CN101755232A

CN101755232A - 微机电系统显示器装置及其制造方法

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Publication number: CN101755232A
Application number: CN200880100172A
Authority: CN
Inventors: 丹尼尔·张; 简·博斯; 苏耶普拉卡什·甘蒂; 马尼沙·科塔里
Original assignee: Qualcomm MEMS Technologies Inc
Current assignee: Qualcomm MEMS Technologies Inc
Priority date: 2007-07-25
Filing date: 2008-07-23
Publication date: 2010-06-23
Also published as: TW200916405A; RU2010101627A; RU2471210C2; US7903316B2; US20090086306A1; KR101597348B1; KR20100075431A; WO2009015231A1; JP2010534865A; US20110157010A1; CA2694044C; EP2181355A1; TWI480223B; BRPI0814680A2; CA2694044A1

Abstract

本发明提供MEMS装置，其包括在LCD或OLED制造中用以有助于在相同制造系统上进行的制造的材料。当可能时，相同或类似材料用于所述MEMS装置中的多个层，且可避免将透明导体用于部分透明电极以最小化所需材料的数目并最小化制造成本。某些层包含经选择以实现所要性质的合金。在制造工艺期间可使用对沉积层的中间处理以提供具有所要性质的层。

Description

微机电系统显示器装置及其制造方法

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2007年7月25日申请的美国临时专利申请案第60/951,930号的优先权，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

背景技术

微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激活器及电子装置。可使用沉积、蚀刻及或其它蚀刻掉衬底及/或已沉积材料层的部分或者添加层以形成电装置及机电装置的微加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。如本文所使用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器指的是一种使用光学干涉式原理选择性地吸收且/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，其中之一或两者可能整体或部分透明且/或具有反射性，且能够在施加适当电信号时进行相对运动。在特定实施例中，一个板可包含沉积在衬底上的固定层，且另一个板可包含通过气隙与固定层分离的金属薄膜。如本文更详细描述，一个板相对于另一个板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉式。这些装置具有广范围的应用，且在此项技术中，利用且/或修改这些类型装置的特性使得其特征可被发掘用于改进现有产品及创建尚未开发的新产品，将是有益的。

发明内容

在一个实施例中，提供一种光学MEMS装置，其包括：形成于衬底上且经图案化以形成条带电极的导电光学吸收体，其中所述光学吸收体用作MEMS装置的光学活性区内的条带电极中的主要导体；形成于所述光学吸收体上的至少一个支撑结构；及形成于所述至少一个支撑结构上且与所述导电光学吸收体隔开的导电可变形层，其中所述可变形层为朝向所述光学吸收体可以静电方式偏转的。

在另一实施例中，提供制造光学MEMS装置的方法，所述方法包括：在衬底上形成导电光学吸收体；图案化所述导电光学吸收体以形成条带电极，其中所述光学吸收体充当MEMS装置的光学活性区中的条带电极中的主要导体；在所述光学吸收体上形成牺牲层；在所述光学吸收体上形成至少一个支撑结构；在所述牺牲层及所述至少一个支撑结构上形成导电可变形层；及执行释放蚀刻以移除所述牺牲层，从而在所述可变形层与所述光学吸收体之间形成腔。

附图说明

图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置，且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置。

图2是说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。

图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜位置对所施加电压的图。

图4是可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行及列电压的说明。

图5A及图5B说明可用以将显示器数据的帧写入到图2的3×3干涉式调制器显示器的行信号及列信号的一个示范性时序图。

图6A及图6B是说明包含多个干涉式调制器的视觉显示器装置的实施例的系统框图。

图7A是图1的装置的横截面。

图7B是干涉式调制器的替代实施例的横截面。

图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。

图7D是干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。

图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。

图8A到图8I为在制造干涉式调制器工艺中的各种步骤的示意性横截面。

图9为干涉式调制器的未激活阵列的仰视平面图。

具体实施方式

下列详细描述针对本发明的某些特定实施例。然而，可以多种不同方式来应用本文中的教示。在此描述中，参见图式，其中始终以相同数字表示相同部件。所述实施例可以经配置以显示图像的任何装置来实施，不管所述图像为运动(例如，视频)还是静止(例如，静态图像)的且不管为文字还是图形。更明确地说，预期所述实施例可以多种电子装置来实施或与多种电子装置相关联，所述电子装置例如(但不限于)：移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄像机(camcorder)、游戏控制台、腕表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、自动显示器(例如，里程计显示器等)、驾驶舱控制器及/或显示器、相机视图显示器(例如，车辆中的后视相机的显示器)、电子照片、电子广告牌或标牌、投影仪、建筑结构、包装及美学结构(例如一件珠宝上的图像的显示器)。与本文中所述的MEMS装置结构类似的MEMS装置还可用于例如电子交换装置的非显示器应用中。

例如干涉式调制器的MEMS装置的制造工艺可经设计以简化所述制造工艺，或经设计以调适所述制造工艺从而有助于在薄膜晶体管(TFT)制造室或“厂(fab)”(例如平板显示器厂或常规LCD或OLED厂)中的制造。甚至可通过对多个层使用相同材料(例如，用于吸收体及牺牲层的MoCr或Mo)，且从足够小以使用光学吸收体来携载信号的阵列的光学堆叠消除昂贵透明导电氧化物(例如，ITO)而实现更大的简化。在某些实施例中，制造工艺可并入例如MoCr合金的材料，其用于此类制造室中。在其它实施例中，例如合金的具有特定成分的材料可用以提供干涉式调制器或其它MEMS装置的所要性质。

图1中说明包含干涉式MEMS显示器元件的一个干涉式调制器显示器的实施例。在这些装置中，像素处于明亮状态或黑暗状态。在明亮(“松弛”或“开启”)状态下，显示器元件将入射可见光的大部分反射到用户。当在黑暗(“激活”或“关闭”)状态下时，显示器元件将极少的入射可见光反射到用户。依据实施例而定，可颠倒“接通”和“断开”状态的光反射性质。MEMS像素可经配置以主要在选定颜色下反射，除了黑与白之外，其还允许彩色显示。

图1是描述视觉显示器的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图，其中每一像素包含MEMS干涉式调制器。在一些实施例中，干涉式调制器显示器包含这些干涉式调制器的一行/列阵列。每一干涉式调制器包括一对反射层，其定位成彼此相距可变且可控制的距离以形成具有至少一个可变尺寸的谐振光学间隙。在一个实施例中，可在两个位置之间移动所述反射层之一。在第一位置(本文中称为松弛位置)中，可移动反射层定位成距固定部分反射层相对较大的距离。在第二位置(本文中称为激活位置)中，可移动反射层定位成更紧密邻近所述部分反射层。视可移动反射层的位置而定，从所述两个层反射的入射光相长地或相消地进行干涉，从而为每一像素产生全反射状态或非反射状态。

图1中像素阵列的所描绘部分包括两个相邻干涉式调制器12a和12b。在左侧干涉式调制器12a中，说明可移动反射层14a处于距包括部分反射层的光学堆叠16a预定距离处的松弛位置中。在右侧干涉式调制器12b中，说明可移动反射层14b处于邻近于光学堆叠16b的激活位置中。

如本文所引用的光学堆叠16a和16b(统称为光学堆叠16)通常包含若干熔合层(fused layer)，所述熔合层可包括例如氧化铟锡(ITO)的电极层、例如铬的部分反射层和透明电介质。因此，光学堆叠16是导电的、部分透明且部分反射的，且可通过(例如)将上述层的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制造。部分反射层可由为部分反射的多种材料(例如，各种金属、半导体及电介质)形成。部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且层中的每一者可由单一材料或材料的组合形成。

在一些实施例中，光学堆叠16的层经图案化成为多个平行条带，且如下文中进一步描述，可在显示器装置中形成行电极。可移动反射层14a、14b可形成为沉积金属层(一层或多层)的一系列平行条带(与行电极16a、16b垂直)以形成沉积在柱18和沉积于柱18之间的介入牺牲材料的顶部上的列。当蚀刻掉牺牲材料时，可移动反射层14a、14b通过所界定的间隙19而与光学堆叠16a、16b分离。例如铝的高度导电且反射的材料可用于反射层14，且这些条带可在显示器装置中形成列电极。应注意，可不按比例绘制图1。在一些实施例中，柱18之间的间距可为约10-100um，而间隙19可约为小于1000埃。

如图1中像素12a所说明，在不施加电压的情况下，间隙19保持于可移动反射层14a与光学堆叠16a之间，其中可移动反射层14a处于机械松弛状态。然而，当对选定行及列施加电位(电压)差时，形成于相应像素处的行电极及列电极的交叉处的电容器变为带电的，且静电力将电极拉到一起。如果电压足够高，则可移动反射层14变形且被迫使抵靠光学堆叠16。由图1中右侧的激活像素12b所说明，光学堆叠16内的介电层(此图中未加说明)可防止短路并控制层14与层16之间的分离距离。不论所施加电位差的极性如何，行为均相同。

图2到图5说明用于在显示器应用中使用干涉式调制器阵列的一个示范性工艺及系统。

图2为说明可并入有干涉式调制器的电子装置的一个实施例的系统框图。所述电子装置包括处理器21，其可为任何通用单芯片或多芯片微处理器，例如

8051、

Power或

或任何专用微处理器，例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列。如此项技术中常规的，处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除执行操作系统以外，所述处理器可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包括网页浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。

在一个实施例中，处理器21还经配置以与阵列驱动器22通信。在一个实施例中，阵列驱动器22包括将信号提供到显示器阵列或面板30的行驱动器电路24及列驱动器电路26。图1中所说明的阵列的横截面通过图2中的线1-1展示。应注意尽管出于清楚起见，图2说明干涉式调制器的3×3阵列，但显示器阵列30可含有大量干涉式调制器，且行中的干涉式调制器的数目可不同于列中的干涉式调制器的数目(例如，每行300像素×每列190像素)。

图3为针对图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜位置对施加电压的图。对于MEMS干涉式调制器来说，行/列激活协议可利用如图3中所说明的这些装置的滞后性质。干涉式调制器可能需要(例如)10伏的电位差来促使可移动层从松弛状态变形为激活状态。然而，当电压从所述值减小时，可移动层在电压降回10伏以下时维持其状态。在图3的示范性实施例中，可移动层直到电压降到2伏以下时才完全松弛。因此，在图3中所说明的实例中，存在约3到7V的电压范围，其中存在一施加电压的窗口，装置在所述施加电压的窗口内稳定于松弛状态或激活状态中。此窗口在本文中称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于具有图3的滞后特性的显示器阵列来说，可设计行/列激活协议使得在行选通期间，已选通行中待激活的像素暴露于约10伏的电压差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在选通之后，所述像素暴露于约5伏的稳态或偏压差使得其维持在行选通使其所处的任何状态中。在此实例中，每一像素在被写入之后经历3-7伏的“稳定窗口”内的电位差。此特征使图1中说明的像素设计在相同的施加电压条件下稳定于激活或松弛预存在状态中。因为干涉式调制器的每一像素(不论处于激活还是松弛状态)本质上是由固定反射层和移动反射层形成的电容器，所以可在滞后窗口内的一电压下维持此稳定状态而几乎无功率消耗。本质上，如果所施加的电压是固定的，那么没有电流流入像素中。

如下文进一步描述，在典型应用中，图像帧可通过根据第一行中的所要激活像素集合而跨越列电极集合发送数据信号集合(每一数据信号具有特定电压电平)来创建。接着将行脉冲施加到第一行电极，从而激活对应于所述数据信号集合的像素。所述数据信号集合接着改变以对应于第二行中的所要激活像素集合。接着将脉冲施加到第二行电极，从而根据所述数据信号激活第二行中的适当像素。第一行像素不受第二行脉冲影响，且保持于其在第一行脉冲期间被设定的状态中。可以顺序方式将此工艺重复用于整个行系列以产生所述帧。一般来说，通过以某一所要帧数/秒来不断地重复此工艺而以新的图像数据刷新及/或更新帧。可使用用于驱动像素阵列的行电极及列电极以产生图像帧的广泛多种协议。

图4及图5说明用于在图2的3×3阵列上创建显示器帧的一个可能激活协议。图4说明可用于展现图3的滞后曲线的像素的列及行电压电平的可能集合。在图4的实施例中，激活像素涉及将合适列设定为-V_bias并将合适行设定为+ΔV，其可分别对应于-5伏与+5伏。通过将适当的列设定到+V_bias及将适当的行设定到相同+ΔV从而在像素上产生零伏电位差来实现使像素松弛。在行电压保持于零伏的那些行中，像素稳定于其最初所处的状态而不管列是处于+V_bias还是-V_bias。还如图4中所说明，可使用与以上所述的极性相反的电压，例如，激活像素可涉及将适当的列设定到+V_bias及将适当的行设定到-ΔV。在所述实施例中，通过将适当的列设定到-V_bias及将适当的行设定到相同-ΔV从而在像素上产生零伏电位差来实现释放像素。

图5B为展示施加到图2的3×3阵列的一系列行及列信号的时序图，其将产生图5A中所说明的显示器布置，其中激活像素为非反射的。在写入图5A中所说明的帧之前，所述像素可处于任何状态，且在此实例中，所有行初始处于0伏且所有列处于+5伏。在这些施加电压下，所有像素均稳定于其现存的激活或松弛状态中。

在图5A帧中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)被激活。为实现此，在行1的“线时间”期间，将列1及列2设定到-5伏，且将列3设定到+5伏。此不会改变任何像素的状态，因为所有像素均保持在3-7伏的稳定窗口中。行1接着以从0升到5伏且返回到零的脉冲得以选通。此激活(1，1)及(1，2)像素且使(1，3)像素松弛。阵列中的其它像素不受影响。为视需要设定行2，将列2设定到-5伏且将列1及列3设定到+5伏。施加到行2的相同选通接着将激活像素(2，2)且使像素(2，1)及(2，3)松弛。同样，阵列的其它像素不受影响。行3类似地通过将列2及列3设定到-5伏及将列1设定到+5伏而设定。行3选通设定如图5A中所示的行3像素。在写入帧之后，行电位为零，且列电位可保持于+5伏或-5伏，且显示器接着稳定于图5A的布置中。相同程序可用于数十或数百个行及列的阵列。用以执行行及列激活的电压的时序、序列及电平可在以上所概述的一般原理的范围内广泛地变化，且以上实例仅为示范性的，且任何激活电压方法可与本文中所述的系统及方法一起使用。

图6A及图6B为说明显示器装置40的实施例的系统框图。举例来说，显示器装置40可为蜂窝式电话或移动电话。然而，显示器装置40的相同组件或其轻微变体还说明各种类型的显示器装置，例如电视及便携式媒体播放器。

显示器装置40包括外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风46。外壳41通常由多种制造工艺中的任一者形成，其包括注射模制及真空成形。另外，外壳41可由多种材料中的任一者制成，所述材料包括(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合。在一个实施例中，外壳41包括可与具有不同色彩或含有不同标识、图片或符号的其它可移除部分互换的可移除部分(未图示)。

示范性显示器装置40的显示器30可为多种显示器中的任一者，所述显示器包括如本文中所述的双稳态显示器。在其它实施例中，显示器30包括例如上文所述的等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD的平板显示器，或例如CRT或其它管状装置的非平板显示器。然而，出于描述本实施例的目的，如本文所描述，显示器30包括干涉式调制器显示器。

图6B中示意性地说明示范性显示器装置40的一个实施例的组件。所说明的示范性显示器装置40包括外壳41且可包括至少部分地封闭于其中的额外组件。举例来说，在一个实施例中，示范性显示器装置40包括网络接口27，网络接口27包括耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28及阵列驱动器22，阵列驱动器22又耦合到显示器阵列30。电源50按照特定示范性显示器装置40设计的需要而将电力提供到所有组件。

网络接口27包括天线43及收发器47，使得示范性显示器装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中，网络接口27还可具有一些处理能力以减轻对处理器21的需求。天线43为用于发射及接收信号的任何天线。在一个实施例中，所述天线根据IEEE 802.11标准(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))而发射及接收RF信号。在另一实施例中，天线根据蓝牙(BLUETOOTH)标准而发射及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，天线经设计以接收用以在无线手机网络内通信的CDMA、GSM、AMPS、W-CDMA或其它已知信号。收发器47预处理从天线43接收的信号，以使所述信号可由处理器21接收并进一步运用。收发器47还处理从处理器21接收的信号，以使所述信号可经由天线43从示范性显示器装置40发射。

在一替代实施例中，收发器47可由接收器代替。在又一替代实施例中，网络接口27可由可存储或产生待发送到处理器21的图像数据的图像源代替。举例来说，所述图像源可为数字视频光盘(DVD)或含有图像数据的硬盘驱动器，或产生图像数据的软件模块。

处理器21大致上控制示范性显示器装置40的全部操作。处理器21接收例如来自网络接口27或图像源的压缩图像数据的数据，并将所述数据处理成原始图像数据或处理成易被处理成原始图像数据的格式。处理器21接着将已处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常是指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说，这些图像特性可包括颜色、饱和度和灰度级。

在一个实施例中，处理器21包括微控制器、CPU或逻辑单元以控制示范性显示器装置40的操作。调节硬件52通常包括放大器和滤波器，以用于将信号发射到扬声器45，且用于从麦克风46接收信号。调节硬件52可为示范性显示器装置40内的离散组件，或可并入在处理器21或其它组件内。

驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据，并适当地重新格式化所述原始图像数据以供高速发射到阵列驱动器22。具体来说，驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化为具有类似光栅的格式的数据流，使得其具有适于在显示器阵列30上进行扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将已格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常与系统处理器21关联而作为独立的集成电路(IC)，但可以许多方式实施这些控制器。其可作为硬件嵌入处理器21中，作为软件嵌入处理器21中，或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。

通常，阵列驱动器22从驱动器控制器29接收已格式化的信息且将视频数据重新格式化为一组平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百且有时数千个引线。

在一个实施例中，驱动器控制器29、阵列驱动器22和显示器阵列30适用于本文描述的任意类型的显示器。举例来说，在一个实施例中，驱动器控制器29是常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器22是常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，干涉式调制器显示器)。在一个实施例中，驱动器控制器29与阵列驱动器22集成。此实施例在例如蜂窝式电话、手表和其它小面积显示器的高度集成系统中是普遍的。在又一实施例中，显示器阵列30是典型的显示器阵列或双稳态显示器阵列(例如，包括干涉式调制器阵列的显示器)。

输入装置48允许用户控制示范性显示器装置40的操作。在一个实施例中，输入装置48包括例如QWERTY键盘或电话键区的键区、按钮、开关、触敏屏幕、压敏或热敏薄膜。在一个实施例中，麦克风46是用于示范性显示器装置40的输入装置。当使用麦克风46将数据输入到所述装置时，用户可提供声音命令以便控制示范性显示器装置40的操作。

电源50可包括此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，在一个实施例中，电源50是例如镍镉电池或锂离子电池的可再充电电池。在另一实施例中，电源50是可再生能源、电容器或太阳能电池，包括塑料太阳能电池和太阳能电池涂料。在另一实施例中，电源50经配置以从壁式插座接收功率。

在一些实施方案中，如以上所述，控制可编程性驻留于可位于电子显示器系统中的若干位置中的驱动器控制器中。在一些情况中，控制可编程性驻留于阵列驱动器22中。上述优化可实施于任何数目的硬件及/或软件组件中及各种配置中。

根据以上所陈述的原理而操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛地变化。举例来说，图7A到图7E说明可移动反射层14及其支撑结构的五个不同实施例。图7A为图1的实施例的横截面，其中金属材料的条带14沉积于正交延伸的支撑件18上。在图7B中，每一干涉式调制器的可移动反射层14形状为正方形或长方形且在系链(tether)32上仅在隅角处附接到支撑件。在图7C中，可移动反射层14形状为正方形或长方形且从可变形层34悬置，所述可变形层34可包含柔性金属。可变形层34直接或间接连接到围绕在可变形层34周边的衬底20。本文中的所述连接件是指支撑柱。图7D中所说明的实施例具有由支撑柱插塞42形成的支撑件，可变形层34搁置在支撑柱插塞42上。如在图7A到图7C中，可移动反射层14保持悬置在间隙上方，但可变形层34未通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成支撑柱。而是，支撑柱由平坦化材料(其用于形成支撑柱插塞42)形成。在其它实施例中，支撑件可额外或替代地包括例如支撑轨的连续壁。图7E所说明的实施例基于图7D中所示的实施例，但还可适合于与图7A到图7C中所说明的任何实施例及未展示的额外实施例一起作用。在图7E所示的实施例中，已使用金属或其它导电材料的额外层来形成总线结构44。此允许信号沿着干涉式调制器的背部路由，从而消除原本可能必须形成于衬底20上的大量电极。

在例如图7中所示的那些实施例的实施例中，干涉式调制器充当直接观看装置，其中从透明衬底20的前侧观看图像，所述侧与上面布置有调制器的一侧相对。在这些实施例中，反射层14以光学方式遮蔽在反射层的与衬底20相对侧的干涉式调制器的部分，其包括可变形层34。这允许对遮蔽区进行配置和操作而不会消极地影响图像质量。举例来说，此遮蔽允许图7E中的总线结构44，其提供使调制器的光学性质与调制器的机电性质分离的能力，例如，寻址或由所述寻址引起的移动。这种可分离的调制器结构允许选择用于调制器的机电方面和光学方面的结构设计和材料且使其彼此独立而发挥作用。此外，图7C-7E中所示的实施例具有源自反射层14的光学性质与其机械性质脱离的额外益处，所述益处由可变形层34执行。这允许用于反射层14的结构设计和材料在光学性质方面得以优化，且用于可变形层34的结构设计和材料在所需的机械性质方面得以优化。

可在例如干涉式调制器的MEMS装置的阵列内或邻近所述阵列来提供额外结构。举例来说，当观看所述阵列时，掩模能够最小化或防止不合需要的光学效应，且总线结构可在整个阵列内改进导电性。另外，可使用特定材料以实现某些所要的效应。还可选择所用的材料以最小化用以制造装置的不同材料的量，从而针对已就位(例如在薄膜晶体管(TFT)制造室或“厂”)的特定制造设备而简化制造工艺或调适制造工艺。

图8A到图8I说明可用以形成MEMS装置阵列的工艺流程。明确地说，所述工艺流程针对干涉式调制器阵列的形成，但所述工艺流程的某些步骤及其中所使用的某些材料还可用于其它类型的MEMS装置的制造中。

图8A说明光透射衬底100，黑色掩模吸收体层110形成于所述衬底100上。在某些实施例中，光透射衬底100可为透明或大体上透明的，且其可包含例如玻璃或聚合物等材料。在某些实施例中，可将包含由光透射层间隔开以提供所要间隔的两个吸收体层的固定干涉式结构用作干涉式黑色掩模，归因于对入射在干涉式黑色掩模上的光的干涉式调制，所述干涉式黑色掩模呈黑色。尽管称为黑色掩模，但黑色掩模不需要呈黑色，而是可呈现例如灰色等某一其它色彩，只要朝向观看者反射回的光的强度减少即可。在此类实施例中，黑色掩模吸收体层110由对入射光为部分透射的材料及厚度形成，以致一些入射光被反射且一些入射光被透射穿过其到达下伏层。在一个实施例中，黑色掩模吸收体层110包含MoCr合金层(其具有约70-75埃的厚度)，然而也还可使用其它适合的材料及厚度。举例来说，如在下文中更详细描述，在某些实施例中，黑色掩模吸收体层可包含适合厚度的钼，且还可使用仅包含铬的层。在一个实施例中，选择黑色掩模吸收体层110的厚度及材料以致使吸收体层对可见光的反射率在28.5％到34.5％之间。在一个实施例中，黑色掩模吸收体层110被溅镀沉积到衬底上，然而也可使用其它适合的沉积方法。

在特定实施例中，MoCr层可包括约2原子％的铬。在其它实施例中，MoCr层可包括约2与3原子％之间的铬。在钼层中包含铬可增加层的反射率。更高含量的铬可增加对层进行图案化的难度，且高含量的铬还可因限制某些装置中铬的量的规则而被禁止。在其它实施例中，使用MoCr作为吸收体层可有助于在TFT厂(例如常规LCD或OLED厂或平板显示器厂)中进行的所述材料的制造，因为MoCr在此类厂中常用作栅极材料。

在图8B中，图案化及蚀刻黑色掩模吸收体层110以形成黑色掩模吸收体层112且黑色掩模介电层120已沉积于黑色掩模吸收体层112上。尽管说明为平坦的，但应理解，视材料及沉积工艺而定，此黑色掩模介电层及后续沉积层可保形地沉积于下伏层上且可不包含平坦上表面。在所说明的实施例中，可由导电材料形成黑色掩模吸收体层110，在一些实施例中黑色掩模介电层120可保持大体上未经图案化的，或黑色掩模介电层120可经图案化以移除黑色掩模介电层120的未上覆于黑色掩模吸收体层112上的部分。在一些实施例中，其中黑色掩模介电层120用作干涉式黑色掩模中两个吸收体层之间的间隔物或光学腔，尽管还可使用其它适合的材料，但黑色掩模介电层120可包含具有约800埃的厚度的SiO₂，且可具有约1.46的折射率。在一些实施例中，层120可具有在760与840埃之间的厚度(尽管还可使用比其厚或薄的层)。应理解，介电层120因此界定干涉式黑色掩模的光学路径，以致所要“色彩”的厚度将视所选材料的折射率而定。尽管还可使用其它适合的方法，但可经由化学气相沉积来沉积黑色掩模介电层120。还可选择黑色掩模介电层120的厚度以有助于保形沉积上覆层，同时弄平下伏黑色掩模吸收体层112中的任何锋利边缘。

在图8C中，光学吸收体层130沉积于黑色掩模介电层120上。在某些实施例中，所述光学吸收体层可由与黑色掩模吸收体层112相同的材料形成，且因此可使用相同类型的设备来沉积。因此，在一些实施例中，光学吸收体层130可包含MoCr层，且可具有70-75埃的厚度。由于MoCr光学吸收体层130为导电的，所以可无需沉积单独的导电层来用作电极，但在其它实施例中，例如氧化铟锡的单独透明导电层可沉积于光学吸收体层130上方或下方。

在某些实施例中，对于小的MEMS装置阵列，例如具有供小于40个像素跨越的行或列的干涉式调制器阵列(例如，其中由光学吸收体130形成的导电层延伸不多于40个像素)，可无需为信号传导或总线目的而沉积单独透明导电层，尽管视所使用的像素的大小与材料而定，仍可形成不同大小及形状的MEMS阵列而没有单独导电层。因此，从所说明的实施例省略ITO或其它透明导体。因为光学吸收体130可用作下部或行电极中的唯一或主要导体，所以可针对其导电性质以及光学性质而选择光学吸收体层130的成分。如上文所提到，可使用包括约2原子％的铬的MoCr层作为光学吸收体130，且所述MoCr层可提供具有适当导电性的层。尽管包含额外铬可增加导电性，但已发现在集成中具有不合需要的效应，例如使用于图案化行电极的蚀刻复杂化。接着可执行后续图案化步骤以图案化光学吸收体层130从而形成所要图案(未图示)，例如形成条带电极以界定阵列的行电极。当无透明导电层沉积于邻近光学补偿层130时，所述光学补偿层可在此类条带电极的至少部分中用作主要或唯一导体。

光学吸收体130可在阵列的不同部分提供两个光学功能。在光学吸收体130上覆于黑色掩模吸收体112上的黑色掩模区114中，如上文所论述，光学吸收体及黑色掩模吸收体协作以形成干涉式黑色掩模。在给定特定尺寸及材料的情况下，固定元件将吸收大量入射光，充当黑色掩模及防止上覆结构反射光。由于黑色掩模区114将不管MEMS阵列的状态而反射特定色彩或光(或吸收光)，所以这些区可被称为光学非活性的。在某些实施例中，多数光被吸收，但被反射的光的量可通过变化吸收体层的厚度及不透明度而加以控制。被反射的光的量的方差可影响并入有此阵列的显示器装置的对比率。

在例如那些远离黑色掩模区114而定位的光学活性区中，光学吸收体130可用作(例如)干涉式调制器中的部分反射层，例如在图1的光学堆叠16中的部分反射层。因此，光学吸收体130用作在可反射各种色彩中的一者或一者以上的干涉式调制器中的部分反射及部分透明层。包含Mo还可针对某些色彩提供更好的色彩性能，如包括例如MoCr的Mo的光学吸收体可提供比具有Cr光学吸收体的干涉式调制器更好的红色。

在图8D中，总线层沉积于光学吸收体130上，且经图案化以形成总线结构140。所述总线结构可包含提供比光学吸收体130或其它导电层更好的导电性的材料或厚度。在图8D中所描绘的特定实施例中，总线结构包括下部子层142及上部子层144。还应理解，总线层可延伸到阵列外部，且可允许阵列内的组件与外部组件(例如接触衬垫或驱动器电路)之间电连通。

在某些实施例中，下部子层142包含Al且上部子层144包含Ni，且在特定实施例中，下部子层142包含Al-Nd合金且上部子层144包含Ni-B合金。如将在下文更详细论述，Al-Nd合金可包含约2％钕，且Ni-B合金可包含约0.1％到0.5％硼。这些特定合金还可用于MEMS装置中的其它层中。

如在图8D中可见，总线结构140可上覆黑色掩模区114的由黑色掩模吸收体112界定的一部分。因为黑色掩模区114最小化来自上覆层的光学干涉，所以例如Al的反射材料可用于总线结构140中而不导致不合需要的光学效应。因此，在某些实施例中，总线结构可用作显示器的光学非活性区内的导体，光学非活性区例如阵列内的黑色掩模区114或阵列外部的布线区中的互连，且导电光学吸收体层130可用作显示器的某些光学活性区中的条带电极中的主要或唯一导体。光学非活性区中总线结构140的使用可补偿光学活性区中的较低导电性，以致不需要例如ITO的透明导电层。

在图8E中，光学介电层150已沉积于总线结构140上，其后为蚀刻阻挡层152及牺牲层160。在某些实施例中，光学介电层150可包含与黑色掩模介电层120相同的材料。尽管还可使用其它适当的材料、厚度及沉积技术，但在特定实施例中，光学介电层150包含可经由化学气相沉积沉积的SiO₂层，且可具有380与440埃之间的厚度。选择光学介电层的厚度及材料(折射率)以界定当处于崩溃状态(见图1)时由成品干涉式调制器反射的干涉式色彩。蚀刻阻挡层152可包含视待使用的特定蚀刻及例如牺牲层160的邻近层的成分而定的多种材料。尽管可视稍后在制造工艺中使用的释放或其它蚀刻化学性质而定使用不同材料，但在一个实施例中，所述蚀刻阻挡层可为抗XeF₂蚀刻的。尽管可使用其它厚度及材料，但在一个实施例中，所述蚀刻阻挡层包含具有约80埃的厚度的Al_xO_y层，且其可经溅镀沉积于光学介电层150上。

牺牲层160的高度将影响当移除牺牲层时形成的干涉式腔的大小，此又影响当可移动反射层处于松弛或未激活位置时(例如图1的可移动反射层14a)由干涉式调制器反射的色彩。图8E描绘具有大体上恒定的高度的牺牲层160。应理解，在其它实施例中，牺牲层160可具有变化的高度。举例来说，牺牲层160可在对应于将在松弛位置反射不同干涉式色彩的不同像素的区中具有不同高度。举例来说，可经由反复沉积及图案化工艺形成此类牺牲层。在当可移动反射层处于未激活位置时反射绿黄光的单色阵列的特定实施例中，牺牲层160可包含溅镀沉积于蚀刻阻挡层152上的钼层，其具有在约1715与1855埃之间的厚度。然而，应理解，可使用不同的厚度以获得单色阵列的不同色彩。

在图8F中，可见牺牲层160经图案化以形成孔口162，其延伸穿过牺牲层160，且支撑柱材料的层170已随后沉积于牺牲层160上。在所说明的实施例中，所述孔口162采取锥形孔口的形式，其延伸穿过牺牲层160到下伏层，在此情况下为蚀刻阻挡层152。如图中可见的，孔口的锥形有助于支撑柱层170的保形沉积。尽管可使用其它材料、厚度及沉积工艺，但在一个实施例中，支撑柱材料包含SiO₂层，其经由化学气相沉积而沉积且具有约4360到4520埃的厚度。明确地说，支撑柱层170的厚度可视用以形成所述层的材料及所得的支撑柱所需的机械性质而定。

在图8G中，支撑柱层170已经图案化及经蚀刻以形成支撑结构172，支撑结构172可在整个MEMS装置的阵列中采取多种形状。图8G描绘具有大体上水平延伸的翼形部分174的支撑结构172，翼形部分174具有锥形边缘176。水平延伸的翼形部分174可用以通过变化翼形部分174的大小来控制上覆层(例如，待于下文描述的机械层及镜层)的高度及行为。锥形边缘176有助于上覆层的连续保形沉积。

另外，在所描述的关于图8G的步骤之后可接续一处理步骤，其中在沉积可变形反射层180(见下文图8H)之前处理牺牲层160的暴露部分。对牺牲层的处理(例如纹理化表面的形成及/或表面能量的修改)将在稍后移除牺牲层160时使得可变形反射层180具有纹理化的表面及/或经修改的表面能量。形成例如具有纹理化的下部表面的可变形反射层180，可防止或延迟可变形反射层180与下伏层之间发生静摩擦。

在特定实施例中，牺牲层160可由N₂O等离子处理工艺来处理。在图案化柱层170以形成支撑结构172而借此暴露牺牲层160的远离所述柱定位的部分之后，可形成包含N₂O的等离子环境，且将经部分制成的阵列暴露于N₂O等离子环境中达一时间周期。在某些实施例中，所述暴露可具有在30秒到5分钟之间的持续时间，但在其它实施例中可使用更长或更短时间的暴露。在柱结构形成于干式蚀刻腔室内的某些实施例中，可在相同的干式蚀刻腔室内部形成等离子环境。应理解，所述处理在其它实施例中可在柱形成之前执行，例如在初始图案化牺牲层160以形成孔口162之前执行。

在图8H中，可变形反射层180形成于支撑结构172上。可变形反射层180包含反射子层182及形成于反射子层182上的机械子层184。通常，反射子层182可包含主要针对其光学性质而选择的材料，且机械子层可包含主要针对其机械性质而选择的材料。

在某些实施例中，反射子层可包含铝，且机械子层可包含镍。在反射层中钕的存在抑制铝迁移，此可导致铝层上以蓝点的形式的变色，所述点可造成不合需要的光学效应。反射层中约2原子％钕的存在足以抑制铝迁移，但包含额外的钕可减少反射子层的反射率且显著增加反射子层的阻力。因此，在反射子层中的Nd可经选择为低于铝薄膜的2.5原子％，明确地说为在0.5原子％与2.5原子％之间。

在特定实施例中，反射子层可包含Al-Nd合金，且在特定实施例中可包含溅镀沉积的Al-Nd合金，所述合金包含约2原子％的钕。在特定实施例中，反射子层可具有在约300与400埃之间的厚度。在特定实施例中，机械子层可包含Ni-B合金，且在特定实施例中可包含溅镀沉积的Ni-B合金，所述合金包含约0.1-0.5原子％的硼及具有约750到850埃的厚度。在机械层中包含硼增加了机械层的硬度。光学层的硬度的增加可有助于延迟或防止机械层的恢复力的减小，所述减小可导致像素无法在预期电压下释放。另外，较硬的机械层在整个阵列中可需要较少支撑结构，以致阵列中的更多者可为光学活性的且不能被黑色掩模遮蔽。在包括总线结构140的实施例中，因柱的减少所致的活性区的增加可弥补归因于总线结构的遮蔽所致的活性区的损失。相对少量(约0.5原子％)的硼的使用避免显著的硼扩散到邻近层中(包括光学介电层及吸收体层)，所述扩散可造成不合需要的电效应。

在Ni-B合金沉积于Al-Nd合金上的实施例中，例如在总线结构140或可变形反射层180中，Ni-B层的沉积可导致在两个层之间形成可具有不合需要的电性质的金属间合金。所述金属间合金的形成还可发生于任何含Al层与任何含Ni层之间。为了避免或最小化所述金属间合金的形成，可在下伏层(在此情况下为Al-Nd层)的沉积与上覆层(在此情况下为Ni-B层)的沉积之间使用真空中断。将最近沉积的Al-Nd层暴露于洁净的室内空气会有助于Al-Nd层的表面上的Al_xO_y原生氧化物的形成，其可抑制在沉积上覆Ni-B层后金属间合金的形成，且可具有比金属间合金更合需要的电性质。

最后，在图8I中，可看见可变形反射层180已被图案化以形成所要结构，且释放蚀刻已经执行以移除牺牲层160，从而在可变形反射层180与下伏层之间形成腔164。在某些实施例中，蚀刻孔186可形成于反射可变形层180中以将牺牲层160的额外部分暴露于蚀刻剂。另外，可变形反射层可经蚀刻以形成例如列条带电极及阵列与阵列外部的接触衬垫之间的导电引线等额外特征(未图示)。

在此释放蚀刻工艺期间可消耗蚀刻阻挡层152(在图8I中展示为经部分移除)的一些蚀刻阻挡层，尽管这些可保留在成品装置中。在某些实施例中，可使用XeF₂释放蚀刻以移除Mo牺牲层而未大体上蚀刻Al_xO_y蚀刻阻挡层。尽管在图8I中展示为在支撑结构172之间的区中被移除，但应理解，蚀刻阻挡层152的一些部分可保留在那些区中。因此形成干涉式调制器190，其中可变形反射层180为可朝向下伏层以静电方式激活的，以改变由干涉式调制器190反射的光的波长。

图9说明从干涉式调制器阵列200的下部所见的图。可见可变形反射层180(见图8I)已经图案化以形成列电极210。位于气隙下的导电层已经图案化以形成行电极215(在图9中由轨支撑件217所勾画)，其允许激活可变形反射层180的特定部分。可采用特定像素内的行电极或柱之间的细长轨的形式的支撑结构由呈黑色的黑色掩模区220遮蔽。另外，蚀刻孔230(类似于图8I的蚀刻孔186)还在整个阵列内可见为黑点。在激活可变形反射层后，便导致列电极210的部分朝向行电极215移动，阵列的激活部分可在整个阵列内呈黑色。然而，应理解可使用不同配置，使得阵列在处于未激活位置中反射第一色彩与处于激活位置中反射第二色彩之间可切换，且如果使用不同尺寸或材料则所述激活位置无需产生黑色状态。

在某些实施例中，下文表格中陈述的工艺流程可用于MEMS装置的制造中：

表1

在表格1的工艺流程中，所使用的材料(例如MoCr及SiO₂)为在薄膜晶体管制造室中容易获得的，且许多材料用于多个层中，简化了制造工艺。还可见，上述工艺可在制造不需要额外导体的显示器大小时使用，且因此不包括单独透明导体或布线材料。沉积AlO_x(或Al_xO_y)作为蚀刻终止层可容易在薄膜晶体管制造室中实施。此外，针对其对于铝迁移的抵抗性而选择了用于反射体中的Al-Nd合金，且针对其机械强度及可靠性而选择了镍。

在另一实施例中，在以下表格中描述使用类似材料及厚度的替代性流程：

表2

在上述工艺流程中，Ni-B合金用于布线/总线层及机械层两者中，从而简化了工艺流程，且图案化及蚀刻以清除接触衬垫的最终步骤可用于某些实施例中。例如跨越板的总线层及牺牲层的层的厚度在某些实施例中也可低于某一程度。举例来说，总线层的厚度的变化可低于

且可通常为约

类似地，牺牲层的厚度的变化可低于

且可通常为约

如上文所提及，某些材料可代替上文所论述的材料而加以使用。在上述实施例中，MoCr用作黑色掩模吸收体112及光学吸收体130。在替代实施例中，上述表格中的黑色掩模及光学吸收体可在未添加铬的情况下包含适当厚度的钼以产生所要反射率。尽管还可使用其它材料及厚度，但在某些实施例中，黑色掩模及光学吸收体可包含具有约60到70埃的厚度的钼。在所述实施例中，可使用单一类型的沉积工具来沉积黑色掩模、光学吸收体及牺牲层三者。

应了解，上述实施例的各种组合均是可能的。还应认识到，以上实施例中的层及形成那些层的材料的次序仅为示范性的。此外，在一些实施例中，可沉积及处理其它层(未图示)以形成MEMS装置的部分或形成衬底上的其它结构。在其它实施例中，这些层可使用替代性沉积、图案化及蚀刻材料及工艺来形成，可以不同次序沉积或由不同材料组成，如所属领域的技术人员所已知的。

明确地说，如上文所论述，可改变各种层的高度以便控制由干涉式调制器在激活位置时所反射的光的波长。明确地说，由于当移除牺牲层时牺牲层的高度将影响所得腔的高度，所以可改变牺牲层厚度以控制由干涉式调制器反射的色彩。

还应认识到，除非本文中另有特定且清楚地陈述，否则本文中所述的任何方法的动作或事件可视实施例而定以其它顺序来执行，可被添加，合并，或完全省去(例如，并非所有动作或事件均为实践所述方法所必需)。举例来说，如上文所述，某些实施例可不包括上文所论述的总线结构，尤其在显示器足够小时。

尽管以上详细描述已展示、描述及指出了本发明在应用到各种实施例时的新颖特征，但应理解，所属领域的技术人员可在不脱离本发明的精神的情况下对所说明的工艺的装置的形式及细节进行各种省略、替代及改变。应认识到，本发明可在不提供本文中所陈述的特征及益处的全部特征及益处的形式内实施，因为一些特征可分离于其它特征而加以使用或实践。

Claims

1.一种光学MEMS装置，其包含：

导电光学吸收体，其形成于衬底上且经图案化以形成条带电极，其中所述光学吸收体用作所述MEMS装置的光学活性区内的所述条带电极中的主要导体；

至少一个支撑结构，其形成于所述光学吸收体上；以及

导电可变形层，其形成于所述至少一个支撑结构上且与所述导电光学吸收体间隔开，其中所述可变形层可以静电方式朝向所述光学吸收体层偏转。

2.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述光学吸收体包含钼铬合金，所述钼铬合金包含约2原子％的铬。

3.根据权利要求2所述的MEMS装置，其中所述光学吸收体具有约70-75埃的厚度。

4.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述光学吸收体反射约28.5％与34.5％之间的入射可见光。

5.根据权利要求1所述的MEMS装置，其额外地包含黑色掩模吸收体层，其下伏于所述光学吸收体的至少一部分下，其中所述黑色掩模吸收体包含与所述光学吸收体相同的材料。

6.根据权利要求5所述的MEMS装置，其中所述MEMS装置包含所述可变形层与所述光学吸收体之间的牺牲层，其中所述牺牲层包含与所述光学吸收体及黑色掩模吸收体相同的材料。

7.根据权利要求6所述的MEMS装置，其中所述牺牲层、光学吸收体及黑色掩模吸收体中的每一者均包含钼层。

8.根据权利要求5所述的MEMS装置，其中至少所述黑色掩模吸收体及所述光学吸收体形成吸收入射光的一部分的干涉式黑色掩模。

9.根据权利要求5所述的MEMS装置，其中所述黑色掩模吸收体位于所述显示器的光学非活性区中。

10.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述黑色掩模吸收体层的至少一部分下伏于所述至少一个支撑结构的一部分下。

11.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述可变形层包含面向所述光学吸收体的反射子层及上覆于所述反射子层上的机械子层，其中所述反射子层包含铝且所述机械子层包含镍。

12.根据权利要求11所述的MEMS装置，其中所述反射子层包含铝钕合金。

13.根据权利要求12所述的MEMS装置，其中所述铝钕允许包含约2原子％的钕。

14.根据权利要求11所述的MEMS装置，其中所述机械子层包含镍硼合金。

15.根据权利要求14所述的MEMS装置，其中所述镍硼合金包含约0.5原子％的硼。

16.根据权利要求11所述的MEMS装置，其额外地包含与所述光学吸收体层电连通的导电总线结构。

17.根据权利要求16所述的MEMS装置，其中所述总线结构包含第一子层及第二子层，其中所述第一子层包含与所述可变形层的所述反射子层相同的材料，且其中所述第二子层包含与所述可变形层的所述机械子层相同的材料。

18.根据权利要求1所述的MEMS装置，其额外地包含位于所述光学吸收体的至少一部分上的光学介电层，其中所述光学吸收体包含位于所述显示器的所述光学活性区中的所述光学介电层与所述衬底之间的唯一导电材料。

19.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述MEMS装置在所述显示器的光学活性区中不包含ITO。

20.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述MEMS装置起干涉式调制器的作用。

21.一种制造光学MEMS装置的方法，其包含：

在衬底上形成导电光学吸收体；

图案化所述导电光学吸收体以形成条带电极，其中所述光学吸收体在所述MEMS装置的光学活性区中的所述条带电极中起主要导体的作用；

在所述光学吸收体上形成牺牲层；

在所述光学吸收体上形成至少一个支撑结构；

在所述牺牲层及所述至少一个支撑结构上形成导电可变形层；以及

执行释放蚀刻以移除所述牺牲层，从而在所述可变形层与所述光学吸收体之间形成腔。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述光学吸收体包含钼铬合金，所述钼铬合金包含约2原子％的铬。

23.根据权利要求21所述的方法，其中所述光学吸收体具有约70-75埃的厚度。

24.根据权利要求21所述的方法，其中所述光学吸收体反射在约28.5％与34.5％之间的入射可见光。

25.根据权利要求21所述的方法，其额外地包含在所述光学吸收体的沉积之前形成黑色掩模吸收体层，其中所述黑色掩模吸收体包含与所述光学吸收体相同的材料。

26.根据权利要求25所述的方法，其额外地包含图案化所述黑色掩模吸收体层以移除所述MEMS装置的光学活性区中的所述黑色掩模吸收体层。

27.根据权利要求25所述的方法，其中所述牺牲层包含与所述光学吸收体及黑色掩模吸收体相同的材料。

28.根据权利要求27所述的方法，其中所述牺牲层、所述光学吸收体及所述黑色掩模吸收体中的每一者均包含钼层。

29.根据权利要求21所述的方法，其在所述可变形层的形成之前额外地将所述牺牲层暴露于包含N₂O的等离子环境。

30.根据权利要求29所述的方法，其中在所述至少一个支撑结构的形成之后进行将所述牺牲层暴露于包含N₂O的等离子环境。

31.根据权利要求21所述的方法，其额外地包含形成与所述光学吸收体电连通的总线结构。

32.根据权利要求31所述的方法，其中形成所述总线结构包含：

形成第一总线子层；

将所述第一总线子层暴露于真空达一时间周期；以及

在将所述第一总线子层暴露于真空之后，在所述第一层上形成第二总线子层。

33.根据权利要求32所述的方法，其中所述第一总线层包含铝钕合金，所述铝钕合金包含约2原子％的钕，且其中所述第二总线层包含镍硼合金，所述镍硼合金包含约0.5原子％的硼。

34.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述可变形层包含：

在所述牺牲层上形成反射子层，所述反射子层包含铝；以及

在所述第一子层上形成机械子层，所述机械子层包含镍。

35.根据权利要求34所述的方法，其中所述反射子层包含铝钕合金，所述铝钕合金包含约2％的钕。

36.根据权利要求34所述的方法，其中所述机械子层包含镍硼合金，所述镍硼合金包含约0.5％的硼。