KR101163669B1 - 적층에 의한 ｍｅｍｓ의 제조방법 및 이 방법에 의해 형성된 장치 - Google Patents
적층에 의한 ｍｅｍｓ의 제조방법 및 이 방법에 의해 형성된 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101163669B1 KR101163669B1 KR1020097025851A KR20097025851A KR101163669B1 KR 101163669 B1 KR101163669 B1 KR 101163669B1 KR 1020097025851 A KR1020097025851 A KR 1020097025851A KR 20097025851 A KR20097025851 A KR 20097025851A KR 101163669 B1 KR101163669 B1 KR 101163669B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- delete delete
- front substrate
- carrier
- substrate
- movable electrode
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 174
- 238000003475 lamination Methods 0.000 title description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 792
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 177
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 145
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 11
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 66
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 59
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 45
- 238000004049 embossing Methods 0.000 abstract description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 26
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 23
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract description 13
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 321
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 58
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 55
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 44
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 32
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 27
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 27
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 13
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100311067 Caenorhabditis elegans ssp-11 gene Proteins 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100111302 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) BCK1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100513485 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) MKK2 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- IRLPACMLTUPBCL-KQYNXXCUSA-N 5'-adenylyl sulfate Chemical compound C1=NC=2C(N)=NC=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](COP(O)(=O)OS(O)(=O)=O)[C@@H](O)[C@H]1O IRLPACMLTUPBCL-KQYNXXCUSA-N 0.000 description 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INMGJBLKVVUBSX-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin;silver Chemical compound [Ag].[In].[Sn]=O INMGJBLKVVUBSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000007591 painting process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0067—Mechanical properties
- B81B3/007—For controlling stiffness, e.g. ribs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/284—Interference filters of etalon type comprising a resonant cavity other than a thin solid film, e.g. gas, air, solid plates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/04—Optical MEMS
- B81B2201/042—Micromirrors, not used as optical switches
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/07—Interconnects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/092—Buried interconnects in the substrate or in the lid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49126—Assembling bases
Abstract
마스킹을 저감시킨 마이크로전자기계 시스템(MEMS)의 제조방법 및 해당 방법에 의해 형성된 MEMS 장치가 개시되어 있다. 일 실시형태에 있어서, MEMS 장치(900)는 전면 기판(910)과 캐리어(950)를 적층함으로써 제작되고, 이들 기판과 캐리어는 각각 그 위에 미리 형성된 구성요소를 지닌다. 상기 전면 기판(910) 위에는 정지 전극이 형성되어 있다. 이동식 전극(1360)이 상부에 형성된 캐리어(950)는 전면 기판(910)에 부착되어 있다. 몇몇 실시형태의 캐리어(3500)는 전면 기판(3570)에 이동식 전극(3510)을 전사시킨 후 이형된다. 다른 실시형태에 있어서, 캐리어(3450)는 전면 기판(3410) 위에 머물러서, MEMS 장치(3400)용의 후면판으로서 역할한다. 소정의 특징부는 증착 및 패턴화에 의해, 엠보싱에 의해 또는 패턴화와 에칭에 의해 형성된다. MEMS 장치(5200)가 간섭계 변조기로서 작용하는 몇몇 실시형태에 있어서, 전면 기판(5010)에는 또한 MEMS 장치의 작동 상태에서 밝은 영역을 방지하거나 완화시키기 위하여 흑색 마스크(5220)가 설치되어 있다. 또한, 정적 간섭계 변조기(5400)는 정형화 및 사전 형성 및 적층에 의해 형성될 수 있다. 이 방법은 제조 비용을 저감시킬 뿐만 아니라, 보다 높은 수율도 제공한다. 얻어지는 MEMS 장치는 적층된 기판들 간에 보다 작은 용적을 포획할 수 있어, 압력 변동 및 수분 누설에 덜 민감하게 한다.
마이크로전자기계 시스템(MEMS), 캐리어, 간섭계 변조기, 전면 기판
Description
관련 출원들의 상호 참조
본 출원은 35 U.S.C. § 119(e)에 따라서, 2007년 5월 11일자로 출원된 미국 가출원 일련 번호 60/917,609의 우선권을 주장하며, 그의 전문은 참조로 본 명세서에 원용된다. 본 출원은 미국 특허출원 공보 제2006/0067646 A1호(발명의 명칭: MEMS DEVICE FABRICATED ON A PRE-PATTERNED SUBSTRATE) 공보(변리사 서류 번호 IRDM.093A)와 관련된 것이다
기술분야
본 발명은 MEMS(microelectromechanical systems: 마이크로전자기계 시스템) 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 간섭계 변조기(interferometric modulator) 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
마이크로전자기계 시스템(MEMS)은 마이크로기계 소자, 작동기 및 전자 기기를 포함한다. 마이크로기계 소자는 기판 및/또는 증착(혹은 침착(deposition); 이하 본 명세서에서는 "증착"이라 표기함)된 재료층의 일부를 에칭해내거나 층들을 추가하여 전기 및 전자기계 장치를 형성하는 증착, 에칭 및/또는 기타 미세기계가공(micromachining) 공정들을 이용하여 형성될 수도 있다. MEMS 장치의 한 d유형은 간섭계 변조기라 불린다. 본 명세서에서 이용되는 바와 같이, 간섭계 변조기 또는 간섭계 광 변조기(interferometric light modulator)라는 용어는 광학적 간섭의 원리를 이용하여 광을 선택적으로 흡수 및/또는 반사하는 장치를 의미한다. 소정의 실시형태에 있어서, 간섭계 변조기는 1쌍의 도전판을 포함할 수도 있는 데, 상기 1쌍의 도전판의 어느 하나 또는 양쪽 모두가 전체 또는 부분적으로 투과형 및/또는 반사형일 수도 있고 적절한 전기 신호의 인가시 상대 운동을 할 수 있다. 특별한 실시형태에 있어서, 하나의 도전판은 기판에 증착된 고정층을 포함할 수도 있고, 다른 하나의 도전판은 공기 간극(air gap)에 의해 고정층과는 분리된 금속막을 포함할 수도 있다. 본 명세서에서 보다 더 상세히 설명하는 바와 같이, 도전판의 상대적 위치에 의해서 간섭계 변조기에 입사되는 광의 광학적 간섭은 변화될 수 있다. 이러한 장치들의 적용 범위는 광범위하며, 기존의 제품들을 개선시키는 데 있어서, 그리고 아직 개발되지 않은 새로운 제품들을 만들어내는 데 있어서 이러한 유형의 장치 특성들이 사용될 수 있도록 이들 장치의 특징들을 이용 및/또는 변경하는 것은 해당 기술 분야에서 유용할 것이다.
발명의 개요
마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치의 제조방법 및 이 방법에 의해 혀성된 MEMS 장치가 제공된다. 일 측면에 있어서, MEMS 장치는 전면 기판(front substrate) 및 캐리어(carrier)를 부착시킴으로써 제작되고, 이들은 각각 상부에 미리 형성된 소정의 특징부(features)를 지닌다. 상기 특징부는 증착 및 패턴화에 의해, 또는 정형화(shaping)(예컨대, 엠보싱, 패턴화 및 에칭, 또는 새김 작업(inscribing))에 의해 형성될 수 있다. 특징부가 정형화 및 증착에 의해 형성되어 있는 몇몇 실시형태에 있어서, 별도의 마스크를 이용하는 일없이 다수의 레벨(높이)을 이용해서 다수의 패턴이 형성된다. 다른 측면에 있어서, MEMS 장치용의 라우팅 구조체(routing structure)를 형성하는 방법이 제공된다. 또 다른 측면에 있어서, MEMS 장치에는 전면 기판과 후면판 사이에 간격을 유지하도록 간극 구조체가 설치되어 있다. 다른 측면에 있어서, 광학적 MEMS(예컨대, 간섭계 변조기)에서 원치 않는 반사를 방지하기 위한 흑색 마스크를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 제조 비용을 저감시킬 뿐만 아니라, 보다 높은 수율을 제공한다. 얻어지는 MEMS 장치는 압력 변동 및 수분 누설에 대해 덜 민감하다.
일 측면에 있어서, MEMS 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 투명한 기판 및 해당 투명한 기판 위에 적어도 부분적으로 투명한 전극을 포함하는 투명 전극 조립체를 제공하는 단계; 반사 전극이 상부에 형성되어 있는 캐리어를 제공하는 단계; 및 상기 반사 전극이 상기 적어도 부분적으로 투명한 전극과 대면하여 공동부(cavity)을 형성하도록 상기 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계를 포함한다.
다른 측면에 있어서, 간섭계 장치 어레이(interferometric device array)를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 전면 기판 상에 공동부를 규정하는 지지부를 포함하는 해당 전면 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 공동부 내에 형성된 전면 전극(front electrode)을 추가로 포함한다. 상기 방법은 이동식 전극이 상부에 형성되어 있는 캐리어를 제공하는 단계; 및 상기 이동식 전극이 상기 전면 전극의 적어도 일부에 대면하여 하나 이상의 간섭계 장치(interferometric device)를 형성하도록 상기 캐리어에 상기 전면 기판을 부착하는 단계를 추가로 포함한다.
또 다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 이 장치는 전면 기판 상에 공동부를 규정하는 복수개의 지지부를 포함하는 해당 전면 기판; 및 상기 지지부에 의해 지지된 복수개의 이동식 전극을 포함한다. 상기 이동식 전극의 각각은 상기 지지부 위에 놓인 제1부분과 상기 제1부분에 이웃하고 있는 제2부분을 포함한다. 상기 제2부분은 상기 지지부 위에 놓여 있지 않다. 상기 제1부분은 제1두께를 지니고, 상기 제2부분은 제2두께를 지니며, 상기 제2두께는 상기 제1두께보다 크다.
또 다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS)의 어레이가 제공된다. 이 어레이는 전면 기판 상에 공동부를 규정하는 복수개의 지지부를 포함하는 해당 전면 기판을 포함하되, 상기 공동부는 각각 바닥면을 지닌다. 상기 장치는 상기 전면 기판과 실질적으로 대향하여 해당 전면 기판 위에 놓여 있는 후면판을 포함한다. 상기 후면판은 상기 전면 기판의 공동부와 대면하는 표면을 지닌다. 상기 표면은 상기 전면 기판으로부터 가장 멀리 떨어져 있다. 상기 장치는 상기 지지부와 상기 후면판의 상기 표면 사이에 개재된 복수개의 기계적 스트립(mechanical strips)을 추가로 포함한다. 이들 기계적 스트립은 각각 다수의 MEMS 장치용의 이동 전극으로서 역할한다. 상기 공동부 중 하나의 바닥면과 상기 후면판의 가장 멀리 떨어져 있는 표면과의 거리는 약 약 6,500 Å 내지 20 ㎛이다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 이 장치는 기판과 동일한 재료로 일체적으로 형성되어 있는 복수개의 지지부를 포함하는 해당 기판; 및 이동 전극을 규정하는 복수개의 기계적 요소를 포함한다. 상기 기계적 요소는 상기 지지부의 상부에 지지되어 있다.
또 다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 해당 장치는 표면을 지닌 기판을 포함한다. 상기 기판은 상기 표면 내에 형성된 복수개의 골부(trough)를 포함한다. 이들 골부는 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있다. 상기 기판의 표면은 해당 기판의 보다 높은 영역을 규정하는 한편, 상기 골부는 해당 기판의 보다 낮은 영역을 규정한다. 상기 장치는 상기 기판의 보다 낮은 영역 상에 형성된 복수개의 고정 전극을 추가로 포함한다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS)의 전면 기판이 제공된다. 상기 전면 기판은 기판 상에 복수개의 공동부를 규정하는 복수개의 지지부를 포함하는 해당 기판을 포함한다. 상기 지지부는 상기 기판과 동일한 재료로 일체적으로 형성되어 있다. 상기 전면 기판은 상기 지지부들 사이의 상기 공동부 내에 형성된 전도층(conductive layer)을 추가로 포함한다.
또 다른 측면에 있어서, 간섭계 변조기를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 기판으로부터 복수개의 지지부를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 지지부는 상기 기판과 동일한 재료로 일체적으로 형성되어 있다. 상기 방법은 상기 지지부 상에 기계적 요소가 지지되도록 이동 전극을 규정하는 복수개의 기계적 요소를 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS)을 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 평탄한 기판을 제공하는 단계; 및 MEMS 공동부의 높이를 규정하도록 상기 기판과 일체로 지지 구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 MEMS 공동부는 바닥 부분을 지니고, 상기 MEMS 공동부는 그 내부에 이동 전극의 움직임을 수용하도록 구성되어 있다. 상기 방법은 상기 공동부의 바닥 부분 상에 전도층을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
또 다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 상기 장치는 전면 기판 위에 형성된 복수개의 전극을 포함하는 해당 전면 기판; 및 캐리어와 상기 전면 기판 사이에 상기 전극들을 개재시키도록 상기 전면 기판에 실질적으로 대향하는 해당 캐리어를 포함한다. 상기 캐리어는 해당 캐리어로부터 뻗어있는 복수개의 레일을 포함한다. 상기 장치는 상기 전면 기판과 상기 캐리어의 레일 사이에 개재된 복수개의 이동식 전극을 추가로 포함한다.
다른 측면에 있어서, 정지 전극(stationary electrode)이 상부에 형성되어 있는 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 전면 기판에 부착하기 위한 캐리어가 제공된다. 상기 캐리어는 복수개의 레일을 포함하는 기판을 포함한다. 상기 레일은 해당 레일과 교번하는 골부를 규정한다. 상기 캐리어는 상기 레일 위에 형성된 제1부분과 상기 골부 내에 형성된 제2부분을 포함하는 전극층을 추가로 포함한다. 상기 전극층은 상기 골부와 상기 레일 사이에서 불연속적이다.
또 다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 어레이를 제조하는 방법이 제공된다. 이 MEMS 어레이는 제1면을 지니는 전면 기판을 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 제1면 위에 형성된 복수개의 고정된 하부 전극을 포함한다. 상기 방법은 캐리어 기판으로부터 일체로 형성된 메사부(mesas)를 지니도록 상기 캐리어 기판을 정형화하는 단계를 포함한다. 상기 메사부는 해당 메사부와 교번하는 골부를 규정한다. 상기 방법은 상기 캐리어 기판의 골부 내에 그리고 상기 메사부 위에 기계식 층(mechanical layer)을 증착시키는 단계를 추가로 포함한다. 상기 기계식 층은 상기 골부와 메사부 사이에서 불연속적이다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 상기 장치는 전면 기판으로부터 뻗어 있는 제1지지부를 포함하는 해당 전면 기판; 상기 제1지지부가 상기 전면 기판과 후면판의 표면 사이에 개재되도록 상기 전면 기판에 실질적으로 대향하는 표면을 지니는 해당 후면판; 및 상기 전면 기판과 후면판 사이에 개재된 이동 전극을 포함한다. 상기 이동 전극은 상기 제1지지부 상에 지지된 부분을 포함한다. 상기 장치는 상기 전면 기판의 제1지지부와 상기 후면판의 표면 중 한쪽으로부터 뻗어 있는 제2지지부를 추가로 포함한다. 상기 제2지지부는 상기 전면 기판의 제1지지부와 상기 후면판의 표면 사이에 위치결정되어 있다.
또 다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 상기 장치는 제1면을 지니는 전면 기판을 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 제1면 위에 형성된 광학적 적층부(optical stack)를 포함한다. 상기 장치는 전면 기판에 대향하는 후면판을 추가로 포함한다. 상기 후면판은 상기 제1면에 대면하는 제2면을 지닌다. 상기 후면판은 기둥부의 높이가 상기 제1면과 제2면 간의 거리를 규정하도록 상기 제2면으로부터 상기 제1면을 향하여 뻗어 있는 기둥부를 포함한다. 상기 장치는 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있는 복수개의 이동식 전극 스트립을 추가로 포함한다. 상기 스트립은 상기 제1면과 제2면 사이에 개재되어 있다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 상기 장치는 전면 기판; 및 상기 전면 기판에 대향하는 후면판을 포함한다. 상기 후면판은 상기 전면 기판에 대면하는 표면을 지닌다. 상기 장치는 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있는 복수개의 이동식 전극 스트립을 추가로 포함한다. 상기 스트립은 상기 전면 기판과 후면판 사이에 개재되어 있다. 상기 스트립의 일부분은 상기 전면 기판을 향하여 이동가능하다. 상기 장치는, 기둥부가 상기 스트립의 일부분의 상기 표면을 향한 이동을 제한하기 위하여 배열되도록 상기 후면판의 표면으로부터 뻗어 있는 복수개의 기둥부를 추가로 포함한다.
또 다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 전면 기판으로부터 뻗어 있는 제1지지부를 포함하는 해당 전면 기판을 제공하는 단계; 표면을 지닌 후면판을 제공하는 단계; 상기 전면 기판과 상기 후면판의 표면 사이에 제1지지부가 개재되도록 상기 후면판에 상기 전면 기판을 부착하는 단계; 및 제2지지부가 상기 전면 기판의 제1지지부 및 상기 후면판의 표면 중 한쪽으로부터 뻗도록, 상기 전면 기판의 제1지지부와 상기 후면판의 표면 사이에 상기 제2지지부를 형성하는 단계를 포함한다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 상기 장치는 제1면을 지니는 전면 기판을 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 제1면 상에 어레이 영역과 주변 영역을 포함한다. 상기 장치는 또한 상기 제1면과 대면하고 있는 제2면을 지니는 후면판을 포함한다. 상기 제1면과 제2면은 그 사이에 간극을 지닌다. 상기 후면판은 상기 제2면 상에 어레이 영역과 주변 영역을 포함한다. 상기 장치는 상기 전면 기판의 주변 영역 상에 뻗어 있는 전도성 배선(conductive line); 및 상기 전면 기판의 주변 영역과 상기 후면판의 주변 영역 사이에 뻗어 있는 전도성 구조체를 추가로 포함한다. 상기 전도성 구조체는 상기 전도성 배선과 접촉한다.
또 다른 측면에 있어서, 간섭계 변조기를 제조하기 위한 캐리어 조립체가 제공된다. 상기 간섭계 변조기는 실질적으로 투명한 전극이 상부에 형성되어 있는 전면 기판을 포함한다. 상기 캐리어 조립체는 또한 표면을 지닌 이형가능한 구조체; 및 상기 표면 위에 형성된 복수개의 긴 전도성 스트립을 포함한다. 상기 긴 전도성 스트립은 서로 실질적으로 평행한 방향으로 뻗어 있다.
다른 측면에 있어서, 간섭계 변조기가 제공된다. 상기 간섭계 변조기는 표면을 지닌 이형가능한 구조체, 및 해당 표면 위에 형성되어 있는 복수개의 긴 전도성 스트립을 포함하는 캐리어 조립체를 포함한다. 상기 긴 전도성 스트립은 실질적으로 서로 평행한 방향으로 뻗어 있다. 상기 간섭계 변조기는 또한 복수개의 지지부 및 실질적으로 투명한 전극을 포함하는 전면 기판을 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 전도성 스트립이 상기 지지부에 의해 지지되도록 상기 캐리어 조립체에 부착되어 있다.
또 다른 측면에 있어서, 간섭계 변조기의 제조방법이 제공된다. 이 간섭계 변조기는 전면 기판 상에 공동부를 규정하는 복수개의 지지부를 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 공동부 내에 형성된 하부 전극을 추가로 포함한다. 상기 방법은 표면을 지닌 이형가능한 구조체를 제공하는 단계; 상기 표면 위에 이동식 전극 재료를 증착시키는 단계; 상기 이동식 전극 재료의 일부분을 선택적으로 노출시키기 위하여 해당 이동식 전극 재료 위에 마스크를 제공하는 단계; 및 상기 마스크를 이용해서 상기 이동식 전극 재료를 선택적으로 에칭함으로써, 복수개의 이동식 전극 스트립을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 이동식 전극 스트립은 실질적으로 서로 평행한 방향으로 뻗어 있다. 상기 방법은 상기 이동식 전극 스트립이 상기 전면 기판의 공동부와 대면하도록 상기 전면 기판 위에 상기 이형가능한 구조체를 위치결정하는 단계를 추가로 포함한다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 상기 장치는 어레이 영역과 주변 영역을 포함하는 전면 기판을 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 어레이 영역 내에 복수개의 하부 영역을 그 사이에 규정하고 있는 복수개의 지지부를 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 주변 영역에 랜드부(land)를 추가로 포함한다. 상기 랜드부의 적어도 일부는 상기 어레이 영역 내의 지지부와 실질적으로 동일한 수준, 즉, 높이를 지닌다. 상기 장치는 또한 상기 주변 영역 내의 상기 랜드부 위에 형성된 복수개의 도체를 포함한다. 상기 도체는 서로 전기적으로 절연되어 있다. 상기 장치는 상기 전면 기판의 상기 하부 영역에 형성된 전도층을 추가로 포함한다.
또 다른 측면에 있어서, 간섭계 변조기의 전면 기판과 결합되는 캐리어가 제공된다. 상기 전면 기판에는 실질적으로 투명한 전극이 상부에 형성되어 있다. 상기 캐리어는 어레이 영역과 주변 영역을 포함하는 기판; 및 상기 기판의 어레이 영역 위에 형성된 복수개의 이동식 전극 스트립을 포함한다. 상기 스트립은 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있다. 상기 캐리어는 상기 기판 위에 형성된 복수개의 라우팅 트레이스(routing trace)를 추가로 포함한다. 이들 트레이스는 각각 상기 스트립의 각각으로부터 상기 주변 영역까지 뻗어 있다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 상기 장치는 어레이 영역과 주변 영역을 포함하는 전면 기판을 포함한다. 상기 전면 기판은 상기 어레이 영역 내에서 서로 평행하게 뻗어 있는 복수개의 레일을 포함한다. 상기 레일은 상기 어레이 영역 내에 복수개의 골부를 규정한다. 상기 전면 기판은 상기 주변 영역 내에 트렌치(trench)를 추가로 포함한다. 각 트렌치는 상기 골부의 각각으로부터 뻗어 있다. 상기 장치는 상기 트렌치 내에 형성된 행방향 라우팅 트레이스를 추가로 포함한다. 상기 행방향 라우팅 트레이스는 상기 어레이 영역 내의 상기 골부로부터 상기 주변 영역의 적어도 일부까지 뻗어 있다. 상기 행방향 라우팅 트레이스는 서로 전기적으로 절연되어 있다.
또 다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 상기 장치는 어레이 영역 및 해당 어레이 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표면을 지니는 전면 기판을 포함한다. 상기 전면 기판은 해당 전면 기판의 표면 상에 환형상 밀봉 영역을 포함한다. 상기 밀봉 영역은 상기 어레이 영역을 실질적으로 둘러싼다. 상기 밀봉 영역은 상기 어레이 영역을 향하는 방향으로 뻗는 제1폭을 지닌다. 상기 전면 기판은 또한 상기 기판 내에 형성된 오목부(혹은 홈부)를 포함한다. 상기 오목부는 상기 방향으로 뻗는 제2폭을 지닌다. 상기 제2폭은 상기 제1폭보다 크다. 상기 오목부는 상기 밀봉 영역의 일부분을 가로질러 뻗어 있다. 상기 오목부는 상기 전면 기판의 표면의 상승부(elevation)보다 낮은 상승부를 규정한다. 상기 전면 기판은 해당 전면 기판의 표면 상에 형성된 제1전도층; 및 상기 오목부 내에 형성된 제2전도층을 포함하되, 상기 제1전도층과 상기 제2전도층은 서로 불연속적이다.
다른 측면에 있어서, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 어레이 영역과 라우팅 영역(routing region)을 포함하는 표면을 지닌 전면 기판을 제공하는 단계; 및 상기 전면 기판의 표면의 상기 라우팅 영역에 고립 트렌치(isolation trench)를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 고립 트렌치는 바닥면과 측벽을 포함한다. 상기 고립 트렌치의 바닥면은 상기 전면 기판의 표면의 상승부보다 낮은 상승부를 규정한다. 상기 방법은 전도층이 상기 기판의 표면과 고립 트렌치 사이에서 불연속으로 되도록 상기 고립 트렌치의 바닥면과 상기 기판의 표면 상에 해당 전도층을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
또 다른 측면에 있어서, 간섭계 변조기를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 표면 상에 공동부를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 흡광 재료를 포함하는 액체 혼합물이 상기 공동부의 적어도 일부에서 충전되도록 상기 기판의 표면 위에서 해당 액체 혼합물을 제공하는 단계; 및 상기 흡광 재료의 적어도 일부가 상기 공동부 내에 남도록 상기 액체 혼합물을 제공한 후에 상기 기판의 공동부로부터 해당 액체 혼합물 중의 하나의 성분을 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다.
다른 측면에 있어서, 간섭계 변조기가 제공된다. 상기 간섭계 변조기는 표면을 지닌 기판을 포함한다. 상기 기판은 해당 기판의 표면에 형성된 복수개의 지지부를 포함한다. 상기 간섭계 변조기는 또한 상기 기판의 표면 상에 형성된 흡광 재료를 포함한다. 상기 재료의 실질적으로 모두는 상기 지지부가 상기 표면과 만나는 코너부에 위치결정되어 있다.
또 다른 측면에 있어서, 간섭계 변조기를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 기판 위에 지지 구조체를 형성하는 단계; 및 상기 지지 구조체를 형성한 후 상기 기판 위에 흑색 마스크 재료를 증착시키는 단계를 포함한다.
다른 측면에 있어서, 정적 간섭계 표시 장치(static interferometric display device)를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 부분적으로 투명한 층이 상부에 형성되어 있는 제1기판을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 제1기판은 실질적으로 투명한 재료로 형성되어 있다. 상기 방법은 또한 미러층(mirror layer)이 상부에 형성되어 있는 제2기판을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 제1기판과 제2기판 중 적어도 한쪽은 상기 정적 간섭계 표시 장치가 표시하도록 구성된 화상에 의거해서 패턴화되어 있는 공동부를 포함한다. 상기 방법은 상기 제1기판을 상기 제2기판과 적층시키는 단계를 추가로 포함한다. 상기 부분적으로 투명한 층은 제2기판과 대면한다. 상기 미러층은 상기 제1기판과 대면한다. 상기 기판 중 한쪽의 공동부가 상기 기판의 다른 쪽과 대면한다.
또 다른 측면에 있어서, 정적 간섭계 표시 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수개의 공동부를 포함하는 제1면을 지닌 제1기판을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 공동부는 적어도 하나의 깊이를 지닌다. 상기 공동부는 상기 정적 간섭계 표시장치가 표시하도록 구성된 화상에 적어도 부분적으로 의거해서 패턴화되어 있다. 상기 방법은 제2면을 포함하는 제2기판을 제공하는 단계; 및 상기 제1면이 상기 제2면과 대면하도록 상기 제1기판을 제2기판에 부착시키는 단계를 추가로 포함한다.
다른 측면에 있어서, 정적 간섭계 표시 장치가 제공된다 상기 장치는 제1면을 포함하는 제1기판을 포함한다. 상기 제1기판은 상기 제1면 상에 규정된 공동부를 포함한다. 상기 공동부는 상기 정적 간섭계 표시 장치가 표시하도록 구성된 화상에 적어도 부분적으로 의거해서 패턴화되어 있다. 상기 제1기판은 실질적으로 투명한 재료로 형성되어 있다. 상기 장치는 또한 상기 제1기판에 부착된 제2기판을 포함한다. 상기 제2기판은 상기 제1면과 대면하는 제2면을 포함한다. 상기 장치는 상기 제1기판의 공동부 내에 복수개의 반사층을 추가로 포함한다.
또 다른 측면에 있어서, 정적 간섭계 표시 장치가 제공된다. 상기 장치는 제1면을 포함하는 제1기판을 포함한다. 상기 제1기판은 상기 제1면 상에 규정된 공동부를 포함한다. 상기 공동부는 상기 정적 간섭계 표시장치가 표시하도록 구성된 화상에 적어도 부분적으로 의거해서 패턴화되어 있다. 상기 장치는 또한 상기 제1기판에 부착된 제2기판을 포함한다. 상기 제2기판은 상기 제1면과 대면하는 제2면을 포함한다. 상기 제2기판은 실질적으로 투명한 재료로 형성되어 있다. 상기 장치는, 상기 제1기판의 제1면 상에 있는 미러층; 및 상기 제2기판의 제2면 상에 있는 부분 반사층을 포함한다.
본 발명 및 종래 기술에 비해서 얻어지는 이점들을 요약할 목적으로, 본 발명의 소정의 목적과 이점들이 위에서 설명되어 있고 또한 이하에도 더욱 설명되어 있다. 물론, 이러한 목적 혹은 이점의 반드시 모두가 본 발명의 임의의 특정한 실시형태에 따라 달성되는 것이 아님을 이해할 필요가 있다. 즉, 예를 들어, 당업자라면, 본 명세서에 교시 혹은 제안되어 있을 수 있는 것과 다른 다른 목적 혹은 이점을 반드시 달성하는 일 없이 본 명세서에 교시된 바와 같은 하나의 이점 혹은 일군의 이점을 달성하거나 최적화시키는 방식으로 본 발명이 구체화되거나 수행될 수 있다는 것을 인식할 것이다.
이들 모든 실시형태는, 또한 첨부된 청구의 범위 및 본 명세서의 일부를 형성하는 도면을 참조하여 더욱 잘 이해될 것이다. 또한, 각종 변화, 변경, 조합 및 하위 조합 등은, 첨부된 청구의 범위에 의해 규정된 바와 같이, 본 발명의 정신과 범위로부터 벗어나는 일 없이 행해질 수 있다. 본 발명의 이들 및 기타 실시형태는 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시형태의 이하의 상세한 설명으로부터 당업자에게 쉽게 명백해질 것이며, 단, 본 발명은 개시된 임의의 특정한 바람직한 실시형태(들)로 제한되는 것은 아니다.
도 1은 제1간섭계 변조기의 이동식 반사층이 이완 위치에 있고, 제2간섭계 변조기의 이동식 반사층이 작동 위치에 있는 간섭계 변조기 디스플레이(표시장치)의 일 실시형태의 일부를 나타낸 등각 투상도;
도 2는 3×3 간섭계 변조기 디스플레이를 내장하는 전자 장치의 일 실시형태를 예시한 시스템 블록도;
도 3은 도 1의 간섭계 변조기의 예시적인 일 실시형태에 대해 이동식 미러(movable mirror)의 위치 대 인가된 전압을 나타낸 선도;
도 4는 간섭계 변조기 디스플레이를 구동하는 데 사용될 수 있는 한 세트의 행방향 전압(row voltage) 및 열방향 전압(column voltage)을 나타낸 도면;
도 5a 및 도 5b는 도 2의 3×3 간섭계 변조기 디스플레이에 표시 데이터의 프레임을 기록하는(write) 데 이용될 수 있는 행방향 신호 및 열방향 신호의 하나의 예시적인 타이밍 선도를 나타낸 도면;
도 6a 및 도 6b는 복수개의 간섭계 변조기를 포함하는 비쥬얼 표시장치(visual display device)의 일 실시형태를 나타낸 시스템 블록도;
도 7a는 도 1의 장치의 단면도;
도 7b는 간섭계 변조기의 대안적인 실시형태의 단면도;
도 7c는 간섭계 변조기의 다른 대안적인 실시형태의 단면도;
도 7d는 간섭계 변조기의 또 다른 대안적인 실시형태의 단면도;
도 7e는 간섭계 변조기의 추가의 대안적인 실시형태의 단면도;
도 8은 간섭계 변조기 표시장치의 일 실시형태의 평면도;
도 9는 간섭계 변조기 표시장치의 일 실시형태의 전개 사시도;
도 10은 간섭계 변조기 표시장치의 정형화된 전면 기판의 일 실시형태의 부분 사시도;
도 11a는 광학적 적층부가 없는 도 10의 정형화된 전면 기판의 단면도;
도 11b는 광학적 적층부의 증착 후의 도 11a의 정형화된 전면 기판의 단면도;
도 12a 내지 도 12d는 도 10 내지 도 11b의 것과 마찬가지로 정형화된 전면 기판을 형성하는 방법의 일 실시형태를 나타낸 도면;
도 13은 일 실시형태에 따른 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치의 표시 영역 혹은 어레이의 부분 사시도;
도 14a는 도 13의 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치의 평면도;
도 14b는 14B-14B 선을 따라 취한 도 13의 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치의 단면도;
도 14c는 명확화를 위해 생략된 연속적인 레일에 의해 형성된 뒷벽을 갖춘, 14C-14C 선을 따라 취한 도 13의 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치의 단면도;
도 14d는 도 14b의 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치의 확대 단면도;
도 15는 행방향 드라이버 및 열방향 드라이버용의 상호 연결부를 개략적으로 예시한, 일 실시형태에 따른 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치의 평면도;
도 16a는 일 실시형태에 따른 열방향 라우팅 구조체와 행방향 라우팅 구조체를 지닌 정형화된 전면 기판의 평면도;
도 16b는 도 16a의 행방향 라우팅 구조체 중 하나의 확대 평면도;
도 16c는 일 실시형태에 따른 16C-16C 선을 따라 취한 도 16b의 행방향 라우팅 구조체의 단면도;
도 16d는 다른 실시형태에 따른 16C-16C 선을 따라 취한 도 16b의 행방향 라우팅 구조체의 단면도;
도 16e는 일 실시형태에 따른 이방성 전도막이 그 사이에 개재된 행방향 드라이버와 도 16b의 행방향 라우팅 구조체의 단면도;
도 16f는 16F-16F 선을 따라 취한 도 16e의 행방향 라우팅 구조체의 단면도;
도 17a는 이동식 전극용의 라우팅 구조체의 일 실시형태의 부분 사시도;
도 17b는 17B-17B 선을 따라 취한 도 17a의 라우팅 구조체의 단면도;
도 17c는 17C-17C 선을 따라 취한 도 17a의 라우팅 구조체의 단면도;
도 18a는 이동식 전극용의 라우팅 구조체의 다른 실시형태의 부분 사시도;
도 18b는 18B-18B 선을 따라 취한 도 18a의 라우팅 구조체의 단면도;
도 18c는 18C-18C 선을 따라 취한 도 18a의 의 라우팅 구조체의 단면도;
도 19는 정지 전극을 지닌 전면 기판과 접합되는 이동식 전극용의 라우팅 트레이스를 지닌 캐리어의 일 실시형태의 평면도;
도 20은 섀도 마스크를 이용하여 정형화된 전면 기판 상에 광학적 적층부를 형성하는 방법의 일 실시형태를 예시한 개략 사시도;
도 21은 일 실시형태에 따른 섀도 마스크를 이용하여 도 17a의 라우팅 구조체를 형성하는 방법을 예시한 개략 사시도;
도 22a 내지 도 22c는 종래의 증착 및 패턴화 수법을 이용해서 전면 기판을 제조하는 방법의 일 실시형태를 예시한 도면;
도 23a 내지 도 23c는 하부 전극과 유전체층을 증착시키기 전에 패턴화된 증착되어 미리 형성된 지지부를 구비한 전면 기판을 제조하는 방법의 일 실시형태를 예시한 도면;
도 24a 및 도 24b는 일 실시형태에 따른 정지 전극을 지닌 전면 기판과 접합하기 위한 캐리어 상에 이동식 전극용의 라우팅 구조체의 단면도;
도 25는 일 실시형태에 따른 정지 전극을 지닌 전면 기판과 접합하기 위한 정형화된 캐리어의 사시도;
도 26a 내지 도 26e는 정지 전극을 지닌 전면 기판과 접합하기 위한 정형화된 캐리어를 제조하는 방법의 일 실시형태를 예시한 개략 단면도;
도 27a는 일 실시형태에 따른 에지 레일 및 기둥부를 지닌 정형화된 캐리어 후면판의 부분 사시도;
도 27b는 27B-27B 선을 따라 취한 도 27a의 정형화된 캐리어 후면판의 단면도;
도 27c는 27C-27C 선을 따라 취한 도 27a의 정형화된 캐리어 후면판의 단면도;
도 27d는 도 27a의 정형화된 캐리어 후면판의 평면도;
도 28은 다른 실시형태에 따른 에칭 구멍을 지닌 이동식 전극을 구비한 정형화된 캐리어 후면판의 부분 사시도;
도 29a 내지 도 29d는 정형화된 캐리어 후면판을 제조하는 방법의 일 실시형태를 나타낸 일련의 개략 단면도;
도 30a 내지 도 30d는 정형화된 캐리어 후면판을 제조하는 방법의 다른 실시형태를 나타낸 도면;
도 31a 내지 도 31d는 정형화된 캐리어 후면판을 제조하는 방법의 또 다른 실시형태를 나타낸 도면;
도 32a 내지 도 32c는 정형화된 캐리어 후면판의 실시형태들의 개략 단면도;
도 32d는 도 32b의 정형화된 캐리어 후면판의 개략 평면도;
도 32e는 도 32d의 정형화된 캐리어 후면판의 에지부의 개략 단면도;
도 33a 내지 도 33d는 패턴화된 이동식 전극을 구비한 정형화된 캐리어 후면판을 제조하는 방법의 또 다른 실시형태를 나타낸 도면;
도 34a는 일 실시형태에 따른 이동식 전극 스트립 간에 상승된 과잉의 기계식 층 지지부를 지닌 간섭계 변조기 표시장치의 개략 부분 사시도;
도 34b 내지 도 34d는 각각 34B-34B 선, 34C-34C 선 및 34D-34D 선을 따라 취한 도 34a의 간섭계 변조기 표시장치의 개략 단면도;
도 35a 및 도 35b는 이동식 전극을 전면 기판에 전사하기 위한 제거가능한 캐리어를 제조하는 방법의 일 실시형태를 나타낸 개략 사시도;
도 35c 및 도 35d는 제거가능한 캐리어를 이용해서 간섭계 변조기 표시장치를 제조하는 방법의 일 실시형태를 예시한 개략 단면도;
도 36a 내지 도 36e는 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어를 제조하는 방 법의 일 실시형태를 나타낸 개략 단면도;
도 37a 내지 도 37e는 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어를 제조하는 방법의 다른 실시형태를 나타낸 도면;
도 38a 내지 도 38d는 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어를 제조하는 방법의 또 다른 실시형태를 나타낸 도면;
도 39a는 일 실시형태에 따른 전면 기판과 접합하기 위한 캐리어의 개략 단면도로서, 이때의 캐리어는 리벳 지지부 구조체를 구비하고 있음;
도 39b는 일 실시형태에 따른 전면 기판 지지부를 역전시킨 도 39a의 리벳 지지부 구조체를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 개략 단면도;
도 40은 간섭계 변조기 표시장치의 일 실시형태의 개략 사시도.
도 41a 내지 도 41c는 각종 실시형태에 따른 간섭계 변조기 표시장치의 라우팅 배열을 개략적으로 나타낸 도면;
도 42a는 다른 실시형태에 따른 간섭계 변조기 표시장치의 라우팅 배열을 개략적으로 나타낸 도면;
도 42b 및 도 42c는 각각 42A-42A 선 및 42B-42B 선을 따라 취한 도 42a의 간섭계 변조기 표시장치의 단면도;
도 43a는 완성된 간섭계 변조기 표시장치용의 후면판으로서도 역할하는 캐리어를 이용해서 간섭계 변조기 표시장치를 제조하는 방법의 일 실시형태를 나타낸 개략 사시도이고, 도 43b 내지 도 43c는 그의 개략 단면도;
도 44a는 전면 기판 상에 전도성 밀봉제(conductive sealant)를 지닌 채 섀 도 마스크를 이용하는 방법의 일 실시형태를 나타낸 개략 평면도이고, 도 44b는 그의 확대도, 도 44c 내지 도 44e는 그의 개략 단면도;
도 45a 내지 도 45d는 제거가능한 캐리어를 이용해서 간섭계 변조기 표시장치를 제조하는 방법의 일 실시형태를 나타낸 개략 단면도;
도 46a는 이동식 전극층과 후면판 사이에 뻗어 있는 스페이서를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 일 실시형태의 단면도;
도 46b는 이동식 전극층을 포획하는 지지부 및 스페이서를 구비한 도 46a의 간섭계 변조기 표시장치의 사시도;
도 47은 이동식 전극층을 통해 뻗어 있는 스페이서를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 또 다른 실시형태의 사시도;
도 48은 스페이서를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 또 다른 실시형태의 사시도;
도 49a는 후면판으로부터 뻗어 있는 정지 기둥부를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 일 실시형태의 단면도;
도 49b는 후면판으로부터 뻗어 있는 정지 기둥부를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 다른 실시형태의 단면도;
도 49c는 후면판으로부터 뻗어 있는 정지 기둥부를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 또 다른 실시형태의 단면도;
도 50은 그의 표시 영역에 지지부를 구비하지 않은 간섭계 변조기 표시장치의 일 실시형태의 단면도;
도 51은 후면판으로부터 전면 기판으로 뻗어 있는 스페이서를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 일 실시형태의 단면도;
도 52a는 패턴화된 흑색 마스크를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 일 실시형태의 단면도;
도 52b는 일 실시형태에 따른 도 50a의 간섭계 변조기 표시장치의 평면도;
도 53a 내지 도 53c는 간섭계 변조기 표시장치용의 부분적인 습윤 흑색 마스크를 제조하는 방법의 일 실시형태를 나타낸 도면;
도 53d는 부분적인 습윤 흑색 마스크를 구비한 간섭계 변조기 표시장치의 다른 실시형태를 나타낸 도면;
도 54는 정형화된 전면 기판을 포함하는 정적 간섭계 표시장치의 일 실시형태의 단면도;
도 55는 정형화된 후면판을 포함하는 정적 간섭계 표시장치의 다른 실시형태의 단면도;
도 56은 도 54의 정적 간섭계 표시장치의 평면도;
도 57은 정형화된 전면 기판을 포함하는 정적 간섭계 표시장치의 일 실시형태의 단면도;
도 58은 각 화소용의 별도의 지지부 없이 정형화된 전면 기판을 포함하는 정적 간섭계 표시장치의 또 다른 실시형태의 단면도;
도 59는 도 58의 정적 간섭계 표시장치의 평면도;
도 60은 정형화된 후면판을 포함하는 정적 간섭계 표시장치의 다른 실시형태 의 단면도;
도 61은 정형화된 전면 기판을 포함하는 정적 간섭계 표시장치의 다른 실시형태의 단면도.
이하의 상세한 설명은 본 발명의 임의의 특정 실시형태들에 관한 것이지만, 본 발명은 다양한 방법들로 구현될 수 있다. 본 설명에 있어서, 도면 전체에 걸쳐서 동일한 구성 요소들은 동일한 참조 번호들로 표기된 도면을 참조한다. 이하의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 각 실시형태는 동화상(예를 들어, 비디오)인지 또는 정지화상(예를 들어, 스틸 이미지(still image))인지, 그리고 문자인지 그림인지의 여부에 따라 이미지(즉, 화상)를 표시하도록 구성되는 장치이면 어떠한 장치에서도 구현될 수도 있다. 더욱 상세하게는, 휴대폰, 무선 장치, PDA(personal data assistant), 초소형 또는 휴대용 컴퓨터, GPS 수신기/네비게이션, 카메라, MP3 플레이어, 캠코더, 게임 콘솔(game console), 손목 시계, 시계, 계산기, 텔레비전 모니터, 플랫 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 자동차 디스플레이(예를 들어, 주행 기록계 디스플레이 등), 콕핏 제어기(cockpit control) 및/또는 디스플레이, 카메라 뷰 디스플레이(예를 들어, 차량의 리어 뷰(rear view) 카메라의 디스플레이), 전자 사진, 전자 광고판 또는 간판, 프로젝터, 건축 구조물, 포장물 및 미술 구조물(예를 들어, 보석류에 대한 이미지의 디스플레이)을 포함하지만 이들로 한정되지는 않는 다양한 전자 장치들로 구현되거나 또는 그 다양한 전자 장치들과 관련될 수 있는 것을 고려할 수 있다. 본 명세서에 기재된 것과 마찬가지의 구조 체의 MEMS 장치는 또한 전자 전환 장치 등에서와 같은 표시장치가 아닌 용도에도 이용될 수 있다.
마이크로전자기계 시스템(MEMS)는 2개의 기판을 부착함으로써 제조될 수 있고, 이들 기판은 각각 그 위에 미리 형성된 구성 요소를 지닌다. 일 실시형태에 따른 MEMS 장치를 제조하는 방법은 전면 기판 및 해당 전면 기판 위에 형성된 정지 전극을 제공하는 단계를 포함한다. 다음에, 이동식 전극이 상부에 형성되어 있는 캐리어가 상기 전면 기판에 부착된다. 몇몇 실시형태의 캐리어는 이동식 전극을 전면 기판에 전사한 후 이형될 수 있고; 다른 실시형태에 있어서, 캐리어는 MEMS용의 후면판으로서 역할한다. 특징부는 증착 및 패턴화에 의해, 엠보싱에 의해 또는 패턴화 및 에칭에 의해 형성될 수 있다. 이 방법은 제조 비용을 저감시킬 뿐만 아니라, 보다 적은 편차를 제공하므로 보다 높은 수율을 제공한다. 얻어지는 MEMS 장치는 압력 변동 및 수분 누설에 대해 덜 민감하다. 또, 이동식 전극으로부터 열방향 드라이버로 그리고 정지 전극으로부터 행방향 드라이버로 라우팅하는 방법이 개시되어 있다. 광학적 MEMS(예컨대, 간섭계 변조기)에서 원치 않는 반사를 방지하기 위하여 흑색 마스크를 형성하는 수법도 교시되어 있다.
간섭계 MEMS 표시 소자를 포함하는 간섭계 변조기 디스플레이의 일 실시형태가 도 1에 예시되어 있다. 이들 장치에 있어서, 화소들은 밝은 상태 또는 어두운 상태이다. 밝은("온(on) 또는 "열린") 상태에서, 표시 소자는 입사되는 가시 광선의 많은 부분을 사용자에게 반사시킨다. 어두운("오프(off)" 또는 "닫힌") 상태에 있을 경우, 표시 소자는 입사되는 가시 광선을 사용자에게 거의 반사하지 않는다. 본 실시형태에 따르면, "온" 및 "오프" 상태의 광 반사 특성은 반대로 되어 있을 수도 있다. MEMS 화소들은 선택된 색에서 우선적으로 반사하도록 구성되어 백색 및 흑백 표시에 부가해서 컬러 표시를 가능하게 한다.
도 1은 비쥬얼 디스플레이의 일련의 화소에 있어서 두 개의 인접한 화소들을 나타낸 등각 투상도인 데, 여기서 각 화소는 MEMS 간섭계 변조기를 포함한다. 소정의 실시형태에서, 간섭계 변조기 디스플레이는 이들 간섭계 변조기의 행/열 어레이를 포함한다. 각각의 간섭계 변조기는 서로 간에 가변적이고 제어 가능한 거리에 위치된 1쌍의 반사층을 포함하여 적어도 하나의 가변 치수를 가진 공진 광학 간극(resonant optical gap)을 형성한다. 일 실시형태에 있어서, 반사층들 중 하나는 두 위치 사이에서 움직일 수도 있다. 여기서 이완 위치라고도 지칭되는 제1위치에서, 이동식 반사층은 고정된 부분 반사층으로부터 상대적으로 먼 거리에 위치된다. 여기서 작동 위치라고도 지칭되는 제2위치에서, 이동식 반사층은 상기 부분 반사층에 더 가까이 인접하여 위치된다. 두 반사층에서 반사된 입사광은 이동식 반사층의 위치에 따라서 보강(constructively) 간섭 또는 소멸(destructively) 간섭하여 각 화소에 대해 전체 반사 상태 또는 비반사 상태를 생성한다.
도 1에 있어서 화소 어레이의 도시된 부분은 두 개의 인접한 간섭계 변조기(12a), (12b)를 포함한다. 왼쪽에 위치한 간섭계 변조기(12a)에는 부분 반사층을 포함하는 광학적 적층부(16a)로부터 소정 거리 떨어진 이완 위치에 이동식 반사층(14a)이 예시되어 있다. 오른쪽에 위치한 간섭계 변조기(12b)에는 광학적 적층부(16b)에 인접한 작동 위치에 이동식 반사층(14b)이 예시되어 있다.
여기서 참조 기호로 표시되는 바와 같은 광학적 적층부(16a), (16b)(일괄해서 광학적 적층부(16)라 표기함)는 전형적으로 수 개의 융합층(fused layer)을 포함하는 데, 이들 융합층은 산화인듐주석(indium tin oxide: ITO)과 같은 전극층, 크롬과 같은 부분 반사층 및 투명 유전체를 포함할 수 있다. 따라서, 광학적 적층부(16)는 전기 전도성이고, 부분적으로 투명하며, 부분적으로 반사성이고, 예를 들어 하나 이상의 상기 층들을 투명 기판(20) 위에 증착함으로써 제조될 수 있다. 몇몇 실시형태에 있어서, 이하에 더욱 설명되는 바와 같이, 층들은 평행 스트립들로 패턴화되고, 표시장치 내에서 행방향 전극들을 형성할 수도 있다. 이동식 반사층(14a), (14b)은 기둥부(즉, 지지부)(18) 사이에 증착되는 중재 희생 재료 및 기둥부(18)의 상부면에 증착된 증착 금속층 또는 증착 금속층들(광학적 적층부(16a), (16b)의 행방향 전극에 직교)로 이루어진 일련의 평행 스트립들로서 형성될 수도 있다. 희생 재료를 에칭하여 제거하면, 이동식 반사층(14a), (14b)은 광학적 적층부(16b), (16b)로부터 소정의 간극(19)만큼 분리되게 된다. 알루미늄과 같은 고 전도성?반사성 재료가 반사층(14)에 사용될 수 있고, 이들 스트립들은 표시장치에서 열방향 전극들을 형성할 수도 있다.
도 1에 있어서 화소(12a)로 예시된 바와 같이, 전압이 인가되지 않을 경우, 이동식 반사층(14a)이 기계적으로 이완 상태인 채로, 간극, 즉, 공동부(19)가 이동식 반사층(14a)과 광학적 적층부(16a) 사이에서 유지된다. 그러나, 선택된 행 및 열에 전위차가 인가될 경우, 대응하는 화소에서 행방향 전극과 열방향 전극의 교차점에 형성된 커패시터는 충전되고, 정전기력은 전극들을 함께 당긴다. 전압이 충분히 높다면, 이동식 반사층(14)은 변형이 일어나 광학적 적층부(16)에 대해서 힘을 가한다. 도 1의 오른쪽에 위치한 화소(12b)로 표시된 바와 같이, 광학적 적층부(16) 내의 유전체 층(도 1에서는 도시 생략)은 단락이 방지되어 층(14)과 층(16) 간의 이격 거리를 조절한다. 이러한 거동은 인가된 전위차의 극성에 상관없이 동일하다. 이와 같이 해서, 반사 화소 상태 대 비반사 화소 상태를 제어할 수 있는 행/열방향 작동은 종래의 LCD 및 다른 디스플레이 기술에서 사용되는 것과 여러 면에서 유사하다.
도 2 내지 도 5b는 디스플레이 적용에 있어서 간섭계 변조기들의 어레이를 사용하기 위한 하나의 예시적 과정 및 시스템을 예시한다.
도 2는 본 발명의 측면들을 내포할 수도 있는 전자 장치의 일 실시형태를 예시한 시스템 블록도이다. 예시적 실시형태에 있어서, 전자 장치는 프로세서(21)를 포함하는 데, 이 프로세서는 ARM, 펜티엄(Pentium)(등록상표), 펜티엄 II(등록상표), 펜티엄 III(등록상표), 펜티엄 IV(등록상표), 펜티엄(등록상표) Pro, 8051, MIPS(등록상표), Power PC(등록상표), ALPHA(등록상표)와 같은 범용 단일 칩 프로세서 또는 멀티 칩 마이크로 프로세서, 또는 디지털 신호 프로세서, 마이크로제어기와 같은 특수 목적의 마이크로프로세서, 또는 프로그래밍가능한 게이트 어레이일 수도 있다. 종래 기술에서와 같이, 상기 프로세서(21)는 하나 이상의 소프트웨어 모듈을 실행하도록 구성될 수도 있다. 오퍼레이팅 시스템(operating system)의 실행과 더불어, 상기 프로세서는 웹 브라우저(web browser), 전화 애플리케이션(application), 이메일 프로그램 또는 기타 임의의 소프트웨어 애플리케이션을 비롯한 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 실행하도록 구성될 수도 있다.
일 실시형태에 있어서, 프로세서(21)는 또한 어레이 드라이버(22)와 통신하도록 구성된다. 일 실시형태에 있어서, 어레이 드라이버(22)는 디스플레이 어레이(디스플레이) 혹은 패널(30)에 신호를 제공하는 행방향 드라이버 회로(24) 및 열방향 드라이버 회로(26)를 포함한다. 도 1에 예시된 어레이의 단면은 도 2의 1-1선으로 도시된다. MEMS 간섭계 변조기에 대해서, 행/열방향 작동 프로토콜은 도 3에 도시된 이들 장치의 히스테리시스 특성을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 이완 상태에서 작동 상태로 이동식 층을 변형시키기 위해 10 볼트의 전위차가 필요할 수도 있다. 그러나, 이러한 값으로부터 전압이 감소될 경우, 전압이 10 볼트 미만으로 다시 떨어질 때에 이동식 층은 그 상태를 유지한다. 도 3의 예시적 실시형태에 있어서, 전압이 2 볼트 미만으로 떨어질 때까지 이동식 층은 완전히 이완되지 않는다. 이와 같이 해서, 도 3에 예시된 예에서 약 3 내지 7 V의 인가된 전압의 창이 존재하고, 이 범위 내에서 장치가 이완 또는 작동 상태에서 안정적이다. 이것을 여기서는 "히스테리시스 창" 또는 "안정성 창"이라고 칭한다. 도 3의 히스테리시스 특성을 가지는 디스플레이 어레이에 대해서, 행방향 스트로빙(strobing) 동안 스트로빙된 행에 있는 작동될 화소들이 약 10 볼트의 전압차에 노출되고, 이완될 화소들이 0 볼트에 근접한 전압차에 노출되도록 행/열방향 작동 프로토콜을 설계할 수 있다. 스트로빙 후에, 화소들은 약 5 볼트의 정상 상태 전압차에 노출되므로, 이들은 행방향 스트로빙이 화소들을 어떤 상태에 두었던지 그 상태를 유지하게 된다. 이러한 예에서, 각 화소는, 기록된 후에, 3 내지 7 볼트의 "안정성 창" 내에 서 전위차를 보인다. 이러한 특성으로 작동 또는 이완의 기존 상태에서 동일한 인가 전압 조건 하에서 도 1에 예시된 화소 설계가 안정화된다. 간섭계 변조기의 각 화소는 작동 상태인지 혹은 이완 상태인지에 따라 본질적으로 고정식 반사층 및 이동식 반사층에 의해 형성된 커패시터이기 때문에, 이러한 안정한 상태는 전력 손실이 거의 없이 히스테리시스 창 내의 전압에서 유지될 수 있다. 인가된 전위가 고정되어 있다면 화소로 들어가는 전류 흐름은 실질적으로 없다.
전형적인 응용에 있어서, 제1행에 있는 원하는 세트의 작동 화소에 따라 열방향 전극 세트를 어서트(assert)함으로써 표시 프레임을 생성할 수도 있다. 다음에, 행방향 펄스가 제1행의 전극에 인가되어 어서트된 열방향 라인에 대응하는 화소를 작동시킨다. 그 후, 어서트된 세트의 열방향 전극은 제2행에 있는 원하는 세트의 작동 화소에 대응하도록 변경된다. 이어서, 펄스가 제2행의 전극에 인가되어, 어서트된 열방향 전극들에 따라서 제2행에 있는 적절한 화소들을 작동시킨다. 제1행의 화소들은 제2행의 펄스의 영향을 받지 않고 제1행의 펄스 동안 그들이 설정되었던 상태로 유지된다. 이것은 프레임을 작성하기 위하여 일련의 전체 행들에 대해서 순차적으로 반복될 수도 있다. 일반적으로, 이러한 과정을 초당 원하는 프레임 수만큼 계속적으로 반복함으로써 프레임들은 새로운 표시 데이터로 리프레시(refresh) 및/또는 갱신된다. 더불어, 표시 프레임을 작성하는 화소 어레이의 행방향 전극 및 열방향 전극을 구동하기 위한 매우 다양한 프로토콜은 잘 알려져 있고, 이것은 본 발명과 관련하여 사용될 수도 있다.
도 4, 도 5a 및 도 5b는 도 2의 3×3 어레이 위에 표시 프레임을 생성하기 위한 하나의 가능한 작동 프로토콜을 예시한다. 도 4는 도 3의 히스테리시스 곡선을 나타내는 화소를 위해 사용될 수도 있는 가능한 세트의 행방향 전압 레벨들 및 열방향 전압 레벨들을 예시한다. 도 4의 실시형태에서, 화소를 작동시키기 위해서는 적절한 열을 -Vbias로 설정하고 적절한 행을 +ΔV로 설정하는 것이 필요한데, -Vbias 및 +ΔV는 각각 -5 볼트 및 +5 볼트에 대응한다. 화소에 대한 볼트 전위차가 0이 되는 동일한 +ΔV로 적절한 행을 설정하고 +Vbias로 적절한 열을 설정함으로써 화소의 이완을 수행한다. 행방향 전압이 0볼트로 유지되는 이들 행에서, 열이 -Vbias이거나 +Vbias인 것에 상관없이, 화소들은 그들의 원래 상태가 어떠하든 안정하다. 도 4에 또한 예시된 바와 같이, 앞서 설명한 것과 반대 극성의 전압이 사용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 화소를 작동시키는 것은 적절한 열을 +Vbias로 설정하고 적절한 행을 -ΔV로 설정하는 것을 수반할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 화소에 대한 0 볼트 전위차를 생성하는 동일한 -ΔV로 적절한 행을 설정하고 -Vbias로 적절한 열을 설정함으로써 화소의 이완을 수행한다.
도 5b는 도 5a에 예시된 디스플레이 구성으로 되는 도 2의 3×3 어레이에 인가되는 일련의 행방향 신호 및 열방향 신호를 나타낸 타이밍도로서, 여기서 작동 화소들은 비반사형이다. 도 5a에 예시된 프레임을 기록하기에 앞서, 화소들은 임의의 상태에 있을 수 있고, 이 예에서, 모든 행들은 0볼트이고 모든 열들은 +5 볼트이다. 이들 인가 전압에 의하면, 화소는 모두 그들의 기존의 작동 또는 이완 상 태에서 안정하다.
도 5a의 프레임에서, (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) 및 (3,3) 화소들이 작동된다. 이것을 달성하기 위해서, 제1행에 대한 "라인 시간"(line time) 동안 제1열과 제2열은 -5볼트로 설정되고, 제3열은 +5볼트로 설정된다. 이것은 임의의 화소들의 상태를 변화시키지 않는 데, 그 이유는 모든 화소들이 3 내지 7볼트 안정성 창에 유지되기 때문이다. 다음에, 제1행은 0볼트에서 5볼트까지 가고 다시 0볼트로 가는 펄스로 스트로빙된다. 이것은 (1,1) 화소 및 (1,2) 화소를 작동시키고 (1,3) 화소를 이완시킨다. 어레이 내의 다른 화소들은 영향을 받지 않는다. 원하는 바와 같이 제2행을 설정하기 위하여, 제2열을 -5볼트로 설정하고 제1열 및 제3열을 +5볼트로 설정한다. 다음에, 제2행에 인가된 동일한 스트로브(strobe)는 (2,2) 화소를 작동시키고 (2,1) 및 (2,3) 화소를 이완시킬 것이다. 재차, 어레이의 다른 화소들은 영향받지 않는다. 제3행은 제2열 및 제3열을 -5볼트로 설정하고 제1열을 +5볼트로 설정함으로써 마찬가지로 설정된다. 제3행의 스트로브는 도 5a에 도시된 바와 같이 제3행의 화소들을 설정한다. 프레임을 기록한 후에, 행방향 전위들은 0이고 열방향 전위들은 +5볼트 또는 -5볼트로 유지될 수 있게 되어, 디스플레이는 도 5a의 구성에서 안정적이다. 수십 또는 수백 개의 행과 열들을 가진 어레이들에 대해서 동일한 과정을 이용할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 행 및 열 작동을 수행시키는 데 사용되는 타이밍, 수순 및 전압 레벨들은 상기의 일반적인 원리 범위 안에서 매우 다양할 수 있고, 상기 예는 다만 예시적인 것에 불과하며, 다른 작동 전압 방법이 본 명세서에 기재된 시스템 및 방법과 함께 사용될 수 있다 는 것을 또한 이해할 수 있을 것이다.
도 6a 및 도 6b는 표시장치(40)의 일 실시형태를 예시한 시스템 블록도이다. 예를 들어, 표시장치(40)는 이동 전화기 또는 휴대 전화기일 수 있다. 그러나, 표시장치(40)의 동일한 구성 요소들 또는 그것의 약간의 변경으로는 또한 텔레비전 및 휴대용 미디어 플레이어와 같은 다양한 유형의 표시장치를 들 수 있다.
표시장치(40)는 하우징(housing)(41), 디스플레이(30), 안테나(43), 스피커(45), 입력 장치(48) 및 마이크(46)를 포함한다. 일반적으로 하우징(41)은 사출 성형 및 진공 성형을 비롯한 당업자들에게 잘 알려진 다양한 제조 과정들 중의 어떤 것으로 형성된다. 또한, 하우징(41)은 플라스틱, 금속, 유리, 고무 및 세라믹, 또는 이들의 조합을 포함하지만, 이들로 한정되지 않는 다양한 재료 중의 어떤 것으로 만들어질 수도 있다. 일 실시형태에 있어서, 하우징(41)은 다른 색깔을 가지거나 다른 로고, 그림 또는 기호를 포함하는 분리 가능한 부분들과 호환될 수도 있는 분리 가능한 부분(도시 생략)을 포함한다.
예시적인 표시장치(40)의 디스플레이(30)는 여기에서 설명되는 바와 같이, 쌍안정 디스플레이를 비롯한 다양한 디스플레이들 중의 어떤 것일 수도 있다. 다른 실시형태에 있어서, 당업자들에게 잘 알려진 바와 같이, 디스플레이(30)는 앞서 설명한 바와 같은 플라즈마, EL, OLED, STN LCD 또는 TFT LCD와 같은 평판형 디스플레이, 또는 CRT나 다른 종류의 관(tube) 장치와 같은 비평판형(non-flat-panel) 디스플레이를 포함한다. 그러나, 본 실시형태를 설명할 목적으로, 상기 디스플레이(30)는 여기에서 설명하는 바와 같이 간섭계 변조기 디스플레이를 포함한다.
예시적 표시장치(40)의 일 실시형태의 구성 요소들은 도 6b에 개략적으로 도시되어 있다. 도시된 예시적 표시장치(40)는 하우징(41)을 포함하고 적어도 그 속에 부분적으로 수용된 추가적인 구성 요소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에 있어서, 예시적 표시장치(40)는 트랜스시버(transceiver)(47)에 결합된 안테나(43)를 포함하는 네트워크 인터페이스(27)를 포함한다. 트랜스시버(47)는 컨디셔닝 하드웨어(conditioning hardware)(52)에 연결된 프로세서(21)에 접속된다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 신호를 조절(예를 들어, 신호를 필터링)하도록 구성될 수도 있다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 스피커(45) 및 마이크(46)에 연결된다. 프로세서(21)는 입력 장치(48) 및 드라이버 제어기(29)에도 연결된다. 드라이버 제어기(29)는 프레임 버퍼(frame buffer)(28)에 그리고 어레이 드라이버(22)에 결합되고, 어레이 드라이버(22)는 이어서 디스플레이 어레이(30)에 결합된다. 전력 공급 장치(50)는 특정한 예시적 표시장치(40) 설계에 요구되는 바와 같이 모든 구성 요소들에 전력을 제공한다.
네트워크 인터페이스(27)는 예시적 표시장치(40)가 네트워크를 통하여 하나 이상의 장치와 연통할 수 있도록 안테나(43) 및 트랜스시버(47)를 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 네트워크 인터페이스(27)는 프로세서(21)의 요건을 완화시킬 수 있는 몇몇 처리 능력도 가질 수 있다. 안테나(43)는 신호를 송수신하기 위해, 당업자들에게 알려진 소정의 안테나이다. 일 실시형태에 있어서, 안테나는 IEEE 802.11(a), (b) 또는 (g)를 비롯한 IEEE 802.11 표준에 따라서 RF 신호를 송수신한다. 다른 실시형태에 있어서, 안테나는 블루투스(BLUETOOTH) 표준에 따라서 RF 신 호를 송수신한다. 이동 전화기의 경우, 안테나는 CDMA, GSM, AMPS 또는 무선 이동 전화 네트워크 내에서 연통하기 위해 사용되는 기타 공지된 신호를 수신하도록 설계되어 있다. 트랜스시버(47)는 안테나(43)로부터 수신된 신호를 미리 처리하여 이 신호가 프로세서(21)에 의해 수신되고 나아가 조작될 수도 있다. 또, 트랜스시버(47)는 프로세서(21)로부터 수신된 신호도 처리하여 이 신호가 안테나(43)를 거쳐서 예시적 표시장치(40)로부터 전송될 수 있게 한다.
대안적인 실시형태에 있어서, 트랜스시버(47)는 수신기로 대체될 수 있다. 또 다른 대안적인 실시형태에 있어서, 네트워크 인터페이스(27)는 프로세서(21)에 전송될 이미지 데이터를 저장하거나 생성할 수 있는 이미지 소스 혹은 이미지 공급원(image source)으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 이미지 공급원은 이미지 데이터를 포함하는 디지털 비디오 디스크(DVD: digital video disc)나 하드 디스크 드라이브, 또는 이미지 데이터를 생성하는 소프트웨어 모듈일 수 있다.
프로세서(21)는 일반적으로 예시적 표시장치(40)의 전체적인 동작을 제어한다. 프로세서(21)는 네트워크 인터페이스(27) 또는 이미지 공급원으로부터의 압축된 이미지 데이터와 같은 데이터를 수신하고, 해당 데이터를 원천 이미지 데이터(raw image data)로 또는 원천 이미지 데이터로 즉시 처리할 수 있는 포맷으로 처리한다. 그 후, 프로세서(21)는 처리된 데이터를 드라이버 제어기(29)로 또는 저장을 위해 프레임 버퍼(28)로 전송한다. 원천 데이터는 전형적으로 이미지 내의 각각의 위치에서 이미지 특성들을 식별하는 정보를 의미한다. 예를 들어, 이러한 이미지 특성들은 색깔, 채도(color saturation), 그레이 스케일 레벨(gray scale level)을 포함할 수 있다.
일 실시형태에서, 프로세서(21)는 예시적 표시장치(40)의 동작을 제어하는 마이크로 제어기, CPU 또는 논리 유닛을 포함한다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 일반적으로 신호를 스피커(45)에 전송하기 위해, 그리고 마이크(46)로부터 신호를 수신하기 위해 증폭기들 및 필터들을 포함한다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 예시적 표시장치(40) 내에 있는 별도의 구성 요소일 수도 있거나 프로세서(21) 혹은 기타 구성 요소들 내에 내장되어 있을 수도 있다.
드라이버 제어기(29)는 프로세서(21)에서 생성된 원천 이미지 데이터를 프로세서(21)로부터 혹은 프레임 버퍼(28)로부터 직접 취하여 어레이 드라이버(22)로 고속 전송하기 위해 원천 이미지 데이터를 적절하게 재포맷한다. 특히, 드라이버 제어기(29)는 원천 이미지 데이터를 래스터 유사 포맷(raster like format)을 가진 데이터 흐름으로 재포맷하여 디스플레이 어레이(30)에 걸쳐 스캐닝하기에 적합한 시간 순서를 가진다. 다음에, 드라이버 제어기(29)는 포맷된 정보를 어레이 드라이버(22)에 전송한다. 비록 LCD 제어기와 같은 드라이버 제어기(29)가 자립형 집적 회로(stand-alone Integrated Circuit(IC))로서 시스템 프로세서(21)와 종종 관련되지만, 이러한 제어기들은 다양한 방법들로 구현될 수도 있다. 이들은 프로세서(21) 내에 하드웨어로서 삽입될 수 있거나, 소프트웨어로서 프로세서(21) 내에 삽입될 수도 있거나, 또는 어레이 드라이버(22)와 함께 하드웨어에 완전히 일체화될 수도 있다.
전형적으로, 어레이 드라이버(22)는 포맷된 정보를 드라이버 제어기(29)로부 터 수신하고 디스플레이의 x-y 매트릭스 화소들로부터 나온 수백, 때로는 수천개의 인출선에 초당 여러 번 인가되는 병렬 세트의 파형들로 비디오 데이터를 재포맷한다.
일 실시형태에 있어서, 드라이버 제어기(29), 어레이 드라이버(22) 및 디스플레이 어레이(30)는 여기서 설명하는 디스플레이들의 유형 중 어느 것에나 적합하다. 예를 들어, 일 실시형태에 있어서, 드라이버 제어기(29)는 종래의 디스플레이 제어기 또는 쌍안정 디스플레이 제어기(예를 들어, 간섭계 변조기 제어기)이다. 다른 실시형태에 있어서, 어레이 드라이버(22)는 종래의 드라이버 또는 쌍안정 디스플레이 드라이버(예를 들어, 간섭계 변조기 디스플레이)이다. 일 실시형태에 있어서, 드라이버 제어기(29)는 어레이 드라이버(22)와 일체형이다. 이러한 일 실시형태는 이동 전화기, 시계 및 기타 소형 디스플레이와 같은 고집적 시스템에 있어서 일반적이다. 또 다른 실시형태에 있어서, 디스플레이 어레이(30)는 전형적인 디스플레이 어레이 또는 쌍안정 디스플레이 어레이(예를 들어, 간섭계 변조기들의 어레이를 포함하는 디스플레이)이다.
입력 장치(48)는 사용자로 하여금 예시적 표시장치(40)의 동작을 제어하도록 한다. 일 실시형태에 있어서, 입력 장치(48)는 QWERTY 키보드 또는 전화기 키패드와 같은 키패드, 버튼, 스위치, 터치 센스 스크린, 또는 감압 또는 감열막을 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 마이크(46)는 예시적 표시장치(40)에 대한 입력 장치이다. 이 장치에 데이터를 입력하기 위해 마이크(46)가 사용되는 경우, 음성 명령들이 사용자에 의해 제공되어 예시적 표시장치(40)의 동작들을 제어할 수도 있 다.
전력 공급 장치(50)는 당업계에 잘 알려져 있는 다양한 에너지 저장 장치들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에 있어서, 전력 공급 장치(50)는 니켈-카드뮴 배터리 또는 리튬 이온 배터리와 같은 충전용 배터리이다. 다른 실시형태에 있어서, 전력 공급 장치(50)는 재생 가능 에너지 원, 커패시터, 또는 플라스틱 태양 전지, 태양 전지 도료를 비롯한 태양 전지이다. 다른 실시형태에 있어서, 전력 공급 장치(50)는 벽에 붙은 콘센트에서 전력을 받도록 구성된다.
소정의 실시형태에 있어서, 제어 프로그램은 앞서 설명한 바와 같이 전자 디스플레이 시스템 안의 몇몇 장소에 위치될 수 있는 드라이버 제어기 내에 존재한다. 소정의 경우에 있어서, 제어 프로그램은 어레이 드라이버(22) 내에 존재한다. 당업자들은 앞서 설명한 최적화 조건들을 다수의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 구성 요소들 및 다양한 형태로 구현할 수도 있다는 것을 인식할 것이다.
앞서 설명한 원리들에 따라서 작동되는 간섭계 변조기의 상세한 구조는 매우 다양할 수 있다. 예를 들어, 도 7a 내지 도 7e는 이동식 반사층(14) 및 그의 지지 구조체들의 다섯 개의 서로 다른 실시형태를 나타낸다. 도 7a는 도 1의 실시형태의 단면도인데, 여기서 금속 재료(14)의 스트립은 직교 방향으로 연장된 지지부(18) 상에 증착된다. 도 7b에 있어서, 이동식 반사층(14)은 줄(tether)(32) 상에 단지 모서리에서 지지부에 부착된다. 도 7c에 있어서, 이동식 반사층(14)은 가요성 금속을 포함할 수도 있는 변형가능한 층(34)으로부터 매달려 있다. 변형가능한 층(34)은 해당 변형가능한 층(34) 주변의 기판(20)에 직접적으로 혹은 간접적으로 접속된다. 이들 접속부(혹은 연결부)는 여기서는 지지 기둥부라고도 칭한다. 도 7d에 나타낸 실시형태는 변형가능한 층(34)이 안착되는 지지 기둥 플러그(42)를 가진다. 이동 반사층(14)은 도 7a 내지 도 7c에 있어서와 마찬가지로 간극부 위에 매달린 채 유지되지만, 변형가능한 층(34)은 해당 변형가능한 층(34)과 광학적 적층부(16) 사이의 구멍들을 채움으로써 지지 기둥부를 형성하지 않는다. 오히려, 지지 기둥부는 평탄화 재료로 형성되고, 이것은 지지 기둥 플러그(42)를 형성하는 데 이용된다. 도 7e에 나타낸 실시형태는 도 7d에 나타낸 실시형태에 의거한 것이지만, 도 7a 내지 도 7c에 나타낸 실시형태뿐만 아니라 도시하지 않은 추가적인 실시형태의 어느 것과 함께 작용하도록 적합화될 수도 있다. 도 7e에 나타낸 실시형태에 있어서, 금속 또는 기타 전도성 재료의 여분의 층은 버스 구조체(44)를 형성하는 데 이용되어왔다. 이것에 의해 신호가 간섭계 변조기의 이면을 따라 송신될 수 있고, 그렇지 않으면 기판(20) 상에 형성될 수도 있는 다수의 전극을 제거할 수 있다.
도 7a 내지 도 7e에 나타낸 것과 같은 실시형태에 있어서, 간섭계 변조기는 직시형(direct-view) 장치로서 기능하는 데, 여기서 화상들은 투명 기판(20)의 앞면 쪽으로부터 보이고 그 반대편에는 변조기들이 배열되어 있다. 이들 실시형태에 있어서, 반사층(14)은 변형가능한 층(34) 및 버스 구조체(44)를 비롯한, 기판(20)의 반대편의 반사층 쪽에 있는 간섭계 변조기의 일부를 광학적으로 차단한다. 이것에 의해 상기 차단된 영역은 화질에 나쁜 영향을 미치는 일없이 구성되고 작동될 수 있게 된다. 이 분리가능한 변조기 구조체로 인해 해당 변조기의 광학적 측면들 및 전자 기계적 측면들에 대해 사용되는 재질들 및 구조 설계가 선택되어 서로 독립적으로 기능하게 된다. 더욱이, 도 7c 내지 도 7e에 도시된 실시형태는 변형가능한 층(34)에 의해 수행되는, 기계적 특성들로부터 반사층(14)의 광학적 특성들을 분리함으로써 얻어지는 추가적인 장점들을 가진다. 이로 인해 반사층(14)에 사용되는 구조 설계 및 재질들이 광학적 특성에 대해서 최적화되고, 변형가능한 층(34)에 사용되는 구조 설계 및 재질들이 원하는 기계적 특성에 대해서 최적화된다.
이하, 본원 명세서에 기재된 목차를 표로서 요약한다.
| 목차 |
| I. 기판 부착을 통한 간섭계 변조기의 제조 |
| II. 전면 기판의 형성 1. 정형화된 전면 기판의 형성 2. 패턴화된 전면 기판의 형성 3. 미리 형성된 지지 전면 기판의 형성 4. 기타 열방향 라우팅 구조체 |
| III. 후면 캐리어의 형성 1. 정형화된 캐리어 a. 정형화된 캐리어 후면판 b. 정형화된 제거가능한 캐리어 2. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 a. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판 b. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어 |
| IV. 적층 1. 정형화된 캐리어 후면판 및 정형화된 전면 기판 A. 실시형태 A a. 라우팅 옵션(Routing Option) 1 b. 라우팅 옵션 2 c. 라우팅 옵션 3 d. 라우팅 옵션 4 e. 패키징 및 밀봉 B. 실시형태 B 2. 정형화된 캐리어 후면판 및 패턴화된 전면 기판 3. 정형화된 캐리어 후면판 및 미리 형성된 지지 전면 기판 4. 정형화된 제거가능한 캐리어 및 정형화된 전면 기판 5. 정형화된 제거가능한 캐리어 및 패턴화된 전면 기판 6. 정형화된 제거가능한 캐리어 및 미리 형성된 지지 전면 기판 7. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판 및 정형화된 전면 기판 8. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판 및 패턴화된 전면 기판 9. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판 및 미리 형성된 지지 전면 기판 10. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어 및 정형화된 전면 기판 11. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어 및 패턴화된 전면 기판 12. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어 및 미리 형성된 지지 전면 기판 13. 정형화된 전면 기판 및 이동식 전극의 통상의 증착 |
| V. 전면 기판과 후면판 사이에 간격을 유지하기 위한 스페이서 |
| VI. 흑색 마스크 1. 패턴화된 흑색 마스크 2. 부분적인 습윤 흑색 마스크 |
| VII. 정적 간섭계 표시장치 1. 정형화된 혹은 미리 형성된 지지 전면 기판을 구비한 정적 간섭계 표시장치 2. 정형화된 혹은 미리 형성된 후면판을 지닌 정적 간섭계 표시장치 3. 공동부 충전재를 구비한 정적 간섭계 표시장치 4. 연속적인 깊이의 공동부를 지닌 정적 간섭계 표시장치 |
I. 기판 부착을 통한 간섭계 변조기의 제조
소정의 실시형태에 있어서, MEMS 장치는 각각 상부에 미리 형성된 구성요소 를 구비한 2매의 기판을 부착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 상기 2매의 기판은 각 기판을 마스킹하는 데 적합한 장비를 가진 상이한 제작사에 의해서 개별적으로 제조될 수 있다. 다음에, 상기 기판은 제3의 제작사에 의해 함께 조립될 수 있다. 이 조립 공정은 또한 이동식 층의 여유, 따라서, 어레이를 가로질러 MEMS 구성요소에서 MEMS 구성요소로 혹은 어레이에서 어레이로의 공동부 크기의 가변성을 저감시키는 데 도움을 줄 수 있다. 이러한 제조 시의 유연성은 전체적인 비용을 저감시킬 뿐만 아니라 보다 높은 수율을 제공한다. 또한, 이하의 기재된 실시형태 중의 몇몇은 마스킹하는 일없이 패턴화(예컨대, 포토리소그래피(photolithography))를 용이하게 하고, 따라서, 다수의 박형의 층으로부터 윤곽을 구축하는 복잡한 단계를 피함으로써 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
본 명세서에 기재된 공정에 의해 제조된 MEMS 장치는 그의 두 기판 사이에 비교적 작은 간극(예컨대, 약 6,500 Å 내지 약 20 ㎛, 특히 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛ 또는 약 10,000 Å 내지 약 5 ㎛)을 지닐 수 있다. 본 개시 내용에 기재된 실시형태에 있어서, 두 기판(예컨대, 전면 기판과 후면판) 사이의 간극은 일반적으로, 후면판이 전면 기판 위에 놓일 경우 전면 기판의 가장 깊은 골부의 바닥부와 전면 기판에 대면하는 후면판 표면 간의 간극을 의미한다. 상기 후면판 표면은 전면 기판으로부터 가장 멀리 있는 것이다. "두 기판 간의 간극"은 정형화된 캐리어 후면판과 정형화된 전면 기판의 적층체에 대해서 이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해될 것이다. 또한, MEMS 장치는 그들의 에지부에서만이 아니라 어레이 영역을 통해서 지지부 혹은 스페이서를 지닐 수 있다. 이와 같이 해서, MEMS 장치는 압력 변동에 덜 민감하다. 또, 비교적 작은 간극은 두 기판 간에 보다 적은 밀봉제를 필요로 하며, 이와 같이 해서 MEMS 장치는, 해당 MEMS 장치 내부에 건조제 없이도, 수분 누설에 덜 민감하다. 또한, MEMS 장치는 작은 간극 크기 때문에 슬림한 외형을 지닐 수 있다.
이하의 실시형태에 있어서, MEMS 장치는 광학적 MEMS 장치, 특히 간섭계 변조기의 문맥에 기재되어 있다. 그러나, 당업자라면, 본 명세서에 기재된 공정들은 기타 MEMS 장치, 예컨대 기타 유형의 광학적 MEMS 또는 MEMS 전자기계식 커패시터 스위치용의 용도를 지닌다.
도 8은 일 실시형태에 따른 간섭계 변조기 표시장치(800)를 예시하고 있다. 간섭계 변조기 표시장치(800)는 표시 영역(801)과 주변 영역(802)을 포함한다.
표시 영역(801)은 화상 혹은 일련의 화상을 표시하기 위해 함께 구성된 복수개의 화소를 포함한다. 또, 표시 영역(801)은 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있는 행방향 전극(도시 생략)과, 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있는 동시에 상기 행방향 전극에 대해서 실질적으로 수직인 열방향 전극(도시 생략)을 포함한다. 상기 행방향 전극과 열방향 전극은 수직방향으로 분리되어 있고 이들은 함께 그의 교차점에서 화소의 매트릭스를 규정한다.
주변 영역(802)은 표시 영역(801)을 둘러싸고 있다. 해당 표시 영역(801)은, 개별적으로 작동되는 정전(electrostatic) MEMS 유닛의 어레이를 포함하기 때문에 여기서는 "어레이 영역"이라고도 칭한다. 상기 주변 영역(802)은 드라이버 칩 영역과 상호 연결부 혹은 라우팅 구조체를 포함할 수 있다. 상기 장치(800)는 상기 드라이버 칩 영역 상에 장착된 행방향 드라이버(811)와 열방향 드라이버(812)를 구비할 수 있다. 이들 드라이버(811), (812)는 이들로 제한되지는 않지만 칩-온-글래스(COG: chip-on-glass) 접착, 테이프 캐리어 패키지(TCP: tape carrier package) 부착 혹은 필름-온-글래스(FOG: film-on-glass) 접착 등을 비롯한 임의의 적절한 접착 기술을 이용해서 드라이버 칩 영역 상에 장착될 수 있다. 라우팅 구조체는 상기 행방향 드라이버(811) 및 열방향 드라이버(812)에 각각 행방향 전극 및 열방향 전극을 전기적으로 접속하도록 구성되어 있다.
도 8의 간섭계 변조기 표시장치(800)는 전면 기판을 후면판에 부착함으로써 형성될 수 있다. 도 9는 일 실시형태에 따른 간섭계 변조기 표시장치(900)를 제조하는 방법을 예시하고 있다. 우선, 전면 기판(910)은 표시 영역 혹은 어레이 영역(901) 및 주변 영역(902)을 지니도록 제공된다. 상기 전면 기판(910)은 표시 영역(901) 내에 공동부 혹은 트렌치의 어레이를 포함할 수 있다. 상기 공동부 혹은 트렌치는 각각 고정 혹은 정지 전극을 포함하는 광학적 적층부를 포함할 수 있다. 상기 전면 기판(910)은 또한 도 8에 대해서 설명한 바와 같이 상기 주변 영역(902) 내에 라우팅 구조체와 드라이버 칩 영역을 포함할 수 있다.
다음에, 간섭계 변조기 표시장치(900)의 소정의 기능적 구성 요소를 담지하는 캐리어(950)가 상기 전면 기판(910)에 부착되어, 상기 표시 영역(901)과 해당 표시 영역(901)을 둘러싸는 주변 영역(902)의 일부를 덮고 있다. 일 실시형태에 있어서, 이동식 전극은 전면 기판(910)에 캐리어(950)를 부착하기 전에 해당 캐리어(950) 상에 형성된다. 상기 전면 기판(910)과 캐리어(950)가 서로 부착되면, 그 사이에 이동식 전극이 개재하게 된다. 이동식 전극은, 예를 들어, 양극 접합, 용융 접합 및 유사 방법을 이용해서, 상기 전면 기판(910)의 지지 구조체에 부착될 수 있다.
소정의 실시형태에 있어서, 이동식 전극은 제거가능한 캐리어(예컨대, 도 35a 내지 도 35d 및 그에 수반되는 설명 참조)일 수 있는 캐리어 상에 형성된다. 다른 실시형태에 있어서, 캐리어는 상기 표시장치(900)용의 영구적인 후면판으로서 역할한다(예컨대, 도 25 내지 도 34d 및 도 36a 내지 도 39b 및 그에 수반되는 설명 참조). 다른 실시형태에 있어서, 이동식 전극은 영구적인 후면판을 전면 기판에 부착하기 전에 해당 전면 기판 위에 형성된다. 이어서, 후면판이 전면 기판에 부착된다.
II
. 전면 기판의 형성
전술한 간섭계 변조기 표시장치의 제조에 있어서, 상기 장치의 전면 기판은 각종 방식으로 형성될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 전면 기판은 기판의 표면 내에 공동부 혹은 홈부를 형성하고 나서 해당 공동부에 광학적 적층부를 형성함으로써 제조될 수 있다. 상기 공동부는, 예컨대, 엠보싱, 포토리소그래피와 에칭, 그리고 새김 작업 등의 소정의 적절한 공법(혹은 공정)에 의해 형성될 수 있다. 본 명세서의 문맥에 있어서, 이러한 공정에 의해 형성된 전면 기판은 전형적으로 "정형화된 전면 기판"이라 지칭된다. 전형적으로, 상기 공동부는 해당 정형화된 전면 기판용의 기판과 일체적으로 형성된 지지부(예컨대, 레일 혹은 기둥부)에 의해 구획되어 있다.
다른 실시형태에 있어서, 상기 전면 기판은 기판 상에 광학적 적층부를 형성하고 나서, 해당 광학적 적층부 상에 지지부를 형성하여 공동부를 규정함으로써 제조될 수 있다. 본 명세서의 문맥에 있어서, 이 공정에 의해 형성된 전면 기판은 "패턴화된 전면 기판"이라 지칭된다. 전형적으로, 지지부는 기판으로부터 분리되어 해당 기판 위에 형성되며, 패턴화된 기판용의 기판과는 다른 재료로 이루어져 있을 수 있다(예컨대, 도 22a 내지 도 22c 및 그에 수반되는 설명 참조).
또 다른 실시형태에 있어서, 전면 기판은 기판 상에 기둥부를 형성하여 공동부를 규정하고 나서, 해당 공동부 내에 광학적 적층부를 형성함으로써 제조될 수 있다. 본 명세서의 문맥에 있어서, 이 공정에 의해 형성된 전면 기판은 "미리 형성된 지지 전면 기판"이라 지칭된다. 패턴화된 전면 기판과 마찬가지로, 미리 형성된 지지 전면 기판은 상기 기판과는 별도로 기둥부를 지니며, 해당 기판과는 다른 재료로 이루어져 있을 수 있고; 패턴화된 전면 기판과는 달리, 광학적 적층부(정지 전극을 포함함)는 지지부와 기판 사이에 기재되어 있지 않다.
1. 정형화된 전면 기판의 형성
도 10은 일 실시형태에 따른 정형화된 전면 기판(1000)의 개략 부분 사시도이다. 전면 기판(1000)의 예시된 부분은 해당 전면 기판(1000)의 표시 영역의 일부이다. 따라서, 도 10은 단지 표시 영역의 부분적인 예시일 뿐이므로, 도 10에 표시된 구조체는 실질적으로 표시 영역 전체에 걸쳐 반복되고 있다는 것을 이해할 필요가 있다.
상기 전면 기판(1000)은 복수개의 레일(101la) 내지 (10l1d) 및 해당 레 일(101la) 내지 (10l1d)의 쌍들 사이에 규정된 복수개의 골부(1012a) 내지 (1012c)를 지닌 기판(1010)을 포함한다. 상기 기판(1010)은 또한 상기 골부(1012a) 내지 (1012c) 내에 형성된 복수개의 기둥부(1013a) 내지 (1013c)를 포함한다. 본 명세서의 문맥에 있어서, 레일(101la) 내지 (10l1d)과 기둥부(1013a) 내지 (1013c)를 일괄해서 "지지부" 혹은 "지지 구조체"라고 지칭될 수 있다. 상기 전면 기판(1000)은 또한 상기 골부(1012a) 내지 (1012c)의 바닥부 상에 광학적 적층부(1014)(정지 전극을 포함함), 그리고 상기 지지부(101la) 내지 (10l1d) 및 (1013a) 내지 (1013c)의 상부에 상기 광학적 적층부(1014)의 동일 층들을 포함한다.
상기 기판(1010)은 실질적으로 투명한 재료로 형성될 수 있다. 투명한 재료의 예로는 유리 및 투명한 폴리머 재료를 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 비-광학적(non-optical) MEMS 장치에 대한 다른 실시형태에 있어서, 기판은 폴리머 재료(예컨대, 폴리에틸렌)로 적층된 스테인레스 강판을 포함할 수 있다. 기판(1010)은 해당 기판(1010)의 일부분을 제거 혹은 정형화하거나 혹은 상기 기판(1010)의 표면 내에 홈부를 형성하는 데 적합한 소정의 방법에 의해 정형화될 수 있다. 정형화 방법의 예로는 엠보싱, 포토리소그래피와 에칭, 그리고 새김 작업 등을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 전술한 방법에 있어서 기판(1010)에 추가의 재료를 추가하는 일 없이 기판(1010)이 정형화되기 때문에, 레일(101la) 내지 (10l1d) 및 기둥부(1013a) 내지 (1013c)의 형태의 지지부는 상기 기판(1010)의 재료와 동일한 재로로 일체로 형성될 수 있다.
레일(101la) 내지 (10l1d)은 도 10에 나타낸 바와 같이 서로 평행한 행방향(x-방향)으로 뻗어 있다. 단, 열/행방향 혹은 XYZ 방향의 지정은 본질적으로 임의적이지만 여기서는 일관되게 표시할 것이다. 상기 레일(101la) 내지 (10l1d)은 실질적으로 동일한 레벨(즉, 높이)에, 즉, 단일 평면 내에 그들의 상부면을 지닌다.
상기 골부(1012a) 내지 (1012c)는 도 10에 나타낸 바와 같이 서로에 대해서 평행한 행방향(x-방향)으로 뻗어 있는 레일(101la) 내지 (10l1d)과 교번하고 있다. 상기 골부(1012a) 내지 (1012c)는, 이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해할 수 있는 바와 같이, 상기 전면 기판(1010)을 향하여 아래쪽으로 접힐 수 있도록 이동식 전극(도시 생략)용의 공동부 혹은 공간을 제공한다.
예시된 간섭계 변조기 실시형태에 대해서, 상기 골부(1012a) 내지 (1012c)는 약 600 Å 내지 약 4,000 Å의 깊이를 지닐 수 있다. 상기 골부(1012a) 내지 (1012c)는 해당 골부(1012a) 내지 (1012c)가 얻어지는 표시장치의 작동 동안 생성하도록 설계된 색에 따라 각종 깊이(D1), (D2), (D3)를 지닐 수 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 상기 전면 기판(1000)은 3개의 상이한 색을 위하여 3개의 상이한 깊이(D1), (D2), (D3)의 제1, 제2 및 제3골부를 지닌다. 상기 제1골부(1012a)는 가장 작은 깊이를 지녀, 청색(B)을 생성하도록 구성되어 있다. 상기 제1골부(1012a)는 약 600 Å 내지 2,000 Å의 제1깊이(D1)를 지닐 수 있다. 상기 제2골부(1012b)는 중간의 깊이를 지녀, 녹색(G)을 생성하도록 구성되어 있다. 상기 제2골부(1012b)는 약 1,000 Å 내지 3,000 Å의 제2깊이(D2)를 지닐 수 있다. 상기 제3골부(1012c)는 가장 큰 깊이를 지녀, 적색(R)을 생성하도록 구성되어 있다. 상기 제3골부(1012c)는 약 2,000 Å 내지 약 4,000 Å의 제3깊이(D3)를 지닐 수 있다. 상기 골부(1012a) 내지 (1012c)는 약 10 ㎛ 내지 약 200 ㎛의 폭(W)을 지닐 수 있다. 당업자라면, 골부(1012a) 내지 (1012c)의 형태와 깊이는 화소의 색과 설계에 따라 변경될 수 있다는 것을 인식할 것이다.
상기 기둥부(1013a) 내지 (1013c)는 위쪽으로 뻗어 있는 골부(1012a) 내지 (1012c)의 바닥부에 형성된다. 상기 기둥부(1013a) 내지 (1013c)는 레일(101la) 내지 (10l1d)의 상부와 실질적으로 동일한 높이에(실질적으로 동일한 평면에) 그들의 상부면을 지닌다. 각 기둥부(1013a) 내지 (1013c)는 해당 기둥부(1013a) 내지 (1013c)가 위치결정되어 있는 골부(1012a) 내지 (1012c)의 깊이에 대응하는 높이를 지닌다. 이와 같이 해서, 상이한 깊이를 지닌 골부(1012a) 내지 (1012c) 내의 기둥부(1013a) 내지 (1013c)는 서로 상이한 높이를 지닌다. 예시된 실시형태에 있어서, 제1골부(1012a) 내의 기둥부(1013a)는 제1깊이(D1)에 대응하는 제1높이를 지닌다. 제2골부(1012b) 내의 기둥부(1013b)는 제2깊이(D2)에 대응하는 제2높이를 지닌다. 제3골부(1012c) 내의 기둥부(1013c)는 제3깊이(D3)에 대응하는 제3높이를 지닌다.
상기 기둥부(1013a) 내지 (1013c)는 소정의 패턴으로 배열되어 있다. 이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해할 수 있는 바와 같이, 전면 기판(1000)의 표시 영역의 예시된 부분은 매트릭스 형상으로 전체 표시 영역을 가로질러 반복될 수 있는 단일의 화소(P)를 형성한다. 예시된 화소(P)는 실질적으로 정사각형 형태를 지닌 다. 상기 화소(P)는 제1서브화소(SP1), 제2서브화소(SP2) 및 제3서브화소(SP3)를 포함하되, 이들 서브화소는 각각 직사각형 형태이다. 각 서브화소(SP1) 내지 (SP3)는 서브-서브화소(sub-subpixel)(SSP11) 내지 (SSP13), (SSP21) 내지 (SSP23) 또는 (SSP31) 내지 (SSP33)를 포함한다. 각 서브-서브화소(SSP11) 내지 (SSP13), (SSP21) 내지 (SSP23) 또는 (SSP31) 내지 (SSP33)는 이동식 전극(도시 생략)용의 지지부를 제공하도록 4개의 기둥부 그룹을 포함한다. 이 기둥부(1013a) 내지 (1013c)는 서로 떨어져서 이간되어 이동식 전극이 아래쪽으로 휠 수 있게 한다. 예시된 실시형태에 있어서, 각 서브-서브화소(SSP11) 내지 (SSP13), (SSP21) 내지 (SSP23) 또는 (SSP31) 내지 (SSP33)는 위에서 보았을 때 서브-서브화소의 자유 에지부 근방에 위치결정된 4개의 기둥부를 지닌다.
광학적 적층부(1014)는 수개의 융합층을 포함할 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 광학적 적층부(1014)는 투명한 전도층 및 해당 투명한 전도층 위에 놓인 유전체층을 포함할 수 있다. 상기 투명한 전도층은 인듐 주석 산화물(ITO)로 형성될 수 있다. 상기 유전체층은 이산화규소로 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 유전체층은 상부 서브층과 하부 서브층을 포함하는 2층 구조를 지닐 수 있다. 유전체층이 임의의 희생층 이형 단계를 위한 불소 에칭제에 노출되는 소정의 실시형태에 있어서, 상부 서브층은 산화알루미늄 등의 보호 재료로 형성될 수 있다. 하부 서브층은 이산화규소로 형성될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 투명한 전도층은 약 10 Å 내지 800 Å의 두께를 지닐 수 있다. 상기 유전체층은 약 100 Å 내지 약 1,600 Å의 두께를 지닐 수 있다. 유전체층이 상부 서브층과 하부 서브층을 지니는 실시형태에 있어서, 상기 상부 서브층은 예를 들어, 약 50 Å의 두께를 지닐 수 있는 한편, 하부 서브층은 예를 들어, 약 450 Å의 두께를 지닐 수 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 광학적 적층부(1014)는 골부(1012a) 내지 (1012c)의 바닥부와 지지부(1011a) 내지 (1011d) 및 (1013a) 내지 (1013c)의 상부 사이에서 불연속적이다.
상기 골부(1012a) 내지 (1012c)의 바닥부 상의 광학적 적층부(1014)의 전도층은 상기 레일(101la) 내지 (10l1d)에 의해 서로 전기적으로 절연되어 있다. 전기적으로 절연된 전도층은 얻어지는 간섭계 변조기 표시장치의 행방향 전극을 형성한다.
소정의 실시형태에 있어서, 상기 광학적 적층부(1014)는 또한 투명한 전도층과 유전체층 사이에 금속성 흡수재층(혹은 부분 반사층)을 포함할 수 있다. 흡수재층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 또는 Mo/Cr 등의 반투명한 두께의 금속으로 형성될 수 있다. 광대역 백색 간섭계 변조기용의 다른 실시형태에 있어서, 흡수재층은 게르마늄층 등의 반도체층으로 대체될 수 있다. 흡수재층 혹은 반도체층은 약 1 Å 내지 약 100 Å, 특히 약 50 Å 내지 약 100 Å의 두께를 지닐 수 있다.
도 11a는 11A-11A 선을 따라 취한 도 10의 전면 기판(1000)(광학적 적층부(1014)를 지니지 않음)의 단면도이다. 골부(1012a) 내지 (1012c)는, 깊이 차이 때문에, 각각 상이한 높이(L1a), (L1b), L1c)에 그들의 바닥면을 지닌다. 그러나, 지지부(1011a) 내지 (1011d) 및 (1013a) 내지 (1013c)는 골부(1012a) 내지 (1012c)의 깊이에 대응하는 상이한 높이를 지니기 때문에, 지지부(1011a) 내지 (1011d) 및 (1013a) 내지 (1013c)의 상부면은 실질적으로 동일한 높이(L2)에, 즉, 실질적으로 동일한 평면에 있게 된다.
상기 지지부(1011a) 내지 (1011d) 및 (1013a) 내지 (1013c)의 상부 상의 광학적 적층부는 "흑색 마스크"로서 역할할 수 있다. 광학적 적층부는 그들의 대응하는 접혀진 상태에서 항상 간섭계 변조기와 동일한 광학적 효과를 제공한다. 광학적 적층부는 흑색을 제공할 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 광학적 적층부는 간섭계 변조기 설계에 따라 백색을 제공할 수 있다.
도 11b는 광학적 적층부(1014)의 증착 후의 도 11a의 단면도이다. 상기 광학적 적층부(1014)로 인해, 전면 기판(1000)의 가장 높은 지점은, 해당 광학적 적층부(1014)의 두께만큼 높이(L2)보다 높은 높이(L2')에 있다.
도 12a 내지 도 12d는 일 실시형태에 따른 정형화된 전면 기판을 형성하는 방법을 나타낸 단면도이다. 예시된 방법은 전면 기판을 정형하기 위하여 엠보싱을 이용한다. 도 12a에 나타낸 바와 같이, 실질적으로 평탄한 기판(1210)이 플래튼(platen)(1220) 상에 배치된다. 상기 기판(1210)은 유리 혹은 기타 재료, 바람직하게는 정형화를 위해 쉽게 가단성으로 될 수 있는 투명한 것으로 형성될 수 있다. 예시된 플래튼(1220)은 금속성 재료로 형성될 수 있다. 상기 기판(1210)은 해당 기판(1210)이 후속의 엠보싱 단계에서 각인되기에 충분한 정도로 연성이 되도록 가열될 수 있다. 상기 기판(1210)은 해당 기판(1210)을 위해 이용되는 재료에 따라 다양한 온도로 가열될 수 있다.
다음에, 엠보싱 판(1230)은 도 12b에 나타낸 바와 같이 연성화된 기판(1210) 상에 가압된다. 상기 엠보싱 판(1230)은 상기 기판(1210) 상에 레일, 골부 및 기둥부 상에 규정되도록 정형화된 홈부와 돌출부를 지닌다. 상기 엠보싱 판(1230)은 금속성 재료로 형성될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 플래튼(1220) 및 엠보싱 판(1230)의 적어도 한쪽은 회전 원통의 형태일 수 있다. 당업자라면 각종 다른 형태의 엠보싱 수법이 상기 전면 기판(1210)을 정형화하는 데 적응될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
다음에, 상기 엠보싱 판(1230)이 상기 전면 기판(1210)으로부터 제거된다. 이어서, 엠보싱된 전면 기판(1210)이 플래튼(1220)으로부터 제거된다. 얻어지는 전면 기판(1210)은 도 12c에 도시되어 있다.
다른 실시형태에 있어서, 전면 기판(1210)은 포토리소그래피와 에칭 수법을 이용해서 기판의 돌출부를 선택적으로 제거함으로써 정형화될 수 있다. 또 다른 실시형태에 있어서, 전면 기판(1210)은 처음에 기판의 소정 부분을 새김 작업하고 이어서 그 부분을 선택적으로 에칭함으로써 정형화될 수 있다. "새기기"(혹은 새김 작업)란 용어는 마킹(marking) 혹은 베어내기(scoring)와 호환적으로 이용될 수 있다. 새김 작업은 다양한 수법, 예컨대, 기계가공 혹은 레이저-새김 작업 등을 이용해서 수행될 수 있다. 자동화 새김 방법은 일본국의 일본 판유리사(Nippon Sheet Glass, Co.)로부터 입수할 수 있다. 도 12a 내지 도 12d에 나타낸 엠보싱 수법은 마스킹 공정 없이 수행될 수 있다. 또한, 패턴화된 판은 많은 기판에 대해서 반복적으로 이용될 수 있다. 각종 다른 수법이 또한 전면 기판(1210)을 정형화하는 데 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
이어서, 광학적 적층부 재료는 정형화된 전면 기판(1210)을 실질적으로 가로질러 순차로 증착된다. 광학적 적층부 재료는, 광학적 적층부(1214)가 지지부의 상부 및 골부의 바닥부 상에 증착되지만 연속적인 측벽 커버리지를 위해 충분히 부합(conformal)하지 않도록, 소정의 적절한 수법, 예컨대, 스퍼터링을 이용해서 증착될 수 있다. 이 구성은 임의의 MEMS 장치(광학적 혹은 비-광학적 MEMS 장치)에 적용될 수 있다. 지지부의 상부 상의 광학적 적층부는 광학적 MEMS 장치용의 "흑색 마스크"로서 역할할 수 있다. 광학적 적층부(1214)의 구성은 도 10의 광학적 적층부(1014)에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다.
도 13은 이동식 전극(1360)이 상부에 배열되어 있는 전면 기판(1310)을 포함하는 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치(1300)의 일 실시형태의 부분 사시도이다. 상기 전면 기판(1310)의 구성은 도 10의 전면 기판(1000)에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다. 상기 이동식 전극(1360)은 도 13 및 도 14a에 나타낸 바와 같이 서로 실질적으로 평행하게 또한 상기 전면 기판(1310)의 골부(1312a) 내지 (1312c)에 대해서 실질적으로 수직으로 뻗어 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 상기 이동식 전극(1360)과 골부(1312a) 내지 (1312c)는 서로 교차해서, 도 10과 관련해서 위에서 설명된 서브-서브화소를 규정한다. 다른 실시형태에 있어서, 단일의 이동식 전극(도 13의 3개의 이동식 전극(1360) 대신)은 실질적으로 전면 기판(1310)의 전체 예시된 부분을 덮음으로써, 단일의 화소를 규정할 수 있다.
도 13 및 도 14a 내지 도 14c의 실시형태에 있어서, 이동식 전극(1360)은, 도 13 및 도 14b(14B-14B 선을 따라 취한 도 13의 장치의 단면도)에 나타낸 바와 같이, 광학적 적층부(1314a)를 개재해서 전면 기판(1310)의 레일(1311a) 내지 (1311c) 및 기둥부(1313a) 내지 (1313c) 상에 지지되어 있다. 도 14c(14C-14C 선을 따라 취한 도 13의 장치의 다른 단면도)는 또한 상기 이동식 전극(1360)이 상기 광학적 적층부(1314a)를 개재해서 상기 전면 기판(1310)의 기둥부(1313a) 내지 (1313c) 상에 지지되어 있는 것을 나타내고 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 에지 스페이서(1315)(도 14a)는 골부(1312a) 내지 (1312c)의 바닥부 상에 설치되어 이동식 전극(1360)을 더욱 지지할 수 있다. 상기 에지 스페이서(1315)는 상기 기둥부(1313a) 내지 (1313c)로부터 횡방향으로 이간된 채로 각 화소의 에지부에 위치결정될 수 있다.
도 14d는 이동식 전극(1360)이 상부에 형성되어 있는 도 14b의 전면 기판(1310)의 부분 확대 단면도이다. 상기 이동식 전극(1360)은 상기 전면 기판(1310)의 지지 구조체(예컨대, 레일(1311a) 내지 (1311c) 및 기둥부(1313a) 내지 (1313c)) 상의 광학적 적층부(1314a)의 상부에 지지되어 있다. 예시된 이동식 전극(1360)은 지지 구조체의 위에 놓인 제1부분(Ma)과, 해당 제1부분(Ma) 사이에 제2부분(Mb)을 지닌다. 이 제2부분(Mb)은 지지 구조체 위에 놓여 있지 않다. 제1부분은 제1두께(T1)를 지니는 한편, 제2부분은 제2두께(T2)를 지닌다.
도 9를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이, 상기 이동식 전극(1360)은 상기 전면 기판(1310)에 부착되기 전에 캐리어 상에 형성된다. 상기 전면 기판(1310)에 이동식 전극(1360)을 부착시키기 위하여, 상기 캐리어는 그 사이에 상기 이동식 전극(1360)을 개재한 채로 전면 기판(1310)에 대항하여 가압된다. 지지 구조체와 접 촉하는 이동식 전극(1360)의 부분(예컨대, 전술한 제1부분(Ma))은, 특히 해당 이동식 전극(1360)이 변형가능하거나 가단성인 경우 압축될 수 있다. 그 결과, 상기 이동식 전극(1360)의 제1부분(Ma)의 제1두께(T1)는 그의 제2부분(Mb)의 제2두께(T2)보다 얇을 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 제1두께(T1)는 약 200 Å 내지 약 2,000 Å일 수 있다. 제2두께(T2)는 약 200 Å 내지 약 2,000 Å일 수 있다. 제1두께(T1)와 제2두께(T2) 간의 차이는 약 5 Å 내지 약 100 Å일 수 있다. 제1두께(T1)와 제2두께(T2) 간의 차이는 전면 기판(1310)에 이동식 전극(1360)을 부착할 경우의 압력에 따라 다양할 수 있다.
도 13으로 되돌아가면, 예시된 이동식 전극(1360)은 긴 형상 혹은 스트립 형상으로, 각각 열방향으로 다수의 MEMS 유닛 혹은 화소에 걸쳐 있다. 이 긴 이동식 전극(1360)은 소정의 길이와 폭을 지닐 수 있다. 이동식 전극(1360)의 길이-대-폭의 비는 대체로 약 x:1과 같은 차수이며, 이때 x는 디스플레이 어레이를 가로지르는 열방향의 화소의 개수의 3배이다. 일 실시형태에 있어서, 이동식 전극(1360)의 길이-대-폭 비는 약 10:1 내지 약 1,000,000:1이다. 이동식 전극(1360)은 반사층(또는 미러)(1360a) 및 기계식(혹은 변형가능한) 층(1360b)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1360a)은 상기 기계식 층(1360b)에 부착되거나 융합될 수 있고; 다른 구성에 있어서, 반사층은 기계식 층으로부터 매달려 있을 수 있다(예컨대, 도 7c 내지 도 7e 참조). 상기 반사층(1360a)은 정반사성 혹은 반사성 금속, 예를 들어, Al, Au, Ag, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있고, 이들은 간섭계측적 효과(interferometric effect)를 위해 상기 전면 기판(1310)에 입사하는 실질적으로 모든 가시광을 반사시키기에 충분한 두께로 되어 있다. 상기 기계식 층(1360b)은 Ni, Cu, Pt, Au, Al 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 상기 기계식 층(1360b)은 상기 이동식 전극(1360)이 골부(1312a) 내지 (1312c)의 바닥부 상에서 상기 광학적 적층부(1314b)를 향해 이동할 수 있도록 충분히 얇고 가요성인 한편, 기계적 지지부를 제공하기에 충분한 두께를 지닐 수 있다. 상기 기계식 층(1360b)은 수 백 Å 내지 수천 Å의 두께를 지닐 수 있다. 예시적인 실시형태에 있어서, 상기 반사층(1360a)은 약 300 Å의 두께를 지니고, 기계식 층(1360b)은 약 1000 Å의 두께를 지닌다. 이들 층(1360a), (1360b)의 두께는 다른 실시형태에 있어서 상이할 수 있다. MEMS 장치가 전자기계식 커패시터 스위치로서 이용되는 소정의 실시형태에 있어서, 상기 이동식 전극은 실질적으로 전기적으로 전도성인 재료를 포함할 수 있다.
도 15는 도 13의 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치(1300)의 개략 평면도이다. 상기 장치(1300)는 전면 기판(1310)과, 그 위에 형성된 복수개의 이동식 전극(1360)을 포함한다.
상기 전면 기판(1310)은 표시 영역(1301)과 주변 영역(1302)을 포함한다. 상기 전면 기판(1310)은 표시 영역(1301)에 있어서 서로 평행하게 뻗어 있는 복수개의 골부(1312)를 포함하며, 해당 골부는 그들의 바닥부에 정지 전극을 포함한다. 상기 전면 기판(1310)은 또한 상기 주변 영역(1302)에 복수개의 라우팅 트렌치(1316R), (1316C)와 드라이버 칩 영역(1303a), (1303b)을 포함한다. 상기 라우팅 트렌치는 행방향 라우팅 트렌치(1316R)와 열방향 고립 트렌치(1316C)를 포함한 다. 드라이버 칩 영역은 행방향 드라이버 칩 영역(1303a)과 열방향 드라이버 칩 영역(1303b)을 포함한다. 이동식 전극(1360)은 실질적으로 서로 평행하고 또한 상기 전면 기판(1310)의 골부(1312)에 대해서 실질적으로 수직으로 뻗어 있다.
도 16a는 팬텀 화법으로 도시된 단지 하나의 이동식 전극(1360)의 위치에 따른 도 15의 전면 기판(1310)의 평면도이다. 전술한 바와 같이, 상기 전면 기판(1310)은 표시 영역(1301) 내의 골부(1312)와 주변 영역(1302) 내의 행방향 라우팅 트렌치(1316R) 및 열방향 고립 트렌치(1316C)를 포함한다. 상기 행방향 라우팅 트렌치(1316R)는 골부(1312)로부터 행방향 드라이버 칩 영역(1303a)까지 뻗어 있다. 상기 열방향 고립 트렌치(1316C)는, 각 트렌치의 일단부가 이동식 전극(1360) 중 대응하는 이동식 전극에 인접하게 되도록 표시 영역(1301) 근방으로부터 열방향 드라이버 칩 영역(1303b)까지 뻗어 있다.
도 16b는, (16B)로 표시된 부분, 즉, 도 16a의 골부(1312) 중 하나 및 행방향 라우팅 트렌치(1316R) 중 대응하는 것의 확대 평면도이다. 상기 골부(1312)는 폭(W1)을 지닌다. 상기 행방향 라우팅 트렌치(1316R)는 골부(1312)의 폭(W1)보다 작은 폭(W2)을 지닌다. 상기 전면 기판(1310)은 또한 행방향 라우팅 트렌치(1316R)에 접속된 접촉 트렌치(1317)를 포함한다. 상기 접촉 트렌치(1317)는 얻어지는 간섭계 변조기 표시장치의 화소에 전기 신호를 제공하게 될 행방향 드라이버의 접속 범프(connecting bump) 혹은 이방성 전도막(도시 생략)을 수용하도록 정형화되어 있다. 상기 전면 기판(1310)은, 도 16b에서는 정사각형 혹은 직사각형으로 예시되어 있지만, 다른 실시형태에 있어서는 각종 다른 형상 및 형태의 접촉 트 렌치를 지닐 수 있다. 상기 골부(1312), 행방향 라우팅 트렌치(1316R) 및 접촉 트렌치(1317)는 도 16c에 나타낸 바와 같이 실질적으로 동일한 깊이(D)를 지닌다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 골부(1312), 행방향 라우팅 트렌치(1316R) 및 접촉 트렌치(1317) 중 하나는 다른 것과 상이한 깊이를 지닐 수 있다. 도 16d를 참조하면, 다른 실시형태에 있어서, 상기 라우팅 트렌치(1316R)는 상기 골부(1312)로부터 접촉 트렌치(1317)까지 뻗도록 감소되는 깊이(D2) 혹은 경사진 바닥부를 지닐 수 있다. 기판이 새김 작업에 의해 정형화되어 있는 실시형태에 있어서, 이러한 깊이 변동은 새김 작업 동안 압력을 변화시킴으로써 만들어질 수 있다. 상기 골부(1312), 행방향 라우팅 트렌치(1316R) 및 접촉 트렌치(1317)의 깊이와 폭은 상기 전면 기판(1310) 및 여기에 제공된 드라이버 칩의 구조와 치수에 따라 광범위하게 변화시킬 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 16e는 행방향 드라이버(811)가 상부에 장착된 광학적 적층부(1314a), (1314b)를 형성하는 처리 후의 도 16c의 미가공(bare) 전면 기판(1310)의 단면도이다. 상기 행방향 드라이버(811)는 도 16e에 나타낸 바와 같이 아래쪽으로 대면하고 있는 복수개의 전기적 리드부(811a)를 포함한다. 상기 전면 기판(1310)의 예시된 부분은 행방향 라우팅 트렌치(1316R)와 접촉 트렌치(1317)를 포함한다. 상기 전면 기판(1310)은 또한 주변 영역의 상부와 행방향 라우팅 트렌치(1316R)의 바닥부에 광학적 적층부(1314a), (1314b)를 포함한다. 상기 행방향 라우팅 트렌치(1316R)의 바닥부 상의 광학적 적층부(1314b)는 유전체층(1314b1)과 밑에 있는 전도층(1314b2)을 포함한다. 상기 광학적 적층부(1314b)의 구성은 도 10의 광학적 적층부(1014)에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다. 전도층(1314b2)은 접촉 트렌치(1317) 속으로 뻗는 한편 유전체층(1314b1)은 그렇지 않다. 이 구성은 접촉 트렌치(1317) 내의 전도층(1314b2)을 노출시키고, 따라서, 상기 전도층(1314b2)과 상기 행방향 드라이버(811)의 리드부(811a) 중 대응하는 리드부 사이의 전기적 접속을 가능하게 한다. 상기 접촉 트렌치(1317) 내의 도체(1314b2)를 노출시키기 위해서는, 도 20 및 도 21에 대해서 이하에 설명된 섀도 마스크 수법을 비롯하여, 각종 수법이 이용될 수 있다.
예시된 실시형태에 있어서, 전기적 접속은 이방성 전도막(ACF)에 의해 제공된다. ACF는 폴리머막 혹은 유기막(도시 생략) 중에 분산된 도전성 입자(813)를 포함한다. 전기적 접속을 확립하기 위하여, ACF는 접촉 트렌치(1317) 내의 전도층(1314b2)에 의해 형성된 패드와 드라이버(811)의 리드부(811a) 사이에 개재된다. 이어서, 상기 드라이버(811)는, 임의선택적으로 상기 막을 적어도 부분적으로 경화시키기 위하여 가열 하에, 상기 전면 기판(1310)에 대항해서 가압된다. 상기 폴리머막 중의 도전성 입자(813)의 하나 이상은 상기 전도층(1314b2)과 상기 드라이버(811)의 리드부(811a)의 양쪽 모두를 접촉시킴으로서 전기적 접속을 제공한다. 그러나, 상기 접촉 트렌치(1317)(도 16a의 평면도 참조) 사이에서, ACF를 가로지르는 전도성 입자는 폴리머 매트릭스에 의해 서로 절연되어, 상기 영역(1317) 내의 접촉 패드 혹은 드라이버 리드부(811a)가 서로 단락되는 것을 방지한다. 당업자라면 각종 유형의 ACF가 전기적 접속을 제공하기 위해 적응될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 당업자라면 또한 각종 다른 접합 수법이 전기적 접속을 제공하기 위해 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 17a는 간섭계 변조기 표시장치(1700)의 열방향 라우팅 구조체의 일 실시형태를 나타내고 있다. 예시된 표시장치(1700)는 그의 표시 영역 혹은 디스플레이 어레이(1701)에 레일(1711)과 골부(1712)를, 그리고, 그의 주변 영역(1702)에 열방향 고립 트렌치(1716C)를 지니는 전면 기판(1710)을 포함한다. 상기 전면 기판(1710)의 주변 영역(1702)의 예시된 부분은 상기 골부(1712)의 바닥부에 대해서 보다 높은 높이에서 상부면을 지닌다. 상기 주변 영역(1702)의 상부면은 상기 레일(1711)의 높이와 동일한 높이에 있을 수 있다.
상기 전면 기판(1710)은 또한 주변 영역(1702)의 상부면 상에 그리고 고립 트렌치(1716C) 및 골부(1712)의 바닥부 상에 동시에 증착되어 있는 광학적 적층부(1714a), (1714b)를 포함한다. 상기 광학적 적층부(1714a), (1714b)는 유전체층(1714a1), (1714b1)과, 해당 유전체층(1714a1), (1714b1) 밑에 있는 전도층(1714a2), (1714b2)을 포함한다. 상기 광학적 적층부(1714a), (1714b)의 구성은 도 10의 광학적 적층부(1014)에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다. 또, 상기 골부(1712) 내의 광학적 적층부(1714b)가 MEMS 장치용의 정지 전극으로서 역할하는 것을 이해할 수 있을 것이다.
상기 장치(1700)는 상기 전면 기판(1710) 위에 놓여 골부(1712)와 실질적으로 수직으로 뻗어 있는 이동식 전극(1760)을 추가로 포함한다. 상기 이동식 전극(1760)은 표시 영역(1701)으로부터 주변 영역(1702)의 상승부분까지 뻗어 있다.
열방향 고립 트렌치(1716C)는 해당 트렌치(1716C)와 교번하고 있는 복수개의 랜드부 혹은 메사부(1716M)를 규정한다. 상기 트렌치(1716C)는 표시 영역(1701) 부근으로부터 해당 표시 영역(1701)으로부터 멀리 있는 열방향 드라이버(도시 생략)용의 드라이버 칩 영역(도시 생략)까지 뻗어 있다. 열방향 고립 트렌치(1716C)는 추가의 패턴화 없이도 메사부(1716M)의 상부에 있는 광학적 적층부(1714a) 간에 전기적 접속을 제공하도록 구성되어 있다. 각 트렌치(1716C)는 메사부(1716M) 중 대응하는 메사부를 완전히 둘러싼다. 상기 열방향 고립 트렌치(1716C)는 또한, 광학적 적층부 재료가 도 12d에 대해서 위에서 설명한 바와 같이 정형화된 전면 기판(1710)을 가로질러 증착될 경우, 광학적 적층부(1714a), (1714b)가 메사부(1716M)와 열방향 고립 트렌치(1716C) 사이에서 불연속적이 되도록 충분한 깊이를 지닌다. 상기 메사부(1716M) 상의 광학적 적층부(1714a)의 각각의 전도층(1714a2)은 이동식 전극(1760) 중의 하나와 열방향 드라이버(도시 생략)의 패드 중 대응하는 패드 사이에 전기적 접속을 제공한다. 상기 메사부(1716M) 상에서 서로 전기적으로 절연된 전도층(1714a2)은 "라우팅 트레이스" 혹은 "전도성 트레이스(conductive trace)"라고도 지칭될 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 열방향 고립 트렌치(1716C)는 골부(1712)의 깊이보다 깊은 깊이를 지닐 수 있다. 그러나, 상기 열방향 고립 트렌치(1716C)의 깊이는 전면 기판(1710)의 기타 치수, 정지 전극 층착의 부합성 및 간섭계 변조기 표시장치(1700)의 기타 구성요소에 따라 광범위하게 다양할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 17b는 도 17a의 17B-17B 선을 따라 취한 장치(1700)의 단면도이다. 예시 된 실시형태에 있어서, 전도성 트레이스(1714a2)는 높이(L2a)에서 상기 전면 기판의 표면(1710)의 상부면 상에 형성되어 있다. 상기 전도성 트레이스(1714a2)의 상부면은 높이(L2b)에 있다. 유전체층(1714a1)은 전도성 트레이스(1714a2) 상에 형성되는 한편, 주변 영역(1702)까지 뻗어 있는 이동식 전극(1760)의 말단 부분과 전도성 트레이스(1714a2) 사이에 전기적 접속을 허용하도록 전도성 트레이스(1714a2)의 일부분을 노출시킨다.
상기 전도성 트레이스(1714a2)의 일부분을 노출시키기 위하여, 위에 놓인 유전체층(1714a1)은 임의의 적절한 공정을 이용해서 패턴화될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 유전체층(1714a1)은 포토리소그래피와 에칭을 이용해서 패턴화될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 섀도 마스크는, 상기 전도성 트레이스(1714a2)의 일부분 상에 유전체 층이 형성되지 않도록 상기 유전체층(1714a1)을 적층할 경우 해당 전도성 트레이스(1714a2)의 일부분을 덮는 데 이용될 수 있다. 섀도 마스크를 이용하는 상세는 도 20, 도 21, 도 44a 내지 도 44e와 관련해서 이하에 더욱 상세히 설명되어 있다. 이동식 전극(1760)은 높이(L2b)보다 높은 높이(L2c)에서 바닥면을 지닌다. 이와 같이 해서, 높이(L2c)에서의 이동식 전극(1760)의 바닥면과 높이(L2b)에서의 전도성 트레이스(1714a2)의 상부면 사이에 간극이 존재한다. 해당 간극은, 특히, 이동식 전극이 상기 전면 기판(1710) 상에 적층될 경우, 상기 전도성 트레이스(1714a2)와 이동식 전극(1760) 사이에 신뢰성 있는 전기적 접속에 의해 간섭받을 수 있다.
예시된 실시형태에 있어서, 간극-충전제(1717)는 상기 전도성 트레이 스(1714a2)와 이동식 전극(1760) 사이에 간극을 충전하여 그 사이에 전기적 접속을 확립하도록 제공된다. 상기 간극-충전제(1717)는 전도성 접착제 재료로 형성될 수 있다. 이와 같이 해서, 상기 간극-충전제(1717)는 또한 전도성 트레이스(1714a2)에 이동식 전극(1760)을 부착하는 역할을 할 수 있다. 접착재 재료는 비교적 낮은 온도에서 용접 가능한 냉간 용접 재료일 수 있다. 이 재료의 예로는 안티몬(Sb), 인듐(In) 또는 주석(Sn)을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 상기 재료는 연성이고 변형가능할 수 있다. 당업자라면, 각종 다른 재료(예컨대, ACF)가 간극-충전제(1717)를 위해 이용될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 17c는 도 17a의 17C-17C 선을 따라 취한 장치(1700)의 단면도이다. 도 17c는 장치(1700)의 주변 영역(1702)의 라우팅 영역(1702A)과 비-라우팅(non-routing) 영역(1702B)을 도시하고 있다. 예시된 단면도는 이동식 전극(1760)(하나가 도시됨)이 전도성 트레이스(1714a2)에 접속되어 있는 경우의 라우팅 영역(1702A)의 일부를 구체적으로 도시하고 있다. 라우팅 영역(1702A)에 있어서, 열방향 고립 트렌치(1716C)는 메사부(1716M)를 규정하도록 형성되어 있다. 상기 메사부(1716M) 상의 전도층(1714a2)의 상부에는 간극-충전제(1717)가 있다. 한편, 열방향 고립 트렌치가 없는 비-라우팅 영역(1702B)에 있어서, 전면 기판(1710)의 상부에 전도층(1714a2)과 유전체층(1714a1)의 양쪽 모두가 적층된다.
도 18a는 간섭계 변조기 표시장치(1800)의 열방향 라우팅 구조체의 다른 실시형태를 나타내고 있다. 상기 표시장치(1800)는 그의 표시 영역(1801)에 골부(1812)를 지니지만 그의 주변 영역(1802)에는 열방향 고립 트렌치가 없는 전면 기판(1810)을 포함한다. 상기 전면 기판(1810)은 또한 상부에 형성되어 있는 광학적 적층부(1814a), (1814b)를 포함한다. 상기 광학적 적층부(1814a), (1814b)는 유전체층(1814a1), (1814b1), 및 해당 유전체층(1814a1), (1814b1) 밑에 있는 전도층(1814a2), (1814b2)을 포함한다. 상기 광학적 적층부(1814a), (1814b)는 도 12d에 나타낸 바와 같이 전면 기판(1810)을 가로질러 블랭킷 증착될 수 있다.
상기 전면 기판(1810)은 주변 영역(1802) 내의 유전체층(1814a1) 상에 열방향 라우팅 트레이스(1817)를 추가로 포함한다. 상기 라우팅 트레이스(1817)는 열방향 드라이버(도시 생략)의 패드에 이동식 전극(1860)을 전기적으로 접속하도록 구성되어 있다. 상기 라우팅 트레이스(1817)는 각각 접촉부(1817a)와 라우팅 부분(1817b)을 포함한다. 예시된 실시형태에 있어서, 상기 접촉부(1817a)는 이동식 전극(1860)과의 전기적 접촉을 용이하게 하기 위하여 상기 라우팅 부분(1817b)보다 넓다. 도시하고 있지는 않지만, 상기 라우팅 트레이스(1817)의 말단 단부는 상기 접촉부(1817a)와 마찬가지로 형성된 접촉 패드 부분을 지닐 수 있다. 상기 라우팅 트레이스(1817)는, 도 17b의 전도성 트레이스(1714a2)와 달리, 광학적 적층부(1814a)의 상부에 있다. 따라서, 라우팅 트레이스(1817)와 이동식 전극(1860) 간의 전기적 접속을 위하여 간극-충전재는 이용되지 않는다. 도 18c를 참조하면, 라우팅 트레이스(1817)는 전면 기판(1810)의 주변 영역(1802)의 라우팅 영역(1802A)에만 형성되어 있고 그의 비-라우팅 영역(1802B)에는 없다. 상기 라우팅 트레이스(1817)는 임의의 적절한 방법, 예를 들어, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄 혹은 포토리소그래피와 에칭에 의해 형성될 수 있다. 열방향 라우팅은 보다 높은 높 이(지지부의 기판 수준 및 이동식 전극의 기판 수준)에 제공된다. 이 구성은, 특히 이동식 전극을 담지하고 있는 캐리어를 전면 기판에 적층할 경우, 이동식 전극을 라우팅 트레이스와 용이하게 접촉할 수 있게 해준다.
도 19는 간섭계 변조기 표시장치의 열방향 라우팅 구조체의 또 다른 실시형태를 나타내고 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 그 위에 정지 전극이 패턴화되어 있는 전면 기판과 접합하기 위하여 구성된 캐리어(1950)에는 이동식 전극(또는 스트립)(1960)과 열방향 라우팅 트레이스(1917)가 설치되어 있다. 상기 열방향 라우팅 트레이스(1917)는 상기 캐리어(1950) 상의 이동식 전극(1960)과 동시에 형성될 수 있다. 이어서, 상기 캐리어(1950)는, 상기 이동식 전극(1960)과 열방향 라우팅 트레이스(1917)가 그 사이에 개재되도록 정형화된 전면 기판(도시 생략) 상에 놓인다. 그 후, 상기 캐리어(1950)가 제거되어, 상기 전면 기판 상에 이동식 전극(1960)과 열방향 라우팅 트레이스(1917)를 남긴다. 그 다음에, 상기 열방향 라우팅 트레이스(1917)는 열방향 드라이버(도시 생략)의 리드부 혹은 접촉부에 이동식 전극(1960)을 전기적으로 접속하는 데 이용될 수 있다.
도 20은 정형화된 전면 기판(2010) 상에 광학적 적층부를 적층시키기 위하여 섀도 마스크를 이용하는 방법의 일 실시형태를 나타내고 있다. 도 16e를 다시 참조하면, 유전체층(1314b1)이 섀도 마스크를 통해 패턴화와 에칭되거나 혹은 증착되어, 행방향 드라이버(811)의 리드부(811a)와 전도층(1314b2) 사이의 전기적 접속을 위해 밑에 있는 전도층(1314b2)을 노출시킨다. 도 17b를 다시 참조하면, 유전체층(1714a1)이 섀도 마스크를 통해 패턴화와 에칭되거나 혹은 증착되어, 전도성 트 레이스(1714a2)와 대응하는 이동식 전극(1760) 사이의 전기적 접속을 위하여 밑에 있는 전도성 트레이스(1714a2)를 노출시킨다. 도 17b에는 도시되어 있지 않지만, 상기 유전체층(1714a1)은 섀도 마스크를 통해 패턴화와 에칭되거나 혹은 증착되어, 전도성 트레이스(1714a2)와 열방향 드라이버(도시 생략)의 리드부 혹은 접촉부 사이의 전기적 접속을 위하여 밑에 있는 전도성 트레이스(1714a2)를 노출시킨다.
도 20을 다시 참조하면, 상기 설명된 구조체는 우선 상기 정형화된 전면 기판(2010)을 가로질러 전도층을 블랭킷 증착(blanket depositing)시킴으로써 형성될 수 있다. 상기 전도층은 상이한 상승부 상에 불량한 부합성으로 증착된다. 이와 같이 해서, 상기 전도층은 메사 및 지지부의 측벽 위에 불연속적으로 된다. 그 결과, 행방향 전극은 트렌치 내에 패턴화되는 한편, 열방향 라우팅 트레이스는 메사 상에 패턴화된다. 이어서, 섀도 마스크(2020a) 내지 (2020c)는 장착될 다른 소자와 접촉하기 위하여 전도층이 노출될 전면 기판(2010)의 부분(예컨대, 열방향/행방향 드라이버, 적층된 이동식 전극) 상에 배치되어 있다. 다음에, 유전체 재료는 상기 전면 기판(2010)을 가로질러 블랭킷 증착된다. 이 섀도 마스킹 법은 또한 전도층과 행방향 드라이버의 패드 사이의 접속을 위해 골부 내의 광학적 적층부의 전도층을 노출시키기 위하여 도 18a 내지 도 18c에 나타낸 실시형태에 이용될 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서는, 라우팅 트레이스(1817)가 유전체층(1814a1) 상에 형성되어 이동식 전극(1860)과 열방향 드라이버의 패드를 이미 노출시키고 있기 때문에, 단지 하나의 섀도 마스크만이 필요할 것이다. 기타 각종 패턴화 수법이 전술한 구조를 형성하는 데 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 21은 도 17b의 간극-충전재(1717)를 형성하는 방법의 일 실시형태를 나타내고 있다. 도 20을 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 전면 기판(2010) 상에 유전체 재료를 증착시킨 후, 섀도 마스크(2020a) 내지 (2020c)는 제거된다. 그 다음에, 도 21에 나타낸 바와 같이 전면 기판(2010) 위에 다른 섀도 마스크(2120)가 제공된다. 이 섀도 마스크(2120)는 간극-충전제가 형성될 영역을 노출시키기 위한 복수개의 개구부(2121)를 포함한다. 이어서, 전도성 접착제 재료가 전면 기판(2010) 상의 개구부(2121)를 통해서 증착됨으로써, 간극-충전제를 형성한다. 이 간극-충전제를 형성하기 위해서는 각종 다른 방법이 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
2. 패턴화된 전면 기판의 형성
도 22a 내지 도 22c는 일 실시형태에 따른 패턴화된 전면 기판을 제조하는 방법을 나타낸 개략 단면도이다. 예시된 실시형태에 있어서, 실질적으로 평탄한 전면 기판(2210)이 제공된다. 이어서, 도 22a에 나타낸 바와 같이, 해당 전면 기판(2210) 상에는 우선 전도층(2214b2)이 증착되고 나서, 상기 전면 기판(2210)의 표시 영역(2201) 내에 행방향 전극을 규정하도록 패턴화된다. 행방향 전극은 또한 전면 기판의 주변 영역(2202)의 일부 상에 탑재된 행방향 드라이버에까지 연속적으로 뻗도록 패턴화될 수 있다. 또한, 상기 주변 영역(2202) 내의 전도층(2214b2)이 패턴화되어, 이동식 전극(도시 생략)과 열방향 드라이버(도시 생략)의 리드부 간의 전기적 접속을 위한 열방향 라우팅 트레이스(2220)를 제공한다. 다른 실시형태에 있어서, 이 단계는 도 20 및 도 21에 도시된 것과 마찬가지의 섀도 마스크를 이용 해서 수행될 수 있다.
다음에, 도 22b에 나타낸 바와 같이, 상기 전도층(2214b2) 위에 전면 기판을 가로질러 유전체층(2214b1)이 형성된다. 상기 전도층(2214b2)과 유전체층(2214b1)은 함께 광학적 적층부(2214)를 형성한다. 유전체층(2214b1)은 증착 후 패턴화되어, 특히 주변의 열방향 라우팅 트레이스 영역(2220)에 있어서, 관통구멍(through-hole) 혹은 바이어(via)(2215)를 제공하여 밑에 있는 전도층(2214b2)을 노출시킬 수 있게 된다. 이 단계는 대안적으로는, 유전체층(2214b1)이 전도층(2214b2) 상에 적층되어 있는 경우, 도 20 및 도 21에 도시된 것과 마찬가지의 섀도 마스크를 이용해서 수행될 수 있다.
이어서, 표시 영역(2201) 내의 광학적 적층부(2214) 상에 절연성 기둥부(2213)가 형성된다. 이 표시 영역 내의 절연성 기둥부(2213)는 절연 재료로 형성되어, 이동식 전극을 지지하는 역할을 할 것이다. 상기 절연성 기둥부(2213)를 형성한 후 혹은 형성하기 전에, 도 22c에 나타낸 바와 같이, 주변 영역(2202) 내의 관통구멍(2215)을 통해 도전성 기둥부(2216)가 형성된다. 이 도전성 기둥부(2216)는 상이한 높이에 있는 이동식 전극(도시 생략)과 열방향 라우팅 트레이스(2220) 간에 전기적 접속을 제공할 것이다. 패턴화된 전면 기판(2200)은 임의의 적절한 증착 수법과 에칭 수법을 이용해서 제작될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
다른 실시형태에 있어서, 상승된 랜드부는 전면 기판(2210)의 주변 영역(2202)에 형성되어 열방향 라우팅 트레이스를 이동식 전극의 높이까지 솟아오르게 할 수 있다. 상승된 랜드부는, 열방향 라우팅 트레이스를 증착하기 전에, 패턴 화된 절연 재료를 예컨대 증착에 의해 형성하고, 포토리소그래피와 에칭, 혹은 섀도 마스를 이용해서 증착시킴으로써 형성될 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 전도성 기둥부는 필요하지 않다. 당업자라면 패턴화된 전면 기판의 라우팅을 위해 각종 기타 수법을 이용할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
3, 미리 형성된 지지 전면 기판의 형성
도 23a 내지 도 23c는 일 실시형태에 따른 미리 형성된 지지 전면 기판(2300)을 제조하는 방법을 나타낸 개략 단면도이다. 일 실시형태에 있어서, 실질적으로 평탄한 기판(2310)이 제공된다. 이어서, 절연성 지지부(2313)가 어레이 영역 또는 표시 영역(2301) 내의 기판(2310) 상에 직접 형성된다. 상기 절연성 지지부(2313)는 절연 재료로 형성되고, 이것은 기둥, 레일, 벽 등의 형상을 취할 수 있다. 상기 절연성 지지부(2313)는 이동식 전극(도시 생략)을 지지하는 역할을 할 것이다. 일 실시형태에 있어서, 상기 절연성 지지부(2313)는 스핀-온-글래스(SOG) 재료 혹은 산화물을 블랭킷 증착하고 나서, 통상의 포토리소그래피 등에 의해 패턴화 및 에칭함으로써 형성될 수 있다. 상기 절연성 지지부(2313)를 형성한 후 혹은 형성하기 전에, 전도성 지지부(2316)가 주변 영역(2302)에 형성된다. 이들 지지부(2313), (2316)를 구비한 전면 기판은 도 23a에 도시되어 있다. 상기 절연성 기둥부(2313)는 유리 기판의 재료와 유사한 산화물 재료로 형성될 수 있는 한편, 해당 기둥부(2313)의 재료는 일반적으로 기판(2310)과 구별가능하며, 절연성 기둥부(2313)와 기판(2310) 사이에 식별가능한 계면(2320)이 형성된다.
다음에, 광학적 적층부(2314)가 전면 기판(2310)을 가로질러 형성된다. 상기 광학적 적층부(2314)의 형성 시, 전도층(2314b2)이 먼저 상기 전면 기판(2310) 상에 증착되고, 이어서, 도 23b에 나타낸 바와 같이, 상기 전면 기판(2310)의 표시 영역(2301) 내에 행방향 전극을 규정하도록 패턴화된다. 행방향 전극은 또한 상기 전면 기판(2310)의 주변 영역(2302)의 일부분 상에 장착된 행방향 드라이버와 연속적으로 뻗도록 패턴화될 수 있다. 또한, 상기 주변 영역(2302) 내의 전도층(2314b2)은 이동식 전극(도시 생략)과 열방향 드라이버(도시 생략)를 장착하기 위한 패드 간의 전기적 접속을 위한 열방향 라우팅 트레이스를 제공하도록 패턴화된다. 또한, 상기 절연성 지지부(2313)와 전도성 지지부(2316) 상에는 전도층(2314a2)이 형성된다.
다음에, 도 23c에 나타낸 바와 같이, 상기 전도층(2314a2), (2314b2) 위쪽에서 상기 기판(2310)을 가로질러 유전체층(2314a1), (2314b1)이 형성된다. 전도성 지지부(2316)의 상부에의 유전체층의 형성은, 소정의 적절한 수법, 예컨대, 섀도 마스킹을 이용함으로써 피할 수 있다. 이 구성에 의해 전도성 지지부(2316)의 상부에 있는 전도층(2314a2)이 기계식 층(도시 생략)과 상호 접속될 수 있게 된다. 당업자라면 미리 형성된 지지 전면 기판(2300)은 임의의 적절한 증착 및 에칭 수법을 이용해서 제조될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 23a 내지 도 23c와 관련해서 설명된 방법으로부터 얻어지는 간섭계 변조기 표시장치 구조체에 있어서, 절연성 지지부는 광학적 적층부(도체 및/또는 유전체)를 개재하는 일없이 전면 기판 상에 있다. 절연성 지지부는 기판과 동일한 재로 형성되지 않고 일체로 되어 있지도 않다.
다른 실시형태에 있어서, 상승된 랜드부는, 도 18a의 정형화된 기판에 대해서 설명된 바와 같이, 전면 기판(2210)의 주변 영역(2202)에 형성되어 열방향 라우팅 트레이스를 이동식 전극의 높이까지 솟아오르게 할 수 있다. 미리 형성된 지지 전면 기판의 상승된 랜드부는 섀도 마스크를 이용해서 절연성 재료를 증착함으로써 형성될 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 전도성 기둥부는 이용되지 않는다. 당업자라면, 미리 형성된 지지 전면 기판의 라우팅을 위해 각종 기타 수법이 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
4. 기타
열방향
라우팅 구조체
도 24a 및 도 24b는 패턴화된 혹은 미리 형성된 지지 전면 기판용의 열방향 라우팅 구조체의 다른 실시형태를 나타내고 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 전면 기판은, 전도성 기둥부가 전면 기판의 주변 영역에 형성되지 않은 이외에는 도 22a 내지 도 22c 및 도 23a 내지 도 23c를 참조하여 위에서 설명한 방법과 마찬가지 방법으로 형성될 수 있다.
도 24a를 참조하면, 정지 전극을 지닌 전면 기판과 접합시키도록 구성된 캐리어(2450a)에는 이동식 전극(2460a)이 설치되어 있다. 또한, 전도성 기둥부(2416a)는 이동식 전극(2460a) 상에 형성되어 있다. 상기 전도성 기둥부(2416a)는 이것으로 제한되지 않지만, 포토리소그래피와 에칭, 인쇄 및 스퍼터링 등의 소정의 적절한 수법을 이용해서 형성될 수 있다. 캐리어는 전면 기판에 이동식 전극을 전사시키기 위해 존재하는 것으로서 제거가능하거나 희생적일 수 있거나, 또는 MEMS 장치용의 영구적인 후면판으로서 역할할 수 있다. 상기 캐리어(2450a)는, 상 기 전도성 기둥부(2416a)가 해당 캐리어(2450a) 상의 이동식 전극(2460a)과 상기 전면 기판(2410a)의 라우팅 트레이스(2420) 사이에 개재되도록 해당 전면 기판(2410a) 위에 놓여 있다. 상기 전면 기판(2410a)은 광학적 적층부(2414)의 형태로 표시 영역(2401A) 내에 절연성 기둥부(2413a)와 정지 전극을 지니는 미리 형성된 지지 전면 기판 혹은 패턴화된 전면 기판일 수 있다.
도 24b를 참조하면, 캐리어(2450b)는 표시 영역(2401B)에서보다는 주변 영역(2402B)에서 보다 두껍도록 정형화되어, 전면 기판(2410b)을 향하여 돌출한다. 상기 전면 기판(2410b)은 표시 영역(2401B) 내에 절연성 기둥부(2413b)를 지니는 미리 형성된 지지 전면 기판 또는 패턴화된 전면 기판일 수 있다. 이동식 전극(2460b)은 캐리어(2450b) 상에 형성된다. 이어서, 상기 캐리어(2450b)는, 상기 이동식 전극(2460b)이 상기 전면 기판(2410b)과 캐리어(2450b) 사이에 개재되도록 전면 기판(2410b) 위에 놓인다. 상기 이동식 전극(2460b)은, 상기 캐리어(2450b)의 주변 영역(2402B)에서 보다 두꺼운 부분으로 되어있기 때문에, 상기 전면 기판(2410b)의 주변 영역(2402B) 내의 라우팅 트레이스(2420)와 접촉한다. 당업자라면, 각종 기타 구성의 열방향 라우팅 구조체도 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
III
. 후면
캐리어의
형성
상기 설명된 간섭계 변조기 표시장치를 제조함에 있어서, 이동식 전극은 각종 방식으로 형성될 수 있다. 여기에 설명된 실시형태의 다수에 있어서, 이동식 전극은 캐리어 후면판 또는 제거가능한 캐리어 상에 형성되고 나서, 해당 장치의 전면 기판으로 전사된다.
일 실시형태에 있어서, 이동식 전극은 캐리어 후면판 상에 형성되고 나서, 전면 기판으로 전사된다. "캐리어 후면판"이란 용어는 정전 MEMS용의 이동식 전극층을 정지 전극을 지닌 전면 기판으로 전사시키는 캐리어로서 역할하고, 또한 간섭계 변조기 표시장치의 후면판을 형성하는 판을 의미한다. 다른 실시형태에 있어서, 제거가능한 캐리어는 전면 기판에 이동식 전극을 제공하는 캐리어로서만 이용될 수 있다. "제거가능한 캐리어"란 용어는 이동식 전극을 전면 기판 상에 전사한 후 제거되는 임시 혹은 희생적인 기판을 의미한다. 제거가능한 캐리어가 이용될 경우, 캐리어의 제거 후, 간섭계 변조기 표시장치를 밀봉시키기 위하여 영구적인 후면판이 추가로 설치된다. 전술한 실시형태에 있어서, 이동식 전극은, 소정의 적절한 수법, 예컨대, 포토리소그래피와 에칭, 또는 스크린 인쇄를 이용해서 캐리어 후면판 또는 제거가능한 캐리어 상에 이동식 전극 재료를 패턴화함으로써 형성될 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 캐리어는 이동식 전극 재료를 그 위에 증착시키기 전에 이동식 전극의 패턴에 대응하는 미리 형성된 패턴을 지니도록 정형화되어 있을 수 있다. 미리 형성된 패턴은, 이동식 전극층이 그 위에 불연속적으로 증착될 수 있도록 레일 및/또는 기둥부를 예컨대, 엠보싱, 새김 작업, 또는 증착/에칭함으로써 제공될 수 있다. 이 수법에 의하면, 증착 후 이동식 전극 재료를 추가로 패턴화 및 에칭하는 일없이 이동식 전극 형성을 가능하게 한다. 본 명세서의 문맥에 있어서, 미리 형성된 패턴을 지닌 제거가능한 캐리어 및 캐리어 후면판은 각각 "정 형화된 제거가능한 캐리어" 및 "정형화된 캐리어 후면판"이라고 지칭된다. 정형화된 캐리어 후면판 및 정형화된 제거가능한 캐리어는 일괄적으로 "정형화된 캐리어"로 지칭될 수도 있다.
1. 정형화된
캐리어
도 25는 정형화된 캐리어(2500)의 개략 사시도이다. 상기 정형화된 캐리어(2500)는 영구적인 캐리어 후면판 혹은 제거가능한 캐리어일 수 있다. 도 25에 나타낸 바와 같이, 상기 정형화된 캐리어(2500)는 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있는 긴 홈부(2501)를 지닌다. 해당 홈부의 깊이는 증착 수법의 부합성 및 증착될 재료의 두께에 부분적으로 의존한다. 일 실시형태에 있어서, 상기 홈부의 깊이는 증착될 재료의 두께의 적어도 3배이다. 바람직하게는, 증착될 층(예컨대, 이동식 전극층)은 홈부의 깊이로 인해 불연속적이다. 일 실시형태에 있어서, 상기 긴 홈부(2501)는 약 2,000 Å 내지 약 12,000 Å, 특히 약 3,000 Å 내지 약 6,000 Å의 깊이를 지닐 수 있다. 상기 홈부(2501)는 해당 홈부(2501)와 교번하는 긴 메사부(2502)를 규정한다. 상기 정형화된 캐리어(2500)는 또한 메사부(2502) 상에 형성된 이동식 전극(2510)을 포함한다. 상기 정형화된 캐리어(2500)는 긴 홈부(2501) 내에 과잉의(excess) 이동식 전극 재료(2520)를 추가로 포함한다. 이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해할 수 있는 바와 같이, 정형화된 캐리어는, 이동식 전극(2510)이 전면 기판과 대면하도록 해당 전면 기판 위쪽에 놓일 것이다.
도 26a 내지 도 26d는 일 실시형태에 따른 정형화된 캐리어를 제조하는 방법을 예시한 단면도이다. 예시된 방법은 캐리어를 정형화하기 위하여 엠보싱을 이용 한다. 예시된 실시형태에 있어서는, 도 26a에 나타낸 바와 같이, 실질적으로 평탄한 기판(2600)이 제공된다. 캐리어가 영구적인 후면판인 일 실시형태에 있어서, 기판(2600)은 금속(예컨대, 스테인레스 강), 유리 또는 폴리머 재료(예컨대, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리카보네이트 및 폴리메틸 메타크릴레이트)로 형성될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 캐리어 후면판은 서로 적층된 금속성 서브층과 폴리머성 서브층을 포함하는 2개의 서브층을 지닐 수 있다. 캐리어가 제거가능한 캐리어인 다른 실시형태에 있어서, 기판(2600)은 폴리머 재료로 형성될 수 있다. 폴리머 재료의 예는 후술할 것이다.
다음에, 도 26b에 나타낸 바와 같이, 기판(2600)은 플래튼(2650) 상에 배치된다. 예시된 플래튼(2650)은 금속성 재료로 형성될 수 있다. 상기 기판(2600)은, 해당 기판(2600)이 후속의 엠보싱 단계에서 각인되기에 충분한 정도로 연성이 되도록 가열될 수 있다. 상기 기판(2600)은 또한 해당 기판(2600)에 이용되는 재료에 따라 다양한 온도로 가열될 수 있다.
그 후, 엠보싱 판(2651)이 도 26c에 나타낸 바와 같이 상기 기판(2600) 상에 가압된다. 상기 엠보싱 판(2651)은 기판(2600) 상에 긴 홈부(2601)(도 26d)를 생성하도록 정형화된 홈부와 돌출부를 지닌다. 상기 엠보싱 판(2651)은 금속성 재료로 형성될 수 있다. 상기 플래튼(2650)과 엠보싱 판(2651) 중 적어도 한쪽은 회전 원통의 형태일 수 있다. 당업자라면 다양한 기타 형태의 엠보싱 수법이 기판을 엠보싱하는 데 적응될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
이어서, 상기 엠보싱 판(2651)이 상기 기판(2600)으로부터 제거된다. 그 후, 상기 기판(2600)이 상기 플래튼(2650)으로부터 제거된다. 상기 긴 홈부(2601)를 지닌 얻어지는 캐리어(2600)는 도 26d에 도시되어 있다. 다른 실시형태에 있어서, 기판은 포토리소그래피와 에칭을 이용해서 패턴화될 수 있다. 또 다른 실시형태에 있어서, 기판은 우선 소정의 부분을 새김 작업하고 나서 그 부분을 선택적으로 에칭함으로써 패턴화될 수 있다. 새김 작업은 다양한 수법, 예컨대, 기계가공 혹은 레이저-새김 작업 등을 이용해서 수행될 수 있다. 각종 기타 수법이 캐리어를 정형화하는 데 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그 다음에, 이동식 전극 재료는 정형화된 캐리어(2600)의 상부 위 및 긴 홈부(2601) 내로 증착된다. 이 증착된 이동식 전극 재료(2610), (2620)는 홈부(2601)에 의해 규정된 메사부(2602)와 홈부(2601) 사이에서 불연속적이다. 이동식 전극(2610)의 구성은 도 25의 이동식 전극에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다.
a. 정형화된
캐리어
후면판
도 27a는 일 실시형태에 따른 정형화된 캐리어 후면판(2700)의 개략 사시도이다. 예시된 정형화된 캐리어 후면판(2700)은 긴 홈부(2701), 에지 레일(2702), 레일 트렌치(2703) 및 기둥부(2704)를 포함한다. 상기 에지 레일(2702)은 해당 레일 내의 간극을 나타내는 횡방향 에칭 구멍(2705)을 포함할 수 있다. 상기 에칭 구멍(2705)은 레일 트렌치(2703)와 긴 홈부(2701) 간의 유체 연통을 허용하도록 구성되어 있다. 상기 정형화된 캐리어 후면판(2700)은 또한 상기 에지 레일(2702) 및 기둥부(2704) 상에 지지된 이동식 전극(2710)을 포함한다. 소정의 실시형태에 있어서, 기둥부(2704)는 생략될 수도 있다.
상기 긴 홈부(2701), 에지 레일(2702), 레일 트렌치(2703), 기둥부(2704) 및 에칭 구멍(2705)은 도 26a 내지 도 26e를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 캐리어 후면판(2700)을 엠보싱함으로써 형성될 수 있다. 상기 후면판(2700)은 엠보싱을 위해 적절한 소정의 재료로 형성될 수 있다. 이러한 재료의 예로는 유리 및 금속(예컨대, 스테인레스)을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 후면판(2700)은 포토리소그래피와 에칭 또는 새김 작업을 이용해서 정형화 혹은 패턴화될 수 있다. 당업자라면 각종 기타 방법이 상기 후면판(2700)을 정형화하는 데 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 27b를 참조하면, 에지 레일(2702) 중 두 개는 동일한 이동식 전극(2710)을 지지하면서 그 사이에 있는 레일 트렌치(2703) 중 대응하는 레일 트렌치를 규정한다. 또한, 이웃하는 에지 레일(2702) 중 두 개는 이웃하는 두 개의 이동식 전극(2710) 중 하나를 각각 지지하면서 그 사이에 있는 긴 홈부(2701) 중 대응하는 긴 홈부를 규정한다. 레일 트렌치(2703)는 이하의 설명으로부터 더욱 이해할 수 있는 바와 같이 비어있다. 상기 정형화된 캐리어 후면판(2700)은 또한 긴 홈부(2701) 내에 과잉의 이동식 전극 재료(2720)를 지닐 수 있다.
도 27b를 여전히 참조하면, 기둥부(2704)는 레일 트렌치(2703)의 바닥부로부터 위쪽으로 뻗어 있다. 도 27d를 또 참조하면, 상기 기둥부(2704) 중 두 열은 긴 홈부(2701)와 평행한 방향으로 배열되어 있다. 기둥부의 각종 기타 배열도 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 상기 기둥부(2704)는 이동식 전극(2710)을 지 지할 수 있도록 상기 에지 레일(2702)과 실질적으로 동일한 높이를 지닌다.
도 27c는 27C-27C 선을 따라 취한 도 27a의 정형화된 캐리어 후면판(2700)의 단면도이다. 상기 정형화된 캐리어 후면판(2700)의 예시된 단면도는 에지 레일(2702) 내의 에칭 구멍(2705)을 도시하고 있다. 상기 에칭 구멍(2705)은 레일 트렌치(2703)와 긴 홈부(2701) 간의 유체 연통을 허용하도록 구성되어 있다. 상기 에칭 구멍(2705)은, 이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해할 수 있는 바와 같이, 희생 재료가 제조 단계 동안 레일 트렌치(2703)로부터 제거될 수 있도록 에칭제가 레일 트렌치(2703) 내의 희생 재료와 접촉하는 것을 허용한다. 상기 에칭 구멍(2705)은 긴 홈부(2701)의 바닥면보다 낮은 바닥면(2706)을 지닌다. 상기 에칭 구멍(2705)의 이러한 보다 낮은 바닥면(2706)은 과잉의 이동식 전극 재료(2720)가 에칭 구멍(2705)을 차단하는 것을 방지한다. 이동식 전극(2710)이 없는 정형화된 캐리어 후면판(2700)의 평면도가 도 27d에 도시되어 있다.
도 27c를 여전히 참조하면, 캐리어 후면판(2700)은 3개의 상이한 높이(BL1), (BL2), (BL3)를 지닐 수 있다. 긴 홈부(2701)와 레일 트렌치(2703)의 각 바닥부는 제1높이(BL1)에 있다. 에지 레일(2702)과 기둥부(2704)의 각 상부는 제1높이(BL1)보다 높은 제2높이(BL2)에 있다. 에칭 구멍(2705)의 바닥면(2706)은 제1높이(BL1)보다 낮은 제3높이(BL3)에 있다. 제1높이(BL1)와 제2높이(BL2) 간의 높이 차는 이동식 전극 재료가 스트립 내에 이동식 전극(2710)을 규정하기 위하여 두 에지 레일(2702) 사이에서 불연속적이 되도록 허용한다. 제1높이(BL1)와 제3높이(BL3) 간의 높이 차는 과잉의 이동식 전극 재료(2720)가 에칭 구멍(2705)을 차단하는 것을 방지한다.
도 28은 다른 실시형태에 따른 정형화된 캐리어 후면판의 개략 사시도이다. 예시된 정형화된 캐리어 후면판(2800)은 긴 홈부(2801), 에지 레일(2802), 레일 트렌치(2803) 및 기둥부(2804)를 포함한다. 에지 레일(2802)은, 도 27a의 정형화된 캐리어 후면판(2700)과 달리, 레일 트렌치와 긴 홈부 간의 유체 연통을 허용하도록 구성된 에칭 구멍을 포함하지 않는다. 상기 정형화된 캐리어 후면판(2800)은 에지 레일(2802) 및 기둥부(2804) 상에 지지된 이동식 전극(2810)과, 긴 홈부(2801) 내의 과잉의 이동식 전극 재료(2820)를 또 포함한다. 상기 이동식 전극(2810)은 해당 이동식 전극(2810)의 상하의 영역 간의 유체 연통을 허용하도록 구성된 관통구멍(2811)을 포함한다. 상기 관통구멍(2811)은, 이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해할 수 있는 바와 같이, 희생 재료가 제조 단계 동안 레일 트렌치(2803)로부터 제거될 수 있도록 에칭제가 레일 트렌치(2803) 내의 희생 재료와 접촉하는 것을 허용한다. 상기 관통구멍(2811)은 소정의 적절한 수법, 예를 들어, 포토리소그래피와 에칭을 이용해서 형성될 수 있다.
도 29a 내지 도 29d는 정형화된 캐리어 후면판 상에 이동식 전극을 형성하는 방법의 일 실시형태를 나타내고 있다. 도 29a에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판(2900)이 제공된다. 도 27a 및 28의 정형화된 캐리어 후면판(2700), (2800)과 마찬가지로, 예시된 정형화된 캐리어 후면판(2900)은 긴 홈부(2901), 에지 레일(2902), 레일 트렌치(2903) 및 기둥부(2904)를 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 상기 정형화된 캐리어 후면판(2900)은, 도 27a의 후면판(2700)의 에칭 구 멍(2705)과 마찬가지로, 레일(2902)을 통한 횡방향 가스 투과용의 에칭 구멍(도시 생략)을 지닌다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 정형화된 캐리어 후면판(2900)은 도 28의 관통구멍(2811)을 지닐 수 있다.
다음에, 희생 재료(2908)는, 도 29b에 나타낸 바와 같이, 정형화된 캐리어 후면판(2900) 위에 블랭킷 증착되어, 긴 홈부(2701)와 레일 트렌치(2903)가 넘칠 정도로 채운다. 일 실시형태에 있어서, 희생 재료(2908)는 폴리이미드 등의 폴리머 재료 혹은 포토레지스트일 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 희생 재료(2908)는 불소계 에칭제, 특히, XeF2에 의해 선택적으로 에칭될 수 있는 금속성 재료, 예컨대, 몰리브덴, 규소(비금속), 텅스텐 혹은 티타늄일 수 있다. 이 단계는, 예를 들어, 스핀 코팅(스핀-온(spin-on)) 혹은 스퍼터링 공정 등의 임의의 적절한 공정을 이용해서 수행될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 금속성 희생 재료는 상기 후면판(2900) 상에 부합하게 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 포토레지스트 혹은 폴리머성 희생 재료는 상기 후면판(2900) 상에 증착되므로 평탄할 수 있다.
희생 재료(2908)는, 해당 희생 재료(2908)가 에지 레일(2902)과 기둥부(2904)의 상부 지점을 넘어 돌출하지 않도록 제거된다. 이 단계는 예컨대, 화학적 기계적 연마(CMP: chemical mechanical polishing) 등의 임의의 적절한 방법을 이용해서 수행될 수 있다. 이 단계는 도 29c에 나타낸 바와 같이 실질적으로 평탄한 상부면을 지니면서 긴 홈부(2901)와 교번하는 메사부(2909)를 제공한다. 이어 서, 희생 재료(2908)의 부분이, 예를 들어, 포토리소그래피와 에칭 등의 임의의 적절한 방법을 이용해서 긴 홈부(2901)로부터 제거된다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 긴 홈부(2901)는 레일 트렌치(2903)보다 더욱 깊을 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 긴 홈부(2901) 내의 희생 재료(2908)의 부분은 제거되는 일 없이 그 안에 유지될 수 있으므로, 마스킹 단계를 피할 수 있다.
다음에, 이동식 전극 재료가 도 29d에 나타낸 바와 같이 정형화된 캐리어 후면판(2900) 상에 증착된다. 이동식 전극 재료는 메사부(2909) 상에서 서로 평행하게 뻗어 있는 스트립으로 이동식 전극(2910)을 형성한다. 또한, 과잉의 이동식 전극 재료(2920)가 긴 홈부(2901) 내에 남아 있다.
소정의 실시형태에 있어서, 접합제가 장착 혹은 적층 공정에서 다른 요소와 물리적 및 전기적 접촉을 행하는 선택된 장소에서 이동식 전극(2910) 상에 증착된다. 원하는 장소에 대한 선택적인 적용은 증착, 패턴화, 및 에칭에 의해, 또는 섀도 마스크를 통한 PVD 혹은 스퍼터링에 의해 달성될 수 있다. 특히, 접합제는 전면 기판 상에 형성된 열방향 라우팅 트레이스와 접촉하는 이동식 전극(2910)의 부분(예컨대, 접촉 패드)에 적용될 수 있다. 다른 예에 있어서, 열방향 드라이버는 캐리어 후면판 상에 직접 장착될 수 있다. 최종 장치 구조체에 있어서, 이동식 전극(2910)의 부분은, 도 20 및 도 21에 대해서 위에서 설명한 바와 같이,절연성 재료가 제거 혹은 차폐되어 밑에 있는 전도층 혹은 트레이스를 노출시키는 전면 기판의 부분과 대향할 수 있다.
접합제는 이동식 전극과 라우팅 트레이스 간의 접착을 용이하게 해준다. 접 합제는 전도성 접착제 재료로 형성될 수 있다. 접착재 재료는 비교적 저온에서 용접가능할 수 있는 냉간 용접 재료일 수 있다. 이 재료의 예로는 안티몬(Sb), 인듐(In) 또는 주석(Sn)을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 상기 재료는 연성이고 변형가능할 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 접합제는 도 17a 내지 도 17c에 대해서 위에서 설명한 바와 같이 간극-충전재(1717)로서 역할할 수 있다. 여기에 기재된 접합제는 캐리어 후면판 혹은 제거가능한 캐리어에 대해서 이하에 설명되는 소정의 실시예에 적용될 수 있다.
도시하고 있지는 않지만, 정형화된 캐리어 후면판(2900)은 이어서 이동식 전극(2910)이 정형화된 캐리어 후면판(2900)과 전면 기판 사이에 개재되도록 해당 전면 기판에 부착된다. 이어서, 희생 재료(2908)는 레일 트렌치(2903)로부터 제거된다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 희생 재료(2908)는 전면 기판에 캐리어 후면판(2900)을 부착하기 전에 제거될 수 있다. 상기 후면판(2900)이 도 27a의 것과 마찬가지의 에지 레일(2902) 내에 에칭 구멍을 포함하는 일 실시형태에 있어서, 상기 희생 재료(2908)는 상기 에칭 구멍을 통해 제거될 수 있다. 후면판이 에칭 구멍을 지니지 않는 다른 실시형태에 있어서, 이동식 전극은 도 28의 관통구멍(2811)과 마찬가지의 관통구멍을 지니도록 패턴화될 수 있다. 이어서, 희생 재료(2908)는 상기 관통구멍을 통해 제거될 수 있다.
도 30a 내지 도 30d는 정형화된 캐리어 후면판 상에 이동식 전극을 형성하는 방법의 다른 실시형태를 나타내고 있다. 도 29a에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판(3000)이 제공된다. 도 27a 및 도 28의 정형화된 캐리어 후면판(2700), (2800) 과 마찬가지로, 예시된 정형화된 캐리어 후면판(3000)은 긴 홈부(3001), 에지 레일(3002), 레일 트렌치(3003) 및 기둥부(3004)를 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판(3000)은, 도 27a의 후면판(2700)의 것과 마찬가지로, 레일(3002) 내의 에칭 구멍(도시 생략)을 지닌다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 정형화된 캐리어 후면판(3000)은 에칭 구멍을 지니지 않을 수 있다.
다음에, 시드층(seed layers)(3007)이, 희생 재료가 증착될 후면판(3000)의 부분 상에 선택적으로 증착된다. 이러한 부분은 레일 트렌치(3003)의 적어도 바닥면을 포함할 수 있다. 상기 시드층(3007)은 섀도 마스크(도시 생략)를 통해서 선택적으로 증착될 수 있다. 이어서, 상기 시드층(3007)은 도 30b에 나타낸 바와 같이 전기도금을 위한 전압원에 전기 접속된다. 전기도금을 위하여, 후면판(3000)은 희생 재료를 함유하는 용액 중에 침지될 수 있다. 상기 희생 재료는 불소계 에칭제, 특히, XeF2에 의해 선택적으로 에칭될 수 있는, 전기도금을 위해 적절한 금속성 재료, 예를 들어, 텅스텐, 몰리브덴 혹은 티타늄일 수 있다. 이어서, 상기 용액 중에 또한 침지되어 있는 전극과 시드층(3007) 사이에 전위(electric potential)가 인가된다. 선택적으로 도금된 희생 재료(3008)를 지닌 얻어지는 후면판(3000)은 도 30c에 도시되어 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 과중한 혹은 과잉의 희생 재료는 임의의 적절한 공정, 예를 들어, 화학적 기계적 연마(CMP)를 이용해서 제거되어 도 30c의 평탄화된 구조체를 남길 수 있다.
다음에, 이동식 전극 재료는 정형화된 캐리어 후면판(3000) 위에 증착된다. 이동식 전극 재료는 서로 평행하게 뻗어 있는 스트립으로 이동식 전극(3010)을 형성한다. 또한, 과잉의 이동식 전극 재료(3020)는 긴 홈부(3001) 내에 남아 있다. 상기 후면판(3000)을 전면 기판과 적층한 후, 희생 재료(3008)는 레일 트렌치(3003)로부터 제거된다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 희생 재료(3008)는 전면 기판에 캐리어 후면판(3000)을 부착하기 전에 제거될 수 있다. 이 단계의 상세는 희생 재료 제거 단계(도 29d)에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다.
도 31a 내지 도 31d는 정형화된 캐리어 후면판 상에 이동식 전극을 형성하는 방법의 또 다른 실시형태를 나타내고 있다. 도 31a에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판(3100)이 제공된다. 도 27a 및 도 28의 정형화된 캐리어 후면판(2700), (2800)과 마찬가지로, 예시된 정형화된 캐리어 후면판(3100)은 긴 홈부(3101), 에지 레일(3102), 레일 트렌치(3103) 및 기둥부(3104)를 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 상기 정형화된 캐리어 후면판(3100)은 도 27a의 후면판(2700)의 것과 마찬가지로 레일(3102) 내에 에칭 구멍(도시 생략)을 지닌다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 정형화된 캐리어 후면판(3100)은 에칭 구멍을 지니지 않을 수 있다. 상기 정형화된 캐리어 후면판(3100)은 긴 홈부(3101) 위에 차단 마스크(3107)를 구비한다. 일 실시형태에 있어서, 차단 마스크(3107)는 스크린 인쇄 혹은 섀도 마스킹에 의해 형성될 수 있다
다음에, 희생 재료(3108)는 도 31b에 나타낸 바와 같이 정형화된 캐리어 후면판(3100) 위에 블랭킷 증착되어, 레일 트렌치(3103)가 넘칠 정도로 채운다. 차단 마스크(3107)는 희생 재료(3108)가 긴 홈부(3101) 내에 증착되는 것을 방지한 다. 이 단계의 상세는 도 29b를 참조하여 위에서 설명된 바와 같다.
이어서, 과잉의 혹은 과중한 희생 재료(3108)는, 해당 희생 재료(3108)가 에지 레일(3102)과 기둥부(3104)의 상부 지점을 넘어 돌출되지 않도록 제거된다. 이 단계는, 예컨대, 화학적 기계적 연마(CMP) 등의 임의의 적절한 평탄화 방법을 이용해서 수행될 수 있다. 다음에, 차단 마스크(3107)는, 도 31c에 나타낸 바와 같이, 예를 들어, 회화 공정에 의해 긴 홈부(3101)로부터 제거된다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 차단 마스크(3107)는 소정의 적절한 수법, 예를 들어, 마스킹 및 에칭을 이용해서 선택적으로 제거될 수 있다.
다음에, 이동식 전극 재료가 정형화된 캐리어 후면판(3100) 위에 증착된다. 이동식 전극 재료는 서로 평행하게 뻗어 있는 스트립 형태로 이동식 전극(3110)을 형성한다. 또한, 과잉의 이동식 전극 재료(3120)는 긴 홈부(3101) 내에 남는다. 상기 후면판(3100)을 전면 기판과 적층한 후, 희생 재료(3108)는 레일 트렌치(3103)로부터 제거된다. 이 단계의 상세는 희생 재료 제거 단계(도 29d)에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다.
도 32a는 정형화된 캐리어 후면판의 또 다른 실시형태를 나타내고 있다. 예시된 정형화된 캐리어 후면판(3200)은 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있는 긴 홈부(3201)를 지닌다. 상기 홈부(3201)는 해당 홈부(3201)와 교번하는 긴 메사부(3202)를 규정한다.
도 32b를 참조하면, 희생 재료(3207b)는 긴 홈부(3201)와 메사부(3202) 사이에서 불연속적이 되도록 후면판(3200)을 가로질러 증착될 수 있다. 이어서, 이동 식 전극 재료는 후면판(3200)을 가로질러 증착되어, 도 32b에 나타낸 바와 같이 메사부(3202) 상에 이동식 전극(3210)과 긴 홈부(3201) 내에 과잉의 기계식 층(3220)을 형성한다. 메사부(3202) 상의 이동식 전극(3210)과 홈부(3201) 내의 과잉의 기계식 층(3220)은 서로 불연속적이다. 일 실시형태에 있어서, 이동식 전극 재료(3220)와 희생 재료(3207b)의 전체 두께는 긴 홈부(3201)의 깊이의 절반 이하이다. 이 구성은 이동식 전극(3210) 간에 전기적 절연을 제공한다.
이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해할 수 있는 바와 같이, 메사부(3202) 상의 희생 재료(3207a)는 전면 기판(도시 생략)에 후면판(3200)을 부착한 후에 제거될 것이다. 이 희생 재료 제거 단계는 이동식 전극(3210)을 상기 후면판(3200)으로부터 전면 기판 상으로 이형시킬 것이다. 그러나, 긴 홈부(3201) 내의 희생 재료(3207b)는, 이형 에칭(release etch)으로부터 밀봉되는 경우, 희생 재료 제거 단계 후에 여전히 남을 것이다. 긴 홈부(3201) 내의 희생 재료(3207b)는 완성된 간섭계 변조기 표시장치 내의 적소에 과잉의 기계식 층(3220)을 유지할 것이다.
도 32c는 정형화된 제거가능한 캐리어 상에 이동식 전극을 형성하는 방법의 다른 실시형태의 단면도를 나타내고 있다. 도 32c를 참조하면, 이형층(3207)은, 긴 홈부(3201)와 메사부(3202) 사이에서 연속하도록 후면판(3200)을 부합적으로 가로질로 증착될 수 있다. 이어서, 이동식 전극 재료는 후면판(3200)을 가로질러 증착되어, 긴 홈부(3201) 내에 과잉의 기계식 층(3220)과 메사부(3202) 상에 이동식 전극(3210)을 형성한다. 메사부(3202) 상의 이동식 전극(3210)과 과잉의 기계식 층(3220)은 서로 불연속적이다. 이 구성은 이동식 전극(3210) 사이에 전기적 절연 부를 제공한다.
이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해할 수 있는 바와 같이, 이형층(3207)은 전면 기판(도시 생략)에 후면판(3200)을 부착한 후에 제거될 것이다. 이 제거 단계는 전면 기판 상의 후면판(3200)으로부터 이동식 전극(3210)을 이형시킬 것이다. 과잉의 기계식 층(3220)은 도 34a 내지 도 34d의 이하의 설명으로부터 더욱 잘 이해할 수 있는 바와 같이 전면 기판으로부터 뻗어 있는 과잉의 기계식 층 지지부에 의해 지지될 것이다.
도 32d는 도 32b의 정형화된 캐리어 후면판(3200)의 평면도이다. 도 32e는 도 32d의 정형화된 캐리어 후면판(3200)의 에지부(3250)의 단면도이다. 상기 에지부(3250)는 후면판(3200)의 에지부를 따라 뻗어 있는 주변 융기부(perimeter ridges)(3251)를 포함한다. 상기 주변 융기부(3251)는 그 사이에 홈부(3252)를 규정한다. 당업자라면, 상기 홈부(3252)의 개수가 캐리어 후면판의 설계에 따라 다양할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
일 실시형태에 있어서, 주변 융기부(3251)는 레일(3202)보다 커서, 희생 재료 혹은 기계식 층의 증착 동안 섀도 마스크에 의해 덮일 수 있게 된다. 따라서, 에지부(3250)는 희생 재료 혹은 과잉의 기계식 층을 포함하지 않을 수 있지만, 기밀 밀봉을 위한 프릿 혹은 금속 등의 중재 밀봉재를 이용해서 전면 기판에 부착되도록 구성될 수 있다. 상기 주변 융기부(3251)는 얻어지는 간섭계 변조기 표시장치의 표시 영역을 둘러싸서 기판 높이(L2)에서 일련의 고리를 형성한다. 상기 주변 융기부(3251)는 높이(L1)에서 과잉의 기계식 층을 밀봉한다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 에지부(3250)는 부분적으로 밀봉제로서 역할할 수 있는 기계식 층을 포함할 수 있다. 상기 주변 융기부(3251)는 상기 에지부(3250)에 이웃하는 긴 오목부(3201) 내의 희생 재료(3207b)가 희생 재료 제거 단계 동안 제거되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이 구성에 의하면, 상기 긴 오목부(3201) 내의 희생 재료(3207b)가 완성된 표시장치 내의 적소에 과잉의 기계식 층(3220)을 유지할 수 있게 한다.
소정의 실시형태에 있어서, 캐리어 후면판(3200)은 주변 융기부(3251)의 측벽을 포함해서, 그의 표면 상에 블랭킷 증착된 희생 재료를 지닐 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 홈부(3252)는 희생 재료가 희생층 제거 단계 동안 에칭되지 않도록 밀봉제에 의해 충전될 수 있다.
도 33a 내지 도 33d는 다른 실시형태에 따른 패턴화된 이동식 전극을 지닌 정형화된 캐리어 후면판을 제조하는 방법을 나타낸 단면도이다. 예시된 실시형태에 있어서, 캐리어 후면판(3300)은 도 33a에 나타낸 바와 같이 복수개의 기둥부 혹은 연결부(혹은 접속부)(3350)를 지니도록 정형화된다. 기둥부(3350)는 엠보싱, 새김 작업, 혹은 포토리소그래피와 에칭 등의 임의의 적절한 공정을 이용해서 정형화될 수 있고, 이중 마지막 공정이 미리 형성된 기둥부를 제공한다. 엠보싱 혹은 새김 작업은 후면판(3300)의 재료와 동일한 재로로 일체로 형성된 기둥부(3350)를 형성한다.
이어서, 희생 재료(3310)가 상기 후면판(3300) 위에 적층된다. 그 후, 상기 희생 재료(3310)는 도 33b에 나타낸 바와 같이 다시 에칭되어 기둥부(3350)를 노출 시킨다. 상기 희생 재료(3310)는 이것으로 제한되지는 않지만, 화학적 기계적 연마(CMP)를 비롯한 소정의 적절한 수법을 이용해서 평탄화될 수 있다.
다음에, 이동식 전극 재료(3320)는 도 33c에 나타낸 바와 같이 후면판(3300)을 가로질러 증착된다. 이어서, 해당 이동식 전극 재료(3320)는 소정의 적절한 수법, 예를 들어, 포토리소그래피와 에칭을 이용해서 패턴화된다. 얻어진 이동식 전극(3320)은 도 33d에 도시되어 있다. 이 이동식 전극(3320)은 기둥부(3350) 상에 또한 부분적으로는 희생 재료(3310) 상에 지지된다. 일 실시형태에 있어서, 상기 이동식 전극(3320)은 해당 전극(3320)을 분리하여, 도 28에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 이형 구멍을 제공해서 이하에 설명된 제거 단계에서 밑에 있는 희생 재료의 제거를 용이하게 하도록 패턴화될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 접합제는 상기 이동식 전극(3320)의 패턴화 전 혹은 후에 선택된 위치에서 이동식 전극(3320) 상에 증착될 수 있다. 접합제의 상세는 도 29a 내지 도 29d와 관련해서 위에서 설명되어 있다.
다음에, 캐리어 후면판(3300)은 그 사이에 이동식 전극(3320)이 개재되도록 전면 기판(도시 생략)에 부착된다. 그 후, 희생 재료(3310)가 제거된다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 희생 재료(3310)는 상기 전면 기판에 상기 캐리어 후면판(3300)을 부착하기 전에 제거될 수 있다. 상기 이동식 전극(3320)은 전면 기판의 레일과 기둥부에 의해 지지된다.
도 34a는 일 실시형태에 따른 부분 제작된 간섭계 변조기 표시장치(3400)의 개략 사시도이다. 상기 장치의 예시된 부분은 상기 장치(3400)의 표시 영역이다. 상기 장치(3400)는, 그 사이에 이동식 전극(3461a)을 개재해서 서로 부착된 정형화된 전면 기판(3410)과 정형화된 캐리어 후면판(3450)을 포함한다.
상기 정형화된 전면 기판(3410)은 서로 평행하게 뻗어 있는 레일(3411)과, 해당 레일(3411)에 의해 규정된 골부(3412)와, 상기 레일(3411) 상부 및 골부(3412)의 바닥부 상에 있는 광학적 적층부(3414)를 포함한다. 상기 정형화된 전면 기판(3410)은 상기 레일(3411) 상에 형성된 과잉의 기계식 층 지지부(3420)를 추가로 포함한다. 상기 레일(3411), 골부(3412) 및 광학적 적층부(3414)의 구성은 도 10의 것들에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다.
정형화된 캐리어 후면판(3450)은 긴 홈부(3451)에 의해 규정된 긴 홈부(3451)와 메사부(3452)를 포함한다. 상기 정형화된 캐리어 후면판(3450)은 또한 상기 긴 홈부(3451) 내에 과잉의 기계식 층(3461b)과 희생층(3462)을 포함한다. 상기 희생층(3462)은, 상기 과잉의 기계식 층(3461b), 긴 홈부(3451), 및 도 32d 및 도 32e에 대해서 설명된 바와 같은 주변 융기부(도시 생략)의 고리에 의해 둘러싸여 있다. 상기 긴 홈부(3451), 메사부(3452), 과잉의 기계식 층(3461b) 및 희생층(3462)의 구성은 도 32b의 것들에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다.
이동식 전극(3461a)은 후면판(3450)의 메사부(3452)와 전면 기판(3410)의 레일(3411)의 상부 상의 광학적 적층부(3414) 사이에 개재되어 있다. 도 32b를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이, 상기 이동식 전극(3461a)과 메사부(3452) 사이에 개재되어 있는 희생 재료는 이제는 제거되어, 이동식 전극(3461a)을 후면판(3450)으로부터 이형시킨다. 도 34b를 참조하면, 상기 이동식 전극(3461a)은 이제 제거 된 희생층으로 인해 메사부(3452)로부터 이간되어 있는 레일(3411)의 상부 상의 광학적 적층부(3414) 상에 지지된다.
예시된 실시형태에 있어서, 정형화된 전면 기판(3410)은 과잉의 기계식 층 지지부(3420)를 추가로 포함한다. 도 34c 및 도 34d를 참조하면, 과잉의 기계식 층 지지부(3420)는 레일(3411)로부터 위쪽으로 돌출 혹은 연장된다. 또한, 광학적 적층부(3414)는 상기 과잉의 기계식 층 지지부(3420)의 상부 상에 형성된다. 상기 과잉의 기계식 층 지지부(3420)는 후면판(3450)의 긴 홈부(3451) 내에 과잉의 기계식 층(3461b)을 지지하도록 구성되어 있다. 상기 과잉의 기계식 층 지지부(3420)는 희생층(3462)과 함께 과잉의 기계식 층(3461b)을 후면판(3450)에 유지한다. 후면판(3450)이 긴 홈부(3451) 내에 희생 재료를 지니고 있지 않은 몇몇 실시형태에 있어서(예를 들어, 도 32c의 후면판), 상기 과잉의 기계식 층 지지부(3420)만이 과잉의 기계식 층(3461b)을 후면판(3450)에 유지시키는 역할을 할 수 있다. 이것은, 희생층이 캐리어 후면판(예컨대, 주변 융기부의 고리가 없음)의 메사부와 동시에 홈부 내에서 제거될 때 일어날 수 있다.
b. 정형화된 제거가능한
캐리어
도 35a는 일 실시형태에 따른 정형화된 제거가능한 캐리어(3500)의 개략 사시도이다. 예시된 정형화된 제거가능한 캐리어(3500)는 서로 평행하게 뻗어 있는 긴 홈부(3501)와, 해당 홈부(3501)에 의해 규정된 긴 메사부(3502)를 포함한다. 상기 캐리어(3500)는 도 35b에 나타낸 바와 같이 메사부(3502)에 형성된 이동식 전극(3510)을 담지할 수 있다. 상기 캐리어(3500)는 또한 홈부(3501) 내의 과잉의 기계식 층(3520)을 담지하여, 이동식 전극(3510)을 전면 기판에 전사한 후 캐리어(3500)와 함께 제거될 것이다. 상기 홈부(3501)는, 캐리어(3500) 상에 증착된 이동식 전극(3510)의 원하는 두께가 메사부(3502)와 홈부(3501) 사이에서 불연속적인 것을 확실하게 하는 데 충분하도록 깊게 되어 있다.
일 실시형태에 있어서, 정형화된 제거가능한 캐리어(3500)는 폴리머 재료로 형성될 수 있다. 폴리머 재료는 이동식 전극을 전면 기판에 전사한 후 용해, 회화 혹은 증발될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 제거가능한 캐리어(3500)는 전면 기판으로부터 물리적으로 들어올려지거나 박리될 수 있는 한편, 이동식 전극을 전면 기판 상에 남긴다. 이러한 실시형태에 있어서, 이동식 전극은 희생층을 개재시키는 일없이 제거가능한 캐리어(3500) 상에 직접 형성될 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 정형화된 제거가능한 캐리어(3500)는 재활용가능한 캐리어일 수 있다. 상기 재활용가능한 캐리어는 폴리이미드 필름 등의 폴리머 재료로 형성될 수 있다. 예시적인 폴리이미드 필름은 폴리(4,4'-옥시다이페닐렌-피로멜리트이미드)(E. I. du Pont de Nemours and Company사 제품; KAPTON(등록상표))로 이루어져 있다.
또 다른 실시형태에 있어서, 재활용가능한 캐리어는 다공질 폴리머 재료로 형성될 수 있다. 도 35c를 참조하면, 이러한 실시형태에 있어서, 이동식 전극(3510)을 캐리어(3500) 상에 형성하기 전에, 이형층(3530)이 캐리어(3500) 상에 형성된다. 다음에, 상기 이동식 전극(3510)이 이형층(3530) 상에 형성된다. 상기 이형층(3530)은, 상기 캐리어(3500)와 이동식 전극층(3510), (3520) 사이의 모든 장소에 개재하는 연속적인 막이 있는 한 단일의 원자층처럼 얇을 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 이형층(3530)은 몰리브덴으로 형성될 수 있다.
도 35d를 참조하면, 이동식 전극(3510)을 전면 기판(3570)에 전사하기 위하여, 다공질 캐리어(3500)를 통해서 이형 에칭제가 제공된다. 상기 이형 에칭제는 다공질 캐리어(3500)를 통해 통과하여 이형층(3530)에 도달하여 제거함으로써, 상기 이동식 전극(3510)을 재활용가능한 캐리어(3500)로부터 이형시킬 수 있게 된다. 상기 재활용가능한 캐리어(3500)는 다른 간섭계 변조기 표시장치를 제조하기 위하여 재활용될 수 있다.
도 19를 다시 참조하면, 도 25 내지 도 35d에 대해서 위에서 설명된 실시형태의 정형화된 캐리어는 이동식 전극(1960)에 접속된 라우팅 트레이스(1917)를 형성하기 위하여 추가의 구조체를 지닐 수 있다. 당업자라면, 추가의 구조체가, 기판으로 전사될 기능성 전도층을 입수하는 장소를 나타내는 보다 높은 상승 특징부와 상기 기능성 전도층 사이의 격리를 나타내는 보다 낮은 상승 특징부를 가진 상태로, 라우팅 트레이스의 구성에 따라 트렌치와 메사부의 각종 구성을 포함하는 것을 이해할 수 있을 것이다. 전면 기판이 도 17 혹은 18에 도시된 것과 마찬가지의 라우팅 트레이스를 제공하는 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 캐리어는 라우팅 트레이스를 위한 추가의 구조체 없이 단지 이동식 전극용의 구조체를 지닐 수 있다.
2. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어
소정의 실시형태에 있어서, 위에서 설명된 정형화된 캐리어 상의 이동식 전 극과 달리, 이동식 전극은 캐리어 상에 패턴화되어 있을 수 있다. 이러한 캐리어는 영구적인 캐리어 후면판 혹은 제거가능한 캐리어의 어느 한쪽일 수 있다. 상기 캐리어는 실질적으로 평탄한 면일 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 캐리어는 이동식 전극을 지지하는 연결부 혹은 기둥부를 지닐 수 있다.
a. 패턴화된 이동식 전극을 구비한
캐리어
후면판
도 36a 내지 도 36e는 일 실시형태에 따른 캐리어 후면판 상에 패턴화 이동식 전극을 나타내는 단면도이다. 예시된 실시형태에 있어서, 실질적으로 평탄한 캐리어 후면판(3600)이 도 36a에 나타낸 바와 같이 제공된다. 다음에, 희생 재료(3610)는 후면판(3600) 상에 증착된다. 이어서, 이동식 전극 재료(3620)는 희생 재료(3610) 상에 증착된다.
도 36b를 참조하면, 포토레지스트 층(3630)이 이동식 전극 재료(3620) 상에 형성된다. 이어서, 도 36c에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트 층(3630)이 패턴화되어, 이동식 전극 재료(3620)와 희생 재료(3610)의 에칭에 이용하기 위한 마스크를 제공한다.
이어서, 상기 이동식 전극 재료(3620)와 희생 재료(3610)가 도 36d에 나타낸 바와 같이 임의의 적절한 에칭제를 이용해서 에칭된다. 상기 이동식 전극 재료(3620)는 습식 혹은 건식 에칭 공정에 의해 에칭될 수 있다. 상기 희생 재료(3610)가 몰리브덴인 일 실시형태에 있어서, 해당 희생 재료(3610)는 인산/아세트산/질산 혹은 "PAN" 에칭제에 의해서 에칭될 수 있다. 마지막으로, 포토레지스트 층(3630)이 캐리어 후면판(3600)으로부터 제거된다.
정형화된 캐리어 후면판에 대해서 위에서 설명한 바와 같이, 캐리어 후면판은 이어서 정지 전극을 지닌 전면 기판(도시 생략)에 부착되므로, 그 사이에 이동식 전극(3620)이 개재된다. 다음에, 희생 재료(3610)는 후면판(3600)으로부터 이동식 전극을 이형하도록 제거된다. 상기 이동식 전극(3620)은 전면 기판의 레일 및 기둥부에 의해 지지되는 한편, 전면 기판을 향해 이동가능하다. 캐리어 후면판(3600)은 완성된 간섭계 변조기 표시장치의 일부를 구성하는 후면판으로서 역할한다. 전면 기판에 후면판(3600)을 부착하는 상세는 도 43a 내지 도 43c를 참조하여 이하에 상세히 설명할 것이다.
도 37a 내지 도 37e는 다른 실시형태에 따른 캐리어 후면판 상에 이동식 전극을 패턴화하는 방법을 나타낸 단면도이다. 예시된 실시형태에 있어서, 도 37a에 나타낸 바와 같이 실질적으로 평탄한 캐리어 후면판(3700)이 제공된다. 이어서, 희생 재료(3710)가 상기 후면판(3700) 상에 증착된다. 그 후, 이동식 전극 재료(3720)가 상기 희생 재료(3710) 상에 증착된다.
도 37b를 참조하면, 포토레지스트 층(3730)이 상기 이동식 전극 재료(3720) 상에 형성된다. 이어서, 상기 포토레지스트 층(3730)이 도 37c에 나타낸 바와 같이 이동식 전극 재료(3720)의 에칭에 이용하기 위한 마스크를 제공하도록 패턴화된다. 그 후, 상기 이동식 전극 재료(3720)는 도 37d에 나타낸 바와 같이 임의의 적절한 에칭제를 이용해서 에칭된다. 상기 이동식 전극 재료(3720)는 습식 혹은 건식 에칭 공정에 의해 에칭될 수 있다. 그 다음에, 상기 포토레지스트 층(3730)이 도 37e에 나타낸 바와 같이 제거된다
이어서, 상기 캐리어 후면판(3700)은, 이동식 전극(3720)이 그 사이에 개재되도록, 정지 전극을 지닌 전면 기판(도시 생략)에 부착된다. 그 후, 상기 희생 재료(3710)가 제거되어 상기 후면판(3700)으로부터 이동식 전극을 이형시킨다. 상기 이동식 전극(3720)은 전면 기판의 레일 및 기둥부에 의해 지지된다. 이와 같이 해서, 이 실시형태의 희생 혹은 이형층(3710)은 패턴화될 필요는 없다. 상기 캐리어 후면판(3700)은 최종 제품에서 후면판으로서 남게 된다. 전면 기판에 후면판(3700)을 부착하는 상세는 도 43a 내지 도 43c를 참조하여 이하에 상세히 설명할 것이다..
도 38a 내지 도 38d는 또 다른 실시형태에 따른 캐리어 후면판 상에 이동식 전극을 패턴화하는 방법을 나타낸 단면도이다. 예시된 실시형태에 있어서, 실질적으로 평탄한 캐리어 후면판(3800)이 도 38a에 나타낸 바와 같이 제공된다. 이어서, 연결부(3850)가 상기 캐리어 후면판(3800) 상에 형성된다. 상기 연결부(3850)는 포토리소그래피와 에칭 등의 적절한 임의의 공법을 이용해서 형성될 수 있다. 상기 연결부(3850)는 폴리이미드 혹은 포토레지스트 등의 폴리머 재료, 또는 규소 산화물(SiO2) 등의 무기 재료로 형성될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 연결부(3850)는 스핀-온-글래스 수법을 이용해서 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 연결부(3850)는 후면판을 엠보싱함으로써 형성될 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 상기 연결부(3850)는 후면판(3800)의 재료와 동일한 재로로 일체로 형성된다.
이어서, 희생 재료(3810)가 상기 후면판(3800) 위에 증착된다. 그 후, 상기 희생 재료(3810)는 도 38b에 나타낸 바와 같이 연결부(3850)와 동일한 두께를 지니도록 다시 에칭된다. 상기 희생 재료(3810)는 이것으로 제한되지는 않지만 화학적 기계적 연마(CMP)를 비롯한 소정의 적절한 수법을 이용해서 평탄화될 수 있다.
다음에, 이동식 전극 재료(3820)가 도 38c에 나타낸 바와 같이 상기 후면판(3800)을 가로질러 증착된다. 그 후, 상기 이동식 전극 재료(3820)는 소정의 적절한 수법, 예를 들어, 포토리소그래피와 에칭을 이용해서 패턴화된다. 얻어지는 이동식 전극(3820)은 도 38d에 도시되어 있다. 상기 이동식 전극(3820)은 연결부(3850) 상에 그리고 부분적으로는 희생 재료(3810) 상에 지지된다.
이어서, 상기 캐리어 후면판(3900)은, 이동식 전극(3820)이 그 사이에 개재되도록 전면 기판(도시 생략)에 부착된다. 그 후, 상기 희생 재료(3810)가 제거된다. 상기 이동식 전극(3820)은 전면 기판의 레일 및 기둥부에 의해 지지된다.
도 19 및 도 36 내지 도 38을 참조하면, 이동식 전극 재료는 이동식 전극(1960)에 접속된 라우팅 트레이스(1917)를 지니도록 패턴화될 수 있다. 당업자라면 상기 라우팅 트레이스(1917)가 상기 이동식 전극(1960)의 패턴화와 동시에 혹은 해당 패턴화와 별도로 형성될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 전면 기판이 도 17 및 도 18에 도시된 것과 마찬가지의 라우팅 트레이스를 제공하는 다른 실시형태에 있어서, 캐리어 후면판은 라우팅 트레이스 없이 단지 이동식 전극을 담지할 수 있다.
도 39a는 패턴화된 이동식 전극 및 리벳을 구비한 캐리어 후면판의 부분 단 면도를 나타내고 있다. "리벳"이란 용어는 얻어지는 간섭계 변조기 표시장치의 작동 동안 눌릴 때 이동식 전극의 상부로부터 해당 전극을 지지하여 강화시키도록 구성된 구조체를 의미한다.
캐리어 후면판(3900)의 예시된 부분은 희생층(3910), 리벳 지지 구조체(3920), 이동식 전극(3930) 및 리벳(3940)을 포함한다. 상기 희생층(3910)은 후면판(3900) 상에 형성되어, 리벳 지지 구조체(3920), 이동식 전극(3930) 및 리벳(3940)을 부분적으로 수용하기 위한 오목부(3911)를 지닌다. 상기 리벳 지지 구조체(3920)는 오목부(3911) 내 및 그 둘레에 부합하게 형성되어 있다. 상기 리벳 지지 구조체(3920)는 규소 산화물 등의 무기 재료로 형성될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 리벳 지지 구조체(3920)는 생략될 수도 있다. 상기 이동식 전극(3930)은 오목부(3911) 내에, 예시된 실시형태에 있어서는 리벳 지지 구조체(3920) 상에 그리고 희생층(3910)의 노출된 부분 상에 부합하게 형성되어 있다. 이어서, 상기 리벳(3940)은 이동식 전극(3930) 상에 형성되어, 오목부(3911) 위를 넘칠 정도로 채운다. 상기 리벳(3940)에 이용하기 위한 적절한 재료로는 알루미늄, AlOx, 규소 산화물, SiNx, 니켈 및 크롬을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 상기 리벳(3940)을 형성하는 데 이용될 수 있는 대안적인 재료로는 기타 금속, 세라믹 및 폴리머를 들 수 있다. 리벳(3940)의 두께는 이용된 재료의 기계적 특성에 따라 변할 것이다.
도 39b는 일 실시형태에 따른 캐리어 후면판 상에 리벳을 지닌 간섭계 변조 기 표시장치의 단면도이다. 상기 장치의 예시된 부분은 전면 기판(3950)과 캐리어 후면판(3900)을 포함한다. 상기 전면 기판(3950)은 레일(3951), 해당 레일(3951)에 의해 규정된 골부(3952) 및 상기 골부(3952)의 바닥부 위 및 레일(3951)의 상부 위에 있는 광학적 적층부(3953)를 포함한다. 상기 후면판(3900)의 구성은, 희생층(3901)이 제거된 경우를 제외하고 도 39a의 후면판(3900)의 구성과 동일하다. 상기 후면판(3900)은 이동식 전극(3930)을 그 사이에 개재해서 상기 전면 기판(3950)과 대향하고 있다. 상기 리벳(3940)은 상기 이동식 전극(3930)과 상기 레일(3951) 위에 있는 광학적 적층부(3953) 사이에 기재되어 있다. 상기 리벳(3940)은 간섭계 변조기 표시장치의 작동 동안 이동식 전극(3930)을 지지해서 강화시키는 역할을 한다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 전면 기판(3950)은 상기 골부(3952) 내에 기둥부를 지닐 수 있고, 상기 후면판(3900)은 상기 기둥부에 대향하는 리벳을 추가로 포함할 수 있다. 또 다른 실시형태에 있어서, 간섭계 변조기 표시장치는 이동식 전극을 지지하지만 전면 기판(3950) 상에 기둥부를 지니지 않는 레일/리벳 구조체를 지닐 수도 있다. 당업자라면 각종 구성의 리벳이 전면 기판의 지지부와 조합될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
b. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한
캐리어
소정의 실시형태에 있어서, 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어는 전면 기판에 이동식 전극을 제공하도록 영구적인 캐리어 후면판 대신에 이용될 수도 있다. 상기 제거가능한 캐리어는 폴리머 재료로 형성될 수 있다. 해당 폴리머 재료는 전면 기판에 이동식 전극을 전사한 후에 용해가능하거나 회화가 능(ashable)할 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 제거가능한 캐리어는 전면 기판으로부터 물리적으로 들어올려지거나(즉, 리프팅되거나) 박리될 수 있는 한편 전면 기판 상에 이동식 전극을 남긴다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 제거가능한 캐리어는 재활용가능한 캐리어일 수 있다. 이 재활용가능한 캐리어는 다공질 폴리머 재료로 형성될 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 이동식 전극을 캐리어 상에 형성하기 전에, 이형층은 도 35c의 이형층(3530)과 마찬가지로 캐리어 상에 형성될 수 있다. 그 후, 이동식 전극 재료가 이형층 상에 증착되어 패턴화된다. 이형층은 단일 원자층일 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 이형층은 몰리브덴으로 형성될 수 있다. 패턴화 이동식 전극의 패턴화의 상세는 도 36 및 도 37을 참조하여 위에서 설명된 바와 같다. 당업자라면, 각종 구성의 제거가능한 캐리어가 패턴화된 전극을 담지하는 데 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
다음에, 상기 제거가능한 캐리어가, 상기 패턴화된 이동식 전극이 그 사이에 개재되도록 상기 전면 기판 상에 배치된다. 이어서, 상기 제거가능한 캐리어는, 예를 들어, 도 35d를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 제거된다. 상기 제거가능한 캐리어가 제거된 후, 간섭계 변조기 표시장치를 밀봉하기 위하여 영구적인 후면판, 예컨대, 유리판이 더욱 제공된다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 표시 장치의 수분에 의한 손상을 방지하기 위하여 상기 전면 기판과 영구적인 후면판 사이에 건조제가 제공된다.
IV
. 적층
전술한 실시형태의 몇몇은, 정지 전극을 지닌 3가지 상이한 유형의 전면 기 판, 즉, 정형화된 전면 기판, 패턴화된 전면 기판(정지 전극의 패턴화와는 독립적으로 형성된 지지 구조체를 특징으로 함) 및 미리 형성된 지지 전면 기판을 제공한다. 또한, 전술한 다른 실시형태는 4가지 상이한 유형의 캐리어, 즉, 정형화된 캐리어 후면판, 패턴화된 이동식 전극을 지닌 캐리어 후면판, 정형화된 제거가능한 캐리어, 및 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어를 제공한다. 전면 기판의 유형 중 하나는 상기 유형의 캐리어 중 하나와 결합되어 부분 제작된 혹은 완성된 간섭계 변조기 표시장치를 형성한다. 다른 실시형태에 있어서, 이동식 전극은 캐리어로부터 전사되지 않고 정형화된 전면 기판 상에 직접 형성될 수도 있다. 전면 기판과 캐리어의 가능한 조합은 이하의 표 1에 표시되어 있다. 이 조합에 의거한 각종 실시형태가 또한 이하에 설명될 것이다. 표 1의 각 숫자는 이하에 설명된 각 실시형태의 항목 번호를 나타낸다.
| 정형화된 전면 기판 | 패턴화된 전면 기판 | 미리 형성된 지지 전면 기판 | |
| 정형화된 캐리어 후면판 | 1 | 2 | 3 |
| 정형화된 제거가능한 캐리어 | 4 | 5 | 6 |
| 패턴화된 이동식 전극을 지닌 캐리어 후면판 | 7 | 8 | 9 |
| 패턴화된 이동식 전극을 지닌 제거가능한 캐리어 | 10 | 11 | 12 |
| 이동식 전극의 통상의 증착 및 후면판의 부착 | 13 | N/A | N/A |
1. 정형화된 캐리어 후면판 및 정형화된 전면 기판
A. 실시형태 A
상기 표 1의 조합 1의 하나의 변형예에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판과 정형화된 전면 기판은 서로 결합되어 간섭계 변조기 표시장치를 형성할 수 있다. 정형화된 전면 기판의 구성은 도 10, 도 11a, 도 11b, 도 16a 내지 도 18c 및 도 34a 내지 도 34d 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같다. 정형화된 캐리어 후면판의 구성은 도 27a 내지 도 27d, 도 28 및 도 32a 내지 도 33d 중 하나를 참조하여 위에서 설명된 바와 같다. 전면 기판과 후면판의 조합된 구조체는 도 8, 도 9, 도 13 내지 도 15, 도 17a 내지 도 18c 및 도 34a 내지 도 34d 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같다. 여기에 기재된 방법에 의해 제조된 상기 간섭계 변조기 표시장치는, 그의 전면 기판과 후면판 간에 비교적 작은 간극(예컨대, 약 6,500 Å 내지 20 ㎛, 특히 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛ 혹은 약 10,000 Å 내지 약 5 ㎛)을 지닐 수 있다.
본 개시 내용에 기재된 실시형태에 있어서, 전면 기판과 후면판 사이의 간극은 일반적으로 전면 기판의 가장 깊은 골부의 바닥부(예컨대, 도 11a의 가장 깊은 골부의 바닥부(F1))와 후면판이 전면 기판 위에 놓일 경우 해당 전면 기판과 대면하는 후면판 사이의 간극을 의미한다. 상기 후면판 표면은 전면 기판으로부터 가장 멀리 있는 것(예컨대, 도 26d에서 전면 기판과 대면하는 긴 오목한 바닥면(B1) 및 도 27c에서 에칭 홀(2705)의 바닥면(B2))이다. 따라서, 예를 들어, 도 34a 및 도 34c에 있어서, 전면 기판과 후면판 사이의 간극은 후면판이 전면 기판 위에 놓일 경우 후면판(3450)의 긴 오목부(3451)의 천장면과 가장 깊은 골부의 바닥부 사이의 간극(G)을 의미한다.
상기 표시장치는 전면 기판과 후면판 사이에 이동식 전극을 포함한다. 상기 이동식 전극은 도 13에 나타낸 바와 같이 전면 기판의 레일 및 기둥부 상에 지지될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 이동식 전극은 또한 도 27a 내지 도 27d, 도 28 또는 도 33d에 나타낸 바와 같이 후면판으로부터 매달려 있을 수도 있다. 또 다른 실시형태에 있어서, 캐리어 후면판 상의 과잉의 기계식 층은 도 34a 내지 도 34d에 나타낸 바와 같이 과잉의 기계식 층 지지부에 의해 지지될 수도 있다.
이하에 설명하는 실시형태의 어느 하나에 있어서, 전극(열방향 전극 및 행방향 전극)과 라우팅 구조체/트레이스 간의 전기적 접속은 임의의 적절한 접합 수법을 이용해서 확립될 수 있다. 이러한 접합 기술로는 예를 들어, 섀도 마스크와 접합제(도 17a 내지 도 17c, 도 20 및 도 21), 전도성 비즈 및 절연성 밀봉제, 혹은 이방성 전도막(ACF)(도 16e 및 도 16f)을 이용하는 것을 포함한다. 각종 라우팅 및 패키징 구조체와 방법은 이하에 설명될 것이다.
a. 라우팅 옵션 1
일 실시형태에 있어서, 정형화된 전면 기판은 도 17a 내지 도 17c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같은 이동식(열방향) 전극을 라우팅하기 위한 열방향 라우팅 구조체를 포함할 수 있다. 상기 정형화된 캐리어 후면판은 이동식 전극을 담지할 수 있지만, 이동식 전극으로부터 뻗어 있는 라우팅 트레이스 혹은 리드부는 담지하지 못한다. 전면 기판과 후면판이 서로 부착되면, 이동식 전극의 말단 부분은 상기 전면 기판 상의 전도성 라우팅 트레이스와 접촉하게 된다. 도 17a 내지 도 17c를 다시 참조하면, 간극-충전제(1717)가 상기 이동식 전극(1760)과 라우팅 트레이스(1714a2) 사이에 개재될 수 있다. 상기 열방향 라우팅 구조체는 열방향 고립 트렌치에 의해 규정된 메사부 상에 라우팅 트레이스를 포함한다. 상기 열방향 라우팅 구조체는 또한 도 17a 내지 도 17c에 나타낸 바와 같이 상기 트렌치 내에 정지 전극층(ITO 층을 포함함)을 포함한다. 열방향 라우팅 구조체의 상세는 도 17a 내지 도 17c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같다. 정형화된 전면 기판은 또한 도 16a 내지 도 16e의 것과 마찬가지의 행방향 라우팅 구조체를 포함할 수 있다. 이하에 설명되고 도 40 내지 도 41c에 도시된 실시형태에 있어서, 라우팅 구조체는 모두 전면 기판 상에 있을 수 있다.
이제 도 40을 참조하면, 전면 기판(4010)과 후면판(4050)이 서로 부착된 후, 드라이버(4020)는 전면 기판(4010) 상에 장착될 수 있다. 이 드라이버는 이동식(열방향) 전극을 구동시키기 위한 열방향 드라이버, 고정(행방향) 전극을 구동시키기 위한 별도의 행방향 드라이버 또는 이들 두 가지의 조합일 수 있다.
도 41a 내지 도 41c는 간섭계 변조기 표시장치용의 각종 드라이버 구성을 나타내고 있다. 도 41a를 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4100A)는 정형화된 전면 기판(4110a)과 그 위에 장착된 정형화된 캐리어 후면판(4150a)을 포함한다. 상기 장치(4100A)는 또한 해당 장치(4100A)의 표시 영역(4101a)과 같은 쪽에서 전면 기판(4110a) 상에 함께 장착된 열방향 드라이버(4130a)와 행방향 드라이버(4140a)를 포함한다. 상기 전면 기판(4110a)은 또한 도 41a에 나타낸 바와 같이 각각 열방향 드라이버(4130a)와 행방향 드라이버(4140a)로 연결되는 열방향 라우팅 구조체(4131a)와 행방향 라우팅 구조체(4141a)를 포함한다. 열방향 라우팅 구조체(4131a)의 구성은 도 17a 내지 도 17c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같다. 행방향 라우팅 구조체(4141a)의 구성은 도 16a 내지 도 16e를 참조하여 위에서 설명된 바와 같다. 예시된 실시형태에 있어서, 라우팅 구조체(4131a), (4141a)의 노출된 부분은 캡핑(capping) 재료로 덮여 있을 수 있다.
도 41b를 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4100B)는 정형화된 전면 기판(4110b)과 정형화된 캐리어 후면판(4150b)을 포함한다. 상기 장치(4100B)는 또한 해당 장치(4100B)의 표시 영역(4101b)의 두 다른 쪽에서 전면 기판(4110b) 상에 열방향 드라이버(4130b)와 행방향 드라이버(4140b)를 포함한다. 상기 전면 기판(4110b)은 또한 도 41b에 나타낸 바와 같이 각각 열방향 드라이버(4130b)와 행방향 드라이버(4140b)로 연결되는 열방향 라우팅 구조체(4131b)와 행방향 라우팅 구조체(4141b)를 포함한다. 열방향 라우팅 구조체의 구성은 도 17a 내지 도 17c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 행방향 라우팅 구조체의 구성은 도 16을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 라우팅 구조체(4131b), (4141b)의 노출된 부분은 캡핑 재료로 덮여 있을 수 있다.
도 41c를 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4100C)는 정형화된 전면 기판(4110c)과 정형화된 캐리어 후면판(4150c)을 포함한다. 상기 장치(4100C)는 또한 해당 장치(4100C)의 표시 영역(4101c)과 같은 쪽에서 전면 기판(4110b) 상에 열방향 드라이버(4130c), 제1행방향 드라이버(4140c1) 및 제2행방향 드라이버(4140c2)를 포함한다. 상기 전면 기판(4110c)은 또한 각각 상기 열방향 및 행방향 드라이버(4130c), (4140c1), (4140c2)에 연결되는 열방향 라우팅 구조체(4131c), 제1행방향 라우팅 구조체(4141c1) 및 제2행방향 라우팅 구조체(4141c2)를 포함한다. 예시된 실시형태에 있어서, 하나 거른 행이 하나 거른 쪽으로부터 라우팅될 수 있고, 이것은 행방향 라우팅 트레이스를 위한 더 많은 여지를 만든다. 열방향 라우팅 구조체(4131c)의 구성은 도 17a 내지 도 17c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 행방향 라우팅 구조체(4141c1), (4141c2)의 구성은 도 16을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 라우팅 구조체(4131c), (4141c1), (4141c2)의 노출된 부분은 캡핑 재료로 덮여 있을 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 열방향 드라이버와 행방향 드라이버는 서로 결합되어 단일의 집적된 열방향/행방향 드라이버를 형성할 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 간섭계 표시장치는 도 41a 및 도 41c에 나타낸 것과 마찬가지의 레이아웃을 지닐 수 있다. 각종 다른 레이아웃도 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
b. 라우팅 옵션 2
다른 실시형태에 있어서, 정형화된 전면 기판은 도 18a 내지 도 18c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 이동식(열방향) 전극을 라우팅하기 위한 열방향 라우팅 트레이스를 포함할 수 있다. 정형화된 캐리어 후면판은 이동식 전극을 담지할 수 있지만, 이동식 전극으로부터 연장되는 리드부 혹은 라우팅 트레이스는 담지하지 못한다. 또한, 라우팅 트레이스와의 전기적 접촉 및 접착을 용이하게 하기 위하여 상기 이동식 전극의 단부에 접합제가 도포될 수 있다. 전면 기판과 정형화된 캐리어 후면판이 서로 부착되면, 이동식 전극의 말단 부분은 라우팅 트레이스와 접촉하게 된다. 열방향 라우팅 트레이스의 상세는 도 18a 내지 도 18c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 정형화된 전면 기판은 또한 도 16a 내지 도 16e의 것과 마찬가지의 행방향 라우팅 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 간섭계 변조기 표시장치는 도 41a 내지 도 41c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 각종 배열의 드라이버를 구비할 수 있다.
c. 라우팅 옵션 3
또 다른 실시형태에 있어서, 도 42a에 나타낸 바와 같이, 정형화된 전면 기판(4210)은 행방향 드라이버(4240)를 포함하는 한편, 정형화된 캐리어 후면판(4250)은 열방향 드라이버(4230)를 포함한다. 상기 정형화된 전면 기판(4210)은 도 16a 내지 도 16e를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 행방향 라우팅 구조체(4241)를 구비할 수 있다. 상기 정형화된 캐리어 후면판(4250)은, 도 19의 라우팅 트레이스(1917)와 마찬가지로, 이동식 전극으로부터 뻗어있는 열방향 라우팅 트레이스(4231)를 지닐 수 있다. 열방향 라우팅 트레이스(4231)는 상기 이동식 전극과 열방향 드라이버(4230) 사이에 전기적 접속을 제공한다.
도 42a 내지 도 42c를 참조하면, 상기 전면 기판(4210)과 후면판(4250)은 표시 영역(4201)과 해당 표시 영역(4201)을 둘러싸고 있는 주변 영역(4202)의 일부분(4202a)에서만 서로 대향한다. 전면 기판(4210)과 후면판(4250)은 각각 행방향 혹은 열방향 드라이버(4230), (4240)용의 드라이버 칩 영역을 지닌다. 상기 드라이버 칩 영역은 노출되어 상기 드라이버(4230), (4240)를 서로 부착시킬 수 있게 한다. 예시된 실시형태에 있어서, 접촉 및 접합 패드는 서로 정렬되어 있지 않을 수도 있다. 이동식 전극과 열방향 라우팅 트레이스는 모두 후면판(4250) 상에 있을 수 있는 한편, 정지 전극과 행방향 라우팅 트레이스는 모두 전면 기판(4210) 상에 있을 수 있다. 이들 라우팅 구조체는 트렌치(행방향) 혹은 메사부(열방향)의 연장에 의해 형성되어 적층 공정을 간단화할 수 있다. 이 구성은 접촉/접합 패드 정합 상승 논점을 포함하지 않는 한편, "상승에 의한 패턴"의 최대한의 이점을 허용한다. 당업자라면, 전면 기판 및 후면판의 각종 기타 라우팅 배열도 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다
d. 라우팅 옵션 4
또 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판은 도 19에 도시된 것과 마찬가지의 이동식 전극과 라우팅 트레이스를 담지할 수 있다. 라우팅 트레이스는 이동식 전극으로부터 각각의 접촉 패드까지 연장되도록 구성되어 있다. 대응하는 정형화된 전면 기판은 접촉 패드 영역을 포함한다. 상기 전면 기판의 접촉 패드 영역은 후면판의 접촉 패드와 접촉되도록 구성된 리드부를 포함한다. 상기 전면 기판의 접촉 패드 영역은 또한 그의 표시 영역에 정지(행방향) 전극에 접속된 리드부를 포함할 수 있다. 상기 전면 기판과 후면판 상의 접촉 패드는 전면 기판과 후면판이 서로 부착될 경우 일렬로 정렬된다. 상기 전면 기판과 후면판 상의 접촉 패드는 이방성 전도막(ACF)을 통해 접속될 수 있다.
e. 패키징 및 밀봉
도 43a 내지 도 43c는 일 실시형태에 따른 간섭계 변조기 표시장치를 패키징 및 밀봉하는 방법을 예시하고 있다. 도 43a를 참조하면, 공동부 및 정지 전극(도시 생략)을 구비한 정형화된 전면 기판(4310)에는 밀봉제(4370)가 제공되어 있다. 정형화된 전면 기판(4310)의 상세는 도 10, 도 11a 내지 도 11b, 도 16a 내지 도 18c 및 도 34a 내지 도 34d 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같다. 밀봉제(4370)는 전면 기판(4310)의 표시 영역(4301)의 에지부를 따라 도포된다. 소정의 실시형태에 있어서, 밀봉 비즈는 후면판의 에지부 상에 놓여있을 수 있다. 밀봉제(4370)는 전면 기판(4310)의 접촉 패드(또는 드라이버 칩) 영역(4320)과 표시 영역(4301) 사이에 형성된다. 밀봉제(4370)는 기밀 밀봉제일 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 밀봉제는 전기 전도성 재료, 예컨대, 납계 땜납 혹은 비납계 땜납 등일 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 전도성 밀봉제와 접촉하는 라우팅 리드 혹은 트레이스는 절연되어 있을 필요가 있다. 다른 실시형태에 있어서, 밀봉제는 절연 재료, 예컨대, 유리 프릿(glass frit) 혹은 에폭시 폴리머일 수 있다.
다음에, 이동식 전극(4360)이 상부에 형성되어 있는 정형화된 캐리어 후면판(4350)은 도 43b에 나타낸 바와 같이 상기 전면 기판(4310)의 표시 영역(4301)을 피복하도록 해당 전면 기판(4310) 위에 놓여 있다. 얻어지는 간섭계 변조기 표시장치는 도 43c에 도시되어 있다.
도 17a 내지 도 17c 및 도 20을 다시 참조하면, 섀도 마스크는 정형화된 전면 기판 상에 유전체 재료를 증착할 경우 이용될 수 있다. 섀도 마스크는 간섭계 변조기 표시장치의 각종 요소 간의 전기적 접속을 확립하는 데 이용될 수 있다. 예를 들어, 섀도 마스크는 (후면판 혹은 제거가능한 캐리어 상의) 라우팅 트레이스와 이동식(열방향) 전극 간 그리고 라우팅 트레이스와 열방향 드라이버 간의 전기적 접속을 위하여 전면 기판 상에 열방향 라우팅 트레이스의 부분을 노출시키는 데 이용될 수 있다(도 17a 내지 도 17c 및 도 20 참조). 섀도 마스크는 또한 후면판(도 19 참조) 상의 이동식 전극 라우팅 트레이스와 전면 기판 상에 장착된 열방향 드라이버 간의 전기적 접속을 위하여 전면 기판 상에 이동식 전극 랜딩 패드(movable electrode landing pads)의 부분을 노출시키는 데 이용될 수 있다. 섀도 마스크는 전면 기판 상에 장착된 행방향 드라이버와 라우팅 트레이스 간의 전기적 접속을 위하여 전면 기판 상에 행방향 라우팅 트레이스/랜딩 패드의 부분을 노출시키는 데 이용될 수 있다.
대상으로 하는 섀도 마스크 차단 부분은 도 44a에 나타낸 바와 같이 서로 접속되어 있다. 섀도 마스크(4420)는 행방향 드라이버 칩 영역, 열방향 라우팅 트레이스의 부분, 및 열방향 드라이버 칩 영역을 각각 덮도록 제1, 제2 및 제3차단부분(4420a), (4420b), (4420c)을 포함한다. 라우팅 트레이스의 부분을 차단하기 위한 제2차단부분(4420b)은 섀도 마스크 연결부(4421)를 개재해서 열방향 드라이버 칩 영역을 차단하기 위하여 제3차단부분(4420c)에 접속될 수 있다. 전면 기판(4410)과 스퍼터링 표적 간의 차단 부분(4420a), (4420b), (4420c)에 의해, 전면 기판(4410)을 가로질러 유전체 재료가 증착된다. 다른 실시형태에 있어서는, CVD 혹은 증발 방법이 또한 전면 기판(4410) 상에 유전체 재료를 형성하는 데 이용될 수 있다. 그 결과, 섀도 마스크(4420)에 의해 덮인 부분은 실질적으로 유전체 재료가 없어, 하부에 있는 전도층을 노출시킨다. 이 구성은 전기적 접속을 위한 접합 영역, 예컨대, 이동식 전극과 열방향 라우팅 트레이스(4420b) 간의 접촉부, 및 열방향 드라이버(4420c)와 행방향 드라이버(4420a)를 위한 랜딩 패드를 제공한다. 상기 유전체 재료는 섀도 마스크(4420)에 의해 덮이지 않은 다른 부분 상에 증착되어, 광학적 적층부의 일부를 형성한다. 상기 유전체층은 라우팅 영역 내에 도체를 진정시키는 역할을 한다. 마찬가지로, 연결부(4421) 밑에 있는 전도층의 부분은 또한, 연결부(4421)가 유전체 재료 증착 동안 그 부분을 마스킹하기 때문에 노출된다.
유전체 재료를 증착한 후, 밀봉제가 표시 영역(4401)의 에지부에 적용될 수 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 밀봉제는 표시 영역(4401)을 둘러싸는 밀봉 영역(4470)을 따라 형성된다. 밀봉 영역(4470)은 환형상을 지니며, 이것은 어레이 영역(4401)을 향하는 방향으로 뻗어 있는 제1폭(W1)을 지닌다. 밀봉제는 연결부(4421)로 인해 유전체층을 통해 바람직하지 않게 노출된 전도층의 일부와 접촉할 수 있다. 밀봉제가 전도성 재료로 형성되어 있는 일 실시형태에 있어서, 전도층과 밀봉제 사이에 전기적 접속이 있을 수 있으므로, 밀봉제를 통해 전류가 흘러 노출된 도체가 단락될 수도 있다. 이것은 간섭계 변조기 표시장치의 오작동을 초래할 수 있다.
이러한 전기적 단락을 방지하기 위하여, 정형화된 전면 기판(4410)에는 섀도 마스크 연결부(4421)와 밀봉 영역(4470) 사이의 교차부에 적어도 하나의 고립 트렌치 혹은 오목부(4430)를 형성할 수 있다. 상기 트렌치(4430)는 어레이 영역(4401)을 향하는 방향으로 뻗어 있는 제2폭(W2)을 지닌다. 이 트렌치(4430)의 제2폭(W2)은, 해당 트렌치(4430)가 밀봉 영역(4470)의 일부를 가로질러 뻗도록 밀봉 영역(4470)의 제1폭(W1) 보다 클 수 있다. 상기 트렌치(4430)는, 도 44c에 나타낸 바와 같이, 전도층이 해당 트렌치(4430)의 바닥부와 상기 전면 기판(4410)의 표면 사이에서 불연속적이 되는 데 충분한 깊이를 지니며, 그의 위치와 폭은 연결부(4421)가 중첩 영역에서 트렌치(4430)보다 좁은 것을 확실하게 해준다.
도 44b 내지 도 44e는 일 실시형태에 따른 고립 트렌치(4430)를 지닌 전면 기판(4410) 상에 밀봉제를 형성하는 방법을 나타내고 있다. 우선, 전도층(4402a), (4402b)이 도 44c에 나타낸 바와 같이 전면 기판(4410) 및 고립 트렌치(4430)의 바닥부에 형성된다. 이어서, 섀도 마스크(4420)가, 도 44b 및 도 44c에 나타낸 바와 같이, 상기 트렌치(4430)의 두 측면 에지부(4430a), (4430b)를 노출시킨 상태에서 연결부(4421)가 상기 고립 트렌치(4430)의 일부를 덮도록 전면 기판(4410) 위에 배치된다. 그 후, 도 44d에 나타낸 바와 같이, 유전체 재료(4403)가 상기 전면 기판(4410) 상에 증착되는 한편 트렌치(4430)의 측면 에지부(4430a), (4430b)를 피복한다. 이어서, 상기 섀도 마스크(4420)가 전면 기판(4410)으로부터 제거된다. 다음에, 도 44e에 나타낸 바와 같이, 밀봉제(4471)가 밀봉 영역(4470)(도 44a) 위에 그리고 트렌치(4430) 속에 형성된다. 상기 밀봉제(4471)는 트렌치(4430)의 바닥부 상에서 격리된 전도성 재료(4402a)와 접촉한다. 그러나, 트렌치(4430)의 측면 에지부(4430a), (4430b) 상의 유전체 재료(4403)는 밀봉제(4471)가 상기 전면 기판(4410)의 상부 면 상에서 전도층(4402b)과 전기적으로 접속되는 것을 방지한다. 따라서, 이 구성은 밀봉제(4471)와 전도층(4402b) 간의 전기적 단락을 방지한다.
절연성 밀봉제가 이용되는 다른 실시형태에 있어서, 전면 기판은 고립 트렌치를 지니지 않는다. 정형화된 후면 기판이 도 42a 내지 도 42c에 대해서 위에서 설명된 라우팅 옵션 3에서와 마찬가지로 외부에 노출된 라우팅 트레이스를 지니는 소정의 실시형태에 있어서, 절연성 재료가 라우팅 트레이스 상에 증착되고 패턴화되어서, 밀봉부 외부의 드라이버를 위해서 접촉 패드만이 필요하기 때문에 라우팅 트레이스와 전도성 밀봉제 사이의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
B. 실시형태 B
상기 표 1의 조합 1에 대한 다른 변형예에 있어서, 정형화된 전면 기판은, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 에지 레일과 기둥부를 지니지 않은 정형화된 캐리어 후면판과 결합될 수 있다. 정형화된 전면 기판의 구성은 도 10, 도 11a 내지 도 11b, 도 16a 내지 도 18c, 및 도 34a 내지 도 34d 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 정형화된 캐리어 후면판의 구성은 도 32b 또는 도 32c의 정형화된 캐리어에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다. 전면 기판과 후면판의 결합된 구조체는 도 8, 도 9, 도 13 내지 도 15, 도 17a 내지 도 18c, 및 도 34a 내지 도 34d 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 전술한 라우팅 구조체와 패키징 구조체는 이 실시형태에도 적용될 수 있다.
정형화된 전면 기판과 정형화된 캐리어 후면판이 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여 이용되는 전술한 실시형태에 있어서, 도 53a 내지 도 53d에 대해서 이하에 설명하는 부분적인 습윤 흑색 마스크가 이용될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 이하에 또한 설명하는 패턴화된 흑색 마스크가 이용될 수 있다.
2. 정형화된
캐리어
후면판
및 패턴화된 전면 기판
상기 표 1의 조합 2의 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판과 패턴화된 전면 기판은, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 서로 결합될 수 있다. 패턴화된 전면 기판의 구성은 도 22c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 정형화된 캐리어 후면판의 구성은 도 27a 내지 도 27c, 도 28 및 도 32a 내지 도 33d 중 하나를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 여기에 기재된 방법에 의해 제조된 상기 간섭계 변조기 표시장치는, 그의 전면 기판과 후면판 간에 비교적 작은 간극(예컨대, 약 6,500 Å 내지 20 ㎛, 특히 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛ 혹은 약 10,000 Å 내지 약 5 ㎛)을 지닐 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 패턴화된 전면 기판은 도 22c에 나타낸 바와 같이 이동식 전극을 라우팅하기 위한 도전성 기둥부를 지닐 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판은 도 24a 또는 도 24b에 나타낸 바와 같이 라우팅 구조체를 지닐 수 있다. 상기 설명된 실시형태에 있어서, 패턴화된 흑색 마스크는 기둥부 영역에서 원치 않는 반사를 회피하는 데 이용될 수 있다.
3. 정형화된
캐리어
후면판
및 미리 형성된 지지 전면 기판
상기 표 1의 조합 3의 또 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판과 미리 형성된 지지 전면 기판은, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 서로 결합될 수 있다. 미리 형성된 지지 전면 기판의 구성은, 지지 구조체(예컨대, 기둥부 및 레일)가 기판과 일체로 되어 있지 않고, 상이한 기능을 위하여 재료의 개별의 선택을 허용하도록 상이한 재료로 형성될 수 있는 것을 제외하고, 도 23c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있고, 정형화된 전면 기판과 구조적으로 유사하다. 정형화된 캐리어 후면판의 구성은 도 27, 도 28 및 도 32 중 하나를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 여기에 기재된 방법에 의해 제조된 상기 간섭계 변조기 표시장치는, 그의 전면 기판과 후면판 간에 비교적 작은 간극(예컨대, 약 6,500 Å 내지 20 ㎛, 특히 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛ 혹은 약 10,000 Å 내지 약 5 ㎛)을 지닐 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 미리 형성된 지지 전면 기판은 도 23c에 나타낸 바와 같이 이동식 전극을 라우팅하기 위한 도전성 기둥부를 지닐 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 캐리어 후면판은 도 24a 또는 도 24b에 나타낸 바와 같이 라우팅 구조체를 지닐 수 있다. 상기 설명된 실시형태에 있어서, 패턴화된 흑색 마스크 혹은 부분적인 습윤 흑색 마스크(도 53a 내지 도 53d 및 그에 수반되는 설명 참조)는 기둥부 영역에서 원치 않는 반사를 회피하는 데 이용될 수 있다.
4. 정형화된 제거가능한
캐리어
및 정형화된 전면 기판
상기 표 1의 조합 4의 또 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 제거가능한 캐리어는, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 정형화된 전면 기판 상에 이동식 전극을 제공하는 데 이용된다. 정형화된 전면 기판의 구성은 도 10, 도 11a 내지 도 11b, 도 16a 내지 도 18c 및 도 34a 내지 도 34d 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 정형화된 제거가능한 캐리어(4550)의 구성은 도 35a 내지 도 35d를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다.
도 45a를 참조하면, 이동식 전극(4560)을 지닌 정형화된 제거가능한 캐리어(4550)는 정형화된 전면 기판(4510)(상세는 간단화를 위해 생략함) 위에 배치된다. 상기 이동식 전극(4560)은 도 45b에 나타낸 바와 같이 전면 기판(4510)과 캐리어(4550) 사이에 개재된다. 그 후, 상기 이동식 전극(4560)은 도 35a 내지 도 35d에 대해서 설명된 바와 같이 캐리어 상의 이형층(도시 생략)을 에칭 등에 의해 해당 캐리어(4550)로부터 이형된다. 상기 이동식 전극(4560)의 이형과 동시에 혹은 그 후에, 상기 캐리어(4550)는 도 45c에 나타낸 바와 같이 전면 기판(4510)으로부터 제거된다. 상기 캐리어(4550)가 제거되는 경우, 해당 캐리어(4550)의 긴 홈부 내의 과잉의 기계식 층은 또한 해당 캐리어(4550)를 따라 제거될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 과잉의 기계식 층은 상기 전면 기판(4510) 상에 남아 있을 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 전면 기판(4510)은 과잉의 기계식 층을 지지하기 위하여 도 34a 내지 도 34d에 대해서 설명된 바와 같이 과잉의 기계식 층 지지부를 지닐 수 있다. 다음에, 밀봉제(4570)가 상기 전면 기판(4510) 상에 제공된다. 마지막으로, 영구적인 후면판(4580)이 상기 전면 기판(4510) 위에 제공되어서 이동식 전극(4560)을 덮어 최종 장치에 남게 된다. 일 실시형태에 있어서, 후면판(4580)은 상기 이동식 전극(4560) 및 임의선택적으로 건조제를 수용하는 오목부를 지닐 수 있다. 상기 밀봉제(4570)는 절연 재료, 예컨대, 에폭시 폴리머로 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 밀봉제(4570)는 전도성 재료로 형성될 수 있다. 상기 밀봉제(4570)는 간섭계 변조기 표시장치에 기밀 밀봉을 제공하도록 구성될 수 있다.
소정의 실시형태에 있어서, 정형화된 전면 기판은, 캐리어가 이동식 전극으로부터 뻗어 있는 라우팅 트레이스를 제공하지 않는 라우팅 옵션 1 또는 2에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 라우팅 구조체를 지닌다. 다른 실시형태에 있어서, 캐리어는 도 19에 도시된 것과 마찬가지로 충분히 규정된 열방향 라우팅 트레이스를 제공할 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 전면 기판은 라우팅 구조체를 지니지 않고, 라우팅 트레이스는 이동식 전극과 동시에 전면 기판 상으로 전사된다. 상기 설명된 실시형태에 있어서, 부분적인 습윤 흑색 마스크 혹은 패턴화된 흑색 마스크(도 53a 내지 도 53d)가 이용될 수 있다.
5. 정형화된 제거가능한
캐리어
및 패턴화된 전면 기판
상기 표 1의 조합 5의 또 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 제거가능한 캐리어는, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 패턴화된 전면 기판 상에 이동식 전극을 제공하는 데 이용된다. 패턴화된 전면 기판의 구성은 도 22c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 정형화된 제거가능한 캐리어의 구성은 도 35a 내지 도 35c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 이 실시형태의 간섭계 변조기 표시장치는 정형화된 제거가능한 캐리어와 정형화된 전면 기판에 대해서 위에서 설명된 방법과 마찬가지 방식으로 제조될 수 있다. 이 실시형태에 있어서, 흑색 마스크는 지지 구조체 근방에서 원치않는 반사를 회피하는 데 이용될 수 있다.
6. 정형화된 제거가능한
캐리어
및 미리 형성된 지지 전면 기판
상기 표 1의 조합 6의 또 다른 실시형태에 있어서, 정형화된 제거가능한 캐리어는, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 미리 형성된 지지 전면 기판 상에 이동식 전극을 제공하는 데 이용된다. 미리 형성된 지지 전면 기판의 구성은, 지지 구조체(예컨대, 기둥부 및 레일)가 기판과 일체로 되어 있지 않고, 상이한 기능을 위하여 재료의 개별의 선택을 허용하도록 상이한 재료로 형성될 수 있는 것을 제외하고, 도 23c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있고, 정형화된 전면 기판과 구조적으로 유사하다. 정형화된 제거가능한 캐리어(4550)의 구성은 도 35a 내지 도 35c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 이 실시형태의 간섭계 변조기 표시장치는 정형화된 제거가능한 캐리어와 정형화된 전면 기판에 대해서 위에서 설명된 방법과 마찬가지 방식으로 제조될 수 있다. 이 실시형태에 있어서, 패턴화된 혹은 부분적인 습윤 흑색 마스크(도 53a 내지 도 53d 및 그에 수반되는 설명 참조)가 사용될 수 있다.
7. 패턴화된 이동식 전극을 구비한
캐리어
후면판
및 정형화된 전면 기판
상기 표 1의 조합 7의 다른 실시형태에 있어서, 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판은, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 정형화된 전면 기판과 결합될 수 있다. 정형화된 전면 기판의 구성은 도 10, 도 11a 내지 도 11b, 및 도 16a 내지 도 18c 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 캐리어 후면판의 구성은 도 36e, 도 37e, 도 38d 또는 도 39a 내지 도 39b 중 하나를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 전면 기판과 후면판의 조합 구조체는 도 8, 도 9, 도 13 내지 도 15, 도 17a 내지 도 18c 및 도 34a 내지 도 34d 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 여기에 기재된 방법에 의해 제조된 상기 간섭계 변조기 표시장치는, 그의 전면 기판과 후면판 간에 비교적 작은 간극(예컨대, 약 6,500 Å 내지 20 ㎛, 특히 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛ 혹은 약 10,000 Å 내지 약 5 ㎛)을 지닐 수 있다.
이동식 전극은 도 13에 나타낸 바와 같이 전면 기판의 레일 및 기둥부에 의해 지지될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 이동식 전극은 도 38d 또는 도 39b에 나타낸 바와 같이 기둥부 혹은 리벳을 이용해서 후면판으로부터 매달려 있을 수 있다. 이동식 전극은 전면 기판과 후면판의 양쪽 모두로부터 기둥부 혹은 레일에 의해 고정될 수 있다. 기둥부 또는 레일에 의해 고정하는 소정의 예는 도 46a 내지 도 48을 참조하여 이하에 상세히 설명할 것이다. 위에서 설명된 라우팅 옵션 1 및 2는 본 실시형태에 적용될 수 있다. 또한, 위에서 설명된 패키징 및 밀봉 구조체는 본 실시형태에 적용될 수 있다. 위에서 설명된 실시형태에 있어서, 부분적인 습윤 흑색 마스크(도 53a 내지 도 53d 및 그에 수반되는 설명 참조) 또는 패턴화된 흑색 마스크가 이용될 수 있다.
8. 패턴화된 이동식 전극을 구비한
캐리어
후면판
및 패턴화된 전면 기판
상기 표 1의 조합 8의 다른 실시형태에 있어서, 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판은, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 패턴화된 전면 기판과 결합될 수 있다. 캐리어 후면판의 구성은 도 36e, 도 37e, 도 38d 또는 도 39a 내지 도 39b 중 하나를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 패턴화된 전면 기판의 구성은 도 22c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 이 실시형태의 간섭계 변조기 표시장치는 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판과 정형화된 전면 기판에 대해서 위에서 설명된 방법과 마찬가지 방식으로 제조될 수 있다. 여기에 기재된 방법에 의해 제조된 상기 간섭계 변조기 표시장치는, 그의 전면 기판과 후면판 간에 비교적 작은 간극(예컨대, 약 6,500 Å 내지 20 ㎛, 특히 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛ 혹은 약 10,000 Å 내지 약 5 ㎛)을 지닐 수 있다. 이 실시형태에 있어서, 패턴화된 흑색 마스크는 전면 기판 상의 지지 구조체 근방에서 원치않는 반사를 회피하는 데 이용될 수 있다.
9. 패턴화된 이동식 전극을 구비한
캐리어
후면판
및 미리 형성된 지지 전면 기판
상기 표 1의 조합 9의 다른 실시형태에 있어서, 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판은, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 미리 형성된 지지 전면 기판과 결합될 수 있다. 캐리어 후면판의 구성은 도 36e, 도 37e, 도 38d 또는 도 39a 내지 도 39b를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 미리 형성된 지지 전면 기판의 구성은, 지지 구조체(예컨대, 기둥부 및 레일)가 기판과 일체로 되어 있지 않고, 상이한 기능을 위하여 재료의 개별의 선택을 허용하도록 상이한 재료로 형성될 수 있는 것을 제외하고, 도 23c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있고, 정형화된 전면 기판과 구조적으로 유사하다. 이 실시형태의 간섭계 변조기 표시장치는 패턴화된 이동식 전극을 구비한 캐리어 후면판과 정형화된 전면 기판에 대해서 위에서 설명된 방법과 마찬가지 방식으로 제조될 수 있다. 여기에 기재된 방법에 의해 제조된 상기 간섭계 변조기 표시장치는, 그의 전면 기판과 후면판 간에 비교적 작은 간극(예컨대, 약 6,500 Å 내지 20 ㎛, 특히 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛ 혹은 약 10,000 Å 내지 약 5 ㎛)을 지닐 수 있다. 이 실시형태에 있어서, 패턴화된 혹은 부분적인 습윤 흑색 마스크(도 53a 내지 도 53d 및 그에 수반되는 설명 참조)가 이용될 수 있다.
10. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한
캐리어
및 정형화된 전면 기판
상기 표 1의 조합 10의 또 다른 실시형태에 있어서, 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어는, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 정형화된 전면 기판 상에 이동식 전극을 제공하는 데 이용된다. 제거가능한 캐리어의 구성은 바로 위의 적층의 논의 부분에서 설명된 것과 마찬가지일 수 있다. 정형화된 전면 기판의 구성은 도 10, 도 11a 내지 도 11b, 도 16a 내지 도 18c 및 도 34a 내지 도 34d 중 하나 이상을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 이 실시형태의 간섭계 변조기 표시장치는 정형화된 제거가능한 캐리어와 정형화된 전면 기판에 대해서 위에서 설명된 방법과 마찬가지 방식으로 제조될 수 있다. 이 실시형태에 있어서, 부분적인 습윤 흑색 마스크(도 53a 내지 도 53d 및 그에 수반되는 설명 참조) 또는 패턴화된 흑색 마스크가 이용될 수 있다.
11. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한
캐리어
및 패턴화된 전면 기판
상기 표 1의 조합 11의 다른 실시형태에 있어서, 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어는, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 패턴화된 전면 기판 상에 이동식 전극을 제공하는 데 이용된다. 상기 제거가능한 캐리어의 구성은 바로 위의 적층의 논의 부분에서 설명된 것과 마찬가지일 수 있다. 패턴화된 전면 기판의 구성은 도 22c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 이 실시형태의 간섭계 변조기 표시장치는 정형화된 제거가능한 캐리어와 정형화된 전면 기판에 대해서 위에서 설명된 방법과 마찬가지 방식으로 제조될 수 있다. 이 실시형태에 있어서, 패턴화된 흑색 마스크가 이용될 수 있다.
12. 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어 및 미리 형성된 지지 전면 기판
상기 표 1의 조합 12의 다른 실시형태에 있어서, 패턴화된 이동식 전극을 구비한 제거가능한 캐리어는, 간섭계 변조기 표시장치를 형성하기 위하여, 미리 형성된 지지 전면 기판 상에 이동식 전극을 제공하는 데 이용된다. 상기 제거가능한 캐리어의 구성은 바로 위의 적층의 논의 부분에서 설명된 것과 마찬가지일 수 있다. 미리 형성된 지지 전면 기판의 구성은, 지지 구조체(예컨대, 기둥부 및 레일)가 기판과 일체로 되어 있지 않고, 상이한 기능을 위하여 재료의 개별의 선택을 허용하도록 상이한 재료로 형성될 수 있는 것을 제외하고, 도 23c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있고, 정형화된 전면 기판과 구조적으로 유사하다.
이 실시형태의 간섭계 변조기 표시장치는 정형화된 제거가능한 캐리어와 정형화된 전면 기판에 대해서 위에서 설명된 방법과 마찬가지 방식으로 제조될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 제거가능한 캐리어는 전면 기판에 부착된다. 이어서, 이동식 전극과 캐리어 사이에 개재된 이형층 혹은 희생층을 제거함으로써, 패턴화된 이동식 전극이 상기 제거가능한 캐리어로부터 이형된다. 다음에, 상기 이동식 전극을 전면 기판 상에 남긴 채, 임의의 적절한 방법, 예컨대, 리프팅, 박리, 회화 등을 이용해서 상기 캐리어가 제거된다. 이어서, 영구적인 후면판이 상기 전면 기판의 어레이 영역을 덮도록 제공된다. 상기 이동식 전극은 상기 전면 기판 및/또는 영구적인 후면판 상의 각종 지지 구조체에 의해 지지될 수 있다(도 46a 내지 도 51 참조). 이 실시형태에 있어서, 패턴화된 혹은 부분적인 습윤 흑색 마스크(도 53a 내지 도 53d 및 그에 수반되는 설명 참조)가 이용될 수 있다.
13. 정형화된 전면 기판 및 이동식 전극의 통상의 증착
상기 표 1의 조합 13의 또 다른 실시형태에 있어서, 그의 표시 영역에 레일과 골부를 지닌 정형화된 전면 기판이 제공된다. 이어서, 희생 재료가 제공되어 상기 전면 기판의 골부를 넘칠 정도로 충전시킨다. 그 후, 희생 재료가 평탄화되어 전면 기판의 노출된 레일과 함께 실질적으로 평탄한 표면을 제공한다. 이어서, 이동식 전극 재료가 임의의 적절한 공정, 예컨대, 포토리소그래피와 에칭을 이용해서 전면 기판 상에 증착되고 패턴화되어 이동식 전극을 규정한다. 다음에, 영구적인 후면판은, 정형화된 제거가능한 캐리어 및 정형화된 전면 기판에 대해서 위에서 설명한 바와 같이 전면 기판 위에 놓인다. 이동식 전극은 전면 기판 및/또는 영구적인 후면판 상의 각종 지지 구조체(도 46a 내지 도 51 참조)에 의해 지지될 수 있다. 이 실시형태에 있어서, 부분적인 습윤 흑색 마스크(도 53a 내지 도 53d 및 그에 수반되는 설명 참조) 또는 패턴화된 흑색 마스크가 이용될 수 있다.
V. 전면 기판과
후면판
사이에 간격을 유지하기 위한
스페이서
일 실시형태에 있어서, 간섭계 변조기 표시장치에는 그의 전면 기판과 후면판 사이에 간격을 유지하기 위한 스페이서가 설치되어 있다. 특히, 스페이서는 간섭계 변조기 표시장치의 표시 영역 내에 실질적으로 균일한 간격을 유지하도록 해당 표시 영역 내에 위치결정되어 있다. 상기 스페이서는 상기 표시장치의 어레이를 가로질러 압력-관련 가변성을 저감시키도록 역할하여, 어레이를 가로지르는 이동식 전극의 위치를 차이나게 강력하게 영향을 미칠 수 있다. 보다 큰 균일성은 수율 손실없이 보다 큰 표시 크기를 허용한다. 이하에 기재된 실시형태에 있어서, 전면 기판은 정형화된, 패턴화된 혹은 미리 형성된 지지 전면 기판일 수 있다. 상기 후면판은 정형화된 캐리어 후면판, 패턴화된 이동식 전극을 지닌 캐리어 후면판 또는 제거가능한 캐리어를 이용한 후 제공되는 영구적인 후면판일 수 있다. 게다가, 여기에 제공되는 수법 및 구조체는 통상적으로 조립된 전면 기판과 후면판보다 실질적으로 보다 작은 간극의 제공을 가능하게 한다.
도 46a 및 도 46b를 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4600)는 전면 기판(4610)과 후면판(4650)을 포함한다. 상기 전면 기판(4610)은 골부(4612)를 규정하는 레일(도시 생략)을 포함한다. 상기 전면 기판(4610)은 또한 상기 골부(4612) 내에 기둥부(4613)의 형태로 지지 구조체를 포함한다. 상기 장치(4600)는 또한 전면 기판(4610)과 후면판(4650) 사이에 이동식 전극(4660)을 포함한다.
간섭계 변조기 표시장치(4600)는 전면 기판(4610)과 후면판(4650) 사이에 간격(4635)을 유지하기 위하여 스페이서(4630)를 추가로 포함한다. 예시된 실시형태에 있어서, 상기 스페이서(4630)는 이동식 전극(4660)과 후면판(4650) 사이에 개재되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 스페이서(4630)는 약 0.1 ㎛ 내지 약 20 ㎛의 높이를 가질 수 있다.
도 46b를 참조하면, 스페이서(4630) 중 하나는 후면판(4650)으로부터 연장되어, 기둥부(4613) 중 대응하는 기둥부 상에 지지된 이동식 전극(4660)을 고정시킨다. 상기 스페이서(4630)와 기둥부(4613)는 함께 이동식 전극(4660)을 고정시킨다. 상기 장치(4600)를 가로지르는 스페이서(4630)는 또한 전면 기판(4610)과 후면판(4650) 사이에 일정한 간격(4635)을 유지한다. 일 실시형태에 있어서, 상기 스페이서(4630)는 전면 기판(4610)에 후면판(4650)을 부착하기 전에 임의의 적절한 공정(예컨대, 포토리소그래피와 에칭)을 이용해서 후면판(4650) 상에 형성될 수 있다. 상기 스페이서는 후면판(4650) 상에 증착되어 패턴화될 수 있거나 또는 정형화된 캐리어 후면판과 일체로 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 스페이서(4630)는 임의의 적절한 공정을 이용해서 이동식 전극(4660) 상에 패턴화될 수 있다. 당업자라면 각종 수법이 스페이서(4630)를 형성하는 데 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 상기 스페이서(4630)와 지지 구조체(4613)는 양쪽 모두 독립된 기둥으로서 예시되어 있지만, 한쪽 혹은 양쪽의 지지 구조체는 레일 형태 혹은 기타 형상을 취할 수 있다.
도 47을 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4700)는 이동식 전극(4760)를 통해 관통하는 스페이서(4731)를 포함한다. 예시된 실시형태에 있어서, 이동식 전극(4760)은 기둥부(4713) 위의 위치에서 개구부 혹은 관통구멍(4761)을 포함한다. 상기 스페이서(4731)는 상기 개구부(4761)를 통해 이동식 전극(4760)을 관통한다. 상기 스페이서(4731)는 간섭계 변조기 표시장치(4700)의 전면 기판(도시 생략)과 후면판(도시 생략) 사이에 간격을 유지한다. 상기 스페이서(4731)는 또한 작동을 위한 수직 굴곡에 의한 과도한 간섭 없이 이동식 전극(4760)의 횡방향 이동을 방지하거나 최소화할 수 있다. 상기 스페이서(4731)는 전면 기판의 지지부 구조체(4713)로부터 혹은 후면판(도시 생략)으로부터 연장될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 스페이서(4731)는 전면 기판에 후면판을 부착하기 전에 임의의 적절한 공정을 이용해서 전면 기판 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 정형화된 전면 기판이 이용되는 실시형태에 있어서, 스페이서(4731)는 엠보싱, 포토리소그래피와 에칭 또는 새김 작업에 의해 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 스페이서(4731)는 전면 기판에 후면판을 부착하기 전에 임의의 적절한 공정을 이용해서 후면판 상에 패턴화될 수도 있다. 상기의 변형예에 있어서, 스페이서(4731)와 패턴화된 이동식 전극(4760)은 양쪽 모두 전면 기판 상에 장착된 캐리어 후면판 상에 설치된다. 당업자라면, 각종 수법이 스페이서(4731)를 형성하는 데 이용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 48을 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4800)는 전면 기판(4810)과 후면판(도시 생략)을 포함한다. 상기 전면 기판(4810)은 그 사이에 골부(4812)를 규정하는 레일(4811)을 포함한다. 상기 전면 기판(4810)은 또한 골부(4812) 내에 기둥부(도시 생략)를 포함할 수 있다. 상기 장치(4800)는 또한 전면 기판(4810)의 레일(4811) 위에 적어도 하나의 개구부 혹은 관통구멍(4861)을 지닌 이동식 전극(4860)을 포함한다.
상기 간섭계 변조기 표시장치(4800)는 또한 상기 레일(4811) 위에 제1스페이서(4832)와 제2스페이서(4833)를 포함한다. 상기 제1스페이서(4832)는 개구부(4861)를 통해 이동식 전극(4860)을 관통한다. 제1스페이서(4832)의 구성은, 해당 제1스페이서(4832)가 레일(4811) 상에 위치결정되는 것을 제외하고, 도 47의 스페이서(4731)의 구성과 마찬가지이다. 제2스페이서(4833)는 이동식 전극(4860)으로부터 횡방향으로 떨어져서 이간되어 있는 상태에서 레일(4811) 상에 위치결정되어 있다. 제2스페이서(4833)는 단독으로 전면 기판과 후면판 사이에 간격을 유지하는 역할을 하지만, 이동식 전극(4860)을 고정하거나 속박하지는 않는다. 상기 제1스페이서(4832)와 제2스페이서(4833)는, 임의의 적절한 방법, 예를 들어, 전술한 도 47의 스페이서(4731)의 형성 방법의 어느 하나를 이용해서 형성될 수 있다. 전면 기판(4810)은, 레일(4811) 이외에도, 이동식 전극(4860)을 강화시키기 위하여 골부 내에 기둥부를 포함한다.
도 49a를 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4900A)는 전면 기판(4910)과 후면판(4950)을 포함한다. 상기 전면 기판(4910)은 광학적 공동부 혹은 간극을 규정하는 지지 구조체(4913)(예컨대, 레일 또는 기둥부)를 포함한다. 상기 장치(4900A)는 또한 전면 기판(4910)과 후면판(4950) 사이에 이동식 전극(4960)을 포함한다.
상기 간섭계 변조기 표시장치(4900A)는 스페이서(4930)와 정지 기둥부(4934a)를 추가로 포함한다. 상기 스페이서(4930)는 전면 기판(4910)과 후면판(4950) 사이에 원하는 간격(4935)을 유지하는 역할을 한다. 또한, 상기 스페이서(4930)는 이동식 전극(4960)을 고정함으로써 해당 이동식 전극에 강성을 부가시킨다. 예시된 실시형태에 있어서, 스페이서(4930)의 구성은 도 46b 및 도 47의 스페이서(4630), (4731) 중 하나의 구성과 유사할 수 있다. 정지 기둥부(4934a)는 후면판(4950)으로부터 연장된 상태에서 지지 구조체(4913)의 일부로부터 횡방향으로 떨어져서 이간되어 있다. 상기 정지 기둥부(4934a)는 예시된 위치에서 이동식 전극(4960)과 접촉하지 않는다. 상기 장치(4900)의 작동 동안, 정지 기둥부(4934a)는 이동식 전극(4960)이 전면 기판(4910)에 근접한 작동 위치로부터 후면판(4950)을 향하여 이완되어 이동될 경우 해당 이동식 전극을 정지시키는 기능을 한다. 이와 같이 해서, 상기 정지 기둥부(4934a)는 이동식 전극(4960)의 상향 이동 초과를 방지한다. 이러한 방지는 특히 예시된 실시형태의 밀접하게 이간된 기판(4910), (4950)에 적용할 수 있고, 이것은 기밀 밀봉을 용이하게 한다. 기판(4910), (4950) 사이에 포획된 매우 작은 공간으로 인해, 진공 배기되어 기밀 밀봉된 패키지 속으로의 누설을 방지하는 것이 보다 용이해진다. 상기 스페이서(4930)와 정지 기둥부(4934a)는 후면판(4950) 상에 임의의 적절한 공정(예컨대, 엠보싱, 포토리소그래피와 에칭 또는 새김 작업)을 이용해서 형성될 수 있다.
도 49b를 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4900B)는 전면 기판(4910)과 후면판(4950)을 포함한다. 전면 기판(4910)과 후면판(4950)의 구성은, 작동 동안 도 49b의 정지 기둥부(4934b)가 예시된 위치에서 이동식 전극(4960)과 접촉하는 것을 제외하고, 도 49a를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 정지 기둥부(4934b)의 일부 혹은 전부는, 정지 기둥부(4934b) 사이의 이동식 전극(4960)의 일부만 작동 동안 접힐 수 있도록 이동식 전극(4960)에 부착될 수 있다. 물론, 도면은 축척으로 되어 있지 않은 바, 현실적으로는 기둥부가 비교적 멀리 떨어져서 이간될 것이다. 소정의 실시형태에 있어서, 후면판(4950)은 이동식 전극(4960)과 실질적으로 수직으로 뻗어 있는 레일(도시 생략)을 추가로 포함할 수 있다.
도 49c를 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(4900C)는 전면 기판(4910)과 후면판(4950)을 포함한다. 전면 기판(4910)과 후면판(4950)의 구성은, 도 49c의 후면판(4950)이 전면 기판(4910)의 지지 구조체(4913)와 특히 정렬된 스페이서를 지니지 않는 것을 제외하고, 도 49b를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 오히려, 후면판(4950)의 정지 기둥부(4934c)는 전면 기판(4910)의 지지 구조체(4913)와의 정렬에 관계없이 분포되어 있다. 당업자라면, 다양한 기타 구성의 스페이서 및/또는 정지 기둥부가 간섭계 변조기 표시장치(4600), (4700), (4800), (4900A) 내지 (4900C)와 함께 이용하기 위해 적응될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 50을 참조하면, 또 다른 실시형태에 있어서, 간섭계 변조기 표시장치(5000)는 그의 주변 영역(5002)에 랜드부(5020)를 지닌 전면 기판(5010)을 포함한다. 랜드부(5020)의 구성은 도 17a 내지 도 17c 또는 도 18a 내지 도 18c를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다.
예시된 전면 기판(5010)은 그의 표시 영역(5001)에 레일(5013)을 포함하지만, 기둥부는 포함하고 있지 않다. 따라서, 레일(5013)과 랜드부(5020)는 함께 해당 장치(5000)의 이동식 전극(5060)을 지지하는 역할을 한다. 또한, 랜드부(5020)는 상기 장치(5000)의 전면 기판과 후면판 사이에 간극의 적어도 일부를 규정하는 기능을 한다. 상기 장치(5000)는 또한 기둥부(5030)의 형태로 지지 구조체를 포함할 수 있는 후면판(5050)을 포함하며, 이 기둥부로부터 이동식 전극(5060)이 매달려 있다. 상기 장치(5000)는 표시 영역(5001)과 주변 영역(5002)의 양쪽 모두에 광학적 적층부(5014)를 추가로 포함한다. 상기 장치(5000)는 또한 전면 기판(5010)과 후면판(5050) 사이에 비즈의 형태로 밀봉제(5070)를 포함한다.
도 51을 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(5100)는 지지부가 상부에 형성되어 있지 않은 전면 기판(5110)을 포함한다. 상기 전면 기판(5110)은 패턴화 공정, 예컨대, 포토리소그래피와 에칭에 의해 형성된 정지 전극(5114)을 포함한다. 상기 장치(5100)는 대신에 그로부터 연장된 지지부(5171)를 지닌 후면판(5170)을 지닐 수 있다. 지지부(5171)는 전면 기판(5110)으로 아래쪽으로 연장되어, 전면 기판(5110)과 후면판(5170) 사이에 간극을 유지한다. 상기 장치(5100)는 전면 기판(5110)과 후면판(5170) 사이에 개재된 이동식 전극(5160)을 지닐 수 있다. 상기 이동식 전극(5160)은 후면판(5170) 상에 형성된 기둥부(5130)의 형태로 지지 구조체로부터 매달려 있을 수 있다. 도시하고 있지는 않지만, 전면 기판(5110)은 이동식 전극을 지지하는 상기에 설명된 랜드부를 지닐 수 있다. 당업자라면, 지지부의 각종 기타 조합도 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
VI
. 흑색 마스크
1. 패턴화된 흑색 마스크
도 52a 및 도 52b를 참조하면, 간섭계 변조기 표시장치(5200)는 전면 기판(5210)과 후면판(도시 생략)을 포함한다. 상기 전면 기판(5210)은 기둥부(5213)의 형태의 지지 구조체와, 해당 기둥부(5213)에 의해 규정된 공동부(5212)를 포함한다. 전면 기판(5210)은 또한 상기 공동부(5212)의 바닥부 상에 광학적 적층부(5214)를 포함한다. 상기 장치(5200)는 또한 상기 기둥부(5213) 상에 지지된 이동식 전극(5262)을 포함한다. 도 52a에 있어서, 이동식 전극(5260)은 그의 작동 위치에 있다. 상기 작동 위치에서, 상기 이동식 전극(5260)은 전면 기판(5210) 상에 정지 전극을 향하여 정전기적 인력에 의해 구부러진다. 예시된 실시형태에 있어서, 공동부(5212) 중 하나는 단일의 화소를 형성하지만, 공동부(수개의 기둥부를 지닐 수 있음) 중 일부만이 도시되어 있다.
도 52a에 나타낸 바와 같이, 이동식 전극(5260)의 중앙부(5261)는 전면 기판(5210)의 광학적 적층부(5214)의 형태로 정지 전극과 접촉하거나 해당 정지 전극에 근접하게 되는 한편, 지지 구조체에 근접한 이동식 전극(5260)의 일부분(5262)은 광학적 적층부(5214)와 함께 간극(5212a)을 지닌다. 해당 간극(5212a)으로 인해, 지지 구조체(5213)로부터 먼 비인접 영역(A)에 입사하는 광의 광학적 간섭은 지지 구조체(5213)에 인접한 인접 영역(B)에 입사하는 광의 광학적 간섭과는 다르다. 작동 위치에서, 비인접 영역(A)은 광을 흡수하는 한편, 인접 영역(B)은 광을 적어도 부분적으로 반사한다. 광학적 간섭의 이러한 차이는 비인접 영역(A)에서 어두운 영역을, 인접 영역(B)에서 밝은 영역을 생성하고, 이것은 의도된 어두운 색을 없애버리는 경향이 있다.
작동 위치에서 밝은 영역을 방지 혹은 완화시키기 위하여, 상기 간섭계 변조기 표시장치는 전면 기판(5210)의 인접 영역(B)에 흑색 마스크를 포함할 수 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 상기 전면 기판(5210)은 지지 구조체에 근접한 광학적 적층부(5214) 하에 흑색 마스크(5220)를 포함한다. 상기 흑색 마스크(5220)는 포토리소그래피와 에칭을 이용해서 형성될 수 있다. 본 명세서의 문맥에 있어서, 이러한 방법으로 형성된 흑색 마스크는 "패턴화된" 흑색 마스크라 지칭된다. 도 52b는 도 52a에서 화살표(52B)로 표시된 바와 같이 전면 기판(5210)의 아래쪽에서부터 본 흑색 마스크(5220)를 나타내고 있다.
예시된 실시형태에 있어서, 광학적 적층부(5214)가 지지 구조체(5213)의 상부에 형성된다. 이 구성에 의하면, 상부의 광학적 적층부(5214)와 이동식 전극이 하부의 작동된 이동식 전극과 광학적 적층부와 동일하게 작용하기 때문에 상기 장치(5200)가 지지 구조체(5213) 밑에 흑색 마스크를 지니지 않게 하여, 흑색 마스크로서 역할한다. 상기 패턴화된 흑색 마스크는 전술한 간섭계 변조기 표시장치 실시형태의 어느 하나에 적용될 수 있다.
2. 부분적인 습윤 흑색 마스크
도 53a 내지 도 53c는 간섭계 변조기 표시장치(5300) 내에 흑색 마스크를 형성하는 방법의 다른 실시형태를 나타내고 있다. 우선, 전면 기판(5310)은 지지 구조체(5313)와 해당 지지 구조체(5313)에 의해 규정된 공동부(5312)를 포함하여 제공된다. 이어서, 상기 공동부(5312)는 임의의 적절한 공정, 예를 들어, 스핀 코팅 혹은 분무 코팅을 이용해서 흑색 마스크 재료(5320a)로 실질적으로 충전된다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 전면 기판(5310)은 용기 내의 흑색 마스크 재료 현탁액 혹은 용액 중에 침지될 수 있다. 상기 흑색 마스크 재료(5320a)는 흑색 안료와 유기 용매를 포함할 수 있다. 상기 흑색 마스크 재료(5320a)는 이하에 설명하는 공정에 적합한 밀도 혹은 점도를 지닐 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 상기 흑색 안료는 유기 재료일 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 흑색 안료는 무기 재료일 수 있다. 흑색 안료의 예로는 산화구리, 흑연 및 카본 블랙을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 용매의 예로는 아세톤 및 아이소프로필 알코올(IPA)을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 소정의 실시형태에 있어서, 흑색 마스크 재료로는 또한 포토레지스트 및/또는 폴리머 재료(예컨대, 열경화성 폴리머)를 들 수 있다.
다음에, 상기 용매는 공동부(5312)로부터 제거되는 한편, 해당 공동부(5312) 내에 흑색 안료는 남게 된다. 일 실시형태에 있어서, 상기 용매는 건조에 의해 제거될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 전면 기판(5310)은 상기 용매의 건조를 용이하게 하기 위하여 가열될 수도 있다. 다음에, 흑색 마스크 재료(5320a)의 표면 장력은 지지 구조체(5313)에 근접한 영역으로 상기 재료(5320a)의 상당한 부분을 이동시키는 한편, 용매는 제거되고 있다. 이와 같이 해서, 흑색 안료의 상당한 부분이 상기 지지 구조체(5313) 근방에(예컨대, 기둥부(5313)로부터 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛ 이내)에 남게 됨으로써, 도 53b에 나타낸 바와 같이 흑색 마스크(5320b)를 형성한다. 이어서, 광학적 적층부(5214)가 도 53c에 나타낸 바와 같이 전면 기판(5310) 위에 형성된다. 다른 실시형태에 있어서, 흑색 마스크(5320b)는, 광학적 적층부(5314)가 도 53a 및 도 53b에 나타낸 것과 마찬가지 방식으로 도 53d에 나타낸 바와 같이 정형화된 전면 기판(5310) 상에 형성된 후에 형성될 수 있다. 도 53a 내지 도 53d에 나타낸 방식으로 형성된 흑색 마스크는 본원의 문맥에 있어서 부분적인 습윤 흑색 마스크라고 지칭될 수도 있다. 부분적인 습윤 흑색 마스크는 정형화된 전면 기판 또는 미리 형성된 지지부 기판이 이용되는 실시형태에 적용될 수 있다. 당업자라면, 상기 부분적인 습윤 흑색 마스크가 전술한 각종 실시형태에서 이용하기 위해 적합화될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예시된 실시형태에 있어서, 지지 구조체(5313)의 상부에 있는 광학적 적층부(5314)와 해당 광학적 적층부(5314) 위에 놓인 이동식 전극(도시 생략)이 함께 도 52a에 도시된 것과 마찬가지의 흑색 마스크로서 역할한다.
VII
. 정적 간섭계 표시장치
위에서 설명된 간섭계 변조기의 실시형태는 이동식 전극을 지닌 간섭계 변조기에 관한 것이었지만, 다른 실시형태도 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 특히, 제1의 부분 반사층과 적어도 부분적으로 반사성인 제2층을, 공기 혹은 광투과성 재료에 의해 규정된 간섭계측적 간극에 의해 이간시킨 상태로 포함하는 정적 간섭계 표시장치가 제공될 수 있다. "정적 간섭계 표시장치"란 용어는 간섭계측적 효과를 이용해서 정적 화상을 표시하도록 구성된 장치를 의미한다. 상기 정적 화상은 흑색 및 백색 화상 및/또는 컬러 화상을 포함할 수 있고, 또한 단일의 간섭계측적 간극 상에 패턴을 포함할 수도 있다.
상기 제2의 반사층은 실시형태에 따라서 부분적으로 반사형일 수 있거나 또는 완전 반사형일 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 편의상, 부분 투과가 기능적으로 중요한 제1의 부분 반사층은 여기서 부분 반사층으로서 지칭될 수 있고, 제2반사층은 반사층으로서 지칭될 수 있으며, 단, 반사층이란 용어의 사용이 부분 반사층을 배제하는 것으로 의도되지 않은 것으로 이해할 수 있지만, 이들 두 층은 함께 일괄적으로 반사층으로 지칭될 수도 있다. 마찬가지로, 부분 반사층은 대안적으로는 흡수재로서도 지칭될 수 있다.
이러한 정적 간섭계 표시장치에 있어서, 정적 간섭계 표시장치가 정전기적으로 작동가능한 것으로 의도되어 있지 않으므로, 전극으로 사용하기 위하여 전도성 재료를 선택하거나 포함할 필요는 없다. 마찬가지로, 두 층을 가로질러 전압을 인가할 필요가 없으므로(작동 상태로부터 이동이나 이완이 없으므로), 반사층은 서로 전기적으로 절연될 필요는 없다. 따라서, 비전도성 재료는 반사층을 형성하는 데 이용될 수 있고, 전도성 재료는 간섭계측적 간극을 규정하는 데 이용될 수 있다. 정적 간섭계 표시장치는 광-투과층 대신에 공기 간극을 포함할 수도 있다. 추가의 실시형태에 있어서, 정적 간섭계 표시장치는 작동가능한 간섭계 변조기와 동일할 수 있고, 또한 단순히 작동되지 않을 수도 있다. 그러나, 공기 간극을 규정하는 고형 재료의 이용은 이하에 설명된 추가의 가능한 이점에 부가해서 추가의 안정성을 제공할 수 있는 것을 이해할 수 있을 것이다.
소정의 실시형태에 있어서, 정적 간섭계 표시장치는, 도 9를 참조하여 위에서 설명한 MEMS 장치와 마찬가지로, 두 기판을 부착함으로써 형성될 수 있고, 이들 기판은 각각 상부에 미리 형성된 구성요소를 지니고 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 희생 재료는, 앞에서 설명된 실시형태에서처럼, 기판 상에 구성요소(예컨대, 공동부)를 미리 형성할 필요는 없다. 두 기판을 부착할 때에는, 소정의 적절한 수법(예컨대, 적층, 접착 등)이 이용될 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 정적 간섭계 표시장치는 후면판에 전면 기판을 부착함으로써 형성될 수 있다. 여기서 이용되는 바와 같은 "전면 기판"은 일반적으로 투명하며 관찰자와 대면하고 있다. 전면 기판과 후면판 중 적어도 한쪽은 간섭계측적 변조를 위해 선택된 깊이의 공동부를 형성하도록 정형화되어 있을 수 있다. 상기 공동부는, 예컨대, 엠보싱, 포토리소그래피와 에칭, 그리고 새김 작업 등의 임의의 적절한 방법에 의해 형성될 수 있다.
1. 정형화된 혹은 미리 형성된 지지 전면 기판을 구비한 정적 간섭계 표시장치
도 54는 일 실시형태에 따른 정적 간섭계 표시장치(5400)의 사전 적층 상태를 예시하고 있다. 해당 정적 간섭계 표시장치(5400)는 전면 기판(5410)과 후면판(5420)을 포함한다. 상기 전면 기판(5410)은 복수개의 레일(5411)과 해당 레일(5411)에 의해 규정되는 복수개의 공동부 혹은 홈부(5430)를 포함하며, 본 명세서의 문맥에 있어서, 레일(5411)은 "지지부" 혹은 "지지 구조체"라고도 칭할 수 있다. 전면 기판(5410)은 또한 레일(5411)의 상부에 광학적 층 혹은 적층부(5414a)와, 공동부(5430)의 바닥부 상에 동일한 광학적 층 혹은 적층부(5414b)를 포함할 수 있다. 도 11a를 참조하여 위에서 설명된 바와 같이, 레일(5411)의 상부에 있는 광학적 층 혹은 적층부(5414a)는 광학적 층 혹은 적층부(5414a)의 광학적 두께에 의해 지배되는 바와 같이, 간섭계 표시설계에 따라 흑색 혹은 백색을 제공할 수 있다. 상기 후면판(5420)은 상기 전면 기판(5410)과 대면하는 반사층(혹은 미러)(5421)을 포함한다.
전면 기판(5410)은 실질적으로 투명한 재료로 형성될 수 있다. 투명한 재료의 예로는 유리 및 투명한 폴리머 재료를 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 전면 기판(5410)은 해당 전면 기판(5410)의 부분을 제거 혹은 정형화하거나 혹은 상기 기판(5410)의 표면 내에 홈부를 형성하는 적절한 임의의 방법에 의해 정형화될 수 있다. 정형화 방법의 예로는 엠보싱(예컨대, 도 12a 내지 도 12c를 참조해서 설명한 방법), 포토리소그래피(또는 스크린 인쇄)와 에칭, 및 새김 작업을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 기판(5410)은 전술한 방법의 적어도 일부에서 기판(5410)에 추가의 재료를 추가하는 일없이 정형화될 수 있기 때문에, 레일(5411) 형태의 지지부는 전면 기판(5410)과 동일한 재료로 일체로 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 지지 구조체는 미리 형성된 지지 전면 기판에 대해서 위에서 설명한 바와 같이, 추가의 재료의 증착 및 패턴화에 의해 실질적으로 평탄한 전면 기판 상에 형성될 수 있다.
레일(5411)의 각각은, 도 56에 나타낸 바와 같이, 서로에 대해 평행한 행방향 혹은 열방향으로 뻗어 있다. 예시된 레일(5411)은 격자 혹은 매트릭스 형상으로 배열딘 정사각형 형상의 공동부를 규정한다. 다른 실시형태에 있어서, 공동부는 위에서 볼 때 각종 다른 형상, 예컨대, 직사각형, 삼각형, 원형, 타원형 등을 지닐 수 있고, 격자는 직교할 필요는 없다. 실제로, 화상은, 전기적으로 어드레싱하는 화소에 대해서는 쟁점이 없으므로, 임의의 소정의 패턴을 지닐 수 있다. 레일(5411)은 실질적으로 동일 레벨, 즉, 단일 평면 내에 그들의 상부면을 지닌다.
상기 공동부(5430)는, 해당 공동부(5430)가 얻어지는 표시장치에 생성하도록 설계된 색에 따라, 다수의 깊이(5450a) 내지 (5450e)를 지니도록 규정된다. 색의 첨예도 및 최적의 선명도를 위해서, 깊이(5450a) 내지 (5450e)는 약 500 Å 내지 약 5,000 Å의 범위에 있을 수 있다. 간섭계측적 효과는 보다 큰 광학적 깊이에 의해 얻어질 수도 있지만, 당업자라면, 광학적 거리가 각종 파장의 배수에 대응하므로 색은 보다 큰 깊이에서 파괴되기 시작하는 것을 이해할 수 있을 것이다. 충전재가 이용되는 다른 실시형태에 있어서(예컨대, 도 57, 도 58, 도 60 및 도 61), 충전재가 상이한 광학적 밀도(굴절률)를 지닐 수 있기 때문에 공기를 위해 부여된 공동부의 깊이가 이러한 충전재에 대해서 조절될 수 있다. 정적 간섭계 표시장치(5400)만이 정적 화상을 표시하므로, 공동부의 깊이는 원하는 정적 화상의 패턴에 따라 선택된다. 당업자라면, 간섭계측적 효과를 이용해서 원하는 색과 패턴을 생성하기 위한 적절한 깊이(5450a) 내지 (5450e)를 인식할 것이다.
광학적 적층부(5414a), (5414b)는 단일층일 수 있거나 혹은 수개의 융합층을 포함할 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 광학적 적층부(5414a), (5414b)는 간섭계측적 효과에 적합한 흡수 계수를 지닌 유전체 재료로 형성될 수 있다. 유전체 재료의 예로는 이산화규소 및 산화알루미늄을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 다른 실시형태에 있어서, 광학적 적층부(5414a), (5414b)는 상부 서브층과 하부 서브층을 포함하는 2층 구조체를 지닐 수 있다. 상부 서브층은 산화알루미늄으로 형성될 수 있다. 하부 서브층은 이산화규소로 형성될 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 광학적 적층부(5414a), (5414b)는 약 100 Å 내지 약 1,600 Å의 두께를 지닐 수 있다. 광학적 적층부(5414a), (5414b)가 상부 서브층과 하부 서브층을 지니는 실시형태에 있어서, 상부 서브층은 예를 들어 약 50 Å의 두께를 지닐 수 있는 한편, 하부 서브층은 예를 들어 약 450 Å의 두께를 지닐 수 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 광학적 적층부(5414a), (5414b)는 스퍼터링 등의 방향성 증착으로 인해 공동부(5430)의 바닥부와 레일(5411)의 상부 간에 불연속적이다.
소정의 실시형태에 있어서, 광학적 적층부(5414a), (5414b)는 또한 금속성 흡수재층(또는 부분 반사층)을 포함할 수 있다. 이 흡수재 층은 크롬(Cr) 혹은 게르마늄(Ge) 등의 금속의 반투명 두께로 형성될 수 있다. 흡수재층은 약 1 Å 내지 약 100 Å, 특히 약 50 Å 내지 약 100 Å의 두께를 지닐 수 있다.
소정의 실시형태에 있어서, 전면 기판(5410) 자체는 간섭계측적 효과에 적합한 광학적 분산(굴절률 및 흡수 계수)을 지니는 재료로 형성될 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 전면 기판(5410)은 광학적 적층부를 포함하지 않을 수 있다.
후면판(5420)은 임의의 적절한 재료(예컨대, 폴리머, 금속 및 유리)로 형성될 수 있다. 후면판(5420)의 반사층(5421)은 정반사성 혹은 반사성 금속, 예를 들어, Al, Au, Ag, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있고, 이것은 간섭계측적 효과를 위해 전면 기판(5410)에 입사하는 실질적으로 모든 가시광을 반사시키기에 충분한 두께로 되어 있다. 예시적인 실시형태에 있어서, 반사층(5421)은 약 300 Å의 두께를 지닌다. 반사층(5421)의 두께는 다른 실시형태에 있어서 광범위하게 다양할 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 후면판(5420) 자체는 알루미늄 호일 등의 반사성 재료로 형성될 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 후면판(5420)은 별도의 반사층을 포함하지 않는다.
예시된 실시형태에 있어서, 후면판(5420)은 반사층(5421)이 레일(5411) 상에서 광학적 적층부(5414a)의 상부면과 접촉하도록 화살표로 표시된 바와 같이 전면 기판(5410) 상에 장착되어 있다. 얻어지는 정적 간섭계 표시장치(5400)는 레일(5411) 상의 광학적 적층부(5414a)의 상부면과 반사층(5421) 사이에 실질적으로 간극을 지니지 않을 수 있다.
2. 정형화된 혹은 미리 형성된
후면판을
지닌 정적 간섭계 표시장치
도 55는 다른 실시형태에 따른 정적 간섭계 표시장치(5500)의 사전 적층 상태를 나타내고 있다. 상기 정적 간섭계 표시장치(5500)는 전면 기판(5510)과 후면판(5520)을 포함한다. 전면 기판(5510)은 실질적으로 평탄한 면(5511), 및 해당 면(5511) 상에 형성된 광학적 층 혹은 적층부(5514)를 포함한다. 후면판(5520)은 복수개의 레일(5523) 및 해당 레일(5523)에 의해 규정되는 복수개의 공동부 혹은 홈부(5530)를 포함한다. 본 명세서의 문맥에 있어서, 레일(5523)은 또한 "지지부" 혹은 "지지 구조체"라고도 지칭될 수 있다. 후면판(5520)은 또한 전면 기판(5510)과 대면하는 반사층(또는 미러)(5521)를 포함한다.
전면 기판(5510)의 구성은, 도 55의 전면 기판(5510)이 실질적으로 평탄한 것을 제외하고, 도 54의 전면 기판(5410)에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다. 광학적 층 혹은 적층부(5514)의 구성은, 도 55의 광학적 층 혹은 적층부(5514)가 상기 전면 기판(5510)의 표면 상에 실질적으로 연속적으로 형성된 것을 제외하고, 도 54의 광학적 층 혹은 적층부(5414a), (5414b)의 것에 대해서 위에서 설명한 바와 같을 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 전면 기판(5510) 자체는 간섭계측적 효과에 적합한 흡수 계수를 지니는 재료로 형성될 수 있다. 이러한 실시형태에 있어서, 전면 기판(5510)은 광학적 적층부를 생략할 수도 있다.
후면판(5520)은 정형화에 적합한 재료로 형성될 수 있다. 이 재료의 예로는 유리, 금속 및 폴리머를 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 상기 후면판(5520)은 전면 기판(5510)의 부분을 제거 혹은 정형화하거나 또는 후면판(5520)의 표면에 홈부를 형성하는 데 적합한 임의의 방법에 의해 정형화될 수 있다. 정형화 방법의 예로는 엠보싱(예컨대, 도 12a 내지 도 12c를 참조하여 설명한 방법), 포토리소그래피(또는 스크린 인쇄)와 에칭, 그리고 새김 작업을 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 후면판(5520)은 전술한 방법에서 기판(5410)에 추가의 재료를 추가하는 일없이 정형화될 수 있기 때문에, 레일(5523) 형태의 지지부는 후면판(5520)의 재료와 동일한 재료로 일체로 형성될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 지지 구조체는 미리 형성된 지지 전면 기판에 대해서 위에서 설명한 바와 같이 추가의 재료의 증착 및 패턴화에 의해 실질적으로 평탄한 후면판 상에 형성될 수 있다.
레일(5523)은, 도 56에 나타낸 패턴과 마찬가지로, 서로 평행한 행방향 혹은 열방향으로 뻗어 있다. 레일(5523)은 실질적으로 동일한 높이에, 즉, 단일 평면 내에 그들의 바닥면(전면 기판과 대면하는)을 지닌다.
공동부(5530)는, 해당 공동부(5530)가 얻어지는 표시장치에 생성하도록 설계되는 색에 따라 다수의 깊이(5550a) 내지 (5550e)를 지니도록 정형화되거나 혹은 미리 형성된다. 정적 간섭계 표시장치(5500)가 단지 정적 화상을 표시하기 때문에, 공동부의 깊이는 원하는 정적 화상의 패턴에 따라 선택된다. 당업자라면 간섭계측적 효과를 이용해서 원하는 색과 패턴을 생성하기 위하여 적절한 깊이(5550a) 내지 (5550e)를 알 수 있을 것이다.
후면판(5520)의 반사층(5521)은 정반사성 혹은 반사성 금속, 예를 들어, Al, Au, Ag, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있고, 이것은 간섭계측적 효과를 위해 전면 기판(5510)에 입사하는 실질적으로 모든 가시광을 반사시키기에 충분한 두께로 되어 있다. 예시적인 실시형태에 있어서, 반사층(5521)은 약 300 Å의 두께를 지닌다. 반사층(5521)의 두께는 다른 실시형태에 있어서 광범위하게 다양할 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 후면판은 알루미늄 등의 반사성 재료로 형성될 수 있다. 이러한 후면판은 이러한 실시형태에 있어서 지지 구조체를 형성하도록 에칭될 수 있다, , 후면판은 별도의 반사층을 포함하지 않을 수 있다. 예시된 실시형태에 있어서, 반사층(5521)은 후면판(5520)의 표면 상에 연속적으로 형성되어 있다. 다른 실시형태에 있어서, 반사층(5521)은 레일(5523)과 공동부(5530) 사이에서 불연속적일 수 있다.
예시된 실시형태에 있어서, 후면판(5520)은 반사층(5521)의 가장 낮은 면(레일(5523)의 아래에 있는 동시에 전면 기판(5510)과 대면하고 있는 반사층(5521)의 바닥면)이 전면 기판(5510)의 광학적 적층부(5514)의 표면과 접촉하도록 화살표로 표시된 바와 같이 전면 기판(5510) 상에 장착되어 있다. 얻어지는 정적 간섭계 표시장치(5500)는 반사층(5521)의 가장 낮은 면과 전면 기판(5510)의 광학적 적층부(5514)의 상부면 사이에 실질적으로 간극을 지니지 않을 수 있다.
3.
공동부
충전재를 구비한 정적 간섭계 표시장치
도 57은 다른 실시형태에 따른 정적 간섭계 표시장치(5700)의 사전 적층 상태를 나타내고 있다. 상기 정적 간섭계 표시장치(5700)는 전면 기판(5710)과 후면판(5720)을 포함한다. 전면 기판(5710)의 구성은 도 54의 전면 기판(5410)의 구성에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 구성일 수 있다. 후면판(5720)의 구성은 도 54의 후면판(5420)의 구성에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 구성일 수 있다. 정적 간섭계 표시장치(5700)의 평면도는 도 56을 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다.
상기 정적 간섭계 표시장치(5700)는 전면 기판(5710)의 공동부 내에 충전재(5760)를 추가로 포함한다. 상기 충전재(5760)는 실질적으로 투명한 재료로 형성될 수 있다. 상기 실질적으로 투명한 재료는 간섭계측적 효과를 위하여 적절한 굴절률을 지닐 수 있다. 상기 실질적으로 투명한 재료의 예로는 산화물(예컨대, SiO2, TiO2), 질화물(예컨대, SiN3, SiN4), 투명한 포토레지스트 및 투명한 폴리머를 들 수 있지만, 이들로 제한되는 것은 아니다. 상기 충전재(5760)는 상부에 광학적 적층부(5714a), (5714b)가 형성된 전면 기판(5710) 상에 충전재 재료를 블랭킷 증착에 이어서 충전재 재료의 상부면을 평탄화함으로써 형성될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 상기 충전재는 또한 레일(5711) 상의 광학적 적층부(5714a)의 상부면을 덮을 수도 있다.
예시된 실시형태에 있어서, 후면판(5720)은 반사층(5721)의 가장 낮은 면(전면 기판과 대면하는)이 전면 기판(5710) 상에 형성된 충전재(5760)의 상부면과 접촉하도록 화살표로 나타낸 바와 같이 전면 기판(5710) 상에 장착된다. 얻어지는 정적 간섭계 표시장치(5700)는 반사층(5721)의 가장 낮은 면과 충전재(5760)의 상부면 사이에 실질적으로 간극을 지니지 않을 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 반사층은 충전재(5760) 상에 직접 피복될 수 있다. 다음에, 반사층의 상부면은, 별도의 후면판을 적층하는 대신에, 반사층을 보호하는 데 적합한 경도를 지니는 재료로 피복될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 후면판은 충전재(5760) 상에 직접 형성되어 있는 반사층에 부착될 수 있다.
도 58은 다른 실시형태에 따른 정적 간섭계 표시장치(5800)를 나타내고 있다. 상기 정적 간섭계 표시장치(5800)는 전면 기판(5810)과 후면판(5820)을 포함한다. 전면 기판(5810)의 구성은, 도 58의 전면 기판(5810)이 레일을 포함하지 않는 점을 제외하고, 도 57의 전면 기판(5710)의 구성에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 구성일 수 있다. 상기 전면 기판(5810)은 단차가 있는 표면을 형성하는 이산적인 깊이를 지니는 공동부를 포함한다. 예시된 전면 기판(5810)은 도 57의 충전재(5760)와 마찬가지의 충전재(5860)를 포함한다. 충전재(5860)는 광학적 적층부(5814)가 상부에 형성되어 있는 전면 기판(5810) 상에 충전재 재료를 블랭킷 증착시키고, 이어서 충전재 재료의 상부면을 평탄화함으로써 형성될 수 있다. 후면판(5820)의 구성은 도 57의 후면판(5720)의 구성에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 구성일 수 있다.
도 59는 도 58의 정적 간섭계 표시장치(5800)의 일부의 평면도를 나타내고 있다. 상기 정적 간섭계 표시장치(5800)는 레일을 포함하고 있지 않기 때문에, 도 59에 나타낸 바와 같이, 위에서 보았을 때 구획부를 지니지 않는다. 상기 정적 간섭계 표시장치(5800)는 정사각형 화소(P1) 내지 (P15)를 포함한다. 당업자라면, 정적 간섭계 표시장치가 기타 각종 형상의 화소를 지닐 수 있고, 격자가 직교할 필요가 없다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 실제로, 화소가 전기적으로 어드레스될 필요가 없으므로, 화상은 소정의 원하는 패턴을 지닐 수 있다.
도 60은 다른 실시형태에 따른 정적 간섭계 표시장치(6000)를 나타내고 있다. 상기 정적 간섭계 표시장치(6000)는 전면 기판(6010)과 후면판(6020)을 포함한다. 전면 기판(6010)의 구성은 도 55의 전면 기판(5510)의 구성에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 구성일 수 있다. 후면판(6020)의 구성은, 도 60의 후면판(6020)이 레일을 포함하지 않는 점을 제외하고, 도 55의 후면판(5520)의 구성에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 구성일 수 있다.
예시된 후면판(6020)은 도 58의 충전재(5860)와 유사한 충전재(6060)를 포함한다. 상기 충전재(6060)는 반사층(6021)이 상부에 형성되어 있는 후면판(6020) 상에 충전재 재료를 블랭킷 증착하고, 이어서 충전재 재료의 상부면을 평탄화함으로써 형성될 수 있다. 이어서, 충전재(6060)를 지닌 후면판(6020)이 광학적 적층부(6014)가 상부에 형성되어 있는 전면 기판(6010)에 부착됨으로써, 정적 간섭계 표시장치를 형성할 수 있다. 정적 간섭계 표시장치(6000)의 평면도는 도 59를 참조하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다.
4. 연속적인 깊이의
공동부를
지닌 정적 간섭계 표시장치
도 61은 다른 실시형태에 따른 정적 간섭계 표시장치(6100)를 나타내고 있다. 상기 정적 간섭계 표시장치(6100)는 전면 기판(6110)과 후면판(6120)을 포함한다. 전면 기판(6110)의 구성은, 도 61의 전면 기판(6110)이 이산적이라기 보다오히려 연속적이거나 원활하게 변천하고 있는 깊이를 지닌 공동부를 포함하는 점을 제외하고, 도 58의 전면 기판(5810)의 구성에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 구성일 수 있다. 전면 기판(6110)은 또한 도 58의 충전재(5860)와 유사한 충전재(6160)를 포함한다. 후면판 6120의 구성은 도 58의 후면판(5820)의 구성에 대해서 위에서 설명한 바와 같은 구성일 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 후면판은 연속적이거나 원활하게 변천하고 있는 깊이를 지닌 공동부를 지닐 수 있는 한편 전면 기판은 실질적으로 평탄하다. 당업자라면 전면 기판과 후면판의 다른 각종 조합도 가능하다는 것을 인식할 것이다.
전술한 실시형태의 일부에 있어서, 전면 기판 및/또는 캐리어(영구적 혹은 제거가능)가 정형화되고, 그 위에 불연속적인 증착이 수행된다. 이 방법은 값비싼 마스킹 단계를 회피하므로, 제조 비용을 저감시킨다. 또한, 후면 캐리어 상에 형성된 스페이서, 지지부, 정지 기둥부는 각각 보다 적은 간극으로 더욱 양호한 균일성 및 신뢰성, 그리고, 보다 적은 압력 변동 및 수분 민감성에 이르게 한다.
상기 실시형태는, 간섭계 변조기 표시장치에 대해서 설명되어 있지만, 다른 MEMS 장치, 특히 상대 이동 가능한 전극을 구비한 정전 MEMS에도 더욱 전반적으로 적용가능하다.
이상의 상세한 설명이 다양한 실시예에 적용되는 본 발명의 새로운 특징들을 도시하고, 묘사하며, 지적하고 있지만, 예시된 장치 또는 방법의 형태나 상세한 설명에 있어서 다양한 생략, 대체 및 변화들이 본 발명의 정신으로부터 벗어나는 일 없이 당업자에 의해 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 또, 인식하고 있는 바와 같이, 몇몇 특징들은 다른 것들과 분리되어 사용되거나 실행될 수도 있으므로, 본 발명은 여기에서 설명된 모든 특징들과 장점들을 제공하지 않는 형태 내에서 구현될 수도 있다.
Claims (193)
- MEMS(microelectromechanical system: 마이크로전자기계 시스템) 장치의 제조방법으로서,투명한 기판과 해당 투명한 기판 위에 형성된 적어도 부분적으로 투명한 전극을 포함하는 투명 전극 조립체를 제공하는 단계;미러 전극(mirror electrode)이 상부에 형성된 캐리어(carrier)를 제공하는 단계; 및상기 미러 전극이 상기 적어도 부분적으로 투명한 전극과 대면하여 이들 미러 전극과 투명한 전극 사이에 공동부(cavity)를 형성하도록 상기 미러 전극을 지닌 상기 캐리어를 제공한 후 해당 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계를 포함하되,상기 투명 전극 조립체를 제공하는 단계는 상기 투명한 기판 상에 상기 공동부를 규정하는 지지부를 제공하는 단계; 및 상기 공동부 내에 적어도 부분적으로 투명한 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계는 상기 지지부가 상기 적어도 부분적으로 투명한 전극으로부터 상기 미러 전극을 분리시키도록 상기 캐리어에 상기 투명한 기판을 부착시키는 단계를 포함하는 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 MEMS 장치는 간섭계 변조기(interferometric modulator)이고, 상기 공동부는 광을 간섭계측적으로(interferometrically) 변조하도록 구성된 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 부분적으로 투명한 전극과 상기 미러 전극은 가변 크기의 공동부를 규정하도록 상대 이동가능하게 구성되어 있는 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 미러 전극은 상기 공동부 내에 편향 가능한 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계는 상기 MEMS 장치용의 정지 전극으로서 역할하는 적어도 부분적으로 투명한 전극을 제공하는 단계를 포함하는 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계는, 상기 미러 전극이 상기 지지부에 의해 지지되도록, 그리고 상기 미러 전극이 상기 지지부 위에 제1부분을 포함하도록 상기 투명 전극 조립체에 대항하여 상기 캐리어를 가압하는 단계를 포함하고, 상기 제1부분은 제1두께를 지니며, 상기 제1부분에 이웃하고 있는 제2부분은 상기 지지부 위에 놓이지 않고, 해당 제2부분은 제2두께를 지니는 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제2두께는 상기 제1두께보다 두꺼운 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계는 상기 투명 전극 조립체의 상기 지지부에 상기 미러 전극의 제1부분을 접합시키는 단계를 포함하는 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- MEMS(microelectromechanical system: 마이크로전자기계 시스템) 장치의 제조방법으로서,투명한 기판과 해당 투명한 기판 위에 형성된 적어도 부분적으로 투명한 전극을 포함하는 투명 전극 조립체를 제공하는 단계;미러 전극(mirror electrode)이 상부에 형성된 캐리어(carrier)를 제공하는 단계; 및상기 미러 전극이 상기 적어도 부분적으로 투명한 전극과 대면하여 이들 미러 전극과 투명한 전극 사이에 공동부(cavity)를 형성하도록 상기 미러 전극을 지닌 상기 캐리어를 제공한 후 해당 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계를 포함하되,상기 투명 전극 조립체를 제공하는 단계는 바닥면을 포함하도록 상기 공동부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계는 상기 투명 전극 조립체의 상기 공동부에 대면하는 표면을 포함하도록 상기 캐리어를 배향시키는 단계를 포함하며, 상기 표면은 상기 투명 전극 조립체로부터 가장 먼 대면하는 표면이고, 상기 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계는 상기 공동부의 바닥면과 상기 캐리어의 가장 먼 대향면 간의 거리가 6,500 Å 내지 20㎛가 되도록 상기 캐리어에 상기 투명 전극 조립체를 부착시키는 단계를 포함하는 것인, MEMS 장치의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 전면 기판의 표면 상에 공동부를 규정하는 복수개의 지지부를 포함하는 해당 전면 기판;상기 전면 기판에 대향하고 있는 제2기판; 및상기 지지부의 상부에 지지된 복수개의 이동식 전극을 포함하되,상기 이동식 전극의 각각은상기 지지부 위에 놓여, 제1두께를 지닌, 상기 이동식 전극의 제1부분; 및상기 제1부분에 이웃하고 상기 제1부분 사이에 뻗어 있어 있지만 상기 지지부 위에 놓여 있지 않으며, 제2두께를 지니는, 상기 이동식 전극의 제2부분을 포함하되,상기 이동식 전극의 제1부분은 상기 제2기판과 상기 전면 기판의 지지부 사에 개재되어 해당 제2기판과 상기 전면 기판의 지지부의 양쪽 모두와 접촉하는 것인, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 지지부는 상기 전면 기판과 동일한 재료로 일체적으로 형성되어 있는 것인 MEMS 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 지지부는 상기 전면 기판과는 다른 재료로 형성되어 있는 것인 MEMS 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 MEMS 장치는 간섭계 변조기를 포함하고, 상기 전면 기판은 실질적으로 투명한 재료로 형성되어 있는 것인 MEMS 장치.
- 제21항에 있어서, 상기 공동부 내에 형성된 제1의 복수개의 광학적 적층부(optical stack); 및상기 지지부와 상기 이동식 전극의 제1부분 사이에 개재된 제2의 복수개의 광학적 적층부를 추가로 포함하는 MEMS 장치.
- 제22항에 있어서, 상기 제1의 복수개의 광학적 적층부는 상기 제2의 복수개의 광학적 적층부의 두께와 실질적으로 동일한 두께를 지니는 것인 MEMS 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 전면 기판 위에 형성된 실질적으로 투명한 전극을 복수개 추가로 포함하되, 상기 투명한 전극과 상기 이동식 전극은 표시 영역 내에 화소의 어레이를 규정하며, 상기 이동식 전극은 서로 팽행하게 뻗어 있는 전도성 스트립을 포함하고, 각 전도성 스트립은 상기 어레이의 하나의 열 내에 다수의 화소를 규정하도록 상기 표시 영역을 가로질러 뻗어 있는 길이를 지니는 것인 MEMS 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 복수개의 지지부는 상기 이동식 전극과 실질적으로 수직인 방향에서 횡방향으로 뻗어 있는 레일을 포함하는 것인 MEMS 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 제2기판은 복수개의 레일을 포함하며, 상기 제2기판의 각 레일은 상기 전면 기판의 공동부와 대면하는 표면을 지니되, 상기 제2기판의 레일들은 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있으며, 상기 복수개의 이동식 전극의 각각은 상기 전면 기판과 상기 제2기판의 레일들 중 하나 사이에 개재되어 있는 것인 MEMS 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 이동식 전극의 각각의 제1부분은 상기 전면 기판의 지지부에 접합되어 있는 것인 MEMS 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 제2두께는 상기 제1두께보다 두꺼운 것인 MEMS 장치.
- 전면 기판 상에 공동부를 규정하는 복수개의 지지부를 포함하는 해당 전면 기판;상기 전면 기판과 실질적으로 대향하여 해당 전면 기판 위에 놓여 있는 동시에, 상기 전면 기판의 공동부와 대면하는 표면을 지니는 후면판; 및상기 지지부와 상기 후면판의 상기 표면 사이에 개재되어, 각각 다수의 MEMS 장치용의 이동 전극으로서 역할하는 복수개의 기계적 스트립(mechanical strips)을 포함하되,상기 공동부는 각각 바닥면을 지니고, 상기 후면판의 상기 표면은 상기 전면 기판으로부터 가장 멀리 떨어져 있으며,상기 공동부 중 하나의 바닥면과 상기 후면판의 가장 멀리 떨어져 있는 표면과의 거리는 6,500 Å 내지 20 ㎛인 것인, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치의 어레이.
- 제29항에 있어서, 상기 후면판은 실질적으로 평탄한 것인 MEMS 장치의 어레이.
- 제29항에 있어서, 상기 후면판은 해당 후면판 내에 형성된 홈부를 포함하고, 해당 홈부는 상기 전면 기판의 공동부와 대면하는 오목면을 포함하며, 상기 가장 멀리 떨어져 있는 표면은 상기 오목면 중 하나이고, 상기 후면판은 상기 전면 기판을 향하여 해당 후면판으로부터 뻗어 있는 복수개의 후면 지지부(back supprots)를 포함하며, 해당 후면 지지부들은 그 사이에 홈부를 규정하고 있는 것인, MEMS 장치의 어레이.
- 제31항에 있어서, 상기 복수개의 후면 지지부는 서로 실질적으로 평행하게 뻗어 있는 레일을 포함하며, 해당 레일은 복수개의 홈부를 규정하고, 상기 장치는 해당 복수개의 홈부 내에 과잉의(excess) 기계적 재료를 추가로 포함하는 것인, MEMS 장치의 어레이.
- 제29항에 있어서, 상기 MEMS 장치는 간섭계 변조기를 포함하는 것인, MEMS 장치의 어레이.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US91760907P | 2007-05-11 | 2007-05-11 | |
| US60/917,609 | 2007-05-11 | ||
| US11/863,079 US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2007-09-27 | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
| US11/863,079 | 2007-09-27 | ||
| PCT/US2008/061812 WO2008140926A2 (en) | 2007-05-11 | 2008-04-28 | Mems structures, methods of fabricating mems components on separate substrates and assembly of same |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107000152A Division KR101163670B1 (ko) | 2007-05-11 | 2008-04-28 | 정적 간섭계 표시장치의 제조방법 및 그 방법에 의해 형성된 장치 |
| KR1020107000150A Division KR20100028627A (ko) | 2007-05-11 | 2008-04-28 | 기판들 사이에 스페이서를 구비한 ｍｅｍｓ의 제조방법 및 그 방법에 의해 형성된 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100033963A KR20100033963A (ko) | 2010-03-31 |
| KR101163669B1 true KR101163669B1 (ko) | 2012-07-06 |
Family
ID=39555884
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107000152A KR101163670B1 (ko) | 2007-05-11 | 2008-04-28 | 정적 간섭계 표시장치의 제조방법 및 그 방법에 의해 형성된 장치 |
| KR1020107000150A KR20100028627A (ko) | 2007-05-11 | 2008-04-28 | 기판들 사이에 스페이서를 구비한 ｍｅｍｓ의 제조방법 및 그 방법에 의해 형성된 장치 |
| KR1020097025851A KR101163669B1 (ko) | 2007-05-11 | 2008-04-28 | 적층에 의한 ｍｅｍｓ의 제조방법 및 이 방법에 의해 형성된 장치 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107000152A KR101163670B1 (ko) | 2007-05-11 | 2008-04-28 | 정적 간섭계 표시장치의 제조방법 및 그 방법에 의해 형성된 장치 |
| KR1020107000150A KR20100028627A (ko) | 2007-05-11 | 2008-04-28 | 기판들 사이에 스페이서를 구비한 ｍｅｍｓ의 제조방법 및 그 방법에 의해 형성된 장치 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7719752B2 (ko) |
| EP (8) | EP1998211A3 (ko) |
| JP (5) | JP2010527461A (ko) |
| KR (3) | KR101163670B1 (ko) |
| CN (2) | CN101681017A (ko) |
| TW (1) | TW200900731A (ko) |
| WO (1) | WO2008140926A2 (ko) |
Families Citing this family (93)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8619378B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-12-31 | DigitalOptics Corporation MEMS | Rotational comb drive Z-stage |
| US8768157B2 (en) | 2011-09-28 | 2014-07-01 | DigitalOptics Corporation MEMS | Multiple degree of freedom actuator |
| US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
| US8068268B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
| US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
| WO2009052326A2 (en) | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display with integrated photovoltaics |
| US20090152743A1 (en) * | 2007-12-15 | 2009-06-18 | Houssam Jomaa | Routing layer for a microelectronic device, microelectronic package containing same, and method of forming a multi-thickness conductor in same for a microelectronic device |
| CN101897033B (zh) | 2007-12-17 | 2012-11-14 | 高通Mems科技公司 | 具有干涉式背面掩模的光伏装置及其制造方法 |
| US7863079B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device |
| FR2928147B1 (fr) * | 2008-02-29 | 2011-04-01 | Saint Gobain | Substrat texture muni d'un empilement a proprietes thermiques |
| US7943202B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and methods for providing a static interferometric display device |
| US7851239B2 (en) * | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
| US7855826B2 (en) * | 2008-08-12 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices |
| FR2939910B1 (fr) * | 2008-12-15 | 2011-04-01 | Essilor Int | Element optique transparent comprenant un ensemble de cellules |
| US20150268461A1 (en) * | 2008-12-16 | 2015-09-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Applications of contact-transfer printed membranes |
| US20140091409A1 (en) * | 2008-12-16 | 2014-04-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Applications of contact-transfer printed membranes |
| JP5798709B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2015-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター及びそれを備えた光モジュール |
| US8270056B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
| US7864403B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
| US9090456B2 (en) * | 2009-11-16 | 2015-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of manufacturing an electromechanical device by printing raised conductive contours |
| US8547626B2 (en) * | 2010-03-25 | 2013-10-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of shaping the same |
| WO2011126953A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same |
| JP6132762B2 (ja) | 2010-04-16 | 2017-05-24 | フレックス ライティング ２，エルエルシー | フィルムベースのライトガイドを備える前面照射デバイス |
| CA2796519A1 (en) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Flex Lighting Ii, Llc | Illumination device comprising a film-based lightguide |
| JP5557920B2 (ja) | 2010-09-03 | 2014-07-23 | 本田技研工業株式会社 | 充電制御装置及び充電システム |
| KR101167411B1 (ko) * | 2010-09-08 | 2012-07-19 | 삼성전기주식회사 | 정전용량식 터치스크린 |
| US20120081348A1 (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for eliminating row or column routing on array periphery |
| US8636911B2 (en) | 2010-10-07 | 2014-01-28 | Magic Technologies, Inc. | Process for MEMS scanning mirror with mass remove from mirror backside |
| KR20120047599A (ko) * | 2010-11-04 | 2012-05-14 | 삼성전자주식회사 | 초음파 트랜스듀서의 셀, 채널 및 상기 채널을 포함하는 초음파 트랜스듀서 |
| US8608393B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-12-17 | DigitalOptics Corporation MEMS | Capillary actuator deployment |
| US9052567B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-06-09 | DigitalOptics Corporation MEMS | Actuator inside of motion control |
| US8884381B2 (en) | 2010-11-15 | 2014-11-11 | DigitalOptics Corporation MEMS | Guard trench |
| US8547627B2 (en) * | 2010-11-15 | 2013-10-01 | DigitalOptics Corporation MEMS | Electrical routing |
| US8941192B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-01-27 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS actuator device deployment |
| US9352962B2 (en) | 2010-11-15 | 2016-05-31 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS isolation structures |
| US9019390B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-04-28 | DigitalOptics Corporation MEMS | Optical image stabilization using tangentially actuated MEMS devices |
| US8337103B2 (en) | 2010-11-15 | 2012-12-25 | DigitalOptics Corporation MEMS | Long hinge actuator snubbing |
| US9061883B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-06-23 | DigitalOptics Corporation MEMS | Actuator motion control features |
| US8521017B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-08-27 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS actuator alignment |
| US8637961B2 (en) | 2010-11-15 | 2014-01-28 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS actuator device |
| US8947797B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-02-03 | DigitalOptics Corporation MEMS | Miniature MEMS actuator assemblies |
| US9515579B2 (en) | 2010-11-15 | 2016-12-06 | Digitaloptics Corporation | MEMS electrical contact systems and methods |
| US8604663B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-12-10 | DigitalOptics Corporation MEMS | Motion controlled actuator |
| US8803256B2 (en) | 2010-11-15 | 2014-08-12 | DigitalOptics Corporation MEMS | Linearly deployed actuators |
| US8605375B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-12-10 | DigitalOptics Corporation MEMS | Mounting flexure contacts |
| JP5599065B2 (ja) | 2010-12-27 | 2014-10-01 | キヤノン株式会社 | ズームレンズ及びそれを有する撮像装置 |
| US8988440B2 (en) * | 2011-03-15 | 2015-03-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Inactive dummy pixels |
| US20120249519A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dummy pixels made inactive |
| US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
| US20120288683A1 (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Chin-Te Kuo | Protuberant structure and method for making the same |
| US9809445B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-11-07 | Qualcomm Incorporated | Electromechanical system structures with ribs having gaps |
| US8742570B2 (en) * | 2011-09-09 | 2014-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backplate interconnect with integrated passives |
| US8855476B2 (en) | 2011-09-28 | 2014-10-07 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS-based optical image stabilization |
| US8616791B2 (en) | 2011-09-28 | 2013-12-31 | DigitalOptics Corporation MEMS | Rotationally deployed actuator devices |
| ITTO20110875A1 (it) * | 2011-09-30 | 2013-03-31 | Stmicroelectronics Malta Ltd | Metodo per il test in striscia di dispositivi mems, striscia di test di dispositivi mems e relativo dispositivo mems |
| US20130083038A1 (en) * | 2011-10-03 | 2013-04-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of creating spacers by self-assembly |
| US20130113810A1 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Sidewall spacers along conductive lines |
| KR101274505B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2013-06-13 | 한국생산기술연구원 | 마이크로 간극의 투명 챔버 및 그 제조 방법 |
| US20130181893A1 (en) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrostatically transduced sensors composed of photochemically etched glass |
| US8803861B2 (en) * | 2012-02-23 | 2014-08-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical systems device |
| US9305497B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems, devices, and methods for driving an analog interferometric modulator |
| US9181086B1 (en) | 2012-10-01 | 2015-11-10 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof |
| US9437440B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-09-06 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US20140175909A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Pixtronix, Inc. | Systems and Methods for Supporting a Movable Element of an Electromechanical Device |
| US20140225904A1 (en) * | 2013-02-13 | 2014-08-14 | Pixtronix, Inc. | Shutter assemblies fabricated on multi-height molds |
| CN104424863B (zh) * | 2013-08-21 | 2017-09-01 | 联想(北京)有限公司 | 一种显示器 |
| US9695515B2 (en) * | 2013-08-30 | 2017-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate etch |
| CN103730720B (zh) * | 2013-12-20 | 2016-04-13 | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 | 一种在有遮挡结构的天线载体表面制作天线线路的方法 |
| JP6547272B2 (ja) | 2014-10-16 | 2019-07-24 | ヤマハ株式会社 | 電気音響変換器 |
| US10170445B2 (en) * | 2015-05-26 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for electrical coupling and electric coupling arrangement |
| DE102015213473A1 (de) * | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Robert Bosch Gmbh | Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Fensterstruktur und entsprechende mikromechanische Fensterstruktur |
| TWI605557B (zh) * | 2015-12-31 | 2017-11-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法與基板結構 |
| DE102016107461A1 (de) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Eto Magnetic Gmbh | Aktorvorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Aktorvorrichtung |
| US10555088B2 (en) * | 2016-11-18 | 2020-02-04 | Akustica, Inc. | MEMS microphone system having an electrode assembly |
| DE102017111642A1 (de) * | 2017-05-29 | 2017-08-10 | Eto Magnetic Gmbh | Kleingerätevorrichtung |
| US10777496B2 (en) | 2017-10-06 | 2020-09-15 | International Business Machines Corporation | Chip packages with sintered interconnects formed out of pads |
| US11385108B2 (en) * | 2017-11-02 | 2022-07-12 | Nextinput, Inc. | Sealed force sensor with etch stop layer |
| DE102018200371A1 (de) * | 2018-01-11 | 2019-07-11 | Robert Bosch Gmbh | Interposersubstrat, MEMS-Vorrichtung sowie entsprechendes Herstellungsverfahren |
| CN112384846A (zh) * | 2018-05-11 | 2021-02-19 | 洛克利光子有限公司 | 光电装置 |
| DE102018211548A1 (de) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | Robert Bosch Gmbh | Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Vorrichtung mit geneigten optischen Fenstern und mikromechanische Vorrichtung mit geneigten optischen Fenstern |
| WO2020096638A1 (en) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | VerLASE TECHNOLOGIES LLC | Holding chucks having compartmentalized holding cavities and uses for such holding chucks |
| CN110136625A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| US11356082B2 (en) | 2019-12-12 | 2022-06-07 | Texas Instruments Incorporated | Folded ramp generator |
| US20210214212A1 (en) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | Texas Instruments Incorporated | Microelectromechanical system (mems) device with backside pinhole release and re-seal |
| CN115104043B (zh) * | 2020-03-11 | 2023-12-29 | 莱博创新公司 | 无线通信信号可穿透的节能窗镀膜及其制造方法 |
| US11901473B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-02-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermophotovoltaic cells with integrated air-bridge for improved efficiency |
| CN113075165B (zh) * | 2021-03-18 | 2022-10-18 | 重庆理工大学 | 一种u形湿敏光纤传感器及制作方法 |
| JP2022148476A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光フィルタ、分光センサ、及び、光フィルタの製造方法 |
| CN113551782B (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-28 | 西安中科立德红外科技有限公司 | 与半导体集成电路cmos工艺兼容的芯片结构及其制备方法 |
| DE102022209935A1 (de) * | 2022-09-21 | 2024-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur stressreduzierten Lagerung von MEMS-basierten Mikrospiegeln |
| CN115334429B (zh) * | 2022-10-13 | 2022-12-20 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 麦克风组件及电子设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006023606A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ及びその製造方法、並びに検出装置 |
Family Cites Families (826)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2534846A (en) | 1946-06-20 | 1950-12-19 | Emi Ltd | Color filter |
| DE1288651B (de) | 1963-06-28 | 1969-02-06 | Siemens Ag | Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung |
| US3616312A (en) | 1966-04-15 | 1971-10-26 | Ionics | Hydrazine manufacture |
| FR1603131A (ko) | 1968-07-05 | 1971-03-22 | ||
| US3813265A (en) | 1970-02-16 | 1974-05-28 | A Marks | Electro-optical dipolar material |
| US3653741A (en) | 1970-02-16 | 1972-04-04 | Alvin M Marks | Electro-optical dipolar material |
| US3728030A (en) | 1970-06-22 | 1973-04-17 | Cary Instruments | Polarization interferometer |
| US3725868A (en) | 1970-10-19 | 1973-04-03 | Burroughs Corp | Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications |
| DE2336930A1 (de) | 1973-07-20 | 1975-02-06 | Battelle Institut E V | Infrarot-modulator (ii.) |
| US4099854A (en) | 1976-10-12 | 1978-07-11 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption |
| US4196396A (en) | 1976-10-15 | 1980-04-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback |
| US4389096A (en) | 1977-12-27 | 1983-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image display apparatus of liquid crystal valve projection type |
| US4663083A (en) | 1978-05-26 | 1987-05-05 | Marks Alvin M | Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics |
| US4445050A (en) | 1981-12-15 | 1984-04-24 | Marks Alvin M | Device for conversion of light power to electric power |
| US4190488A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-26 | International Business Machines Corporation | Etching method using noble gas halides |
| US4228437A (en) | 1979-06-26 | 1980-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror |
| NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1981-10-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| DE3012253A1 (de) | 1980-03-28 | 1981-10-15 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung |
| US4377324A (en) | 1980-08-04 | 1983-03-22 | Honeywell Inc. | Graded index Fabry-Perot optical filter device |
| US4441791A (en) | 1980-09-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror light modulator |
| FR2506026A1 (fr) | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Radant Etudes | Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence |
| US4592628A (en) | 1981-07-01 | 1986-06-03 | International Business Machines | Mirror array light valve |
| NL8103377A (nl) | 1981-07-16 | 1983-02-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| US4571603A (en) | 1981-11-03 | 1986-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror electrostatic printer |
| NL8200354A (nl) | 1982-02-01 | 1983-09-01 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
| US4500171A (en) | 1982-06-02 | 1985-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Process for plastic LCD fill hole sealing |
| US4482213A (en) | 1982-11-23 | 1984-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs |
| US4498953A (en) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
| US5633652A (en) | 1984-02-17 | 1997-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for driving optical modulation device |
| US4863245A (en) | 1984-02-28 | 1989-09-05 | Exxon Research And Engineering Company | Superlattice electrooptic devices |
| US4551197A (en) | 1984-07-26 | 1985-11-05 | Guilmette Joseph G | Method and apparatus for the recovery and recycling of condensable gas reactants |
| DE3427986A1 (de) | 1984-07-28 | 1986-01-30 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh, 7730 Villingen-Schwenningen | Schaltungsanordnung zur ansteuerung von fluessigkristall-anzeigen |
| US4566935A (en) | 1984-07-31 | 1986-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US4710732A (en) | 1984-07-31 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US5061049A (en) | 1984-08-31 | 1991-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US5096279A (en) | 1984-08-31 | 1992-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US4596992A (en) | 1984-08-31 | 1986-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Linear spatial light modulator and printer |
| US4662746A (en) | 1985-10-30 | 1987-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US4560435A (en) | 1984-10-01 | 1985-12-24 | International Business Machines Corporation | Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization |
| US4615595A (en) | 1984-10-10 | 1986-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Frame addressed spatial light modulator |
| US4617608A (en) | 1984-12-28 | 1986-10-14 | At&T Bell Laboratories | Variable gap device and method of manufacture |
| US4655554A (en) | 1985-03-06 | 1987-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor |
| US5172262A (en) | 1985-10-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US4859060A (en) | 1985-11-26 | 1989-08-22 | 501 Sharp Kabushiki Kaisha | Variable interferometric device and a process for the production of the same |
| US4663181A (en) | 1986-02-24 | 1987-05-05 | Conoco Inc. | Method for applying protective coatings |
| US5835255A (en) | 1986-04-23 | 1998-11-10 | Etalon, Inc. | Visible spectrum modulator arrays |
| GB8610129D0 (en) | 1986-04-25 | 1986-05-29 | Secr Defence | Electro-optical device |
| US4852516A (en) | 1986-05-19 | 1989-08-01 | Machine Technology, Inc. | Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers |
| US4748366A (en) | 1986-09-02 | 1988-05-31 | Taylor George W | Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects |
| US4786128A (en) | 1986-12-02 | 1988-11-22 | Quantum Diagnostics, Ltd. | Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction |
| NL8701138A (nl) | 1987-05-13 | 1988-12-01 | Philips Nv | Electroscopische beeldweergeefinrichting. |
| DE3716485C1 (de) | 1987-05-16 | 1988-11-24 | Heraeus Gmbh W C | Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe |
| US4900136A (en) | 1987-08-11 | 1990-02-13 | North American Philips Corporation | Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel |
| DE3735449A1 (de) | 1987-10-20 | 1989-05-03 | Convac Gmbh | Fertigungssystem fuer halbleitersubstrate |
| US4956619A (en) | 1988-02-19 | 1990-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
| JPH0242761A (ja) | 1988-04-20 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| US4880493A (en) | 1988-06-16 | 1989-11-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electronic-carrier-controlled photochemical etching process in semiconductor device fabrication |
| US4856863A (en) | 1988-06-22 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Optical fiber interconnection network including spatial light modulator |
| US5028939A (en) | 1988-08-23 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator system |
| US4855544A (en) * | 1988-09-01 | 1989-08-08 | Honeywell Inc. | Multiple level miniature electromechanical accelerometer switch |
| US4925259A (en) | 1988-10-20 | 1990-05-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Multilayer optical dielectric coating |
| JP2700903B2 (ja) | 1988-09-30 | 1998-01-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US4982184A (en) | 1989-01-03 | 1991-01-01 | General Electric Company | Electrocrystallochromic display and element |
| US5162787A (en) | 1989-02-27 | 1992-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface |
| US5170156A (en) | 1989-02-27 | 1992-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Multi-frequency two dimensional display system |
| US5206629A (en) | 1989-02-27 | 1993-04-27 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and memory for digitized video display |
| US5192946A (en) | 1989-02-27 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Digitized color video display system |
| US5287096A (en) | 1989-02-27 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Variable luminosity display system |
| KR100202246B1 (ko) | 1989-02-27 | 1999-06-15 | 윌리엄 비. 켐플러 | 디지탈화 비디오 시스템을 위한 장치 및 방법 |
| US5446479A (en) | 1989-02-27 | 1995-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Multi-dimensional array video processor system |
| US5272473A (en) | 1989-02-27 | 1993-12-21 | Texas Instruments Incorporated | Reduced-speckle display system |
| US5214419A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Planarized true three dimensional display |
| US5214420A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator projection system with random polarity light |
| US5079544A (en) | 1989-02-27 | 1992-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Standard independent digitized video system |
| US5218472A (en) | 1989-03-22 | 1993-06-08 | Alcan International Limited | Optical interference structures incorporating porous films |
| US4900395A (en) | 1989-04-07 | 1990-02-13 | Fsi International, Inc. | HF gas etching of wafers in an acid processor |
| US5022745A (en) | 1989-09-07 | 1991-06-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror |
| US4954789A (en) | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
| US5381253A (en) | 1991-11-14 | 1995-01-10 | Board Of Regents Of University Of Colorado | Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation |
| JPH0818902B2 (ja) | 1989-11-02 | 1996-02-28 | シャープ株式会社 | 気相成長装置 |
| US5124834A (en) | 1989-11-16 | 1992-06-23 | General Electric Company | Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same |
| US5037173A (en) | 1989-11-22 | 1991-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Optical interconnection network |
| JP2910114B2 (ja) | 1990-01-20 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 電子機器 |
| US5500635A (en) | 1990-02-20 | 1996-03-19 | Mott; Jonathan C. | Products incorporating piezoelectric material |
| JP2867560B2 (ja) | 1990-03-02 | 1999-03-08 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイス |
| US5279990A (en) * | 1990-03-02 | 1994-01-18 | Motorola, Inc. | Method of making a small geometry contact using sidewall spacers |
| US5002631A (en) | 1990-03-09 | 1991-03-26 | At&T Bell Laboratories | Plasma etching apparatus and method |
| CH682523A5 (fr) | 1990-04-20 | 1993-09-30 | Suisse Electronique Microtech | Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel. |
| GB9012099D0 (en) | 1990-05-31 | 1990-07-18 | Kodak Ltd | Optical article for multicolour imaging |
| US5142405A (en) | 1990-06-29 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Bistable dmd addressing circuit and method |
| US5099353A (en) | 1990-06-29 | 1992-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
| US5018256A (en) | 1990-06-29 | 1991-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
| US5083857A (en) | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
| US5216537A (en) | 1990-06-29 | 1993-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
| DE69113150T2 (de) | 1990-06-29 | 1996-04-04 | Texas Instruments Inc | Deformierbare Spiegelvorrichtung mit aktualisiertem Raster. |
| US5153771A (en) | 1990-07-18 | 1992-10-06 | Northrop Corporation | Coherent light modulation and detector |
| US5526688A (en) | 1990-10-12 | 1996-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Digital flexure beam accelerometer and method |
| US5192395A (en) | 1990-10-12 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a digital flexure beam accelerometer |
| US5044736A (en) | 1990-11-06 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Configurable optical filter or display |
| US5602671A (en) | 1990-11-13 | 1997-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Low surface energy passivation layer for micromechanical devices |
| US5331454A (en) | 1990-11-13 | 1994-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Low reset voltage process for DMD |
| FR2669466B1 (fr) | 1990-11-16 | 1997-11-07 | Michel Haond | Procede de gravure de couches de circuit integre a profondeur fixee et circuit integre correspondant. |
| US5233459A (en) | 1991-03-06 | 1993-08-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Electric display device |
| US5136669A (en) | 1991-03-15 | 1992-08-04 | Sperry Marine Inc. | Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element |
| US5358806A (en) | 1991-03-19 | 1994-10-25 | Hitachi, Ltd. | Phase shift mask, method of correcting the same and apparatus for carrying out the method |
| CA2063744C (en) | 1991-04-01 | 2002-10-08 | Paul M. Urbanus | Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system |
| US5142414A (en) | 1991-04-22 | 1992-08-25 | Koehler Dale R | Electrically actuatable temporal tristimulus-color device |
| US5226099A (en) | 1991-04-26 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Digital micromirror shutter device |
| FR2679057B1 (fr) | 1991-07-11 | 1995-10-20 | Morin Francois | Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition. |
| US5179274A (en) | 1991-07-12 | 1993-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for controlling operation of optical systems and devices |
| US5287215A (en) | 1991-07-17 | 1994-02-15 | Optron Systems, Inc. | Membrane light modulation systems |
| US5168406A (en) | 1991-07-31 | 1992-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Color deformable mirror device and method for manufacture |
| US5240818A (en) | 1991-07-31 | 1993-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device |
| US5254980A (en) | 1991-09-06 | 1993-10-19 | Texas Instruments Incorporated | DMD display system controller |
| CH680534A5 (en) | 1991-09-16 | 1992-09-15 | Landis & Gyr Betriebs Ag | Fabry=perot sensor for optical parameter measurement - uses two opposing mirrors respectively attached to deflected measuring membrane and transparent plate |
| US5358601A (en) | 1991-09-24 | 1994-10-25 | Micron Technology, Inc. | Process for isotropically etching semiconductor devices |
| US5315370A (en) | 1991-10-23 | 1994-05-24 | Bulow Jeffrey A | Interferometric modulator for optical signal processing |
| US5563398A (en) | 1991-10-31 | 1996-10-08 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator scanning system |
| CA2083219C (en) | 1991-11-19 | 1999-01-05 | Hiroshi Nishimoto | Optical transmitter having optical modulator |
| CA2081753C (en) | 1991-11-22 | 2002-08-06 | Jeffrey B. Sampsell | Dmd scanner |
| CH681047A5 (en) | 1991-11-25 | 1992-12-31 | Landis & Gyr Betriebs Ag | Measuring parameter, esp. pressure difference, using Fabry-Perot detector - controlling optical length of detector according to output parameter to determine working point on graph |
| US5233385A (en) | 1991-12-18 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | White light enhanced color field sequential projection |
| US5233456A (en) | 1991-12-20 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Resonant mirror and method of manufacture |
| DE69226761T2 (de) | 1991-12-27 | 1999-01-14 | Fujitsu Ltd | Optische Wellenleiteranordnung mit reduzierter DC-Drift |
| US5228013A (en) | 1992-01-10 | 1993-07-13 | Bik Russell J | Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays |
| CA2087625C (en) | 1992-01-23 | 2006-12-12 | William E. Nelson | Non-systolic time delay and integration printing |
| US5296950A (en) | 1992-01-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Optical signal free-space conversion board |
| US5231532A (en) | 1992-02-05 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Switchable resonant filter for optical radiation |
| US5212582A (en) | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
| DE69310974T2 (de) | 1992-03-25 | 1997-11-06 | Texas Instruments Inc | Eingebautes optisches Eichsystem |
| US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
| US5401983A (en) | 1992-04-08 | 1995-03-28 | Georgia Tech Research Corporation | Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices |
| US5190637A (en) * | 1992-04-24 | 1993-03-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers |
| US5311360A (en) | 1992-04-28 | 1994-05-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for modulating a light beam |
| US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
| TW245772B (ko) | 1992-05-19 | 1995-04-21 | Akzo Nv | |
| JPH0651250A (ja) | 1992-05-20 | 1994-02-25 | Texas Instr Inc <Ti> | モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ |
| US5638084A (en) | 1992-05-22 | 1997-06-10 | Dielectric Systems International, Inc. | Lighting-independent color video display |
| JPH06214169A (ja) | 1992-06-08 | 1994-08-05 | Texas Instr Inc <Ti> | 制御可能な光学的周期的表面フィルタ |
| US5347377A (en) | 1992-06-17 | 1994-09-13 | Eastman Kodak Company | Planar waveguide liquid crystal variable retarder |
| DE69332407T2 (de) | 1992-06-17 | 2003-06-18 | Harris Corp | Herstellung von Halbleiteranordnungen auf SOI substraten |
| US6472794B1 (en) | 1992-07-10 | 2002-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microactuator |
| US5818095A (en) | 1992-08-11 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | High-yield spatial light modulator with light blocking layer |
| US5345328A (en) | 1992-08-12 | 1994-09-06 | Sandia Corporation | Tandem resonator reflectance modulator |
| US5293272A (en) | 1992-08-24 | 1994-03-08 | Physical Optics Corporation | High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating |
| US5737050A (en) | 1992-08-25 | 1998-04-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light valve having reduced reflected light, high brightness and high contrast |
| US5327286A (en) | 1992-08-31 | 1994-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Real time optical correlation system |
| US5325116A (en) | 1992-09-18 | 1994-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Device for writing to and reading from optical storage media |
| US5296775A (en) | 1992-09-24 | 1994-03-22 | International Business Machines Corporation | Cooling microfan arrangements and process |
| US5488505A (en) | 1992-10-01 | 1996-01-30 | Engle; Craig D. | Enhanced electrostatic shutter mosaic modulator |
| US5312512A (en) | 1992-10-23 | 1994-05-17 | Ncr Corporation | Global planarization using SOG and CMP |
| US5455876A (en) | 1992-10-23 | 1995-10-03 | General Microwave Israel Corporation | High-speed external integrated optical modulator |
| US5659374A (en) | 1992-10-23 | 1997-08-19 | Texas Instruments Incorporated | Method of repairing defective pixels |
| EP0610665B1 (en) | 1993-01-11 | 1997-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Pixel control circuitry for spatial light modulator |
| US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US5461411A (en) | 1993-03-29 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Process and architecture for digital micromirror printer |
| US5559358A (en) | 1993-05-25 | 1996-09-24 | Honeywell Inc. | Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom |
| JP3524122B2 (ja) | 1993-05-25 | 2004-05-10 | キヤノン株式会社 | 表示制御装置 |
| DE4317274A1 (de) | 1993-05-25 | 1994-12-01 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung oberflächen-mikromechanischer Strukturen |
| US6199874B1 (en) | 1993-05-26 | 2001-03-13 | Cornell Research Foundation Inc. | Microelectromechanical accelerometer for automotive applications |
| US6149190A (en) | 1993-05-26 | 2000-11-21 | Kionix, Inc. | Micromechanical accelerometer for automotive applications |
| US5324683A (en) | 1993-06-02 | 1994-06-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor structure having an air region |
| US5489952A (en) | 1993-07-14 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and device for multi-format television |
| US5673139A (en) | 1993-07-19 | 1997-09-30 | Medcom, Inc. | Microelectromechanical television scanning device and method for making the same |
| US5365283A (en) | 1993-07-19 | 1994-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Color phase control for projection display using spatial light modulator |
| US5526172A (en) | 1993-07-27 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same |
| US5374346A (en) | 1993-08-09 | 1994-12-20 | Rohm And Haas Company | Electroplating process and composition |
| US5581272A (en) | 1993-08-25 | 1996-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Signal generator for controlling a spatial light modulator |
| US5552925A (en) | 1993-09-07 | 1996-09-03 | John M. Baker | Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates |
| FR2710161B1 (fr) | 1993-09-13 | 1995-11-24 | Suisse Electronique Microtech | Réseau miniature d'obturateurs de lumière. |
| US5457493A (en) | 1993-09-15 | 1995-10-10 | Texas Instruments Incorporated | Digital micro-mirror based image simulation system |
| JP3399040B2 (ja) | 1993-09-20 | 2003-04-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| US5629790A (en) | 1993-10-18 | 1997-05-13 | Neukermans; Armand P. | Micromachined torsional scanner |
| US5497197A (en) | 1993-11-04 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | System and method for packaging data into video processor |
| US5526051A (en) | 1993-10-27 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Digital television system |
| US5459602A (en) | 1993-10-29 | 1995-10-17 | Texas Instruments | Micro-mechanical optical shutter |
| US5452024A (en) | 1993-11-01 | 1995-09-19 | Texas Instruments Incorporated | DMD display system |
| DE4498480C2 (de) | 1993-11-05 | 1998-06-04 | Mitsubishi Motors Corp | Gangänderungssteuerungsverfahren für ein Automatikgetriebe |
| US5517347A (en) | 1993-12-01 | 1996-05-14 | Texas Instruments Incorporated | Direct view deformable mirror device |
| CA2137059C (en) | 1993-12-03 | 2004-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Dmd architecture to improve horizontal resolution |
| US5583688A (en) | 1993-12-21 | 1996-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level digital micromirror device |
| US5448314A (en) | 1994-01-07 | 1995-09-05 | Texas Instruments | Method and apparatus for sequential color imaging |
| US5500761A (en) | 1994-01-27 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Micromechanical modulator |
| US5444566A (en) | 1994-03-07 | 1995-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Optimized electronic operation of digital micromirror devices |
| JPH07253594A (ja) | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
| US5526327A (en) | 1994-03-15 | 1996-06-11 | Cordova, Jr.; David J. | Spatial displacement time display |
| US5503952A (en) | 1994-03-22 | 1996-04-02 | Shinto Paint Co., Ltd. | Method for manufacture of color filter and liquid crystal display |
| US5665997A (en) | 1994-03-31 | 1997-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices |
| CN1065967C (zh) | 1994-05-04 | 2001-05-16 | 大宇电子株式会社 | 制造薄膜可驱动反射镜阵列的方法 |
| US6680792B2 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US7460291B2 (en) | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
| US7123216B1 (en) | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
| US6040937A (en) | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
| US20010003487A1 (en) | 1996-11-05 | 2001-06-14 | Mark W. Miles | Visible spectrum modulator arrays |
| US6710908B2 (en) | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
| US7550794B2 (en) | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
| US7297471B1 (en) | 2003-04-15 | 2007-11-20 | Idc, Llc | Method for manufacturing an array of interferometric modulators |
| US7776631B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and method of forming a MEMS device |
| EP0686934B1 (en) | 1994-05-17 | 2001-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Display device with pointer position detection |
| KR0135391B1 (ko) | 1994-05-28 | 1998-04-22 | 김광호 | 자기정렬된 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 제조방법 |
| JPH07331460A (ja) | 1994-06-02 | 1995-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ドライエッチング方法 |
| US5497172A (en) | 1994-06-13 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing |
| US5673106A (en) | 1994-06-17 | 1997-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Printing system with self-monitoring and adjustment |
| US5454906A (en) | 1994-06-21 | 1995-10-03 | Texas Instruments Inc. | Method of providing sacrificial spacer for micro-mechanical devices |
| US5499062A (en) | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Texas Instruments Incorporated | Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory |
| JPH0822024A (ja) | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス基板およびその製法 |
| US5636052A (en) | 1994-07-29 | 1997-06-03 | Lucent Technologies Inc. | Direct view display based on a micromechanical modulation |
| US5656554A (en) | 1994-07-29 | 1997-08-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip reclamation technique involving multiple planarization processes |
| US5485304A (en) | 1994-07-29 | 1996-01-16 | Texas Instruments, Inc. | Support posts for micro-mechanical devices |
| CN1157668A (zh) | 1994-09-02 | 1997-08-20 | 拉德·哈桑·达巴 | 反射式光阀调制器 |
| US5703710A (en) | 1994-09-09 | 1997-12-30 | Deacon Research | Method for manipulating optical energy using poled structure |
| US6053617A (en) | 1994-09-23 | 2000-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Manufacture method for micromechanical devices |
| US5619059A (en) | 1994-09-28 | 1997-04-08 | National Research Council Of Canada | Color deformable mirror device having optical thin film interference color coatings |
| US5526951A (en) | 1994-09-30 | 1996-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Fabrication method for digital micro-mirror devices using low temperature CVD |
| DE4437259C1 (de) | 1994-10-18 | 1995-10-19 | Siemens Ag | Mikromechanisches Relais |
| US5506929A (en) | 1994-10-19 | 1996-04-09 | Clio Technologies, Inc. | Light expanding system for producing a linear or planar light beam from a point-like light source |
| US6560018B1 (en) | 1994-10-27 | 2003-05-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Illumination system for transmissive light valve displays |
| JP3435850B2 (ja) | 1994-10-28 | 2003-08-11 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
| US5650881A (en) | 1994-11-02 | 1997-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Support post architecture for micromechanical devices |
| US5703728A (en) | 1994-11-02 | 1997-12-30 | Texas Instruments Incorporated | Support post architecture for micromechanical devices |
| FR2726960B1 (fr) | 1994-11-10 | 1996-12-13 | Thomson Csf | Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs |
| US5552924A (en) | 1994-11-14 | 1996-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device having an improved beam |
| US5474865A (en) | 1994-11-21 | 1995-12-12 | Sematech, Inc. | Globally planarized binary optical mask using buried absorbers |
| JPH08153700A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電性被膜の異方性エッチング方法 |
| US5610624A (en) | 1994-11-30 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect |
| US5726480A (en) | 1995-01-27 | 1998-03-10 | The Regents Of The University Of California | Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same |
| US5567334A (en) | 1995-02-27 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask |
| US5610438A (en) | 1995-03-08 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Micro-mechanical device with non-evaporable getter |
| US5636185A (en) | 1995-03-10 | 1997-06-03 | Boit Incorporated | Dynamically changing liquid crystal display timekeeping apparatus |
| US5535047A (en) | 1995-04-18 | 1996-07-09 | Texas Instruments Incorporated | Active yoke hidden hinge digital micromirror device |
| US5784190A (en) | 1995-04-27 | 1998-07-21 | John M. Baker | Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates |
| US5641391A (en) | 1995-05-15 | 1997-06-24 | Hunter; Ian W. | Three dimensional microfabrication by localized electrodeposition and etching |
| CA2176052A1 (en) | 1995-06-07 | 1996-12-08 | James D. Seefeldt | Transducer having a resonating silicon beam and method for forming same |
| US6849471B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| US6969635B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
| US5835256A (en) | 1995-06-19 | 1998-11-10 | Reflectivity, Inc. | Reflective spatial light modulator with encapsulated micro-mechanical elements |
| US6046840A (en) | 1995-06-19 | 2000-04-04 | Reflectivity, Inc. | Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements |
| US5578976A (en) | 1995-06-22 | 1996-11-26 | Rockwell International Corporation | Micro electromechanical RF switch |
| JP3489273B2 (ja) | 1995-06-27 | 2004-01-19 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
| JP3234854B2 (ja) | 1995-08-28 | 2001-12-04 | アルプス電気株式会社 | 多層膜フィルタ及びその製造方法 |
| US5739945A (en) | 1995-09-29 | 1998-04-14 | Tayebati; Parviz | Electrically tunable optical filter utilizing a deformable multi-layer mirror |
| US6324192B1 (en) | 1995-09-29 | 2001-11-27 | Coretek, Inc. | Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same |
| US5661591A (en) | 1995-09-29 | 1997-08-26 | Texas Instruments Incorporated | Optical switch having an analog beam for steering light |
| GB9522135D0 (en) | 1995-10-30 | 1996-01-03 | John Mcgavigan Holdings Limite | Display panels |
| US7907319B2 (en) | 1995-11-06 | 2011-03-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with optical compensation |
| US5740150A (en) | 1995-11-24 | 1998-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Galvanomirror and optical disk drive using the same |
| US5773088A (en) | 1995-12-05 | 1998-06-30 | Materials Research Group, Inc. | Treatment system including vacuum isolated sources and method |
| US5825528A (en) | 1995-12-26 | 1998-10-20 | Lucent Technologies Inc. | Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator |
| JP3799092B2 (ja) | 1995-12-29 | 2006-07-19 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 光変調装置及びディスプレイ装置 |
| US5771321A (en) | 1996-01-04 | 1998-06-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Micromechanical optical switch and flat panel display |
| US5638946A (en) | 1996-01-11 | 1997-06-17 | Northeastern University | Micromechanical switch with insulated switch contact |
| US5967163A (en) | 1996-01-30 | 1999-10-19 | Abbott Laboratories | Actuator and method |
| US5751469A (en) | 1996-02-01 | 1998-05-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for an improved micromechanical modulator |
| JPH09234672A (ja) | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Sony Corp | パウダービーム加工機におけるパウダーシール装置 |
| US6624944B1 (en) | 1996-03-29 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Fluorinated coating for an optical element |
| JPH09312267A (ja) | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製法およびその製造装置 |
| US5783864A (en) | 1996-06-05 | 1998-07-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multilevel interconnect structure of an integrated circuit having air gaps and pillars separating levels of interconnect |
| US6582921B2 (en) | 1996-07-29 | 2003-06-24 | Nanosphere, Inc. | Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses thereof |
| US5710656A (en) | 1996-07-30 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane |
| US5793504A (en) | 1996-08-07 | 1998-08-11 | Northrop Grumman Corporation | Hybrid angular/spatial holographic multiplexer |
| US5838484A (en) | 1996-08-19 | 1998-11-17 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic |
| US5912758A (en) | 1996-09-11 | 1999-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Bipolar reset for spatial light modulators |
| US5919548A (en) | 1996-10-11 | 1999-07-06 | Sandia Corporation | Chemical-mechanical polishing of recessed microelectromechanical devices |
| US5771116A (en) | 1996-10-21 | 1998-06-23 | Texas Instruments Incorporated | Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control |
| US6033919A (en) | 1996-10-25 | 2000-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming sidewall capacitance structure |
| DE19730715C1 (de) | 1996-11-12 | 1998-11-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Relais |
| US5683649A (en) | 1996-11-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | Method for the fabrication of micro-electromechanical ceramic parts |
| US7471444B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-12-30 | Idc, Llc | Interferometric modulation of radiation |
| US5844711A (en) * | 1997-01-10 | 1998-12-01 | Northrop Grumman Corporation | Tunable spatial light modulator |
| DE69820232T2 (de) | 1997-01-21 | 2004-09-16 | Georgia Tech Research Corp. | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit luftspalten für verbindungen mit ultraniedriger kapazität |
| US5786927A (en) | 1997-03-12 | 1998-07-28 | Lucent Technologies Inc. | Gas-damped micromechanical structure |
| JPH10260641A (ja) | 1997-03-17 | 1998-09-29 | Nec Corp | フラットパネル型表示装置用ドライバｉｃの実装構造 |
| US5768009A (en) | 1997-04-18 | 1998-06-16 | E-Beam | Light valve target comprising electrostatically-repelled micro-mirrors |
| US6104525A (en) | 1997-04-29 | 2000-08-15 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof |
| EP0877272B1 (en) | 1997-05-08 | 2002-07-31 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to spatial light modulators |
| GB9709659D0 (en) | 1997-05-13 | 1997-07-02 | Surface Tech Sys Ltd | Method and apparatus for etching a workpiece |
| US6480177B2 (en) | 1997-06-04 | 2002-11-12 | Texas Instruments Incorporated | Blocked stepped address voltage for micromechanical devices |
| US5896796A (en) | 1997-06-06 | 1999-04-27 | Chih; Chen-Keng | Device for punching holes in a bicycle rim |
| US5808780A (en) | 1997-06-09 | 1998-09-15 | Texas Instruments Incorporated | Non-contacting micromechanical optical switch |
| US5914803A (en) | 1997-07-01 | 1999-06-22 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| US5867302A (en) | 1997-08-07 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Bistable microelectromechanical actuator |
| US6031653A (en) | 1997-08-28 | 2000-02-29 | California Institute Of Technology | Low-cost thin-metal-film interference filters |
| US5978127A (en) | 1997-09-09 | 1999-11-02 | Zilog, Inc. | Light phase grating device |
| US5994174A (en) | 1997-09-29 | 1999-11-30 | The Regents Of The University Of California | Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors |
| US5822170A (en) | 1997-10-09 | 1998-10-13 | Honeywell Inc. | Hydrophobic coating for reducing humidity effect in electrostatic actuators |
| US6333556B1 (en) | 1997-10-09 | 2001-12-25 | Micron Technology, Inc. | Insulating materials |
| US5972193A (en) | 1997-10-10 | 1999-10-26 | Industrial Technology Research Institute | Method of manufacturing a planar coil using a transparency substrate |
| CN1283369A (zh) | 1997-10-31 | 2001-02-07 | 大宇电子株式会社 | 光学投影系统中的薄膜驱动的反光镜组的制造方法 |
| US6008123A (en) | 1997-11-04 | 1999-12-28 | Lucent Technologies Inc. | Method for using a hardmask to form an opening in a semiconductor substrate |
| CN1069972C (zh) | 1997-11-11 | 2001-08-22 | 李韫言 | 双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法 |
| US5945980A (en) | 1997-11-14 | 1999-08-31 | Logitech, Inc. | Touchpad with active plane for pen detection |
| US6028690A (en) | 1997-11-26 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio |
| US5920421A (en) | 1997-12-10 | 1999-07-06 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| US6180428B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-01-30 | Xerox Corporation | Monolithic scanning light emitting devices using micromachining |
| KR100253378B1 (ko) | 1997-12-15 | 2000-04-15 | 김영환 | 주문형반도체의외부표시장치 |
| US6438149B1 (en) | 1998-06-26 | 2002-08-20 | Coretek, Inc. | Microelectromechanically tunable, confocal, vertical cavity surface emitting laser and fabry-perot filter |
| EP0969306B1 (en) | 1998-01-20 | 2005-05-11 | Seiko Epson Corporation | Optical switching device and image display device |
| US6016693A (en) | 1998-02-09 | 2000-01-25 | The Regents Of The University Of California | Microfabrication of cantilevers using sacrificial templates |
| US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6340435B1 (en) | 1998-02-11 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated low K dielectrics and etch stops |
| US6610440B1 (en) | 1998-03-10 | 2003-08-26 | Bipolar Technologies, Inc | Microscopic batteries for MEMS systems |
| US6195196B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof |
| WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
| US6689211B1 (en) * | 1999-04-09 | 2004-02-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Etch stop layer system |
| EP0951068A1 (en) | 1998-04-17 | 1999-10-20 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity |
| US6097145A (en) | 1998-04-27 | 2000-08-01 | Copytele, Inc. | Aerogel-based phase transition flat panel display |
| US5943158A (en) | 1998-05-05 | 1999-08-24 | Lucent Technologies Inc. | Micro-mechanical, anti-reflection, switched optical modulator array and fabrication method |
| US6160833A (en) | 1998-05-06 | 2000-12-12 | Xerox Corporation | Blue vertical cavity surface emitting laser |
| US6473072B1 (en) | 1998-05-12 | 2002-10-29 | E Ink Corporation | Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications |
| US6166422A (en) | 1998-05-13 | 2000-12-26 | Lsi Logic Corporation | Inductor with cobalt/nickel core for integrated circuit structure with high inductance and high Q-factor |
| US6282010B1 (en) | 1998-05-14 | 2001-08-28 | Texas Instruments Incorporated | Anti-reflective coatings for spatial light modulators |
| US6046659A (en) * | 1998-05-15 | 2000-04-04 | Hughes Electronics Corporation | Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications |
| US6858080B2 (en) | 1998-05-15 | 2005-02-22 | Apollo Diamond, Inc. | Tunable CVD diamond structures |
| US6323982B1 (en) | 1998-05-22 | 2001-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Yield superstructure for digital micromirror device |
| US6147790A (en) | 1998-06-02 | 2000-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Spring-ring micromechanical device |
| US6136630A (en) | 1998-06-04 | 2000-10-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Method of making a micromechanical device from a single crystal semiconductor substrate and monolithic sensor formed thereby |
| KR100301803B1 (ko) | 1998-06-05 | 2001-09-22 | 김영환 | 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| US6430332B1 (en) | 1998-06-05 | 2002-08-06 | Fiber, Llc | Optical switching apparatus |
| WO1999064950A1 (fr) | 1998-06-08 | 1999-12-16 | Kaneka Corporation | Ecran tactile a film resistif pour afficheur a cristaux liquides et afficheur a cristaux liquides equipe dudit ecran tactile |
| US6496122B2 (en) | 1998-06-26 | 2002-12-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Image display and remote control system capable of displaying two distinct images |
| US6584126B2 (en) | 1998-06-26 | 2003-06-24 | Coretek, Inc. | Tunable Fabry-Perot filter and tunable vertical cavity surface emitting laser |
| KR100290895B1 (ko) | 1998-06-30 | 2001-07-12 | 김영환 | 반도체 소자의 커패시터 구조 및 이의 제조 방법 |
| US6395618B2 (en) | 1998-07-10 | 2002-05-28 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for manufacturing integrated structures including removing a sacrificial region |
| US6100477A (en) | 1998-07-17 | 2000-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Recessed etch RF micro-electro-mechanical switch |
| JP4214565B2 (ja) | 1998-07-22 | 2009-01-28 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
| US5976902A (en) | 1998-08-03 | 1999-11-02 | Industrial Technology Research Institute | Method of fabricating a fully self-aligned TFT-LCD |
| KR100281182B1 (ko) | 1998-08-10 | 2001-04-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 자기 정렬 콘택 형성 방법 |
| US5943155A (en) | 1998-08-12 | 1999-08-24 | Lucent Techonolgies Inc. | Mars optical modulators |
| US6057903A (en) | 1998-08-18 | 2000-05-02 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display device employing a guard plane between a layer for measuring touch position and common electrode layer |
| US6710539B2 (en) | 1998-09-02 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Field emission devices having structure for reduced emitter tip to gate spacing |
| US6113239A (en) | 1998-09-04 | 2000-09-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Projection display system for reflective light valves |
| DE19938072A1 (de) | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Siemens Ag | Verfahren zum selbstjustierenden Herstellen von zusätzlichen Strukturen auf Substraten mit vorhandenen ersten Strukturen |
| US6249039B1 (en) | 1998-09-10 | 2001-06-19 | Bourns, Inc. | Integrated inductive components and method of fabricating such components |
| JP4074714B2 (ja) | 1998-09-25 | 2008-04-09 | 富士フイルム株式会社 | アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法 |
| US6323834B1 (en) | 1998-10-08 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Micromechanical displays and fabrication method |
| DE19847455A1 (de) | 1998-10-15 | 2000-04-27 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Bearbeitung von Silizium mittels Ätzprozessen |
| JP3919954B2 (ja) | 1998-10-16 | 2007-05-30 | 富士フイルム株式会社 | アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法 |
| US6115326A (en) | 1998-10-22 | 2000-09-05 | Integrated Medical Systems, Inc. | Ultrasonic micro-machined selectable transducer array |
| US6171945B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
| US6288824B1 (en) | 1998-11-03 | 2001-09-11 | Alex Kastalsky | Display device based on grating electromechanical shutter |
| JP3362714B2 (ja) | 1998-11-16 | 2003-01-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
| KR100281241B1 (ko) | 1998-11-19 | 2001-06-01 | 하대규 | 파라데이 상자의 윗면의 격자면을 변화시켜 플라즈마 식각을하는 방법 |
| US6391675B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-05-21 | Raytheon Company | Method and apparatus for switching high frequency signals |
| KR100301050B1 (ko) | 1998-12-14 | 2002-06-20 | 윤종용 | 콘택을포함하는반도체장치의커패시터제조방법 |
| US6194323B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-02-27 | Lucent Technologies Inc. | Deep sub-micron metal etch with in-situ hard mask etch |
| US6335831B2 (en) | 1998-12-18 | 2002-01-01 | Eastman Kodak Company | Multilevel mechanical grating device |
| US6284560B1 (en) | 1998-12-18 | 2001-09-04 | Eastman Kodak Company | Method for producing co-planar surface structures |
| US6215221B1 (en) | 1998-12-29 | 2001-04-10 | Honeywell International Inc. | Electrostatic/pneumatic actuators for active surfaces |
| US6358021B1 (en) | 1998-12-29 | 2002-03-19 | Honeywell International Inc. | Electrostatic actuators for active surfaces |
| EP1173893A4 (en) | 1999-01-15 | 2007-08-01 | Univ California | POLYCRYSTALLINE SILICON GERMANIUM FILMS FOR THE MANUFACTURE OF MICROELECTROCHEMICAL SYSTEMS |
| JP2000214804A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子及び露光装置並びに平面表示装置 |
| WO2000045425A1 (en) | 1999-02-01 | 2000-08-03 | Tokyo Electron Limited | Etching system and etching chamber |
| US6537427B1 (en) | 1999-02-04 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Deposition of smooth aluminum films |
| JP4377984B2 (ja) | 1999-03-10 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタとその製造方法、該カラーフィルタを用いた液晶素子 |
| JP2000267140A (ja) | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| US6606175B1 (en) | 1999-03-16 | 2003-08-12 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Multi-segment light-emitting diode |
| US6218056B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Method of making highly defined bilayer lift-off mask |
| JP4787412B2 (ja) | 1999-03-30 | 2011-10-05 | シチズンホールディングス株式会社 | 薄膜基板の形成方法およびその方法によって形成された薄膜基板 |
| US6358854B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-03-19 | Sandia Corporation | Method to fabricate layered material compositions |
| US6446486B1 (en) | 1999-04-26 | 2002-09-10 | Sandia Corporation | Micromachine friction test apparatus |
| US6449084B1 (en) | 1999-05-10 | 2002-09-10 | Yanping Guo | Optical deflector |
| US6342452B1 (en) * | 1999-05-20 | 2002-01-29 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a Si3N4/polycide structure using a dielectric sacrificial layer as a mask |
| JP3592136B2 (ja) | 1999-06-04 | 2004-11-24 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法と微小電気機械装置の製造方法 |
| US6201633B1 (en) | 1999-06-07 | 2001-03-13 | Xerox Corporation | Micro-electromechanical based bistable color display sheets |
| US6359673B1 (en) | 1999-06-21 | 2002-03-19 | Eastman Kodak Company | Sheet having a layer with different light modulating materials |
| US6229683B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-05-08 | Mcnc | High voltage micromachined electrostatic switch |
| US6987590B2 (en) | 2003-09-18 | 2006-01-17 | Jds Uniphase Corporation | Patterned reflective optical structures |
| US20070195392A1 (en) | 1999-07-08 | 2007-08-23 | Jds Uniphase Corporation | Adhesive Chromagram And Method Of Forming Thereof |
| US6645884B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a silicon nitride layer on a substrate |
| US6862029B1 (en) | 1999-07-27 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Color display system |
| US6525310B2 (en) | 1999-08-05 | 2003-02-25 | Microvision, Inc. | Frequency tunable resonant scanner |
| US6674563B2 (en) | 2000-04-13 | 2004-01-06 | Lightconnect, Inc. | Method and apparatus for device linearization |
| US6394870B1 (en) | 1999-08-24 | 2002-05-28 | Eastman Kodak Company | Forming a display having conductive image areas over a light modulating layer |
| KR100307490B1 (ko) | 1999-08-31 | 2001-11-01 | 한신혁 | 반도체 장치의 기생 용량 감소 방법 |
| US6242707B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-06-05 | General Electric Company | Arc quenching current limiting device including ablative material |
| US6322712B1 (en) | 1999-09-01 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Buffer layer in flat panel display |
| KR100333482B1 (ko) | 1999-09-15 | 2002-04-25 | 오길록 | 초고속 반도체 광변조기 및 그 제조방법 |
| US6337027B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-01-08 | Rockwell Science Center, Llc | Microelectromechanical device manufacturing process |
| WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
| US6351329B1 (en) | 1999-10-08 | 2002-02-26 | Lucent Technologies Inc. | Optical attenuator |
| US6960305B2 (en) | 1999-10-26 | 2005-11-01 | Reflectivity, Inc | Methods for forming and releasing microelectromechanical structures |
| US6741383B2 (en) | 2000-08-11 | 2004-05-25 | Reflectivity, Inc. | Deflectable micromirrors with stopping mechanisms |
| US7041224B2 (en) | 1999-10-26 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc. | Method for vapor phase etching of silicon |
| US6949202B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-09-27 | Reflectivity, Inc | Apparatus and method for flow of process gas in an ultra-clean environment |
| US6549338B1 (en) | 1999-11-12 | 2003-04-15 | Texas Instruments Incorporated | Bandpass filter to reduce thermal impact of dichroic light shift |
| US6822304B1 (en) | 1999-11-12 | 2004-11-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Sputtered silicon for microstructures and microcavities |
| US8114245B2 (en) | 1999-11-26 | 2012-02-14 | Tadahiro Ohmi | Plasma etching device |
| US6552840B2 (en) | 1999-12-03 | 2003-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatic efficiency of micromechanical devices |
| DE19960094A1 (de) | 1999-12-14 | 2001-07-05 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur mikromechanischen Herstellung eines Halbleiterelements, insbesondere Beschleunigungssensors |
| US6674090B1 (en) | 1999-12-27 | 2004-01-06 | Xerox Corporation | Structure and method for planar lateral oxidation in active |
| US6545335B1 (en) | 1999-12-27 | 2003-04-08 | Xerox Corporation | Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits |
| US6548908B2 (en) | 1999-12-27 | 2003-04-15 | Xerox Corporation | Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices |
| US6466358B2 (en) | 1999-12-30 | 2002-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Analog pulse width modulation cell for digital micromechanical device |
| US6307663B1 (en) * | 2000-01-26 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Spatial light modulator with conformal grating device |
| MY120869A (en) | 2000-01-26 | 2005-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma treatment apparatus and method |
| US20010040675A1 (en) | 2000-01-28 | 2001-11-15 | True Randall J. | Method for forming a micromechanical device |
| US20020071169A1 (en) | 2000-02-01 | 2002-06-13 | Bowers John Edward | Micro-electro-mechanical-system (MEMS) mirror device |
| US6407851B1 (en) | 2000-08-01 | 2002-06-18 | Mohammed N. Islam | Micromechanical optical switch |
| DE10006035A1 (de) | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Bauelement |
| WO2001063588A1 (en) | 2000-02-24 | 2001-08-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device comprising a light guide |
| US6836366B1 (en) | 2000-03-03 | 2004-12-28 | Axsun Technologies, Inc. | Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same |
| US6531945B1 (en) | 2000-03-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inductor with a magnetic core |
| US6747775B2 (en) | 2000-03-20 | 2004-06-08 | Np Photonics, Inc. | Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same |
| US6329297B1 (en) | 2000-04-21 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dilute remote plasma clean |
| US6335224B1 (en) | 2000-05-16 | 2002-01-01 | Sandia Corporation | Protection of microelectronic devices during packaging |
| WO2004075231A1 (en) | 2000-05-26 | 2004-09-02 | Choon-Sup Lee | Method of forming a small gap and its application to the fabrication of a lateral fed |
| US7008812B1 (en) | 2000-05-30 | 2006-03-07 | Ic Mechanics, Inc. | Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation |
| US7153717B2 (en) | 2000-05-30 | 2006-12-26 | Ic Mechanics Inc. | Encapsulation of MEMS devices using pillar-supported caps |
| JP2001356701A (ja) | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学素子、光源ユニットおよび表示装置 |
| US6465320B1 (en) | 2000-06-16 | 2002-10-15 | Motorola, Inc. | Electronic component and method of manufacturing |
| ATE497028T1 (de) | 2000-06-22 | 2011-02-15 | Panasonic Elec Works Co Ltd | Vorrichtung und verfahren zum vakuum-ausdampfen |
| US6452465B1 (en) | 2000-06-27 | 2002-09-17 | M-Squared Filters, Llc | High quality-factor tunable resonator |
| US6452124B1 (en) | 2000-06-28 | 2002-09-17 | The Regents Of The University Of California | Capacitive microelectromechanical switches |
| US6473274B1 (en) | 2000-06-28 | 2002-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Symmetrical microactuator structure for use in mass data storage devices, or the like |
| TW535024B (en) | 2000-06-30 | 2003-06-01 | Minolta Co Ltd | Liquid display element and method of producing the same |
| EP1170618B1 (en) | 2000-07-03 | 2010-06-16 | Sony Corporation | Optical multilayer structure, optical switching device, and image display |
| JP4164992B2 (ja) | 2000-07-05 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | 陰極線管及びその製造方法 |
| US6736987B1 (en) | 2000-07-12 | 2004-05-18 | Techbank Corporation | Silicon etching apparatus using XeF2 |
| CA2352729A1 (en) | 2000-07-13 | 2002-01-13 | Creoscitex Corporation Ltd. | Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof |
| US6677225B1 (en) | 2000-07-14 | 2004-01-13 | Zyvex Corporation | System and method for constraining totally released microcomponents |
| KR100685940B1 (ko) | 2000-07-25 | 2007-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| US6456420B1 (en) | 2000-07-27 | 2002-09-24 | Mcnc | Microelectromechanical elevating structures |
| US6853129B1 (en) | 2000-07-28 | 2005-02-08 | Candescent Technologies Corporation | Protected substrate structure for a field emission display device |
| US6778155B2 (en) | 2000-07-31 | 2004-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Display operation with inserted block clears |
| US6795605B1 (en) | 2000-08-01 | 2004-09-21 | Cheetah Omni, Llc | Micromechanical optical switch |
| US6867897B2 (en) | 2003-01-29 | 2005-03-15 | Reflectivity, Inc | Micromirrors and off-diagonal hinge structures for micromirror arrays in projection displays |
| AU2001281381A1 (en) | 2000-08-03 | 2002-02-18 | Analog Devices, Inc. | Bonded wafer optical mems process |
| US6392233B1 (en) | 2000-08-10 | 2002-05-21 | Sarnoff Corporation | Optomechanical radiant energy detector |
| TW471063B (en) * | 2000-08-11 | 2002-01-01 | Winbond Electronics Corp | Method to form opening in insulator layer using ion implantation |
| JP2002062490A (ja) | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Canon Inc | 干渉性変調素子 |
| JP2002062505A (ja) | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Canon Inc | 投影型表示装置及びそれに用いる干渉性変調素子 |
| US6635919B1 (en) | 2000-08-17 | 2003-10-21 | Texas Instruments Incorporated | High Q-large tuning range micro-electro mechanical system (MEMS) varactor for broadband applications |
| JP4392970B2 (ja) | 2000-08-21 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | 干渉性変調素子を用いる表示素子 |
| US6376787B1 (en) | 2000-08-24 | 2002-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Microelectromechanical switch with fixed metal electrode/dielectric interface with a protective cap layer |
| US7196740B2 (en) | 2000-08-30 | 2007-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Projection TV with improved micromirror array |
| US6643069B2 (en) | 2000-08-31 | 2003-11-04 | Texas Instruments Incorporated | SLM-base color projection display having multiple SLM's and multiple projection lenses |
| MY128644A (en) | 2000-08-31 | 2007-02-28 | Georgia Tech Res Inst | Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnections and methods of making same |
| JP4304852B2 (ja) | 2000-09-04 | 2009-07-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 非平面液晶表示素子及びその製造方法 |
| US6887337B2 (en) | 2000-09-19 | 2005-05-03 | Xactix, Inc. | Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto |
| US6466354B1 (en) | 2000-09-19 | 2002-10-15 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for interferometric modulation of light |
| US6671149B1 (en) | 2000-09-28 | 2003-12-30 | Turnstone Systems, Inc. | Systems and methods for protecting vulnerable micro electro-mechanical system (MEMS) and electronic relay devices |
| US6522801B1 (en) | 2000-10-10 | 2003-02-18 | Agere Systems Inc. | Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor |
| GB2367788A (en) | 2000-10-16 | 2002-04-17 | Seiko Epson Corp | Etching using an ink jet print head |
| US6775048B1 (en) | 2000-10-31 | 2004-08-10 | Microsoft Corporation | Microelectrical mechanical structure (MEMS) optical modulator and optical display system |
| US7268081B2 (en) | 2000-11-02 | 2007-09-11 | California Institute Of Technology | Wafer-level transfer of membranes with gas-phase etching and wet etching methods |
| US6519075B2 (en) | 2000-11-03 | 2003-02-11 | Agere Systems Inc. | Packaged MEMS device and method for making the same |
| US6859218B1 (en) | 2000-11-07 | 2005-02-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic display devices and methods |
| DE10055421A1 (de) | 2000-11-09 | 2002-05-29 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur |
| KR100381011B1 (ko) | 2000-11-13 | 2003-04-26 | 한국전자통신연구원 | 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 |
| US6433917B1 (en) | 2000-11-22 | 2002-08-13 | Ball Semiconductor, Inc. | Light modulation device and system |
| US6406975B1 (en) | 2000-11-27 | 2002-06-18 | Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. | Method for fabricating an air gap shallow trench isolation (STI) structure |
| US6647171B1 (en) | 2000-12-01 | 2003-11-11 | Corning Incorporated | MEMS optical switch actuator |
| US6906847B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-06-14 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas |
| US6847752B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-01-25 | Bluebird Optical Mems Ltd. | Integrated actuator for optical switch mirror array |
| JP2004516783A (ja) | 2000-12-11 | 2004-06-03 | ラド エイチ ダバイ | 静電装置 |
| WO2002084335A2 (en) | 2000-12-19 | 2002-10-24 | Coventor, Incorporated | Light transmissive substrate for an optical mems device |
| DE10063991B4 (de) | 2000-12-21 | 2005-06-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
| DE10064616C2 (de) | 2000-12-22 | 2003-02-06 | Ovd Kinegram Ag Zug | Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie |
| US6775174B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Memory architecture for micromirror cell |
| US6625047B2 (en) | 2000-12-31 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical memory element |
| JP2002207182A (ja) | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 光学多層構造体およびその製造方法、光スイッチング素子、並びに画像表示装置 |
| US6947195B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical modulator, optical modulator manufacturing method, light information processing apparatus including optical modulator, image formation apparatus including optical modulator, and image projection and display apparatus including optical modulator |
| US6911891B2 (en) | 2001-01-19 | 2005-06-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications |
| WO2002061488A1 (en) | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Variable mirror and information apparatus comprising variable mirror |
| FR2820513B1 (fr) | 2001-02-05 | 2004-05-21 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde par couplage de cavites |
| US6480320B2 (en) | 2001-02-07 | 2002-11-12 | Transparent Optical, Inc. | Microelectromechanical mirror and mirror array |
| US6620712B2 (en) | 2001-02-14 | 2003-09-16 | Intpax, Inc. | Defined sacrifical region via ion implantation for micro-opto-electro-mechanical system (MOEMS) applications |
| JP3858606B2 (ja) | 2001-02-14 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | 干渉フィルタの製造方法、干渉フィルタ、波長可変干渉フィルタの製造方法及び波長可変干渉フィルタ |
| US6514781B2 (en) | 2001-07-07 | 2003-02-04 | Onix Microsystems, Inc. | Maintaining the state of a MEMS device in the event of a power failure |
| US6555904B1 (en) | 2001-03-05 | 2003-04-29 | Analog Devices, Inc. | Electrically shielded glass lid for a packaged device |
| US6768403B2 (en) | 2002-03-12 | 2004-07-27 | Hrl Laboratories, Llc | Torsion spring for electro-mechanical switches and a cantilever-type RF micro-electromechanical switch incorporating the torsion spring |
| JP2002270575A (ja) | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Seiko Epson Corp | エッチング方法、この方法により製造されたことを特徴とする半導体装置およびエッチング装置 |
| WO2002080255A1 (en) | 2001-03-16 | 2002-10-10 | Corning Intellisense Corporation | Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture |
| US6912078B2 (en) | 2001-03-16 | 2005-06-28 | Corning Incorporated | Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture |
| US6465856B2 (en) | 2001-03-19 | 2002-10-15 | Xerox Corporation | Micro-fabricated shielded conductors |
| JP2002277771A (ja) | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Ricoh Co Ltd | 光変調装置 |
| JP3888075B2 (ja) | 2001-03-23 | 2007-02-28 | セイコーエプソン株式会社 | 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、および画像表示装置 |
| US6661561B2 (en) | 2001-03-26 | 2003-12-09 | Creo Inc. | High frequency deformable mirror device |
| JP4684448B2 (ja) | 2001-03-30 | 2011-05-18 | 株式会社リコー | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
| US6630786B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-07 | Candescent Technologies Corporation | Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance |
| CN1228818C (zh) | 2001-04-02 | 2005-11-23 | 华邦电子股份有限公司 | 在半导体中形成漏斗形介层窗的方法 |
| US6704475B2 (en) | 2001-04-03 | 2004-03-09 | Agere Systems Inc. | Mirror for use with a micro-electro-mechanical system (MEMS) optical device and a method of manufacture therefor |
| US20020171610A1 (en) | 2001-04-04 | 2002-11-21 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent display with integrated touch-screen |
| US6531767B2 (en) | 2001-04-09 | 2003-03-11 | Analog Devices Inc. | Critically aligned optical MEMS dies for large packaged substrate arrays and method of manufacture |
| US6525396B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Selection of materials and dimensions for a micro-electromechanical switch for use in the RF regime |
| US20020149850A1 (en) | 2001-04-17 | 2002-10-17 | E-Tek Dynamics, Inc. | Tunable optical filter |
| US6600587B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-07-29 | Memx, Inc. | Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure |
| US6756317B2 (en) | 2001-04-23 | 2004-06-29 | Memx, Inc. | Method for making a microstructure by surface micromachining |
| US6657832B2 (en) | 2001-04-26 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes |
| US6602791B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-08-05 | Dalsa Semiconductor Inc. | Manufacture of integrated fluidic devices |
| US6465355B1 (en) | 2001-04-27 | 2002-10-15 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating suspended microstructures |
| JP2002328313A (ja) | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Sony Corp | 光スイッチング素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
| GB2375184A (en) | 2001-05-02 | 2002-11-06 | Marconi Caswell Ltd | Wavelength selectable optical filter |
| US6516814B2 (en) | 2001-05-03 | 2003-02-11 | Silicon Integrated Systems Corp. | Method of rapid prevention of particle pollution in pre-clean chambers |
| US6576489B2 (en) | 2001-05-07 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming microstructure devices |
| US6808276B2 (en) | 2001-05-08 | 2004-10-26 | Axsun Technologies, Inc. | Suspended high reflectivity coating on release structure and fabrication process therefor |
| US7116287B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-10-03 | Eastman Kodak Company | Drive for cholesteric liquid crystal displays |
| FR2824643B1 (fr) | 2001-05-10 | 2003-10-31 | Jean Pierre Lazzari | Dispositif de modulation de lumiere |
| JP4449249B2 (ja) | 2001-05-11 | 2010-04-14 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体の駆動方法および表示装置の駆動方法ならびに表示装置 |
| US6424094B1 (en) | 2001-05-15 | 2002-07-23 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent display with integrated resistive touch screen |
| US6603177B2 (en) | 2001-05-18 | 2003-08-05 | United Microelectronics Corp. | Electrostatic discharge protection circuit device |
| US6800210B2 (en) | 2001-05-22 | 2004-10-05 | Reflectivity, Inc. | Method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants |
| US7106307B2 (en) | 2001-05-24 | 2006-09-12 | Eastman Kodak Company | Touch screen for use with an OLED display |
| US6743570B2 (en) | 2001-05-25 | 2004-06-01 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method of using heat-depolymerizable polycarbonate sacrificial layer to create nano-fluidic devices |
| US6803534B1 (en) | 2001-05-25 | 2004-10-12 | Raytheon Company | Membrane for micro-electro-mechanical switch, and methods of making and using it |
| KR100421217B1 (ko) | 2001-05-30 | 2004-03-02 | 삼성전자주식회사 | 점착 방지 미세 구조물 제조 방법 |
| US6639724B2 (en) | 2001-06-05 | 2003-10-28 | Lucent Technologies Inc. | Device having a barrier layer located therein and a method of manufacture therefor |
| DE10127622B4 (de) * | 2001-06-07 | 2009-10-22 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung eines mit HDPCVD-Oxid gefüllten Isolationsgrabens |
| US6598985B2 (en) | 2001-06-11 | 2003-07-29 | Nanogear | Optical mirror system with multi-axis rotational control |
| US6958123B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-10-25 | Reflectivity, Inc | Method for removing a sacrificial material with a compressed fluid |
| JP2003001598A (ja) | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Sony Corp | Ｓｉ膜のエッチング方法 |
| US7005314B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-02-28 | Intel Corporation | Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications |
| US6822628B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-11-23 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Methods and systems for compensating row-to-row brightness variations of a field emission display |
| JP4718725B2 (ja) | 2001-07-03 | 2011-07-06 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR100437825B1 (ko) | 2001-07-06 | 2004-06-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 |
| JP3760810B2 (ja) | 2001-07-06 | 2006-03-29 | ソニー株式会社 | 光変調素子、ｇｌｖデバイス、及びレーザディスプレイ |
| JP3852306B2 (ja) | 2001-07-06 | 2006-11-29 | ソニー株式会社 | Ｍｅｍｓ素子の製造方法、ｇｌｖデバイスの製造方法、及びレーザディスプレイの製造方法 |
| US6905613B2 (en) | 2001-07-10 | 2005-06-14 | Honeywell International Inc. | Use of an organic dielectric as a sacrificial layer |
| JP3740444B2 (ja) | 2001-07-11 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体 |
| JP4032216B2 (ja) | 2001-07-12 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置 |
| KR100452112B1 (ko) | 2001-07-18 | 2004-10-12 | 한국과학기술원 | 정전 구동기 |
| JP3909812B2 (ja) | 2001-07-19 | 2007-04-25 | 富士フイルム株式会社 | 表示素子及び露光素子 |
| US6862022B2 (en) | 2001-07-20 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor |
| US7057251B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-06-06 | Reflectivity, Inc | MEMS device made of transition metal-dielectric oxide materials |
| JP2003059905A (ja) | 2001-07-31 | 2003-02-28 | Applied Materials Inc | エッチング方法、キャパシタの製造方法、および半導体装置 |
| US6589625B1 (en) | 2001-08-01 | 2003-07-08 | Iridigm Display Corporation | Hermetic seal and method to create the same |
| US6600201B2 (en) | 2001-08-03 | 2003-07-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems with high density packing of micromachines |
| US6632698B2 (en) | 2001-08-07 | 2003-10-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS |
| US6577785B1 (en) | 2001-08-09 | 2003-06-10 | Sandia Corporation | Compound semiconductor optical waveguide switch |
| US6778728B2 (en) | 2001-08-10 | 2004-08-17 | Corning Intellisense Corporation | Micro-electro-mechanical mirror devices having a high linear mirror fill factor |
| JP2003057571A (ja) | 2001-08-16 | 2003-02-26 | Sony Corp | 光学多層構造体および光スイッチング素子、並びに画像表示装置 |
| JP2003057567A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-26 | Sony Corp | 光学多層構造体、光スイッチング素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
| US6842009B2 (en) | 2001-09-13 | 2005-01-11 | Nth Tech Corporation | Biohazard sensing system and methods thereof |
| US6930364B2 (en) | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
| US6717488B2 (en) | 2001-09-13 | 2004-04-06 | Nth Tech Corporation | Resonator with a member having an embedded charge and a method of making thereof |
| US20030053078A1 (en) | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Mark Missey | Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators |
| US6940636B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-09-06 | Analog Devices, Inc. | Optical switching apparatus and method of assembling same |
| WO2003028059A1 (en) | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Hrl Laboratories, Llc | Mems switches and methods of making same |
| US6590157B2 (en) | 2001-09-21 | 2003-07-08 | Eastman Kodak Company | Sealing structure for highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication |
| US6788175B1 (en) | 2001-10-04 | 2004-09-07 | Superconductor Technologies, Inc. | Anchors for micro-electro-mechanical systems (MEMS) devices |
| US6866669B2 (en) | 2001-10-12 | 2005-03-15 | Cordis Corporation | Locking handle deployment mechanism for medical device and method |
| US6936183B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Etch process for etching microstructures |
| AUPR846701A0 (en) | 2001-10-25 | 2001-11-15 | Microtechnology Centre Management Limited | A method of fabrication of micro-devices |
| US6666979B2 (en) | 2001-10-29 | 2003-12-23 | Applied Materials, Inc. | Dry etch release of MEMS structures |
| US6870581B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-03-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination |
| JP4045090B2 (ja) | 2001-11-06 | 2008-02-13 | オムロン株式会社 | 静電アクチュエータの調整方法 |
| EP1454333B1 (en) | 2001-11-09 | 2007-09-12 | WiSpry, Inc. | Mems device having a trilayered beam and related methods |
| US6717496B2 (en) | 2001-11-13 | 2004-04-06 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electromagnetic energy controlled low actuation voltage microelectromechanical switch |
| US20030104693A1 (en) | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Siegel Harry M. | Use of fluoropolymer coating for planarizing and passivating integrated circuit devices |
| US6803160B2 (en) | 2001-12-13 | 2004-10-12 | Dupont Photomasks, Inc. | Multi-tone photomask and method for manufacturing the same |
| US20030111439A1 (en) | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Fetter Linus Albert | Method of forming tapered electrodes for electronic devices |
| US6782166B1 (en) | 2001-12-21 | 2004-08-24 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optically transparent electrically conductive charge sheet poling electrodes to maximize performance of electro-optic devices |
| US7116459B2 (en) | 2001-12-27 | 2006-10-03 | Texas Instruments Incorporated | Field diode detection of excess light conditions for spatial light modulator |
| JP3893421B2 (ja) | 2001-12-27 | 2007-03-14 | 富士フイルム株式会社 | 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置 |
| US7106491B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-09-12 | Texas Instruments Incorporated | Split beam micromirror |
| US6959990B2 (en) | 2001-12-31 | 2005-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Prism for high contrast projection |
| US6791735B2 (en) | 2002-01-09 | 2004-09-14 | The Regents Of The University Of California | Differentially-driven MEMS spatial light modulator |
| KR100439423B1 (ko) | 2002-01-16 | 2004-07-09 | 한국전자통신연구원 | 마이크로전자기계 액튜에이터 |
| JP2003215475A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-30 | Sony Corp | 光スイッチング素子およびその製造方法 |
| US6915046B2 (en) | 2002-01-22 | 2005-07-05 | Agere Sysems, Inc. | Optical systems comprising curved MEMs mirrors and methods for making same |
| US7221512B2 (en) | 2002-01-24 | 2007-05-22 | Nanoventions, Inc. | Light control material for displaying color information, and images |
| US6608268B1 (en) | 2002-02-05 | 2003-08-19 | Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. | Proximity micro-electro-mechanical system |
| US6794119B2 (en) * | 2002-02-12 | 2004-09-21 | Iridigm Display Corporation | Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device |
| AU2003207186A1 (en) | 2002-02-15 | 2003-09-04 | Bridgestone Corporation | Image display unit |
| JP3558066B2 (ja) | 2002-02-19 | 2004-08-25 | ソニー株式会社 | Ｍｅｍｓ素子とその製造方法、光変調素子、ｇｌｖデバイスとその製造方法、及びレーザディスプレイ |
| US6643053B2 (en) | 2002-02-20 | 2003-11-04 | The Regents Of The University Of California | Piecewise linear spatial phase modulator using dual-mode micromirror arrays for temporal and diffractive fourier optics |
| US6574033B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
| AUPS098002A0 (en) | 2002-03-08 | 2002-03-28 | University Of Western Australia, The | Tunable cavity resonator, and method of fabricating same |
| US7145143B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-12-05 | Honeywell International Inc. | Tunable sensor |
| US6965468B2 (en) | 2003-07-03 | 2005-11-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array |
| US6700770B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-03-02 | Turnstone Systems, Inc. | Protection of double end exposed systems |
| US7027200B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-04-11 | Reflectivity, Inc | Etching method used in fabrications of microstructures |
| GB2387480B (en) | 2002-04-09 | 2005-04-13 | Microsaic Systems Ltd | Micro-engineered self-releasing switch |
| US7029829B2 (en) | 2002-04-18 | 2006-04-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same |
| US20030202264A1 (en) | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Weber Timothy L. | Micro-mirror device |
| US6972882B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device with light angle amplification |
| US6954297B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-10-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
| EP1506329A1 (en) | 2002-05-07 | 2005-02-16 | University Of Southern California | Methods and apparatus for monitoring deposition quality during conformable contact mask plating operations |
| US6791441B2 (en) | 2002-05-07 | 2004-09-14 | Raytheon Company | Micro-electro-mechanical switch, and methods of making and using it |
| US20040212026A1 (en) | 2002-05-07 | 2004-10-28 | Hewlett-Packard Company | MEMS device having time-varying control |
| US6806110B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-10-19 | Agilent Technologies, Inc. | Monolithic multi-wavelength vertical-cavity surface emitting laser array and method of manufacture therefor |
| US6953702B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-10-11 | Agilent Technologies, Inc. | Fixed wavelength vertical cavity optical devices and method of manufacture therefor |
| JP2003340795A (ja) | 2002-05-20 | 2003-12-02 | Sony Corp | 静電駆動型ｍｅｍｓ素子とその製造方法、光学ｍｅｍｓ素子、光変調素子、ｇｌｖデバイス及びレーザディスプレイ |
| US20060096705A1 (en) | 2002-05-22 | 2006-05-11 | Hongqin Shi | Removal of sacrificial materials in MEMS fabrications |
| JP3801099B2 (ja) | 2002-06-04 | 2006-07-26 | 株式会社デンソー | チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置 |
| US6678085B2 (en) | 2002-06-12 | 2004-01-13 | Eastman Kodak Company | High-contrast display system with scanned conformal grating device |
| US6777258B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-08-17 | Silicon Light Machines, Inc. | Conductive etch stop for etching a sacrificial layer |
| US20040001258A1 (en) | 2002-06-28 | 2004-01-01 | Mandeep Singh | Solid state etalons with low thermally-induced optical path length change |
| DE10228946B4 (de) | 2002-06-28 | 2004-08-26 | Universität Bremen | Optischer Modulator, Display, Verwendung eines optischen Modulators und Verfahren zur Herstellung eines optischen Modulators |
| US6741377B2 (en) | 2002-07-02 | 2004-05-25 | Iridigm Display Corporation | Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same |
| US7071289B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-04 | The University Of Connecticut | Polymers comprising thieno [3,4-b]thiophene and methods of making and using the same |
| US6905626B2 (en) | 2002-07-24 | 2005-06-14 | Unaxis Usa Inc. | Notch-free etching of high aspect SOI structures using alternating deposition and etching and pulsed plasma |
| US20040051329A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-03-18 | Cagle Calvin L. | Bucket liner removal device |
| US20040058531A1 (en) | 2002-08-08 | 2004-03-25 | United Microelectronics Corp. | Method for preventing metal extrusion in a semiconductor structure. |
| US6822798B2 (en) | 2002-08-09 | 2004-11-23 | Optron Systems, Inc. | Tunable optical filter |
| US7106066B2 (en) | 2002-08-28 | 2006-09-12 | Teravicta Technologies, Inc. | Micro-electromechanical switch performance enhancement |
| JP2004102022A (ja) | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
| JP2004106074A (ja) | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Sony Corp | 中空構造体の製造方法、及びｍｅｍｓ素子の製造方法 |
| TW544787B (en) | 2002-09-18 | 2003-08-01 | Promos Technologies Inc | Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer |
| US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
| KR100512960B1 (ko) | 2002-09-26 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 ｍｅｍｓ 무선 마이크로폰 |
| US6806557B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-10-19 | Motorola, Inc. | Hermetically sealed microdevices having a single crystalline silicon getter for maintaining vacuum |
| US6872319B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-03-29 | Rockwell Scientific Licensing, Llc | Process for high yield fabrication of MEMS devices |
| US6905621B2 (en) | 2002-10-10 | 2005-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for preventing the etch transfer of sidelobes in contact hole patterns |
| JP2004133281A (ja) | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Seiko Epson Corp | 微小電気機械デバイスの製造方法、プロジェクタ |
| US6825968B2 (en) | 2002-10-11 | 2004-11-30 | Exajoule, Llc | Micromirror systems with electrodes configured for sequential mirror attraction |
| US6986587B2 (en) | 2002-10-16 | 2006-01-17 | Olympus Corporation | Variable-shape reflection mirror and method of manufacturing the same |
| JP4347654B2 (ja) | 2002-10-16 | 2009-10-21 | オリンパス株式会社 | 可変形状反射鏡及びその製造方法 |
| US6661069B1 (en) | 2002-10-22 | 2003-12-09 | International Business Machines Corporation | Micro-electromechanical varactor with enhanced tuning range |
| KR100454136B1 (ko) | 2002-10-23 | 2004-10-26 | 삼성전자주식회사 | 플로팅 게이트의 전하 손실을 막을 수 있는 비휘발성메모리 장치 및 그 제조방법 |
| JP2004141995A (ja) | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Sony Corp | マイクロマシンおよびその製造方法 |
| FR2846318B1 (fr) | 2002-10-24 | 2005-01-07 | Commissariat Energie Atomique | Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression |
| US6747785B2 (en) | 2002-10-24 | 2004-06-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS-actuated color light modulator and methods |
| US6666561B1 (en) | 2002-10-28 | 2003-12-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Continuously variable analog micro-mirror device |
| JP2004149607A (ja) | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Jsr Corp | 多層配線間の空洞形成用重合体およびその製造方法 |
| US7370185B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-05-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers |
| US6909589B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-06-21 | Corporation For National Research Initiatives | MEMS-based variable capacitor |
| US6844959B2 (en) | 2002-11-26 | 2005-01-18 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
| US6958846B2 (en) | 2002-11-26 | 2005-10-25 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
| US6741503B1 (en) | 2002-12-04 | 2004-05-25 | Texas Instruments Incorporated | SLM display data address mapping for four bank frame buffer |
| US7064089B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus and method for plasma treatment |
| US7553686B2 (en) | 2002-12-17 | 2009-06-30 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices |
| US6944008B2 (en) | 2002-12-18 | 2005-09-13 | Lucent Technologies Inc. | Charge dissipation in electrostatically driven devices |
| TWI289708B (en) | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
| US6872654B2 (en) | 2002-12-26 | 2005-03-29 | Intel Corporation | Method of fabricating a bismaleimide (BMI) ASA sacrifical material for an integrated circuit air gap dielectric |
| TW594155B (en) | 2002-12-27 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | Optical interference type color display and optical interference modulator |
| JP2004212656A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子アレイ及び平面ディスプレイ |
| TW559686B (en) | 2002-12-27 | 2003-11-01 | Prime View Int Co Ltd | Optical interference type panel and the manufacturing method thereof |
| US6808953B2 (en) | 2002-12-31 | 2004-10-26 | Robert Bosch Gmbh | Gap tuning for surface micromachined structures in an epitaxial reactor |
| US7002719B2 (en) | 2003-01-15 | 2006-02-21 | Lucent Technologies Inc. | Mirror for an integrated device |
| US7233029B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-06-19 | Fujifilm Corporation | Optical functional film, method of forming the same, and spatial light modulator, spatial light modulator array, image forming device and flat panel display using the same |
| US20040140557A1 (en) | 2003-01-21 | 2004-07-22 | United Test & Assembly Center Limited | Wl-bga for MEMS/MOEMS devices |
| US6943448B2 (en) | 2003-01-23 | 2005-09-13 | Akustica, Inc. | Multi-metal layer MEMS structure and process for making the same |
| TW557395B (en) | 2003-01-29 | 2003-10-11 | Yen Sun Technology Corp | Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof |
| US7205675B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making |
| TW200413810A (en) | 2003-01-29 | 2004-08-01 | Prime View Int Co Ltd | Light interference display panel and its manufacturing method |
| US20040147056A1 (en) | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Mckinnell James C. | Micro-fabricated device and method of making |
| US20040157426A1 (en) | 2003-02-07 | 2004-08-12 | Luc Ouellet | Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices |
| US7459402B2 (en) | 2003-02-12 | 2008-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Protection layers in micromirror array devices |
| US6903487B2 (en) | 2003-02-14 | 2005-06-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device with increased mirror tilt |
| US20040159629A1 (en) | 2003-02-19 | 2004-08-19 | Cabot Microelectronics Corporation | MEM device processing with multiple material sacrificial layers |
| US7027202B1 (en) | 2003-02-28 | 2006-04-11 | Silicon Light Machines Corp | Silicon substrate as a light modulator sacrificial layer |
| TW200417806A (en) | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Prime View Int Corp Ltd | A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate |
| ITTO20030167A1 (it) | 2003-03-06 | 2004-09-07 | Fiat Ricerche | Procedimento per la realizzazione di emettitori nano-strutturati per sorgenti di luce ad incandescenza. |
| US6844953B2 (en) | 2003-03-12 | 2005-01-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
| TWI405196B (zh) | 2003-03-13 | 2013-08-11 | Lg Electronics Inc | 光學記錄媒體及其缺陷區域管理方法及其裝置 |
| US6720267B1 (en) | 2003-03-19 | 2004-04-13 | United Microelectronics Corp. | Method for forming a cantilever beam model micro-electromechanical system |
| US6913942B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-07-05 | Reflectvity, Inc | Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices |
| US7128843B2 (en) | 2003-04-04 | 2006-10-31 | Hrl Laboratories, Llc | Process for fabricating monolithic membrane substrate structures with well-controlled air gaps |
| US6987432B2 (en) | 2003-04-16 | 2006-01-17 | Robert Bosch Gmbh | Temperature compensation for silicon MEMS resonator |
| TWI226504B (en) | 2003-04-21 | 2005-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of an interference display cell |
| TWI224235B (en) | 2003-04-21 | 2004-11-21 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
| TW594360B (en) | 2003-04-21 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
| TW567355B (en) | 2003-04-21 | 2003-12-21 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
| KR100599083B1 (ko) | 2003-04-22 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법 |
| US6929969B2 (en) | 2003-04-23 | 2005-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Reflective spatial light modulator mirror device manufacturing process and layout method |
| US20060110580A1 (en) | 2003-04-28 | 2006-05-25 | Aylward Peter T | Article comprising conductive conduit channels |
| US7218438B2 (en) | 2003-04-30 | 2007-05-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical electronic device with partial reflector layer |
| US6829132B2 (en) | 2003-04-30 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control of micro-electromechanical device |
| US6741384B1 (en) | 2003-04-30 | 2004-05-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Control of MEMS and light modulator arrays |
| US7400489B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-07-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and a method of driving a parallel-plate variable micro-electromechanical capacitor |
| US6853476B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-02-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control circuit for a micro-electromechanical device |
| US7358966B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-04-15 | Hewlett-Packard Development Company L.P. | Selective update of micro-electromechanical device |
| US7072093B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical interference pixel display with charge control |
| US6819469B1 (en) | 2003-05-05 | 2004-11-16 | Igor M. Koba | High-resolution spatial light modulator for 3-dimensional holographic display |
| US7218499B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-05-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control circuit |
| KR100470708B1 (ko) | 2003-05-22 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 금속막의 내부응력을 이용한 박막 벌크 음향 공진기제조방법 및 그에 의한 공진기 |
| JP4338442B2 (ja) | 2003-05-23 | 2009-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 透過型光変調素子の製造方法 |
| TW591716B (en) | 2003-05-26 | 2004-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a structure release and manufacturing the same |
| TW570896B (en) | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
| US6917459B2 (en) | 2003-06-03 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS device and method of forming MEMS device |
| FR2855908B1 (fr) | 2003-06-06 | 2005-08-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'obtention d'une structure comprenant au moins un substrat et une couche ultramince |
| US6811267B1 (en) | 2003-06-09 | 2004-11-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Display system with nonvisible data projection |
| US20070064760A1 (en) | 2003-06-12 | 2007-03-22 | Soren Kragh | Optical amplification in miniaturized polymer cavity resonators |
| US7221495B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
| FR2857153B1 (fr) | 2003-07-01 | 2005-08-26 | Commissariat Energie Atomique | Micro-commutateur bistable a faible consommation. |
| JP2005028504A (ja) | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Sony Corp | Ｍｅｍｓ素子及びその製造方法 |
| CN1597334B (zh) | 2003-07-14 | 2011-03-30 | Jds尤尼费斯公司 | 防伪线和在薄板上制造光学可变装置的方法 |
| FR2857953B1 (fr) | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
| KR100646135B1 (ko) | 2003-07-21 | 2006-11-23 | 쌍신전자통신주식회사 | 실리콘 체적탄성파 소자 및 그 제조방법 |
| JP2005051007A (ja) | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Ltd | 半導体チップの製造方法 |
| JP3866694B2 (ja) | 2003-07-30 | 2007-01-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Ｌｓｉデバイスのエッチング方法および装置 |
| US7190380B2 (en) | 2003-09-26 | 2007-03-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Generating and displaying spatially offset sub-frames |
| JP3786106B2 (ja) | 2003-08-11 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
| US7173314B2 (en) | 2003-08-13 | 2007-02-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts |
| TWI305599B (en) | 2003-08-15 | 2009-01-21 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference display panel and method thereof |
| TW200506479A (en) | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Prime View Int Co Ltd | Color changeable pixel for an interference display |
| TWI251712B (en) | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
| TW593127B (en) | 2003-08-18 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
| TWI231865B (en) | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
| US20050057442A1 (en) | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Olan Way | Adjacent display of sequential sub-images |
| JP3979982B2 (ja) | 2003-08-29 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 干渉性変調器および表示装置 |
| TWI230801B (en) | 2003-08-29 | 2005-04-11 | Prime View Int Co Ltd | Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
| TWI232333B (en) | 2003-09-03 | 2005-05-11 | Prime View Int Co Ltd | Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
| US7064880B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Projector and projection method |
| US6982820B2 (en) | 2003-09-26 | 2006-01-03 | Prime View International Co., Ltd. | Color changeable pixel |
| TW593126B (en) | 2003-09-30 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same |
| US20050068583A1 (en) | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Gutkowski Lawrence J. | Organizing a digital image |
| US6861277B1 (en) | 2003-10-02 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming MEMS device |
| US7012726B1 (en) | 2003-11-03 | 2006-03-14 | Idc, Llc | MEMS devices with unreleased thin film components |
| DE10352001A1 (de) | 2003-11-07 | 2005-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit einer Membran und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements |
| US20050170670A1 (en) | 2003-11-17 | 2005-08-04 | King William P. | Patterning of sacrificial materials |
| US6967757B1 (en) | 2003-11-24 | 2005-11-22 | Sandia Corporation | Microelectromechanical mirrors and electrically-programmable diffraction gratings based on two-stage actuation |
| US7056757B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-06-06 | Georgia Tech Research Corporation | Methods of forming oxide masks with submicron openings and microstructures formed thereby |
| JP2007513522A (ja) | 2003-12-01 | 2007-05-24 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 超臨界流体／化学調合物を用いたｍｅｍｓ犠牲層の除去 |
| US20050118832A1 (en) | 2003-12-01 | 2005-06-02 | Korzenski Michael B. | Removal of MEMS sacrificial layers using supercritical fluid/chemical formulations |
| US7142346B2 (en) | 2003-12-09 | 2006-11-28 | Idc, Llc | System and method for addressing a MEMS display |
| KR100797433B1 (ko) | 2003-12-11 | 2008-01-23 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 워크피스를 패터닝하기 위한 방법과 장치 및 그 제조 방법 |
| US20050133479A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Youngner Dan W. | Equipment and process for creating a custom sloped etch in a substrate |
| JP4466081B2 (ja) | 2004-01-08 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | Ｍｅｍｓ素子 |
| US7323217B2 (en) | 2004-01-08 | 2008-01-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for making an optical interference type reflective panel |
| TWI235345B (en) | 2004-01-20 | 2005-07-01 | Prime View Int Co Ltd | A structure of an optical interference display unit |
| TWI256941B (en) | 2004-02-18 | 2006-06-21 | Qualcomm Mems Technologies Inc | A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof |
| US7041571B2 (en) | 2004-03-01 | 2006-05-09 | International Business Machines Corporation | Air gap interconnect structure and method of manufacture |
| US7119945B2 (en) | 2004-03-03 | 2006-10-10 | Idc, Llc | Altering temporal response of microelectromechanical elements |
| TW200530669A (en) | 2004-03-05 | 2005-09-16 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
| US6999228B2 (en) | 2004-03-05 | 2006-02-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro mirror device with adjacently suspended spring and method for the same |
| TWI261683B (en) | 2004-03-10 | 2006-09-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference reflective element and repairing method thereof |
| US6912082B1 (en) | 2004-03-11 | 2005-06-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Integrated driver electronics for MEMS device using high voltage thin film transistors |
| US7476327B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
| US7256107B2 (en) | 2004-05-04 | 2007-08-14 | The Regents Of The University Of California | Damascene process for use in fabricating semiconductor structures having micro/nano gaps |
| US7253615B2 (en) | 2004-05-05 | 2007-08-07 | General Electric Company | Microelectromechanical system sensor and method for using |
| US7612759B2 (en) | 2004-05-12 | 2009-11-03 | Shimano Inc. | Cycle computer display apparatus |
| JP2005326620A (ja) | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Fujitsu Ltd | マイクロミラー素子 |
| US7145213B1 (en) | 2004-05-24 | 2006-12-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | MEMS RF switch integrated process |
| JP2005342808A (ja) | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｍｅｍｓデバイスの製造方法 |
| US7042619B1 (en) | 2004-06-18 | 2006-05-09 | Miradia Inc. | Mirror structure with single crystal silicon cross-member |
| KR100627139B1 (ko) | 2004-06-18 | 2006-09-25 | 한국전자통신연구원 | 미세기전 구조물 그 제조방법 |
| US7075700B2 (en) | 2004-06-25 | 2006-07-11 | The Boeing Company | Mirror actuator position sensor systems and methods |
| US7256922B2 (en) | 2004-07-02 | 2007-08-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators with thin film transistors |
| CA2575314A1 (en) | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Idc, Llc | System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator |
| US7273693B2 (en) | 2004-07-30 | 2007-09-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for forming a planar mirror using a sacrificial oxide |
| US7126741B2 (en) | 2004-08-12 | 2006-10-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator assembly |
| US20060037933A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-02-23 | Wei-Ya Wang | Mirror process using tungsten passivation layer for preventing metal-spiking induced mirror bridging and improving mirror curvature |
| US7195343B2 (en) | 2004-08-27 | 2007-03-27 | Lexmark International, Inc. | Low ejection energy micro-fluid ejection heads |
| JP4852835B2 (ja) | 2004-09-02 | 2012-01-11 | ソニー株式会社 | 回折格子−光変調装置集合体 |
| US7327510B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
| US7564612B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-07-21 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
| US7420725B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US7750886B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-07-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods and devices for lighting displays |
| US7492502B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-02-17 | Idc, Llc | Method of fabricating a free-standing microstructure |
| US7417783B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Mirror and mirror layer for optical modulator and method |
| US7369296B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
| CN100439967C (zh) * | 2004-09-27 | 2008-12-03 | Idc公司 | 用于多状态干涉光调制的方法和设备 |
| US7373026B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate |
| US7692839B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating |
| EP1640318A2 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-29 | Idc, Llc | Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material |
| US7161730B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-01-09 | Idc, Llc | System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display |
| US20060066932A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Clarence Chui | Method of selective etching using etch stop layer |
| US7527995B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making prestructure for MEMS systems |
| CN1755506B (zh) * | 2004-09-27 | 2010-10-06 | 高通Mems科技公司 | 用于操纵一显示器中的颜色的方法及装置 |
| US7420728B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material |
| US7405861B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge |
| US7349136B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-25 | Idc, Llc | Method and device for a display having transparent components integrated therein |
| US7184202B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-02-27 | Idc, Llc | Method and system for packaging a MEMS device |
| US7573547B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-08-11 | Idc, Llc | System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device |
| US7710636B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods using interferometric optical modulators and diffusers |
| US7668415B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for providing electronic circuitry on a backplate |
| US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
| US7684104B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
| US20060065622A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Floyd Philip D | Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency |
| US7630123B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for compensating for color shift as a function of angle of view |
| US7349141B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-25 | Idc, Llc | Method and post structures for interferometric modulation |
| CN1755477B (zh) | 2004-09-27 | 2011-11-16 | 高通Mems科技公司 | 具有集成mems电开关的干涉式调制器阵列的显示装置及方法 |
| US20060176487A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-08-10 | William Cummings | Process control monitors for interferometric modulators |
| US20060067650A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Clarence Chui | Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques |
| US7701631B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having patterned spacers for backplates and method of making the same |
| US7710632B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters |
| US7446926B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-11-04 | Idc, Llc | System and method of providing a regenerating protective coating in a MEMS device |
| US7170697B2 (en) | 2004-10-20 | 2007-01-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Programmable waveform for lamp ballast |
| US7320899B2 (en) | 2004-10-21 | 2008-01-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-displays and their manufacture |
| US7199916B2 (en) | 2004-12-07 | 2007-04-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator device |
| TWI249191B (en) | 2004-12-31 | 2006-02-11 | Au Optronics Corp | Method for fabricating a microelectromechanical optical display device |
| EP2461201B1 (en) | 2005-01-05 | 2017-06-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Mirror device |
| JP4603489B2 (ja) | 2005-01-28 | 2010-12-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変フィルタ |
| TW200628877A (en) | 2005-02-04 | 2006-08-16 | Prime View Int Co Ltd | Method of manufacturing optical interference type color display |
| US7502155B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-03-10 | Texas Instruments Incorporated | Antireflective coating for semiconductor devices and method for the same |
| CA2541568C (en) | 2005-04-06 | 2014-05-13 | Jds Uniphase Corporation | Dynamic appearance-changing optical devices (dacod) printed in a shaped magnetic field including printable fresnel structures |
| CN101176040A (zh) | 2005-04-14 | 2008-05-07 | 哈佛大学 | 用于微制造的牺牲层中可调整的溶解度 |
| NO20051851A (no) * | 2005-04-15 | 2006-10-02 | Sinvent As | Justerbart interferensfilter |
| US20060234412A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. Intellectual Property Administration | MEMS release methods |
| JP2008544867A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｍｅｍｓ素子の製造方法 |
| JP2009503565A (ja) | 2005-07-22 | 2009-01-29 | クアルコム，インコーポレイテッド | Ｍｅｍｓデバイスのための支持構造、およびその方法 |
| EP2495212A3 (en) | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
| US20070020794A1 (en) | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Debar Michael J | Method of strengthening a microscale chamber formed over a sacrificial layer |
| KR20080041663A (ko) | 2005-07-22 | 2008-05-13 | 콸콤 인코포레이티드 | Ｍｅｍｓ 장치를 위한 지지 구조물 및 그 방법들 |
| BRPI0612997A2 (pt) | 2005-07-22 | 2010-12-14 | Qualcomm Inc | dispositivos mems e respectivos mÉtodos de fabrico |
| US7405099B2 (en) | 2005-07-27 | 2008-07-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wide and narrow trench formation in high aspect ratio MEMS |
| US7956428B2 (en) | 2005-08-16 | 2011-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical devices and fabrication methods |
| EP1928780A2 (en) | 2005-09-30 | 2008-06-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mems device and interconnects for same |
| US8574823B2 (en) | 2005-10-05 | 2013-11-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-level layer |
| US8043950B2 (en) | 2005-10-26 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2007144975A (ja) | 2005-10-26 | 2007-06-14 | Ricoh Co Ltd | インクジェット記録メディア及び記録方法 |
| US7630114B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-12-08 | Idc, Llc | Diffusion barrier layer for MEMS devices |
| DE102005053534A1 (de) | 2005-11-08 | 2007-05-10 | Robert Bosch Gmbh | Handwerkzeug-Zusatzeinrichtung |
| US7616370B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-11-10 | Miradia, Inc. | Preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems |
| US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
| US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
| US7652814B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device with integrated optical element |
| US7547568B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof |
| US7450295B2 (en) | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
| EP1832439B1 (en) | 2006-03-06 | 2014-04-23 | JDS Uniphase Corporation | Article having an optical effect |
| US7643203B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical display system with broadband characteristics |
| US7527996B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
| US20070249078A1 (en) | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Ming-Hau Tung | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
| US7623287B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-11-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
| US7417784B2 (en) | 2006-04-19 | 2008-08-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface |
| US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
| US7369292B2 (en) | 2006-05-03 | 2008-05-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrode and interconnect materials for MEMS devices |
| US7405863B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-07-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports |
| US7321457B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-01-22 | Qualcomm Incorporated | Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts |
| US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
| US7566664B2 (en) | 2006-08-02 | 2009-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants |
| DE102006049259A1 (de) | 2006-10-19 | 2008-04-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelementes mit einer Dünnschicht-Verkappung |
| US7545552B2 (en) | 2006-10-19 | 2009-06-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure |
| US8877074B2 (en) | 2006-12-15 | 2014-11-04 | The Regents Of The University Of California | Methods of manufacturing microdevices in laminates, lead frames, packages, and printed circuit boards |
| US7706042B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
| US7535621B2 (en) | 2006-12-27 | 2009-05-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications |
| US20080180783A1 (en) | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Li-Ming Wang | Critical dimension control for photolithography for microelectromechanical systems devices |
| US8536059B2 (en) | 2007-02-20 | 2013-09-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Equipment and methods for etching of MEMS |
| US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
| US8246155B2 (en) | 2007-04-18 | 2012-08-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fixer for a metallic inkjet ink system |
| US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
| US7569488B2 (en) | 2007-06-22 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter |
| CN101755232A (zh) | 2007-07-25 | 2010-06-23 | 高通Mems科技公司 | 微机电系统显示器装置及其制造方法 |
| US8023191B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Printable static interferometric images |
-
2007
- 2007-09-27 US US11/863,079 patent/US7719752B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-31 EP EP08153806A patent/EP1998211A3/en not_active Withdrawn
- 2008-03-31 EP EP08153791A patent/EP1998210A3/en not_active Withdrawn
- 2008-03-31 EP EP08153809A patent/EP1998212A3/en not_active Withdrawn
- 2008-03-31 EP EP08153815.9A patent/EP1990672A3/en not_active Withdrawn
- 2008-03-31 EP EP08153803A patent/EP1990669A3/en not_active Withdrawn
- 2008-03-31 EP EP08153820A patent/EP1990673A2/en not_active Withdrawn
- 2008-03-31 EP EP08153794.6A patent/EP1990671A3/en not_active Withdrawn
- 2008-03-31 EP EP08153787A patent/EP1998209A3/en not_active Withdrawn
- 2008-04-28 KR KR1020107000152A patent/KR101163670B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-04-28 KR KR1020107000150A patent/KR20100028627A/ko active IP Right Grant
- 2008-04-28 KR KR1020097025851A patent/KR101163669B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-04-28 CN CN200880015637A patent/CN101681017A/zh active Pending
- 2008-04-28 WO PCT/US2008/061812 patent/WO2008140926A2/en active Application Filing
- 2008-04-28 JP JP2010507525A patent/JP2010527461A/ja active Pending
- 2008-04-28 CN CN201010000258A patent/CN101852914A/zh active Pending
- 2008-05-09 TW TW097117317A patent/TW200900731A/zh unknown
-
2010
- 2010-03-12 JP JP2010056108A patent/JP2010176141A/ja active Pending
- 2010-03-12 JP JP2010056109A patent/JP2010198022A/ja not_active Ceased
- 2010-04-01 US US12/752,982 patent/US8284475B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-31 JP JP2012124169A patent/JP5404854B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-31 JP JP2012124170A patent/JP2012198562A/ja active Pending
- 2012-09-10 US US13/608,949 patent/US8830557B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006023606A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ及びその製造方法、並びに検出装置 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101163669B1 (ko) | 적층에 의한 ｍｅｍｓ의 제조방법 및 이 방법에 의해 형성된 장치 | |
| US7518775B2 (en) | Method and system for packaging a MEMS device | |
| US7773286B2 (en) | Periodic dimple array | |
| US8368997B2 (en) | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function | |
| EP1640770B1 (en) | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same | |
| JP4575452B2 (ja) | 充てん物質を使用した光干渉光変調器と方法 | |
| US20150277098A1 (en) | Ems device having a non-electrically active absorber | |
| US20140029078A1 (en) | Devices and methods for protecting electromechanical device arrays | |
| CN101018735A (zh) | 制造独立微结构的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150630 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |