는 증기를 기판에 공급하여도 좋다. 예를 들면, 에칭제노즐(39)로부터 에칭 성분을 갖는 증기(예를 들면, 불화수소산의 증기)가 기판에 공급되어도 좋다.
또한, 전술한 제2 실시형태에서는, 모든 처리유닛(207)이 시릴화·에칭유닛(207a)인 경우에 대하여 설명하였지만, 시릴화·에칭유닛(207a)과는 다른 유닛이 복수의 처리유닛(207)에 포함되어 있어도 좋다.
또한, 전술한 제1 및 제2 실시형태에서는, 시릴화 공정 및 에칭 공정은 각각 1회씩 행해지고 있지만, 시릴화 공정 및 에칭 공정이 행해진 기판(W)에 대하여, 다시 시릴화 공정 및 에칭 공정을 하여도 좋다. 시릴화제의 공급에 의해 산화막의 에칭은 억제되지만, 에칭 공정이 장시간 행하여지면, 산화막의 에칭을 억제하는 효과가 시간의 경과와 함께 저하되어, 선택비가 저하될 우려가 있다. 그 때문에, 장시간의 에칭 공정을 하는 경우는, 에칭 공정 사이에 재차 시릴화 공정을 행함으로써, 에칭 공정에 대하여 높은 선택비를 유지할 수 있다.
또한, 전술한 제4∼제6 실시형태에서는, 불화수소산의 증기에 의해 기판을 에칭하는 경우에 대하여 설명하였지만, 불화수소산 이외의 에칭제에 의해 기판을 에칭하여도 좋다. 또한 기판에 공급되는 에칭제는 증기이어도 좋고, 액체이어도 좋다.
또한, 전술한 제4 실시형태에서는, 시릴화유닛, 에칭유닛, 및 세정유닛이 각각 독립하여 있는 경우에 대하여 설명하였지만, 시릴화유닛, 에칭유닛, 및 세정유닛 중 2개 이상의 유닛이 1개로 통합되어 있어도 좋다. 구체적으로는, 제2 실시형태와 같이, 시릴화유닛과 에칭유닛이 통합되어 있어도 좋다. 또한, 시릴화유닛, 에칭유닛, 및 세정유닛이 통합되어 있어도 좋다.
마찬가지로, 전술한 제5 실시형태에서는, 시릴화유닛, 에칭유닛, 세정유닛, 냉각유닛이 각각 독립하여 있는 경우에 대하여 설명하였지만, 이들 유닛 중 2개 이상이 1개로 통합되어 있어도 좋다. 제6 실시형태에 대하여도 마찬가지로, 시릴화유닛, 에칭유닛, 세정유닛, 냉각유닛, 및 자외선조사유닛 중 2개 이상이 1개로 통합되어 있어도 좋다. 구체적으로는, 제2 실시형태와 같이, 시릴화유닛과 에칭유닛이 통합되어 있어도 좋다. 또한, 자외선조사유닛에 설치된 기판유지대에 냉각장치가 매설되어 있고, 냉각유닛과 자외선조사유닛이 통합되어 있어도 좋다.
본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명하였지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 명확하게 하기 위하여 사용된 구체적인 예에 불과하고, 본 발명은 이러한 구체적인 예에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부한 청구범위에 의해서만 한정된다.
본 출원은 2011년 1월 20일 및 2011년 3월 23일에 각각 일본특허청에 제출된 특허출원 제2011-010154호 및 특허출원 제2011-063722호에 대응하며, 이들 출원의 전체 개시(開示)는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.

Claims (14)

  1. 산화막과 질화막이 형성된 기판에 시릴화제를 공급하는 시릴화 공정과,
    상기 시릴화 공정이 행하여진 후에, 상기 기판에 에칭제를 공급하여, 상기 기판에 형성된 상기 질화막을 선택적으로 제거하는 에칭 공정을 포함하는 기판처리방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에칭제는 에칭 성분을 갖는 증기인 기판처리방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 에칭 성분은 불화수소산이고, 상기 증기는, 불화수소산이 의사공비조성(擬似共沸組成)으로 되는 농도로 조정되어 있는 불화수소산 수용액으로부터 발생하여 상기 기판에 공급되는 기판처리방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 시릴화제는 비수용성의 시릴화제이며,
    상기 에칭제는 물을 포함하는 에칭제인 기판처리방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 산화막은 SiO2막이고, 상기 질화막은 SiN막이고,
    상기 시릴화제는 HMDS이고, 상기 에칭제는 불화수소산과 에틸렌글리콜을 포함하는 수용액인 기판처리방법.
  6. 제1항에 있어서
    상기 시릴화 공정과 병행하여 행해져, 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 시릴화 공정과 상기 에칭 공정을 포함하는 일련의 사이클을 복수회 행하는 반복 공정을 포함하는 기판처리방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 사이클은 상기 에칭 공정이 행하여진 후에, 린스액을 상기 기판에 공급하는 린스 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 사이클은 상기 에칭 공정이 행하여진 후에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 자외선 조사 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 시릴화 공정이 행하여지기 전에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 시릴화 전(前) 자외선 조사 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 시릴화 공정이 행하여진 후에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 시릴화 후(後) 자외선 조사 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 시릴화 공정이 행하여지기 전에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 시릴화 전 자외선 조사 공정과,
    상기 시릴화 공정이 행하여진 후에, 자외선을 상기 기판에 조사하는 시릴화 후 자외선 조사 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
  13. 측벽에 기판 반입/반출을 위한 개구가 형성됨과 함께 내부에 기판을 수평으로 유지하는 스핀베이스가 배치된 챔버의 내부에서, 기판을 처리하는 기판처리방법으로서,
    상기 챔버의 외부로부터 상기 개구를 통하여, 산화막과 질화막이 형성된 기판을 상기 챔버 내부에 반입하여, 상기 스핀베이스에 재치(載置)하는 공정과,
    상기 스핀베이스에 재치된 기판을 향하여 시릴화제를 공급하는 시릴화 공정과,
    상기 시릴화 공정이 행하여진 후에, 상기 스핀 베이스에 재치된 기판을 향하여 에칭제를 공급하는 에칭 공정과,
    상기 기판에 대하여 린스액을 공급하여 상기 기판에 부착되어 있는 에칭액을 씻어내는 린스 처리와,
    상기 기판을 건조시키는 건조 처리와,
    상기 기판을 상기 챔버 외부로 반출하는 반출 공정을 구비한 기판처리방법.
  14. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180068591A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 삼성전자주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Families Citing this family (349)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8282984B2 (en) * 2007-12-03 2012-10-09 Tokyo Electron Limited Processing condition inspection and optimization method of damage recovery process, damage recovering system and storage medium
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5538128B2 (ja) * 2010-08-09 2014-07-02 東京エレクトロン株式会社 排気方法およびガス処理装置
JP5611884B2 (ja) 2011-04-14 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5490071B2 (ja) * 2011-09-12 2014-05-14 株式会社東芝 エッチング方法
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN104040703B (zh) * 2012-01-26 2016-11-09 应用材料公司 具有顶部基板支撑组件的热处理腔室
JP5898549B2 (ja) * 2012-03-29 2016-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5821784B2 (ja) * 2012-05-31 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置及び記憶媒体
JP6317547B2 (ja) * 2012-08-28 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6242057B2 (ja) * 2013-02-15 2017-12-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US9738976B2 (en) * 2013-02-27 2017-08-22 Ioxus, Inc. Energy storage device assembly
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10269591B2 (en) * 2013-10-23 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of selectively removing silicon nitride and single wafer etching apparatus thereof
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6211458B2 (ja) * 2014-04-30 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
US9868902B2 (en) 2014-07-17 2018-01-16 Soulbrain Co., Ltd. Composition for etching
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
AR103172A1 (es) 2014-12-22 2017-04-19 Novartis Ag Reducción selectiva de residuos de cisteina en anticuerpos il-17
KR101877112B1 (ko) * 2015-01-23 2018-07-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 그리고 유체 노즐
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
KR101874822B1 (ko) 2016-04-01 2018-07-06 주식회사 테스 실리콘산화막의 선택적 식각 방법
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
CN107369619B (zh) * 2016-05-12 2021-04-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及制备方法、电子装置
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9653307B1 (en) * 2016-07-14 2017-05-16 Micron Technology, Inc. Surface modification compositions, methods of modifying silicon-based materials, and methods of forming high aspect ratio structures
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10840114B1 (en) * 2016-07-26 2020-11-17 Raytheon Company Rapid thermal anneal apparatus and method
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6754257B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP6770428B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 除電装置および除電方法
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP2018163980A (ja) * 2017-03-24 2018-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
KR101828437B1 (ko) * 2017-04-06 2018-03-29 주식회사 디엔에스 실리콘 질화막 식각용 조성물.
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102258307B1 (ko) * 2018-09-03 2021-06-01 주식회사 이엔에프테크놀로지 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
JP7178223B2 (ja) * 2018-09-21 2022-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
KR102571430B1 (ko) * 2018-10-31 2023-08-28 오씨아이 주식회사 실리콘 기판 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
JP7163199B2 (ja) * 2019-01-08 2022-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
JP7232710B2 (ja) * 2019-05-29 2023-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
CN110211871B (zh) * 2019-06-19 2020-10-27 英特尔半导体(大连)有限公司 半导体晶圆表面清洗方法与设备
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102357066B1 (ko) * 2019-10-31 2022-02-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112705423B (zh) * 2021-01-18 2021-11-12 济南法诺商贸有限公司 一种智能芯片制造设备及制造方法
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
WO2023234368A1 (ja) * 2022-06-02 2023-12-07 セントラル硝子株式会社 基材の処理方法、および基材の製造方法
WO2023234370A1 (ja) * 2022-06-02 2023-12-07 セントラル硝子株式会社 基材の処理方法、および基材の製造方法
JP2024124744A (ja) * 2023-03-03 2024-09-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009188411A (ja) * 2009-03-06 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム
KR20100044097A (ko) * 2008-10-21 2010-04-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP2010287655A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4349609A (en) * 1979-06-21 1982-09-14 Fujitsu Limited Electronic device having multilayer wiring structure
EP0238690B1 (en) * 1986-03-27 1991-11-06 International Business Machines Corporation Process for forming sidewalls
DE3786549D1 (de) * 1987-03-27 1993-08-19 Ibm Deutschland Verfahren zum herstellen beliebig geformter mikromechanischer bauteile aus planparallelen platten aus polymermaterial oder beliebig geformter duchfuehrungsoeffnungen in denselben.
JPH05182904A (ja) * 1992-01-07 1993-07-23 Fujitsu Ltd パターン形成方法
AU3964199A (en) * 1998-04-07 1999-10-25 Euv Limited Liability Corporation Thin layer imaging process for microlithography using radiation at strongly attenuated wavelengths
JP3884610B2 (ja) 2000-09-01 2007-02-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板表面処理方法および基板表面処理装置
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7270941B2 (en) * 2002-03-04 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Method of passivating of low dielectric materials in wafer processing
US7687917B2 (en) 2002-05-08 2010-03-30 Nec Electronics Corporation Single damascene structure semiconductor device having silicon-diffused metal wiring layer
TW559999B (en) 2002-05-08 2003-11-01 Nec Corp Semiconductor device having silicon-including metal wiring layer and its manufacturing method
JP4540961B2 (ja) * 2003-10-10 2010-09-08 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 エッチングストッパー層形成用組成物
JP2005268605A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Daikin Ind Ltd ＳｉＮ膜の選択エッチング液及びエッチング方法
JP5057647B2 (ja) 2004-07-02 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP2006086411A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TWI241221B (en) 2004-12-24 2005-10-11 Ind Tech Res Inst Apparatus and method for dry cleaning a substrate by UV light
JP4791034B2 (ja) 2004-12-28 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP5247999B2 (ja) * 2005-09-29 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7482281B2 (en) * 2005-09-29 2009-01-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
JP2007134690A (ja) * 2005-10-11 2007-05-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造に用いられる薬液
TW200721311A (en) 2005-10-11 2007-06-01 Toshiba Kk Semiconductor device manufacturing method and chemical fluid used for manufacturing semiconductor device
JP5019741B2 (ja) * 2005-11-30 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法および基板処理システム
JP2007258405A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
TWI378502B (en) * 2006-06-12 2012-12-01 Semes Co Ltd Method and apparatus for cleaning substrates
JP2009010043A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法，基板処理装置，記録媒体
JP2009008774A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd レジスト剥離方法
JP5312923B2 (ja) 2008-01-31 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2009188205A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5270251B2 (ja) * 2008-08-06 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR20110086028A (ko) 2008-10-21 2011-07-27 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 표면 처리액 및 표면 처리 방법, 그리고 소수화 처리 방법 및 소수화된 기판
JP5377052B2 (ja) * 2009-04-17 2013-12-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US20110151590A1 (en) * 2009-08-05 2011-06-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for low-k dielectric repair
JP5611884B2 (ja) * 2011-04-14 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100044097A (ko) * 2008-10-21 2010-04-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP2010103151A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP2009188411A (ja) * 2009-03-06 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム
JP2010287655A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180068591A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 삼성전자주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR102710507B1 (ko) 2016-12-14 2024-09-25 삼성전자주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI529795B (zh) 2016-04-11
TW201250815A (en) 2012-12-16
JP5782279B2 (ja) 2015-09-24
US8883653B2 (en) 2014-11-11
JP2012164949A (ja) 2012-08-30
CN102610514A (zh) 2012-07-25
US20120187083A1 (en) 2012-07-26
KR20120084651A (ko) 2012-07-30
CN102610514B (zh) 2015-06-24
US20150034245A1 (en) 2015-02-05

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